JP5641161B2 - 反射防止物品、画像表示装置及び反射防止物品の製造用金型 - Google Patents

Description

本発明は、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下の間隔で多数の微小突起を密接配置して反射防止を図る反射防止物品に関するものである。

近年、フィルム形状の反射防止物品である反射防止フィルムに関して、透明基材（透明フィルム）の表面に多数の微小突起を密接して配置することにより、反射防止を図る方法が提案されている（特許文献１〜３参照）。この方法は、いわゆるモスアイ（ｍｏｔｈ ｅｙｅ（蛾の目））構造の原理を利用したものであり、入射光に対する屈折率を基板の厚み方向に連続的に変化させ、これにより屈折率の不連続界面を消失させて反射防止を図るものである。

このモスアイ構造に係る反射防止物品では、隣接する微小突起の間隔ｄが、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長Λｍｉｎ以下（ｄ≦Λｍｉｎ）となるよう、微小突起が密接して配置される。また各微小突起は、透明基材に植立するように、さらに透明基材より先端側に向かうに従って徐々に断面積が小さくなるように（先細りとなるように）作製される。

かかる反射防止物品には各種用途が提案されている。例えば、各種画像表示裝置の出光面上に配置して画面における日光等の外光反射を低減して画像視認性を向上させたり、シート又は板状の透明基材上に該微小突起群を形成し、更に該微小突起群上にＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の透明導電膜を形成した電極を用いてタッチパネルを構成することにより、該タッチパネル電極とこれと隣接する各種部材との間の光反射を防止して、干渉縞、ゴースト像等の発生を低減させること等が提案されている。

また特許文献４には、この種の反射防止物品に関して、賦型処理時の樹脂の充填不良により微小突起の頂部に複数の頂点が作製される場合であっても、十分に反射防止機能を確保できることが記載されている。

ところでこの種のモスアイ構造に係る反射防止物品では、耐擦傷性に実用上未だ不十分な問題がある。すなわち反射防止物品は、例えば他の物体が接触等した場合に、反射防止機能が局所的に劣化し、また接触個所に白濁、傷等が発生して外観不良が発生する。この種の反射防止物品には、更なる光学特性の向上が求められている。

特開昭５０−７００４０号公報 特表２００３−５３１９６２号公報 特許第４６３２５８９号公報 特開２０１２−０３７６７０号公報

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、モスアイ構造に係る反射防止物品に関して、従来に比して耐擦傷性を向上し、さらには光学特性を向上することを目的とする。

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ね、頂点を複数有する微小突起（多峰性微小突起と呼ぶ）を設け、さらにこの多峰性微小突起の分布を制御する、との着想に至り、本発明を完成するに至った。なお以下において、多峰性微小突起との対比により、頂点が１つのみの微小突起を単峰性微小突起と呼ぶ。また以下において、単に微小突起と呼称する場合は単峰性微小突起及び多峰性微小突起の両方を包含するものとする。また以下において、単に微小突起と呼称する場合は単峰性微小突起及び多峰性微小突起の両方を包含するものとする。また多峰性微小突起、単峰性微小突起に係る各頂点を形成する各凸部を、適宜、峰と呼ぶ。

具体的には、本発明では、以下のようなものを提供する

（１） 微小突起が密接して配置され、隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下である反射防止物品において、
前記微小突起が、
頂点を複数有する多峰性微小突起と、頂点が１つの単峰性突起とであり、
隣接する微小突起間距離の分布において、
平均値、標準偏差及びサンプル総数がそれぞれＰ、σ、Ｎｔであり、
前記平均値から前記標準偏差だけ変位した範囲Ｐ±σ以内に属し、前記微小突起間距離に係る２つの微小突起の少なくとも１つが前記多峰性微小突起である場合のサンプル数がＮｓ１であり、
前記範囲Ｐ±σ以内に属していない、前記微小突起間距離に係る２つの微小突起の少なくとも１つが前記多峰性微小突起である場合のサンプル数がＮｓ２である場合、
比率Ｎｓ１／Ｎｔが、比率Ｎｓ２／Ｎｔより大きい。

（１）によれば、単峰性微小突起に比して機械的強度が優れた微小突起が設けられることにより、衝撃力が加わった場合、単峰性微小突起のみの場合に比して、突起が損傷しないようにすることができ、これにより反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。また仮に微小突起が損傷した場合でも、その損傷個所の面積を低減することができ、これによっても反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。またこのような多峰性微小突起の分布の設定により、白茶けを十分に低減して光学特性を向上することができる。またこのような分布に係る多峰性微小突起は、賦型処理時の樹脂の充填不良により生じる多峰性微小突起とは異なり、対応する形状を備えている賦型処理用の金型により作製されることにより、設計通りの高さの分布により均一かつ高い量産性を確保することができる。

（２） （１）において、
前記多峰性微小突起は、
前記微小突起を先端側より平面視した場合に、ほぼ中央より外方に向かって形成された溝により複数の領域に分割され、前記複数の領域の各領域が、それぞれ各頂点に係る峰である。

（２）によれば、より具体的に、分布を制御してなる賦型用金型より作製される多峰性微小突起であることにより、より十分に耐擦傷性を向上し、さらには光学特性を向上することができる。

（３） （１）又は（２）において、
前記多峰性微小突起は、前記微小突起を先端側より平面視した場合の周囲長が、単峰性の微小突起に比して長く形成されている。

（３）によれば、より具体的に、対応する形状による賦型用金型より作製される多峰性微小突起であることにより、より十分に耐擦傷性を向上することができ、さらには光学特性を向上することができる。

（４） 画像表示装置において、画像表示パネルの出光面上に（１）、（２）、又は（３）に記載の反射防止物品を配置する。

（４）によれば、耐擦傷性を向上した反射防止物品による画像表示装置を提供することができる。

（５） 反射防止物品の製造に供する反射防止物品の製造用金型であって、
前記反射防止物品は、
微小突起が密接して配置され、
隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下であり、
前記微小突起の少なくとも一部が、頂点を複数有する多峰性微小突起であり、
隣接する微小突起間距離の分布において、
平均値、標準偏差及びサンプル総数がそれぞれＰ、σ、Ｎｔであり、
前記平均値から前記標準偏差だけ変位した範囲Ｐ±σ以内に属し、前記微小突起間距離に係る２つの微小突起の少なくとも１つが前記多峰性微小突起である場合のサンプル数がＮｓ１であり、
前記範囲Ｐ±σ以内に属していない、前記微小突起間距離に係る２つの微小突起の少なくとも１つが前記多峰性微小突起である場合のサンプル数がＮｓ２である場合、
比率Ｎｓ１／Ｎｔが、比率Ｎｓ２／Ｎｔより大きく、
前記反射防止物品の製造用金型は、
前記微小突起に対応する微細穴が密接して作製された。

（５）によれば、単峰性微小突起に比して機械的強度が優れた微小突起が設けられることにより、衝撃力が加わった場合、単峰性微小突起のみの場合に比して、突起が損傷しないようにすることができ、これにより反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。また仮に微小突起が損傷した場合でも、その損傷個所の面積を低減することができ、これによっても反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。またこのような多峰性微小突起の比率の設定により、白茶けを十分に低減して光学特性を向上することができる。またこのような分布に係る多峰性微小突起は、賦型処理時の樹脂の充填不良により生じる多峰性微小突起とは異なり、対応する形状を備えている賦型処理用の金型により作製されることにより、設計通りの高さの分布により均一かつ高い量産性を確保することができる。

モスアイ構造に係る反射防止物品に関して、従来に比して耐擦傷性を向上し、さらに光学特性を向上することができる。

本発明の第１実施形態に係る反射防止物品を示す概念斜視図である。 隣接突起の説明に供する図である。 極大点の説明に供する図である。 ドロネー図を示す図である。 隣接突起間距離の計測の説明に供する度数分布図である。 微小高さの説明に供する度数分布図である。 微小突起の谷底の包絡面が凹凸面（うねり）を呈する形態を示す概念断面図である。 図１の反射防止物品の製造工程を示す図である。 図１の反射防止物品に係るロール版を示す図である。 図９のロール版の作製工程を示す図である。 陽極酸化処理及びエッチング処理の詳細の説明に供する図である。 深さの異なる微細穴の作成に供する図である。 微小突起の説明に供する図である。 多峰性の微小突起の写真である。 本発明の実施例に係る反射防止物品の微小突起の高さＨの度数分布を示す図である。 図１５とは異なる例による高さ分布を示す図である。 図１５の例に係る隣接微小突起間距離の分布を示す図である。 図１６の例に係る隣接微小突起間距離の分布を示す図である。 本発明に係る微小突起の形状を示す斜視図である。 図１９の平面図、正面図、側面図である。 図１９とは異なる本発明に係る微小突起の形状を示す斜視図である。 図２１の平面図、正面図、側面図である。 図１９及び図２１とは異なる微小突起の形状を示す斜視図である。 図２３の平面図、正面図、側面図である。

〔第１実施形態の概要〕
図１は、本発明の第１実施形態に係る反射防止物品を示す図（概念斜視図）である。この反射防止物品１は、全体形状がフィルム形状により形成された反射防止フィルムである。この実施形態に係る画像表示装置では、この反射防止物品１が画像表示パネルの表側面に貼り付けられて保持され、この反射防止物品１により日光、電燈光等の外来光の画面における反射を低減して視認性を向上する。なお反射防止物品は、その形状を平坦なフィルム形状とする場合に限らず、平坦なシート形状、平板形状（相対的に厚みの薄い順に、フィルム、シート、板と呼称する）とすることもでき、また平坦な形状に代えて、湾曲形状、立体形状を呈したフィルム形状、シート形状、板形状とすることもでき、さらには各種レンズ、各種プリズム等の立体形状のものを用途に応じて適宜採用することができる。

ここで反射防止物品１は、透明フィルムの形状（形態）の基材２の表面に多数の微小突起５、５Ａ、５Ｂを密接配置して作製される。尚、密接配置された複数の微小突起を総称して微小突起群とも呼称する。ここで基材２は、例えばＴＡＣ（Triacetylcellulose）、等のセルロース(纖維素)系樹脂、ＰＭＭＡ(ポリメチルメタクリレート)等のアクリル系樹脂、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）等のポリエステル系樹脂、ＰＰ（ポリプロピレン）等のポリオレフィン系樹脂、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）等のビニル系樹脂、ＰＣ（Polycarbonate）等の各種透明樹脂フィルムを適用することができる。なお上述したように反射防止物品の形状はフィルム形状に限らず、種々の形状を採用可能である。基材２は、このような反射防止物品の形状に応じて、これらの材料の他に、例えばソーダ硝子、カリ硝子、鉛ガラス等の硝子、ＰＬＺＴ等のセラミックス、石英、螢石等の各種透明無機材料等を適用することができる。

反射防止物品１は、基材２上に、微小突起群からなる微細な凹凸形状の受容層となる未硬化状態の樹脂層（以下、適宜、受容層と呼ぶ）４を形成し、該受容層４を賦型処理して硬化せしめ、これにより基材２の表面に微小突起が密接して配置される。この実施形態では、この受容層４に、賦型処理に供する賦型用樹脂の１つであるアクリレート系紫外線硬化性樹脂が適用され、基材２上に紫外線硬化性樹脂層４が形成される。反射防止物品１は、この微小突起による凹凸形状により厚み方向に徐々に屈折率が変化するように作製され、モスアイ構造の原理により広い波長範囲で入射光の反射を低減する。

［隣接突起間距離］
なおこれにより反射防止物品１に作製される微小突起は、隣接する微小突起の間隔ｄが、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長Λｍｉｎ以下（ｄ≦Λｍｉｎ）となるよう密接して配置される。この実施形態では、画像表示パネルに配置して視認性を向上させることを主目的とするため、この最短波長は、個人差、視聴条件を加味した可視光領域の最短波長（３８０ｎｍ）に設定され、間隔ｄは、ばらつきを考慮して１００〜３００ｎｍとされる。またこの間隔ｄに係る隣接する微小突起は、いわゆる隣り合う微小突起であり、基材２側の付け根部分である微小突起の裾の部分が接している突起である。反射防止物品１では微小突起が密接して配置されることにより、微小突起間の谷の部位を順次辿るようにして線分を作製すると、平面視において各微小突起を囲む多角形状領域を多数連結してなる網目状の模様が作製されることになる。間隔ｄに係る隣接する微小突起は、この網目状の模様を構成する一部の線分を共有する突起である。なお「隣り合う」或いは「隣接」の、より正確な定義は以下に基づく。

なお微小突起に関しては、より詳細には以下のように定義される。モスアイ構造による反射防止では、透明基材表面とこれに隣接する媒質との界面における有効屈折率を、厚み方向に連続的に変化させて反射防止を図るものであることから、微小突起に関しては一定の条件を満足することが必要である。この条件のうちの１つである突起の間隔に関して、例えば特開昭５０−７００４０号公報、特許第４６３２５８９号公報等に開示のように、微小突起が一定周期で規則正しく配置されている場合、隣接する微小突起の間隔ｄは、突起配列の周期Ｐ（ｄ＝Ｐ）となる。これにより可視光線帯域の最長波長をλｍａｘ、最短波長をλｍｉｎとした場合に、最低限、可視光線帯域の最長波長において反射防止効果を奏し得る必要最小限の条件は、Λｍｉｎ＝λｍａｘであるため、Ｐ≦λｍａｘとなり、可視光線帯域の全波長に対して反射防止効果を奏し得る必要十分の条件は、Λｍｉｎ＝λｍｉｎであるため、Ｐ≦λｍｉｎとなる。

なお波長λｍａｘ、λｍｉｎは、観察条件、光の強度（輝度）、個人差等にも依存して多少幅を持ち得るが、標準的には、λｍａｘ＝７８０ｎｍ及びλｍｉｎ＝３８０ｎｍとされる。これらにより可視光線帯域の全波長に対する反射防止効果をより確実に奏し得る好ましい条件は、ｄ≦３００ｎｍであり、より好ましい条件は、ｄ≦２００ｎｍとなる。なお反射防止効果の発現及び反射率の等方性（低角度依存性）の確保等の理由から、周期ｄの下限値は、通常、ｄ≧５０ｎｍ、好ましくは、ｄ≧１００ｎｍとされる。これに対して突起の高さＨは、十分な反射防止効果を発現させる観点より、Ｈ≧０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍ（λｍａｘ＝７８０ｎｍとして）とされる。

しかしながらこの実施形態のように、微小突起が不規則に配置されている場合には、隣接する微小突起間の間隔ｄはばらつきを有することになる。より具体的には、図２に示すように、基材の表面又は裏面の法線方向から見て平面視した場合に、微小突起が一定周期で規則正しく配列されていない場合、突起の繰り返し周期Ｐによっては隣接突起間の間隔ｄは規定し得ず、また隣接突起の概念すら疑念が生じることになる。そこでこのような場合、以下のように算定される。

（１）すなわち先ず、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope（以下、AFMと呼ぶ））又は走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope（以下、SEMと呼ぶ））を用いて突起の面内配列（突起配列の平面視形状）を検出する。なお図２は、実際に原子間力顕微鏡により求められた拡大写真である。ＡＦＭのデータには微小突起群の高さの面内分布データを付随するため、この写真は輝度により高さの面内分布を示す写真であると言える。尚、図２から図６の図（写真及び度数分布グラフ）は本発明の微小突起群とは異なる形態の微小突起群に対して計測及び算出されたものではあるが、ここでは、微小突起の突起間距離及び高さを算出する原理及び手法を説明する為に援用するものである。本発明の微小突起群については、図１４から図２４を参照して後述する。

（２）続いてこの求められた面内配列から各突起の高さの極大点（以下、単に極大点と呼ぶ）を検出する。極大点とは、高さが、其の近傍周辺の何れの点と比べても大（極大値）となる点を意味する。なお極大点を求める方法としては、平面視形状と対応する断面形状の拡大写真とを逐次対比して極大点を求める方法、平面視拡大写真の画像処理によって極大点を求める方法等、種々の手法を適用することができる。図３は、図２に示した拡大写真に係る画像データの処理による極大点の検出結果を示す図であり、この図において黒点により示す個所がそれぞれ各突起の極大点である。なおこの処理では４．５×４．５画素のガウシアン特性によるローパスフィルタにより事前に画像データを処理し、これによりノイズによる極大点の誤検出を防止した。また８画素×８画素による最大値検出用のフィルタを順次スキャンすることにより１ｎｍ（＝１画素）単位で極大点を求めた。

（３）次に検出した極大点を母点とするドロネー図（Ｄｅｌａｕｎａｒｙ Ｄｉａｇｒａｍ）を作製する。ここでドロネー図とは、各極大点を母点としてボロノイ分割を行った場合に、ボロノイ領域が隣接する母点同士を隣接母点と定義し、各隣接母点同士を線分で結んで得られる３角形の集合体からなる網状図形である。各３角形は、ドロネー３角形と呼ばれ、各３角形の辺（隣接母点同士を結ぶ線分）は、ドロネー線と呼ばれる。図４は、図３から求められるドロネー図（白色の線分により表される図である）を図３による原画像と重ね合わせた図である。ドロネー図は、ボロノイ図（Ｖｏｒｏｎｏｉ ｄｉａｇｒａｍ）と双対の関係に有る。またボロノイ分割とは、各隣接母点間を結ぶ線分（ドロネー線）の垂直２等分線同士によって画成される閉多角形の集合体からなる網状図形で平面を分割することを言う。ボロノイ分割により得られる網状図形がボロノイ図であり、各閉領域がボロノイ領域である。

（４）次に、各ドロネー線の線分長の度数分布、すなわち隣接する極大点間の距離（以下、隣接突起間距離と呼ぶ）の度数分布を求める。図５は、図４のドロネー図から作製した度数分布のヒストグラムである。なお図２、図１３に示すように、突起の頂部に溝状等の凹部が存在したり、あるいは頂部が複数の峰に分裂している場合は、求めた度数分布から、このような突起の頂部に凹部が存在する微細構造、頂部が複数の峰に分裂している微細構造に起因するデータを除去し、突起本体自体のデータのみを選別して度数分布を作製する。

具体的には、突起の頂部に凹部が存在する微細構造、頂部が複数の峰に分裂している多峰性微小突起に係る微細構造においては、このような微細構造を備えてい無い単峰性微小突起の場合の数値範囲から、隣接極大点間距離が明らかに大きく異なることになる。これによりこの特徴を利用して対応するデータを除去することにより突起本体自体のデータのみを選別して度数分布を検出する。より具体的には、例えば図２に示すような微小突起（群）の平面視の拡大写真から、５〜２０個程度の互いに隣接する単峰性微小突起を選んで、その隣接極大点間距離の値を標本抽出し、この標本抽出して求められる数値範囲から明らかに小さい方向に外れる値（通常、標本抽出して求められる隣接極大点間距離平均値に対して、値が１／２以下のデータ）を除外して度数分布を検出する。図５の例では、隣接極大点間距離が５６ｎｍ以下のデータ（矢印Ａにより示す左端の小山）を除外する。なお図５は、このような除外する処理を行う前の度数分布を示すものである。因みに上述の極大点検用のフィルタの設定により、このような除外する処理を実行してもよい。

（５）このようにして求めた隣接突起間距離ｄの度数分布から平均値ｄ_ＡＶＧ及び標準偏差σを求める。ここでこのようにして得られる度数分布を正規分布とみなして平均値ｄ_ＡＶＧ及び標準偏差σを求めると、図５の例では、平均値ｄ_ＡＶＧ＝１５８ｎｍ、標準偏差σ＝３８ｎｍとなった。これにより隣接突起間距離ｄの最大値を、ｄｍａｘ＝ｄ_ＡＶＧ＋２σとし、この例ではｄｍａｘ＝２３４ｎｍとなる。

なお同様の手法を適用して突起の高さを定義する。この場合、上述の（２）により求められる極大点から、特定の基準位置からの各極大点位置の相対的な高さの差を取得してヒストグラム化する。図６は、このようにして求められる突起付け根位置を基準（高さ０）とした突起高さＨの度数分布のヒストグラムを示す図である。このヒストグラムによる度数分布から突起高さの平均値Ｈ_ＡＶＧ、標準偏差σを求める。ここでこの図６の例では、平均値Ｈ_ＡＶＧ＝１７８ｎｍ、標準偏差σ＝３０ｎｍである。これによりこの例では、突起の高さは、平均値Ｈ_ＡＶＧ＝１７８ｎｍとなる。なお図６に示す突起高さＨのヒストグラムにおいて、多峰性微小突起の場合は、頂点を複数有していることにより、１つの突起に対してこれら複数のデータが混在することになる。そこでこの場合は麓部が同一の微小突起に属するそれぞれ複数の頂点の中から高さの最も高い頂点を、当該微小突起の突起高さとして採用して度数分布を求める。

なお上述した突起の高さを測る際の基準位置は、隣接する微小突起の間の谷底（高さの極小点）を高さ０の基準とする。但し、係る谷底の高さ自体が場所によって異なる場合（例えば、図７に示すように、谷底の高さが微小突起の隣接突起間距離に比べて大きな周期でウネリを有する場合等）は、（１）先ず、基材２の表面又は裏面から測った各谷底の高さの平均値を、該平均値が收束するに足る面積の中で算出する。（２）次いで、該平均値の高さを持ち、基材２の表面又は裏面と平行な面を基準面として考える。（３）その後、該基準面を改めて高さ０として、該基準面からの各微小突起の高さを算出する。

突起が不規則に配置されている場合には、このようにして求められる隣接突起間距離の最大値ｄｍａｘ＝ｄ_ＡＶＧ＋２σ、突起の高さの平均値Ｈ_ＡＶＧが、規則正しく配置されている場合の上述の条件を満足することが必要であることが判った。具体的には、反射防止効果を発現する微小突起間距離の条件は、ｄｍａｘ≦Λｍｉｎとなる。最低限、可視光線帯域の最長波長において反射防止効果を奏し得る必要最短限の条件は、Λｍｉｎ＝λｍａｘであるため、ｄｍａｘ≦λｍａｘとなり、可視光線帯域の全波長に対して反射防止効果を奏し得る必要十分の条件は、Λｍｉｎ＝λｍｉｎであるため、ｄｍａｘ≦λｍｉｎとなる。そして、可視光線帯域の全波長に対する反射防止効果をより確実に奏し得る好ましい条件は、ｄｍａｘ≦３００ｎｍであり、更に好ましい条件は、ｄｍａｘ≦２００ｎｍである。また反射防止効果の発現及び反射率の等方性（低角度依存性）の確保等の理由から、通常、ｄｍａｘ≧５０ｎｍであり、好ましくは、ｄｍａｘ≧１００ｎｍとされる。また突起高さについては、十分な反射防止効果を発現する為には、Ｈ_ＡＶＧ≧０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍ（λｍａｘ＝７８０ｎｍとして）とされる。しかしながら実用上十分な程度に反射防止機能を確保する観点からは、平均突起間距離ｄａｖｅを、ｄａｖｅ≦λｍｉｎとしても良い。

因みに、図２〜図６の例により説明するとｄｍａｘ＝２３４ｎｍ≦λｍａｘ＝７８０ｎｍとなり、ｄｍａｘ≦λｍａｘの条件を満足して十分に反射防止効果を奏し得ることが判る。また可視光線帯域の最短波長λｍｉｎが３８０ｎｍであることから、可視光線の全波長帯域において反射防止効果を発現する十分条件ｄｍａｘ≦λｍｉｎも満たすことが判る。またｄａｖｅ≦ｄｍａｘであることから、ｄａｖｅ≦λｍｉｎの条件も満足していることが判る。また平均突起高さＨ_ＡＶＧ＝１７８ｎｍであることにより、平均突起高さＨ_ＡＶＧ≧０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍとなり（可視光波長帯域の最長波長λｍax＝７８０ｎｍとして）、十分な反射防止効果を実現するための突起の高さに関する条件も満足していることが判る。なお標準偏差σ＝３０ｎｍであることから、Ｈ_ＡＶＧ−σ＝１４８ｎｍ＜０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍとの関係式が成立することから、統計学上、全突起の５０％以上、８４％以下が、突起の高さに係る条件（１７８ｎｍ以上）の条件を満足していることが判る。なおＡＦＭ及びＳＥＭによる観察結果、並びに微小突起の高さ分布の解析結果から、多峰性微小突起は相対的に高さの低い微小突起よりも高さの高い微小突起でより多く生じる傾向にあることが判明した。

［製造工程］
図８は、この反射防止物品１の製造工程を示す図である。この製造工程１０は、樹脂供給工程において、ダイ１２により帯状フィルム形態の基材２に微小突起形状の受容層を構成する未硬化で液状の紫外線硬化性樹脂を塗布する。なお紫外線硬化性樹脂の塗布については、ダイ１２による場合に限らず、各種の手法を適用することができる。続いてこの製造工程１０は、押圧ローラ１４により、反射防止物品の賦型用金型であるロール版１３の周側面に基材２を加圧押圧し、これにより基材２に未硬化状態で液状のアクリレート系紫外線硬化性樹脂を密着させると共に、ロール版１３の周側面に作製された微細な凹凸形状の凹部に紫外線硬化性樹脂を充分に充填する。この製造工程は、この状態で、紫外線の照射により紫外線硬化性樹脂を硬化させ、これにより基材２の表面に微小突起群を作製する。この製造工程は、続いて剥離ローラ１５を介してロール版１３から、硬化した紫外線硬化性樹脂と一体に基材２を剥離する。製造工程１０は、必要に応じてこの基材２に粘着層等を作製した後、所望の大きさに切断して反射防止物品１を作製する。これにより反射防止物品１は、ロール材による長尺の基材２に、賦型用金型であるロール版１３の周側面に作製された微細形状を順次賦型して、効率良く大量生産される。

図９は、ロール版１３の構成を示す斜視図である。ロール版１３は、円筒形状の金属材料である母材の周側面に、陽極酸化処理、エッチング処理の繰り返しにより、微細な凹凸形状が作製され、この微細な凹凸形状が上述したように基材２に賦型される。このため母材は、少なくとも周側面に純度の高いアルミニウム層が設けられた円柱形状又は円筒形状の部材が適用される。より具体的に、この実施形態では、母材に中空のステンレスパイプが適用され、直接に又は各種の中間層を介して、純度の高いアルミニウム層が設けられる。なおステンレスパイプに代えて、銅やアルミニウム等のパイプ材等を適用してもよい。ロール版１３は、陽極酸化処理とエッチング処理との繰り返しにより、母材の周側面に微細穴が密に作製され、この微細穴を掘り進めると共に、開口部に近付くに従ってより大きな径となるようにこの微細穴の穴径を徐々に拡大して凹凸形状が作製される。これによりロール版１３は、深さ方向に徐々に穴径が小さくなる微細穴が密に作製され、反射防止物品１には、この微細穴に対応して、頂部に近付くに従って徐々に径が小さくなる多数の微小突起からなる微小突起群により微細な凹凸形状が作製される。その際に、アルミニウム層の純度(不純物量)や浴濃度、結晶粒径、陽極酸化処理及び／又はエッチング処理等の諸条件を適宜調整することによって、本発明特有の微小突起形状とする。

〔陽極酸化処理、エッチング処理〕
図１０は、ロール版１３の製造工程を示す図である。この製造工程は、電解溶出作用と、砥粒による擦過作用の複合による電解複合研磨法によって母材の周側面を超鏡面化する（電解研磨）。続いてこの工程は、アルミニウム層形成工程において、母材の周側面にアルミニウムをスパッタリングし、純度の高いアルミニウム層を作製する。続いてこの工程は、陽極酸化工程Ａ１、…、ＡＮ、エッチング工程Ｅ１、…、ＥＮを交互に繰り返して母材を処理し、ロール版１３を作製する。

この製造工程において、陽極酸化工程Ａ１、…、ＡＮでは、陽極酸化法により母材の周側面に微細な穴を作製し、さらにこの作製した微細な穴を掘り進める。ここで陽極酸化工程では、例えば負極に炭素棒、ステンレス板材等を使用する場合のように、アルミニウムの陽極酸化に適用される各種の手法を広く適用することができる。また溶解液についても、中性、酸性の各種溶解液を使用することができ、より具体的には、例えば硫酸水溶液、シュウ（蓚）酸水溶液、リン酸水溶液等を使用することができる。この製造工程Ａ１、…、ＡＮは、液温、印加する電圧、陽極酸化に供する時間等の管理により、微細な穴をそれぞれ目的とする深さ及び微小突起形状に対応する形状に作製する。

続くエッチング工程Ｅ１、…、ＥＮは、金型をエッチング液に浸漬し、陽極酸化工程Ａ１、…、ＡＮにより作製、掘り進めた微細な穴の穴径をエッチングにより拡大し、深さ方向に向かって滑らか、かつ徐々に穴径が小さくなるように、これら微細な穴を整形する。なおエッチング液については、この種の処理に適用される各種エッチング液を広く適用することができ、より具体的には、例えば硫酸水溶液、シュウ酸水溶液、リン酸水溶液等を使用することができる。なお陽極酸化処理に用いる溶解液と同じ液を、電圧印加無しで用いることにより、溶解液をエッチング液としても兼用してもよい。これらによりこの製造工程では、陽極酸化処理とエッチング処理とを交互にそれぞれ複数回実行することにより、賦型に供する微細穴を母材の周側面に作製する。

図１１は、図１０に係る陽極酸化処理、エッチング処理をより詳細な説明に供する図である。陽極酸化処理により微細穴を作製する場合、陽極酸化時の印加電圧と微細穴のピッチとは、比例する関係にある。これにより陽極酸化処理、エッチング処理との繰り返しにおいて、陽極酸化処理の印加電圧を可変すれば、種々のピッチによる微細穴を混在させてその比率を制御することができ、これにより微小突起のピッチの分布を制御することができる。

またこのように陽極酸化処理における印加電圧を可変する場合にあっては、太さの大きな微細穴の底面に、複数の微細穴を作製して多峰性微小突起に係る微細穴とすることができ、この太さ（径）の太い微細穴の高さの制御、底面に作製する微細穴の深さの制御等により、多峰性微小突起についても、ピッチ、高さの分布等を制御することができる。これらによりこの実施形態では、多峰性微小突起に係る突起間距離の分布等を制御する。

なお陽極酸化処理の印加電圧と作製される微細穴のピッチとの関係は比例関係であると言うものの、実際上、処理に供するアルミニウムの粒界等により微細穴のピッチは種々にばらつく。しながらこの図１１においては、このようなばらつきが無いものとして、また微細穴が規則正しい配列により作製されるものとして説明する。なお図１１（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ各工程により作製される微細穴を平面視した図、及びａ−ａ線により切り取って示す対応する断面図である。

ここで始めにこの実施形態では、低い印加電圧Ｖ１により第１の陽極酸化処理を実行した後、エッチング処理を実行し、これにより図１１（ａ）に示すように、この低い印加電圧Ｖ１に係る基本ピッチによる微細穴ｆ１を作製する（以下、適宜、第１工程と呼ぶ）。ここでこの第１の陽極酸化処理は、アルミニウムのフラット面に、後続する陽極酸化のきっかけを作製するものである。なおこの場合、必要に応じてこの第１工程のエッチング処理を省略してもよい。

続いてこの実施形態では、第１の陽極酸化時より高い印加電圧Ｖ２（Ｖ２＞Ｖ１）により第２の陽極酸化処理を実行した後、エッチング処理を実行する（以下、適宜、第２工程と呼ぶ）。ここでこの場合、図１１（ｂ）に示すように、印加電圧を上昇させたことにより、第１の陽極酸化処理により作製された微細穴ｆ１のうち、この第２の陽極酸化処理に係る印加電圧に対応する微細穴のみ深さ方向に掘り進められ（符号ｆ２により示す）、エッチング処理されることになる。これによりこの第２の工程により、例えば２段階により印加電圧を可変すれば、深さの異なる分布を呈する微細穴を混在させることができる。

続いてこの実施形態では、第２の陽極酸化時より高い印加電圧Ｖ３（Ｖ３＞Ｖ２）により第３の陽極酸化処理を実行した後、エッチング処理を実行する（図１１（ｃ））（以下、適宜、第３工程と呼ぶ）。ここでこの第３工程は、ピッチの異なる微細穴を作製するための工程である。このためこの工程では、第２の陽極酸化工程における印加電圧Ｖ２から徐々に印加電圧を上昇させる。ここでこの印加電圧の上昇を離散的に（段階的に）実行すると、微小突起の高さ分布を離散的に設定することができ、深さの分布が異なる微細穴を混在させることができる。またこの印加電圧の上昇を連続的に変化させると、深さ分布を正規分布に設定することができる。

さらにこの第３の工程において、陽極酸化に係る特定電圧の印加時間、エッチング処理の時間が、第１、第２工程よりも長く設定され、これにより符号ｆ３により示すように、第１工程、第２工程で作製された微細穴ｆ１、ｆ２を飲み込むように、これら微細穴ｆ１、ｆ２と合体して底部の略平坦な微細穴が作製される。

続いてこの実施形態では、第３の陽極酸化時より高い印加電圧Ｖ４（Ｖ４＞Ｖ３）により第４の陽極酸化処理を実行した後、エッチング処理を実行する（図１１（ｄ））（以下、適宜、第４工程と呼ぶ）。ここでこの第４工程は、目的とする突起間間隔によるピッチにより微細穴を作製するための工程であり、これによりこの印加電圧Ｖ４はこのピッチに対応する電圧である。この第４工程において、印加電圧を徐々に上昇させることにより、第３工程により大きく掘り進められた微細穴の一部がさらに一段と掘り進められて単峰性の微小突起に対応する微細穴ｆ４が作成される。

続いてこの実施形態では、第１工程における印加電圧Ｖ１により第５の陽極酸化処理を実行した後、エッチング処理を実行する（図１１（ｅ））（以下、適宜、第５工程と呼ぶ）。ここでこの第５の工程において、第３工程により底面が平坦面とされた微細穴であって、第４の工程の陽極酸化処理の影響を受けていない微細穴について、底面に微細な穴が複数個形成され、これにより多峰突起用の微細穴ｆ５が作製される。ここでこの第５工程の印加電圧Ｖ１の大きさを調整することによって、底面に形成される微細な穴ｆ５の数を増やしたり、減らしたりすることができる。

ここでこの一連の工程では、第１及び第２の工程により作製された深さの異なる微細穴ｆ１、ｆ２を、第３の工程で掘り進めて底面の略平坦な微小突起ｆ３を作製し、第４の工程において、単峰性微小突起に係る微細穴を作製し、また第５の工程において、底面が平坦な微小突起ｆ３の底面を加工して単峰性微小突起に係る微細穴を作製していることにより、これら第１〜第４の工程に係る陽極酸化処理の印加電圧、処理時間、エッチング処理の処理時間等を制御して各工程で作製される微細穴の深さ等を制御することにより、微小突起の高さの分布、多峰性微小突起の高さの分布を制御することができる。なおこれら第１〜第５の工程は、必要に応じて省略したり、繰り返したり、工程を一体化してもよいことは言うまでも無い。

図１２は、図１１との対比により、微小突起の高さ分布の制御に係る深さの異なる微細穴が形成される過程の説明に供する図である。

（第１の工程）
ここで図１２（ａ）に示すように、第１の工程において、先ず、賦型用金型の表面のアルミニウム層に、電圧Ｖ１を印加して陽極酸化工程Ａ１を実行した後に、エッチング工程Ｅ１を実行し、微細な穴ｆ１を形成する。ここで、陽極酸化工程Ａ１は、アルミニウムのフラット面に後続する陽極酸化処理のきっかけを作製するものである。なお、この場合、エッチング工程を適宜省略してもよい。

（第２の工程）
次に、電圧Ｖ１よりも高い電圧Ｖ２（Ｖ２＞Ｖ１）を印加して陽極酸化工程Ａ２を実行した後に、エッチング工程Ｅ２を実行する。これにより、陽極酸化工程Ａ２では、図１２（ｂ）に示すように、先の陽極酸化工程Ａ１により形成された微細な穴ｆ１のうち、陽極酸化工程Ａ２に対応する間隔の微細な穴ｆ１を更に掘り下げる。

ここで印加電圧Ｖ２をＶ２＝２×Ｖ１に設定すると、陽極酸化工程Ａ２によって、先の陽極酸化工程Ａ１で形成された微細な穴ｆ１を一つ置きに掘り進める処理が行われる。従って、賦型用金型の表面には、一つ置きに広くかつ深く掘り下げられた微細な穴ｆ２が形成され、成形型の表面には、微細な穴ｆ１と微細な穴２とが混在する状態となる。

（第３の工程）
続いて、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２の間の電圧Ｖ３（Ｖ２＞Ｖ３＞Ｖ１）を印加して陽極酸化工程Ａ３を実行した後に、エッチング工程Ｅ３を実行する。この工程では、ピッチの異なる微細な穴を作製する。具体的には、印加する電圧を、電圧Ｖ３として、縦横に面内に配列した微細な穴ｆ２の間に存在する図示の如くの特定の微細な穴ｆ１を一つ置きに広く且つ深く掘り下げる。ここで印加電圧Ｖ３をＶ３＝（Ｖ１）^１／２に設定すると、陽極酸化工程Ａ３における印加電圧の印加時間、エッチング工程の処理時間を上述の第１の工程よりも長く設定することにより、図１１（ｃ）に示すように、最初の陽極酸化工程Ａ１において形成された微細な穴ｆ１のうち、４個の微細な穴ｆ２で囲まれる最小の四角形の中心に位置する微細な穴ｆ１が選択的に深く掘り下げられる。且つ同時に、第２の陽極酸化工程Ａ２形成された微細な穴ｆ２のうちで図１２（ｃ）で図示される位置関係に有る一部のものが更に掘り下げられ、微細な穴ｆ３となる。

その結果、図１２（ｃ）に示すように、微細な穴ｆ１（これが最も高さの低い微小突起に対応する穴となる）の周囲をｆ１よりも深い微細な穴ｆ２及びｆ３（それぞれ中程度及び高程度の高さの微小突起に対応する穴となる）によって周囲を包囲された穴群が面内に配列した表面構造を有する成形型が得られる。

このように複数回の陽極酸化処理における印加電圧の切り替えにより掘り進める微細穴が異なることにより、微細穴の深さを大きく異ならせることができ、これにより意図する分布により微小突起の高さを制御することができる。

〔耐擦傷性の向上〕
ところでこの陽極酸化処理及びエッチング処理の交互の繰り返しにより微細穴を作製して反射防止物品を作製したところ、上述したように耐擦傷性に改善の余地が見られた。そこで反射防止物品を詳細に観察したところ、従来のこの種の反射防止物品のように、多角錘形状や回転放物面形状のような１つの頂点のみを持つ単峰性微小突起のみからなり、各頂点の高さも一様に作製されている場合には、例えば他の物体が接触した場合に、広い範囲で微小突起の形状が一様に損なわれ、これにより反射防止機能が局所的に劣化し、また接触個所に白濁、傷等が発生して外観不良が発生することが判った。しかしながらロール版の製造条件を変更すると、このような耐擦傷性が改善されることが判った。

このような耐擦傷性が改善された反射防止物品の表面形状をＡＦＭ（Atomic Force Microscope：原子間力顕微鏡）及びＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査型電子顕微鏡）により観察したところ、多数の微小突起の中に、頂点を複数有する多峰性微小突起が存在することが判った。なおここで微細形状の観察のために、種々の方式の顕微鏡が提供されているものの、微細構造を損なわないようにして反射防止物品の表面形状を観察する場合には、ＡＦＭ及びＳＥＭが適している。

ここで多峰性微小突起は、単に頂点を複数有するだけでなく、微小突起を先端側より平面視した場合に、ほぼ中央より外方に向かって形成された溝により複数の領域に分割され、この複数の領域の各領域が、それぞれ各頂点に係る峰であるように形成される。またこの多峰性微小突起は、対応する形状を備えた微細穴の賦型処理により作製され、このような多峰性微小突起に係る微細穴は、陽極酸化処理とエッチング処理との繰り返しにおいて、上述したように極めて近接して作製された微細穴が、エッチング処理により、一体化して土台が作製される。これにより多峰性微小突起は、微小突起を先端側より平面視した場合の周囲長が、単峰性の微小突起に比して長く形成されている。この点については、後述する図１４等より見て取ることができる。なおこれら多峰性微小突起の形状は、特開２０１２−０３７６７０号公報に開示の賦型処理時の樹脂の充填不良により生じる多峰性微小突起とは異なる特徴である。

図１３は、この頂点を複数有する多峰性微小突起の説明に供する断面図（図１３ａ））、斜視図（図１３ｂ））、平面図（図１３ｃ））である。なおこの図１３は、理解を容易にするために模式的に示す図であり、図１３（ａ）は、連続する微小突起の頂点を結ぶ折れ線により断面を取って示す図である。この図１３（ｂ）及び（ｃ）において、ｘｙ方向は、基材２の面内方向であり、ｚ方向は微小突起の高さ方向である。反射防止物品１において、多くの微小突起５は、基材２より離れて頂点に向かうに従って徐々に断面積（高さ方向に直交する面（図１３おいてＸＹ平面と平行な面）で切断した場合の断面積）が小さくなって、頂点が１つにより作製される。しかしながら中には、複数の微小突起が結合したかのように、先端部分に溝ｇが形成され、頂点が２つになったもの（５Ａ）、頂点が３つになったもの（５Ｂ）、さらには頂点が４つ以上のもの（図示略）が存在した。

図１４は、この多峰性微小突起の写真であり、図１４（ａ）は、ＡＦＭによるものであり、図１４（ｂ）及び（ｃ）は、ＳＥＭによるものである。図１４（ａ）では、溝ｇ及び３つの頂点を有する微小突起、及び溝ｇ及び２つの頂点を有する微小突起を見て取ることができ、図１４（ｂ）では、溝ｇ及び４つの頂点を有する微小突起、及び溝ｇ及び２つの頂点を有する微小突起を見て取ることができ、図１４（ｃ）では、溝ｇ及び３つの頂点を有する微小突起、溝ｇ及び２つの頂点を有する微小突起を見て取ることができる。

ここで単峰性微小突起５の形状は、概略、回転放物面の様な頂部の丸い形状、或いは円錐の様な頂点の尖った形状で近似することができる。一方、多峰性微小突起５Ａ、５Ｂの形状は、概略、単峰性微小突起５の頂部近傍に溝状の凹部を切り込んで、頂部を複数の峰に分割したような形状で近似される。多峰性微小突起５Ａ、５Ｂの形状は、或いは、複数の峰を含み高さ方向（図１３ではＺ軸方向）を含む仮想的切断面で切断した場合の縦断面形状が、極大点を複数個含み各極大点近傍が上に凸の曲線になる代数曲線Ｚ＝ａ_２Ｘ^２＋ａ_４Ｘ^４＋・・＋ａ_２ｎＸ^２ｎ＋・・で近似されるような形状である。

このような頂点を複数有する多峰性微小突起は、単峰性微小突起に比して、頂点近傍の寸法に対する裾の部分の太さが相対的に太くなる（周囲長が長くなる）。これにより、多峰性微小突起は、単峰性微小突起に比して機械的強度が優れていると言える。これにより頂点を複数有する多峰性微小突起が存在する場合、反射防止物品では、単峰性微小突起のみによる場合に比して耐擦傷性が向上するものと考えられる。さらに、具体的に反射防止物品に外力が加わった場合、単峰性微小突起のみの場合に比して、外力をより多くの頂点で分散して受ける為、各頂点に加わる外力を低減し、微小突起が損傷し難いようにすることができ、これにより反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。また仮に微小突起が損傷した場合でも、その損傷個所の面積を低減することができる。更に、多峰性微小突起は、外力を先ず各峰部分が受止めて犠牲的に損傷することによって、該多峰性微小突起の峰より低い本体部分、及び該多峰性微小突起よりも高さの低い微小突起の損耗を防ぐ。これによっても反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。

なお上述した図５について上述した測定結果では、隣接突起間距離ｄ（横軸の値）について、２０ｎｍ及び４０ｎｍの短距離の極大値と１２０ｎｍ及び１６４ｎｍの長距離の極大値との２種類の極大値が存在する。これらの極大値のうちの長距離の極大値は、微小突起本体（頂部よりも下の中腹から麓にかけての部分）の配列に対応し、一方、短距離の極大値は頂部近傍に存在する複数の頂点（峰）に対応する。これにより極大点間距離の度数分布によっても、多峰性微小突起の存在を見て取ることができる。

なお多峰性微小突起は、その存在により耐擦傷性を向上できるものの、充分に存在しない場合には、この耐擦傷性を向上する効果を十分に発揮できないことは言うまでもない。係る観点より、表面に存在する全微小突起中における多峰性微小突起の個数の比率は１０％以上とすることが好ましく、特に多峰性微小突起による耐擦傷性を向上する効果を十分に奏する為には、該多峰性微小突起の比率は３０％以上、好ましくは５０％以上とする。又、多峰性微小突起の比率を増やすに伴い製造工程の管理の難度が増す為、当該比率は好ましくは９０％以下、より好ましくは８０％以下とする。

さらにこのような多峰性微小突起５Ａ、５Ｂを含む微小突起群（５、５Ａ、５Ｂ、・・）を有する反射防止物品は、その高さを制御して分布を設けることができ、さらには高さをばらつかせることができる（図６、図１３（ａ）参照）。なおここで各微小突起の高さとは、上述したように、麓（付け根）部を共有するある特定の微小突起について、その頂部に存在する最高高さを有する峰（最高峰）の高さを言う。図１３（ａ）の微小突起５の如くの単峰性微小突起の場合は、頂部における唯一の峰（極大点）の高さが該微小突起の突起高さとなる。また図１３（ａ）の微小突起５Ａ、５Ｂのような多峰性微小突起の場合は、頂部に在る麓部を共有する複数の峰のうちの最高峰の高さをもって該微小突起の高さとする。また麓部を共有する全峰が同一高さの場合は、其の同一の高さを以って該微小突起の高さとする。このように微小突起の高さが種々に異なる場合には、例えば物体の接触により高さの高い微小突起の形状が損なわれた場合でも、高さの低い微小突起においては、形状が維持されることになる。これによっても反射防止物品では、反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらには外観不良の発生を低減することができ、その結果、耐擦傷性を向上することができる。

また反射防止物品表面の微小突起群と物体との間に塵埃が付着すると、当該物品が反射防止物品に対して相対的に摺動した際に、該塵埃が研磨剤として機能して微小突起（群）の磨耗、損傷が促進されることになる。この場合に、微小突起群を構成する各微小突起間に高低差が有ると、塵埃は高さの高い微小突起に強く接触し、これを損傷させる。一方で低高さの微小突起との接触は弱まり、高さの低い微小突起については損傷が軽減され、無傷ないしは軽微な傷で残存した高さの低い微小突起によって反射防止性能が維持される。

またこれに加えて、各微小突起の高さに分布（高低差）の有る微小突起群は、反射防止性能が広帯域化され、白色光のような多波長の混在する光、あるいは広帯域スペクトルを持つ光に対して、全スペクトル帯域で低反射率を実現するのに有利である。これは、かかる微小突起群によって良好な反射防止性能を発現し得る波長帯域が、隣接突起間距離ｄの他に、突起高さにも依存する為である。

またこの場合には、多数の微小突起のうちの高さの高い微小突起のみが、例えば反射防止物品１と対向するように配置された各種の部材表面と接触することになる。これにより高さが同一の微小突起のみによる場合に比して格段的に滑りを良くすることができ、製造工程等における反射防止物品の取り扱いを容易とすることができる。なおこのように滑りを良くする観点から、ばらつきは、標準偏差により規定した場合に、１０ｎｍ以上必要であるものの、５０ｎｍより大きくなると、このばらつきによる表面のざらつき感が感じられるようになる。従ってこの高さのばらつきは、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であることが好ましい。

またこのように多峰性微小突起が混在する場合には、単峰性微小突起のみによる場合に比して反射防止の性能を向上することができる。すなわち図２、図１１、及び図１３等に示すような多峰性微小突起５Ａ、５Ｂ等は、隣接突起間距離が同じ場合であっても、また突起高さが同じ場合であっても、単峰性微小突起と比べて、より光の反射率が低減することになる。その理由は、多峰性微小突起５Ａ、５Ｂ等は、頂部より下（中腹及び麓）の形状が同じ単峰性微小突起よりも、頂部近傍における有効屈折率の高さ方向の変化率が小さくなる為である。

すなわち図１１において、ｚ＝０を高さＨ＝０とおき、高さ方向（Ｚ軸方向）に直交する仮想的切断面Ｚ＝ｚで微小突起５、５Ａ等を切断したと仮定した場合の面Ｚ＝ｚにおける微小突起と周辺の媒質（通常は空気）との屈折率の平均値として得られる有効屈折率ｎ_ｅｆは、切断面Ｚ＝ｚにおける周辺媒質（ここでは空気とする）の屈折率をｎ_Ａ＝１、微小突起５、５Ａ、・・の構成材料の屈折率をｎ_Ｍ＞１とし、又周辺媒質（空気）の断面積の合計値をＳ_Ａ（ｚ）、微小突起５、５Ａ、・・の断面積の合計値をＳ_Ｍ（ｚ）としたとき、
ｎ_ｅｆ（ｚ）＝１×Ｓ_Ａ(z)／(Ｓ_Ａ(z)＋Ｓ_Ｍ(z))＋ｎ_Ａ×Ｓ_Ｍ(z)／(Ｓ_Ａ(z)＋Ｓ_Ｍ(z))（式１）
で表される。これは、周辺媒質の屈折率ｎ_Ａ及び微小突起構成材料の屈折率ｎ_Ｍを、各々周辺媒質の合計断面積Ｓ_Ａ（ｚ）及び微小突起の合計断面積の合計値Ｓ_Ｍ（ｚ）の比で比例配分した値となる。

ここで、単峰性微小突起５を基準にして考えたときに、多峰性微小突起５Ａ、５Ｂ、・・は、頂部近傍が複数の峰に分裂している。そのため、頂部近傍を切断する仮想的切断面Ｚ＝ｚにおいて、多峰性微小突起５Ａ、５Ｂ、・・は、単峰性微小突起５、・・に比べて相対的に低屈折率である周辺媒質の合計断面積Ｓ_Ａ（ｚ）の比率が、相対的に高屈折率である微小突起の合計断面積Ｓ_Ｍ（ｚ）の比率に比べて、より増大することになる。

その結果、仮想的切断面Ｚ＝ｚにおける有効屈折率ｎ_ｅｆ（ｚ）は、多峰性微小突起５Ａ、５Ｂ、・・の方が単峰性微小突起５、・・に比べて、より周辺媒質の屈折率ｎ_Ａに近くなる。面Ｚ＝ｚにおける多峰性微小突起の有効屈折率と周辺媒質の屈折率との差を｜ｎ_ｅｆ（ｚ）−ｎ_Ａ（ｚ）｜_{ｍｕｌｔｉ}、単峰性微小突起の有効屈折率と周辺媒質の屈折率との差を｜ｎ_ｅｆ（ｚ）−ｎ_Ａ（ｚ）｜_ｍｏｎｏとすると、
｜ｎ_ｅｆ（ｚ）−ｎ_Ａ（ｚ）｜_{ｍｕｌｔｉ}＜｜ｎ_ｅｆ（ｚ）−ｎ_Ａ（ｚ）｜_ｍｏｎｏ（式２）
となる。ここでｎ_Ａ（ｚ）＝１とすると、
｜ｎ_ｅｆ（ｚ）−１｜_{ｍｕｌｔｉ}＜｜ｎ_ｅｆ（ｚ）−１｜_ｍｏｎｏ（式２Ａ）
となる。

これにより頂部近傍において、多峰性微小突起を含む微小突起群（各微小突起間に周辺媒質を含む）については、単峰性微小突起のみからなる突起群に比べて、その有効屈折率と周辺媒質（空気）の屈折率との差、より詳細に言えば、微小突起の高さ方向の単位距離当たりの屈折率の変化率をより低減化すること、換言すれば、屈折率の高さ方向変化の連続性をより高めること）が可能になることが判る。

一般に、隣接する屈折率ｎ_０の媒質と屈折率ｎ_１の媒質との界面に光が入射する場合に、該界面における光の反射率Ｒは、入射角＝０として、
Ｒ＝（ｎ_１−ｎ_０）^２／（ｎ_１＋ｎ_０）^２（式３）
となる。この式より界面両側の媒質の屈折率差ｎ_１−ｎ_０が小さいほど界面での光の反射率Ｒは減少し、（ｎ_１−ｎ_０）が値０に近づけばＲも値０に近づくことになる。

（式２）、（式２Ａ）及び（式３）より、多峰性微小突起５Ａ、５Ｂ、・・を含む微小突起群（各微小突起間に周辺媒質を含む）については、単峰性微小突起５、・・のみからなる突起群に比べて光の反射率が低減する。

なお単峰性微小突起５のみからなる微小突起群を用いても、隣接突起間距離の最大値ｄｍａｘを反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長λｍｉｎ以下の十分小さな値にすることによって、十分な反射防止効果を発現することは可能である。但し、その場合、隣接峰間の距離と隣接微小突起間距離とが同一となる為、隣接微小突起間が接触、一体複合化する現象（いわゆるスティッキング）が発生し易くなる。スティッキングを生じると、実質上の隣接突起間距離ｄは一体複合化した微小突起数の分だけ増加する。

例えば、ｄ＝２００ｎｍの微小突起が４個スティッキングすると、実質上、スティッキングして一体化した突起の大きさは、ｄ＝４×２００ｎｍ＝８００ｎｍ＞可視光線帯域の最長波長（７８０ｎｍ）となり、これにより局所的に反射防止効果を損なうことになる。

一方、多峰性微小突起５Ａ、５Ｂ、・・からなる微小突起群の場合、頂部近傍の各峰間の隣接突起間距離ｄ^ＰＥＡＫは、麓から中腹にかけての微小突起本体部の隣接突起間距離ｄ_ＢＡＳＥよりも小さくなり（ｄ^ＰＥＡＫ＜ｄ_ＢＡＳＥ）、通常、ｄ^ＰＥＡＫ＝ｄ_ＢＡＳＥ／４〜ｄ_ＢＡＳＥ／２程度である。その為、各峰間の隣接突起間距離ｄ^ＰＥＡＫ≪λｍｉｎとすることで十分な反射防止性能を得ることができる。但し、多峰性微小突起の各峰部は、麓部の幅に対する峰部の高さの比が小さく、単峰性微小突起の麓部の幅に対する頂点の高さの比の１／２〜１／１０程度である。従って、同じ外力に対して、多峰性微小突起の峰部は単峰性微小突起に比べての変形し難い。且つ、多峰性微小突起の本体部自体は峰部よりも隣接突起間距離は大であり、且つ強度も大である。その為、結局、多峰性微小突起からなる微小突起群は、単峰性微小突起からなる突起群に比べて、スティッキングの生じ難さと低反射率とを容易に両立させることができる。

なお可視光の反射防止用途の他の用途であっても、又は可視光環境下であっても、当該反射防止材料が設置、使用される環境条件に応じて、想定する反射防止波長に応じたモスアイ構造を形成し、高さ分布を持たせる事により、前記の通り、従来のものより耐擦性があり、かつ、プロセス要件などで低硬度の材料を使用した場合においても互いのスティッキングを防止し、光学的必要性能を合わせ持つ反射防止材料を作製する事が可能となる。例えば、３８０ｎｍ前後の紫外領域について反射防止性能を得たい場合はモスアイの高さが約５０ｎｍでも可能であり、同様に７００ｎｍ前後の赤外領域については約１５０ｎｍ〜実用上を考慮し４００ｎｍであれば可能である。なお、前記の通りモスアイの配置ピッチについては高さについて飽和するような製作条件を見出し、モスアイの反射率を効果的に操作する事が可能である。さらに、モスアイの頂部構造についても、従来の単峰から改良を加える事で高さと反射率を両立し、かつ物理的にスティッキングを起こしにくく、効果的に反射率を低減する事が可能となっている。

またさらにこの実施形態のように、単峰性の微小突起と多峰性微小突起とを混在させる場合には、アスペクト比の異なる単峰性の微小突起を混在させた場合と同様に、広い波長帯域で反射率を低減することができる。

すなわち陽極酸化処理により微細穴を作製する場合、特開２００３−４３２０３号公報等で既に知られている様に、隣接微細穴間距離（一定値で分布の無い場合はピッチに相当）と微細穴の深さとは比例する関係になる。これにより陽極酸化処理とエッチング処理との繰り返しにより賦型用金型を作製し、この賦型用金型を使用した賦型処理によりこの種の反射防止物品を作製する場合、作製される単峰性の微小突起は、付け根部分の幅と高さとの比であるアスペクト比がほぼ一定に保持される。なおアスペクト比とは、微小突起の高さＨを谷底における径Ｗ（幅又は太さと言う事もできる）で除した比、Ｈ／Ｗとして定義される。ここで、谷底における径とは、微小突起の谷底近傍の形状が円柱であれば、該円柱の（底面の）直径と一致する。微小突起の谷底近傍形状が円柱では無く、谷底を連ねた仮想的平面と微小突起とが交叉して得られる底面の径の大きさが面内方向によって異なる場合は、その最大値を該微小突起の径とする。例えば、微小突起の底面形状が楕円の場合は、径はその長径となる。又、微小突起の底面形状が多角形の場合は、径はその最大の対角線長となる。又、谷底部（高さの極小点からなる領域）の幅が径に比べて小さく２割以下の場合には、各微小突起のアスペクト比Ｈ／Ｗの平均値（Ｈ／Ｗ）ａｖｅは、設計上は実質、Ｈａｖｅ／ｄａｖｅと見做すことができる。

反射防止物品の反射防止機能は、微小突起の間隔だけでなく、アスペクト比にも依存し、アスペクト比が一定である場合、例えば可視光域では十分に小さな反射率を確保できる場合でも、紫外線域では可視光域に比して反射率が増大して反射防止機能が不足する。なお隣接突起間距離を一段と小さくして紫外線域で十分な反射防止機能を確保できるように設定することも考えられるものの、この場合は、赤外線域で反射率が増大することになる。

しかしながら多峰性微小突起を含む微小突起群では、同一微小突起の頂部近傍に存在する峰間距離が隣接突起間距離（通常１００〜２００ｎｍ程度）よりも小さい（通常１０〜５０ｎｍ程度）。かかる峰間距離の寄与によって、同一隣接突起間距離の単峰性微小突起のみからなる微小突起群に比べて、実効的な隣接突起間間隔を低下させたと同等の反射防止機能を確保することができ、これにより多峰性微小突起と単峰性微小突起との混在により広い波長帯域で低い反射率を確保することができる。なお可視光域を中心にした広い波長帯域で十分に小さな反射率を確保する場合、可視光域に係る波長４８０〜６６０ｎｍ帯域の光に対する反射防止性能に寄与する隣接突起間間隔、すなわち、ｄ≦４００ｎｍ、好ましくはｄ≦３００ｎｍとなる微小突起において、多峰性の微小突起と単峰性の微小突起とを混在させることが望ましい。

なおこれらこの実施形態に係る多峰性微小突起の特徴は、賦型用金型の対応する形状を備えた微細穴により作製される多峰性微小突起に固有の特徴であり、特開２０１２−０３７６７０号公報に開示の樹脂の充填不良により生じる多峰性微小突起によっては得ることができない特徴である。すなわち樹脂の充填不良による多峰性微小突起は、本来、単峰性の微小突起として作製される微細穴に十分に樹脂が充填されないことにより作製されるものであることにより、頂点間の間隔が極めて微小であり、これにより耐擦傷性の向上に殆んど寄与することができず、また上述したような光学特性の向上も困難である。

また充填不良による多峰性微小突起にあっては、再現性が乏しく、これにより均一な製品を量産できない欠点もあり、これに対してこの実施形態に係る多峰性微小突起は、いわゆる金型を使用した高い再現性により作製される金型由来の多峰性微小突起であり、均一かつ高い量産性を確保することができる。また後述の実施形態について詳述するように、この実施形態に係る多峰性微小突起は、高さ分布を制御できるのに対し、充填不良の多峰性微小突起については、このような制御が困難である。

〔白味の低減〕
ところで反射防止物品では、斜め方向より目視した場合に、表面が白味を帯びて（いわゆる白ちゃけである）観察され、この白味を低減することが望まれる。この白味は、多峰性微小突起に係る隣接突起間距離の制御により、より具体的には、多峰性微小突起に係る隣接突起間間隔の分布が、微小突起全体の隣接突起間間隔の分布に一致するように設定することにより、低減することができる。このためこの実施形態では、賦型用金型であるロール版に作成する微細穴のピッチを制御する。

より具体的に、隣接する前記微小突起間距離の分布において、平均値、標準偏差及びサンプル総数がそれぞれＰ、σ、Ｎｔであるものとする。ここで平均値Ｐから標準偏差σだけ変位した範囲Ｐ±σ以内に属し、かつ微小突起間距離に係る２つの微小突起の少なくとも１つが多峰性微小突起である場合のサンプル数がＮｓ１であり、この範囲Ｐ±σ以内に属していない場合であって、かつ微小突起間距離に係る２つの微小突起の少なくとも１つが多峰性微小突起である場合のサンプル数がＮｓ２であるものとする。この実施形態では、比率Ｎｓ１／Ｎｔが、比率Ｎｓ２／Ｎｔより大きくなるように、単峰性の微小突起、多峰性微小突起の分布を設定する。

またよりさらに、より具体的に、多峰性微小突起に係る隣接突起間距離に係るサンプル総数（Ｎｓ１＋Ｎｓ２）の５５％以上が範囲Ｐ±σ以内に属し、さらにサンプル総数（Ｎｓ１＋Ｎｓ２）の９０％以上が範囲Ｐ±２σ以内に属するように設定する。

ここでこの分布の設定にあっては、上述の第１〜第５の工程における陽極酸化処理の印加電圧、印加時間、エッチング処理条件の制御により設定することができる。図１５及び図１６は、この設定により作製されたロール版を使用して生産された微小突起の高さの分布を示す図である。

図１５は、第２工程、第３工程、第４工程で陽極酸化処理の印加電圧を連続的に変化させたものであり、また第５工程では、第４工程の印加電圧から印加電圧を低下させたものである。

より具体的に、図１３の例は、陽極酸化工程とエッチング工程とを５回繰り返した場合であり、第１回目の陽極酸化工程の印加電圧をＶ１（１５Ｖ〜３５Ｖの範囲の一定電圧である）とした場合に、第２回目、第３回目、第４回目、第５回目の陽極酸化工程の印加電圧をそれぞれ２Ｖ１、３．５Ｖ１、５Ｖ１、Ｖ１とした例である。なお陽極酸化処理は、濃度０．０２Ｍのシュウ酸水溶液を使用して１００秒実施した。エッチング工程は、濃度０．０２Ｍのシュウ酸水溶液を使用して４５秒間エッチング処理した後、濃度１．０Ｍのリン酸水溶液を使用して１１０秒間エッチング処理した。

この図１５に示す反射防止物品では、微小突起の高さ分布が正規分布を示しており、微小突起が作製されてなる面の鉛直線を中心とした比較的狭い範囲で、良好な反射防止物品防止機能を確保することができる。またこのときこのような高さ分布において、多峰性微小突起（頂点数が２つ及び３つのものをそれぞれ二峰、三峰により示す）についても、ほぼ平均値が一致した正規分布とすることができ、これにより効率良く多峰性微小突起の耐擦傷性の機能を発揮させることができ、また可視光域を中心とした広い波長帯域で十分に反射率を低減する等の、光学特性の機能向上を図ることができる。これにより携帯電話機や携帯ゲーム機等に使用される小型ディスプレイに使用することができる。

なおこの図１５の例では、微小突起の高さＨの平均値ｍが１４５．７ｎｍであり、その標準偏差σが２２．１ｎｍであった。またこの平均値ｍ及び標準偏差σにより低高度領域をＨ＜ｍ−σ、中高度領域をｍ−σ≦Ｈ≦ｍ＋σとなり、高高度領域をＨ＞ｍ＋σを定義したとき、総数Ｎｔ（２６４個）の微小突起のうち、多峰性微小突起は、中高度領域、中高度領域、高高度領域にそれぞれ２個、２３個、５個の分布が得られ、これによっても多峰性微小突起が概ね微小突起全体と同一の高さ分布を示していることが判る。

図１６は、実施例２の反射防止物品を製造する賦型用金型は、徐々に印加電圧を可変して陽極酸化処理を実行し、第４工程では、図１３の例による最高電圧に比して一段とより高い電圧により陽極酸化処理を実行ものである。

より具体的に図１４の例は、図１３の例と同一の繰り返し回数、溶液及び処理時間により陽極酸化工程、エッチング工程を実行した。この図１４の例では、第１回目の陽極酸化工程の印加電圧をＶ１（１５Ｖ〜３５Ｖの範囲の一定電圧である）とした場合に、第２回目、第３回目、第４回目、第５回目の陽極酸化工程の印加電圧をそれぞれ２．５Ｖ１、４Ｖ１、６Ｖ１、Ｖ１^１／２〜Ｖ１とした例である。２回目から４回目の陽極酸化工程では、２回目の陽極酸化処理の開始電圧及び４回目の陽極酸化処理の終了電圧がそれぞれ２．５Ｖ１及び６Ｖ１となるように設定して、徐々に印加電圧を増大させた。

この図１６の例では、高さの高い側と低い側とに分布のピークを有する双方性の特性による度数分布が得られ、高さの高い微小突起の分布を増大させることができ、さらに各分布に対応して多峰性微小突起の分布を形成することができる。これにより斜め方向からの光学特性を向上して広い視野角特性を向上することができる。また可視光域を中心とした広い波長帯域で十分に反射率を低下させることができる。

図１７及び図１８は、図１５及び図１６の例による反射防止物品について、隣接する微小突起間距離の分布を示す図である。この実施形態では、図２から図６について上述したと同様にして、各微小突起の頂点を検出した後、ドロネー図を作成して頂点間の隣接関係を定義し、ドロネー辺の長さにより隣接突起間の距離を計測した。但し、この図１７及び図１８の例では、多峰性微小突起に係る突起間距離の計測基準位置（頂点）は、当該多峰性微小突起の複数の頂点座標の平均値座標に設定した。図１７及び図１８は、この計測結果をヒストグラム化したものである。この実施形態では、さらにこの計測結果より平均値Ｐ及び標準偏差σを計測した。なお図１７の例では、平均値Ｐ及び標準偏差σは、それぞれ１２０．４ｎｍ、２５．１ｎｍであった。また図１８の例では、平均値Ｐ及び標準偏差σは、１６７．２ｎｍ、３７．０ｎｍであった。

このようにして求められた分布に係る突起間距離を、多峰性微小突起に係るものと、単峰性の微小突起に係るものとに分類した。なお微小突起間距離に係る２つの微小突起の少なくとも１つが多峰性微小突起である場合、多峰性微小突起に係る突起間距離に分類した。また多峰性微小突起に分類した突起間距離については、頂点数が多いものから順次、三峰、二峰に分類した。ここで図１４等について上述したように、多峰性微小突起は周囲長が長いことにより、このようにして分類された突起間距離にあっては、突起間距離の長い側に分布が偏っていると予測されるものの、実際に計測した結果によれば、平均値近傍に分布が集中していることが判った。

具体的に、図１７の例では、サンプル総数Ｎｔが２６４個であり、平均値Ｐ±σ以内の範囲に属する多峰性突起に分類されるサンプル数Ｎｓ１が１８３個であり、範囲Ｐ±σ以内に属していない多峰性微小突起に分類されるサンプル数Ｎｓ２が８１個であり、これにより比率Ｎｓ１／Ｎｔ（＝０．６９）が、比率Ｎｓ２／Ｎｔ（＝０．３１）より大きいように設定されていることが確認された。

なおこの図１７の例では、平均値Ｐ±σ以内の範囲に属する多峰性突起に分類されるサンプル数Ｎｓ１は、多峰性微小突起の総数（Ｎｓ１＋Ｎｓ２）の６９．４％であり、さらに平均値Ｐ±２σの範囲に、総数（Ｎｓ１＋Ｎｓ２）の多峰性微小突起の全てが属していた。これによりこの図１７の例では、サンプル総数（Ｎｓ１＋Ｎｓ２）の５５％以上が範囲Ｐ±σ以内に属し、さらにサンプル総数（Ｎｓ１＋Ｎｓ２）の９０％以上が範囲Ｐ±２σ以内に属するとの条件も満足しており、これによっても多峰性微小突起に係る隣接突起間間隔の分布が、微小突起全体の隣接突起間間隔の分布に一致するように設定されていることが判る。

また図１８の例では、サンプル総数Ｎｔが１３５個であり、平均値Ｐ±σ以内の範囲に属する多峰性突起に分類されるサンプル数Ｎｓ１が８８個であり、範囲Ｐ±σ以内に属していない多峰性微小突起に分類されるサンプル数Ｎｓ２が４７個であり、これにより比率Ｎｓ１／Ｎｔ（＝０．６５）が、比率Ｎｓ２／Ｎｔ（＝０．３５）より大きいように設定されていることが確認された。

またさらにこの図１８の例では、平均値Ｐ±σ以内の範囲に属する多峰性突起に分類されるサンプル数Ｎｓ１は、多峰性微小突起の総数（Ｎｓ１＋Ｎｓ２）の６５．２％であり、さらに平均値Ｐ±２σ以内の範囲に属する多峰性突起に分類されるサンプル数は、総数（Ｎｓ１＋Ｎｓ２）の９５．７％であった。これによりこの図１８の例でも、サンプル総数（Ｎｓ１＋Ｎｓ２）の５５％以上が範囲Ｐ±σ以内に属し、さらにサンプル総数（Ｎｓ１＋Ｎｓ２）の９０％以上が範囲Ｐ±２σ以内に属するとの条件も満足しており、これによっても多峰性微小突起に係る隣接突起間間隔の分布が、微小突起全体の隣接突起間間隔の分布に一致するように設定されていることが判る。

図１９及び図２０は、本実施形態における実際の微小突起の形状を示す斜視図（図１９）、平面図（図２０（ａ））、正面図（図２０（ｂ））及び側面図（図２０（ｃ））である。これら図１９及び図２０は、等高線図である。上述したように、複数回の陽極酸化処理における印加電圧を切り替えることにより、この図１９及び図２０による微小突起においては、高さの大きく異なる３つの峰が合体して１つの微小突起が形成されており、ほぼ中央より外方に向かって形成された３本の放射状の溝（沢状の極小部）によりこの３つの峰に係る領域に分割されて微小突起が作製されていることが判る。なおこの図１９及び図２０は、ＡＦＭによる計測結果によるデータを部分的に選択して詳細に示したものである。またこの図１９及び図２０における数字の単位はｎｍである。Ｘ座標及びＹ座標は、所定の基準位置からの座標値である。

図２１及び図２２は、図１９及び図２０との対比により、３本の放射状の溝（沢状の極小部）微小突起の他の計測結果を示す図である。この図２１及び図２２の微小突起においては、ほぼ高さの等しい３つの峰が合体して１つの微小突起が作製され、該３つの峰は、頂部のほぼ中央部より外方に向かって延びた３本の放射状の溝によって区分されていることが判る。

図２３及び図２４は、図１９〜図２２と比により、同様の本実施形態における他の微小突起の計測結果を示す図である。この図２３及び図２４の微小突起においては、横に一列に並んだ複数の微小突起が結合したかのような形状により形成され、この並び方向と、並び方向と直交する方向とでアスペクト比が異なるように作成されている。このような方向によってアスペクト比が異なる微小突起により反射防止物品にあっては、その反射防止特性に方向性を持たせることができる。なおこの微小突起においては、各峰間の溝は該並び方向と直行する方向に伸びている。

なおこのようにして観察される結果によれば、各峰の内側にあっては、各峰の外側に比して表面の粗さが荒いように観察され、このように峰の内側と外側との粗さの相違により、賦型処理時の樹脂の充填不良により生じる多峰性微小突起との相違を見て取ることができる。なおこれらの斜視図等において、等高線が表されていない箇所は、計測の都合上、データが得られていない箇所である。

〔耐擦傷性の評価〕
表１は、耐擦傷性の評価結果を示す図である。図１３の例による反射防止物品を単峰性微小突起のみによる同様の突起高さ分布による反射防止物品との比較によるものである。なお単峰性微小突起のみの反射防止物品は、繰り返しの陽極酸化処理の印加電圧を第２の工程以降においても第１の工程と同一の一定電圧として作製した。また単峰性微小突起のみによる双峰特性の分布による反射防止物品は、繰り返しの陽極酸化処理の印加電圧を２段階の切り替えにより実行して作製した。

この表１において、スチールウールの欄は、押し付け力１００ｇ及び２００ｇによりスチールウールを押し付けて往復させた後の表面の変化を目視により確認した結果である。二重丸の印は、目視上傷、濁りは見られないとの評価が得られたものであり、三角の印は、目視上、１〜５本の傷を見る事ができるものであり、×の印は、目視上、６本以上の傷が観察されるものである。なお評価の範囲は、１辺５ｃｍの矩形の領域である。これにより多峰性微小突起により充分に耐擦傷性が向上していることが判る。

また乾拭きの欄は、指紋を付着させた後、不織布を用いて溶剤を含まない乾いた状態での拭きを５０往復させた時の、５°正反射率である。指紋を付着させた状態で、５°正反射率が４％となるように設定した。なお不織布は、ＫＢセーレン社製、ザヴィーナミニマックス（登録商標）１５０ｍｍ□を使用した。また何ら指紋による汚れを付着させない状態における５°正反射率の初期値は、０．５％であった。この検討結果によれば、多峰性微小突起により付着した汚れがふき取り易くなって反射防止性能を指紋付着前に近い状態にまで回復していることが判り、このことは多峰性微小突起を設けた場合には、微小突起の付け根側に汚れが深くもぐり込まないことによるものと考えられる。これにより指紋に対する耐汚染性（易拭取り性）にも向上が見られる。

〔他の実施形態〕
以上、本発明の実施に好適な具体的な構成を詳述したが、本発明は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上述の実施形態を組み合わせ、上述の実施形態の構成を種々に変更し、さらには従来構成と組み合わせることができる。

すなわち上述の実施形態では、陽極酸化処理とエッチング処理との繰り返し回数をそれぞれ３（〜５）回に設定する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、繰り返し回数をこれ以外の回数に設定してもよく、またこのように複数回処理を繰り返して、最後の処理を陽極酸化処理とする場合にも広く適用することができる。

また上述の実施形態では、反射防止物品を液晶表示パネル、電場発光表示パネル、プラズマ表示パネル等の各種画像表示パネルの表側面に配置して視認性を向上する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば液晶表示パネルの裏面側に配置してバックライトから液晶表示パネルへの入射光の反射損失を低減させる場合（入射光利用効率を増大させる場合）にも広く適用することができる。尚、ここで画像表示パネルの表面側とは、該画像表示パネルの画像光の出光面であり、画像観察者側の面でもある。又、画像表示パネルの裏面側とは、該画像表示パネルの表面の反対側面であり、バックライト（背面光源）を用いる透過型画像表示裝置の場合は、該バックライトからの照明光の入光面でもある。

また上述の実施形態では、賦型用樹脂にアクリレート系の紫外線硬化性樹脂を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、エポキシ系、ポリエステル系等の各種紫外線硬化性樹脂、或いはアクリレート系、エポキシ系、ポリエステル系等の電子線硬化性樹脂、ウレタン系、エポキシ系、ポリシロキサン系等の熱硬化性樹脂等の各種材料及び各種硬化形態の賦型用樹脂を使用する場合にも広く適用することができ、さらには例えば加熱したアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂等の熱可塑性の樹脂を押圧して賦型する場合等にも広く適用することができる。

また、上述の実施形態では、図１に図示の如く、基材２の一方の面上に受容層（紫外線硬化性樹脂層）４を積層してなる積層体の該受容層４上に微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を賦形し、該受容層４を硬化せしめて反射防止物品１を形成している。層構成としては２層の積層体となる。但し、本発明は、かかる形態のみに限定される訳では無い。本発明の反射防止物品１は、図示は略すが、基材２の一方の面上に、他の層を介さずに直接、微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を賦形した単層構成であっても良い。或いは、基材２の一方の面に１層以上の中間層（層間の密着性、塗工適性、表面平滑性等の基材表面性能を向上させる層。プライマー層、アンカー層等とも呼称される。）を介して受容層４を形成し、該受容層表面に微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を賦形した３層以上の積層体であっても良い。

更に、上述の実施形態では、図１にも図示の如く、基材２の一方の面上にのみ（直接或いは他の層を介して）微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を形成しているが、本発明はかかる形態には限定され無い。基材２の両面上に（直接或いは他の層を介して）各々微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を形成した構成であっても良い。基材２の両面上に微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を有する形態の場合、該微小突起群を一方の面上にのみ該微小突起群を有する形態に比べ、反射防止性能が大きく向上する。例えば、空気と基材２自体との界面に於ける光の反射率が４％であり、微小突起群と空気との界面に於ける光の反射率が０．２％である場合、基材２の表（又は裏）面から裏（又は表）面に透過する光に対する表裏両面を合計した反射率は、微小突起群を有する層（受容層４）と基材２との界面の反射率の寄与を０％と見做すと、
（１）基材の表裏両面上に微小突起群が無い場合は、８％。
（２）基材の一方の面上にのみ微小突起群を有する場合は、４．２％。
（３）基材の表裏両面上に微小突起群を有する場合は、０．４％。
となる。
また、図示は略すが、図１等に図示の如き本発明の反射防止物品１において、基材２の微小突起群形成面とは反対側の面（図１においては基材２の下側面）に各種接着剤層を形成し、更に該接着剤層表面に離型フィルム（離型紙）を剥離可能に積層してなる接着加工品の形態とすることも出来る。かかる形態においては、離型フィルムを剥離除去して接着剤層を露出せしめ、該接着剤層により所望の物品の所望の表面上に本発明の反射防止物品１を貼り合わせ、積層することが出来、簡便に所望の物品に反射防止性能を付与することが出来る。接着剤としては、粘着剤（感圧接着剤）、２液硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、熱熔融型接着剤等の公知の接着形態のものが各種使用出来る。

また、図示は略すが、図１等に図示の如き本発明の反射防止物品１において、微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・形成面上に剥離可能な保護フィルムを仮接着した状態で保管、搬送、売買、後加工乃至施工を行い、しかる後に適時、該保護フィルムを剥離除去する形態とすることも出来る。かかる形態においては、保管、搬送等の間に微小突起群が損傷乃至は汚染して反射防止性能が低下することを防止することが出来る。

また、上述の実施形態では、図１、図１１（ａ）に示すように、各隣接微小突起間の谷底（高さの極小点）を連ねた面は高さが一定な平面であったが、本発明はこれに限らず、図７に示すように、各微小突起間の谷底を連ねた包絡面が、可視光線帯域の最長波長λｍａｘ以上の周期Ｄ（すなわちＤ＞λｍａｘである）でうねった構成としてもよい。又該周期的なうねりは、基材２の表裏面に平行なＸＹ平面（図１１、図７参照）における１方向（例えばＸ方向）のみでこれと直交する方向（例えばＹ方向）には一定高さであっても良いし、或いはＸＹ平面における２方向（Ｘ方向及びＹ方向）共にうねりを有していても良い。Ｄ＞λｍａｘを満たす周期Ｄでうねった凹凸面６が多数の微小突起からなる微小突起群に重畳することによって、微小突起群で完全に反射防止し切れずに残った反射光を散乱し、殘留反射光、とくに鏡面反射光を更に視認し難くし、以って、反射防止効果を一段と向上させることができる。

尚、係る凹凸面６の周期Ｄが全面に亙って一定では無く分布を有する場合は、該凹凸面について凸部間距離の度数分布を求め、その平均値をＤ_ＡＶＧ、標準偏差をΣとしたときの、
Ｄ_ＭＩＮ＝Ｄ_ＡＶＧ―２Σ
として定義する最小隣接突起間距離を以って周期Ｄの代わりとして設計する。即ち、微小突起群の殘留反射光の散乱効果を十分奏し得る条件は、
Ｄ_ＭＩＮ＞λｍａｘ
又、該凹凸の高低差に相当するＪＩＳ Ｂ０６０１（１９９４年）規定のＲｚ値（１０点平均粗さ）は、
Ｒｚ≧λｍｉｎ
である。通常、Ｄ又はＤ_ＭＩＮは１〜６００μｍ、好ましくは１０〜３００μｍとされる。又、通常、Ｒｚは０．４〜５μｍとされる。
各微小突起の谷底を連ねた包絡面形が、Ｄ（又はＤ_ＭＩＮ）＞λｍａｘ、なる凹凸面６を呈する樣な微小突起群を形成する具体的な製造方法の一例を挙げると以下の通りである。即ち、ロール版１３の製造工程において、円筒（又は円柱）形状の母材の表面にサンドブラスト又はマット（つや消し）メッキによって凹凸面６の凹凸形状に対応する凹凸形状を賦形する。次いで、該凹凸形状の面上に、直接或いは必要に応じて適宜の中間層を形成した後、アルミニウ層を積層する。その後、該凹凸形状表面に対応した表面形状を賦形されたアルミニウム層に上述の実施形態と同様にして陽極酸化処理及びエッチング処理を施して微小突起５、５Ａ、５Ｂを含む微小突起群を形成する。

また上述の実施形態では、陽極酸化処理とエッチング処理との繰り返しにより賦型処理用の金型を作製する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、フォトリソグラフィーの手法を適用して賦型処理用の金型を作製する場合にも広く適用することができる。

また上述の実施形態では、ロール版を使用した賦型処理によりフィルム形状による反射防止物品を生産する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、反射防止物品の形状に係る透明基材の形状に応じて、例えば平板、特定の曲面形状による賦型用金型を使用した枚葉の処理により反射防止物品を作製する場合等、賦型処理に係る工程、金型は、反射防止物品の形状に係る透明基材の形状に応じて適宜変更することができる。

また上述の実施形態では、画像表示パネルの表側面、或いは照明光の入射面にフィルム形状による反射防止物品を配置する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、種々の用途に適用することができる。具体的には、画像表示パネルの画面上に間隙を介して設置されるタッチパネル、各種の窓材、各種光学フィルタ等による表面側部材の裏面（画像表示パネル側）に配置する用途に適用することができる。なおこの場合には、画像表示パネルと表面側部材との間の光の干渉によるニュートンリング等の干渉縞の発生の防止、画像表示パネルの出光面と表面側部材の入光面側との間の多重反射によるゴースト像の防止、さらには画面から出光されてこれら表面側部材に入光する画像光について、反射損失の低減等の効果を奏することができる。

或いは、タッチパネルを構成する透明電極を、フィルム或いは板状の透明基材上に本発明特定の微小突起群を形成し、更に該微小突起群上にＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の透明導電膜を形成したものを用いることが出来る。この場合には、該タッチパネル電極とこれと隣接する対向電極又は各種部材との間での光反射を防止して、干渉縞、ゴースト像等の発生を低減させる効果を奏することが出来る。

また店舗のショウウインドウや商品展示箱、美術館の展示物の展示窓や展示箱等に使用する硝子板表面（外界側）、或いは表面及び裏面（商品又は展示物側面）の両面に配置するようにしても良い。なおこの場合、該硝子板表面の光反射防止による商品、美術品等の顧客や観客に対する視認性を向上することができる。

また眼鏡、望遠鏡、写真機、ビデオカメラ、銃砲の照準鏡（狙撃用スコープ）、双眼鏡、潜望鏡等の各種光学機器に用いるレンズ又はプリズムの表面に配置する場合にも広く適用することができる。この場合、レンズ又はプリズム表面の光反射防止による視認性を向上することができる。またさらに書籍の印刷部（文字、写真、図等）表面に配置する場合にも適用して、文字等の表面の光反射を防止し、文字等の視認性向上することができる。また看板、ポスター、其の他各種店頭、街頭、外壁等における各種表示（道案内、地図、或いは禁煙、入口、非常口、立入禁止等）の表面に配置して、これらの視認性を向上することができる。またさらに白熱電球、発光ダイオード、螢光燈、水銀燈、ＥＬ（電場発光）等を用いた照明器具の窓材（場合によっては、拡散板、集光レンズ、光学フィルタ等も兼ねる）の入光面側に配置するようにして、窓材入光面の光反射を防止し、光源光の反射損失を低減し、光利用効率を向上することができる。またさらに時計、其の他各種計測機器の表示窓表面（表示観察者側）に配置して、これら表示窓表面の光反射を防止し、視認性を向上することができる。

またさらに、自動車、鉄道車両、船舶、航空機等の乗物の操縦室（運転室、操舵室）の窓の室内側、室外側、あるいはその両側の表面に配置して窓における室内外光を反射防止して、操縦者（運転者、操舵者）の外界視認性を向上することができる。またさらに、防犯等の監視、銃砲の照準、天体観測等に用いる暗視装置のレンズないしは窓材表面に配置して、夜間、暗闇での視認性を向上することができる。

またさらに、住宅、店舗、事務所、学校、病院等の建築物の窓、扉、間仕切、壁面等を構成する透明基板(窓硝子等)の表面（室内側、室外側、あいはその両側）の表面に配置して、外界の視認性、あるいは採光効率を向上することができる。またさらに、各種店舗、美術館、博物館等で用いる商品乃至展示品を収納し、展示する各種の展示箱乃至ショウケースの透明窓（又は扉）部の表面、裏面、又は表裏両面に配置して、展示する商品乃至展示品の視認性向上することができる。またさらに、温室、農業用ビニールハウスの透明シート、ないしは透明板（窓材）の表面に配置して、太陽光の採光効率を向上することができる。さらにまた、太陽電池表面に配置して、太陽光の利用効率（発電効率）を向上することができる。

またさらに、上述の実施形態においては、反射防止を図る電磁波の波長帯域を、専ら、可視光線帯域（の全域又は一部帯域）としたが、本発明はこれに限らず、反射防止を図る電磁波の波長帯域を赤外線、紫外線等の可視光線以外の波長帯域に設定しても良い。その場合は前記の各条件式中において、電磁波の波長帯域の最短波長Λｍｉｎを、それぞれ、赤外線、紫外線等の波長帯域における反射防止効果を希望する最短波長に設定すれば良い。例えば、最短波長Λｍｉｎが８５０ｎｍの赤外線帯域の反射防止を希望する場合は、隣接突起間距離ｄ（乃至は其の最大値ｄｍａｘ）を８５０ｎｍ以下、例えば、ｄ（ｄｍａｘ）＝８００ｎｍと設計すれば良い。尚、この場合は、可視光線帯域（３８０〜７８０ｎｍ）に於いては反射防止効果は期待し得ず、專ら波長８５０ｎｍ以上の赤外線に対しての反射防止効果を奏する反射防止物品が得られる。

以上例示の各種実施形態において、硝子板等の透明基板の表面、裏面、或いは表裏両面に本発明のフィルム状の反射防止物品を配置する場合、該透明基板の全面に亙って配置、被覆する以外に、一部分の領域にのみ配置することも出来る。かかる例としては、例えば、１枚の窓硝子について、其の中央部分の正方形領域において、室内側表面にのみフィルム状の反射防止物品を粘着剤で貼着し、その他領域には反射防止物品を貼着し無い場合を挙げることが出来る。透明基板の一部分の領域にのみ反射防止物品を配置する形態の場合は、特別な表示や衝突防止柵等の設置無しでも、該透明基板の存在を視認し易くして、人が該透明基板に衝突、負傷する危険性を低減する効果、及び室内（屋内）の覗き見防止と該透明基板の（該反射防止物品の配置領域における）透視性とが両立出来ると言う効果を奏し得る。

１ 反射防止物品
２ 基材
４ 紫外線硬化性樹脂層、受容層
５、５Ａ、５Ｂ 微小突起
６ 凹凸面
１０ 製造工程
１２ ダイ
１３ ロール版
１４、１５ ローラ
ｇ 溝

Claims (4)

1. 微小突起が密接して配置され、隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下である反射防止物品において、
   前記微小突起が、
   頂点を複数有する多峰性微小突起と、頂点が１つの単峰性突起とであり、
   前記多峰性微小突起は、
   当該多峰性微小突起に属する複数の頂点で付け根部分を共有し、
   前記微小突起を先端側より平面視した場合の周囲長が、単峰性の微小突起に比して長く形成され、
   隣接する微小突起間距離の分布において、
   平均値、標準偏差及びサンプル総数がそれぞれＰ、σ、Ｎｔであり、
   前記平均値から前記標準偏差だけ変位した範囲Ｐ±σ以内に属し、前記微小突起間距離に係る２つの微小突起の少なくとも１つが前記多峰性微小突起である場合のサンプル数がＮｓ１であり、
   前記範囲Ｐ±σ以内に属していない、前記微小突起間距離に係る２つの微小突起の少なくとも１つが前記多峰性微小突起である場合のサンプル数がＮｓ２である場合、
   比率Ｎｓ１／Ｎｔが、比率Ｎｓ２／Ｎｔより大きい
   反射防止物品。
2. 前記多峰性微小突起は、
   前記微小突起を先端側より平面視した場合に、ほぼ中央より外方に向かって形成された溝により複数の領域に分割され、前記複数の領域の各領域が、それぞれ各頂点に係る峰である
   請求項１に記載の反射防止物品。
3. 画像表示パネルの出光面上に請求項１、又は請求項２に記載の反射防止物品を配置した画像表示装置。
4. 反射防止物品の製造に供する反射防止物品の製造用金型であって、
   前記反射防止物品は、
   微小突起が密接して配置され、
   隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下であり、
   前記微小突起の少なくとも一部が、頂点を複数有する多峰性微小突起であり、
   頂点を複数有する多峰性微小突起と、頂点が１つの単峰性突起とであり、
   前記多峰性微小突起は、
   当該多峰性微小突起に属する複数の頂点で付け根部分を共有し、
   前記微小突起を先端側より平面視した場合の周囲長が、単峰性の微小突起に比して長く形成され、
   隣接する微小突起間距離の分布において、
   平均値、標準偏差及びサンプル総数がそれぞれＰ、σ、Ｎｔであり、
   前記平均値から前記標準偏差だけ変位した範囲Ｐ±σ以内に属し、前記微小突起間距離に係る２つの微小突起の少なくとも１つが前記多峰性微小突起である場合のサンプル数がＮｓ１であり、
   前記範囲Ｐ±σ以内に属していない、前記微小突起間距離に係る２つの微小突起の少なくとも１つが前記多峰性微小突起である場合のサンプル数がＮｓ２である場合、
   比率Ｎｓ１／Ｎｔが、比率Ｎｓ２／Ｎｔより大きく、
   前記反射防止物品の製造用金型は、
   前記微小突起に対応する微細穴が密接して作製された
   反射防止物品の製造用金型。