JP5612265B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置等の表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、「基板」と称する。）に対してレジスト塗布処理や現像処理等の所定の処理を行う基板処理装置に関する。

周知のように、半導体や表示装置等の製品は、基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理及びダイシング等、一連の処理を施すことにより製造される。これらの処理のうち、例えばレジスト塗布処理、現像処理及びそれらに付随する熱処理のそれぞれを行う処理ユニットを複数組み込み、搬送ロボットによりそれら各処理ユニット間で基板の循環搬送を行って、基板を処理する基板処理装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）が広く用いられている（例えば、特許文献１参照）。

このような基板処理装置では、複数種類の処理液（例えば、レジスト、洗浄液、現像液等）が使用されるが、基板に対して処理液を供給する処理液供給機構に誤った処理液が供給されることを防止するため、処理液を収容する収容容器を管理するシステムがこれまでにも提案されている（例えば、特許文献２参照）。

具体的に、特許文献２では、処理液を使い切った収容容器を新たな収容容器に交換する際に、交換用の収容容器に付設されているバーコードがバーコードリーダーにより読み取られる。そして予め登録されている情報と、読み取られた情報とが照合されて、交換しようとしている収容容器の適否が判定される。

特開２００３−３２４１３９号公報 特開２００１−２１７２１７号公報

ところが、上記の技術では、収容容器を設置する前に、バーコードを読み取って収容容器の適否を判定するため、判定後に誤った設置場所に収容容器を設置してしまう懸念があった。特に、複数の収容容器を一度に交換するような場合には、設置場所を取り違えて配置してしまうおそれがあった。そのため、誤った処理液が基板に供給されるおそれがあった。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、誤った処理液が基板に供給されることを効果的に抑制する技術を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、第１の態様は、収容容器に収容された処理液を基板に供給して、当該基板を処理する基板処理装置であって、複数の収容容器を設置するための複数の設置区画を有する容器設置部と、前記複数の設置区画のそれぞれに対して設置されるべき収容容器の内容物についての情報が、前記複数の設置区画のそれぞれに関連づけられて保存されているテーブル情報を記憶するテーブル情報記憶部と、前記収容容器のそれぞれに付設され、前記複数の収容容器のそれぞれの内容物についての第１情報を保持する第１情報保持部と、前記複数の設置区画のうち特定の設置区画に設置されている収容容器に付設された前記第１情報保持部から、前記第１情報を電磁的または光学的に読み取る第１情報読取部と、前記テーブル情報と前記第１情報とを照合する照合部とを含み、前記第１情報保持部は、前記複数の収容容器の底面に貼付されるシール型のＩＤタグであり、前記第１情報読取部は、前記容器設置部に設置されている状態の収容容器の底面と対向する位置に設けられることを特徴とする。

また、第２の態様は、第１の態様に係る基板処理装置において、前記複数の収容容器のうちのいずれかの収容容器から処理液を供給したことを示す第２情報を取得する第２情報取得部と、前記第２情報取得部が取得した前記第２情報を処理液の供給に関する履歴情報として記憶する第２情報記憶部とを含むことを特徴とする。

また、第３の態様は、第２の態様に係る基板処理装置において、前記複数の収容容器のうちの第１収容容器と第２収容容器とのそれぞれから同一種類の処理液が供給され、当該処理液を基板に向けて吐出するノズルと、前記第１収容容器と前記第２収容容器との間で、前記ノズルに対する処理液の供給源を切り換える切換部とを含むことを特徴とする。

また、第４の態様は、第１〜第３のいずれか１の態様に係る基板処理装置において、前記照合部による照合結果に基づいて、前記複数の収容容器に収容された処理液を基板に向けて供給する処理液供給機構、を含むことを特徴とする。

また、第５の態様は、容器設置部が有する設置区画に設置された収容容器に収容されている処理液を基板に供給して、当該基板を処理する基板処理方法において、(a)複数の設置区画のそれぞれに対して設置されるべき収容容器の内容物についての情報が、前記複数の設置区画のそれぞれに関連づけられて保存されているテーブル情報を取得する工程と、(b)前記複数の設置区画のうち、特定の設置区画に設置されている収容容器の内容物についての第１情報を取得する工程と、(c)前記(a)工程にて取得される前記テーブル情報と、前記(b)工程にて取得される前記第１情報とを照合する工程とを含み、前記(b)工程は、前記容器設置部に設置されている前記収容容器の前記底面と対向する位置に設けられた第１情報読取部によって、前記収容容器の底面に貼付されるシール型のＩＤタグから、電磁的または光学的に前記第１情報を取得する工程であることを特徴とする。
また、第６の態様は、第１〜第４のいずれか１の態様に係る基板処理装置において、前記収容容器の交換が完了したか否かを判定する判定部をさらに含むことを特徴とする。
また、第７の態様は、第１〜第４および第６のいずれか１態様に係る基板処理装置において、前記容器設置部が、前記収容容器に収容された処理液を用いて基板を処理する処理ブロックとは異なるブロックに配されていることを特徴とする。

本発明の第１の態様に係る基板処理装置によると、収容容器の内容物についての第１情報を、容器設置部の設置区画に設置された状態で取得して、当該第１情報を、各設置区画に設置されるべき収容容器の内容物の情報が保存されたテーブル情報と照合するため、収容容器を不適切な設置区画に設置することを抑制できる。したがって、誤った処理液が基板に供給されることを効果的に抑制できる。
また、第１情報保持部をシール型とすることで、第１情報保持部の付設スペースを小さくすることができる。

また、第２の態様に係る基板処理装置によると、処理液供給に関する情報が履歴として記録されるため、複数の収容容器の中から、吐出エラー（例えば、液の枯渇や液詰まり等によってノズルから処理液が吐出されない等の誤作動）の要因となった収容容器を容易に特定できる。

また、第３の態様に係る基板処理装置によると、１のノズルに対して複数の処理液の供給源を設けることで基板処理装置の稼働効率を向上させつつ、吐出エラーが起こった際に、同一種類の処理液が収容された複数の収容容器の中から、吐出エラーの要因となっている収容容器を容易に特定できる。

また、第４の態様に係る基板処理層によると、誤った処理液が収容容器から基板へ供給されることを効果的に抑制できる。

本発明の実施形態に係る基板処理装置の外観を示す図である。 実施形態に係る基板処理装置の本体部を示す平面図である。 実施形態に係る基板処理装置の本体部の液処理部を示す正面図である。 実施形態に係るキャビネットの概略を示す正面図である。 実施形態に係るボトルの底面を示す図である。 実施形態に係るキャビネットの設置区画のそれぞれにボトルを設置している状態を示す正面図である。 実施形態に係る処理液供給機構を示す概略図である。 実施形態に係る制御機構の概略を示すブロック図である。 実施形態に係る基板処理装置の基本動作を示す流れ図である。 実施形態に係るボトル設置情報の構成の一例を示す図である。 処理液吐出処理時の基板処理装置の動作手順を示す図である。 ボトル交換処理時における基板処理装置の動作手順を示す流れ図である。

以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。

＜１． 実施形態＞
＜１．１． 基板処理装置の構成及び機能＞
＜概略構成＞
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１００の外観を示す図である。また、図２は、実施形態に係る基板処理装置１００の本体部１０１を示す平面図である。図３は、実施形態に係る基板処理装置１００の本体部１０１の液処理部を示す正面図である。

なお、図１及びそれ以降の各図では、図示及び説明の都合上、Ｚ軸方向が鉛直方向を表し、ＸＹ平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。

本実施形態の基板処理装置１００は、半導体ウェハ等の基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板Ｗに現像処理を行う装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）である。なお、本発明に係る基板処理装置１００の処理対象となる基板Ｗは半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用のガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等や、その他の電子機器用の基板であってもよい。

本実施形態の基板処理装置１００は、主に本体部１０１とホストコンピュータ１０２とに大別される。本体部１０１は、インデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０及びインターフェイスブロック５０の５つのブロックが一方向（Ｘ方向）に並べられて構成されている。バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０は、基板Ｗに処理を行う処理ユニット及び当該処理ユニットに基板を搬送する搬送ロボットを備える処理ブロックである。

なお、ここでの「処理ユニット」とは、基板Ｗに液を供給して処理を行う液処理ユニット（塗布処理ユニットＢＲＣ、塗布処理ユニットＳＣ、現像処理ユニットＳＤ）及び基板Ｗの熱処理を行う熱処理ユニット（加熱ユニット、冷却ユニット、密着強化処理ユニット）の他、基板Ｗに所定の処理を行うユニットを含むものとする。

連接された３つの処理ブロック（バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０）の一端（−Ｘ側端部）には、インデクサブロック１０が接続されており、その反対側の他端（＋Ｘ側端部）には、インターフェイスブロック５０が接続されている。そして、インターフェイスブロック５０の他端側には、外部装置である露光ユニット（ステッパ）ＥＸＰが接続配置されている。すなわち、連接された３つの処理ブロックの他端と露光ユニットＥＸＰとの間にインターフェイスブロック５０が配置されている。

＜インデクサブロック１０＞
インデクサブロック１０は、装置外から受け取った未処理基板を装置内に搬入するとともに、現像処理の終了した処理済み基板を装置外に搬出するためのブロックである。インデクサブロック１０は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収容するインデクサロボットＩＲとを備えている。

インデクサロボットＩＲは、載置台１１に沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能であるとともに昇降（Ｚ軸方向）移動及び鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である可動台１２を備えている。そして、可動台１２には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム１３ａ，１３ｂが搭載されている。

保持アーム１３ａ，１３ｂは、相互に独立して前後にスライド移動可能に構成されている。また、保持アーム１３ａ，１３ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向への水平移動や、Ｚ軸方向への昇降移動、水平面内の旋回動作及び旋回半径方向に沿って進退移動が可能となっている。これにより、インデクサロボットＩＲは、保持アーム１３ａ，１３ｂを個別に各キャリアＣに進入させて、未処理の基板Ｗを取り出したり、処理済みの基板Ｗを収容したりすることができる。

なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収容するＦＯＵＰ(Front Opening Unified Pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収容基板Ｗを外気に曝すＯＣ(Open Cassette)であってもよい。

インデクサブロック１０とこれに隣接して設けられているバークブロック２０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１５が設けられている。この隔壁１５には、インデクサブロック１０とバークブロック２０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層されて設けられている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１０のインデクサロボットＩＲはキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗは、後述のバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１により受け取られる。

一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２０からインデクサブロック１０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の当該３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサロボットＩＲにより受け取られてキャリアＣに収容される。なお、後述の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を有する。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１５の中央付近を貫通するように設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。これら各センサの検出信号に基づいて、インデクサロボットＩＲや搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるかどうかが判断される。

＜バークブロック２０＞
バークブロック２０は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２０は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部２１と、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２２，２３と、下地塗布処理部２１及び熱処理タワー２２，２３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。

下地塗布処理部２１は、搬送ロボットＴＲ１を挟んで、熱処理タワー２２，２３と対向するように配置されている。具体的には、下地塗布処理部２１が装置正面側（−Ｙ側）に、２つの熱処理タワー２２，２３が装置背面側（＋Ｙ側）に、それぞれ位置している。

図３に示すように、下地塗布処理部２１は同様の構成を備えた４つの塗布処理ユニットＢＲＣを上下に積層配置して構成されている。それぞれの塗布処理ユニットＢＲＣは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２６、スピンチャック２６上に保持された基板Ｗの上面に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２７、スピンチャック２６を回転駆動させるスピンモータ（図示せず）、スピンチャック２６上に保持された基板Ｗの周囲を囲むように配置されるカップ（図示せず）等を主に備えている。

また、図示を省略するが、熱処理タワー２２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数の加熱ユニットや、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する複数の冷却ユニット及びレジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気中で基板Ｗを熱処理する複数の密着強化処理ユニットが、鉛直方向に沿って上下に重なるようにして積層配置されている。また、熱処理タワー２３についても、複数の加熱ユニット及び複数の冷却ユニットが鉛直方向に沿って上下に重なるようにして積層配置されている。

搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム２４ａ，２４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側部分から内方に突き出た複数本のピンで、基板Ｗの周縁を下方から支持する。

また、搬送ロボットＴＲ１は、図示しない駆動機構によって搬送アーム２４ａ，２４ｂを鉛直方向に沿った昇降移動及び鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能となるように構成されている。また、搬送ロボットＴＲ１は、搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれを、互いに独立して水平方向に進退移動することができる。したがって、搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作及び旋回半径方向に沿った進退移動のそれぞれが可能となっている。

搬送ロボットＴＲ１は、２台の搬送アーム２４ａ，２４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２２，２３に設けられた熱処理ユニット、下地塗布処理部２１に設けられた塗布処理ユニットＢＲＣ及び後述の基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して進入させて、基板Ｗの受け渡しを行う。

＜レジスト塗布ブロック３０＞
レジスト塗布ブロック３０は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストを塗布してレジスト膜を形成する処理ブロックである。レジスト塗布ブロック３０は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部３１と、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３２，３３と、レジスト塗布処理部３１及び熱処理タワー３２，３３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。

レジスト塗布ブロック３０は、バークブロック２０と現像処理ブロック４０との間に挟まれるようにして設けられている。レジスト塗布ブロック３０とバークブロック２０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。そして隔壁２５には、バークブロック２０とレジスト塗布ブロック３０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層されて設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述の基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

すなわち、上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に基板Ｗを載置し、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２がこれを受け取る。

また、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置し、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１がこれを受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。

レジスト塗布ブロック３０においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部３１と熱処理タワー３２，３３とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部３１が（−Ｙ）側に、２つの熱処理タワー３２，３３が（＋Ｙ）側に、それぞれ位置している。

図３に示すように、レジスト塗布処理部３１は、上下に積層配置された４つの塗布処理ユニットＳＣを備えている。それぞれの塗布処理ユニットＳＣは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３６、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗ上にフォトレジストの塗布液を吐出する塗布ノズル３７、スピンチャック３６を回転駆動させるスピンモータ（図示せず）及びスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示せず）等を備えている。

また、熱処理タワー３２には、図示を省略するが、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数の加熱ユニット及び加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する複数の冷却ユニットが、上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー３３にも複数の加熱ユニット及び複数の冷却ユニット上下に積層配置されている。

図２に示すように、搬送ロボットＴＲ２は、搬送ロボットＴＲ１と同様の構成を備えており、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム３４ａ，３４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム３４ａ，３４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。

搬送ロボットＴＲ２は、２個の搬送アーム３４ａ，３４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３２，３３に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部３１に設けられた塗布処理ユニットＳＣ及び後述の基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して進入させて、基板Ｗの受け渡しを行う。

＜現像処理ブロック４０＞
現像処理ブロック４０は、露光処理後の基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４０は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部４１と、現像処理後の熱処理を行う熱処理タワー４２と、露光直後の基板Ｗに熱処理を行う熱処理タワー４３と、現像処理部４１及び熱処理タワー４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。

図３に示すように、現像処理部４１は、上下に積層配置された５つの現像処理ユニットＳＤを備えている。各現像処理ユニットＳＤは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４６、このスピンチャック４６上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４７、スピンチャック４６を回転駆動させるスピンモータ（図示せず）及びスピンチャック４６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示せず）等を主に備えている。

図３に示すように、熱処理タワー４２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数の加熱ユニット及び加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する複数の冷却ユニットが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー４３にも、複数の加熱ユニット及び複数の冷却ユニットが上下に積層配置されている。

熱処理タワー４３の加熱ユニットは露光直後の基板Ｗに対して露光後加熱処理(Post Exposure Bake)を行う。すなわち、熱処理タワー４３の加熱ユニット及び冷却ユニットに対しては、後述するインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板Ｗの搬出入を行う。

現像処理ブロック４０は、レジスト塗布ブロック３０とインターフェイスブロック５０との間に挟み込まれるようにして設けられている。現像処理ブロック４０とレジスト塗布ブロック３０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３０と現像処理ブロック４０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述の基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗは、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３により受け取られる。

一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗは、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２により受け取られる。

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。

また、熱処理タワー４３には、現像処理ブロック４０とインターフェイスブロック５０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４０からインターフェイスブロック５０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗは、インターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４により受け取られる。

また、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗは、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３により受け取られる。

なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３及びインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４の両側（図２中、−Ｙ側及び＋Ｘ側）に対して開口している。

図２に示すように、搬送ロボットＴＲ３は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム４４ａ，４４ｂを上下に近接させて備えている。搬送アーム４４ａ，４４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送ロボットＴＲ３は、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と同様に、搬送アーム４４ａ，４４ｂのそれぞれを、個別に基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、熱処理タワー４２に設けられた熱処理ユニット、現像処理部４１に設けられた５つの現像処理ユニットＳＤ及び熱処理タワー４３の基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に対して進入させて、基板Ｗの受け渡しを行う。

＜インターフェイスブロック５０＞
インターフェイスブロック５０は、現像処理ブロック４０に対して隣接するように配置され、レジスト膜が塗布形成された未露光の基板Ｗを外部装置である露光ユニットＥＸＰに渡すとともに、露光済みの基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って現像処理ブロック４０に渡すブロックである。

インターフェイスブロック５０は、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構ＩＦＲの他に、レジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷと、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３及びエッジ露光ユニットＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボットＴＲ４とを備える。

エッジ露光ユニットＥＥＷは、図３に示すように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック５６及びスピンチャック５６に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器５７等を備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷは、インターフェイスブロック５０の中央付近において、鉛直方向沿って積層配置されている。

また、エッジ露光ユニットＥＥＷの下側には、２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０、基板戻し用のリターンバッファＲＢＦ及び基板送り用のセンドバッファＳＢＦが上下に積層配置されている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボットＴＲ４から搬送機構ＩＦＲに基板Ｗを渡すために使用され、また、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構ＩＦＲから搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用される。

リターンバッファＲＢＦは、例えば、何らかの障害によって現像処理ブロック４０が露光済みの基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３で露光後加熱処理を既に終えた基板Ｗを一時的に収容保管する保管場所となる。また、センドバッファＳＢＦは、露光ユニットＥＸＰが未露光の基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収容保管する保管場所となる。

リターンバッファＲＢＦ及びセンドバッファＳＢＦは、いずれも複数枚の基板Ｗを多段に収容できる収容棚によって構成されている。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボットＴＲ４が進入し、センドバッファＳＢＦに対しては搬送機構ＩＦＲが進入する。

現像処理ブロック４０の露光後ベーク処理部４３に隣接して配置されている搬送ロボットＴＲ４は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム５４ａ，５４ｂを上下に近接させて備えており、その構成及び動作機構は搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ３と同様の構成となっている。

また、搬送機構ＩＦＲは、Ｙ軸方向の水平移動、昇降移動及び鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能な可動台５２を備え、その可動台５２に基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム５３ａ，５３ｂを搭載している。保持アーム５３ａ，５３ｂは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム５３ａ，５３ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作及び旋回半径方向に沿った進退移動を行う。

露光ユニットＥＸＰは、本体部１０１にてレジスト塗布された基板Ｗに対して、露光処理を行う。露光ユニットＥＸＰには、基板受渡場所として露光前の基板Ｗが載置される搬入テーブルＴＩと、露光後の基板Ｗが載置される搬入テーブルＴＯとが設けられている。

搬入テーブルＴＩ及び搬入テーブルＴＯは、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０と同様に、３本の支持ピンを備えている。インターフェイスブロック５０の搬送機構ＩＦＲは、レジスト塗布された露光前の基板Ｗを搬入テーブルＴＩに載置するとともに、搬入テーブルＴＯに置かれた露光後の基板Ｗを受け取る。

また、図示を省略するが、露光ユニットＥＸＰは、搬入テーブルＴＩに載置された露光前の基板Ｗを受け取るとともに、露光後の基板Ｗを搬入テーブルＴＯに載置する基板搬送機構（搬送ロボット）を備えている。

＜キャビネット６０＞
図３に示すように、インデクサブロック１０の下端部分には、基板Ｗに供給するための処理液を収容した複数のボトル７０が設置されるキャビネット６０が備えられている。このキャビネット６０については、図４を参照しつつ説明する。

図４は、実施形態に係るキャビネット６０の概略を示す正面図である。キャビネット６０は、骨格部分であるフレーム６１と、基板処理装置１００内に固定された移動機構６２とを主に備える。

キャビネット６０は、Ｙ軸方向に長手方向を有しており、その内部がフレーム６１によりＹ軸方向に沿って複数のブロックに区分されている。これら複数のブロックのそれぞれは、１本のボトル７０が設置可能なブロック（設置区画）となっている。また、各設置区画のボトル７０の設置面（すなわち、ボトル７０の底と接触する面）には、読取部８１（例えばアンテナ）が埋設されている。基板処理装置１００は、内部的に各設置区画に対して識別番号（設置区画番号）を付与しており、各設置区画がその場所ごとに識別可能となっている。

移動機構６２は、フレーム６１を移動させるためのガイドレールを有しており、フレーム６１をＹ軸方向に沿ってスライド移動させることが可能となっている。これにより、オペレータは、手動でフレーム６１を装置外に引き出すことができる。

図５は、実施形態に係るボトル７０の底面７０Ｂを示す図である。本実施形態に係る基板処理装置１００に使用されるボトル７０の底面７０Ｂには、ボトル７０に関する情報（具体的には、内容物の種類（種類情報）やボトル７０固有の識別番号（識別情報）。以下、「ボトル情報」と称する。）（第１情報）を記憶したＩＣタグシール８２が貼付されている。このＩＣタグシール８２と読取部８１とは、ＲＦＩＤ（Radio Frequency IDentification）システムを構成しており、ＩＣタグシール８２が保持しているボトル情報は、読取部８１により電磁的に読み取り可能となっている。

図６は、実施形態に係るキャビネット６０の設置区画のそれぞれにボトル７０を設置している状態を示す正面図である。同図に示すように、各設置区画にボトル７０が設置されている状態（すなわち、ボトル７０の底面７０Ｂと読取部８１とが、互いに対向している状態）で、各設置区画の読取部８１により、ボトル７０に貼付（付設）されたＩＣタグシール８２からボトル情報が読み取られる。なお、読み取られたボトル情報は、後述の読取制御部ＲＣへ送信される。

図７は、実施形態に係る処理液供給機構９０を示す概略図である。なお、図７では、ボトル７０ａ（第１収容容器）及びボトル７０ｂ（第２収容容器）のそれぞれに収容されている同一種類の処理液（ここでは、レジスト）を、塗布処理ユニットＳＣの塗布ノズル３７へ供給する処理液供給機構９０を示している。

図７に示すように、本実施形態では、塗布処理ユニットＳＣの塗布ノズル３７に対して、２つの処理液供給機構９０ａ，９０ｂが接続されている。処理液供給機構９０ａ，９０ｂのそれぞれは、ガス供給部９１ａ，９１ｂ、ガス配管９２ａ，９２ｂ、貯留部９３ａ，９３ｂ、液配管９４ａ，９４ｂ，９５ａ，９５ｂ、検出器９６ａ，９６ｂを主に備える。

ガス供給部９１ａ，９１ｂは、ガス配管９２ａ，９２ｂを介して、ボトル７０ａ，７０ｂの内部空間に窒素ガスをそれぞれ供給して圧力を上昇させる。これにより、ボトル７０ａ，７０ｂのそれぞれの処理液が、液配管９４ａ，９４ｂを介して、貯留部９３ａ，９３ｂに送液される。

貯留部９３ａ，９３ｂは、ボトル７０ａ，７０ｂのそれぞれから塗布処理ユニットＳＣへ向けて送液される処理液（ここでは、レジスト）を一時的に貯留する。そして、検出器９６ａ，９６ｂは、この貯留部９３ａ，９３ｂに貯留されている処理液量を検出する。詳細には、検出器９６ａ，９６ｂは、貯留部９３ａ，９３ｂ内の処理液の液位を光学的に検出することにより、貯留部９３ａ，９３ｂ内に処理液が所定量以上貯留されているかどうかを検査する。この検出結果は、後述の処理液供給制御部ＰＳＣに出力され、主制御部ＭＣへ送られる。なお、検出器９６は、光学的に液位を検出するものであってもよいが、貯留部９３ａ，９３ｂ内に設けられるフロート式のレベルセンサ等であってもよい。

液配管９５ａ，９５ｂは、一方端が貯留部９３ａ，９３ｂのそれぞれに接続しており、他端が切換部９７により連結されて塗布ノズル３７に接続している。切換部９７は、液配管９５ａと塗布ノズル３７、あるいは、液配管９５ｂと塗布ノズル３７のいずれかに、処理液供給の接続状態を切り換える。すなわち、切換部９７は、ボトル７０ａ及びボトル７０ｂとの間で、塗布ノズル３７に対する処理液の供給源を切り換えることができる。

なお、図示を省略するが、他の液処理ユニット（塗布処理ユニットＢＲＣ、現像処理ユニットＳＤ）についても、塗布処理ユニットＳＣと同様に、１のノズル（塗布ノズル２７，ノズル４７）に対して複数の処理液供給機構９０が設けられる。

このように、本実施形態では、液処理ユニットのノズルに対して、複数の処理液供給機構９０を備えることにより、１の処理液供給機構９０に吐出エラー等の問題が発生した場合であっても、他の処理液供給機構９０により対応できるため、装置の可動効率を向上させることができる。もちろん、１のノズルに対して１の処理液供給機構９０が接続される構成でもよい。

＜制御機構＞
図８は、実施形態に係る制御機構の概略を示すブロック図である。本実施形態に係る基板処理装置１００の本体部１０１は、主制御部ＭＣ、ブロック制御部ＢＣ、処理ユニット制御部ＰＵＣ、読取制御部ＲＣ及び処理液供給制御部ＰＳＣを主に備えている。

これら各制御部のハードウェアとしての構成は、一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各制御部は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリ（ＲＯＭ）、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ、制御用アプリケーションや各種データを記憶する磁気ディスク等を備えている。

主制御部ＭＣは、本体部１０１全体の管理、メインパネルＭＰの管理、ブロック制御部ＢＣ、読取制御部ＲＣ及び処理液供給制御部ＰＳＣの管理を主に担当する。メインパネルＭＰは、主制御部ＭＣのディスプレイとして機能する。また、主制御部ＭＣに対してはキーボードＫＢから種々のコマンドを入力することができる。なお、メインパネルＭＰをタッチパネルにて構成し、メインパネルＭＰから主制御部ＭＣに入力作業を行うようにしてもよい。

なお、図８では一つのブロック制御部ＢＣのみを示しているが、本実施形態では、図２または３に示す各ブロック（インデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０及びインターフェイスブロック５０）のそれぞれに対して、個別にブロック制御部ＢＣが設けられている。また、各ブロック制御部ＢＣは、対応するブロック内の基板搬送管理及び各処理ユニットの動作管理を主に担当する。

具体的に、例えばブロック制御部ＢＣは、特定の基板載置部（例えば、基板載置部ＰＡＳＳ１）に基板Ｗを載置したという情報を、隣接するブロックのブロック制御部ＢＣに送る。そして、基板Ｗを受け取ったブロックのブロック制御部ＢＣは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のブロックのブロック制御部ＢＣに送り返す。

このようなブロック制御部ＢＣ間の情報の送受信は、主制御部ＭＣを介して行われる。そして、各ブロック制御部ＢＣはブロック内に基板Ｗが搬入された旨の情報を搬送ロボット制御部ＴＣに与え、該搬送ロボット制御部ＴＣが搬送ロボット（例えば、搬送ロボットＴＲ１）を制御してブロック内で基板Ｗを所定の手順に従って循環搬送させる。なお、搬送ロボット制御部ＴＣは、ブロック制御部ＢＣ上でＣＰＵが所定のプログラムに従って動作することにより実現される制御部である。

また、処理ユニット制御部ＰＵＣは、対応のブロックに備えられた特定の処理ユニット（例えば、塗布処理ユニットＢＲＣ）の動作を管理する制御部であり、例えばスピンコントローラやベークコントローラが備えられる。スピンコントローラは、ブロック制御部ＢＣの指示に従ってブロック内に配置されたスピンユニット（例えば、塗布処理ユニットＢＲＣ）を直接制御するものである。具体的には、スピンコントローラは、例えばスピンモータを制御して基板Ｗの回転数を調整する。また、ベークコントローラは、ブロック制御部ＢＣの指示に従ってブロック内に配置された熱処理ユニット（ホットプレート、クールプレート、加熱部等）を直接制御する。

また、基板処理装置１００に設けられた制御階層のさらに上位の制御機構として、本体部１０１とＬＡＮ回線を介して接続されたホストコンピュータ１０２が備えられている。ホストコンピュータ１０２は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリ（ＲＯＭ）、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリ（ＲＡＭ）及び制御用アプリケーションやデータ等を記憶しておく記憶部１０２Ｍを備えており、一般的なコンピュータと同様の構成を有している。

なお、ホストコンピュータ１０２には、本体部１０１が、１台または２台以上接続される。ホストコンピュータ１０２は、接続されているそれぞれの本体部１０１に処理手順及び処理条件を記述したレシピ情報を送信する。そして、ホストコンピュータ１０２から渡されたレシピ情報は、本体部１０１の主制御部ＭＣの記憶部（メモリ）に記憶される。

読取制御部ＲＣは、上述のキャビネット６０の各区画に埋設された読取部８１の管理を主に担当する。読取制御部ＲＣは、主制御部ＭＣの命令に基づいて、読取部８１にボトル情報を読み取らせる。この読み取りにより取得されたボトル情報は、主制御部ＭＣを介して、ホストコンピュータ１０２へ送信される。

処理液供給制御部ＰＳＣは、処理液供給機構９０の管理を主に担当する。本実施形態では、処理液供給制御部ＰＳＣは、主制御部ＭＣからの指示に基づいて、ガス供給部９１ａ，９１ｂからボトル７０内へ窒素ガスを供給することにより、各液処理ユニットへの処理液供給を制御する。また、処理液供給制御部ＰＳＣは、処理液供給機構９０の検出器９６ａ，９６ｂから出力される検出結果を、主制御部ＭＣに伝達する。基板処理装置１００は、この検出結果に基づいて、後述のボトル交換処理を実行する。

以上が、基板処理装置１００の構成及び機能の説明である。次に、基板処理装置１００の基板処理の動作手順について説明する。

＜１．２． 基板処理装置の動作＞
＜基板処理装置の基本動作手順＞
図９は、実施形態に係る基板処理装置１００の基本動作を示す流れ図である。なお、以下に説明する基板処理装置１００の動作は、特に断らない限り、主制御部ＭＣの制御に基づくものとする。まず、基板処理装置１００の電源が投入されると、基板処理装置１００は、所定の初期設定を行った後、各ボトル７０に収容されている処理液の種類情報やボトル７０固有の識別情報をホストコンピュータ１０２に送信する。ホストコンピュータ１０２は受信した情報を記憶部１０２Ｍに記録する（ステップＳ１）。

より詳細には、基板処理装置１００は、読取部８１により、キャビネット６０の各設置区画に設置されたボトル７０に付設されているＩＣタグシール８２のそれぞれから、各ボトル７０のボトル情報が読み取られる。そして読み取られたボトル情報が、各ボトル７０の設置場所を示す設置区画の番号（設置区画情報）と関連づけられて、ホストコンピュータ１０２に出力される。そして、ホストコンピュータ１０２は、主制御部ＭＣから送られてきた情報をボトル設置情報Ｄ１０（テーブル情報）として記憶部１０２Ｍに格納する。

図１０は、実施形態に係るボトル設置情報Ｄ１０の構成の一例を示す図である。同図に示すように、ボトル設置情報Ｄ１０には、キャビネット６０の設置区画ごとに割り当てられた番号（設置区画番号）に対して、各設置区画に設置されているボトル７０の具体的な処理液の種類情報とボトル７０の固有の識別情報とが関連づけられて記録されている。

このようなボトル設置情報Ｄ１０の登録が完了すると、基板処理装置１００は、一連の基板処理を実行する（ステップＳ２）。ここで、基板処理装置１００の基板処理の諸処理について、以下に説明する。

まず、キャリアＣに収容された基板Ｗがインデクサブロック１０に搬入されると、基板処理装置１００は、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置して、搬送ロボットＴＲ１により熱処理タワー２２の密着強化処理ユニットに搬送して所定の密着強化処理を実行する。その後、基板処理装置１００は、当該基板Ｗを熱処理タワー２２，２３の冷却ユニットに搬送して冷却する。

次に、基板処理装置１００は、基板Ｗを塗布処理ユニットＢＲＣに搬送して、その表面に反射防止膜の塗布液を供給して回転塗布する。回転塗布が完了すると、基板処理装置１００は、熱処理タワー２２，２３のいずれかの加熱ユニットに搬送し、加熱処理によって、基板Ｗ上に下地の反射防止膜を焼成させる。

そして、基板処理装置１００は、基板Ｗを加熱ユニットから取り出して、冷却ユニットに搬送して冷却する。冷却後の基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ１により、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ３に基板Ｗを載置すると、基板処理装置１００は、搬送ロボットＴＲ２により基板Ｗを受け取って熱処理タワー３２，３３のいずれかの冷却ユニットに搬送し、基板Ｗを所定温度に温度調整する。

温度調整が完了すると、基板処理装置１００は、温度調整済みの基板Ｗを塗布処理ユニットＳＣに搬送し、基板Ｗに対してレジストを供給して回転塗布する。レジスト塗布処理が終了すると、基板処理装置１００は、塗布処理ユニットＳＣから基板Ｗを取り出して、加熱ユニットに搬送し、基板Ｗを加熱（Post Applied Bake）することにより、基板Ｗ上にレジスト膜を形成させる。

熱処理が完了すると、基板処理装置１００は、加熱ユニットから基板Ｗを取り出して、冷却ユニットに搬送して冷却し、冷却後の基板Ｗを、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置させる。

基板載置部ＰＡＳＳ５に基板Ｗを載置すると、基板処理装置１００は、搬送ロボットＴＲ３により、当該基板Ｗを受け取って、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。当該基板Ｗは、さらに搬送ロボットＴＲ４により受け取られ、上下いずれかのエッジ露光ユニットＥＥＷに搬入される。エッジ露光ユニットＥＥＷでは、基板Ｗの端縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。

エッジ露光処理が完了すると、基板処理装置１００は、基板Ｗを搬送ロボットＴＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ９に載置し、さらに搬送機構ＩＦＲにより受け取って、露光ユニットＥＸＰの搬入テーブルＴＩに載置する。

露光ユニットＥＸＰに搬入された基板Ｗは、パターン露光処理に供される。パターン露光処理が完了した露光済みの基板Ｗは、図示しない搬送機構により露光ユニットＥＸＰの搬入テーブルＴＯに載置される。基板処理装置１００は、搬入テーブルＴＯに載置された基板Ｗを搬送機構ＩＦＲにより受け取って、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。

基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置すると、基板処理装置１００は、搬送ロボットＴＲ４により当該基板Ｗを受け取って、熱処理タワー４３の加熱ユニットに搬送して、露光後加熱処理(Post Exposure Bake)を行う。

露光後加熱処理が終了すると、基板処理装置１００は、搬送ロボットＴＲ４により基板Ｗを加熱ユニットから取り出して基板載置部ＰＡＳＳ８に載置し、搬送ロボットＴＲ３により当該基板Ｗを受け取って熱処理タワー４２の冷却ユニットに搬送し、基板Ｗを冷却することで、所定温度に正確に温度調整する。

次に、基板処理装置１００は、冷却ユニットから基板Ｗを取り出して現像処理部４１の現像処理ユニットＳＤに搬送し、基板Ｗに現像液を供給して、現像処理を実行する。現像処理が完了すると、基板処理装置１００は、基板Ｗを熱処理タワー４２の加熱ユニットに搬送して加熱処理し、さらにその後、冷却ユニットに搬送して冷却処理する。

冷却処理が完了すると、基板処理装置１００は、基板Ｗを冷却ユニットから取り出して、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置し、搬送ロボットＴＲ２により当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４へ載置する。さらに、基板処理装置１００は、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗを、搬送ロボットＴＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。これにより、一連の諸処理が完了した基板がインデクサブロック１０に格納される。

基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された諸処理の済んだ基板Ｗは、インデクサロボットＩＲによって所定のキャリアＣに収容される。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収容されたキャリアＣが装置外部に搬出されて、一連の基板処理が完了する。

以上が、基板処理装置１００の基板処理の動作手順についての説明である。次に、基板処理装置１００の各液処理ユニットでの処理液吐出時における動作手順について、図１１を参照しつつ説明する。

＜処理液吐出処理時の基板処理装置の動作手順＞
図１１は、処理液吐出処理時の基板処理装置１００の動作手順を示す図である。

まず基板処理装置１００は、処理手順が記述されたレシピ情報に基づき、各液処理ユニットへ処理液を供給すべき時機に、処理液供給制御部ＰＳＣに対して処理液の供給を指示する（ステップＳ２１）。

処理液の供給を指示すると、基板処理装置１００は、特定の液処理ユニットに対して処理液を供給する（ステップＳ２２）。具体的には、基板処理装置１００は、処理液を供給すべき液処理ユニットのノズルに接続されている特定のボトル７０に対して、窒素ガスを供給する（図７参照）。これにより、液処理ユニットに保持された基板Ｗに処理液が吐出される。

処理液を供給すると、基板処理装置１００は、処理液を供給したことを示す供給情報をホストコンピュータ１０２へ送信する。そしてホストコンピュータ１０２は、当該供給情報を、供給履歴情報（第２情報）として記憶部１０２Ｍに記録する（ステップＳ２３）。具体的には、主制御部ＭＣが、処理液を供給したボトル７０に関する情報（例えば、処理液を供給したボトル７０が設置されている設置区画番号）をホストコンピュータ１０２に伝達して、ホストコンピュータ１０２が、当該情報を供給履歴情報として供給時間等とともに記憶部１０２Ｍに記録する。

これにより、例えば、処理液が基板Ｗに供給されない等の吐出エラーが発生したときに、記録された供給履歴情報が参照されることで、どの処理液系統で問題が生じたかを容易に特定できる。したがって、交換等が行われるべきボトル７０を容易に特定できる。

特に、本実施形態では、上述のように、１のノズルに対して、複数の処理液供給機構９０が接続されている。すなわち、ノズルには、同一種類の処理液が収容された複数のボトル７０に接続されており、吐出エラーが起こった際に、一見しただけではどのボトル７０からの処理液吐出が問題となっているかが分かりにくいことがある。特に、同一種類の処理液を収容している収容容器７０の場合、容器形状やラベルが同じである等のために外観では区別できないことが多い。

しかし、本実施形態では、記憶部１０２Ｍに記録された供給履歴情報を記録する際に、処理液の種類毎ではなく、ボトル７０毎に処理液の供給履歴情報を取得している。したがって、複数のボトル７０の中から、エラーの原因となった際に処理液の供給源となっていたボトル７０を特定できるため、ボトル７０の交換や処理液供給機構９０の点検等を的確に行うことができる。

供給履歴情報を記録すると、基板処理装置１００は、ボトル７０の交換が必要か否かを判定する（ステップＳ２４）。具体的には、処理液供給機構９０の検出器９６ａ，９６ｂが、貯留部９３ａ，９３ｂ内の処理液量を検出して、貯留されている処理液が所定の基準量を下回っているかどうかを検出する。これにより、基板処理装置１００は、該当するボトル７０に十分な処理液が残存しているかどうか検出して、ボトル交換が必要か否かを判断する。

ボトル７０の交換が必要と判定した場合には（ステップＳ２４にてＹＥＳ）、基板処理装置１００は、ボトル交換処理を実行する（ステップＳ２５）。このステップＳ２５の動作手順の詳細については後述する。一方、交換が不要と判定された場合（ステップＳ２４にてＮＯ）や、ステップＳ２５のボトル交換処理が完了した場合には、基板処理装置１００は、処理液の吐出処理の動作を終了する。

以上が、基板処理装置１００の処理の液吐出処理時の動作手順の説明である。次に、ステップＳ２５の基板処理装置１００のボトル交換処理時の動作手順について、図１２を参照しつつ説明する。

＜ボトル交換処理時の基板処理装置の動作手順＞
図１２は、ボトル交換処理時における基板処理装置１００の動作手順を示す流れ図である。

ボトル交換処理を開始すると、基板処理装置１００は、ボトル７０の交換が必要なことをオペレータに警告するため、所定の警告通知を行う（ステップＳ３１）。具体的に、本実施形態では、交換すべきボトル７０の設置区画番号とボトル情報等が、ホストコンピュータ１０２の表示部に表示される。

オペレータは、この警告表示に従って交換を要するボトル７０をキャビネット６０から取り外し、収容物が同じの新たなボトル７０を設置する。そして、オペレータは、ホストコンピュータ１０２に対して、警告を停止させるための所定のリセット入力を行う。ホストコンピュータ１０２は、このリセット入力があったか否かを判定することで（ステップＳ３２）、ボトル７０の交換が完了したかどうかを判断する。基板処理装置１００は、このリセット入力があった場合には、ステップＳ３３へ進む。リセット入力がない場合は、ステップＳ３１へ戻り、警告通知を引き続き行う。

リセット入力があった場合（ステップＳ３２においてＹＥＳ）、基板処理装置１００は、警告表示を解除する。そして、基板処理装置１００は、交換を要することを検出したボトル７０の設置区画に埋設されている読取部８１によって、交換されたボトル７０のＩＤタグシール８２に記録されたボトル情報を読み取る（ステップＳ３３）。そして、主制御部ＭＣは、読み取ったボトル情報とともに、該ボトル７０の設置区画情報をホストコンピュータ１０２へ送信する（ステップＳ３４）。

ボトル情報及び設置区画情報がホストコンピュータ１０２へ送信されると、基板処理装置１００は、ホストコンピュータ１０２が取得した情報と予め登録されているボトル設置情報Ｄ１０とを照合することにより、設置されたボトル７０が適切なものか否かを判定する（ステップＳ３５）。

具体的に、ステップＳ３５では、（１）交換対象となっていた空のボトル７０が新たなボトル７０に交換されているかどうか、また、（２）同じ種類の処理液のボトル７０に交換されているか、の２点について判定を行う。このうちの（１）については、基板処理装置１００は、キャビネット６０の該当する設置区画番号の位置に、交換前に設置されていたボトルのボトルＩＤとは異なるボトルＩＤが割り振られているボトル７０が設置されたか否かで判定される。また、（２）については、予め登録されていた処理液の種類と同じ処理液のボトル７０かどうかで判断される。

照合処理の結果、設置されているボトル７０が、適切であると判定された場合には（ステップＳ３５にてＹＥＳ）、基板処理装置１００は、交換後のボトル７０から、処理液を供給する準備のための処理を行う（ステップＳ３６）。詳細には、基板処理装置１００は、ボトル７０に接続されたガス供給部を駆動することで交換後のボトル７０に所定量の窒素ガスを供給して、処理液の吐出準備を行う。なお、ホストコンピュータ１０２は、ボトル設置情報Ｄ１０について、交換前のボトル７０の識別情報を交換後のボトル７０の識別情報に更新する。

一方、ステップＳ３５にて設置されたボトル７０が不適切であると判定された場合には（ステップＳ３５にてＮＯ）、基板処理装置１００は、ホストコンピュータ１０２の表示部に警告表示を行う（ステップＳ３７）。ここでの警告表示は、交換したボトル７０が誤りであることを通知する表示である。なお、このステップＳ３７の警告表示の際に、ステップＳ３１で表示した内容（交換すべきボトル７０の設置区画番号や処理液の種類）についても、交換を容易にするという観点から、表示されることが好ましい。

警告表示されると、オペレータは、この警告に従って再交換を要するボトル７０をキャビネット６０から取り外し、収容物が同じ新たなボトル７０に交換する。そして、オペレータは、ホストコンピュータ１０２に対して、警告を停止させるための所定のリセット入力を行う。ホストコンピュータは、このリセット入力があったか否かを判定することで（ステップＳ３８）、ボトル７０の交換が行われたどうかを判断する。

基板処理装置１００は、リセット入力がなかった場合には（ステップＳ３８にてＮＯ）、基板処理装置１００はステップＳ３７へ戻り、警告表示を引き続き行う。一方、リセット入力があった場合には（ステップＳ３８にてＹＥＳ）、基板処理装置１００は、ステップＳ３３へ進み、以降の各ステップを実行する。

以上が、本実施形態に係る基板処理装置１００の動作説明である。本実施形態に係る基板処理装置１００によれば、ボトル７０に関するボトル情報を、キャビネット６０の設置区画に設置された状態で取得して、ボトル設置情報Ｄ１０と照合する。これにより、ボトル７０を不適切な設置区画に設置することを抑制できる。したがって、誤った処理液が基板に供給されることを効果的に抑制できる。

＜２． 変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。

例えば、上記実施形態では、キャビネット６０の各設置区画に設置されているボトル７０のボトル情報を取得して、ホストコンピュータ１０１がボトル設置情報Ｄ１０を生成するようにしているが、例えば、オペレータが設置区画番号毎に処理液の種類情報を予め登録しておき、実際に設置されているボトル７０が正しいかどうかを判定できるようにしてもよい。この場合には、種類情報が一致したボトル７０についてはボトル設置情報Ｄ１０に識別情報を追記し、種類情報が一致しなかったボトル７０についてはオペレータに警告通知をするように基板処理装置１００を構成すればよい。

また、上記実施形態では、ボトル７０の設置場所を、インデクサブロック１０の下端部に設けられたキャビネット６０としているが、もちろんこれ以外の場所に設置するようにしてもよい。例えば、基板処理装置１００の天井部分にボトル７０を設置できるように基板処理装置１００を構成してもよい。

また、上記実施形態では、基板処理装置１００は、検出器９６により貯留部９３ａ，９３ｂの貯留量を検出することで、ボトル７０の交換時期を把握しているが、例えば、処理液の使用量をホストコンピュータ１０２が演算するようにしてもよい。具体的には、主制御部ＭＣからホストコンピュータ１０２へ送信される供給履歴情報に基づいて、各液処理ユニットで処理毎に使用される処理液量から総使用量を演算できる。したがって、各ボトル７０に元々収容されていた処理液の収容量と上記総使用量とを比較することで、ボトル７０に残存する処理液量を演算できる。

また、上記実施形態では、ステップＳ３１において、表示部に警告表示することで基板処理装置１００は警告通知を行うと説明したが、警告通知の手法は、このようなものに限られない。例えば、警告灯を本体部１０１に設置して、警告灯を点灯することで警告通知するようにしてもよい。また、各設置区画にも比較的小型の警告灯を設け、交換を要するボトル７０の設置された設置区画にて交換時に点灯させることで、交換時の誤りをより低減できる。さらに、ブザー等を設けることによりオペレータに音で警告通知することも妨げられない。

また、上記実施形態では、ＲＦＩＤシステムにより、ボトル７０のボトル情報を取得するようにしているが、赤外線ＩＤシステムやバーコード読み取りシステムにより、キャビネット６０に設置するボトル７０のボトル情報を取得するようにしてもよい。

さらに、上記実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜に組み合わせることができる。

１００ 基板処理装置
１０１ 本体部
１０２ ホストコンピュータ
１０２Ｍ 記憶部
２０ バークブロック
２７，３７ 塗布ノズル
４７ ノズル
６０ キャビネット
７０，７０ａ，７０ｂ ボトル
７０Ｂ 底面
８１ 読取部
８２ タグシール
９０，９０ａ，９０ｂ 処理液供給機構
９７ 切換部
ＢＣ ブロック制御部
ＢＲＣ 塗布処理ユニット
Ｄ１０ ボトル設置情報（テーブル情報）
ＭＣ 主制御部
ＰＳＣ 処理液供給制御部
ＲＣ 読取制御部
ＳＣ 塗布処理ユニット
ＳＤ 現像処理ユニット

Claims (7)

1. 収容容器に収容された処理液を基板に供給して、当該基板を処理する基板処理装置であって、
   複数の収容容器を設置するための複数の設置区画を有する容器設置部と、
   前記複数の設置区画のそれぞれに対して設置されるべき収容容器の内容物についての情報が、前記複数の設置区画のそれぞれに関連づけられて保存されているテーブル情報を記憶するテーブル情報記憶部と、
   前記収容容器のそれぞれに付設され、前記複数の収容容器のそれぞれの内容物についての第１情報を保持する第１情報保持部と、
   前記複数の設置区画のうち特定の設置区画に設置されている収容容器に付設された前記第１情報保持部から、前記第１情報を電磁的または光学的に読み取る第１情報読取部と、
   前記テーブル情報と前記第１情報とを照合する照合部と、
   を含み、
   前記第１情報保持部は、前記複数の収容容器の底面に貼付されるシール型のＩＤタグであり、
   前記第１情報読取部は、前記容器設置部に設置されている状態の収容容器の底面と対向する位置に設けられることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記複数の収容容器のうちのいずれかの収容容器から処理液を供給したことを示す第２情報を取得する第２情報取得部と、
   前記第２情報取得部が取得した前記第２情報を処理液の供給に関する履歴情報として記憶する第２情報記憶部と、
   を含むことを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記複数の収容容器のうちの第１収容容器と第２収容容器とのそれぞれから同一種類の処理液が供給され、当該処理液を基板に向けて吐出するノズルと、
   前記第１収容容器と前記第２収容容器との間で、前記ノズルに対する処理液の供給源を切り換える切換部と、
   を含むことを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板処理装置において、
   前記照合部による照合結果に基づいて、前記複数の収容容器に収容された処理液を基板に向けて供給する処理液供給機構、
   を含むことを特徴とする基板処理装置。
5. 容器設置部が有する設置区画に設置された収容容器に収容されている処理液を基板に供給して、当該基板を処理する基板処理方法において、
   (a) 複数の設置区画のそれぞれに対して設置されるべき収容容器の内容物についての情報が、前記複数の設置区画のそれぞれに関連づけられて保存されているテーブル情報を取得する工程と、
   (b) 前記複数の設置区画のうち、特定の設置区画に設置されている収容容器の内容物についての第１情報を取得する工程と、
   (c) 前記(a)工程にて取得される前記テーブル情報と、前記(b)工程にて取得される前記第１情報とを照合する工程と、
   を含み、
   前記(b)工程は、前記容器設置部に設置されている前記収容容器の前記底面と対向する位置に設けられた第１情報読取部によって、前記収容容器の底面に貼付されるシール型のＩＤタグから、電磁的または光学的に前記第１情報を取得する工程であることを特徴とする基板処理方法。
6. 請求項１から４までのいずれか１項に記載の基板処理装置において、
   前記収容容器の交換が完了したか否かを判定する判定部、
   をさらに含むことを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項１から４および６のいずれか１項に記載の基板処理装置において、
   前記容器設置部が、前記収容容器に収容された処理液を用いて基板を処理する処理ブロックとは異なるブロックに配されていることを特徴とする基板処理装置。

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