JP5957546B2 - 導電性組成物 - Google Patents
導電性組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5957546B2 JP5957546B2 JP2015001855A JP2015001855A JP5957546B2 JP 5957546 B2 JP5957546 B2 JP 5957546B2 JP 2015001855 A JP2015001855 A JP 2015001855A JP 2015001855 A JP2015001855 A JP 2015001855A JP 5957546 B2 JP5957546 B2 JP 5957546B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- mass
- conductive composition
- silicone resin
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 132
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 141
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 83
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 54
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 24
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 19
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- -1 osmium (Os) Chemical class 0.000 description 6
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 5
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910020157 Pb—Li Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229910002909 Bi-Te Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007563 Zn—Bi Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 2
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017771 LaFeO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020218 Pb—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018879 Pt—Pd Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008332 Si-Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008347 Si-Zn-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008427 Si—Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006749 Si—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006676 Si—Zn—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006680 Si—Zn—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- JWZCKIBZGMIRSW-UHFFFAOYSA-N lead lithium Chemical compound [Li].[Pb] JWZCKIBZGMIRSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001483 poly(ethyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/40—Glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明はかかる状況に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、電極パターンの細線化および高アスペクト比化の実現が可能で、かつ、電極と基板との接点を良好に形成できる、電極形成用の導電性組成物を提供することである。また、この導電性組成物の採用により実現され得る、機能あるいは性能が向上された半導体素子、例えば、太陽電池素子を提供することを他の目的とする。
本発明の導電性組成物は、具体的には、例えば、半導体基板の受光面上にスクリーン印刷法等により供給された場合に、ライン幅のより微細な電極パターンおよび電極を、嵩高く(高アスペクト比で)形成することができる。そのため、例えば、各種の半導体素子の電極パターンの印刷において更なるファインライン化を実現することができ、半導体素子の更なる小型化および高集積化がなされた高性能な半導体素子が実現される。また、例えば、太陽電池素子の受光面電極の形成に適用することで、受光面の単位面積あたりの受光量を増大させることができ、より多くの電力を発生させられるために特に好ましい。
このような平均粒子径及び粒子形状を有する導電性粉末を用いた導電性組成物は、導電性粉末の充填性がよく、緻密な電極を形成し得る。このことは、細かい電極パターンを形状精度よく形成するにあたって有利である。
このようなガラスフリットは、導電性粉末と同等かそれ以下の大きさに調整されていることが好ましい。例えば、レーザ・散乱回折法に基づく平均粒子径が4μm以下であることが好ましく、好適には2μm以下、典型的には0.1μm以上3μm以下程度であることがより好ましい。
有機バインダとしては、例えば、エチルセルロース,ヒドロキシエチルセルロース等のセルロース系高分子、ポリブチルメタクリレート,ポリメチルメタクリレート,ポリエチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、ポリビニルアルコール,ポリビニルブチラール等をベースとする有機バインダが好適に用いられる。特にセルロース系高分子(例えばエチルセルロース)が好ましく、特に良好なスクリーン印刷を行うことができる粘度特性を実現することができる。
すなわち、導電性組成物中に占める導電性粉末の含有割合は、ペースト全体を100質量%としたとき、およそ70質量%以上(典型的には70質量%〜95質量%)とすることが適当であり、より好ましくは80質量%〜90質量%程度、例えば85質量%程度とすることが好ましい。導電性粉末の含有割合を高くすることは、形状精度がよく緻密な電極のパターンを形成するという観点から好ましい。一方、この含有割合が高すぎると、ペーストの取扱性や、各種の印刷性に対する適性等が低下することがある。
なお、上記有機ビヒクルの全体としての含有割合は、得られるペーストの性状に合わせて可変であり、おおよその目安として、導電性組成物全体を100質量%としたとき、例えば5質量%〜30質量%となる量が適当であり、5質量%〜20質量%であるのが好ましく、5質量%〜15質量%(特に7質量%〜12質量%)となる量がより好ましい。
フィンガー電極13は、受光により生成した光生成キャリア(正孔および電子)を収集するため多数本形成されている。バスバー電極12はフィンガー電極13により収集されたキャリアを集電するための接続用電極である。このような受光面電極12,13が形成された部分は、太陽電池素子の受光面11Aにおいて非受光部分(遮光部分)を形成する。従って、かかる受光面11A側に設けられるバスバー電極12とフィンガー電極13(特に数の多いフィンガー電極13)をできるだけファインライン化することにより、これに対応した分の非受光部分(遮光部分)が低減され、セル単位面積あたりの受光面積が拡大される。これは、極めてシンプルに太陽電池素子10の単位面積あたりの出力を向上させるものとなり得る。
即ち、適当なシリコンウェハを用意し、熱拡散法やイオンプランテーション等の一般的な技法により所定の不純物をドープして上記p−Si層18やn−Si層16を形成することにより、上記シリコン基板(半導体基板)11を作製する。次いで、例えばプラズマCVD等の技法により窒化ケイ素等からなる反射防止膜14を形成する。
その後、上記シリコン基板11の裏面11B側に、先ず、所定の導電性組成物(典型的には導電性粉末がAg粉末である導電性組成物)を用いて所定のパターンにスクリーン印刷し、乾燥することにより、焼成後に裏面側外部接続用電極22(図1参照)となる裏面側導体塗布物を形成する。次いで、裏面側の全面に、アルミニウム粉末を導体成分とする導電性組成物をスクリーン印刷法等で塗布(供給)し、乾燥することによりアルミニウム膜を形成する。
かかる焼成によって、受光面電極(典型的にはAg電極)12,13および裏面側外部接続用電極(典型的にはAg電極)22とともに、焼成アルミニウム電極20が形成され、また同時に、図示しないAl−Si合金層が形成されるとともにアルミニウムがp−Si層18に拡散して上述したp+層(BSF層)24が形成され、太陽電池素子10が作製される。
なお、上記のように同時焼成する代わりに、例えば受光面11A側の受光面電極(典型的にはAg電極)12,13を形成するための焼成と、裏面11B側のアルミニウム電極20および外部接続用電極22を形成するための焼成とを別々に実施してもよい。
(実施形態1)
[導電性組成物の調製]
以下に示す手順で電極形成用の導電性組成物を調製した。すなわち、導電性粉末としては、平均粒子径が2μmの銀(Ag)粉末を用いた。ガラスフリットとしては、下記表1に示す12種類のガラス粉末(平均粒子径:0.5〜1.6μm)を用いた。シリコーン樹脂としては、重量平均分子量Mwが5万のポリジメチルシロキサンを用いた。また、界面活性剤として、硬化ヒマシ油を用いた。有機ビヒクル成分としては、有機バインダ成分としてのエチルセルロース(EC)が分散媒としてのテキサノールに分散されたビヒクルを使用した。
なお、表1において、ガラスフリットの構成を示す記号は、Pbを含む有鉛系ガラスを「A」、Pbを含まずにビスマス(Bi)等を含有する無鉛系ガラスを「B」、Pbを含まずにホウ素(B)やケイ素(Si)等を含有する他の無鉛系ガラスを「C」と表すとともに、各ガラス組成中のSiO2成分の含有量を示す数字を付記したものである。これらのガラスフリットは、組成を調整することで、表1に示すように軟化点を300℃以上600℃以下の範囲で変化させている。
上記で得られた例1〜21の導電性組成物を用いて受光面電極(即ち、フィンガー電極とバスバー電極からなる櫛型電極)を形成することで、例1〜21の太陽電池素子を作製した。
具体的には、まず、市販の156mm四方(6インチ角)の寸法の太陽電池用p型単結晶シリコン基板(板厚180μm)を用意し、その表面(受光面)をフッ酸および硝酸の混酸を用いてエッチングすることで、ダメージ層を除去するとともに凹凸のテクスチャ構造を形成した。次いで、上記テクスチャ構造面に対してリン含有溶液を塗布し、熱処理を施すことでこのシリコン基板の受光面に厚さ約0.5μmのn−Si層(n+層)を形成した。次いで、このn−Si層上に、プラズマCVD(PECVD)法により厚みが約80nm程度の窒化ケイ素膜を製膜し、反射防止膜とした。
このように両面にそれぞれ電極パターンを印刷した基板を、大気雰囲気中、近赤外線高速焼成炉を用いて焼成温度700〜800℃で焼成することで、評価用の太陽電池を作製した。
上記のように作製した太陽電池の受光面電極(フィンガー電極)について、次の手順で、膜厚、線幅、直列抵抗Rsおよびエネルギー変換効率Effを測定した。
電極の膜厚および線幅は、各例の太陽電池の受光面電極の任意の位置の厚み(高さ)と線幅とを、形状解析レーザ顕微鏡(株式会社キーエンス製)にて測定した。その結果を、100カ所について測定した値の平均値として、表2に示した。
これに対し、SiO2の割合が0,3および5質量%のガラスフリットを使用し、シリコーン樹脂を含む例1〜4,8〜11および15〜18の導電性組成物は、上記の例5,12および19よりも膜厚が厚い電極を成形できることがわかった。すなわち、焼成中の形状安定性が向上されて、ガラスフリットの組成に依らずアスペクト比の高い電極を形成できることが確認できた。また、この導電性組成物を用いて作製された太陽電池の直列抵抗Rsは概ね低く、変換効率Effは高く、アスペクト比の向上に伴い発電性能が改善されることが確認できた。
[導電性組成物の調製]
以下の手順にて、シリコーン樹脂の重量平均分子量が導電性組成物の特性に与える影響について評価した。すなわち、ガラスフリットとして、実施形態1におけるA5を用いた。また、シリコーン樹脂として、重量平均分子量Mwが(S1)3000,(S2)1万,(S3)2万,(S4)5万,(S5)7万,(S6)9万および(S7)11万の7種類のポリジメチルシロキサンを用いた。そしてこれらのシリコーン樹脂のいずれかを、銀粉末100質量部に対して0.3質量部配合し、その他の条件は上記の実施形態1と同様にして、S1〜S7の導電性組成物を調製した。なお、比較のために、シリコーン樹脂を配合しないS0の導電性組成物も用意した。
次いで、このように用意したS0〜S7の導電性組成物を用い、上記実施形態1と同様に、スクリーン印刷法を利用して、S0〜S7の太陽電池素子を形成した。
上記のように形成した受光面電極(フィンガー電極)について、次の手順で、断線数、アスペクト比およびライン抵抗RLを測定した。
電極の断線数は、太陽電池エレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence;EL)検査装置を用い、各基板100枚について電極の断線箇所(クラック部分)を特定し、その数を測定した。その結果を、基板1枚当たりの断線箇所数の平均値として、図3に示した。
電極のライン抵抗値は、抵抗計(日置電機株式会社製、デジタルハイテスタ)を用い、フィンガー電極表面の任意の間隔(24mm)における抵抗値(Ω)として測定した。その結果を、受光面電極100カ所について測定した値の平均値として、図4に示した。
図3および図4のグラフ中のマーカーは、X軸(すなわち重量平均分子量Mw)に従って左側から順にS0〜S7の結果を示している。
また、図3から、導電性組成物中にシリコーン樹脂を添加すること、またその添加したシリコーン樹脂の重量平均分子量により、電極の断線数が変化することが確認できた。すなわち、本実施形態においては、重量平均分子量が例えば9万以下のシリコーン樹脂を導電性組成物に添加することで、シリコーン樹脂を添加しない場合に比べて電極の断線数を低減できることが確認できた。しかしながら、重量平均分子量が9万を超えて、例えば11万のシリコーン樹脂を用いると、断線数は増大する傾向にあることがわかった。
[導電性組成物の調製]
以下の手順にて導電性組成物を調製し、組成物内のシリコーン樹脂と直列抵抗Rsとの関係について評価した。ここでガラスフリットとしては、有鉛系ガラスであってSiO2成分の含有量が5質量%の「A5」と、無鉛系ガラス1であってSiO2成分の含有量が5質量%の「B5」とを用いた。また、シリコーン樹脂として、重量平均分子量Mwが5万のポリジメチルシロキサンを用いた。そして銀粉末100質量部に対するこれらガラスフリットとシリコーン樹脂との割合を、下記の表3に示す組み合わせで変化させ、その他の条件は上記実施形態1と同様にして、導電性組成物を調製した。また、これらの導電性組成物を用いて受光面電極を形成することで、太陽電池素子を作製した。
また、表3に示したガラスフリットとシリコーン樹脂との配合量から、ガラスフリットのシリコーン樹脂に対する割合を算出し、表4に示した。なお、表4では、表3において抵抗が良好となったガラスフリットとシリコーン樹脂との配合量の組み合わせについて、結果を太字で示している。
表3に示されるように、本実施形態において、導電性組成物に含まれるシリコーン樹脂量が概ね0.2質量部以下の範囲では、ガラスフリットの添加量を所定の範囲に収めることで、直列抵抗Rsを効果的に低減できることがわかる。例えば、ガラス組成に関わらずガラスフリットの添加量を1.875〜3.125質量部に収めることで、直列抵抗Rsを効果的に低減できることがわかる。
一方で、導電性組成物に含まれるシリコーン樹脂量が概ね0.15質量部を超える(例えば0.2質量部以上の)範囲では、シリコーン樹脂量に対するガラスフリット量の比(ガラスフリット質量/シリコーン樹脂質量)を所定の範囲に収めることで、直列抵抗Rsを効果的に低減できることがわかる。例えば、ガラス組成に関わらず、上記ガラスフリット量の比を概ね7.5〜18程度、好ましくは8.33〜16.67程度の範囲に収めることで、直列抵抗Rsを効果的に低減できることがわかる。これは、例えば、導電性組成物に含まれるシリコーン樹脂量を増大させると、形成される電極の直列抵抗Rsを低く保つためにガラスフリットの添加量を増やす必要があることによるものと考えられる。すなわち、導電性組成物中にシリコーン樹脂が含まれると、電極焼成中にこのシリコーン樹脂からSiO2成分が生成し得る。このSiO2成分は、ガラスフリット中のSiO2成分と同様に、電極と射防止膜や基板との界面の浸食を抑制する作用を示す。したがって、良好なファイヤースルー特性を発現させつつ、電極および基板の良好なコンタクトを実現するためには、ガラスフリットの添加量を、導電性組成物に添加するシリコーン樹脂量に適した値に調整しておくことが好ましいといえる。
11 半導体基板(シリコン基板)
11A 受光面
11B 裏面
12 バスバー電極(受光面電極)
13 フィンガー電極(受光面電極)
14 反射防止膜
16 n−Si層
18 p−Si層
20 裏面アルミニウム電極
22 裏面側外部接続用電極
24 p+層
Claims (9)
- 電極を形成するための導電性組成物であって、
導電性粉末と、
ガラスフリットと、
シリコーン樹脂と、
有機バインダと、
分散媒と、を含み、
前記ガラスフリットは、酸化物換算したときのSiO2成分の割合が0質量%以上5質量%以下であり、
前記シリコーン樹脂の重量平均分子量は90000以下である、導電性組成物。 - 前記導電性粉末100質量部に対する前記シリコーン樹脂の割合は、0.005質量部以上0.9質量部以下である、請求項1に記載の導電性組成物。
- 前記シリコーン樹脂の重量平均分子量は3000以上90000以下である、請求項1または2に記載の導電性組成物。
- 前記導電性粉末を構成する金属種が、ニッケル、白金、パラジウム、銀、銅およびアルミニウムからなる群から選択されるいずれか1種または2種以上の元素を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電性組成物。
- 前記導電性粉末の平均粒子径は、1μm以上3μm以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の導電性組成物。
- 前記有機バインダは、前記導電性粉末の質量を100質量%としたとき、1質量%以上10質量%以下の割合で含まれる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の導電性組成物。
- 前記ガラスフリットの軟化点は300℃以上600℃以下であり、
前記軟化点以上の温度での焼成により前記電極を形成するために用いられる、請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電性組成物。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の導電性組成物の焼成物である電極を備えている、半導体素子。
- 半導体基板の受光面に、請求項1〜7のいずれか1項に記載の導電性組成物の焼成物である受光面電極を備えている、太陽電池素子。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015001855A JP5957546B2 (ja) | 2015-01-07 | 2015-01-07 | 導電性組成物 |
CN201680005302.5A CN107210325A (zh) | 2015-01-07 | 2016-01-05 | 导电性组合物、半导体元件及太阳能电池元件 |
CN202110405333.2A CN113178495A (zh) | 2015-01-07 | 2016-01-05 | 导电性组合物、半导体元件及太阳能电池元件 |
PCT/JP2016/050161 WO2016111299A1 (ja) | 2015-01-07 | 2016-01-05 | 導電性組成物、半導体素子および太陽電池素子 |
TW105100219A TWI673726B (zh) | 2015-01-07 | 2016-01-06 | 導電性組成物、半導體元件與太陽電池元件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015001855A JP5957546B2 (ja) | 2015-01-07 | 2015-01-07 | 導電性組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016127212A JP2016127212A (ja) | 2016-07-11 |
JP5957546B2 true JP5957546B2 (ja) | 2016-07-27 |
Family
ID=56355986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015001855A Active JP5957546B2 (ja) | 2015-01-07 | 2015-01-07 | 導電性組成物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5957546B2 (ja) |
CN (2) | CN107210325A (ja) |
TW (1) | TWI673726B (ja) |
WO (1) | WO2016111299A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10403770B2 (en) | 2015-02-04 | 2019-09-03 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
US10593439B2 (en) | 2016-10-21 | 2020-03-17 | Dupont Electronics, Inc. | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
US10741300B2 (en) | 2016-10-07 | 2020-08-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101930286B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2019-03-12 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 |
KR101930284B1 (ko) * | 2016-11-01 | 2018-12-19 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 |
JP6762848B2 (ja) * | 2016-11-02 | 2020-09-30 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物 |
KR102152842B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2020-09-07 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 요변성 및 슬립성이 향상된 태양전지 전극용 도전성 페이스트 제조방법 |
CN112509727B (zh) * | 2020-11-10 | 2022-08-12 | 广东工业大学 | 一种用于低温共烧陶瓷的内电极铜浆及其制备方法和应用 |
CN114283963B (zh) * | 2021-12-20 | 2023-05-26 | 江苏索特电子材料有限公司 | 导电浆料组合物及其制备方法和应用、晶硅太阳能电池 |
CN114538916A (zh) * | 2022-03-03 | 2022-05-27 | 太原理工大学 | 一种低温共烧陶瓷介质材料及其制备方法 |
CN115083659B (zh) * | 2022-07-20 | 2024-10-25 | 常州聚和新材料股份有限公司 | 用于激光转印的导电浆料、其制备方法及应用 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040055635A1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-03-25 | Hiroshi Nagakubo | Conductive paste, method for manufacturing solar battery, and solar battery |
JP5309440B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2013-10-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 太陽電池の電極形成用組成物及び該電極の形成方法並びに該形成方法により得られた電極を用いた太陽電池の製造方法 |
JP4847154B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2011-12-28 | 三洋電機株式会社 | 導電性ペースト組成物及びそのペースト組成物を用いた太陽電池セル、並びにそのセルを用いた太陽電池モジュール |
US20090266409A1 (en) * | 2008-04-28 | 2009-10-29 | E.I.Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
EP2450385A4 (en) * | 2009-07-01 | 2014-09-03 | Sekisui Chemical Co Ltd | BINDER RESIN FOR CONDUCTIVE PASTE, CONDUCTIVE PASTE, AND SOLAR CELL ELEMENT |
CN101609847B (zh) * | 2009-07-08 | 2011-05-18 | 西安交通大学苏州研究院 | 太阳能电池电极形成用浆料 |
SG2014008387A (en) * | 2009-11-16 | 2014-05-29 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Electroconductive paste composition |
CN102117844A (zh) * | 2009-12-30 | 2011-07-06 | 比亚迪股份有限公司 | 太阳电池正面电极浆料及太阳电池正面电极的制备方法 |
JP2012023095A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 導電性組成物および太陽電池セル |
KR101181190B1 (ko) * | 2010-07-30 | 2012-09-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양 전지 및 이의 후면 전극용 페이스트 조성물 |
WO2013089128A1 (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-20 | 株式会社村田製作所 | 導電性組成物、多層セラミック基板およびその製造方法 |
JP6027765B2 (ja) * | 2012-05-02 | 2016-11-16 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池用無鉛導電性ペースト組成物 |
JP5321723B1 (ja) * | 2012-10-29 | 2013-10-23 | 横浜ゴム株式会社 | 導電性組成物および太陽電池セル |
JP6060661B2 (ja) * | 2012-12-07 | 2017-01-18 | 富士通株式会社 | 音抽出装置、音抽出方法、および音抽出プログラム |
JPWO2014103896A1 (ja) * | 2012-12-25 | 2017-01-12 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 電極形成用ペースト |
CN103531265B (zh) * | 2013-10-18 | 2014-12-03 | 南通天盛新能源科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆及其制备方法 |
-
2015
- 2015-01-07 JP JP2015001855A patent/JP5957546B2/ja active Active
-
2016
- 2016-01-05 CN CN201680005302.5A patent/CN107210325A/zh active Pending
- 2016-01-05 WO PCT/JP2016/050161 patent/WO2016111299A1/ja active Application Filing
- 2016-01-05 CN CN202110405333.2A patent/CN113178495A/zh active Pending
- 2016-01-06 TW TW105100219A patent/TWI673726B/zh active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10403770B2 (en) | 2015-02-04 | 2019-09-03 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
US10741300B2 (en) | 2016-10-07 | 2020-08-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
US10593439B2 (en) | 2016-10-21 | 2020-03-17 | Dupont Electronics, Inc. | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
US10825575B2 (en) | 2016-10-21 | 2020-11-03 | Dupont Electronics, Inc. | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201626404A (zh) | 2016-07-16 |
WO2016111299A1 (ja) | 2016-07-14 |
TWI673726B (zh) | 2019-10-01 |
CN113178495A (zh) | 2021-07-27 |
JP2016127212A (ja) | 2016-07-11 |
CN107210325A (zh) | 2017-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5957546B2 (ja) | 導電性組成物 | |
US10347787B2 (en) | Method for forming a solar cell electrode with conductive paste | |
JP5816738B1 (ja) | 導電性組成物 | |
JP2012502503A (ja) | 太陽電池電極 | |
JP6375298B2 (ja) | 結晶系シリコン太陽電池及びその製造方法 | |
TWI585781B (zh) | 厚膜導電組合物及其用途 | |
JP6735046B2 (ja) | 太陽電池電極形成用導電性ペースト | |
US20190044005A1 (en) | Conductive paste and solar cell | |
TWI651289B (zh) | 用於太陽電池電極的組合物以及使用其製作的電極 | |
JP7027025B2 (ja) | 導電性組成物 | |
JP2017092251A (ja) | 導電性組成物 | |
JP2017152520A (ja) | メタルマスクによるスクリーン印刷用の導体ペーストおよびその利用 | |
KR20110014675A (ko) | 광전지용 전도체에 사용되는 서브미크론 입자를 함유하는 조성물 | |
JP6084270B1 (ja) | 導電性組成物 | |
JP5990315B2 (ja) | 導電性組成物 | |
EP3275000A1 (en) | Electro-conductive pastes comprising an oxide additive | |
JP5833298B2 (ja) | 太陽電池の製造方法と該方法に用いられる電極形成用ペースト材料 | |
JP6074483B1 (ja) | 導電性組成物 | |
JP6826542B2 (ja) | 導電性組成物 | |
KR20110014674A (ko) | 광전지용 전도체에 사용되는 서브미크론 입자를 함유하는 조성물을 사용하는 방법 | |
KR101991976B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
JP5754787B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160602 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160620 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5957546 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |