JP5824807B2 - 電子デバイス用基板およびこれを用いた電子デバイス - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 248
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 550
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 339
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 266
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 22
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 21
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 101
- 239000010408 film Substances 0.000 description 80
- 239000002585 base Substances 0.000 description 68
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 59
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 51
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 51
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 description 44
- 235000019557 luminance Nutrition 0.000 description 39
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 38
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 36
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 35
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 28
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 27
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 27
- 230000006870 function Effects 0.000 description 26
- 235000019592 roughness Nutrition 0.000 description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 22
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 22
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 20
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 14
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 13
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 10
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N Dimethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 8
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Inorganic materials [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 5
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 5
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N dimethyl phthalate Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1OC(C)=O FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229960001826 dimethylphthalate Drugs 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 4
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- -1 (8-hydroxy) quinaldine aluminum Chemical compound 0.000 description 3
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(O3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 2
- CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)O CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 2-[1-[2-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]-n,n-bis(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 235000021513 Cinchona Nutrition 0.000 description 1
- 241000157855 Cinchona Species 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDTUIFWQHSBZBS-UHFFFAOYSA-N N-[4-[4-(N-[4-[4-(N-[4-[4-(N-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]anilino)phenyl]phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-N-phenylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1 PDTUIFWQHSBZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 101710182846 Polyhedrin Proteins 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229910018956 Sn—In Inorganic materials 0.000 description 1
- RNFAKTRFMQEEQE-UHFFFAOYSA-N Tripropylene glycol butyl ether Chemical compound CCCCOC(CC)OC(C)COC(O)CC RNFAKTRFMQEEQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- NWCWRXQNDHIJNX-UHFFFAOYSA-K [O-]C1=CC=CC=C1.[Al+3].OC=1C=CC=C2C=CC(=NC12)C.[O-]C1=CC=CC=C1.[O-]C1=CC=CC=C1 Chemical compound [O-]C1=CC=CC=C1.[Al+3].OC=1C=CC=C2C=CC(=NC12)C.[O-]C1=CC=CC=C1.[O-]C1=CC=CC=C1 NWCWRXQNDHIJNX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000006025 fining agent Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N mercury xenon Chemical compound [Xe].[Hg] VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010665 pine oil Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- LUJALESCMWZZQD-UHFFFAOYSA-M sodium;quinolin-8-olate Chemical compound [Na+].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 LUJALESCMWZZQD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Description
有機層の屈折率は波長430nmで1.8〜2.1程度である。一方、例えば透光性電極層としてITO(酸化インジウム錫:Indium Tin Oxide)を用いる場合の屈折率は、ITO成膜条件や組成(Sn-In比率)で異なるが、1.9〜2.1程度が一般的である。このように有機層と透光性電極層の屈折率は近く、発光光は有機層と透光性電極層間で全反射することなく、透光性電極層と透光性基板の界面に到達する。透光性基板には通常ガラスや樹脂基板が用いられるが、これらの屈折率は1.5〜1.6程度であり、有機層或いは透光性電極層よりも低屈折率である。スネルの法則から考えると、ガラス基板に浅い角度で進入しようとした光は全反射で有機層方向に反射され、反射性電極で再度反射され再び、ガラス基板の界面に到達する。この時、ガラス基板への入射角度は変わらないため、有機層、透光性電極層内で反射を繰り返し、ガラス基板から外に取り出すことができない。概算では、発光光の60%程度がこのモード(有機層・透光性電極層伝播モード)で取り出せないことが分かる。同様なことが基板、大気界面でも起き、これにより発光光の20%程度がガラス内部を伝播して、光が取り出せない(基板伝播モード)。従って、有機LED素子の外部に取り出せる光の量は、発光光の20%足らずになっているのが現状である。
このように光散乱部を設けることで、反射性電極面は鏡面のように視認されず、外観が向上する。
一方、散乱性を落とした場合、あるいは光散乱部のない場合は、反射性電極は鏡面として視認され、外観上好ましくない可能性がある。
そこで、うねりを持つ表面に電極を形成するようにした有機LED素子が提案されている(特許文献2)。
この構成によれば、表面のうねりにより、鏡面視認性を抑制可能である。また、うねりの波長と粗さを上記範囲に規定することで、表面に形成される電子デバイスの電極間短絡を抑制し、長寿命で、実効面積の高い電子デバイスを提供することが可能となる。
この構成によれば、散乱層をガラスで構成することにより、安定性と高強度性を実現することができ、本来のガラスからなる透光性基板に比べて厚みを増大することなく、散乱性に優れた透光性基板を提供することが可能となる。
有機LED素子は、電極間に挟まれた有機層に電圧を印加して発光させるデバイスであるため、電極間距離の局所的な変化は、電界の集中により有機層の劣化を招くことになり易いが、上記構成によれば、電極間距離の局所的変化を抑制することができる。
この構成によれば、非発光時に、基板の第2の主面側から見た時に反射した像がゆがんで見えるのを防止することができる。前記基板の第1の主面が湾曲面で構成されたうねりを構成する表面であり、前記第2の主面が前記第1の主面よりも平坦な面となるようにすることで、素子の実装工程において、素子の形成された基板を基台上に載置し、外周にシール材を塗布しその上に封止用基板を重ね合わせて硬化させる場合にも、基台上のシール材が接着する面は平坦であり、十分な接着性を確保することが出来る。
また、表面粗さRaとは、微視(ミクロ)的にみた表面粗さをいい、長波長カットオフ値を10μmとしてJIS B0601(1994年)に準じて算出した値を指す。
また、本発明によれば、表面に形成される電子デバイスの電極間短絡を抑制し、長寿命で、実効面積の大きい電子デバイスを提供することが可能となる。
さらにまた、散乱層をガラスで構成することにより、安定性と高強度性を実現することができ、本来のガラスからなる透光性基板に比べて厚みを増大することなく、散乱性に優れた透光性基板を提供することが可能となる。
以下、図面を用いて、本発明の実施の形態1の電子デバイス用基板(電極付き透光性基板)および有機LED素子について説明する。図1(a)は、本発明の実施の形態の電子デバイス用基板であり、図1(b)はこの電子デバイス用基板を備えた有機LED素子の構造を示す断面図である。
本発明の有機LED素子を形成するための電子デバイス用基板は、図1(a)に示すように、ガラス基板101と、前記ガラス基板101の第1の主面側の面101aに形成されたガラス層からなる散乱層102とを具備し、前記散乱層102は前記第1の主面側の面101aと接する第2の面102bと、前記第2の面102bに対向する第1の面102aを具備し、前記第1の面102aが湾曲面で構成されたうねりを構成して第1の主面を構成することを特徴とする。そしてこの第1の面102aに透光性電極103が形成されるが、図1(a)では電極形成前の状態を示す。また、この表面は、うねりの波長Rλaが50μmより大きく、うねりを構成する表面の表面粗さRaの、表面のうねりの波長Rλaに対する比Ra/Rλaが1.0×10−4以上3.0×10−2以下であるのが望ましい。符号101bは第2の主面である。
本発明の有機LED素子は、うねりを有する電極付き透光性基板100と、有機層110と、反射性電極120とにより構成される。電極付き透光性基板100は、透光性のガラス基板からなる基板101と、散乱層102と、透光性電極103とにより構成される。
また、ガラスからなる前記散乱層102の半分の厚さ(δ/2)における散乱物質の密度ρ1と、前記透光性電極と対向する側の前記散乱層の表面(すなわち基板側の表面)から距離x(δ/2<x≦δ)における散乱物質の密度ρ2とは、ρ1≧ρ2を満たす。
ガラス粉末を焼成する場合、ガラス粉末を好適な方法で、塗布した状態の模式図を図2に示す。ここでは本発明の透光性基板を構成する散乱層であるガラス層の最上部の断面を示している。この状態は、例えば、溶剤或いは樹脂と溶剤を混合したものにガラス粒子Gを分散させ所望の厚さに塗布することで得られる。例えば、ガラス粒子Gの大きさは最大長さで0.1から10μm程度のものを用いる。樹脂と溶剤を混合した場合には、ガラス粒子Gが分散した樹脂膜を加熱し、樹脂を分解することで、図2の状態が得られる。図2は簡略して記載しているが、ガラス粒の間には、隙間が空いている。
例えば、このような透光性基板上に有機LED素子を形成する場合、例えば透光性電極は薄く形成する必要があるが、この透光性電極が下地の影響を受ける事無く形成できるのは表面粗さが30nm以下、望ましくは10nm以下である。表面粗さが30nmを越えると、その上に形成される有機層の被覆性が悪くなる場合があり、ガラス散乱層上に形成される透光性電極ともう一方の電極との間で短絡が発生する場合がある。電極間短絡により、素子は不灯となるが、過電流を印加することにより、修復することが可能な場合がある。修復を可能とするうえで、ガラス散乱層の粗さは望ましくは10nm以下であり、さらに望ましくは、3nm以下である。
なお、ある材料系では焼成温度を570℃以上としたときに表面粗さ10nm以下とすることができることがわかっている(表1参照)。材料系によって最適な焼成条件は異なるが、散乱物質の種類や大きさをコントロールすることで散乱物質が最表面に存在するのを抑制し、表面平滑性に優れた散乱層を得ることができる。
その結果を表1に示す。
上記のようなガラスを用いて、ガラス粉末に加工し、さらに樹脂と混合してペーストを作製してガラス基板上に印刷した後、それぞれ表1に示す温度にて焼成を行った。このように焼成条件を調整することで、うねりの粗さRaやうねりの波長Rλaの異なる7種類の散乱層付きガラス基板を作製した。そしてさらに比較用として散乱層のない平らなガラス基板も準備した。
評価結果は、シャープペンシルの芯がゆがんで見える場合を○、芯がまっすぐにゆがまずに見える場合を×、判断が難しい場合を△とした。
また、この比(Ra/Rλa)が3.0×10−2を越えるほどうねりの粗さRaが大きいときは、電極、あるいは有機層を均一に成膜できないため、デバイスの形成が困難となる。
したがって上記のように、Rλa>50μm 且つ Ra/Rλa=1.0×10−4〜3.0×10−2以下とするのが望ましい。また、Rλa>10μm 且つ Ra/Rλa =1.0×10−5〜1.0×10-−1であっても、おおむね映りこみすなわち鏡面反射性を低減させることができる。
これは実験結果から1vol%以上散乱物質が含有されているとき、十分な光散乱性を得ることができることがわかる。
また、ガラスからなる前記散乱層の半分の厚さ (δ/2)における散乱物質の密度ρ1と、散乱層最表面からの距離xが0≦x≦δ/2を満足する、xにおける散乱物質の密度ρ2が、ρ1≧ρ2を満たすδが存在するような透光性基板を用いることで、十分な散乱特性を有しかつ平滑な表面を持つ透光性基板を得ることが可能となる。
散乱物質が気泡である場合には、焼成温度などの焼成条件を調整することで、気泡の大きさや気泡分布や密度を調整可能である。
前記散乱物質が前記ベース層を構成するガラスの析出結晶である場合には、焼成温度などの焼成条件を調整することで、気泡の大きさや気泡分布や密度を調整可能である。
(基板)
透光性基板の形成に用いられる透光性の基板101としては、主としてガラス基板など、可視光に対する透過率が高い材料が用いられる。透過率の高い材料は、具体的には、ガラス基板のほかにはプラスチック基板が用いられる。ガラス基板の材料としては、アルカリガラス、無アルカリガラスまたは石英ガラスなどの無機ガラスがある。また、プラスチック基板の材料としては、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリビニルアルコールならびにポリフッ化ビニリデンおよびポリフッ化ビニルなどのフッ素含有ポリマーがある。なお、基板を水分が透過するのを防止するために、プラスチック基板にバリア性をもたせる構成としてもよい。透光性の基板101の厚さは、ガラスの場合0.1mm〜2.0mmが好ましい。但し、あまり薄いと強度が低下するので、0.5mm〜1.0mmであることが特に好ましい。
散乱層表面のうねりについてはすでに説明したとおりである。また続いて、散乱層の構成、作製方法、特性および屈折率の測定方法について、詳細に説明する。なお、詳細は後述するが、有機LEDの主眼である光取り出し効率の向上を実現するためには、散乱層の屈折率は、透光性電極材料の屈折率よりも同等若しくは高くするのが望ましいが、0.2程度であれば小さくてもよい場合もある。
本発明者らは、後述する散乱層の特性を得るために、光学シミュレーションを行い、それぞれのパラメータについて、その取り出し効率に与える影響を調べた。用いた計算ソフトはOPTIS社製、ソフトSPEOSである。本ソフトは光線追跡ソフトであると同時に、散乱層はMie散乱の理論式を適用することが可能である。実際に電荷注入・輸送層、発光層などの発光機能を有する層として用いられる有機層の厚さは、実際は合計0.1μmから0.3μm程度であるが、光線追跡では光線の角度は厚さを変えても変わらないことから、ソフトで許される最小厚さ1μmとした。ガラス基板および散乱層の合計厚さも同様の理由から100μmとした。また簡単の為、有機層および透光性電極を電子注入層および発光層、正孔注入・輸送層、および透光性電極の3つに分けて計算した。計算ではこれらの屈折率を同じとしているが、有機層と透光性電極の屈折率は同程度の値であり、計算結果を大きく変えるものではない。また有機層が薄いことから、厳密に考えると干渉による導波路モードが立つが、幾何光学的に扱っても、大きく結果を変えることはないので、今回の発明の効果を計算で見積もるには十分である。有機層では、合計6面から指向性を持たずに発光光が出射するものとする。全光束量を1000lmとし、光線本数を10万本或いは100万本として計算した。透光性基板から出射した光は、透光性基板の上部10μmに設置した受光面で捕らえ、その照度から取り出し効率を算出した。
本実施の形態では、散乱層102は、前述したように、塗布などの方法でガラス基板上にガラス粉末を形成し、所望の温度で焼成することで形成され、第1の屈折率を有するベース材105と、前記ベース材105中に分散された、前記ベース材105と異なる第2の屈折率を有する複数の散乱物質104とを具備し、前記散乱層内部から最表面にむかって、前記散乱層中の前記散乱物質の層内分布が、小さくなっており、ガラス層を用いることで前述したように、優れた散乱特性を有しつつも表面の平滑性を維持することができ、発光デバイスなどの光出射面側に用いることで極めて高効率の光取り出しを実現することができる。
散乱層の作製方法は、塗布および焼成により行うが、特に、10〜100μmの厚膜を大面積にうねりを形成するように、均一かつ迅速に形成するという観点から、ガラスをフリットペースト化して作製する方法が好ましい。フリットペースト法を活用するために、基板ガラスの熱変形を抑制するために、散乱層のガラスの軟化点(Ts)が基板ガラスの歪点(SP)よりも低く、かつ熱膨張係数αの差が小さいことが望ましい。軟化点と歪点の差は30℃以上であることが好ましく、50℃以上であることがより好ましい。また、散乱層と基板ガラスの膨張率差は、±10×10−7(1/K)以下であることが好ましく、±5×10−7(1/K)以下であることがより好ましい。ここで、フリットペーストとは、ガラス粉末が樹脂、溶剤、フィラーなどに分散したものを指す。フリットペーストをスクリーン印刷などのパターン形成技術を用いてパターニング、焼成することで、ガラス層被覆が可能となる。以下技術概要を示す。
1.ガラス粉末
ガラス粉末粒径は1μm〜10μmである。焼成された膜の熱膨張を制御するため、フィラーを入れることがある。フィラーは、具体的には、ジルコン、シリカ、アルミナなどが用いられ、粒径は0.1μm〜20μmである。
本発明では、例えば、前記散乱層が、P2O5が20〜30mol%、B2O3が、3〜14mol%、Li2OとNa2OとK2Oの総量が10〜20mol%、Bi2O3が10〜20mol%、TiO2が3〜15mol%、Nb2O5が10〜20mol%、WO3が5〜15mol%を含み、以上成分の合量が、90mol%以上であるものを用いる。
P2O5は、このガラス系の骨格を形成しガラス化させる必須成分であるが、含有量が小さすぎる場合、ガラスの失透性が大きくなりガラスを得ることができなくなるため、15%以上が好ましく、18%以上がより好ましい。一方、含有量が大きすぎると屈折率が低下するため、発明の目的を達成することができなくなる。従って、含有量は30%以下が好ましく、28%以下がより好ましい。
MgO、CaO、SrOは、溶融性を向上させる任意成分であるが、同時に屈折率を低下させる成分であるため、いずれも10%以下であることが好ましく、8%以下であることがより好ましい。
B2O3は、ネットワーク形成酸化物であり、このガラス系における必須成分である。含有量が少なすぎる場合、ガラス形成しなくなるか、ガラスの耐失透性の低下をもたらすため、20%以上含有することが好ましく、25%以上であることがより好ましい。一方、含有量が多すぎると、屈折率が低下し、さらに耐熱性の低下を招くため、含有量は60%以下に制限され、より好ましくは55%以下である。
Li2Oは、ガラス転移温度を低下させる成分である。しかしながら、導入量が大きすぎる場合、ガラスの耐失透性が低下してしまう。そのため、含有量は20%以下が好ましく、18%以下がより好ましい。
ZnOは、ガラスの屈折率を向上させるとともに、ガラス転移温度を低下させる必須成分である。そのため、導入量は5%以上が好ましく、7%以上がより好ましい。一方、添加量が大きすぎる場合、耐失透性が低下してしまい均質なガラスが得られなくなってしまうため、50%以下であることが好ましく、45%以下であることがより好ましい。
Y2O3およびYb2O3は高屈折率を達成し、かつB2O3系ガラスに導入すると耐侯性を向上させ、La2O3と共存させることにより、ガラスの安定性を向上させる成分であるが、導入量が大きすぎる場合、ガラスの安定性が低下してしまうため、含有量はそれぞれ20%以下であることが好ましく、18%以下であることが好ましい。
本発明の目的に合致させるためには、以上に記載の成分の合量は90%以上であることが望ましく、95%以上であることがさらに好ましい。以上に記載の成分以外であっても、清澄、溶解性向上などの目的で本発明の効果を損なわない範囲で添加しても良い。このような成分として、例えば、Sb2O3、SnO2、MgO、CaO、SrO、GeO2、Ga2O3、In2O3、フッ素が挙げられる。
高屈折率のガラスを得るためには、Nb2O5+TiO2+Bi2O3+ZrO2が5%以上であることが好ましく、8%以上であることがより好ましい。一方、この合量が大きすぎると、ガラスの耐失透性が低下したり、着色を生じたりするため、40%以下が好ましく、38%以下がより好ましい。
Bi2O3は、高屈折率を達成し、かつ多量に導入しても安定にガラスを形成する必須成分である。そのため、その含有量は、10%以上が好ましく、15%以上がより好ましい。一方、過剰に添加すると、ガラスに着色が生じ、本来透過すべき光を吸収してしまい、取り出し効率が低下してしまうことに加え、失透性が高くなり、均質なガラスを得ることができなくなってしまう。そのため、含有量は50%以下が好ましく、45%以下がより好ましい。
B2O3は、Bi2O3を多量に含むガラスにおいて、ネットワークフォーマとして働き、ガラス形成を助ける必須成分であり、その含有量は、1%以上が好ましく、3%以上がより好ましい。しかしながら、添加量が大きすぎる場合、ガラスの屈折率が低下してしまうため、40%以下が好ましく、38%以下がより好ましい。
樹脂は、スクリーン印刷後、塗膜中のガラス粉末、フィラーを支持する。具体例としては、エチルセルロース、ニトロセルロース、アクリル樹脂、酢酸ビニル、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、ロジン樹脂などが用いられる。主剤として用いられるのは、エチルセルロースとニトロセルロースがある。なお、ブチラール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、ロジン樹脂は塗膜強度向上の為の添加として用いられる。焼成時の脱バインダ温度は、エチルセルロースで350℃から400℃、ニトロセルロースで200℃から300℃である。
樹脂を溶解しかつ印刷に必要な粘度を調整する。また印刷中には乾燥せず、乾燥工程では、すばやく乾燥する。沸点200℃から230℃のものが望ましい。粘度、固形分比、乾燥速度調整のためブレンドして用いる。具体例としては、スクリーン印刷時のペーストの乾燥適合性からエーテル系溶剤(ブチルカルビトール(BC)、ブチルカルビトールアセテート(BCA)、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエーテル、トリプロピレングリコールブチルエーテル、酢酸ブチルセロソルブ)、アルコール系溶剤(α−テルピネオール、パインオイル、ダワノール)、エステル系溶剤(2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレート)、フタル酸エステル系溶剤(DBP(ジブチルフタレート)、DMP(ジメチルフタレート)、DOP(ジオクチルフタレート))がある。主に用いられているのは、α−テルピネオールや2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレート)である。なお、DBP(ジブチルフタレート)、DMP(ジメチルフタレート)、DOP(ジオクチルフタレート)は、可塑剤としても機能する。
粘度調整、フリット分散促進の為、界面活性剤を使用しても良い。フリット表面改質の為、シランカップリング剤を使用しても良い。
(1)フリットペースト
ガラス粉末とビヒクルを準備する。ここで、ビヒクルとは、樹脂、溶剤、界面活性剤を混合したものをいう。具体的には、50℃〜80℃に加熱した溶剤中に樹脂、界面活性剤などを投入し、その後4時間から12時間程度静置したのち、ろ過し、得られる。
次に、ガラス粉末とビヒクルとを、プラネタリーミキサーで混合した後、3本ロールで均一分散させる。その後粘度調整のため、混練機で混練する。通常ガラス材料70〜80wt%に対してビヒクル20〜30wt%とする。
(1)で作製したフリットペーストをスクリーン印刷機を用いて印刷する。スクリーン版のメッッシュ荒さ、乳剤の厚み、印刷時の押し圧、スキージ押し込み量などで形成される、フリットペースト膜の膜厚を制御できる。印刷後焼成炉で乾燥させる。
焼成炉で印刷、乾燥した基板を焼成する。焼成は、フリットペースト中の樹脂を分解・消失させる脱バインダ処理とガラス粉末を焼結、軟化させる焼成処理からなる。脱バインダ温度は、エチルセルロースで350℃〜400℃、ニトロセルロースで200℃〜300℃であり、30分から1時間大気雰囲気で加熱する。その後温度を上げて、ガラスを焼結、軟化させる。焼成温度は軟化温度から軟化温度+20℃であり、処理温度により内部に残存する気泡の形状、大きさが異なる。その後、冷却して基板上にガラス層が形成される。得られる膜の厚さは、5μm〜30μmであるが、印刷時に積層することでさらに厚いガラス層が形成可能である。
図11は、光取り出し効率(%)と散乱物質の含有率(vol%)との関係を示すグラフである。以下、簡略化のため、有機層および透光性電極を電子注入・輸送層および発光層、正孔注入・輸送層、および透光性電極の3つに分けて計算した。ここで、上記グラフは、電子注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、発光層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、正孔注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、散乱層(厚さ:30μm、ベース材の屈折率:1.9、散乱物質の屈折率:1.0)、透光性基板(厚さ:100μm、屈折率:1.54)、光束1000lmを10万本に分割して計算した(波長550nm)。グラフで示されるように、散乱層中における散乱物質の含有率は、1vol%以上が好ましい。散乱物質の大きさで挙動が異なるが、散乱層中における散乱物質の含有率が1vol%あれば、光取り出し効率を40%以上にすることができる。また、散乱層中における散乱物質の含有率が5vol%以上であれば、光取り出し効率を65%以上にすることができるので、より好ましい。また、散乱層中における散乱物質の含有率が10vol%以上であれば、光取り出し効率を70%以上に向上することができるので、さらに好ましい。また、散乱層中における散乱物質の含有率が15vol%近傍であれば、光取り出し効率を80%以上に向上することができるので、特に好ましい。なお、散乱層の量産を考えると、製造ばらつきの影響を受けにくい10vol%〜15vol%が好ましい。ここで散乱物質の散乱層内での面内分布は均一となっているのが望ましい。
図12は、光取り出し効率(%)と散乱物質の屈折率との関係を示すグラフである。以下、簡略のため、有機層および透光性電極を電子注入・輸送層および発光層、正孔注入・輸送層、および透光性電極の3つに分けて計算した。ここで、上記グラフは、電子注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、発光層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、正孔注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、散乱層(厚さ:30μm、ベース材の屈折率:2.0、散乱物質の径:2μm、散乱物質の数:約3600万個、散乱物質の含有量:15vol%)、透光性基板(厚さ:100μm、屈折率:1.54)、光束1000lmを10万本に分割して計算した(波長550nm)。グラフで示されるように、ベース材の屈折率(2.0)と散乱物質の屈折率との差が0.2以上(散乱物質の屈折率が1.8以下)であれば、光取り出し効率を80%以上にすることができるので、特に好ましい。なお、ベース材の屈折率と散乱物質の屈折率との差が0.1であっても(散乱物質の屈折率が1.9)、光取り出し効率を65%以上にすることができる。
図13は、光取り出し効率(%)と散乱物質の含有率(vol%)との関係を示すグラフである。以下、簡略のため、有機層および透光性電極を電子注入・輸送層および発光層、正孔注入・輸送層、および透光性電極の3つに分けて計算した。ここで、上記グラフは、電子注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、発光層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、正孔注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、散乱層(ベース材の屈折率:2.0、散乱物質の径:2μm、散乱物質の屈折率:1.0)、透光性基板(厚さ:100μm、屈折率:1.54)、光束1000lmを10万本に分割して計算した(波長550nm)。グラフで示されるように、散乱層中における散乱物質の含有率が1vol%以上であれば、散乱層の厚さが15μm以下であっても、光取り出し効率を55%以上にすることができるので、好ましい。また、散乱層中における散乱物質の含有率が20vol%以上であれば、散乱層の厚さが60μm以上であっても、光取り出し効率を70%以上にすることができるので、好ましい。また、散乱層中における散乱物質の含有率が5vol%〜15vol%あれば、散乱層の厚さが15μm以下や60μm以上であっても、光取り出し効率を80%以上にすることができるので、特に好ましい。
図14は、光取り出し効率(%)と散乱物質(粒子)の個数(個/mm2)との関係を示すグラフである。以下、簡略のため、有機層および透光性電極を電子注入・輸送層および発光層、正孔注入・輸送層、および透光性電極の3つに分けて計算した。ここで、上記グラフは、電子注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、発光層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、正孔注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、散乱層(ベース材の屈折率:2.0、散乱物質の径:2μm、散乱物質の屈折率:1.0)、透光性基板(厚さ:100μm、屈折率:1.54)、光束1000lmを10万本に分割して計算した(波長550nm)。グラフで示されるように、散乱層の厚さにかかわらず、散乱物質の数で光取り出し効率が変わることがわかる。グラフで示されるように、散乱層1mm2当たりの散乱物質の数が1×104個以上あれば、光取り出し効率を55%以上にすることができるので、好ましい。また、散乱層1mm2当たりの散乱物質の数が2.5×105個以上あれば、光取り出し効率を75%以上にするできるので、より好ましい。
また、散乱層1mm2当たりの散乱物質の数が5×105〜2×106個あれば、光取り出し効率を80%以上にすることができるので、特に好ましい。ここで、散乱物質の径が60μm以上であっても、3×106個あっても、光取り出し効率を70%以上にすることができる。
図15は、光取り出し効率(%)と散乱層のベース材の1mmt%における透過率との関係を示すグラフである。以下、簡略のため、有機層および透光性電極を電子注入・輸送層および発光層、正孔注入・輸送層、および透光性電極の3つに分けて計算した。ここで、上記グラフは、電子注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、発光層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、正孔注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、散乱層(厚さ:30μm、ベース材の屈折率:2.0、散乱物質の径:2μm、散乱物質の屈折率:1.0、散乱物質の数:約3600万個、散乱物質の含有量:15vol%)、透光性基板(厚さ:100μm、屈折率:1.54)、光束1000lmを10万本に分割して計算した。グラフで示されるように、散乱層のベース材の透過率が50%であっても、光取り出し効率は55%以上にすることができる。また、散乱層のベース材の透過率が90%であれば、光取り出し効率は80%以上にすることができる。ベース材をガラスとした場合、その透過率は98%ぐらいであるため、光取り出し効率は80%を超えることができる。
図16は、光取り出し効率(%)と陰極の反射率(%)との関係を示すグラフである。以下、簡略のため、有機層および透光性電極を電子注入・輸送層および発光層、正孔注入・輸送層、および透光性電極の3つに分けて計算した。ここで、上記グラフは、電子注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、発光層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、正孔注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、散乱層(厚さ:30μm、ベース材の屈折率:2.0、散乱物質の径:2μm、散乱物質の屈折率:1.0、散乱物質の数:約3600万個、散乱物質の含有量:15vol%)、透光性基板(厚さ:100μm、屈折率:1.54)、光束1000lmを10万本に分割して計算した(波長550nm)。グラフで示されるように、陰極の反射率が低下すると、光取り出し効率も低下する。ここで、青色LEDの陰極反射率は80%〜90%であるため、光取り出し効率が40%〜50%を得られることがわかる。ここで、特許文献1の有機LED素子は反射率100%を想定し、その光取り出し効率が約50%である。一方、本発明の有機LED素子の反射率を100%として特許文献1の有機LED素子の反射率と同じ条件とした場合、グラフからわかるように、その光取り出し効率は80%を超える。つまり、本発明の有機LED素子の光取り出し効率は、特許文献1の有機LED素子の光取り出し効率に比べ、1.6倍向上していることがわかる。よって、本発明の有機LEDは、蛍光灯に代わる照明用光源として用いられることができる。
図17は、散乱層に出射する光の割合と散乱層のベース材の屈折率との関係を示すグラフである。以下、簡略化のため、有機層および透光性電極を電子注入・輸送層および発光層、正孔注入・輸送層、および透光性電極の3つに分けて計算した。ここで、上記グラフは、電子注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、発光層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、正孔注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、散乱層(厚さ:30μm、散乱物質の径:2μm、散乱物質の屈折率:1.0、散乱物質の数:約3600万個、散乱物質の含有量:15vol%)、透光性基板(厚さ:100μm、屈折率:1.54)、光束1000lmを10万本に分割して計算した(波長550nm)。グラフで示されるように、陽極の屈折率が散乱層の屈折率よりも大きい場合、散乱層の表面で全反射が発生し、散乱層に進入する光の量が減る。よって、光の取り出し効率が低下することがわかる。従って、本発明の散乱層の屈折率は、陽極の屈折率と同等若しくはそれ以上であることが好ましい。ただし、陽極の屈折率が散乱層の屈折率よりも大きい場合、40%の光を取り出すことができる。特に、陽極と散乱層の屈折率差が0.2以下であれば50%の光を取り出すことができる。従って、本発明の散乱層の屈折率は、陽極の屈折率と同等若しくはそれ以下でない場合も有効である場合がある。
図18は、波長と散乱層のベース材の屈折率との関係を示すグラフである。図19は、波長と受光面照度との関係を示す結果である。なお、図19(a)は図18のCase1に、図19(b)は図18のCase2に、図19(c)は図18のCase3に、図19(d)は図18のCase4に対応するスペクトル図である。以下、簡略のため、有機層および透光性電極を電子注入・輸送層および発光層、正孔注入・輸送層、および透光性電極の3つに分けて計算した。ここで、上記グラフは、電子注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、発光層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、正孔注入・輸送層(厚さ:1μm、屈折率:1.9)、散乱層(厚さ:30μm、ベース材の屈折率:2.0、散乱物質の径:2μm、散乱物質の屈折率:1.0、散乱物質の数:約3600万個、散乱物質の含有量:15vol%)、透光性基板(厚さ:100μm、屈折率:1.54)、光束1000lmを10万本に分割して計算した。なお、透光性電極の屈折率を1.9とした。図19に示されるように、散乱層のベース材の屈折率が有機層および透光性電極の屈折率よりも低い場合、その波長での取り出し効率が低下し、色味が変化してしまうことがわかる。具体的に説明すると、図19(c)からわかるように、波長が550nm以上の場合、屈折率が1.9以下になると、発光効率が低下することがわかる。つまり、有機LED素子の赤味において特性が劣化する。この場合は、素子の構成として、赤味を強くした素子を形成することが必要となる。
散乱層の屈折率を測定するには、下記の2つの方法がある。
一つは、散乱層の組成を分析し、その後、同一組成のガラスを作製し、プリズム法にて屈折率を評価する。他の一つは、散乱層を1〜2μmまで薄く研磨し、泡のない10μmΦ程度の領域で、エリプソ測定し、屈折率を評価する。なお、本発明では、プリズム法にて屈折率を評価することを前提としている。
散乱層は、透光性電極が設けられる主表面を有している。上述したように、本発明の散乱層は、散乱物質を含有している。上述したように、散乱物質の径としては、大きければ大きいほど含有量が少なくても光取り出し効率の向上が図れる。しかし、発明者の実験によれば、径が大きければ大きいほど、散乱層の主表面から突出した場合に散乱層の主表面の表面粗さすなわち算術平均粗さRaが大きくなる傾向にある。上述したように、散乱層の主表面には透光性電極が設けられる。そのため、散乱層の主表面の算術平均粗さRaが大きいほど、透光性電極と散乱層間で短絡し、有機LED素子が発光しないという問題がある。上述した特許文献1は、段落0010において、基板に形成された凹凸が数μm程度であっても問題であること開示しているが、発明者らの実験によると、μmの単位では有機LED素子の発光が得られにくにくいことがわかった。
透光性電極(陽極)103は、有機層110で発生した光を外部に取り出すために、80%以上の透光性が要求される。また、多くの正孔を注入するため、仕事関数が高いものが要求される。具体的には、ITO、SnO2、ZnO、IZO(Indium Zinc Oxide)、AZO(ZnO−Al2O3:アルミニウムがドーピングされた亜鉛酸化物)、GZO(ZnO−Ga2O3:ガリウムがドーピングされた亜鉛酸化物)、NbドープTiO2、TaドープTiO2などの材料が用いられる。陽極103の厚さは、100nm以上が好ましい。なお、陽極103の屈折率は、1.9〜2.2程度である。ここで、キャリア濃度を増加させると、ITOの屈折率を低下させることができる。市販されているITOは、SnO2が10wt%が標準となっているが、これより、Sn濃度を増やすことで、ITOの屈折率を下げることができる。但し、Sn濃度増加により、キャリア濃度は増加するが、移動度および透過率の低下がある為、これらのバランスをとって、Sn量を決める必要がある。
ここで、ITOの屈折率は、散乱層102を構成するベース材105の屈折率や反射電極120の屈折率を考慮して決定することが好ましい。ITOの屈折率は、散乱層102を構成するベース材105の屈折率よりも小さいか同等であるのが望ましいが、若干は大きくてもよい。導波路計算や反射性電極120の反射率等を考慮すると、ITOの屈折率とベース材105の屈折率との差は0.2以下であることが好ましい。
なお、透光性電極を陰極としても良いことは言うまでもない。
有機層110は、発光機能を有する層であり、正孔注入層111と、正孔輸送層112と、発光層113と、電子輸送層114と、電子注入層115とにより構成される。有機層110の屈折率は、1.7〜1.8程度である。
正孔注入層111は、陽極103からの正孔注入障壁を低くするために、イオン化ポテンシャルの差が小さいものが要求される。正孔注入層111における電極界面からの電荷の注入効率の向上は、素子の駆動電圧を下げるとともに、電荷の注入効率を高める。高分子では、ポリスチレンスルフォン酸(PSS)がドープされたポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT:PSS)、低分子ではフタロシアニン系の銅フタロシアニン(CuPc)が広く用いられる。
正孔輸送層112は、正孔注入層111から注入された正孔を発光層133に輸送する役割をする。適切なイオン化ポテンシャルと正孔移動度を有することが必要である。正孔輸送層112は、具体的には、トリフェニルアミン誘導体、N,N’−ビス(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(NPD)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス[N−フェニル−N−(2−ナフチル)−4’−アミノビフェニル−4−イル]−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(NPTE)、1,1−ビス[(ジ−4−トリルアミノ)フェニル]シクロヘキサン(HTM2)およびN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)などが用いられる。正孔輸送層112の厚さは、10nm〜150nmが好ましい。厚さは薄ければ薄いほど低電圧化できるが、電極間短絡の問題から10nm〜150nmであることが特に好ましい。
発光層113は、注入された電子と正孔が再結合する場を提供し、かつ、発光効率の高い材料を用いる。詳細に説明すると、発光層113に用いられる発光ホスト材料および発光色素のドーピング材料は、陽極および陰極から注入された正孔および電子の再結合中心として機能する、また、発光層におけるホスト材料への発光色素のドーピングは、高い発光効率を得ると共に、発光波長を変換させる。これらは電荷注入のための適切なエネルギーレベルを有すること、化学的安定性や耐熱性に優れ、均質はアモルファス薄膜を形成することなどが求められる。また、発光色の種類や色純度が優れていることや発光効率の高いことが求められる。有機材料である発光材料には、低分子系と高分子系の材料がある。さらに、発光機構によって、蛍光材料、りん光材料に分類される。発光層113は、具体的には、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム錯体(Alq3)、ビス(8−ヒドロキシ)キナルジンアルミニウムフェノキサイド(Alq′2OPh)、ビス(8−ヒドロキシ)キナルジンアルミニウム−2,5−ジメチルフェノキサイド(BAlq)、モノ(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナート)リチウム錯体(Liq)、モノ(8−キノリノラート)ナトリウム錯体(Naq)、モノ(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナート)リチウム錯体、モノ(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナート)ナトリウム錯体およびビス(8−キノリノラート)カルシウム錯体(Caq2)などのキノリン誘導体の金属錯体、テトラフェニルブタジエン、フェニルキナクドリン(QD)、アントラセン、ペリレン並びにコロネンなどの蛍光性物質が挙げられる。ホスト材料としては、キノリノラート錯体が好ましく、特に、8−キノリノールおよびその誘導体を配位子としたアルミニウム錯体が好ましい。
電子輸送層114は、電極から注入された電子を輸送するという役割をする。電子輸送層114は、具体的には、キノリノールアルミニウム錯体(Alq3)、オキサジアゾール誘導体(例えば、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール(BND)および2−(4−t−ブチルフェニル)−5−(4−ビフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD)など)、トリアゾール誘導体、バソフェナントロリン誘導体、シロール誘導体などが用いられる。
電子注入層115は、電子の注入効率を高めるものが要求される。電子注入層115は、具体的には、陰極界面にリチウム(Li)、セシウム(Cs)等のアルカリ金属をドープした層を設ける。
反射性電極(陰極)120は、仕事関数の小さな金属またはその合金が用いられる。陰極120は、具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属および周期表第3属の金属などが挙げられる。このうち、安価で化学的安定性の良い材料であることから、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)またはこれらの合金などが好ましく用いられる。また、Al、MgAgの共蒸着膜、LiFまたはLi20の薄膜蒸着膜の上にAlを蒸着した積層電極等が用いられる。また、高分子系では、カルシウム(Ca)またはバリウム(Ba)とアルミニウム(Al)の積層等が用いられる。
なお、反射性電極を陽極としてもよいことは言うまでもない。
以下に、図面を用いて、本発明の電子デバイス用基板の製造方法を説明する。図20は、本発明の電子デバイス用基板の製造方法を示すフローチャートである。本発明の電子デバイス用基板の製造方法は、透光性基板を準備する工程(ステップ1100)と、透光性基板上に、有機LED素子の発光光の波長において第1の屈折率を有するベース材と、ベース材内部に設けられベース材と異なる屈折率を有する複数の散乱物質とを備えた散乱層を形成する工程(ステップ1110)と、散乱層上に、透光性電極を形成する工程(ステップ1120)とを有する。
次に、有機LED素子の発光光の波長において第1の屈折率を有するベース材と、ベース材内部に設けられベース材と異なる屈折率を有する複数の散乱物質とを備えた散乱層形成材料を準備する。そして、準備した散乱層形成材料を塗布し、焼成することで、散乱物質が面内に均一に分布された散乱層を透光性基板上に形成する(ステップ1110)。
以下に、図面を用いて、本発明の有機LED素子の製造方法を説明する。図21は、本発明の有機LED素子の製造方法を示すフローチャートである。本発明の有機LED素子の製造方法は、透光性基板を準備する工程(ステップ1100)と、透光性基板上に、有機LED素子の発光光の波長において第1の屈折率を有するベース材と、ベース材内部に設けられベース材と異なる屈折率を有する複数の散乱物質とを備えた散乱層を形成する工程(ステップ1110)と、散乱層上に、透光性電極を形成する工程(ステップ1120)と、透光性電極上に有機層を形成する工程(ステップ1200)と、有機層上に反射性電極を形成する工程(ステップ1210)とを有する。
そしてさらに、反射電極の映りこみを防止するためのうねりの大きさについても種々の実験と考察を重ね最適の範囲を規定しているため、信頼性の高い有機LED素子を得ることが可能となっている。
ここで、表面に凹凸があると、この上層に形成される第1の電極表面に凹凸が形成され易く、この上層に蒸着法などによって発光機能を有する層などを形成すると、これらの有機層の凸凹に対する被覆性が悪くなり、有機層の膜厚にばらつきが生じたり、また、その結果、上記第1の電極と有機層上に形成される第2の電極表面との間の電極間距離にばらつきが生じることになる。その結果、電極間距離の小さい領域においては、有機層に局所的に大電流が流れることになり、電極間短絡を生じ不灯の原因となることがわかった。また高解像度ディスプレイのように、微細画素で構成する表示装置を形成する場合には、微細な画素パターンを形成する必要があり、表面の凹凸は、画素の位置やサイズにばらつきが生じる原因となるだけでなく、この凸凹で、表面に形成される電子デバイスの電極間が短絡してしまう場合がある。
(有機LED素子の他の構成例)
次に、図面を用いて、本発明の実施の形態2の電子デバイス用基板および有機LED素子の構成について説明する。なお、図1と同じ構成については、同じ番号を付与し、説明を省略する。図23は、本発明の有機LED素子用の透光性基板およびこれを用いて形成した有機LED素子の他の構造を示す断面図である。本発明の他の有機LED素子は、透光性電極つき透光性基板1400と、有機層1410と、反射性電極120とにより構成される。透光性電極付き透光性基板1400は、透光性の基板101と、散乱層1401と、透光性電極103とにより構成される。有機層1410は、正孔注入・輸送層1411と、発光層1412と、電子注入・輸送層1413とにより構成される。
また本発明の電子デバイス用基板は、有機LED素子に限定されることなく、無機EL素子、液晶など、種々の発光デバイス、あるいは光量センサ、太陽電池などの受光デバイスなど光デバイスの高効率化に有効である。
(散乱層の効果の実証)
以下、光取り出し効率の向上のために、散乱層が効果的であることの実証を説明する。試料1は本発明のうねりをもつ散乱層を備えた実施例であり、試料2が内部に散乱物質が設けられていない散乱層を備えた比較例である。計算方法は、上述の散乱層の計算方法と同じである。以下、各条件および結果(前面取り出し効率)を表2に示す。
各散乱層付き基板の全光透過率とヘイズ値を測定した。測定装置として、スガ試験機ヘーズメータHGM−2を用いた。リファレンスとして、上述したガラス基板[PD200]の素板を測定した。測定した結果を表4に示す。
散乱層1620および散乱層1620が形成されていないガラス基板1610上にITO膜1630を膜厚が150nmとなるように、スパッタにより成膜した。スパッタは室温で実施し、Ar 99.5SCCM、O2 0.5SCCM、圧力 0.47Pa、投入電力 2.35W/cm2であった。その後、蒸着装置を用いて、ITO膜1630上にAlq3膜1640を、Alq3膜1640上にAg膜1650をそれぞれ膜厚が200nmおよび70nmとなるように成膜した。今回の評価では、Ag膜1650の上方側から紫外線を照射し、Alq3膜1640を励起した。Ag膜1650の膜厚が厚い場合には、紫外線が透過せず、薄すぎるとAlq3膜1640からの蛍光光が反射されずに透過してしまう。Ag膜1650の膜厚を70nmとすることで、320nmの紫外光の場合、25%程度が透過することができ、一方で蛍光光のうちAg膜1650を透過してしまう割合を1%以下に抑えることが可能となった。Alq3膜1640はAg膜1650側から入射してきた紫外線により励起されるが、Alq3膜1640のAg膜1650に近い側では、ガラス基板1610側に発光した光とAg膜1650側に発光してAgで反射してガラス基板側に進行する光の干渉で弱め合う。なぜなら光路差は少ない一方で、Agでの反射により位相がπ程度ずれるからである。この問題については、Alq3膜1640の膜厚を200nmと厚めにすることで解決でき、測定される発光輝度を上げることができた。
(散乱層の主表面の平滑性の実証)
以下、光取り出し効率の向上のために、散乱層の主表面がうねりをもつのに加え、平滑(表面粗さRa(:算術平均粗さ)が30nm以下)であることが効果的であることの実証を説明する。
まず、ガラス基板としては、上述の旭硝子株式会社製ガラス基板[PD200]を用いた。散乱層は以下のように作製した。まずガラス組成が表6になるように粉末原料を調合し、1100℃の電気炉にて溶解し、ロールにキャストしてガラスのフレークを得た。このガラスのガラス転移温度は499℃、屈服点は545℃、熱膨張係数は74×10−7(1/℃)(100〜300℃の平均値)である。このガラスのF線(486.13nm)での屈折率nFは2.0448、d線(587.56nm)での屈折率ndは2.0065、C線(656.27nm)での屈折率nCは1.9918である。屈折率およびガラス転移点・屈服点の測定方法は、上述の例と同様である。
(1)580℃焼成品の方が、温度が高い分だけ泡が膨張しており、カウントし易くなっている、
(2)ガラス粉末に付着した有機系の残渣物の分解が580℃でより進んでいて、泡数が多くなった。
(うねりについて)
次に、本発明の実施例3について説明する。
まず、測定用サンプルとして、[PD200]基板上に散乱層を成膜し、さらにその上に厚さ約80nmのAl薄膜を蒸着法で成膜したものを用意した。散乱層としては表10に示した7種類を用いた。ガラス組成A,B,C、Dをそれぞれ表11、表12、表13に示す。
(散乱層の全透過率(Haze値))
次に散乱層の全透過率について測定した結果を説明する。
ガラス基板上に表1に示したガラス組成で厚さの異なる散乱層を作製した。それぞれの厚さは9μm、15μm、30μmである。これらの散乱層の上に、前述と同様に有機LED素子を作製し、評価して、散乱層がない場合との光取り出し効率の比率を評価した。前述のヘーズメータを用いて、全光透過率、Haze値を測定する場合、図56に示すようにサンプルは積分球300内部にセットして、基板101を導波して、横方向に伝播する光をロスとしないようにして測定した。散乱層102の膜厚と全光透過率の関係を図57に、散乱層102の膜厚とhaze値の関係を図58に示す。
101 ガラス基板
102 散乱層
103 透光性電極
104 散乱物質
110 有機層
120 反射性電極
Claims (12)
- 相対向する第1および第2の主面を具備した基板と、
前記基板の前記第1の主面に形成された電極パターンとを備えた電子デバイス用基板であって、
前記基板の前記第1の主面が湾曲面で構成されたうねりを構成する表面であり、
前記表面のうねりの波長Rλaが50μmより大きく457μmより小さく、
前記うねりを構成する表面のうねりの粗さRaの、うねりの波長Rλaに対する比Ra/Rλaが1.0×10−4以上3.0×10−2以下であり、
前記基板はガラス基板と当該ガラス基板の第1の主面に形成された散乱層とを具備し、
当該散乱層は、透過する光の少なくとも1波長に対して第1の屈折率を有するベース材と、前記ベース材中に分散された、前記ベース材と異なる第2の屈折率を有する複数の散乱物質とを具備し、
前記散乱物質の前記散乱層内分布が、前記散乱層内部から前記電極パターンにむかって小さくなっており、
前記散乱層の前記電極パターン側表面からの距離x≦0.2μmにおける散乱物質の密度ρ3が、距離x=2μmにおける前記散乱物質の密度ρ4に対し、ρ4>ρ3を満たし、
前記ベース材はガラスであり、前記散乱物質は気泡である、電子デバイス用基板。 - 請求項1に記載の電子デバイス用基板であって、
前記散乱層は前記ガラス基板の第1の主面側に当接する第2の面と、前記第2の面に対向する第1の面を具備し、前記第1の面が湾曲面で構成されたうねりを構成する表面である電子デバイス用基板。 - 請求項1または2に記載の電子デバイス用基板であって、
前記第1の主面に有機LED素子が形成される電子デバイス用基板。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の電子デバイス用基板であって、
前記第2の主面が前記第1の主面よりも平坦な面である電子デバイス用基板。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載の電子デバイス用基板であって、
前記うねりを構成する表面の表面粗さRaが30nm以下である電子デバイス用基板。 - 相対向する第1および第2の主面のうち、少なくとも第1の主面が湾曲面で構成されたうねりを構成する表面である基板と、
前記基板の前記表面に形成された第1の電極と、
前記第1の電極の上層に形成された機能層と、
前記機能層の上層に形成された第2の電極とを具備し、
前記うねりを構成する表面のうねりの波長Rλaが50μmより大きく457μmより小さく、
前記うねりを構成する表面のうねりの粗さRaの、うねりの波長Rλaに対する比Ra/Rλaが1.0×10−4以上3.0×10−2以下であり、
前記基板はガラス基板と当該ガラス基板の第1の主面に形成された散乱層とを具備し、
当該散乱層は、透過する光の少なくとも1波長に対して第1の屈折率を有するベース材と、前記ベース材中に分散された、前記ベース材と異なる第2の屈折率を有する複数の散乱物質とを具備し、
前記散乱物質の前記散乱層内分布が、前記散乱層内部から前記第1の電極にむかって小さくなっており、
前記散乱層の前記第1の電極側表面からの距離x≦0.2μmにおける散乱物質の密度ρ3が、距離x=2μmにおける前記散乱物質の密度ρ4に対し、ρ4>ρ3を満たし、
前記ベース材はガラスであり、前記散乱物質は気泡である、電子デバイス。 - 請求項6に記載の電子デバイスであって、
前記散乱層は前記ガラス基板の第1の主面側に当接する第2の面と、前記第2の面に対向する第1の面を具備し、前記第1の面が湾曲面で構成されたうねりを構成する表面である電子デバイス。 - 請求項6または7に記載の電子デバイスであって、
前記うねりを構成する表面の表面粗さRaが30nm以下である電子デバイス。 - 請求項6乃至8のいずれかに記載の電子デバイスであって、
前記第1の電極は、前記散乱層上に形成され、前記第1の屈折率と同じ若しくはより低い第3の屈折率を有する透光性電極である電子デバイス。 - 請求項6乃至9のいずれかに記載の電子デバイスであって、
前記散乱層が、mol%表記で、P2O5 15〜30%、SiO2 0〜15%、B2O3 0〜18%、Nb2O5 5〜40%、TiO2 0〜15%、WO3 0〜50%、Bi2O3 0〜30%、ただし、Nb2O5+TiO2+WO3+Bi2O3 20〜60%、Li2O 0〜20%、Na2O 0〜20%、K2O 0〜20%、ただしLi2O+Na2O+K2O 5〜40%、MgO 0〜10%、CaO 0〜10%、SrO 0〜10%、BaO 0〜20%、ZnO 0〜20%、Ta2O5 0〜10%を含む電子デバイス。 - 請求項6乃至10いずれかに記載の電子デバイスであって、
前記散乱層上に形成され、前記第1の屈折率と同じ若しくはより低い前記波長における第3の屈折率を有する第1の電極としての透光性電極と、
前記透光性電極上に形成される光電変換機能を有する前記機能層と、
前記光電変換機能を有する層上に形成される第2の電極としての反射性電極とを備えた電子デバイス。 - 請求項11に記載の電子デバイスであって、
前記光電変換機能を有する層は、発光機能を有する層である電子デバイス。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010547515A JP5824807B2 (ja) | 2009-01-26 | 2010-01-21 | 電子デバイス用基板およびこれを用いた電子デバイス |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009014794 | 2009-01-26 | ||
JP2009014794 | 2009-01-26 | ||
JP2010547515A JP5824807B2 (ja) | 2009-01-26 | 2010-01-21 | 電子デバイス用基板およびこれを用いた電子デバイス |
PCT/JP2010/050729 WO2010084923A1 (ja) | 2009-01-26 | 2010-01-21 | 電子デバイス用基板およびこれを用いた電子デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010084923A1 JPWO2010084923A1 (ja) | 2012-07-19 |
JP5824807B2 true JP5824807B2 (ja) | 2015-12-02 |
Family
ID=42355975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010547515A Expired - Fee Related JP5824807B2 (ja) | 2009-01-26 | 2010-01-21 | 電子デバイス用基板およびこれを用いた電子デバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8729593B2 (ja) |
EP (1) | EP2384086B1 (ja) |
JP (1) | JP5824807B2 (ja) |
KR (1) | KR20110116142A (ja) |
CN (1) | CN102293054B (ja) |
TW (1) | TW201041205A (ja) |
WO (1) | WO2010084923A1 (ja) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10123803B2 (en) | 2007-10-17 | 2018-11-13 | Covidien Lp | Methods of managing neurovascular obstructions |
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US8933478B2 (en) | 2013-02-19 | 2015-01-13 | Cooledge Lighting Inc. | Engineered-phosphor LED packages and related methods |
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KR101493612B1 (ko) | 2013-10-08 | 2015-02-13 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 발광 디바이스용 적층체 및 그의 제조 방법 |
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-
2010
- 2010-01-21 JP JP2010547515A patent/JP5824807B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-21 KR KR1020117017540A patent/KR20110116142A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-01-21 WO PCT/JP2010/050729 patent/WO2010084923A1/ja active Application Filing
- 2010-01-21 CN CN201080005566.3A patent/CN102293054B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-21 EP EP10733530.9A patent/EP2384086B1/en not_active Not-in-force
- 2010-01-26 TW TW099102126A patent/TW201041205A/zh unknown
-
2011
- 2011-07-25 US US13/137,159 patent/US8729593B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8729593B2 (en) | 2014-05-20 |
KR20110116142A (ko) | 2011-10-25 |
EP2384086A4 (en) | 2014-01-08 |
JPWO2010084923A1 (ja) | 2012-07-19 |
CN102293054A (zh) | 2011-12-21 |
CN102293054B (zh) | 2016-08-03 |
EP2384086A1 (en) | 2011-11-02 |
WO2010084923A1 (ja) | 2010-07-29 |
EP2384086B1 (en) | 2018-04-11 |
US20120025245A1 (en) | 2012-02-02 |
TW201041205A (en) | 2010-11-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120912 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131015 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131206 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140210 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140325 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150824 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150928 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |