JP5866614B1 - Switching power supply - Google Patents
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Abstract
【課題】位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータを有するスイッチング電源装置において、大型化を抑制でき、且つ、高い電力変換効率を実現すること。【解決手段】スイッチング電源装置は、力率改善回路と、力率改善回路より後段に設けられ、フルブリッジ型スイッチング回路を有する位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータと、負荷へ供給される出力電流を検出する出力電流検出回路と、負荷へ供給される出力電圧を検出する出力電圧検出回路と、力率改善回路からDC/DCコンバータへ入力されるPFC出力電圧を検出するPFC出力電圧検出回路を備え、PFC出力電圧、出力電流および出力電圧に基づき、フルブリッジ型スイッチング回路のデッドタイムを動的に変更する制御部と、を備え、制御部は、変更されたデッドタイムを適用して、フルブリッジ型スイッチング回路のスイッチング制御を行う構成を採る。【選択図】図4In a switching power supply device having a phase shift full bridge type DC / DC converter, an increase in size can be suppressed and high power conversion efficiency can be realized. A switching power supply apparatus includes a power factor correction circuit, a phase shift full bridge DC / DC converter having a full bridge type switching circuit, which is provided downstream of the power factor correction circuit, and is supplied to a load. An output current detection circuit that detects an output current, an output voltage detection circuit that detects an output voltage supplied to a load, and a PFC output voltage detection that detects a PFC output voltage input from the power factor correction circuit to the DC / DC converter And a controller that dynamically changes the dead time of the full-bridge switching circuit based on the PFC output voltage, output current, and output voltage, and the controller applies the changed dead time. A configuration for performing switching control of a full bridge type switching circuit is adopted. [Selection] Figure 4
Description
本発明は、位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータを有するスイッチング電源装置に関する。 The present invention relates to a switching power supply device having a phase shift full bridge type DC / DC converter.
以前より、位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータがある。位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータは、図1に示すように、4つのスイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdを有するフルブリッジ型スイッチング回路31を備える。位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータにおいては、図2(a)−(d)のタイムチャートに示すように、4つのスイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdがスイッチングして、負荷に応じた電力を出力する。
There have been phase / full bridge DC / DC converters. As shown in FIG. 1, the phase shift full bridge DC / DC converter includes a full bridge
フルブリッジ型スイッチング回路では、一対のスイッチング素子Sa、Sdの両方がオンする期間Ton1に、入力電圧ViがトランスTrの一次巻き線に出力され、スイッチング素子Sa、Sdを通ってトランスTrに電流が流れる。さらに、もう一対のスイッチング素子Sb、Scの両方がオンする期間Ton2に、入力電圧ViがトランスTrの一次巻き線に逆向きに出力され、スイッチング素子Sb、Scを通ってトランスTrに逆向きの電流が流れる。 In the full bridge type switching circuit, the input voltage Vi is output to the primary winding of the transformer Tr during the period Ton1 when both of the pair of switching elements Sa and Sd are turned on, and current flows through the switching elements Sa and Sd to the transformer Tr. Flowing. Further, during the period Ton2 when both of the other pair of switching elements Sb and Sc are turned on, the input voltage Vi is output in the reverse direction to the primary winding of the transformer Tr, and reversely passes through the switching elements Sb and Sc to the transformer Tr. Current flows.
4つのスイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdは、所定のデューティ比でスイッチング制御される。デューティ比は、50%に、デッドタイムTd1、Td2を加算または減算した値となる。負荷が変化すると、一対のスイッチング素子Sa、Sdの一方と他方とのスイッチング位相を変化させることで、スイッチング素子Sa、Sdに電流が流れる期間Ton1を変化させる。同様に、もう一対のスイッチング素子Sb、Scの一方と他方とのスイッチング位相を変化させることで、スイッチング素子Sb、Scに電流が流れる期間Ton2を変化させる。これにより、負荷の変化に応じて、電流が流れる期間Ton1、Ton2が増減し、出力電力が変化する。 The four switching elements Sa, Sb, Sc, Sd are subjected to switching control with a predetermined duty ratio. The duty ratio is a value obtained by adding or subtracting the dead times Td1 and Td2 to 50%. When the load changes, the period Ton1 in which a current flows through the switching elements Sa and Sd is changed by changing the switching phase between one of the pair of switching elements Sa and Sd. Similarly, by changing the switching phase between one of the other pair of switching elements Sb and Sc and the other, the period Ton2 in which current flows in the switching elements Sb and Sc is changed. Thereby, according to the change of load, the period Ton1 and Ton2 in which an electric current flows increases / decreases, and output electric power changes.
さらに、位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータでは、以前より、ZVS(Zero Voltage Switching)の制御を行うことで、スイッチングロスの低減が図られている。 Further, in the phase shift full bridge type DC / DC converter, ZVS (Zero Voltage Switching) control has been conventionally performed to reduce the switching loss.
ZVSの制御では、入力端子間に直列に接続された同時にオンしない2つのスイッチング素子Sa、Sbのうち、一方をオフしてから他方をオンするまでに、遅延を設けている。この遅延がデッドタイムTd1である。同様に、もう一組の同時にオンしない2つのスイッチング素子Sc、Sdのうち、一方をオンしてから他方をオンするまでにデッドタイムTd2を設けている(図2(a)−(d)を参照)。 In the control of ZVS, a delay is provided between turning off one of the two switching elements Sa and Sb connected in series between the input terminals and not turned on at the same time. This delay is the dead time Td1. Similarly, a dead time Td2 is provided between turning on one of the other two switching elements Sc and Sd that are not turned on at the same time (see FIGS. 2A to 2D). reference).
このようなデッドタイムTd1、Td2を設けることで、スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdの各々は、両端電圧Va、Vb、Vc、Vdがゼロボルトになってからオンされる(図2(e)−(h)を参照)。両端電圧Va、Vb、Vc、Vdは、スイッチング素子Sa、Sb、Sc、SdがFETであれば、ソース・ドレイン間電圧である。 By providing such dead times Td1, Td2, each of the switching elements Sa, Sb, Sc, Sd is turned on after the voltages Va, Vb, Vc, Vd at both ends become zero volts (FIG. 2 (e)). -See (h)). Both-end voltages Va, Vb, Vc, and Vd are source-drain voltages if the switching elements Sa, Sb, Sc, and Sd are FETs.
各両端電圧Va、Vb、Vc、Vdがゼロボルトになってから、各スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdが、オンされることで、オン抵抗がゼロと無限大との中間の値になっている期間に、各スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdに電流が流れることを抑制できる。よって、各スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdで消費される電力(スイッチングロス)が低減される。デッドタイムTd1、Td2は、通常、スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdにより開閉される回路に含まれるインダクタンスおよび容量値から決定される共振周期の1/4に設定される。共振を発生させるインダクタンスと容量値は、例えば共振用のインダクタLrとスイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdの寄生容量Crなどが有する。 When the voltage Va, Vb, Vc, Vd at both ends becomes zero volts, and the switching elements Sa, Sb, Sc, Sd are turned on, the on-resistance becomes an intermediate value between zero and infinity. It is possible to suppress a current from flowing through each of the switching elements Sa, Sb, Sc, and Sd during a certain period. Therefore, power (switching loss) consumed by each switching element Sa, Sb, Sc, Sd is reduced. The dead times Td1 and Td2 are normally set to ¼ of the resonance period determined from the inductance and capacitance values included in the circuit opened and closed by the switching elements Sa, Sb, Sc and Sd. The inductance and the capacitance value that cause resonance are, for example, the resonance inductor Lr and the parasitic capacitance Cr of the switching elements Sa, Sb, Sc, and Sd.
従来、ZVS制御の位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータにおいて、電力変換効率をより向上させる技術が提案されている(例えば特許文献1を参照)。 Conventionally, a technique for further improving power conversion efficiency has been proposed in a ZVS-controlled phase shift full-bridge DC / DC converter (see, for example, Patent Document 1).
特許文献1では、フルブリッジ型に接続された4つのスイッチング素子より後段に、可飽和チョークコイルを設け、負荷の大小に応じて、回路のインダクタンスを変化させることで、無駄な電力損出を低減している。また、特許文献1の実施の形態2では、可飽和チョークコイルのインダクタンスの変化に合わせて標準的なデッドタイムが変化する。よって、変化する標準的なデッドタイムに合わせて、デッドタイムを動的に設定して、ZVS制御を行っている。
In
位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータにおいては、出力の大小、或いは、入力の大小の違いにより、フルブリッジ型スイッチング回路に発生する共振波形が標準的な波形から変化することがある。したがって、位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータにおいては、入出力の変化に基づく共振波形の変化により、電力変換効率が低下することがある。 In the DC / DC converter of the phase shift full bridge system, the resonance waveform generated in the full bridge type switching circuit may change from the standard waveform depending on the magnitude of the output or the magnitude of the input. Therefore, in the DC / DC converter of the phase shift full bridge system, the power conversion efficiency may be lowered due to the change of the resonance waveform based on the change of input / output.
特許文献1では、出力の大小に応じて可飽和チョークコイルのインダクタンス値が変わるので、これに応じて標準的な共振の周期も変化する。よって、特許文献1では、標準的な共振周期の変化に合わせるように、デッドタイムの設定が行われている。特許文献1では、単純に、出力電流値の増加に応じて、デッドタイムが長くなるように制御している(特許文献1の段落0061を参照)。このような制御では、共振波形が標準的な波形から変化した場合に対応することは難しい。
In
さらに、特許文献1の技術は、可飽和チョークコイルを新たに設けていることで、電源装置が大型化するという課題がある。
Furthermore, the technique of
本発明の目的は、位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータを有するスイッチング電源装置において、大型化を抑制でき、且つ、高い電力変換効率を実現することである。 An object of the present invention is to suppress an increase in size and realize high power conversion efficiency in a switching power supply device having a phase shift full-bridge DC / DC converter.
本発明の一態様に係るスイッチング電源装置は、交流電源から入力される入力電力を電力変換し負荷へ供給するスイッチング電源装置であって、力率改善回路と、前記力率改善回路より後段に設けられ、フルブリッジ型スイッチング回路を有する位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータと、前記交流電源から入力される入力電流を検出する入力電流検出回路と、前記交流電源から入力される入力電圧を検出する入力電圧検出回路と、前記負荷へ供給される出力電流を検出する出力電流検出回路と、前記負荷へ供給される出力電圧を検出する出力電圧検出回路と、前記力率改善回路から前記DC/DCコンバータへ入力されるPFC出力電圧を検出するPFC出力電圧検出回路を備え、前記フルブリッジ型スイッチング回路のデッドタイムを動的に変更する制御部と、を備え、前記力率改善回路は、前記制御部によりスイッチング制御されるスイッチング素子を有するアクティブ型の力率改善回路であり、前記制御部は、前記PFC出力電圧が、前記入力電流、前記入力電圧、前記出力電流、および前記出力電圧に基づき決定された目標電圧になるように前記力率改善回路の前記スイッチング素子を制御し、且つ、前記PFC出力電圧、前記出力電流および前記出力電圧に基づいて、前記デッドタイムを動的に変更し、変更された前記デッドタイムを適用して、前記フルブリッジ型スイッチング回路のスイッチング制御を行う構成を採る。 A switching power supply according to an aspect of the present invention is a switching power supply that converts input power input from an AC power supply and supplies it to a load, and is provided at a stage subsequent to the power factor improvement circuit and the power factor improvement circuit. A phase shift full bridge DC / DC converter having a full bridge type switching circuit, an input current detection circuit for detecting an input current input from the AC power supply, and an input voltage input from the AC power supply. An input voltage detection circuit for detecting, an output current detection circuit for detecting an output current supplied to the load, an output voltage detection circuit for detecting an output voltage supplied to the load, and the DC from the power factor improvement circuit / includes a PFC output voltage detection circuit for detecting the PFC output voltage input to the DC converter, de prior SL full bridge switching circuit And a control unit which dynamically changes Dotaimu, the power factor correction circuit is a power factor correction circuit of an active type having a switching element which is switching-controlled by the control unit, the PFC Controlling the switching element of the power factor correction circuit so that an output voltage becomes a target voltage determined based on the input current, the input voltage, the output current, and the output voltage, and the PFC output voltage The dead time is dynamically changed based on the output current and the output voltage, and the changed dead time is applied to perform switching control of the full bridge switching circuit.
本発明の一態様に係るスイッチング電源装置は、交流電源から入力される入力電力を電力変換し負荷へ供給するスイッチング電源装置であって、力率改善回路と、前記力率改善回路より後段に設けられ、フルブリッジ型スイッチング回路を有する位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータと、前記負荷へ供給される出力電流を検出する出力電流検出回路と、前記負荷へ供給される出力電圧を検出する出力電圧検出回路と、前記出力電流および前記出力電圧に基づき、前記フルブリッジ型スイッチング回路のデッドタイムを動的に変更する制御部と、を備え、前記制御部は、変更された前記デッドタイムを適用して、前記フルブリッジ型スイッチング回路のスイッチング制御を行う構成を採る。 A switching power supply according to an aspect of the present invention is a switching power supply that converts input power input from an AC power supply and supplies it to a load, and is provided at a stage subsequent to the power factor improvement circuit and the power factor improvement circuit. A phase shift full bridge DC / DC converter having a full bridge type switching circuit, an output current detection circuit for detecting an output current supplied to the load, and an output voltage supplied to the load An output voltage detection circuit; and a control unit that dynamically changes a dead time of the full-bridge switching circuit based on the output current and the output voltage, and the control unit uses the changed dead time. The configuration is applied to perform switching control of the full bridge type switching circuit.
本発明の一態様に係るスイッチング電源装置は、入力電力を電力変換し負荷へ供給するスイッチング電源装置であって、フルブリッジ型スイッチング回路を有する位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータと、前記負荷へ供給される出力電流を検出する出力電流検出回路と、前記負荷へ供給される出力電圧を検出する出力電圧検出回路と、前記出力電流および前記出力電圧に基づき、前記フルブリッジ型スイッチング回路のデッドタイムを動的に変更する制御部と、を備え、前記制御部は、変更された前記デッドタイムを適用して、前記フルブリッジ型スイッチング回路のスイッチング制御を行う構成を採る。 A switching power supply according to an aspect of the present invention is a switching power supply that converts input power into power and supplies it to a load, and includes a phase shift full-bridge DC / DC converter having a full-bridge switching circuit, An output current detection circuit for detecting an output current supplied to a load; an output voltage detection circuit for detecting an output voltage supplied to the load; and the full-bridge switching circuit based on the output current and the output voltage. A control unit that dynamically changes the dead time, and the control unit applies the changed dead time to perform switching control of the full-bridge switching circuit.
本発明によれば、位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータを有するスイッチング電源装置において、大型化を抑制でき、且つ、高い電力変換効率を実現できる。 According to the present invention, it is possible to suppress an increase in size and realize high power conversion efficiency in a switching power supply device having a phase shift full bridge DC / DC converter.
以下、本発明の各実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図3は、本発明の実施の形態のスイッチング電源装置の構成図である。 FIG. 3 is a configuration diagram of the switching power supply device according to the embodiment of the present invention.
本発明の実施の形態のスイッチング電源装置は、AC/DCコンバータ10と、DC/DCコンバータ30と、制御部40と、データテーブル50とを有する。特に制限されないが、図3の例では、負荷60として、電気自動車の動力を出力する蓄電池が採用されている。
The switching power supply according to the embodiment of the present invention includes an AC /
AC/DCコンバータ10は、交流電源Vsへの高調波の逆流が抑制されるように交流電源Vsを電力変換し、直流電圧を出力する。AC/DCコンバータ10は、交流電源Vsを整流する整流回路11、整流された電圧を平滑する平滑コンデンサC10、および、チョークコイルL11、L12とスイッチング素子S11、S12と平滑コンデンサC21とを有するアクティブ型の力率改善回路(PFC回路)13を有する。スイッチング素子S11、S12は、制御部40によりスイッチング制御される。
The AC /
AC/DCコンバータ10は、さらに、PFC回路13への入力電圧(整流電圧)を検出する入力電圧検出部14と、PFC回路13への入力電流を検出する入力電流検出部15とを有する。入力電圧検出部14の入力電圧検出信号と入力電流検出部15の入力電流検出信号は、制御部40へ送られる。なお、入力電圧検出部14および入力電流検出部15は、平滑コンデンサC10の後段に設けられても良い。
The AC /
AC/DCコンバータ10は、さらに、PFC回路13の出力電圧を検出するPFC出力電圧検出部22を有する。PFC出力電圧検出部22のPFC出力電圧検出信号は制御部40に送られる。
The AC /
DC/DCコンバータ30は、位相シフト・フルブリッジ型PWM(Pulse Width Modulation)電源の回路であり、AC/DCコンバータ10から電圧を受けて、負荷60に応じた電力を出力する。DC/DCコンバータ30は、4つのスイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdがフルブリッジ型に接続されたフルブリッジ型スイッチング回路31と、共振用コイルLrと、トランスTrと、整流回路32と、チョークコイルL31と、バイパスコンデンサC31と有する。
The DC /
DC/DCコンバータ30は、さらに、出力電流を検出する出力電流検出部34と、出力電圧を検出する出力電圧検出部35とを有する。出力電流検出部34の出力電流検出信号と、出力電圧検出部35の出力電圧検出信号とは、制御部40へ送られる。
The DC /
スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdの各々は、例えばMOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)であり、制御端子(ゲート端子)が制御されることで、両端子(ソース端子とドレイン端子)の間に電流を流す。スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdの各両端子間の抵抗が、ほぼゼロ抵抗(オン)のときと、非導通(オフ)のときには、スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdで消費される電力はほぼゼロになる。一方、スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdが、オンからオフ、又は、オフからオンに切り替えられるときには、両端子間にゼロと無限大との間のオン抵抗が生じる。このため、この期間に電流が流れると電力を消費し、スイッチングロスが生じる。 Each of the switching elements Sa, Sb, Sc, and Sd is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), for example, and both terminals (source terminal and drain terminal) are controlled by controlling a control terminal (gate terminal). ) To supply current. When the resistance between both terminals of the switching elements Sa, Sb, Sc, Sd is substantially zero resistance (on) and non-conduction (off), the power consumed by the switching elements Sa, Sb, Sc, Sd Becomes almost zero. On the other hand, when the switching elements Sa, Sb, Sc, and Sd are switched from on to off or from off to on, an on-resistance between zero and infinity occurs between both terminals. For this reason, if a current flows during this period, power is consumed and a switching loss occurs.
スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdの各々は、例えば、寄生ダイオードの一端に寄生容量Cr(不図示)を有する。 Each of the switching elements Sa, Sb, Sc, and Sd has, for example, a parasitic capacitance Cr (not shown) at one end of the parasitic diode.
なお、スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdには、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)など、制御端子の制御によりオン・オフして、2端子間に大きな電流を流すことのできる素子であれば、どのような素子が適用されてもよい。 Note that the switching elements Sa, Sb, Sc, and Sd are elements that can be turned on / off by control of a control terminal, such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), so that a large current can flow between the two terminals. Any element may be applied.
フルブリッジ型スイッチング回路31は、2つの出力ノードn1、n2の間にトランスTrの一次巻き線が接続される。スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdは、制御部40により、図2(a)−(d)のタイムチャートのようにスイッチング制御される。スイッチング素子Sa、Sdがオンとなる期間Ton1に、2つの出力ノードn1、n2の間に順方向の電圧が出力される。また、スイッチング素子Sb、Scがオンとなる期間Ton2に、2つの出力ノードn1、n2の間に逆方向の電圧が出力される。これらにより、フルブリッジ型スイッチング回路31は、トランスTrに順方向と逆方向とに周期的に向きを変える電流を出力する。
In the full bridge
共振用コイルLrは、フルブリッジ型スイッチング回路31の2つの出力ノードn1、n2の間に、トランスTrの一次巻き線と直列に接続される。スイッチング制御により、出力ノードn1、n2の間に電流が出力されているときに、この電流を遮断するようにスイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdの何れかがオフされる。このとき、共振用コイルLrとスイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdの寄生容量Crとにより、オフされたスイッチング素子の寄生容量Crと共振用コイルLrとの間で共振が生じる。この共振の1/4周期T0は、次式(1)となる。
トランスTrは、フルブリッジ型スイッチング回路31から周期的に変化する電流を受けると、二次巻き線に同様に変化する電圧を出力する。トランスTrは、一次巻き線側と二次巻き線側との絶縁を確保する。整流回路32は、トランスTrの出力電圧を整流し、チョークコイルL31に出力する。チョークコイルL31は、整流回路32の電圧により直流の電流を流し、負荷60に出力する。バイパスコンデンサC31は、出力電圧の変動を抑える。
When the transformer Tr receives a periodically changing current from the full bridge
以下、実施の形態1から実施の形態3の制御部40とデータテーブル50とについて説明する。
Hereinafter, the
<実施の形態1>
実施の形態1は、制御部40が、負荷60へ供給される出力電流および出力電圧を参照して最適なデットタイムTd1、Td2を決定する。デッドタイムTd1、Td2の詳細については後述する。
<
In the first embodiment, the
実施の形態1のデータテーブル50は、負荷60へ供給される出力電圧および出力電流と、最適なデッドタイムTd1、Td2と、が対応づけられたデータテーブルを有する。
The data table 50 of the first embodiment has a data table in which the output voltage and output current supplied to the
実施の形態1の制御部40は、PFC回路13のスイッチング素子S11、S12の制御端子に、PFCスイッチング信号を出力して、スイッチング素子S11、S12をオン・オフする。これにより、制御部40は、目標のPFC出力電圧(例えば400V)が得られるよう、且つ、交流電源Vsに流出する高調波が抑制されるように、PFC回路13を制御する。
The
制御部40は、スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdの制御端子に、DC/DCスイッチング信号を出力し、スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdのオン・オフを制御する。これにより、負荷60に応じた出力電圧および出力電流が得られるように、DC/DCコンバータ30が動作する。続いて、図2(a)−(h)を参照して、DC/DCコンバータ30の制御の詳細について説明する。
The
図2(a)は、スイッチング素子Saのオン・オフを示すタイムチャート、図2(b)は、スイッチング素子Sbのオン・オフを示すタイムチャート、図2(c)は、スイッチング素子Scのオン・オフを示すタイムチャート、図2(d)は、スイッチング素子Sdのオン・オフを示すタイムチャート、図2(e)は、スイッチング素子Saの両端電圧Vaのタイムチャート、図2(f)は、スイッチング素子Sbの両端電圧Vbのタイムチャート、図2(g)は、スイッチング素子Scの両端電圧Vcのタイムチャート、図2(h)は、スイッチング素子Sdの両端電圧Vdのタイムチャートである。 2A is a time chart showing on / off of the switching element Sa, FIG. 2B is a time chart showing on / off of the switching element Sb, and FIG. 2C is an on state of the switching element Sc. FIG. 2D is a time chart showing ON / OFF of the switching element Sd, FIG. 2E is a time chart of the voltage Va across the switching element Sa, and FIG. FIG. 2G is a time chart of the voltage Vc across the switching element Sc, and FIG. 2H is a time chart of the voltage Vd across the switching element Sd.
制御部40は、先ず、負荷60に応じて、DC/DCコンバータ30の位相シフト制御を行う。位相シフト制御において、制御部40は、4つのスイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdを、所定のデューティ比でスイッチング制御する。負荷60が変化すると、制御部40は、一対のスイッチング素子Sa、Sdの一方と他方とのスイッチング位相を変化させる。これにより、スイッチング素子Sa、Sdに電流が流れる期間Ton1が変化する。同様に、制御部40は、もう一対のスイッチング素子Sb、Scの一方と他方とのスイッチング位相を変化させる。これにより、スイッチング素子Sb、Scに電流が流れる期間Ton2が変化する。このような制御により、負荷60の変化に応じて、電流が流れる期間Ton1、Ton2が増減し、出力電力が変化する。
The
制御部40は、さらに、DC/DCコンバータ30をZVS制御する。ZVS制御において、制御部40は、同時にオンしない2つのスイッチング素子Sa、Sbの一方をオフしてから他方をオンするまでにデッドタイムTd1を設ける。同様に、もう一組の同時にオンしない2つのスイッチング素子Sc、Sdについても、一方をオンしてから他方をオンするまでにデッドタイムTd2を設ける。
The
制御部40は、デッドタイムTd1、Td2を、出力電圧検出信号と出力電流検出信号とに基づき、データテーブル50を用いて決定する。データテーブル50には、出力電圧と出力電流毎に最適なデッドタイムTd1、Td2の値が格納されており、制御部40は、これを使用してZVS制御を行う。
The
スイッチング素子Sbがオフしてからスイッチング素子SaがオンするまでのデッドタイムTd1について説明する。最適なデッドタイムTd1の値が使用されることで、デッドタイムTd1の期間終端で、スイッチング素子Saの両端電圧Va(ソース・ドレイン間電圧)をゼロにすることができる(図2(e)を参照)。デッドタイムTd1の共振波形が標準から変化していても、標準的なデッドタイムの値と異なるデッドタイムTd1が使用されることで、デッドタイムTd1の期間終端でスイッチング素子Saの両端電圧Vaをゼロにできる。これにより、スイッチングロスを非常に低くすることができる。 The dead time Td1 from when the switching element Sb is turned off to when the switching element Sa is turned on will be described. By using the optimum value of the dead time Td1, the voltage Va (source-drain voltage) across the switching element Sa can be made zero at the end of the dead time Td1 period (see FIG. 2 (e)). reference). Even if the resonance waveform of the dead time Td1 is changed from the standard, the dead time Td1 different from the standard dead time value is used, so that the voltage Va across the switching element Sa is zero at the end of the dead time Td1 period. Can be. Thereby, a switching loss can be made very low.
スイッチング素子Saがオフしてからスイッチング素子SbがオンするまでのデッドタイムTd1、および、スイッチング素子Sc、Sdに関するデッドタイムTd2についても同様である。 The same applies to the dead time Td1 from when the switching element Sa is turned off to when the switching element Sb is turned on, and the dead time Td2 related to the switching elements Sc and Sd.
<最適なデッドタイムTd1、Td2の説明>
続いて、データテーブル50に格納される最適なデッドタイムTd1、Td2について詳細に説明する。
<Description of optimum dead times Td1 and Td2>
Next, the optimum dead times Td1 and Td2 stored in the data table 50 will be described in detail.
図4は、出力に応じて変化する共振波形の第1例および第2例を示す波形図を示す。図4(a)は標準的な波形図、図4(b)は、標準から変化した波形図である。図5は、出力に応じて変化する共振波形の第3例および第4例を示す波形図を示す。図5(a)は、標準的な波形図、図5(b)は、標準から変化した波形図である。なお、図4と図5の波形は、デッドタイムTd1、Td2の期間終端でスイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdのオン・オフを切り換えずに、共振を継続させた場合の波形を示している。 FIG. 4 is a waveform diagram showing a first example and a second example of a resonance waveform that changes according to the output. FIG. 4A is a standard waveform diagram, and FIG. 4B is a waveform diagram changed from the standard. FIG. 5 is a waveform diagram showing a third example and a fourth example of resonance waveforms that change according to the output. FIG. 5A is a standard waveform diagram, and FIG. 5B is a waveform diagram changed from the standard. 4 and 5 show waveforms when resonance is continued without switching on / off the switching elements Sa, Sb, Sc, and Sd at the end of the dead times Td1 and Td2. .
最適なデッドタイムTd1、Td2は、回路の細部を考慮したシミュレーションから得られる共振波形、または、動作中の回路を実測して得られる共振波形に基づいて、予め決定される。回路のパラメータとしては、出力電圧および出力電流が選択される。想定される複数のパラメータに従って、シミュレーション又は実測を行うことで、想定される複数の動作状態に応じた最適なデッドタイムTd1、Td2を得ることができる。 The optimum dead times Td1 and Td2 are determined in advance based on a resonance waveform obtained from a simulation considering details of a circuit or a resonance waveform obtained by actually measuring a circuit in operation. As the circuit parameters, an output voltage and an output current are selected. By performing simulation or actual measurement according to a plurality of assumed parameters, it is possible to obtain optimum dead times Td1 and Td2 corresponding to a plurality of assumed operating states.
続いて、スイッチング素子Sbがオフしてからスイッチング素子SaがオンされるときのデッドタイムTd1について説明する。なお、スイッチング素子Saがオフしてからスイッチング素子SbがオンされるときのデッドタイムTd1、並びに、スイッチング素子Sc、Sdに関するデッドタイムTd2については、以下と同様なので、詳細な説明を省略する。 Next, the dead time Td1 when the switching element Sa is turned on after the switching element Sb is turned off will be described. Since the dead time Td1 when the switching element Sb is turned on after the switching element Sa is turned off and the dead time Td2 related to the switching elements Sc and Sd are the same as the following, detailed description thereof is omitted.
<第1例>
図4(a)は、DC/DCコンバータ30の出力が、出力電圧400V、出力電流9Aのときに、フルブリッジ型スイッチング回路31の2つの出力ノードn1、n2の間に発生する共振波形を示している。
<First example>
FIG. 4A shows a resonance waveform generated between the two output nodes n1 and n2 of the full bridge
このパラメータのときには、標準的な共振波形が得られると仮定して説明する。すなわち、共振用コイルLrのインダクタンス値と、スイッチング素子Saの寄生容量Crの容量値とから得られるLC共振周期の1/4において、次にオンされるスイッチング素子Saの両端電圧Va(ソース・ドレイン間電圧Vds)がゼロになっている。 In the case of this parameter, description will be made assuming that a standard resonance waveform is obtained. That is, the voltage Va (source / drain) of the switching element Sa that is turned on next is ¼ of the LC resonance period obtained from the inductance value of the resonance coil Lr and the capacitance value of the parasitic capacitance Cr of the switching element Sa. Voltage Vds) is zero.
従って、このパラメータに対応する最適なデッドタイムTd1は、標準的なLC共振周期の1/4となり、この値が、データテーブル50に登録される。 Therefore, the optimum dead time Td1 corresponding to this parameter is 1/4 of the standard LC resonance period, and this value is registered in the data table 50.
<第2例>
図4(b)は、DC/DCコンバータ30の出力が、出力電圧400V、出力電流18Aのときに、フルブリッジ型スイッチング回路31の2つの出力ノードn1、n2の間に発生する共振波形を示している。なお、図4(a)と図4(b)のPFC出力電圧は同じものとする。
<Second example>
FIG. 4B shows a resonance waveform generated between the two output nodes n1 and n2 of the full
このパラメータのときには、標準と異なる共振波形が得られると仮定して説明する。すなわち、共振用コイルLrのインダクタンス値と、スイッチング素子Saの寄生容量Crの容量値とから得られるLC共振周期の1/4では、次にオンされるスイッチング素子Saの両端電圧Va(ソース・ドレイン間電圧Vds)はゼロより低い値となり、両端電圧Vaがゼロとなるタイミングは、LC共振周期の1/4より早くなる。 In the case of this parameter, description will be made assuming that a resonance waveform different from the standard can be obtained. That is, the voltage Va (source / drain) of the switching element Sa that is turned on next is ¼ of the LC resonance period obtained from the inductance value of the resonance coil Lr and the capacitance value of the parasitic capacitance Cr of the switching element Sa. The voltage Vds) is lower than zero, and the timing when the both-end voltage Va becomes zero is earlier than ¼ of the LC resonance period.
従って、このパラメータに対応する最適なデッドタイムTd1は、標準的なLC共振周期の1/4よりも短い値(図4(b)のTd1)となり、この値が、データテーブル50に登録される。 Therefore, the optimum dead time Td1 corresponding to this parameter is a value shorter than 1/4 of the standard LC resonance period (Td1 in FIG. 4B), and this value is registered in the data table 50. .
<第3例>
図5(a)は、DC/DCコンバータ30の出力が、出力電圧400V、出力電流9A(出力電力3.6kW)のときに、フルブリッジ型スイッチング回路31の2つの出力ノードn1、n2の間に発生する共振波形を示している。
<Third example>
FIG. 5A shows a state between the two output nodes n1 and n2 of the full bridge
このパラメータのときには、標準的な共振波形が得られると仮定して説明する。すなわち、共振用コイルLrのインダクタンス値と、スイッチング素子Saの寄生容量Crの容量値とから得られるLC共振周期の1/4で、次にオンされるスイッチング素子Saの両端電圧Va(ソース・ドレイン間電圧Vds)はゼロになっている。 In the case of this parameter, description will be made assuming that a standard resonance waveform is obtained. That is, the voltage Va (source / drain) of the switching element Sa that is turned on next is ¼ of the LC resonance period obtained from the inductance value of the resonance coil Lr and the capacitance value of the parasitic capacitance Cr of the switching element Sa. The voltage Vds) is zero.
従って、このパラメータに対応する最適なデッドタイムTd1は、標準的なLC共振周期の1/4となり、この値が、データテーブル50に登録される。 Therefore, the optimum dead time Td1 corresponding to this parameter is 1/4 of the standard LC resonance period, and this value is registered in the data table 50.
<第4例>
図5(b)は、DC/DCコンバータ30の出力が、出力電圧200V、出力電流18A(出力電力3.6kW)のときに、フルブリッジ型スイッチング回路31の2つの出力ノードn1、n2の間に発生する共振波形を示している。図5(b)では、図5(a)と出力電力が同一となるパラメータが設定されている。なお、図5(a)と図5(b)のPFC出力電圧は同じものとする。
<Fourth example>
FIG. 5B shows a state between the two output nodes n1 and n2 of the full bridge
このパラメータのときには、標準と異なる共振波形が得られると仮定して説明する。すなわち、共振用コイルLrのインダクタンス値と、スイッチング素子Saの寄生容量Crの容量値とから得られるLC共振周期の1/4では、次にオンされるスイッチング素子Saの両端電圧Va(ソース・ドレイン間電圧Vds)はゼロより低い値となり、両端電圧Vaがゼロとなるタイミングは、LC共振周期の1/4より早くなる。 In the case of this parameter, description will be made assuming that a resonance waveform different from the standard can be obtained. That is, the voltage Va (source / drain) of the switching element Sa that is turned on next is ¼ of the LC resonance period obtained from the inductance value of the resonance coil Lr and the capacitance value of the parasitic capacitance Cr of the switching element Sa. The voltage Vds) is lower than zero, and the timing when the both-end voltage Va becomes zero is earlier than ¼ of the LC resonance period.
従って、このパラメータに対応する最適なデッドタイムTd1は、標準的なLC共振周期の1/4よりも短い値(図5(b)のTd1)となり、この値が、データテーブル50に登録される。 Therefore, the optimum dead time Td1 corresponding to this parameter is a value shorter than 1/4 of the standard LC resonance period (Td1 in FIG. 5B), and this value is registered in the data table 50. .
なお、上記の第1例から第4例は、標準的な共振波形と、標準と異なる共振波形の一例とを示した。しかし、標準と異なる共振波形は、出力電圧および出力電流のパラメータによって種々に変形する。よって、パラメータの値を様々に変化させてシミュレーションまたは回路の実測を行い、パラメータの各値に対応する最適なデッドタイムTd1、Td2を予め求め、これらをデータテーブル50に登録する。これにより、最適なデッドタイムTd1、Td2により、最適なZVS制御が達成され、スイッチングロスを非常に少なくすることができる。 In the first to fourth examples, a standard resonance waveform and an example of a resonance waveform different from the standard are shown. However, the resonance waveform different from the standard is variously deformed depending on the parameters of the output voltage and the output current. Therefore, the parameter values are changed in various ways, the simulation or the actual measurement of the circuit is performed, the optimum dead times Td1 and Td2 corresponding to the respective parameter values are obtained in advance, and these are registered in the data table 50. Thereby, the optimum ZVS control is achieved by the optimum dead times Td1 and Td2, and the switching loss can be greatly reduced.
<実施の形態2>
実施の形態2では、制御部40は、出力電圧および出力電流に加えて、PFC出力電圧も参照して、最適なデッドタイムTd1、Td2を決定する。
<Embodiment 2>
In the second embodiment, the
実施の形態2のデータテーブル50は、PFC出力電圧、ならびに負荷60へ供給される出力電圧および出力電流と、最適なデッドタイムTd1、Td2と、が対応づけられたデータテーブルを有する。
The data table 50 according to the second embodiment has a data table in which the PFC output voltage, the output voltage and output current supplied to the
実施の形態2の制御部40は、PFC回路13のスイッチング素子S11、S12の制御端子に、PFCスイッチング信号を出力して、スイッチング素子S11、S12をオン・オフする。これにより、制御部40は、目標のPFC出力電圧(例えば400V)が得られるよう、且つ、交流電源Vsに流出する高調波が抑制されるように、PFC回路13を制御する。
The
制御部40は、PFC出力電圧と出力電圧検出信号と出力電流検出信号とに基づき、データテーブル50を用いて、デッドタイムTd1、Td2を決定する。また、制御部40は、スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdの制御端子に、DC/DCスイッチング信号を出力し、スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdのオン・オフを制御する。これにより、負荷60に応じた出力電圧および出力電流が得られるように、DC/DCコンバータ30が動作する。
The
<最適なデッドタイムTd1、Td2の説明>
続いて、データテーブル50に格納される最適なデッドタイムTd1、Td2について詳細に説明する。
<Description of optimum dead times Td1 and Td2>
Next, the optimum dead times Td1 and Td2 stored in the data table 50 will be described in detail.
図6は、入出力に応じて変化する共振波形の第5例および第6例を示す波形図を示す。図6(a)は標準的な波形図、図6(b)は、標準から変化した波形図である。図7は、入出力に応じて変化する共振波形の第7例および第8例を示す波形図を示す。図7(a)は、標準的な波形図、図7(b)は、標準から変化した波形図である。なお、図6と図7の波形は、デッドタイムTd1、Td2の期間終端でスイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdのオン・オフを切り換えずに、共振を継続させた場合の波形を示している。 FIG. 6 is a waveform diagram showing fifth and sixth examples of resonance waveforms that change according to input and output. FIG. 6A is a standard waveform diagram, and FIG. 6B is a waveform diagram changed from the standard. FIG. 7 is a waveform diagram showing a seventh example and an eighth example of resonance waveforms that change according to input / output. FIG. 7A is a standard waveform diagram, and FIG. 7B is a waveform diagram changed from the standard. 6 and 7 show waveforms when resonance is continued without switching on / off of the switching elements Sa, Sb, Sc, Sd at the end of the dead times Td1, Td2. .
最適なデッドタイムTd1、Td2は、回路の細部を考慮したシミュレーションから得られる共振波形、または、動作中の回路を実測して得られる共振波形に基づいて、予め決定される。回路のパラメータとしては、PFC出力電圧、出力電圧および出力電流が選択される。想定される複数のパラメータに従って、シミュレーション又は実測を行うことで、想定される複数の動作状態に応じた最適なデッドタイムTd1、Td2を得ることができる。 The optimum dead times Td1 and Td2 are determined in advance based on a resonance waveform obtained from a simulation considering details of a circuit or a resonance waveform obtained by actually measuring a circuit in operation. As circuit parameters, PFC output voltage, output voltage and output current are selected. By performing simulation or actual measurement according to a plurality of assumed parameters, it is possible to obtain optimum dead times Td1 and Td2 corresponding to a plurality of assumed operating states.
続いて、スイッチング素子Sbがオフしてからスイッチング素子SaがオンされるときのデッドタイムTd1について説明する。なお、スイッチング素子Saがオフしてからスイッチング素子SbがオンされるときのデッドタイムTd1、並びに、スイッチング素子Sc、Sdに関するデッドタイムTd2については、以下と同様なので、詳細な説明を省略する。 Next, the dead time Td1 when the switching element Sa is turned on after the switching element Sb is turned off will be described. Since the dead time Td1 when the switching element Sb is turned on after the switching element Sa is turned off and the dead time Td2 related to the switching elements Sc and Sd are the same as the following, detailed description thereof is omitted.
<第5例>
図6(a)は、PFC出力電圧が400V、DC/DCコンバータ30の出力電圧300V、出力電流9Aのときに、フルブリッジ型スイッチング回路31の2つの出力ノードn1、n2の間に発生する共振波形を示している。
<Fifth example>
FIG. 6A shows the resonance that occurs between the two output nodes n1 and n2 of the full-
このパラメータのときには、標準的な共振波形が得られると仮定して説明する。すなわち、共振用コイルLrのインダクタンス値と、スイッチング素子Saの寄生容量Crの容量値とから得られるLC共振周期の1/4において、次にオンされるスイッチング素子Saの両端電圧Va(ソース・ドレイン間電圧Vds)がゼロになっている。 In the case of this parameter, description will be made assuming that a standard resonance waveform is obtained. That is, the voltage Va (source / drain) of the switching element Sa that is turned on next is ¼ of the LC resonance period obtained from the inductance value of the resonance coil Lr and the capacitance value of the parasitic capacitance Cr of the switching element Sa. Voltage Vds) is zero.
従って、このパラメータに対応する最適なデッドタイムTd1は、標準的なLC共振周期の1/4となり、この値が、データテーブル50に登録される。 Therefore, the optimum dead time Td1 corresponding to this parameter is 1/4 of the standard LC resonance period, and this value is registered in the data table 50.
<第6例>
図6(b)は、PFC出力電圧が350V、DC/DCコンバータ30の出力電圧300V、出力電流9Aのときに、フルブリッジ型スイッチング回路31の2つの出力ノードn1、n2の間に発生する共振波形を示している。
<Sixth example>
FIG. 6B shows resonance that occurs between the two output nodes n1 and n2 of the full-
このパラメータのときには、標準と異なる共振波形が得られると仮定して説明する。すなわち、共振用コイルLrのインダクタンス値と、スイッチング素子Saの寄生容量Crの容量値とから得られるLC共振周期の1/4では、次にオンされるスイッチング素子Saの両端電圧Va(ソース・ドレイン間電圧Vds)はゼロより低い値となり、両端電圧Vaがゼロとなるタイミングは、LC共振周期の1/4より早くなる。 In the case of this parameter, description will be made assuming that a resonance waveform different from the standard can be obtained. That is, the voltage Va (source / drain) of the switching element Sa that is turned on next is ¼ of the LC resonance period obtained from the inductance value of the resonance coil Lr and the capacitance value of the parasitic capacitance Cr of the switching element Sa. The voltage Vds) is lower than zero, and the timing when the both-end voltage Va becomes zero is earlier than ¼ of the LC resonance period.
従って、このパラメータに対応する最適なデッドタイムTd1は、標準的なLC共振周期の1/4よりも短い値(図6(b)のTd1)となり、この値が、データテーブル50に登録される。 Therefore, the optimum dead time Td1 corresponding to this parameter is a value shorter than 1/4 of the standard LC resonance period (Td1 in FIG. 6B), and this value is registered in the data table 50. .
<第7例>
図7(a)は、PFC出力電圧が400V、DC/DCコンバータ30の出力電圧300V、出力電流9Aのときに、フルブリッジ型スイッチング回路31の2つの出力ノードn1、n2の間に発生する共振波形を示している。
<Seventh example>
FIG. 7A shows the resonance that occurs between the two output nodes n1 and n2 of the full-
このパラメータのときには、標準的な共振波形が得られると仮定して説明する。すなわち、共振用コイルLrのインダクタンス値と、スイッチング素子Saの寄生容量Crの容量値とから得られるLC共振周期の1/4で、次にオンされるスイッチング素子Saの両端電圧Va(ソース・ドレイン間電圧Vds)はゼロになっている。 In the case of this parameter, description will be made assuming that a standard resonance waveform is obtained. That is, the voltage Va (source / drain) of the switching element Sa that is turned on next is ¼ of the LC resonance period obtained from the inductance value of the resonance coil Lr and the capacitance value of the parasitic capacitance Cr of the switching element Sa. The voltage Vds) is zero.
従って、このパラメータに対応する最適なデッドタイムTd1は、標準的なLC共振周期の1/4となり、この値が、データテーブル50に登録される。 Therefore, the optimum dead time Td1 corresponding to this parameter is 1/4 of the standard LC resonance period, and this value is registered in the data table 50.
<第8例>
図7(b)は、PFC出力電圧が400V、DC/DCコンバータ30の出力電圧350V、出力電流9Aのときに、フルブリッジ型スイッチング回路31の2つの出力ノードn1、n2の間に発生する共振波形を示している。
<Eighth example>
FIG. 7B shows the resonance generated between the two output nodes n1 and n2 of the full-
このパラメータのときには、標準と異なる共振波形が得られると仮定して説明する。すなわち、共振用コイルLrのインダクタンス値と、スイッチング素子Saの寄生容量Crの容量値とから得られるLC共振周期の1/4では、次にオンされるスイッチング素子Saの両端電圧Va(ソース・ドレイン間電圧Vds)はゼロより低い値となり、両端電圧Vaがゼロとなるタイミングは、LC共振周期の1/4より早くなる。 In the case of this parameter, description will be made assuming that a resonance waveform different from the standard can be obtained. That is, the voltage Va (source / drain) of the switching element Sa that is turned on next is ¼ of the LC resonance period obtained from the inductance value of the resonance coil Lr and the capacitance value of the parasitic capacitance Cr of the switching element Sa. The voltage Vds) is lower than zero, and the timing when the both-end voltage Va becomes zero is earlier than ¼ of the LC resonance period.
従って、このパラメータに対応する最適なデッドタイムTd1は、標準的なLC共振周期の1/4よりも短い値(図7(b)のTd1)となり、この値が、データテーブル50に登録される。 Therefore, the optimum dead time Td1 corresponding to this parameter is a value shorter than 1/4 of the standard LC resonance period (Td1 in FIG. 7B), and this value is registered in the data table 50. .
実施の形態2では、出力電圧および出力電流に加えて、PFC出力電圧も参照して、最適なデッドタイムTd1、Td2を決定する。そのため、より正確にDC/DCコンバータ30にかかる負荷が想定でき、よりスイッチングロスを大幅に抑制できるデッドタイムTd1、Td2を使用することできる。
In the second embodiment, the optimum dead times Td1 and Td2 are determined by referring to the PFC output voltage in addition to the output voltage and the output current. Therefore, the load applied to the DC /
<実施の形態3>
実施の形態3では、さらに、制御部40は、PFC出力電圧を、PFC回路13の入力とDC/DCコンバータ30の出力に基づいて決定する。そして、制御部40は、PFC出力電圧、出力電圧、および出力電流に基づき、最適なデッドタイムTd1、Td2を決定する。なお、PFC出力電圧を制御する制御部と、デッドタイムを制御する制御部とを別個に設けてもよい。
<Embodiment 3>
In the third embodiment, the
実施の形態3のデータテーブル50は、PFC回路13の入力電圧および入力電流、ならびに負荷60へ供給される出力電圧および出力電流と、目標のPFC出力電圧と、が対応づけられた第1のデータテーブルを有する。
The data table 50 according to the third embodiment includes first data in which the input voltage and input current of the
なお、本実施の形態では、入力電圧、入力電流、出力電圧および出力電流と、目標のPFC出力電圧と、が対応づけられた場合を例示するが、例えば、入力電圧および出力電圧と、目標のPFC出力電圧と、が対応づけられたデータテーブルであってもよい。また、入力電圧、入力電流、出力電圧および出力電流のすべてを検出するのではなく、入力電圧、入力電流、出力電圧および出力電流のうち3つを検出し、残りの1つは該3つの検出結果から推定しても良い。 In this embodiment, the case where the input voltage, the input current, the output voltage, and the output current are associated with the target PFC output voltage is exemplified. For example, the input voltage, the output voltage, the target PFC, It may be a data table in which the PFC output voltage is associated. Instead of detecting all of the input voltage, input current, output voltage, and output current, three of the input voltage, input current, output voltage, and output current are detected, and the remaining one is the three detections. It may be estimated from the result.
データテーブル50は、さらに、PFC出力電圧、ならびに負荷60へ供給される出力電圧および出力電流と、最適なデッドタイムTd1、Td2と、が対応づけられた第2のデータテーブルを有する。
The data table 50 further includes a second data table in which the PFC output voltage, the output voltage and output current supplied to the
実施の形態3の制御部40は、PFC回路13のスイッチング素子S11、S12の制御端子に、PFCスイッチング信号を出力して、スイッチング素子S11、S12をオン・オフする。これにより、制御部40は、目標のPFC出力電圧が得られるよう、且つ、交流電源Vsに流出する高調波が抑制されるように、PFC回路13を制御する。
The
制御部40は、入力電流検出信号、入力電圧検出信号、出力電流検出信号、出力電圧検出信号に基づき、目標のPFC出力電圧を決定する。このとき、制御部40は、データテーブル50を用いて、目標のPFC出力電圧を得てもよい。
The
制御部40は、スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdの制御端子に、DC/DCスイッチング信号を出力し、スイッチング素子Sa、Sb、Sc、Sdのオン・オフを制御する。これにより、負荷60に応じた出力電圧および出力電流が得られるように、DC/DCコンバータ30が動作する。
The
制御部40は、PFC出力電圧と出力電圧検出信号と出力電流検出信号とに基づき、データテーブル50を用いて、デッドタイムTd1、Td2を決定する。この場合、データテーブル50には、PFC出力電圧と出力電圧と出力電流とに最適なデッドタイムTd1、Td2の値を格納しておけばよい。
The
続いて、目標のPFC出力電圧の決定方法について詳細に説明する。 Next, a method for determining the target PFC output voltage will be described in detail.
PFC回路13およびDC/DCコンバータ30を有するスイッチング電源装置において、スイッチング電源装置全体の電力変換効率を良くするため、PFC出力電圧をPFC回路13の入力とDC/DCコンバータ30の出力に基づいて決定する。具体的には、制御部40は、入力電流検出信号、入力電圧検出信号、出力電流検出信号、出力電圧検出信号と、データテーブル50が有する第1のデータテーブルに基づいて、最適な「目標のPFC出力電圧」を決定する。
In the switching power supply device having the
なお、第1のデータテーブルは、基本的には、PFC回路13の入力およびDC/DCコンバータ30の出力がともに大きくなるほど、目標のPFC出力電圧が大きくなるようなテーブルである。
Note that the first data table is basically a table in which the target PFC output voltage increases as the input of the
そして、制御部40は、決定した目標のPFC出力電圧が得られるよう、PFC回路13を制御する一方、PFC出力電圧と出力電圧検出信号と出力電流検出信号とに基づき、データテーブル50を用いて、デッドタイムTd1、Td2を決定する。デッドタイムTd1、Td2の決定方法については、実施の形態2と同様であるため、省略する。
The
実施の形態3では、PFC回路13の入力およびDC/DCコンバータ30の出力に基づいてPFC出力電圧を動的に変更する。これにより、スイッチング電源装置全体の電力変換効率を良くすることができる。
In the third embodiment, the PFC output voltage is dynamically changed based on the input of the
さらに、実施の形態3では、PFC出力電圧と出力電圧検出信号と出力電流検出信号とに基づき、デッドタイムTd1、Td2を決定するため、PFC出力電圧の変更に伴い、デッドタイムTd1、Td2も動的に変更することが可能となる。これにより、スイッチング電源装置全体の電力変換効率の向上とスイッチングロスの抑制を実現でき、高い電力変換効率を実現できる。 Further, in the third embodiment, since the dead times Td1 and Td2 are determined based on the PFC output voltage, the output voltage detection signal, and the output current detection signal, the dead times Td1 and Td2 are also moved along with the change of the PFC output voltage. Can be changed automatically. Thereby, improvement of the power conversion efficiency of the whole switching power supply device and suppression of switching loss can be realized, and high power conversion efficiency can be realized.
以上のように、実施の形態のスイッチング電源装置によれば、位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータにおいて、ZVS制御により得られる共振波形が標準的な波形と異なる場合でも、標準的な値と異ならせたデッドタイムTd1、Td2を使用することで、スイッチングロスを大幅に抑制し、高い電力変換効率を実現できる。さらに、実施の形態のスイッチング電源装置によれば、先行技術文献1のように、可飽和チョークコイルを用いていないので、大型化を抑制した上で、高い電力変換効率を実現できる。
As described above, according to the switching power supply device of the embodiment, even when the resonance waveform obtained by the ZVS control is different from the standard waveform in the phase shift full-bridge DC / DC converter, the standard value is obtained. By using the dead times Td1 and Td2 that are different from the above, switching loss can be significantly suppressed and high power conversion efficiency can be realized. Furthermore, according to the switching power supply device of the embodiment, since the saturable choke coil is not used as in the
以上、本発明の各実施の形態について説明した。 The embodiments of the present invention have been described above.
なお、上記実施の形態では、スイッチング電源装置として、DC/DCコンバータ30の前段にAC/DCコンバータ10を有する構成を示したが、AC/DCコンバータ10を有さないスイッチング電源装置としてもよい。この場合、実施の形態の説明において、PFC出力電圧を、DC/DCコンバータ30の入力直流電圧と置き換えれば、実施の形態と同様の作用が得られる。
In the above embodiment, the configuration including the AC /
また、上記実施の形態では、データテーブルを用いて最適なデッドタイムを決定する構成を示しているが、計算式を用いてデットタイムを決定してもよい。 Moreover, although the said embodiment showed the structure which determines optimal dead time using a data table, you may determine dead time using a calculation formula.
その他、実施の形態で具体的に説明した細部は、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。 In addition, the details specifically described in the embodiments can be changed as appropriate without departing from the spirit of the invention.
本発明は、位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータを有するスイッチング電源装置に利用できる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used for a switching power supply device having a phase shift full bridge type DC / DC converter.
10 AC/DCコンバータ
11 整流回路
13 PFC回路
14 入力電圧検出部
15 入力電流検出部
22 PFC出力電圧検出部
30 DC/DCコンバータ
31 フルブリッジ型スイッチング回路
32 整流回路
34 出力電流検出部
35 出力電圧検出部
40 制御部
50 データテーブル
60 負荷
L11、L12 チョークコイル
S11、S12 スイッチング素子
C10、C21 平滑コンデンサ
Sa、Sb、Sc、Sd スイッチング素子
Lr 共振用コイル
Tr トランス
L31 チョークコイル
C31 バイパスコンデンサ
DESCRIPTION OF
Claims (2)
力率改善回路と、
前記力率改善回路より後段に設けられ、フルブリッジ型スイッチング回路を有する位相シフト・フルブリッジ方式のDC/DCコンバータと、
前記交流電源から入力される入力電流を検出する入力電流検出回路と、
前記交流電源から入力される入力電圧を検出する入力電圧検出回路と、
前記負荷へ供給される出力電流を検出する出力電流検出回路と、
前記負荷へ供給される出力電圧を検出する出力電圧検出回路と、
前記力率改善回路から前記DC/DCコンバータへ入力されるPFC出力電圧を検出するPFC出力電圧検出回路を備え、
前記フルブリッジ型スイッチング回路のデッドタイムを動的に変更する制御部と、
を備え、
前記力率改善回路は、前記制御部によりスイッチング制御されるスイッチング素子を有するアクティブ型の力率改善回路であり、
前記制御部は、前記PFC出力電圧が、前記入力電流、前記入力電圧、前記出力電流、および前記出力電圧に基づき決定された目標電圧になるように前記力率改善回路の前記スイッチング素子を制御し、且つ、前記PFC出力電圧、前記出力電流および前記出力電圧に基づいて、前記デッドタイムを動的に変更し、変更された前記デッドタイムを適用して、前記フルブリッジ型スイッチング回路のスイッチング制御を行う、
スイッチング電源装置。 A switching power supply device that converts input power input from an AC power source and supplies it to a load,
A power factor correction circuit;
A DC / DC converter of a phase shift full bridge system provided at a stage subsequent to the power factor correction circuit and having a full bridge switching circuit;
An input current detection circuit for detecting an input current input from the AC power supply;
An input voltage detection circuit for detecting an input voltage input from the AC power supply;
An output current detection circuit for detecting an output current supplied to the load;
An output voltage detection circuit for detecting an output voltage supplied to the load;
A PFC output voltage detection circuit for detecting a PFC output voltage input from the power factor correction circuit to the DC / DC converter;
A control unit for dynamically changing the dead time provided before the SL full bridge switching circuit,
With
The power factor correction circuit is an active power factor correction circuit having a switching element that is switching-controlled by the controller.
The control unit controls the switching element of the power factor correction circuit so that the PFC output voltage becomes a target voltage determined based on the input current, the input voltage, the output current, and the output voltage. And dynamically changing the dead time based on the PFC output voltage, the output current and the output voltage, and applying the changed dead time to control the switching of the full-bridge switching circuit. Do,
Switching power supply.
前記データテーブルに登録されたデータには、前記デッドタイムを、前記フルブリッジ型スイッチング回路に発生する共振の1/4周期としたときよりも、電力変換効率が向上する前記デッドタイムの値が含まれ、
前記制御部は、前記データテーブルに基づいて、前記デッドタイムを動的に変化させる、
請求項1に記載のスイッチング電源装置。 A data table in which the PFC output voltage, the output current and the output voltage are associated with the dead time;
The data registered in the data table includes the value of the dead time that improves the power conversion efficiency compared to when the dead time is set to ¼ period of resonance generated in the full-bridge switching circuit. And
The control unit dynamically changes the dead time based on the data table.
The switching power supply device according to claim 1 .
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