[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP5762781B2 - 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート - Google Patents

基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート Download PDF

Info

Publication number
JP5762781B2
JP5762781B2 JP2011062942A JP2011062942A JP5762781B2 JP 5762781 B2 JP5762781 B2 JP 5762781B2 JP 2011062942 A JP2011062942 A JP 2011062942A JP 2011062942 A JP2011062942 A JP 2011062942A JP 5762781 B2 JP5762781 B2 JP 5762781B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
meth
pressure
wafer
sensitive adhesive
adhesive sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011062942A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012199406A (ja
Inventor
和幸 田村
和幸 田村
高志 阿久津
高志 阿久津
由希 衛藤
由希 衛藤
朋英 福崎
朋英 福崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Arakawa Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Lintec Corp
Arakawa Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp, Arakawa Chemical Industries Ltd filed Critical Lintec Corp
Priority to JP2011062942A priority Critical patent/JP5762781B2/ja
Priority to KR1020187008385A priority patent/KR102052120B1/ko
Priority to PCT/JP2012/057304 priority patent/WO2012128311A1/ja
Priority to KR1020137024005A priority patent/KR102016578B1/ko
Priority to US14/005,574 priority patent/US9559073B2/en
Publication of JP2012199406A publication Critical patent/JP2012199406A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5762781B2 publication Critical patent/JP5762781B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385Acrylic polymers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2475/00Presence of polyurethane
    • C09J2475/006Presence of polyurethane in the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2848Three or more layers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31551Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Description

本発明は、表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面を保護するために好ましく使用される表面保護用粘着シートの基材として用いられる基材フィルムに関し、特に、回路面上に高低差の大きなバンプが形成された半導体ウエハの表面保護用粘着シートに好ましく用いられる基材フィルムに関する。また、本発明は、該基材フィルム上に粘着剤層を備え、半導体ウエハの表面保護用粘着シートとして好ましく用いられる粘着シートに関する。
情報端末機器の薄型化、小型化、多機能化が急速に進む中、それらに搭載される半導体装置も同様に、薄型化、高密度化が求められている。装置の薄型化のためには、半導体が集積されている半導体ウエハの薄型化が要望される。また、高密度化にともない、半導体チップと基板の接合に用いられる、はんだ等からなる直径数百μm程度の球状バンプを回路面に搭載した半導体チップの実装技術のさらなる改良が求められている。通常バンプは予め半導体ウエハに高密度に接合されている。このようなバンプ付ウエハの裏面を研削すると、バンプが存在する部分とバンプが存在しない部分との高低差に起因する圧力差がウエハ裏面に直接影響し、ウエハ裏面にディンプルとよばれる窪みやクラックが生じ、最終的に半導体ウエハを破損させてしまう。
このため、バンプ付ウエハの裏面研削時には、表面保護シートを回路面に貼付し、回路面の高低差を緩和している。特に、バンプの高低差の大きなウエハに対しては、表面保護シートの粘着剤層の厚みを厚くし、さらに粘着剤の流動性を高めることにより、粘着剤層とウエハとを密着させ、粘着剤層のクッション性によりバンプの段差による圧力差を解消するようにして対処している。しかし、粘着剤層の厚みを厚くし、かつその流動性を高くすると、バンプの根本部分に粘着剤が回り込み易くなる。このため、表面保護シートの剥離操作によってバンプの根本部分に付着した粘着剤が層内破壊を起こし、その一部が回路面に残着することがある。これはエネルギー線硬化型粘着剤を用いた表面保護シートを用いた場合であっても起こりうる問題であった。回路面に残着した粘着剤は溶剤洗浄等によって除去しなければ、デバイス内の異物として残留し、完成したデバイスの信頼性を損なう。
このような問題を解消するため、特許文献1(特開2005−123382号公報)には、基材シートの片面に、貼付する半導体ウエハの外径よりも小径の粘着剤層が形成されていない開口部と、その外周に形成された粘着剤層が形成されている部分とが設けられている表面保護シート及び該表面保護シートを用いた研削方法が開示されている。この表面保護シートは、基材シートの片面にリング状に打ち抜かれた両面粘着シートが形成されてなる構造であり、バンプに接する部分に粘着剤が設けられていないため、バンプの根本部分に粘着剤が付着することなく使用できる。
また、特許文献2(特開2004−288725号公報)には、『ICウエハーの能動面上の所定位置に複数個のパッド電極を形成する半導体素子形成工程と、前記パッド上にバンプを形成するバンプ形成工程と、前記ICウエハーの非能動面を、前記ICウエハーを所定の厚みまで研削するバックグラインド工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記バンプ形成工程では、前記ICウエハーの周縁部分を残してバンプを形成し、前記バンプ形成工程と前記バックグラインド工程との間に、前記周縁部分に支持部材を形成又は貼付する支持部材形成工程を設け、前記バックグラインド工程では、前記支持部材で前記ICウエハーの周縁部分を支持させた状態で前記非能動面の研削を行うこと、を特徴とする半導体装置の製造方法』が開示されている。
特許文献3(特開2005−109433号公報)では、表面保護用シートとして、『表面にバンプが形成された半導体ウエハの裏面を保護する保護部材であって、バンプが形成されていない半導体ウエハの外周領域に貼着する外周貼着部と、該外周貼着部に囲繞され該バンプを支持し保護するバンプ保護部と、該外周貼着部と該バンプ保護部とで形成され該バンプを収容する凹部と、から構成された研削用のバンプ保護部材』が開示されている。
上記文献に記載の研削方法では、ウエハのバンプ形成面の外周部を粘着剤層によって囲繞し、この粘着剤層上に貼合された略ウエハ形状の基材シート(樹脂フィルム)によって、バンプ形成面を覆ってバンプ形成面を保護している。
この保護形態でウエハの裏面研削を行うと、研削に使用するグラインダーの圧力によってバンプが樹脂フィルムに押し付けられる。このため、ウエハの裏面研削時に回路面のバンプが潰れたり、ウエハ裏面にディンプルやクラックが発生することがあった。特に、樹脂フィルムの硬度が高すぎる場合には、このような問題は顕著に現れる。一方、樹脂フィルムの硬度が低すぎる場合には、形状保持性が不充分になり、研削に続く次工程への運搬の際に、ウエハを破損する危険性が高くなる。
特許文献4(特許公報3739570号)では、バンプ付ウエハに用いる表面保護用粘着シートとして、特殊な動的粘弾性を示す基材を用いた表面保護用粘着シートが開示されている。この表面保護用粘着シートは、バンプの高低差が比較的小さなウエハに対しては、十分に対応できたが、高低差が150μmを超えるような凹凸のある半導体ウエハを極薄にまで裏面研削を行うと、ウエハ裏面にディンプルやクラックが発生することがあった。
特開2005−123382号公報 特開2004−288725号公報 特開2005−109433号公報 特許公報3739570号
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、表面保護用シートを用いて、バンプ付ウエハの回路面を保護しつつ、裏面を研削する際に、回路面のバンプが潰れることを防止し、しかも研削面におけるディンプルやクラックの発生を抑制することを目的としている。
本発明者らは、上記課題の解決を目的として鋭意研究した結果、表面保護用シートの基材フィルムとして、特異な樹脂から形成される樹脂層を配置することで、表面保護用シートの粘弾性が適正化され、バンプがシートに押し付けられてもバンプが潰れることなく、しかもバンプ付ウエハ表面の高低差を緩和できるため、研削面におけるディンプルやクラックの発生を抑制しうることを見いだし、本発明を完成させるに至った。
上記課題を解決する本発明は、以下の要旨を含む。
〔1〕半導体ウエハに貼付される粘着シートの基材フィルムであって、
(A)ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーとチオール基含有化合物とを含む配合物をエネルギー線硬化させた硬化物からなる層と、
(B)熱可塑性樹脂からなる層とから構成される基材フィルム。
〔2〕前記配合物におけるチオール基含有化合物の含有量が、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー100gに対して、2mmol以上である〔1〕に記載の基材フィルム。
〔3〕上記〔1〕または〔2〕に記載の基材フィルム上に、さらに粘着剤層を備える粘着シート。
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、本発明によれば、表面保護用シートを用いて、バンプ付ウエハの回路面を保護しつつ、裏面を研削する際に、回路面のバンプが潰れることを防止し、しかも研削面におけるディンプルやクラックの発生を抑制することができる。
以下、本発明について、その最良の形態も含めてさらに具体的に説明する。本発明に係る基材フィルムは、半導体ウエハに貼付される粘着シートの基材フィルムであって、
(A)ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーとチオール基含有化合物とを含む配合物をエネルギー線硬化させた硬化物からなる層(以下、「エネルギー線硬化層」と略記することがある)と、
(B)熱可塑性樹脂からなる層(以下、「熱可塑性樹脂層」と略記することがある)とから構成されることを特徴としている。
[(A)エネルギー線硬化層]
基材フィルムの構成層のひとつであるエネルギー線硬化層(A)は、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーとチオール基含有化合物とを含み、必要に応じエネルギー線硬化性モノマーを含む配合物をエネルギー線硬化させた硬化物である。
ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーは、(メタ)アクリロイル基を有し、ウレタン結合を有する化合物である。このようなウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーは、たとえばポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物とを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリレートを反応させて得られる。なお、本明細書において、(メタ)アクリルは、アクリルおよびメタアクリルの両者を包含した意味で用いる。
ポリオール化合物は、ヒドロキシ基を2つ以上有する化合物であれば特に限定されず、公知のものを使用することができる。具体的には、例えば、アルキレンジオール、ポリエーテル型ポリオール、ポリエステル型ポリオール、ポリカーボネート型ポリオールの何れであってもよいが、ポリエーテル型ポリオールを用いることで、より良好な効果が得られる。また、ポリオールであれば特に限定はされず、2官能のジオール、3官能のトリオール、さらには4官能以上のポリオールであってよいが、入手の容易性、汎用性、反応性などの観点から、ジオールを使用することが特に好ましい。したがって、ポリエーテル型ジオールが好ましく使用される。
ポリエーテル型ポリオール化合物の代表例であるポリエーテル型ジオールは、一般にHO-(-R-O-)n-Hで示される。ここで、Rは2価の炭化水素基、好ましくはアルキレン基であり、さらに好ましくは炭素数1〜6のアルキレン基、特に好ましくは炭素数3または4のアルキレン基である。また、炭素数1〜6のアルキレン基の中でも好ましくはエチレン、プロピレンまたはテトラメチレン、特に好ましくはプロピレンまたはテトラメチレンである。したがって、特に好ましいポリエーテル型ジオールとしては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコールがあげられ、さらに特に好ましいポリエーテル型ジオールとしては、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコールがあげられる。nは(-R-O-)の繰り返し数であり、10〜250程度が好ましく、25〜205程度とすることがさらに好ましく、40〜185程度とすることが特に好ましい。nが10より小さいと、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーのウレタン結合濃度が高くなってしまい、エネルギー線硬化層(A)の圧縮応力が高くなってしまう。nが250より大きいと、圧縮応力が低下しにくくなる懸念がある。
ポリエーテル型ジオールと多価イソシアナート化合物との反応により、エーテル結合部(-(-R-O-)n-)が導入された末端イソシアナートウレタンプレポリマーを生成する。このようなポリエーテル型ジオールを用いることで、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーは、ポリエーテル型ジオールから誘導される構成単位を含有する。
ポリエステル型ポリオール化合物の製造に用いられる多塩基酸成分としては、一般にポリエステルの多塩基酸成分として知られている各種公知のものを使用することができる。具体的には、例えば、アジピン酸、マレイン酸、コハク酸、しゅう酸、フマル酸、マロン酸、グルタル酸、ピメリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、スベリン酸等の二塩基酸、芳香族多塩基酸、これらに対応する無水物やその誘導体およびダイマー酸、水添ダイマー酸などがあげられる。なお、塗膜に適度の硬度を付与するためには、芳香族多塩基酸を用いるのが好ましい。当該芳香族多塩基酸としては、例えば、無水フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸等の二塩基酸や、トリメリット酸、ピロメリット酸等の多塩基酸およびこれらに対応する酸無水物やその誘導体があげられる。なお、当該エステル化反応には、必要に応じて各種公知の触媒を使用してもよい。触媒としては、例えば、ジブチルスズオキサイドやオクチル酸第一スズなどのスズ化合物やテトラブチルチタネート、テトラプロピルチタネートなどのアルコキシチタンが挙げられる。
ポリカーボネート型ポリオール化合物としては、特に限定されず、公知のものを用いることができる。具体的には、例えば、前述したグリコール類とアルキレンカーボネートとの反応物などが挙げられる。
ポリオール化合物のジオール水酸基価から算出した分子量としては、1000〜10000程度が好ましく、2000〜9000程度とすることがさらに好ましい。分子量が1000より低いと、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーの架橋密度が高くなってしまい、エネルギー線硬化層(A)の圧縮応力が高くなってしまうことがある。分子量が高すぎると、ウレタン結合濃度が低くなり、圧縮応力が低下しにくいことがある。
なお、ポリエーテル型ポリオール化合物の分子量は、ポリエーテル型ポリオール官能基数×56.11×1000/水酸基価[mgKOH/g]であり、ポリエーテル型ポリオール化合物の水酸基価から算出される値である。
多価イソシアナート化合物としては、テトラメチレンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアナート等の脂肪族系ポリイソシアナート類、イソホロンジイソシアナート、ノルボルナンジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−4,4’−ジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−2,4’−ジイソシアナート、ω,ω’−ジイソシアナートジメチルシクロヘキサン等の脂環族系ジイソシアナート類、4,4'−ジフェニルメタンジイソシアナート、トリレンジイソシアナート、キシリレンジイソシアナート、トリジンジイソシアナート、テトラメチレンキシリレンジイソシアナート、ナフタレン−1,5−ジイソシアナート等の芳香族系ジイソシアナート類などが挙げられる。これらの中では、イソホロンジイソシアナートやヘキサメチレンジイソシアナート、キシリレンジイソシアナートを用いることが、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーの粘度を低く維持でき、取り扱い性が良好となるため好ましい。
上記のようなポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物とを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレートを反応させてウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーが得られる。
ヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレートとしては、1分子中にヒドロキシ基および(メタ)アクリロイル基を有する化合物であれば、特に限定されず、公知のものを使用することができる。具体的には、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシシクロヘキシル(メタ)アクリレート、5−ヒドロキシシクロオクチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェニルオキシプロピル(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート、N−メチロール(メタ)アクリルアミド等のヒドロキシ基含有(メタ)アクリルアミド、ビニルアルコール、ビニルフェノール、ビスフェノールAのジグリシジルエステルに(メタ)アクリル酸を反応させて得られる反応物などが挙げられる。
末端イソシアナートウレタンプレポリマーおよびヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレートを反応させるための条件としては、末端イソシアナートウレタンプレポリマーとヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレートとを、必要に応じて溶剤、触媒の存在下、60〜100℃程度で、1〜4時間程度反応させればよい。
このようにして得られたウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーの重量平均分子量(ゲルパーミエテーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算値をいう、以下同様。)は、特に限定されないが、通常、重量平均分子量を、1000〜100000程度とすることが好ましく、2000〜80000とすることがより好ましい。重量平均分子量を1000以上とすることで、エネルギー線硬化層の破断伸度を向上させることができ、100000以下とすることで、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーの樹脂粘度を低くすることができ、製膜用塗布液のハンドリング性が向上する。
得られるウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーは、分子内に光重合性の二重結合を有し、エネルギー線照射により重合硬化し、皮膜を形成する性質を有する。上記のウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーは一種単独で、または二種以上を組み合わせて用いることができる。
チオール基含有化合物としては、分子中に少なくとも1つのチオール基を有する化合物であれば、特に限定されず公知のものを用いることができる。具体的には、例えば、ノニルメルカプタン、1−ドデカンチオール、1,2−エタンジチオール、1,3−プロパンジチオール、トリアジンチオール、トリアジンジチオール、トリアジントリチオール、1,2,3−プロパントリチオール、テトラエチレングリコール−ビス(3−メルカプトプロピオネート)、トリメチロールプロパントリス(3−メルカプトプロピオネート)、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)、ペンタエリスリトールテトラキスチオグルコレート、ジペンタエリスリトールヘキサキス(3−メルカプトプロピオネート)、トリス[(3−メルカプトプロピオニロキシ)−エチル]−イソシアヌレート、1,4−ビス(3−メルカプトブチリルオキシ)ブタン、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)、1,3,5−トリス(3−メルカプトブチルオキシエチル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオンなどが挙げられる。
チオール基含有化合物の含有量は、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー100g(固形分)に対して、2mmol以上が好ましく、3〜100mmolがさらに好ましく、4〜85mmolが特に好ましい。チオール基含有化合物の含有量を2mmol以上とすることで、エネルギー線硬化層(A)は、後述するような特異な粘弾性を示し、高バンプ付ウエハ表面の高低差を十分に緩和できる。一方、チオール基含有化合物の量が過剰であると、エネルギー線硬化層(A)の弾性率が著しく低下し、基材フィルムを使用した粘着シートをロール状に巻収すると、ロール側部からエネルギー線硬化層(A)の構成樹脂が滲みだしてしまい、ロールの長期保存が困難になることがある。チオール基含有化合物の含有量を100mmol以下とすることで、該化合物が未硬化物として残存することを抑制でき、ロール側部からの樹脂の滲みだしを防止できる。
チオール基含有化合物の分子量は、200〜3000が好ましく、300〜2000がさらに好ましい。チオール基含有化合物の分子量が3000を超えると、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーとの相溶性が低下し、エネルギー線硬化層の製膜性が低下するおそれがある。
上記のようなウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーとチオール基含有化合物とでは、製膜が困難な場合が多いため、通常は、エネルギー線重合性モノマーを混合して製膜した後、これを硬化してエネルギー線硬化層を得る。エネルギー線硬化性モノマーは、分子内にエネルギー線重合性の二重結合を有し、特に本発明では、比較的嵩高い基を有するアクリル酸エステル系化合物が好ましく用いられる。
エネルギー線硬化性モノマーの具体例としては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、n−ペンチル(メタ)アクリレート、n−ヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、n−オクチル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクレート、ドデシル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、テトラデシル(メタ)アクリレート、ヘキサデシル(メタ)アクリレート、オクタデシル(メタ)アクリレート、エイコシル(メタ)アクリレート等のアルキル基の炭素数が1〜30の(メタ)アクリレート;イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、アダマンタン(メタ)アクリレートなどの脂環式構造を有する(メタ)アクリレート;フェニルヒドロキシプロピルアクリレート、ベンジルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレートなどの芳香族構造を有する(メタ)アクリレート、もしくはテトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、モルホリンアクリレートなどの複素環式構造を有する(メタ)アクリレート、スチレン、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、N-ビニルホルムアミド、N−ビニルピロリドンまたはN−ビニルカプロラクタムなどのビニル化合物が挙げられる。また、必要に応じて多官能(メタ)アクリレートを用いても良い。
これらの中でも、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーとの相溶性の点から、比較的嵩高い基を有する脂環式構造を有する(メタ)アクリレート、芳香族構造を有する(メタ)アクリレート、複素環式構造を有する(メタ)アクリレートが好ましい。
このエネルギー線硬化性モノマーの使用量は、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー100質量部(固形分)に対して、10〜500質量部が好ましく、30〜300質量部がより好ましい。
製膜方法としては、流延製膜(キャスト製膜)と呼ばれる手法が好ましく採用できる。具体的には、液状の配合物(上記成分の混合物を、必要に応じ溶媒で希釈した液状物)を、たとえば工程シート上に薄膜状にキャストした後に、塗膜にエネルギー線を照射して重合硬化させてフィルム化する。このような製法によれば、製膜時に樹脂にかかる応力が少なく、フィッシュアイの形成が少ない。また、膜厚の均一性も高く、厚み精度は、通常2%以内になる。エネルギー線としては、具体的には、紫外線、電子線等が用いられる。また、その照射量は、エネルギー線の種類によって様々であり、たとえば紫外線を用いる場合には、紫外線強度は50〜300mW/cm、紫外線照射量は100〜1200mJ/cm程度が好ましい。
製膜時、紫外線をエネルギー線として使用する場合、該配合物に光重合開始剤を配合することにより、効率よく反応することができる。このような光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光重合開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテルなどが挙げられる。
光重合開始剤の使用量は、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーおよびエネルギー線硬化性モノマーの合計100重量部に対して、好ましくは0.05〜15重量部、さらに好ましくは0.1〜10重量部、特に好ましくは0.3〜5重量部である。
また、上述の配合物中には、炭酸カルシウム、シリカ、雲母などの無機フィラー、鉄、鉛等の金属フィラーを添加してもよい。さらに、上記成分の他にも、エネルギー線硬化層(A)には顔料や染料等の着色剤等の添加物が含有されていてもよい。
上記のエネルギー線硬化層(A)は、後述する熱可塑性樹脂層(B)と積層されて基材フィルムを構成する。エネルギー線硬化層(A)は、前記したように工程シート上に製膜された後に、熱可塑性樹脂層(B)と積層されてもよく、熱可塑性樹脂層(B)上に、直接エネルギー線硬化層(A)を製膜してもよい。
得られるエネルギー線硬化層(A)は、ウエハ表面に形成されたバンプなどが押し付けられると特異な粘弾性を示し、バンプの形状に応じて速やかに変形し、バンプの高低差に起因する圧力を緩和するため、バンプを押し付けてもバンプが潰れることはない。また、変形後の残留応力も小さいため、ウエハを安定して保持し、ディンプルやクラックの発生を抑制することができる。
エネルギー線硬化層(A)の捻り貯蔵弾性率は、好ましくは0.1〜6MPa、さらに好ましくは0.3〜3MPa、特に好ましくは0.5〜2MPaの範囲にある。捻り貯蔵弾性率が上記範囲にあることで、エネルギー線硬化層(A)は、バンプの潰れやディンプルの発生を防止することができる粘着シートの物性につながる。
後述する粘着シートの圧縮応力は、エネルギー線硬化層(A)の厚さや、特定のウレタンアクリレートオリゴマーとチオール基含有化合物を使用することにより所望の範囲に調整することができる。
[(B)熱可塑性樹脂層]
熱可塑性樹脂層(B)としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステル樹脂、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)等のポリオレフィン系樹脂、ポリイミド(PI)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、セルロース系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等の熱可塑性樹脂が使用される。これらの熱可塑性樹脂は単一層、または積層することによって複層品として用いることができる。
熱可塑性樹脂層(B)は、エネルギー線硬化層(A)の片面に形成されていてもよく、また両面に形成されていてもよい。
エネルギー線硬化層(A)は、前記のように比較的容易に変形するため、形状を保持しにくい。したがって、基材フィルムをエネルギー線硬化層(A)のみで形成した場合には、ハンドリング性が悪く、作業効率が低下することがある。エネルギー線硬化層(A)に、比較的硬質な熱可塑性樹脂層(B)を積層することで、適度な形状保持性を有し、ハンドリング性に優れた基材フィルムが得られる。
熱可塑性樹脂層(B)の厚みは特に限定はされないが、好ましくは10〜1000μm、さらに好ましくは20〜500μmの範囲にある。
[基材フィルム]
基材フィルムは、前記のように、エネルギー線硬化層(A)と熱可塑性樹脂層(B)とが積層されてなる。エネルギー線硬化層(A)と熱可塑性樹脂層(B)とは直接積層されていてもよく、接着剤層を介して接着されていてもよい。
基材フィルムの製造方法は、特に限定はされないが、たとえば、前記ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー、チオール基含有化合物および必要に応じエネルギー線硬化性モノマーを含む配合物を、工程シート上に薄膜状にキャストした後に、必要に応じて塗膜を乾燥し、少量のエネルギー線を照射して塗膜を部分的に重合硬化させて半硬化層とし、さらに半硬化層に熱可塑性樹脂層(B)を積層後に、エネルギー線を照射して半硬化層を硬化して、エネルギー線硬化層(A)を得て、工程シートを除去することで得られる。
また、エネルギー線硬化層(A)と熱可塑性樹脂層(B)とからなる積層体のエネルギー線硬化層(A)面に、熱可塑性樹脂層(B)を積層することにより、エネルギー線硬化層(A)の両面に熱可塑性樹脂層(B)が形成された基材フィルムを得ることもできる。
本発明に係る粘着シートは、上記基材フィルムの片面に粘着剤層(C)が形成されてなる。粘着剤層が設けられる基材フィルム表面、好ましくはエネルギー線硬化層(A)の表面には、粘着剤層との密着性を向上するために、コロナ処理を施したり、プライマー層を設けてもよい。
[(C)粘着剤層]
粘着剤層(C)は、ウエハに対し適度な再剥離性があればその種類は特定されず、従来より公知の種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線の照射により硬化して再剥離性となるエネルギー線硬化型粘着剤や、加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。
エネルギー線硬化(紫外線硬化、電子線硬化)型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。このようなエネルギー線硬化型粘着剤の具体例は、たとえば特開昭60−196956号公報および特開昭60−223139号公報に記載されている。また、水膨潤型粘着剤としては、たとえば特公平5−77284号公報、特公平6−101455号公報等に記載のものが好ましく用いられる。
粘着剤層(C)の厚みは特に限定はされないが、好ましくは5〜200μm、さらに好ましくは10〜120μmの範囲にある。
なお、粘着剤層には、その使用前に粘着剤層を保護するために剥離シートが積層されていてもよい。剥離シートは、特に限定されるものではなく、剥離シート用基材に剥離剤で処理したものを使用することができる。剥離シート用基材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂からなるフィルムまたはそれらの発泡フィルムや、グラシン紙、コート紙、ラミネート紙等の紙が挙げられる。剥離剤としては、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤が挙げられる。
基材フィルム表面に粘着剤層を設ける方法は、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布し形成した粘着剤層を基材フィルム表面に転写しても構わないし、基材フィルム表面に直接塗布して粘着剤層を形成しても構わない。
[粘着シート]
本発明に係る粘着シートは、上記基材フィルムの片面に粘着剤層(C)が形成されてなる。基材フィルムが、エネルギー線硬化層(A)の片面に熱可塑性樹脂層(B)が積層された2層構造の場合には、粘着剤層(C)はエネルギー線硬化層(A)の表面に設けられてなることが好ましい。本発明に係る粘着シートは、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとり得る。
粘着シートの特異な粘弾性は、所定形状のバンプを有した試験片を粘着シートに所定の速度で押し込んだ際に測定される荷重から計算される圧縮応力によって簡便に評価することができる。測定の詳細については、後述する。粘着シートの23℃における圧縮応力は、好ましくは0.01〜1.0MPa、さらに好ましくは0.05〜0.7MPa、特に好ましくは0.06〜0.3MPaの範囲にある。圧縮応力が上記範囲にあることで、粘着シートは、前記のような粘弾性を示し、バンプの潰れやディンプルの発生を防止し、樹脂の浸み出しを防ぐことができる。
本発明の粘着シートにおけるエネルギー線硬化層(A)および粘着剤層(C)の厚みは特に限定はされないが、粘着シートがバンプ付ウエハの回路面に適用される場合には、回路面のバンプ高さに応じてエネルギー線硬化層(A)の厚みおよび粘着剤層(C)の厚みを適宜に設定することが好ましい。バンプ高さは、回路面の平坦面(バンプが形成されていない部分)からバンプの頂部までの高さであり、複数存在するバンプの高さの算術平均により定義される。
[半導体ウエハの加工方法]
本発明の粘着シートは、下記に示すように半導体ウエハの加工に用いることが出来る。
(ウエハ裏面研削方法)
ウエハの裏面研削においては、表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に粘着シートを貼付して回路面を保護しつつウエハの裏面を研削し、所定厚みのウエハとする。
半導体ウエハはシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。半導体ウエハの回路形成工程において、所定の回路が形成される。このようなウエハの研削前の厚みは特に限定はされないが、通常は500〜1000μm程度である。また、半導体ウエハの表面形状は特に限定はされないが、本発明の粘着シートは、特に回路表面にバンプが形成されたウエハの表面保護に好ましく用いられる。
本発明の粘着シートは、上記のようなエネルギー線硬化層(A)および粘着剤層(C)有し、バンプの凹凸に充分に追従可能な粘弾性を有する。このため、バンプが形成されているウエハ面に埋め込まれ、凹凸差を解消し、ウエハを平坦な状態で保持できる。またウエハの表面形状に対する追従性が高いため、ウエハ裏面研削時にウエハに強い剪断力が負荷されても、ウエハの振動、位置ズレが防止でき、ウエハ裏面を平坦、かつ極薄にまで研削することができる。また、基材フィルムは、エネルギー線硬化層(A)を含むため、バンプが基材フィルムに押し付けられてもバンプが潰れることはない。
裏面研削は粘着シートが貼付されたままグラインダーおよびウエハ固定のための吸着テーブル等を用いた公知の手法により行われる。裏面研削工程の後、研削によって生成した破砕層を除去する処理が行われてもよい。裏面研削後の半導体ウエハの厚みは、特に限定はされないが、好ましくは10〜400μm、特に好ましくは25〜300μm程度である。
裏面研削工程後、回路面から粘着シートを剥離する。本発明の粘着シートによれば、ウエハの裏面研削時にはウエハを確実に保持し、また切削水の回路面への浸入を防止できる。
(ウエハダイシング方法)
本発明の粘着シートはダイシングシートとして使用することもできる。
ダイシングシートとして使用する際は、ウエハに本発明の粘着シートを貼付して、ウエハを切断する。特に、ウエハの回路面に本発明の粘着シートを貼付して、回路面を粘着シートで保護しながらウエハを切断する場合に好適である。ダイシングシートの貼付は、マウンターと呼ばれる装置により行われるのが一般的だが特に限定はされない。
半導体ウエハの切断手段は特に限定はされない。一例としてウエハの切断時にはダイシングテープの周辺部をリングフレームにより固定した後、ダイサーなどの回転丸刃を用いるなどの公知の手法によりウエハのチップ化を行う方法などが挙げられる。またレーザー光を用いたダイシング法であってもよい。
(先ダイシング法)
さらにまた、本発明の粘着シートは、いわゆる先ダイシング法による高バンプ付ウエハのチップ化において好ましく用いられ、具体的には、
バンプを有する回路が表面に形成された半導体ウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、
該回路形成面に、上記粘着シートを表面保護シートとして貼付し、
その後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行なう、
半導体チップの製造方法に好ましく用いられる。
本発明の粘着シートを用いることで、チップと粘着剤層との間に高い密着性が得られるため、回路面への研削水の滲入がなく、チップの汚染を防止できる。
その後、所定の方法でチップのピックアップを行う。また、チップのピックアップに先立ち、ウエハ形状に整列した状態のチップを、他の粘着シートに転写し、その後、チップのピックアップを行ってもよい。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例において、各種物性の評価は次のように行った。
(捻り貯蔵弾性率)
直径8mm、厚さ3mmのエネルギー線硬化層を用意し、粘弾性測定装置(Rheometrics社製、装置名:DYNAMIC ANALYZER RDA II)を用いて1Hzで23℃での捻り貯蔵弾性率を測定した。
(圧縮応力)
熱可塑性樹脂層、エネルギー線硬化層とアクリル系粘着剤層からなる粘着シートを、縦15mm×横15mmの形状に裁断した。粘着シートから剥離シートを取り除いて、表出した粘着剤層面に縦10mm×横10mm×厚み200μmのシリコンウエハからなるバンプ付チップ(バンプ高さ250μm、バンプピッチ500μm)をチップ平面全体のバンプが均等に接触するように0.6mm/分の速度で、万能引張圧縮試験機[インストロン社製、製品名「インストロン5581型」]で深さ140μmまでバンプを押し込んだ。その際に粘着シートからシリコンウエハチップにかかる荷重(圧縮荷重)を測定した。測定は温度23℃、相対湿度50%の環境下で行った。測定された圧縮荷重と押し込まれたチップ平面全体のバンプの表面積から、圧縮応力を算出した。
なお、バンプの直径を280μmとし、バンプの半分まで押し込んだ時の荷重を測定していると仮定した。140μm押し込んだ際のチップ平面全体のバンプの表面積(39.9mm)は、1バンプの表面積とバンプの数(324個)とから算出され、圧縮応力は以下の式(1)から算出される。
圧縮応力=圧縮荷重/チップ平面全体のバンプの表面積 ・・・(1)
(ディンプルおよびクラックの発生)
ソルダーバンプ付ウエハ(チップサイズ縦10mm×横10mmのチップが整列している8インチシリコンウエハ、バンプ高さ250μm、バンプピッチ500μm、全厚720μm)を粘着シートに貼付、固定し、厚み250μmまで研削した後((株)ディスコ社製 グラインダーDGP8760を使用)、ウエハの裏面を目視にて観察し、ウエハ裏面のバンプに対応する部分にディンプルが発生していないか確認した。ディンプルが発生していないものをA、わずかにディンプルが発生しているのが確認されたが実用上問題ないものをB、明らかにディンプルが発生したものをCとした
また、ウエハのクラック(ウエハのひび、割れ)の有無を目視にて確認した。
(高低差)
バンプ高さ250μmのバンプ付ウエハに粘着シートをリンテック(株)製ラミネーター「RAD3510」を用いて貼付し、直後にテクロック社製 定圧厚さ測定器:PG−02にてバンプの有る部分の全厚“A”(ウエハの裏面から粘着シートの基材フィルム面までの距離)、バンプが無い部分の全厚“B”を測定し、「A−B」を高低差として算出した。高低差が小さいほど、バンプ高さに起因する凹凸が粘着シートによって緩和されていることを意味する。
(研削水の浸入)
ウエハ表面に粘着シートを貼付した後、水を噴霧しつつウエハ裏面を全厚250μmまで研削し、ウエハ表面から粘着シートを剥がし、ウエハ表面への研削水の浸入の有無を光学デジタル顕微鏡(倍率100倍)にて確認した。
(埋め込み性)
バンプ付ウエハの回路面に粘着シートをリンテック(株)製ラミネーター「RAD3510」を用いて貼付し、直後に光学デジタル顕微鏡(倍率300倍)にて観察し、バンプ間の埋め込み距離を測定した。なお、バンプ間の埋め込み距離は、次のように定義する。
近接する4つのバンプ頂部を直線により結び正方形を仮想する。正方形の対角線を測定し、対角線の長さからバンプの直径を引き、バンプ間隔とする。対角線上において粘着剤層とウエハ表面とが密着している距離を測定し、バンプ間の埋め込み距離とする。
(埋め込み距離/バンプ間隔)×100を算出し、埋め込み性(%)とする。埋め込み性は、バンプ間の隙間に対する粘着シートの密着性の指標であり、埋め込み性が高いほど、粘着シートとバンプ付ウエハとが隙間なく密着していることを意味する。埋め込み性が低い場合には、バンプの根本部分において粘着シートの密着が不十分になっていることを意味する。
(浸み出し)
作成した粘着シートをロール状に巻収し、ロール側部において、作成後1週間後に樹脂の浸み出しの有無を光学デジタル顕微鏡(倍率100倍)にて確認した。
(実施例1)
水酸基価から算出した分子量4000のポリプロピレングリコール(以下PPG4000と記述)とイソホロンジイソシアネート(以下IPDIと記述)を重合させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーの末端に、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(以下HEMAと記述)を反応させ、重量平均分子量が50000のポリエーテルポリオール系ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーを得た。なお、当該重量平均分子量は、市販の分子量測定機(本体製品名「HLC−8220GPC」、東ソー(株)製;カラム製品名「TSKGel SuperHZM-M」、東ソー(株)製;展開溶媒 テトラヒドロフラン)を用いて得た値である(以下、同様。)。
得られたポリエーテルポリオール系ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー100g(固形分)、エネルギー線硬化性モノマーとしてイソボルニルアクリレート140g(固形分)、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート160g(固形分)、チオール基含有化合物としてトリメチロールプロパントリス(3−メルカプトプロピオネート)(堺化学工業(株)製:TMMP、3官能、固形分濃度100質量%)8.0g(20.1mmol)及び光重合開始剤として2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン(BASF社製:ダロキュア1173、固形分濃度100質量%)4gを添加し、配合物(常温液体のエネルギー線硬化型組成物(粘度η=2500mPa・s、25℃))を得た。
キャスト用工程シートであるポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム系剥離フィルム(リンテック社製、製品名「SP−PET3811」厚み38μm)上に、上記配合物を、ファウンテンダイ方式で厚み300μmとなるように塗布して塗膜を形成し、その後、塗膜側から紫外線照射して半硬化層を得た。紫外線照射装置として、ベルトコンベア式紫外線照射装置(アイグラフィクス社製:ECS−401GX)、紫外線源は高圧水銀ランプ(アイグラフィクス社製:H04−L41)を使用した{照射条件:ランプ高さ150mm、ランプ出力3kW(換算出力120mW/cm)、光線波長365nmの照度271mW/cm、光量177mJ/cm(オーク製作所社製紫外線光量計:UV−351)}。その後、照射直後に半硬化層の上に、熱可塑性樹脂層としてポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(三菱化学ポリエステル社製:T−100、厚み75μm)をラミネートし、ラミネートしたPETフィルム側からさらに紫外線照射{照射条件:ランプ高さ150mm、ランプ出力3kW(換算出力120mW/cm)、光線波長365nmの照度271mW/cm、光量1200mJ/cm(オーク製作所社製紫外線光量計:UV−351)}を4回行い、半硬化層を架橋・硬化させエネルギー線硬化層を得て、キャスト用工程シートを除去し、エネルギー線硬化層(300μm)と熱可塑性樹脂層(75μm)とが積層された全厚375μmの基材フィルムを得た。
上記とは別に、ブチルアクリレート70重量部、2-ヒドロキシエチルアクリレート30重量部を用いて酢酸エチル溶媒中で溶液重合し、重量平均分子量500,000、ガラス転移温度−7℃のアクリル系共重合体を生成した。このアクリル系共重合体の固形分100重量部と、メタクリロイルオキシエチルイソシアナート8重量部(アクリル系共重合体中のヒドロキシル基100当量に対して80当量)とを反応させ、分子内に重合性二重結合を有する紫外線硬化型アクリル系共重合体の酢酸エチル溶液(30%溶液)を得た。
この紫外線硬化型アクリル系共重合体100重量部(固形分)に対し、架橋剤として2.0重量部(固形比)の多価イソシアナート化合物(コロネートL、日本ポリウレタン社製)と光重合開始剤(イルガキュア184、BASF社製)3.3重量部(固形比)を混合して、紫外線硬化型粘着剤組成物を得た。基材フィルムのエネルギー線硬化層の上に、外線硬化型粘着剤組成物を塗布乾燥し、厚さ50μmの粘着剤層を形成し、粘着シートを得た。粘着シートの評価結果を表1及び表2に示す。
(実施例2)
実施例1においてチオール基含有化合物として用いたTMMP8gに代えて、トリス[(3−メルカプトプロピオニロキシ)−エチル]イソシアヌレート(堺化学工業(株)製:TEMPIC、6官能、固形分濃度100質量%)1.0g(2.1mmol)を用いた以外は、実施例1と同様の方法にて粘着シートを得、評価を行った。結果を表1及び表2に示す。
(実施例3)
実施例1においてチオール基含有化合物として用いたTMMPの添加量を40.0g(100.4mmol)に変更した以外は、実施例1と同様の方法にて粘着シートを得、評価を行った。結果を表1及び表2に示す。
(実施例4)
実施例1においてチオール基含有化合物として用いたTMMP8gに代えて、1−ドデカンチオール(アルドリッチ社製、単官能、固形分濃度100質量%)40.0g(196.4mmol)を用いた以外は、実施例1と同様の方法にて粘着シートを得、評価を行った。結果を表1及び表2に示す。
(実施例5)
実施例1においてチオール基含有化合物として用いたTMMP8gに代えて、テトラエチレングリコール−ビス(3−メルカプトプロピオネート)(堺化学工業(株)製:EGMP−4、2官能、固形分濃度100質量%)8.0g(21.5mmol)を用いた以外は、実施例1と同様の方法にて粘着シートを得、評価を行った。結果を表1及び表2に示す。
(実施例6)
実施例1においてチオール基含有化合物として用いたTMMP8gに代えて、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)(堺化学工業(株)製:PEMP、4官能、固形分濃度100質量%)8.0g(16.4mmol)を用いた以外は、実施例1と同様の方法にて粘着シートを得、評価を行った。結果を表1及び表2に示す。
(実施例7)
実施例1においてチオール基含有化合物として用いたTMMP8gに代えて、ペンタエリスリトールテトラキスチオグリコレート(堺化学工業(株)製:PETG、4官能、固形分濃度100質量%)8.0g(18.5mmol)を用いた以外は、実施例1と同様の方法にて粘着シートを得、評価を行った。結果を表1及び表2に示す。
(実施例8)
実施例1においてチオール基含有化合物として用いたTMMP8gに代えて、ジペンタエリスリトールヘキサキス(3−メルカプトプロピオネート)(堺化学工業(株)製:DPMP、6官能、固形分濃度100質量%)8.0g(10.2mmol)を用いた以外は、実施例1と同様の方法にて粘着シートを得、評価を行った。結果を表1及び表2に示す。
(実施例9)
実施例1においてチオール基含有化合物として用いたTMMP8gに代えて、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)(昭和電工(株)製:カレンズMT PE1、2級4官能、固形分濃度100質量%)8.0g(14.7mmol)を用いた以外は、実施例1と同様の方法にて粘着シートを得、評価を行った。結果を表1及び表2に示す。
(実施例10)
実施例1においてチオール基含有化合物として用いたTMMP8gに代えて、1,3,5−トリス(3−メルカプトブチルオキシエチル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン(昭和電工(株)製:カレンズMT NR1、2級3官能、固形分濃度100質量%)8.0g(14.1mmol)を用いた以外は、実施例1と同様の方法にて粘着シートを得、評価を行った。結果を表1及び表2に示す。
(実施例11)
実施例1においてチオール基含有化合物として用いたTMMP8gに代えて、1,4−ビス(3−メルカプトブチリルオキシ)ブタン(昭和電工(株)製:カレンズMT BD1、2級2官能、固形分濃度100質量%)8.0g(27.2mmol)を用いた以外は、実施例1と同様の方法にて粘着シートを得、評価を行った。結果を表1及び表2に示す。
(実施例12)
実施例1においてチオール基含有化合物として用いたTMMPの添加量を80.0g(200.8mmol)に変更した以外は、実施例1と同様の方法にて粘着シートを得、評価を行った。結果を表1及び表2に示す。
(比較例1)
実施例1において、チオール基含有化合物を添加しなかった以外は、実施例1と同様の方法にて粘着シートを得、評価を行った。結果を表1及び表2に示す。
(比較例2)
基材フィルムとして、エネルギー線硬化層を形成せずに、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(三菱化学ポリエステル社製:T−100、厚み188μm)の単層フィルムを使用した以外は、実施例1と同様の方法にて粘着シートを得、評価を行った。結果を表1及び表2に示す。
Figure 0005762781
Figure 0005762781


Claims (3)

  1. 半導体ウエハに貼付される粘着シートであって、
    基材フィルム上に、さらに粘着剤層を備え、
    基材フィルムが、
    (A)ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーとチオール基含有化合物とを含む配合物をエネルギー線硬化させた硬化物からなる層と、
    (B)熱可塑性樹脂からなる層とから構成され
    前記粘着剤層が前記(A)層の表面に設けられてなる、粘着シート。
  2. 前記配合物におけるチオール基含有化合物の含有量が、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー100gに対して、2mmol以上である請求項1に記載の粘着シート
  3. 前記配合物におけるチオール基含有化合物の含有量が、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー100gに対して、10.2〜100mmolである請求項1または2に記載の粘着シート。
JP2011062942A 2011-03-22 2011-03-22 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート Active JP5762781B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011062942A JP5762781B2 (ja) 2011-03-22 2011-03-22 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート
KR1020187008385A KR102052120B1 (ko) 2011-03-22 2012-03-22 기재(基材) 필름 및 그 기재 필름을 구비한 점착 시트
PCT/JP2012/057304 WO2012128311A1 (ja) 2011-03-22 2012-03-22 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート
KR1020137024005A KR102016578B1 (ko) 2011-03-22 2012-03-22 기재(基材) 필름 및 그 기재 필름을 구비한 점착 시트
US14/005,574 US9559073B2 (en) 2011-03-22 2012-03-22 Base film and pressure-sensitive adhesive sheet provided therewith

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011062942A JP5762781B2 (ja) 2011-03-22 2011-03-22 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012199406A JP2012199406A (ja) 2012-10-18
JP5762781B2 true JP5762781B2 (ja) 2015-08-12

Family

ID=46879452

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011062942A Active JP5762781B2 (ja) 2011-03-22 2011-03-22 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9559073B2 (ja)
JP (1) JP5762781B2 (ja)
KR (2) KR102052120B1 (ja)
WO (1) WO2012128311A1 (ja)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5068793B2 (ja) 2009-09-24 2012-11-07 リンテック株式会社 粘着シート
JP5282113B2 (ja) 2011-03-22 2013-09-04 リンテック株式会社 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート
US9296925B2 (en) 2012-08-02 2016-03-29 Lintec Corporation Film-like adhesive, adhesive sheet for semiconductor junction, and method for producing semiconductor device
SG11201502219XA (en) * 2012-09-24 2015-05-28 Lintec Corp Back grinding sheet
JP6443991B2 (ja) * 2013-06-17 2018-12-26 昭和電工株式会社 エンチオール系硬化性組成物およびその硬化物
JP6235893B2 (ja) * 2013-12-19 2017-11-22 リンテック株式会社 バックグラインドシート
JP6322013B2 (ja) * 2014-03-20 2018-05-09 リンテック株式会社 粘着シート
JP6573282B2 (ja) * 2014-04-11 2019-09-11 リンテック株式会社 バックグラインドテープ用基材、及びバックグラインドテープ
KR101716543B1 (ko) 2014-04-30 2017-03-15 제일모직주식회사 점착필름 및 이를 포함하는 광학표시장치
SG11201706108UA (en) * 2015-01-30 2017-08-30 Lintec Corp Adhesive sheet for semiconductor processing
KR102359125B1 (ko) 2016-03-15 2022-02-08 더 보드 오브 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 티오우레탄 중합체, 이의 제조 방법, 및 적층 제조 기술에서의 용도
US11183416B2 (en) * 2016-10-03 2021-11-23 Lintec Corporation Adhesive tape for semiconductor processing, and semiconductor device manufacturing method
WO2018118767A1 (en) 2016-12-22 2018-06-28 Avery Dennison Corporation Convertible pressure sensitive adhesives comprising urethane (meth) acrylate oligomers
US11739177B2 (en) 2018-04-20 2023-08-29 Adaptive 3D Technologies Sealed isocyanates
EP3781375A4 (en) 2018-04-20 2021-09-29 Benjamin Lund BLOCKED ISOCYANATES
KR102239210B1 (ko) * 2018-06-04 2021-04-09 주식회사 엘지화학 백 그라인딩 테이프
WO2020003919A1 (ja) * 2018-06-26 2020-01-02 リンテック株式会社 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法
KR102335254B1 (ko) * 2018-10-12 2021-12-03 주식회사 엘지화학 저반사 필름
US11911956B2 (en) 2018-11-21 2024-02-27 Adaptive 3D Technologies Using occluding fluids to augment additive manufacturing processes
CN113614888A (zh) 2019-03-27 2021-11-05 三井化学东赛璐株式会社 保护膜及其粘贴方法以及半导体部件的制造方法
CN112662103B (zh) * 2019-10-15 2024-04-30 麦克赛尔株式会社 切割胶带用溶液流延型基材膜和切割胶带

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0616524B2 (ja) 1984-03-12 1994-03-02 日東電工株式会社 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS60223139A (ja) 1984-04-18 1985-11-07 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS63153814A (ja) 1986-07-09 1988-06-27 F S K Kk ウエハ貼着用粘着シ−ト
JPH06101455B2 (ja) 1987-05-27 1994-12-12 リンテック株式会社 ウエハ研摩用保護シ−トおよびこのシ−トを用いたウエハ面の研摩方法
JP3181284B2 (ja) * 1990-01-12 2001-07-03 旭電化工業株式会社 エネルギー線反応性粘着剤組成物
US5322861A (en) 1991-10-01 1994-06-21 Mitsubishi Kasei Corporation Ultraviolet-hardening urethane acrylate oligomer
US5804311A (en) 1994-02-24 1998-09-08 Dsm N.V. Liquid curable resin composition for optical fibers
US6002383A (en) 1995-03-30 1999-12-14 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Polymer dispersed liquid crystal (PDLC) film using heat or an electric field to change state and the other to change back
DE69716332T2 (de) 1996-04-15 2003-02-20 Teijin Seiki Co. Ltd., Osaka Verwendung einer photohärtbaren Harzzusammensetzung zur Herstellung eines Objektes mittels Stereolithographie
US6310133B1 (en) 1997-08-25 2001-10-30 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Antistatic coat, thermal transfer sheet having antistatic property and antistatic agent
US6048360A (en) 1997-03-18 2000-04-11 Endotex Interventional Systems, Inc. Methods of making and using coiled sheet graft for single and bifurcated lumens
US6333283B1 (en) 1997-05-16 2001-12-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silica glass article and manufacturing process therefor
JP3739570B2 (ja) * 1998-06-02 2006-01-25 リンテック株式会社 粘着シートおよびその利用方法
CN1137028C (zh) * 1998-11-20 2004-02-04 琳得科株式会社 压敏粘合片及其使用方法
JP5010777B2 (ja) 1999-05-14 2012-08-29 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. 均一に一貫した放射線硬化可能な組成物の製造法
JP4197216B2 (ja) 1999-12-24 2008-12-17 Jsr株式会社 液状硬化性樹脂組成物およびその硬化物
EP1469036B1 (de) 2003-03-19 2005-10-19 Collano AG UV-härtender schmelzklebstoff
JP2004288725A (ja) 2003-03-19 2004-10-14 Citizen Watch Co Ltd 半導体装置の製造方法,この製造方法に用いるシール部材及びこのシール部材の供給装置
JP4447280B2 (ja) 2003-10-16 2010-04-07 リンテック株式会社 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP2005109433A (ja) 2004-03-31 2005-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの切削方法および研削用のバンプ保護部材
JP4574234B2 (ja) * 2004-06-02 2010-11-04 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シートおよび半導体チップの製造方法
JP4714452B2 (ja) 2004-10-21 2011-06-29 日東電工株式会社 帯電防止性粘着型光学フィルム及び画像表示装置
JP4592535B2 (ja) 2005-02-23 2010-12-01 日東電工株式会社 多層シートとその製造方法及びこの多層シートを用いた粘着シート
US7521015B2 (en) * 2005-07-22 2009-04-21 3M Innovative Properties Company Curable thiol-ene compositions for optical articles
JP4717674B2 (ja) 2006-03-27 2011-07-06 富士フイルム株式会社 ガスバリア性フィルム、基材フィルムおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
CN101681104A (zh) 2007-06-06 2010-03-24 日立化成工业株式会社 感光性粘结剂组合物、膜状粘结剂、粘结片、粘结剂图案的形成方法、具有粘结剂层的半导体晶片、半导体装置、以及半导体装置的制造方法
KR100910672B1 (ko) 2007-08-03 2009-08-04 도레이새한 주식회사 내열성 점착시트
JP5399625B2 (ja) 2007-11-13 2014-01-29 日東電工株式会社 複合フィルム
JP5503357B2 (ja) * 2009-03-23 2014-05-28 古河電気工業株式会社 ダイシングテープ、ダイシングテープの硬化阻害防止方法及び一括封止された半導体基板のダイシング方法
JP5731742B2 (ja) * 2009-04-27 2015-06-10 株式会社ブリヂストン エネルギー線硬化型エラストマー組成物
JP5715330B2 (ja) * 2009-08-04 2015-05-07 株式会社ブリヂストン 光硬化性樹脂組成物及びそれからなる粘着シート
JP5068793B2 (ja) * 2009-09-24 2012-11-07 リンテック株式会社 粘着シート
JP2011105858A (ja) 2009-11-18 2011-06-02 Nitto Denko Corp 粘着シート
JP5597422B2 (ja) 2010-01-19 2014-10-01 デクセリアルズ株式会社 接着フィルム付き電子部品の製造方法および実装体の製造方法
JP5282113B2 (ja) 2011-03-22 2013-09-04 リンテック株式会社 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012128311A1 (ja) 2012-09-27
KR20140079336A (ko) 2014-06-26
KR20180034699A (ko) 2018-04-04
US20140079947A1 (en) 2014-03-20
KR102052120B1 (ko) 2019-12-04
US9559073B2 (en) 2017-01-31
JP2012199406A (ja) 2012-10-18
KR102016578B1 (ko) 2019-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5762781B2 (ja) 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート
KR102357444B1 (ko) 점착 시트
JP5282113B2 (ja) 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート
JP6541775B2 (ja) ワーク加工用粘着テープ
TWI753851B (zh) 半導體加工用黏著薄片
JP5514376B1 (ja) 粘着シート
JP5975621B2 (ja) ダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
WO2017061132A1 (ja) 半導体加工用シート
JP6623210B2 (ja) ダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
JP6559151B2 (ja) 表面保護用シート
WO2013141251A1 (ja) フィルム、ワーク加工用シート基材およびワーク加工用シート
JP2016192488A (ja) 半導体加工用粘着シート
WO2014046096A1 (ja) バックグラインドシート
KR20190053135A (ko) 반도체 가공용 점착 시트
TW202003737A (zh) 黏著膠帶及半導體裝置的製造方法
JP2013197390A (ja) ダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
TWI754679B (zh) 半導體加工用黏著片
JP5904809B2 (ja) シートおよび該シートを用いた粘着シート
JP7488678B2 (ja) 半導体加工用保護シートおよび半導体装置の製造方法
JP2009035717A (ja) Uv硬化型粘着剤組成物及び半導体ウエハ加工用粘着テープ
JP7566480B2 (ja) 半導体加工用保護シートおよび半導体装置の製造方法
JP5898445B2 (ja) 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート
WO2022209118A1 (ja) 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131101

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20131101

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140924

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141209

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20141209

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150512

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150610

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5762781

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250