JP5514702B2 - Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device - Google Patents
Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device Download PDFInfo
- Publication number
- JP5514702B2 JP5514702B2 JP2010265168A JP2010265168A JP5514702B2 JP 5514702 B2 JP5514702 B2 JP 5514702B2 JP 2010265168 A JP2010265168 A JP 2010265168A JP 2010265168 A JP2010265168 A JP 2010265168A JP 5514702 B2 JP5514702 B2 JP 5514702B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- thermoplastic resin
- substrate
- emitting element
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Description
本発明は、プリント配線板、特にLED等の発光素子を搭載した基板の表面を保護する導体回路保護用のカバーレイフィルム、該カバーレイフィルムを積層してなる発光素子搭載用基板及び光源装置に関し、より詳細には、高反射率を有し、高温熱負荷環境下や、耐光性試験環境下においても、反射率低下が抑制されたカバーレイフィルム等に関する。 The present invention relates to a printed circuit board, in particular, a coverlay film for protecting a conductor circuit that protects the surface of a substrate on which a light emitting element such as an LED is mounted, a light emitting element mounting substrate formed by laminating the coverlay film, and a light source device. More specifically, the present invention relates to a cover lay film or the like that has a high reflectivity and suppresses a decrease in reflectivity even under a high-temperature heat load environment or a light resistance test environment.
プリント配線基板のパターン上に直接素子を実装し、樹脂封止されたチップタイプLEDは小型化、薄型化に有利なことから、携帯電話のテンキー照明や、小型液晶ディスプレーのバックライトなど電子機器に幅広く使用されてきた。 Since chip-type LEDs that are mounted directly on the printed circuit board pattern and are resin-sealed are advantageous for miniaturization and thinning, they can be used in electronic devices such as numeric keypad lighting for mobile phones and backlights for small liquid crystal displays. Widely used.
近年、LEDの高輝度化技術の向上が著しく、LEDはより高輝度化しているが、それに伴いLED素子自体の発熱量も増大し、プリント配線基板等周辺にかかる熱負荷も増大しており、LED素子周辺温度は100℃超になる場合もあるのが現状である。またLED搭載基板の製造工程において、封止樹脂の熱硬化処理や、鉛(Pb)フリー半田の採用が進み、リフロー工程においても、260〜300℃程度の温度がかかる場合があり、高温の熱環境下にさらされる。そういった熱負荷の環境下では、従来使用されてきた白色の光硬化性、熱硬化性のソルダーレジストを被覆形成してなり、熱硬化系樹脂組成物からなる白色のプリント配線基板では、ソルダーレジストやプリント配線板が黄変するなど白色度が低下し、反射効率が劣る傾向が見られ、今後の次世代高輝度LED搭載向け基板としては、依然改良の余地があった。また白色のソルダーレジストを被覆形成してなる白色のプリント配線板を搭載した製品は、今後長期の信頼性が求められており、UV環境下においても同様に、黄変するなど白色度が低下し、反射率が劣る傾向が見られていた。それに対し、セラミック基板については、耐熱性の点では優れているものの、硬く脆い性質から大面積、薄型化には限界があり、今後の一般照明用途や、ディスプレー用途用の基板としては対応が困難になる可能性があり、高温熱負荷下で、変色しない、反射率の低下しない、大面積化に対応可能な、耐熱性を有するカバーレイフィルム及びカバーレイフィルムを積層してなるプリント配線板の開発が求められていた。 In recent years, the improvement in the technology for increasing the brightness of LEDs has been remarkably improved, and the LEDs have become more bright, but along with this, the amount of heat generated by the LED elements themselves has increased, and the thermal load on the periphery of the printed circuit board has increased, The LED element ambient temperature is sometimes over 100 ° C. Moreover, in the manufacturing process of the LED mounting substrate, the thermosetting treatment of the sealing resin and the use of lead (Pb) -free solder have progressed, and the reflow process may take a temperature of about 260 to 300 ° C. Exposed to the environment. Under such a heat load environment, a conventional white photo-curing and thermosetting solder resist is coated to form a white printed wiring board made of a thermosetting resin composition. There is a tendency for the whiteness to decrease and the reflection efficiency to be inferior, such as yellowing of the printed wiring board, and there is still room for improvement as a substrate for mounting next-generation high-brightness LEDs. In addition, products equipped with a white printed wiring board that is coated with a white solder resist are expected to have long-term reliability in the future. There was a tendency for the reflectance to be inferior. On the other hand, ceramic substrates are superior in terms of heat resistance, but due to their hard and brittle nature, there is a limit to reducing the area and thickness, making it difficult to handle as a substrate for future general lighting and display applications. Of a heat-resistant coverlay film and a printed wiring board formed by laminating a coverlay film that does not discolor under high-temperature heat load, does not deteriorate reflectance, and can handle a large area Development was required.
また、プリント配線板の表面には、精密に設計された導体回路等が印刷の手法で形成されており、導体回路の絶縁、防錆、傷付きの防止といった保護のためにカバーレイフィルムが被覆されている。例えば、特許文献1には、結晶融解ピーク温度260℃以上のポリアリールケトン樹脂65〜35重量%と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂35〜65重量%とを含有する樹脂組成物からなり、該組成物の結晶性を適当に進行させたカバーレイフィルムについて開示されている。 In addition, printed circuit boards are formed with precisely designed conductor circuits, etc., using a printing method, and covered with a coverlay film to protect conductor circuits such as insulation, rust prevention, and scratch protection. Has been. For example, Patent Document 1 includes a resin composition containing 65 to 35% by weight of a polyaryl ketone resin having a crystal melting peak temperature of 260 ° C. or higher and 35 to 65% by weight of an amorphous polyetherimide resin, A coverlay film in which the crystallinity of the composition is appropriately advanced is disclosed.
1つ又は複数のLED等の発光素子を実装させたプリント配線基板は、導体回路が形成されるため、導体回路の保護が必要となる。上記特許文献1には、熱可塑性樹脂組成物の結晶性を利用して、260℃以下の低温に加熱した際にプリント配線板の表面との接着に適した特性を示して比較的短時間で接着可能であり、しかも熱融着後には260℃に耐える耐熱性を示すカバーレイフィルムについて開示されているが、特にLEDが実装されたプリント配線基板に積層するためには、特許文献1に記載のような反射率を考慮していないカバーレイフィルムをそのまま使用することはできない。 Since a printed circuit board on which a light emitting element such as one or a plurality of LEDs is mounted has a conductor circuit, the conductor circuit needs to be protected. The above-mentioned Patent Document 1 shows characteristics suitable for adhesion to the surface of a printed wiring board when heated to a low temperature of 260 ° C. or lower by utilizing the crystallinity of the thermoplastic resin composition, and in a relatively short time. A cover lay film that can be bonded and exhibits heat resistance that can withstand 260 ° C. after heat fusion is disclosed. In particular, in order to laminate on a printed wiring board on which an LED is mounted, it is described in Patent Document 1. A coverlay film that does not take into account the reflectance cannot be used as it is.
そこで、本発明の課題は、可視光領域において反射率が高く、耐熱性が高く、高温熱負荷環境下における反射率の低下が少ない、大面積化に対応可能な、特にLED実装用プリント配線基板に使用可能なカバーレイフィルム、該カバーレイフィルムを積層してなる発光素子搭載用基板及び光源装置を提供することである。 Therefore, the problem of the present invention is that the printed wiring board for LED mounting, which has a high reflectance in the visible light region, has high heat resistance, has a small decrease in reflectance under a high-temperature heat load environment, and can cope with a large area. And a light source device mounting substrate and a light source device obtained by laminating the coverlay film.
上記反射率の問題点をさらに改良すべく、鋭意検討した結果、熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)とポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有する樹脂層(B)とを備えてなり、波長400〜800nmにおける平均反射率が80%以上であって、かつ260℃で10分間熱処理した後の波長470nmにおける反射率の低下率が5%以下であるプリント配線板の導体回路保護用のカバーレイフィルムが、上記課題を解決することを見出し、本発明を完成させるに至った。 As a result of intensive studies to further improve the problem of reflectance, a resin layer (A) containing a thermoplastic resin and a resin layer (B) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler are provided. Cover for protecting a conductive circuit of a printed wiring board having an average reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm of 80% or more and a reduction rate of the reflectance at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 260 ° C. for 10 minutes being 5% or less The lay film has been found to solve the above problems, and has completed the present invention.
すなわち第1の本発明は、熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)とポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有する樹脂層(B)とを備えてなり、波長400〜800nmにおける平均反射率が80%以上であって、かつ260℃で10分間熱処理した後の波長470nmにおける反射率の低下率が5%以下であるプリント配線板の導体回路保護用のカバーレイフィルムである。 That is, the first present invention comprises a resin layer (A) containing a thermoplastic resin and a resin layer (B) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler, and has an average reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm. It is a coverlay film for protecting a conductor circuit of a printed wiring board, which is 80% or more and has a reflectance reduction rate of 5% or less at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 260 ° C. for 10 minutes.
第1の本発明において、前記熱可塑性樹脂は、結晶融解ピーク温度が260以上の結晶性熱可塑性樹脂、ガラス転移温度が260℃以上の非晶性熱可塑性樹脂及び液晶転移温度が260℃以上の液晶ポリマーから選択されるいずれか1種以上であることが好ましい。 In the first aspect of the present invention, the thermoplastic resin includes a crystalline thermoplastic resin having a crystal melting peak temperature of 260 or higher, an amorphous thermoplastic resin having a glass transition temperature of 260 ° C. or higher, and a liquid crystal transition temperature of 260 ° C. or higher. Any one or more selected from liquid crystal polymers is preferable.
また第1の本発明において、前記樹脂層(B)は、放射線により硬化してなることが好ましい。 In the first aspect of the present invention, the resin layer (B) is preferably cured by radiation.
また第1の本発明において、前記無機充填材は、少なくとも酸化チタンを含有することが好ましい。 In the first aspect of the present invention, the inorganic filler preferably contains at least titanium oxide.
さらに第1の本発明において、前記熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)のMD及びTDの線膨張係数の平均値は、35×10−6/℃以下であることが好ましい。 Furthermore, in the first aspect of the present invention, the average value of the linear expansion coefficients of MD and TD of the resin layer (A) containing the thermoplastic resin is preferably 35 × 10 −6 / ° C. or less.
また第1の本発明において、フィルムの厚みは、3〜500μmであることが好ましい。 In the first invention, the thickness of the film is preferably 3 to 500 μm.
第1の本発明において、波長350〜400nmにおける平均反射率は、40%以上であることが好ましい。 In the first aspect of the present invention, the average reflectance at a wavelength of 350 to 400 nm is preferably 40% or more.
第2の本発明は、少なくとも1つ以上の発光素子を搭載する基板上に、熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)とポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有する樹脂層(B)とを有する保護層を形成してなり、該保護層は、波長400〜800nmにおける平均反射率が80%以上であり、かつ260℃で10分間熱処理した後の波長470nmにおける反射率の低下率が5%以下であることを特徴とする発光素子搭載用基板である。 According to a second aspect of the present invention, a resin layer (A) containing a thermoplastic resin and a resin layer (B) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler are provided on a substrate on which at least one light emitting element is mounted. The protective layer has an average reflectance of 80% or more at a wavelength of 400 to 800 nm, and a reduction rate of the reflectance at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 260 ° C. for 10 minutes is 5%. The light-emitting element mounting substrate is characterized by the following.
第3の本発明は、第2の本発明である発光素子搭載用基板に導体回路を形成して、該基板と該基板に搭載された発光素子とを導通させ、該発光素子を樹脂封止してなることを特徴とする光源装置である。 In the third aspect of the present invention, a conductor circuit is formed on the light emitting element mounting substrate according to the second aspect of the present invention, the substrate and the light emitting element mounted on the substrate are electrically connected, and the light emitting element is sealed with resin. It is the light source device characterized by being formed.
本発明によると、可視光領域において反射率が高く、耐熱性が高く、寸法安定性に優れ、また高温熱負荷環境下や、耐光性試験環境下における反射率の低下が少ないプリント配線基板の導体回路保護用のカバーレイフィルム、導体回路保護層が形成された発光素子搭載用基板及び光源装置を提供することができ、これらはその特性から、特に発光素子搭載基板の導体回路保護用に好適に使用可能なものである。 According to the present invention, the conductor of a printed wiring board has high reflectivity in the visible light region, high heat resistance, excellent dimensional stability, and low decrease in reflectivity under high temperature heat load environment and light resistance test environment. A cover-lay film for circuit protection, a light-emitting element mounting substrate on which a conductor circuit protection layer is formed, and a light source device can be provided. These characteristics are particularly suitable for protecting a conductor circuit of a light-emitting element mounting substrate. It can be used.
以下、本発明の実施形態について説明するが、本発明の範囲がこの実施形態に限定されるものではない。 Hereinafter, although embodiment of this invention is described, the scope of the present invention is not limited to this embodiment.
<カバーレイフィルム>
第1の本発明であるカバーレイフィルムとしては、熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)とポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有する樹脂層(B)とを備えてなり、波長400〜800nmにおける平均反射率が80%以上であって、かつ260℃で10分間熱処理した後の波長470nmにおける反射率の低下率が5%以下のものであれば、特に制限されるものではなく、熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)に、ポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有する樹脂層(B)を積層させた構成を備えることで、極めて高い反射特性を有することができる。
<Coverlay film>
The coverlay film according to the first aspect of the present invention includes a resin layer (A) containing a thermoplastic resin and a resin layer (B) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler, and has a wavelength of 400 to 800 nm. As long as the average reflectance at 80 nm is 80% or more and the rate of decrease in reflectance at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 260 ° C. for 10 minutes is 5% or less, there is no particular limitation, and thermoplasticity By providing a resin layer (A) containing a resin and a resin layer (B) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler, a very high reflection characteristic can be obtained.
上記のとおり、第1の本発明であるカバーレイフィルムは、波長400〜800nmにおける平均反射率が80%以上であることを必要とするが、これは可視光領域の反射率が高いほど、搭載するLEDの輝度が高くなる傾向があり、上記範囲であれば、LED搭載向け基板のカバーレイフィルムとして好適に利用可能であるからである。また、青色LEDの平均波長(470nm)に対応した470nm付近の反射率が高いほど輝度が高くなる傾向があるため、470nmにおける反射率が80%以上であることがより好ましく、反射率が90%以上であることがより好ましく、特に95%以上であることが好ましい。
また、現在主流の青色LEDを用いた白色光を得る場合には470nm付近の反射率が重要になってくるが、より高演色性の白色光を得るために、紫外(近紫外)LEDと赤、緑、青色の蛍光体を組み合わせたタイプが開発されている。その場合には、カバーレイフィルムにも紫外(近紫外)LEDの発光波長に対応した、350〜400nmの波長の光を反射することと、可視光領域(400〜800nm)の波長の光を反射することが必要になってくる。
したがって、第一の本発明のカバーレイフィルムは、350〜400nmの平均反射率が40%以上であることが好ましく、60%以上であることがより好ましく、80%以上が更に好ましい。
As described above, the cover lay film according to the first aspect of the present invention requires that the average reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm is 80% or more, which is higher as the reflectance in the visible light region is higher. It is because the brightness | luminance of LED to perform tends to become high, and if it is the said range, it can utilize suitably as a coverlay film of the board | substrate for LED mounting. Moreover, since there exists a tendency for a brightness | luminance to become high so that the reflectance of 470 nm vicinity corresponding to the average wavelength (470 nm) of blue LED is high, it is more preferable that the reflectance in 470 nm is 80% or more, and a reflectance is 90%. More preferably, it is more preferably 95% or more.
Also, when obtaining white light using a currently mainstream blue LED, the reflectance near 470 nm is important. In order to obtain white light with higher color rendering properties, an ultraviolet (near ultraviolet) LED and a red LED are used. A combination of green, blue and phosphors has been developed. In that case, the coverlay film also reflects light with a wavelength of 350 to 400 nm corresponding to the emission wavelength of the ultraviolet (near ultraviolet) LED, and reflects light with a wavelength in the visible light region (400 to 800 nm). It becomes necessary to do.
Accordingly, the coverlay film of the first invention preferably has an average reflectance of 350 to 400 nm of 40% or more, more preferably 60% or more, and further preferably 80% or more.
[熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)]
第1の本発明であるカバーレイフィルムは、熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)を備えるものであり、熱可塑性樹脂としては、例えば、以下に示すものを用いることができ、さらに各種無機充填材や添加剤を含有するものであっても良い。
[Resin layer containing thermoplastic resin (A)]
The cover lay film according to the first aspect of the present invention includes a resin layer (A) containing a thermoplastic resin, and examples of the thermoplastic resin include those shown below, and various inorganic materials. It may contain a filler or an additive.
(熱可塑性樹脂)
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルケトン(PEK)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリエーテルサルホン(PES)、ポリフェニレンエーテル(PPE)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリフェニルサルフォン(PPSU)等が挙げられ、これらを1種又は2種以上用いても良い。これらの中でも、耐熱性の理由から、特に結晶融解ピーク温度が260℃以上の結晶性熱可塑性樹脂、ガラス転移温度が260℃以上の非晶性熱可塑性樹脂及び液晶転移温度が260℃以上の液晶ポリマーから選択されるいずれか1種以上を用いることが好ましく、結晶融解ピーク温度(Tm)が260℃以上の結晶性熱可塑性樹脂及びガラス転移温度(Tg)が260℃以上の非晶性熱可塑性樹脂から選択されるいずれか1種以上を用いることがさらに好ましい。上記範囲の熱可塑性樹脂を用いることによって、Pbフリー半田リフローに対する耐熱性を有することが可能である。また、高熱環境下での酸化劣化を防止し、反射率の低下を抑えることが可能である。結晶融解ピーク温度が260℃以上の結晶性熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK:Tg =145℃、Tm=335℃)、ポリエーテルケトン(PEK:Tg=165℃、Tm=355℃)等のポリアリールケトン(PAr)、ポリフェニレンサルファイド(PPS:Tg=100℃、Tm=280℃)等が好適に用いられる。ガラス転移温度が260℃以上の非晶性熱可塑性樹脂としては、ポリアミドイミド(PAI:Tg=280℃)や260℃以上の高Tgを有するポリエーテルイミド(PEI)等が好適に用いられる。
(Thermoplastic resin)
Examples of the thermoplastic resin include polyether ether ketone (PEEK), polyether ketone (PEK), polyphenylene sulfide (PPS), polyether sulfone (PES), polyphenylene ether (PPE), polyamideimide (PAI), Examples include polyetherimide (PEI) and polyphenylsulfone (PPSU), and these may be used alone or in combination. Among these, for reasons of heat resistance, a crystalline thermoplastic resin having a crystal melting peak temperature of 260 ° C. or higher, an amorphous thermoplastic resin having a glass transition temperature of 260 ° C. or higher, and a liquid crystal having a liquid crystal transition temperature of 260 ° C. or higher. It is preferable to use at least one selected from polymers, a crystalline thermoplastic resin having a crystal melting peak temperature (Tm) of 260 ° C. or higher, and an amorphous thermoplastic having a glass transition temperature (Tg) of 260 ° C. or higher. It is more preferable to use at least one selected from resins. By using a thermoplastic resin in the above range, it is possible to have heat resistance against Pb-free solder reflow. In addition, it is possible to prevent oxidative deterioration in a high heat environment and suppress a decrease in reflectance. Crystalline thermoplastic resins having a crystal melting peak temperature of 260 ° C. or higher include polyether ether ketone (PEEK: Tg = 145 ° C., Tm = 335 ° C.), polyether ketone (PEK: Tg = 165 ° C., Tm = 355 ° C.). Polyaryl ketones (PAr), polyphenylene sulfide (PPS: Tg = 100 ° C., Tm = 280 ° C.) and the like are preferably used. As the amorphous thermoplastic resin having a glass transition temperature of 260 ° C. or higher, polyamideimide (PAI: Tg = 280 ° C.), polyetherimide (PEI) having a high Tg of 260 ° C. or higher, and the like are preferably used.
このポリアリールケトン樹脂は、その構造単位に芳香核結合、エーテル結合及びケトン結合を含む熱可塑性樹脂であり、その代表例としては、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン等があり、中でも、ポリエーテルエーテルケトンが好ましい。なお、ポリエーテルエーテルケトンは、「PEEK151G」、「PEEK381G」、「PEEK450G」(いずれもVICTREX社の商品名)等として市販されている。 This polyaryl ketone resin is a thermoplastic resin having an aromatic nucleus bond, an ether bond and a ketone bond in its structural unit, and representative examples thereof include polyether ketone, polyether ether ketone, polyether ketone ketone and the like. Of these, polyetheretherketone is preferred. Polyether ether ketone is commercially available as “PEEK151G”, “PEEK381G”, “PEEK450G” (all are trade names of VICTREX), and the like.
この結晶性熱可塑性樹脂は単一で用いてもよく、複数の結晶性熱可塑性樹脂を混合した混合樹脂組成物を用いてもよい。また、この結晶性熱可塑性樹脂にポリエーテルイミド(PEI)等の非晶性熱可塑性樹脂を混合した混合樹脂組成物を用いてもよい。中でも、結晶融解ピーク温度が260℃以上である結晶性ポリアリールケトン樹脂(A)80〜20重量%と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂(B)20〜80重量%とからなる樹脂組成物を用いることがより好ましい。この樹脂組成物を用いることによって、後述するLEDが搭載された基板(以下、単に「基板」ともいう。)との極めて良好な密着性を確保することが可能となり、積層後はPbフリーの半田耐熱性を有する。 This crystalline thermoplastic resin may be used alone, or a mixed resin composition obtained by mixing a plurality of crystalline thermoplastic resins may be used. Moreover, you may use the mixed resin composition which mixed amorphous thermoplastic resins, such as polyetherimide (PEI), with this crystalline thermoplastic resin. Among them, a resin composition comprising a crystalline polyaryl ketone resin (A) having a crystal melting peak temperature of 260 ° C. or higher and 80 to 20% by weight and an amorphous polyetherimide resin (B) 20 to 80% by weight. More preferably, it is used. By using this resin composition, it becomes possible to ensure extremely good adhesion to a substrate (hereinafter also simply referred to as “substrate”) on which an LED, which will be described later, is mounted. Has heat resistance.
上記ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合割合としては、基板との密着性を考慮すると、ポリアリールケトン樹脂を20質量%以上、80質量%以下含有し、残部を非晶性ポリエーテルイミド樹脂及び不可避不純物とした混合組成物を用いることが好ましい。より好ましくは30質量%以上、75質量%以下、さらに好ましくは、40質量%以上、70質量%以下である。ポリアリールケトン樹脂の含有率の上限を前記範囲内とすることで、カバーレイフィルムを構成する熱可塑性樹脂の結晶性が高くなるのを抑えることができ、基板との密着性の低下を防ぐことができる。また、ポリアリールケトン樹脂の含有率の下限を前記範囲内とすることで、カバーレイフィルムを構成する熱可塑性樹脂組成物の結晶性が低くなるのを抑えることができ、耐熱性の低下を防ぐことができる。 As a mixing ratio of the polyaryl ketone resin and the amorphous polyetherimide resin, considering the adhesion to the substrate, the polyaryl ketone resin is contained in an amount of 20% by mass to 80% by mass, and the balance is amorphous. It is preferable to use a mixed composition containing a polyetherimide resin and inevitable impurities. More preferably, they are 30 mass% or more and 75 mass% or less, More preferably, they are 40 mass% or more and 70 mass% or less. By setting the upper limit of the content of the polyaryl ketone resin within the above range, it is possible to suppress the increase in crystallinity of the thermoplastic resin constituting the coverlay film, and to prevent a decrease in adhesion to the substrate. Can do. Moreover, by setting the lower limit of the content of the polyaryl ketone resin within the above range, it is possible to prevent the crystallinity of the thermoplastic resin composition constituting the cover lay film from being lowered, and to prevent a decrease in heat resistance. be able to.
前記ポリアリールケトン系樹脂(A)は、その構造単位に芳香族核結合、エーテル結合及びケトン結合を含む熱可塑性樹脂である。その具体例としては、ポリエーテルケトン(ガラス転移温度〔以下、「Tg」という〕:157℃、結晶融解ピーク温度〔以下、「Tm」という〕:373℃)、ポリエーテルエーテルケトン(Tg:143℃、Tm:334℃)、ポリエーテルエーテルケトンケトン(Tg:153℃、Tm:370℃)等を挙げることができる。これらの中では、耐熱性向上の観点から、結晶性を示し、Tmが260℃以上、特に300〜380℃のものが好ましい。また、本発明の効果を阻害しない限り、ビフェニル構造、スルホニル基等又はその他の繰り返し単位を含むものであってもよい。 The polyaryl ketone resin (A) is a thermoplastic resin having an aromatic nucleus bond, an ether bond and a ketone bond in its structural unit. Specific examples thereof include polyether ketone (glass transition temperature [hereinafter referred to as “Tg”]: 157 ° C., crystal melting peak temperature (hereinafter referred to as “Tm”]: 373 ° C.), polyether ether ketone (Tg: 143 C, Tm: 334 ° C.), polyether ether ketone ketone (Tg: 153 ° C., Tm: 370 ° C.), and the like. Among these, from the viewpoint of improving the heat resistance, it exhibits crystallinity and preferably has a Tm of 260 ° C. or higher, particularly 300 to 380 ° C. Moreover, as long as the effect of this invention is not inhibited, you may contain a biphenyl structure, a sulfonyl group, etc., or another repeating unit.
前記ポリアリールケトン系樹脂(A)の中でも、下記構造式(1)で表される繰り返し単位を有するポリエーテルエーテルケトンを主成分とするポリアリールケトン系樹脂(A)が特に好ましく用いられる。ここで主成分とは、その含有量が50質量%を超えることを意味する。市販されているポリエーテルエーテルケトンとしては、VICTREX社製の商品名「PEEK151G」(Tg:143℃、Tm:334℃)、「PEEK381G」(Tg:143℃、Tm:334℃)、「PEEK450G」(Tg:143℃、Tm:334℃)等を挙げることができる。なお、ポリアリールケトン系樹脂(A)は、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。
上記非晶性ポリエーテルイミド樹脂(B)としては、具体的に下記構造式(2)又は(3)で表される繰り返し単位を有する非晶性ポリエーテルイミド樹脂が挙げられる。 Specific examples of the amorphous polyetherimide resin (B) include an amorphous polyetherimide resin having a repeating unit represented by the following structural formula (2) or (3).
構造式(2)又は(3)で表される繰り返し単位を有する非晶性ポリエーテルイミド樹脂は、4,4’−[イソプロピリデンビス(p−フェニレンオキシ)]ジフタル酸二無水物とp−フェニレンジアミン又はm−フェニレンジアミンとの重縮合物として、公知の方法により製造することができる。これらの非晶性ポリエーテルイミド樹脂の市販品としては、ゼネラルエレクトリック社製の商品名「Ultem 1000」(Tg:216℃)、「Ultem 1010」(Tg:216℃)又は「Ultem CRS5001」(Tg226℃)等が挙げられ、これらの中でも、前記構造式(2)で表される繰り返し単位を有する非晶性ポリエーテルイミド樹脂が特に好ましい。なお、ポリエーテルイミド樹脂(B)は、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。 The amorphous polyetherimide resin having a repeating unit represented by the structural formula (2) or (3) is composed of 4,4 ′-[isopropylidenebis (p-phenyleneoxy)] diphthalic dianhydride and p- As a polycondensate with phenylenediamine or m-phenylenediamine, it can be produced by a known method. Commercially available products of these amorphous polyetherimide resins include “Ultem 1000” (Tg: 216 ° C.), “Ultem 1010” (Tg: 216 ° C.) or “Ultem CRS 5001” (Tg 226) manufactured by General Electric. Among them, an amorphous polyetherimide resin having a repeating unit represented by the structural formula (2) is particularly preferable. In addition, polyetherimide resin (B) can be used individually or in combination of 2 or more types.
(無機充填材)
上記無機充填材としては、例えば、タルク、マイカ、雲母、ガラスフレーク、窒化ホウ素(BN)、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、シリカ、チタン酸塩(チタン酸カリウム等)、硫酸バリウム、アルミナ、カオリン、クレー、酸化チタン、酸化亜鉛、硫化亜鉛、チタン酸鉛、酸化ジルコン、酸化アンチモン、酸化マグネシウム等が挙げられる。これらは1種類を単独で添加してもよく、2種類以上を組み合わせて添加してもよい。
(Inorganic filler)
Examples of the inorganic filler include talc, mica, mica, glass flake, boron nitride (BN), calcium carbonate, aluminum hydroxide, silica, titanate (potassium titanate, etc.), barium sulfate, alumina, kaolin, Examples include clay, titanium oxide, zinc oxide, zinc sulfide, lead titanate, zircon oxide, antimony oxide, and magnesium oxide. These may be added singly or in combination of two or more.
無機充填材は、熱可塑性樹脂への分散性を向上させるために、無機充填材の表面を、シリコーン系化合物、多価アルコール系化合物、アミン系化合物、脂肪酸、脂肪酸エステル等で表面処理されたものを使用することができる。その中でもシリコーン系化合物(シランカップリング剤)で処理されたものを好適に使用することができる。 Inorganic fillers are those whose surface is treated with silicone compounds, polyhydric alcohol compounds, amine compounds, fatty acids, fatty acid esters, etc. in order to improve dispersibility in thermoplastic resins. Can be used. Among them, those treated with a silicone compound (silane coupling agent) can be preferably used.
(MD及びTDの線膨張係数)
上記熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)は、MD及びTDの線膨張係数の平均値が35×10−6/℃以下であることが好ましい。より好適な線膨張係数の範囲は、使用する基板の種類や、表裏面に形成する回路パターン、積層構成によっても異なるが、概ね10×10−6〜30×10−6/℃程度である。また、MD、TDの線膨張係数差は20×10−6/℃以下であることが好ましく、15×10−6/℃以下であることがより好ましく、さらには10×10−6/℃以下であることが最も好ましい。このように異方性(MD、TDの線膨張係数差)を小さくさせることによって、線膨張係数が大きい方にカールや反りを生じたり、寸法安定性が不十分となったりする問題がない。
(Linear expansion coefficient of MD and TD)
The resin layer (A) containing the thermoplastic resin preferably has an average value of the linear expansion coefficient of MD and TD of 35 × 10 −6 / ° C. or less. A more preferable range of the linear expansion coefficient is about 10 × 10 −6 to 30 × 10 −6 / ° C., although it varies depending on the type of substrate used, the circuit pattern formed on the front and back surfaces, and the laminated configuration. Further, the difference in linear expansion coefficient between MD and TD is preferably 20 × 10 −6 / ° C. or less, more preferably 15 × 10 −6 / ° C. or less, and further 10 × 10 −6 / ° C. or less. Most preferably. By reducing the anisotropy (difference between the linear expansion coefficients of MD and TD) in this way, there is no problem of curling or warping on the larger linear expansion coefficient or insufficient dimensional stability.
基板との積層におけるカールの防止や寸法安定性を考慮して線膨張係数の値を上記範囲内にする具体的方法としては、平均粒径15μm以下、かつ平均アスペクト比(平均粒径/平均厚み)30以上の充填材1を用いる方法を挙げることができ、この充填材1としては、例えば、合成マイカ、天然マイカ(マスコバイト、フロゴパイト、セリサイト、スゾライト等)、焼成された天然又は合成のマイカ、ベーマイト、タルク、イライト、カオリナイト、モンモリロナイト、バーミキュライト、スメクタイト及び板状アルミナ等の無機鱗片状(板状)充填材や、鱗片状チタン酸塩を挙げることができる。これらの充填材1によれば、平面方向と厚み方向の線膨張係数比を低く抑えることができる。 In consideration of prevention of curling in the lamination with the substrate and dimensional stability, a specific method for setting the value of the linear expansion coefficient within the above range is an average particle diameter of 15 μm or less and an average aspect ratio (average particle diameter / average thickness). ) A method using 30 or more fillers 1 can be mentioned. Examples of the filler 1 include synthetic mica, natural mica (mascobite, phlogopite, sericite, szolite, etc.), baked natural or synthetic Examples thereof include inorganic scaly (plate-like) fillers such as mica, boehmite, talc, illite, kaolinite, montmorillonite, vermiculite, smectite, and plate-like alumina, and scaly titanates. According to these fillers 1, the linear expansion coefficient ratio in the plane direction and the thickness direction can be kept low.
前記充填材1の含有量は、熱可塑性樹脂100質量部に対し、10質量部以上であることが好ましく、20質量部以上であることがより好ましく、さらには30質量部以上であることが好ましい。上記範囲とすることで、得られるカバーレイフィルムの線膨張係数を所望の範囲にまで効果的に低下させることが可能である。 The content of the filler 1 is preferably 10 parts by mass or more, more preferably 20 parts by mass or more, and further preferably 30 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin. . By setting it as the said range, it is possible to reduce effectively the linear expansion coefficient of the coverlay film obtained to a desired range.
また、光反射性を考慮した場合には、上記熱可塑性樹脂との屈折率差が大きい無機充填材2を熱可塑性樹脂に含有させることが好ましい。具体的には、屈折率が1.6以上である炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化亜鉛、酸化チタン、チタン酸塩等を用いることが好ましく、特に酸化チタンを用いることが好ましい。 In consideration of light reflectivity, it is preferable that the thermoplastic resin contains the inorganic filler 2 having a large refractive index difference from the thermoplastic resin. Specifically, calcium carbonate, barium sulfate, zinc oxide, titanium oxide, titanate, or the like having a refractive index of 1.6 or more is preferably used, and titanium oxide is particularly preferably used.
前記酸化チタンは、他の無機充填材に比べて、顕著に屈折率が高く、熱可塑性樹脂との屈折率差を大きくすることができるため、他の充填材を使用した場合よりも、少ない配合量で優れた反射性を得ることができる。またフィルムを薄くしても、高い反射性を有するカバーレイフィルムを得ることができる。 The titanium oxide has a significantly higher refractive index than other inorganic fillers, and can increase the difference in refractive index from the thermoplastic resin. Therefore, the titanium oxide is less blended than when other fillers are used. Excellent reflectivity can be obtained in an amount. Even if the film is thinned, a coverlay film having high reflectivity can be obtained.
酸化チタンは、アナターゼ型やルチル型のような結晶型の酸化チタンが好ましく、その中でもベース樹脂との屈折率差が大きくなるといった観点から、ルチル型の酸化チタンが好ましい。 The titanium oxide is preferably a crystalline titanium oxide such as anatase type or rutile type. Among them, a rutile type titanium oxide is preferable from the viewpoint of a large difference in refractive index from the base resin.
また酸化チタンの製造方法は、塩素法と硫酸法があるが、白色度の点からは、塩素法で製造された酸化チタンを使用することが好ましい。 Moreover, although the manufacturing method of a titanium oxide has a chlorine method and a sulfuric acid method, it is preferable to use the titanium oxide manufactured by the chlorine method from the point of whiteness.
酸化チタンは、その表面が不活性無機酸化物で被覆処理されたものが好ましい。酸化チタンの表面を不活性無機酸化物で被覆処理することにより、酸化チタンの光触媒活性を抑制することができ、フィルムが劣化することを防ぐことができる。不活性無機酸化物としては、シリカ、アルミナ及びジルコニアからなる群から選ばれる少なくとも1種類を用いることが好ましい。これらの不活性無機酸化物を用いれば、高い反射性を損なうことなく、高温溶融時に、熱可塑性樹脂の分子量低下や、黄変を抑制することができる。 The titanium oxide is preferably one whose surface is coated with an inert inorganic oxide. By coating the surface of titanium oxide with an inert inorganic oxide, the photocatalytic activity of titanium oxide can be suppressed, and deterioration of the film can be prevented. As the inert inorganic oxide, it is preferable to use at least one selected from the group consisting of silica, alumina, and zirconia. When these inert inorganic oxides are used, a decrease in the molecular weight of the thermoplastic resin and yellowing can be suppressed during high temperature melting without impairing high reflectivity.
また、酸化チタンは、樹脂組成物への分散性を高めるために、その表面がシロキサン化合物、シランカップリング剤等からなる群から選ばれる少なくとも1種類の無機化合物や、ポリオール、ポリエチレングリコール等からなる群から選ばれる少なくとも1種類の有機化合物で表面されたものが好ましい。特に耐熱性の点からは、シランカップリング剤で処理されたものが好ましい。 In addition, in order to improve dispersibility in the resin composition, titanium oxide has at least one inorganic compound selected from the group consisting of siloxane compounds, silane coupling agents, etc., a polyol, polyethylene glycol, and the like. Those surfaced with at least one organic compound selected from the group are preferred. In particular, those treated with a silane coupling agent are preferable from the viewpoint of heat resistance.
酸化チタンの粒径は、0.1〜1.0μmであることが好ましく、より好ましくは0.2〜0.5μmである。酸化チタンの粒径が上記範囲であれば、樹脂組成物への分散性が良好で、それとの界面が緻密に形成され、高い反射性を付与することができる。 The particle size of titanium oxide is preferably 0.1 to 1.0 μm, more preferably 0.2 to 0.5 μm. If the particle size of titanium oxide is in the above range, the dispersibility in the resin composition is good, the interface with it is densely formed, and high reflectivity can be imparted.
酸化チタンの含有量は、熱可塑性樹脂100質量部に対し、10質量部以上であることが好ましく、20質量部以上であることがより好ましく、さらには25質量部以上であることが最も好ましい。上記範囲内とすることで、良好な反射特性を得られ、またフィルムの厚みが薄くなっても良好な反射特性を得ることが可能である。 The content of titanium oxide is preferably 10 parts by mass or more, more preferably 20 parts by mass or more, and most preferably 25 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin. By setting it within the above range, good reflection characteristics can be obtained, and good reflection characteristics can be obtained even when the thickness of the film is reduced.
(ポリオルガノシロキサン)
上記ポリオルガノシロキサンは、下記式(1)に記載のシロキサン骨格を有する物質であり、架橋反応を起こさせることができるものをいう。
(Polyorganosiloxane)
The polyorganosiloxane is a substance having a siloxane skeleton represented by the following formula (1) and capable of causing a crosslinking reaction.
ここで、上記式(1)中「R」はメチル基やエチル基等のアルキル基、ビニル基、フェニル基などの炭化水素基、又はフルオロアルキル基などのハロゲン置換炭化水素基などである。具体的には、式(1)中「R」が全てメチル基であるポリジメチルシロキサンや、ポリジメチルシロキサンのメチル基の一部が上記炭化水素基又は上記ハロゲン置換炭化水素基の一種又は複数種によって置換された各種のポリオルガノシロキサンが挙げられる。この発明で用いるポリオルガノシロキサンとしては、それらのポリジメチルシロキサンや各種のポリアルキルシロキサンを単独、又は二種類以上混合して用いることができる。 Here, “R” in the above formula (1) is an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group, a hydrocarbon group such as a vinyl group or a phenyl group, or a halogen-substituted hydrocarbon group such as a fluoroalkyl group. Specifically, polydimethylsiloxane in which “R” in formula (1) is all methyl groups, or a part of the methyl groups of polydimethylsiloxane is one or more of the above hydrocarbon groups or halogen-substituted hydrocarbon groups. And various polyorganosiloxanes substituted by. As the polyorganosiloxane used in the present invention, those polydimethylsiloxanes and various polyalkylsiloxanes can be used alone or in admixture of two or more.
ポリオルガノシロキサンを含有する樹脂層(B)は、放射線により架橋が進むものであることが好ましい。放射線による架橋は、熱が加わらない方法であり本構成に好適である。
通常行われている熱架橋による硬化は、例えば100〜200℃で数十分加熱し一次硬化させ、その後200〜300℃で数時間加熱し二次硬化が必要であるため、熱可塑製樹脂を含有する樹脂層(A)(単に熱可塑性樹脂層と称する。)との積層体を作製する際、線膨張係数差により、熱可塑性樹脂層とポリオルガノシロキサンからなる層が剥れたり、接着強度が得られなかったり、熱可塑性樹脂層にシワが入るなどして、LED実装用プリント配線板として用いる際に不具合が生じる可能性がある。また熱可塑性樹脂層として、高耐熱性の結晶性樹脂を用いた場合、ポリオルガノシロキサンを熱硬化させると、硬化温度によっては、結晶化が進行してしまい、積層性が低下する懸念がある。
The resin layer (B) containing polyorganosiloxane is preferably one that undergoes crosslinking by radiation. Cross-linking by radiation is a method in which heat is not applied and is suitable for this configuration.
Usually, curing by thermal crosslinking is performed by heating for several tens of minutes at, for example, 100 to 200 ° C., followed by heating at 200 to 300 ° C. for several hours and secondary curing is required. When a laminate with the resin layer (A) contained (simply referred to as a thermoplastic resin layer) is produced, the thermoplastic resin layer and the polyorganosiloxane layer may be peeled off due to the difference in linear expansion coefficient, or the adhesive strength May not be obtained, or wrinkles may enter the thermoplastic resin layer, which may cause problems when used as a printed wiring board for LED mounting. Further, when a highly heat-resistant crystalline resin is used as the thermoplastic resin layer, when polyorganosiloxane is thermally cured, crystallization proceeds depending on the curing temperature, and there is a concern that stackability may be reduced.
放射線は電子線、X線、γ線が利用できる。これらの放射線は工業的にも広く利用されているものであり、容易に利用可能であり、エネルギー効率の良い方法である。これらの中でも、吸収損失がほとんどなく透過性が高いγ線を利用することが好ましい。 The radiation can be an electron beam, X-ray, or γ-ray. These radiations are widely used industrially, can be easily used, and are energy efficient. Among these, it is preferable to use γ rays having almost no absorption loss and high permeability.
上記の未架橋状態の樹脂層(B)に、γ線を照射することによって、架橋反応を起こさせることができる。γ線の照射で架橋反応を進行させることができるので、架橋剤を使わないで架橋反応を起こすことが出来る。これにより、架橋剤を用いて架橋した際に見られる架橋剤による色変化を避けることができ、また架橋剤の反応による副生成物の残留も防ぐことができるので、耐熱性、耐光性に優れた樹脂層(B)を得ることが可能である。 A crosslinking reaction can be caused by irradiating the uncrosslinked resin layer (B) with γ rays. Since the crosslinking reaction can be advanced by irradiation with γ rays, the crosslinking reaction can be caused without using a crosslinking agent. As a result, it is possible to avoid the color change due to the crosslinking agent seen when crosslinking is performed using the crosslinking agent, and it is also possible to prevent residual by-products due to the reaction of the crosslinking agent, so it has excellent heat resistance and light resistance. It is possible to obtain a resin layer (B).
γ線の照射線量としては、線源の種類にもよるが、一般に10kGyから150kGyであることが好ましい。更に好ましくは、20kGyから100kGyであり、特に好ましくは30kGyから60kGyである。 The irradiation dose of γ rays is generally preferably 10 kGy to 150 kGy, although it depends on the type of radiation source. More preferably, it is 20 kGy to 100 kGy, and particularly preferably 30 kGy to 60 kGy.
また、この照射線量の選定には、ポリオルガノシロキサンの架橋密度の他、熱可塑性樹脂層、工程フィルムとして使用するプラスチックフィルムの耐放射線性も考慮に入れることが好ましい。この点、結晶性ポリエステル系樹脂は、一般に放射線に対する耐性に優れ、本発明の工程フィルムに適合した基材である。 In addition, in selecting the irradiation dose, it is preferable to take into consideration the radiation resistance of the plastic film used as the thermoplastic resin layer and the process film in addition to the crosslinking density of the polyorganosiloxane. In this respect, the crystalline polyester resin is generally a substrate excellent in resistance to radiation and suitable for the process film of the present invention.
(ポリオルガノシロキサンに含有される無機充填材)
ポリオルガノシロキサンに含有される無機充填材としては、上述した熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)と同様の無機充填材を挙げることができ、中でも上述した酸化チタンを用いることが好ましい。酸化チタンを用いることによって、高い反射率を有するカバーレイフィルムを得ることが可能となる。
また白色光を得るためには、現在主流である青色LEDと黄色蛍光体の他に、紫外LEDと赤、青、緑の蛍光体の組み合わせがあるが、紫外領域での反射が必要な場合は、アルミナ、硫酸バリウム、チタン酸塩等、紫外光の吸収が少ない無機充填材を1種以上使用することが好ましい。
(Inorganic filler contained in polyorganosiloxane)
Examples of the inorganic filler contained in the polyorganosiloxane include the same inorganic filler as that of the resin layer (A) containing the thermoplastic resin described above. Among these, the above-described titanium oxide is preferably used. By using titanium oxide, it is possible to obtain a coverlay film having a high reflectance.
Also, in order to obtain white light, in addition to the current mainstream blue LED and yellow phosphor, there is a combination of ultraviolet LED and red, blue and green phosphors, but when reflection in the ultraviolet region is required It is preferable to use one or more inorganic fillers that absorb less ultraviolet light, such as alumina, barium sulfate, and titanate.
酸化チタン又は紫外光の吸収が少ない無機充填材の含有量は、ポリオルガノシロキサン100質量部に対し、10質量部以上250質量部以下であることが好ましく、20質量部以上150質量部以下であることがより好ましく、さらには30質量部以上75質量部以下であることが最も好ましい。上記範囲内とすることで、良好な反射特性を得られ、またフィルムの厚みが薄くなっても良好な反射特性を得ることが可能である。 The content of the titanium oxide or the inorganic filler that absorbs less ultraviolet light is preferably 10 parts by mass or more and 250 parts by mass or less, and 20 parts by mass or more and 150 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyorganosiloxane. More preferably, it is most preferably 30 parts by mass or more and 75 parts by mass or less. By setting it within the above range, good reflection characteristics can be obtained, and good reflection characteristics can be obtained even when the thickness of the film is reduced.
(添加剤等)
上記熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)やポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有する樹脂層(B)の構成成分には、その性質を損なわない程度に、他の樹脂や無機充填材以外の各種添加剤、例えば、熱安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、核剤、着色剤、滑剤、難燃剤等を適宜配合しても良い。また前記樹脂層(A)や前記樹脂層(B)を構成する樹脂組成物の調製方法としては、特に制限されるものではなく、公知の方法を用いることができる。
例えば、(a)各種添加剤を熱可塑性樹脂又はポリオルガノシロキサンなどの適当なベース樹脂に高濃度(代表的な含有量としては10〜60重量%)に混合したマスターバッチを別途作製しておき、これを使用する樹脂に濃度を調整して混合し、ニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法、(b)使用する樹脂に直接各種添加剤をニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法などが挙げられる。上記混合方法の中では、(a)のマスターバッチを作製し、混合する方法が分散性や作業性の点から好ましい。
(Additives, etc.)
The constituent components of the resin layer (A) containing the thermoplastic resin and the resin layer (B) containing the polyorganosiloxane and the inorganic filler are other than other resins and inorganic fillers to the extent that their properties are not impaired. These additives, for example, heat stabilizers, ultraviolet absorbers, light stabilizers, nucleating agents, colorants, lubricants, flame retardants and the like may be appropriately blended. Moreover, it does not restrict | limit especially as a preparation method of the resin composition which comprises the said resin layer (A) and the said resin layer (B), A well-known method can be used.
For example, (a) separately preparing a master batch in which various additives are mixed in a suitable base resin such as a thermoplastic resin or polyorganosiloxane at a high concentration (typically 10 to 60% by weight). , Adjusting the concentration to the resin to be used, mixing and mechanically blending using a kneader or extruder, etc., (b) using a kneader or extruder directly adding various additives to the resin to be used. The method of blending mechanically is mentioned. Among the above mixing methods, the method of preparing and mixing the master batch (a) is preferable from the viewpoint of dispersibility and workability.
(反射率の低下率)
第1の本発明であるカバーレイフィルムは、260℃で10分間熱処理した後の波長470nmにおける反射率の低下率が5%以下であることを必要とする。
(Reduction rate of reflectivity)
The coverlay film according to the first aspect of the present invention requires that the reflectance decrease rate at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 260 ° C. for 10 minutes is 5% or less.
上記条件の根拠について以下に記載する。LED搭載基板を製造する際に、導電接着剤やエポキシ、シリコーン樹脂等の封止剤の熱硬化工程(100〜200℃、数時間)、半田付け工程(Pbフリー半田リフロー、ピーク温度260℃、数分間)やワイヤボンディング工程等、高熱負荷がかかる状況にある。また実際の使用環境下においても、高輝度LEDの開発が進み、基板への熱負荷は高まる傾向にあり、LED素子周辺温度は100℃超になる場合もある。今後このような高熱負荷環境下においても、変色することなく、高い反射率を維持することが重要になってきている。また波長470nmは青色LEDの平均波長である。 The grounds for the above conditions are described below. When manufacturing an LED mounting substrate, a thermosetting process (100 to 200 ° C., several hours) of a sealing agent such as a conductive adhesive, epoxy, or silicone resin, a soldering process (Pb-free solder reflow, peak temperature 260 ° C., (Several minutes) and wire bonding process, and so on. Further, even in an actual use environment, development of high-brightness LEDs has progressed, the thermal load on the substrate tends to increase, and the LED element ambient temperature may exceed 100 ° C. in some cases. In the future, it will be important to maintain a high reflectance without discoloration even under such a high heat load environment. The wavelength 470 nm is the average wavelength of the blue LED.
したがって、上記条件下(260℃、10分間後)での波長470nmにおける反射率の低下率が5%以下であれば、製造工程での反射率の低下を抑制することが可能であり、また実際の使用時の反射率の低下を抑制することが可能であるため、LED搭載基板に好適に使用できる。より好ましくは4%以下であり、さらに好ましくは3%以下であり、特に好ましくは2%以下である。 Therefore, if the rate of decrease in reflectivity at a wavelength of 470 nm under the above conditions (at 260 ° C. for 10 minutes) is 5% or less, it is possible to suppress the decrease in reflectivity in the manufacturing process. Since it is possible to suppress a decrease in reflectance during use, it can be suitably used for an LED mounting substrate. More preferably, it is 4% or less, more preferably 3% or less, and particularly preferably 2% or less.
(カバーレイフィルムの厚み)
第1の本発明であるカバーレイフィルムの厚みは、3〜500μmであることが好ましい。より好ましくは、10〜300μmであり、さらには20〜150μmである。かかる範囲であれば、薄型が要求される携帯電話用バックライトや、液晶ディスプレー用バックライト用の面光源として使用されるチップLED搭載基板の導体回路保護用カバーレイフィルムとして好適に使用することができる。
(Thickness of coverlay film)
The coverlay film according to the first aspect of the present invention preferably has a thickness of 3 to 500 μm. More preferably, it is 10-300 micrometers, Furthermore, it is 20-150 micrometers. Within such a range, it can be suitably used as a coverlay film for protecting a conductor circuit of a chip LED mounting substrate used as a surface light source for a mobile phone backlight or a liquid crystal display backlight that is required to be thin. it can.
(カバーレイフィルムの製膜方法)
第1の本発明であるカバーレイフィルムの製膜方法としては、公知の製膜方法を挙げることができ、例えば、熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)を、Tダイを用いる押出キャスト法やカレンダー法等で成形し、これにポリオルガノシロキサンと無機フィラーとを攪拌機で攪拌させてなるコンパウンド原料をコーティングして、ポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有する樹脂層(B)を積層させる方法などを挙げることができる。Tダイを用いる押出キャスト法での成形温度は、組成物の流動特性や製膜性等によって適宜調整されるが、概ね融点以上、430℃以下である。また、結晶性樹脂を使用した場合、耐熱性を付与するための結晶化処理方法は、特に限定されるものではないが、例えば、押出キャスト時に結晶化させる方法(キャスト結晶化法)や製膜ライン内で、熱処理ロールや熱風炉等により結晶化させる方法(インライン結晶化法)及び製膜ライン外で、熱風炉や熱プレス等により結晶化させる方法(アウトライン結晶化法)などを挙げることができる。
(Coverlay film forming method)
Examples of the film forming method of the cover lay film according to the first aspect of the present invention include known film forming methods. For example, the resin layer (A) containing a thermoplastic resin is extruded using a T-die. A method of forming a resin layer (B) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler by coating with a compound raw material, which is molded by a calender method or the like, and a polyorganosiloxane and an inorganic filler are stirred with a stirrer. And so on. The molding temperature in the extrusion casting method using a T-die is appropriately adjusted depending on the flow characteristics and film forming properties of the composition, but is generally about the melting point or higher and 430 ° C. or lower. In addition, when a crystalline resin is used, a crystallization treatment method for imparting heat resistance is not particularly limited. For example, a method of crystallization at the time of extrusion casting (cast crystallization method) or film formation In-line crystallization using a heat treatment roll or hot-air furnace (in-line crystallization method), and out-of-film crystallization method using a hot-air furnace or hot press (outline crystallization method). it can.
(積層構成)
第1の本発明であるカバーレイフィルムは、少なくとも、熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)と、ポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有する樹脂層(B)とを備えるものであれば良く、(A)層と(B)層との間や(B)層と基板との間に、接着剤層等の他の層が介在してもよい。ポリオルガノシロキサンとの接着性を向上させるために、(A)層の表面をコロナ処理、UV処理、プラズマ処理等をしてもよい。シランカップリング剤やプライマー処理を行ってもよい。
(Laminated structure)
The coverlay film according to the first aspect of the present invention only needs to have at least a resin layer (A) containing a thermoplastic resin and a resin layer (B) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler. Other layers such as an adhesive layer may be interposed between the (A) layer and the (B) layer or between the (B) layer and the substrate. In order to improve the adhesion to the polyorganosiloxane, the surface of the layer (A) may be subjected to corona treatment, UV treatment, plasma treatment or the like. A silane coupling agent or primer treatment may be performed.
<発光素子搭載用基板>
第2の本発明である発光素子搭載用基板としては、少なくとも1つ以上の発光素子を搭載する基板上に、熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)とポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有する樹脂層(B)とを有する保護層を形成してなり、該保護層は、波長400〜800nmにおける平均反射率が80%以上であって、かつ260℃で10分間熱処理した後の波長470nmにおける反射率の低下率が5%以下のものであれば、特に制限されるものではなく、該発光素子を搭載する基板としては、例えば、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂からなる基板の少なくとも片面に金属層を積層させた金属積層体に所定の導体パターンを形成後、発光素子を搭載させた各種配線基板を利用することができる。このような発光素子を搭載する公知の基板上に、特定の物性を備えた、熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)とポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有する樹脂(B)とを有する保護層を形成させれば、導体回路を保護することが可能となり、該保護層は、高い反射率を有することからリフレクターとしての機能をも発揮し、該基板の反射率の向上に寄与することも可能となる。
<Light emitting element mounting substrate>
The light emitting element mounting substrate according to the second aspect of the present invention includes a resin layer (A) containing a thermoplastic resin, a polyorganosiloxane, and an inorganic filler on a substrate on which at least one light emitting element is mounted. The protective layer has a resin layer (B) to be formed, and the protective layer has an average reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm of 80% or more and a wavelength of 470 nm after heat treatment at 260 ° C. for 10 minutes. There is no particular limitation as long as the reflectance reduction rate is 5% or less, and the substrate on which the light-emitting element is mounted includes, for example, at least one surface of a substrate made of a thermosetting resin or a thermoplastic resin. Various wiring boards on which a light emitting element is mounted can be used after a predetermined conductor pattern is formed on a metal laminate in which a metal layer is laminated. On a known substrate on which such a light emitting element is mounted, a resin layer (A) containing a thermoplastic resin and a resin (B) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler having specific physical properties is provided. If a protective layer is formed, it becomes possible to protect the conductor circuit. Since the protective layer has a high reflectance, it also functions as a reflector and contributes to an improvement in the reflectance of the substrate. Is also possible.
(金属層)
上記金属層としては、例えば、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル、錫等からなる、厚さ5〜70μm程度の金属箔を使用することができる。これらの中でも、金属箔としては、通常銅箔が使用され、さらに表面を黒色酸化処理等の化成処理を施したものが好適に使用される。導体箔は、接着効果を高めるために、フィルムとの接触面(重ねる面)側を予め化学的又は機械的に粗化したものを用いることが好ましい。表面粗化処理された導体箔の具体例としては、電解銅箔を製造する際に電気化学的に処理された粗化銅箔などが挙げられる。また上記金属箔の積層方法については、接着層を介することのない熱融着方法として、加熱、加圧による方法であれば公知の方法を採用することができ、例えば、熱プレス法や熱ラミネートロール法、押出した樹脂にキャストロールで積層する押出ラミネート法又はこれらを組み合わせた方法を好適に採用することができる。
(Metal layer)
As the metal layer, for example, a metal foil having a thickness of about 5 to 70 μm made of copper, gold, silver, aluminum, nickel, tin or the like can be used. Among these, as the metal foil, a copper foil is usually used, and a metal foil having a surface subjected to chemical conversion treatment such as black oxidation treatment is preferably used. In order to enhance the adhesive effect, it is preferable to use a conductor foil that has been chemically or mechanically roughened in advance on the contact surface (surface to be overlapped) side with the film. Specific examples of the conductor foil that has been subjected to surface roughening treatment include a roughened copper foil that has been electrochemically treated when an electrolytic copper foil is produced. As for the method of laminating the metal foil, a known method can be adopted as a heat fusion method without using an adhesive layer as long as it is a method using heating and pressurization. A roll method, an extrusion laminating method in which the cast resin is laminated with a cast roll, or a method combining these can be suitably employed.
また発光素子を搭載する基板として、より放熱性が要求される場合には、銅板、アルミ板等の金属材料、窒化アルミなどのセラミック又は黒鉛板等の熱伝導率の高い材料と複合化することにより放熱性を向上させることも可能である。例えば、アルミ板との複合基板の構成としては、アルミ板全面に、上記のような金属積層体を積層する場合や、該金属積層体にキャビティー(凹部)構造用の窓枠を抜き、積層する場合が挙げられる。使用するアルミについては、樹脂との密着性を考慮すると粗化されていることが望ましいが、キャビティー構造を考慮した場合には、LEDからの光を効率よく反射させるために、高反射アルミを用いることが好ましい。高反射アルミとしては、表面を研磨したもの、アルマイト処理したもの、また、チタン、シリカ等の無機酸化物、銀等の金属を蒸着することにより、増反射膜処理をしたものが挙げられ、波長400〜800nmの平均反射率が80%以上であることが好ましく、更に90%以上であることが好ましく、特に95%以上である高反射アルミを用いることが好ましい。 Also, if more heat dissipation is required for the substrate on which the light-emitting element is mounted, it must be combined with a metal material such as a copper plate or an aluminum plate, a ceramic such as aluminum nitride, or a material with high thermal conductivity such as a graphite plate. It is also possible to improve heat dissipation. For example, as a composite substrate structure with an aluminum plate, the above-mentioned metal laminate is laminated on the entire surface of the aluminum plate, or a window frame for a cavity (recess) structure is removed from the metal laminate and laminated. If you want to. The aluminum to be used is preferably roughened in consideration of the adhesion to the resin, but when considering the cavity structure, in order to efficiently reflect the light from the LED, highly reflective aluminum is used. It is preferable to use it. Examples of the highly reflective aluminum include those whose surfaces have been polished, those which have been anodized, and those which have been subjected to a reflection-reflecting film treatment by depositing an inorganic oxide such as titanium or silica, or a metal such as silver. The average reflectivity at 400 to 800 nm is preferably 80% or more, more preferably 90% or more, and particularly preferably high-reflective aluminum having 95% or more.
(発光素子搭載用基板の製造方法)
第2の本発明である発光素子搭載用基板の製造方法としては、特に制限されるものではなく、両面に金属層を積層させた両面基板の場合には、例えば、図1に示す方法にしたがって製造することができる。図1に示すように、(a)まず、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる基板(100)と、金属層となる2枚の銅箔(10)とを用意し、(b)熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる基板(100)の両面に銅箔(10)を真空プレスにより積層して金属積層体を製造し、(c)銅箔(10)をエッチング又は銅上にメッキして配線パターン(20)を形成し、発光素子を搭載する基板を作製する。(d)この基板に、実装する箇所を窓抜き加工した、熱可塑性樹脂を含有してなる樹脂層(30)と、ポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有してなる樹脂層(40)とを備えてなる保護層(200)を一括積層し(なお、ここでは第1の本発明であるカバーレイフィルムを積層させている。)、発光素子搭載用基板とする。(e)その後金メッキ加工して、LED(300)を実装させ、ボンディングワイヤ(50)により配線パターン(20)と接続させ、所定の樹脂で封止して使用する(光源装置)。なお、窓抜き加工する方法としては、特に制限されるものではなくビク型を用いる方法や、ルーター加工する方法、レーザー加工する方法等を用いることができる。また保護層の形成において、上記以外にも、フィルム状の熱可塑性樹脂を含有してなる樹脂層(30)を基板上に積層させた後、ポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有する樹脂層(40)を塗工させて保護層を形成しても良い。
(Manufacturing method of light emitting element mounting substrate)
The method for producing the light emitting element mounting substrate according to the second invention is not particularly limited. In the case of a double-sided substrate in which metal layers are laminated on both sides, for example, according to the method shown in FIG. Can be manufactured. As shown in FIG. 1, (a) First, a substrate (100) made of a thermoplastic resin or a thermosetting resin and two copper foils (10) to be a metal layer are prepared, and (b) thermoplasticity. A copper foil (10) is laminated on both sides of a substrate (100) made of resin or thermosetting resin by vacuum pressing to produce a metal laminate, and (c) the copper foil (10) is etched or plated on copper. Then, a wiring pattern (20) is formed, and a substrate on which the light emitting element is mounted is manufactured. (D) A resin layer (30) containing a thermoplastic resin, and a resin layer (40) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler, in which a portion to be mounted is subjected to window processing on the substrate. The protective layer (200) provided is laminated at once (here, the cover lay film according to the first aspect of the present invention is laminated) to form a light emitting element mounting substrate. (E) After that, gold plating is performed, the LED (300) is mounted, connected to the wiring pattern (20) by the bonding wire (50), and sealed with a predetermined resin for use (light source device). In addition, the method for performing window cutting is not particularly limited, and a method using a big die, a router processing method, a laser processing method, and the like can be used. In addition to the above, in the formation of the protective layer, after laminating a resin layer (30) containing a film-like thermoplastic resin on a substrate, a resin layer containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler ( 40) may be applied to form a protective layer.
また第2の本発明である発光素子搭載用基板は、アルミ複合基板とすることもできる。例えば、図2に示すように、(a)熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる基板(100)の片面に銅箔(10)を積層して金属積層体を製造し、(b)銅箔(10)をエッチングして配線パターン(20)を形成し金メッキ加工を施し、さらに基板(100)をビク型を用いてキャビティー枠に打ち抜き(60)、(c)窓抜き加工した保護層(200)と配線パターン(20)が形成された面とは反対面にアルミ板(400)を真空プレスにより積層して発光素子搭載用基板とする。この基板に、(d)LED(300)を実装させ、ボンディングワイヤ(50)により配線パターン(20)と接続させ、所定の樹脂で封止して使用する(光源装置)。なお、キャビティー枠に打ち抜く方法としては、上記ビク型を用いる方法に制限されるものではなく、例えば、ルーター加工や、レーザーを用いて形成することもできる。なお、上記製造方法においては、片面銅箔付きフィルム(図2中(b))、保護層及びアルミ板の積層を一括して行っているが、これらを逐次的に積層させ、その後に枠抜き及び導体パターンを形成することもできる。 The light emitting element mounting substrate according to the second aspect of the present invention may be an aluminum composite substrate. For example, as shown in FIG. 2, a metal laminate is manufactured by laminating a copper foil (10) on one side of a substrate (100) made of a thermoplastic resin or a thermosetting resin, and (b) a copper foil. (10) is etched to form a wiring pattern (20), gold plating is performed, and the substrate (100) is punched into a cavity frame using a big die (60). 200) and the surface on which the wiring pattern (20) is formed, an aluminum plate (400) is laminated by vacuum pressing to form a light emitting element mounting substrate. (D) The LED (300) is mounted on this substrate, connected to the wiring pattern (20) with a bonding wire (50), and sealed and used with a predetermined resin (light source device). Note that the method of punching into the cavity frame is not limited to the method using the Bic die, and for example, it can be formed by router processing or using a laser. In addition, in the said manufacturing method, although lamination | stacking of the film with a single-sided copper foil ((b) in FIG. 2), a protective layer, and an aluminum plate is performed collectively, these are laminated | stacked sequentially, and frame extraction is carried out after that. A conductor pattern can also be formed.
<光源装置>
第3の本発明である光源装置としては、第2の本発明である発光素子搭載基板に導体回路を形成して、該基板と該基板に搭載された発光素子とを導通させ、該発光素子を樹脂封止してなるものであれば特に制限されるものではなく、保護層が形成されていることにより、導体回路を効果的に保護することが可能となり、高温熱負荷環境下や耐光性試験環境下においても、反射率の低下を引き起こすことがないので、本発明の光源装置は、照明用、プロジェクタ光源、液晶表示装置等のバックライト装置、車載用途、携帯電話用途等の各種用途に用いることができる。
<Light source device>
As the light source device according to the third aspect of the present invention, a conductor circuit is formed on the light emitting element mounting substrate according to the second aspect of the present invention, and the light emitting element mounted on the substrate is electrically connected to the light emitting element. It is not particularly limited as long as it is formed by resin-sealing, and by forming a protective layer, it becomes possible to effectively protect the conductor circuit, under high temperature heat load environment and light resistance Since the reflectance does not decrease even in a test environment, the light source device of the present invention is used in various applications such as lighting, projector light sources, backlight devices such as liquid crystal display devices, in-vehicle applications, and mobile phone applications. Can be used.
以下、実施例及び比較例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、本明細書中に示されるフィルム等についての種々の測定値及び評価は以下のようにして求めた。 Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate in more detail, this invention is not limited to these. In addition, the various measured values and evaluation about the film etc. which are shown in this specification were calculated | required as follows.
[結晶融解ピーク温度(Tm)]
示差走査熱量計「DSC−7」(パーキンエルマー製)を用いて、JIS K7121に準じて、試料10mgを加熱速度10℃/分で昇温したときのサーモグラフから求めた。
[Crystal melting peak temperature (Tm)]
Using a differential scanning calorimeter “DSC-7” (manufactured by PerkinElmer), the temperature was determined from a thermograph when 10 mg of a sample was heated at a heating rate of 10 ° C./min according to JIS K7121.
[平均反射率]
分光光度計(「U−4000」、株式会社日立製作所製)に積分球を取りつけ、アルミナ白板の反射率が100%としたときの反射率を、波長400nm〜800nmにわたって、0.5nm間隔で測定した。得られた測定値の平均値を計算し、この値を平均反射率とした。
[Average reflectance]
An integrating sphere is attached to a spectrophotometer ("U-4000", manufactured by Hitachi, Ltd.), and the reflectance when the reflectance of the alumina white plate is 100% is measured at intervals of 0.5 nm over a wavelength range of 400 nm to 800 nm. did. The average value of the measured values obtained was calculated, and this value was taken as the average reflectance.
[加熱処理後の反射率]
得られた白色フィルムを固定冶具で固定し、熱風循環式オーブンに、260℃で10分間加熱処理し、加熱処理後の反射率を上記の方法と同様に測定して、470nmにおける反射率を読みとった。
[Reflectance after heat treatment]
The obtained white film was fixed with a fixing jig, heated in a hot air circulation oven at 260 ° C. for 10 minutes, the reflectance after the heat treatment was measured in the same manner as described above, and the reflectance at 470 nm was read. It was.
[線膨張係数測定]
セイコーインスツルメンツ(株)製の熱応力歪み測定装置TMA/SS6100を用いて、樹脂層(A)のフィルムから切り出した短冊状の試験片(長さ10mm)を引張荷重0.1gで固定し、30℃から5℃/分の割合で300℃まで昇温させ、MD(α1(MD))とTD(α1(TD))の熱膨張量の降温時の30℃〜140℃の温度依存性を求めた。
[Measurement of linear expansion coefficient]
Using a thermal stress strain measuring device TMA / SS6100 manufactured by Seiko Instruments Inc., a strip-shaped test piece (
[平均粒径]
(株)島津製作所製の型式「SS−100」の粉体比表面測定器(透過法)を用い、断面積2cm2、高さ1cmの試料筒に試料3gを充填して、500mm水柱で20ccの空気透過時間を計測し、これより酸化チタンの平均粒径を算出した。
[Average particle size]
Using a powder specific surface measuring instrument (transmission method) of model “SS-100” manufactured by Shimadzu Corporation, a sample tube having a cross-sectional area of 2 cm 2 and a height of 1 cm was filled with 3 g of sample, and 20 cc with a 500 mm water column. The air permeation time was measured, and the average particle size of titanium oxide was calculated from this.
ポリエーテルエーテルケトン樹脂(PEEK450G、Tm=335℃)40質量%と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂(Ultem 1000)60質量%とからなる樹脂混合物100質量部に対して、塩素法で製造された酸化チタン(平均粒径0.23μm、アルミナ処理、シランカップリング剤処理)を30質量部、平均粒径5μm及び平均アスペクト比50の合成マイカを21質量部混合して得られた樹脂組成物を溶融混練し、Tダイを備えた押出機を用いて設定温度380℃で、厚さ50μmのフィルムを作製した。その後、ポリオルガノシロキサン(TSE2913U、モメンティブ製)100質量部と、酸化チタン(R105、デュポン製)67質量部とをプラネタリミキサーで混合して得られた樹脂組成物を、押出機を用いて、設定温度100℃で離型PETフィルム上に厚さ100μmのフィルム状に押し出した。その後離型PETフィルムを剥がし、上記熱可塑性樹脂からなる層にラミネートし、カバーレイフィルムを得た。その後、γ線により50kGyの照射線量にて硬化させた。 Produced by the chlorine method with respect to 100 parts by mass of a resin mixture consisting of 40% by mass of polyetheretherketone resin (PEEK450G, Tm = 335 ° C.) and 60% by mass of amorphous polyetherimide resin (Ultem 1000). A resin composition obtained by mixing 30 parts by mass of titanium oxide (average particle diameter 0.23 μm, alumina treatment, silane coupling agent treatment), 21 parts by mass of synthetic mica having an average particle diameter of 5 μm and an average aspect ratio of 50. A film having a thickness of 50 μm was produced at a set temperature of 380 ° C. using an extruder equipped with a melt-kneading and a T-die. Thereafter, a resin composition obtained by mixing 100 parts by mass of polyorganosiloxane (TSE 2913U, manufactured by Momentive) and 67 parts by mass of titanium oxide (R105, manufactured by DuPont) with a planetary mixer was set using an extruder. Extruded into a 100 μm thick film on a release PET film at a temperature of 100 ° C. Thereafter, the release PET film was peeled off and laminated on the layer made of the thermoplastic resin to obtain a coverlay film. Then, it hardened with the irradiation dose of 50 kGy by the gamma ray.
実施例1において、ポリオルガノシロキサンにアルミナ(住友化学製「AA04」)を150質量部充填し、厚さ100μmとした以外は同様の方法にてカバーレイフィルムを作製した。 In Example 1, a coverlay film was produced in the same manner as in Example 1, except that 150 parts by mass of alumina (“AA04” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) was filled in the polyorganosiloxane and the thickness was 100 μm.
実施例1において、ポリオルガノシロキサン(モメンティブ製「TSE2571−5U」)を用いた以外は同様の方法にてカバーレイフィルムを作製した。 A coverlay film was produced in the same manner as in Example 1 except that polyorganosiloxane (“TSE2571-5U” manufactured by Momentive) was used.
[比較例1]
実施例1において、ポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有してなる樹脂層(B)を設けないこと以外は同様の方法にてカバーレイフィルムを作製した。
[Comparative Example 1]
A coverlay film was produced in the same manner as in Example 1 except that the resin layer (B) containing the polyorganosiloxane and the inorganic filler was not provided.
表1に示した結果から分かるように、実施例1〜3においては、反射率特性、寸法安定性及び加熱試験後の反射率変化の少ないカバーレイフィルムを得ることができた。特に実施例1、3ではポリオルガノシロキサンに酸化チタンを充填しているため可視光域(400〜800nm)に特に高い反射率を示した。
また実施例2ではポリオルガノシロキサンにアルミナを充填しているため可視光域での反射率も高いが、紫外光域(350〜400nm)での反射率も向上している。
一方、比較例1においては、ポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有する樹脂層を設けていないため、可視光域での反射率が劣るものとなった。
As can be seen from the results shown in Table 1, in Examples 1 to 3, it was possible to obtain a coverlay film having little reflectance change, dimensional stability, and reflectance change after the heating test. Particularly in Examples 1 and 3, since the polyorganosiloxane was filled with titanium oxide, a particularly high reflectance was shown in the visible light region (400 to 800 nm).
In Example 2, since the polyorganosiloxane is filled with alumina, the reflectance in the visible light region is high, but the reflectance in the ultraviolet light region (350 to 400 nm) is also improved.
On the other hand, in Comparative Example 1, since the resin layer containing the polyorganosiloxane and the inorganic filler was not provided, the reflectance in the visible light region was inferior.
10 銅箔
20 配線パターン
30 熱可塑性樹脂を含有する樹脂層(A)
40 ポリオルガノシロキサン及び無機充填材を含有する樹脂層(B)
50 ボンディングワイヤ
100 熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる基板
200 保護層
300 LED
400 アルミ板
10
40 Resin layer containing polyorganosiloxane and inorganic filler (B)
50
400 aluminum plate
Claims (9)
波長400〜800nmにおける平均反射率が80%以上であって、かつ260℃で10分間熱処理した後の波長470nmにおける反射率の低下率が5%以下であるプリント配線板の導体回路保護用のカバーレイフィルム。 A resin layer (A) containing a thermoplastic resin and a resin layer (B) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler,
Cover for protecting a conductive circuit of a printed wiring board having an average reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm of 80% or more and a reduction rate of the reflectance at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 260 ° C. for 10 minutes being 5% or less Ray film.
該保護層は、波長400〜800nmにおける平均反射率が80%以上であり、かつ260℃で10分間熱処理した後の波長470nmにおける反射率の低下率が5%以下であることを特徴とする発光素子搭載用基板。 A protective layer having a resin layer (A) containing a thermoplastic resin and a resin layer (B) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler is formed on a substrate on which at least one light emitting element is mounted. Become
The protective layer has an average reflectance of 80% or more at a wavelength of 400 to 800 nm, and a reduction rate of reflectance at a wavelength of 470 nm after heat treatment at 260 ° C. for 10 minutes is 5% or less. Device mounting board.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010265168A JP5514702B2 (en) | 2010-11-29 | 2010-11-29 | Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010265168A JP5514702B2 (en) | 2010-11-29 | 2010-11-29 | Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012119366A JP2012119366A (en) | 2012-06-21 |
JP5514702B2 true JP5514702B2 (en) | 2014-06-04 |
Family
ID=46501914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010265168A Expired - Fee Related JP5514702B2 (en) | 2010-11-29 | 2010-11-29 | Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5514702B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015191906A (en) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 台虹科技股▲分▼有限公司 | Coating protection film having high temperature heat resistance and high reflectance for printed board |
JP6815507B2 (en) * | 2017-06-29 | 2021-01-20 | 京セラ株式会社 | Circuit board and light emitting device equipped with this |
-
2010
- 2010-11-29 JP JP2010265168A patent/JP5514702B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012119366A (en) | 2012-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5306226B2 (en) | Metal laminate, LED mounting substrate, and white film | |
JP5385685B2 (en) | Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device | |
TWI446065B (en) | Metal base circuit substrate | |
US8742432B2 (en) | Metal substrate and light source device | |
KR101496061B1 (en) | Metal foil laminate, substrate for mounting led, and light source device | |
JP4634856B2 (en) | White prepreg, white laminate, and metal foil-clad white laminate | |
JP2009302110A (en) | Cover ray film | |
JP5676785B2 (en) | Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device | |
TW201004501A (en) | Metal base circuit board | |
JP5230532B2 (en) | White film, metal laminate, LED mounting substrate and light source device | |
JP2010263165A (en) | Reflective substrate for led, and light emitting device | |
WO2015163054A1 (en) | Metal-based substrate, method for manufacturing metal-based substrate, metal-based circuit board, and electronic device | |
JP2009298832A (en) | White-colored film and metal laminate | |
JP2010189614A (en) | Resin composition, support material with insulative layer, prepreg, laminated board for light-emitting element, circuit board for light emitting element, and light emitting device | |
JP5514702B2 (en) | Cover-lay film, light-emitting element mounting substrate, and light source device | |
TW201231278A (en) | Laminated sheet and manufacturing method of the same | |
JP2007138017A (en) | Insulating light-transmitting substrate and optical semiconductor device | |
JP2012116003A (en) | Metal laminate, board for mounting led, and light source device | |
JP2007138016A (en) | Insulating white substrate and optical semiconductor device | |
JP2010275404A (en) | Glass cloth-containing white film, metal laminate and substrate for led loading | |
JP2010275331A (en) | White film, metal laminate and substrate for led loading | |
JP2010168408A (en) | White prepreg, white laminate, and metal foil-clad white laminate | |
CN116406331A (en) | Photosensitive laminated resin structure, dry film, cured product, and electronic component | |
JP2010275333A (en) | White film, metal laminate and substrate for led loading |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130626 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140318 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140331 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5514702 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |