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JP5501754B2 - Method and apparatus for producing developer for photolithography - Google Patents

Method and apparatus for producing developer for photolithography Download PDF

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JP5501754B2
JP5501754B2 JP2009296434A JP2009296434A JP5501754B2 JP 5501754 B2 JP5501754 B2 JP 5501754B2 JP 2009296434 A JP2009296434 A JP 2009296434A JP 2009296434 A JP2009296434 A JP 2009296434A JP 5501754 B2 JP5501754 B2 JP 5501754B2
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Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description

本発明は、フォトリソグラフィ用現像液の製造方法及び製造装置に関する。   The present invention relates to a method and apparatus for producing a photolithography developer.

近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、フォトリソグラフィ技術の進歩により、急速にパターンの微細化が進んでいる。このような微細なパターンは、基板等の表面に作製されるレジストパターンの微細化によって達成される。レジストパターンは、基板等の表面に感光性化合物を含有するレジスト組成物からなるレジスト膜を形成し、当該レジスト膜に対して、所定のパターンが形成されたマスクパターンを介して、光、電子線等の活性エネルギー線にて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより作製される。このとき、上記レジスト膜のうち、上記マスクパターンに設けられた図形に対応する部分がレジストパターンとなる。そして、このレジストパターンをマスクとして、基板をエッチングにより加工する工程を経て、例えば、半導体素子が製造される。上記レジスト組成物のうち、露光された部分が現像液に溶解する特性に変化するレジスト組成物をポジ型、露光された部分が現像液に溶解しない特性に変化するレジスト組成物をネガ型という。   In recent years, in the manufacture of semiconductor elements and liquid crystal display elements, pattern miniaturization has rapidly progressed due to the advancement of photolithography technology. Such a fine pattern is achieved by miniaturizing a resist pattern formed on the surface of a substrate or the like. The resist pattern is formed by forming a resist film made of a resist composition containing a photosensitive compound on the surface of a substrate or the like, and a light, electron beam through a mask pattern in which a predetermined pattern is formed on the resist film. It is produced by performing selective exposure with an active energy ray such as a developing process. At this time, a portion of the resist film corresponding to a figure provided on the mask pattern becomes a resist pattern. Then, for example, a semiconductor element is manufactured through a process of processing the substrate by etching using this resist pattern as a mask. Among the above resist compositions, a resist composition that changes to a property in which the exposed portion dissolves in the developer is referred to as a positive type, and a resist composition that changes to a property in which the exposed portion does not dissolve in the developer is referred to as a negative type.

半導体素子製造プロセスの現像処理において、現像液としては、アルカリ性である水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)の水溶液が常用されている。TMAHは、半導体素子に影響を与える金属イオンを含まないため、半導体素子の作製において好ましく使用されている。しかしながら、半導体素子の集積度が増大し、そのハーフピッチ(HP)サイズが49nm以下にもなると、現像時にTMAHがレジストパターンを膨潤させる膨潤現象が問題となる。TMAHによってレジストパターンが膨潤されると、そのレジストパターンの直進性が低下したり、現像後の洗浄処理においてレジストパターンの倒れを生じたりして、パターンの再現性が低下する要因になる。   In the development process of the semiconductor element manufacturing process, an alkaline aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) is commonly used as the developer. TMAH is preferably used in the production of semiconductor elements because it does not contain metal ions that affect the semiconductor elements. However, when the degree of integration of semiconductor elements increases and the half pitch (HP) size becomes 49 nm or less, the swelling phenomenon that TMAH swells the resist pattern during development becomes a problem. When the resist pattern is swollen by TMAH, the rectilinearity of the resist pattern is reduced, or the resist pattern is tilted in the cleaning process after development, which causes a reduction in pattern reproducibility.

このようなことから、非特許文献1では、現像液として、TMAHの水溶液ではなく、水酸化テトラブチルアンモニウム(TBAH)の水溶液を使用することが提案されている。現像液としてTBAHの水溶液を使用することにより、現像時におけるレジストパターンの膨潤現象が緩和され、パターンの再現性が向上する。   For this reason, Non-Patent Document 1 proposes that an aqueous solution of tetrabutylammonium hydroxide (TBAH) is used as a developer instead of an aqueous solution of TMAH. By using an aqueous solution of TBAH as the developing solution, the swelling phenomenon of the resist pattern during development is alleviated, and the reproducibility of the pattern is improved.

また、現像液メーカーから現像液を濃縮状態で出荷し、ユーザー側でこの濃縮現像液を純水により希釈して、所定の濃度の現像液を調製することも行われている(例えば、特許文献1を参照)。このような方法によれば、現像液の輸送コストを低減することができるので好ましい。   In addition, a developer is shipped from a developer manufacturer in a concentrated state, and the concentrated developer is diluted with pure water on the user side to prepare a developer having a predetermined concentration (for example, patent document). 1). Such a method is preferable because the developer transportation cost can be reduced.

特許第2670211号公報Japanese Patent No. 2670211

第70回応用物理学会学術講演会 講演予稿集No.2、635頁、EUVレジスト用新規現像液の検討 半導体先端テクノロジーズ,Juliusjoseph Santillan,井谷俊郎The 70th JSAP Academic Lecture Presentation 2, page 635, Study of new developer for EUV resist Semiconductor Leading Edge Technologies, Julius Joseph Santillan, Toshiro Iya

ところで、TBAHは、従来現像液で使用されてきたTMAHに比べて、水に対する溶解性が小さい。このため、TBAHを含む濃縮現像液を希釈して、所定の濃度の現像液を調製しようとすると、調製の途中で、現像液に含まれるTBAHが結晶として析出する場合がある。現像液にTBAHの結晶が存在すると、特に、半導体素子の製造プロセスにおいて悪影響を及ぼすおそれがあり、半導体製造装置の管理、及び半導体素子の製品歩留まりの観点から好ましくない。現像液に含まれるTBAHの結晶をフィルタで取り除くことも可能だが、この場合、現像液に含まれるTBAHの一部が取り除かれることになるので、現像液の濃度管理の点で問題がある。   By the way, TBAH is less soluble in water than TMAH conventionally used in a developer. For this reason, when a concentrated developer containing TBAH is diluted to prepare a developer having a predetermined concentration, TBAH contained in the developer may be precipitated as crystals during the preparation. The presence of TBAH crystals in the developer may adversely affect the semiconductor element manufacturing process, which is not preferable from the viewpoint of managing semiconductor manufacturing equipment and yield of semiconductor elements. Although it is possible to remove the TBAH crystals contained in the developer with a filter, in this case, a part of the TBAH contained in the developer is removed, which causes a problem in terms of concentration management of the developer.

本発明は、以上の状況に鑑みてなされたものであり、水酸化テトラブチルアンモニウム(TBAH)を含む濃縮現像液を純水で希釈して所望のTBAH濃度を有する現像液を製造する際、TBAHの析出を抑制することのできるフォトリソグラフィ用現像液の製造方法、及びそのような製造方法に使用される製造装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances. When a concentrated developer containing tetrabutylammonium hydroxide (TBAH) is diluted with pure water to produce a developer having a desired TBAH concentration, method of manufacturing a photolithographic developing solution can suppress the precipitation, and an object thereof is to provide a manufacturing apparatus used in such a manufacturing method beauty.

本発明者らは、水酸化テトラブチルアンモニウム(TBAH)の水溶液において、TBAHの濃度とTBAHの析出温度との関係を詳細に調査した。その結果、TBAHの析出温度は、TBAHの濃度が25〜40質量%である場合に27℃の極大値を示し、TBAHの濃度がそれよりも大きくても小さくてもTBAHの析出温度が27℃よりも小さくなることが判明した。つまり、TBAHの水溶液は、25〜40質量%であるときに最もTBAHの析出を生じ易く、このとき、水溶液の温度が27℃よりも低くなるとTBAHの析出が観察される。現像条件にもよるが、TBAHを含む現像液は、通常、6.79質量%のTBAH水溶液であり、その濃縮現像液は、通常、50質量%以上のTBAH水溶液である。このため、濃縮現像液を希釈して現像液を製造する場合、最も析出の生じ易い、TBAHの濃度が25〜40質量%である状態を必ず通過することになる。つまり、希釈中の現像液の液温が27℃よりも低くなる場合には、TBAHの析出が生じることになる。逆に言えば、希釈中の液温を常に27℃以上に保つことができれば、TBAHの析出を抑制することができることになる。本発明者らは、以上の事実を知見し、本発明を完成するに至った。   The present inventors investigated in detail the relationship between the concentration of TBAH and the precipitation temperature of TBAH in an aqueous solution of tetrabutylammonium hydroxide (TBAH). As a result, the precipitation temperature of TBAH shows a maximum value of 27 ° C. when the concentration of TBAH is 25 to 40% by mass, and the precipitation temperature of TBAH is 27 ° C. regardless of whether the concentration of TBAH is higher or lower. Turned out to be smaller. That is, the aqueous solution of TBAH is most likely to precipitate TBAH when the amount is 25 to 40% by mass, and at this time, precipitation of TBAH is observed when the temperature of the aqueous solution is lower than 27 ° C. Although depending on the development conditions, the developer containing TBAH is usually a 6.79% by mass TBAH aqueous solution, and the concentrated developer is usually a 50% by mass or more TBAH aqueous solution. For this reason, when diluting a concentrated developer to produce a developer, the developer always passes through a state where the concentration of TBAH is 25 to 40% by mass, which is most likely to cause precipitation. That is, when the temperature of the developing solution being diluted is lower than 27 ° C., TBAH is precipitated. In other words, if the liquid temperature during dilution can always be maintained at 27 ° C. or higher, precipitation of TBAH can be suppressed. The present inventors have found the above facts and have completed the present invention.

本発明の第一の態様は、第一濃度の水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液と、純水と、を混合部で混合することにより、前記第一濃度よりも希釈された第二濃度の水酸化テトラブチルアンモニウムを含む水溶液を得るフォトリソグラフィ用現像液の製造方法であって、前記混合部に供給される第一濃度の水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液及び純水の水温が27℃以上であり、かつ、前記混合部で混合される液体の温度を27℃以上に保持することを特徴とするフォトリソグラフィ用現像液の製造方法である According to a first aspect of the present invention, a first concentration of tetrabutylammonium hydroxide aqueous solution and pure water are mixed in a mixing section, whereby a second concentration of tetrahydroxide hydroxide diluted from the first concentration is used. A method for producing a photolithography developer comprising an aqueous solution containing butylammonium, wherein the temperature of the first concentration tetrabutylammonium hydroxide aqueous solution and pure water supplied to the mixing section is 27 ° C. or higher, and In the method for producing a photolithography developer, the temperature of the liquid mixed in the mixing unit is maintained at 27 ° C. or higher .

本発明の第の態様は、撹拌手段と、第一濃度の水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液を供給する第一供給管と、純水を供給する第二供給管と、を備えた混合部を備え、さらに、前記第一供給管から前記混合部の内部に供給される水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液を27℃以上に加温する第一加温手段と、前記第二供給管から前記混合部の内部に供給される純水を27℃以上に加温する第二加温手段と、前記第一供給管から前記混合部の内部に供給された第一濃度の水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液、及び前記第二供給管から前記混合部の内部に供給された純水を前記撹拌手段により混合して、前記第一濃度よりも希釈された第二濃度の水酸化テトラブチルアンモニウムを含むフォトリソグラフィ用現像液を得る際、前記混合部の内部に存在する液体の温度を27℃以上に維持するための保温手段と、を備えたフォトリソグラフィ用現像液の製造装置である。 A second aspect of the present invention includes a mixing unit including a stirring unit, a first supply pipe that supplies a first concentration of tetrabutylammonium hydroxide aqueous solution, and a second supply pipe that supplies pure water. Furthermore, the first heating means for heating the tetrabutylammonium hydroxide aqueous solution supplied from the first supply pipe to the inside of the mixing section to 27 ° C. or more, and the second supply pipe to the inside of the mixing section Second heating means for heating the pure water supplied to 27 ° C. or higher, a first concentration tetrabutylammonium hydroxide aqueous solution supplied from the first supply pipe to the inside of the mixing section, and the first Pure water supplied from the two supply pipes to the inside of the mixing unit is mixed by the stirring means, and a developer for photolithography containing a second concentration of tetrabutylammonium hydroxide diluted from the first concentration is obtained. When obtaining, said mixing And thermal insulation means for maintaining the temperature at 27 ° C. or more liquids present inside which is a manufacturing apparatus for photolithography developer having a.

本発明によれば、水酸化テトラブチルアンモニウム(TBAH)を含む濃縮現像液を純水で希釈して所望のTBAH濃度を有する現像液を製造する際、TBAHの析出を抑制することのできるフォトリソグラフィ用現像液の製造方法、及びそのような製造方法に使用される製造装置が提供される。 According to the present invention, when a concentrated developer containing tetrabutylammonium hydroxide (TBAH) is diluted with pure water to produce a developer having a desired TBAH concentration, photolithography capable of suppressing the precipitation of TBAH. mETHOD fOR pRODUCING use developer及 beauty manufacturing apparatus used in such a manufacturing method is provided.

本発明の製造方法の一実施態様で使用されるフォトリソグラフィ用現像液の製造装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the manufacturing apparatus of the developing solution for photolithography used by one embodiment of the manufacturing method of this invention. 水酸化テトラブチルアンモニウム(TBAH)の水溶液におけるTBAHの濃度とTBAHの析出温度との関係を示すプロットである。It is a plot which shows the relationship between the density | concentration of TBAH in the aqueous solution of tetrabutylammonium hydroxide (TBAH), and the precipitation temperature of TBAH.

以下、本発明のフォトリソグラフィ用現像液の製造方法の一実施態様について説明する。まずは、図1を参照しながら、本実施態様の製造方法で使用されるフォトリソグラフィ用現像液の製造装置の一例について説明する。図1は、本発明の製造方法の一実施態様で使用されるフォトリソグラフィ用現像液の製造装置を示す概略構成図である。   Hereinafter, an embodiment of the method for producing a photolithography developer according to the present invention will be described. First, an example of a photolithography developer manufacturing apparatus used in the manufacturing method of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an apparatus for producing a photolithography developer used in an embodiment of the production method of the present invention.

フォトリソグラフィ用現像液の製造装置1(以下、単に「製造装置1」と呼ぶこともある。)は、濃縮現像液である第一濃度の水酸化テトラブチルアンモニウム(TBAH)水溶液と純水とを混合して、第一濃度よりも希釈された第二濃度のTBAHを含むフォトリソグラフィ用現像液を製造するために使用される。   The photolithography developer manufacturing apparatus 1 (hereinafter sometimes simply referred to as “manufacturing apparatus 1”) uses a first concentration tetrabutylammonium hydroxide (TBAH) aqueous solution, which is a concentrated developer, and pure water. Used to produce a photolithographic developer containing a second concentration of TBAH that is mixed and diluted relative to the first concentration.

第一濃度のTBAH水溶液とは、TBAHをアルカリ成分として含む濃縮現像液である。この濃縮現像液は、通常、現像液メーカーから出荷されたものになる。第一濃度のTBAH水溶液には、少なくとも純水とTBAHとが含まれ、必要に応じて、各種の添加剤が添加されてもよい。以下、第一濃度のTBAH水溶液のことを、単に「濃縮現像液」とも呼ぶ。   The first concentration TBAH aqueous solution is a concentrated developer containing TBAH as an alkali component. This concentrated developer is usually shipped from a developer manufacturer. The first concentration TBAH aqueous solution contains at least pure water and TBAH, and various additives may be added as necessary. Hereinafter, the first concentration TBAH aqueous solution is also simply referred to as “concentrated developer”.

第二濃度のTBAHを含むフォトリソグラフィ用現像液とは、上記第一濃度のTBAH水溶液が純水によって希釈された水溶液であり、フォトリソグラフィ加工で使用される現像液である。つまり、製造装置1は、現像液メーカーから出荷された濃縮現像液を、純水で希釈し、フォトリソグラフィ加工で使用される現像液とするための装置である。以下、第二濃度のTBAHを含む現像液のことを、単に「現像液」とも呼ぶ。第一濃度及び第二濃度については、後述する。   The developer for photolithography containing the second concentration of TBAH is an aqueous solution obtained by diluting the TBAH aqueous solution having the first concentration with pure water, and is a developer used in photolithography processing. That is, the manufacturing apparatus 1 is an apparatus for diluting a concentrated developer shipped from a developer manufacturer with pure water to obtain a developer used in photolithography. Hereinafter, the developer containing the second concentration of TBAH is also simply referred to as “developer”. The first concentration and the second concentration will be described later.

製造装置1は、濃縮現像液を希釈するための混合部2、及び混合部2で調製された現像液を貯留する貯留槽3を備える。混合部2は、撹拌手段15、濃縮現像液を混合部2に供給する第一供給管10、及び純水を混合部2に供給する第二供給管14を備える。   The manufacturing apparatus 1 includes a mixing unit 2 for diluting the concentrated developer and a storage tank 3 for storing the developer prepared in the mixing unit 2. The mixing unit 2 includes a stirring unit 15, a first supply pipe 10 that supplies a concentrated developer to the mixing unit 2, and a second supply pipe 14 that supplies pure water to the mixing unit 2.

現像液メーカーで製造された濃縮現像液は、通い缶31に収容される。通い缶31は、ジョイント7にて窒素ガス供給源6からの配管8に接続可能とされ、ジョイント9にて混合部2への第一供給管10に接続可能とされる。ここで、窒素ガス供給源6からの他の配管11は、バブリング槽12に導かれ、混合部2と貯留槽3の上部に接続される。これにより、混合部2と貯留槽3の上部空間は、水分を含んだ窒素ガス雰囲気となる。バブリング槽12には、純水供給源5から純水が供給され、バブリング槽12の水位は所定の位置を維持する。   The concentrated developer produced by the developer manufacturer is accommodated in a return can 31. The through can 31 can be connected to the pipe 8 from the nitrogen gas supply source 6 at the joint 7, and can be connected to the first supply pipe 10 to the mixing unit 2 at the joint 9. Here, another pipe 11 from the nitrogen gas supply source 6 is led to the bubbling tank 12 and connected to the upper part of the mixing unit 2 and the storage tank 3. Thereby, the upper space of the mixing part 2 and the storage tank 3 becomes a nitrogen gas atmosphere containing moisture. Pure water is supplied to the bubbling tank 12 from the pure water supply source 5, and the water level of the bubbling tank 12 maintains a predetermined position.

混合部2への第一供給管10の途中には、サブタンク26、フィルタ装置13、エアバルブ27及び第一加温手段51が順に設けられる。サブタンク26は、液面センサが付設され、一方の通い缶が空になったことを検知することができる。これにより、一方の通い缶が空になったときに、遅滞なく他方の通い缶に移行し、連続して第一供給管10に濃縮現像液が供給される。エアバルブ27は大流量エアバルブであり、このバイパスに微調整用エアバルブ28が設けられる。これにより、濃縮現像液を混合部2に投入するときには、所定量近くまでエアバルブ27を使用し、その後、エアバルブ28を使用することによって、濃縮現像液を正確に混合部2へ投入することができる。   In the middle of the first supply pipe 10 to the mixing unit 2, the sub tank 26, the filter device 13, the air valve 27, and the first heating means 51 are sequentially provided. The sub-tank 26 is provided with a liquid level sensor, and can detect that one passing can is empty. Thereby, when one passing can becomes empty, it shifts to the other passing can without delay, and the concentrated developer is continuously supplied to the first supply pipe 10. The air valve 27 is a large flow rate air valve, and a fine adjustment air valve 28 is provided in this bypass. As a result, when the concentrated developer is introduced into the mixing unit 2, the concentrated developing solution can be accurately introduced into the mixing unit 2 by using the air valve 27 to a predetermined amount and then using the air valve 28. .

第一加温手段51は、第一供給管10から供給される濃縮現像液が混合部2に供給された時点で27℃以上となるように、濃縮現像液を加温する。第一加温手段51は、ヒータ等の加温手段を備え、さらに加温後の濃縮現像液の温度を監視するための温度監視手段を備えてもよい。この場合、温度監視手段で検出された濃縮現像液の温度情報を上記加温手段にフィードバックし、加温手段の出力を調整するように構成してもよい。上記加温手段としては、公知の加温手段を特に制限されずに利用することができ、一例として、電気ヒータが挙げられる。混合部2に供給された時点における濃縮現像液の温度は、27℃以上であれば特に限定されないが、27〜40℃となるように調節することが好ましく、28〜35℃となるように調節することがより好ましい。   The first warming means 51 warms the concentrated developer so that the concentrated developer supplied from the first supply pipe 10 becomes 27 ° C. or higher when the concentrated developer is supplied to the mixing unit 2. The first heating unit 51 includes a heating unit such as a heater, and may further include a temperature monitoring unit for monitoring the temperature of the concentrated developer after heating. In this case, the temperature information of the concentrated developer detected by the temperature monitoring unit may be fed back to the heating unit to adjust the output of the heating unit. As the heating means, known heating means can be used without particular limitation, and an electric heater can be mentioned as an example. The temperature of the concentrated developer at the time when it is supplied to the mixing unit 2 is not particularly limited as long as it is 27 ° C. or higher, but it is preferably adjusted to 27 to 40 ° C., and adjusted to 28 to 35 ° C. More preferably.

第二供給管14は、純水供給源5から混合部2へ純水を供給する。第二供給管14の途中には、エアバルブ29及び第二加温手段52が順に設けられる。エアバルブ29は、大流量エアバルブであり、このバイパスに微調整用エアバルブ30が設けられる。これにより、純水を混合部2に投入するときには、所定量近くまでエアバルブ29を使用し、その後、エアバルブ30を使用することによって、純水を正確に混合部2へ投入することができる。   The second supply pipe 14 supplies pure water from the pure water supply source 5 to the mixing unit 2. In the middle of the second supply pipe 14, an air valve 29 and a second heating means 52 are provided in this order. The air valve 29 is a large flow rate air valve, and a fine adjustment air valve 30 is provided in this bypass. Thus, when pure water is introduced into the mixing unit 2, the air valve 29 is used up to a predetermined amount, and then the air valve 30 is used so that pure water can be accurately introduced into the mixing unit 2.

第二加温手段52は、第二供給管14から供給される純水が混合部2に供給された時点で27℃以上となるように、純水を加温する。第二加温手段52は、ヒータ等の加温手段を備え、さらに加温後の純水の温度を監視するための温度監視手段を備えてもよい。この場合、温度監視手段で検出された純水の温度情報を上記加温手段にフィードバックし、加温手段の出力を調整するように構成してもよい。上記加温手段としては、公知の加温手段を特に制限されずに利用することができ、一例として、電気ヒータが挙げられる。混合部2に供給された時点における純水の温度は、27℃以上であれば特に限定されないが、27〜40℃となるように調節することが好ましく、28〜35℃となるように調節することがより好ましい。   The second warming means 52 warms the pure water so that the pure water supplied from the second supply pipe 14 becomes 27 ° C. or higher when the pure water is supplied to the mixing unit 2. The second heating means 52 includes a heating means such as a heater, and may further include a temperature monitoring means for monitoring the temperature of the pure water after heating. In this case, the temperature information of the pure water detected by the temperature monitoring unit may be fed back to the heating unit to adjust the output of the heating unit. As the heating means, known heating means can be used without particular limitation, and an electric heater can be mentioned as an example. The temperature of the pure water at the time when it is supplied to the mixing unit 2 is not particularly limited as long as it is 27 ° C. or higher, but is preferably adjusted to be 27 to 40 ° C., and is adjusted to be 28 to 35 ° C. It is more preferable.

混合部2には、温度センサ41、ヒータ42及び温度調節機43からなる保温手段40が設けられる。保温手段40は、混合部2の内部に収容された液体の温度を27℃以上に維持する。具体的には、温度センサ41により、混合部2の内部に収容された液体の温度が温度情報として検出され、その温度情報が温度調節機43へ送られる。すると、温度調節機43は、混合部2の内部に収容された液体の温度が予め設定された27℃以上の温度(例えば30℃等)になるようにヒータ42の出力を調節する。これにより、混合部2の内部に収容された液体の温度は、温度調節機43に予め設定された27℃以上の温度に保たれる。混合部2の内部に収容された液体の温度は、27℃以上であれば特に限定されないが、27〜40℃となるように調節することが好ましく、28〜35℃となるように調節することがより好ましい。   The mixing unit 2 is provided with a heat retaining means 40 including a temperature sensor 41, a heater 42, and a temperature controller 43. The heat retaining means 40 maintains the temperature of the liquid stored in the mixing unit 2 at 27 ° C. or higher. Specifically, the temperature sensor 41 detects the temperature of the liquid stored in the mixing unit 2 as temperature information, and the temperature information is sent to the temperature controller 43. Then, the temperature controller 43 adjusts the output of the heater 42 so that the temperature of the liquid accommodated in the mixing unit 2 becomes a preset temperature of 27 ° C. or higher (for example, 30 ° C.). Thereby, the temperature of the liquid accommodated in the mixing unit 2 is maintained at a temperature of 27 ° C. or higher preset in the temperature controller 43. Although the temperature of the liquid accommodated in the mixing part 2 will not be specifically limited if it is 27 degreeC or more, It is preferable to adjust so that it may become 27-40 degreeC, and it adjusts so that it may become 28-35 degreeC. Is more preferable.

第一供給管10及び第二供給管14から混合部2に供給された濃縮現像液及び純水は、撹拌手段15で均一に撹拌され、現像液が製造される。   The concentrated developer and pure water supplied from the first supply pipe 10 and the second supply pipe 14 to the mixing unit 2 are uniformly stirred by the stirring means 15 to produce the developer.

混合部2は、ロードセル16にて支持され、内部に供給された濃縮現像液及び純水を含んだ混合部2の全体質量がロードセル16によって測定される。   The mixing unit 2 is supported by the load cell 16, and the entire mass of the mixing unit 2 including the concentrated developer and pure water supplied therein is measured by the load cell 16.

混合部2と貯留槽3とは、現像液の供給配管17にて接続される。配管17は、その途中にポンプ18及びフィルタ装置19が設けられ、フィルタ装置19の下流側から自動分析器4への配管20が分岐する。また、自動分析器4と混合部2とは、戻り用の配管21で接続される。なお、配管17の分岐部よりも下流側及び配管17と配管21とをつなぐ部分には、開閉バルブ22、23が設けられる。   The mixing unit 2 and the storage tank 3 are connected by a developer supply pipe 17. The pipe 17 is provided with a pump 18 and a filter device 19 in the middle thereof, and the pipe 20 from the downstream side of the filter device 19 to the automatic analyzer 4 branches. The automatic analyzer 4 and the mixing unit 2 are connected by a return pipe 21. In addition, on the downstream side of the branch portion of the pipe 17 and on the part connecting the pipe 17 and the pipe 21, on-off valves 22 and 23 are provided.

混合部2、バブリング槽12及び貯留槽3の上部空間は、連通管24でつながり、水分を含んだ窒素ガス雰囲気となる。これにより、現像液の劣化が防止される。また、貯留槽3の底部からは、現像液を需要部へ供給する配管25が導出される。   The upper space of the mixing unit 2, the bubbling tank 12 and the storage tank 3 is connected by a communication pipe 24 and becomes a nitrogen gas atmosphere containing moisture. Thereby, the deterioration of the developer is prevented. A pipe 25 for supplying the developer to the demand section is led out from the bottom of the storage tank 3.

次に、本実施態様におけるフォトリソグラフィ用現像液の製造方法について説明する。   Next, a method for producing a photolithography developer in this embodiment will be described.

まず、通い缶31に収容された第一濃度の水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液(濃縮現像液)が、第一供給管10を経由して混合部2へ供給される。このとき、濃縮現像液は、第一供給管10の途中に設けられた第一加温手段51により加温され、混合部2へ供給された時点において27℃以上とされる。混合部2に供給された濃縮現像液は、混合部2に設けられた保温手段40により、27℃以上の温度に保温される。混合部2に供給される際の濃縮現像液及び混合部2に収容された液体の好ましい温度については、既に述べたとおりである。   First, the first concentration tetrabutylammonium hydroxide aqueous solution (concentrated developer) accommodated in the return can 31 is supplied to the mixing unit 2 via the first supply pipe 10. At this time, the concentrated developer is heated by the first heating means 51 provided in the middle of the first supply pipe 10 and is set to 27 ° C. or higher when supplied to the mixing unit 2. The concentrated developer supplied to the mixing unit 2 is kept at a temperature of 27 ° C. or higher by the heat retaining means 40 provided in the mixing unit 2. The preferable temperatures of the concentrated developer and the liquid stored in the mixing unit 2 when supplied to the mixing unit 2 are as described above.

次に、純水供給源5より純水が、第二供給管14を経由して混合部2へ供給される。このとき、純水は、第二供給管14の途中に設けられた第二加温手段52により加温され、混合部2へ供給された時点において27℃以上とされる。混合部2に供給された濃縮現像液及び純水は、混合部2に設けられた保温手段40により、27℃以上の温度に保温される。混合部2に供給される際の純水の好ましい温度については、既に述べたとおりである。   Next, pure water is supplied from the pure water supply source 5 to the mixing unit 2 via the second supply pipe 14. At this time, the pure water is heated by the second heating means 52 provided in the middle of the second supply pipe 14 and is set to 27 ° C. or higher when supplied to the mixing unit 2. The concentrated developer and pure water supplied to the mixing unit 2 are kept at a temperature of 27 ° C. or higher by the heat retaining means 40 provided in the mixing unit 2. The preferable temperature of pure water when supplied to the mixing unit 2 is as described above.

ここで、混合部2に供給される濃縮現像液及び純水、並びに混合部2の内部に存在する液体の温度が27℃以上とされる理由について、図2を参照しながら説明する。図2は、水酸化テトラブチルアンモニウム(TBAH)の水溶液におけるTBAHの濃度とTBAHの析出温度との関係を示すプロットである。   Here, the reason why the temperature of the concentrated developer and pure water supplied to the mixing unit 2 and the liquid existing in the mixing unit 2 is set to 27 ° C. or higher will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a plot showing the relationship between the concentration of TBAH and the precipitation temperature of TBAH in an aqueous solution of tetrabutylammonium hydroxide (TBAH).

図2に示すとおり、TBAH水溶液の濃度を横軸に、TBAHの析出温度を縦軸にそれぞれとると、TBAHの濃度が30質量%である箇所において、析出温度の極大点が観察される。ここで、TBAHの析出温度とは、TBAHの水溶液においてTBAHの結晶が析出し始める温度を意味する。つまり、TBAHの析出温度は、どの程度までTBAHの水溶液を冷却すると、TBAHが析出を開始するのかを示す。したがって、TBAHの析出温度が高いことは、TBAHが析出し易いことを意味する。   As shown in FIG. 2, when the concentration of the TBAH aqueous solution is taken on the horizontal axis and the precipitation temperature of TBAH is taken on the vertical axis, a maximum point of the precipitation temperature is observed at a location where the concentration of TBAH is 30% by mass. Here, the precipitation temperature of TBAH means a temperature at which TBAH crystals begin to precipitate in an aqueous solution of TBAH. That is, the precipitation temperature of TBAH indicates to what extent the aqueous solution of TBAH is cooled and TBAH starts to precipitate. Therefore, a high TBAH precipitation temperature means that TBAH is likely to precipitate.

このような観点で図2を見ると、TBAHの水溶液は、30質量%において最もTBAHの結晶が析出し易い状態であることが理解される。ここで、濃縮現像液である第一濃度のTBAH水溶液から、現像液として使用される第二濃度のTBAH水溶液まで、純水で希釈する状況を想定する。現像条件にもよるが、TBAHを含む現像液は、通常、6.79質量%のTBAH水溶液であり、その濃縮現像液は、通常、50質量%以上のTBAH水溶液である。すると、第一濃度である50質量%以上から、第二濃度である6.79質量%まで希釈する間に、最もTBAHの析出し易い状態を通過することになる。つまり、図2に示すように、希釈中の現像液の温度が27℃を下回ると、希釈中の現像液の濃度が30質量%付近に達したときにTBAHの析出が起こることになる。逆に、希釈中の現像液の温度を27℃以上に維持すれば、TBAHの析出を抑制することができる。このような製造方法を採用することにより、希釈中に、最もTBAHが析出し易い30質量%の濃度を通過する条件、つまり、濃縮現像液の濃度(第一濃度)が30質量%を超え、かつ、現像液の濃度(第二濃度)が30質量%以下となる条件であっても、TBAHの析出を生じることなく濃縮現像液を希釈することができる。   From this point of view, it can be understood that the aqueous solution of TBAH is in a state in which TBAH crystals are most likely to precipitate at 30% by mass. Here, a situation is assumed where dilution is performed with pure water from a first concentration TBAH aqueous solution as a concentrated developer to a second concentration TBAH aqueous solution used as a developer. Although depending on the development conditions, the developer containing TBAH is usually a 6.79% by mass TBAH aqueous solution, and the concentrated developer is usually a 50% by mass or more TBAH aqueous solution. Then, during the dilution from the first concentration of 50% by mass or more to the second concentration of 6.79% by mass, the TBAH is most easily precipitated. That is, as shown in FIG. 2, when the temperature of the developing solution during dilution is below 27 ° C., TBAH is precipitated when the concentration of the developing solution during dilution reaches around 30% by mass. On the contrary, if the temperature of the developing solution during dilution is maintained at 27 ° C. or higher, precipitation of TBAH can be suppressed. By adopting such a production method, the condition of passing the 30% by mass concentration at which TBAH is most likely to precipitate during dilution, that is, the concentration (first concentration) of the concentrated developer exceeds 30% by mass, And even if it is the conditions which the density | concentration (2nd density | concentration) of a developing solution becomes 30 mass% or less, a concentrated developing solution can be diluted, without producing TBAH precipitation.

第一濃度としては、30質量%を超え80質量%以下が好ましく、40〜70質量%がより好ましく、50〜60質量%が最も好ましい。
また、第二濃度としては、0.1〜20質量%が好ましく、1〜10質量%がより好ましく、5〜8質量%がさらに好ましく、6.79質量%が最も好ましい。第二濃度が0.1質量%以上であることにより、良好な現像性を現像液に付与することができ、第二濃度が20質量%以下であることにより、レジストパターンが現像液によって溶解することが抑制され、良好な現像マージンを維持することができる。
As a 1st density | concentration, it exceeds 30 mass% and 80 mass% or less is preferable, 40-70 mass% is more preferable, 50-60 mass% is the most preferable.
Moreover, as a 2nd density | concentration, 0.1-20 mass% is preferable, 1-10 mass% is more preferable, 5-8 mass% is further more preferable, 6.79 mass% is the most preferable. When the second concentration is 0.1% by mass or more, good developability can be imparted to the developer, and when the second concentration is 20% by mass or less, the resist pattern is dissolved by the developer. Therefore, a good development margin can be maintained.

希釈中の現像液の温度を27℃以上に保つには、少なくとも、混合部2に供給される濃縮現像液(第一濃度のTBAH水溶液)及び純水を27℃以上とし、かつ、混合部2の内部に収容された液体の温度を27℃以上に保てばよい。このような理由から、本実施態様の製造方法では、以上のように、混合部2に供給される濃縮現像液及び純水を27℃以上とし、かつ、混合部2の内部に収容された液体の温度を27℃以上に維持する。   In order to maintain the temperature of the developing solution during dilution at 27 ° C. or higher, at least the concentrated developer (first concentration TBAH aqueous solution) and pure water supplied to the mixing unit 2 are set to 27 ° C. or higher, and the mixing unit 2 What is necessary is just to keep the temperature of the liquid accommodated in the inside of 27 degreeC or more. For this reason, in the manufacturing method of the present embodiment, as described above, the concentrated developer and pure water supplied to the mixing unit 2 are set to 27 ° C. or higher, and the liquid contained in the mixing unit 2 is contained. Is maintained at 27 ° C. or higher.

次に、混合部2の内部で希釈される濃縮現像液の濃度を、所望する現像液の濃度である第二濃度とする方法について説明する。   Next, a method for setting the concentration of the concentrated developer diluted inside the mixing unit 2 to the second concentration that is a desired concentration of the developer will be described.

既に説明したように、まず、混合部2の内部へ濃縮現像液及び純水を供給するが、その際、両者の供給量を所望とする希釈倍率にほぼ等しくする。ここでいう希釈倍率とは、(第一濃度)/(第二濃度)になる。   As already described, first, the concentrated developer and pure water are supplied into the mixing unit 2. At this time, the supply amounts of both are made substantially equal to the desired dilution ratio. The dilution ratio here is (first concentration) / (second concentration).

次いで、撹拌手段15により、混合部2の内部に存在する濃縮現像液と純水とを均一に混合し、この混合液の一部を自動分析器4に送る。混合液の一部を自動分析器4に送るには、バルブ22、23を閉じればよい。これにより、混合液の一部は、配管17、20とフィルタ装置19を介して自動分析器4に送られる。このとき、混合液中の不溶物は、フィルタ装置19によって除去される。なお、混合部2の内部を混合しているときに、バルブ23を開とすれば、混合部2の内部に存在する不溶物の除去に便利である。   Subsequently, the concentrated developer and pure water present inside the mixing unit 2 are uniformly mixed by the stirring unit 15, and a part of the mixed solution is sent to the automatic analyzer 4. In order to send a part of the mixed solution to the automatic analyzer 4, the valves 22 and 23 may be closed. Thereby, a part of the mixed solution is sent to the automatic analyzer 4 through the pipes 17 and 20 and the filter device 19. At this time, the insoluble matter in the mixed solution is removed by the filter device 19. If the valve 23 is opened while the inside of the mixing unit 2 is being mixed, it is convenient for removing insoluble matters existing in the mixing unit 2.

自動分析器4では、上記混合液(希釈された濃縮現像液)のTBAH濃度を測定する。測定方法としては、化学的な方法、物理的な方法等、各種の方法が採用できる。   The automatic analyzer 4 measures the TBAH concentration of the above mixed solution (diluted concentrated developer). As a measuring method, various methods such as a chemical method and a physical method can be adopted.

このようにして、自動分析器4は、混合液におけるTBAHの濃度を分析し、この分析値に基づいて第二濃度のTBAH水溶液(現像液)とするために混合部2に加えなければならない濃縮現像液又は純水の質量を算出する。そして、この算出値に基づいて、加えなければならない濃縮現像液又は純水の一方を再び混合部2の内部へ供給する。所定量の濃縮現像液又は純水が加えられたか否かは、ロードセル16にて混合部2の質量を測定することによって判断される。なお、既に述べたように、混合部2に加えられる濃縮現像液又は純水は、第一加温手段51又は第二加温手段52によって、混合部2に供給される時点で27℃以上に加温される。   In this way, the automatic analyzer 4 analyzes the concentration of TBAH in the mixed solution, and the concentration that must be added to the mixing unit 2 in order to obtain a TBAH aqueous solution (developer) having the second concentration based on this analysis value. The mass of the developer or pure water is calculated. Then, based on this calculated value, one of the concentrated developer and pure water that must be added is supplied again into the mixing section 2. Whether or not a predetermined amount of concentrated developer or pure water has been added is determined by measuring the mass of the mixing unit 2 with the load cell 16. As already described, the concentrated developer or pure water added to the mixing unit 2 is heated to 27 ° C. or higher when supplied to the mixing unit 2 by the first heating unit 51 or the second heating unit 52. It is warmed.

ロードセル16によって測定される混合部2の質量が、上記で算出された質量分だけ増加した時点で混合部2への濃縮現像液又は純水の供給を停止し、次いで、再度撹拌手段15にて混合部2の内部の濃縮現像液と純水とを均一に混合し、上記と同様に、混合液の一部を自動分析器4に送り、混合液におけるTBAH濃度が第二濃度に一致していることを確認する。混合液におけるTBAHの濃度が第二濃度に一致した後は、バルブ22を開とし、TBAHの濃度が第二濃度である現像液を、配管17を介して貯留槽3に移送し、現像液の製造が終了する。   When the mass of the mixing unit 2 measured by the load cell 16 increases by the mass calculated above, the supply of the concentrated developer or pure water to the mixing unit 2 is stopped, and then again in the stirring unit 15 The concentrated developer and pure water inside the mixing unit 2 are uniformly mixed, and a part of the mixed solution is sent to the automatic analyzer 4 in the same manner as described above so that the TBAH concentration in the mixed solution matches the second concentration. Make sure. After the concentration of TBAH in the mixed solution coincides with the second concentration, the valve 22 is opened, and the developer having the second concentration of TBAH is transferred to the storage tank 3 via the pipe 17, and the developer Production ends.

なお、図2に示すように、濃縮現像液や製造された現像液の濃度であっても、周囲環境の温度によっては、TBAHが析出する可能性がある。このため、濃縮現像液や現像液が通過し、又は貯留される箇所には、適宜保温手段を設けることが好ましい。   As shown in FIG. 2, TBAH may be deposited depending on the temperature of the surrounding environment even at the concentration of the concentrated developer or the manufactured developer. For this reason, it is preferable to appropriately provide a heat retaining means at a location where the concentrated developer or developer passes or is stored.

に、以上のフォトリソグラフィ現像液の製造方法から製造されたフォトリソグラフィ用現像液を用いたレジストパターン形成方法について説明する。 The following, or a resist pattern forming method using photolithography for developer prepared from the manufacturing process of photolithography developer will be described.

ォトリソグラフィ用現像液を用いたレジストパターン形成方法は、上記の現像液を使用して現像を行う点を除いて、公知のレジストパターン形成方法を特に限定されずに使用することができる。このような方法の一例としては、シリコンウェーハ等の基材の表面に、ネガ型又はポジ型のフォトレジスト組成物を塗布し、所定のパターンが形成されたフォトマスクを介して、光、電子線等の活性エネルギー線にて選択的露光を行ない、次いで現像処理を施す方法が挙げられる。 A resist pattern forming method using the full O preparative lithographic developer may be, except for developing using the developer on reporting, used without particular limitation a known resist pattern forming method . As an example of such a method, a negative or positive photoresist composition is applied to the surface of a substrate such as a silicon wafer, and a light or electron beam is passed through a photomask in which a predetermined pattern is formed. There is a method in which selective exposure is performed with an active energy ray such as, followed by development.

シリコンウェーハ等の基材の表面にフォトレジスト組成物を塗布するにあたり、フォトレジスト組成物としては、公知のものを特に限定されずに使用することができる。このようなフォトレジスト組成物は、市販されており、容易に入手することができる。また、フォトレジスト組成物を基材の表面に塗布する際は、公知の塗布方法を特に限定されずに使用することができる。このような塗布方法としては、スピンコータを使用した方法が例示される。   In applying a photoresist composition to the surface of a substrate such as a silicon wafer, any known photoresist composition can be used without any particular limitation. Such a photoresist composition is commercially available and can be easily obtained. Moreover, when apply | coating a photoresist composition to the surface of a base material, a well-known coating method can be used without being specifically limited. An example of such a coating method is a method using a spin coater.

現像処理を施すには、選択的露光が施されたフォトレジスト組成物を上記の現像液に曝露させればよい。このような処理の一例として、フォトレジスト組成物が塗布された基板ごと現像液に浸漬させる方法や、基板の表面に存在するフォトレジスト組成物に現像液を吹き付ける方法が挙げられる。このような処理により、選択的露光後のフォトレジスト組成物におけるアルカリ可溶成分が除去され、レジストパターンが形成される。 To subjected to development processing, it is sufficient to expose the photoresist composition is selectively exposed was subjected to a developing solution of the above follow. As an example of such treatment, there are a method of immersing the substrate coated with the photoresist composition in the developer, and a method of spraying the developer onto the photoresist composition present on the surface of the substrate. By such treatment, the alkali-soluble component in the photoresist composition after selective exposure is removed, and a resist pattern is formed.

上記の現像液は、TMAHが使用されたこれまでの現像液に比べて、レジストパターンを膨潤させる作用が小さい。このため、上記のレジストパターン形成方法によれば、ハーフピッチサイズが30〜40nmよりも微細なパターンを形成させる場合であっても、パターン倒れ等といったレジストパターンの膨潤に伴う問題の発生を抑制することができる。 The developer described above has a smaller effect of swelling the resist pattern than conventional developers using TMAH. For this reason, according to said resist pattern formation method, even if it is a case where a half pitch size forms a finer pattern than 30-40 nm, generation | occurrence | production of the problem accompanying swelling of a resist pattern, such as a pattern collapse, is suppressed. be able to.

以上、一実施態様を示して、本発明のフォトリソグラフィ用現像液の製造方法及び製造装置を説明したが、本発明は、以上の実施態様に限定されず、本発明の構成の範囲において適宜変更を加えて実施することができる。   While the manufacturing method and manufacturing apparatus for a photolithography developer according to the present invention have been described with reference to one embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment, and may be changed as appropriate within the scope of the configuration of the present invention. Can be added.

例えば、上記実施態様において、濃縮現像液は、第一供給管10の途中に設けられた第一加温手段51によって加温されたが、通い缶31やサブタンク26等に設けられた加温手段によって加温されてもよい。この場合、混合部2に供給された時点において、濃縮現像液の温度が27℃以上を維持するように、第一供給管10等に適宜保温手段を設けることが好ましい。また、混合部2、貯留槽3、各供給管等に濁度計等を設け、TBAHの析出有無を監視するシステムを設けてもよい。さらに、よりTBAHが析出するのを抑制するために、混合部2には超音波装置等を設けてもよいし、貯留槽3にも撹拌手段や超音波装置等を設けてもよい。   For example, in the above embodiment, the concentrated developer is heated by the first heating means 51 provided in the middle of the first supply pipe 10, but the heating means provided in the passing can 31, the sub tank 26, or the like. May be heated. In this case, it is preferable that the first supply pipe 10 or the like is appropriately provided with a heat retaining means so that the temperature of the concentrated developer is maintained at 27 ° C. or higher when supplied to the mixing unit 2. In addition, a turbidity meter or the like may be provided in the mixing unit 2, the storage tank 3, each supply pipe, and the like, and a system for monitoring the presence or absence of TBAH precipitation may be provided. Furthermore, in order to further suppress the precipitation of TBAH, the mixing unit 2 may be provided with an ultrasonic device or the like, and the storage tank 3 may be provided with a stirring means, an ultrasonic device or the like.

また、上記実施態様において、純水は、第二供給管14の途中に設けられた第二加温手段52によって加温されたが、純水供給源から供給される時点で加温されてもよい。この場合、混合部2に供給された時点において、純水の温度が27℃以上を維持するように、第二供給管14等に適宜保温手段を設けることが好ましい。   Moreover, in the said embodiment, although pure water was heated by the 2nd heating means 52 provided in the middle of the 2nd supply pipe | tube 14, even if it heats at the time of supplying from a pure water supply source. Good. In this case, it is preferable to appropriately provide a heat retaining means in the second supply pipe 14 or the like so that the temperature of the pure water is maintained at 27 ° C. or higher when supplied to the mixing unit 2.

また、上記実施態様では、濃縮現像液及び純水は、タンク形状である混合部2の内部で混合されたが、他の手段で混合されてもよい。例えば、濃縮現像液が流れるパイプと純水が流れるパイプとを合流させ、水流中で混合させてもよい。この場合、水流を均一に混合させるために、撹拌手段が合流後に設けられる。なお、この場合の撹拌手段は、回転体に限定されず、例えば、水流を乱流とするためにパイプの内部に設けられた突起物等の静止体等であってもよい。   In the above embodiment, the concentrated developer and pure water are mixed inside the mixing unit 2 having a tank shape, but may be mixed by other means. For example, a pipe through which the concentrated developer flows and a pipe through which pure water flows may be merged and mixed in the water stream. In this case, in order to mix the water flow uniformly, the stirring means is provided after the merge. Note that the stirring means in this case is not limited to a rotating body, and may be, for example, a stationary body such as a protrusion provided inside the pipe in order to make the water flow turbulent.

また、上記実施態様では、調製後の現像液は、貯留槽3へ移送され貯留されたが、ドラム缶等の容器に貯蔵されてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the developing solution after preparation was transferred and stored to the storage tank 3, you may store in containers, such as a drum can.

また、混合部2において、水溶性有機溶剤、界面活性剤、包接化合物等の添加剤を加えてもよい。このような添加剤を加えることにより、TBAHの析出温度を下げることができ、TBAHの析出をより抑制することができる。   Moreover, in the mixing part 2, you may add additives, such as a water-soluble organic solvent, surfactant, and an inclusion compound. By adding such an additive, the precipitation temperature of TBAH can be lowered, and the precipitation of TBAH can be further suppressed.

水溶性有機溶剤としては、水と混和性があり、フォトレジスト膜に与えるダメージの少ないものであれば特に限定されず、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコール類;ジイソプロピルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−n−ブチルエーテル、ジ−n−ペンチルエーテル、ジ−sec−ブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−sec−ペンチルエーテル、ジ−tert−アミルエーテル等のエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールエーテル類;メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、イソブタノール、sec−ブタノール、tert−ブタノール、n−アミルアルコール、イソアミルアルコール、sec−アミルアルコール、tert−アミルアルコール等のアルコール類等が例示される。これらの中でも、現像時のレジストパターンの溶解や膨潤を抑制しつつ、TBAHの溶解性を十分に向上するという観点からは、イソプロパノール、n−ブタノール、イソブタノール、sec−ブタノール等のアルコール類が好ましく例示される。上記、水溶性有機溶剤は1種又は2種以上を組み合わせて使用することができる。   The water-soluble organic solvent is not particularly limited as long as it is miscible with water and causes little damage to the photoresist film. Polyhydric alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol, and glycerin; diisopropyl ether, diisobutyl ether , Ethers such as diisopentyl ether, di-n-butyl ether, di-n-pentyl ether, di-sec-butyl ether, diisopentyl ether, di-sec-pentyl ether, di-tert-amyl ether; ethylene glycol Monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, Glycol ethers such as ethylene glycol monobutyl ether; methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, isobutanol, sec-butanol, tert-butanol, n-amyl alcohol, isoamyl alcohol, sec-amyl alcohol, tert- Examples include alcohols such as amyl alcohol. Among these, alcohols such as isopropanol, n-butanol, isobutanol and sec-butanol are preferable from the viewpoint of sufficiently improving the solubility of TBAH while suppressing dissolution and swelling of the resist pattern during development. Illustrated. The water-soluble organic solvents can be used alone or in combination of two or more.

現像液に対する水溶性有機溶剤の添加量は、1〜10質量%であることが好ましく、3〜7質量%であることがより好ましい。水溶性有機溶剤の添加量が1質量%以上であることにより、現像液におけるTBAHの析出を効果的に抑制することができる。また、水溶性有機溶剤の添加量が10質量%以下であることにより、水溶性有機溶剤によるレジストパターンに対する溶解や膨潤等といった影響を低減させることができる。   The amount of the water-soluble organic solvent added to the developer is preferably 1 to 10% by mass, and more preferably 3 to 7% by mass. When the addition amount of the water-soluble organic solvent is 1% by mass or more, precipitation of TBAH in the developer can be effectively suppressed. Moreover, when the addition amount of the water-soluble organic solvent is 10% by mass or less, it is possible to reduce influences such as dissolution and swelling of the water-soluble organic solvent on the resist pattern.

界面活性剤としては、特に限定されるものではなく、従来公知の界面活性剤を用いることができる。具体的には、ノニオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、及び両性界面活性剤を用いることができる。   The surfactant is not particularly limited, and a conventionally known surfactant can be used. Specifically, nonionic surfactants, anionic surfactants, cationic surfactants, and amphoteric surfactants can be used.

アニオン系界面活性剤としては特に限定されるものではなく、アニオン性基を有する従来公知の界面活性剤を用いることができる。そのようなアニオン系界面活性剤としては、例えば、アニオン性基として、カルボン酸基、スルホン酸基、又はリン酸基を有する界面活性剤を挙げることができる。   The anionic surfactant is not particularly limited, and a conventionally known surfactant having an anionic group can be used. Examples of such an anionic surfactant include a surfactant having a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, or a phosphoric acid group as an anionic group.

具体的には、炭素数8〜20のアルキル基を有する高級脂肪酸、高級アルキル硫酸エステル、高級アルキルスルホン酸、高級アルキルアリールスルホン酸、スルホン酸基を有するその他の界面活性剤、若しくは高級アルコールリン酸エステル、又はそれらの塩等を挙げることができる。ここで、上記アニオン系界面活性剤の有するアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状のいずれでもよく、分枝鎖中にフェニレン基又は酸素原子等が介在してもよいし、アルキル基が有する水素原子の一部が水酸基やカルボキシル基で置換されてもよい。   Specifically, higher fatty acids having an alkyl group having 8 to 20 carbon atoms, higher alkyl sulfates, higher alkyl sulfonic acids, higher alkyl aryl sulfonic acids, other surfactants having sulfonic acid groups, or higher alcohol phosphoric acids Examples thereof include esters or salts thereof. Here, the alkyl group possessed by the anionic surfactant may be either linear or branched, and a phenylene group or an oxygen atom may be interposed in the branched chain. Some of the hydrogen atoms may be substituted with a hydroxyl group or a carboxyl group.

上記の高級脂肪酸の具体例としては、ドデカン酸、テトラデカン酸、ステアリン酸等を挙げることができ、高級アルキル硫酸エステルの具体例としては、デシル硫酸エステル、ドデシル硫酸エステル等を挙げることができる。また、上記高級アルキルスルホン酸の例としては、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸、テトラデカンスルホン酸、ペンタデカンスルホン酸、ステアリン酸スルホン酸等を挙げることができる。   Specific examples of the higher fatty acid include dodecanoic acid, tetradecanoic acid and stearic acid. Specific examples of the higher alkyl sulfate include decyl sulfate and dodecyl sulfate. Examples of the higher alkyl sulfonic acid include decane sulfonic acid, dodecane sulfonic acid, tetradecane sulfonic acid, pentadecane sulfonic acid, and stearic acid sulfonic acid.

また、高級アルキルアリールスルホン酸の具体例としては、ドデシルベンゼンスルホン酸、デシルナフタレンスルホン酸等を挙げることができる。
さらに、スルホン酸基を有するその他の界面活性剤としては、例えば、ドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸等のアルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、ジオクチルスルホサクシネート等のジアルキルスルホサクシネート等を挙げることができる。
高級アルコールリン酸エステルの例としては、例えば、パルミチルリン酸エステル、ヒマシ油アルキルリン酸エステル、ヤシ油アルキルリン酸エステル等を挙げることができる。
Specific examples of higher alkylaryl sulfonic acids include dodecylbenzene sulfonic acid and decylnaphthalene sulfonic acid.
Furthermore, examples of other surfactants having a sulfonic acid group include alkyl diphenyl ether disulfonic acids such as dodecyl diphenyl ether disulfonic acid and dialkyl sulfosuccinates such as dioctyl sulfosuccinate.
Examples of higher alcohol phosphates include palmityl phosphate, castor oil alkyl phosphate, coconut oil alkyl phosphate, and the like.

以上のアニオン性界面活性剤の中でも、スルホン酸基を有する界面活性剤を用いることが好ましく、具体的には、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、オレフィンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ジアルキルスルホサクシネート等が挙げられる。これらの中でも、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、ジアルキルスルホサクシネートを用いることが好ましい。アルキルスルホン酸のアルキル基の平均炭素数は9〜21であることが好ましく、12〜18であることがより好ましい。また、アルキルベンゼンスルホン酸のアルキル基の平均炭素数は、6〜18であることが好ましく、9〜15であることがより好ましい。アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸のアルキル基の平均炭素数は、6〜18であることが好ましく、9〜15であることがより好ましい。さらに、ジアルキルスルホサクシネートのアルキル基の平均炭素数は、4〜12が好ましく、6〜10がより好ましい。これらの中でも、平均炭素数15のアルキル基を有するアルキルスルホン酸、及び平均炭素数12のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸を用いることが好ましい。   Among the above anionic surfactants, it is preferable to use a surfactant having a sulfonic acid group. Specifically, alkylsulfonic acid, alkylbenzenesulfonic acid, olefinsulfonic acid, alkyldiphenylethersulfonic acid, alkylnaphthalenesulfonic acid. And dialkylsulfosuccinate. Among these, it is preferable to use alkylsulfonic acid, alkylbenzenesulfonic acid, alkyldiphenyl ether disulfonic acid, and dialkylsulfosuccinate. The average carbon number of the alkyl group of the alkyl sulfonic acid is preferably 9 to 21, and more preferably 12 to 18. Moreover, it is preferable that it is 6-18, and, as for the average carbon number of the alkyl group of alkylbenzenesulfonic acid, it is more preferable that it is 9-15. The average carbon number of the alkyl group of the alkyldiphenyl ether disulfonic acid is preferably 6-18, and more preferably 9-15. Furthermore, 4-12 are preferable and, as for the average carbon number of the alkyl group of dialkyl sulfosuccinate, 6-10 are more preferable. Among these, it is preferable to use alkylsulfonic acid having an alkyl group having an average carbon number of 15 and alkylbenzenesulfonic acid having an alkyl group having an average carbon number of 12.

ノニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、アセチレン系ノニオン界面活性剤等が例示される。ノニオン系界面活性剤としては水溶性を有するものが望ましい。HLB7〜17の範囲が良い。HLBが小さく水溶性が足りない場合は他の活性剤と混ぜるなどして水溶性を持たせてもよい。   Examples of nonionic surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers and acetylenic nonionic surfactants. As the nonionic surfactant, those having water solubility are desirable. The range of HLB7-17 is good. When HLB is small and water solubility is insufficient, it may be made water-soluble by mixing with other active agents.

現像液に対する界面活性剤の添加量は、0.01〜10質量%であることが好ましく、0.02〜1質量%であることがより好ましい。さらには、0.03〜0.5質量%であることが最も好ましい。界面活性剤の添加量が0.01質量%以上であることにより、現像液におけるTBAHの析出を効果的に抑制することができる。また、界面活性剤の添加量が10質量%以下であることにより、界面活性剤によるレジストパターンに対する溶解や膨潤等といった影響を低減させることができる。   The addition amount of the surfactant with respect to the developer is preferably 0.01 to 10% by mass, and more preferably 0.02 to 1% by mass. Furthermore, it is most preferable that it is 0.03-0.5 mass%. When the addition amount of the surfactant is 0.01% by mass or more, precipitation of TBAH in the developer can be effectively suppressed. Moreover, when the addition amount of the surfactant is 10% by mass or less, it is possible to reduce influences such as dissolution and swelling of the surfactant on the resist pattern.

包接化合物としては、特に限定されるものではなく、従来公知の水溶性の包接化合物を用いることができる。包接化合物となる化合物は、疎水性等の化合物を包接して水溶液に溶解させる。このため、包接化合物は、従来現像液に使用されてきたTMAHよりも疎水性の高いTBAHを包接し、TBAH成分の現像液への溶解性を大きくする。このような作用により、TBAHの析出が抑制される。   The clathrate compound is not particularly limited, and a conventionally known water-soluble clathrate compound can be used. The compound to be an inclusion compound is dissolved in an aqueous solution by inclusion of a hydrophobic compound. For this reason, the clathrate compound clathrates TBAH having a higher hydrophobicity than TMAH conventionally used in the developer, and increases the solubility of the TBAH component in the developer. By such an action, precipitation of TBAH is suppressed.

このような包接化合物としては、環状オリゴ糖が例示され、それらの中でもシクロデキストリンが好ましく例示される。シクロデキストリンは、その構造が台形状(バケツ状)に歪んだ円筒形状をしており、この円筒形の内部にゲスト化合物(TBAH)を取り込んで包接化合物を形成する。シクロデキストリンとしては、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリン、及びδ−シクロデキストリンが挙げられる。これらのシクロデキストリンは、1種又は2種以上を組み合わせて使用することができる。また、包接化合物として、クラウンエーテルを使用してもよい。   As such an inclusion compound, a cyclic oligosaccharide is exemplified, and among them, cyclodextrin is preferably exemplified. Cyclodextrin has a cylindrical shape whose structure is distorted in a trapezoidal shape (bucket shape), and a guest compound (TBAH) is taken into this cylindrical shape to form an inclusion compound. Cyclodextrins include α-cyclodextrin, β-cyclodextrin, γ-cyclodextrin, and δ-cyclodextrin. These cyclodextrins can be used alone or in combination of two or more. Moreover, you may use crown ether as an inclusion compound.

1 フォトリソグラフィ用現像液の製造装置
2 混合部
10 第一供給管
14 第二供給管
15 撹拌手段
40 保温手段
51 第一加温手段
52 第二加温手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Manufacturing apparatus of photolithography developer 2 Mixing part 10 1st supply pipe 14 2nd supply pipe 15 Stirring means 40 Thermal insulation means 51 1st heating means 52 2nd heating means

Claims (3)

第一濃度の水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液と、純水と、を混合部で混合することにより、前記第一濃度よりも希釈された第二濃度の水酸化テトラブチルアンモニウムを含む水溶液を得るフォトリソグラフィ用現像液の製造方法であって、
前記混合部に供給される第一濃度の水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液及び純水の水温が27℃以上であり、かつ、前記混合部で混合される液体の温度を27℃以上に保持することを特徴とするフォトリソグラフィ用現像液の製造方法。
Photolithography for obtaining an aqueous solution containing tetrabutylammonium hydroxide having a second concentration diluted with respect to the first concentration by mixing a tetrabutylammonium hydroxide aqueous solution having a first concentration with pure water in a mixing unit. A method for producing a developing solution for an automobile, comprising:
The temperature of the first concentration tetrabutylammonium hydroxide aqueous solution and pure water supplied to the mixing unit is 27 ° C. or higher, and the temperature of the liquid mixed in the mixing unit is maintained at 27 ° C. or higher. A method for producing a developer for photolithography.
前記第一濃度が30質量%を超え、前記第二濃度が30質量%以下である請求項1記載のフォトリソグラフィ用現像液の製造方法。   2. The method for producing a photolithography developer according to claim 1, wherein the first concentration exceeds 30 mass% and the second concentration is 30 mass% or less. 撹拌手段と、
第一濃度の水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液を供給する第一供給管と、
純水を供給する第二供給管と、を備えた混合部を備え、
さらに、
前記第一供給管から前記混合部の内部に供給される水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液を27℃以上に加温する第一加温手段と、
前記第二供給管から前記混合部の内部に供給される純水を27℃以上に加温する第二加温手段と、
前記第一供給管から前記混合部の内部に供給された第一濃度の水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液、及び前記第二供給管から前記混合部の内部に供給された純水を前記撹拌手段により混合して、前記第一濃度よりも希釈された第二濃度の水酸化テトラブチルアンモニウムを含むフォトリソグラフィ用現像液を得る際、前記混合部の内部に存在する液体の温度を27℃以上に維持するための保温手段と、を備えたフォトリソグラフィ用現像液の製造装置。
Stirring means;
A first supply pipe for supplying an aqueous solution of tetrabutylammonium hydroxide having a first concentration;
A second supply pipe for supplying pure water, and a mixing unit including
further,
First heating means for heating the tetrabutylammonium hydroxide aqueous solution supplied from the first supply pipe to the inside of the mixing section to 27 ° C. or higher;
Second heating means for heating pure water supplied from the second supply pipe to the inside of the mixing section to 27 ° C. or higher;
The first concentration tetrabutylammonium hydroxide aqueous solution supplied from the first supply pipe to the inside of the mixing section and the pure water supplied from the second supply pipe to the inside of the mixing section are mixed by the stirring means. Then, when obtaining a photolithography developer containing a second concentration of tetrabutylammonium hydroxide diluted from the first concentration, the temperature of the liquid existing inside the mixing section is maintained at 27 ° C. or higher. A lithographic developer manufacturing apparatus, comprising:
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