JP5432610B2 - ダイヤモンド多結晶体 - Google Patents
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Description
焼き入れ鋼はcBN焼結体工具で切削液を用いずに切削点の摩擦による温度上昇により被削剤の軟化を利用して切削される。硬質セラミックスである窒化珪素やアルミナの切削加工は極めて困難であり、レーザ照射やプラズマ輻射を利用して試料を積極的に加熱し、軟化させながら耐熱性の高い工具で切削加工を行う方法が取られている。
すなわち、多結晶ダイヤモンド焼結体として工業的に多用されているものとしては結合材としてCoを用いたダイヤモンド焼結体があり、切削バイトや、ドレッサー、ダイスなどの工具や、掘削ビットなどに使われている。しかしながら、このダイヤモンド焼結体はダイヤモンドの粒子間にCoなどの金属が連続層として存在するため、多結晶体の硬度や強度などの機械的特性が低下し、また、用いた焼結助剤が多結晶中に含まれ、これがダイヤモンドの黒鉛化を促す触媒として作用するためC700℃程度からダイヤモンドの黒鉛化が見られるなど耐熱性に劣る。
また、前記焼結体を構成するダイヤモンド粒の平均粒径は概ね1μm以上であり、酸処理により焼結助剤を溶出させて形成される空隙のサイズは0.03〜3μm程度であるため、工具とした場合に十分な刃先の形状精度が出せない、空隙サイズが大きく材料強度が著しく低下する、などの問題がある。
しかしながら、これらのグラファイト状炭素を出発原料として直接変換させて得られるダイヤモンド多結晶体は、緻密体であり機械強度・耐熱特性ともに優れるが、研削工具として使用する場合には、この高硬度性の為にチップポケットとなる微小凹凸の加工が困難であり、研削抵抗が高くなる。一方、熱伝導率が高く、切削点を高温に保つことが重要となる被削材に対する切削性能は劣る。このように研削及び、切削工具としての用途のための特性の点では未だ十分なものとはいえなかった。
すなわち本発明は以下に記載するとおりのダイヤモンド多結晶体に係るものである。
(2)前記気孔の円相当径のD95粒径が500nm以下であり、円相当径の平均値が100nm以下である(1)に記載のダイヤモンド多結晶体。
(3)粒子のD95粒径が50nm以下、かつ平均粒径が30nm以下である(1)又は(2)に記載のダイヤモンド多結晶体。
(4)硬度が50GPa以上である(1)〜(3)のいずれかに記載のダイヤモンド多結晶体。
気孔率を上記の数値範囲とすることによってダイヤモンド多結晶体の機械的強度を損なわずに熱伝導率を低くすることができる。
また、気孔の円相当径のD95粒径が500nm以下であることが好ましく、この粒子間の空隙の円相当径は平均100nm以下であることが好ましい。円相当径をこの数値範囲とすることにより、切削用刃具として用いた場合にダイヤモンド粒子の粒径を小さくすることと相まって十分な刃先稜線の加工精度を得ることが出来る。
以下では、本発明のダイヤモンド多結晶体の製造方法について述べる。
本発明は、非ダイヤモンド型炭素材料を直接変換焼結させたダイヤモンド多結晶体であり、前記非ダイヤモンド型炭素材料としては、フラーレン、カーボンナノチューブ、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、グラファイトなどが適用可能であるが、これらに限定されるものではない。
本発明のダイヤモンド多結晶体を得るには原料炭素をできるだけ緻密な形態に整えて焼結させる必要があり、カーボンナノチューブやアモルファスカーボン等は粉末状ではなく冷間等方加圧法などにより、ペレット状に成形して用いることが望ましい。
ダイヤモンド多結晶体を構成するダイヤモンド粒子のD95粒径を100nm以下とし、平均粒径を50nm以下とするためには非ダイヤモンド型炭素原料の粒子径を微細なものとすることが必要であり、好ましくは1μm以下とする。1μm以下とすることはダイヤモンド粒子の平均粒径を50nm以下とするのに有効な手段の一つである。
前記非グラファイト炭素原料を高融点金属カプセルに充填し、超高圧発生装置を用いてダイヤモンドを熱的に安定な圧力環境下で所定時間保持することにより、非グラファイト炭素原料がダイヤモンドに直接変換されて高硬度ダイヤモンド多結晶体となる。本発明の微細な空隙を持った組織とするためには2000℃以上の高温下で処理することが好ましい。
またダイヤモンドに変換する過程における所定温度及び、所定圧力の保持時間としては、特に限定されないが10〜10000秒程度が好ましい。
本発明では、このダイヤモンドへの変換過程を上記のように1500℃以上で行うため、この温度を考慮して、図1のハッチングで示す範囲から適宜選定することが好ましい。さらに、ダイヤモンド安定領域にあっても、圧力が低いと未変換部が残留しやすくなるため、平衡線(図1中の一点鎖線)よりやや高い圧力が好ましく、具体的には8.5GPa以上が好ましい。なお、図1において、一点鎖線の上方がダイヤモンド安定領域であり、一点鎖線の下方がグラファイト安定領域である。
多結晶体ダイヤモンドの粒子が3次元的に強固に結合していない場合は、ダイヤモンド砥粒を散布した鋳鉄盤によるスカイフ研磨を行っても、研磨中に粒子の脱落が生じる為、Ra0.1μm以下の鏡面は得られない。一方、粒子間に強固な結合が形成されている場合は、良好な研磨面が得られる。
実際の切削は断熱性を向上させるために断熱系で、かつ非酸化雰囲気で行われることが望ましい。
測定方法は以下の通りである。
炭素原料の平均粒子径は、バルク原料については破断面を、粉末原料については粉末を走査型電子顕微鏡により観察し、粒度分布を測定した。
<ダイヤモンド粒子の平均粒径>
ダイヤモンド多結晶体中のダイヤモンド粒子の平均粒径は走査型電子顕微鏡により倍率10〜50万倍で写真撮影像を元にして画像解析を実施することで得た。ダイヤモンドは絶縁体であるため高倍率でのSEM観察には導電性薄膜のコーティングが必要であり、このような微小粒径は観察できない。高感度のシンチレーターフォトマルチプライヤー組み合わせ型検出器搭載のSEMにより、加速電圧を極めて低く(0.7〜1.5KV)し、プローブ電流量を15〜16.5pAと大きくすることで、倍率2〜10万倍での組織観察が可能となった。この写真撮影像を元にして画像解析を実施することで、平均粒径及びD95粒径を得た。
以下にその詳細方法を示す。
まず、走査型電子顕微鏡で撮影した撮影像を元に焼結体を構成する結晶粒の粒径分布を測定する。具体的には、画像解析ソフト(例えば、Scion Corporation社製、ScionImage)を用いて、個々の粒子を抽出し、抽出した粒子を2値化処理して各粒子の面積(S)を算出する。そして、各粒子の粒径(D)を、同じ面積を有する円の直径(D=2√(S/π))として算出する。
次に、上記で得られた粒径分布をデータ解析ソフト(例えば、OriginLab社製Origin、Parametric Technology社製Mathchad等)によって処理し、平均粒径並びにD95粒径を算出した。
以下に記載する実施例、比較例では走査型電子顕微鏡としてCarl Zeiss社製 ULTRA55を用いた。
硬度測定はヌープ圧子を用いて測定荷重を4.9Nとして実施した。
<気孔径及び、気孔率>
高精度に面出しした試料の高分解能走査型電子顕微鏡観察像より、空隙箇所を抽出し、画像解析ソフト(例えば、Scion Corporation社製、ScionImage)を用いて、空隙箇所を抽出し、ダイヤモンド粒子の粒径計測と同様に円相当径を求め、解析し平均径とD95粒径を求めた。また気孔部の面積を求め、画像面と比較することによって求めた。
<熱伝導率>
キセノンフラッシュランプによるパルス加熱法により測定した。
原料として、平均粒径が0.5〜1μmで純度が99.95%以上である、フラーレン粉末、カーボンナノチューブ粉末、グラッシーカーボン粉末、グラファイト粉末と、このグラファイト粉末を冷間静水圧加圧法により、ペレット状に整形したバルク試料を用いて、種々の圧力、温度条件で10分間処理して。ダイヤモンド多結晶体を得た。
得られた試料について、その生成相をX線回折により同定し、TEM観察により構成粒子の粒径を調べた。また、得られた試料の表面を鏡面に研磨し、その研磨面での硬さをマイクロヌープ硬度計で測定すると共に、熱伝導率を測定した。
結果を表1に示す。
Claims (4)
- 非ダイヤモンド型炭素原料を超高圧・超高温下で焼結助剤や触媒の添加なしに直接変換して得られる95質量%以上がダイヤモンドからなる多結晶体であり、ダイヤモンド粒子のD95粒径が100nm以下で、かつ平均粒径が50nm以下であり、ダイヤモンド粒子が3次元的に結合して気孔が形成されており、気孔率が0.01〜30vol%であることを特徴とするダイヤモンド多結晶体。
- 前記気孔の円相当径のD95粒径が500nm以下であり、円相当径の平均値が100nm以下である請求項1に記載のダイヤモンド多結晶体。
- 粒子のD95粒径が50nm以下、かつ平均粒径が30nm以下である請求項1又は2に記載のダイヤモンド多結晶体。
- 硬度が50GPa以上である請求項1〜3のいずれかに記載のダイヤモンド多結晶体。
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