JP5524144B2 - key−valueストア方式を有するメモリシステム - Google Patents
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Description
前記コントローラは、前記keyに対応する前記valueを前記インターフェースを介して出力することを特徴とする。
まず、本実施形態の基本原理となるメタデータテーブルとkey−valueストア方式について述べる。
(i)keyをentryとして入力し、メタデータテーブルからvalueを探す。
ホストシステムからは、メモリシステムのホストインターフェースに対し、key−valueストア要求のための次のコマンドが与えられる。
第1実施形態のメモリシステムのハードウェア構成について説明する。
本実施形態の固定長データ生成器(ハッシュ生成器)14とアドレス管理回路を用いたデータ格納・検索方法について説明する。アドレス管理回路は、メモリコントローラ13に備えられており、ハッシュ値(アドレス)の衝突を回避する処理を行う。
あるいは、単純に、生成された固定長ビットのビット列の先頭から所望の長さの分だけを切り取って使用しても良い。
本実施形態は、第1実施形態とハードウェア構成の一部が異なり、key照合専用メモリ空間を有するハードウェアCAMを備える。
本実施形態は、第2実施形態と同様に、key照合専用メモリ空間を有するハードウェアCAMを備えるが、第1のメモリブロック16がハードウェアCAMを備えている。
本実施形態は、第1実施形態と同様に、固定長データ生成器(例えば、ハッシュ生成器)を備えるが、第1実施形態とは固定長データ生成器の設置場所が異なり、ローカルコントローラ12が固定長データ生成器14を備えている。
本実施形態は、第4実施形態と同様に、第2のメモリブロックであるバッファメモリ121でkey−value型データの参照を行うが、ローカルコントローラ12がハードウェアCAMを備えている。
本実施形態は、第1実施形態とほぼ同様のハードウェア構成を取るが、メモリシステム10内にローカルコントローラが存在しない点で異なる。
本実施形態は、第2実施形態とほぼ同様のハードウェア構成を取るが、メモリシステム10内にローカルコントローラが存在しない点で異なる。
ハードウェアCAMによるkey−valueストア方式の実現方法は第2実施形態と同様であり、ローカルコントローラがないことによる機能の特徴は第6の実施形態と同様であるため、説明を省略する。
本実施形態は、第3実施形態とほぼ同様のハードウェア構成を取るが、メモリシステム10内にローカルコントローラが存在しない点で異なる。
CAM−RAMによるkey−valueストア方式の実現方法は第3の実施形態と同様であり、ローカルコントローラがないことによる機能の特徴は第6実施形態と同様であるため、説明を省略する。
図12は、変形例1における第1のメモリブロック16内の実データ領域161とメタデータテーブル162との関係、及びkey−valueストア方式の仕組みを模式的に示す図である。
図13は、変形例2における第1のメモリブロック16内の実データ領域161とメタデータテーブル162との関係、及びkey−valueストア方式の仕組みを模式的に示す図である。
図14は、変形例3における第1のメモリブロック16内の実データ領域161とメタデータテーブル162との関係、及びkey−valueストア方式の仕組みを模式的に示す図である。
本変形例では、固定長のkeyを格納したkey−value型データと、それによる全文検索を例として示す。
Claims (23)
- keyと前記keyに対応するvalueの組であるkey−value型データを含むkey−valueストア方式を備えたメモリシステムにおいて、
データの書き込み及び読み出しの要求、及び前記key−valueストア方式に基づく要求を受け付けるインターフェースと、
データを記憶するデータ領域と、前記key−value型データを含むメタデータテーブルとを格納する第1のメモリブロックと、
前記keyの入力に対して、前記key−value型データが記憶された第1のアドレスを取得するアドレス取得部と、
前記第1のメモリブロックに対する、アドレス指定による前記書き込み及び読み出しの要求を実行すると共に、前記アドレス取得部により取得された前記第1のアドレスを前記第1のメモリブロックに出力し、前記key−valueストア方式に基づく要求を実行するコントローラとを具備し、
前記コントローラは、前記keyに対応する前記valueを前記インターフェースを介して出力することを特徴とするメモリシステム。 - keyと前記keyに対応するvalueの組であるkey−value型データを含むkey−valueストア方式を備えたメモリシステムにおいて、
データの書き込み及び読み出しの要求、及び前記key−valueストア方式に基づく要求を受け付けるインターフェースと、
データを記憶するデータ領域と、前記key−value型データを含むメタデータテーブルとを格納すると共に、前記keyの入力に対して、前記key−value型データが記憶された第1のアドレスを取得するアドレス取得部を有する第1のメモリブロックと、
前記第1のメモリブロックに対する、アドレス指定による前記書き込み及び読み出し、および前記key−valueストア方式に基づく要求を実行するコントローラとを具備し、
前記コントローラは、前記keyに対応する前記valueを前記インターフェースを介して出力することを特徴とするメモリシステム。 - keyと前記keyに対応するvalueの組であるkey−value型データを含むkey−valueストア方式を備えたメモリシステムにおいて、
データの書き込み及び読み出しの要求、及び前記key−valueストア方式に基づく要求を受け付けるインターフェースと、
データを記憶するデータ領域と、前記key−value型データを含むメタデータテーブルとを格納する第1のメモリブロックと、
前記第1のメモリブロックに対する、アドレス指定による前記書き込み及び読み出し、および前記key−valueストア方式に基づく要求を実行するメモリコントローラと、
前記インターフェースと前記第1のメモリブロックの相互の信号送受信を制御するローカルコントローラとを具備し、
前記ローカルコントローラは、前記第1のメモリブロックから読み出したデータを保存する第2のメモリブロックと、前記keyの入力に対して、前記key−value型データが記憶された第1のアドレスを取得するアドレス取得部とを有し、
前記メモリコントローラは、前記keyに対応する前記valueを前記インターフェースを介して出力することを特徴とするメモリシステム。 - 前記アドレス取得部は、前記keyをハッシュ関数によって前記第1のアドレスに変換するハッシュ生成器であることを特徴とする請求項1または3に記載のメモリシステム。
- 前記アドレス取得部は、前記keyの入力に対して、前記keyと前記アドレス取得部内に格納されたデータとの比較を行い、一致したデータの前記第1のアドレスを取得するコンテンツ連想メモリ(CAM)であることを特徴とする請求項2または3に記載のメモリシステム。
- 前記コントローラあるいは前記メモリコントローラは、前記ハッシュ生成器により変換された前記第1のアドレスが衝突した場合に、前記valueとしてのデータと前記keyとを比較する比較回路と、前記データと前記keyとが一致するとき、前記第1のアドレスを変更するアドレス管理回路とを有することを特徴とする請求項4に記載のメモリシステム。
- 前記コントローラ、前記ローカルコントローラあるいは前記メモリコントローラは、前記key−valueストア方式に基づく要求に応じて、前記第1のメモリブロックに格納された前記メタデータテーブルの記憶容量を可変することを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のメモリシステム。
- 前記メタデータテーブルは、前記第1のアドレスと、前記第1のアドレスに記憶された、前記key、及び前記keyに対応するvalueが記憶された第2のアドレスとを格納し、
前記コントローラ、前記ローカルコントローラあるいは前記メモリコントローラは、前記第2のアドレスによって指定された前記データ領域の記憶場所を参照することにより、前記valueを得ることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載のメモリシステム。 - 前記メタデータテーブル内の前記key−value型データは論理アドレスに格納され、
前記メタデータテーブルの記憶場所が、前記論理アドレスと、前記第1のメモリブロックの物理アドレスとを対応付ける変換テーブルで管理されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載のメモリシステム。 - 前記第1のメモリブロックは不揮発性メモリであることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載のメモリシステム。
- 前記コントローラがデータの書き込み及び読み出しを行う際に、前記データを一時的に記憶するレジスタと、
前記インターフェースと前記第1のメモリブロックの相互の信号送受信を制御するローカルコントローラと、
をさらに具備することを特徴とする請求項1または2に記載のメモリシステム。 - 前記第2のメモリブロックは、前記第1のメモリブロックよりも高速にデータの読み出し及び書き込みが可能なバッファメモリであることを特徴とする請求項3に記載のメモリシステム。
- 前記バッファメモリは不揮発性RAMであることを特徴とする請求項12に記載のメモリシステム。
- 前記インターフェースが受け付ける前記key−valueストア方式に基づく要求は、集合へ要素を追加するコマンド、要素が所属する集合のサイズを返すコマンド、及び集合を読み出すコマンドの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1乃至13のいずれかに記載のメモリシステム。
- 前記コントローラ、前記ローカルコントローラあるいは前記メモリコントローラはダイレクトメモリアクセスコントローラをさらに具備することを特徴とする請求項1乃至14のいずれかに記載のメモリシステム。
- 前記インターフェース、前記第1のメモリブロック、及び前記コントローラ、前記ローカルコントローラあるいは前記メモリコントローラは2種類以上のバス線で接続されることを特徴とする請求項1乃至15のいずれかに記載のメモリシステム。
- keyと前記keyに対応するvalueの組であるkey−value型データを含むkey−valueストア方式を備えたメモリシステムにおいて、
データを記憶すると共に、前記keyの入力に基づいて、論理アドレスを物理アドレスに変換する論理アドレス−物理アドレス変換テーブルを有するNANDフラッシュメモリと、
前記NANDフラッシュメモリに対して前記論理アドレス−物理アドレス変換テーブルに基づいて書き込み及び読み出しを実行するコントローラと、
を具備することを特徴とするメモリシステム。 - keyと前記keyに対応するvalueの組であるkey−value型データを含むkey−valueストア方式を備えたメモリシステムにおいて、
データを記憶すると共に、前記keyの入力に基づいて、論理アドレスを物理アドレスに変換する論理アドレス−物理アドレス変換テーブルを有するNANDフラッシュメモリと、
前記NANDフラッシュメモリに対して前記論理アドレス−物理アドレス変換テーブルに基づいて書き込み及び読み出しを実行するコントローラと、
前記コントローラと外部との間でデータの送受信を行うインターフェースとを具備し、
前記コントローラは、前記NANDフラッシュメモリから読み出したデータを前記インターフェースを介して外部の第1のメモリに出力し、前記第1のメモリは前記key−value型データを含むメタデータを格納していることを特徴とするメモリシステム。 - keyと前記keyに対応するvalueの組であるkey−value型データを含むkey−valueストア方式を備えたメモリシステム及びホストシステムを有するシステムにおいて、
前記メモリシステムは、
データを記憶すると共に、前記keyの入力に基づいて、論理アドレスを物理アドレスに変換する論理アドレス−物理アドレス変換テーブルを有するNANDフラッシュメモリと、
前記NANDフラッシュメモリに対して前記論理アドレス−物理アドレス変換テーブルに基づいて書き込み及び読み出しを実行するコントローラと、
前記コントローラと前記ホストシステムとの間でデータの送受信を行うインターフェースとを備え、
前記ホストシステムは、
前記key−value型データを含むメタデータを格納する第1のメモリと、
前記第1のメモリに対して前記key−value型データに対する処理を実行するCPUとを備えることを特徴とするシステム。 - keyと前記keyに対応するvalueの組であるkey−value型データを含むkey−valueストア方式を備えたメモリシステムにおいて、
データの書き込み及び読み出しの要求、及び前記key−valueストア方式に基づく要求を受け付けるインターフェースと、
データを記憶する第1のメモリブロックと、
前記key−value型データを含むメタデータテーブルを格納する第2のメモリブロックと、
前記keyの入力に対して、前記key−value型データが記憶された第1のアドレスを取得するアドレス取得部と、
前記第1のメモリブロックに対する、アドレス指定による前記書き込み及び読み出しの要求を実行すると共に、前記アドレス取得部により取得された前記第1のアドレスを前記第2のメモリブロックに出力し、前記key−valueストア方式に基づく要求を実行するコントローラとを具備し、
前記コントローラは、前記keyに対応する前記valueを前記インターフェースを介して出力することを特徴とするメモリシステム。 - keyと前記keyに対応するvalueの組であるkey−value型データを含むkey−valueストア方式を備えたメモリシステムにおいて、
データの書き込み及び読み出しの要求、及び前記key−valueストア方式に基づく要求を受け付けるインターフェースと、
データを記憶する第1のメモリブロックと、
前記key−value型データを含むメタデータテーブルを格納する第2のメモリブロックと、
前記第1のメモリブロックに対する、アドレス指定による前記書き込み及び読み出しの要求を実行すると共に、前記keyによりアドレス取得部から取得した第1のアドレスを前記第2のメモリブロックに出力し、前記key−valueストア方式に基づく要求を実行するコントローラとを具備し、
前記コントローラは、前記keyに対応する前記valueを前記インターフェースを介して出力することを特徴とするメモリシステム。 - keyと前記keyに対応するvalueの組であるkey−value型データを含むkey−valueストア方式を備えたメモリシステムにおいて、
データを記憶するデータ領域と、前記key−value型データを含むメタデータテーブルとを格納する第1のメモリブロックと、
前記keyの入力に対して、前記key−value型データが記憶された第1のアドレスを取得するアドレス取得部と、
前記メモリシステムに接続された外部システムからデータの書き込み及び読み出しの要求及び前記key−valueストア方式に基づく要求を受け付け、前記第1のメモリブロックに対する、アドレス指定による前記書き込み及び読み出しの要求を実行すると共に、前記アドレス取得部により取得された前記第1のアドレスを前記第1のメモリブロックに出力し、前記key−valueストア方式に基づく要求を実行するコントローラとを具備し、
前記コントローラは、前記keyに対応する前記valueを前記外部システムに出力することを特徴とするメモリシステム。 - keyと前記keyに対応するvalueの組であるkey−value型データを含むkey−valueストア方式を備えたメモリシステムにおいて、
データを記憶すると共に、前記keyの入力に基づいて、論理アドレスを物理アドレスに変換するメタデータテーブルを有するNANDフラッシュメモリと、
前記NANDフラッシュメモリに対して前記メタデータテーブルに基づいて書き込み及び読み出しを実行するコントローラと、
を具備することを特徴とするメモリシステム。
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