JP5764776B2 - 光学変換素子 - Google Patents
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Description
微細なコアサイズやモードフィールドサイズは、光回路の集積化には有利であるが、外部光学系との光結合を行う場合には問題となる。
図1は、本発明に係る光学変換素子の第1の実施の形態の斜視図である。図1に示した光学変換素子1は、全体として導波路構造を有し、その導波光のモードフィールドの形状、大きさ及び有効屈折率を、光学変換素子1の両端の間で変換する。
第1の実施の形態の光学変換素子の動作は次の通りである。第1のテーパ部1aにおいては、主に最内コアの逆テーパ構造の効果によって導波方向に沿って(換言すると導波方向に向かって)モードフィールドが広がる。ただし、この効果によって広がるモードフィールドの最大の大きさは、コアサイズの小さい第1の外部コアによって制限される。
第1の実施の形態から多少変形された構造でも、動作に大きな変化は無い。そのことを、図4を参照しながら説明する。図4(a)、(b)は共に、本発明に係る光学変換素子の第1の実施の形態の変形された構造(変形例の構造)の断面図である。
次に、本発明に係る光学変換素子の第2の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
1a、13a 第1のテーパ部
1b、13b 第2のテーパ部
2、23 下部クラッド
3、33 細線コア
3a、33a 細線コアの大断面積部
3b、33b 細線コアのテーパ部
3c、31c、32c、33c 細線コアの小断面積部
3a/3b 細線コアの大断面積部とテーパ部との境界
3b/3c 細線コアのテーパ部と小断面積部との境界
4、41、42、43 スラブ層
5、53 リッジ
5a、53a リッジの狭幅部
5b、51b、52b、53b リッジのテーパ部
5a/5b リッジの狭幅部とテーパ部の境界
6 リッジコア
100、101、102、103、104、105、112、113 モードフィールドの等高線図
Claims (11)
- 導波路構造を有し、導波光のモードフィールドを変換する光学変換素子であって、
最内コアと第1の外部コアと下部クラッドと上部クラッドとを少なくとも備え、
前記最内コアは、前記下部クラッドの上に配置された細線コアからなり、
前記第1の外部コアは、前記細線コアを埋設し前記下部クラッド上に配置されるスラブ層と、前記スラブ層の上に配置された前記細線コアの上方に位置するリッジとを備え、
前記上部クラッドは、前記リッジを埋設し、前記スラブ層の上に配置されており、
前記細線コアの材料の屈折率は、前記スラブ層の材料の屈折率よりも大きく、前記リッジの材料の屈折率は、前記下部クラッドの材料の屈折率と前記上部クラッドの材料の屈折率よりも大きく、
前記下部クラッドの上面から前記リッジの上面までの距離が、導波路の長さ方向に亘って、前記細線コアの厚みの範囲内でほぼ一定であり、
前記最内コアが導波方向に沿ってモードフィールドを拡大する向きに前記細線コアの断面積が徐々に減少し、前記リッジが狭幅部を成している第1のテーパ部と、
第1のテーパ部の前記細線コアの断面積が小さい側に配置され、導波方向に沿ってモードフィールドを拡大する向きに前記リッジの上部の幅が徐々に増加する第2のテーパ部と、を含み、
前記リッジの狭幅部の幅が一定で、前記スラブ層の厚みと同じまたはほぼ同じである、ことを特徴とする光学変換素子。 - 前記リッジの、導波方向に垂直な断面形状が、四角形であることを特徴とする請求項1に記載の光学変換素子。
- 前記リッジの導波方向に垂直な断面形状が凸型であることを特徴とする請求項1に記載の光学変換素子。
- 前記スラブ層の導波方向に垂直な断面形状が凸型であり、前記凸型の突起部の上面の幅が前記リッジの底面の幅と同じであることを特徴とする請求項1に記載の光学変換素子。
- 前記第2のテーパ部の範囲において、導波方向に沿ってモードフィールドを拡大する向きに、前記細線コアの断面積が徐々に減少することを特徴とする、請求項1に記載の光学変換素子。
- 前記スラブ層の材料の屈折率は、前記リッジの材料の屈折率よりも0〜0.3%大きいことを特徴とする請求項1に記載の光学変換素子。
- 前記最内コアは半導体を材料とすることを特徴とする請求項1に記載の光学変換素子。
- 前記半導体がシリコンであることを特徴とする請求項7に記載の光学変換素子。
- 前記第1の外部コアはシリコン化合物またはポリマを材料とすることを特徴とする請求項1に記載の光学変換素子。
- 前記シリコン化合物は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、燐−シリカガラス、ホウ素−燐−シリカガラス、又はゲルマニウム−シリカガラスであることを特徴とする請求項9に記載の光学変換素子。
- 構成材料の屈折率と幅の両方が、前記第1の外部コアの前記リッジと同じかほぼ同じであり、かつ断面が矩形かほぼ矩形である第2の細線コアに、前記第1の外部コアが、光ファイバとの接続端側で、接続されていることを特徴とする請求項1に記載の光学変換素子。
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EP2924482B1 (en) * | 2014-03-26 | 2017-12-20 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Polarisation mode converter with an asymmetric silicon nitride waveguide |
JP2015191110A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 日本電信電話株式会社 | 光導波路結合構造および光導波路結合構造の製造方法 |
JP6314354B2 (ja) * | 2014-04-09 | 2018-04-25 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | エッジ結合デバイス及びその製造方法 |
WO2016056498A1 (ja) * | 2014-10-06 | 2016-04-14 | 古河電気工業株式会社 | 半導体光集積素子およびその製造方法 |
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EP3208960B1 (en) * | 2014-11-07 | 2019-09-11 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Mode converter |
JP6012801B2 (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-25 | 沖電気工業株式会社 | スポットサイズ変換器 |
EP3091379B1 (en) * | 2015-05-05 | 2020-12-02 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Optical coupling scheme |
WO2018119226A1 (en) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | Acacia Communications, Inc. | Wavelength division multiplexer |
TWI612251B (zh) * | 2017-01-03 | 2018-01-21 | 聯嘉光電股份有限公司 | 發光裝置 |
US10852484B2 (en) * | 2017-01-12 | 2020-12-01 | Telefonaktiebolaget Lm Ericcson (Publ) | Apparatus and method for coupling light |
US10816725B2 (en) * | 2018-09-18 | 2020-10-27 | Globalfoundries Inc. | Waveguide intersections incorporating a waveguide crossing |
EP3896504A4 (en) * | 2018-12-13 | 2022-07-27 | Institute of Semiconductors, Chinese Academy Of Sciences | OPTICAL COUPLING STRUCTURE AND SYSTEM AND METHOD OF MAKING OPTICAL COUPLING STRUCTURE |
JP7207087B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2023-01-18 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
JP7211235B2 (ja) | 2019-04-15 | 2023-01-24 | 日本電信電話株式会社 | 光接続構造 |
CN114730047A (zh) * | 2019-12-02 | 2022-07-08 | 华为技术有限公司 | 模斑转换器及其制备方法、硅光器件和光通信设备 |
CN111679363B (zh) * | 2020-06-01 | 2021-06-15 | 清华大学 | 硅波导端面耦合结构及其制作方法 |
US11016253B1 (en) * | 2020-06-08 | 2021-05-25 | Honeywell International Inc. | Adiabatic waveguide couplers with ultra-low back-reflection |
US20240361526A1 (en) * | 2021-09-29 | 2024-10-31 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical Connection Structure |
CN114326101B (zh) * | 2022-01-10 | 2023-10-13 | 南通大学 | 一种绝热模式演化器的设计方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE59208821D1 (de) * | 1991-02-08 | 1997-10-02 | Siemens Ag | Integriert optisches Bauelement für die Kopplung zwischen unterschiedlich dimensionierten Wellenleitern |
JPH05249331A (ja) * | 1992-01-09 | 1993-09-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路形ビームスポット変換素子およびその製造方法 |
JPH07168146A (ja) | 1993-04-07 | 1995-07-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | スポット変換光導波路 |
JP3318406B2 (ja) * | 1993-10-13 | 2002-08-26 | 京セラ株式会社 | 光導波路、光導波路と光ファイバの接続装置 |
JPH09311232A (ja) * | 1996-05-21 | 1997-12-02 | Hitachi Ltd | 光導波路、その製造方法および光モジュール |
DE19637396A1 (de) * | 1996-09-13 | 1998-03-19 | Siemens Ag | Koppelanordnung zum Aneinanderkoppeln von Wellenleitern |
JP3758258B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2006-03-22 | 富士通株式会社 | 光結合装置 |
KR100333900B1 (ko) | 1999-01-21 | 2002-04-24 | 윤종용 | 모드모양 변환기, 그 제작 방법 및 이를 구비한 집적광학 소자 |
US6631225B2 (en) * | 2000-07-10 | 2003-10-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Mode coupler between low index difference waveguide and high index difference waveguide |
WO2003044580A2 (en) * | 2001-04-03 | 2003-05-30 | Little Optics, Inc. | Optical waveguide mode transformer |
US6870987B2 (en) * | 2002-08-20 | 2005-03-22 | Lnl Technologies, Inc. | Embedded mode converter |
JP2005331967A (ja) * | 2005-06-24 | 2005-12-02 | Fujitsu Ltd | 光結合装置 |
JP4552821B2 (ja) | 2005-09-27 | 2010-09-29 | 日立電線株式会社 | スポットサイズ変換導波路の製造方法 |
US8285092B2 (en) * | 2007-03-20 | 2012-10-09 | Nec Corporation | Optical waveguide and spot size converter using the same |
JP5208460B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2013-06-12 | 株式会社東芝 | 光回路装置 |
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