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JP5851267B2 - インバータ及び車両制御装置 - Google Patents

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JP5851267B2 JP2012024356A JP2012024356A JP5851267B2 JP 5851267 B2 JP5851267 B2 JP 5851267B2 JP 2012024356 A JP2012024356 A JP 2012024356A JP 2012024356 A JP2012024356 A JP 2012024356A JP 5851267 B2 JP5851267 B2 JP 5851267B2
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Description

本発明の実施形態は、VVVFインバータ及び車両制御装置に関する。
近年Si(炭化珪素)を用いた電力用半導体素子の研究開発が進められている。Si(炭化珪素)は従来のSiよりも半導体特性が優れ、特に絶縁破壊強度の高さからからSiに比べ半導体接合部の厚みの薄い素子、すなわち導通損失の小さい素子が実現可能となっている。
そこで、車両制御装置の電力変換器である、例えば、車両用VVVFインバータにおいて、その半導体素子パッケージ内の還流ダイオードにSi(炭化珪素)を用いた半導体素子パッケージが実用化されつつある(例えば、特許文献1参照)。インバータ回路の還流ダイオードにSi(炭化珪素)を適用した場合、従来のSiによるダイオードとは異なりターンオフ時の逆回復がなくなり、ダイオードリカバリ損失がほぼ無視できるため、VVVFインバータの電力損失が低減し、装置の高効率化・小型化を実現できるメリットがある。
特開2001−245479号公報
さらに、半導体素子パッケージ内のスイッチング側の素子であるトランジスタ部分にもSi(炭化珪素)を用いることにより、インバータがスイッチングするときに生じるスイッチング損失を低減させることも可能であり、更なる装置の高効率化を実現できるメリットがある。
一方、車両のき電システムでは、多くのVVVFインバータの直流側電圧すなわち架線電圧は1500Vである。インバータスイッチング時のサージ電圧に耐える必要性があることから、インバータには架線電圧の倍の電圧に耐えることのできる素子が必要である。このことから、現在ではインバータには定格電圧3300V以上の素子が使用されている。
しかし、現在のところ、Si(炭化珪素)を用いたダイオードまたは、トランジスタのもつ定格電圧は1700V程度である。また、今後ダイオード部はさらに高耐圧化の可能性が高いが、トランジスタ側の更なる高耐圧化の目途は立っていない。
本発明が解決しようとする課題は、車両制御装置の更なる高効率化を実現することである。
上記課題を解決するための本発明の実施の形態によれば、各相それぞれに設けられ、炭化珪素を用いたスイッチング用のトランジスタとこのトランジスタに逆並列接続され炭化珪素を用いた還流用のダイオードとを有する第1の半導体素子および第2の半導体素子とを有する上アーム側の半導体素子パッケージと、前記各相それぞれに設けられ、炭化珪素を用いたスイッチング用のトランジスタとこのトランジスタに逆並列接続され炭化珪素を用いた還流用のダイオードとを有する第3の半導体素子および第4の半導体素子とを有する下アーム側の半導体素子パッケージと、前記第1の半導体素子の負極端子と前記第2の半導体素子の正極端子に接続された上アーム側の導体と、前記第3の半導体素子の負極端子と前記第4の半導体素子の正極端子に接続された第1の下アーム側の導体と、前記各相それぞれに設けられ、前記第2の半導体素子の負極端と前記第3の半導体素子の正極端子に接続された交流側の導体と、前記各相の前記第1の半導体素子の正極端子に接続された正極側の導体と、前記各相の前記第4の半導体素子の負極端子に接続された負極側の導体と、を備え、前記上アーム側および下アーム側の半導体素子パッケージ、前記上アーム側の導体および下アーム側の導体、前記各相の交流側の導体、前記正極側の導体、および前記負極側の導体は、ベース上で階層配置され、さらに、前記上アーム側の導体と下アーム側の導体は同一面上に、前記上アーム側および下アーム側の半導体素子パッケージは、前記上アーム側の導体および下アーム側の導体と前記ベースの間に、そして、前記各相の交流側の導体と前記正極側の導体と前記負極側の導体は、前記上アーム側の導体および下アーム側の導体に対して前記ベースと反対側に、それぞれ配置されていることを特徴とするインバータが提供される。
第1の実施形態の車両制御装置の構成を示す図。 第1の実施形態の車両制御装置のインバータの導体構成を示す斜視図。 第1の実施形態の車両制御装置の一相分構成要素を示すU相側からの側面図。 第1の実施形態の車両制御装置の一相分構成要素に実装される導体とインバータ回路との対応を示す図。 第2の実施の形態の車両制御装置のインバータの一相の構成を示す図。 第3の実施の形態の車両制御装置の構成を示す図。
[第1の実施の形態]
第1の実施形態について図を参照し、詳細に説明する。
図1は、第1の実施形態の車両制御装置の構成を示す図である。
直流電力が架線(不図示)から集電装置1を介して車両制御装置100に取り込まれる。車両制御装置100は、取り込んだ直流電力を交流に変換し、その交流電力を交流電動機11に供給することによって車両を走行させる。ここで、架線からは、例えば定格が直流電圧1500Vの直流電力が供給される。集電装置1は、架線と電気的に接触するようになされる、例えばパンタグラフである。
車両制御装置100は、高速度遮断器2、充電抵抗3、接触器4、接触器5、フィルタリアクトル6、フィルタコンデンサ7、インバータ9、制御ユニット32、駆動基板34を備えている。
高速度遮断器2は、異常な直流電流が検知されたことにより、故障電流を遮断する。接触器4及び接触器5は、集電装置1とインバータ9とを接続する電気経路を切断又は接続する。充電抵抗3は、接触器4の両端に接続されて、接触器5を投入したときに、急激な電流が発生することを抑制する。
フィルタリアクトル6は、集電装置1とインバータ9とを接続する電気経路の間に直列に設けられている。フィルタコンデンサ7は、インバータ9の直流電力側の正極端子と負極端子との間に設けられている。フィルタリアクトル6及びフィルタコンデンサ7は、インバータ9に入力される直流電力のフィルタ回路を構成する。また、インバータ9の負極端子は、車輪10を介してレール(アース)と接続されている。
インバータ9は、VVVF(Variable Voltage Variable Frequency)インバータである。インバータ9は、集電装置1を介して供給された直流電力を交流電力に変換して交流電動機11に出力する。図1に示すように、インバータ9は、例えば、U相、V相、W相の3相インバータとして構成されているとともに、負荷対象として、交流電動機11に電力を供給するインバータ回路を一体に備えている。
制御ユニット32は、交流電動機11へ流れる電流を検出する電流検出器(不図示)からの電流情報やフィルタコンデンサ7に印加される電圧等に基づき、インバータ9を制御する。駆動基板34は、制御ユニット32からの制御信号に基づき、後述する一相分構成要素の半導体素子のゲートを駆動するための駆動回路を有する。駆動基板34には、半導体素子を駆動する駆動回路36が半導体素子に対応して設けられている。
インバータ9は、それぞれU相、V相、W相に対応する3つの一相分構成要素16、18、20を備えている。一相分構成要素16、18、20は、それぞれ同一の構成を有していることから、一相分構成要素16を代表して説明する。
一相分構成要素16には、インバータ9におけるU相の上側アームを構成する第1半導体素子パッケージ16a、U相の下側アームを構成する第2半導体素子パッケージ16bが設けられている。
第1半導体素子パッケージ16aには、スイッチング素子であるIGBT(insulated gate bipolar transistor)411a及びIGBT412aが直列に接続され、さらに還流ダイオード511a、512aがそれぞれIGBT411a、IGBT412aに並列に接続されている。即ち、スイッチング素子と還流ダイオードとで構成される半導体素子が直列に2段接続された、2in1の構成である。そして、IGBT411a、412aと還流ダイオード511a、512aにはいずれもSi(炭化珪素)が用いられている。
第2半導体素子パッケージ16bには、スイッチング素子であるIGBT411b及びIGBT412bが直列に接続され、さらに還流ダイオード511b、512bがそれぞれIGBT411b、IGBT412bに並列に接続されている。即ち、スイッチング素子と還流ダイオードとで構成される半導体素子が直列に2段接続された、2in1の構成である。そして、IGBT411b、412bと還流ダイオード511b、512bにはいずれもSi(炭化珪素)が用いられている。
続いて、インバータ9の導体構成について説明する。なお、一相分構成要素16、18、20は、それぞれ同一の構成を有していることから、主に一相分構成要素16について説明する。
図2は、インバータ9の導体構成を示す斜視図、図3は、一相分構成要素16を示すU相側からの側面図、図4は、インバータ9の平面図である。図4には、一相分構成要素16に実装される導体とインバータ回路との対応を示している。
図2、図3に示すように、一相分構成要素16、18、20は、ベースとして機能する平板状の冷却器67上に載置される。冷却器67の載置面の裏面には、ヒートシンクなどの冷却機構が設けられている。冷却器67の載置面上には、一相分構成要素16を構成する、角柱形状の第1半導体素子パッケージ16aと角柱形状の第2半導体素子パッケージ16bとが載置面上に並んで配置されている。
図4に示すように、第1半導体素子パッケージ16aには、入出力端子として正極(それぞれコレクタ、カソード)側端子C1a、C2a、負極(それぞれエミッタ、アノード)側端子E1a、E2a、及びゲート端子(不図示)が設けられている。
また、第2半導体素子パッケージ16bには、入出力端子として正極(それぞれコレクタ、カソード)側端子C1b、C2b、負極(それぞれエミッタ、アノード)側端子E1b、E2b、及びゲート端子(不図示)が設けられている。
これらの入出力端子は、各導体と電気的に接続する。即ち、第1半導体素子パッケージ16aの2つの半導体素子を接続するため短絡導体74aが負極側端子E1aと正極側端子C2aとを電気的に接続する。第2半導体素子パッケージ16bの2つの半導体素子を接続するため短絡導体74bが負極側端子E1bと正極側端子C2bとを電気的に接続する。
また、U相導体73Uが第1半導体素子パッケージ16aの負極側端子E2a及び第2半導体素子パッケージ16bの正極側端子C1bと電気的に接続する。ここで、U相導体73Uは、出力用短絡導体として把握することができる。
図2、図3、図4に示すように、第1半導体素子パッケージ16aと第2半導体素子パッケージ16b内には、それぞれスイッチング素子と還流ダイオードとで構成される角柱形状の半導体素子が2つ並んで配置されている。それぞれの半導体素子の上面には、正極端子C1a,C2a、C1b、C2bと負極端子E1a,E2a、E1b、E2bとが突出して形成されている。また1つの半導体素子パッケージ内の半導体素子は互いの正極端子同士(負極端子同士)が隣接しないように逆方向に向けて並べて配されている。半導体素子の正極端子と負極端子とを結ぶ方向は、第1半導体素子パッケージ16aと第2半導体素子パッケージ16bとが配列する方向と直交している。
第1半導体素子パッケージ16a内の隣接する一組の正極端子C2a、及び負極端子E1aの上には、これらの端子を電気的に接続するための平板状の短絡導体74aが設けられている。第2半導体素子パッケージ16b内の隣接する一組の正極端子C2b、及び負極端子E1bの上には、これらの端子を電気的に接続するための平板状の短絡導体74bが設けられている。
そして、短絡導体74a、74bの上方には、電源の正極と接続するための正極側ラミネート導体71が設けられ、第1半導体素子パッケージ16a内の正極端子C1aと電気的に接続されている。また、短絡導体74a、74bの上方には、電源の負極と接続するための負極側ラミネート導体72が設けられ、第2半導体素子パッケージ16b内の負極端子E2bと電気的に接続されている。更に、短絡導体74a、74bの上方には、U相の交流電流を交流電動機11に供給するための、U相導体73Uが設けられ、第1半導体素子パッケージ16aの負極端子E2aと第2半導体素子パッケージ16bの正極端子C1Bとを接続する
一相分構成要素18、20の導体構成についても、上述の一相分構成要素16と同様の構成であるので、その詳細の説明は省略する。一相分構成要素18、20はそれぞれ、一相分構成要素16と並んで載置面上に配置される。即ち、一相分構成要素18に設けられたV相の交流電流を交流電動機11に供給するためのV相導体73V、一相分構成要素20に設けられたW相の交流電流を交流電動機11に供給するためのW相導体73Wが互いに平行になるように配置される。なお、正極側ラミネート導体71及び負極側ラミネート導体72は、一相分構成要素18、20に共通に使用できるように構成している。
第1の実施の形態の一相分構成要素16、18、20では、スイッチング素子と還流ダイオードとで構成される半導体素子が直列に2段接続された、2in1の構成である。従って、定格電圧1700Vのトランジスタとダイオードを2直列にて構成することで、定格電圧3300Vの半導体素子パッケージが構成される。このため、VVVFインバータの直流側電圧すなわち架線電圧が1500Vである多くの鉄道車両において上述の構成のインバータ9を使用することができる。
また、上述の一相分構成要素16、18、20では、スイッチング素子と還流ダイオードとにSi(炭化珪素)を用いている。Si(珪素)半導体の許容温度は125℃〜150℃であるところ、Si(炭化珪素)半導体の許容温度は200℃〜250℃であり、より高い温度で素子を使用することが可能である。従って、インバータ9の信頼性を高めることができると共に、インバータ9の冷却器67を簡素化することが可能となり、小型化を図ることができる。
更に、上述のインバータ9の構成では、例えば、第1半導体素子パッケージ16aの1つの半導体素子のIGBTと他の半導体素子のIGBTをつなぐ導体(負極側端子E1aと正極側端子C2aとを電気的に接続する短絡導体74a)が第1半導体素子パッケージ16aに一番近い位置に配されるようになされている。即ち、図3に示すように、短絡導体74aが、正極側ラミネート導体71、負極側ラミネート導体72及びU相導体73Uよりも第1半導体素子パッケージ16aに近接して配されている。
第2半導体素子パッケージ16bの1つの半導体素子のIGBTと他の半導体素子のIGBTをつなぐ導体(負極側端子E1bと正極側端子C2bとを電気的に接続する短絡導体74b)が第2半導体素子パッケージ16bに一番近い位置に配されるようになされている。即ち、図3に示すように、短絡導体74bが、正極側ラミネート導体71、負極側ラミネート導体72及びU相導体73Uよりも第2半導体素子パッケージ16bに近接して配されている。
このように、短絡導体を各半導体素子パッケージに最も近い位置に配置することで、一相分構成要素の正側素子、負側素子内のインダクタンスを低減することができる。このように、2つの半導体素子のインダクタンスを低減することによって、半導体素子がオフしたときのサージ電圧を低減することができるため、素子の定格電圧に対するマージンを大きくとることが可能となる。従って、第1の実施の形態の構成は、車両制御装置の信頼性を確保するための効果的な構成となっている。
[第2の実施の形態]
第2の実施の形態では、半導体素子パッケージの構成が第1の実施の形態と異なっている。従って、第1の実施の形態と同一または同様の部位には同一の符号を付してその詳細の説明は省略する。
第1半導体素子パッケージ16aには、2つのスイッチング素子としてのIGBT411a、IGBT412aが設けられている。そのため、これら二つのスイッチング素子IGBT411a、IGBT412aへのゲート信号は同一のゲート信号を入力してスイッチングタイミングにずれがないように動作させる必要がある。スイッチングタイミングにずれが生じた場合、一つのスイッチング素子のみにサージ電圧が作用することでスイッチング素子の破壊につながる恐れがある。
このため、一つの半導体素子パッケージに収められて2直列に接続された半導体素子(スイッチング素子、還流ダイオードのペア)同士の電圧をバランスさせることが必要である。第2の実施の形態では、この電圧バランスを取るための機構が設けられている。
図5は、第2の実施の形態の車両制御装置のインバータの一相の構成を示す図である。
インバータ9の一相分構成要素16の第1半導体素子パッケージ16a、第2半導体素子パッケージ16bにそれぞれ均圧回路8a、均圧回路8bが設けられている。
第1半導体素子パッケージ16aの1つの半導体素子の正極側端子と負極側端子には、均圧コンデンサ811aと均圧抵抗821aとがそれぞれ並列に接続されている。そして第1半導体素子パッケージ16aの他の半導体素子の正極側端子と負極側端子には、均圧コンデンサ812aと均圧抵抗822aとがそれぞれ並列に接続されている。
第2半導体素子パッケージ16bの1つの半導体素子の正極側端子と負極側端子には、均圧コンデンサ811bと均圧抵抗821bとがそれぞれ並列に接続されている。そして第2半導体素子パッケージ16bの他の半導体素子の正極側端子と負極側端子には、均圧コンデンサ812bと均圧抵抗822bとがそれぞれ並列に接続されている。
この均圧回路8a、8bを設けることによって、一つの半導体素子のみに定格を超える高電圧が作用して素子が破壊されることを防止することができる。
なお、第2の実施の形態では、均圧回路を設けることでスイッチング時の素子間の電圧バランスを取ったが、電圧バランスをとる機構は、この方法に限られない。例えば、スイッチングタイミングをアクティブにコントロールすることによってスイッチング時の電圧バランスを取る方法も提案されている(電気学会研究会TER−06−30、SPC−06−77など)。
従って、第1の実施の形態のインバータ9と上述のスイッチングタイミングをアクティブにコントロールする方法とを組み合わせることでも電圧バランスをとることができる。
更に、第1の実施の形態と第2の実施の形態の半導体素子パッケージを組み合わせて、一相分構成要素を構成しても良い。
[第3の実施の形態]
第3の実施の形態では、車両制御装置は、交流架電システムに適用できるように構成されている。従って、第1の実施の形態と同一または同様の部位には同一の符号を付してその詳細の説明は省略する。
図6は、第3の実施の形態の車両制御装置の構成を示す図である。
交流電力が架線(不図示)から集電装置1を介して取り出され、高速度遮断器2を経由してトランス12の一次側に供給される。トランス12によって降圧された交流電力は、二次側に設けられた充電抵抗3、接触器4、接触器5を介してコンバータ13へ接続される。
コンバータ13は、入力される単相交流電圧を直流電圧に変換する整流器であり、半導体素子パッケージを組み合わせた全波整流器として構成されている。コンバータ13に用いられる半導体素子パッケージは、第1の実施の形態と同様の、スイッチング素子と還流ダイオードとで構成される半導体素子が直列に2段接続された、2in1の構成である。ゲート制御装置(不図示)が、コンバータ用の半導体素子を直接駆動することで、整流動作が実行される。
コンバータ13の後段(トランス12と反対側)にはフィルタコンデンサ7を介してインバータ9が設けられ、コンバータ13から供給される直流電圧を元に三相の交流電圧を生成して、交流電動機11を駆動する。インバータ9に用いられる半導体素子パッケージは、第1の実施の形態と同様の、スイッチング素子と還流ダイオードとで構成される半導体素子が直列に2段接続された、2in1の構成である。
なお、第3の実施の形態の半導体素子パッケージに、第2の実施の形態の均圧回路を設けても良い。
また、交流直流両用の車両制御装置として、第1、第2の実施の形態の車両制御装置と第3の実施の形態の車両制御装置とを切り替えによって実現するように構成しても良い。
尚、本発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。
上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
以下に出願当初の特許請求の範囲の記載を付記する。
[請求項1]
炭化珪素を使用したスイッチング用のトランジスタと還流用のダイオードとを有する半導体素子を2直列に接続した半導体素子パッケージを、各相のプラス側素子とマイナス側素子とにそれぞれ1つずつ使用する、VVVFインバータ。
[請求項2]
前記半導体素子パッケージは、
第1のスイッチング用のトランジスタのエミッタとコレクタをそれぞれ第1の還流用のダイオードのアノードとカソードに電気的に接続して正極と負極との2つの端子を設けた第1の半導体素子と、
第2のスイッチング用のトランジスタのエミッタとコレクタをそれぞれ第2の還流用のダイオードのアノードとカソードに電気的に接続して正極と負極との2つの端子を設けた第2の半導体素子と、
前記第1の半導体素子の負極と、当該負極に隣接して配した前記第2の半導体素子の正極とを電気的に接続する短絡導体とを有し、
前記短絡導体は、前記半導体素子パッケージに重ねて配される他の導体よりも内側に設けられる
請求項1に記載のVVVFインバータ。
[請求項3]
前記半導体素子パッケージを、各相のプラス側素子とマイナス側素子とにそれぞれ1つずつ使用して構成される各相の一相分構成要素は、
前記半導体素子パッケージの前記短絡導体で接続されていない負極端子と他の前記半導体素子パッケージの前記短絡導体で接続されていない正極端子とを出力用短絡導体に電気的に接続してなされ、
前記出力用短絡導体は、前記短絡導体よりも前記半導体素子パッケージの外側に設けられ、
請求項2に記載のVVVFインバータ。
[請求項4]
前記出力用短絡導体が前記VVVFの交流電力出力用導体であり、
前記一相分構成要素の導体に短絡されていない2つの端子が前記VVVFの直流電力入力用端子であり、
前記直流電力入力用端子の正極端子と接続する正極側ラミネート導体と、負極端子と接続する負極側ラミネート導体とがそれぞれ各相共通の導体として形成され、
前記正極側ラミネート導体と、負極側ラミネート導体とは、前記短絡導体よりも前記半導体素子パッケージの外側に設けられる
請求項3に記載のVVVFインバータ。
[請求項5]
前記半導体素子パッケージは、2直列に接続された前記半導体素子の電圧バランスを保つための電圧バランス部を更に備える、
請求項2乃至4のいずれか1項に記載のVVVFインバータ。
[請求項6]
請求項1乃至5のいずれか1項に記載のVVVFインバータを備え、
供給される電力から車両駆動用の電動機を駆動するための電力を生成する車両制御装置。
[請求項7]
炭化珪素(SiC)を使用したスイッチング用のトランジスタと還流用のダイオードとを有する半導体素子を2直列に接続した半導体素子パッケージを組み合わせて全波整流器として構成されたコンバータと、
請求項1乃至5のいずれか1項に記載のVVVFインバータとを備え、
供給される電力から車両駆動用の電動機を駆動するための電力を生成する車両制御装置。
1…集電装置、2…高速度遮断器、3…充電抵抗、4…接触器、5…接触器、6…フィルタリアクトル、7…フィルタコンデンサ、8a、8b…均圧回路、9…インバータ、11…交流電動機、13…コンバータ、16、18、20…一相分構成要素、16a、16b、18a、18b、20a、20b…半導体素子パッケージ、67…冷却器、71…正極側ラミネート導体、72…負極側ラミネート導体、73U…U相導体、73V…V相導体、73W…W相導体、74a、74b…短絡導体、100…車両制御装置。

Claims (3)

  1. 各相それぞれに設けられ、炭化珪素を用いたスイッチング用のトランジスタとこのトランジスタに逆並列接続され炭化珪素を用いた還流用のダイオードとを有する第1の半導体素子および第2の半導体素子とを有する上アーム側の半導体素子パッケージと、
    前記各相それぞれに設けられ、炭化珪素を用いたスイッチング用のトランジスタとこのトランジスタに逆並列接続され炭化珪素を用いた還流用のダイオードとを有する第3の半導体素子および第4の半導体素子とを有する下アーム側の半導体素子パッケージと、
    前記第1の半導体素子の負極端子と前記第2の半導体素子の正極端子に接続された上アーム側の導体と、
    前記第3の半導体素子の負極端子と前記第4の半導体素子の正極端子に接続された第1の下アーム側の導体と、
    前記各相それぞれに設けられ、前記第2の半導体素子の負極端と前記第3の半導体素子の正極端子に接続された交流側の導体と、
    前記各相の前記第1の半導体素子の正極端子に接続された正極側の導体と、
    前記各相の前記第4の半導体素子の負極端子に接続された負極側の導体と、を備え、
    前記上アーム側および下アーム側の半導体素子パッケージ、前記上アーム側の導体および下アーム側の導体、前記各相の交流側の導体、前記正極側の導体、および前記負極側の導体は、ベース上で階層配置され、
    さらに、
    前記上アーム側の導体と下アーム側の導体は同一面上に
    前記上アーム側および下アーム側の半導体素子パッケージは、前記上アーム側の導体および下アーム側の導体と前記ベースの間に、そして、
    前記各相の交流側の導体と前記正極側の導体と前記負極側の導体は、前記上アーム側の導体および下アーム側の導体に対して前記ベースと反対側に、
    それぞれ配置されていることを特徴とするインバータ。
  2. 前記上アーム側の半導体素子パッケージと前記下アーム側の半導体素子パッケージとのそれぞれは、2直列に接続された前記半導体素子同士の電圧のバランスを保つための均圧回路を更に備える、
    請求項1に記載のインバータ。
  3. 請求項1又は請求項2に記載のインバータを備え、
    供給される電力から車両駆動用の電動機を駆動するための電力を生成する車両制御装置。
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