JP5598221B2 - 光制御素子 - Google Patents
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Description
また、本発明における「到達時間が、ほぼ同じ」とは、光制御素子を駆動した際に、光制御素子としての機能を十分に達成できる範囲において、各光制御部に到達する光と電気信号の到達時間のズレが、許容されていること意味している。例えば、制御信号(信号周波数が数GHz〜300GHz程度)の位相がずれない範囲で許容される。
本発明は、電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板と、該薄板に形成された光導波路と、該光導波路を伝播する光を制御するための光制御部を複数有する光制御素子において、該光制御部の少なくとも一部には、該光導波路に電界を印加するための制御電極が、該薄板を挟むように配置された第1電極と第2電極とから構成され、該第1電極は、信号電極と接地電極とを有すると共に、該第2電極は、少なくとも接地電極を有し、第1電極の信号電極と協働して該光導波路に電界を印加するように構成されており、複数の光制御部の間は、薄板の表面のみに配置されたコプレーナ型線路、薄板の表面に配置されたコプレーナ型線路と裏面に配置された接地電極、又はマイクロストリップラインのいずれかで構成される制御信号配線で接続されており、複数の光制御部の間は、制御信号配線で接続されており、光と電気信号の到達時間は、ほぼ同じになるように設定されていることを特徴とする光制御素子である。
信号電極や接地電極などの制御電極は、Ti・Auの電極パターンの形成及び金メッキ方法などにより形成することが可能である。また、必要に応じて透明電極を利用することも可能であり、ITOや赤外透明導電膜であるInとTiの複合酸化物膜などが使用される。透明電極については、フォトリソグラフィー法により電極パターンを形成しリフトオフ法によって形成する方法や、所定の電極パターンが残るようにマスク材を形成し、ドライエッチング、あるいはウエットエッチングにて形成する方法などが使用可能である。
なお、接地電極と薄板との間に存在するバッファ層は、省略することも可能であるが、薄板の光導波路と接地電極との間にあるバッファ層については、薄板の厚みが薄くなるに従い、光導波路を伝搬する光波のモード径は薄板の厚みとほぼ等しくなることから、薄板の裏面側に形成される第2電極(接地電極)による光波の吸収又は散乱も発生するため、この部分のバッファ層は残しておくことが好ましい。また、制御信号配線が光導波路を跨ぐ部分でも、光導波路を伝播する光波への影響を抑制するため、バッファ層を配置することも可能である。
なお、光導波路については、リッジ型である必要は無く、非リッジ型であっても、スラブ導波路であっても良く、電気光学(EO)作用部の効率、光導波路の曲げなど、光学的な特性を選定する際に、適切な導波路形状を選択することが可能である。
Claims (7)
- 電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板と、該薄板に形成された光導波路と、該光導波路を伝播する光を制御するための光制御部を複数有する光制御素子において、
該光制御部の少なくとも一部には、該光導波路に電界を印加するための制御電極が、該薄板を挟むように配置された第1電極と第2電極とから構成され、
該第1電極は、信号電極と接地電極とを有すると共に、該第2電極は、少なくとも接地電極を有し、第1電極の信号電極と協働して該光導波路に電界を印加するように構成されており、
複数の光制御部の間は、各光制御部の該制御電極を制御信号配線で接続されており、
少なくとも2以上の光制御部は、該光導波路と該制御信号配線によって直列に接続され、かつ、直列に接続された光制御部の間では該制御信号配線の長さと該光導波路の長さとが異なり、
前記直列に接続された光制御部の間の該制御信号配線の少なくとも一部は、薄板の表面のみに配置されたコプレーナ型線路、又はマイクロストリップラインのいずれかで構成されており、光と電気信号の到達時間は、ほぼ同じになるように設定されていることを特徴とする光制御素子。 - 請求項1に記載の光制御素子において、前記直列に接続された光制御部の間では、該制御信号配線の長さが該光導波路の長さより長い場合には、該制御信号配線の少なくとも一部はコプレーナ型線路で構成されることを特徴とする光制御素子。
- 請求項1に記載の光制御素子において、前記直列に接続された光制御部の間では、該制御信号配線の長さが該光導波路の長さより短い場合には、該制御信号配線の少なくとも一部はマイクロストリップラインで構成されることを特徴とする光制御素子。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の光制御素子において、該光制御部は、光路切替え型の光スイッチ、光アッテネータ、マッハツェンダー型光変調器のいずれかであることを特徴とする光制御素子。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載の光制御素子において、該光制御部は、1ns以下の切替え速度、又は1GHz以上の周波数で動作する電気光学素子であることを特徴とする光制御素子。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の光制御素子において、該第1電極を構成する信号電極及び接地電極の厚さは、ほぼ同じであることを特徴とする光制御素子。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の光制御素子において、該薄板が、LiNbO3結晶、LiTaO3結晶、又は両者の固溶体結晶のいずれかであることを特徴とする光制御素子。
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