JP5590258B2 - Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金半透過膜 - Google Patents
Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金半透過膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5590258B2 JP5590258B2 JP2014004584A JP2014004584A JP5590258B2 JP 5590258 B2 JP5590258 B2 JP 5590258B2 JP 2014004584 A JP2014004584 A JP 2014004584A JP 2014004584 A JP2014004584 A JP 2014004584A JP 5590258 B2 JP5590258 B2 JP 5590258B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- film
- reflectance
- sputtering target
- atomic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 159
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 43
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 39
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 29
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 48
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 33
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 16
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 16
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/06—Alloys based on silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/14—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of noble metals or alloys based thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
本発明は、ディスプレイや照明に使用される発光素子及び光記録用ディスク等の光反射層、タッチパネル等の配線、赤外線カットフィルムや透明導電膜等に使用されるＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金半透過膜）を形成するためのＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金半透過膜に関するものである。
一般に、有機ＥＬや反射型液晶等のディスプレイや、ＬＥＤ等の発光素子、あるいは光記録用ディスク等には、光取り出し効率を向上させる目的で光反射層が形成されている。ここで、Ａｇ及びＡｇ合金からなるＡｇ膜及びＡｇ合金膜は、反射率が高いことから、上述の光反射層として広く使用されている。
例えば、特許文献１には、有機ＥＬ素子の反射電極の構成材料としてＡｇ合金を用いることが開示されている。
特許文献２には、半導体発光素子の電極の構成材料として、高効率で光を反射するＡｇまたはＡｇ合金を用いることが開示されている。
特許文献３には、光記録媒体の反射層の構成材料として、ＡｇまたはＡｇ合金を用いることが開示されている。
また、Ａｇ膜及びＡｇ合金膜は、上述の用途のみでなく、光学機器用反射ミラー、太陽電池用反射膜、照明装置のリフレクタ等にも利用されている。
例えば、特許文献１には、有機ＥＬ素子の反射電極の構成材料としてＡｇ合金を用いることが開示されている。
特許文献２には、半導体発光素子の電極の構成材料として、高効率で光を反射するＡｇまたはＡｇ合金を用いることが開示されている。
特許文献３には、光記録媒体の反射層の構成材料として、ＡｇまたはＡｇ合金を用いることが開示されている。
また、Ａｇ膜及びＡｇ合金膜は、上述の用途のみでなく、光学機器用反射ミラー、太陽電池用反射膜、照明装置のリフレクタ等にも利用されている。
一方、上述のＡｇ膜及びＡｇ合金膜は、導電性にも優れていることから、例えば特許文献４に開示されているように、タッチパネルの引き出し配線としても使用されている。さらに、特許文献５に記載されているように、膜厚の薄いＡｇ膜は半透過膜としても用いられている。Ａｇからなる半透過膜は、ディスプレイ用の透明導電膜やボトムエミッション方式の有機ＥＬのアノードとしても使用されている。
ところで、純ＡｇからなるＡｇ膜は、反射率や透過率等の光学特性に優れているものの、耐環境性（耐湿環境への耐性）が不十分であることから、使用環境下において反射率や透過率等の光学特性が低下するため、長時間使用時の信頼性に問題を有していた。
また、上述の発光素子やディスプレイにおいては、その製造過程で高温の熱処理が行われることがあるため、熱処理後にＡｇ膜またはＡｇ合金膜の反射率が低下し、十分な特性を発揮できなくなるおそれがあった。このため、できるだけ純Ａｇ膜に近い高反射率を維持しつつ、熱処理後においても、反射率が低下しないＡｇ合金膜が求められている。
さらに、純ＡｇからなるＡｇ膜を配線として使用した場合には、熱湿環境下において粒成長が生じ、比抵抗値が変動してしまうといった問題があった。また、純Ａｇは、耐塩水性、耐熱性、耐湿性等の各種耐性が不十分なため、使用環境下や製造プロセスにおいて、Ａｇ膜が変質してしまうおそれがあった。
また、上述の発光素子やディスプレイにおいては、その製造過程で高温の熱処理が行われることがあるため、熱処理後にＡｇ膜またはＡｇ合金膜の反射率が低下し、十分な特性を発揮できなくなるおそれがあった。このため、できるだけ純Ａｇ膜に近い高反射率を維持しつつ、熱処理後においても、反射率が低下しないＡｇ合金膜が求められている。
さらに、純ＡｇからなるＡｇ膜を配線として使用した場合には、熱湿環境下において粒成長が生じ、比抵抗値が変動してしまうといった問題があった。また、純Ａｇは、耐塩水性、耐熱性、耐湿性等の各種耐性が不十分なため、使用環境下や製造プロセスにおいて、Ａｇ膜が変質してしまうおそれがあった。
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、反射率や透過率等の光学特性に優れるとともに低い比抵抗値を有し、かつ、耐熱性、耐環境性等の各種耐性に優れ、熱処理後においても反射率が大きく変化せず、使用環境下においても反射率や透過率等の光学特性及び比抵抗値が大きく変化しないＡｇ合金膜を形成可能なＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット、Ａｇ合金膜、このＡｇ合金膜からなるＡｇ合金導電膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金半透過膜を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｓｂを０．２原子％以上２．０原子％以下、Ｍｇを０．０５原子％以上１．００原子％以下、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有することを特徴としている。
このような構成とされた本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットにおいては、Ｓｂの含有量が０．２原子％以上とされているので、耐熱性、耐環境性を向上させることができ、成膜後の製造過程で熱処理などが行われても反射率が大きく変化することを抑制できるとともに、長時間使用時においても反射率や透過率等の光学特性及び比抵抗値が大きく変化することがない。また、Ｓｂの含有量が２．０原子％以下とされているので、成膜直後においても優れた光学特性と低い比抵抗値を確保することができる。
また、Ｍｇの含有量が０．０５原子％以上とされているので、Ａｇの粒成長を抑制でき、Ｓｂとの相乗効果によって、耐熱性を大幅に向上させることができるとともに、耐塩水性も向上させることができる。また、Ｍｇの含有量が１．００原子％以下とされているので優れた光学特性と低い比抵抗値を確保できるとともに、熱湿環境下で反射率や透過率等の光学特性及び比抵抗値が大きく変化することを抑制できる。
以上のことから、成膜直後の光学特性に優れるとともに低い比抵抗値を有し、かつ、成膜後の製造過程での熱処理などによっても反射率が大きく変化せず、使用環境下においても反射率や透過率等の光学特性及び比抵抗値が大きく変化しないＡｇ合金膜を形成することが可能となる。
また、Ｍｇの含有量が０．０５原子％以上とされているので、Ａｇの粒成長を抑制でき、Ｓｂとの相乗効果によって、耐熱性を大幅に向上させることができるとともに、耐塩水性も向上させることができる。また、Ｍｇの含有量が１．００原子％以下とされているので優れた光学特性と低い比抵抗値を確保できるとともに、熱湿環境下で反射率や透過率等の光学特性及び比抵抗値が大きく変化することを抑制できる。
以上のことから、成膜直後の光学特性に優れるとともに低い比抵抗値を有し、かつ、成膜後の製造過程での熱処理などによっても反射率が大きく変化せず、使用環境下においても反射率や透過率等の光学特性及び比抵抗値が大きく変化しないＡｇ合金膜を形成することが可能となる。
ここで、本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットにおいては、含有されるＳｂとＭｇの原子比が１．０≦Ｓｂ／Ｍｇ≦４０．０であることが好ましい。
この場合、熱湿環境下における反射率及び抵抗値の変化がより少ないＡｇ合金膜を成膜することができる。
この場合、熱湿環境下における反射率及び抵抗値の変化がより少ないＡｇ合金膜を成膜することができる。
本発明のＡｇ合金膜は、上述のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを用いて成膜されたことを特徴としている。
このような構成とされた本発明のＡｇ合金反射膜においては、耐熱性、耐環境性等の各種耐性に優れ、成膜後の製造過程での熱処理などによっても反射率が大きく変化せず、使用環境下においても反射率や透過率等の光学特性及び比抵抗値が大きく変化しない。
このような構成とされた本発明のＡｇ合金反射膜においては、耐熱性、耐環境性等の各種耐性に優れ、成膜後の製造過程での熱処理などによっても反射率が大きく変化せず、使用環境下においても反射率や透過率等の光学特性及び比抵抗値が大きく変化しない。
本発明のＡｇ合金反射膜は、上述のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを用いて成膜されたことを特徴としている。
このような構成とされた本発明のＡｇ合金反射膜においては、耐熱性、耐環境性等の各種耐性に優れ、成膜後の製造過程での熱処理などによっても反射率が低下せず、使用環境下においても反射率が大きく変化しないため、ＬＥＤ等の発光素子や、有機ＥＬや反射型液晶等のディスプレイ、あるいは光記録用ディスク等の光反射膜として、特に適している。
このような構成とされた本発明のＡｇ合金反射膜においては、耐熱性、耐環境性等の各種耐性に優れ、成膜後の製造過程での熱処理などによっても反射率が低下せず、使用環境下においても反射率が大きく変化しないため、ＬＥＤ等の発光素子や、有機ＥＬや反射型液晶等のディスプレイ、あるいは光記録用ディスク等の光反射膜として、特に適している。
本発明のＡｇ合金導電膜は、上述のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを用いて成膜されたことを特徴としている。
このような構成とされたＡｇ合金導電膜は、耐環境性、耐塩水性等の各種耐性に優れ、使用環境下においても腐食による外観変化が発生しないため、導電膜として特に優れている。
このような構成とされたＡｇ合金導電膜は、耐環境性、耐塩水性等の各種耐性に優れ、使用環境下においても腐食による外観変化が発生しないため、導電膜として特に優れている。
本発明のＡｇ合金半透過膜は、上述のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを用いて成膜されたことを特徴としている。
このような構成とされたＡｇ合金半透過膜は、耐環境性に優れ、使用環境下においても透過率が大きく変化しないため、半透過膜として特に優れている。
このような構成とされたＡｇ合金半透過膜は、耐環境性に優れ、使用環境下においても透過率が大きく変化しないため、半透過膜として特に優れている。
ここで、本発明のＡｇ合金反射膜においては、波長４０５〜５５０ｎｍの反射率が８５％以上であることが好ましい。
また、本発明のＡｇ合金導電膜においては、比抵抗が１０μΩ・ｃｍ以下であることが好ましい。
さらに、本発明のＡｇ合金半透過膜においては、膜厚１５ｎｍ以下でかつ波長３５０〜８５０ｎｍにおける平均透過率が３５％以上であることが好ましい。
また、本発明のＡｇ合金導電膜においては、比抵抗が１０μΩ・ｃｍ以下であることが好ましい。
さらに、本発明のＡｇ合金半透過膜においては、膜厚１５ｎｍ以下でかつ波長３５０〜８５０ｎｍにおける平均透過率が３５％以上であることが好ましい。
以上のように、本発明によれば、反射率や透過率等の光学特性に優れるとともに低い比抵抗値を有し、かつ、耐熱性、耐環境性等の各種耐性に優れ、熱処理後においても反射率が大きく変化せず、使用環境下においても反射率や透過率等の光学特性及び比抵抗値が大きく変化しないＡｇ合金膜を形成可能なＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット、Ａｇ合金膜、このＡｇ合金膜からなるＡｇ合金導電膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金半透過膜を提供することができる。
以下に、本発明の一実施形態であるＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット、および、Ａｇ合金膜について説明する。
本実施形態であるＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、Ａｇ合金膜を形成する際に用いられるものである。ここで、本実施形態であるＡｇ合金膜は、例えばディスプレイ、発光素子等の光反射層として使用されるＡｇ合金反射膜、タッチパネルのパネル面周縁部に形成される配線を構成するＡｇ合金導電膜、透明導電膜や赤外線カットフィルムに用いられるＡｇ半透過膜として使用される。
本実施形態であるＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、Ａｇ合金膜を形成する際に用いられるものである。ここで、本実施形態であるＡｇ合金膜は、例えばディスプレイ、発光素子等の光反射層として使用されるＡｇ合金反射膜、タッチパネルのパネル面周縁部に形成される配線を構成するＡｇ合金導電膜、透明導電膜や赤外線カットフィルムに用いられるＡｇ半透過膜として使用される。
＜Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット＞
本実施形態であるＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｓｂを０．２原子％以上２．０原子％以下、Ｍｇを０．０５原子％以上１．００原子％以下、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有するＡｇ合金からなる。
以下に、本実施形態であるＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットの組成を上述のように規定した理由について説明する。
本実施形態であるＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｓｂを０．２原子％以上２．０原子％以下、Ｍｇを０．０５原子％以上１．００原子％以下、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有するＡｇ合金からなる。
以下に、本実施形態であるＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットの組成を上述のように規定した理由について説明する。
Ｓｂ：０．２原子％以上２．０原子％以下
Ｓｂは、耐熱性、耐環境性（熱湿環境への耐性）を向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Ｓｂの含有量が０．２原子％未満の場合には、耐熱性、耐環境性が十分に向上しない。一方、Ｓｂの含有量が２．０原子％を超えた場合には、成膜直後においても反射率が低くなり、反射膜としての特性を確保できなくなるおそれがある。また、比抵抗値が高くなるとともに透過率が低くなり、導電膜又は半透過膜としての特性を確保できなくなるおそれがある。
このような理由から、本実施形態では、Ｓｂの含有量を、０．２原子％以上２．０原子％以下の範囲内に設定している。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ｓｂの含有量を、０．３原子％以上１．５原子％以下の範囲内とすることが好ましい。
Ｓｂは、耐熱性、耐環境性（熱湿環境への耐性）を向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Ｓｂの含有量が０．２原子％未満の場合には、耐熱性、耐環境性が十分に向上しない。一方、Ｓｂの含有量が２．０原子％を超えた場合には、成膜直後においても反射率が低くなり、反射膜としての特性を確保できなくなるおそれがある。また、比抵抗値が高くなるとともに透過率が低くなり、導電膜又は半透過膜としての特性を確保できなくなるおそれがある。
このような理由から、本実施形態では、Ｓｂの含有量を、０．２原子％以上２．０原子％以下の範囲内に設定している。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ｓｂの含有量を、０．３原子％以上１．５原子％以下の範囲内とすることが好ましい。
Ｍｇ：０．０５原子％以上１．００原子％以下
Ｍｇは、熱湿環境下においてＡｇの粒成長を抑制する作用効果を有する元素である。また、Ｓｂを上述のように含有することとの相乗効果によって、高温における耐熱性を向上させる作用効果も有する。また、耐塩水性も向上させる作用効果も有する。
ここで、Ｍｇの含有量が０．０５原子％未満の場合には、粒成長を十分に抑制できず、耐熱性・耐環境性を向上させることができなくなるおそれがある。また、耐塩水性も向上させることができなくなるおそれがある。一方、Ｍｇの含有量が１．００原子％を超えた場合には、熱湿環境下で反射率が大きく低下し、反射膜としての特性を確保できなくなるおそれがある。また、比抵抗値が高くなるとともに透過率が低くなり、導電膜又は半透過膜としての特性を確保できなくなるおそれがある。
このような理由から、本実施形態では、Ｍｇの含有量を、０．０５原子％以上１．００原子％以下の範囲内に設定している。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ｍｇの含有量を、０．１０原子％以上０．５０原子％以下の範囲内とすることが好ましい。
Ｍｇは、熱湿環境下においてＡｇの粒成長を抑制する作用効果を有する元素である。また、Ｓｂを上述のように含有することとの相乗効果によって、高温における耐熱性を向上させる作用効果も有する。また、耐塩水性も向上させる作用効果も有する。
ここで、Ｍｇの含有量が０．０５原子％未満の場合には、粒成長を十分に抑制できず、耐熱性・耐環境性を向上させることができなくなるおそれがある。また、耐塩水性も向上させることができなくなるおそれがある。一方、Ｍｇの含有量が１．００原子％を超えた場合には、熱湿環境下で反射率が大きく低下し、反射膜としての特性を確保できなくなるおそれがある。また、比抵抗値が高くなるとともに透過率が低くなり、導電膜又は半透過膜としての特性を確保できなくなるおそれがある。
このような理由から、本実施形態では、Ｍｇの含有量を、０．０５原子％以上１．００原子％以下の範囲内に設定している。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ｍｇの含有量を、０．１０原子％以上０．５０原子％以下の範囲内とすることが好ましい。
また、Ｍｇの含有量は、Ｓｂに対して原子比で１．０≦Ｓｂ／Ｍｇ≦４０．０とすることで、熱湿環境下においての反射率や抵抗値の変化をより少なくすることができる。
＜Ａｇ合金膜＞
本実施形態であるＡｇ合金膜は、上述のように、ディスプレイ、発光素子等の光反射層として使用される。これらの用途においては、特定の波長の光に対する反射率が高いこと、あるいは、広い波長域の光に対する反射率が高いことが要求される。また、ディスプレイや発光素子の製造過程においては、光反射層を形成した後に、例えば２５０℃以上の熱処理が施されることがあるため、熱処理後においても高い反射率を確保する必要がある。さらに、信頼性を向上させるために、長時間の使用によっても反射率が大きく変化せずに安定していることが好ましい。
さらに、本実施形態であるＡｇ合金膜は、上述のように、タッチパネルのパネル面周縁部に形成される配線を構成するＡｇ合金導電膜、透明導電膜や赤外線カットフィルムに用いられるＡｇ半透過膜として使用される。これらの用途においては、比抵抗値が低いこと、あるいは、透過率が高いことが求められており、さらに使用環境においても、比抵抗値や透過率が大きく変化せずに安定していることが求められている。
本実施形態であるＡｇ合金膜は、上述のように、ディスプレイ、発光素子等の光反射層として使用される。これらの用途においては、特定の波長の光に対する反射率が高いこと、あるいは、広い波長域の光に対する反射率が高いことが要求される。また、ディスプレイや発光素子の製造過程においては、光反射層を形成した後に、例えば２５０℃以上の熱処理が施されることがあるため、熱処理後においても高い反射率を確保する必要がある。さらに、信頼性を向上させるために、長時間の使用によっても反射率が大きく変化せずに安定していることが好ましい。
さらに、本実施形態であるＡｇ合金膜は、上述のように、タッチパネルのパネル面周縁部に形成される配線を構成するＡｇ合金導電膜、透明導電膜や赤外線カットフィルムに用いられるＡｇ半透過膜として使用される。これらの用途においては、比抵抗値が低いこと、あるいは、透過率が高いことが求められており、さらに使用環境においても、比抵抗値や透過率が大きく変化せずに安定していることが求められている。
以上のような構成とされた本実施形態であるＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金半透過膜）によれば、Ｓｂの含有量が０．２原子％以上２．０原子％以下とされているので、成膜直後において反射率や透過率等の光学特性に優れ、かつ、低い比抵抗値を有するとともに、耐熱性に優れているので、熱処理後であっても反射率が大きく変化することを抑制できる。さらに、耐環境性に優れているので、長時間使用時においても反射率や透過率等の光学特性及び比抵抗値が大きく変化しない。
また、Ｍｇの含有量が０．０５原子％以上１．００原子％以下とされているので、成膜直後において反射率や透過率等の光学特性に優れ、かつ、低い比抵抗値を有するとともに、Ａｇの粒成長を抑制でき、耐熱性、耐環境性を向上させることができる。
以上のことから、成膜後の製造過程での熱処理などによっても反射率に優れ、かつ、低い比抵抗値を有するとともに、使用環境下においても反射率や透過率等の光学特性及び比抵抗値が大きく変化しないＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金半透過膜）を形成することが可能となる。
また、Ｍｇの含有量が０．０５原子％以上１．００原子％以下とされているので、成膜直後において反射率や透過率等の光学特性に優れ、かつ、低い比抵抗値を有するとともに、Ａｇの粒成長を抑制でき、耐熱性、耐環境性を向上させることができる。
以上のことから、成膜後の製造過程での熱処理などによっても反射率に優れ、かつ、低い比抵抗値を有するとともに、使用環境下においても反射率や透過率等の光学特性及び比抵抗値が大きく変化しないＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金半透過膜）を形成することが可能となる。
また、本実施形態であるＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金半透過膜）は、上述のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットによって成膜されており、耐熱性に優れているので、ディスプレイや発光素子の製造過程において２５０℃以上といった比較的高温で熱処理された場合であっても反射率が大きく変化しない。また、耐環境性にも優れているので、使用環境下においても反射率や透過率等の光学特性及び比抵抗値が大きく変化せずに安定することになる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、ディスプレイ、発光素子等の光反射層、タッチパネルのパネル面周縁部に形成される配線を構成するＡｇ合金導電膜、透明導電膜や赤外線カットフィルムに用いられるＡｇ半透過膜として使用されるものとして説明したが、これに限定されることはなく、その他の用途に適用してもよい。
例えば、本実施形態では、ディスプレイ、発光素子等の光反射層、タッチパネルのパネル面周縁部に形成される配線を構成するＡｇ合金導電膜、透明導電膜や赤外線カットフィルムに用いられるＡｇ半透過膜として使用されるものとして説明したが、これに限定されることはなく、その他の用途に適用してもよい。
（実施例１）
以下に、本発明に係るＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット及びＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
以下に、本発明に係るＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット及びＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
＜Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット＞
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＳｂ，Ｍｇと、を準備し、表１に示す所定の組成となるように秤量した。
次に、溶解炉を用いて、Ａｇを不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られたＡｇ溶湯に、Ｓｂ，Ｍｇを添加し、不活性ガス雰囲気中で溶解した。その後、鋳型へと注湯して、表１に示す組成の鋳塊を製造した。より具体的には、Ａｇの溶解時には、雰囲気を一度真空（５×１０−２Ｐａ以下）にしたあとＡｒガスで置換した雰囲気で行った。また、Ｓｂ，Ｍｇの添加は、Ａｒガス雰囲気中で実施した。
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＳｂ，Ｍｇと、を準備し、表１に示す所定の組成となるように秤量した。
次に、溶解炉を用いて、Ａｇを不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られたＡｇ溶湯に、Ｓｂ，Ｍｇを添加し、不活性ガス雰囲気中で溶解した。その後、鋳型へと注湯して、表１に示す組成の鋳塊を製造した。より具体的には、Ａｇの溶解時には、雰囲気を一度真空（５×１０−２Ｐａ以下）にしたあとＡｒガスで置換した雰囲気で行った。また、Ｓｂ，Ｍｇの添加は、Ａｒガス雰囲気中で実施した。
次いで、得られた鋳塊に対して、圧下率７０％で冷間圧延を行って板材を得た後、大気中で６００℃、２時間保持の熱処理を実施した。そして、機械加工を実施することにより、直径１５２．４ｍｍ、厚さ６ｍｍ寸法を有する本発明例１〜９の組成のスパッタリングターゲット、及び、比較例１〜４の組成のスパッタリングターゲットを作製した。
また、従来例として、純Ａｇ（純度９９．９質量％以上）からなる上記と同一寸法のスパッタリングターゲットを準備した。
また、従来例として、純Ａｇ（純度９９．９質量％以上）からなる上記と同一寸法のスパッタリングターゲットを準備した。
＜Ａｇ合金反射膜＞
上述した本発明例１〜９、比較例１〜４のスパッタリングターゲットを用いて、以下の条件でＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）を成膜した。
上述した本発明例１〜９、比較例１〜４のスパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにインジウム半田を用いて半田付けしてターゲット複合体を構成し、これをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０mm、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ、Ａｒガス圧：０．６Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１００ｎｍを有するＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）を形成した試料を作製した。
なお、上述した従来例のスパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにインジウム半田を用いて半田付けしてターゲット複合体を構成し、これをスパッタ装置に装着し、上記と同様の条件でガラス基板上に厚さ：１００ｎｍのＡｇ膜（Ａｇ反射膜）を形成した試料を作製した。
上述した本発明例１〜９、比較例１〜４のスパッタリングターゲットを用いて、以下の条件でＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）を成膜した。
上述した本発明例１〜９、比較例１〜４のスパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにインジウム半田を用いて半田付けしてターゲット複合体を構成し、これをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０mm、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ、Ａｒガス圧：０．６Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１００ｎｍを有するＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）を形成した試料を作製した。
なお、上述した従来例のスパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにインジウム半田を用いて半田付けしてターゲット複合体を構成し、これをスパッタ装置に装着し、上記と同様の条件でガラス基板上に厚さ：１００ｎｍのＡｇ膜（Ａｇ反射膜）を形成した試料を作製した。
＜反射率の測定＞
上述のようにして得られた成膜直後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）およびＡｇ膜（Ａｇ反射膜）の反射率Ｒ０を、分光光度計を用いて、波長８００ｎｍから４００ｎｍの範囲の光を用いて測定した。波長４０５ｎｍの光の反射率を表１に、波長４５０ｎｍの光の反射率を表２に、波長５５０ｎｍの光の反射率を表３に示す。
上述のようにして得られた成膜直後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）およびＡｇ膜（Ａｇ反射膜）の反射率Ｒ０を、分光光度計を用いて、波長８００ｎｍから４００ｎｍの範囲の光を用いて測定した。波長４０５ｎｍの光の反射率を表１に、波長４５０ｎｍの光の反射率を表２に、波長５５０ｎｍの光の反射率を表３に示す。
＜耐熱試験＞
上述の試料を、窒素雰囲気中で温度５００℃、保持時間１時間の熱処理を行った。
この耐熱試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）およびＡｇ膜（Ａｇ反射膜）の反射率Ｒ１を上述と同様の方法で測定した。そして、耐熱試験前後の反射率の変化量（Ｒ１−Ｒ０）を求めた。耐熱試験後の波長４０５ｎｍの光の反射率及び反射率の変化量を表１に、耐熱試験後の波長４５０ｎｍの光の反射率及び反射率の変化量を表２に、耐熱試験後の波長５５０ｎｍの光の反射率及び反射率の変化量を表３に示す。
上述の試料を、窒素雰囲気中で温度５００℃、保持時間１時間の熱処理を行った。
この耐熱試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）およびＡｇ膜（Ａｇ反射膜）の反射率Ｒ１を上述と同様の方法で測定した。そして、耐熱試験前後の反射率の変化量（Ｒ１−Ｒ０）を求めた。耐熱試験後の波長４０５ｎｍの光の反射率及び反射率の変化量を表１に、耐熱試験後の波長４５０ｎｍの光の反射率及び反射率の変化量を表２に、耐熱試験後の波長５５０ｎｍの光の反射率及び反射率の変化量を表３に示す。
＜恒温恒湿試験＞
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）およびＡｇ膜（Ａｇ反射膜）の反射率Ｒ２を上述と同様の方法で測定した。そして、恒温恒湿試験前後の反射率の変化量（Ｒ２−Ｒ０）を求めた。恒温恒湿試験後の波長４０５ｎｍの光の反射率及び反射率の変化量を表１に、恒温恒湿試験後の波長４５０ｎｍの光の反射率及び反射率の変化量を表２に、恒温恒湿試験後の波長５５０ｎｍの光の反射率及び反射率の変化量を表３に示す。
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）およびＡｇ膜（Ａｇ反射膜）の反射率Ｒ２を上述と同様の方法で測定した。そして、恒温恒湿試験前後の反射率の変化量（Ｒ２−Ｒ０）を求めた。恒温恒湿試験後の波長４０５ｎｍの光の反射率及び反射率の変化量を表１に、恒温恒湿試験後の波長４５０ｎｍの光の反射率及び反射率の変化量を表２に、恒温恒湿試験後の波長５５０ｎｍの光の反射率及び反射率の変化量を表３に示す。
Ｓｂの含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例１は、波長４０５ｎｍ，４５０ｎｍ，５５０ｎｍのいずれにおいても、耐熱試験後の反射率が低く、恒温恒湿試験前後における反射率の変化量が大きかった。
Ｓｂの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２は、波長４０５ｎｍ，４５０ｎｍ，５５０ｎｍのいずれにおいても、成膜直後の反射率が低かった。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例３は、波長４０５ｎｍ，４５０ｎｍ，５５０ｎｍのいずれにおいても、耐熱試験後の反射率が低かった。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例４は、波長４０５ｎｍ，４５０ｎｍ，５５０ｎｍのいずれにおいても、恒温恒湿試験前後で反射率が大きく変化した。
純Ａｇからなる従来例は、波長４０５ｎｍ，４５０ｎｍ，５５０ｎｍのいずれにおいても、耐熱試験後の反射率が低く、恒温恒湿試験前後における反射率の変化量も大きかった。
Ｓｂの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２は、波長４０５ｎｍ，４５０ｎｍ，５５０ｎｍのいずれにおいても、成膜直後の反射率が低かった。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例３は、波長４０５ｎｍ，４５０ｎｍ，５５０ｎｍのいずれにおいても、耐熱試験後の反射率が低かった。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例４は、波長４０５ｎｍ，４５０ｎｍ，５５０ｎｍのいずれにおいても、恒温恒湿試験前後で反射率が大きく変化した。
純Ａｇからなる従来例は、波長４０５ｎｍ，４５０ｎｍ，５５０ｎｍのいずれにおいても、耐熱試験後の反射率が低く、恒温恒湿試験前後における反射率の変化量も大きかった。
これに対して、Ｓｂ，Ｍｇの含有量が本発明の範囲内とされた本発明例１〜９においては、成膜直後の反射率が、波長４０５ｎｍ，４５０ｎｍ，５５０ｎｍのいずれでも高く、耐熱試験後の反射率も高いままであった。また、恒温恒湿試験前後における反射率の変化量も小さく、反射率が安定していることが確認された。
以上のことから、本発明例によれば、反射率が高く、かつ、耐熱性、耐環境性に優れたＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）及びこのＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）を形成可能なＡｇ合金膜形成用ターゲットを提供可能であることが確認された。
（実施例２）
次に、本発明に係るＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット及びＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
次に、本発明に係るＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット及びＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
＜Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット＞
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＳｂ，Ｍｇと、を準備し、表４に示す所定の組成となるように秤量した。
次に、溶解炉を用いて、Ａｇを不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られたＡｇ溶湯に、Ｓｂ，Ｍｇを添加し、不活性ガス雰囲気中で溶解した。その後、鋳型へと注湯して、表４に示す組成の鋳塊を製造した。より具体的には、Ａｇの溶解時には、雰囲気を一度真空（５×１０−２Ｐａ以下）にしたあとＡｒガスで置換した雰囲気で行った。また、Ｓｂ，Ｍｇの添加は、Ａｒガス雰囲気中で実施した。
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＳｂ，Ｍｇと、を準備し、表４に示す所定の組成となるように秤量した。
次に、溶解炉を用いて、Ａｇを不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られたＡｇ溶湯に、Ｓｂ，Ｍｇを添加し、不活性ガス雰囲気中で溶解した。その後、鋳型へと注湯して、表４に示す組成の鋳塊を製造した。より具体的には、Ａｇの溶解時には、雰囲気を一度真空（５×１０−２Ｐａ以下）にしたあとＡｒガスで置換した雰囲気で行った。また、Ｓｂ，Ｍｇの添加は、Ａｒガス雰囲気中で実施した。
次いで、得られた鋳塊に対して、圧下率７０％で冷間圧延を行って板材を得た後、大気中で６００℃、２時間保持の熱処理を実施した。そして、機械加工を実施することにより、直径１５２．４ｍｍ、厚さ６ｍｍ寸法を有する本発明例１１〜１７の組成のスパッタリングターゲット、及び、比較例１１〜１４の組成のスパッタリングターゲットを作製した。また、従来例として、純Ａｇ（純度９９．９質量％以上）からなる上記と同一寸法のスパッタリングターゲットを準備した。
＜Ａｇ合金導電膜＞
上述した本発明例１１〜１７、比較例１１〜１４のスパッタリングターゲットを用いて、以下の条件でＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）を成膜した。
上述した本発明例１１〜１７、比較例１１〜１４のスパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにインジウム半田を用いて半田付けしてターゲット複合体を構成し、これをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０mm、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ、Ａｒガス圧：０．６Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１００ｎｍを有するＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）を形成した試料を作製した。
なお、上述した従来例のスパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにインジウム半田を用いて半田付けしてターゲット複合体を構成し、これをスパッタ装置に装着し、上記と同様の条件でガラス基板上に厚さ：１００ｎｍのＡｇ膜（Ａｇ反射膜）を形成した試料を作製した。
上述した本発明例１１〜１７、比較例１１〜１４のスパッタリングターゲットを用いて、以下の条件でＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）を成膜した。
上述した本発明例１１〜１７、比較例１１〜１４のスパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにインジウム半田を用いて半田付けしてターゲット複合体を構成し、これをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０mm、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ、Ａｒガス圧：０．６Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１００ｎｍを有するＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）を形成した試料を作製した。
なお、上述した従来例のスパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにインジウム半田を用いて半田付けしてターゲット複合体を構成し、これをスパッタ装置に装着し、上記と同様の条件でガラス基板上に厚さ：１００ｎｍのＡｇ膜（Ａｇ反射膜）を形成した試料を作製した。
＜成膜後の比抵抗値＞
上述のようにして得られたＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ膜（Ａｇ反射膜）のシート抵抗値を四探針法によって測定し、比抵抗値を算出した。得られた成膜後の比抵抗値を表４に示す。
上述のようにして得られたＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ膜（Ａｇ反射膜）のシート抵抗値を四探針法によって測定し、比抵抗値を算出した。得られた成膜後の比抵抗値を表４に示す。
＜恒温恒湿試験＞
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後の試料外観を目視し、恒温恒湿試験前後で外観に変化がないものを「○」、腐食による斑点や白濁が認められたものを「×」と評価した。評価結果を表４に示す。なお、「○」と評価される外観観察結果の一例を図１に、「×」と評価される外観観察結果の一例を図２に示す。ここで、図１，２の黒い影は、カメラのレンズの影であり、図２の大小の白い丸が白濁点を示している。
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後の試料外観を目視し、恒温恒湿試験前後で外観に変化がないものを「○」、腐食による斑点や白濁が認められたものを「×」と評価した。評価結果を表４に示す。なお、「○」と評価される外観観察結果の一例を図１に、「×」と評価される外観観察結果の一例を図２に示す。ここで、図１，２の黒い影は、カメラのレンズの影であり、図２の大小の白い丸が白濁点を示している。
＜塩水試験＞
基板をＩＴＯ膜（厚さ１０ｎｍ）付のガラス基板として、上述した条件でＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ膜（Ａｇ導電膜）を成膜して、試料を作製した。
この試料を、５％ＮａＣｌ水溶液に１２時間浸漬し、取り出した後の外観を目視および光学顕微鏡にて観察した。光学顕微鏡観察でも外観変化が認められないものを「◎」、目視では光沢が失われていないが光学顕微鏡観察により黒い斑点が確認されたものを「○」、目視で腐食による白濁が確認されたものを「×」と評価した。評価結果を表４に示す。なお、「◎」と評価される外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果の一例を図３に、「○」と評価される外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果の一例を図４に、「×」と評価される外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果の一例を図５に示す。
基板をＩＴＯ膜（厚さ１０ｎｍ）付のガラス基板として、上述した条件でＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ膜（Ａｇ導電膜）を成膜して、試料を作製した。
この試料を、５％ＮａＣｌ水溶液に１２時間浸漬し、取り出した後の外観を目視および光学顕微鏡にて観察した。光学顕微鏡観察でも外観変化が認められないものを「◎」、目視では光沢が失われていないが光学顕微鏡観察により黒い斑点が確認されたものを「○」、目視で腐食による白濁が確認されたものを「×」と評価した。評価結果を表４に示す。なお、「◎」と評価される外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果の一例を図３に、「○」と評価される外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果の一例を図４に、「×」と評価される外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果の一例を図５に示す。
Ｓｂの含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例１１においては、恒温恒湿試験後の外観観察で腐食が認められており、耐湿性が不十分であることが確認された。
Ｓｂの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例１２においては、成膜後の比抵抗値が高くなっていた。
Ｓｂの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例１２においては、成膜後の比抵抗値が高くなっていた。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例１３においては、塩水試験後の外観観察で腐食が認められており、耐塩水性が不十分であることが確認された。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例１４においては、成膜後の比抵抗値が高くなっていた。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例１４においては、成膜後の比抵抗値が高くなっていた。
純Ａｇからなる従来例においては、恒温恒湿試験後、塩水試験後の外観観察で腐食が認められており、耐湿性、耐塩水性が不十分であった。
これに対して、Ｓｂ，Ｍｇの含有量が本発明の範囲内とされた本発明例１１〜１７においては、成膜後の比抵抗値が低く、また、恒温恒湿試験後、塩水試験後の外観観察で腐食は認められなかった。
以上のことから、本発明例によれば、比抵抗値が低く、かつ、耐湿性、耐塩水性に優れたＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）及びＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを提供可能であることが確認された。
（実施例３）
次に、実施例２のスパッタリングターゲットを用いて形成したＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
次に、実施例２のスパッタリングターゲットを用いて形成したＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
＜Ａｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）＞
上述のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０ｍｍ、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．６Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、表５に示す膜厚を有するＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）を形成した試料を作製した。
また、上述した従来例のスパッタリングターゲットを用いて、同様の条件でガラス基板上に表５に示す膜厚を有するＡｇ膜（Ａｇ半透過膜）を形成した試料を作製した。
なお、Ａｇ合金半透過膜の膜厚の測定は、分光エリプソメーター（例えばＨＯＲＩＢＡ Ｊｏｂｉｎ Ｙｖｏｎ社製 ＵＮＩＳＥＬ ＮＩＲ ＡＧＭ）により、ガラス基板上に成膜した半透明Ａｇ合金膜の光学パラメーターδ，ψを波長２６０〜２１００ｎｍの範囲で測定し、それらの解析により膜厚を算出した。さらに、Ａｇ合金半透過膜の膜厚は、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）により膜の断面を観察することによっても確認された。ＴＥＭによる断面を観察するための試料作製は、例えばクロスセクションポリッシャー（ＣＰ）や集積イオンビーム法（ＦＩＢ）などを用いることができる。
上述のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０ｍｍ、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．６Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、表５に示す膜厚を有するＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）を形成した試料を作製した。
また、上述した従来例のスパッタリングターゲットを用いて、同様の条件でガラス基板上に表５に示す膜厚を有するＡｇ膜（Ａｇ半透過膜）を形成した試料を作製した。
なお、Ａｇ合金半透過膜の膜厚の測定は、分光エリプソメーター（例えばＨＯＲＩＢＡ Ｊｏｂｉｎ Ｙｖｏｎ社製 ＵＮＩＳＥＬ ＮＩＲ ＡＧＭ）により、ガラス基板上に成膜した半透明Ａｇ合金膜の光学パラメーターδ，ψを波長２６０〜２１００ｎｍの範囲で測定し、それらの解析により膜厚を算出した。さらに、Ａｇ合金半透過膜の膜厚は、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）により膜の断面を観察することによっても確認された。ＴＥＭによる断面を観察するための試料作製は、例えばクロスセクションポリッシャー（ＣＰ）や集積イオンビーム法（ＦＩＢ）などを用いることができる。
＜成膜後の比抵抗値＞
上述のようにして得られたＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ膜（Ａｇ半透過膜）のシート抵抗値を四探針法によって測定し、比抵抗値を算出した。得られた成膜後の比抵抗値を表６に示す。
上述のようにして得られたＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ膜（Ａｇ半透過膜）のシート抵抗値を四探針法によって測定し、比抵抗値を算出した。得られた成膜後の比抵抗値を表６に示す。
＜透過率測定＞
分光光度計（日本分光株式社製Ｕｂｅｓｔシリーズ）により波長８５０ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲でＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ膜（Ａｇ半透過膜）の透過率を測定した。透過率測定の際には、最初に基板をセットしない中空の状態で測定を行って、分光光度計のキャリブレーションを行った。続いてＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ膜（Ａｇ半透過膜）が成膜されていないガラス基板の透過率Ｔｓを測定し、その後、Ａｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ膜（Ａｇ半透過膜）が成膜されたガラス基板の透過率Ｔｔを測定し、Ａｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ膜（Ａｇ半透過膜）の透過率Ｔｆを Ｔｆ=Ｔｔ／Ｔｓ として計算した。表６に測定結果を示す。なお、表５に示す透過率は、波長８５０ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲の平均値である。
分光光度計（日本分光株式社製Ｕｂｅｓｔシリーズ）により波長８５０ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲でＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ膜（Ａｇ半透過膜）の透過率を測定した。透過率測定の際には、最初に基板をセットしない中空の状態で測定を行って、分光光度計のキャリブレーションを行った。続いてＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ膜（Ａｇ半透過膜）が成膜されていないガラス基板の透過率Ｔｓを測定し、その後、Ａｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ膜（Ａｇ半透過膜）が成膜されたガラス基板の透過率Ｔｔを測定し、Ａｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ膜（Ａｇ半透過膜）の透過率Ｔｆを Ｔｆ=Ｔｔ／Ｔｓ として計算した。表６に測定結果を示す。なお、表５に示す透過率は、波長８５０ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲の平均値である。
＜恒温恒湿試験＞
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ膜（Ａｇ半透過膜）の比抵抗値と透過率Ｔｆ１を、上述と同様の方法で測定した。測定結果を表６に示す。
そして、恒温恒湿試験前後の比抵抗値の変化率を求めた。また、恒温恒湿試験前後の透過率の変化量（Ｔｆ１−Ｔｆ０）を求めた。恒温恒湿試験前後の比抵抗値の変化率および透過率の変化量を表６に示す。
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ膜（Ａｇ半透過膜）の比抵抗値と透過率Ｔｆ１を、上述と同様の方法で測定した。測定結果を表６に示す。
そして、恒温恒湿試験前後の比抵抗値の変化率を求めた。また、恒温恒湿試験前後の透過率の変化量（Ｔｆ１−Ｔｆ０）を求めた。恒温恒湿試験前後の比抵抗値の変化率および透過率の変化量を表６に示す。
Ｓｂの含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例２１においては、恒温恒湿試験前後で比抵抗値が大きく変化した。
Ｓｂの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２２においては、成膜後の比抵抗値が高く、かつ、透過率が低かった。さらに、恒温恒湿試験前後で比抵抗値が大きく変化した。
Ｓｂの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２２においては、成膜後の比抵抗値が高く、かつ、透過率が低かった。さらに、恒温恒湿試験前後で比抵抗値が大きく変化した。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例２３においては、恒温恒湿試験前後で透過率が大きく変化した。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２４においては、成膜後の比抵抗値が高く、かつ、透過率が低かった。さらに、恒温恒湿試験前後で比抵抗値が大きく変化した。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２４においては、成膜後の比抵抗値が高く、かつ、透過率が低かった。さらに、恒温恒湿試験前後で比抵抗値が大きく変化した。
純Ａｇからなる従来例においては、熱処理前後で比抵抗値、透過率が大きく変化した。
これに対して、Ｓｂ，Ｍｇの含有量が本発明の範囲内とされた本発明例２１〜２９においては、成膜後の比抵抗値が低く、かつ、透過率が高く、恒温恒湿試験前後で比抵抗値および透過率が大きく変化せずに安定していた。
以上のことから、本発明例によれば、比抵抗値が低いとともに透過率が高く、かつ、耐熱性、耐湿性、耐塩水性に優れたＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）及びＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを提供可能であることが確認された。
Claims (9)
- Ｓｂを０．２原子％以上２．０原子％以下、Ｍｇを０．０５原子％以上１．００原子％以下、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有することを特徴とするＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット。
- 含有されるＳｂとＭｇの原子比が１．０≦Ｓｂ／Ｍｇ≦４０．０であることを特徴とする請求項１に記載のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット。
- 請求項１又は請求項２に記載のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットによって成膜されたことを特徴とするＡｇ合金膜。
- 請求項１又は請求項２に記載のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットによって成膜されたことを特徴とするＡｇ合金反射膜。
- 請求項１又は請求項２に記載のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットによって成膜されたことを特徴とするＡｇ合金導電膜。
- 請求項１又は請求項２に記載のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットによって成膜されたことを特徴とするＡｇ合金半透過膜。
- 波長４０５〜５５０ｎｍの反射率が８５％以上であることを特徴とする請求項４記載のＡｇ合金反射膜。
- 比抵抗が１０μΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項５記載のＡｇ合金導電膜。
- 膜厚１５ｎｍ以下でかつ波長３５０〜８５０ｎｍにおける平均透過率が３５％以上であることを特徴とする請求項６記載のＡｇ合金半透過膜。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014004584A JP5590258B2 (ja) | 2013-01-23 | 2014-01-14 | Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金半透過膜 |
| KR1020157019057A KR20150086566A (ko) | 2013-01-23 | 2014-01-21 | Ag 합금막 형성용 스퍼터링 타깃 및 Ag 합금막, Ag 합금 반사막, Ag 합금 도전막, Ag 합금 반투과막 |
| CN201480004766.5A CN104919081B (zh) | 2013-01-23 | 2014-01-21 | Ag合金膜形成用溅射靶及Ag合金膜、Ag合金反射膜、Ag合金导电膜、Ag合金半透明膜 |
| EP14743015.1A EP2949780B1 (en) | 2013-01-23 | 2014-01-21 | Ag ALLOY FILM-FORMING SPUTTERING TARGET, Ag ALLOY FILM, Ag ALLOY REFLECTIVE FILM, Ag ALLOY ELECTROCONDUCTIVE FILM, Ag ALLOY SEMI-PERMEABLE FILM |
| TW103102109A TWI485270B (zh) | 2013-01-23 | 2014-01-21 | Ａｇ合金膜形成用濺鍍靶及Ａｇ合金膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金半透膜 |
| PCT/JP2014/051080 WO2014115712A1 (ja) | 2013-01-23 | 2014-01-21 | Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金半透過膜 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013010070 | 2013-01-23 | ||
| JP2013010070 | 2013-01-23 | ||
| JP2014004584A JP5590258B2 (ja) | 2013-01-23 | 2014-01-14 | Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金半透過膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014159628A JP2014159628A (ja) | 2014-09-04 |
| JP5590258B2 true JP5590258B2 (ja) | 2014-09-17 |
Family
ID=51227503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014004584A Expired - Fee Related JP5590258B2 (ja) | 2013-01-23 | 2014-01-14 | Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金半透過膜 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2949780B1 (ja) |
| JP (1) | JP5590258B2 (ja) |
| KR (1) | KR20150086566A (ja) |
| CN (1) | CN104919081B (ja) |
| TW (1) | TWI485270B (ja) |
| WO (1) | WO2014115712A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015153431A (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-24 | 三菱マテリアル株式会社 | Ａｇ合金膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜及びＡｇ合金半透過膜 |
| JP5975186B1 (ja) * | 2015-02-27 | 2016-08-23 | 三菱マテリアル株式会社 | Ａｇ合金スパッタリングターゲット及びＡｇ合金膜の製造方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3483736B2 (ja) * | 1997-07-23 | 2004-01-06 | 昭和電線電纜株式会社 | 銀合金の製造方法 |
| US6544616B2 (en) * | 2000-07-21 | 2003-04-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| CA2345849C (en) * | 2000-07-21 | 2006-10-03 | Target Technology Co., Llc. | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| JP2004002929A (ja) * | 2001-08-03 | 2004-01-08 | Furuya Kinzoku:Kk | 銀合金、スパッタリングターゲット、反射型ｌｃｄ用反射板、反射配線電極、薄膜、その製造方法、光学記録媒体、電磁波遮蔽体、電子部品用金属材料、配線材料、電子部品、電子機器、金属膜の加工方法、電子光学部品、積層体及び建材ガラス |
| US7514037B2 (en) * | 2002-08-08 | 2009-04-07 | Kobe Steel, Ltd. | AG base alloy thin film and sputtering target for forming AG base alloy thin film |
| JP4105956B2 (ja) * | 2002-08-08 | 2008-06-25 | 株式会社神戸製鋼所 | 光反射膜およびこれを用いた液晶表示素子、ならびに光反射膜用スパッタリングターゲット |
| JP2004322556A (ja) | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Tdk Corp | 光記録媒体、光記録方法及び光記録装置 |
| TWI226499B (en) * | 2003-05-08 | 2005-01-11 | Target Technology Co Llc | Silver alloy thin film reflector and transparent electrical conductor |
| JP3993530B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2007-10-17 | 株式会社神戸製鋼所 | Ａｇ−Ｂｉ系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| DE10327336A1 (de) * | 2003-06-16 | 2005-01-27 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Legierung und deren Verwendung |
| KR100685811B1 (ko) | 2005-01-04 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP4951865B2 (ja) | 2005-03-02 | 2012-06-13 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2006294195A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録用Ａｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット |
| WO2006132414A1 (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | 反射率・透過率維持特性に優れた銀合金 |
| JP4377861B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2009-12-02 | 株式会社神戸製鋼所 | 光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット |
| JP5088545B2 (ja) | 2007-07-05 | 2012-12-05 | ソニー株式会社 | 電子機器 |
| JP2012059576A (ja) | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Nitto Denko Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP5159962B1 (ja) * | 2012-01-10 | 2013-03-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP5159963B1 (ja) * | 2012-01-13 | 2013-03-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| DE102012006718B3 (de) * | 2012-04-04 | 2013-07-18 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | Planares oder rohrförmiges Sputtertarget sowie Verfahren zur Herstellung desselben |
-
2014
- 2014-01-14 JP JP2014004584A patent/JP5590258B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-01-21 WO PCT/JP2014/051080 patent/WO2014115712A1/ja active Application Filing
- 2014-01-21 TW TW103102109A patent/TWI485270B/zh active
- 2014-01-21 EP EP14743015.1A patent/EP2949780B1/en not_active Not-in-force
- 2014-01-21 KR KR1020157019057A patent/KR20150086566A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-01-21 CN CN201480004766.5A patent/CN104919081B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201444987A (zh) | 2014-12-01 |
| TWI485270B (zh) | 2015-05-21 |
| CN104919081A (zh) | 2015-09-16 |
| KR20150086566A (ko) | 2015-07-28 |
| CN104919081B (zh) | 2016-11-09 |
| EP2949780A1 (en) | 2015-12-02 |
| EP2949780A4 (en) | 2016-11-16 |
| JP2014159628A (ja) | 2014-09-04 |
| EP2949780B1 (en) | 2018-08-08 |
| WO2014115712A1 (ja) | 2014-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101745290B1 (ko) | 반사 전극용 Ag 합금막 및 반사 전극 | |
| JP3856386B2 (ja) | スパッタリングターゲット材 | |
| JP6801264B2 (ja) | Ａｇ合金膜とその製造方法、Ａｇ合金スパッタリングターゲットおよび積層膜 | |
| TWI670384B (zh) | 用於薄膜元件之敷金屬，製造其及濺鍍靶的方法 | |
| WO2016024615A1 (ja) | 積層膜、積層配線膜及び積層配線膜の製造方法 | |
| JPH02309511A (ja) | 透明導電膜 | |
| WO2013115002A1 (ja) | 反射膜および／または透過膜、もしくは電気配線および／または電極に用いられるＡｇ合金膜、並びにＡｇ合金スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金フィラー | |
| JP2004131747A (ja) | 表示デバイス用銀合金及びこの銀合金を用いて形成した電極膜または反射膜を使用する表示デバイス | |
| JP4105956B2 (ja) | 光反射膜およびこれを用いた液晶表示素子、ならびに光反射膜用スパッタリングターゲット | |
| JP5590258B2 (ja) | Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金半透過膜 | |
| JP6208629B2 (ja) | 反射膜用または配線電極用Ａｇ合金膜、反射膜または配線電極、および反射膜用または配線電極用Ａｇ合金スパッタリングターゲット | |
| TW201625803A (zh) | Ａｇ合金濺鍍靶、Ａｇ合金濺鍍靶之製造方法、Ａｇ合金膜及Ａｇ合金膜之製造方法 | |
| JP6350223B2 (ja) | Ａｇ合金スパッタリングターゲット | |
| JP5927744B2 (ja) | Ａｇ合金導電膜及び膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP6611114B2 (ja) | Ａｇ合金膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金半透過膜およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット | |
| WO2015119242A1 (ja) | Ａｇ合金膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金導電膜及びＡｇ合金半透過膜 | |
| JP2018100437A (ja) | Ａｇ合金スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金膜 | |
| WO2015156093A1 (ja) | Ａｇ合金膜及びＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP6260321B2 (ja) | Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2014074225A (ja) | Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2004331990A (ja) | スパッタリングターゲット材 | |
| WO2017018310A1 (ja) | Ａｇ合金膜とその製造方法、Ａｇ合金スパッタリングターゲットおよび積層膜 | |
| TW201631168A (zh) | 銅基合金濺鍍靶材 | |
| JP6520289B2 (ja) | Ａｇ合金膜及びＡｇ合金膜の製造方法 | |
| JP5141912B2 (ja) | 上部発光型有機ＥＬ素子および前記上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射膜の形成に用いられるＡｌ合金スパッタリングターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20140626 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140701 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140714 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5590258 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |