JP5428995B2 - Sputtering target for forming a magnetic recording medium film and method for producing the same - Google Patents
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Description
本発明は、ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットおよびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a sputtering target for forming a magnetic recording film applied to a high-density magnetic recording medium of a hard disk, in particular, a magnetic recording film applied to a perpendicular magnetic recording medium, and a manufacturing method thereof.
ハードディスク装置は、一般にコンピューターやデジタル家電等の外部記録装置として用いられており、記録密度の一層の向上が求められている。そのため、近年、高密度の記録を実現できる垂直磁気記録方式が採用されている。この垂直磁気記録方式は、以前の面内記録方式と異なり、原理的に高密度化するほど記録磁化が安定すると言われている。 The hard disk device is generally used as an external recording device such as a computer or a digital home appliance, and further improvement in recording density is required. Therefore, in recent years, a perpendicular magnetic recording method that can realize high-density recording has been adopted. Unlike the previous in-plane recording system, this perpendicular magnetic recording system is said to be more stable in recording magnetization as the density increases in principle.
この垂直磁気記録方式のハードディスク媒体の記録層に適用する材料の候補として、酸化物を含むＦｅＰｔ磁気記録膜が提案されている。
従来、この磁気記録膜は、例えば原料となるＦｅＰｔ合金粉末とＳｉＯ２粉末との混合粉末をホットプレス法等により合金の焼結体としたスパッタリングターゲットを用いてＤＣスパッタ法により作製することが知られている（特許文献１参照）。
An FePt magnetic recording film containing an oxide has been proposed as a candidate material to be applied to the recording layer of the perpendicular magnetic recording type hard disk medium.
Conventionally, it is known that this magnetic recording film is produced by a DC sputtering method using a sputtering target in which a mixed powder of an FePt alloy powder and a SiO 2 powder as a raw material is a sintered body of an alloy by a hot press method or the like. (See Patent Document 1).
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、ＦｅＰｔにＳｉＯ２等の酸化物を入れると、高密度が得難く、特に、上記従来技術のように、ＦｅＰｔ合金粉末とＳｉＯ２粉末との混合粉を、焼結体の高密度化を目的にホットプレス法にて高温の焼結温度（例えば、１３５０℃）にて焼結すると、焼結体としたターゲットがカーボンモールドに対し付着や融着を生じ、取り出し時に割れが生じたり、取り出した焼結体に反りや変形が生じたりすることがあり、ターゲットの製造歩留まりの向上が求められている。一方、カーボンモールドへの付着や融着を防止するために焼結温度を低下させると、密度が低くなり、その結果スパッタリングした際、異常放電が生じ、スパッタの際のパーティクル発生の原因になる場合がある。
The following problems remain in the conventional technology.
That is, when an oxide such as SiO 2 is added to FePt, it is difficult to obtain a high density. In particular, as in the above prior art, a mixed powder of FePt alloy powder and SiO 2 powder is used to increase the density of the sintered body. If sintering is performed at a high sintering temperature (for example, 1350 ° C.) by a hot press method for the purpose, the sintered body target adheres to or fuses with the carbon mold, and cracks may occur during removal. The sintered body may be warped or deformed, and there is a demand for improvement in the production yield of the target. On the other hand, if the sintering temperature is lowered to prevent adhesion and fusion to the carbon mold, the density will be lowered, and as a result, abnormal sputtering occurs when sputtering is performed, causing particles to be generated during sputtering. There is.
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、ＦｅＰｔ合金の素地にＳｉＯ２等の酸化物を含む高密度の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a sputtering target for forming a high-density magnetic recording medium film containing an oxide such as SiO 2 on an FePt alloy substrate and a method for manufacturing the sputtering target. To do.
本発明者らは、磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットとしてＦｅＰｔ合金の素地にＳｉＯ２を含むターゲットについて研究を進めたところ、単一のＦｅＰｔ合金粉とＳｉＯ２粉との２種類の混合粉末ではなく、原子％比率においてＰｔよりもＦｅ濃度の高いＦｅＰｔ合金粉とＰｔ粉とＳｉＯ２粉との混合粉末を用いることにより、高密度なターゲットを形成することができることを突き止めた。 As a sputtering target for forming a magnetic recording medium film, the present inventors have conducted research on a target containing SiO 2 in an FePt alloy base. As a result, two types of mixed powders of a single FePt alloy powder and a SiO 2 powder are used. However, it was found that a high-density target can be formed by using a mixed powder of FePt alloy powder, Pt powder and SiO 2 powder having an Fe concentration higher than that of Pt in the atomic% ratio.
本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。即ち、本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、一般式：（ＦｅｘＰｔ（１００−ｘ））（１００−ｙ）（ＳｉＯ２）ｙ、ここで４０≦ｘ≦６０（単位：モル％）、５≦ｙ≦３０（単位：モル％）で表される組成を有する焼結体からなるターゲットであって、その組織が、ＳｉＯ２相と、ＦｅとＰｔとの固溶体からなるＦｅＰｔ合金相と、ＳｉＯ２相とＦｅＰｔ合金相との界面において、Ｓｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔの各元素が相互に拡散することによって形成するＳｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔを含有する相互拡散相と、で構成され、相対密度が９６％以上であり、前記相互拡散相の厚さが、０．２μｍ以上であることを特徴とする。
尚、酸素を除いたターゲットの成分組成は、Ｆｅ：２８〜５７（原子％）、Ｓｉ：５〜３０(原子％)、残：Ｐｔおよび不可避不純物、と表示することができる。
The present invention has been obtained from the above findings, and the following configuration has been adopted to solve the above problems. That is, the sputtering target for forming a magnetic recording medium film of the present invention has a general formula: (Fe x Pt (100-x) ) (100-y) (SiO 2 ) y , where 40 ≦ x ≦ 60 (unit: mole) %), A target composed of a sintered body having a composition represented by 5 ≦ y ≦ 30 (unit: mol%), and the structure thereof is an FePt alloy composed of a solid solution of SiO 2 phase and Fe and Pt. And an interdiffusion phase containing Si, O, Fe and Pt formed by the mutual diffusion of Si, O, Fe and Pt elements at the interface between the SiO 2 phase and the FePt alloy phase, The relative density is 96% or more, and the thickness of the interdiffusion phase is 0.2 μm or more .
The component composition of the target excluding oxygen can be expressed as Fe: 28 to 57 (atomic%), Si: 5 to 30 (atomic%), the remaining: Pt and inevitable impurities.
この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットでは、組織が、ＳｉＯ２相と、ＦｅＰｔ合金相と、両者が相互に拡散することにより形成されたＳｉ、Ｏ、Ｆｅ、およびＰｔを含有した相互拡散相と、で構成されているので、Ｓｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔが相互に拡散した相互拡散相の形成によって密度が高くなると共に異常放電を低減できる。
なお、ＦｅとＰｔとは、Ｌ１０構造の規則相（Ｌ１０規則相）を形成することにより、磁気記録媒体膜の高い磁気異方性を発現し高記録密度を達成する効果を有するが、前記ターゲットのＦｅの含有量（ｘ）が４０モル％未満であったり、６０モル％を越えていたりする場合、スパッタにて形成される磁気記録媒体膜に十分なＬ１０規則相を形成することができない。また、ＳｉＯ２は磁気記録媒体膜の磁性粒子間を分断し交換結合相互作用を抑制するために添加するが、ＳｉＯ２の含有量（ｙ）が５モル％未満では前記交換結合相互作用を抑制する効果が見られず、３０モル％を越えて添加すると磁気特性に悪影響を及ぼすので、添加量は５モル％以上、３０モル％以下とした。
In this sputtering target for forming a magnetic recording medium film, the structure includes an SiO 2 phase, an FePt alloy phase, and an interdiffusion phase containing Si, O, Fe, and Pt formed by diffusing each other. Therefore, the formation of the interdiffusion phase in which Si, O, Fe and Pt diffused to each other increases the density and reduces abnormal discharge.
Fe and Pt have the effect of expressing a high magnetic anisotropy of the magnetic recording medium film and achieving a high recording density by forming a regular phase of L 10 structure (L 10 ordered phase). When the Fe content (x) of the target is less than 40 mol% or exceeds 60 mol%, a sufficient L 10 ordered phase is formed in the magnetic recording medium film formed by sputtering. I can't. SiO 2 is added to sever the magnetic particles of the magnetic recording medium film to suppress the exchange coupling interaction. However, if the SiO 2 content (y) is less than 5 mol%, the exchange coupling interaction is suppressed. Thus, the addition of more than 30 mol% adversely affects the magnetic properties, so the addition amount was set to 5 mol% or more and 30 mol% or less.
また、本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの組織は、ＳｉＯ２相と、ＦｅとＰｔとの固溶体からなるＦｅＰｔ合金相と、ＳｉＯ２相とＦｅＰｔ合金相との界面においてＳｉ、Ｏ、Ｆｅ、およびＰｔの各元素が相互に拡散することによって形成するＳｉ、Ｏ、Ｆｅ、およびＰｔを含有する相互拡散相と、で構成されている。特に、本発明のターゲットの特徴は、その組織がＳｉ、Ｏ、Ｆｅ、およびＰｔを含有する相互拡散相を含有することに特徴がある。この相互拡散相は、ターゲット組織におけるＳｉＯ２相と、素地を形成する金属相であるＦｅＰｔ合金相とが、ホットプレス中において、両者の界面にて各元素の相互拡散が生じて形成されるものである。その結果、ＳｉＯ２粉の表面近傍には、Ｓｉ、Ｏ、Ｆｅ、およびＰｔが相互拡散した密着強化層が形成される。この相互拡散相からなる密着強化層の形成は、ＳｉＯ２粉を素地の金属相と強固に結合すると共に、ターゲットの高密度化を促進する。
特に、スパッタ中のパーティクルや異常放電の抑制には、ＳｉＯ２相との界面の密着強化層の形成が有効である。一般に、導電性を有する金属相とＳｉＯ２のような絶縁物との混合物からなるターゲットにおいては、直流スパッタによるスパッタリング中においてＡｒイオンのプラス電荷が絶縁物上に残留しスパッタの進行と共に集積していく。一方、ターゲット自体はマイナスに印加されているため、絶縁物表面に集積したプラス電荷と金属相とが絶縁物を介して強い電界を生じ、電界強度が絶縁物の耐圧を越えると、絶縁破壊によって絶縁物が破壊され飛散しパーティクルとなったり、あるいは絶縁物が蒸発することにより、その箇所にＡｒイオンを一気に引き込む異常放電を生じる場合がある。
本発明のターゲットは、絶縁物であるＳｉＯ２相と金属相との界面近傍の相互拡散相が、金属成分であるＦｅとＰｔとを含む密着強化層となっているので、前記Ａｒイオンのプラス電荷が、該密着強化層を通して金属層であるＦｅＰｔ合金相内へ移動するので、ＳｉＯ２上でのプラス電荷の集積が生じず、従って絶縁破壊による異常放電の発生が抑制できるのである。前記相互拡散相からなる密着強化層の厚さは、０．２〜０．８μｍであることが好ましい。密着強化層の厚さが０．２μｍ未満では、十分な密着性が得られず異常放電の抑制効果が少なく、１μｍを越えても異常放電のさらなる抑制効果が見られないからである。
In addition, the structure of the sputtering target for forming a magnetic recording medium film of the present invention is composed of SiO 2 phase, FePt alloy phase composed of a solid solution of Fe and Pt, and Si, O, at the interface between the SiO 2 phase and FePt alloy phase. And an interdiffusion phase containing Si, O, Fe, and Pt formed by mutual diffusion of Fe and Pt elements. In particular, the target of the present invention is characterized in that the structure contains an interdiffusion phase containing Si, O, Fe, and Pt. This inter-diffusion phase is formed by inter-diffusion of each element at the interface between the SiO 2 phase in the target structure and the FePt alloy phase, which is the metal phase that forms the substrate, during hot pressing. It is. As a result, an adhesion strengthening layer in which Si, O, Fe, and Pt are interdiffused is formed near the surface of the SiO 2 powder. The formation of the adhesion strengthening layer composed of the interdiffusion phase firmly binds the SiO 2 powder to the base metal phase and promotes the densification of the target.
In particular, formation of an adhesion enhancement layer at the interface with the SiO 2 phase is effective for suppressing particles during sputtering and abnormal discharge. In general, in a target made of a mixture of a conductive metal phase and an insulator such as SiO 2 , the positive charges of Ar ions remain on the insulator during sputtering by DC sputtering and accumulate as the sputtering progresses. Go. On the other hand, since the target itself is applied negatively, the positive charge accumulated on the surface of the insulator and the metal phase generate a strong electric field through the insulator, and when the electric field strength exceeds the breakdown voltage of the insulator, the dielectric breakdown causes When the insulator is broken and scattered to form particles, or the insulator evaporates, an abnormal discharge that draws Ar ions at a stretch may occur at that location.
In the target of the present invention, the interdiffusion phase in the vicinity of the interface between the SiO 2 phase that is an insulator and the metal phase is an adhesion strengthening layer containing Fe and Pt that are metal components. Since charges move through the adhesion strengthening layer and into the FePt alloy phase, which is a metal layer, accumulation of positive charges on SiO 2 does not occur, and therefore, the occurrence of abnormal discharge due to dielectric breakdown can be suppressed. The thickness of the adhesion reinforcing layer made of the interdiffusion phase is preferably 0.2 to 0.8 μm. This is because when the thickness of the adhesion reinforcing layer is less than 0.2 μm, sufficient adhesion cannot be obtained and the effect of suppressing abnormal discharge is small, and even when the thickness exceeds 1 μm, no further effect of suppressing abnormal discharge is observed.
本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法は、上記本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを製造する方法であって、Ｆｅ：８０〜９８原子％を含有するＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、ＳｉＯ ２ 粉とをＡｒガス雰囲気中で混合して混合粉末とする工程と、前記混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程とを有していることを特徴とする。 A method for producing a sputtering target for forming a magnetic recording medium film according to the present invention is a method for producing the sputtering target for forming a magnetic recording medium film according to the present invention, wherein Fe: FePt alloy powder containing 80 to 98 atomic% and , and Pt powder, a step of the mixed powder was mixed with SiO 2 powder in an Ar gas atmosphere, the powder mixture, that has a step of hot pressing in a vacuum or in an inert gas atmosphere Features.
すなわち、この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法では、Ｆｅ：８０〜９８原子％を含有するＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、ＳｉＯ２粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有しているので、Ｆｅ濃度の高いＦｅＰｔ合金粉とＰｔ粉とを用いることでＳｉＯ２粉との界面において濃度勾配が大きくなり、ＦｅおよびＰｔとＳｉとの置換が生じ易くなってＳｉＯ２相とＦｅＰｔ合金相との界面に上記密着強化相が形成される。また、ＦｅＰｔ合金粉の組成は、Ｆｅの含有量を８０〜９８原子％とし、硬さが高い規則合金の組成範囲から外している。これによりＦｅＰｔ合金粉はホットプレス中に十分軟化してＰｔ粉と結合し、その後、相互に拡散して一体化し、高密度化を促進する効果を有する。 That is, in this method of manufacturing a sputtering target for forming a magnetic recording medium film, a mixed powder of FePt alloy powder, Pt powder, and SiO 2 powder containing Fe: 80 to 98 atomic% is vacuum or inert gas. Since it has a hot pressing process in the atmosphere, the use of FePt alloy powder and Pt powder with high Fe concentration increases the concentration gradient at the interface with the SiO 2 powder, thereby replacing Fe, Pt and Si. And the adhesion strengthening phase is formed at the interface between the SiO 2 phase and the FePt alloy phase. In addition, the composition of the FePt alloy powder is out of the composition range of the ordered alloy having a high hardness with the Fe content of 80 to 98 atomic%. As a result, the FePt alloy powder is sufficiently softened during hot pressing and combined with the Pt powder, and then diffuses and integrates with each other, thereby having an effect of promoting higher density.
また、本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法は、前記ホットプレスの保持温度が、１０５０〜１１５０℃であることが好ましい。
すなわち、この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法では、ホットプレスの保持温度が、１０５０〜１１５０℃であるので、モールドへの付着や融着、反りや変形等を防ぐことができる。
ホットプレスの保持温度が１０５０℃未満であると、十分に高い密度が得られず、１１５０℃を超えると、反りや変形等が発生し易く、モールドへの付着や融着等が発生し易くなる。
なお、ホットプレスによる前記温度での保持時間は２〜５時間の範囲で設定できる。
In the method for producing a sputtering target for forming a magnetic recording medium film according to the present invention, it is preferable that a holding temperature of the hot press is 1050 to 1150 ° C.
That is, in this method of manufacturing a sputtering target for forming a magnetic recording medium film, the holding temperature of the hot press is 1050 to 1150 ° C., so that it is possible to prevent adhesion, fusion, warpage, deformation, etc. to the mold.
If the holding temperature of the hot press is less than 1050 ° C., a sufficiently high density cannot be obtained, and if it exceeds 1150 ° C., warpage, deformation or the like is likely to occur, and adhesion to the mold or fusion is likely to occur. .
In addition, the holding time at the said temperature by a hot press can be set in the range of 2 to 5 hours.
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットによれば、組織が、ＳｉＯ２相と、ＦｅＰｔ合金相と、これら相の界面に介在しＳｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔが相互拡散した相互拡散相と、で構成されているので、相互拡散相の形成によって強度が向上して密度が高くなると共に、パーティクルや異常放電の発生が抑制される。
また、本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法によれば、Ｆｅ濃度の高いＦｅＰｔ合金粉を用いることで、ＳｉＯ２相とＦｅＰｔ合金相との界面に相互拡散相からなる密着強化層を形成することができるので、高い密度と共にパーティクルや異常放電の発生を抑制することができる。
したがって、本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより磁気記録媒体膜を成膜することで、高い生産性をもってＨＤＤ用の高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される良好な磁気記録膜を得ることができる。
The present invention has the following effects.
That is, according to the sputtering target for forming a magnetic recording medium film according to the present invention, the structure is an SiO 2 phase, an FePt alloy phase, and an interfacial structure in which Si, O, Fe, and Pt are interdiffused by interfacing between these phases. Therefore, the formation of the interdiffusion phase improves the strength and increases the density, and suppresses the generation of particles and abnormal discharge.
In addition, according to the method for manufacturing a sputtering target for forming a magnetic recording medium film of the present invention, by using FePt alloy powder having a high Fe concentration, adhesion strengthening composed of an interdiffusion phase is formed at the interface between the SiO 2 phase and the FePt alloy phase. Since the layer can be formed, generation of particles and abnormal discharge can be suppressed with high density.
Therefore, by forming a magnetic recording medium film by sputtering using the sputtering target for forming a magnetic recording medium film of the present invention, a magnetic recording film applied to a high-density magnetic recording medium for HDDs with high productivity, particularly A good magnetic recording film applied to a perpendicular magnetic recording medium can be obtained.
以下、本発明に係る磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法の一実施形態を、図１から図７を参照して説明する。 Hereinafter, an embodiment of a sputtering target for forming a magnetic recording medium film and a method for producing the same according to the present invention will be described with reference to FIGS.
本実施形態の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、一般式：（ＦｅｘＰｔ（１００−ｘ））１００−ｙ（ＳｉＯ２）ｙ、ここで４０≦ｘ≦６０、５≦ｙ≦３０（単位：モル比）で表される組成を有する焼結体からなるターゲットであって、その組織が、ＳｉＯ２相と、ＦｅとＰｔとの固溶体からなるＦｅＰｔ合金相と、ＳｉＯ２相とＦｅＰｔ合金相との界面において、Ｓｉ、Ｏ、Ｆｅ、およびＰｔの各元素が相互に拡散することによって形成するＳｉ、Ｏ、Ｆｅ、およびＰｔを含有する相互拡散相と、で構成され、相対密度が９６％以上であり、前記相互拡散相の厚さが、０．２μｍ以上となっている。 The magnetic recording medium film forming sputtering target of the present embodiment, the general formula: (Fe x Pt (100- x)) 100-y (SiO 2) y, wherein 40 ≦ x ≦ 60,5 ≦ y ≦ 30 ( A unit consisting of a sintered body having a composition represented by a unit (molar ratio), the structure of which is an SiO 2 phase, an FePt alloy phase consisting of a solid solution of Fe and Pt, an SiO 2 phase and an FePt alloy. And an interdiffusion phase containing Si, O, Fe and Pt formed by mutual diffusion of Si, O, Fe and Pt elements at the interface with the phase, and a relative density of 96 %, And the thickness of the interdiffusion phase is 0.2 μm or more .
この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法では、Ｆｅ：８０〜９８原子％を含有するＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、ＳｉＯ ２ 粉とをＡｒガス雰囲気中で混合して混合粉末とする工程と、前記混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程とを有している。
上記ＦｅＰｔ合金粉は、平均粒径が１０〜２０μｍのものを用いることが好ましい。また上記Ｐｔ粉は、平均粒径が３〜８μｍのものを用い、さらにＳｉＯ２粉は、平均粒径が２〜６μｍのものを用いるとよい。
In this method of manufacturing a sputtering target for forming a magnetic recording medium film, Fe: Pt alloy powder containing 80 to 98 atomic%, Pt powder, and SiO 2 powder are mixed in an Ar gas atmosphere to obtain a mixed powder. a step, the mixed powder, and a step of hot pressing in a vacuum or in an inert gas atmosphere.
The FePt alloy powder preferably has an average particle size of 10 to 20 μm. The Pt powder may be one having an average particle diameter of 3 to 8 μm, and the SiO 2 powder may be one having an average particle diameter of 2 to 6 μm.
なお、ＦｅＰｔ合金粉の平均粒径を上記範囲とした理由は、１０μｍ未満であると、収率よく回収することが困難となるためであり、２０μｍを超えると、粗大なＦｅＰｔ合金粉が混入しやすくなるためである。 The reason why the average particle size of the FePt alloy powder is in the above range is that if it is less than 10 μm, it is difficult to recover the yield, and if it exceeds 20 μm, coarse FePt alloy powder is mixed. This is because it becomes easier.
この製法の一例について詳述すれば、例えば、まず上記所定組成割合となるＦｅＰｔ合金粉をガスアトマイズにより作製し、風力分級法によって平均粒径が１０〜２０μｍとなるように分級して粉末を回収する。
Ｐｔ粉とＳｉＯ２粉については市販のものを用いればよく、例えばＰｔ粉については純度が３Ｎ〜４Ｎで平均粒径３〜８μｍ、ＳｉＯ２粉については純度が３Ｎ〜５Ｎで平均粒径が２〜６μｍの粉末を用意すればよい。尚、ＳｉＯ２粉については、非晶質シリカあるいは結晶質シリカのいずれを用いてもよいが、形状としては球状よりも破砕状のもののほうが、金属相との間でのアンカー効果が得られるので好ましい。
An example of this production method will be described in detail. For example, first, an FePt alloy powder having the above-mentioned predetermined composition ratio is produced by gas atomization, and classified by an air classification method so that the average particle size becomes 10 to 20 μm, and the powder is recovered. .
Commercially available Pt powder and SiO 2 powder may be used. For example, Pt powder has a purity of 3N to 4N and an average particle diameter of 3 to 8 μm, and SiO 2 powder has a purity of 3N to 5N and an average particle diameter of 2 A powder of ˜6 μm may be prepared. As for the SiO 2 powder, either amorphous silica or crystalline silica may be used. However, since the crushed shape can provide an anchor effect with the metal phase rather than the spherical shape. preferable.
次に、このＦｅＰｔ合金粉とＰｔ粉とＳｉＯ２粉とを上記所定のターゲット組成となるように秤量し、これらをボールミル混合用の容器に混合用の粉砕媒体となる５ｍｍφのジルコニアボール等と共に投入し、容器内をＡｒガスで置換した後蓋を閉め、さらにこの容器を、Ａｒガス雰囲気中で１６時間回転させ、原料を混合して混合粉末とする。 Next, the FePt alloy powder, the Pt powder, and the SiO 2 powder are weighed so as to have the above predetermined target composition, and these are put into a ball mill mixing container together with 5 mmφ zirconia balls or the like serving as a grinding medium for mixing. After replacing the inside of the container with Ar gas, the lid is closed, and the container is further rotated in an Ar gas atmosphere for 16 hours to mix the raw materials to obtain a mixed powder.
次に、得られた混合粉末を真空中にてホットプレスにより成型焼結し、得られた焼結体を機械加工により所定のターゲット寸法に加工する。なお、ホットプレスは、１０５０〜１１５０℃の比較的低温の範囲で保持時間：３〜５時間、加圧力：３００〜３５０ｋｇｆ／ｃｍ２にて行うことが好ましい。
こうして得られた焼結体を、バッキングプレートに接合してターゲットとする。
Next, the obtained mixed powder is molded and sintered in a vacuum by hot pressing, and the obtained sintered body is processed into a predetermined target dimension by machining. The hot pressing is preferably performed in a relatively low temperature range of 1050 to 1150 ° C. with a holding time of 3 to 5 hours and a pressing force of 300 to 350 kgf / cm 2 .
The sintered body thus obtained is bonded to a backing plate to be a target.
このように本実施形態の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットでは、その組織が、ＳｉＯ２相と、ＦｅとＰｔとの固溶体からなるＦｅＰｔ合金相と、ＳｉＯ２相とＦｅＰｔ合金相との界面において、Ｓｉ、Ｏ、Ｆｅ、及びＰｔの各元素が相互に拡散することによって形成するＳｉ、Ｏ、Ｆｅ、及びＰｔを含有する相互拡散相と、で構成され、該相互拡散相は密着強化層を構成するので、ターゲットの高密度化を促進すると共に、スパッタ中の異常放電やパーティクルの発生を抑制することができる。 In the magnetic recording medium film forming sputtering target of the present embodiment, the organization, and SiO 2 phase, and the FePt alloy phase composed of a solid solution of Fe and Pt, at the interface between the SiO 2 phase and the FePt alloy phase , Si, O, Fe, and Pt, which are formed by mutual diffusion of each element, and a mutual diffusion phase containing Si, O, Fe, and Pt. Since it comprises, it can accelerate | stimulate the densification of a target and can suppress generation | occurrence | production of the abnormal discharge and particle | grains during a sputtering.
また、この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法では、Ｆｅ：８０〜９８原子％を含有するＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、ＳｉＯ２粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有しているので、Ｆｅ濃度の高いＦｅＰｔ合金粉とＰｔ粉とを用いることでＳｉＯ２粉との界面において濃度勾配が大きくなり、ＦｅおよびＰｔとＳｉとの置換が生じ易くなってＳｉＯ２相とＦｅＰｔ合金相との界面に上記相互拡散相からなる密着強化層が形成される。またＦｅＰｔ合金粉の組成は、Ｆｅの含有量を８０〜９８原子％とし、硬さが高い規則合金の組成範囲から外している。これによりＦｅＰｔ合金粉はホットプレス中に十分軟化してＰｔ粉と結合し、その後、相互に拡散して一体化し、高密度化を促進する効果を有する。なお、前記ＦｅＰｔ合金粉の代わりにＦｅの含有量が９５原子％を超えるＦｅＰｔ合金または純Ｆｅ粉を用いると、粉末の保管中あるいは混合中において酸化され易く、取り扱いが難しいという面がある。 Further, in this method for producing a sputtering target for forming a magnetic recording medium film, a mixed powder of FePt alloy powder, Pt powder, and SiO 2 powder containing Fe: 80 to 98 atomic% is vacuum or inert gas. Since it has a hot pressing process in the atmosphere, the use of FePt alloy powder and Pt powder with high Fe concentration increases the concentration gradient at the interface with the SiO 2 powder, thereby replacing Fe, Pt and Si. Is likely to occur, and an adhesion strengthening layer composed of the above-mentioned interdiffusion phase is formed at the interface between the SiO 2 phase and the FePt alloy phase. Further, the composition of the FePt alloy powder is such that the Fe content is 80 to 98 atomic% and is out of the composition range of the ordered alloy having high hardness. As a result, the FePt alloy powder is sufficiently softened during hot pressing and combined with the Pt powder, and then diffuses and integrates with each other, thereby having an effect of promoting higher density. If an FePt alloy or pure Fe powder having an Fe content of more than 95 atomic% is used in place of the FePt alloy powder, it is easily oxidized during storage or mixing of the powder, which makes it difficult to handle.
次に、本発明に係る磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを、上記実施形態に基づき作製した実施例により、実際に評価した結果を説明する。 Next, the results of actual evaluation of the sputtering target for forming a magnetic recording medium film according to the present invention will be described with reference to an example manufactured based on the above embodiment.
まず、図６に本発明のスパッタリングターゲットの製造フローの一例を示す。ＦｅＰｔ合金アトマイズ粉は、純度３Ｎの電解鉄と純度３Ｎで平均粒径が６μｍのＰｔ粉とを原料として、Ｆｅの濃度が８０原子％、９０原子％、および９５原子％となるＦｅＰｔ合金のインゴットを真空溶解により作成した後、該インゴットをガスアトマイズ装置内で溶解し、Ａｒガスにてガスアトマイズし、ＦｅＰｔ合金アトマイズ粉を作成し回収する。回収した粉末を風力分級にて分級し、平均粒径１６μｍのＦｅＰｔ合金アトマイズ粉を得る。次に、ＦｅとＰｔとの比率がターゲット組成におけるＦｅとＰｔとの比率となるように、前記ＦｅＰｔ合金アトマイズ粉と前記Ｐｔ粉とを混合した第一次混合粉末を作成する。作成した第一次混合粉末の配合を表１に示す。尚、表１にはＦｅＰｔ合金アトマイズ粉の合金組成が、所定の範囲から外れる参考ターゲット４〜６用第一次混合粉末についても記載した。 First, FIG. 6 shows an example of a manufacturing flow of the sputtering target of the present invention. FePt alloy atomized powder is an ingot of FePt alloy having a concentration of Fe of 80 atomic%, 90 atomic%, and 95 atomic% using 3N pure electrolytic iron and 3N pure Pt powder with an average particle size of 6 μm as raw materials. Then, the ingot is melted in a gas atomizer and gas atomized with Ar gas to prepare and collect FePt alloy atomized powder. The recovered powder is classified by air classification to obtain an FePt alloy atomized powder having an average particle size of 16 μm. Next, a primary mixed powder is prepared by mixing the FePt alloy atomized powder and the Pt powder so that the ratio of Fe to Pt becomes the ratio of Fe to Pt in the target composition. Table 1 shows the composition of the prepared primary mixed powder. Table 1 also shows the primary mixed powder for reference targets 4 to 6 in which the alloy composition of the FePt alloy atomized powder is out of the predetermined range.
次に、ホットプレスによる焼結方法について述べる。図６に従って、第一次混合粉末とＳｉＯ２粉として純度が４Ｎで破砕状の結晶質シリカ粉とを目標ターゲット組成となるように配合し、混合して第二次混合粉末を作成する。この第二次混合粉末を黒鉛モールドに充填した状態でホットプレス装置に装入し、到達真空圧力が１×１０−３Ｔｏｒｒ（１３３×１０−３Ｐａ）の真空雰囲気中で加圧力：３００〜３５０ｋｇｆ／ｃｍ２、保持温度：１０５０〜１１５０℃、保持時間：３〜５時間の条件にて焼結し、本発明ターゲット１〜１２の焼結体を得た。その結果を、表２に示す。また、ＦｅＰｔ合金アトマイズ粉の合金組成が所定の範囲から外れる参考ターゲット４〜６用第一次混合粉末を使用した参考ターゲットの製造条件、およびＦｅＰｔ合金アトマイズ粉の合金組成が所定の範囲内であるが、上記本発明ターゲット１〜１２の製造条件から外れる参考ターゲット１，２の製造条件についても、表２に併記する。また、ホットプレスの保持温度を１１３０℃とした場合の本発明ターゲット１３と、ＦｅＰｔ合金アトマイズ粉のＦｅ割合を９８％とした本発明ターゲット１４の製造条件も表２に示す。
その後、各焼結体を機械加工し、直径：１５２ｍｍ、厚さ：６ｍｍのターゲットを作成した。さらに、Ｉｎはんだにて無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタ用のターゲットとした。また、同一焼結体より、密度測定用試料と組織観察用の試料とを作成した。
Next, a sintering method by hot pressing will be described. According to FIG. 6, a primary mixed powder and a crushed crystalline silica powder having a purity of 4N as SiO 2 powder are blended so as to have a target target composition, and mixed to prepare a secondary mixed powder. This secondary mixed powder was charged into a graphite mold and charged into a hot press apparatus, and the applied pressure was 300 to 300 in a vacuum atmosphere with an ultimate vacuum pressure of 1 × 10 −3 Torr (133 × 10 −3 Pa). Sintering was performed under the conditions of 350 kgf / cm 2 , holding temperature: 1050 to 1150 ° C., holding time: 3 to 5 hours, and sintered bodies of the present targets 1 to 12 were obtained. The results are shown in Table 2. Moreover, the manufacturing conditions of the reference target using the primary mixed powder for the reference targets 4 to 6 in which the alloy composition of the FePt alloy atomized powder is out of the predetermined range, and the alloy composition of the FePt alloy atomized powder are within the predetermined range. However, the manufacturing conditions of the reference targets 1 and 2 that deviate from the manufacturing conditions of the present invention targets 1 to 12 are also shown in Table 2. Table 2 also shows the production conditions of the target 13 of the present invention when the holding temperature of the hot press is 1130 ° C. and the target 14 of the present invention where the Fe ratio of the FePt alloy atomized powder is 98%.
Then, each sintered compact was machined and the target of diameter: 152mm and thickness: 6mm was created. Further, bonding to an oxygen-free copper backing plate with In solder was carried out to obtain a sputtering target. Moreover, a sample for density measurement and a sample for structure observation were prepared from the same sintered body.
ターゲットの密度は前記密度測定用試料を用いてアルキメデス法にて密度測定し、一方、相対密度（％）は次式で示す定義に従って計算により求め、表２に記載した。
相対密度（％）＝１００×（アルキメデス法による密度）／（理論密度）
理論密度（ｇ／ｃｍ３）＝１００／（（Ｆｅの重量％／Ｆｅの密度）＋（Ｐｔの重量％／Ｐｔの密度）＋（ＳｉＯ２の重量％／ＳｉＯ２の密度））
The density of the target was measured by the Archimedes method using the sample for density measurement, while the relative density (%) was determined by calculation according to the definition shown by the following formula and listed in Table 2.
Relative density (%) = 100 × (density by Archimedes method) / (theoretical density)
Theoretical density (g / cm 3 ) = 100 / ((Fe wt% / Fe density) + (Pt wt% / Pt density) + (SiO 2 wt% / SiO 2 density))
ターゲットの組織観察は、観察面（被スパッタ面に対し平行な面）を研磨して鏡面とした後、高分解能のＦＥ−ＥＰＭＡ（フィールドエミッション型電子線プローブマイクロアナライザ、日本電子製ＪＸＡ−８５００Ｆ、以下ＥＰＭＡ）にて、倍率１５，０００倍にて、二次電子像および反射電子像（ＣＯＭＰＯ像）、および各元素の組成分布を示す元素分布像を用いて実施した。前記二次電子像およびＣＯＭＰＯ像を図１に、元素分布像を図２に示す。
なお、ＥＰＭＡによる元素分布像は、本来カラー像であるが、白黒像に変換して記載しているため、濃淡の淡い部分（比較的白い部分）が所定元素の濃度が高い部分となっている。
The target structure is observed by polishing the observation surface (surface parallel to the surface to be sputtered) to a mirror surface, and then using a high-resolution FE-EPMA (field emission electron probe microanalyzer, JEOL JXA-8500F, EPMA) was carried out at a magnification of 15,000 times using a secondary electron image and a reflected electron image (COMPO image) and an element distribution image showing the composition distribution of each element. The secondary electron image and the COMPO image are shown in FIG. 1, and the element distribution image is shown in FIG.
The element distribution image by EPMA is originally a color image, but is described after being converted into a black and white image, and thus a light and dark portion (relatively white portion) is a portion where the concentration of the predetermined element is high. .
次に、本実施例について、ターゲットの断面組織を前記ＥＰＭＡによりライン分析を行った箇所を示す。二次電子像および反射電子像（ＣＯＭＰＯ像）を、図３に示す。なお、ライン分析をした箇所は、図３における二次電子像の画像中に線で示している。また、本実施例について、ターゲットの断面組織をＥＰＭＡによりライン分析を行った箇所の各元素の元素分布像を、図４に示す。なお、ライン分析を行った箇所は、図４における反射電子像中（図４において「ＣＰ」と表示）に線で示している。そして、このライン分析を行った際の各元素の濃度を示すグラフを、図５に示す。
このライン分析の結果から、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｓｉおよび酸素（Ｏ）の濃度の各グラフがＦｅＰｔ合金相とＳｉＯ２相との界面で傾斜しており、ＦｅＰｔ合金相とＳｉＯ２相との界面にＳｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔが相互に拡散してこれらを含有した相互拡散相が形成されていることがわかる。
Next, about the present Example, the location which performed the line analysis of the cross-sectional structure | tissue of the target by said EPMA is shown. A secondary electron image and a reflected electron image (COMPO image) are shown in FIG. In addition, the part which performed line analysis is shown by the line in the image of the secondary electron image in FIG. In addition, FIG. 4 shows an element distribution image of each element at a location where the cross-sectional structure of the target was subjected to line analysis by EPMA for this example. Note that the locations where the line analysis was performed are indicated by lines in the reflected electron image in FIG. 4 (indicated as “CP” in FIG. 4). And the graph which shows the density | concentration of each element at the time of performing this line analysis is shown in FIG.
The results of this line analysis, Fe, Pt, each graph of the concentration of Si and oxygen (O) is inclined at the interface between the FePt alloy phase and SiO 2 phase, at the interface between the FePt alloy phase and SiO 2 phase It can be seen that Si, O, Fe and Pt diffuse to each other to form an interdiffusion phase containing them.
また、前記相互拡散相にて形成される密着強化層の厚さは、ＳｉＯ２への拡散速度が最も小さいＰｔの侵入深さによって求めることが出来る。即ち、ＥＰＭＡにて前記１５，０００倍の倍率にて実施した図５に示すライン分析結果を用い、図７に示すようにＰｔ分析値の傾斜部分に沿った線ａおよびａ’を引き、それぞれと基底線との交点Ｚ、Ｚ’を求める。次に、均一な金属相であるＦｅＰｔ合金相での組成を示す基底線に対し平行な線ｃ及びｃ’を引き、線ａ及びａ’との交点をＸ及びＸ’とし、それぞれの交点から基底線に向けて降ろす垂直な線ｂ及びｂ’と基底線との交点Ｙ及びＹ’を求め、基底線上のＹＺ間およびＹ’Ｚ’間の距離Ｌ及びＬ’の平均値（（Ｌ＋Ｌ’）／２）を密着強化層の厚さとした。このような方法を用いて、ライン分析結果から得られる本発明例および比較例の密着強化層の任意の１箇所での厚さを測定し、その値を表２に示した。尚、線ｃ及びｃ’については、チャートから判るように分析線は波打っているため、それぞれ最大となる点と最小となる点との平均値となる点を基点に、基底線に平行となる線を引いても構わない。 Further, the thickness of the adhesion reinforcing layer formed in the mutual diffusion phase can be obtained from the penetration depth of Pt having the smallest diffusion rate into SiO 2 . That is, using the line analysis result shown in FIG. 5 performed at the magnification of 15,000 times in EPMA, lines a and a ′ along the inclined portion of the Pt analysis value are drawn as shown in FIG. And intersections Z and Z ′ of the base line are obtained. Next, lines c and c ′ parallel to the base line indicating the composition in the FePt alloy phase, which is a uniform metal phase, are drawn, and the intersections with the lines a and a ′ are defined as X and X ′. The intersections Y and Y ′ of the vertical lines b and b ′ to be lowered toward the base line and the base line are obtained, and the average values of the distances L and L ′ between YZ and Y′Z ′ on the base line ((L + L ′ ) / 2) was the thickness of the adhesion reinforcing layer. Using such a method, the thickness at any one of the adhesion reinforcing layers of the present invention and the comparative example obtained from the line analysis results was measured, and the values are shown in Table 2. As can be seen from the chart, the lines c and c ′ are wavy, so that each of the lines c and c ′ is parallel to the base line with the point that is the average of the maximum point and the minimum point as the base point. You may draw a line.
次に、スパッタ用のターゲットを用いてスパッタ中における異常放電の発生状況について観察した。まず、表２に示す本発明ターゲット１〜１４および参考ターゲットの１，２，４〜６を直流マグネトロンスパッタ装置に装着し、到達真空圧力：１×１０−６Ｔｏｒｒ（１３３×１０−６Ｐａ）まで真空排気した後、Ａｒガスを導入して装置内の圧力（スパッタガス圧力）を５×１０−３Ｔｏｒｒ（６６５×１０−３Ｐａ）とした。その後、直流電源にてスパッタ電力：５００Ｗにて３０分のプレスパッタを行い、次に、スパッタ電力を８００Ｗとして５時間の連続スパッタを行い、その間で発生する異常放電回数を測定した。その結果を、表２に併記した。 Next, the occurrence of abnormal discharge during sputtering was observed using a sputtering target. First, the 1,2,4～6 of the present invention the target 1 to 14 and reference targets are shown in Table 2 is attached to a DC magnetron sputtering apparatus, the ultimate vacuum pressure: 1 × 10 -6 Torr (133 × 10 -6 Pa) After vacuum evacuation, Ar gas was introduced to set the pressure in the apparatus (sputtering gas pressure) to 5 × 10 −3 Torr (665 × 10 −3 Pa). Thereafter, pre-sputtering was performed with a DC power source at a sputtering power of 500 W for 30 minutes, and then the sputtering power was set to 800 W to perform continuous sputtering for 5 hours, and the number of abnormal discharges generated during that time was measured. The results are also shown in Table 2.
表２に示される結果から、一般式：（ＦｅｘＰｔ（１００−ｘ））１００−ｙ（ＳｉＯ２）ｙ、ここで４０≦ｘ≦６０、５≦ｙ≦３０（単位：モル比）で表される組成を有する焼結体からなるターゲットであって、その組織がＳｉＯ２相と、ＦｅＰｔ合金相と、Ｓｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔの各元素が相互に拡散することによって形成するＳｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔを含有する相互拡散相と、で構成される本発明ターゲット１〜１２は、相互拡散相からなる密着強化層を形成し、前記相互拡散相からなる密着強化層の厚さが０．２〜０．８μｍの範囲内にあり、相対密度はいずれも９６％以上の高密度が得られており、また、スパッタ中においても異常放電の発生は見られないことが判る。また、前記相互拡散相からなる密着強化層の厚さが１．０２μｍの本発明ターゲット１３においても、相対密度９９．９％が得られ、Ｆｅ割合が９８％のＦｅＰｔ合金アトマイズ粉を用いた本発明ターゲット１４も、相対密度が９８．６％が得られている。なお、これらのターゲットでは、スパッタ中において異常放電が発生しているが、従来よりも大幅に発生回数が低減されている。
また、前記相互拡散相からなる密着強化層の厚さが０．２μｍ未満の参考ターゲットの１，２，４においては、スパッタ中において異常放電が発生しているが、従来よりも大幅に発生回数が低減されている。しかしながら、これらの相対密度は低かった。さらに、第一次混合粉末に用いるＦｅＰｔ合金粉末の組成が本発明の範囲から外れる参考ターゲットの４〜６においても、スパッタ中に異常放電が発生しているが、従来よりも大幅に発生回数が低減されている。しかしながら、これらも相対密度は低かった。
なお、参考ターゲット６では、黒鉛モールドに一部融着が発生し、本発明ターゲット１４では、第一次混合粉末の酸化により外観不良が発生していた。
From the results shown in Table 2, the general formula: in: (mole ratio basis) (Fe x Pt (100- x)) 100-y (SiO 2) y, wherein 40 ≦ x ≦ 60,5 ≦ y ≦ 30 A target composed of a sintered body having a composition represented by Si 2 formed by diffusion of Si 2 , FePt alloy phase, and Si, O, Fe, and Pt elements, The present invention targets 1 to 12 composed of an interdiffusion phase containing O, Fe and Pt form an adhesion strengthening layer composed of an interdiffusion phase, and the thickness of the adhesion strengthening layer composed of the interdiffusion phase is It can be seen that the relative density is within a range of 0.2 to 0.8 μm, and a relative density of 96% or more is obtained, and no abnormal discharge is observed even during sputtering. Further, in the present invention target 13 in which the thickness of the adhesion reinforcing layer made of the mutual diffusion phase is 1.02 μm, a book using FePt alloy atomized powder having a relative density of 99.9% and an Fe ratio of 98%. The invention target 14 also has a relative density of 98.6%. In these targets, abnormal discharge occurs during sputtering, but the number of occurrences is significantly reduced compared to the conventional case.
In addition, in the reference targets 1 , 2 , and 4 where the thickness of the adhesion reinforcing layer made of the interdiffusion phase is less than 0.2 μm , abnormal discharge occurs during sputtering, but the number of occurrences is significantly larger than the conventional number. Has been reduced. However, their relative density was low. Further , in the reference targets 4 to 6 where the composition of the FePt alloy powder used for the primary mixed powder is out of the scope of the present invention , abnormal discharge occurs during sputtering, but the number of occurrences is significantly larger than that of the conventional target. Has been reduced. However, these also had a low relative density.
In the reference target 6, partial fusion occurred in the graphite mold, and in the target 14 of the present invention , appearance defects occurred due to oxidation of the primary mixed powder.
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態及び上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。 The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
Claims (3)
その組織が、ＳｉＯ２相と、ＦｅとＰｔとの固溶体からなるＦｅＰｔ合金相と、ＳｉＯ２相とＦｅＰｔ合金相との界面において、Ｓｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔの各元素が相互に拡散することによって形成するＳｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔを含有する相互拡散相と、で構成され、
相対密度が９６％以上であり、
前記相互拡散相の厚さが、０．２μｍ以上であることを特徴とする磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。 General formula: (Fe x Pt (100-x) ) (100-y) (SiO 2 ) y , where 40 ≦ x ≦ 60 (unit: mol%), 5 ≦ y ≦ 30 (unit: mol%) A target composed of a sintered body having a composition represented by:
The organization, and SiO 2 phase, and the FePt alloy phase composed of a solid solution of Fe and Pt, at the interface between the SiO 2 phase and the FePt alloy phase, the Si, O, each element of Fe and Pt diffused to each other Si formed by, O, and mutual diffusion phase containing Fe and Pt, in the configuration,
The relative density is 96% or more,
A sputtering target for forming a magnetic recording medium film, wherein the thickness of the interdiffusion phase is 0.2 μm or more .
Ｆｅ：８０〜９８原子％を含有するＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、ＳｉＯ ２ 粉とをＡｒガス雰囲気中で混合して混合粉末とする工程と、
前記混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程とを有していることを特徴とする磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 A method for producing a sputtering target for forming a magnetic recording medium film according to claim 1 ,
Fe: FePt alloy powder containing 80 to 98 atomic%, Pt powder, and SiO 2 powder are mixed in an Ar gas atmosphere to obtain a mixed powder;
It said mixed powder, the magnetic recording medium film forming sputtering target manufacturing method which is characterized in that it has a step of hot pressing in a vacuum or in an inert gas atmosphere.
前記ホットプレスの保持温度が、１０５０〜１１５０℃であることを特徴とする磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 In the manufacturing method of the sputtering target for magnetic-recording-medium film formation of Claim 2 ,
The method for producing a sputtering target for forming a magnetic recording medium film, wherein the holding temperature of the hot press is 1050 to 1150 ° C.
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