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JP5821293B2 - Optical filter, optical filter module, optical analyzer, and optical filter manufacturing method - Google Patents

Optical filter, optical filter module, optical analyzer, and optical filter manufacturing method Download PDF

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JP5821293B2 JP2011123490A JP2011123490A JP5821293B2 JP 5821293 B2 JP5821293 B2 JP 5821293B2 JP 2011123490 A JP2011123490 A JP 2011123490A JP 2011123490 A JP2011123490 A JP 2011123490A JP 5821293 B2 JP5821293 B2 JP 5821293B2
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Description

本発明は、光フィルター、光フィルターモジュール、光分析装置および光フィルターの製造方法に関する。   The present invention relates to an optical filter, an optical filter module, an optical analyzer, and an optical filter manufacturing method.

複数の波長を有する光から特定の波長の光を取り出す光フィルターが知られている。光フィルターの一例として、例えば波長可変干渉フィルターが挙げられる。
波長可変干渉フィルターは、2つの基板に形成した反射膜(光学膜)を対向配置し、静電アクチュエーターなどを用いて反射膜間のギャップ寸法を変化させて、ギャップ寸法に応じた波長の光を透過するように構成した光フィルターである。
例えば、特許文献1の可変形状鏡では、対向するミラー基板と配線基板との電気的な導通にAuバンプなどの中間部材を用いる構造が開示されている。このようにして、配線基板から外部との接続を可能とする構造としている。
An optical filter that extracts light having a specific wavelength from light having a plurality of wavelengths is known. An example of the optical filter is a wavelength variable interference filter.
The wavelength tunable interference filter arranges reflective films (optical films) formed on two substrates facing each other, and changes the gap dimension between the reflective films using an electrostatic actuator, etc., and emits light of a wavelength according to the gap dimension. An optical filter configured to transmit light.
For example, the deformable mirror disclosed in Patent Document 1 discloses a structure in which an intermediate member such as an Au bump is used for electrical conduction between an opposing mirror substrate and a wiring substrate. In this way, a structure that enables connection from the wiring board to the outside is provided.

特開2008−261951号公報JP 2008-261951 A

しかしながら、特許文献1に記載の可変形状鏡では、ミラー基板と配線基板との電気的接続のためにAuバンプなどの中間部材を設ける必要がある。また、配線基板と中間部材、中間部材とミラー基板との接合が必要であり、対向する基板間を容易に接続することができないという課題がある。   However, in the deformable mirror described in Patent Document 1, it is necessary to provide an intermediate member such as an Au bump for electrical connection between the mirror substrate and the wiring substrate. Further, it is necessary to join the wiring board and the intermediate member, and the intermediate member and the mirror board, and there is a problem that the opposing boards cannot be easily connected.

本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
本発明の一態様の光フィルターは、第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板の前記第2基板と対向する面に形成された第1反射膜と、前記第2基板に設けられ、前記第1反射膜とギャップを介して対向する第2反射膜と、前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1駆動電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1駆動電極と対向する第2駆動電極と、前記第1基板に設けられた第1接続電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1接続電極の一部と対向する位置に形成され、前記第2基板の厚み方向に可撓性を有する薄肉部と、前記第2駆動電極に接続され、前記第1接続電極に対向して前記薄肉部に形成された第2接続電極と、を備え、前記第1基板と前記第2基板とが接合され、前記第1接続電極と前記薄肉部に形成された前記第2接続電極とは、前記薄肉部が前記第1基板に近づく方向に変形された状態で接続されていることを特徴とする。
SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
An optical filter of one embodiment of the present invention includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, a first reflective film formed on a surface of the first substrate facing the second substrate, A second reflective film provided on the second substrate and facing the first reflective film via a gap; a first drive electrode provided on a surface of the first substrate facing the second substrate; A second drive electrode provided on the second substrate and facing the first drive electrode; a first connection electrode provided on the first substrate; and a second connection electrode provided on the second substrate, Formed in a position opposite to the portion, and is formed in the thin portion connected to the second drive electrode and opposed to the first connection electrode. The thin portion has flexibility in the thickness direction of the second substrate. A second connection electrode, wherein the first substrate and the second substrate are bonded to each other, and the first connection electrode Wherein said formed thin portion and the second connection electrode, wherein the thin portion is connected in a state of being deformed in a direction toward the first substrate and.

[適用例1]本適用例にかかる光フィルターは、第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板の前記第2基板と対向する面に形成された第1反射膜と、前記第2基板に設けられ、前記第1反射膜とギャップを介して対向する第2反射膜と、前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1駆動電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1駆動電極と対向する第2駆動電極と、前記第1基板に設けられた第1接続電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1接続電極の一部と対向する位置に形成され、前記第2基板の厚み方向に可撓性を有する薄肉部と、前記第2駆動電極に接続され、前記第1接続電極に対向して前記薄肉部に形成された第2接続電極と、を備え、前記第1基板と前記第2基板とが接合され、前記第1接続電極と前記薄肉部に形成された前記第2接続電極とが接続されていることを特徴とする。   Application Example 1 An optical filter according to this application example includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, and a first surface formed on a surface of the first substrate facing the second substrate. A reflective film, a second reflective film provided on the second substrate and facing the first reflective film via a gap, and a first drive provided on a surface of the first substrate facing the second substrate An electrode, a second drive electrode provided on the second substrate and facing the first drive electrode, a first connection electrode provided on the first substrate, and provided on the second substrate, A thin-walled portion formed at a position facing a part of the connection electrode and having flexibility in the thickness direction of the second substrate, connected to the second drive electrode, and opposed to the first connection electrode A second connection electrode formed on the portion, wherein the first substrate and the second substrate are joined together, And the second connection electrode formed on the thin portion and the first connection electrode is characterized in that it is connected.

この構成によれば、第1基板の第1接続電極と、第2基板の薄肉部に形成された第2接続電極とが接続されている。第2基板に形成された薄肉部は第2基板の厚み方向に可撓性を有するため、中間部材を用いず第1基板と第2基板との電気的接続が容易にできる。   According to this configuration, the first connection electrode of the first substrate and the second connection electrode formed on the thin portion of the second substrate are connected. Since the thin portion formed on the second substrate is flexible in the thickness direction of the second substrate, electrical connection between the first substrate and the second substrate can be facilitated without using an intermediate member.

[適用例2]上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記薄肉部は前記第2基板の前記第1基板と対向する面とは反対の面に、平面視で円形の凹部が設けられ、前記凹部の底面と前記第2基板の前記第1基板と対向する面との間を厚みとする前記薄肉部が形成されることが好ましい。   Application Example 2 In the optical filter according to the application example described above, the thin-walled portion is provided with a circular recess in a plan view on a surface opposite to the surface facing the first substrate of the second substrate. It is preferable that the thin portion having a thickness between a bottom surface of the second substrate and a surface of the second substrate facing the first substrate is formed.

この構成によれば、薄肉部は第2基板の第1基板と対向する面とは反対の面に凹部を設けることで形成される。つまり、薄肉部は第1基板の第1接続電極に近い位置に形成することができる。また、薄肉部が平面視で円形状であることから第2基板の厚み方向に変形し易く、薄肉部に形成された第2接続電極と、第1基板の第1接続電極とを容易に接続できる。   According to this configuration, the thin portion is formed by providing the concave portion on the surface of the second substrate opposite to the surface facing the first substrate. That is, the thin portion can be formed at a position close to the first connection electrode of the first substrate. Further, since the thin portion is circular in plan view, it is easily deformed in the thickness direction of the second substrate, and the second connection electrode formed on the thin portion and the first connection electrode of the first substrate are easily connected. it can.

[適用例3]上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記薄肉部は前記第1基板に近づく方向に変形された状態で、前記第1接続電極と前記第2接続電極とが接続されていることが好ましい。   Application Example 3 In the optical filter according to the application example, the first connection electrode and the second connection electrode are connected in a state where the thin portion is deformed in a direction approaching the first substrate. Is preferred.

この構成によれば、第1接続電極と第2接続電極が接続される前の状態では、両者間に間隙があるため、第1接続電極と第2接続電極との接続に必要な電極の膜厚を設定でき、信頼性の高い接続が可能である。   According to this configuration, in the state before the first connection electrode and the second connection electrode are connected, there is a gap between them, so that the electrode film necessary for the connection between the first connection electrode and the second connection electrode Thickness can be set and reliable connection is possible.

[適用例4]上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記第1接続電極は前記第1基板の厚み方向に突出する突部に設けられていることが好ましい。   Application Example 4 In the optical filter according to the application example, it is preferable that the first connection electrode is provided on a protrusion protruding in the thickness direction of the first substrate.

この構成によれば、第1接続電極は第1基板の厚み方向に突出する突部に設けられている。このことから、第1接続電極と第2接続電極の距離が短くなり、薄肉部の変形量が小さくてすみ、第1接続電極と第2接続電極とを容易に接続できる。また、第1接続電極と第2接続電極との接続後の反力(第1接続電極と第2接続電極との接続を引き剥がす力)が小さくなり、光フィルターに応力がかからない。   According to this configuration, the first connection electrode is provided on the protrusion protruding in the thickness direction of the first substrate. Accordingly, the distance between the first connection electrode and the second connection electrode is shortened, the deformation amount of the thin portion is small, and the first connection electrode and the second connection electrode can be easily connected. In addition, the reaction force after the connection between the first connection electrode and the second connection electrode (the force that peels off the connection between the first connection electrode and the second connection electrode) is reduced, and no stress is applied to the optical filter.

[適用例5]本適用例にかかる光フィルターモジュールは、第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板の前記第2基板と対向する面に形成された第1反射膜と、前記第2基板に設けられ、前記第1反射膜とギャップを介して対向する第2反射膜と、前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1駆動電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1駆動電極と対向する第2駆動電極と、前記第1基板に設けられた第1接続電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1接続電極の一部と対向する位置に形成された薄肉部と、前記第2駆動電極に接続され、前記第1接続電極に対向して前記薄肉部に形成された第2接続電極と、前記第1反射膜または前記第2反射膜を透過した光を受光する受光部と、を備え、前記第1接続電極と前記薄肉部に形成された前記第2接続電極とが接続されていることを特徴とする。   Application Example 5 An optical filter module according to this application example is formed on a first substrate, a second substrate facing the first substrate, and a surface of the first substrate facing the second substrate. A first reflective film, a second reflective film provided on the second substrate and facing the first reflective film via a gap, and a first surface provided on a surface of the first substrate facing the second substrate; A drive electrode; a second drive electrode provided on the second substrate and facing the first drive electrode; a first connection electrode provided on the first substrate; provided on the second substrate; A thin portion formed at a position facing a part of one connection electrode, a second connection electrode connected to the second drive electrode and formed at the thin portion facing the first connection electrode, A light receiving portion that receives light transmitted through the first reflective film or the second reflective film, and A first connection electrode and the second connection electrode formed on the thin portion, characterized in that it is connected.

本適用例の光フィルターモジュールは、中間部材を用いず第1基板と第2基板との電気的接続が可能である。このように、簡単な構造で第1基板の第1接続電極と第2基板の第2接続電極とを接続でき、光フィルターモジュールの構造の簡素化に貢献できる。   The optical filter module of this application example can electrically connect the first substrate and the second substrate without using an intermediate member. Thus, the first connection electrode of the first substrate and the second connection electrode of the second substrate can be connected with a simple structure, which can contribute to simplification of the structure of the optical filter module.

[適用例6]本適用例にかかる光分析装置は、第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板の前記第2基板と対向する面に形成された第1反射膜と、前記第2基板に設けられ、前記第1反射膜とギャップを介して対向する第2反射膜と、前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1駆動電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1駆動電極と対向する第2駆動電極と、前記第1基板に設けられた第1接続電極と、前記第2基板に設けられ、前記第1接続電極の一部と対向する位置に形成された薄肉部と、前記第2駆動電極に接続され、前記第1接続電極に対向して前記薄肉部に形成された第2接続電極と、前記第1反射膜または前記第2反射膜を透過した光を受光する受光部と、前記受光部から得られる信号に基づき前記光の光特性を分析する分析処理部と、を備え、前記第1接続電極と前記薄肉部に形成された前記第2接続電極とが接続されていることを特徴とする。   Application Example 6 An optical analyzer according to this application example is formed on a first substrate, a second substrate facing the first substrate, and a surface of the first substrate facing the second substrate. A first reflective film, a second reflective film provided on the second substrate and facing the first reflective film via a gap, and a first surface provided on a surface of the first substrate facing the second substrate; A drive electrode; a second drive electrode provided on the second substrate and facing the first drive electrode; a first connection electrode provided on the first substrate; provided on the second substrate; A thin portion formed at a position facing a part of one connection electrode, a second connection electrode connected to the second drive electrode and formed at the thin portion facing the first connection electrode, A light receiving unit that receives light transmitted through the first reflective film or the second reflective film, and a signal obtained from the light receiving unit; And a analysis processor for analyzing optical properties of the light on the basis of the said first formed in the connection electrode and the thin-walled portion the second connection electrode is characterized in that it is connected.

本適用例の光分析装置は、中間部材を用いず第1基板と第2基板との電気的接続が可能である。このように、簡単な構造で第1基板の第1接続電極と第2基板の第2接続電極とを接続でき、光分析装置の構造の簡素化に貢献できる。   The optical analyzer according to this application example can electrically connect the first substrate and the second substrate without using an intermediate member. Thus, the first connection electrode of the first substrate and the second connection electrode of the second substrate can be connected with a simple structure, which can contribute to simplification of the structure of the optical analyzer.

[適用例7]本適用例にかかる光フィルターの製造方法は、第1基板をエッチングし電極形成部を形成する電極形成部形成工程と、前記電極形成部に第1駆動電極と第1接続電極とを形成する第1電極形成工程と、前記第1基板に第1反射膜を形成する第1反射膜形成工程と、第2基板をエッチングし前記第1接続電極と対向する位置に薄肉部を形成する薄肉部形成工程と、前記第2基板に第2駆動電極と、前記第2駆動電極に接続し前記薄肉部の前記第1接続電極と対向する位置に第2接続電極とを形成する第2電極形成工程と、前記第2基板に第2反射膜を形成する第2反射膜形成工程と、前記第1基板と、前記第2基板とを接合する接合工程と、前記薄肉部に外力を加え、前記第1基板の前記第1接続電極と前記第2基板の前記第2接続電極とを接続する接続工程と、を含むことを特徴とする。   Application Example 7 An optical filter manufacturing method according to this application example includes an electrode forming part forming step of forming an electrode forming part by etching a first substrate, and a first drive electrode and a first connection electrode in the electrode forming part. Forming a first reflective film on the first substrate, and forming a thin portion at a position facing the first connection electrode by etching the second substrate. Forming a thin portion, forming a second drive electrode on the second substrate, and forming a second connection electrode at a position connected to the second drive electrode and facing the first connection electrode of the thin portion. A two-electrode forming step, a second reflecting film forming step for forming a second reflecting film on the second substrate, a joining step for joining the first substrate and the second substrate, and applying an external force to the thin portion. In addition, the first connection electrode of the first substrate and the second contact of the second substrate. Characterized in that it comprises a connecting step of connecting the electrodes.

この製造方法によれば、薄肉部に外力を加え、第1基板の第1接続電極と第2基板の第2接続電極とを接続する。このため、中間部材を用いず第1基板と第2基板との電気的接続が可能である。そして、第2基板に形成された薄肉部は変形し易いため、接続が容易である。   According to this manufacturing method, an external force is applied to the thin portion to connect the first connection electrode of the first substrate and the second connection electrode of the second substrate. For this reason, the first substrate and the second substrate can be electrically connected without using an intermediate member. And since the thin part formed in the 2nd board | substrate is easy to deform | transform, connection is easy.

[適用例8]上記適用例にかかる光フィルターの製造方法において、前記接続工程は前記第1接続電極および前記第2接続電極を加熱し、外力を加えて前記第1接続電極と前記第2接続電極とを金属間接合することが好ましい。   Application Example 8 In the method for manufacturing an optical filter according to the application example, the connection step heats the first connection electrode and the second connection electrode and applies an external force to apply the first connection electrode and the second connection. It is preferable to bond the electrodes to each other.

この製造方法によれば、第1接続電極および第2接続電極を加熱し、外力を加えて接触させることで、電極間において金属間接合することができる。そして、金属間接合により第1接続電極と第2接続電極との確実で信頼性の高い接続ができる。   According to this manufacturing method, the first connection electrode and the second connection electrode are heated, and an external force is applied to bring them into contact with each other, whereby metal-to-metal bonding can be performed between the electrodes. And the reliable connection with high reliability with a 1st connection electrode and a 2nd connection electrode can be performed by metal bonding.

[適用例9]上記適用例にかかる光フィルターの製造方法において、前記接続工程は前記第1接続電極および前記第2接続電極の表面を表面活性化処理した後に外力を加え、前記第1接続電極と前記第2接続電極とを金属間接合することが好ましい。   Application Example 9 In the method of manufacturing an optical filter according to the application example, the connection step includes applying an external force after subjecting the surfaces of the first connection electrode and the second connection electrode to surface activation treatment, and thereby applying the first connection electrode. It is preferable to bond the second connection electrode to the second metal.

この製造方法によれば、第1接続電極および第2接続電極の表面に表面活性化処理を施して接触させることで、電極間において常温で金属間接合することができる。そして、金属間接合により第1接続電極と第2接続電極との確実で信頼性の高い接続ができる。   According to this manufacturing method, the surfaces of the first connection electrode and the second connection electrode are subjected to surface activation treatment and brought into contact with each other, whereby metal-to-metal bonding can be performed between the electrodes at room temperature. And the reliable connection with high reliability with a 1st connection electrode and a 2nd connection electrode can be performed by metal bonding.

[適用例10]上記適用例にかかる光フィルターの製造方法において、前記第1接続電極、前記第1反射膜および前記第2接続電極、前記第2反射膜が同じ金属材料であることが好ましい。   Application Example 10 In the method for manufacturing an optical filter according to the application example, it is preferable that the first connection electrode, the first reflection film, the second connection electrode, and the second reflection film are made of the same metal material.

この製造方法によれば、第1基板に形成される第1接続電極と第1反射膜が同じ金属材料で形成され、第2基板に形成される第2接続電極と第2反射膜が同じ金属材料で形成する。このことから、第1基板または第2基板の作成において、第1接続電極と第1反射膜または第2接続電極と第2反射膜を同じ工程で形成することができ、効率的に光フィルターを製造することができる。   According to this manufacturing method, the first connection electrode and the first reflection film formed on the first substrate are formed of the same metal material, and the second connection electrode and the second reflection film formed on the second substrate are the same metal. Form with material. Therefore, in the production of the first substrate or the second substrate, the first connection electrode and the first reflection film or the second connection electrode and the second reflection film can be formed in the same process, and the optical filter can be efficiently formed. Can be manufactured.

[適用例11]上記適用例にかかる光フィルターの製造方法において、前記金属材料がAgまたはAg合金であることが好ましい。   Application Example 11 In the method for manufacturing an optical filter according to the application example, it is preferable that the metal material is Ag or an Ag alloy.

この製造方法によれば、第1接続電極と第1反射膜および第2接続電極と第2反射膜をAgまたはAg合金で形成する。このAgまたはAg合金は反射膜の材料として良好な材料であり、また配線の材料としても抵抗が小さく良好な材料である。このことから、本適用例によれば特性の優れた光フィルターを提供することができる。   According to this manufacturing method, the first connection electrode, the first reflection film, the second connection electrode, and the second reflection film are formed of Ag or an Ag alloy. This Ag or Ag alloy is a good material as a material for the reflective film, and is also a good material with low resistance as a material for the wiring. Therefore, according to this application example, an optical filter having excellent characteristics can be provided.

第1実施形態の測色装置の構成を示すブロック図。1 is a block diagram illustrating a configuration of a color measurement device according to a first embodiment. 第1実施形態におけるエタロンの構成を示す平面図。The top view which shows the structure of the etalon in 1st Embodiment. 第1実施形態におけるエタロンの構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the etalon in 1st Embodiment. 第1実施形態におけるエタロンの構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the etalon in 1st Embodiment. 第1実施形態における固定基板の構成を示す平面図。The top view which shows the structure of the fixed board | substrate in 1st Embodiment. 第1実施形態における可動基板の構成を示す平面図。The top view which shows the structure of the movable substrate in 1st Embodiment. 第1実施形態におけるエタロンの製造工程を説明する断面図(その1)。Sectional drawing explaining the manufacturing process of the etalon in 1st Embodiment (the 1). 第1実施形態におけるエタロンの製造工程を説明する断面図(その2)。Sectional drawing explaining the manufacturing process of the etalon in 1st Embodiment (the 2). 第1実施形態におけるエタロンの製造工程を説明する断面図(その3)。Sectional drawing explaining the manufacturing process of the etalon in 1st Embodiment (the 3). 第1実施形態におけるエタロンの製造工程を説明する断面図(その4)。Sectional drawing explaining the manufacturing process of the etalon in 1st Embodiment (the 4). 第1実施形態におけるエタロンの製造工程を説明する断面図(その5)。Sectional drawing explaining the manufacturing process of the etalon in 1st Embodiment (the 5). 第1実施形態における変形例を示すエタロンの断面図。Sectional drawing of the etalon which shows the modification in 1st Embodiment. 第2実施形態におけるエタロンの構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the etalon in 2nd Embodiment. 第2実施形態における固定基板の構成を示す平面図。The top view which shows the structure of the fixed board | substrate in 2nd Embodiment. 第2実施形態における変形例を示すエタロンの断面図。Sectional drawing of the etalon which shows the modification in 2nd Embodiment. 第3実施形態における光分析装置としてのガス検出装置の構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the gas detection apparatus as an optical analyzer in 3rd Embodiment. 第3実施形態におけるガス検出装置の回路ブロック図。The circuit block diagram of the gas detection apparatus in 3rd Embodiment. 第4実施形態における光分析装置としての食物分析装置の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the food analyzer as an optical analyzer in 4th Embodiment. 第5実施形態における光分析装置としての分光カメラの構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the spectroscopic camera as an optical analyzer in 5th Embodiment.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の寸法の割合を適宜変更して概略の構成を示している。
(第1の実施形態)
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. In each drawing used in the following description, in order to make each member a recognizable size, a schematic configuration is shown by appropriately changing the ratio of dimensions of each member.
(First embodiment)

以下、本発明に係る第1実施形態を図面に基づいて説明する。
<測色装置の概略構成>
図1は光分析装置としての測色装置の構成を示すブロック図である。
測色装置1は、検査対象Aに光を照射する光源装置2と、測色センサー3(光フィルターモジュール)と、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備える。
この測色装置1は、検査対象Aに光源装置2から光を照射し、検査対象Aから反射された検査対象光を測色センサー3にて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度を分析して測定する装置である。
Hereinafter, a first embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings.
<Schematic configuration of the color measuring device>
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a color measuring device as an optical analyzer.
The color measurement device 1 includes a light source device 2 that irradiates light to the inspection object A, a color measurement sensor 3 (light filter module), and a control device 4 that controls the overall operation of the color measurement device 1.
The color measurement device 1 irradiates the inspection target A with light from the light source device 2, receives the inspection target light reflected from the inspection target A with the color measurement sensor 3, and outputs a detection signal output from the color measurement sensor 3. This is a device for analyzing and measuring the chromaticity of the inspection target light.

<光源装置の構成>
光源装置2は、光源21、複数のレンズ22(図1には1つのみ図示)を備え、検査対象Aに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置2は、光源21から射出された光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Aに向かって射出する。
なお、本実施形態では、光源装置2を備える測色装置1を例示するが、例えば検査対象Aが発光部材である場合、光源装置2を設けずに測色装置を構成してもよい。
<Configuration of light source device>
The light source device 2 includes a light source 21 and a plurality of lenses 22 (only one is shown in FIG. 1), and emits white light to the inspection target A. In addition, the plurality of lenses 22 may include a collimator lens. In this case, the light source device 2 converts the light emitted from the light source 21 into parallel light by the collimator lens, and performs inspection from a projection lens (not shown). Inject toward A.
In the present embodiment, the color measurement device 1 including the light source device 2 is illustrated. However, for example, when the inspection target A is a light emitting member, the color measurement device may be configured without providing the light source device 2.

<測色センサーの構成>
光フィルターモジュールとしての測色センサー3は、エタロン(波長可変干渉フィルター)5と、静電アクチュエーターに印加する電圧を制御し、エタロン5で透過させる光の波長を変える電圧制御部32と、エタロン5を透過した光を受光する受光部31と、を備える。
また、測色センサー3は、検査対象Aで反射された反射光(検査対象光)を、エタロン5に導光する光学レンズ(図示せず)を備えている。そして、この測色センサー3は、光学レンズに入射した検査対象光をエタロン5で所定波長帯域の光に分光し、分光した光が受光部31にて受光される。
受光部31は、フォトダイオードなどの光電変換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光部31は制御装置4に接続され、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。
<Configuration of colorimetric sensor>
The colorimetric sensor 3 as an optical filter module includes an etalon (variable wavelength interference filter) 5, a voltage controller 32 that controls the voltage applied to the electrostatic actuator and changes the wavelength of light transmitted through the etalon 5, and the etalon 5. A light receiving unit 31 that receives light transmitted through the light receiving unit.
The colorimetric sensor 3 also includes an optical lens (not shown) that guides the reflected light (inspection light) reflected by the inspection object A to the etalon 5. The colorimetric sensor 3 splits the inspection target light incident on the optical lens into light of a predetermined wavelength band by the etalon 5, and the split light is received by the light receiving unit 31.
The light receiving unit 31 includes a photoelectric conversion element such as a photodiode, and generates an electric signal corresponding to the amount of received light. The light receiving unit 31 is connected to the control device 4 and outputs the generated electrical signal to the control device 4 as a light reception signal.

(エタロンの構成)
図2は、エタロンの構成を示す平面図であり、図3は、図2のA−A断線に沿う断面図である。また、図4は図2のB−B断線に沿う断面図である。
図2に示すように、光フィルターとしてのエタロン5は、平面視で正方形状の板状の光学部材であり、一辺が例えば10mmに形成されている。このエタロン5は、図3、図4に示すように、固定基板(第1基板)51および可動基板(第2基板)52を備えている。
これらの基板51,52は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などの基材からなり、板状の基材をエッチングすることにより形成されている。
そして、エタロン5は、固定基板51および可動基板52が接合膜53にて接合されて一体に構成される。なお、接合膜53は、ポリオルガノシロキサンを用いたプラズマ重合膜が採用されている。
(Composition of etalon)
FIG. 2 is a plan view showing the configuration of the etalon, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
As shown in FIG. 2, the etalon 5 as an optical filter is a plate-like optical member having a square shape in plan view, and one side is formed, for example, at 10 mm. As shown in FIGS. 3 and 4, the etalon 5 includes a fixed substrate (first substrate) 51 and a movable substrate (second substrate) 52.
Each of these substrates 51 and 52 is made of, for example, various glasses such as soda glass, crystalline glass, quartz glass, lead glass, potassium glass, borosilicate glass and non-alkali glass, or a base material such as crystal, and is in the form of a plate. It is formed by etching the substrate.
The etalon 5 is integrally formed by bonding a fixed substrate 51 and a movable substrate 52 with a bonding film 53. The bonding film 53 is a plasma polymerized film using polyorganosiloxane.

固定基板51と可動基板52との間には、光の反射特性と透過特性とを有する第1反射膜54、および第2反射膜55が設けられる。ここで、第1反射膜54は、固定基板51の可動基板52に対向する面に固定され、第2反射膜55は、可動基板52の固定基板51に対向する面に固定されている。また、これらの第1反射膜54および第2反射膜55は、ギャップを介して対向配置されている。   Between the fixed substrate 51 and the movable substrate 52, a first reflective film 54 and a second reflective film 55 having light reflection characteristics and transmission characteristics are provided. Here, the first reflective film 54 is fixed to the surface of the fixed substrate 51 facing the movable substrate 52, and the second reflective film 55 is fixed to the surface of the movable substrate 52 facing the fixed substrate 51. Further, the first reflective film 54 and the second reflective film 55 are arranged to face each other with a gap interposed therebetween.

さらに、固定基板51と可動基板52との間には、静電アクチュエーター56が設けられ、第1反射膜54と第2反射膜55の間のギャップ寸法の調整をする。
静電アクチュエーター56は、固定基板51に設けられた第1駆動電極561と、可動基板52に設けられた第2駆動電極562とから構成されている。
Further, an electrostatic actuator 56 is provided between the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 to adjust the gap dimension between the first reflective film 54 and the second reflective film 55.
The electrostatic actuator 56 includes a first drive electrode 561 provided on the fixed substrate 51 and a second drive electrode 562 provided on the movable substrate 52.

なお、エタロン5は、第1駆動電極561と第2駆動電極562との距離が第1反射膜54と第2反射膜55との距離より大きく形成されている。例えば、第1駆動電極561と第2駆動電極562の間に電圧を印加しない初期状態において、第1駆動電極561と第2駆動電極562との距離が2μm、第1反射膜54と第2反射膜55との距離(ギャップ寸法)が0.5μmに設定されている。このため、第1駆動電極561と第2駆動電極562との間のギャップ寸法が微小となったときに急激に引っ張る力が増加するプルイン現象を抑制することができる構成となっている。   The etalon 5 is formed such that the distance between the first drive electrode 561 and the second drive electrode 562 is greater than the distance between the first reflective film 54 and the second reflective film 55. For example, in an initial state where no voltage is applied between the first drive electrode 561 and the second drive electrode 562, the distance between the first drive electrode 561 and the second drive electrode 562 is 2 μm, and the first reflective film 54 and the second reflective film The distance (gap size) from the film 55 is set to 0.5 μm. Therefore, the pull-in phenomenon in which the pulling force increases rapidly when the gap size between the first drive electrode 561 and the second drive electrode 562 becomes small can be suppressed.

また、図2、図4に示すように、可動基板52には、第2駆動電極562に接続する第2接続電極572が設けられている。この第2接続電極572の一部は可動基板52に形成された薄肉部582に設けられている。
固定基板51には外部との接続を果たす電極パッド564Pが設けられ、電極パッド564Pには第1接続電極571が接続されている。
そして、薄肉部582が固定基板51に向かって変形し、第2接続電極572と第1接続電極571とが金属間接合され、固定基板51と可動基板52との間の電気的接続を可能としている。このようにして、一方の基板である固定基板51から外部との接続を可能とする構造が得られる。
As shown in FIGS. 2 and 4, the movable substrate 52 is provided with a second connection electrode 572 connected to the second drive electrode 562. A part of the second connection electrode 572 is provided in a thin portion 582 formed on the movable substrate 52.
The fixed substrate 51 is provided with electrode pads 564P that are connected to the outside, and the first connection electrodes 571 are connected to the electrode pads 564P.
Then, the thin portion 582 is deformed toward the fixed substrate 51, and the second connection electrode 572 and the first connection electrode 571 are bonded to each other between metals, thereby enabling electrical connection between the fixed substrate 51 and the movable substrate 52. Yes. In this way, a structure that enables connection to the outside from the fixed substrate 51 that is one of the substrates is obtained.

次に、エタロン5の構成の理解のために固定基板51および可動基板52の構成について詳細に説明する。
(固定基板の構成)
図5は固定基板の構成を示す平面図であり、可動基板と対向する面を見た図である。
固定基板51は、厚みが例えば500μmの石英ガラス基材をエッチング加工して形成される。この固定基板51には、エッチングにより固定基板51の中央を中心とする円形の凹部が設けられ、電極形成部511および反射膜形成部512が形成される。
電極形成部511は反射膜形成部512より深くエッチングされ、円柱状の反射膜形成部512が突出して、その周りに同心円状に電極形成部511が形成されている(図3、図4参照)。
Next, in order to understand the configuration of the etalon 5, the configuration of the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 will be described in detail.
(Configuration of fixed substrate)
FIG. 5 is a plan view showing the configuration of the fixed substrate, and is a view of the surface facing the movable substrate.
The fixed substrate 51 is formed by etching a quartz glass substrate having a thickness of, for example, 500 μm. The fixed substrate 51 is provided with a circular recess centered on the center of the fixed substrate 51 by etching, and an electrode forming portion 511 and a reflective film forming portion 512 are formed.
The electrode forming portion 511 is etched deeper than the reflecting film forming portion 512, and the cylindrical reflecting film forming portion 512 protrudes, and the electrode forming portion 511 is formed concentrically around the protruding portion (see FIGS. 3 and 4). .

反射膜形成部512には、円形状の第1反射膜54が形成され、この第1反射膜54はAg、Ag合金などの金属膜により約100nmの厚みで形成されている。なお、第1反射膜54はAgC合金や、TiO2などの誘電体膜の上にAgC合金やAg合金などを積層した構成でもよい。 A circular first reflection film 54 is formed on the reflection film forming portion 512, and the first reflection film 54 is formed with a thickness of about 100 nm by a metal film such as Ag or an Ag alloy. The first reflective film 54 may have a structure in which an AgC alloy, an Ag alloy, or the like is laminated on a dielectric film such as an AgC alloy or TiO 2 .

そして、電極形成部511に円環状の第1駆動電極561が形成されている。この第1駆動電極561は導電膜であり、例えばITO(Indium Tin Oxide:酸化インジウムスズ)膜が用いられる。また、第1駆動電極561はCr膜を下地とし、その上にAu膜を積層したCr/Au膜などを用いても良い。第1駆動電極561の厚みは約50nmに形成される。   An annular first drive electrode 561 is formed on the electrode forming portion 511. The first drive electrode 561 is a conductive film, for example, an ITO (Indium Tin Oxide) film. The first drive electrode 561 may be a Cr / Au film having a Cr film as a base and an Au film stacked thereon. The thickness of the first drive electrode 561 is formed to be about 50 nm.

また、電極形成部511の外周縁から固定基板51の対角の位置にある頂点C1,C2に向かって溝が延出している。頂点C1に向かう溝には第1駆動電極561に接続された導通電極563が形成されている。そして、導通電極563に接続され、固定基板51の頂点C1を有する隅部に、外部との接続を果たす電極パッド563Pが形成されている。   Further, a groove extends from the outer peripheral edge of the electrode forming portion 511 toward the vertices C1 and C2 at the diagonal positions of the fixed substrate 51. A conductive electrode 563 connected to the first drive electrode 561 is formed in the groove toward the vertex C1. An electrode pad 563P that is connected to the outside and is connected to the outside is formed at a corner portion of the fixed substrate 51 having the vertex C1.

固定基板51の頂点C2側にも外部との接続を果たす電極パッド564Pが形成されている。頂点C2に向かう溝には、第1駆動電極561に接続しない第1接続電極571が形成されている。そして、第1接続電極571は電極パッド564Pに接続されている。
なお、導通電極563,電極パッド563Pおよび第1接続電極571,電極パッド564Pが設けられる溝は、エッチングにより電極形成部511と同じ深さに形成されている。
An electrode pad 564P that is connected to the outside is also formed on the apex C2 side of the fixed substrate 51. A first connection electrode 571 that is not connected to the first drive electrode 561 is formed in the groove toward the vertex C2. The first connection electrode 571 is connected to the electrode pad 564P.
Note that the groove in which the conductive electrode 563, the electrode pad 563P, the first connection electrode 571, and the electrode pad 564P are provided is formed to the same depth as the electrode formation portion 511 by etching.

導通電極563,電極パッド563P,電極パッド564Pは、例えば導電材料のITO膜で形成される。また、第1接続電極571は金属膜で形成され、例えばCr/Au膜が用いられている。第1接続電極571はCr/Au膜の他に、Ag膜、Ag合金膜、Al膜などを用いても良い。   The conductive electrode 563, the electrode pad 563P, and the electrode pad 564P are formed of, for example, an ITO film made of a conductive material. The first connection electrode 571 is formed of a metal film, for example, a Cr / Au film. As the first connection electrode 571, an Ag film, an Ag alloy film, an Al film, or the like may be used in addition to the Cr / Au film.

固定基板51において、電極形成部511、反射膜形成部512、電極形成部511より延出した溝を除いた平面の部分が可動基板52と接合される接合面515となる。
この接合面515には、主材料としてポリオルガノシロキサンを用いた接合膜53が設けられている。接合膜53はCVD(Chemical Vapor Deposition)などにより成膜されたプラズマ重合膜が採用される。
In the fixed substrate 51, a planar portion excluding a groove extending from the electrode forming portion 511, the reflective film forming portion 512, and the electrode forming portion 511 serves as a bonding surface 515 bonded to the movable substrate 52.
A bonding film 53 using polyorganosiloxane as a main material is provided on the bonding surface 515. The bonding film 53 is a plasma polymerized film formed by CVD (Chemical Vapor Deposition) or the like.

(可動基板の構成)
図6は可動基板の構成を示す平面図であり、固定基板と対向する面を見た図である。
可動基板52は、厚みが例えば200μmの石英ガラス基材の一面をエッチングにより加工することで形成される。
可動基板52の四隅のうち対角となる2つの隅部には切欠部526が形成されている。この切欠部526は、固定基板51の電極パッド563P,564Pと対応する位置に形成される。
この可動基板52には、基板中央を中心とする円柱状の可動部522と、その周りに同心円状に可動部522を保持する連結保持部523と、が形成されている。
連結保持部523は、固定基板51と対向する面とは反対の面に円環状の溝が形成され、可動部522の厚みより薄くなるように形成されている(図3、図4参照)。
このように、可動基板52はダイヤフラム構造を持ち、可動部522が可動基板52の厚み方向に移動しやすいように構成されている。
(Configuration of movable substrate)
FIG. 6 is a plan view showing the configuration of the movable substrate, and is a view of the surface facing the fixed substrate.
The movable substrate 52 is formed by processing one surface of a quartz glass substrate having a thickness of, for example, 200 μm by etching.
Cutout portions 526 are formed at two corners that are diagonal of the four corners of the movable substrate 52. The notch 526 is formed at a position corresponding to the electrode pads 563P and 564P of the fixed substrate 51.
The movable substrate 52 is formed with a cylindrical movable portion 522 centered on the center of the substrate, and a connection holding portion 523 that holds the movable portion 522 concentrically around the movable portion 522.
The connection holding part 523 is formed so that an annular groove is formed on the surface opposite to the surface facing the fixed substrate 51 so as to be thinner than the thickness of the movable part 522 (see FIGS. 3 and 4).
Thus, the movable substrate 52 has a diaphragm structure, and the movable portion 522 is configured to easily move in the thickness direction of the movable substrate 52.

また、連結保持部523と一つの切欠部526との間には円形の凹部581が形成されている(図2参照)。この凹部581は連結保持部523と同様に、固定基板51と対向する面とは反対の面に形成される。この凹部581の底部は連結保持部523と同じ深さに形成され、可動基板52の厚みに対して薄い、薄肉部582が形成される。この薄肉部582は、可動基板52の厚み方向に対して可撓性を有している。
薄肉部582は円形の凹部581により形成されるため、本実施形態では円形であるが、この形には限らず矩形、多角形等どのような形状であっても良い。薄肉部582の形状が円形であれば、薄肉部582を変形させたとき、境界面での応力が均等となり薄肉部582が変形し易い。また、薄肉部582の変形による応力の集中が起こらず薄肉部582の破損を防止することができる。
この薄肉部582を形成する位置は、固定基板51と可動基板52とを接合するアライメント状態で平面を透視した場合、固定基板51の第1接続電極571の一部と重なる位置に形成される。
Further, a circular recess 581 is formed between the connection holding portion 523 and one notch 526 (see FIG. 2). The concave portion 581 is formed on the surface opposite to the surface facing the fixed substrate 51, similarly to the connection holding portion 523. The bottom portion of the concave portion 581 is formed to the same depth as the connection holding portion 523, and a thin portion 582 that is thin relative to the thickness of the movable substrate 52 is formed. The thin portion 582 has flexibility with respect to the thickness direction of the movable substrate 52.
Since the thin portion 582 is formed by the circular concave portion 581, it is circular in this embodiment, but is not limited to this shape, and may be any shape such as a rectangle or a polygon. If the shape of the thin portion 582 is circular, when the thin portion 582 is deformed, the stress at the boundary surface becomes uniform and the thin portion 582 is easily deformed. Further, stress concentration due to the deformation of the thin portion 582 does not occur, and the thin portion 582 can be prevented from being damaged.
The position where the thin portion 582 is formed is formed at a position overlapping with a part of the first connection electrode 571 of the fixed substrate 51 when the plane is seen through in an alignment state where the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 are joined.

このように、可動基板52の固定基板51に対向する面は基材の平面を利用し、エッチング加工された面を有していない。そして、可動基板52の中央部に第2反射膜55と、その第2反射膜55を取りまくように連結保持部523に形成された第2駆動電極562が設けられている。なお、この第2駆動電極562は可動部522に設けられていてもよい。
第2反射膜55の材料としてAgまたはAg合金が用いられるが、AgC合金やTiO2などの誘電体膜の上にAgC合金やAg合金などを積層した構成でもよい。なお、第2反射膜55は約100nmの厚みに形成されている。
第2駆動電極562は導電膜であり、第1駆動電極と同様に、例えばITO膜が用いられる。
Thus, the surface of the movable substrate 52 that faces the fixed substrate 51 uses the flat surface of the base material and does not have an etched surface. A second reflection film 55 and a second drive electrode 562 formed on the connection holding portion 523 are provided so as to surround the second reflection film 55 at the center of the movable substrate 52. Note that the second drive electrode 562 may be provided on the movable portion 522.
Ag or an Ag alloy is used as the material of the second reflective film 55, but an AgC alloy, an Ag alloy, or the like may be laminated on a dielectric film such as an AgC alloy or TiO 2 . The second reflective film 55 is formed with a thickness of about 100 nm.
The second drive electrode 562 is a conductive film, and an ITO film, for example, is used similarly to the first drive electrode.

そして、可動基板52には、第2駆動電極562から薄肉部582を通過して切欠部526へ向かう、第2接続電極572が形成されている。
第2接続電極572は金属膜で形成され、例えばCr/Au膜が用いられている。第2接続電極572はCr/Au膜の他に、Ag膜、Ag合金膜、Al膜などを用いても良い。
A second connection electrode 572 is formed on the movable substrate 52 from the second drive electrode 562 through the thin portion 582 toward the cutout portion 526.
The second connection electrode 572 is formed of a metal film, for example, a Cr / Au film. The second connection electrode 572 may use an Ag film, an Ag alloy film, an Al film, or the like in addition to the Cr / Au film.

そして、固定基板51における接合面515と対向する部分が、可動基板52の接合面となる。
この接合面には、主材料としてポリオルガノシロキサンを用いた接合膜が設けられている。接合膜はCVDなどにより成膜されたプラズマ重合膜が採用される。
The portion of the fixed substrate 51 that faces the bonding surface 515 becomes the bonding surface of the movable substrate 52.
This bonding surface is provided with a bonding film using polyorganosiloxane as a main material. A plasma polymerization film formed by CVD or the like is employed as the bonding film.

なお、本実施形態では薄肉部を固定基板と対向する面とは反対の面に凹部を設けることで形成したが、固定基板と対向する面に凹部を設けて形成しても良い。さらに、凹部を両面から設けて薄肉部を形成しても良い。
また、本実施形態では、可動基板に薄肉部を形成したが、固定基板に薄肉部を設けることも可能であり、さらに、両者の基板に薄肉部を形成しても良い。
In this embodiment, the thin portion is formed by providing a recess on the surface opposite to the surface facing the fixed substrate. However, the thin portion may be formed by providing a recess on the surface facing the fixed substrate. Furthermore, a thin part may be formed by providing recesses from both sides.
In this embodiment, the thin portion is formed on the movable substrate. However, the thin portion may be provided on the fixed substrate, and the thin portion may be formed on both substrates.

(エタロンと電圧制御部との接続)
図1、図2に戻り、電圧制御部32は、制御装置4からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター56の第1駆動電極561および第2駆動電極562に印加する電圧を制御する。
上述のエタロン5と電圧制御部32との接続では、2つの電極パッド563Pおよび電極パッド564Pに、それぞれ、電圧制御部32に接続された導線を接続する。
ここで、エタロン5の可動基板52は、電極パッド563Pおよび電極パッド564Pに対向する位置が切り欠かれた切欠部526が形成されている。このため、電極パッド563P,564Pが露出しており、この電極パッド563P,564Pと外部配線との接続が容易である。
(Connection between etalon and voltage controller)
Returning to FIGS. 1 and 2, the voltage control unit 32 controls the voltage applied to the first drive electrode 561 and the second drive electrode 562 of the electrostatic actuator 56 based on the control signal input from the control device 4. To do.
In the connection between the etalon 5 and the voltage control unit 32, conductive wires connected to the voltage control unit 32 are connected to the two electrode pads 563P and the electrode pad 564P, respectively.
Here, the movable substrate 52 of the etalon 5 is formed with an electrode pad 563P and a notch 526 in which a position facing the electrode pad 564P is notched. For this reason, the electrode pads 563P and 564P are exposed, and the connection between the electrode pads 563P and 564P and the external wiring is easy.

<制御装置の構成>
制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、および測色処理部43(分析処理部)などを備えて構成されている。
<Configuration of control device>
The control device 4 controls the overall operation of the color measurement device 1. As the control device 4, for example, a general-purpose personal computer, a portable information terminal, other color measurement dedicated computer, or the like can be used.
As shown in FIG. 1, the control device 4 includes a light source control unit 41, a colorimetric sensor control unit 42, a colorimetric processing unit 43 (analysis processing unit), and the like.

光源制御部41は、光源装置2に接続されている。そして、光源制御部41は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置2に所定の制御信号を出力し、光源装置2から所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー3に出力する。これにより、測色センサー3の電圧制御部32は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長を透過させるよう、静電アクチュエーター56への印加電圧を設定する。
The light source control unit 41 is connected to the light source device 2. Then, the light source control unit 41 outputs a predetermined control signal to the light source device 2 based on, for example, a user setting input, and causes the light source device 2 to emit white light with a predetermined brightness.
The colorimetric sensor control unit 42 is connected to the colorimetric sensor 3. The colorimetric sensor control unit 42 sets a wavelength of light received by the colorimetric sensor 3 based on, for example, a user's setting input, and outputs a control signal for detecting the amount of light received at this wavelength. Output to the colorimetric sensor 3. Thereby, the voltage control unit 32 of the colorimetric sensor 3 sets the voltage applied to the electrostatic actuator 56 so as to transmit the wavelength of light desired by the user based on the control signal.

測色処理部43は、測色センサー制御部42を制御して、エタロン5の反射膜間のギャップ寸法を変動させて、エタロン5を透過する光の波長を変化させる。また、測色処理部43は、受光部31から入力される受光信号に基づいて、エタロン5を透過した光の光量を取得する。そして、測色処理部43は、上記により得られた各波長の光の受光量に基づいて、検査対象Aから反射された光の色度を算出する。   The colorimetric processing unit 43 controls the colorimetric sensor control unit 42 to change the gap dimension between the reflective films of the etalon 5 to change the wavelength of light transmitted through the etalon 5. The colorimetric processing unit 43 acquires the amount of light transmitted through the etalon 5 based on the light reception signal input from the light receiving unit 31. Then, the colorimetric processing unit 43 calculates the chromaticity of the light reflected from the inspection target A based on the received light amount of each wavelength obtained as described above.

<エタロンの製造方法>
次に、上記エタロンの製造方法について説明する。
エタロン5の製造は、固定基板51および可動基板52をそれぞれ製造し、両者を貼り合わせることで行なわれる。
<Method of manufacturing etalon>
Next, a method for producing the etalon will be described.
The etalon 5 is manufactured by manufacturing the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 and bonding them together.

(固定基板の製造工程)
図7、図8は固定基板の製造工程を説明する断面図である。この断面図は図2のB−B断線に沿う断面に相当する。
図7(a)に示すように、固定基板51の表面にレジスト61を塗布し、エッチングする部分のレジストを除去する。ここでは、反射膜を形成する部分と、接合面(図示せず)のレジストを残すようにパターニングする。
次に、図7(b)に示すように、レジスト61をマスクとして、所定時間のウェットエッチングを行ない、その後レジスト61を剥離する。このエッチングにより電極形成部511を形成し、レジスト61で覆われた部分にエッチング残部62が残る(電極形成部形成工程)。
そして、固定基板51の表面に再度レジストを塗布し、エッチング残部62の部分のレジストを除去して所定時間のウェットエッチングを行なうことで、図7(c)に示すような、反射膜形成部512を形成する。
(Fixed substrate manufacturing process)
7 and 8 are cross-sectional views illustrating the manufacturing process of the fixed substrate. This sectional view corresponds to a section taken along the line BB in FIG.
As shown in FIG. 7A, a resist 61 is applied to the surface of the fixed substrate 51, and the resist in the portion to be etched is removed. Here, the patterning is performed so as to leave a portion where the reflective film is to be formed and a resist on the bonding surface (not shown).
Next, as shown in FIG. 7B, wet etching is performed for a predetermined time using the resist 61 as a mask, and then the resist 61 is peeled off. By this etching, an electrode forming portion 511 is formed, and an etching remaining portion 62 remains in a portion covered with the resist 61 (electrode forming portion forming step).
Then, a resist is applied again on the surface of the fixed substrate 51, the resist at the portion of the etching remaining portion 62 is removed, and wet etching is performed for a predetermined time, whereby a reflective film forming portion 512 as shown in FIG. Form.

続いて、固定基板51の表面にITO膜をスパッタリングなどで成膜してパターニングし、図8(a)に示すように、電極形成部511に第1駆動電極561、導通電極563、電極パッド563P、564Pを形成する。
次に、固定基板51の表面に金属膜としてCr/Au膜をスパッタリングなどで成膜してパターニングし、図8(b)に示すように、電極パッド564Pに接続する第1接続電極571を形成する(第1電極形成工程)。
そして、固定基板51の表面にAg合金膜をスパッタリングなどで成膜してパターニングし、図8(c)に示すように、第1反射膜54を反射膜形成部512に形成する(第1反射膜形成工程)。
そして、図示しないが、接合面にプラズマ重合膜を成膜して接合膜を形成する。
このように、上記工程を経て固定基板51が製造される。
Subsequently, an ITO film is formed on the surface of the fixed substrate 51 by sputtering or the like and patterned, and as shown in FIG. 8A, the first drive electrode 561, the conductive electrode 563, and the electrode pad 563P are formed on the electrode forming portion 511. 564P is formed.
Next, a Cr / Au film as a metal film is formed on the surface of the fixed substrate 51 by sputtering and patterned to form a first connection electrode 571 connected to the electrode pad 564P as shown in FIG. 8B. (First electrode forming step).
Then, an Ag alloy film is formed on the surface of the fixed substrate 51 by sputtering or the like and patterned to form a first reflective film 54 on the reflective film forming portion 512 (first reflection) as shown in FIG. Film formation step).
Although not shown, a plasma polymerization film is formed on the bonding surface to form a bonding film.
In this way, the fixed substrate 51 is manufactured through the above steps.

(可動基板の製造工程)
図9、図10は可動基板の製造工程を説明する断面図である。この断面図は図2のB−B断線に沿う断面に相当する。
図9(a)に示すように、可動基板52の表面にレジスト61を塗布し、エッチングする部分のレジストを除去する。ここでは、連結保持部523と薄肉部582を形成する部分のレジストを除去する。
次に、レジスト61をマスクとして、所定時間のウェットエッチングを行ない、レジストを剥離する。このエッチングにより、図9(b)に示すように、連結保持部523と薄肉部582とを形成する(薄肉部形成工程)。
そして、図9(c)に示すように、前工程でエッチングを施した面とは反対の面にITO膜63をスパッタリングなどで成膜する。
続いて、図9(d)に示すように、ITO膜63をパターニングして第2駆動電極562を形成する。
(Movable substrate manufacturing process)
9 and 10 are cross-sectional views illustrating the manufacturing process of the movable substrate. This sectional view corresponds to a section taken along the line BB in FIG.
As shown in FIG. 9A, a resist 61 is applied to the surface of the movable substrate 52, and the resist in the portion to be etched is removed. Here, the resist in the portions that form the connection holding portion 523 and the thin portion 582 is removed.
Next, wet etching is performed for a predetermined time using the resist 61 as a mask, and the resist is peeled off. By this etching, as shown in FIG. 9B, a connection holding portion 523 and a thin portion 582 are formed (thin portion forming step).
Then, as shown in FIG. 9C, an ITO film 63 is formed on the surface opposite to the surface etched in the previous step by sputtering or the like.
Subsequently, as shown in FIG. 9D, the ITO film 63 is patterned to form a second drive electrode 562.

次に、図10(a)に示すように、可動基板52の表面に金属膜としてCr/Au膜65をスパッタリングなどで成膜する。
そして、Cr/Au膜65をパターニングし、図10(b)に示すように、第2駆動電極562に接続する第2接続電極572を形成する(第2電極形成工程)。
続いて、可動基板52の表面にAg合金膜をスパッタリングなどで成膜してパターニングし、図10(c)に示すように、第2反射膜55を形成する(第2反射膜形成工程)。
そして、図示しないが、接合面にプラズマ重合膜を成膜して接合膜を形成する。
このように、上記工程を経て可動基板52が製造される。
Next, as shown in FIG. 10A, a Cr / Au film 65 is formed as a metal film on the surface of the movable substrate 52 by sputtering or the like.
Then, the Cr / Au film 65 is patterned to form the second connection electrode 572 connected to the second drive electrode 562 as shown in FIG. 10B (second electrode formation step).
Subsequently, an Ag alloy film is formed on the surface of the movable substrate 52 by sputtering or the like and patterned to form the second reflective film 55 as shown in FIG. 10C (second reflective film forming step).
Although not shown, a plasma polymerization film is formed on the bonding surface to form a bonding film.
In this way, the movable substrate 52 is manufactured through the above steps.

(固定基板と可動基板の接合工程および第1接続電極と第2接続電極の接続工程)
図11は固定基板と可動基板の接合工程および第1接続電極と第2接続電極の接続工程を説明する断面図である。
図11(a)に示すように、固定基板51と可動基板52とを接合する。具体的には、固定基板51と可動基板52の接合面に形成された接合膜(図示せず、図3参照)にO2プラズマまたはUV処理、N2プラズマ活性処理などを行い、活性化エネルギーを表面に付与する。
その後、2つの基板51,52のアライメントを行い重ね合わせ、荷重をかけることにより、固定基板51と可動基板52とを接合する(接合工程)。
(Joint process of fixed substrate and movable substrate and connection process of first connection electrode and second connection electrode)
FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining the bonding process of the fixed substrate and the movable substrate and the connection process of the first connection electrode and the second connection electrode.
As shown in FIG. 11A, the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 are joined. Specifically, the bonding film (not shown, see FIG. 3) formed on the bonding surface between the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 is subjected to O 2 plasma or UV treatment, N 2 plasma activation treatment, etc., and activation energy is obtained. To the surface.
Thereafter, the two substrates 51 and 52 are aligned and overlapped, and a load is applied to bond the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 (bonding step).

次に、図11(b)に示すように、固定基板51および可動基板52を加熱しながら、可動基板52の薄肉部582にニードルなどを用いて可動基板52から固定基板51の方向に外力を与える。この外力により薄肉部582が変形して第1接続電極571と第2接続電極572とが接触する。この状態で、一定時間の保持がなされると、電極材料のAu同士が金属間接合する(接続工程)。
この第1接続電極571と第2接続電極572とが金属間接合された状態では、ニードルでの外力を取り去っても薄肉部582が元に戻ろうとする力は弱く、接合は維持される。このようにして、上記の工程を経てエタロン5が製造される。
なお、加熱は各基板全体を加熱する必要は無く、接続する部分の加熱がなされれば良い。
Next, as shown in FIG. 11B, while the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 are heated, an external force is applied from the movable substrate 52 to the fixed substrate 51 using a needle or the like on the thin portion 582 of the movable substrate 52. give. The thin portion 582 is deformed by this external force, and the first connection electrode 571 and the second connection electrode 572 come into contact with each other. In this state, when holding for a certain period of time, the electrode materials Au are bonded to each other (connection process).
In the state in which the first connection electrode 571 and the second connection electrode 572 are bonded to each other, even if the external force with the needle is removed, the force that the thin portion 582 returns to the original state is weak, and the bonding is maintained. In this way, the etalon 5 is manufactured through the above steps.
In addition, it is not necessary to heat the whole board | substrate, and heating should just be made for the part to connect.

また、基板の加熱をせずに常温の状態での第1接続電極571と第2接続電極572とを接続する方法として、基板の接合前に不活性ガスなどのイオンビームにより電極接触部表面に活性化処理を施した後、上記と同様にニードルなどを用いて外力を加えて金属間接合を行なうこともできる。
金属間接合を行なう場合、上記の加熱、表面活性化処理、に加えて接触部に超音波を加えてもよく、さらに、これらを組み合わせて金属間接合を行なうことも可能である。
このように、接続電極間を金属間接合することにより、確実で信頼性の高い接続ができる。
薄肉部582に外力を与える方法については、上記のニードルによる押圧に限定されず、公知の方法を採用できる。
Further, as a method of connecting the first connection electrode 571 and the second connection electrode 572 at room temperature without heating the substrate, the surface of the electrode contact portion is irradiated with an ion beam such as an inert gas before the substrate is bonded. After the activation treatment, the metal-to-metal bonding can be performed by applying an external force using a needle or the like in the same manner as described above.
When metal-to-metal bonding is performed, in addition to the above-described heating and surface activation treatment, ultrasonic waves may be applied to the contact portion, and these can also be combined to perform metal-to-metal bonding.
In this way, a reliable and highly reliable connection can be achieved by bonding the connection electrodes between metals.
About the method of giving external force to the thin part 582, it is not limited to the press by said needle, A well-known method is employable.

金属間接合において、本実施形態では接続電極の材料がAuとAuの接合を例にとって説明したが、AgとAg、Ag合金とAg合金、AlとAlの組み合わせであっても接合が可能である。
特に、接続電極をAgとAgまたはAg合金とAg合金とした場合、この金属は第1反射膜、第2反射膜に利用することができるため、接続電極と反射膜を形成する工程を同じ工程とすることができ製造工程の効率化を図ることができる。
また、薄肉部582の形成位置は連結保持部523より電極パッド564Pに近い位置が好ましい。これは、接続電極を接続した後の反力(第1接続電極と第2接続電極との接続を引き剥がす力)の影響が反射膜に及ばないようにする場合には有効な手段である。
In this embodiment, in the present embodiment, the connection electrode material has been described with reference to the bonding of Au and Au. However, bonding is possible even with a combination of Ag and Ag, an Ag alloy and an Ag alloy, or Al and Al. .
In particular, when the connection electrode is made of Ag and Ag or Ag alloy and Ag alloy, since the metal can be used for the first reflection film and the second reflection film, the process of forming the connection electrode and the reflection film is the same process. It is possible to improve the efficiency of the manufacturing process.
The formation position of the thin portion 582 is preferably closer to the electrode pad 564P than the connection holding portion 523. This is an effective means for preventing the influence of the reaction force after connecting the connection electrodes (the force to peel off the connection between the first connection electrode and the second connection electrode) from reaching the reflective film.

(第1実施形態の作用効果)
以上、本実施形態によれば以下の効果を有する。
本実施形態の光フィルターとしてのエタロン(波長可変干渉フィルター)5は、固定基板51の第1接続電極571と、可動基板52の薄肉部582に形成された第2接続電極572とが金属間接合により接続されている。可動基板52に形成された薄肉部582は変形し易いため、中間部材を用いず固定基板51と可動基板52との電気的接続が容易である。また、この構造により固定基板51側に可動基板52と電気的接続がなされる端子を配置することができ、固定基板51側で外部回路との接続が可能となる。
(Operational effects of the first embodiment)
As described above, this embodiment has the following effects.
In the etalon (wavelength variable interference filter) 5 as an optical filter of the present embodiment, the first connection electrode 571 of the fixed substrate 51 and the second connection electrode 572 formed on the thin portion 582 of the movable substrate 52 are intermetallic bonded. Connected by. Since the thin portion 582 formed on the movable substrate 52 is easily deformed, electrical connection between the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 is easy without using an intermediate member. Also, with this structure, a terminal that is electrically connected to the movable substrate 52 can be disposed on the fixed substrate 51 side, and connection to an external circuit is possible on the fixed substrate 51 side.

また、薄肉部582は可動基板52の固定基板51と対向する面とは反対の面に凹部581を設けることで形成される。つまり、薄肉部582は固定基板51の第1接続電極571に近い位置に形成することができる。そして、薄肉部582が平面視で円形状であることから可動基板52の厚み方向に変形し易く、薄肉部582に形成された第2接続電極572と、固定基板51の第1接続電極571とを容易に接続できる。   Further, the thin portion 582 is formed by providing a concave portion 581 on the surface of the movable substrate 52 opposite to the surface facing the fixed substrate 51. That is, the thin portion 582 can be formed at a position close to the first connection electrode 571 of the fixed substrate 51. Since the thin portion 582 is circular in plan view, the thin portion 582 is easily deformed in the thickness direction of the movable substrate 52, and the second connection electrode 572 formed on the thin portion 582, the first connection electrode 571 of the fixed substrate 51, Can be easily connected.

さらに、薄肉部582は固定基板51に近づく方向に変形された状態で、第1接続電極571と第2接続電極572とが接続されている。
このため、第1接続電極571と第2接続電極572が接続される前の状態では、両者間に間隙があるため、第1接続電極571と第2接続電極572との接続に必要な電極の膜厚を設定でき、信頼性の高い接続が可能である。
Further, the first connection electrode 571 and the second connection electrode 572 are connected in a state where the thin portion 582 is deformed in a direction approaching the fixed substrate 51.
For this reason, in the state before the first connection electrode 571 and the second connection electrode 572 are connected, there is a gap between them, so that the electrodes necessary for the connection between the first connection electrode 571 and the second connection electrode 572 are not present. The film thickness can be set and a highly reliable connection is possible.

エタロン5の製造方法では、固定基板51と可動基板52を接合した後、薄肉部582に外力を加え、固定基板51の第1接続電極571と可動基板52の第2接続電極572とを接続する。このため、中間部材を用いず固定基板51と可動基板52との電気的接続が可能である。可動基板52に形成された薄肉部582は変形し易いため、接続が容易にできる。
また、本実施形態では、固定基板51と可動基板52とを先に接合することで固定基板51と可動基板52との間の平行度を確保でき、反射膜間の平行度およびギャップ寸法を精度良く確保できる。そして、固定基板51と可動基板52と接合した後に第1接続電極571と第2接続電極572とを接続するため、接続電極の接続工程が基板接合の精度に影響を与えない。エタロン5の分光精度は反射膜間のギャップ寸法に依存しており、分光精度を確保できるエタロンの製造方法を提供できる。
In the manufacturing method of the etalon 5, after the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 are joined, an external force is applied to the thin portion 582 to connect the first connection electrode 571 of the fixed substrate 51 and the second connection electrode 572 of the movable substrate 52. . For this reason, the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 can be electrically connected without using an intermediate member. Since the thin portion 582 formed on the movable substrate 52 is easily deformed, it can be easily connected.
Further, in the present embodiment, the parallelism between the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 can be ensured by joining the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 first, and the parallelism between the reflective films and the gap dimension are accurately determined. It can be secured well. And since the 1st connection electrode 571 and the 2nd connection electrode 572 are connected after joining the fixed board | substrate 51 and the movable board | substrate 52, the connection process of a connection electrode does not affect the precision of board | substrate joining. The spectral accuracy of the etalon 5 depends on the gap size between the reflective films, and a method of manufacturing an etalon that can ensure the spectral accuracy can be provided.

本実施形態の光フィルターモジュールとしての測色センサー3は、中間部材を用いず固定基板51と可動基板52との電気的接続が可能なエタロン5を備えている。このように、簡単な構造で固定基板51の第1接続電極571と可動基板52の第2接続電極572とを接続でき、測色センサー3の構造の簡素化に貢献できる。   The colorimetric sensor 3 as the optical filter module of this embodiment includes an etalon 5 that can electrically connect the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 without using an intermediate member. In this way, the first connection electrode 571 of the fixed substrate 51 and the second connection electrode 572 of the movable substrate 52 can be connected with a simple structure, which can contribute to simplification of the structure of the colorimetric sensor 3.

本実施形態の光分析装置としての測色装置1は、中間部材を用いず固定基板51と可動基板52との電気的接続が可能なエタロン5を備えている。このように、簡単な構造で固定基板51の第1接続電極571と可動基板52の第2接続電極572とを接続でき、測色装置1の構造の簡素化に貢献できる。   A colorimetric device 1 as an optical analyzer of the present embodiment includes an etalon 5 that can electrically connect a fixed substrate 51 and a movable substrate 52 without using an intermediate member. In this way, the first connection electrode 571 of the fixed substrate 51 and the second connection electrode 572 of the movable substrate 52 can be connected with a simple structure, which can contribute to the simplification of the structure of the colorimetric device 1.

(第1実施形態におけるエタロンの変形例)
次に、第1実施形態で説明したエタロンの変形例について説明する。図12は第1実施形態におけるエタロンの変形例を示す断面図である。第1実施形態と同じ構成については同じ符号を付し説明を省略する。
本変形例では第2駆動電極とそれに接続される第2接続電極とが同じ金属材料で形成され、第1接続電極とそれに接続される電極パッドとが同じ金属材料で形成されている点が、第1実施形態と異なる。
(Modification of the etalon in the first embodiment)
Next, a modification of the etalon described in the first embodiment will be described. FIG. 12 is a cross-sectional view showing a modification of the etalon in the first embodiment. The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
In this modification, the second drive electrode and the second connection electrode connected thereto are formed of the same metal material, and the first connection electrode and the electrode pad connected thereto are formed of the same metal material. Different from the first embodiment.

エタロン6は、固定基板51と可動基板52とが接合されて構成されている。
固定基板51には、第1接続電極571Aと電極パッド566Pとが設けられ、Cr/Au膜で連続して形成されている。また、円環状の第1駆動電極561Aと、第1駆動電極561Aから引き出される導通電極563A、および導通電極563Aに接続される電極パッド565Pとが設けられ、これらはCr/Au膜で連続して形成されている。
可動基板52には、第2駆動電極562Aと、第2駆動電極562Aに接続される第2接続電極572Aが設けられ、Cr/Au膜で連続して形成されている。この第2接続電極572Aの一部は可動基板52に形成された薄肉部582に形成されている。
そして、薄肉部582が変形して第2接続電極572Aと第1接続電極571Aとが金属間接合され、固定基板51と可動基板52との間の電気的接続を可能としている。
The etalon 6 is configured by bonding a fixed substrate 51 and a movable substrate 52.
The fixed substrate 51 is provided with a first connection electrode 571A and an electrode pad 566P, which are continuously formed of a Cr / Au film. Also, an annular first drive electrode 561A, a conductive electrode 563A drawn from the first drive electrode 561A, and an electrode pad 565P connected to the conductive electrode 563A are provided, and these are continuously formed by a Cr / Au film. Is formed.
The movable substrate 52 is provided with a second drive electrode 562A and a second connection electrode 572A connected to the second drive electrode 562A, and is continuously formed of a Cr / Au film. A part of the second connection electrode 572 </ b> A is formed in a thin portion 582 formed on the movable substrate 52.
And the thin part 582 deform | transforms and the 2nd connection electrode 572A and the 1st connection electrode 571A are joined between metals, and the electrical connection between the fixed board | substrate 51 and the movable board | substrate 52 is enabled.

このように、エタロン6において、反射膜を除き、導電体である電極を同じ金属材料を用いて連続して形成しても良く、製造工程を簡略することができる。また、このような構造であっても、第1実施形態にかかるエタロン5と同様の効果を得ることができる。
(第2実施形態)
As described above, in the etalon 6, the electrode that is a conductor may be continuously formed using the same metal material except for the reflective film, and the manufacturing process can be simplified. Even with such a structure, the same effect as the etalon 5 according to the first embodiment can be obtained.
(Second Embodiment)

次に、エタロンの他の実施形態について説明する。
図13は第2実施形態におけるエタロンを示す断面図である。図14は固定基板の構成を示す平面図である。
第2実施形態のエタロンは、第1接続電極の一部が第1基板の厚み方向に突出する突部に設けられている点において第1実施形態と異なる。構成要素としては固定基板の構成の一部が異なり、可動基板は第1実施形態と同じ構成である。このため、第1実施形態と同じ構成については同じ符号を付し、説明を省略する。
Next, another embodiment of the etalon will be described.
FIG. 13 is a cross-sectional view showing an etalon in the second embodiment. FIG. 14 is a plan view showing the configuration of the fixed substrate.
The etalon of the second embodiment is different from the first embodiment in that a part of the first connection electrode is provided on a protrusion protruding in the thickness direction of the first substrate. As a component, a part of the configuration of the fixed substrate is different, and the movable substrate has the same configuration as that of the first embodiment. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected about the same structure as 1st Embodiment, and description is abbreviate | omitted.

図13に示すように、エタロン7は固定基板51と可動基板52とが接合されて構成されている。
可動基板52の薄肉部582に対応する位置の固定基板51には、突部514が形成されている。突部514は可動基板52に向かい、固定基板51の厚み方向に突出している。そして、図14に示すように、突部514は直方体の形状で、先端部は平坦面を有している。この平坦面の電極形成部511からの高さは反射膜形成部512と同じ高さに形成されている。このような構成にすることで、突部514と電極形成部511とを同じ工程で形成することができる。
As shown in FIG. 13, the etalon 7 is configured by bonding a fixed substrate 51 and a movable substrate 52.
A protrusion 514 is formed on the fixed substrate 51 at a position corresponding to the thin portion 582 of the movable substrate 52. The protrusion 514 faces the movable substrate 52 and protrudes in the thickness direction of the fixed substrate 51. And as shown in FIG. 14, the protrusion 514 is a rectangular parallelepiped shape, and the front-end | tip part has a flat surface. The height of the flat surface from the electrode forming portion 511 is the same as that of the reflective film forming portion 512. With such a configuration, the protrusion 514 and the electrode forming portion 511 can be formed in the same process.

そして、突部514の先端部の平坦面から側面を経て電極パッド564Pに接続される第1接続電極591が形成されている。第1接続電極591はCr/Au膜で形成される。
固定基板51の突部514に対向する可動基板52の薄肉部582にはCr/Au膜で形成された第2接続電極592が形成され、薄肉部582が変形して第2接続電極592と第1接続電極591とが金属間接合される。このように、固定基板51と可動基板52との間の電気的接続を可能としている。
And the 1st connection electrode 591 connected to the electrode pad 564P via the side surface from the flat surface of the front-end | tip part of the protrusion 514 is formed. The first connection electrode 591 is formed of a Cr / Au film.
A second connection electrode 592 formed of a Cr / Au film is formed on the thin portion 582 of the movable substrate 52 facing the protrusion 514 of the fixed substrate 51, and the thin portion 582 is deformed to deform the second connection electrode 592 and the second connection electrode 592. One connection electrode 591 is bonded to metal. In this way, electrical connection between the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 is enabled.

上記のエタロン7では、固定基板51にその厚み方向に突出する突部514を設けることで、第1接続電極591と第2接続電極592の距離が短くなり、薄肉部582の変形量が小さくてすみ、第2接続電極592と第1接続電極591とを容易に接続できる。また、接続後の反力(第1接続電極591と第2接続電極592との接続を引き剥がす力)が小さく、エタロン7に応力がかからないという利点がある。   In the etalon 7 described above, by providing the fixed substrate 51 with the protrusion 514 protruding in the thickness direction, the distance between the first connection electrode 591 and the second connection electrode 592 is shortened, and the deformation amount of the thin portion 582 is small. In fact, the second connection electrode 592 and the first connection electrode 591 can be easily connected. Further, there is an advantage that the reaction force after connection (the force for peeling off the connection between the first connection electrode 591 and the second connection electrode 592) is small, and the etalon 7 is not stressed.

(変形例)
次に、第2実施形態で説明したエタロンの変形例について説明する。図15は第2実施形態におけるエタロンの変形例を示す断面図である。第2実施形態と同じ構成については同じ符号を付し説明を省略する。
本変形例では第2駆動電極とそれに接続される第2接続電極とが同じ金属材料で形成され、第1接続電極とそれに接続される電極パッドとが同じ金属材料で形成されている点が、第2実施形態と異なる。
(Modification)
Next, a modification of the etalon described in the second embodiment will be described. FIG. 15 is a cross-sectional view showing a modification of the etalon in the second embodiment. The same components as those in the second embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
In this modification, the second drive electrode and the second connection electrode connected thereto are formed of the same metal material, and the first connection electrode and the electrode pad connected thereto are formed of the same metal material. Different from the second embodiment.

エタロン8は、固定基板51と可動基板52とが接合されて構成されている。
固定基板51の突部514には、第1接続電極591Aが形成され、それに接続する電極パッド566Pが設けられ、Cr/Au膜で連続して形成されている。また、円環状の第1駆動電極561Aと、第1駆動電極561Aから引き出される導通電極563A、および導通電極563Aに接続される電極パッド565Pとが設けられ、これらはCr/Au膜で連続して形成されている。
可動基板52には、第2駆動電極562Aと、第2駆動電極562Aに接続される第2接続電極592Aが設けられ、Cr/Au膜で連続して形成されている。この第2接続電極592Aの一部は可動基板52に形成された薄肉部582に形成されている。
そして、薄肉部582が変形して第2接続電極592Aと第1接続電極591Aとが金属間接合され、固定基板51と可動基板52との間の電気的接続を可能としている。
The etalon 8 is configured by bonding a fixed substrate 51 and a movable substrate 52.
A first connection electrode 591A is formed on the protrusion 514 of the fixed substrate 51, an electrode pad 566P connected to the first connection electrode 591A is provided, and is continuously formed of a Cr / Au film. Also, an annular first drive electrode 561A, a conductive electrode 563A drawn from the first drive electrode 561A, and an electrode pad 565P connected to the conductive electrode 563A are provided, and these are continuously formed by a Cr / Au film. Is formed.
The movable substrate 52 is provided with a second drive electrode 562A and a second connection electrode 592A connected to the second drive electrode 562A, and is continuously formed of a Cr / Au film. A part of the second connection electrode 592A is formed in a thin portion 582 formed in the movable substrate 52.
Then, the thin portion 582 is deformed, and the second connection electrode 592A and the first connection electrode 591A are bonded to each other between metals, and electrical connection between the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 is enabled.

このように、エタロン8において、反射膜を除き、導電体である電極を同じ金属材料を用いて連続して形成しても良く、製造工程を簡略することができる。また、このような構造であっても、第2実施形態のエタロンと同様の効果を得ることができる。   As described above, in the etalon 8, the electrode that is a conductor may be continuously formed using the same metal material except for the reflective film, and the manufacturing process can be simplified. Even with such a structure, the same effect as the etalon of the second embodiment can be obtained.

第1実施形態では、光分析装置として測色装置1を例示したが、その他、様々な分野に光フィルター、光フィルターモジュール、光分析装置を用いることができる。
例えば、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムとして用いることができる。このようなシステムとしては、例えば、光フィルターとしてエタロン(波長可変干渉フィルター)を用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器などのガス検出装置を例示できる。
(第3実施形態)
In the first embodiment, the colorimetric device 1 is illustrated as an optical analysis device, but in addition, an optical filter, an optical filter module, and an optical analysis device can be used in various fields.
For example, it can be used as a light-based system for detecting the presence of a specific substance. As such a system, for example, an in-vehicle gas leak detector that detects a specific gas with high sensitivity by adopting a spectroscopic measurement method using an etalon (wavelength variable interference filter) as an optical filter, or a photoacoustic for a breath test A gas detection device such as a rare gas detector can be exemplified.
(Third embodiment)

以下、ガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。   Hereinafter, an example of the gas detection device will be described with reference to the drawings.

図16は、エタロンを備えたガス検出装置の一例を示す断面図である。
図17は、ガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置100は、図16に示すように、センサーチップ110と、吸引口120A、吸引流路120B、排出流路120C、および排出口120Dを備えた流路120と、本体部130と、を備えて構成されている。
本体部130は、流路120を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー131、排出手段133、筐体134、光学部135、フィルター136、エタロン(波長可変干渉フィルター)5、および受光素子137(受光部)等を含む検出部(光フィルターモジュール)と、検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部138、電力を供給する電力供給部139等から構成されている。また、光学部135は、光を射出する光源135Aと、光源135Aから入射された光をセンサーチップ110側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子137側に透過するビームスプリッター135Bと、レンズ135C,135D,135Eと、により構成されている。
FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating an example of a gas detection device including an etalon.
FIG. 17 is a block diagram illustrating a configuration of a control system of the gas detection device.
As illustrated in FIG. 16, the gas detection device 100 includes a sensor chip 110, a flow path 120 including a suction port 120A, a suction flow path 120B, a discharge flow path 120C, and a discharge port 120D, a main body 130, It is configured with.
The main body unit 130 includes a sensor unit cover 131 having an opening through which the flow channel 120 can be attached, a discharge unit 133, a housing 134, an optical unit 135, a filter 136, an etalon (wavelength variable interference filter) 5, and a light receiving element 137 (light receiving element). A control unit 138 that processes the detected signal and controls the detection unit, a power supply unit 139 that supplies power, and the like. The optical unit 135 emits light, and a beam splitter 135B that reflects light incident from the light source 135A toward the sensor chip 110 and transmits light incident from the sensor chip toward the light receiving element 137. And lenses 135C, 135D, and 135E.

また、図17に示すように、ガス検出装置100には、操作パネル140、表示部141、外部とのインターフェイスのための接続部142、電力供給部139が設けられている。電力供給部139が二次電池の場合には、充電のための接続部143を備えてもよい。
さらに、ガス検出装置100の制御部138は、CPU等により構成された信号処理部144、光源135Aを制御するための光源ドライバー回路145、エタロン5を制御するための電圧制御部146、受光素子137からの信号を受信する受光回路147、センサーチップ110のコードを読み取り、センサーチップ110の有無を検出するセンサーチップ検出器148からの信号を受信するセンサーチップ検出回路149、および排出手段133を制御する排出ドライバー回路150などを備えている。
As shown in FIG. 17, the gas detection apparatus 100 is provided with an operation panel 140, a display unit 141, a connection unit 142 for interface with the outside, and a power supply unit 139. When the power supply unit 139 is a secondary battery, a connection unit 143 for charging may be provided.
Further, the control unit 138 of the gas detection device 100 includes a signal processing unit 144 configured by a CPU or the like, a light source driver circuit 145 for controlling the light source 135A, a voltage control unit 146 for controlling the etalon 5, and a light receiving element 137. A light receiving circuit 147 that receives a signal from the sensor chip, reads a code of the sensor chip 110, controls a sensor chip detection circuit 149 that receives a signal from a sensor chip detector 148 that detects the presence or absence of the sensor chip 110, and a discharge means 133. A discharge driver circuit 150 is provided.

次に、ガス検出装置100の動作について、以下に説明する。
本体部130の上部のセンサー部カバー131の内部には、センサーチップ検出器148が設けられており、このセンサーチップ検出器148でセンサーチップ110の有無が検出される。信号処理部144は、センサーチップ検出器148からの検出信号を検出すると、センサーチップ110が装着された状態であると判断し、表示部141へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
Next, operation | movement of the gas detection apparatus 100 is demonstrated below.
A sensor chip detector 148 is provided inside the sensor unit cover 131 at the upper part of the main body unit 130, and the sensor chip detector 148 detects the presence or absence of the sensor chip 110. When the signal processing unit 144 detects the detection signal from the sensor chip detector 148, the signal processing unit 144 determines that the sensor chip 110 is attached, and displays a display signal for displaying on the display unit 141 that the detection operation can be performed. put out.

そして、例えば利用者により操作パネル140が操作され、操作パネル140から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部144へ出力されると、まず、信号処理部144は、光源ドライバー回路145に光源作動の信号を出力して光源135Aを作動させる。光源135Aが駆動されると、光源135Aから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源135Aには、温度センサーや光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部144へ出力される。そして、信号処理部144は、光源135Aから入力された温度や光量に基づいて、光源135Aが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路150を制御して排出手段133を作動させる。これにより、検出すべき標的物質(ガス分子)を含んだ気体試料が、吸引口120Aから、吸引流路120B、センサーチップ110内、排出流路120C、排出口120Dへと誘導される。   For example, when the operation panel 140 is operated by the user and an instruction signal to start the detection process is output from the operation panel 140 to the signal processing unit 144, the signal processing unit 144 first sends the signal processing unit 144 to the light source driver circuit 145. A light source activation signal is output to activate the light source 135A. When the light source 135A is driven, laser light having a single wavelength and stable linear polarization is emitted from the light source 135A. The light source 135A includes a temperature sensor and a light amount sensor, and the information is output to the signal processing unit 144. When the signal processing unit 144 determines that the light source 135A is stably operating based on the temperature and light quantity input from the light source 135A, the signal processing unit 144 controls the discharge driver circuit 150 to operate the discharge unit 133. Thereby, the gas sample containing the target substance (gas molecule) to be detected is guided from the suction port 120A to the suction channel 120B, the sensor chip 110, the discharge channel 120C, and the discharge port 120D.

また、センサーチップ110は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ110では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、およびレイリー散乱光が発生する。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部135を通ってフィルター136に入射し、フィルター136によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光がエタロン5に入射する。そして、信号処理部144は、電圧制御部146を制御し、エタロン5に印加する電圧を調整し、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光をエタロン5で分光させる。この後、分光した光が受光素子137で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路147を介して信号処理部144に出力される。
信号処理部144は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ROMに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部144は、表示部141にその結果情報を表示させたり、接続部142から外部へ出力したりする。
The sensor chip 110 is a sensor that incorporates a plurality of metal nanostructures and uses localized surface plasmon resonance. In such a sensor chip 110, an enhanced electric field is formed between the metal nanostructures by laser light, and when gas molecules enter the enhanced electric field, Raman scattered light and Rayleigh scattered light including information on molecular vibrations are generated. Occur.
These Rayleigh scattered light and Raman scattered light enter the filter 136 through the optical unit 135, and the Rayleigh scattered light is separated by the filter 136, and the Raman scattered light enters the etalon 5. Then, the signal processing unit 144 controls the voltage control unit 146 to adjust the voltage applied to the etalon 5 and causes the etalon 5 to split the Raman scattered light corresponding to the gas molecule to be detected. Thereafter, when the dispersed light is received by the light receiving element 137, a light reception signal corresponding to the amount of received light is output to the signal processing unit 144 via the light receiving circuit 147.
The signal processing unit 144 compares the spectrum data of the Raman scattered light corresponding to the gas molecule to be detected obtained as described above and the data stored in the ROM, and determines whether or not the target gas molecule is the target gas molecule. To determine the substance. Further, the signal processing unit 144 displays the result information on the display unit 141 or outputs the result information from the connection unit 142 to the outside.

なお、図16,17において、ラマン散乱光をエタロン5により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置100を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光フィルターモジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の光分析装置とする。このような構成でも、本発明の光フィルターを用いてガスの成分を検出することができる。   16 and 17 exemplify the gas detection device 100 that performs gas detection from the Raman scattered light obtained by separating the Raman scattered light with the etalon 5, but the gas detection device detects absorbance specific to the gas. Therefore, it may be used as a gas detection device that identifies the gas type. In this case, a gas sensor that allows gas to flow into the sensor and detects light absorbed by the gas in the incident light is used as the optical filter module of the present invention. A gas detector that analyzes and discriminates the gas flowing into the sensor by such a gas sensor is an optical analyzer of the present invention. Even in such a configuration, a gas component can be detected using the optical filter of the present invention.

また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
(第4実施形態)
In addition, the system for detecting the presence of a specific substance is not limited to the detection of the gas as described above, but a non-invasive measuring device for saccharides by near-infrared spectroscopy, and non-invasive information on food, living body, minerals, etc. A substance component analyzer such as a measuring device can be exemplified.
(Fourth embodiment)

次に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。   Next, a food analyzer will be described as an example of the substance component analyzer.

図18は、エタロン5を利用した光分析装置の一例である食物分析装置の構成を示すブロック図である。
この食物分析装置200は、検出器(光フィルターモジュール)210と、制御部220と、表示部230と、を備えている。検出器210は、光を射出する光源211と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ212と、撮像レンズ212から導入された光を分光するエタロン(波長可変干渉フィルター)5と、分光された光を検出する撮像部(受光部)213と、を備えている。
また、制御部220は、光源211の点灯・消灯制御、点灯時の明るさの制御を実施する光源制御部221と、エタロン5を制御する電圧制御部222と、撮像部213を制御し、撮像部213で撮像された分光画像を取得する検出制御部223と、信号処理部224と、記憶部225と、を備えている。
FIG. 18 is a block diagram illustrating a configuration of a food analysis apparatus that is an example of an optical analysis apparatus using the etalon 5.
The food analysis apparatus 200 includes a detector (light filter module) 210, a control unit 220, and a display unit 230. The detector 210 includes a light source 211 that emits light, an imaging lens 212 into which light from a measurement object is introduced, an etalon (wavelength variable interference filter) 5 that splits light introduced from the imaging lens 212, and a spectral And an imaging unit (light receiving unit) 213 for detecting the emitted light.
Further, the control unit 220 controls the light source control unit 221 that controls the turning on / off of the light source 211 and the brightness at the time of lighting, the voltage control unit 222 that controls the etalon 5, and the imaging unit 213. A detection control unit 223 that acquires a spectral image captured by the unit 213, a signal processing unit 224, and a storage unit 225.

この食物分析装置200は、装置を駆動させると、光源制御部221により光源211が制御されて、光源211から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ212を通ってエタロン5に入射する。エタロン5は電圧制御部222の制御により所望の波長を分光可能な電圧が印加されており、分光された光が、例えばCCDカメラ等により構成される撮像部213で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部225に蓄積される。また、信号処理部224は、電圧制御部222を制御してエタロン5に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。   In the food analyzer 200, when the apparatus is driven, the light source 211 is controlled by the light source control unit 221, and the measurement object is irradiated with light from the light source 211. Then, the light reflected by the measurement object enters the etalon 5 through the imaging lens 212. The etalon 5 is applied with a voltage capable of dispersing a desired wavelength under the control of the voltage control unit 222, and the dispersed light is imaged by an imaging unit 213 configured by, for example, a CCD camera or the like. The captured light is accumulated in the storage unit 225 as a spectral image. Further, the signal processing unit 224 controls the voltage control unit 222 to change the voltage value applied to the etalon 5, and acquires a spectral image for each wavelength.

そして、信号処理部224は、記憶部225に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部225には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部224は、求めたスペクトルのデータを、記憶部225に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、およびその含有量を求める。また、得られた食物成分および含有量から、食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。さらに、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、さらには、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。
そして、信号処理部224は、得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部230に表示させる処理をする。
Then, the signal processing unit 224 performs arithmetic processing on the data of each pixel in each image accumulated in the storage unit 225, and obtains a spectrum at each pixel. In addition, the storage unit 225 stores, for example, information related to food components with respect to the spectrum, and the signal processing unit 224 analyzes the obtained spectrum data based on the information related to food stored in the storage unit 225. The food component contained in the detection target and the content thereof are obtained. Moreover, a food calorie, a freshness, etc. are computable from the obtained food component and content. Furthermore, by analyzing the spectral distribution in the image, it is possible to extract a portion of the food to be inspected that has reduced freshness, and to detect foreign substances contained in the food. Can also be implemented.
Then, the signal processing unit 224 performs processing for causing the display unit 230 to display information such as the component and content of the obtained food to be inspected, calories, and freshness.

また、図18において、食物分析装置200の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、自動車運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。
さらには、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
FIG. 18 shows an example of the food analysis apparatus 200, but it can also be used as a non-invasive measurement apparatus for other information as described above with a substantially similar configuration. For example, it can be used as a biological analyzer for analyzing biological components such as measurement and analysis of body fluid components such as blood. As such a bioanalytical device, for example, a device that detects ethyl alcohol as a device that measures body fluid components such as blood, it can be used as a drunk driving prevention device that detects the drinking state of an automobile driver. . Further, it can also be used as an electronic endoscope system provided with such a biological analyzer.
Furthermore, it can also be used as a mineral analyzer for performing component analysis of minerals.

さらには、本発明の光フィルター、光フィルターモジュール、光分析装置としては、以下のような装置に適用することができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光フィルターモジュールに設けられたエタロンにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光フィルターモジュールを備えた光分析装置により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
(第5実施形態)
Furthermore, the optical filter, optical filter module, and optical analysis device of the present invention can be applied to the following devices.
For example, it is possible to transmit data using light of each wavelength by changing the intensity of light of each wavelength over time. In this case, the light of a specific wavelength is spectrally separated by an etalon provided in the optical filter module. By receiving light at the light receiving unit, data transmitted by light of a specific wavelength can be extracted. By using an optical analyzer equipped with such an optical filter module for data extraction, data of light of each wavelength can be extracted. By processing, optical communication can be performed.
(Fifth embodiment)

また、他の光分析装置として、本発明のエタロン(波長可変干渉フィルター)により光を分光して、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、エタロンを内蔵した赤外線カメラが挙げられる。
図19は、分光カメラの構成を示す斜視図である。分光カメラ300は、図19に示すように、カメラ本体310と、撮像レンズユニット320と、撮像部330とを備えている。
カメラ本体310は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット320は、カメラ本体310に設けられ、入射した画像光を撮像部330に導光する。また、この撮像レンズユニット320は、対物レンズ321、結像レンズ322、およびこれらのレンズ間に設けられたエタロン5を備えて構成されている。
撮像部330は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット320により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ300では、エタロン5により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。
Further, as another optical analysis apparatus, the present invention can be applied to a spectroscopic camera, a spectroscopic analyzer, and the like that spectrally divide light with the etalon (wavelength variable interference filter) of the present invention to capture a spectral image. An example of such a spectroscopic camera is an infrared camera incorporating an etalon.
FIG. 19 is a perspective view showing the configuration of the spectroscopic camera. As shown in FIG. 19, the spectroscopic camera 300 includes a camera body 310, an imaging lens unit 320, and an imaging unit 330.
The camera body 310 is a part that is gripped and operated by a user.
The imaging lens unit 320 is provided in the camera body 310 and guides incident image light to the imaging unit 330. The imaging lens unit 320 includes an objective lens 321, an imaging lens 322, and an etalon 5 provided between these lenses.
The imaging unit 330 includes a light receiving element, and images the image light guided by the imaging lens unit 320.
In such a spectroscopic camera 300, a spectral image of light having a desired wavelength can be captured by transmitting light having a wavelength to be imaged by the etalon 5.

さらには、本発明のエタロンをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
また、本発明のエタロンを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。
Furthermore, the etalon of the present invention may be used as a bandpass filter. For example, among the light in a predetermined wavelength range emitted from the light emitting element, only light in a narrow band centered on a predetermined wavelength is spectrally transmitted. It can also be used as an optical laser device.
Further, the etalon of the present invention may be used as a biometric authentication device, and can also be applied to authentication devices such as blood vessels, fingerprints, retinas, and irises using light in the near infrared region and visible region.

さらには、光フィルターモジュールおよび光分析装置を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、エタロンにより、物質から射出された赤外エネルギー(赤外光)を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。   Furthermore, an optical filter module and an optical analyzer can be used as a concentration detector. In this case, the infrared energy (infrared light) emitted from the substance is separated and analyzed by the etalon, and the analyte concentration in the sample is measured.

上記に示すように、本発明の光フィルター、光フィルターモジュール、および光分析装置は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明のエタロンは、上述のように、1つのデバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光フィルターモジュールや光分析装置の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用として好適に用いることができる。   As described above, the optical filter, optical filter module, and optical analysis device of the present invention can be applied to any device that separates predetermined light from incident light. And since the etalon of this invention can disperse | distribute a some wavelength with one device as mentioned above, the measurement of the spectrum of a some wavelength and the detection with respect to a some component can be implemented accurately. Therefore, compared with the conventional apparatus which takes out a desired wavelength with several devices, size reduction of an optical filter module or an optical analyzer can be accelerated | stimulated, for example, it can use suitably for portable use or vehicle-mounted use.

本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更することができる。そして、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有するものにより可能である。   The present invention is not limited to the embodiment described above, and the specific structure and procedure for carrying out the present invention can be appropriately changed to other structures and the like as long as the object of the present invention can be achieved. it can. Many modifications can be made by those skilled in the art within the technical idea of the present invention.

1…測色装置、2…光源装置、3…測色センサー、4…制御装置、5,6,7,8…エタロン、31…受光部、32…電圧制御部、41…光源制御部、42…測色センサー制御部、43…測色処理部、51…固定基板(第1基板)、52…可動基板(第2基板)、53…接合膜、54…第1反射膜、55…第2反射膜、56…静電アクチュエーター、100…ガス検出装置、200…食物分析装置、300…分光カメラ、511…電極形成部、512…反射膜形成部、514…突部、515…接合面、522…可動部、523…連結保持部、526…切欠部、561…第1駆動電極、562…第2駆動電極、563…導通電極、563P,564P…電極パッド、571…第1接続電極、572…第2接続電極、581…凹部、582…薄肉部、591…第1接続電極、592…第2接続電極。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Color measuring device, 2 ... Light source device, 3 ... Color measuring sensor, 4 ... Control device, 5, 6, 7, 8 ... Etalon, 31 ... Light-receiving part, 32 ... Voltage control part, 41 ... Light source control part, 42 ... colorimetric sensor control unit, 43 ... colorimetric processing unit, 51 ... fixed substrate (first substrate), 52 ... movable substrate (second substrate), 53 ... bonding film, 54 ... first reflection film, 55 ... second Reflective film 56 ... Electrostatic actuator 100 ... Gas detector 200 ... Food analyzer 300 ... Spectroscopic camera 511 ... Electrode forming part 512 ... Reflecting film forming part 514 ... Projection part 515 ... Bonding surface 522 ... movable part, 523 ... connection holding part, 526 ... notch part, 561 ... first drive electrode, 562 ... second drive electrode, 563 ... conduction electrode, 563P, 564P ... electrode pad, 571 ... first connection electrode, 572 ... Second connection electrode, 581 ... concave portion, 582 ... thin wall , 591 ... first connecting electrode, 592: second connection electrode.

Claims (10)

第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板の前記第2基板と対向する面に形成された第1反射膜と、
前記第2基板に設けられ、前記第1反射膜とギャップを介して対向する第2反射膜と、
前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1駆動電極と、
前記第2基板に設けられ、前記第1駆動電極と対向する第2駆動電極と、
前記第1基板に設けられた第1接続電極と、
前記第2基板に設けられ、前記第1接続電極の一部と対向する位置に形成され、前記第2基板の厚み方向に可撓性を有する薄肉部と、
前記第2駆動電極に接続され、前記第1接続電極に対向して前記薄肉部に形成された第2接続電極と、
を備え、
前記第1基板と前記第2基板とが接合され、前記第1接続電極と前記薄肉部に形成された前記第2接続電極とは、前記薄肉部が前記第1基板に近づく方向に変形された状態で接続されていることを特徴とすることを特徴とする光フィルター。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
A first reflective film formed on a surface of the first substrate facing the second substrate;
A second reflective film provided on the second substrate and opposed to the first reflective film via a gap;
A first drive electrode provided on a surface of the first substrate facing the second substrate;
A second drive electrode provided on the second substrate and facing the first drive electrode;
A first connection electrode provided on the first substrate;
A thin portion provided on the second substrate, formed at a position facing a part of the first connection electrode, and having flexibility in a thickness direction of the second substrate;
A second connection electrode connected to the second drive electrode and formed in the thin portion facing the first connection electrode;
With
The first substrate and the second substrate are joined, and the first connection electrode and the second connection electrode formed on the thin portion are deformed in a direction in which the thin portion approaches the first substrate. An optical filter characterized by being connected in a state .
請求項1に記載の光フィルターにおいて、
前記薄肉部は前記第2基板の前記第1基板と対向する面とは反対の面に、平面視で円形の凹部が設けられ、前記凹部の底面と前記第2基板の前記第1基板と対向する面との間を厚みとする前記薄肉部が形成されることを特徴とする光フィルター。
The optical filter according to claim 1,
The thin-walled portion is provided with a circular concave portion in a plan view on a surface of the second substrate opposite to the surface facing the first substrate, and the bottom surface of the concave portion faces the first substrate of the second substrate. The optical filter is characterized in that the thin portion having a thickness between the surface and the surface to be formed is formed.
請求項1または2のいずれか一項に記載の光フィルターにおいて、
前記第1接続電極は前記第1基板の厚み方向に突出する突部に設けられていることを特徴とする光フィルター。
The optical filter according to any one of claims 1 and 2 ,
The optical filter according to claim 1, wherein the first connection electrode is provided on a protrusion protruding in the thickness direction of the first substrate.
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光フィルターを含むことを特徴とする光フィルターモジュール。 An optical filter module comprising the optical filter according to claim 1 . 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光フィルターと、
前記第1反射膜または前記第2反射膜を透過した光を受光する受光部と、
前記受光部から得られる信号に基づき前記光の光特性を分析する分析処理部と、を備えたことを特徴とする光分析装置。
An optical filter according to any one of claims 1 to 3,
A light receiving unit that receives light transmitted through the first reflective film or the second reflective film;
Optical analysis device characterized by comprising a, an analysis processing unit for analyzing the light characteristics of the light based on a signal obtained from the light receiving portion.
第1基板をエッチングし電極形成部を形成する電極形成部形成工程と、
前記電極形成部に第1駆動電極と第1接続電極とを形成する第1電極形成工程と、
前記第1基板に第1反射膜を形成する第1反射膜形成工程と、
第2基板をエッチングし前記第1接続電極と対向する位置に薄肉部を形成する薄肉部形成工程と、
前記第2基板に第2駆動電極と、前記第2駆動電極に接続し前記薄肉部の前記第1接続電極と対向する位置に第2接続電極とを形成する第2電極形成工程と、
前記第2基板に第2反射膜を形成する第2反射膜形成工程と、
前記第1基板と、前記第2基板とを接合する接合工程と、
前記薄肉部に外力を加え、前記第1基板の前記第1接続電極と前記第2基板の前記第2接続電極とを接続する接続工程と、を含むことを特徴とする光フィルターの製造方法。
An electrode forming part forming step of etching the first substrate to form an electrode forming part;
A first electrode forming step of forming a first drive electrode and a first connection electrode in the electrode forming portion;
A first reflective film forming step of forming a first reflective film on the first substrate;
A thin portion forming step of etching the second substrate to form a thin portion at a position facing the first connection electrode;
A second electrode forming step of forming a second drive electrode on the second substrate and a second connection electrode connected to the second drive electrode at a position facing the first connection electrode of the thin portion;
A second reflective film forming step of forming a second reflective film on the second substrate;
A bonding step of bonding the first substrate and the second substrate;
A method of manufacturing an optical filter, comprising: a connecting step of applying an external force to the thin portion to connect the first connection electrode of the first substrate and the second connection electrode of the second substrate.
請求項に記載の光フィルターの製造方法において、
前記接続工程は前記第1接続電極および前記第2接続電極を加熱し、外力を加えて前記第1接続電極と前記第2接続電極とを金属間接合することを特徴とする光フィルターの製造方法。
In the manufacturing method of the optical filter of Claim 6 ,
The connection step includes heating the first connection electrode and the second connection electrode, and applying an external force to bond the first connection electrode and the second connection electrode between metals. .
請求項に記載の光フィルターの製造方法において、
前記接続工程は前記第1接続電極および前記第2接続電極の表面を表面活性化処理した後に外力を加え、前記第1接続電極と前記第2接続電極とを金属間接合することを特徴とする光フィルターの製造方法。
In the manufacturing method of the optical filter of Claim 6 ,
The connecting step is characterized in that an external force is applied after the surfaces of the first connection electrode and the second connection electrode are subjected to a surface activation process, and the first connection electrode and the second connection electrode are bonded to each other between metals. Manufacturing method of optical filter.
請求項に記載の光フィルターの製造方法において、
前記第1接続電極、前記第1反射膜および前記第2接続電極、前記第2反射膜が同じ金属材料であることを特徴とする光フィルターの製造方法。
In the manufacturing method of the optical filter of Claim 6 ,
The method for manufacturing an optical filter, wherein the first connection electrode, the first reflection film, the second connection electrode, and the second reflection film are made of the same metal material.
請求項に記載の光フィルターの製造方法において、
前記金属材料がAgまたはAg合金であることを特徴とする光フィルターの製造方法。
In the manufacturing method of the optical filter of Claim 9 ,
The method for producing an optical filter, wherein the metal material is Ag or an Ag alloy.
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