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JP5844499B1 - 液晶表示装置 - Google Patents

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Abstract

本発明の液晶表示装置は、一面に電極及び光配向膜を有する2枚の基板の一面同士が対向し、光配向膜間に垂直配向型の液晶材料を含む液晶層が介在し、基板上に、基板の面方向にマトリクス状に複数の画素領域が形成され、各画素領域は両光配向膜により規定される基準配向方向が夫々異なる、少なくとも2つの液晶ドメインを有する。一方の電極(2)は、各液晶ドメインに対応する領域に夫々の基準配向方向に平行に延びる斜めスリット(21)を有する。そして、行方向に並ぶ液晶ドメインの境界部分に、列方向に延びる縦スリット(22)が設けられ、列方向に並ぶ液晶ドメインの境界部分に、行方向に延びる横スリット(23)が設けられている。縦スリット(22)及び横スリット(23)は、斜めスリット(21)に連続せず、斜めスリット21から独立している。

Description

本発明は、テレビジョン受信機、パーソナルコンピュータ等に備えられる液晶表示装置に関する。
表示装置の中で、液晶表示装置は薄型であり、消費電力が低いという特徴を有する。 液晶表示装置の表示パネルは、カラーフィルタ(CF)基板と、液晶層と、アクティブマトリクス基板(TFT基板)と、2枚の偏光板とを有する。CF基板とアクティブマトリクス基板とはシール材を挟んで互いに貼り合わされており、その間に液晶が注入されて液晶層が形成されている。アクティブマトリクス基板は液晶層側に画素電極を有し、CF基板は液晶層側に共通電極を有する。2枚の偏光板は、CF基板及びアクティブマトリクス基板夫々の、液晶層側とは反対側の面上に配されている。
液晶材料として垂直配向型の材料を用いた液晶表示装置は、VA(Vertical Alignment)モードの液晶表示装置と呼ばれる。この液晶表示装置において透過率及び応答速度を向上させるために、1つの画素に複数の液晶ドメインを形成する配向分割構造が採用されている。この配向分割構造を形成する方法として、例えばMVA(Multi-domain Vertical Alignment )モードが挙げられる。MVAモードにおいては、液晶層を挟む基板の液晶層側に線状突起を設けたり、画素電極に開口部(スリット)を設けたりすることによって配向規制構造を得ており、この配向規制構造によって複数の液晶ドメインが形成されている(例えば特許文献1)。スリットを微細にすることにより、液晶分子の配向をより制御することができ、透過率及び応答速度の向上が図られている。
液晶層を挟んで対向する両基板の液晶層側に、プレチルト方向(配向処理方向)が互いに直交するように夫々、光配向膜等の配向膜を設け、電圧印加時に液晶分子がツイスト配向をとるように構成したVAモードはVATN(Vertical Alignment Twisted Nematic)モードと呼ばれる(例えば特許文献2)。このうち、一つの画素領域において、2つの配向膜でプレチルト方向を規定することにより、電圧印加時に、2行2列に分割された4つの液晶ドメインが形成される構造は4D構造と呼ばれる。
図19は、この4D構造を有するVATNモードの液晶表示装置の画素領域を示す平面図である。
図19中、点線矢印はアクティブマトリクス基板に設けられている光配向膜によって規定されるプレチルト方向を示し、実線矢印はCF基板に設けられている光配向膜によって規定されるプレチルト方向を示す。そして、液晶層に電圧を印加した場合の各液晶ドメインのチルト方向(基準配向方向)をピンの向きで示してある。ピンの円板部が液晶表示装置を見る者に近くなるように、液晶分子がチルトしていることを示している。すなわち、基準配向方向は斜め45°である。
この液晶表示装置の画素電極にはスリットは形成されていない。
図20は図19の画素領域の光透過状態を示す平面図、図21は配線及びコンタクトホールが配された場合の前記画素領域の光透過状態を示す平面図である。
図20及び図21より、液晶ドメインの境界部分に、広い幅を有する暗線が生じていることが分かる。暗線は、液晶分子が液晶ドメインの境界部分で偏光軸(縦方向及び横方向の軸)に垂直又は平行な方向に配向し、光が透過されないために生じる。
暗線により透過率が低下する。特に、画素が小さい高精細ディスプレイにおいては、暗線による透過率低下の影響が大きくなる。
4D構造を有するVATNモードに、上述のMVAモードを組み合わせることも行なわれている(マルチドメインのVATNモード、例えば特許文献3等)。
図22は、マルチドメインのVATNモードの液晶表示装置の画素領域におけるアクティブマトリクス基板の画素電極52を示す平面図である。
画素電極52には、4つの液晶ドメインの斜め45°の各チルト方向に合わせて、複数の斜めスリット21が形成されている。この斜めスリット21により、上述のVATNモードの液晶ドメインの境界部分に発生する暗線を減らして透過率を上げることが図られている。画素領域の中央部にはコンタクトホール12が形成されている。
図23は図22の画素領域の光透過状態を示す平面図、図24は配線及びコンタクトホールが配された場合の前記画素領域の光透過状態を示す平面図である。
この構造においても、境界部分に一定幅の暗線が生じており、十分な効果が得られていないことが分かる。また、斜めスリット21に沿う暗線も生じている。
図25は図24の一部拡大図である。
図25において、液晶分子の配向をピンで示してある。
図25に示すように、多くの液晶分子61が境界部分で偏光軸に垂直に配向しており、偏光軸に略平行に配向している液晶分子61もあり、一定幅の光が透過しない部分が生じ、透過率が低下している。
図26は、他の液晶表示装置の画素領域におけるアクティブマトリクス基板の画素電極52を示す平面図である。
画素電極52には、複数の斜めスリット21に加え、スリット28,28、及びスリット29,29が設けられている。スリット28は、縦の偏光軸に平行なスリットに、3つの斜めスリットの該偏光軸側端部を夫々連結してなる。スリット29は、横の偏光軸に平行なスリットに、2つの斜めスリットの該偏光軸側端部を夫々連結してなる。
図27は、図26の画素領域の光透過状態を示す平面図である。
図27に示すように、各偏光軸に平行なスリットに、斜めスリットの該偏光軸側端部を連結してある部分において、広い幅を有する暗線が生じていることが分かる。
特開2003−149647号公報 国際公開第2006/132369号 国際公開第2013/054828号
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、画素領域に光を透過した場合に生じる暗線の面積が小さく、光の透過率が良好であり、画質が良好である液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明に係る液晶表示装置は、VATNモードの液晶表示装置であって、各一面に電極及び光配向膜を順に形成してある2枚の基板の前記一面同士が対向し、両光配向膜間に垂直配向型の液晶材料を含む液晶層が介在し、前記基板上に、該基板の面方向にマトリクス状に複数の画素領域が形成され、各画素領域は、両光配向膜により規定されるプレチルト方向により規定される、液晶層の厚み方向の中央付近における液晶分子の平均の配向方向が夫々異なる、少なくとも2つの液晶ドメインを有し、一方の電極は、各液晶ドメインに対応する領域に夫々の前記配向方向に平行に延びる複数の開口部を有する液晶表示装置において、前記一方の電極は、一方向に並ぶ2つの液晶ドメイン間に、前記開口部に連続しない状態で、前記一方向に直交する他方向に延びる第2の開口部を有することを特徴とする。
本発明においては、第2の開口部により、液晶ドメインの境界部分に存在する液晶分子が境界の延びる方向に添って配向する。従って、偏光軸に垂直又は平行な方向に配向する液晶分子が減少し、該液晶分子が存在する部分の幅が狭くなるので、従来の液晶表示装置の画素領域より暗線の幅が狭くなって透過率が向上する。
一般的なRGBストライプ構造の画素は縦長であり、列方向の液晶ドメイン境界の長さは行方向の液晶ドメイン境界の長さよりも長いので、第2の開口部が延びる方向が列方向である場合、透過率の向上効果は、より大きい。
本発明に係る液晶表示装置は、VATNモードの液晶表示装置であって、各一面に電極及び光配向膜を順に形成してある2枚の基板の前記一面同士が対向し、両光配向膜間に垂直配向型の液晶材料を含む液晶層が介在し、前記基板上に、該基板の面方向にマトリクス状に複数の画素領域が形成され、各画素領域は、両光配向膜により規定されるプレチルト方向により規定される、液晶層の厚み方向の中央付近における液晶分子の平均の配向方向が夫々異なる、少なくとも2つの液晶ドメインを有し、一方の電極は、各液晶ドメインに対応する領域に夫々の前記配向方向に平行に延びる複数の開口部を有する液晶表示装置において、前記一方の電極は、一方向に並ぶ2つの液晶ドメイン間に、前記一方向に直交する他方向の、前記画素領域の中央部側の部で前記開口部に連続する状態で、前記他方向に延びる第2の開口部を有することを特徴とする。
本発明においては、第2の開口部により、液晶ドメインの境界部分に存在する液晶分子が境界の延びる方向に添って配向する。従って、偏光軸に垂直又は平行な方向に配向する液晶分子が減少し、該液晶分子が存在する部分の幅が狭くなるので、暗線の幅が狭くなって透過率が良好である。
本発明に係る液晶表示装置は、前記一方の電極は、前記他方向に並ぶ2つの液晶ドメイン間に、前記開口部に連続しない状態で、前記一方向に延びる第3の開口部を有することを特徴とする。
本発明においては、液晶ドメインの両方の境界部分に、第2の開口部及び第3の開口部が形成されているので、透過率がより良好になる。
本発明に係る液晶表示装置は、前記一方の電極は、前記他方向に並ぶ2つの液晶ドメイン間に、前記一方向の、前記画素領域の中央部側の部で前記開口部に連続する状態で、前記一方向に延びる第3の開口部を有することを特徴とする。
本発明においては、液晶ドメインの両方の境界部分に、第2の開口部及び第3の開口部が形成されているので、透過率がより良好になる。
本発明に係る液晶表示装置は、前記第2の開口部の位置、又は前記第3の開口部の位置は、一方の基板に形成される配線の位置に合わせてあることを特徴とする。
本発明においては、液晶ドメイン境界に生じる暗線をアクティブマトリクス基板等の基板の配線と合わせる(アライメントする)ことで、光の透過ロスをより良好に抑制することができる。
本発明に係る液晶表示装置は、一方の基板は、前記画素領域の端部寄りにコンタクトホールを有することを特徴とする。
本発明においては、画素領域の中央部にコンタクトホールが形成されておらず、画素電極とドレイン電極との接続領域を画素領域の中央部分に確保する必要がないので、第2の開口部若しくは第3の開口部の中央側端部を中央部寄りに配することができ、開口部の長さを長くすることができる。又は、第2の開口部若しくは第3の開口部を中央部分で分断せずに連続させて交叉させることができる。従って、透過率がより良好になる。
本発明によれば、電極が、2つの液晶ドメイン間に、基準配向方向に平行に延びる開口部に連続しない状態で、該液晶ドメインの境界方向に延びる第2の開口部を有するので、液晶ドメインの境界部分に存在する液晶分子が境界の延びる方向に添って配向する。従って、偏光軸に垂直又は平行な方向に配向する液晶分子が減少し、該液晶分子が存在する部分の幅が狭くなって、従来の液晶表示装置の画素領域より暗線の幅が狭くなり、透過率が良好である。画素が小さい高精細の液晶表示装置において、透過率向上効果はより高く、液晶表示装置の画質が良好になる。
本発明の実施の形態1に係る液晶表示装置の外観斜視図である。 本発明の実施の形態1に係る液晶表示装置の表示パネルの一画素領域における画素電極を示す平面図である。 図2のIII−III 線における表示モジュールの断面図である。 アクティブマトリクス基板の配線を示す平面図である。 CF基板のブラックマトリクスを示す平面図である。 図2の画素領域における光透過状態を示す平面図である。 図6の一部拡大図である。 本発明の実施の形態2に係る表示パネルの一画素領域における画素電極を示す平面図である。 図8の画素領域の光透過状態を示す平面図である。 本発明の実施の形態3に係る表示パネルの一画素領域における画素電極を示す平面図である。 図10の画素領域の光透過状態を示す平面図である。 本発明の実施の形態4に係る表示パネルの一画素領域における画素電極を示す平面図である。 図12の画素領域の光透過状態を示す平面図である。 本発明の実施の形態5に係る表示パネルの一画素領域における画素電極を示す平面図である。 実施の形態1及び2の液晶表示装置において、斜めスリットの幅を変えた場合のピッチと透過率との関係を示すグラフである。 実施の形態1及び2の液晶表示装置において、斜めスリットの幅を変えた場合のピッチと透過率比との関係を示すグラフである。 実施の形態3及び4の液晶表示装置において、斜めスリットの幅を変えた場合のピッチと透過率との関係を示すグラフである。 実施の形態3及び4の液晶表示装置において、斜めスリットの幅を変えた場合のピッチと透過率比との関係を示すグラフである。 4D構造を有するVATNモードの液晶表示装置の画素領域を示す平面図である。 図19の画素領域の光透過状態を示す平面図である。 配線及びコンタクトホールが配された場合の前記画素領域の光透過状態を示す平面図である。 マルチドメインのVATNモードの液晶表示装置の画素領域におけるアクティブマトリクス基板の画素電極を示す平面図である。 図22の画素領域の光透過状態を示す平面図である。 配線及びコンタクトホールが配された場合の前記画素領域の光透過状態を示す平面図である。 図24の一部拡大図である。 他の液晶表示装置の画素領域におけるアクティブマトリクス基板の画素電極を示す平面図である。 図26の画素領域の光透過状態を示す平面図である。
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
実施の形態1.
図1は本発明の実施の形態1に係る液晶表示装置100の外観斜視図、図2は液晶表示装置100の表示パネル102の一画素領域における画素電極2を示す平面図、図3は図2のIII −III 線における表示モジュール101の断面図、図4はアクティブマトリクス基板1の配線を示す平面図、図5はCF基板7のブラックマトリクスを示す平面図である。
液晶表示装置100は、表示パネル102及びバックライトユニット103を有する表示モジュール101と、該表示モジュール101を挟むようにして収容する合成樹脂製のフロントキャビネット104及びリアキャビネット105と、スタンド106とを備える。表示モジュール101は、全体として横長の略直方体状をなし、縦姿勢でフロントキャビネット104及びリアキャビネット105内に収容されている。
本発明の実施の形態1に係る表示パネル102は、面方向にマトリクス状に配された複数の画素領域を有する。
表示パネル102はマルチドメインのVATNモードの表示パネルであり、アクティブマトリクス基板1の画素電極2には、4つの液晶ドメインの斜め45°の各チルト方向に対応して、複数の斜めスリット21が形成されている。
そして、画素電極2には、行方向に並ぶ液晶ドメインの境界部分に、列方向に延びる縦スリット22,22が設けられ、列方向に並ぶ液晶ドメインの境界部分に、行方向に延びる横スリット23,23が設けられている。縦スリット22及び横スリット23は、斜めスリット21に連続せず、斜めスリット21から独立している。列方向と縦スリット22の軸心とがなす角度は±5°の範囲内にあり、行方向と横スリット23の軸心とがなす角度は±5°の範囲内にある。
画素電極2は例えばスパッタリング法によりITO膜を形成した後、パターニングすることにより、斜めスリット21、縦スリット22、及び横スリット23を有した状態で形成される。画素領域の中央部にはコンタクトホール12が形成されており、コンタクトホール12上にも画素電極2が形成されている。
図3に示すように、表示モジュール101の表示パネル102は、アクティブマトリクス基板1と、CF基板7と、液晶層6と、2枚の偏光板4,11とを有する。CF基板7とアクティブマトリクス基板1とはシール材を挟んで互いに貼り合わされており、その間に垂直配向型の液晶材料が注入され、液晶層6が形成されている。2枚の偏光板11,4は、CF基板7,アクティブマトリクス基板1夫々の、液晶層6側とは反対側の面上に配されている。
アクティブマトリクス基板1の基板部3は、例えばガラス製の絶縁性基板に、後述するTFT(薄膜トランジスタ)36(図4参照)と、TFT36に走査信号を与える、複数のゲート配線(走査配線)31と、TFT36に映像信号を与える複数のソース配線(信号配線)33とを形成してなる。
図4に示すように、ゲート配線31及びCs配線32は互いに平行に延び、ソース配線33は、ゲート配線31及びCs配線32に交叉し、かつ互いに平行に延びている。
Cs配線32は、中央部に、矩形状をなすドレイン対向部321を有する。
図4における左側のソース配線33の下端部には、右側のソース配線33に向かうように、矩形状をなすソース電極331が設けられている。
ドレイン電極35は、ドレイン対向部321より少し小さい矩形状をなすCs対向部351と、ソース電極331と面方向で対向するソース電極対向部352とを有する。 Cs配線32のドレイン対向部321と、ドレイン電極35のCs対向部351とは、ゲート絶縁膜(不図示)が介在する状態で対向しており、この領域で補助容量(Cs)が形成される。
下側のゲート配線31の左寄りの部分にはゲート電極が形成され、該ゲート電極、ソース電極331、及びソース電極対向部352によりTFT36が構成される。
図3に示すように、基板部3の液晶層6側に上述の斜めスリット21、縦スリット22、及び横スリット23を有する画素電極2が形成されており、画素電極2は光配向膜5に覆われている。コンタクトホール12を介して、ドレイン電極35は画素電極2に電気的に接続されている。
CF基板7の基板部10は、例えばガラス製の絶縁性基板に、ブラックマトリックス(BM)、並びにR(赤)、G(緑)、及びB(青)等のカラーフィルタ(不図示)を配列してなる。図5は、BM10aを示す平面図である。
基板部10の液晶層6側には、例えばITO等からなる共通電極9が形成されている。共通電極9は光配向膜8により覆われている。
偏光板4及び11は、夫々偏光軸が互いに直交するように配置されている。
バックライトユニット103は、表示パネル102の背面側に配される。バックライトユニット103は、エッジライト方式(サイドライト方式、導光板方式)、及び直下型方式のいずれであってもよい。エッジライト方式の場合、バックライトユニット103は、光学シート、導光板、及びLED基板等の光源をシャーシに収納してなる。
図6は、図2の画素領域における光透過状態を示す平面図である。
図6より、上述の従来の液晶表示装置と比較して、各液晶ドメインの境界部分に生じる暗線の幅が狭くなっていることが分かる。
図7は、図6の一部拡大図である。
図7において、液晶分子61の配向をピンで示してある。
図7に示すように、縦スリット22により、液晶ドメインの境界部分に存在する液晶分子が境界の延びる方向に添って配向する。横スリット23においても、同様に液晶ドメインの境界部分に存在する液晶分子61が境界の延びる方向に添って配向する。従って、偏光軸に垂直又は平行な方向に配向する液晶分子61が減少し、該液晶分子61が存在する部分の幅が狭くなるので、暗線の幅が狭くなって透過率が向上する。
本実施の形態においては、液晶ドメイン境界に生じる暗線をアクティブマトリクス基板1のメタル配線(Cs配線32、ゲート配線31、ドレイン電極35)と合わせており、光の透過ロスが抑制されている。すなわち、アクティブマトリクス基板1の光配向膜5の紫外線の照射方向を縦ストライプにして、液晶分子を縦方向に配向させ、縦スリット22及び横スリット23をメタル配線にアライメントすることによって、良好な透過率が得られている。
一般的なRGBストライプ構造の画素は縦長であるので、列方向の液晶ドメイン境界の長さは行方向の液晶ドメイン境界の長さよりも長い。従って、縦スリット22を設けることによる透過率向上効果は高く、さらに、縦スリット22をメタル配線にアライメントして設けることで透過率向上効果はより高くなる。
実施の形態2.
図8は、本発明の実施の形態2に係る表示パネルの一画素領域における画素電極2を示す平面図である。
本実施の形態に係る画素電極2も、実施の形態1に係る画素電極2と同様に、行方向に並ぶ液晶ドメインの境界部分に、列方向に延びる縦スリット22,22が設けられ、列方向に並ぶ液晶ドメインの境界部分に、行方向に延びる横スリット23,23が設けられている。縦スリット22及び横スリット23は、斜めスリット21から独立している。
本実施の形態においては、斜めスリット21間の幅(間隔)が、実施の形態1に係る画素電極2の斜めスリット21間の幅と異なる。
図9は、図8の画素領域の光透過状態を示す平面図である。
図9より、液晶ドメインの境界部分に生じる暗線の幅が狭くなっていることが分かる。
実施の形態3.
図10は、本発明の実施の形態3に係る表示パネルの一画素領域における画素電極2を示す平面図である。
本実施の形態においては、実施の形態1及び2と異なり、コンタクトホール12は画素領域の中央部に形成されず、画素領域の端部寄りのTFT36が構成されている部分に形成されている。
画素電極2は、実施の形態1及び2に係る画素電極2と同様に、行方向に並ぶ液晶ドメインの境界部分に、列方向に延びる縦スリット22,22が設けられ、列方向に並ぶ液晶ドメインの境界部分に、行方向に延びる横スリット23,23が設けられている。縦スリット22及び横スリット23は、斜めスリット21から独立している。
本実施の形態においては、画素領域の中央部にコンタクトホール12が形成されておらず、ドレイン電極35、すなわちTFT36との接続領域を画素領域の中央部分に確保する必要がないので、縦スリット22及び横スリット23夫々の中央側端部を中央部寄りに配することができ、各スリットの長さを長くすることができる。
従って、光の透過率をより向上させることができる。
図11は、図10の画素領域の光透過状態を示す平面図である。
図11より、液晶ドメインの境界部分に生じる暗線の幅が狭くなっていることが分かる。
実施の形態4.
図12は、本発明の実施の形態4に係る表示パネルの一画素領域における画素電極2を示す平面図である。
本実施の形態においては、実施の形態1及び2と異なり、コンタクトホール12は画素領域の中央部に形成されず、画素領域の端部寄りのTFT36が構成されている部分に形成されている。
画素電極2は、行方向に並ぶ液晶ドメインの境界部分に、列方向に延びる縦スリット24が設けられ、列方向に並ぶ液晶ドメインの境界部分に、行方向に延びる横スリット25が設けられている。縦スリット24及び横スリット25は、斜めスリット21から独立している。そして、縦スリット24及び横スリット25は夫々、中央部分で分断せずに連続しており、交叉している。
本実施の形態においては、画素領域の中央部にコンタクトホール12が形成されておらず、ドレイン電極35(TFT36)との接続領域を画素領域の中央部分に確保する必要がないので、縦スリット24及び横スリット25を中央部分で分断せずに連続させて交叉させることができる。
光の透過率をより向上させることができるとともに、画素電極2のパターニングが容易であり、不良の発生が防止される。
図13は、図12の画素領域の光透過状態を示す平面図である。
図13より、液晶ドメインの境界部分に生じる暗線の幅が狭くなっていることが分かる。
実施の形態5.
図14は、本発明の実施の形態5に係る表示パネルの一画素領域における画素電極2を示す平面図である。
本実施の形態においては、スリット26は、列方向に延びるスリットが、該スリットの一端部で斜めスリットと連続した形状を有する。そして、スリット27は、行方向に延びるスリットが、該スリットの一端部で斜めスリットと連続した形状を有する。
本実施の形態においても、スリット26及び27の列方向に延びる部分により、液晶分子が境界の延びる方向に添って配向する。従って、偏光軸に垂直又は平行な方向に配向する液晶分子が減少し、該液晶分子が存在する部分の幅が狭くなるので、暗線の幅が狭くなって透過率が向上する。
以下、本発明の実施例及び比較例につき具体的に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
(1)実施の形態1及び2の画素電極
[実施例1〜14]
斜めスリット21間の幅(間隔)(L:μm)、斜めスリット21の幅(S:μm)、ピッチ(L+S)、縦スリット22及び横スリット23の幅(μm)が、下記の表1に示す夫々の数値になるようにパターニングして、実施例1〜14の画素電極2を形成した。
[比較例1]
比較例1の画素電極は、斜めスリット21、縦スリット22、及び横スリット23を有さない画素電極である。
[比較例2]
比較例2の画素電極は、図22に示した、斜めスリット21のみを有する画素電極である。
前記実施例、並びに比較例1及び2につき、光の透過率を求めた。その結果を前記表1及び図15に示す。
また、比較例1の画素電極の透過率を1とした場合の各実施例及び比較例2の透過率比を前記表1及び図16に示す。
前記表1、図15、及び図16より、縦スリット22及び横スリット23を有する実施例の画素電極2は、比較例1及び2の画素電極より透過率が大きく向上していることが分かる。
そして、斜めスリット21のS幅が小さく、ピッチが小さい場合、透過率はより向上することが分かる。
(2)実施の形態3及び4の画素電極
[実施例15及び16]
斜めスリット21間の幅(間隔)(L:μm)、斜めスリット21の幅(S:μm)、ピッチ(L+S)、縦スリット22及び横スリット23の幅(μm)が下記の表2に示す数値になるようにパターニングして、実施の形態3に対応する実施例15及び16の画素電極2を形成した。
[実施例17及び18]
斜めスリット21間の幅(間隔)(L:μm)、斜めスリット21の幅(S:μm)、ピッチ(L+S)、縦スリット24及び横スリット25の幅(μm)を前記表2に示す数値になるようにパターニングして、実施の形態4に対応する実施例17及び18の画素電極2を形成した。
比較例は上述の比較例1及び2と同一である。
前記実施例、並びに比較例1及び2につき、光の透過率を求めた。その結果を前記表2及び図17に示す。
また、比較例1の画素電極の透過率を1とした場合の各実施例及び比較例2の透過率比を前記表2及び図18に示す。
前記表2、図17、及び図18より、縦スリット22及び横スリット23を有する実施例15及び16の画素電極2、並びに縦スリット24及び横スリット25を有する実施例17及び18の画素電極2は、比較例1及び2の画素電極より透過率が向上していることが分かる。
そして、斜めスリット21のS幅が小さく、ピッチが小さい場合、透過率はより向上することが分かる。
さらに、S幅及びピッチが同一である場合、実施の形態3及び4に係る画素電極2の方が、上述の実施の形態1及び2に係る画素電極2より透過率が向上していることが分かる。
以上より、斜めスリット21のL幅、S幅、並びに縦スリット22,24、横スリット23,25の形状及び長さ等を適宜の値に設計することにより、透過率を制御することができることが分かる。
なお、本発明は上述した実施の形態1〜5の内容に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
例えば、縦スリット22又は横スリット23は一続きに設けられている場合に限定されるものではなく、断続的に設けられていてもよく、平行して複数設けられていてもよい。縦スリット22又は横スリット23の幅も均一である場合に限定されないが、液晶分子の位置が決まりやすくなるため、均一であるのが好ましい。
1 アクティブマトリクス基板
2 画素電極
21 斜めスリット
22、24、26 縦スリット
23、25、27 横スリット
3、10 基板部
31 ゲート配線
32 Cs配線
33 ソース配線
35 ドレイン電極
36 TFT
4、11 偏光板
5、8 光配向膜
6 液晶層
61 液晶分子
7 CF基板
9 共通電極
12 コンタクトホール
100 液晶表示装置
101 表示モジュール
102 表示パネル
103 バックライトユニット

Claims (6)

  1. VATNモードの液晶表示装置であって、
    各一面に電極及び光配向膜を順に形成してある2枚の基板の前記一面同士が対向し、両光配向膜間に垂直配向型の液晶材料を含む液晶層が介在し、
    前記基板上に、該基板の面方向にマトリクス状に複数の画素領域が形成され、
    各画素領域は、両光配向膜により規定されるプレチルト方向により規定される、液晶層の厚み方向の中央付近における液晶分子の平均の配向方向が夫々異なる、少なくとも2つの液晶ドメインを有し、
    一方の電極は、各液晶ドメインに対応する領域に夫々の前記配向方向に平行に延びる複数の開口部を有する液晶表示装置において、
    前記一方の電極は、一方向に並ぶ2つの液晶ドメイン間に、前記開口部に連続しない状態で、前記一方向に直交する他方向に延びる第2の開口部を有することを特徴とする液晶表示装置。
  2. VATNモードの液晶表示装置であって、
    各一面に電極及び光配向膜を順に形成してある2枚の基板の前記一面同士が対向し、両光配向膜間に垂直配向型の液晶材料を含む液晶層が介在し、
    前記基板上に、該基板の面方向にマトリクス状に複数の画素領域が形成され、
    各画素領域は、両光配向膜により規定されるプレチルト方向により規定される、液晶層の厚み方向の中央付近における液晶分子の平均の配向方向が夫々異なる、少なくとも2つの液晶ドメインを有し、
    一方の電極は、各液晶ドメインに対応する領域に夫々の前記配向方向に平行に延びる複数の開口部を有する液晶表示装置において、
    前記一方の電極は、一方向に並ぶ2つの液晶ドメイン間に、前記一方向に直交する他方向の、前記画素領域の中央部側の部で前記開口部に連続する状態で、前記他方向に延びる第2の開口部を有することを特徴とする液晶表示装置。
  3. 前記一方の電極は、前記他方向に並ぶ2つの液晶ドメイン間に、前記開口部に連続しない状態で、前記一方向に延びる第3の開口部を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
  4. 前記一方の電極は、前記他方向に並ぶ2つの液晶ドメイン間に、前記一方向の、前記画素領域の中央部側の部で前記開口部に連続する状態で、前記一方向に延びる第3の開口部を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
  5. 前記第2の開口部の位置、又は前記第3の開口部の位置は、一方の基板に形成される配線の位置に合わせてあることを特徴とする請求項1から4までのいずれか1項に記載の液晶表示装置。
  6. 一方の基板は、前記画素領域の端部寄りにコンタクトホールを有することを特徴とする
    請求項1から5までのいずれか1項に記載の液晶表示装置。
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