JP5614726B2 - 光モジュール及び光モジュールの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は光モジュール及び光モジュールの製造方法に関する。

例えばデータセンターにおけるサーバとスイッチ間の接続や、デジタルＡＶ（オーディオ・ビジュアル）機器間の接続では、伝送媒体として、メタル線の外に、光ファイバーも用いられている。
光ファイバーを用いる場合、電気信号を光信号に、或いは、光信号を電気信号に変換する光トランシーバが必要になる。

光トランシーバとして、例えば、ハウジング内に例えばＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）基板を有する構成が検討されている。ＦＰＣ基板には、ポリマー光導波路が一体に設けられるとともに、ミラー、光電変換素子、及び、ＩＣチップが実装される。
光電変換素子が面発光型若しくは面受光型である場合、光電変換素子は、ポリマー光導波路及びミラーとは反対側に実装される。すなわち、ポリマー光導波路と光電変換素子との間の光路は、ミラーで曲げられてＦＰＣ基板を貫通して延びる。
また、短距離の伝送として、例えば、携帯電話へのポリマー光導波路の利用が検討されている。この場合も、上記と同様の構成でミラーが必要となる。

ミラーとしては、ポリマー光導波路の端面に金属膜を蒸着して形成されるものの外に、特許文献１が開示するミラー付光導波路の場合のように、ミラーブロックを採用することができる。特許文献１では、ミラーブロックは、接着剤としてクラッド材を用いて、ＦＰＣ基板に対して固定されている。そして、ミラーブロックの固定位置は、ガイド部材によって規定されている。

特開２００７−１８３４６７号公報

上述した特許文献１が開示するミラー付光導波路を組み立てる際には、ミラーブロックは、まず基板の上方に配置され、それから徐々に基板に向けて降ろされていく。しかしながら、ミラーブロックを基板の上方の適当な位置に位置合わせするための適当な手段がなかった。このため位置合わせを正確に行うことが困難であり、位置合わせに時間を要していた。

そして、位置合わせが正確に行われていない場合、ミラーブロックを降ろしていく過程で、コアの端部に反射ミラーが衝突し、コアの端部及び反射ミラーの一方又は両方に傷が付いてしまうことがある。傷が付いたミラー付光導波路は不良品となり、歩留まりが低下してしまう。

本発明は、上述した事情に鑑みてなされ、その目的とするところは、ミラー部材の位置合わせ及び固定が容易且つ的確に行われ、歩留まりが高く安価な光モジュール、及び、その製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一態様によれば、透光性を有するとともに、少なくとも一方の表面の一部にアンダークラッド層を有する基板と、前記アンダークラッド層に沿って延びるコアと、前記アンダークラッド層と協働して前記コアを囲むオーバークラッド層と、前記基板に設けられた導体パターンと、前記基板に対し前記コアとは反対側に固定され、前記導体パターンの一部と電気的に接続された光電変換素子と、前記コアの端面と前記光電変換素子との間を延びる光路に配置されるミラー面を有し、前記基板に対し前記コアと同じ側に固定されるミラー部材とを備え、前記ミラー部材は、前記基板に対する位置合わせ用のマーカとしての凹部を有し、前記導体パターンは、前記ミラー部材に対する位置合わせ用のマーカパターンを含む、光モジュールが提供される。

また、本発明の一態様によれば、透光性を有するとともに、少なくとも一方の表面の一部にアンダークラッド層を有する基板と、前記アンダークラッド層に沿って延びるコアと、前記アンダークラッド層と協働して前記コアを囲むオーバークラッド層と、前記基板に設けられた導体パターンと、前記基板に対し前記コアとは反対側に固定され、前記導体パターンの一部と電気的に接続された光電変換素子と、前記コアの端面と前記光電変換素子との間を延びる光路に配置されるミラー面を有し、前記基板に対し前記コアと同じ側に固定されるミラー部材とを備える光モジュールの製造方法において、前記ミラー部材に、前記基板に対する位置合わせ用のマーカとしての凹部を設ける工程と、前記導体パターンの一部として、前記ミラー部材に対する位置合わせ用のマーカパターンを設ける工程と、前記基板と前記ミラー部材とが前記基板の厚さ方向にて相互に離間した状態で、前記凹部と前記マーカパターンとが重なるように、前記基板に平行な方向での前記基板と前記ミラー部材との相対的な位置を合わせる位置合わせ工程と、前記位置合わせ工程の後、前記基板と前記ミラー部材とを前記厚さ方向にて相対的に接近させ、前記基板と前記ミラー部材とを接着する工程とを備える光モジュールの製造方法が提供される。

本発明によれば、ミラー部材の位置合わせ及び固定が容易且つ的確に行われ、歩留まりが高く安価な光モジュール、及び、その製造方法が提供される。

一実施形態の光トランシーバを備える光アクティブケーブルの概略的な構成を示す斜視図である。 図１の光トランシーバ近傍を拡大して示す斜視図である。 図２の光トランシーバを分解して示す概略的な斜視図である。 図３中の光電変換アセンブリの一方の側を概略的に示す斜視図である。 図４の光電変換アセンブリにおけるＩＣチップ及び光電変換素子の周辺を拡大して概略的に示す平面図である。 図３中の光電変換アセンブリの他方の側を概略的に示す斜視図である。 図６の光電変換アセンブリから補強板を外した状態を概略的に示す斜視図である。 図７中のミラー部材の一方の側を概略的に示す斜視図である。 図６の光電変換アセンブリにおけるミラー部材周辺の縦断面を概略的に示す図である。 図６の光電変換アセンブリにおける、ミラー部材のマーカ凹部と、ＦＰＣ基板のマーカパターンとの相対的な位置関係を説明するための平面図である。 図４の光電変換アセンブリの製造工程で用いられる、ＦＰＣ基板に対するミラー部材の位置合わせの方法を説明するための概略的な断面図である。 変形例に係る光電変換アセンブリにおけるミラー部材周辺の縦断面を概略的に示す図である。 変形例に係る光電変換アセンブリにおけるミラー部材周辺の縦断面を概略的に示す図である。

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は、一実施形態の光トランシーバ１０を備える光アクティブケーブル１２の構成を概略的に示す斜視図である。光アクティブケーブル１２は、１本の光ケーブル１４と、光ケーブル１４の両端に取り付けられた２個の光トランシーバ１０からなる。光アクティブケーブル１２は、例えば、スイッチングハブ等の中継装置同士の接続に適用される。

図２は、光ケーブル１４の一部とともに、光トランシーバ１０を拡大して示す斜視図である。
光トランシーバ１０は例えば金属製のハウジング１６を有し、ハウジング１６は例えば箱形状を有する。ハウジング１６の一端からは、シール部材１８を介して光ケーブル１４が延出する一方、ハウジング１６の他端には、開口が形成されている。
ハウジング１６の開口内には、例えば１枚の回路基板２０の端部が位置している。回路基板２０の端部は、中継装置に設けられたスロットに挿入可能である。

図３は、光トランシーバ１０を分解して概略的に示す斜視図であり、ハウジング１６は、例えば相互に分離可能な第１ケース１６ａ及び第２ケース１６ｂからなる。
回路基板２０は、例えばガラスエポキシ製のリジッドな基板であって、第２ケース１６ｂに対して固定されている。回路基板２０には、例えば銅等の金属からなる所定の導体パターンが形成されており、導体パターンは、回路基板２０の端部に配置された複数の電極端子２２を含む。電極端子２２は、中継装置に設けられた電極端子に電気的に接続される。

また、回路基板２０には、電極端子２２に電気的に繋がっているコネクタ２４が取り付けられており、コネクタ２４に、光電変換アセンブリ２６の一端が接続されている。
一方、光ケーブル１４は、少なくとも１本の光ファイバー２８を含み、本実施形態では４本の光ファイバー２８を含む。光ファイバー２８は、シール部材１８を通じて、ハウジング１６の内部まで延びている。そして、ハウジング１６の内部に位置する光ファイバー２８の先端は、光電変換アセンブリ２６の他端に固定されている。

光電変換アセンブリ２６は、光ファイバー２８から受け取った光信号を電気信号に変換し、電極端子２２を通じて中継装置に渡す機能、或いは、中継装置から受け取った電気信号を光信号に変換して光ファイバー２８に渡す機能を有する。
図４は、光電変換アセンブリ２６の第２ケース１６ｂ側を示す斜視図である。光電変換アセンブリ２６は、ＦＰＣ基板（フレキシブルプリント回路基板）３０を含み、ＦＰＣ基板３０は、例えば、ポリイミド製の可撓性及び透光性を有するフィルム３２と、フィルム３２に設けられた例えば銅等の金属からなる導体パターンとからなる。ＦＰＣ基板３０の導体パターンは、フィルム３２の一端部に形成された複数の電極端子３４を含む。
なお導体パターンは、例えば、フィルム３２に成膜された金属膜をエッチングすることにより作成することができる。

ＦＰＣ基板３０の一方の面には、所定の位置にＩＣチップ３６及び光電変換素子３８が例えばフリップチップ実装され、ＩＣチップ３６及び光電変換素子３８は導体パターンに電気的に接続されている。
本実施形態では、光ファイバー２８の数に対応して４つの光電変換素子３８が実装され、光電変換素子３８は、ＩＣチップ３６の一辺の近傍に沿うように並べられている。各光電変換素子３８は、ＬＤ（レーザダイオード）等の発光素子又はＰＤ（フォトダイオード）等の受光素子であり、ＩＣチップ３６は、発光素子のための駆動回路、又は、受光素子のための増幅回路を構成している。
光電変換素子３８は、面発光型若しくは面受光型であり、光電変換素子３８は、自身の光の出射面若しくは入射面がＦＰＣ基板３０の面と対向するように配置されている。

図５は、図４のＩＣチップ３６及び光電変換素子３８の周辺を拡大して概略的に示す平面図である。ＩＣチップ３６と光電変換素子３８とは、導体パターンの一部を構成する電極（第１電極）４０ａ，４０ｂによって電気的に接続されている。そして、ＩＣチップ３６は、導体パターンの一部を構成する複数の電極（第２電極）４２によって、電極端子３４と電気的に接続されている。

本実施形態では、好ましい態様として、第２電極４２のうちの１つのグランド電極４２ａが、ＩＣチップ３６の端から端まで延びている。そして、ＩＣチップ３６の中央に対向する位置にて、グランド電極４２ａには、例えば四角形の枠形状のマーカパターン４４が一体に設けられている。マーカパターン４４は、第１電極４０ａ，４０ｂ及び第２電極４２と同様に、導体パターンの一部を構成している。

図６は、光電変換アセンブリ２６の第１ケース１６ａ側を示す斜視図であり、ＦＰＣ基板３０の他方の面には、電極端子３４とは反対側の端部に、シート状のポリマー光導波路部材４６が一体に設けられている。
また、ＦＰＣ基板３０の他方の面には、ミラー部材４８が接着剤を用いて固定されている。接着剤としては、例えば、熱硬化型樹脂又はＵＶ硬化型樹脂を用いることができる。そして、ミラー部材４８及びポリマー光導波路部材４６上には、接着剤を用いて例えば金属やガラス製の補強板５０が固定されている。

図７は、光電変換アセンブリ２６から、補強板５０を外した状態を示す概略的な斜視図である。
ポリマー光導波路部材４６の端部には、光ファイバー２８の数に対応して、ストライプ状に４本の溝が形成され、各溝内に光ファイバー２８の先端部が配置されている。

図８は、ミラー部材４８のＦＰＣ基板３０側を概略的に示す斜視図である。図８に示したように、ミラー部材４８は四角錐台形状を有し、ミラー部材４８の１つの壁面（底壁）は、ＦＰＣ基板３０に沿って密着させられる。ＦＰＣ基板３０の長さ方向及び幅方向でのミラー部材４８の長さは、好ましくはＩＣチップ３６の長さと同等かそれらよりも長い。

ミラー部材４８の底壁には、例えば１つのマーカ凹部５４が形成され、マーカ凹部５４は、ミラー部材４８の底壁の中央付近に位置している。マーカ凹部５４は、ＦＰＣ基板３０に向けて開口しており、例えば、平面でみて四角形状を有する。平面でみたときのマーカ凹部５４の大きさは、導体パターンのマーカパターン４４の大きさに対応しており、好ましくは、マーカ部凹部５４の開口の１辺の長さは５０μm以上５００μm以下であり、開口面積は７５００μm^２以上２５００００μm^２以下である。また、好ましくは、マーカ凹部５４の深さは３０μm以上３００μm以下である。

ポリマー光導波路部材４６側に位置するミラー部材４８の壁面（側壁）は、ミラー面５６を構成しており、ミラー部材４８の底壁に対して略４５°傾いている。従って、ミラー面５６は、ＦＰＣ基板３０に対しても略４５°傾くことになる。ミラー面５６は、溝とは反対側のポリマー光導波路部材４６の端面と対向するように配置され、ミラー面５６の長手方向は、ポリマー光導波路部材４６の端面の長手方向、及び、ＦＰＣ基板３０の幅方向に一致させられている。

なお、本実施形態で用いられるミラー部材４８は、例えば、樹脂を一体成形してから、ミラー面５６になる樹脂の壁面に、金等の金属膜を蒸着して製造される。マーカ凹部５４は、樹脂を一体成形する時に形成することができる。

図９は、光電変換アセンブリ２６のミラー部材４８周辺の縦断面を概略的に示す図である。なお、図９中において、補強板５０は省略されている。
ポリマー光導波路部材４６は、アンダークラッド層５８、コア６０、及び、オーバークラッド層６２を含む。アンダークラッド層５８は、ＦＰＣ基板３０に積層され、光の伝送方向から見て断面形状が四角形のコア６０がアンダークラッド層５８上を延びている。

コア６０の数は、光ファイバー２８の数に対応して４本であり、４本のコア６０は相互に離間して平行に配置され、光ファイバー２８の先端部と同軸上に位置している。オーバークラッド層５８は、アンダークラッド層５８と協働してコア６０を囲むように、アンダークラッド層５８及びコア６０の上に積層されている。
アンダークラッド層５８、コア６０、及び、オーバークラッド層６２の材料としては、特に限定されることはないが、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂及びポリイミド系樹脂等を用いることができる。

本実施形態では、好ましい態様として、アンダークラッド層５８が、ミラー面５６まで到達するように、フィルム３２の表面全域を覆っており、コア６０及びオーバークラッド層６２が、アンダークラッド層５８の端部に積層されている。この場合、アンダークラッド層５８が、ＦＰＣ基板３０の表面を構成していると見なすこともできる。

コア６０の両端は、ポリマー光導波路部材４６において、溝の端面及びミラー面５６と対向する端面にて表出している。そして、コア６０の一端は、光ファイバー２８の端部と当接して光学的に結合され、コア６０の他端は、対向するミラー面５６と光学的に結合されている。

また、ミラー部材４８は、ミラー面５６の位置が、ＦＰＣ基板３０の厚さ方向にて、光電変換素子３８の出射面若しくは入射面に対応するように配置されている。つまり、コア６０の他端と光電変換素子３８との間にて、光路は、ミラー面５６によって９０°曲げられ、ＦＰＣ基板３０を貫通している。
なおこの配置において、ミラー部材４８は、ＦＰＣ基板３０の長手方向にて、ＩＣチップ３６の端部近傍から光電変換素子３８まで延びている。

そして本実施形態では、好ましい態様として、アンダークラッド層５８上におけるコア６０とミラー面５６との間には、光導波部材６４が設けられている。つまり、コア６０とミラー面５６との間の光路上には光導波部材６４が介在している。
光導波部材６４は、好ましくは、ミラー部材４８の固定に用いられる接着剤からなり、コア６０の端面、ミラー面５６及びアンダークラッド層５８の表面に密着している。光導波部材６４は、透光性を有するのは勿論、アンダークラッド層５８及びオーバークラッド層６２よりも高い屈折率を有する材料からなり、好ましくは、コア６０と同じ屈折率を有する材料からなる。別の表現をすれば、光導波部材６４の屈折率は、アンダークラッド層５８及びオーバークラッド層６２よりも、コア６０の屈折率に近い。
また好ましくは、光導波部材６４は、コア６０の材料と同じ材料からなる。

図１０は、光電変換アセンブリ２６における、マーカ凹部５４と、ＦＰＣ基板３０の導体パターンのマーカパターン４４との相対的な位置関係を説明するための平面図である。図１０に示したように、マーカ凹部５４がマーカパターン４４に重なるように、ミラー部材４８は、ＦＰＣ基板３０に対して位置合わせされている。

なお、ハウジング１６内で光電変換アセンブリ２６を安定させるために、例えば、回路基板２０のコネクタ２４側の面には、ガラス板からなる支持部材が配置され、ＦＰＣ基板３０は、例えば、ミラー部材４８、補強板５０及び支持部材を介して、第１ケース１６ａ及び回路基板２０によって挟持される。

以下、上述した光トランシーバ１０の製造に用いられる好ましい方法として、ＦＰＣ基板３０に対してミラー部材４８を固定する際に、ＦＰＣ基板３０に対しミラー部材４８を位置合わせする方法について説明する。
図１１は、位置合わせ方法を説明するための図であり、ステージ６６上に配置されたＦＰＣ基板３０の上方に、図示しない適当なホルダーによって支持されたミラー部材４８が配置される。

そして、ＦＰＣ基板３０とミラー部材４８との間に撮像装置としてカメラ６８が配置される。カメラ６８は、上方と下方の２つの視野を同時に撮影可能な２視野カメラであり、一方の視野にマーカ凹部５４が含まれ、他方の視野にマーカパターン４４が含まれる。
それから、カメラ６８によって撮影された画像に基づいて、マーカ凹部５４とマーカパターン４４との相対的な位置関係が予め定められた位置関係になるように、ステージ６６又はホルダーが水平方向、即ちＦＰＣ基板３０と平行な方向に移動させられる。

かくして位置合わせが終了した後、カメラ６８をＦＰＣ基板３０及びミラー部材４８から離れるように水平方向に移動させてから、ＦＰＣ基板３０及びポリマー光導波路部材４６の所定位置に接着剤を付与する。
そして、ステージ６６又はホルダーを上下方向、即ちＦＰＣ基板３０の厚さ方向に移動させてミラー部材４８とＦＰＣ基板３０とを密着させてから、熱を加えるか若しくは紫外線を照射して、接着剤を硬化させる。これにより、光導波部材６４が形成されると同時に、ＦＰＣ基板３０に対するミラー部材４８の固定が終了する。

上述した一実施形態の光トランシーバ１０によれば、その製造工程において、ＦＰＣ基板３０に対してミラー部材４８を固定する際、マーカ凹部５４とマーカパターン４４を目印として用いることによって、ＦＰＣ基板３０に対するミラー部材４８の位置合わせが、容易且つ高精度にて行われる。
このため、光トランシーバ１０の製造時間が短縮され、ひいては光トランシーバ１０の製造コストが削減される。

また、位置合わせが高精度にて行われる結果、ミラー面５６がポリマー光導波路部材４６と衝突することが防止される。これによって、衝突によりミラー面５６又はポリマー光導波路部材４６のコア６０の端面が傷付くことが防止され、光電変換アセンブリ２６の歩留まりが向上する。この結果としても、光トランシーバ１０の製造コストが削減される。
その上、マーカパターン４４はグランド電極４２ａに繋がっているので、マーカパターン４４の電位が浮くことがなく、電位が浮くことによる不具合が生じない。

更に、マーカ凹部５４は、ＦＰＣ基板３０と対向するミラー部材４８の底壁に形成されているので、マーカ凹部５４を設けたことによって、ミラー部材４８が大型化することはない。

一方、上述した光トランシーバ１０においては、アンダークラッド層５８がミラー面５６の下まで延び、アンダークラッド層５８上に、アンダークラッド層５８よりも高い屈折率を有する光導波部材６４が設けられているので、コア６０の端面から出射した光がＦＰＣ基板３０に向けて拡がることが抑制される。従って、光トランシーバ１０においては、コア６０の端面から出射した光が効率的にミラー面５６に導かれ、コア６０と光電変換素子３８との間での光の損失が低減される。また、コア６０の端面での光の散乱が低減される。

本発明は、上述した一実施形態に限定されることはなく、一実施形態に変更を加えた形態も含む。

例えば、上述した一実施形態の光トランシーバ１０では、マーカ凹部５４及びマーカパターン４４の平面形状は、四角形に限定されることはなく他の多角形、円形、若しくは、楕円形等であってもよく、特に限定されることはない。
また、マーカ凹部５４は、ミラー部材４８のミラー部材４８の底壁に形成されていたが、底壁と対向するミラー部材４８の天井壁に形成されていてもよい。
また、マーカ凹部５４及びマーカパターン４４の数はそれぞれ１個に限定されることはなく、２個以上であってもよい。

そして、上述した一実施形態の光トランシーバ１０の組み立てに際して、１台の２視野カメラにて位置合わせを行ったけれども、２台の１視野カメラを用いてもよい。この場合、２台のカメラのうち１台を、ミラー部材４８とＦＰＣ基板３０との間ではなく、ミラー部材４８の上方に配置し、ミラー部材４８を天井壁側から撮影するようにしてもよい。

上述した一実施形態の光トランシーバ１０では、ミラー部材４８の材料は樹脂に限定されることはなく、金属やガラス等を用いてもよい。金属製のミラー部材４８によれば、ＩＣチップ３６及び光電変換素子３８で発生した熱を効率的に逃がすことができ、更に信頼性が向上する。
なお、金属製のミラー部材４８は、例えば、鋳造によって製造することができ、この場合も、鋳造時にマーカ凹部５４を形成することができる。そして、金属製のミラー部材４８の場合、材質によっては、ミラー面５６のための金属膜を省略してもよい。

また、上述した一実施形態の光トランシーバ１０では、好ましい態様として、アンダークラッド層５８がフィルム３２の表面全域に渡って設けられていたが、図１２に示したように、アンダークラッド層７６が、コア６０及びオーバークラッド層６２と同じ領域にのみ、即ち、フィルム３２の端部にのみ設けられていてもよい。

更に、上述した一実施形態の光トランシーバ１０では、ＦＰＣ基板３０がフィルム３２を含んでいたけれども、図１３に示したように、フィルム３２を省略し、アンダークラッド層５８に直接導体パターンを形成してもよい。換言すれば、フィルム３２がアンダークラッド層５８としての機能を有していてもよい。つまり、ＦＰＣ基板３０がポリマー光導波路部材４６の一部を兼ねていてもよく、ＦＰＣ基板３０は、一方の表面の少なくとも一部にアンダークラッド層を有していればよい。
そこで本明細書では、フィルム３２上にアンダークラッド層５８が設けられている場合には、フィルム３２とアンダークラッド層５８を合わせて「基板」というものとし、フィルム３２がアンダークラッド層５８を兼ねているときには、フィルム３２を「基板」という。

また更に、上述した一実施形態の光トランシーバ１０では、好ましい態様として、ミラー面５６とコア６０の端面との間に介在する光導波部材６４とコア６０の屈折率が同じであったが、異なっていてもよい。また、ミラー面５６とコア６０の端面との間に何も介在させなくてもよい。
最後に、本発明は、光トランシーバ以外の光モジュールにも適用可能であるのは勿論である。

１０ 光トランシーバ（光モジュール）
１６ ハウジング
２０ 回路基板
２６ 光電変換アセンブリ
２８ 光ファイバー
３０ ＦＰＣ基板
３２ フィルム（基板）
３６ ＩＣチップ
３８ 光電変換素子
４４ マーカパターン
４６ ポリマー光導波路部材
４８ ミラー部材
５４ マーカ凹部
５６ ミラー面
５８ アンダークラッド層（基板）
６０ コア
６２ オーバークラッド層

Claims (4)

1. 透光性を有するとともに、少なくとも一方の表面の一部にアンダークラッド層を有する基板と、
   前記アンダークラッド層に沿って延びるコアと、
   前記アンダークラッド層と協働して前記コアを囲むオーバークラッド層と、
   前記基板に対し前記コアとは反対側に設けられた導体パターンと、
   前記基板に対し前記コアとは反対側に固定され、前記導体パターンの一部と電気的に接続された光電変換素子と、
   前記コアの端面と前記光電変換素子との間を延びる光路に配置されるミラー面を有し、前記基板に対し前記コアと同じ側に固定されるミラー部材と
   を備え、
   前記ミラー部材は、前記基板に対する位置合わせ用のマーカとしての凹部を有し、
   前記導体パターンは、前記ミラー部材に対する位置合わせ用のマーカパターンを含む、
   光モジュール。
2. 前記マーカパターンは、前記導体パターンのグランド電極に接続されている、
   請求項１に記載の光モジュール。
3. 前記アンダークラッド層は、前記コアの端面を越えて前記ミラー面まで延びており、
   前記コアの端面と前記ミラー面との間に、前記アンダークラッド層よりも高い屈折率を有する光導波部材が設けられている、
   請求項１又は２に記載の光モジュール。
4. 透光性を有するとともに、少なくとも一方の表面の一部にアンダークラッド層を有する基板と、
   前記アンダークラッド層に沿って延びるコアと、
   前記アンダークラッド層と協働して前記コアを囲むオーバークラッド層と、
   前記基板に対し前記コアとは反対側に設けられた導体パターンと、
   前記基板に対し前記コアとは反対側に固定され、前記導体パターンの一部と電気的に接続された光電変換素子と、
   前記コアの端面と前記光電変換素子との間を延びる光路に配置されるミラー面を有し、前記基板に対し前記コアと同じ側に固定されるミラー部材と
   を備える光モジュールの製造方法において、
   前記ミラー部材に、前記基板に対する位置合わせ用のマーカとしての凹部を設ける工程と、
   前記導体パターンの一部として、前記ミラー部材に対する位置合わせ用のマーカパターンを設ける工程と、
   前記基板と前記ミラー部材とが前記基板の厚さ方向にて相互に離間した状態で、前記凹部と前記マーカパターンとが重なるように、前記基板に平行な方向での前記基板と前記ミラー部材との相対的な位置を合わせる位置合わせ工程と、
   前記位置合わせ工程の後、前記基板と前記ミラー部材とを前記厚さ方向にて相対的に接近させ、前記基板と前記ミラー部材とを接着する工程と
   を備える光モジュールの製造方法。

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