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JP5837775B2 - 半導体発光装置 - Google Patents

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Description

本発明はLED素子等の半導体発光素子を備えた半導体発光装置に関するものであり、詳しくは実装した半導体発光素子の発光面上に透光部材を介して反射部材を設けた半導体発光装置に関する。
近年、LED素子(以下LEDと略記する)は半導体発光素子であるため、長寿命で優れた駆動特性を有し、さらに小型で発光効率が良く、鮮やかな発光色を有することから、カラー表示装置のバックライトや照明等に広く利用されるようになってきた。本発明においても半導体発光装置として、LED発光装置を事例として説明する。
特に近年、LEDの周囲を透光部材である透光性樹脂で被覆し、さらに被覆した透光性樹脂の上面側に反射部材の層を設けたLED発光装置が提案されている。(例えば特許文献1、特許文献2)
以下、反射部材を透光部材の上面に配設した従来のLED発光装置に付いて説明する。なお、理解し易いように発明の趣旨を外さない範囲において図面を一部簡略化し、また部品名称も本願にそろえている。図7は特許文献1に示されたLED発光装置100の断面図であり、回路基板102の上面には配線電極103a、103bが設けられており、配線電極103aに実装固着されたLED101の電極がワイヤー104によって、配線電極103bにワイヤーボンディングされている。さらに配線電極103a、103bは回路基板102の側面を通じて回路基板102の裏面側に導かれ、駆動電極103cを形成している。
またLED101の上面及び側面は透光性樹脂105(透光部材)により封止されており、さらに透光性樹脂105の上面には反射部材106(光遮蔽層)が設けられている。すなわちLED101の真上に放射される強い放射光を遮る位置に反射部材106を配置している。
次に上記LED発光装置100の発光動作を説明する。図示しない実装基板に半田付け等により接続した回路基板102の駆動電極103cより、LED101へ駆動電流を供給するとLED101が発光する。このとき反射部材106がない場合を考える。LED101は上面及び側面方向に光を出射するとしても、上方への出射光は極めて強くなる。このため、LED101の真上が極端に強く周辺が弱い発光状態となり、照明装置にLED発光装置100を組み込むと輝度むらが生じる。つまりLDE101の中心のみ明るくて周囲は暗い照明装置となる。
上記問題を解決するために、LED発光装置100では、LED101を封止している透光性樹脂105の透光樹脂上面105aに反射部材106(光遮蔽層)を設けている。すなわちLED101の真上の極端に強い放射光を反射部材106によって阻止または抑制し、さらに反射部材106によって反射させ周囲から放射させることによって、LED101の正面が局部的に明るくなるという配光むらを改善している。なお、反射部材106としては白色樹脂や金属層のようにLED101の発光を反射させる材料が使われている。
図8は特許文献2の図1に示されたLED発光装置200の断面図である。LED発光装置200は、回路基板202の上面に設けた配線電極(図示せず)にフリップチップ実装したLED201と、LED201を覆うようにして封止する透光性樹脂205と、透光性樹脂205の上面に形成した反射部材206を備えている。反射部材206は、半透過反射性の金属箔膜よりなり、蒸着またはメッキ法で形成する。反射部材206の反射率(又は透過率)及び面積、透光性樹脂205の厚み等を任意に設定することにより、正面方向の光出射量や広がり角の制御が可能となる。例えば、反射部材206を透過する透過光P1の量や側面方向へ出射する反射光P2の光路長を調節して指向特性を改善することができる。このLED発光装置200は少ない構成部品で発光ムラの緩和を行っている。
特開2001−257381号公報(図1) 特開2004−304041号公報(図1)
上記引用文献1,2に記載されたLED発光装置100,200において、透光性樹脂105,205は、回路基板102,202や反射部材106,206との間で強く接着している。しかしながら、よく知られているように発光色を白色化するため透光性樹脂105,205に蛍光粒子を混入すると接着性能が低下することがある。
そこで本発明の目的は、上記問題点を解決しようとするものであり、蛍光体を含有する透光部材(以下蛍光部材と呼ぶ)により少なくとも側面及び上面を被覆した半導体発光素子と、この半導体発光素子を搭載する回路基板と、この蛍光部材の上面に配置された反射部材とを備える半導体発光装置において、蛍光部材と回路基板及び反射部材との固着力を高めたLED発光装置を提供することである。
上記目的を達成するため本発明におけるLED発光装置の構成は、下記の通りである。
蛍光部材で少なくとも側面及び上面を被覆した半導体発光素子と、該半導体発光素子を搭載する回路基板と、前記蛍光部材の上面に反射部材とを備える半導体発光装置において、前記蛍光部材の周囲であって前記回路基板と前記反射部材によって挟まれる領域に透明部材を備えると共に、前記反射部材が前記蛍光部材に比べて硬質の材料からなり、前記反射部材が前記蛍光部材に貼りついており、かつ、前記反射部材の上面に溝を有することを特徴とする。
上記構成によれば、回路基板及び反射部材に対する蛍光部材の接着性の悪さを、蛍光部材の周囲に設けた透明部材の接着性の良さによって補償できる。
前記回路基板の周囲に段差部を設け、該段差部と前記透明部材が係合していると良い。
上記構成によれば、回路基板周囲の段差部に透明部材が係合することによって、さらに回路基板と透明部材の結合をより強固にすることができる。
上記構成によれば、反射部材として取り扱い性の良い金属板や硬質の樹脂板を用いることによって製造が簡単になる。さらに板状の反射部材の上面に溝を設けることによって、反射部材と他の部材との間の熱膨張率差で生じる反りを防止することができる。
前記反射部材が透過性を有すると良く、さらに前記反射部材が透過性の微細開口を有すると良い。
上記構成によれば、反射部材の透過性によって反射部材の上面側にも出射光が存在するため、この反射部材の透過率と反射率を調整することにより配光をバランスよくできる。この半導体発光装置を照明装置に組み込めば、配光が良いため照明装置としての特性が改善される。
また、反射部材に透過性の微細開口を設ける構成の場合は、反射部材として高反射性の金属板を使用することができるため、反射部材の透過率と反射率の調整をより高い精度で行うことができる。
上記の如く本発明によれば、回路基板及び反射部材に対する蛍光樹脂の接着性の悪さを、蛍光部材の周囲に設けた透明部材の接着性の良さによって補償できる。このため、接着部分の剥がれや、接着部分からの水分侵入等によるトラブルの発生を防止することができる。
本発明の第1実施形態におけるLED発光装置を示し、(a)は断面図、(b)は上面図、(c)は側面図、(d)は下面図である。 図1(a)に示すLED発光装置の出射特性を示す断面図である。 本発明の第2実施形態におけるLED発光装置を示し、(a)は断面図、(b)は上面図、(c)は側面図、(d)は下面図である。 本発明の第3実施形態におけるLED発光装置を示し、(a)は断面図、(b)は上面図、(c)は側面図、(d)は下面図である。 図4(a)に示すLED発光装置の出射特性を示す断面図である。 参考例におけるLED発光装置を示し、(a)は断面図、(b)は上面図、(c)は側面図、(d)は下面図である。 従来のLED発光装置の断面図である。 従来のLED発光装置の断面図である。
(第1実施形態)
以下図面により本発明の実施形態を説明する。図1は本発明の第1実施形態におけるLED発光装置10を示し、(a)はLED発光装置10の断面図、(b)は(a)に示すLED発光装置10の上面図、(c)は側面図、(d)は下面図を示している。
図1(a)に示すLED発光装置10の断面図おいて、回路基板2の上面に設けられた2個の配線電極3aは、スルーホール電極3bを通して駆動電極3cに接続している。配線電極3aにはLED1がフリップチップ実装(以後FC実装と略記する)されており、回路基板2の周囲には段差部2dが設けられている。LED1の上面及び側面は蛍光樹脂7(蛍光部材)で被覆されており、この蛍光樹脂7の蛍光樹脂上面7aには反射部材6が接着している。この反射部材6の上面には後述する溝6aが設けられている。さらに蛍光樹脂7の周囲であって反射部材6と回路基板2の間隙となる空間には透明樹脂5が充填されている。透明樹脂5は回路基板2の段差部2dで接着することにより周辺部が強固になる。
次にLED発光装置10の全体構成を図1(b)〜(d)により説明する。
図1(b)はLED発光装置10の上面図であり、(a)は(b)のA−A断面図に該当する。(b)において反射部材6としては、適度の光透過性と適度の光反射性を有することが要求されており、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂に酸化チタン等の反射材を混入した白色樹脂板や金属板等である。
また、(c)に示す側面図の如く、板状の反射部材6は蛍光樹脂7に比べて硬質の材料であり、反射部材6が蛍光樹脂7に貼りついて固定されているため、反射部材6の熱膨張係数と他の部材の熱膨張係数の差により反りが発生する恐れがある。そこで反ろうとする内部応力を分散させるため反射部材6の上面に溝6aが升目状に形成されている。さらに反射部材6の周囲及び断差部2dを含む回路基板2の周囲を透明樹脂5によって接着することにより、接着力の低下した蛍光樹脂7を補強している。(d)はLED発光装置10の下面図であり、回路基板2の下面には2個の駆動電極3cが設けられている。
次に図2によりLED発光装置10の発光動作を説明する。図2は図1に示すLED発光装置10の発光状態を示す断面図であり、構成については図1のLED発光装置10と同じであり、重複する説明は省略する。また、本実施形態においてはLED1として青色LED、蛍光樹脂7としてシリコーン樹脂にYAGを混練しLED1の青色発光を黄色光に変換するYAG蛍光樹脂を用い、LED発光装置10として白色光を出射する発光装置の事例について説明する。
LED発光装置10では駆動電極3cに駆動電流を供給することによってLED1が青色光Pbを発する。その青色光Pbの一部は矢印付き実線で示すように半透過性の反射部材6を透過して出射する。青色光の別の一部は反射部材6や回路基板2等で反射し、透明樹脂5を通過してLED発光装置10の側面方向に出射する。また、LED1の出射光が蛍光樹脂7中に分散したYAG粒子によって波長変換した矢印付き点線で示す黄色光Pyの一部は、反射部材6を通過して出射する。また黄色光Pyの別の一部は反射部材6や回路基板2で反射しながら透明樹脂5を通過してLED発光装置10の側面方向に出射する。なお反射せずにLED発光装置10の側面から出射する青色光Pb、黄色光Pyは図示していない。この結果LED発光装置10の上面から側面方向を含む広い範囲に青色光Pbと黄色光Pyが配光され、その合成光によって広い範囲に白色光を出射する半導体発光装置が得られる。
(第2実施形態)
次に図3により本発明の第2実施形態におけるLED発光装置20について説明する。図3はLED発光装置20を示し、(a)はLED発光装置20の断面図、(b)は(a)に示すLED発光装置20の上面図、(c)は側面図、(d)は下面図を示している。
図3(a)に示すLED発光装20の断面図おいて、図1(a)に示す第1実施形態のLED発光装置10と異なるところは、LED発光装置10の周囲を被覆している蛍光樹脂7が回路基板2と反射部材6の間に充填されていたのに対し、LED発光装置20において蛍光樹脂7がLED1の周囲を一定の厚さで被覆しており、透明樹脂5がその外側部分、すなわち蛍光樹脂7と反射層6の間隙を含む空間に充填されていることである。なおLED発光装置20の全体構成を示す図3(b)〜(d)は第1実施形態におけるLED発光装置10の全体構成を示す図1(b)〜(d)と基本的に同じであり、重複する説明は省略する。
LED発光装置10に比べて、LED発光装置20は回路基板2と反射部材6との接着をほとんど全て透明樹脂5で行っているため、回路基板2と反射部材6との接着力が極めて強い。本実施形態では回路基板2に段差部2dを設けて係合接着を行っているが、この係合接着を行わなくても十分な強度が得られるので、必要により省略しても良い。
(第3実施形態)
次に図4により本発明の第3実施形態におけるLED発光装置30について説明する。図4はLED発光装置30を示し、(a)はLED発光装置30の断面図、(b)は(a)に示すLED発光装置30の上面図、(c)は側面図、(d)は下面図を示している。
図4(a)に示すLED発光装置30の断面図おいて、図1(a)に示す第1実施形態のLED発光装置10と異なるところは、LED発光装置10における反射部材6が半透過性の白色樹脂を用いていたのに対し、LED発光装置30の反射部材46は金属板を用いており、所定の透過性を持たせるため反射部材46に複数の微細開口46aを設けたことである。
次にLED発光装置30の全体構成を図4(b)〜(d)により説明する。
図4(b)はLED発光装置30の上面図であり、(a)は(b)のA−A断面図に該当する。(b)において反射部材46は金属板による完全反射性と複数の微細開口46aの透光性によって半透過反射部材を構成している。
なお、図4(c)(d)は図1(c)(d)と反射部材の構成を除いて同一の構成なので、重複する説明を省略する。
次に図5によりLED発光装置30の発光動作を説明する。図5は図4に示すLED発光装置30の発光状態を示す断面図であり、構成については反射部材46の構成以外は図1のLED発光装置10と同じであり、重複する説明は省略する。また、本実施形態においてもLED1として青色LED、蛍光樹脂7としてLED1の青色発光を黄色光に変換するYAG蛍光樹脂を用い、LED発光装置30として白色光を出射する事例について説明する。
LED発光装置30では駆動電極3cに駆動電流が供給されることによってLED1が青色光Pbを発する。その青色光Pbの一部は矢印付き実線で示すように反射部材46の微細開口46aを透過して出射し、別の一部は反射部材46や回路基板2で反射し透明樹脂5を通過してLED発光装置30の側面方向に出射する。また、LED1の青色出射光が蛍光樹脂7のYAG粒子によって波長変換された矢印付き点線で示す黄色光Pyの一部は、反射部材46の微細開口46aを通過して出射し、別の黄色光Pyの一部は反射部材6や回路基板2等で反射し、透明樹脂5を通過してLED発光装置30の側面方向に出射する。この結果LED発光装置40の上面から側面方向を含む広い範囲に青色光Pbと黄色光Pyが配光し、その合成光によって広い範囲に白色光を出射する。
上記LED発光装置30の構成として反射部材46に10個の微細開口46aを設けた事例を示したが、実際にはもっと多数の微細開口46aを設け、透過率と反射率の調整を行うものである。反射部材46として金属板に微細開口を形成しても良いし、また細かい網の目状の金属層を形成しても良い。
第1〜3実施形態では青色LEDとYAG蛍光樹脂の事例を示したが、これに限定されるものではなく、各種の半導体発光素子及び各種の蛍光樹脂に対応できることは当然である。また第1〜3実施形態では反射部材6,46として板状のものを使用していたが、反射部材は板材に限られず、例えば反射性部粒子を混練した樹脂を蛍光樹脂及び透明樹脂に塗布したものや、メッキで形成した金属膜であっても良い。LEDの実装方法もFC実装に限定されず、電極面を上側にしてワイヤボンディングを使うフェイスアップ実装でも良い。
(参考例)
第1〜3実施形態は剛性のある回路基板2上にLED1をフリップチップ実装し、接着力の弱まった蛍光樹脂7を透明樹脂5で補強していた。次に図6により、回路基板2を持たない参考例について説明する。図6は参考例におけるLED発光装置40を示し、(a)はLED発光装置40の断面図、(b)は(a)に示すLED発光装置40の上面図、(c)は側面図、(d)は下面図を示している。
図6(a)に示すLED発光装置40の断面図おいて、図1(a)に示す第1実施形態のLED発光装置10と大きく異なるところは、LED発光装置10における回路基板2の代わりに、LED発光装置40において2個の電極23を反射性樹脂層22に埋設しながら底面のみ露出させている点である。最近ではLED21のダイサイズが大型化し、LED21の底面に形成した電極23のピッチでもマザー基板(実装基板)に直接実装できるようになってきた。電極23はLED21の突起電極であり、電極23を下にしてLED21は上面及び側面が蛍光樹脂7で被覆されている。蛍光樹脂7は蛍光樹脂上面7aで反射部材6と接着している。さらに蛍光樹脂7の周囲であって反射部材7と反射性樹脂層22が形成する間隙に透明樹脂5が充填されている。この場合、反射部材6は剛性を備えていることが好ましく、反射部材6と反射性樹脂層22を透明部材5に接着することにより、蛍光体を含有して接着力及び弾性が低下した蛍光樹脂7を補強している。
次にLED発光装置40の全体構成を図6(b)〜(d)により説明する。
図6(b)はLED発光装置40の上面図であり、(a)は(b)のA−A断面図に該当し、図6(b)(c)は基本的に第1実施形態における図1(b)(c)と同じであり重複する説明は省略する。
図6(d)はLED発光装置40の下面図であり、反射性樹脂層22の内側の領域に電極23の露出部がある。反射性樹脂層22はLED21から出射する光や、蛍光粒子の発する光を反射する。LED発光装置40は第1〜3実施形態におけるLED発光装置10,20,30に比べて、回路基板2と反射性樹脂層22の厚さの差分だけ薄型化が可能になること、及び回路基板2がない分だけ構成部品が少ないことが利点となる。
1,21,101,201 LED(半導体発光素子)
2,102,202 回路基板
2d 段差部
3a,103a,103b 配線電極
3b スルーホール電極
3c、103c 駆動電極
5 透明樹脂
6,46,106,206 反射部材
6a 溝
7 蛍光樹脂(蛍光部材)
7a 蛍光樹脂上面
10,20,30,40,100,200 LED発光装置(半導体発光装置)
22 反射性樹脂層
23 電極
46a 微細開口
105,205 透光性樹脂
105a 透光樹脂上面
Pb 青色光
Py 黄色光


Claims (4)

  1. 蛍光部材で少なくとも側面及び上面を被覆した半導体発光素子と、該半導体発光素子を搭載する回路基板と、前記蛍光部材の上面に反射部材とを備える半導体発光装置において、前記蛍光部材の周囲であって前記回路基板と前記反射部材によって挟まれる領域に透明部材を備えると共に、前記反射部材が前記蛍光部材に比べて硬質の材料からなり、前記反射部材が前記蛍光部材に貼りついており、かつ、前記反射部材の上面に溝を有することを特徴とする半導体発光装置。
  2. 前記回路基板の周囲に段差部を設け、該段差部と前記透明部材が係合していることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
  3. 前記反射部材が透過性を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置。
  4. 前記反射部材が透過性の微細開口を有することを特徴とする請求項3に記載の半導体発光装置。
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