JP5715721B2 - 金属基板 - Google Patents
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Description
る薄膜半導体太陽電池(以下、薄膜太陽電池という。)として、スーパーストレート型薄膜太陽電池とサブストレート型薄膜太陽電池の2種類の構造が知られている。
本発明の金属基板は、金属板の少なくとも一方の面に皮膜が積層されたものである。以下、単に「金属基板」と記載した場合、本発明の全ての金属基板(第1・第2・第3の金属基板)を指すものとする。
本発明の金属基板に用いる金属板は、冷延鋼板、溶融純亜鉛めっき鋼板(GI)、または合金化溶融Zn−Feめっき鋼板(GA)、合金化溶融Zn−5%Alめっき鋼板(GF)、電気純亜鉛めっき鋼板(EG)、電気Zn−Niめっき鋼板、アルミニウム板、チタン板、ガルバリウム鋼板等であり、ノンクロメートのものが好ましいが、クロメート処理あるいは無処理のものも使用可能である。金属板の厚みは特に限定されないが、0.3〜2.0mm程度のものを適宜使用することができる。
本発明において、熱硬化性樹脂が含まれている皮膜形成用組成物を用いて、金属板に皮膜を積層する。皮膜形成組成物には、熱硬化性樹脂と硬化剤とが配合されているのが好ましい。なお、皮膜形成用組成物には、後述のとおり、顔料が含まれていてもよい。
皮膜を1層のみ積層した金属基板を作製する場合と複数層積層した金属基板を作製する場合で作製可能な膜厚の範囲は異なる。また、後述のプレコート法で作製した場合とポストコート法で作製した場合でも作製可能な膜厚の範囲は異なる。
(プレコート法で皮膜を1層のみ積層した金属基板を作製する場合)
皮膜の膜厚は10μm以上40μm以下である。膜厚が10μm未満であると、金属基板の耐電圧が0.1kV未満となってしまい、耐電圧(絶縁耐性)を確保できないおそれがある。また、膜厚が40μmを超えると、皮膜が平滑になるように金属板上に積層することが困難となる、すなわち、皮膜の表面粗さRaが30nmを超えるおそれがある。
皮膜の膜厚は10μm以上40μm以下でもよく、40μm超120μm以下でもよい。膜厚が10μm未満であると、金属基板の耐電圧が0.1kV未満となってしまい、耐電圧(絶縁耐性)を確保できないおそれがある。また、膜厚が120μmを超えると、皮膜が平滑になるように金属板上に積層することが困難となる、すなわち、皮膜の表面粗さRaが30nmを超えるおそれがある。
複数層の各皮膜の膜厚は0.1μm以上40μm以下であり、複数層の皮膜の膜厚の合計は3μm以上である。複数層の各皮膜の膜厚は1μm以上であることが好ましい。1層当たりの膜厚が0.1μm未満であると、皮膜にピンホール等の欠陥が生じるおそれがあり、耐電圧(絶縁耐性)を確保できないおそれがある。また、複数層の皮膜の膜厚の合計が3μm未満であると、金属基板の耐電圧が0.1kV未満となってしまい、耐電圧性(絶縁耐性)を確保できないおそれがある。一方、1層当たりの膜厚が40μmを超えると、皮膜が平滑になるように積層することが困難となる、すなわち、金属板から最も離れた皮膜の表面粗さRaが30nmを超えるおそれがある。複数層積層する場合には、好ましくは2層以上、4層以下の積層であり、より好ましくは2層のみの積層である。
複数層の各皮膜の膜厚は0.1μm以上40μm以下であり、複数層の皮膜の膜厚の合計は3μm以上40μm以下でもよく、40μm超120μm以下でもよい。複数層の各皮膜の膜厚は1μm以上であることが好ましい。1層当たりの膜厚が0.1μm未満であると、皮膜にピンホール等の欠陥が生じるおそれがあり、耐電圧(絶縁耐性)を確保できないおそれがある。また、複数層の皮膜の膜厚の合計が3μm未満であると、金属基板の耐電圧が0.1kV未満となってしまい、耐電圧性(絶縁耐性)を確保できないおそれがある。一方、1層当たりの膜厚が40μmを超えると、皮膜が平滑になるように金属板上に積層することが困難となる、すなわち、皮膜の表面粗さRaが30nmを超えるおそれがある。複数層積層する場合には、好ましくは2層以上、4層以下の積層であり、より好ましくは2層のみの積層である。
金属板に皮膜が1層のみ積層された場合における皮膜は表面が平滑である必要がある。また、複数層積層された場合における金属板から最も離れた皮膜(以下、皮膜を1層のみ積層した場合における皮膜と複数層積層された場合における金属板から最も離れた皮膜のいずれの皮膜も最表層という。)も表面が平滑である必要がある。具体的には、最表層の表面粗さRaが30nm以下であり、好ましくは最表層の表面粗さRaが10nm以下である。最表層の表面粗さRaが30nmを超えると、最表層表面の凹凸が原因となって、電極間のショートによる絶縁不良を招くおそれがある。最表層の表面粗さRaについては、後述の測定方法により測定することができる。
なお、ほこりやゴミ等の粒子が付着することによって生じた表面の凹凸については、ほこりやゴミ等の粒子は30nm程度より遙かに大きいため、研磨等の平滑化によって容易に除去できる。そのため、ほこりやゴミ等の粒子による凹凸は、絶縁不良につながるおそれは極めて低い。
皮膜表面を平滑にする、具体的には最表層の表面粗さRaを30nm以下にするためには、皮膜形成用組成物には固体顔料を含有しないのが好ましい。但し、皮膜を着色する必要があり、皮膜に顔料を含有させなければならない場合は、皮膜形成用組成物中の固体顔料の体積分率を20%以下とするのが好ましい。固体顔料の粒径は通常30nmよりもかなり大きいため、皮膜形成用組成物中の固体顔料の体積分率が20%を超えると、最表層の表面粗さRaを30nm以下とするのが困難になる。
耐電圧は後述の方法で測定されており、0.1kV以上が必要である。好ましくは0.3kV以上であり、さらに好ましくは1.0kV以上である。耐電圧が0.1kV未満であると、電極間のショートによる絶縁不良を招くおそれがある。
皮膜形成用組成物の塗布、乾燥方法は、特に制限されず、既知の方法を適宜採用することができる。第1の金属基板や第2の金属基板を作製する際の組成物の塗布方法としては、例えばバーコーター法、ロールコーター法、カーテンフローコーター法、スプレー法、スプレーリンガー法等によるプレコート法を挙げることができ、これらの中でも、コスト等の観点からバーコーター法、ロールコーター法、スプレーリンガー法が好ましい。また、上記以外の組成物の塗布方法として、静電塗装法、スピンコート法等によるポストコート法を用いることもでき、ポストコート法を用いた場合には、第1の金属基板や第2の金属基板のみならず、第3の金属基板も作製することができる。
耐薬品性にも優れた金属基板とするためには、第2の金属基板において、合計膜厚が5μm以上にすることが好ましく、より好ましくは皮膜形成用組成物にはさらに硬化剤が含まれており、上記皮膜形成用組成物中における上記硬化剤の上記熱硬化性樹脂に対する質量比が0.6以上1.0以下である。また、第2の金属基板において、金属板から最も離れた皮膜を形成する皮膜形成用組成物は、熱硬化性樹脂及び硬化剤に代えて、無機高分子、および/または有機高分子と無機高分子とのハイブリッド高分子を含んでもよい。
第2の金属基板では、最表層形成用組成物として、上述の熱硬化性樹脂及び硬化剤が含まれている皮膜形成用組成物に代えて、無機高分子、または有機高分子と無機高分子とのハイブリッド高分子が含まれた組成物を用いることができる。熱硬化性樹脂に対して所定量の硬化剤を含有させた場合、ベンゼン、キシレンのような溶媒に対しては有効であっても、トリフルオロ酢酸、ニトロメタン、ジクロロベンゼン、クロロベンゼンのような強力な有機溶媒に対しては、最表層が変性してしまうおそれがある。そこで、上述のような強力な有機溶媒に対しても変性に優れた最表層を形成することができるようにするために、熱硬化性樹脂が含まれている皮膜形成用組成物に代えて、無機高分子又は有機高分子と無機高分子とのハイブリッド高分子の少なくとも一つが含まれた組成物を用いることが好ましく、有機高分子と無機高分子とのハイブリッド高分子が含まれた組成物を用いることがより好ましい。
金属板の表面に皮膜を複数層積層する場合、各皮膜の膜厚は0.1μm以上40μm以下であり、複数層の皮膜の膜厚の合計は5μm以上である。1層当たりの膜厚が0.1μm未満であると、皮膜にピンホール等の欠陥が生じるおそれがあり、耐電圧(絶縁耐性)を確保できないおそれがある。また、複数層の皮膜の膜厚の合計が5μm未満であると、金属基板の耐電圧が0.1kV未満となってしまい、耐電圧性(絶縁耐性)を確保できないおそれがある。
本発明に係る金属基板を備えたサブストレート型薄膜太陽電池について説明する。サブストレート型太陽電池は、本発明に係る金属基板を備えたものであれば、公知のいずれの構造でもよく、例えば、基本的には本発明に係る金属基板の皮膜上に、裏面電極、光電変換層、透明電極がこの順で積層された構造である。光電変換層は、透明電極を通過して到達した光を吸収して電流が発生する層であり、裏面電極および透明電極は、いずれも光電変換層で発生した電流を取り出すためのものであり、いずれも導電性材料からなる。光入射側の透明電極は透光性を有する必要がある。裏面電極、光電変換層、透明電極については、公知のサブストレート型薄膜太陽電池と同様の材料を用いることができる。
本発明に係る金属基板は、トップエミッション型有機EL素子にも適用可能である。このようなトップエミッション型有機EL素子は、本発明に係る金属基板を備えたものであれば、公知のいずれの構造でもよく、例えば、基本的には本発明に係る金属基板の皮膜の上に、電極、有機層、透明導電膜がこの順に積層されたものである。電極、有機層、透明導電膜については、公知のサブストレート型薄膜太陽電池と同様の材料を用いることができる。トップエミッション型有機EL素子では、光は透明導電性膜を透過して(基板を透過することなく)取り出されるため、基板として透明でない金属板を用いることができる。
後述の作製方法で寸法50mm×50mm×0.8mmの供試材を作製した後、JIS規格C2110−1に準拠して、供試材の一方の面に外径20mmの球形電極を荷重500gで接触させた状態で、絶縁破壊試験装置を用いて、20〜40秒程度で絶縁破壊が起こるような一定速度で厚み方向に直流電圧を印加し、絶縁破壊を生じたときの電圧を測定した。上記電圧測定を5回行い、その平均値を耐電圧とした。
後述の作製方法で得られた供試材について、原子間力顕微鏡(Atomic Forc
e Microscope、AFM)(セイコー電子工業製SPI3800N)を用いて
、10μm×10μmのエリアの任意の3箇所の表面粗さを測定し、その平均値を平均表面粗さRaとした。
後述の作製方法で得られた供試材をキシレンに24時間浸漬し、浸漬後における表面粗さRa及び耐電圧の、浸漬前における表面粗さRa及び耐電圧との変化率を求めた。なお、浸漬後における表面粗さRa及び耐電圧は、上述の浸漬前の各測定方法と同様に測定した。
キシレン(沸点:140℃)とシクロヘキサノン(沸点:156℃)とを等量ずつ混合した溶媒に、ポリエステル樹脂(東洋紡社製バイロン(登録商標)300)を固形分換算で75質量部、メラミン樹脂(DIC社製スーパーベッカミン(登録商標)J−820−60)を固形分換算で25質量部加えて、塗料1−1を得た。ポリエステル樹脂とメラミン樹脂との合計の固形分が58質量%となるようにキシレンとシクロヘキサノンとの混合溶媒の量を調整した。
塗料1−1において、キシレンとシクロヘキサノンとを等量ずつ混合した溶媒に代えて、芳香族炭化水素系溶媒(エクソンモービル社製ソルベッソ(登録商標)150(沸点:183℃))を用いた点以外は、塗料1−1と同様にして塗料1−2を得た。
キシレンとシクロヘキサノンとを等量ずつ混合した溶媒に、ポリエステル樹脂(東洋紡社製バイロン(登録商標)300)を固形分換算で75質量部、メラミン樹脂(DIC社製スーパーベッカミン(登録商標)J−820−60)を固形分換算で25質量部、酸化チタン(テイカ社製TITANIX(登録商標)JR−301(粒径0.30μm))を50質量部加えて、塗料1−3を得た。ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、及び酸化チタンの合計の固形分が63質量%となるようにキシレンとシクロヘキサノンとの混合溶媒の量を調整した。
塗料1−3において、酸化チタンを100質量部加えた点、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、及び酸化チタンの合計の固形分が67質量%となるように調整した点以外は、塗料1−3と同様にして塗料1−4を得た。
酢酸ブチル(沸点:126℃)と1−ブタノール(沸点:117℃)とを等量ずつ混合した溶媒に、金属素材用アクリル樹脂焼付上塗クリヤー(エーエスペイント社製サグラン(登録商標)7000クリヤーを加えて、塗料1−5を得た。アクリル樹脂焼付上塗クリヤーの固形分が25質量%となるように混合溶媒の量を調整した。
供試材としては、電気亜鉛めっき鋼板(板厚0.8mm)を金属板として、金属板の表面に、バーコーターにて塗料1−1を膜厚24.0μmとなるように塗布し、到達板温(Peak Metal Temperature:PMT)が220℃となるように2分間焼付け・乾燥させ、1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例1−1において、皮膜の膜厚が14.1μmとなるように塗布する点以外は、実施例1−1と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例1−1において、皮膜の膜厚が11.3μmとなるように塗布する点以外は、実施例1−1と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例1−1において、皮膜の膜厚が35.2μmとなるように塗布する点、塗料1−1に代えて塗料1−2を用いる点以外は、実施例1と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例1−1において、塗料1−1に代えて塗料1−3を用いる点以外は、実施例1−1と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例1−1において、皮膜の膜厚が42.2μmとなるように塗布する点以外は、実施例1−1と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例1−1において、皮膜の膜厚が5.6μmとなるように塗布する点以外は、実施例1−1と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例1−1において、塗料1−1に代えて塗料1−4を用いる点以外は、実施例1−1と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
供試材としては、電気亜鉛めっき金属板(板厚0.8mm、金属板両面における各面当たりの亜鉛めっき付着量20g/m2)を金属板として、内層皮膜として、金属板の表面に、バーコーターにて塗料1−1を膜厚28.2μmとなるように塗布し、到達板温(Peak Metal Temperature:PMT)が220℃となるように2分間焼付け・乾燥させた。
実施例1−6において、内層皮膜及び外層皮膜が各々膜厚1.9μmとなるように塗布する点以外は、実施例1−6と同様にして2層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例1−6において、内層皮膜及び外層皮膜が各々膜厚1.4μmとなるように塗布する点以外は、実施例1−6と同様にして2層の皮膜を積層した金属基板を得た。
供試材としては、電気亜鉛めっき鋼板(板厚0.8mm)を金属板として、金属板の表面に、静電塗装機(ランズバーグ・インダストリー社製オプティフレックス)にて塗料1−5を膜厚10μmとなるように静電塗装し、到達板温(Peak Metal Temperature:PMT)が150℃となるように20分間焼付け・乾燥させ、1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例1−8において、皮膜の膜厚が30μmとなるように静電塗装する点以外は、実施例1−8と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例1−8において、皮膜の膜厚が50μmとなるように静電塗装する点以外は、実施例1−8と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
供試材としては、電気亜鉛めっき金属板(板厚0.8mm、金属板両面における各面当たりの亜鉛めっき付着量20g/m2)を金属板として、内層皮膜として、金属板の表面に、静電塗装機(ランズバーグ・インダストリー社製オプティフレックス)にて塗料1−5を膜厚25μmとなるように静電塗装し、到達板温(Peak Metal Temperature:PMT)が150℃となるように20分間焼付け・乾燥させた。
実施例1−11において、内層皮膜の膜厚が35μm、外層皮膜の膜厚が35μmとなるように静電塗装する点以外は、実施例1−11と同様にして2層の皮膜を積層した金属基板を得た。
キシレン(沸点:140℃)とシクロヘキサノン(沸点:156℃)とを等量ずつ混合した溶媒に、ポリエステル樹脂(東洋紡社製バイロン(登録商標)300)を固形分換算で50質量部、メラミン樹脂(DIC社製スーパーベッカミン(登録商標)J−820−60)を固形分換算で50質量部加えて、塗料2−1を得た。ポリエステル樹脂とメラミン樹脂との合計の固形分が58質量%となるようにキシレンとシクロヘキサノンとの混合溶媒の量を調整した。
塗料2−1において、ポリエステル樹脂を固形分換算で62.5質量部、メラミン樹脂を固形分換算で37.5質量部加えた点以外は、塗料2−1と同様にして塗料2−2を得た。
塗料2−1において、ポリエステル樹脂を固形分換算で75質量部、メラミン樹脂を固形分換算で25質量部加えた点以外は、塗料2−1と同様にして塗料2−3を得た。
溶媒であるシクロヘキサノンに、有機・無機ハイブリッドコーティング材(JSR社製グラスカ(登録商標)HPC7506Aを加えて、塗料2−4を得た。有機・無機ハイブリッドコーティング材の固形分が20質量%となるようにシクロヘキサノンの量を調整した。
ポリシラザンコーティング液(AZエレクトロニックマテリアルズ社製アクアミカ(登録商標)NAX−120−20)をそのまま用いた。
溶媒であるシクロヘキサノンに、有機・無機ハイブリッドコーティング材(JSR社製グラスカ(登録商標)HPC7506Aを固形分換算で75質量部、酸化チタン(テイカ社製TITANIX(登録商標)JR−301(粒径0.30μm))を25質量部加えて、塗料2−6を得た。有機・無機ハイブリッドコーティング材及び酸化チタンの合計の固形分が50質量%となるようにシクロヘキサノンの量を調整した。
塗料2−6において、有機・無機ハイブリッドコーティング材を固形分換算で67質量部、酸化チタンを固形分換算で33質量部加えた点以外は、塗料2−6と同様にして塗料2−7を得た。
供試材としては、電気亜鉛めっき鋼板(板厚0.8mm)を金属板として、金属板の表面に、バーコーターにて塗料2−1を膜厚24.0μmとなるように塗布し、到達板温(Peak Metal Temperature:PMT)が220℃となるように2分間焼付け・乾燥させ、1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例2−1において、皮膜の膜厚が22.5μmとなるように塗布する点以外は、実施例2−1と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例2−1において、皮膜の膜厚が14.1μmとなるように塗布する点以外は、実施例2−1と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例2−1において、皮膜の膜厚が11.3μmとなるように塗布する点以外は、実施例2−1と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例2−1において、塗料2−1に代えて塗料2−2を用いる点以外は、実施例2−1と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例2−1において、皮膜の膜厚が5.6μmとなるように塗布する点以外は、実施例2−1と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例2−1において、皮膜の膜厚が42.2μmとなるように塗布する点以外は、実施例2−1と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例2−1において、塗料2−1に代えて塗料2−3を用いる点以外は、実施例2−1と同様にして1層の皮膜を積層した金属基板を得た。
供試材としては、電気亜鉛めっき金属板(板厚0.8mm、金属板両面における各面当たりの亜鉛めっき付着量20g/m2)を金属板として、内層皮膜として、金属板の表面に、バーコーターにて塗料2−1を膜厚28.2μmとなるように塗布し、到達板温(Peak Metal Temperature:PMT)が220℃となるように2分間焼付け・乾燥させた。
実施例2−6において、内層皮膜及び外層皮膜が各々膜厚5.6μmとなるように塗布する点以外は、実施例2−6と同様にして2層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例2−6において、内層皮膜及び外層皮膜が各々膜厚2.8μmとなるように塗布する点以外は、実施例2−6と同様にして2層の皮膜を積層した金属基板を得た。
供試材としては、電気亜鉛めっき金属板(板厚0.8mm、金属板両面における各面当たりの亜鉛めっき付着量20g/m2)を金属板として、内層皮膜として、金属板の表面に、バーコーターにて塗料2−1を膜厚11.3μmとなるように塗布し、到達板温(Peak Metal Temperature:PMT)が220℃で2分間焼付け・乾燥させた。
実施例2−9において、外層塗膜を作製する際に塗料2−4に代えて塗料2−5を用いる点以外は、実施例2−9と同様にして2層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例2−9において、外層塗膜を作製する際に塗料2−4に代えて塗料2−6を用いる点以外は、実施例2−9と同様にして2層の皮膜を積層した金属基板を得た。
内層皮膜及び外層皮膜が各々膜厚2.1μmとなるように塗布する点以外は、実施例2−6と同様にして2層の皮膜を積層した金属基板を得た。
実施例2−9において、外層塗膜を作製する際に塗料2−4に代えて塗料2−7を用いる点以外は、実施例2−9と同様にして2層の皮膜を積層した金属基板を得た。
Claims (8)
- 金属板の表面に、膜厚が10μm以上40μm以下である皮膜が1層のみ積層されており、上記皮膜の表面粗さRaが30nm以下であり、
上記皮膜は、熱硬化性樹脂が含まれており、固体顔料の体積分率が20%以下である皮膜形成用組成物を焼き付けして得られるものであり、
上記皮膜形成用組成物には硬化剤が含まれており、上記皮膜形成用組成物中における上記硬化剤の上記熱硬化性樹脂に対する質量比が0.6以上1.0以下である
ことを特徴とするサブストレート型薄膜太陽電池又はトップエミッション型有機EL素子に用いられる金属基板。 - 金属板の表面に、膜厚が0.1μm以上40μm以下である皮膜が複数層積層されており、これらの複数層の皮膜の膜厚の合計は5μm以上であり、金属板から最も離れた皮膜の表面粗さRaが30nm以下であり、
各層の皮膜は、熱硬化性樹脂が含まれており、固体顔料の体積分率が20%以下である皮膜形成用組成物を焼き付けして得られるものであり、
上記皮膜形成用組成物には硬化剤が含まれており、上記皮膜形成用組成物中における上記硬化剤の上記熱硬化性樹脂に対する質量比が0.6以上1.0以下である
ことを特徴とするサブストレート型薄膜太陽電池又はトップエミッション型有機EL素子に用いられる金属基板。 - 金属板の表面に、1層又は複数層積層された皮膜が形成されており、合計膜厚が40μm超120μm以下であり、上記皮膜の表面粗さRaが30nm以下であり、
上記皮膜は、熱硬化性樹脂が含まれており、固体顔料の体積分率が20%以下である皮膜形成用組成物を焼き付けして得られるものであり、
上記皮膜形成用組成物には硬化剤が含まれており、上記皮膜形成用組成物中における上記硬化剤の上記熱硬化性樹脂に対する質量比が0.6以上1.0以下である
ことを特徴とするサブストレート型薄膜太陽電池又はトップエミッション型有機EL素子に用いられる金属基板。 - 上記金属板から最も離れた皮膜を形成する皮膜形成用組成物は、熱硬化性樹脂及び硬化剤に代えて、無機高分子又は有機高分子と無機高分子とのハイブリッド高分子の少なくとも一つを含む請求項2に記載の金属基板。
- 上記熱硬化性樹脂は、ポリエステル樹脂である請求項1〜4のいずれか1項に記載の金属基板。
- 上記1層のみの皮膜または上記金属板から最も離れた皮膜の表面粗さRaは10nm以下である請求項1〜5のいずれか1項に記載の金属基板。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の金属基板を備えたサブストレート型薄膜太陽電池。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の金属基板を備えたトップエミッション型有機EL素子。
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