JP5612921B2 - 情報記録媒体用ガラス基板及び情報記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、磁気ディスク等の情報記録媒体用ガラス基板及びこれを用いた情報記録媒体に関し、更に詳しくは、アルミノシリケートガラスからなる情報記録媒体用ガラス基板及びこれを用いた情報記録媒体に関する。

磁気、光、光磁気等の性質を利用した記録層を有する情報記録媒体のなかで、代表的なものとして磁気ディスクがある。磁気ディスク用基板として、従来はアルミニウム基板が広く用いられていた。しかし、近年、記録密度向上のための磁気ヘッド浮上量の低減の要請等に伴い、アルミニウム基板よりも表面の平滑性に優れ、しかも表面欠陥を減少させることができるガラス基板を用いる割合が増えてきている。中でも、イオン交換による化学強化処理を施すことで基板を強化することができるアルミノシリケートガラスからなるガラス基板は、高い耐衝撃性や耐振動性を有することから、好ましく用いられている。

このような情報記録媒体用ガラス基板において、表面欠陥を抑えて高密度記録に対応させるためには、ガラスの溶融過程で発生した気泡を、ガラス基板内にできるだけ残存させないことが必要である。従来は、ガラス成分中に、清澄剤としてＡｓ_２Ｏ_３やＳｂ_２Ｏ_３を含有させることにより、溶融ガラス中の気泡を除去（清澄）する方法が一般的であった（例えば、特許文献１参照）。

しかし、Ａｓ_２Ｏ_３やＳｂ_２Ｏ_３は毒性を有するため、環境上及び健康上の観点から、これらの使用を制限する動きが広がりつつある。そのため、清澄剤としてＡｓ_２Ｏ_３やＳｂ_２Ｏ_３を使用することなく、溶融ガラス中の気泡を除去する方法が検討され、溶融ガラスを減圧して気泡を除去する方法（例えば、特許文献２参照）が提案されている。

特開平８−３２１０３４号公報 特開２０００−１２８５４９号公報

しかしながら、特許文献２に記載の方法によれば、複雑なプロセスと特殊な減圧脱泡装置が必要となるばかりでなく、減圧に伴うガラス成分の揮発によって、ガラス成分の変動が起こりやすいという問題があった。

本発明は上記のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有せず、十分に気泡が除去された情報記録媒体用ガラス基板を提供すること、及び、これを用いた情報記録媒体を提供することである。

上記の課題を解決するために、本発明は以下の特徴を有するものである。

１．ガラス成分全体に対して、
６０〜７５質量％のＳｉＯ_２と、
５〜１８質量％のＡｌ_２Ｏ_３と、
３〜１０質量％のＬｉ_２Ｏと、
３〜１５質量％のＮａ_２Ｏと、
０．５〜８質量％のＺｒＯ_２と、を含有するアルミノシリケートガラスからなる、レーザーによる加工をされることなく記録層が形成されて情報記録媒体となる情報記録媒体用ガラス基板において、
Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有せず、
Ｓｎ（スズ）、Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブテン）、Ｔａ（タンタル）、Ｂｉ（ビスマス）またはＳｎ及びＣｅ（セリウム）を多価元素として含有し、
前記多価元素の総量の、前記Ａｌ_２Ｏ_３に対するモル比率（前記多価元素の総量／Ａｌ_２Ｏ_３）が、０．０２〜０．２０の範囲であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。

但し、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３，Ｎｂ_２ Ｏ _５，ＨｆＯ_２を合計で０．１〜５質量％含む情報記録媒体用ガラス基板を除く。

２．前記多価元素を、それぞれ下記の酸化物に換算した場合の含有量の合計は、ガラス成分全体に対して、１質量％以下であることを特徴とする前記１に記載の情報記録媒体用ガラス基板。

但し、ＳｎはＳｎＯ_２に、ＣｅはＣｅＯ_２に、ＶはＶ _２ Ｏ _５ に、ＭｎはＭｎＯ _２ に、ＮｉはＮｉ _２ Ｏ _３ に、ＮｂはＮｂ _２ Ｏ _５ に、ＭｏはＭｏＯ _３ に、ＴａはＴａ _２ Ｏ _５ に、ＢｉはＢｉ _２ Ｏ _３ に、それぞれ換算する。

３．前記多価元素は、酸化物、水酸化物又は炭酸塩からなる清澄剤として添加されたものであることを特徴とする前記１または２に記載の情報記録媒体用ガラス基板。

４．ＺｒＯ_２の含有率が、６．７質量％以上であることを特徴とする前記１から３のうちいずれか１項に記載の情報記録媒体用ガラス基板。

５．イオン交換による化学強化処理が施されていることを特徴とする前記１から４のうちいずれか１項に記載の情報記録媒体用ガラス基板。

６．前記１から５のうちいずれか１項に記載された情報記録媒体用ガラス基板の上に、記録層を有していることを特徴とする情報記録媒体。

本発明によれば、ガラス中で酸化物からなる清澄剤として働く所定の多価元素を、ガラス成分中のＡｌ_２Ｏ_３に対するモル比率が所定の範囲となるように含有させているため、当該多価元素の価数変化による清澄反応を効果的に働かせることができる。従って、Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有させることなく、十分に気泡が除去された情報記録媒体用ガラス基板を得ることができる。

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。

（情報記録媒体用ガラス基板）
本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、ガラス成分全体に対して、６０〜７５質量％のＳｉＯ_２と、５〜１８質量％のＡｌ_２Ｏ_３と、３〜１０質量％のＬｉ_２Ｏと、３〜１５質量％のＮａ_２Ｏと、０．５〜８質量％のＺｒＯ_２と、を含有するアルミノシリケートガラスからなる。そのため、イオン交換による化学強化処理を施すことが可能であり、高い耐衝撃性や耐振動性を確保することができる。各成分を上記範囲に限定した理由は、以下の通りである。

ＳｉＯ_２は、ガラスの網目構造を形成する重要な成分であり、化学的耐久性にも寄与するところが大きい。ＳｉＯ_２の含有量が６０質量％より少ないと化学的耐久性が悪化する恐れがある。逆に７５質量％を超えると溶融温度が高くなりすぎてしまう。そのためＳｉＯ_２の含有量は６０〜７５質量％の範囲とすることが必要である。その中でも好ましくは６０〜７１質量％の範囲である。

Ａｌ_２Ｏ_３は、ＳｉＯ_２と共に網目構造を形成する重要な成分であり、化学的耐久性を向上させるだけではなく、イオン交換性能を向上させる働きを有している。Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が５質量％より少ないと、化学的耐久性やイオン交換性能が低下する恐れがある。逆に１８質量％を超えると、耐失透性が悪化してしまう。このためＡｌ_２Ｏ_３の含有量は５〜１８質量％の範囲とすることが必要である。その中でも好ましくは９〜１４質量％の範囲である。

Ｌｉ_２Ｏは、イオン交換による化学強化処理を施すために必要な成分である。化学強化処理においては、ガラス中のＬｉ^＋イオンが、化学強化処理液中のＮａ^＋イオンやＫ^＋イオンとイオン交換されることによってガラス基板が強化される。Ｌｉ_２Ｏの含有量が３質量％より少ないと、このイオン交換性能が低下する。逆に１０質量％を超えると、耐失透性や化学的耐久性が悪化してしまう。そのため、Ｌｉ_２Ｏの含有量は３〜１０質量％とすることが必要である。その中でも好ましくは４〜６質量％の範囲である。

Ｎａ_２Ｏは、イオン交換による化学強化処理を施すために必要な成分である。化学強化処理においては、ガラス中のＮａ^＋イオンが、化学強化処理液中のＫ^＋イオンとイオン交換されることによってガラス基板が強化される。Ｎａ_２Ｏの含有量が３質量％より少ないと、このイオン交換性能が低下すると共に、耐失透性が悪化する。逆に１５質量％を超えると、化学的耐久性が低下してしまう。そのためＮａ_２Ｏの含有量は３〜１５質量％とすることが必要である。その中でも好ましくは６〜１０質量％の範囲である。

ＺｒＯ_２は、化学的耐久性を向上させるために必要な成分である。ＺｒＯ_２の含有量が０．５質量％より少ないと、化学的耐久性が悪化する。逆に８質量％を超えると、耐失透性が悪化してしまう。そのためＺｒＯ_２の含有量は０．５〜８質量％とすることが必要である。その中でも好ましくは６．７〜８質量％の範囲である。

Ａｓ_２Ｏ_３及びＳｂ_２Ｏ_３は、いずれも含有しない。ここで、含有しないとは、ガラスの原材料として意識的に含有させたものを排除する意味であって、他の成分の原料に不純物として含まれることによって不可避的に含有してしまう程度の微量であれば許容される。

本発明者による検討の結果、上記の各成分を有するガラス基板において、ガラス中で酸化物からなる清澄剤として働く所定の多価元素を、ガラス成分中のＡｌ_２Ｏ_３に対するモル比率が所定の範囲となるように含有させることにより、Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有させることなく、ガラス中の気泡を十分に除去することができることが明らかになった。即ち、本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、Ｓｎ（スズ）、またはＳｎ（スズ）及びＣｅ（セリウム）を多価元素として含有している。これらの多価元素の総量の、ガラス成分中のＡｌ_２Ｏ_３に対するモル比率（上記多価元素の総量／Ａｌ_２Ｏ_３）は、０．０２〜０．２０の範囲である。

このように、所定の多価元素を、ガラス成分中のＡｌ_２Ｏ_３に対するモル比率が所定の範囲となるように含有させることにより、ガラス中の気泡を十分に除去することができる理由については、おおむね以下のように考えられる。

通常、ガラス中で酸化物の形態をとる清澄剤は、次の２つの働きによって溶融ガラス中の気泡の除去（清澄）に寄与している。

（ａ）１つ目は、溶融ガラスの温度を上げていく過程で、溶融ガラス中にガスを放出する働きである。溶融ガラス中の気泡は、その浮揚力で上昇し、溶融ガラスの表面に到達すると破れて消滅する。ここで、溶融ガラス中を気泡が上昇する速度は、気泡の大きさに大きく依存し、大きな気泡は上昇速度が速いために比較的容易に表面に到達するが、小さな気泡は上昇速度が遅く、表面に到達するまでには非常に長い時間が必要になる。溶融ガラスの温度を上げていく過程で清澄剤からガスが放出されると、それによって溶融ガラス中の気泡が大きく成長し、気泡の上昇速度が速くなるため、気泡の消滅が促進される。

例えば、多価元素としてＣｅを含有する場合、高温になることによって、下記の（式１）の反応が右に進み、溶融ガラス中にＯ_２ガスが放出される。放出されたＯ_２ガスによって、溶融ガラス中の気泡は大きく成長し、溶融ガラスの表面で消滅する。

（ｂ）２つ目は、溶融ガラスの温度を下げていく過程で、溶融ガラス中のガスを吸収する働きである。例えば、多価元素としてＣｅを含有する場合、温度を下げていく過程で、（式１）の反応が左に進む。そのため、溶融ガラス中のＯ_２ガスが吸収され、気泡は収縮し、消滅する。

このように、溶融ガラス中の気泡を十分に除去するためには、酸化物からなる清澄剤として働く多価元素の価数変化によるガスの放出と吸収が、効果的に行われる必要がある。本発明者は、溶融ガラス中における多価元素の価数変化について鋭意検討を行ったところ、酸化物からなる清澄剤として働く多価元素の価数変化の反応は、溶融ガラス中に共存する他の金属イオン、特にＡｌイオンの酸化還元反応の影響を大きく受けることを突き止めた。そして更に検討を進めた結果、所定のガラス成分を有するアルミノシリケートガラスにおいては、上記多価元素の総量の、Ａｌ_２Ｏ_３に対するモル比率（上記多価元素の総量／Ａｌ_２Ｏ_３）が、０．０２〜０．２０の範囲である場合に、当該多価元素の価数変化による清澄反応が非常に効果的に働くことを見いだしたのである。

多価元素には、Ｓｎ（スズ）、またはＳｎ（スズ）及びＣｅ（セリウム）のいずれかを用いる。

上記多価元素の総量の、Ａｌ_２Ｏ_３に対するモル比率（上記多価元素の総量／Ａｌ_２Ｏ_３）が、所定の範囲を外れると、価数変化による清澄反応が不十分となり、溶融ガラス中の気泡を十分に除去することが困難になる。そのため、Ａｌ_２Ｏ_３に対するモル比率は、０．０２〜０．２０の範囲であることが必要であり、０．０５〜０．１５の範囲であることがより好ましい。

更に、耐失透性を低下させることなく、清澄の効果を十分に発揮させるという観点からは、上記多価元素を、それぞれ下記の酸化物に換算した場合の含有量の合計は、ガラス成分全体に対して、１質量％以下であることが好ましい。但し、ＳｎはＳｎＯ_２に、ＣｅはＣｅＯ_２に、それぞれ換算する。

なお、これらの多価元素は、溶融ガラス中では酸化物からなる清澄剤として機能するものであるが、用いる原料は酸化物の形態に限定されるものではなく、金属単体、水酸化物、硫酸塩、炭酸塩等、公知の形態の原料の中から適宜選択して用いればよい。中でも、取り扱いが容易であるという観点からは、酸化物、水酸化物又は炭酸塩からなる清澄剤として添加することがより好ましい。

また、ガラス基板の形状に特に制限はないが、中心孔を有する円盤状の基板が一般的である。ガラス基板の大きさや厚みに特に制限はない。例えば、外径は２．５インチ、１．８インチ、１インチ、０．８インチなど、厚みは、１ｍｍ、０．６４ｍｍ、０．４ｍｍなどが挙げられる。

（情報記録媒体用ガラス基板の製造方法）
上述のように、本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、所定の清澄剤の働きによって十分に気泡を除去することができるため、製造のために複雑なプロセスや特殊な装置を必要とせず、公知の一般的な製造方法によって製造することができる。

通常は、情報記録媒体用ガラス基板の基になるブランク材を作製した後、内外周加工、研削・研磨加工、化学強化処理、洗浄などの工程を経て製造するのが一般的である。ブランク材の作製は、溶融ガラスをプレス成形して作製する方法や、シート状のガラスを切断して作製する方法が知られている。内外周加工は、中心孔の穿孔加工、内外周の形状や寸法精度確保のための研削加工、内外周の研磨加工等を行う工程である。研削・研磨加工は、記録層が形成される面の平坦度、表面粗さを満足させるための研削加工、研磨加工を行う工程である。通常は、粗研削加工、精研削加工、１次研磨加工、２次研磨加工といったようにいくつかの段階に分けて行われる場合が多い。化学強化処理は、化学強化処理液にガラス基板を浸漬することでガラス基板を強化する工程である。また、洗浄は、ガラス基板の表面に残った研磨剤や化学強化処理液等の異物を除去する工程である。

特に、本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、所定のガラス成分を含有するアルミノシリケートガラスからなるため、化学強化処理を施すことにより、高い耐衝撃性や耐振動性を確保することができる。化学強化処理は、加熱された化学強化処理液にガラス基板を浸漬することによってガラス基板の成分であるリチウムイオン、ナトリウムイオンをこれらのイオンよりイオン半径の大きなナトリウムイオン、カリウムイオン等と置換するイオン交換法によって行われる。イオン半径の違いによって生じる歪みより、イオン交換された領域に圧縮応力が発生し、ガラス基板の表面が強化される。

化学強化処理液としては、ナトリウムイオンやカリウムイオンを含む溶融塩を用いることが一般的である。例えば、ナトリウムやカリウムの硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩や、これらの混合溶融塩が挙げられる。中でも、融点が低く、ガラス基板の変形を防止できるという観点から、硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ_３）と硝酸カリウム（ＫＮＯ_３）の混合溶融塩を用いることが好ましい。

（情報記録媒体）
上述の情報記録媒体用ガラス基板に、少なくとも記録層を形成することで情報記録媒体を製造することができる。記録層は特に限定されず、磁気、光、光磁気等の性質を利用した種々の記録層を用いることができるが、特に磁性層を記録層として用いた情報記録媒体（磁気ディスク）の製造に好適である。

磁性層に用いる磁性材料としては、特に制限はなく公知の材料を適宜選択して用いることができるが、高い保持力を得るため、結晶異方性の高いＣｏを主成分とするＣｏ系合金などが好適である。具体的には、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯなどが挙げられる。また、磁性層を非磁性材料（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶなど）で分割してノイズの低減を図った多層構成（例えば、ＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａなど）としてもよい。

磁性層として、上記のＣｏ系材料の他、フェライト系や鉄−希土類系の材料や、ＳｉＯ_２、ＢＮなどからなる非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉＰｔ等の磁性粒子が分散された構造のグラニュラーなどを用いることもできる。磁性層は、面内型及び垂直型の何れの記録形式であってもよい。

磁性層の形成方法としては、公知の方法を用いることができる。例えば、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を、情報記録媒体用ガラス基板にスピンコートする方法や、スパッタリングによる方法、無電解メッキによる方法が挙げられる。磁性層の薄膜化、高密度化の観点からは、スパッタリングによる方法や無電解メッキによる方法が好ましい。

磁気ディスクには、更に必要により下地層を設けてもよい。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属が挙げられる。磁性層がＣｏを主成分とする場合には、磁気特性向上等の観点から、下地層の材料はＣｒ単体やＣｒ合金であることが好ましい。また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の材料からなる層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等が挙げられる。

また、磁性層の表面に、磁性層の摩耗や腐食を防止するための保護層を設けてもよい。保護層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ＺｒＯ_２層、ＳｉＯ_２層などが挙げられる。保護層は、単層でもよいし、同一又は異種の層からなる多層構成でもよい。これらの保護層は、下地層、磁性層などと共に、インライン型スパッタ装置で連続して形成することも可能である。また、Ｃｒ層の上にＳｉＯ_２層を積層した保護膜を形成する場合、テトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈してコロイダルシリカ微粒子を分散させた溶液を、Ｃｒ層の上に塗布し、さらに焼成することでＳｉＯ_２層を形成してもよい。

また、磁性層や保護層の表面に、磁気ヘッドの滑りをよくするための潤滑層を設けてもよい。潤滑層としては、例えば、パーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）等からなる液体潤滑剤を塗布し、必要に応じ加熱処理を行ったものなどが挙げられる。

以下、本発明の効果を確認するために行った実施例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

下記の表１〜表１０に示すガラス成分となるように原料を調合した。清澄剤として、Ｖ_２Ｏ_５（表１）、ＭｎＯ_２（表２）、ＳｎＯ_２（表３）、ＣｅＯ_２（表４）、Ｎｉ_２Ｏ_３（表５）、Ｎｂ_２Ｏ_５（表６）、ＭｏＯ_３（表７）、Ｔａ_２Ｏ_５（表８）、Ｂｉ_２Ｏ_３（表９）、及び、ＣｅＯ_２とＳｎＯ_２の混合物（表１０）をそれぞれ用いた。なお、いずれの場合も、ＡｓとＳｂは含有させなかった。

それぞれの原料を、９００℃〜１３００℃に加熱された溶融槽に投入し、溶融、清澄、撹拌均質化した後、溶融ガラスをプレス成形してブランク材を作製した。その後、内外周加工、研削・研磨加工を経て、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚み０．６３５ｍｍのガラス基板とした。

作製したガラス基板のそれぞれについて、残留する気泡の数の評価、及び溶融時の失透性の評価を行った。残留する気泡の数の評価は、ガラス基板の全面を対象とし、５０倍の光学顕微鏡を用いて、ガラス基板１枚あたりの気泡の数を測定することにより行った。失透性の評価は、ガラスの溶融粘性がｌｏｇη＝２．５となる温度をＴ_{ｌｏｇη＝２．５}（℃）、液相温度をＴ_Ｌ（℃）としたときの両者の差ΔＴ（℃）（ΔＴ＝Ｔ_{ｌｏｇη＝２．５}−Ｔ_Ｌ）の数値で判断することにより行い、１５０℃≦ΔＴの場合を最も良好（◎）、５０℃≦ΔＴ＜１５０℃の場合を良好（○）、ΔＴ＜５０℃の場合を問題有り（×）とした。ここで液相温度Ｔ_Ｌは、１５５０℃で２時間溶融保持後、温度勾配炉内で勾配を持たせて１０時間保持し急冷した後、ガラスの表面及び内部に失透物の発生が確認された温度である。また、Ｔ_{ｌｏｇη＝２．５}は、撹拌式粘性測定機を用いて溶融したガラスの粘性を測定したときのｌｏｇη＝２．５となる温度である。各評価結果を表１〜表１０に併せて示す。

測定の評価結果より、ガラス中で酸化物からなる清澄剤として働く多価元素を、ガラス成分中のＡｌ_２Ｏ_３とのモル比率が所定の範囲となるように含有している本発明の実施例は、比較例と比べて残留する気泡の数が顕著に少なく、十分に気泡が除去された情報記録媒体用ガラス基板を得ることができることが確認された。また、多価元素の含有量の合計がガラス成分全体に対して１質量％以下である場合には、失透性が最も良好であることが確認された。

Claims (6)

1. ガラス成分全体に対して、
   ６０〜７５質量％のＳｉＯ_２と、
   ５〜１８質量％のＡｌ_２Ｏ_３と、
   ３〜１０質量％のＬｉ_２Ｏと、
   ３〜１５質量％のＮａ_２Ｏと、
   ０．５〜８質量％のＺｒＯ_２と、を含有するアルミノシリケートガラスからなる、レーザーによる加工をされることなく記録層が形成されて情報記録媒体となる情報記録媒体用ガラス基板において、
   Ａｓ（ヒ素）及びＳｂ（アンチモン）のいずれの元素も含有せず、
   Ｓｎ（スズ）、Ｖ（バナジウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブテン）、Ｔａ（タンタル）、Ｂｉ（ビスマス）またはＳｎ及びＣｅ（セリウム）を多価元素として含有し、
   前記多価元素の総量の、前記Ａｌ_２Ｏ_３に対するモル比率（前記多価元素の総量／Ａｌ_２Ｏ_３）が、０．０２〜０．２０の範囲であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
   但し、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３，Ｎｂ_２ Ｏ _５，ＨｆＯ_２を合計で０．１〜５質量％含む情報記録媒体用ガラス基板を除く。
2. 前記多価元素を、それぞれ下記の酸化物に換算した場合の含有量の合計は、ガラス成分全体に対して、１質量％以下であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
   但し、ＳｎはＳｎＯ_２に、ＣｅはＣｅＯ_２に、ＶはＶ _２ Ｏ _５ に、ＭｎはＭｎＯ _２ に、ＮｉはＮｉ _２ Ｏ _３ に、ＮｂはＮｂ _２ Ｏ _５ に、ＭｏはＭｏＯ _３ に、ＴａはＴａ _２ Ｏ _５ に、ＢｉはＢｉ _２ Ｏ _３ に、それぞれ換算する。
3. 前記多価元素は、酸化物、水酸化物又は炭酸塩からなる清澄剤として添加されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
4. ＺｒＯ_２の含有率が、６．７質量％以上であることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか１項に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
5. イオン交換による化学強化処理が施されていることを特徴とする請求項１から４のうちいずれか１項に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
6. 請求項１から５のうちいずれか１項に記載された情報記録媒体用ガラス基板の上に、記録層を有していることを特徴とする情報記録媒体。