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JP5966616B2 - Wavelength multiplexer / demultiplexer and optical receiver - Google Patents

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JP5966616B2 JP2012119915A JP2012119915A JP5966616B2 JP 5966616 B2 JP5966616 B2 JP 5966616B2 JP 2012119915 A JP2012119915 A JP 2012119915A JP 2012119915 A JP2012119915 A JP 2012119915A JP 5966616 B2 JP5966616 B2 JP 5966616B2
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Description

本発明は、波長合分波器とこれを用いた光受信器に関する。   The present invention relates to a wavelength multiplexer / demultiplexer and an optical receiver using the same.

近年、大容量インターコネクトに向けて、シリコン(Si)基板上に光デバイスを形成し、波長多重(WDM: wavelength division multiplexing)技術を用いることにより、光配線一本あたりの処理容量を向上することが積極的に検討されている。シリコンチップ内でWDM信号を送受信するために、通常は波長合分波器を用いてWDM光信号を必要に応じて合波・分波させている。波長合分波器に求められる特性として、低損失性や低クロストーク(XT)等が挙げられる。WDMの利点を最大限に活かすには、チャネル数を多くすることが有効である。   In recent years, an optical device has been formed on a silicon (Si) substrate for high-capacity interconnects, and the processing capacity per optical wiring has been improved by using wavelength division multiplexing (WDM) technology. Has been actively considered. In order to transmit / receive a WDM signal within a silicon chip, a WDM optical signal is usually multiplexed / demultiplexed as required using a wavelength multiplexer / demultiplexer. The characteristics required for the wavelength multiplexer / demultiplexer include low loss and low crosstalk (XT). Increasing the number of channels is effective in making the most of the advantages of WDM.

多チャネル化に適した波長合分波器として、図1に示すアレイ導波路格子(AWG: arrayed waveguide grating)が知られている(例えば、非特許文献1参照)。AWG110は、入力スターカプラ111と出力スターカプラ112の間を光学的に接続する複数のアレイ導波路113−1〜113−kを含む。アレイ導波路113−1〜113−k(「アレイ導波路113」と総称する)は所定の光路長差を有する。AWGの場合、アレイ導波路113が形成されるアレイ領域でランダム位相誤差(位相ズレ)が生じ、合分波特性が劣化する。具体的には、波長合分波器の挿入損が生じ、クロストーク(XT)が増大する。これは製造装置の精度に関わる問題である。   As a wavelength multiplexer / demultiplexer suitable for multi-channeling, an arrayed waveguide grating (AWG) shown in FIG. 1 is known (for example, see Non-Patent Document 1). The AWG 110 includes a plurality of arrayed waveguides 113-1 to 113-k that optically connect the input star coupler 111 and the output star coupler 112. The arrayed waveguides 113-1 to 113-k (collectively referred to as “arrayed waveguide 113”) have a predetermined optical path length difference. In the case of AWG, a random phase error (phase shift) occurs in the array region where the arrayed waveguide 113 is formed, and the multiplexing / demultiplexing characteristics deteriorate. Specifically, the insertion loss of the wavelength multiplexer / demultiplexer occurs, and the crosstalk (XT) increases. This is a problem related to the accuracy of the manufacturing apparatus.

この問題を解消するためには、作製工程で生じる位相誤差(δφ)を最小限に抑える必要がある。しかし、ランダム位相誤差(δφ)は、製造装置の精度によって統計的に定まる量である。ランダム位相誤差(δφ)の問題を根本的に克服するには、製造装置の分解能を高精度にしなければならない。そうすると製造コストが増大する。   In order to solve this problem, it is necessary to minimize the phase error (δφ) generated in the manufacturing process. However, the random phase error (δφ) is an amount that is statistically determined by the accuracy of the manufacturing apparatus. In order to fundamentally overcome the problem of the random phase error (δφ), the resolution of the manufacturing apparatus must be highly accurate. This increases the manufacturing cost.

図2は、41本のアレイ導波路113を有する16チャネルAWGを、異なるプロセス精度で作製したときの合分波スペクトル特性を示す図である。図2(a)は、DUV248nm、180nmノードCMOSプロセスで作製したAWGの1チャネルの出力をプロットしたスペクトル特性、図2(b)は、DUV193nm、65nmノードCMOSプロセスで作製したAWGの1チャネルの出力をプロットしたスペクトル特性である。各プロセスノードにおいて、典型的に決まるランダム位相誤差dfの影響により、図2(a)の場合はクロストーク(XT)が−20dBより悪くなる。これを−20dBより改善することは困難である。他方、図2(b)に示すように、プロセスノードを上げることでクロストークを−30dBに向上することが期待できるが、製造コストが増大する。   FIG. 2 is a diagram showing a combined / demultiplexed spectrum characteristic when a 16-channel AWG having 41 arrayed waveguides 113 is manufactured with different process accuracy. 2A is a spectral characteristic plotting the output of one channel of an AWG produced by a DUV248 nm, 180 nm node CMOS process, and FIG. 2B is the output of one channel of an AWG produced by a DUV193 nm, 65 nm node CMOS process. Is a spectral characteristic. In each process node, the crosstalk (XT) is worse than −20 dB in the case of FIG. It is difficult to improve this from -20 dB. On the other hand, as shown in FIG. 2B, it can be expected that the crosstalk is improved to −30 dB by raising the process node, but the manufacturing cost increases.

位相誤差(δφ)の問題を克服する別の方法として、AWGのアレイ領域で生じる位相ズレを個別に調整することが提案されている(たとえば、非特許文献2参照)。しかし、この方法では数十本のアレイ導波路をすべて制御する必要があるため、制御アルゴリズムが極めて複雑になる。また、相対的に広い面積を持つアレイ導波路領域を制御するため、消費電力が増大するという問題もある。   As another method for overcoming the problem of the phase error (δφ), it has been proposed to individually adjust the phase shift generated in the array area of the AWG (see, for example, Non-Patent Document 2). However, this method requires control of all tens of arrayed waveguides, which makes the control algorithm extremely complicated. There is also a problem that power consumption increases because the arrayed waveguide region having a relatively large area is controlled.

D. -J. Kim, J. -M. Lee, J. -H. Song, J. -H. Pyo, and G. -O.Kim, “Crosstalk reduction in a shallow-etched silicon nanowire AWG,” PhotonicsTechnology Letters, Vol(20), No(19), October, 2008D. -J. Kim, J. -M. Lee, J. -H. Song, J. -H. Pyo, and G. -O.Kim, “Crosstalk reduction in a shallow-etched silicon nanowire AWG,” PhotonicsTechnology Letters, Vol (20), No (19), October, 2008 N. K. Fontaine, J. Yang, W. Jiang, D. J. Geisler, K. Okamoto,R. Huang, and S. J. B. Yoo, “Active arrayed-waveguide grating with amplitudeand phase control for arbitrary filter generation and high-order dispersioncompensation,” Proceedings of ECOC (European Conference on OpticalCommunication Conference), Mo.4.C.3, September, 2008NK Fontaine, J. Yang, W. Jiang, DJ Geisler, K. Okamoto, R. Huang, and SJB Yoo, “Active arrayed-waveguide grating with amplitude and phase control for arbitrary filter generation and high-order dispersioncompensation,” Proceedings of ECOC (European Conference on Optical Communication Conference), Mo.4.C.3, September, 2008

上述のように、AWGのクロストークを低減するにはアレイ導波路領域で生じる位相誤差(δφ)の低減が必要である。しかし装置の精度を上げる場合は必然的に製造コストが増大する。またAWGアレイ領域での個別の位相調整は、制御アルゴリズムが複雑になり設計が困難であることに加え、消費電力が増大する。   As described above, in order to reduce AWG crosstalk, it is necessary to reduce the phase error (δφ) generated in the arrayed waveguide region. However, increasing the accuracy of the apparatus inevitably increases the manufacturing cost. In addition, the individual phase adjustment in the AWG array region complicates the control algorithm and is difficult to design, and also increases the power consumption.

そこで、製造コストと消費電力を抑制しつつ、波長合分波での損失とクロストークを低減することを課題とする。   Therefore, it is an object to reduce loss and crosstalk in wavelength multiplexing / demultiplexing while suppressing manufacturing cost and power consumption.

ひとつの観点では、波長合分波器は、
入力光に含まれる波長の異なる光信号を合分波する光合分波回路と、
前記光合分波回路の複数の出力のそれぞれに光学的に接続されるアド・ドロップ型リング共振器と
を有し、前記アド・ドロップ型リング共振器は、リング領域と、スルーポートに接続するスルー導波路と、ドロップポートに接続するドロップ導波路とを含み、
前記各アド・ドロップ型リング共振器の共振中心波長は、前記光合分波回路の合分波波長の各々に対応し、前記ドロップポートから取り出される光を波長分離後の出力とすることを特徴とする。
In one aspect, the wavelength multiplexer / demultiplexer
An optical multiplexing / demultiplexing circuit for multiplexing / demultiplexing optical signals of different wavelengths included in the input light;
An add / drop ring resonator optically connected to each of the plurality of outputs of the optical multiplexing / demultiplexing circuit, wherein the add / drop ring resonator includes a ring region and a through port connected to a through port. Including a waveguide and a drop waveguide connected to the drop port;
The resonance center wavelength of each of the add / drop type ring resonators corresponds to each of the multiplexing / demultiplexing wavelengths of the optical multiplexing / demultiplexing circuit, and the light extracted from the drop port is used as an output after wavelength separation. To do.

製造コストと消費電力を抑制しつつ、低損失性かつ低クロストークの波長合分波を実現することができる。   It is possible to realize wavelength multiplexing / demultiplexing with low loss and low crosstalk while suppressing manufacturing cost and power consumption.

合分波器として用いられるアレイ導波路格子(AWG)の概略図である。1 is a schematic diagram of an arrayed waveguide grating (AWG) used as a multiplexer / demultiplexer. FIG. 製造装置の精度に依存するアレイ波長のスペクトル特性図である。It is a spectral characteristic figure of the array wavelength depending on the precision of a manufacturing apparatus. 一実施形態の波長合分波器の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the wavelength multiplexer / demultiplexer of one Embodiment. 図3の波長合分波器の変形例を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a modification of the wavelength multiplexer / demultiplexer in FIG. 3. 図4の波長合分波器の出力を受信用受光素子に接続した構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration in which the output of the wavelength multiplexer / demultiplexer of FIG. 図3又は図4のアレイ導波路格子に替えて干渉型合分波器を用いたときの波長合分波器の構成例を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration example of a wavelength multiplexer / demultiplexer when an interference multiplexer / demultiplexer is used instead of the arrayed waveguide grating of FIG. 3 or FIG. 4. DUV248nm、180nmノードCMOSプロセスで図3の波長合分波器を作製したときのドロップポートから得られるスペクトル応答と、スルーポートから得られるスペクトル応答の図である。FIG. 4 is a diagram of a spectral response obtained from a drop port and a spectral response obtained from a through port when the wavelength multiplexer / demultiplexer of FIG. 3 is manufactured by a DUV 248 nm, 180 nm node CMOS process. 実施形態の波長合分波器に適用されるシリコン細線のリブ型導波路の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the rib type | mold waveguide of the silicon | silicone thin wire | line applied to the wavelength multiplexer / demultiplexer of embodiment. 実施形態の波長合分波器に適用されるシリコン細線のチャネル型導波路の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the channel type | mold waveguide of the silicon | silicone thin line applied to the wavelength multiplexer / demultiplexer of embodiment. 実施形態の波長合分波器を用いた光受信器の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the optical receiver using the wavelength multiplexer / demultiplexer of embodiment. 実施形態の16チャネルAWGの合分波スペクトル特性を、従来技術による216チャネルAWGの合分波スペクトル特性器と比較して示す図である。It is a figure which compares and shows the multiplexing / demultiplexing spectrum characteristic of 16 channel AWG of embodiment compared with the multiplexing / demultiplexing spectrum characteristic device of 216 channel AWG by a prior art. 実施形態の16チャネルAWGの合分波スペクトル特性と、クロストーク低減効果を示す図である。It is a figure which shows the multiplexing / demultiplexing spectrum characteristic of 16 channel AWG of embodiment, and the crosstalk reduction effect. 実施形態の波長合分波器の効果を従来技術と比較して示す図である。It is a figure which shows the effect of the wavelength multiplexer / demultiplexer of embodiment compared with a prior art.

以下で、図面を参照して発明の実施形態を説明する。実施形態では、AGW等の光合分波回路から出力される各波長成分の光に対して位相の微調整を行うことにより、製造装置の精度が従来と同じ場合でも波長合分波器のクロストークを低減する。   Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. In the embodiment, by performing fine adjustment of the phase of the light of each wavelength component output from the optical multiplexing / demultiplexing circuit such as AGW, the crosstalk of the wavelength multiplexing / demultiplexing device is obtained even when the accuracy of the manufacturing apparatus is the same as the conventional one. Reduce.

図3は、一実施形態による波長合分波器1Aの概略構成図である。波長合分波器1Aは入力光に含まれる異なる波長成分の光を分波する光合分波回路10と、光合分波回路10の各出力に光学的に接続される複数のアド・ドロップ型リング共振器(AD-MRR: add-drop microring resonator)20−1〜20−n(適宜「アド・ドロップ型リング共振器20」または「AD−MRR20」と総称する)を含む。   FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a wavelength multiplexer / demultiplexer 1A according to an embodiment. The wavelength multiplexer / demultiplexer 1A includes an optical multiplexing / demultiplexing circuit 10 that demultiplexes light of different wavelength components included in input light, and a plurality of add / drop type rings optically connected to the outputs of the optical multiplexing / demultiplexing circuit 10 It includes resonators (AD-MRR: add-drop microring resonators) 20-1 to 20-n (collectively referred to as “add-drop type ring resonator 20” or “AD-MRR20” as appropriate).

光合分波回路10は、図3の例ではアレイ導波路格子(AWG)10である。AWG10は、入力スターカプラ11と、出力スターカプラ12と、これらの間を接続する所定の光路長差を有する複数のアレイ導波路13−1〜13−k(適宜「アレイ導波路13」と総称する)を含む。AWG10は、入力導波路2から、複数チャネルの光信号が合波された光を入力光として受け取る。入力光は、入力スターカプラ11のスラブ領域7で広がりk本のアレイ導波路13−1〜13−kに結合する。アレイ導波路13−1〜13−kで所定の位相差が与えられた光信号は、出力スターカプラ12のスラブ領域8に結合し、波長に応じた回折角度で対応する出力導波路3−1〜3−n(適宜「出力導波路3」と総称する)に結合する。出力導波路3の数nは、アレイ導波路13の本数kと同じであっても異なってもよい。   The optical multiplexing / demultiplexing circuit 10 is an arrayed waveguide grating (AWG) 10 in the example of FIG. The AWG 10 is an input star coupler 11, an output star coupler 12, and a plurality of array waveguides 13-1 to 13 -k (referred to as “array waveguide 13” as appropriate) having a predetermined optical path length difference between them. Included). The AWG 10 receives, from the input waveguide 2, light that is a combination of optical signals of a plurality of channels as input light. The input light spreads in the slab region 7 of the input star coupler 11 and is coupled to k arrayed waveguides 13-1 to 13-k. The optical signal to which a predetermined phase difference is given by the arrayed waveguides 13-1 to 13-k is coupled to the slab region 8 of the output star coupler 12, and the corresponding output waveguide 3-1 with a diffraction angle corresponding to the wavelength. To 3-n (collectively referred to as “output waveguide 3” where appropriate). The number n of the output waveguides 3 may be the same as or different from the number k of the arrayed waveguides 13.

AWG10の各出力導波路3に光学的に接続されるアド・ドロップ型リング共振器20は、リング領域23と、スルーポートにつながるスルー導波路21と、ドロップポートにつながるドロップ導波路22を有する。AD−MRR20−1〜20−nの各々の共振中心波長は、AWG10の対応する合分波中心波長と一致する。また、AD−MRR20−1〜20−nのリング領域23の周回長は、AWG10のアレイ導波路13の光路長差よりも大きい。   The add / drop ring resonator 20 optically connected to each output waveguide 3 of the AWG 10 has a ring region 23, a through waveguide 21 connected to the through port, and a drop waveguide 22 connected to the drop port. The resonance center wavelengths of the AD-MRRs 20-1 to 20-n coincide with the corresponding multiplexing / demultiplexing center wavelengths of the AWG 10. Further, the circumference of the ring region 23 of the AD-MRRs 20-1 to 20-n is larger than the optical path length difference of the arrayed waveguide 13 of the AWG 10.

具体的には、アレイ導波路13の光路長差をΔLArray、リング領域23の周回長をLMRR、リング領域の半径をRとすると、リング周回長は以下の条件を満たす。 Specifically, when the optical path length difference of the arrayed waveguide 13 is ΔL Array , the ring length of the ring region 23 is L MRR , and the radius of the ring region is R, the ring loop length satisfies the following conditions.

MRR =2πR>ΔLArray (1)
MRR ≠P・ΔLArray(Pは自然数) (2)
式(1)の条件を満たす場合に、AD−MRR20の曲げ放射損が最小限に抑えられ、損失の低減が可能になる。換言すると、リング領域23の曲率半径を過剰損が生じない程度に大きくすることができる。
L MRR = 2πR> ΔL Array (1)
L MRR ≠ P · ΔL Array (P is a natural number) (2)
When the condition of the expression (1) is satisfied, the bending radiation loss of the AD-MRR 20 is minimized and the loss can be reduced. In other words, the radius of curvature of the ring region 23 can be increased to such an extent that no excessive loss occurs.

式(2)の条件により、AD−MRR20のFSR(free spectral range)をAWG10のFSRの整数倍と一致しないように制御する。これにより、所望の動作帯域以外の波長領域でのAWG10の透過ピークを抑制することができる。この効果については、図13を参照して後述する。   Control is performed so that the FSR (free spectral range) of the AD-MRR 20 does not coincide with an integer multiple of the FSR of the AWG 10 according to the condition of the expression (2). Thereby, the transmission peak of AWG10 in a wavelength region other than a desired operating band can be suppressed. This effect will be described later with reference to FIG.

AD−MRR20−1〜20−nの各々で、リング共振器の共振中心波長と一致する波長成分がリング領域23に結合し、それ以外の成分(クロストーク成分等)はスルーポートに透過する。リング領域23に結合した光はリング領域23を周回し、ドロップ導波路32に結合して、ドロップポートに出力される。   In each of the AD-MRRs 20-1 to 20-n, a wavelength component that matches the resonance center wavelength of the ring resonator is coupled to the ring region 23, and other components (such as a crosstalk component) are transmitted to the through port. The light coupled to the ring region 23 circulates around the ring region 23, is coupled to the drop waveguide 32, and is output to the drop port.

アド・ドロップ型リング共振器(AD−MRR)20を設けることにより、各波長成分からリング共振器の共振中心波長と一致する光を引き出し(フィルタリングし)、合分波後のクロストークを低減することができる。AD−MRR20−1〜20−nのドロップポートからの出力が波長合分波器1Aの出力となる。   By providing an add / drop type ring resonator (AD-MRR) 20, light matching the resonance center wavelength of the ring resonator is extracted (filtered) from each wavelength component, and crosstalk after multiplexing / demultiplexing is reduced. be able to. The outputs from the drop ports of the AD-MRRs 20-1 to 20-n become the output of the wavelength multiplexer / demultiplexer 1A.

図4は、図3の変形例である波長合分波器1Bの概略構成図である。図3の構成では、AWG10の分波中心波長と、AD−MRR20の共振中心波長とが一致することを大前提としていた。しかし、製造過程で生じる誤差により、AWG10の分波中心波長とAD−MRR20の共振中心波長とが一致しない場合も多い。AWG10の分波中心波長とAD−MRR20の共振中心波長のズレ量(Δλ)が増大すると、所望の特性を得ることができない。そこで、AD−MRR20の共振中心波長をチューニングすることで波長ズレの問題を解決する。   FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a wavelength multiplexer / demultiplexer 1B which is a modification of FIG. In the configuration of FIG. 3, it is premised that the demultiplexing center wavelength of the AWG 10 matches the resonance center wavelength of the AD-MRR 20. However, there are many cases where the demultiplexing center wavelength of the AWG 10 and the resonance center wavelength of the AD-MRR 20 do not coincide with each other due to an error generated in the manufacturing process. If the amount of deviation (Δλ) between the demultiplexing center wavelength of the AWG 10 and the resonance center wavelength of the AD-MRR 20 increases, desired characteristics cannot be obtained. Therefore, the problem of wavelength shift is solved by tuning the resonance center wavelength of the AD-MRR 20.

波長合分波器1Bは、AWG10と、AWG10の各出力に光学的に接続されるAD−MRR30−1〜30−nを含む。AD−MRR30は、リング領域33と、スルー導波路31と、ドロップ導波路32と、リング領域33を加熱するヒータ電極35を有する。ヒータ電極35は、たとえばリング領域33、スルー導波路31、ドロップ導波路32が形成されている層の上層に絶縁膜を介して形成されている。各ヒータ電極35は、電圧又は電流印加用のパッド電極37に接続されている。   The wavelength multiplexer / demultiplexer 1B includes the AWG 10 and AD-MRRs 30-1 to 30-n that are optically connected to the outputs of the AWG 10. The AD-MRR 30 includes a ring region 33, a through waveguide 31, a drop waveguide 32, and a heater electrode 35 that heats the ring region 33. For example, the heater electrode 35 is formed on an upper layer of the layer in which the ring region 33, the through waveguide 31 and the drop waveguide 32 are formed via an insulating film. Each heater electrode 35 is connected to a pad electrode 37 for applying voltage or current.

スルー導波路31に受光器36(PD1)が接続され、AWG10の出力導波路3から出力された光信号の電流値をモニタする。モニタ結果に応じてヒータ電極35に印加する電圧又は電流を調整し、リング領域23の屈折率を変化させる。これにより、AD−MRR30の共振中心波長を波長ズレ量(Δλ)が小さくなる方向にシフトさせ、AWG10の分波中心波長に一致させる。   A light receiver 36 (PD1) is connected to the through waveguide 31, and the current value of the optical signal output from the output waveguide 3 of the AWG 10 is monitored. The voltage or current applied to the heater electrode 35 is adjusted according to the monitor result, and the refractive index of the ring region 23 is changed. As a result, the resonance center wavelength of the AD-MRR 30 is shifted in the direction in which the wavelength shift amount (Δλ) is reduced, and is matched with the demultiplexing center wavelength of the AWG 10.

AD−MRR30の面積は、AWG10のアレイ導波路領域の面積の1/100以下である。したがって、各AD−MRR30を個別に制御した場合でも、波長制御に必要な消費電力を低減することができる。   The area of the AD-MRR 30 is 1/100 or less of the area of the arrayed waveguide region of the AWG 10. Therefore, even when each AD-MRR 30 is individually controlled, it is possible to reduce power consumption necessary for wavelength control.

図5に示すように、各AD−MRR30のドロップポートに受信用受光器40(PD2)を接続すると、光受信器を構成することができる。光受信器については、図10を参照して後述する。   As shown in FIG. 5, an optical receiver can be configured by connecting a receiving light receiver 40 (PD2) to the drop port of each AD-MRR 30. The optical receiver will be described later with reference to FIG.

図6は、図3の別の変形例である波長合分波器1Cの概略構成図である。図3及び図4の例では、光合分波回路10としてAWG10を用いた。しかし、受信入力光を各チャネルに応じた波長で合分波することのできる任意の構成を採用することができる。図6の例では、光合分波回路15として遅延干渉計(DMZI)型素子15を用いる。マッハツェンダ干渉計17−1、17−2、17−3を組み合わせ、4つの出力導波路3−1、3−2、3−3、3−4(適宜「出力導波路3」と総称する)からそれぞれ異なる波長の光を取り出す。マッハツェンダ干渉計17−1、17−2、17−3は、導波路全体として所定の光路長差が与えられるように、2つのアームの光路長が設定されている。アーム間の光路長差は、導波路の物理長を異ならせる、あるいは熱光学位相シフタ18により導波路の屈折率を変化させて実効導波路長を異ならせる等で設定することができる。遅延干渉計型合分波素子15の出力導波路3は、対応するAD−MRR20(図3)またはAD−MRR30(図4)に光学的に接続される。   FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a wavelength multiplexer / demultiplexer 1C which is another modification of FIG. 3 and 4, the AWG 10 is used as the optical multiplexing / demultiplexing circuit 10. However, any configuration that can multiplex / demultiplex received input light with a wavelength corresponding to each channel can be employed. In the example of FIG. 6, a delay interferometer (DMZI) type element 15 is used as the optical multiplexing / demultiplexing circuit 15. Combining Mach-Zehnder interferometers 17-1, 17-2 and 17-3, from four output waveguides 3-1, 3-2, 3-3 and 3-4 (collectively referred to as “output waveguide 3” where appropriate) Extract light of different wavelengths. In the Mach-Zehnder interferometers 17-1, 17-2, and 17-3, the optical path lengths of the two arms are set so that a predetermined optical path length difference is given to the entire waveguide. The optical path length difference between the arms can be set by changing the physical length of the waveguide or changing the refractive index of the waveguide by the thermo-optic phase shifter 18 to change the effective waveguide length. The output waveguide 3 of the delay interferometer type multiplexer / demultiplexer 15 is optically connected to the corresponding AD-MRR 20 (FIG. 3) or AD-MRR 30 (FIG. 4).

この構成によっても、光合分波回路(遅延干渉計型合分波素子)15の後段に配置されたAD−MRR20(または30)により、クロストークを低減することができる。   Also with this configuration, the crosstalk can be reduced by the AD-MRR 20 (or 30) arranged at the subsequent stage of the optical multiplexing / demultiplexing circuit (delay interferometer type multiplexing / demultiplexing element) 15.

図7は、図2(a)と同じDUV248nm、180nmノードCMOSプロセスにより、図3の波長合分波器1Aを作製したときのスペクトル特性を示す図である。図7(a)の実線がAD−MRR20のドロップポートからのスペクトル応答、図7(b)の実線がAD−MRR20のスルーポートからのスペクトル応答である。比較例として、図1の従来構成の波長合分波器110の出力ポートからのスペクトル応答を破線で示す。   FIG. 7 is a diagram showing the spectral characteristics when the wavelength multiplexer / demultiplexer 1A of FIG. 3 is fabricated by the same DUV 248 nm, 180 nm node CMOS process as FIG. The solid line in FIG. 7A is the spectral response from the drop port of the AD-MRR 20, and the solid line in FIG. 7B is the spectral response from the through port of the AD-MRR 20. As a comparative example, the spectral response from the output port of the wavelength multiplexer / demultiplexer 110 having the conventional configuration shown in FIG.

ドロップポート(図7(a))とスルーポート(図7(b))のスペクトル応答はちょうど逆になっている。図7(a)で、AWG10の中心波長とAD−MRR20の中心波長の間の波長ズレ(Δλ)がゼロのときに、ドロップポートのスペクトル応答はピークを示す。図7(b)で、AWG10とAD−MRR20の波長ズレ(Δλ)がゼロのときにスルーポートのスペクトル応答は極小となる。   The spectral response of the drop port (FIG. 7 (a)) and the through port (FIG. 7 (b)) are just reversed. In FIG. 7A, when the wavelength shift (Δλ) between the center wavelength of the AWG 10 and the center wavelength of the AD-MRR 20 is zero, the spectral response of the drop port shows a peak. In FIG. 7B, when the wavelength shift (Δλ) between the AWG 10 and the AD-MRR 20 is zero, the spectral response of the through port is minimized.

図7から明らかなように、AWG10の各チャネルに対してAD−MRR20によるフィルタ作用を与えることによって、ドロップポートでクロストークを−20dB(1/100)から−30dB(1/1000)に低減することができる。また、中心波長における過剰損や合分波スペクトル形状にはほとんど影響がないことがわかる。   As is apparent from FIG. 7, by applying a filtering action by the AD-MRR 20 to each channel of the AWG 10, the crosstalk is reduced from −20 dB (1/100) to −30 dB (1/1000) at the drop port. be able to. It can also be seen that the excess loss at the center wavelength and the combined / demultiplexed spectrum shape are hardly affected.

なお、図7(a)のスペクトル応答は、図5の光受信機構成では、受信用受光器(PD2)からの電流信号応答に相当し、図7(b)のスペクトル応答は、図5の光受信機構成でモニタ用受光器(PD1)からの電流信号応答に相当する。   The spectral response in FIG. 7A corresponds to the current signal response from the receiving light receiver (PD2) in the optical receiver configuration in FIG. 5, and the spectral response in FIG. This corresponds to a current signal response from the monitor light receiver (PD1) in the optical receiver configuration.

実施形態の波長合分波器1A、1B、1Cでは、AD−MRR20、30の波長制御が極めて簡単である。図7(a)の特性が得られたときに、AD−MRR20、30のスルーポートからのスペクトル特性は、合分波波長グリッド近傍で反転する形となる(図7(b))。このとき、図4、5のAD−MRR30のスルーポートに備えたPD1からのモニタ電流量が最小になる。波長ズレ量(Δλ)が増大するとPD1からの電流量が増加する。AD−MRR30の適正なチューニング制御は、PD1に流れる電流量が最小になるように制御するだけでよい。また、多チャネル成分の相対波長関係はAWG10によって決まるため、いずれのAD−MRRにおいてもチューニングの最適条件は同一である。   In the wavelength multiplexer / demultiplexers 1A, 1B, and 1C of the embodiment, the wavelength control of the AD-MRRs 20 and 30 is extremely simple. When the characteristics shown in FIG. 7A are obtained, the spectral characteristics from the through ports of the AD-MRRs 20 and 30 are inverted in the vicinity of the multiplexing / demultiplexing wavelength grid (FIG. 7B). At this time, the amount of monitor current from the PD 1 provided in the through port of the AD-MRR 30 of FIGS. As the wavelength shift amount (Δλ) increases, the amount of current from PD1 increases. Appropriate tuning control of the AD-MRR 30 need only be performed so that the amount of current flowing through the PD 1 is minimized. In addition, since the relative wavelength relationship of the multi-channel components is determined by the AWG 10, the optimum tuning conditions are the same in any AD-MRR.

実施形態の波長合分波器によると、クロストークの改善のみならず、AWG10そのものを小型化し損失を低減することが可能である。通常、AWGの場合、チャネル数が増えるほど、(チャネル数)×(チャネル間隔)で表される帯域幅(BWDEMUX)以上のFSRAWG(free spectral range)が必要となる。FSRAWGが帯域幅(BWDEMUX)より狭くなると、一部のチャネル信号はクロストークの影響を受け、大きなペナルティが生じるからである。FSRAWGを広げるためには、アレイ導波路同士の光路長差(ΔLArray)を低減すればよい。しかし、この場合AWGのフィルタ帯域幅が広くなる。フィルタ帯域幅が広くなっても、クロストークが劣化してしまう。AWGのフィルタ帯域幅を狭めるためには、アレイ導波路本数を増大しなければならない。 According to the wavelength multiplexer / demultiplexer of the embodiment, it is possible not only to improve the crosstalk but also to reduce the loss by reducing the size of the AWG 10 itself. In general, in the case of AWG, as the number of channels increases, an FSR AWG (free spectral range) greater than the bandwidth (BW DEMUX ) expressed by (number of channels) × (channel interval) is required. This is because when the FSR AWG becomes narrower than the bandwidth (BW DEMUX ), some channel signals are affected by crosstalk, resulting in a large penalty. In order to widen the FSR AWG , the optical path length difference (ΔL Array ) between the arrayed waveguides may be reduced. In this case, however, the filter bandwidth of the AWG is widened. Even if the filter bandwidth is widened, the crosstalk deteriorates. In order to reduce the filter bandwidth of the AWG, the number of arrayed waveguides must be increased.

以上のことから、AWGのチャネル数が増えると、ΔLArrayを低減し、アレイ導波路本数を増大しないといけない。アレイ導波路数が増大すると素子サイズが増大し、スターカプラにて合分波する際、過剰損が増大する傾向となる。 From the above, as the number of AWG channels increases, ΔL Array must be reduced and the number of arrayed waveguides increased. When the number of arrayed waveguides increases, the element size increases, and excess loss tends to increase when multiplexing / demultiplexing with a star coupler.

これに対し、実施形態の波長合分波器1では、AD−MRR20(または30)のフィルタ効果を利用するため、波長合分波器1に要求される帯域幅を保ちつつ、AWGのアレイ導波路本数を減らすことができる。つまり、アレイ導波路の本数の低減に伴うAWG帯域幅の広がりを、AD−MRR20(または30)のフィルタ帯域幅を狭めることによって補償することができる。   On the other hand, in the wavelength multiplexer / demultiplexer 1 of the embodiment, since the filter effect of the AD-MRR 20 (or 30) is used, the bandwidth of the wavelength multiplexer / demultiplexer 1 is maintained, and the array operation of the AWG is performed. The number of waveguides can be reduced. That is, the expansion of the AWG bandwidth accompanying the reduction in the number of arrayed waveguides can be compensated by narrowing the filter bandwidth of the AD-MRR 20 (or 30).

図8は、実施形態の波長合分波器1を構成する導波路の一例として、リブ型導波路65の概略断面図である。リブ型導波路65は、Si基板61上にシリコン酸化(SiO2)膜62とSiコア層(たとえば膜厚0.25μm)を有するSOIウェハを用いて形成することができる。光露光プロセスによって波長合分波器1を形成する素子領域に導波路ストライプをパターニングする。リブ型導波路65のパターンは光露光装置のフォトマスクで規定される。光露光の代わりに、電子ビーム露光を用いてもよい。 FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a rib-type waveguide 65 as an example of a waveguide constituting the wavelength multiplexer / demultiplexer 1 of the embodiment. The rib-type waveguide 65 can be formed using an SOI wafer having a silicon oxide (SiO 2 ) film 62 and a Si core layer (for example, a film thickness of 0.25 μm) on the Si substrate 61. Waveguide stripes are patterned in the element region for forming the wavelength multiplexer / demultiplexer 1 by an optical exposure process. The pattern of the rib waveguide 65 is defined by a photomask of an optical exposure apparatus. Instead of light exposure, electron beam exposure may be used.

Siコア層に描画されたパターンを、たとえば反応性イオンエッチングなどの方法でドライエッチングし、スラブ高0.05μm程度を有するリブ導波路65を形成する。その後、リブ型導波路65のストライプパターン上に蒸着装置などによりSiO2膜66を形成する。 The pattern drawn on the Si core layer is dry-etched by a method such as reactive ion etching to form a rib waveguide 65 having a slab height of about 0.05 μm. Thereafter, an SiO 2 film 66 is formed on the stripe pattern of the rib-type waveguide 65 by a vapor deposition apparatus or the like.

波長合分波器10の導波路として、図9に示すチャネル型導波路としてもよい。この場合、SOI基板のSiコア層を、スラブ厚を残さずにエッチングすることで、チャネル型導波路67を形成することができる。   The waveguide of the wavelength multiplexer / demultiplexer 10 may be a channel waveguide shown in FIG. In this case, the channel waveguide 67 can be formed by etching the Si core layer of the SOI substrate without leaving the slab thickness.

図10は、波長合分波器1A〜1C(「波長合分波器1」と総称する)を備えた光受信器50の概略構成図である。光受信器は、波長合分波器1と、波長合分波器1の各出力(分派された波長成分)に接続される受光器40−1〜40−nと、受光器40−1〜40−nに接続されるトランスインピーダンスアンプ(TIA)42−1〜42−nを含む。受光器40はたとえばフォトダイオードであり、各波長(チャネル)の光信号を電流信号に変換する。TIA42は、電流信号をインピーダンス変換、増幅し、電圧信号として出力する。受光器40とTIA42で、光電気(O/E)変換器を構成する。O/E変換により得られた電圧信号は後段の電子論理処理回路60に供給され、信号処理される。光合分波器1から出力される光信号は隣接チャネル間でのクロストークが低減されているため、信号処理後の信号品質も向上する。   FIG. 10 is a schematic configuration diagram of an optical receiver 50 including wavelength multiplexers / demultiplexers 1A to 1C (collectively referred to as “wavelength multiplexer / demultiplexer 1”). The optical receiver includes a wavelength multiplexer / demultiplexer 1, light receivers 40-1 to 40-n connected to each output (divided wavelength component) of the wavelength multiplexer / demultiplexer 1, and light receivers 40-1 to 40-1. Transimpedance amplifiers (TIAs) 42-1 to 42-n connected to 40-n. The light receiver 40 is a photodiode, for example, and converts an optical signal of each wavelength (channel) into a current signal. The TIA 42 converts the impedance of the current signal, amplifies it, and outputs it as a voltage signal. The light receiver 40 and the TIA 42 constitute an optoelectric (O / E) converter. The voltage signal obtained by the O / E conversion is supplied to the electronic logic processing circuit 60 in the subsequent stage and is subjected to signal processing. Since the optical signal output from the optical multiplexer / demultiplexer 1 has reduced crosstalk between adjacent channels, the signal quality after signal processing is also improved.

図11は、実施形態の波長合分波器の特性を、従来の波長合分波器の特性と比較して示す図である。図11(a)は、実施形態の波長合分波器1で400GHz間隔、16ChのAWG10とAD−MRR20を用いたときの合分波スペクトル特性、図11(b)は図1の従来構成の波長合分波器110の合分波スペクトル特性である。図11(a)と図11(b)の双方において、AWGを図8又は図9に示すシリコン細線導波路で形成し、アレイ導波路本数は41本、光路長差ΔLArrayは12.5μmとした。また、図11(a)では、波長合分波器1のAD−MRR20は、リング領域23の曲率半径を4μm、リング−バス導波路間の光結合率を0.3に設定した。これにより、1000以下の低Q値の共振特性を実現することができる。シリコン細線導波路の伝搬損が2dB/cmの場合、AD−MRR20内部に生じる過剰損は0.1dB以下である。 FIG. 11 is a diagram illustrating the characteristics of the wavelength multiplexer / demultiplexer according to the embodiment in comparison with the characteristics of the conventional wavelength multiplexer / demultiplexer. FIG. 11 (a) is a multiplexing / demultiplexing spectrum characteristic when the wavelength multiplexer / demultiplexer 1 of the embodiment uses the AWG 10 and AD-MRR 20 with a spacing of 400GHz and 16Ch, and FIG. 11 (b) is the conventional configuration of FIG. It is a multiplexing / demultiplexing spectrum characteristic of the wavelength multiplexer / demultiplexer 110. In both FIG. 11A and FIG. 11B, the AWG is formed by the silicon thin wire waveguide shown in FIG. 8 or FIG. 9, the number of arrayed waveguides is 41, and the optical path length difference ΔL Array is 12.5 μm. did. In FIG. 11A, the AD-MRR 20 of the wavelength multiplexer / demultiplexer 1 sets the radius of curvature of the ring region 23 to 4 μm and the optical coupling rate between the ring and the bus waveguide to 0.3. Thereby, a resonance characteristic with a low Q value of 1000 or less can be realized. When the propagation loss of the silicon wire waveguide is 2 dB / cm, the excess loss generated inside the AD-MRR 20 is 0.1 dB or less.

図11からわかるように、実施形態の構成でも従来構成でも16チャネルの明確な波長合分波特性が得られているが、クロストークのレベルに顕著な差が見られる。実施形態の波長合分波器(図11(a))では、過剰損をほとんど伴わずに、全チャネルにおいてクロストークが10dB以上、低減されている。   As can be seen from FIG. 11, clear wavelength multiplexing / demultiplexing characteristics of 16 channels are obtained in both the configuration of the embodiment and the conventional configuration, but there is a significant difference in the level of crosstalk. In the wavelength multiplexer / demultiplexer of the embodiment (FIG. 11A), the crosstalk is reduced by 10 dB or more in all channels with almost no excessive loss.

図12は、AWGのアレイ領域のサイズ低減効果を説明するための図である。図12(a)では、AWGのアレイ導波路の本数を41本から31本に低減して、16チャネルの波長合分波特性をプロットしている。図12(b)は、実施形態の構成と、比較例としての従来構成の双方において、アレイ導波路の数を31本としたときの9番目のチャネル成分に対するクロストークをプロットしたグラフである。   FIG. 12 is a diagram for explaining the effect of reducing the size of the array area of the AWG. In FIG. 12A, the number of AWG arrayed waveguides is reduced from 41 to 31, and the wavelength multiplexing / demultiplexing characteristics of 16 channels are plotted. FIG. 12B is a graph plotting the crosstalk for the ninth channel component when the number of arrayed waveguides is 31 in both the configuration of the embodiment and the conventional configuration as a comparative example.

図12(a)に示すように、実施形態の波長合分波器では、AWGのアレイ導波路の本数を41本から31本に減らしても、図11(a)と同等の合分波スペクトル特性を得ることができる。図12(b)からわかるように、従来構成の場合、アレイ導波路の本数の低減に伴ってクロストークが著しく劣化するのに対し、実施形態の波長合分波器では、アレイ導波路の本数を減らしても、−20dBあるいはそれよりも低いクロストークレベルに維持することができる。   As shown in FIG. 12A, in the wavelength multiplexer / demultiplexer of the embodiment, even if the number of AWG arrayed waveguides is reduced from 41 to 31, the multiplexed / demultiplexed spectrum equivalent to that in FIG. Characteristics can be obtained. As can be seen from FIG. 12B, in the case of the conventional configuration, the crosstalk is remarkably deteriorated as the number of array waveguides is reduced. In the wavelength multiplexer / demultiplexer of the embodiment, the number of array waveguides is reduced. Can be maintained at a crosstalk level of -20 dB or lower.

なお、実施形態の構成の場合、AD−MRR20(または30)の光結合率を調整し、狭帯域化することにより、クロストークを同程度に維持しながら、AWGのアレイ導波路の本数をさらに低減することができる。これによって、波長合分波素子の小型化と低損失化を図ることができる。   In the case of the configuration of the embodiment, by adjusting the optical coupling rate of the AD-MRR 20 (or 30) and narrowing the band, the number of AWG array waveguides can be further increased while maintaining the same level of crosstalk. Can be reduced. As a result, the wavelength multiplexing / demultiplexing device can be reduced in size and loss.

上述のように、通常は、AWGはアレイ導波路の本数が増大するとサイズが増大し、挿入損も増加する傾向にある。アレイ導波路の本数を減らすと、スペクトル帯域幅が広がりクロストークが増大する。これに対し、実施形態の構成を用いると、AD−MRR20(または30)のフィルタ作用を適正化することにより、アレイ導波路の本数を減らしても所望のスペクトル帯域幅を維持することができる。したがって、素子特性を犠牲にしないで、損失を低減することができる。   As described above, normally, AWG tends to increase in size and insertion loss as the number of arrayed waveguides increases. Reducing the number of arrayed waveguides increases the spectral bandwidth and increases crosstalk. On the other hand, when the configuration of the embodiment is used, a desired spectral bandwidth can be maintained by reducing the number of arrayed waveguides by optimizing the filter action of the AD-MRR 20 (or 30). Therefore, loss can be reduced without sacrificing device characteristics.

図13は、実施形態において、AD−MRR20(または30)のリング周回長LMRRをAWG10のアレイ導波路間の光路長差ΔLの整数倍にならないように(LMRR ≠P・ΔLArray(Pは自然数))調整したときの効果を示すグラフである。図13(a)は実施形態の成を採用した上で、リング周回長を調整したときの合分波スペクトル特性、図13(b)は比較例として図1の従来構成の合分波スペクトル特性である。素子パラメータは、図11に示す例と同様であるが、図13では16チャネルに相当する帯域幅よりも広い波長範囲をプロットしている。 FIG. 13 shows that in the embodiment, the ring circulation length L MRR of the AD-MRR 20 (or 30) does not become an integral multiple of the optical path length difference ΔL between the array waveguides of the AWG 10 (L MRR ≠ P · ΔL Array (P Is a graph showing the effect of adjusting a natural number)). 13A shows the combined / demultiplexed spectrum characteristics when the ring circumference is adjusted after adopting the configuration of the embodiment, and FIG. 13B shows the combined / demultiplexed spectrum characteristics of the conventional configuration of FIG. 1 as a comparative example. It is. The element parameters are the same as in the example shown in FIG. 11, but in FIG. 13, a wavelength range wider than the bandwidth corresponding to 16 channels is plotted.

図13(b)の従来構成の場合、FSRAWG間隔で周期的に同じ透過ピークが現れる。これに対して図13(a)の場合、BWDEMUX以外で周期的に現れる不要な透過ピークが効果的に抑圧されている。これは、AWG10とAD−MRR20または30)のFSRを互いに異ならせたため、BWDEMUX外のAWG透過ピークがAD−MRR20(または30)による損失を受け、その透過率が抑圧されるからである。図13から、リング周回長をアレイ導波路間の光路長差の整数倍にならないように制御することで、所望の帯域外のAWG透過ピークを10dB以上、抑制できることがわかる。 In the case of the conventional configuration shown in FIG. 13B, the same transmission peak appears periodically at intervals of the FSR AWG . On the other hand, in the case of FIG. 13A, unnecessary transmission peaks that appear periodically other than BW DEMUX are effectively suppressed. This is because the AWG 10 and the AD-MRR 20 or 30) have different FSRs, the AWG transmission peak outside the BW DEMUX receives a loss due to the AD-MRR 20 (or 30), and the transmittance is suppressed. FIG. 13 shows that the AWG transmission peak outside the desired band can be suppressed by 10 dB or more by controlling the ring circulation length so as not to be an integral multiple of the optical path length difference between the arrayed waveguides.

図13(a)の例では、AD−MRRの曲率半径を4μmとしているが、図13(a)に示す特性は、AD−MRR20(または30)の周回長がΔLの整数倍にならないように調整されていれば達成できる。AD−MRR20(または30)の曲率半径を、たとえば5μm、あるいは6μmにしても、同様の効果が得られ、BWDEMUX以外で周期的に現れる不要な透過ピークを抑圧し、光導波回路内にて不要な波長成分の信号を取り除くことができる。その結果、波長合分波器1の高性能化が実現される。 In the example of FIG. 13A, the radius of curvature of the AD-MRR is 4 μm, but the characteristic shown in FIG. 13A is that the circumference of the AD-MRR 20 (or 30) does not become an integral multiple of ΔL. This can be achieved if adjusted. Even if the radius of curvature of the AD-MRR 20 (or 30) is set to 5 μm or 6 μm, for example, the same effect can be obtained, and unnecessary transmission peaks that appear periodically other than BW DEMUX are suppressed, and the optical waveguide circuit Unnecessary wavelength component signals can be removed. As a result, high performance of the wavelength multiplexer / demultiplexer 1 is realized.

以上述べたように、実施形態において、AWG等の光合分波回路10,15の出力導波路ごとにAD−MRR20を接続し、各AD−MRR20の周回長をアレイ導波路の光路長差よりも大きくし、かつ光合分波回路10,15の光路長差の整数倍からずらすことで従来どおりの製造装置で、低電力、低クロスとオークの合分波スペクトル特性を有する波長合分波器を製造することができる。   As described above, in the embodiment, the AD-MRR 20 is connected to each of the output waveguides of the optical multiplexing / demultiplexing circuits 10 and 15 such as AWG, and the circulation length of each AD-MRR 20 is set to be larger than the optical path length difference of the array waveguide. A wavelength multiplexer / demultiplexer having a low power, low cross and oak spectral characteristics in a conventional manufacturing device by increasing the size and shifting from an integral multiple of the optical path length difference of the optical multiplexing / demultiplexing circuits 10 and 15. Can be manufactured.

また、図4、図5のようにAD−MRR30のスルーポートに備えた受光器(PD1)から波長モニタすることにより、低電力で簡便に波長制御することができる。   Further, the wavelength can be easily controlled with low power by monitoring the wavelength from the light receiver (PD1) provided in the through port of the AD-MRR 30 as shown in FIGS.

実施形態の構成により、高精度の製造装置を用いなくても、波長制御に対する消費電力を最低限に抑えながら、AWGアレイ導波路の本数の低減も可能になる。実施形態の波長合分波器を用いて、低損失性かつ低クロストークの光受信器を構成することができる。   With the configuration of the embodiment, the number of AWG array waveguides can be reduced while minimizing power consumption for wavelength control without using a high-precision manufacturing apparatus. By using the wavelength multiplexer / demultiplexer of the embodiment, an optical receiver with low loss and low crosstalk can be configured.

光合分波素子や、光受信機のフロントエンドに適用することができる。   The present invention can be applied to an optical multiplexing / demultiplexing device or a front end of an optical receiver.

1、1A、1B、1C 波長合分波器
10 AWG(光合分波回路)
13−1〜13−k アレイ導波路
15 遅延干渉計型素子(光合分波回路)
20、30 アド・ドロップ型リング共振器
21、31 スルー導波路(バス導波路)
22、32 ドロップ導波路(バス導波路)
23、33 リング領域
35 ヒータ電極
36 PD1(受光器)
40 PD2(O/E変換器の受光器)
42 TIA(O/E変換器の電流電圧変換器)
50 光受信機
1, 1A, 1B, 1C Wavelength multiplexer / demultiplexer 10 AWG (optical multiplexing / demultiplexing circuit)
13-1 to 13-k arrayed waveguide 15 delay interferometer type element (optical multiplexing / demultiplexing circuit)
20, 30 Add-drop type ring resonator 21, 31 Through waveguide (bus waveguide)
22, 32 Drop waveguide (bus waveguide)
23, 33 Ring region 35 Heater electrode 36 PD1 (receiver)
40 PD2 (receiver for O / E converter)
42 TIA (O / E converter current-voltage converter)
50 Optical receiver

Claims (3)

入力光に含まれる波長の異なる光信号を合分波する光合分波回路と、
前記光合分波回路の複数の出力のそれぞれに光学的に接続されるアド・ドロップ型リング共振器と
を有し、
前記アド・ドロップ型リング共振器は、リング領域と、スルーポートに接続するスルー導波路と、ドロップポートに接続するドロップ導波路とを含み、
前記各アド・ドロップ型リング共振器の共振中心波長は、前記光合分波回路の合分波波長の各々に対応し、前記ドロップポートから取り出される光を波長分離後の出力とし、
前記光合分波回路は所定の光路長差を有する複数の導波路を含み、
前記アド・ドロップ型リング共振器の前記リング領域の周回長は、前記光合分波回路の前記光路長差よりも大きく、
前記リング領域の周回長は、前記光路長差の整数倍ではないことを特徴とする波長合分波器。
An optical multiplexing / demultiplexing circuit for multiplexing / demultiplexing optical signals of different wavelengths included in the input light;
An add / drop ring resonator optically connected to each of the plurality of outputs of the optical multiplexing / demultiplexing circuit;
The add / drop ring resonator includes a ring region, a through waveguide connected to the through port, and a drop waveguide connected to the drop port;
The resonance center wavelength of each add / drop ring resonator corresponds to each of the multiplexing / demultiplexing wavelengths of the optical multiplexing / demultiplexing circuit, and the light extracted from the drop port is output after wavelength separation ,
The optical multiplexing / demultiplexing circuit includes a plurality of waveguides having a predetermined optical path length difference,
The ring length of the ring region of the add / drop ring resonator is larger than the optical path length difference of the optical multiplexing / demultiplexing circuit,
The wavelength multiplexer / demultiplexer according to claim 1, wherein a circumference of the ring region is not an integral multiple of the optical path length difference .
前記アド・ドロップ型リング共振器の前記スルーポートに接続される受光素子と、
前記リング領域の近傍に設けられるヒータ電極と、
をさらに含み、前記受光素子で検出される電流値に基づいて、前記ヒータ電極に印加される電流又は電圧が制御されることを特徴とする請求項1に記載の波長合分波器。
A light receiving element connected to the through port of the add / drop ring resonator;
A heater electrode provided in the vicinity of the ring region;
Further comprising a, on the basis of the current value detected by the light receiving element, a wavelength demultiplexer according to claim 1, current or voltage applied to the heater electrode is being controlled.
請求項1または2に記載の波長合分波器と、
前記波長合分波器の前記ドロップポートに接続される光電気変換器と、
を含む光受信器。
The wavelength multiplexer / demultiplexer according to claim 1 or 2 ,
A photoelectric converter connected to the drop port of the wavelength multiplexer / demultiplexer;
Including optical receiver.
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