JP5727316B2 - Method for producing sulfonium compound and method for producing sulfonium borate complex - Google Patents
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Description
本発明は、スルホニウムボレート錯体を効率的に得るために用いることができるスルホニウム化合物及び該スルホニウム化合物の製造方法に関する。また、本発明は、上記スルホニウム化合物を用いたスルホニウムボレート錯体及び該スルホニウムボレート錯体の製造方法に関する。 The present invention relates to a sulfonium compound that can be used for efficiently obtaining a sulfonium borate complex and a method for producing the sulfonium compound. The present invention also relates to a sulfonium borate complex using the sulfonium compound and a method for producing the sulfonium borate complex.
エポキシ化合物などの硬化性化合物を含む硬化性組成物は、例えば、ICチップとフレキシブルプリント回路基板との接続、ICチップとITO電極を有する回路基板との接続、並びにITO電極を有する回路基板とフレキシブルプリント回路基板との接続等に使用されている。 The curable composition containing a curable compound such as an epoxy compound is, for example, a connection between an IC chip and a flexible printed circuit board, a connection between an IC chip and a circuit board having an ITO electrode, and a circuit board having an ITO electrode and a flexible circuit board. Used for connection to printed circuit boards.
上記硬化性組成物では、硬化性化合物を硬化させるために、様々な硬化剤が用いられている。上記硬化剤として、光によりプロトンを発生してカチオン重合を開始させる光カチオン重合開始剤が知られている。従来、光カチオン重合開始剤としては、スルホニウムアンチモネート錯体が広く用いられている。 In the curable composition, various curing agents are used to cure the curable compound. As the curing agent, there is known a photocationic polymerization initiator that generates protons by light to initiate cationic polymerization. Conventionally, sulfonium antimonate complexes have been widely used as the cationic photopolymerization initiator.
しかし、スルホニウムアンチモネート錯体は、フッ素原子が金属であるアンチモン原子に結合しているSbF6 −をカウンターアニオンとして有するため、カチオン重合時にフッ素イオンを多量に発生させ、金属配線及び接続パッドを腐食させるという問題がある。このため、近年、SbF6 −にかえて、フッ素原子が炭素原子に結合しており、かつホウ素原子を有するカウンターアニオンを有するスルホニウムボレート錯体が、カチオン重合開始剤として用いられてきている。 However, since the sulfonium antimonate complex has SbF 6 − having a fluorine atom bonded to a metal antimony atom as a counter anion, it generates a large amount of fluorine ions during cation polymerization and corrodes metal wiring and connection pads. There is a problem. Therefore, in recent years, SbF 6 - to place, fluorine atom is bonded to a carbon atom, and is sulfonium borate complex having a counter anion having a boron atom, have been used as a cationic polymerization initiator.
例えば、下記の特許文献1には、下記式(X1)で表されるスルホニウムカチオン部分と、下記式(X2)で表されるボレートアニオン部分とを有するスルホニウムボレート錯体が開示されている。 For example, Patent Document 1 below discloses a sulfonium borate complex having a sulfonium cation moiety represented by the following formula (X1) and a borate anion moiety represented by the following formula (X2).
上記式(X1)中、R1はベンジル基、置換されたベンジル基、フェナシル基、置換されたフェナシル基、アリル基、置換されたアリル基、アルコキシル基、置換されたアルコキシル基、アリールオキシ基又は置換されたアリールオキシ基を表す。R2及びR3はそれぞれ、R1を構成できる基と同じ基を表すか、炭素数1〜18の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基を表すか、又は炭素数6〜18の単環又は縮合多環のアリール基を表す。R1とR2、R1とR3、R2とR3は相互に結合した環状構造であってもよい。上記炭素数1〜18の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基と、上記炭素数6〜18の単環又は縮合多環のアリール基とは、フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基又はアジド基で置換されていてもよい。 In the above formula (X1), R1 is benzyl group, substituted benzyl group, phenacyl group, substituted phenacyl group, allyl group, substituted allyl group, alkoxyl group, substituted alkoxyl group, aryloxy group or substituted Represents a substituted aryloxy group. R2 and R3 each represent the same group as that capable of constituting R1, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, or a monocyclic or 6 to 18 carbon atoms Represents a condensed polycyclic aryl group. R1 and R2, R1 and R3, and R2 and R3 may be a cyclic structure bonded to each other. The linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 18 carbon atoms and the monocyclic or condensed polycyclic aryl group having 6 to 18 carbon atoms are fluorine, chlorine, bromine, hydroxyl group and carboxyl group. , A mercapto group, a cyano group, a nitro group, or an azide group.
上記式(X2)中、Yはフッ素又は塩素を表し、Zは少なくとも2つ以上のフッ素、シアノ基、ニトロ基及びトリフルオロメチル基の中から選ばれる電子吸引性基で置換されたフェニル基を表し、mは0〜3の整数を表し、nは1〜4の整数を表し、m+n=4である。 In the formula (X2), Y represents fluorine or chlorine, and Z represents a phenyl group substituted with an electron-withdrawing group selected from at least two fluorine, cyano group, nitro group and trifluoromethyl group. M represents an integer of 0 to 3, n represents an integer of 1 to 4, and m + n = 4.
また、上記式(X1)で表されるスルホニウムカチオン部分と上記式(X2)で表されるボレートアニオン部分とを有するスルホニウムボレート錯体として、下記式(X3)で表されるp−ヒドロキシフェニル−ベンジル−メチルスルホニウム テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートが市販されている。 Further, as a sulfonium borate complex having a sulfonium cation moiety represented by the above formula (X1) and a borate anion moiety represented by the above formula (X2), p-hydroxyphenyl-benzyl represented by the following formula (X3) -Methylsulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate is commercially available.
特許文献1では、例えば、蒸留水中で反応を行い、下記反応式(Y3)により、上記式(X3)で表されるスルホニウムボレート錯体を得る方法が記載又は示唆されている。 Patent Document 1 describes or suggests, for example, a method of reacting in distilled water to obtain a sulfonium borate complex represented by the above formula (X3) by the following reaction formula (Y3).
上記式(Y3)中、Xは臭素原子又は塩素原子を表す。 In the above formula (Y3), X represents a bromine atom or a chlorine atom.
また、下記の特許文献2には、下記式(X4)で表されるスルホニウムボレート錯体が開示されている。 Patent Document 2 below discloses a sulfonium borate complex represented by the following formula (X4).
上記式(X4)中、R1はアラルキル基を表し、R2は低級アルキル基を表し、Xはハロゲン原子を表し、nは1〜3の整数を表す。但し、R2がメチル基であるとき、R1はベンジル基ではない。 In the above formula (X4), R1 represents an aralkyl group, R2 represents a lower alkyl group, X represents a halogen atom, and n represents an integer of 1 to 3. However, when R2 is a methyl group, R1 is not a benzyl group.
特許文献2では、スルホニウムアンチモネート錯体を用いて、酢酸エチル等の有機溶媒中で反応を行い、下記反応式(Y4)により上記式(X4)で表されるスルホニウムボレート錯体を得る方法が記載されている。 Patent Document 2 describes a method in which a sulfonium antimonate complex is used in an organic solvent such as ethyl acetate to obtain a sulfonium borate complex represented by the above formula (X4) by the following reaction formula (Y4). ing.
上記式(Y4)中、R1、R2、X及びnは、上記式(X4)中のR1、R2、X及びnと同様である。 In the above formula (Y4), R1, R2, X and n are the same as R1, R2, X and n in the above formula (X4).
下記の特許文献3には、下記式(X5)で表されるスルホニウムボレート錯体が開示されている。 Patent Document 3 below discloses a sulfonium borate complex represented by the following formula (X5).
上記式(X5)中、R1はアラルキル基を表し、R2は低級アルキル基を表し、R3は低級アルコキシカルボキル基を表し、Xはハロゲン原子を表し、nは1〜3の整数を表す。 In the above formula (X5), R1 represents an aralkyl group, R2 represents a lower alkyl group, R3 represents a lower alkoxycarboxyl group, X represents a halogen atom, and n represents an integer of 1 to 3.
特許文献3では、スルホニウムアンチモネート錯体を用いて、酢酸エチル等の有機溶媒中で反応を行い、下記反応式(Y5)により上記式(X5)で表されるスルホニウムボレート錯体を得る方法が記載されている。 Patent Document 3 describes a method in which a sulfonium antimonate complex is used in an organic solvent such as ethyl acetate to obtain a sulfonium borate complex represented by the above formula (X5) by the following reaction formula (Y5). ing.
上記式(Y5)中、R1、R2、R3、X及びnは、上記式(X5)中のR1、R2、R3、X及びnと同様である。 In the above formula (Y5), R1, R2, R3, X and n are the same as R1, R2, R3, X and n in the above formula (X5).
特許文献1〜3に記載されたスルホニウムボレート錯体を得る方法では、スルホニウムボレート錯体を効率的に得ることができず、得られるスルホニウムボレート錯体の収率が低いという問題がある。また、特許文献2,3に記載されたスルホニウムボレート錯体を得る方法では、スルホニウムアンチモネート錯体を用いるため、得られるスルホニウムボレート錯体において、微量のアンチモン原子が残留することがある。得られるスルホニウムボレート錯体においてアンチモン原子が含まれていると、スルホニウムボレート錯体を含む硬化性組成物の硬化性が低くなったり、該硬化性組成物の硬化物により金属配線の腐食が生じたりするという問題がある。 In the method of obtaining the sulfonium borate complex described in Patent Documents 1 to 3, the sulfonium borate complex cannot be efficiently obtained, and there is a problem that the yield of the obtained sulfonium borate complex is low. Moreover, in the method for obtaining the sulfonium borate complex described in Patent Documents 2 and 3, since a sulfonium antimonate complex is used, a trace amount of antimony atoms may remain in the obtained sulfonium borate complex. When antimony atoms are contained in the obtained sulfonium borate complex, the curability of the curable composition containing the sulfonium borate complex is reduced, or the metal wiring is corroded by the cured product of the curable composition. There's a problem.
本発明の目的は、スルホニウムボレート錯体を効率的に得るために用いることができるスルホニウム化合物及び該スルホニウム化合物の製造方法を提供することである。また、本発明の目的は、上記スルホニウム化合物が用いられており、硬化剤として用いることができるスルホニウムボレート錯体及び該スルホニウムボレート錯体の製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a sulfonium compound that can be used for efficiently obtaining a sulfonium borate complex and a method for producing the sulfonium compound. Another object of the present invention is to provide a sulfonium borate complex in which the sulfonium compound is used and can be used as a curing agent, and a method for producing the sulfonium borate complex.
本発明の限定的な目的は、金属の腐食を抑制できるスルホニウムボレート錯体及び該スルホニウムボレート錯体の製造方法を提供することである。 The limited object of this invention is to provide the sulfonium borate complex which can suppress corrosion of a metal, and the manufacturing method of this sulfonium borate complex.
本発明の広い局面によれば、下記式(1)で表される化合物と、下記式(2)で表される化合物とを反応させることにより得られる、スルホニウム化合物が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, there is provided a sulfonium compound obtained by reacting a compound represented by the following formula (1) with a compound represented by the following formula (2).
上記式(1)中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、Xはハロゲン原子を表す。 In said formula (1), R1 represents an aryl group or a naphthyl group, and X represents a halogen atom.
上記式(2)中、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、nは1〜3の整数を表す。 In the formula (2), R2 represents a hydroxy group or a CH 3 OCOO group, n represents an integer of 1-3.
本発明に係るスルホニウム化合物のある特定の局面では、上記式(1)で表される化合物は、下記式(11)で表される化合物と、金属マグネシウムとを反応させることにより得られる。 In a specific aspect of the sulfonium compound according to the present invention, the compound represented by the above formula (1) is obtained by reacting a compound represented by the following formula (11) with metallic magnesium.
上記式(11)中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、Xはハロゲン原子を表す。 In said formula (11), R1 represents an aryl group or a naphthyl group, and X represents a halogen atom.
また、本発明の広い局面によれば、上記式(1)で表される化合物と、上記式(2)で表される化合物とを反応させることにより、スルホニウム化合物を得る工程を備える、スルホニウム化合物の製造方法が提供される。 Moreover, according to the wide situation of this invention, the sulfonium compound provided with the process of obtaining a sulfonium compound by making the compound represented by the said Formula (1) and the compound represented by the said Formula (2) react. A manufacturing method is provided.
本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法のある特定の局面では、上記式(11)で表される化合物と、金属マグネシウムとを反応させることにより、上記式(1)で表される化合物を得る工程が更に備えられる。 In a specific aspect of the method for producing a sulfonium compound according to the present invention, a step of obtaining a compound represented by the above formula (1) by reacting a compound represented by the above formula (11) with metallic magnesium. Is further provided.
本発明に係るスルホニウムボレート錯体は、本発明に係るスルホニウム化合物又は本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物と、下記式(21)で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより得られる。 The sulfonium borate complex according to the present invention reacts the sulfonium compound according to the present invention or the sulfonium compound obtained by the method for producing the sulfonium compound according to the present invention with a compound having an anion moiety represented by the following formula (21). Is obtained.
上記式(21)中、Xはハロゲン原子を表す。 In the above formula (21), X represents a halogen atom.
本発明に係るスルホニウムボレート錯体の製造方法は、本発明に係るスルホニウム化合物又は本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物と、上記式(21)で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより、スルホニウムボレート錯体を得る工程を備える。 The method for producing a sulfonium borate complex according to the present invention comprises a sulfonium compound according to the present invention or a sulfonium compound obtained by the method for producing a sulfonium compound according to the present invention and a compound having an anion moiety represented by the above formula (21) And a step of obtaining a sulfonium borate complex.
本発明に係るスルホニウム化合物は、式(1)で表される化合物と、式(2)で表される化合物とを反応させることにより得られるので、本発明に係るスルホニウム化合物をボレート化合物と反応させることで、スルホニウムボレート錯体を効率的に得ることができる。 Since the sulfonium compound according to the present invention is obtained by reacting the compound represented by the formula (1) with the compound represented by the formula (2), the sulfonium compound according to the present invention is reacted with a borate compound. Thus, a sulfonium borate complex can be obtained efficiently.
本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法は、式(1)で表される化合物と、式(2)で表される化合物とを反応させることにより、スルホニウム化合物を得る工程を備えるので、スルホニウム化合物を効率的に得ることができる。このため、本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物をボレート化合物と反応させることで、スルホニウムボレート錯体を効率的に得ることができる。 The method for producing a sulfonium compound according to the present invention includes a step of obtaining a sulfonium compound by reacting a compound represented by the formula (1) with a compound represented by the formula (2). Can be obtained efficiently. For this reason, a sulfonium borate complex can be efficiently obtained by making the sulfonium compound obtained by the manufacturing method of the sulfonium compound which concerns on this invention react with a borate compound.
以下、本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明に係るスルホニウム化合物は、下記式(1)で表される化合物と、下記式(2)で表される化合物とを反応させることにより得られている。 The sulfonium compound according to the present invention is obtained by reacting a compound represented by the following formula (1) with a compound represented by the following formula (2).
上記式(1)中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、Xはハロゲン原子を表す。 In said formula (1), R1 represents an aryl group or a naphthyl group, and X represents a halogen atom.
上記式(2)中、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、nは1〜3の整数を表す。 In the formula (2), R2 represents a hydroxy group or a CH 3 OCOO group, n represents an integer of 1-3.
本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法は、上記式(1)で表される化合物と、上記式(2)で表される化合物とを反応させることにより、スルホニウム化合物を得る工程を備える。 The manufacturing method of the sulfonium compound which concerns on this invention comprises the process of obtaining a sulfonium compound by making the compound represented by the said Formula (1), and the compound represented by the said Formula (2) react.
本発明に係るスルホニウム化合物及び本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法では、グリニャール反応を利用している。 The sulfonium compound according to the present invention and the method for producing the sulfonium compound according to the present invention utilize a Grignard reaction.
従来、スルホニウムボレート錯体を得る際に、上記反応式(Y3)のように、グリニャール反応を利用せずに、蒸留水中で反応が行われていた。また、スルホニウムボレート錯体を得る際に、上記反応式(Y4)及び上記反応式(Y5)のように、スルホニウムアンチモネート錯体を用いて、酢酸エチル等の有機溶媒中で反応が行われていた。また、スルホニウムアンチモネート錯体を用いて、水中で反応が行われることもあった。しかしながら、従来のスルホニウムボレート錯体の製造方法では、スルホニウムボレート錯体を効率的に得ることができず、収率が悪いという問題があった。また、未反応のスルホニウムアンチモネート錯体が残留しやすいという問題もあった。 Conventionally, when a sulfonium borate complex is obtained, the reaction is performed in distilled water without using the Grignard reaction as shown in the above reaction formula (Y3). Moreover, when obtaining a sulfonium borate complex, like the said Reaction Formula (Y4) and the said Reaction Formula (Y5), reaction was performed in organic solvents, such as ethyl acetate, using a sulfonium antimonate complex. Moreover, reaction may be performed in water using a sulfonium antimonate complex. However, the conventional method for producing a sulfonium borate complex has a problem that the sulfonium borate complex cannot be obtained efficiently and the yield is poor. There is also a problem that unreacted sulfonium antimonate complex tends to remain.
これに対して、本発明では、グリニャール反応を利用しているので、スルホニウム化合物を効率的に、収率よく得ることができる。このため、該スルホニウム化合物を用いて、スルホニウムボレート錯体を効率的に、収率よく得ることができる。 On the other hand, in the present invention, since the Grignard reaction is used, the sulfonium compound can be obtained efficiently and in a high yield. For this reason, a sulfonium borate complex can be obtained efficiently and in good yield using the sulfonium compound.
本発明に係るスルホニウム化合物を得るために、並びに本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法では、アンチモン原子を有する化合物を用いないことが好ましい。さらに、後述する本発明に係るスルホニウムボレート錯体を得るために、並びに本発明に係るスルホニウムボレート錯体の製造方法では、アンチモン原子を有する化合物を用いないことが好ましい。アンチモン原子を有する化合物を用いない場合には、スルホニウムボレート錯体を用いた硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に金属の腐食を抑制できる。 In order to obtain the sulfonium compound according to the present invention and in the method for producing a sulfonium compound according to the present invention, it is preferable not to use a compound having an antimony atom. Furthermore, in order to obtain the sulfonium borate complex which concerns on this invention mentioned later, and in the manufacturing method of the sulfonium borate complex which concerns on this invention, it is preferable not to use the compound which has an antimony atom. When a compound having an antimony atom is not used, the curability of the curable composition using the sulfonium borate complex can be increased, and further, corrosion of the metal can be suppressed.
上記式(1)中のXは、塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、塩素原子であることがより好ましい。上記式(1)中のR1の好ましい例としては、フェニル基、o−メチルフェニル基、m−メチルフェニル基、p−メチルフェニル基、1−ナフチル基及び2−ナフチル基等が挙げられる。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式(1)中のR1は、フェニル基、o−メチルフェニル基又は1−ナフチル基であることが好ましい。但し、上記R1はこれら以外の基であってもよい。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式(1)で表される化合物は、下記式(1A)又は下記式(1B)で表される化合物であることが好ましい。 X in the formula (1) is preferably a chlorine atom or a bromine atom, and more preferably a chlorine atom. Preferable examples of R1 in the above formula (1) include phenyl group, o-methylphenyl group, m-methylphenyl group, p-methylphenyl group, 1-naphthyl group and 2-naphthyl group. From the viewpoint of obtaining a sulfonium borate complex more efficiently, R1 in the above formula (1) is preferably a phenyl group, an o-methylphenyl group or a 1-naphthyl group. However, R1 may be a group other than these. From the viewpoint of more efficiently obtaining a sulfonium borate complex, the compound represented by the above formula (1) is preferably a compound represented by the following formula (1A) or the following formula (1B).
上記式(1A)中、R1aは炭素数1〜4のアルキル基を表し、Xはハロゲン原子を表し、mは0又は1を表す。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、R1aは、メチル基であることが好ましい。mは、R1が存在しないように0であることが好ましい。上記式(1A)中のXの好ましい基は、上記式(1)中のXの好ましい基と同様である。なお、R1aのベンゼン環に対する結合部位は特に限定されない。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、R1aは、CH2MgX基に対して、オルト位に結合していることが好ましい。 In the above formula (1A), R 1a represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, X represents a halogen atom, and m represents 0 or 1. From the viewpoint of obtaining a sulfonium borate complex more efficiently, R 1a is preferably a methyl group. m is preferably 0 so that R1 does not exist. The preferable group of X in the said Formula (1A) is the same as the preferable group of X in the said Formula (1). In addition, the bonding site | part with respect to the benzene ring of R1a is not specifically limited. From the viewpoint of obtaining a sulfonium borate complex more efficiently, R1a is preferably bonded to the ortho position with respect to the CH 2 MgX group.
上記式(1B)中、Xはハロゲン原子を表す。上記式(1B)中のXの好ましい基は、上記式(1)中のXと同様である。 In the above formula (1B), X represents a halogen atom. The preferable group of X in the said Formula (1B) is the same as that of X in the said Formula (1).
上記式(2)において、R2のベンゼン環に対する結合部位は特に限定されない。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、R2は、S−CH3基に対して、パラ位に結合していることが好ましい。上記式(2)におけるCH3OCOO基は、メトキシカルボニルオキシ基である。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式(2)中のR2は、ヒドロキシ基であることが好ましい。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式(2)中のnは、1であることが好ましい。 In the above formula (2), the binding site of R2 to the benzene ring is not particularly limited. From the viewpoint of obtaining a sulfonium borate complex more efficiently, R 2 is preferably bonded to the para position with respect to the S—CH 3 group. The CH 3 OCOO group in the above formula (2) is a methoxycarbonyloxy group. From the viewpoint of obtaining a sulfonium borate complex more efficiently, R2 in the above formula (2) is preferably a hydroxy group. From the viewpoint of obtaining a sulfonium borate complex more efficiently, n in the above formula (2) is preferably 1.
本発明に係るスルホニウム化合物及び本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られるスルホニウム化合物は、下記式(31)で表されるカチオン部分を有する化合物であることが好ましく、下記式(32)で表される化合物であることがより好ましい。 The sulfonium compound according to the present invention and the sulfonium compound obtained by the method for producing the sulfonium compound according to the present invention are preferably compounds having a cation moiety represented by the following formula (31), and represented by the following formula (32). More preferably, the compound is
上記式(31)中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、nは1〜3の整数を表す。上記式(31)中のR1、R2及びnは、上記式(1)及び上記式(2)中のR1、R2及びnに由来する。上記式(31)中のR1、R2及びnの好ましい基及び数は、上記式(1)及び上記式(2)中のR1、R2及びnの好ましい基及び数と同様である。 In the above formula (31), R1 represents an aryl group or a naphthyl group, R2 represents a hydroxy group or a CH 3 OCOO group, n represents an integer of 1-3. R1, R2 and n in the formula (31) are derived from R1, R2 and n in the formula (1) and the formula (2). The preferable groups and numbers of R1, R2 and n in the formula (31) are the same as the preferable groups and numbers of R1, R2 and n in the formula (1) and the formula (2).
上記式(32)中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、Xはハロゲン原子を表し、nは1〜3の整数を表す。上記式(32)中のR1、R2、X及びnは、上記式(1)及び上記式(2)中のR1、R2、X及びnに由来する。上記式(32)中のR1、R2、X及びnの好ましい基及び数は、上記式(1)及び上記式(2)中のR1、R2、X及びnの好ましい基及び数と同様である。 In the above formula (32), R1 represents an aryl group or a naphthyl group, R2 represents a hydroxy group or a CH 3 OCOO group, X represents a halogen atom, n is an integer of 1-3. R1, R2, X and n in the formula (32) are derived from R1, R2, X and n in the formula (1) and the formula (2). The preferred groups and numbers of R1, R2, X and n in the above formula (32) are the same as the preferred groups and numbers of R1, R2, X and n in the above formula (1) and the above formula (2). .
上記式(31)で表されるカチオン部分を有する化合物は、下記式(31A)又は下記式(31B)で表されるカチオン部分を有する化合物であることが好ましい。上記式(32)で表される化合物は、下記式(32A)又は下記式(32B)で表される化合物であることが好ましい。 The compound having a cation moiety represented by the above formula (31) is preferably a compound having a cation moiety represented by the following formula (31A) or the following formula (31B). The compound represented by the above formula (32) is preferably a compound represented by the following formula (32A) or the following formula (32B).
上記式(31A)中、R1aは炭素数1〜4のアルキル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、mは0又は1を表し、nは1〜3の整数を表す。上記式(31A)中のR1a、R2、m及びnは、上記式(1A)及び上記式(2)中のR1a、R2、m及びnに由来する。上記式(31A)中のR1a、R2、m及びnの好ましい基及び数は、上記式(1A)及び上記式(2)中のR1a、R2、m及びnの好ましい基及び数と同様である。 In the formula (31A), R1a represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R2 represents a hydroxy group or a CH 3 OCOO group, m represents 0 or 1, n represents an integer of 1-3. R1a, R2, m and n in the formula (31A) are derived from R1a, R2, m and n in the formula (1A) and the formula (2). The preferred groups and numbers of R1a, R2, m and n in the above formula (31A) are the same as the preferred groups and numbers of R1a, R2, m and n in the above formula (1A) and the above formula (2). .
上記式(31B)中、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、nは1〜3の整数を表す。上記式(31B)中のR2及びnは、上記式(2)中のR2及びnに由来する。上記式(31B)中のR2及びnの好ましい基及び数は、上記式(2)中のR2及びnの好ましい基及び数と同様である。 In the above formula (31B), R2 represents a hydroxy group or a CH 3 OCOO group, n represents an integer of 1-3. R2 and n in the above formula (31B) are derived from R2 and n in the above formula (2). The preferable group and number of R2 and n in the formula (31B) are the same as the preferable group and number of R2 and n in the formula (2).
上記式(32A)中、R1aは炭素数1〜4のアルキル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、Xはハロゲン原子を表し、mは0又は1を表し、nは1〜3の整数を表す。上記式(32A)中のR1a、R2、X、m及びnは、上記式(1A)及び上記式(2)中のR1a、R2、X、m及びnに由来する。上記式(32A)中のR1a、R2、X、m及びnの好ましい基及び数は、上記式(1A)及び上記式(2)中のR1a、R2、X、m及びnの好ましい基及び数と同様である。 In the formula (32A), R1a represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R2 represents a hydroxy group or a CH 3 OCOO group, X represents a halogen atom, m represents 0 or 1, n is 1 Represents an integer of ~ 3. R1a, R2, X, m and n in the formula (32A) are derived from R1a, R2, X, m and n in the formula (1A) and the formula (2). Preferred groups and numbers of R1a, R2, X, m and n in the above formula (32A) are preferable groups and numbers of R1a, R2, X, m and n in the above formula (1A) and the above formula (2). It is the same.
上記式(32B)中、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、Xはハロゲン原子を表し、nは1〜3の整数を表す。上記式(32B)中のR2、X及びnは、上記式(1B)及び上記式(2)中のR2、X及びnに由来する。上記式(32B)中のR2、X及びnの好ましい基及び数は、上記式(1B)及び上記式(2)中のR2、X及びnの好ましい基及び数と同様である。 In the above formula (32B), R2 represents a hydroxy group or a CH 3 OCOO group, X represents a halogen atom, n is an integer of 1-3. R2, X and n in the formula (32B) are derived from R2, X and n in the formula (1B) and the formula (2). The preferable groups and numbers of R2, X and n in the above formula (32B) are the same as the preferable groups and numbers of R2, X and n in the above formula (1B) and the above formula (2).
本発明に係るスルホニウム化合物では、上記式(1)で表される化合物は、下記式(11)で表される化合物と、金属マグネシウムとを反応させることにより得られていることが好ましい。この反応では、上記式(1)で表される化合物が容易に得られる。従って、本発明に係るスルホニウム化合物は、下記式(11)で表される化合物と金属マグネシウムとを反応させることにより得られた上記式(1)で表される化合物と、上記式(2)で表される化合物とを反応させることにより得られていることが好ましい。 In the sulfonium compound according to the present invention, the compound represented by the above formula (1) is preferably obtained by reacting a compound represented by the following formula (11) with metallic magnesium. In this reaction, the compound represented by the above formula (1) can be easily obtained. Therefore, the sulfonium compound according to the present invention includes a compound represented by the above formula (1) obtained by reacting a compound represented by the following formula (11) with metallic magnesium, and the above formula (2). It is preferably obtained by reacting the compound represented.
上記式(11)中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、Xはハロゲン原子を表す。上記式(1)中のR1及びXの好ましい基は、上記式(1)中のR1及びXの好ましい基と同様である。 In said formula (11), R1 represents an aryl group or a naphthyl group, and X represents a halogen atom. Preferred groups for R1 and X in the above formula (1) are the same as the preferred groups for R1 and X in the above formula (1).
本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法は、上記式(11)で表される化合物と、金属マグネシウムとを反応させることにより、上記式(1)で表される化合物を得る工程を更に備えることが好ましい。この工程では、上記式(1)で表される化合物が容易に得られる。従って、本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法は、上記式(11)で表される化合物と、金属マグネシウムとを反応させることにより、上記式(1)で表される化合物を得る工程と、上記式(1)で表される化合物と、上記式(2)で表される化合物とを反応させることにより、スルホニウム化合物を得る工程とを備えることが好ましい。 The method for producing a sulfonium compound according to the present invention further includes a step of obtaining a compound represented by the above formula (1) by reacting the compound represented by the above formula (11) with metallic magnesium. preferable. In this step, the compound represented by the above formula (1) is easily obtained. Therefore, the method for producing a sulfonium compound according to the present invention comprises a step of obtaining a compound represented by the above formula (1) by reacting a compound represented by the above formula (11) with metallic magnesium, It is preferable to include a step of obtaining a sulfonium compound by reacting the compound represented by the formula (1) with the compound represented by the above formula (2).
上記式(11)中のXは、塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、塩素原子であることがより好ましい。上記式(11)中のR1の好ましい例としては、フェニル基、o−メチルフェニル基、m−メチルフェニル基、p−メチルフェニル基、1−ナフチル基及び2−ナフチル基等が挙げられる。上記式(11)中のR1は、フェニル基、o−メチルフェニル基又は1−ナフチル基であることが好ましい。但し、上記R1はこれら以外の基であってもよい。上記式(11)で表される化合物は、下記式(11A)又は下記式(11B)で表される化合物であることが好ましい。 X in the above formula (11) is preferably a chlorine atom or a bromine atom, and more preferably a chlorine atom. Preferable examples of R1 in the above formula (11) include phenyl group, o-methylphenyl group, m-methylphenyl group, p-methylphenyl group, 1-naphthyl group and 2-naphthyl group. R1 in the formula (11) is preferably a phenyl group, an o-methylphenyl group, or a 1-naphthyl group. However, R1 may be a group other than these. The compound represented by the above formula (11) is preferably a compound represented by the following formula (11A) or the following formula (11B).
上記式(11A)中、R1aは、炭素数1〜4のアルキル基を表し、Xはハロゲン原子を表し、mは0又は1を表す。上記式(11A)中のR1aは、メチル基であることが好ましい。上記式(11A)中のmは、R1が存在しないように0であることが好ましい。上記式(11A)中のXは塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、塩素原子であることがより好ましい。なお、R1aのベンゼン環に対する結合部位は特に限定されない。R1aは、CH2X基に対して、オルト位に結合していることが好ましい。 In the above formula (11A), R 1a represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, X represents a halogen atom, and m represents 0 or 1. R1a in the above formula (11A) is preferably a methyl group. M in the formula (11A) is preferably 0 so that R1 does not exist. X in the formula (11A) is preferably a chlorine atom or a bromine atom, and more preferably a chlorine atom. In addition, the coupling | bonding site | part with respect to the benzene ring of R1a is not specifically limited. R1a is preferably bonded to the ortho position with respect to the CH 2 X group.
上記式(11B)中、Xはハロゲン原子を表す。上記式(11B)中のXは塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、塩素原子であることがより好ましい。 In the above formula (11B), X represents a halogen atom. X in the formula (11B) is preferably a chlorine atom or a bromine atom, and more preferably a chlorine atom.
本発明に係るスルホニウム化合物及び本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物は、スルホニウムボレート錯体を得るためのスルホニウム化合物であることが好ましい。本発明に係るスルホニウム化合物は、ボレート化合物と反応させてスルホニウムボレート錯体を得るためのスルホニウム化合物であることが好ましい。 The sulfonium compound according to the present invention and the sulfonium compound obtained by the method for producing a sulfonium compound according to the present invention are preferably sulfonium compounds for obtaining a sulfonium borate complex. The sulfonium compound according to the present invention is preferably a sulfonium compound for reacting with a borate compound to obtain a sulfonium borate complex.
スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記ボレート化合物は、下記式(21)で表されるアニオン部分を有する化合物又はテトラキス[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ボレートアニオンを有する化合物であることが好ましく、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートアニオンを有する化合物又はテトラキス[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ボレートアニオンを有する化合物であることが好ましく、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートアニオンを有する化合物であることがより好ましい。上記ボレート化合物のカチオン部分は、リチウムカチオン又はナトリウムカチオンであることが好ましく、ナトリウムカチオンであることがより好ましい。 From the viewpoint of more efficiently obtaining a sulfonium borate complex, the borate compound is a compound having an anion moiety represented by the following formula (21) or tetrakis [3,5-bis (trifluoromethyl) phenyl] borate anion And a compound having a tetrakis (pentafluorophenyl) borate anion or a compound having a tetrakis [3,5-bis (trifluoromethyl) phenyl] borate anion is preferred. More preferred is a compound having a phenyl) borate anion. The cation portion of the borate compound is preferably a lithium cation or a sodium cation, and more preferably a sodium cation.
上記式(21)中、Xはハロゲン原子を表す。上記式(21)中のXは、塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、塩素原子であることがより好ましい。 In the above formula (21), X represents a halogen atom. X in the above formula (21) is preferably a chlorine atom or a bromine atom, and more preferably a chlorine atom.
本発明に係るスルホニウムボレート錯体は、本発明に係るスルホニウム化合物又は本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物と、上記式(21)で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより得られていることが好ましい。また、本発明に係るスルホニウムボレート錯体の製造方法は、本発明に係るスルホニウム化合物又は本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物と、上記式(21)で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより、スルホニウムボレート錯体を得る工程を備えることが好ましい。 The sulfonium borate complex according to the present invention reacts the sulfonium compound according to the present invention or the sulfonium compound obtained by the method for producing a sulfonium compound according to the present invention with a compound having an anion moiety represented by the above formula (21). It is preferable that it is obtained by making it. The method for producing a sulfonium borate complex according to the present invention comprises a sulfonium compound according to the present invention or a sulfonium compound obtained by the method for producing a sulfonium compound according to the present invention and an anion moiety represented by the above formula (21). It is preferable to provide a step of obtaining a sulfonium borate complex by reacting with a compound having the compound.
本発明に係るスルホニウムボレート錯体及び本発明に係るスルホニウムボレート錯体の製造方法では、本発明に係るスルホニウム化合物及び本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物を用いているので、スルホニウムボレート錯体を効率的に、収率よく得ることができる。 In the method for producing the sulfonium borate complex according to the present invention and the sulfonium borate complex according to the present invention, the sulfonium compound according to the present invention and the sulfonium compound obtained by the method for producing the sulfonium compound according to the present invention are used. The complex can be obtained efficiently and with good yield.
本発明に係るスルホニウムボレート錯体及び本発明に係るスルホニウムボレート錯体の製造方法により得られたスルホニウムボレート錯体は、下記式(41)で表されるスルホニウムボレート錯体であることが好ましい。 The sulfonium borate complex according to the present invention and the sulfonium borate complex obtained by the method for producing the sulfonium borate complex according to the present invention are preferably sulfonium borate complexes represented by the following formula (41).
上記式(41)中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、Xはハロゲン原子を表し、nは1〜3の整数を表す。上記式(41)中のR1、R2及びnは、上記式(1)及び上記式(2)中のR1、R2及びnに由来する。上記式(41)中のR1、R2及びnの好ましい基及び数は、上記式(1)及び上記式(2)中のR1、R2及びnの好ましい基及び数と同様である。上記式(41)中のXは、上記式(21)中のXに由来する。上記式(41)中のXの好ましい基は、上記式(21)中のXの好ましい基と同様である。 In the above formula (41), R1 represents an aryl group or a naphthyl group, R2 represents a hydroxy group or a CH 3 OCOO group, X represents a halogen atom, n is an integer of 1-3. R1, R2 and n in the formula (41) are derived from R1, R2 and n in the formula (1) and the formula (2). The preferable group and number of R1, R2 and n in the formula (41) are the same as the preferable group and number of R1, R2 and n in the formula (1) and the formula (2). X in the above formula (41) is derived from X in the above formula (21). The preferable group of X in the said Formula (41) is the same as the preferable group of X in the said Formula (21).
スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式(41)で表されるスルホニウムボレート錯体は、下記式(41A)又は下記式(41B)で表されるスルホニウムボレート錯体であることが好ましい。 From the viewpoint of obtaining the sulfonium borate complex more efficiently, the sulfonium borate complex represented by the above formula (41) is a sulfonium borate complex represented by the following formula (41A) or the following formula (41B). preferable.
上記式(41A)中、R1aは炭素数1〜4のアルキル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、Xはハロゲン原子を表し、mは0又は1を表し、nは1〜3の整数を表す。上記式(41A)中のR1a、R2、m及びnは、上記式(1A)及び上記式(2)中のR1、R2、m及びnに由来する。上記式(41A)中のR1a、R2、m及びnの好ましい基及び数は、上記式(1A)及び上記式(2)中のR1、R2、m及びnの好ましい基及び数と同様である。上記式(41A)中のXは、上記式(21)中のXに由来する。上記式(41A)中のXの好ましい基は、上記式(21)中のXの好ましい基と同様である。 In the above formula (41A), R 1a represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 2 represents a hydroxy group or a CH 3 OCOO group, X represents a halogen atom, m represents 0 or 1, and n represents 1 Represents an integer of ~ 3. R1a, R2, m, and n in the formula (41A) are derived from R1, R2, m, and n in the formula (1A) and the formula (2). Preferred groups and numbers of R1a, R2, m and n in the above formula (41A) are the same as the preferred groups and numbers of R1, R2, m and n in the above formula (1A) and the above formula (2). . X in the above formula (41A) is derived from X in the above formula (21). The preferable group of X in the said Formula (41A) is the same as the preferable group of X in the said Formula (21).
上記式(41B)中、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、Xはハロゲン原子を表し、nは1〜3の整数を表す。上記式(41B)中のR2及びnは、上記式(1B)及び上記式(2)中のR2及びnに由来する。上記式(41B)中のR2及びnの好ましい基及び数は、上記式(1B)及び上記式(2)中のR2及びnの好ましい基及び数と同様である。上記式(41B)中のXは、上記式(21)中のXに由来する。上記式(41B)中のXの好ましい基は、上記式(21)中のXの好ましい基と同様である。 In the above formula (41B), R2 represents a hydroxy group or a CH 3 OCOO group, X represents a halogen atom, n is an integer of 1-3. R2 and n in the formula (41B) are derived from R2 and n in the formula (1B) and the formula (2). The preferable group and number of R2 and n in the formula (41B) are the same as the preferable group and number of R2 and n in the formula (1B) and the formula (2). X in the above formula (41B) is derived from X in the above formula (21). The preferable group of X in the said Formula (41B) is the same as the preferable group of X in the said Formula (21).
上記スルホニウムボレート錯体は、カチオン重合開始剤として好適に用いられる。硬化性組成物は、硬化性化合物と、上記カチオン重合開始剤とを含むことが好ましい。上記硬化性組成物は、導電性粒子をさらに含むことが好ましい。導電性粒子を含む硬化性組成物は、異方性導電材料であることが好ましい。上記硬化性組成物は、光の照射又は加熱により硬化可能である。上記硬化性組成物は光の照射により硬化させてもよく、加熱により硬化させてもよく、光の照射と加熱とにより硬化させてもよい。 The sulfonium borate complex is preferably used as a cationic polymerization initiator. The curable composition preferably contains a curable compound and the cationic polymerization initiator. It is preferable that the said curable composition further contains electroconductive particle. The curable composition containing conductive particles is preferably an anisotropic conductive material. The curable composition can be cured by light irradiation or heating. The curable composition may be cured by light irradiation, may be cured by heating, or may be cured by light irradiation and heating.
上記異方性導電材料は、ペースト状である異方性導電ペーストであってもよく、フィルム状である異方性導電フィルムであってもよい。上記異方性導電材料は、異方性導電ペーストであることが好ましい。 The anisotropic conductive material may be a paste-like anisotropic conductive paste or a film-like anisotropic conductive film. The anisotropic conductive material is preferably an anisotropic conductive paste.
以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.
(実施例1)
(1)グリニャール試薬の合成
金属マグネシウム14重量部にテトラヒドロピラン10重量部を添加し、1,2−ジブロモエタン0.6重量部を更に添加して金属マグネシウムを活性化させた。次に、1−(クロロメチル)ナフタレン10重量部を滴下して、20℃で撹拌し、反応させた。ろ過により残留しているマグネシウムを除去した。このようにして、下記反応式(A−1)により、グリニャール試薬である(1−ナフチル)メチルマグネシウムクロリドを合成した。
Example 1
(1) Synthesis of Grignard reagent 10 parts by weight of tetrahydropyran was added to 14 parts by weight of metal magnesium, and 0.6 parts by weight of 1,2-dibromoethane was further added to activate the metal magnesium. Next, 10 parts by weight of 1- (chloromethyl) naphthalene was added dropwise and stirred at 20 ° C. for reaction. Residual magnesium was removed by filtration. In this way, (1-naphthyl) methylmagnesium chloride, which is a Grignard reagent, was synthesized according to the following reaction formula (A-1).
(2)スルホニウム化合物の合成
得られた(1−ナフチル)メチルマグネシウムクロリド(分子量201.0)10重量部に、4−(メチルチオ)フェノール(分子量140.2)6.975重量部を添加し、20℃で24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、下記反応式(B−1)により、スルホニウム化合物(B1)(スルホニウム塩)を合成した。用いた(1−ナフチル)メチルマグネシウムクロリドに対して、得られたスルホニウム化合物(B1)の収率は97%であった。
(2) Synthesis of sulfonium compound To 10 parts by weight of the obtained (1-naphthyl) methylmagnesium chloride (molecular weight 201.0), 6.975 parts by weight of 4- (methylthio) phenol (molecular weight 140.2) was added, The mixture was stirred at 20 ° C. for 24 hours to precipitate a crystal. The crystal was taken out and washed. Thus, a sulfonium compound (B1) (sulfonium salt) was synthesized according to the following reaction formula (B-1). The yield of the obtained sulfonium compound (B1) was 97% with respect to the (1-naphthyl) methyl magnesium chloride used.
(3)スルホニウムボレート錯体の合成
得られたスルホニウム化合物(B1)10重量部に酢酸エチル100重量部を添加し、テトラフルオロフェニルボレートナトリウムを10重量%含む水溶液150重量部を更に添加して、20℃で30分間撹拌した。分液操作により酢酸エチル層を取り出し、水洗した後、エバポレーターで濃縮した。このようにして、下記反応式(C−1)により、スルホニウムボレート錯体(C1)を得た。
(3) Synthesis of sulfonium borate complex 100 parts by weight of ethyl acetate was added to 10 parts by weight of the obtained sulfonium compound (B1), and 150 parts by weight of an aqueous solution containing 10% by weight of sodium tetrafluorophenylborate was further added. Stir at 30 ° C. for 30 minutes. The ethyl acetate layer was taken out by a liquid separation operation, washed with water, and then concentrated with an evaporator. Thus, the sulfonium borate complex (C1) was obtained by the following reaction formula (C-1).
(4)硬化性組成物の調製
硬化性化合物であるEBECRYL3702(ダイセルサイテック社製「エポキシアクリレート」)5重量部と、得られたスルホニウムボレート錯体(C1)4重量部と、フィラーであるアルミナ(平均粒子径0.5μm)20重量部とを配合し、さらに平均粒子径3μmの導電性粒子を配合物100重量%中での含有量が10重量%となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、硬化性組成物(異方性導電ペースト)を得た。
(4) Preparation of curable composition 5 parts by weight of EBECRYL 3702 (“epoxy acrylate” manufactured by Daicel Cytec Co., Ltd.) which is a curable compound, 4 parts by weight of the obtained sulfonium borate complex (C1), and alumina (average) (Particle diameter 0.5 μm) and 20 parts by weight, and further, conductive particles having an average particle diameter of 3 μm were added so that the content in 100% by weight of the composition would be 10% by weight. The resulting mixture was stirred at 2000 rpm for 5 minutes to obtain a curable composition (anisotropic conductive paste).
なお、用いた上記導電性粒子は、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている金属層を有する導電性粒子である。 The conductive particles used are conductive particles having a metal layer in which a nickel plating layer is formed on the surface of divinylbenzene resin particles and a gold plating layer is formed on the surface of the nickel plating layer. is there.
(実施例2)
(1)グリニャール試薬の合成
金属マグネシウム14重量部にテトラヒドロピラン10重量部を添加し、1,2−ジブロモエタン0.6重量部を更に添加して金属マグネシウムを活性化させた。次に、1−(クロロメチル)ベンゼン10重量部を滴下して、15℃で撹拌し、反応させた。ろ過により残留しているマグネシウムを除去した。このようにして、下記反応式(A−2)により、グリニャール試薬であるベンジルマグネシウムクロリドを合成した。
(Example 2)
(1) Synthesis of Grignard reagent 10 parts by weight of tetrahydropyran was added to 14 parts by weight of metal magnesium, and 0.6 parts by weight of 1,2-dibromoethane was further added to activate the metal magnesium. Next, 10 parts by weight of 1- (chloromethyl) benzene was added dropwise and stirred at 15 ° C. for reaction. Residual magnesium was removed by filtration. In this way, benzylmagnesium chloride, which is a Grignard reagent, was synthesized by the following reaction formula (A-2).
(2)スルホニウム化合物の合成
得られたベンジルマグネシウムクロリド(分子量150.9)10重量部に、4−(メチルチオ)フェノール(分子量140.2)9.3重量部を添加し、15℃で24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、下記反応式(B−2)により、スルホニウム化合物(B2)(スルホニウム塩)を合成した。用いたベンジルマグネシウムクロリドに対して、得られたスルホニウム化合物(B2)の収率は95%であった。
(2) Synthesis of sulfonium compound To 10 parts by weight of the obtained benzylmagnesium chloride (molecular weight 150.9), 9.3 parts by weight of 4- (methylthio) phenol (molecular weight 140.2) was added, and the mixture was heated at 15 ° C. for 24 hours. Stirring to precipitate crystals. The crystal was taken out and washed. Thus, a sulfonium compound (B2) (sulfonium salt) was synthesized according to the following reaction formula (B-2). The yield of the obtained sulfonium compound (B2) was 95% with respect to the benzylmagnesium chloride used.
(3)スルホニウムボレート錯体の合成
得られたスルホニウム化合物(B2)10重量部に酢酸エチル100重量部を添加し、テトラフルオロフェニルボレートナトリウムを10重量%含む水溶液150重量部を更に添加して、23℃で30分間撹拌した。分液操作により酢酸エチル層を取り出し、水洗した後、エバポレーターで濃縮した。このようにして、下記反応式(C−2)により、スルホニウムボレート錯体(C2)を得た。
(3) Synthesis of sulfonium borate complex 100 parts by weight of ethyl acetate was added to 10 parts by weight of the obtained sulfonium compound (B2), and 150 parts by weight of an aqueous solution containing 10% by weight of sodium tetrafluorophenylborate was further added. Stir at 30 ° C. for 30 minutes. The ethyl acetate layer was taken out by a liquid separation operation, washed with water, and then concentrated with an evaporator. Thus, the sulfonium borate complex (C2) was obtained by the following reaction formula (C-2).
(4)硬化性組成物の調製
スルホニウムボレート錯体(C1)を、得られたスルホニウムボレート錯体(C2)に変更したこと以外は実施例1と同様にして、硬化性組成物を得た。
(4) Preparation of curable composition The curable composition was obtained like Example 1 except having changed the sulfonium borate complex (C1) into the obtained sulfonium borate complex (C2).
(実施例3)
(1)グリニャール試薬の合成
金属マグネシウム14重量部にテトラヒドロピラン10重量部を添加し、1,2−ジブロモエタン0.6重量部を更に添加して金属マグネシウムを活性化させた。次に、1−(クロロメチル)−2−メチルベンゼン10重量部を滴下して、10℃で撹拌し、反応させた。ろ過により残留しているマグネシウムを除去した。このようにして、下記反応式(A−3)により、グリニャール試薬である2−メチルベンジルマグネシウムクロリドを合成した。
(Example 3)
(1) Synthesis of Grignard reagent 10 parts by weight of tetrahydropyran was added to 14 parts by weight of metal magnesium, and 0.6 parts by weight of 1,2-dibromoethane was further added to activate the metal magnesium. Next, 10 parts by weight of 1- (chloromethyl) -2-methylbenzene was added dropwise and stirred at 10 ° C. for reaction. Residual magnesium was removed by filtration. In this way, 2-methylbenzylmagnesium chloride, which is a Grignard reagent, was synthesized according to the following reaction formula (A-3).
(2)スルホニウム化合物の合成
得られた2−メチルベンジルマグネシウムクロリド(分子量164.9)10重量部に、4−(メチルチオ)フェノール(分子量140.2)8.5重量部を添加し、10℃で24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、下記反応式(B−3)により、スルホニウム化合物(B3)(スルホニウム塩)を合成した。用いた2−メチルベンジルマグネシウムクロリドに対して、得られたスルホニウム化合物(B3)の収率は96%であった。
(2) Synthesis of sulfonium compound To 10 parts by weight of the obtained 2-methylbenzylmagnesium chloride (molecular weight 164.9), 8.5 parts by weight of 4- (methylthio) phenol (molecular weight 140.2) was added, and 10 ° C. The mixture was stirred for 24 hours to precipitate crystals. The crystal was taken out and washed. Thus, a sulfonium compound (B3) (sulfonium salt) was synthesized according to the following reaction formula (B-3). The yield of the obtained sulfonium compound (B3) was 96% with respect to 2-methylbenzylmagnesium chloride used.
(3)スルホニウムボレート錯体の合成
得られたスルホニウム化合物(B3)10重量部に酢酸エチル100重量部を添加し、テトラフルオロフェニルボレートナトリウムを10重量%含む水溶液150重量部を更に添加して、23℃で30分間撹拌した。分液操作により酢酸エチル層を取り出し、水洗した後、エバポレーターで濃縮した。このようにして、下記反応式(C−3)により、スルホニウムボレート錯体(C3)を得た。
(3) Synthesis of sulfonium borate complex 100 parts by weight of ethyl acetate was added to 10 parts by weight of the obtained sulfonium compound (B3), and 150 parts by weight of an aqueous solution containing 10% by weight of sodium tetrafluorophenylborate was further added. Stir at 30 ° C. for 30 minutes. The ethyl acetate layer was taken out by a liquid separation operation, washed with water, and then concentrated with an evaporator. Thus, a sulfonium borate complex (C3) was obtained by the following reaction formula (C-3).
(4)硬化性組成物の調製
スルホニウムボレート錯体(C1)を、得られたスルホニウムボレート錯体(C3)に変更したこと以外は実施例1と同様にして、硬化性組成物を得た。
(4) Preparation of curable composition The curable composition was obtained like Example 1 except having changed the sulfonium borate complex (C1) into the obtained sulfonium borate complex (C3).
(実施例4)
(1)スルホニウム化合物の合成
実施例1で得られた(1−ナフチル)メチルマグネシウムクロリド(分子量201.0)10重量部に、4−(メトキシカルボニルオキシ)フェニルメチルスルフィド(分子量198.2)9.9重量部を添加し、23℃で24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、下記反応式(B−4)により、スルホニウム化合物(B4)(スルホニウム塩)を合成した。用いた(1−ナフチル)メチルマグネシウムクロリドに対して、得られたスルホニウム化合物(B4)の収率は97%であった。
Example 4
(1) Synthesis of sulfonium compound To 10 parts by weight of (1-naphthyl) methyl magnesium chloride (molecular weight 201.0) obtained in Example 1, 4- (methoxycarbonyloxy) phenyl methyl sulfide (molecular weight 198.2) 9 .9 parts by weight were added and stirred at 23 ° C. for 24 hours to precipitate a crystal. The crystal was taken out and washed. Thus, a sulfonium compound (B4) (sulfonium salt) was synthesized according to the following reaction formula (B-4). The yield of the obtained sulfonium compound (B4) was 97% with respect to (1-naphthyl) methyl magnesium chloride used.
(2)スルホニウムボレート錯体の合成
得られたスルホニウム化合物(B4)10重量部に酢酸エチル100重量部を添加し、テトラフルオロフェニルボレートナトリウムを10重量%含む水溶液150重量部を更に添加して、23℃で30分間撹拌した。分液操作により酢酸エチル層を取り出し、水洗した後、エバポレーターで濃縮した。このようにして、下記反応式(C−4)により、スルホニウムボレート錯体(C4)を得た。
(2) Synthesis of sulfonium borate complex 100 parts by weight of ethyl acetate was added to 10 parts by weight of the obtained sulfonium compound (B4), and 150 parts by weight of an aqueous solution containing 10% by weight of sodium tetrafluorophenylborate was further added. Stir at 30 ° C. for 30 minutes. The ethyl acetate layer was taken out by a liquid separation operation, washed with water, and then concentrated with an evaporator. Thus, a sulfonium borate complex (C4) was obtained by the following reaction formula (C-4).
(3)硬化性組成物の調製
スルホニウムボレート錯体(C1)を、得られたスルホニウムボレート錯体(C4)に変更したこと以外は実施例1と同様にして、硬化性組成物を得た。
(3) Preparation of curable composition The curable composition was obtained like Example 1 except having changed the sulfonium borate complex (C1) into the obtained sulfonium borate complex (C4).
(比較例1)
水中で1−(クロロメチル)ナフタレン(分子量176.6)10重量部に、4−(メチルチオ)フェノール(分子量140.2)7.95重量部を添加し、23℃で24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、スルホニウム化合物(スルホニウム塩)を合成した。用いた1−(クロロメチル)ナフタレンに対して、得られたスルホニウム化合物の収率は32%であった。
(Comparative Example 1)
In water, 7.95 parts by weight of 4- (methylthio) phenol (molecular weight 140.2) is added to 10 parts by weight of 1- (chloromethyl) naphthalene (molecular weight 176.6), and the mixture is stirred at 23 ° C. for 24 hours. The product was precipitated. The crystal was taken out and washed. In this way, a sulfonium compound (sulfonium salt) was synthesized. The yield of the obtained sulfonium compound with respect to 1- (chloromethyl) naphthalene used was 32%.
(比較例2)
水中で1−(クロロメチル)ベンゼン(分子量126.6)10重量部に、4−(メチルチオ)フェノール(分子量140.2)11.1重量部を添加し、23℃で24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、スルホニウム化合物(スルホニウム塩)を合成した。用いた1−(クロロメチル)ベンゼンに対して、得られたスルホニウム化合物の収率は29%であった。
(Comparative Example 2)
In water, 11.1 parts by weight of 4- (methylthio) phenol (molecular weight 140.2) is added to 10 parts by weight of 1- (chloromethyl) benzene (molecular weight 126.6), and the mixture is stirred at 23 ° C. for 24 hours. The product was precipitated. The crystal was taken out and washed. In this way, a sulfonium compound (sulfonium salt) was synthesized. The yield of the obtained sulfonium compound was 29% with respect to 1- (chloromethyl) benzene used.
(比較例3)
水中で1−(クロロメチル)−2−メチルベンゼン(分子量140.6)10重量部に、4−(メチルチオ)フェノール(分子量140.2)10重量部を添加し、23℃で24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、スルホニウム化合物(B3)(スルホニウム塩)を合成した。用いた1−(クロロメチル)−2−メチルベンゼンに対して、得られたスルホニウム化合物の収率は28%であった。
(Comparative Example 3)
10 parts by weight of 4- (methylthio) phenol (molecular weight 140.2) is added to 10 parts by weight of 1- (chloromethyl) -2-methylbenzene (molecular weight 140.6) in water and stirred at 23 ° C. for 24 hours. A crystal was precipitated. The crystal was taken out and washed. In this way, a sulfonium compound (B3) (sulfonium salt) was synthesized. The yield of the obtained sulfonium compound was 28% with respect to 1- (chloromethyl) -2-methylbenzene used.
(比較例4)
純水中で1−(クロロメチル)ナフタレン(分子量176.6)10重量部に、4−(メトキシカルボニルオキシ)フェニルメチルスルフィド(分子量198.2)11.23重量部を添加し、23℃で24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、スルホニウム化合物(スルホニウム塩)を合成した。用いた1−(クロロメチル)ナフタレンに対して、得られたスルホニウム化合物の収率は25%であった。
(Comparative Example 4)
In pure water, 11.23 parts by weight of 4- (methoxycarbonyloxy) phenylmethyl sulfide (molecular weight 198.2) was added to 10 parts by weight of 1- (chloromethyl) naphthalene (molecular weight 176.6), and at 23 ° C. The mixture was stirred for 24 hours to precipitate a crystalline product. The crystal was taken out and washed. In this way, a sulfonium compound (sulfonium salt) was synthesized. The yield of the obtained sulfonium compound with respect to 1- (chloromethyl) naphthalene used was 25%.
(比較例5)
下記式(101)で表されるスルホニウムアンチモネート錯体に酢酸エチル100重量部を添加し、テトラフルオロフェニルボレートナトリウムを10重量%含む水溶液150重量部を更に添加して、23℃で30分間撹拌した。分液操作により酢酸エチル層を取り出し、水洗した後、エバポレーターで濃縮した。このようにして、スルホニウムボレート錯体(Z1)を得た。
(Comparative Example 5)
100 parts by weight of ethyl acetate was added to the sulfonium antimonate complex represented by the following formula (101), 150 parts by weight of an aqueous solution containing 10% by weight of sodium tetrafluorophenylborate was further added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. . The ethyl acetate layer was taken out by a liquid separation operation, washed with water, and then concentrated with an evaporator. Thus, the sulfonium borate complex (Z1) was obtained.
スルホニウムボレート錯体(C1)を、得られたスルホニウムボレート錯体(Z1)に変更したこと以外は実施例1と同様にして硬化性組成物を得た。 A curable composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that the sulfonium borate complex (C1) was changed to the obtained sulfonium borate complex (Z1).
(実施例1〜4及び比較例5の評価)
金属の腐食性:
L/Sが20μm/20μmのITO電極パターンが上面に形成された透明ガラス基板を用意した。また、L/Sが20μm/20μmの銅電極パターンが下面に形成された半導体チップを用意した。
(Evaluation of Examples 1 to 4 and Comparative Example 5)
Metal corrosivity:
A transparent glass substrate having an ITO electrode pattern with an L / S of 20 μm / 20 μm formed on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip having a copper electrode pattern with an L / S of 20 μm / 20 μm formed on the lower surface was prepared.
上記透明ガラス基板上に、得られた異方性導電ペーストを厚さ20μmとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が互いに対向し、接続するように積層した。その後、異方性導電ペースト層に420nmの紫外線を光照射強度が60mW/cm2となるように照射して、異方性導電ペースト層を半硬化させた後に150℃で加熱して硬化させ、接続構造体を得た。 On the transparent glass substrate, the obtained anisotropic conductive paste was applied to a thickness of 20 μm to form an anisotropic conductive paste layer. Next, the semiconductor chip was stacked on the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other and are connected. Thereafter, the anisotropic conductive paste layer is irradiated with ultraviolet light of 420 nm so that the light irradiation intensity is 60 mW / cm 2, and after the anisotropic conductive paste layer is semi-cured, it is heated and cured at 150 ° C., A connection structure was obtained.
得られた接続構造体を85℃で湿度85%の条件で20日間保管した。保管後の銅電極の表面に腐食が生じているか否かを評価した。銅電極に腐食が生じていない場合を「○」、導通不良が生じない程度に銅電極に部分的に腐食が生じている場合を「△」、導通不良が生じる程度に銅電極に腐食が生じている場合を「×」と判定した。 The obtained connection structure was stored at 85 ° C. and a humidity of 85% for 20 days. It was evaluated whether or not corrosion occurred on the surface of the copper electrode after storage. “○” indicates that the copper electrode is not corroded, “△” indicates that the copper electrode is partially corroded to the extent that no poor conduction occurs, and corrodes the copper electrode to the extent that the poor conducting occurs. It was determined as “×”.
その結果、実施例1〜4の硬化性組成物を用いた接続構造体では、金属の腐食性の評価結果は「○」であった。比較例5の硬化性組成物を用いた接続構造体では、金属の腐食性の評価結果は「×」であった。比較例5で金属の腐食性の評価結果が悪かった理由としては、スルホニウムボレート錯体を得た後に、該スルホニウムボレート錯体中にスルホニウムアンチモネート錯体が残留していたことなどが挙げられる。 As a result, in the connection structure using the curable compositions of Examples 1 to 4, the evaluation result of the corrosiveness of the metal was “◯”. In the connection structure using the curable composition of Comparative Example 5, the evaluation result of the corrosiveness of the metal was “x”. The reason why the evaluation result of the corrosiveness of the metal was bad in Comparative Example 5 is that the sulfonium antimonate complex remained in the sulfonium borate complex after the sulfonium borate complex was obtained.
Claims (2)
得られた前記式(1)で表される化合物と、下記式(2)で表される化合物とをグリニャール反応により反応させることにより、スルホニウム化合物を得る工程とを備える、スルホニウム化合物の製造方法。
And the obtained compound represented by the formula (1), by reacting the Grignard reaction with a compound represented by the following formula (2), and a step of obtaining a sulfonium compound, a manufacturing method of a sulfonium compounds.
得られた前記式(1)で表される化合物と、下記式(2)で表される化合物とをグリニャール反応により反応させることにより、スルホニウム化合物を得る工程と、
得られたスルホニウム化合物と、下記式(21)で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより、スルホニウムボレート錯体を得る工程とを備える、スルホニウムボレート錯体の製造方法。
A step of obtaining a sulfonium compound by reacting the obtained compound represented by the formula (1) with a compound represented by the following formula (2) by a Grignard reaction;
And the resulting sulfonium compounds, by reacting a compound having an anion moiety represented by the following formula (21), and a step of obtaining a sulfonium borate complex, method for producing a sulfonium borate complex.
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