JP5827365B2 - ウェーハレベルでパッケージングされたデバイスを形成する方法 - Google Patents
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- ベースとなるシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハ(30)と、カバープレートウェーハ(40)だけからウェーハレベルでパッケージングされたデバイス(20)を形成する方法であって、
誘電層(36)により前記能動層(34)から分離されたハンドル層(32)を有する、前記シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハ(30)の能動層(34)内の少なくとも1つの能動構成要素(38)をエッチングするステップと、
少なくとも1つの能動構成要素(38)をエッチングした後、形成された少なくとも1つの能動構成要素(38)の近傍で前記誘電層(36)をエッチングするステップと、
少なくとも1つの前記能動構成要素(38)と合致する空洞を形成するために前記カバープレートウェーハの誘電層をエッチングするステップであって、前記カバープレートウェーハ(40)が前記カバープレートウェーハ(40)の誘電層(44)に取り付けられたハンドル層(42)を有する、前記カバープレートウェーハ(40)の誘電層をエッチングするステップと、
前記能動層の非能動構成要素にカバープレートウェーハの誘電層(44)を接合するステップと、
前記能動層(38)の非能動構成要素にカバープレートウェーハ(40)の誘電層(44)を接合した後、前記能動層(38)の表面の一部を露出させるために、前記ハンドル層(32、42)と、対応する誘電層(36、44)の少なくとも一方をエッチングするステップと、
前記能動層の前記露出された表面上の一部に金属化部(50)を形成するステップとを備え、
前記少なくとも1つの能動構成要素(38)は空洞内に含まれる、方法。
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