JP5738942B2 - 電界放出電子源の製造方法及び電界放出電子源アレイの製造方法 - Google Patents
電界放出電子源の製造方法及び電界放出電子源アレイの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5738942B2 JP5738942B2 JP2013164881A JP2013164881A JP5738942B2 JP 5738942 B2 JP5738942 B2 JP 5738942B2 JP 2013164881 A JP2013164881 A JP 2013164881A JP 2013164881 A JP2013164881 A JP 2013164881A JP 5738942 B2 JP5738942 B2 JP 5738942B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field emission
- emission electron
- carbon nanotube
- electron source
- linear structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 60
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 271
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 255
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 255
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 32
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 30
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 3
- 239000012802 nanoclay Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002079 double walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000029749 Microtubule Human genes 0.000 description 1
- 108091022875 Microtubule Proteins 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 210000004688 microtubule Anatomy 0.000 description 1
- 229910052901 montmorillonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052604 silicate mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002620 silicon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021430 silicon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
図1を参照し、本発明の実施例1は電界放出電子源10の製造方法を提供する。電界放出電子源10の製造方法は、カーボンナノチューブ線状構造体110を提供するステップ(S10)と、カーボンナノチューブ線状構造体110の表面に絶縁層120を被覆するステップ(S11)と、絶縁層120の表面に複数の導電リング130を間隔をあけて設置し、電界放出電子源の予備体112を形成するステップ(S12)と、電界放出電子源の予備体112を切断して、複数の電界放出電子源10を形成し、形成した各電界放出電子源10の少なくとも一端には、前記少なくとも一つの導電リングが設置されているステップ(S13)と、を含む。
図4を参照し、本発明の実施例2は電界放出電子源10を提供する。電界放出電子源10は、カーボンナノチューブ線状構造体110と、絶縁層120と、導電リング130と、を含む。カーボンナノチューブ線状構造体110の表面には絶縁層120が被覆される。絶縁層120に被覆されたカーボンナノチューブ線状構造体110の少なくとも一端には、少なくとも一つの導電リング130が設置される。カーボンナノチューブ線状構造体110、絶縁層120及び導電リング130は共軸上に設置される。カーボンナノチューブ線状構造体110は電界放出電子源10の両端から露出する。ここで、該電界放出電子源10の両端から露出されたカーボンナノチューブ線状構造体110の端部を、カーボンナノチューブ線状構造体110の末端と定義する。電界放出電子源10の一端において、カーボンナノチューブ線状構造体110の末端に隣接する導電リング130の表面と、カーボンナノチューブ線状構造体110の末端と、絶縁層120が切断される表面と、は同一の平らな水平面に位置する。
図5を参照すると、本発明の実施例3は電界放出表示装置12を提供する。電界放出表示装置12は陰極電極150及び電界放出電子源10を含む。電界放出電子源10は中心軸に延伸する方向に、相対する第一端及び第二端を有する。電界放出電子源10の第一端は陰極電極150と電気的に接続される。即ち、電界放出電子源10の第一端に、露出されるカーボンナノチューブ線状構造体110が陰極電極150と電気的に接続される。導電リング130は電界放出電子源10の第二端に設置され、且つ絶縁層120によって、カーボンナノチューブ線状構造体110と絶縁される。導電リング130は電界放出表示装置12のグリッドである。導電リング130と陰極電極150との間に電圧を印加することによって、導電リング130とカーボンナノチューブ線状構造体110の末端の間に電圧が形成され、カーボンナノチューブ線状構造体110の電子放出を実現する。また、陰極電極150がカーボンナノチューブ線状構造体110と電気的に接続されることを保証しさえすれば、陰極電極150の材料及び形状は制限されず、必要に応じて選択できる。
図6を参照すると、本発明の実施例4は電界放出電子源20の製造方法を提供する。電界放出電子源20の製造方法は、カーボンナノチューブ線状構造体110を提供するステップ(S20)と、カーボンナノチューブ線状構造体110の表面に絶縁材料124を被覆するステップ(S21)と、絶縁材料124の表面に複数の導電リング130を間隔をあけて設置するステップ(S22)と、絶縁材料124が被覆され、複数の導電リング130が設置されたカーボンナノチューブ線状構造体110を切断し、複数の電界放出電子源の予備体212を形成するステップ(S23)と、複数の電界放出電子源の予備体212における絶縁材料124を焼結して絶縁層120を形成し、複数の電界放出電子源20を形成するステップ(S24)と、を含む。
図7を参照すると、本発明の実施例5は電界放出電子源20を提供する。電界放出電子源20は、カーボンナノチューブ線状構造体110と、絶縁層120と、導電リング130と、を含む。カーボンナノチューブ線状構造体110の表面には、絶縁層120が被覆される。絶縁層120に被覆されたカーボンナノチューブ線状構造体110の少なくとも一端には、少なくとも一つの導電リング130が設置される。カーボンナノチューブ線状構造体110、絶縁層120及び導電リング130は共軸に設置される。カーボンナノチューブ線状構造体110の両端は絶縁層120から露出される。
図8を参照すると、本発明の実施例6は電界放出電子源30の製造方法を提供する。電界放出電子源30の製造方法は、カーボンナノチューブ線状構造体110を提供するステップ(S30)と、カーボンナノチューブ線状構造体110の表面に絶縁層120を被覆するステップ(S31)と、絶縁層120の表面に複数の導電リング130を間隔をあけて設置するステップ(S32)と、隣接する二つの導電リング130の間において露出された絶縁層120の表面に、絶縁リング122を被覆するステップ(S33)と、複数の導電リング130、絶縁層120及びカーボンナノチューブ線状構造体110を切断し、複数の電界放出電子源30を形成するステップ(S34)と、を含む。
図9を参照すると、本発明の実施例7は電界放出電子源アレイ100の製造方法を提供する。電界放出電子源アレイ100の製造方法は、カーボンナノチューブ線状構造体110を提供するステップ(S40)と、カーボンナノチューブ線状構造体110の表面に絶縁層120を被覆するステップ(S41)と、絶縁層120の表面に複数の導電リング130を間隔をあけて設置し、電界放出電子源の予備体312を形成するステップ(S42)と、複数の電界放出電子源の予備体312を並列に設置し、電界放出電子源アレイ予備体101を形成するステップ(S43)と、電界放出電子源アレイ予備体101を切断し、複数の電界放出電子源アレイ100を形成するステップ(S44)と、を含む。
図11を参照すると、本発明の実施例8は電界放出表示装置22を提供する。電界放出表示装置22は、陰極電極150及び電界放出電子源アレイ100を含む。電界放出電子源アレイ100は中心軸に延伸する方向に、相対する第一端及び第二端を有する。電界放出電子源アレイ100の第一端は陰極電極150と電気的に接続される。
図12を参照すると、本発明の実施例9は電界放出電子源200の製造方法を提供する。電界放出電子源200の製造方法は、カーボンナノチューブ線状構造体110を提供するステップS50と、カーボンナノチューブ線状構造体110の表面に絶縁材料124を被覆するステップS51と、絶縁材料124の表面に複数の導電リング130を間隔をあけて設置して、電界放出電子源の予備体412を形成するステップS52と、複数の電界放出電子源の予備体412を並列に設置し、電界放出電子源アレイ予備体201を形成するステップS53と、電界放出電子源アレイ予備体201を切断し、絶縁材料124を焼結して絶縁層120を形成し、複数の電界放出電子源アレイ200を形成するステップS54と、を含む。
12、22 電界放出表示装置
100、200 電界放出電子源アレイ
101、201 電界放出電子源アレイ予備体
110 カーボンナノチューブ線状構造体
112、212、312、412 電界放出電子源の予備体
120 絶縁層
122 絶縁リング
124 絶縁材料
130 導電リング
140 導電層
150 陰極電極
Claims (3)
- カーボンナノチューブ線状構造体を提供する第一ステップと、
前記カーボンナノチューブ線状構造体の表面に絶縁層を被覆する第二ステップと、
前記絶縁層の表面に複数の導電リングを間隔をあけて設置し、電界放出電子源の予備体を形成する第三ステップと、
前記電界放出電子源の予備体を切断し、複数の電界放出電子源を形成する第四ステップと、を含み、
各々の前記電界放出電子源の少なくとも一端には、少なくとも一つの前記導電リングが設置され、
前記電界放出電子源の予備体を切断して得た切断面のうち、前記導電リングが設置されている側の切断面は、前記導電リング、前記絶縁層及び前記カーボンナノチューブ線状構造体が露出され、同じ平面に位置していることを特徴とする電界放出電子源の製造方法。 - カーボンナノチューブ線状構造体を提供する第一ステップと、
前記カーボンナノチューブ線状構造体の表面に絶縁層を被覆する第二ステップと、
前記絶縁層の表面に複数の導電リングを間隔をあけて設置し、電界放出電子源の予備体を形成する第三ステップと、
複数の電界放出電子源の予備体を並列に設置し、隣接する前記導電リングを電気的に接続させ、電界放出電子源アレイ予備体を形成する第四ステップと、
前記電界放出電子源アレイ予備体を切断し、複数の電界放出電子源アレイを形成する第五ステップと、を含み、
前記電界放出電子源アレイ予備体を切断して得た切断面のうち、前記導電リングが設置されている側の切断面は、前記導電リング、前記絶縁層及び前記カーボンナノチューブ線状構造体が露出され、同じ平面に位置していることを特徴とする電界放出電子源アレイの製造方法。 - カーボンナノチューブ線状構造体を提供する第一ステップと、
前記カーボンナノチューブ線状構造体の表面に絶縁材料を被覆する第二ステップと、
前記絶縁材料の表面に複数の導電リングを間隔をあけて設置する第三ステップであって、各々の前記導電リングは、前記導電リングの中心軸の延伸する方向に、相対する第一表面及び第二表面を有している第三ステップと、
前記絶縁材料が被覆され、複数の導電リングが設置されたカーボンナノチューブ線状構造体を切断する第四ステップであって、前記導電リングの前記第一表面または第二表面に沿って、或いは前記導電リングの前記第一表面と第二表面との間の位置から切断し、複数の電界放出電子源の予備体を形成する第四ステップと、
複数の電界放出電子源の予備体における絶縁材料を焼結して、絶縁層を形成し、複数の電界放出電子源を形成する第五ステップと、を含み、
各々の前記電界放出電子源の少なくとも一端に、少なくとも一つの前記導電リングが設置され、
前記カーボンナノチューブ線状構造体の末端は絶縁層に被覆されず露出されていることを特徴とする電界放出電子源の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210380926.9A CN103730304B (zh) | 2012-10-10 | 2012-10-10 | 场发射电子源阵列的制备方法 |
CN201210381738.8 | 2012-10-10 | ||
CN201210381738.8A CN103730305B (zh) | 2012-10-10 | 2012-10-10 | 场发射电子源的制备方法 |
CN201210380926.9 | 2012-10-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014078494A JP2014078494A (ja) | 2014-05-01 |
JP5738942B2 true JP5738942B2 (ja) | 2015-06-24 |
Family
ID=50783618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013164881A Active JP5738942B2 (ja) | 2012-10-10 | 2013-08-08 | 電界放出電子源の製造方法及び電界放出電子源アレイの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5738942B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3494583B2 (ja) * | 1999-01-13 | 2004-02-09 | 松下電器産業株式会社 | 電子放出素子の製造方法 |
JP2000215786A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子放出素子及びその製造方法 |
JP4512176B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2010-07-28 | 株式会社日立製作所 | カーボンナノチューブ電子素子および電子源 |
JP2007250247A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Canon Inc | 電子放出素子、電子源、画像表示装置、及びテレビジョン装置 |
-
2013
- 2013-08-08 JP JP2013164881A patent/JP5738942B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014078494A (ja) | 2014-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6078576B2 (ja) | 電界放出電子源及び電界放出表示装置 | |
US8016633B2 (en) | Method for making field emission device incorporating a carbon nanotube yarn | |
JP5491036B2 (ja) | 電界放出型電子源及びその製造方法 | |
JP5491035B2 (ja) | 電界放出型電子源の製造方法 | |
JP5209659B2 (ja) | 白熱光源表示装置 | |
JP5336544B2 (ja) | 電界放出表示装置 | |
US9196450B2 (en) | X-ray tube | |
TWI478208B (zh) | 場發射電子源的製備方法 | |
JP2009231288A (ja) | 電界放出型電子源 | |
US8241081B2 (en) | Method for making field emission cathode device | |
JP5738942B2 (ja) | 電界放出電子源の製造方法及び電界放出電子源アレイの製造方法 | |
TWI478196B (zh) | 場發射電子源陣列及場發射裝置 | |
TWI478207B (zh) | 場發射電子源陣列的製備方法 | |
TWI330858B (en) | Thermionic emission device | |
TWI415156B (zh) | 場發射陰極裝置及其製備方法 | |
TWI417924B (zh) | 場發射電子器件 | |
TWI426540B (zh) | 電子發射體及電子發射元件 | |
TWI427673B (zh) | 一種電子發射體的製備方法 | |
TW200933687A (en) | Thermionic emission device and method for making the same | |
TW200932665A (en) | Thermionic emission device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140818 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150323 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150422 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5738942 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |