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JP5428758B2 - Semiconductor adhesive sheet, dicing tape integrated semiconductor adhesive sheet, and semiconductor device - Google Patents

Semiconductor adhesive sheet, dicing tape integrated semiconductor adhesive sheet, and semiconductor device Download PDF

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JP5428758B2
JP5428758B2 JP2009247862A JP2009247862A JP5428758B2 JP 5428758 B2 JP5428758 B2 JP 5428758B2 JP 2009247862 A JP2009247862 A JP 2009247862A JP 2009247862 A JP2009247862 A JP 2009247862A JP 5428758 B2 JP5428758 B2 JP 5428758B2
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Description

本発明は、半導体用接着シート、ダイシングテープ一体型半導体用接着シート及び半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor adhesive sheet, a dicing tape-integrated semiconductor adhesive sheet, and a semiconductor device.

従来、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材を接合するための接着剤として、銀ペーストが主に使用されていた。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきている。こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤーボンディング時における不具合の発生、接着剤の膜厚の制御困難性、及び接着剤のボイド発生などにより前記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、前記要求に対処するべく、近年、シート状の接着剤が使用されるようになってきた。   Conventionally, a silver paste has been mainly used as an adhesive for joining a semiconductor element and a semiconductor element mounting support member. However, with the recent miniaturization and high performance of semiconductor elements, the support members used are required to be small and fine. In response to these demands, silver paste addresses such demands by the occurrence of defects during wire bonding due to protrusions and inclination of semiconductor elements, difficulty in controlling the adhesive film thickness, and the occurrence of adhesive voids. I can't understand. Therefore, in recent years, sheet-like adhesives have been used in order to cope with the above requirements.

この接着シートは、個片貼付け方式又はウェハ裏面貼付け方式において使用されているが、前者の個片貼付け方式の接着シートを用いて半導体装置を製造する場合、リール状の接着シートをカッティング又はパンチングによって個片に切り出した後、その個片化した接着シートを支持部材に接着し、前記接着シート付き支持部材にダイシング工程によって個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その後、必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程などを経ることによって半導体装置が得られる。   This adhesive sheet is used in an individual sticking method or a wafer back surface sticking method. When manufacturing a semiconductor device using the former individual sticking method adhesive sheet, the reel-like adhesive sheet is cut or punched. After cutting into individual pieces, the separated adhesive sheet is adhered to a support member, and the semiconductor element separated by a dicing process is joined to the support member with the adhesive sheet to produce a support member with a semiconductor element. Thereafter, the semiconductor device is obtained through a wire bonding process, a sealing process, and the like as necessary.

しかし、前記個片貼付け方式の接着シートを用いるためには、接着シートを個片に切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必要であることから、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。   However, in order to use the adhesive sheet of the individual piece pasting method, a dedicated assembly device that cuts the adhesive sheet into individual pieces and adheres them to the support member is necessary, so that it is manufactured in comparison with the method using silver paste. There was a problem of high costs.

一方、後者のウェハ裏面貼付け方式の接着シートを用いて半導体装置を製造する場合、まず半導体ウェハの裏面に接着シートを貼付け、さらに接着シートの他面にダイシングテープを貼り合わせ、その後、前記ウェハからダイシングによって半導体素子を個片化し、個片化した接着シート付き半導体素子をピックアップし、それを支持部材に接合し、加熱、硬化、ワイヤボンド、封止などの工程を経ることにより半導体装置が得られる。   On the other hand, when manufacturing a semiconductor device using the latter wafer back surface bonding method adhesive sheet, first paste the adhesive sheet on the back surface of the semiconductor wafer, and further bond the dicing tape to the other surface of the adhesive sheet, and then from the wafer A semiconductor device is obtained by dividing a semiconductor element into individual pieces by dicing, picking up the separated semiconductor element with an adhesive sheet, bonding it to a support member, and performing processes such as heating, curing, wire bonding, and sealing. It is done.

このウェハ裏面貼付け方式の接着シートは、接着シート付き半導体素子を支持部材に接合するため、接着シートを個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのまま又は熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、接着シートを用いる方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。   This wafer back surface bonding type adhesive sheet joins the semiconductor element with the adhesive sheet to the support member, so it does not require an apparatus for separating the adhesive sheet, and the conventional silver paste assembling apparatus is used as it is or with a hot platen. It can be used by modifying a part of the device such as adding. For this reason, it has been attracting attention as a method in which the production cost can be kept relatively low among the methods using an adhesive sheet.

ウェハ裏面貼り付け方式の接着シートを用いる方法においては、ウェハのダイシング工程時に接着シートも切断することが必要であるが、これには従来のダイヤモンドブレードを用いて切断する接触型の切断方法に加え、ウェハにレーザを照射することによりウェハ内部に選択的に改質部を形成し、その後エキスパンドすることにより改質部に沿ってウェハを切断する時に同時に接着シートを切断する方法又は切断されたウェハに接着シートを貼り付け、その後エキスパンドすることによりウェハ切断ラインに沿って接着シートを切断する方法(例えば、特許文献1参照)などがある。しかし、いずれの方法においても、無機物で固いウェハと有機物で柔らかい接着シートの固さの異なる2種類の材料を同じ工程で切断するため、切断性を向上するには、有機物である接着シートに無機フィラーを添加することが有効である。   In the method using the adhesive sheet of the wafer back surface bonding method, it is necessary to cut the adhesive sheet during the wafer dicing process. In addition to the conventional contact type cutting method using a diamond blade, A method of cutting an adhesive sheet at the same time when a wafer is irradiated with a laser to selectively form a modified portion inside the wafer and then expanding to cut the wafer along the modified portion. There is a method of cutting an adhesive sheet along a wafer cutting line by attaching an adhesive sheet to the substrate and then expanding the sheet (for example, see Patent Document 1). However, in any of the methods, since two types of materials having different hardnesses of a hard wafer made of an inorganic material and a soft adhesive sheet made of an organic material are cut in the same process, the organic adhesive sheet is made of an inorganic material to improve the cutting performance. It is effective to add a filler.

また、半導体素子をはじめとする各種電子部品を搭載した実装基板として最も重要な特性の一つとして信頼性がある。その中でも、熱疲労に対する接続信頼性は実装基板を用いた機器の信頼性に直接関係するため、非常に重要な項目である。この接続信頼性を低下させる原因として、熱膨張係数の異なる各種材料を用いていることから生じる熱応力が挙げられる。半導体素子の熱膨張係数が約4ppm/℃と小さいのに対し、電子部品を実装する配線基板の熱膨張係数が15ppm/℃以上と大きいことから熱衝撃に対して熱ひずみが発生し、その熱ひずみによって熱応力が発生し、この熱応力が接続信頼性を低下させる。優れた接続信頼性を確保するには、熱応力を緩和することが課題である。   In addition, reliability is one of the most important characteristics as a mounting board on which various electronic components such as semiconductor elements are mounted. Among them, the connection reliability against thermal fatigue is a very important item because it is directly related to the reliability of the equipment using the mounting substrate. As a cause of lowering the connection reliability, there is a thermal stress generated by using various materials having different thermal expansion coefficients. While the thermal expansion coefficient of the semiconductor element is as small as about 4 ppm / ° C., the thermal expansion coefficient of the wiring board on which the electronic component is mounted is as large as 15 ppm / ° C. or more. Thermal stress is generated by strain, and this thermal stress reduces connection reliability. In order to ensure excellent connection reliability, it is a problem to relieve thermal stress.

また、このような配線基板は配線による凹凸を基板表面に通常有しており、接着シートはこの配線基板の凹凸を埋め込む必要がある。上記の熱応力緩和性、配線基板凹凸埋め込み性の点から、半導体用接着シートは、硬化後の貯蔵弾性率がある程度低いことが望ましいが、接着シートの切断性向上のため無機フィラーを添加すると、一般的に接着シートが高弾性化することが分かっている。このように、半導体パッケージの接続信頼性及び接着シートの配線基板の凹凸埋め込み性と、接着シートの切断性とはトレードオフの関係にあり、それらの性能の両立が課題となっている。   Further, such a wiring board usually has unevenness due to wiring on the surface of the substrate, and the adhesive sheet needs to bury the unevenness of this wiring board. From the viewpoint of the above-described thermal stress relaxation property and wiring board unevenness embedding property, it is desirable that the adhesive sheet for semiconductor has a low storage elastic modulus after curing, but when an inorganic filler is added to improve the cutting property of the adhesive sheet, In general, it has been found that the adhesive sheet is highly elastic. As described above, the connection reliability of the semiconductor package, the unevenness embedding property of the wiring board of the adhesive sheet, and the cutting property of the adhesive sheet are in a trade-off relationship, and the compatibility of these performances is a problem.

また、従来の接着シートでは、短時間での接着力が不十分であるため、接着シートを貼り付けた半導体素子を実装基板又はウェハに熱圧着した後、搬送している途中で半導体素子が貼り付けた位置からずれを生じたり、モールド時に実装基板と接着シート間に異物が侵入するという不具合が発生する可能性が高かった。さらにまた、従来の接着シートでは、エキスパンドによる接着シートの個片化を可能にするため、フィラーを添加して接着シートの硬化前の貯蔵弾性率を高くする方法が提案されているが、硬化後の高温での貯蔵弾性率が高くなり配線基板の凹凸の埋め込み性が低下し、またその他の特性とバランスさせることはできなかった。さらにフィラーが異物となり、接着シートを20μm以下に薄膜化した場合、より良好な外観を得ることが難しかった。   In addition, the conventional adhesive sheet has insufficient adhesive force in a short time, and therefore, after the semiconductor element to which the adhesive sheet is attached is thermocompression bonded to the mounting substrate or the wafer, the semiconductor element is attached while being conveyed. There is a high possibility that a problem arises in that a deviation occurs from the attached position or a foreign matter enters between the mounting substrate and the adhesive sheet during molding. Furthermore, in the conventional adhesive sheet, a method for increasing the storage elastic modulus before curing of the adhesive sheet by adding a filler has been proposed in order to enable individualization of the adhesive sheet by expanding. The storage elastic modulus at a high temperature of the substrate became high, the embedding property of the unevenness of the wiring board was lowered, and it could not be balanced with other characteristics. Furthermore, when the filler became a foreign substance and the adhesive sheet was thinned to 20 μm or less, it was difficult to obtain a better appearance.

特開2006−093213号公報JP 2006-093213 A

本発明は、短時間で十分な接着力を発現でき、エキスパンドによる個片化及びモールド時の配線基板の凹凸埋め込み性に優れた半導体用接着シート、この半導体用接着シートを用いたダイシングテープ一体型半導体用接着シート及び半導体装置を提供することを目的とする。   The present invention is an adhesive sheet for semiconductors that can express sufficient adhesive force in a short time and is excellent in singulation by expanding and embedding unevenness of a wiring board during molding, and a dicing tape integrated type using this adhesive sheet for semiconductors An object is to provide an adhesive sheet for a semiconductor and a semiconductor device.

本発明は、(1)接着剤層を有する半導体用接着シートであって、硬化後の前記接着剤層は、動的粘弾性測定装置を用いて周波数10Hzで測定した150℃での貯蔵弾性率が6MPa以上、170℃での貯蔵弾性率が5MPa未満であることを特徴とする半導体用接着シートに関する。   The present invention is (1) an adhesive sheet for a semiconductor having an adhesive layer, and the cured adhesive layer has a storage elastic modulus at 150 ° C. measured at a frequency of 10 Hz using a dynamic viscoelasticity measuring device. Is an adhesive sheet for semiconductor, characterized by having a storage elastic modulus at 170 ° C. of less than 5 MPa.

また、本発明は、(2)前記接着剤層をシリコンウェハに熱圧着し、150℃で2分間硬化させた後の接着剤層硬化物の170℃におけるダイシェア強度が0.1MPa以上である前記(1)記載の半導体用接着シートに関する。   In the present invention, (2) the die shear strength at 170 ° C. of the cured adhesive layer after thermobonding the adhesive layer to a silicon wafer and curing at 150 ° C. for 2 minutes is 0.1 MPa or more. (1) It is related with the adhesive sheet for semiconductors of description.

また、本発明は、(3)前記接着剤層の厚さが、1〜20μmである前記(1)又は(2)記載の半導体用接着シートに関する。   Moreover, this invention relates to the adhesive sheet for semiconductors of the said (1) or (2) description whose thickness of the said adhesive bond layer is 1-20 micrometers (1).

また、本発明は、(4)前記接着剤層が、高分子量成分を含有する前記(1)〜(3)のいずれか一項に記載の半導体用接着シートに関する。   The present invention also relates to (4) the adhesive sheet for a semiconductor according to any one of (1) to (3), wherein the adhesive layer contains a high molecular weight component.

また、本発明は、(5)前記高分子量成分のガラス転移温度が、−10〜60℃で、かつ、重量平均分子量が2万〜100万である前記(4)記載の半導体用接着シートに関する。   The present invention also relates to (5) the adhesive sheet for semiconductor according to (4), wherein the high molecular weight component has a glass transition temperature of −10 to 60 ° C. and a weight average molecular weight of 20,000 to 1,000,000. .

また、本発明は、(6)前記高分子量成分の含有量が、接着剤層を構成する接着剤組成物の総質量の40〜95質量%である前記(4)又は(5)記載の半導体用接着シートに関する。   Moreover, this invention is (6) The semiconductor of the said (4) or (5) description whose content of the said high molecular weight component is 40-95 mass% of the total mass of the adhesive composition which comprises an adhesive bond layer. It relates to an adhesive sheet.

また、本発明は、(7)前記接着剤層が、フィラーを含有しないことを特徴とする前記(1)〜(6)のいずれか一項に記載の半導体用接着シートに関する。   The present invention also relates to (7) the adhesive sheet for a semiconductor according to any one of (1) to (6), wherein the adhesive layer does not contain a filler.

また、本発明は、(8)前記接着剤層が、低分子量成分を含有する前記(1)〜(7)のいずれか一項に記載の半導体用接着シートに関する。   Moreover, this invention relates to the adhesive sheet for semiconductors as described in any one of said (1)-(7) in which the said adhesive bond layer contains a low molecular-weight component (8).

また、本発明は、(9)前記低分子量成分の重量平均分子量が、0.1万〜10万である前記(8)記載の半導体用接着シートに関する。   The present invention also relates to (9) the adhesive sheet for semiconductor according to (8), wherein the low molecular weight component has a weight average molecular weight of 10000 to 100,000.

また、本発明は、(10)前記(1)〜(9)のいずれか一項に記載の半導体用接着シートとダイシングテープを一体化してなるダイシングテープ一体型半導体用接着シートに関する。   The present invention also relates to (10) a dicing tape integrated semiconductor adhesive sheet obtained by integrating the semiconductor adhesive sheet according to any one of (1) to (9) and a dicing tape.

また、本発明は、(11)前記ダイシングテープが、引張り荷重が40kg以上、5%伸び弾性率が3MPa以上であり、引張り変形時に降伏点を有さないものである前記(10)記載のダイシングテープ一体型半導体用接着シートに関する。   The dicing according to (10), wherein (11) the dicing tape has a tensile load of 40 kg or more, a 5% elongation elastic modulus of 3 MPa or more, and has no yield point during tensile deformation. The present invention relates to an adhesive sheet for a tape-integrated semiconductor.

また、本発明は、(12)前記(1)〜(9)のいずれか一項に記載の半導体用接着シートを用いて、半導体素子と支持部材とを接着した構造を有してなる半導体装置に関する。   In addition, the present invention provides (12) a semiconductor device having a structure in which a semiconductor element and a support member are bonded using the adhesive sheet for semiconductor according to any one of (1) to (9). About.

本発明によれば、接着剤層の硬化後の弾性率を制御することにより、短時間で十分な接着力を発現でき、モールド時の配線基板の凹凸埋め込み性に優れた半導体用接着シート、この半導体用接着シートを用いたダイシングテープ一体型半導体用接着シート及び半導体装置を提供することができる。   According to the present invention, by controlling the elastic modulus after curing of the adhesive layer, a sufficient adhesive force can be expressed in a short time, and the adhesive sheet for a semiconductor excellent in the unevenness embedding property of the wiring board at the time of molding, A dicing tape-integrated adhesive sheet for semiconductors and a semiconductor device using the adhesive sheet for semiconductors can be provided.

本発明の半導体用接着シートは、接着剤層を有する半導体用接着シートであって、硬化後の前記接着剤層は、動的粘弾性測定装置を用いて周波数10Hzで測定した150℃での貯蔵弾性率が6MPa以上、170℃での貯蔵弾性率が5MPa未満であることを特徴とする。   The adhesive sheet for semiconductor of the present invention is an adhesive sheet for semiconductor having an adhesive layer, and the adhesive layer after curing is stored at 150 ° C. measured at a frequency of 10 Hz using a dynamic viscoelasticity measuring device. The elastic modulus is 6 MPa or more, and the storage elastic modulus at 170 ° C. is less than 5 MPa.

本発明の半導体用接着シートを構成する接着剤層は、硬化後のCステージ状態において、動的粘弾性測定装置を用いて周波数10Hzで測定した150℃での貯蔵弾性率が6MPa以上であり、それによって短時間で十分な接着力を発現することができる。前記貯蔵弾性率が6MPaでは、短時間で充分な接着力が発現できず、また、150℃でワイヤーボンディングする場合、強度が不十分となってしまう。   The adhesive layer constituting the adhesive sheet for semiconductor of the present invention has a storage elastic modulus at 150 ° C. measured at a frequency of 10 Hz using a dynamic viscoelasticity measuring device in a C-stage state after curing, of 6 MPa or more, Thereby, sufficient adhesive force can be expressed in a short time. When the storage elastic modulus is 6 MPa, sufficient adhesive force cannot be exhibited in a short time, and when wire bonding is performed at 150 ° C., the strength becomes insufficient.

また、本発明の半導体用接着シートを構成する接着剤層は、硬化後のCステージ状態において、動的粘弾性測定装置を用いて周波数10Hzで測定した170℃での貯蔵弾性率が5MPa未満であり、それによって配線基板の凹凸埋め込み性が良好となる。前記170℃での貯蔵弾性率は、好ましくは1〜4MPa、より好ましくは2〜4MPaである。前記貯蔵弾性率が5MPa以上では、配線基板の凹凸の埋め込み性が低下してしまい、本発明の目的を達成することができず、一方、1MPa未満では、接着シートのはみ出しが生じる可能性がある。   The adhesive layer constituting the adhesive sheet for semiconductor of the present invention has a storage elastic modulus at 170 ° C. of less than 5 MPa measured at a frequency of 10 Hz using a dynamic viscoelasticity measuring device in a C-stage state after curing. In this way, the embedding property of the wiring board is improved. The storage elastic modulus at 170 ° C. is preferably 1 to 4 MPa, more preferably 2 to 4 MPa. When the storage elastic modulus is 5 MPa or more, the embedding property of the unevenness of the wiring board is lowered and the object of the present invention cannot be achieved. On the other hand, when the storage elastic modulus is less than 1 MPa, the adhesive sheet may protrude. .

本発明の半導体用接着シートは、硬化後の前記接着剤層の150℃での貯蔵弾性率が6MPa以上、170℃での貯蔵弾性率が5MPa未満であるためには、フィラー含有量が、接着剤組成物の総質量の5質量%以下であることが好ましく、フィラーを含有しないことがより好ましい。前記フィラーの含有量が5質量%超では、170℃での貯蔵弾性率が高くなり、配線基板の凸凹埋め込み性が低下する可能性がある。   In the adhesive sheet for semiconductor of the present invention, the cured elastic adhesive layer has a storage elastic modulus at 150 ° C. of 6 MPa or more and a storage elastic modulus at 170 ° C. of less than 5 MPa. It is preferable that it is 5 mass% or less of the total mass of an agent composition, and it is more preferable not to contain a filler. If the filler content exceeds 5% by mass, the storage elastic modulus at 170 ° C. becomes high, and the uneven embedding property of the wiring board may be lowered.

前記硬化後の接着剤層の貯蔵弾性率は、接着剤層を170℃、3時間硬化させた後、動的粘弾性測定装置(レオロジ社製、商品名DVE−V4)を用いて、接着剤層硬化物に引張り荷重をかけて、周波数10Hz、昇温速度3〜10℃/分で−50〜300℃まで測定する温度依存性測定モードで測定することができる。   The storage elastic modulus of the cured adhesive layer was determined by curing the adhesive layer at 170 ° C. for 3 hours, and then using a dynamic viscoelasticity measuring device (trade name DVE-V4, manufactured by Rheology). The layered product can be measured in a temperature-dependent measurement mode in which a tensile load is applied to the layered product and the frequency is measured from −50 to 300 ° C. at a frequency of 10 Hz and a heating rate of 3 to 10 ° C./min.

本発明の半導体用接着シートは、初期接着力を高める観点で、接着剤層をシリコンウェハに熱圧着し、150℃で2分硬化させた後の接着剤層硬化物の170℃におけるダイシェア強度が0.1MPa以上であることが好ましい。前記ダイシェア強度が0.1MPa未満では、モールド時にシリコンウェハと接着シート間に異物が混入する可能性がある。   The adhesive sheet for semiconductors of the present invention has a die shear strength at 170 ° C. of the cured adhesive layer after thermocompression bonding of the adhesive layer to a silicon wafer and curing at 150 ° C. for 2 minutes from the viewpoint of increasing the initial adhesive force. It is preferably 0.1 MPa or more. When the die shear strength is less than 0.1 MPa, foreign matter may be mixed between the silicon wafer and the adhesive sheet during molding.

前記ダイシェア強度は、接着シートの接着剤層面をシリコンウェハに70℃で貼り付け、接着剤層を圧力0.4MPa、時間1.5秒、温度150の条件でシリコンウェハに圧着し、150℃で2時間硬化させて接着剤硬化物のサンプルを作製し、万能ボンドテスター(Dage社製)を用いて、測定温度170℃で測定することができる。   The die shear strength is determined by adhering the adhesive layer surface of the adhesive sheet to a silicon wafer at 70 ° C., pressing the adhesive layer to the silicon wafer under the conditions of pressure 0.4 MPa, time 1.5 seconds, temperature 150, at 150 ° C. It can be cured for 2 hours to prepare a cured adhesive sample, and can be measured at a measurement temperature of 170 ° C. using a universal bond tester (manufactured by Dage).

また、本発明の半導体用接着シートは、接着剤層面を有機基板に貼付し、70℃で3時間硬化させた後、85℃、相対湿度85%、保持時間48時間の条件で吸湿処理し、処理前後の有機基板に対する接着剤層硬化物の265℃におけるダイシェア強度の比(吸湿処理後のダイシェア強度/吸湿処理前のダイシェア強度)が0.7以上であることが好ましい。前記ダイシェア強度比が0.7未満では、耐半田リフロー性に劣り、接着剤層と基板間で剥離が発生する可能性がある。前記ダイシェア強度は接着力の指標であり、ダイシェア強度比が大きいほど耐半田リフロー性に優れ高い信頼性を有することになる。   Moreover, the adhesive sheet for semiconductor of the present invention is bonded to the organic substrate and cured at 70 ° C. for 3 hours, and then moisture-absorbed under the conditions of 85 ° C., relative humidity 85%, holding time 48 hours, The ratio of the die shear strength at 265 ° C. of the cured adhesive layer to the organic substrate before and after the treatment (die shear strength after moisture absorption treatment / die shear strength before moisture absorption treatment) is preferably 0.7 or more. When the die shear strength ratio is less than 0.7, solder reflow resistance is poor, and peeling may occur between the adhesive layer and the substrate. The die shear strength is an index of adhesive strength, and the larger the die shear strength ratio, the better the solder reflow resistance and the higher the reliability.

前記ダイシェア強度比は以下により求めることができる。接着シートの接着剤層面を半導体素子に温度70℃、圧力0.3MPa、速度0.3m/分の条件で貼付し、その後、0.1MPa、時間5秒、温度120℃の条件で有機基板に圧着し、170℃で3時間硬化させた後、温度85℃、相対湿度85%、保持時間48時間の条件で吸湿処理し、万能ボンドテスター(Dage社製)を用いて、測定温度265℃で吸湿処理後のダイシェア強度を測定し、ダイシェア強度比を算出する。   The die shear strength ratio can be obtained as follows. The adhesive layer surface of the adhesive sheet is affixed to a semiconductor element at a temperature of 70 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a speed of 0.3 m / min. After pressure bonding and curing at 170 ° C. for 3 hours, moisture absorption treatment was performed under the conditions of a temperature of 85 ° C., a relative humidity of 85%, and a holding time of 48 hours. The die shear strength after moisture absorption treatment is measured, and the die shear strength ratio is calculated.

前記ダイシェア強度比を0.7以上にする方法として、例えば接着剤層を構成する成分である硬化剤として吸水率が2質量%以下のフェノール樹脂を用いることや、硬化促進剤の配合量を調整することが挙げられる。   As a method of setting the die shear strength ratio to 0.7 or more, for example, a phenol resin having a water absorption of 2% by mass or less is used as a curing agent which is a component constituting the adhesive layer, and a blending amount of the curing accelerator is adjusted. To do.

本発明の半導体用接着シートは接着剤層を有するものであり、接着剤層のみの単層構造でも、支持体フィルムなどとの他の部材との積層構造でもよい。   The adhesive sheet for semiconductor of the present invention has an adhesive layer, and may be a single layer structure having only an adhesive layer or a laminated structure with another member such as a support film.

以下、本発明の半導体用接着シートを構成する接着剤層について説明する。   Hereinafter, the adhesive layer constituting the semiconductor adhesive sheet of the present invention will be described.

本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層は接着剤組成物から構成され、高分子量成分を含有することが好ましい。前記高分子量成分は、ガラス転移温度(Tg)が−10〜60℃であることが好ましい。前記Tgが−10℃未満の場合は、接着強度が低下したり、硬化前状態での接着剤層のタック性が大きくなり、取り扱い性が悪化する可能性があり、60℃を超える場合は接着シートの柔軟性が低下する可能性がある。また、高分子量成分の重量平均分子量は、2万〜100万であることが好ましく、10〜90万であることがより好ましく、20〜80万であることが最も好ましい。前記重量平均分子量が2万未満であると、シート状での強度の低下、可とう性の低下、タック性の増大が起こる可能性があり、100万を超えると、ワニス作製時の溶剤への溶解性が低下し作業性が悪くなる傾向がある。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
高分子量成分の含有量が、接着剤層硬化物の貯蔵弾性率を制御するという観点から、接着剤層を構成する接着剤組成物の総質量の40〜95質量%であることが好ましく、45〜70質量%であることがより好ましい。前記含有量が40質量%未満であると、前記接着剤層硬化物の170℃における貯蔵弾性率が高くなる傾向にあり、配線基板の凹凸埋め込み性が低下する可能性がある。一方、前記含有量が95質量%超であると、前記接着剤層硬化物の150℃における貯蔵弾性率が低くなる傾向にあり、短時間で充分な接着力が発現し難く、また、ワイヤーボンディングする場合の強度が不十分となり信頼性が低下する可能性がある。
The adhesive layer in the adhesive sheet for semiconductor of the present invention is preferably composed of an adhesive composition and contains a high molecular weight component. The high molecular weight component preferably has a glass transition temperature (Tg) of −10 to 60 ° C. When the Tg is less than −10 ° C., the adhesive strength may be reduced, or the tackiness of the adhesive layer may be increased in a state before curing, and the handleability may be deteriorated. The flexibility of the sheet may be reduced. The weight average molecular weight of the high molecular weight component is preferably 20,000 to 1,000,000, more preferably 10 to 900,000, and most preferably 20 to 800,000. If the weight average molecular weight is less than 20,000, the sheet strength may decrease, the flexibility may decrease, and the tack may increase. There is a tendency for solubility to decrease and workability to deteriorate. In the present invention, the weight average molecular weight is a value measured by gel permeation chromatography and converted using a standard polystyrene calibration curve.
From the viewpoint of controlling the storage elastic modulus of the cured adhesive layer, the content of the high molecular weight component is preferably 40 to 95% by mass of the total mass of the adhesive composition constituting the adhesive layer, 45 More preferably, it is -70 mass%. When the content is less than 40% by mass, the storage elastic modulus at 170 ° C. of the cured adhesive layer tends to be high, and the uneven embedding property of the wiring board may be lowered. On the other hand, when the content is more than 95% by mass, the storage elastic modulus of the cured adhesive layer at 150 ° C. tends to be low, and sufficient adhesive force is hardly expressed in a short time. In such a case, the strength may be insufficient and the reliability may be reduced.

本発明で用いられる高分子量成分は、熱可塑性樹脂が好ましく、例えば、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル共重合体などが挙げられる。これらのなかでも、エポキシ樹脂と非相溶である官能基を有する重量平均分子量が50万以上である高分子量成分が好ましく、該官能基はポリマー鎖中に有していても、ポリマー鎖末端に有していてもよい。前記官能基としては、例えば、エポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、イソシアネート基、アミノ基、アミド基等が挙げられる。これらのなかでも、エポキシ基を有する高分子量成分が好ましく、例えば、グリシジル(メタ)アクリレートなどの官能性モノマーを含有するモノマーを重合して得た、重量平均分子量が50万以上であるエポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体等が好ましい。   The high molecular weight component used in the present invention is preferably a thermoplastic resin, and examples thereof include a polyamide resin, a polyimide resin, a polyamideimide resin, and an acrylic copolymer. Among these, a high molecular weight component having a functional group that is incompatible with the epoxy resin and having a weight average molecular weight of 500,000 or more is preferable. Even if the functional group is present in the polymer chain, it is present at the end of the polymer chain. You may have. Examples of the functional group include an epoxy group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an isocyanate group, an amino group, and an amide group. Among these, a high molecular weight component having an epoxy group is preferable, for example, an epoxy group containing a weight average molecular weight of 500,000 or more obtained by polymerizing a monomer containing a functional monomer such as glycidyl (meth) acrylate. A (meth) acrylic copolymer or the like is preferable.

エポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体は、例えば、エポキシ基含有(メタ)アクリルエステル共重合体、エポキシ基含有アクリルゴム等を挙げることができ、エポキシ基含有アクリルゴムを用いることがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体等からなるゴムである。エポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体中のエポキシ基含有モノマーの量は、0.5〜6.0質量%であることが好ましい。前記エポキシ基含有モノマーの量が0.5〜6.0質量%であると、接着シートの接着力が確保し易く、ゲル化を防止し易くなる。かかるグリシジル(メタ)アクリレートを0.5〜6.0質量%含む重量平均分子量が50万以上であるエポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体としては、特に制限はなく、ナガセケムテック株式会社(株)製、商品名HTR―860P−3DRなどを用いることができる。   Examples of the epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer include an epoxy group-containing (meth) acrylic ester copolymer and an epoxy group-containing acrylic rubber, and it is more preferable to use an epoxy group-containing acrylic rubber. The acrylic rubber is a rubber mainly composed of an acrylate ester and mainly composed of a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile, a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile, or the like. The amount of the epoxy group-containing monomer in the epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer is preferably 0.5 to 6.0% by mass. When the amount of the epoxy group-containing monomer is 0.5 to 6.0% by mass, the adhesive force of the adhesive sheet is easily secured and gelation is easily prevented. The epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 0.5 to 6.0% by mass of glycidyl (meth) acrylate and having a weight average molecular weight of 500,000 or more is not particularly limited. A product name, HTR-860P-3DR, etc. made from Corporation | KK can be used.

前記官能基モノマーが、カルボン酸タイプのアクリル酸や、水酸基タイプのヒドロキシメチル(メタ)アクリレートを用いると、橋架け反応が進行しやすく、ワニス状態でのゲル化、硬化前状態における硬化度の上昇による接着力の低下等の問題があるため好ましくない。   When the functional group monomer is carboxylic acid type acrylic acid or hydroxyl group type hydroxymethyl (meth) acrylate, the crosslinking reaction is likely to proceed, gelation in the varnish state, and increase in the degree of cure in the pre-curing state This is not preferable because there is a problem such as a decrease in adhesive strength due to.

また、官能基モノマーとして用いるグリシジル(メタ)アクリレートの量は、2〜6質量%の共重合体比とする。2質量%以下であると接着力が低下する可能性があり、6質量%以上であるとゲル化する可能性がある。なお、グリシジル(メタ)アクリレートは、グリシジルアクリレート、グリシジルメタアクリレート及びそれらの混合物を意味する。   Moreover, the quantity of the glycidyl (meth) acrylate used as a functional group monomer shall be 2-6 mass% copolymer ratio. If it is 2% by mass or less, the adhesive force may be reduced, and if it is 6% by mass or more, gelation may occur. In addition, glycidyl (meth) acrylate means glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, and mixtures thereof.

グリシジル(メタ)アクリレートと共重合するコモノマーは、エチル(メタ)アクリレートやブチル(メタ)アクリレート又は両者の混合物を用いることができるが、混合比率は、共重合体のガラス転移温度(Tg)が−10〜60℃の範囲となるよう考慮して決定すればよい。重合方法は特に制限はなく、パール重合、溶液重合等を使用することができる。   As the comonomer copolymerized with glycidyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate or a mixture of both can be used, but the mixing ratio is-when the glass transition temperature (Tg) of the copolymer is-. What is necessary is just to determine in consideration of becoming the range of 10-60 degreeC. The polymerization method is not particularly limited, and pearl polymerization, solution polymerization and the like can be used.

本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層を構成する接着剤組成物は、低分子量成分を含有することが好ましい。前記低分子量成分の重量平均分子量は、特に制限はないが、0.1万〜10万であることが好ましく、0.2万〜1万であることがより好ましく、0.3万〜0.5万であることがさらに好ましい。前記重量平均分子量が0.1万未満であると、低粘度の液状である場合が多く、接着シートの破断性を低下させる可能性がある。一方、10万を超えると、高分子量化に伴い、樹脂間での分子の絡み合いにより、接着シートの破断性を低下させる可能性がある。   The adhesive composition constituting the adhesive layer in the semiconductor adhesive sheet of the present invention preferably contains a low molecular weight component. The weight average molecular weight of the low molecular weight component is not particularly limited, but is preferably from 10,000 to 100,000, more preferably from 20,000 to 10,000, and from 30,000 to 0.00. More preferably, it is 50,000. If the weight average molecular weight is less than 10,000, it is often a low-viscosity liquid, which may reduce the breakability of the adhesive sheet. On the other hand, if it exceeds 100,000, there is a possibility that the breakability of the adhesive sheet is lowered due to the entanglement of molecules between the resins as the molecular weight increases.

本発明で用いられる低分子量成分は、良好な接着力を持たせるために、熱硬化性樹脂を含むことが好ましく、例えば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリールフタレート樹脂、シリコーン樹脂、レゾルシノールホルムアルデヒド樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、ケトン樹脂、トリアリールシアヌレート樹脂、ポリイソシアネート樹脂、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌラートを含有する樹脂、トリアリールトリメリタートを含有する樹脂、シクロペンタジエンから合成された樹脂、芳香族ジシアナミドの三量化による熱硬化性樹脂等が挙げられる。これらのなかでも、高温において優れた接着力を持たせることができる点で、エポキシ樹脂、シアネート樹脂及びビスマレイミド樹脂が好ましく、エポキシ樹脂がより好ましい。なお、これら熱硬化性樹脂は単独又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   The low molecular weight component used in the present invention preferably contains a thermosetting resin in order to give good adhesion, for example, epoxy resin, cyanate resin, bismaleimide resin, phenol resin, urea resin, melamine resin. , Alkyd resin, acrylic resin, unsaturated polyester resin, diaryl phthalate resin, silicone resin, resorcinol formaldehyde resin, xylene resin, furan resin, polyurethane resin, ketone resin, triaryl cyanurate resin, polyisocyanate resin, tris (2-hydroxy Examples thereof include resins containing ethyl) isocyanurate, resins containing triaryl trimellitate, resins synthesized from cyclopentadiene, thermosetting resins by trimerization of aromatic dicyanamide, and the like. Among these, an epoxy resin, a cyanate resin, and a bismaleimide resin are preferable, and an epoxy resin is more preferable because an excellent adhesive force can be given at a high temperature. In addition, these thermosetting resins can be used individually or in combination of 2 or more types.

エポキシ樹脂としては、環球式で測定した軟化点が50℃以上であるものが好ましく、例えば、油化シェルエポキシ(株)製、商品名エピコート1001、1002、1003、1055、1004、1004AF、1007、1009、1003F、1004F、ダウケミカル日本(株)製、商品名D.E.R.661、662、663U、664、664U、667、642U、672U、673MF、668、669等のビスフェノールA型エポキシ樹脂、東都化成(株)製、商品名YDF−2004等のビスフェノールF型エポキシ樹脂、日本化薬(株)製、商品名EPPN−201等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂、油化シェルエポキシ(株)製、商品名エピコート180S65、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名アラルダイトECN1273、1280、1299、東都化成(株)製、商品名YDCN−701、702、703、704、日本化薬(株)製、商品名EOCN−1020、102S、103S、104S、住友化学工業(株)製、商品名ESCN−195X、200L、220等のクレゾールノボラックエポキシ樹脂、油化シェルエポキシ(株)製、商品名Epon1031S、エピコート1032H60、157S70、日本化薬(株)製、商品名EPPN501H、502H等の多官能エポキシ樹脂、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名アラルダイトPT810などの複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらに制限するものではない。   As the epoxy resin, those having a softening point of 50 ° C. or higher measured by a ring and ball type are preferable. For example, product names Epicoat 1001, 1002, 1003, 1055, 1004, 1004AF, 1007, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. 1009, 1003F, 1004F, manufactured by Dow Chemical Japan Co., Ltd. E. R. 661, 662, 663U, 664, 664U, 667, 642U, 672U, 673MF, 668, 669 and other bisphenol A type epoxy resins, manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., bisphenol F type epoxy resins such as YDF-2004, Japan Made by Kayaku Co., Ltd., phenol novolac type epoxy resin such as trade name EPPN-201, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., trade name Epicoat 180S65, manufactured by Ciba Specialty Chemicals, trade name Araldite ECN1273, 1280, 1299, Product name YDCN-701, 702, 703, 704, Nippon Kayaku Co., Ltd., product name EOCN-1020, 102S, 103S, 104S, Sumitomo Chemical Co., Ltd., product name ESCN Cresol novolacs such as -195X, 200L, 220 Poxy resin, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., trade names Epon 1031S, Epicoat 1032H60, 157S70, Nippon Kayaku Co., Ltd., trade names EPPN501H, 502H, etc., polyfunctional epoxy resins, manufactured by Ciba Specialty Chemicals Examples thereof include, but are not limited to, hetero ring-containing epoxy resins such as Araldite PT810.

本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層を構成する接着剤組成物は、熱硬化性樹脂の硬化性を高める目的で硬化剤や硬化促進剤を含んでもよい。硬化剤としては、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールSのようなフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂などが挙げられる。本発明では、吸湿後の接着力の観点から、フェノール樹脂が好ましく、温度85℃、相対湿度85%の恒温恒湿槽に48時間投入後の吸水率が2質量%以下で、熱重量分析計(TGA)で測定した350℃での加熱質量減少率(昇温速度:5℃/分、雰囲気:窒素)が5質量%未満のものがより好ましい。このようなフェノール樹脂は、フェノール化合物と2価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得られるものであり、市販品としては、三井化学株式会社製、商品名ミレックスXLC−シリーズ、XLシリーズ等がある。   The adhesive composition constituting the adhesive layer in the semiconductor adhesive sheet of the present invention may contain a curing agent or a curing accelerator for the purpose of increasing the curability of the thermosetting resin. Examples of the curing agent include amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, bisphenols having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule such as bisphenol A, bisphenol F, and bisphenol S, and phenols. Examples thereof include phenolic resins such as novolak resin, bisphenol A novolak resin, and cresol novolak resin. In the present invention, from the viewpoint of adhesive strength after moisture absorption, a phenol resin is preferable, and a thermogravimetric analyzer has a water absorption rate of 2% by mass or less after being placed in a thermostatic chamber at a temperature of 85 ° C. and a relative humidity of 85% for 48 hours. A heating mass reduction rate (temperature increase rate: 5 ° C./min, atmosphere: nitrogen) at 350 ° C. measured by (TGA) is more preferably less than 5% by mass. Such a phenolic resin is obtained by reacting a phenolic compound and a xylylene compound that is a divalent linking group in the presence of a non-catalyst or an acid catalyst. There are trade names such as Milex XLC-series and XL series.

硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、4級ホスホニウム塩類、4級アンモニウム塩類、イミダゾール類、DBU脂肪酸塩類、金属キレート類、金属塩類、トリフェニルフォスフィン類等を用いることができる。これらは1種を単独で又は2種以上を併用して用いられる。これら硬化促進剤のなかでも、イミダゾール類が好ましく、その具体例としては、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは1種又は2種以上を併用することもできる。   The curing accelerator is not particularly limited, and for example, quaternary phosphonium salts, quaternary ammonium salts, imidazoles, DBU fatty acid salts, metal chelates, metal salts, triphenylphosphine and the like can be used. These may be used alone or in combination of two or more. Among these curing accelerators, imidazoles are preferable, and specific examples thereof include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazo. Examples include lithium trimellitate, and these may be used alone or in combination of two or more.

硬化促進剤の含有量は、熱硬化性樹脂及び硬化剤との総質量100質量部に対して、0.003〜5質量部であることが好ましく、0.005〜3質量部であることがより好ましい。前記含有量が0.003質量部未満であると硬化性が劣る傾向があり、5質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。   It is preferable that content of a hardening accelerator is 0.003-5 mass parts with respect to 100 mass parts of total mass with a thermosetting resin and a hardening | curing agent, and it is 0.005-3 mass parts. More preferred. When the content is less than 0.003 parts by mass, the curability tends to be inferior, and when it exceeds 5 parts by mass, the storage stability tends to decrease.

また、本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層を構成する接着剤組成物は、異種材料間の界面結合をよくするために、各種カップリング剤を含有することもできる。カップリング剤としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられるが、シラン系カップリング剤が最も好ましい。   The adhesive composition constituting the adhesive layer in the semiconductor adhesive sheet of the present invention can also contain various coupling agents in order to improve interfacial bonding between different materials. Examples of the coupling agent include silane-based, titanium-based, and aluminum-based, and silane-based coupling agents are most preferable.

シラン系カップリング剤としては、特に制限はなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等のビニルシラン類、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、メチルトリ(メタクリロイルオキエトキシ)シラン等のメタクリロイルシラン類、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、メチルトリ(グリシジルオキシ)シラン等のエポキシ基含有シラン類、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N‐フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピル−トリス(2−メトキシ−エトキシ−エトキシ)シラン、N−メチル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピル−トリメトキシシラン、3,4,5−ジヒドロイミダゾール−1−イル−プロピルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン等のアミノシラン類、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピル−メチルジメトキシシラン等のメルカプトシラン類、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン等の尿素結合含有シラン類、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネート等のイソシアネート基含有シラン類、3−クロロプロピル−メチルジメトキシシラン、3−クロロプロピル−ジメトキシシラン、3−シアノプロピル−トリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、N,O−ビス(トリメチルシリル)アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、N−β(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔3−(トリメトキシシリル)プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン等を使用することができ、これらの1種又は2種以上を併用することもできる。   There is no restriction | limiting in particular as a silane coupling agent, For example, vinyl silanes, such as vinyltrichlorosilane, vinyltris ((beta) -methoxyethoxy) silane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, (gamma) -methacryloxypropyl trimethoxysilane , Γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyl-trimethoxysilane, methacryloylsilanes such as methyltri (methacryloyloxyethoxy) silane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ- Contains epoxy groups such as glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, methyltri (glycidyloxy) silane Orchids, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltri Methoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyl-tris (2-methoxy-ethoxy-ethoxy) silane, N-methyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, tri Aminosilanes such as aminopropyl-trimethoxysilane, 3,4,5-dihydroimidazol-1-yl-propyltrimethoxysilane, amyltrichlorosilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, 3 -Merca Mercaptosilanes such as topropyl-methyldimethoxysilane, urea bond-containing silanes such as 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, trimethylsilyl isocyanate, dimethylsilyl isocyanate, methylsilyl triisocyanate, vinylsilyl triisocyanate Isocyanate group-containing silanes such as phenylsilyl triisocyanate, tetraisocyanate silane, ethoxysilane isocyanate, 3-chloropropyl-methyldimethoxysilane, 3-chloropropyl-dimethoxysilane, 3-cyanopropyl-triethoxysilane, hexamethyldi Silazane, N, O-bis (trimethylsilyl) acetamide, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltri Chlorosilane, n-propyltrimethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane, octyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, N-β (N-vinylbenzylaminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, octadecyl Dimethyl [3- (trimethoxysilyl) propyl] ammonium chloride, γ-chloropropylmethyldichlorosilane, γ-chloropropylmethyldimethoxysilane, γ-chloropropylmethyldiethoxysilane, etc. can be used, and one of these Or 2 or more types can also be used together.

前記カップリング剤の含有量は、その効果や耐熱性及びコストから、接着剤組成物の総質量100質量部に対し、0.1〜10質量部であることが好ましい。   It is preferable that content of the said coupling agent is 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts of total mass of an adhesive composition from the effect, heat resistance, and cost.

さらに本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層を構成する接着剤組成物には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を添加することもできる。イオン捕捉剤としては、特に制限が無く、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤などを使用することができ、また、ジルコニウム系化合物、アンチモンビスマス系化合物、マグネシウムアルミニウム系化合物等の無機イオン吸着剤を使用することもできる。   Furthermore, an ion scavenger may be added to the adhesive composition constituting the adhesive layer in the semiconductor adhesive sheet of the present invention in order to adsorb ionic impurities and improve insulation reliability during moisture absorption. it can. As the ion scavenger, there is no particular limitation, and a compound known as a copper damage preventive agent to prevent copper from ionizing and dissolving, for example, a triazine thiol compound, a bisphenol-based reducing agent, etc. can be used. Further, inorganic ion adsorbents such as zirconium compounds, antimony bismuth compounds, magnesium aluminum compounds and the like can be used.

前記イオン捕捉剤の含有量は、添加による効果や耐熱性、コストなどから、接着剤組成物の総質量100質量部に対して、1〜10質量部であることが好ましい。   The content of the ion scavenger is preferably 1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total mass of the adhesive composition, from the effect of addition, heat resistance, cost, and the like.

本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層を構成する接着剤組成物は、前記硬化後の前記接着剤層の貯蔵弾性率を制御するという観点から、フィラーの含有量は、接着剤組成物の総質量の5質量%以下であることが好ましく、接着シートをより薄膜化するという観点から、フィラーを含有しないことがより好ましい。前記フィラーの含有量が5質量%超では、170℃での貯蔵弾性率が高くなり、配線基板の凸凹埋め込み性が低下する可能性があり、また、接着シートを10μm以下の薄膜とした場合に外観が悪くなる傾向がある。   From the viewpoint of controlling the storage elastic modulus of the adhesive layer after the curing, the adhesive composition constituting the adhesive layer in the adhesive sheet for semiconductor of the present invention has a filler content of the adhesive composition. It is preferable that it is 5 mass% or less of the total mass, and it is more preferable not to contain a filler from a viewpoint of making an adhesive sheet thinner. When the content of the filler exceeds 5% by mass, the storage elastic modulus at 170 ° C. may be increased, and the embedding property of the wiring board may be lowered. Also, when the adhesive sheet is a thin film of 10 μm or less. Appearance tends to be poor.

本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層の厚さは、好ましくは1〜20μmである。前記接着剤層の厚さが1μm未満では、成膜性が低下する傾向があり、20μmを超えると経済性に劣る傾向がある。   The thickness of the adhesive layer in the adhesive sheet for semiconductor of the present invention is preferably 1 to 20 μm. If the thickness of the adhesive layer is less than 1 μm, the film formability tends to decrease, and if it exceeds 20 μm, the economy tends to be inferior.

本発明の半導体用接着シートは、接着剤組成物を溶剤に溶解又は分散してワニスとし、支持体フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することによって得ることができる。   The adhesive sheet for semiconductors of the present invention can be obtained by dissolving or dispersing the adhesive composition in a solvent to obtain a varnish, applying the coating composition on a support film, heating and removing the solvent.

前記支持体フィルムとしては、特に制限はなく、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムを使用することができる。また、必要に応じて、これらプラスチックフィルムはプライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行っても良い。支持体フィルムは、使用時に剥離して接着剤層のみを使用することもできるし、支持体フィルムと接着剤層が積層した状態で使用し、後で支持体フィルムを除去することもできる。   There is no restriction | limiting in particular as said support body film, Plastic films, such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, a polyimide film, can be used. If necessary, these plastic films may be subjected to surface treatment such as primer coating, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, etching treatment, mold release treatment and the like. The support film can be peeled off at the time of use, and only the adhesive layer can be used, or the support film and the adhesive layer can be used in a laminated state, and the support film can be removed later.

前記ワニスの調製に用いる溶剤としては、各成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができるが、フィルム作製時の揮発性等を考慮し、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、2−エトキシエタノール、トルエン、キシレン、ブチルセルソルブ、メタノール、エタノール、2−メトキシエタノールなど比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また塗膜性を向上させるなどの目的で、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなど比較的高沸点の溶媒を加えることもできる。   The solvent used for the preparation of the varnish is not limited as long as it can uniformly dissolve, knead or disperse each component, and a conventionally known one can be used, but considers volatility during film production. It is preferable to use a solvent having a relatively low boiling point such as methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, 2-ethoxyethanol, toluene, xylene, butyl cellosolve, methanol, ethanol, 2-methoxyethanol. For the purpose of improving the coating properties, a solvent having a relatively high boiling point such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone can be added.

支持体フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。   As a method for applying the varnish to the support film, a known method can be used, and examples thereof include a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a curtain coating method. .

また、本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層は、所望の厚さを得るために、2枚以上を貼り合わせることもできる。この場合には、接着剤層同士の剥離が発生しないような貼り合わせ条件が必要である。   Moreover, in order to obtain desired thickness, the adhesive layer in the adhesive sheet for semiconductor of the present invention can be bonded two or more. In this case, it is necessary to have a bonding condition that does not cause peeling between the adhesive layers.

また、本発明の半導体用接着シートは、ダイシングテープと予め貼り合わせて一体化してなるダイシングテープ一体型接着シートとしても使用することができる。この場合、ウェハへのラミネート工程が一回で済む点で、作業の効率化が可能となる。前記ダイシングテープ一体型接着シートは、半導体用接着シートの接着剤層面をダイシングテープの粘着剤層面に積層することで得ることができる。
本発明に使用するダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。これらは他材料との多層構造にして用いることもできる。また、これらのダイシングテープは、必要に応じてプライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行ってもよい。ダイシングテープは粘着性を有することが必要であり、ダイシングテープの片面に粘着剤層を設けてもよい。これは、粘着剤層の樹脂組成物において、特に液状成分の比率、高分子量成分のTgを調整することによって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を塗布乾燥することで形成可能である。
Moreover, the adhesive sheet for semiconductors of the present invention can also be used as a dicing tape-integrated adhesive sheet obtained by pasting and integrating with a dicing tape in advance. In this case, it is possible to increase the efficiency of the operation in that the laminating process on the wafer is performed only once. The dicing tape-integrated adhesive sheet can be obtained by laminating the adhesive layer surface of the semiconductor adhesive sheet on the adhesive layer surface of the dicing tape.
Examples of the dicing tape used in the present invention include a plastic film such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, and a polyimide film. These can also be used in a multilayer structure with other materials. In addition, these dicing tapes may be subjected to surface treatment such as primer coating, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, and etching treatment as necessary. The dicing tape needs to have adhesiveness, and an adhesive layer may be provided on one side of the dicing tape. This can be formed by applying and drying a resin composition having an appropriate tack strength obtained by adjusting the ratio of the liquid component and the Tg of the high molecular weight component in the resin composition of the pressure-sensitive adhesive layer.

また、ダイシングテープ一体型接着シートを半導体装置を製造する際に用いた場合、ダイシング時には半導体素子が飛散しない接着力を有し、その後、半導体用接着シート付き半導体素子をピックアップする時にはダイシングテープから剥離することが必要である。例えば、半導体用接着シートやダイシングテープの粘着性が高すぎて両者を張り合わせたときのピール強度が150N/m超の場合、半導体用接着シート付き半導体素子をダイシングテープから剥離することが困難になることがある。したがって、前記ピール強度は、150N/m以下であることが好ましく、50N/m以下であることがより好ましい。   Also, when the dicing tape integrated adhesive sheet is used when manufacturing a semiconductor device, it has an adhesive force that prevents the semiconductor element from scattering during dicing, and then peels off the dicing tape when picking up the semiconductor element with the adhesive sheet for semiconductor. It is necessary to. For example, when the adhesive strength of a semiconductor adhesive sheet or dicing tape is too high and the peel strength when the two are bonded is more than 150 N / m, it becomes difficult to peel the semiconductor element with the semiconductor adhesive sheet from the dicing tape. Sometimes. Therefore, the peel strength is preferably 150 N / m or less, and more preferably 50 N / m or less.

そのため、適宜、半導体用接着シートのタック強度を調節することが好ましく、その方法としては、半導体用接着シートの室温(25℃)における流動性を上昇させることにより、接着強度及びタック強度も上昇する傾向があり、流動性を低下させれば接着強度及びタック強度も低下する傾向があることを利用すればよい。例えば、流動性を上昇させる場合には、可塑剤の含有量の増加、粘着付与剤の含有量の増加などの方法がある。逆に流動性を低下させる場合には、前記化合物の含有量を減らせばよい。前記可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ樹脂、液状エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系のいわゆる希釈剤などが挙げられる。   Therefore, it is preferable to appropriately adjust the tack strength of the adhesive sheet for semiconductor. As the method, the adhesive strength and tack strength are also increased by increasing the fluidity of the adhesive sheet for semiconductor at room temperature (25 ° C.). There is a tendency to use the fact that if the fluidity is lowered, the adhesive strength and tack strength tend to be lowered. For example, when increasing the fluidity, there are methods such as increasing the content of a plasticizer and increasing the content of a tackifier. Conversely, when the fluidity is lowered, the content of the compound may be reduced. Examples of the plasticizer include monofunctional acrylic monomers, monofunctional epoxy resins, liquid epoxy resins, acrylic resins, and epoxy-based diluents.

ダイシングテープ上に半導体用接着シートを積層する方法としては、印刷のほか、予め作製した半導体用接着シートをダイシングテープ上にプレス、ホットロールラミネート方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率がよい点でホットロールラミネート方法が好ましい。   As a method of laminating a semiconductor adhesive sheet on a dicing tape, in addition to printing, a semiconductor adhesive sheet prepared in advance is pressed on a dicing tape, and a hot roll laminating method can be used. A hot roll laminating method is preferable in terms of good points.

なお、ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、半導体用接着シートの膜厚やダイシングテープ一体型接着シートの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、取扱い性がよい点で、60〜200μmであることが好ましく、70〜180μmであることがより好ましい。   The thickness of the dicing tape is not particularly limited, and is appropriately determined based on the knowledge of those skilled in the art depending on the thickness of the adhesive sheet for semiconductors and the application of the dicing tape-integrated adhesive sheet. It is preferably 60 to 200 μm and more preferably 70 to 180 μm in terms of good handleability.

本発明の半導体用接着シートを容易に個片化し、切断性を向上するには、ダイシングテープは、引張り荷重が40kg以上、5%伸び弾性率が3MPa以上であり、引張り変形時に降伏点を有さないものであることが好ましい。前記引張り荷重と5%伸び弾性率のどちらか一方が前記値を下回ると、ダイシングテープが柔らかくなるため、ダイシングテープ一体型接着シートとして用いた場合、エキスパンド時に十分な引張り力を得ることが出来ず、半導体用接着シートの個片化が困難になる傾向がある。前記引張り荷重のより好ましい値は50kg以上であり、5%伸び弾性率のより好ましい値は5MPa以上であり、前記引張り荷重及び5%伸び弾性率の上限については、エキスパンド装置に依存するため、特性として制限されるものではない。   The dicing tape has a tensile load of 40 kg or more, a 5% elongation elastic modulus of 3 MPa or more, and has a yield point during tensile deformation in order to easily divide the adhesive sheet for semiconductor of the present invention and improve the cutting performance. It is preferable not to. When either one of the tensile load and 5% elongation elastic modulus falls below the above value, the dicing tape becomes soft, so when used as a dicing tape integrated adhesive sheet, sufficient tensile force cannot be obtained during expansion. There is a tendency that the semiconductor adhesive sheet is difficult to be separated. A more preferable value of the tensile load is 50 kg or more, a more preferable value of the 5% elongation elastic modulus is 5 MPa or more, and the upper limit of the tensile load and the 5% elongation elastic modulus depends on the expanding device. It is not limited as.

ダイシングテープの引張り荷重は、幅10mm×長さ30mmの短冊形状のダイシングテープについて、万能試験機(株式会社オリエンテック製、テンシロンUCT−5T型)を用い、温度25℃、引張速度5mm/分の条件で引っ張り試験を行い、ダイシングテープが破断するまでの応力を引張り荷重とした。   The tensile load of the dicing tape is about 10 mm wide x 30 mm long dicing tape using a universal testing machine (Orientec Co., Ltd., Tensilon UCT-5T type) at a temperature of 25 ° C. and a tensile speed of 5 mm / min. A tensile test was performed under the conditions, and the stress until the dicing tape broke was defined as the tensile load.

ダイシングテープの5%伸び弾性率は、幅10mm×長さ30mmの短冊形状のダイシングテープについて、万能試験機(株式会社オリエンテック製、テンシロンUCT−5T型)を用い、温度25℃、引張速度5mm/分の条件で引っ張り試験を行い、伸びと応力の関係から算出されるヤング率のうち、相対的に5%伸びた際に得られたものを5%伸び弾性率とした。   The dicing tape has a 5% elongation elastic modulus of about 10 mm wide × 30 mm long dicing tape using a universal testing machine (Orientec Co., Ltd., Tensilon UCT-5T type) at a temperature of 25 ° C. and a tensile speed of 5 mm. A tensile test was performed under the conditions of / min, and among the Young's moduli calculated from the relationship between the elongation and the stress, the one obtained when the relative elongation was 5% was defined as the 5% elongation elastic modulus.

ダイシングテープが引張り変形時に降伏点を有する場合、エキスパンド時に応力集中部分のみが伸びてしまい、半導体用接着シートの個片化が困難になる傾向がある。ここで、「降伏」とは、荷重−伸び線図、応力−ひずみ線図等で見られるように物体に働く応力が弾性限度を超えると荷重又は応力の増大がないのに変形が徐々に進行する現象のことを指し、「降伏点」とは、弾性挙動の最大荷重、最大応力値における点のことを指す。降伏点を有するダイシングテープとは、幅10mm×長さ30mmの短冊形状のダイシングテープについて、万能試験機(株式会社オリエンテック製、テンシロンUCT−5T型)を用い、温度25℃、引張速度5mm/分の条件で引っ張り試験を行い、ダイシングテープが破断するまでの応力とひずみを測定し、ひずみをX軸、応力をY軸にそれぞれプロットした場合に、傾きdY/dXが正の値から0又は負の値に変化する応力値をとるものである。すなわち、降伏点を有さないダイシングテープとは、前記傾きdY/dXが正の値から0又は負の値に変化する応力値をとらないものである。降伏点を有するダイシングテープを用いた場合、ダイシングテープに外力を加えて半導体ウエハ及び半導体用接着シートを切断する際に、半導体ウエハ及び半導体用接着シートに応力がかからず、周辺のダイシングテープばかりが伸びて変形を起こすため、半導体ウエハ及び半導体用接着シートが切断できないか又は切断残りが生じるおそれがある。これに対し、降伏点を有さないダイシングテープを用いることにより、応力が半導体ウエハ及び半導体用接着シートにかかりやすく、容易に個片化でき破断性が向上し、半導体ウエハ及び半導体用接着シートを同時に切断することができる。特に、ダイシングテープを放射状に伸展することによって均一にチップ間隔を広げる、いわゆるエキスパンドにより半導体ウエハ及び半導体用接着シートを切断する場合、ダイシングテープが均一に伸長するので破断性が良くなる。さらに、薄い半導体ウエハ、例えば、厚さが100μm以下の半導体ウエハを用いた場合は、チッピング等の不良を低減するべくステルスダイシング又はハーフカットダイシングにより半導体ウエハを区分した後、エキスパンドにより半導体ウエハ及び接着シートを個片化し、切断することが好ましいが、この際に降伏点を有さないダイシングテープを用いることにより、半導体ウエハ及び半導体用接着シートを同時に切断することができるため好適である。
本発明の半導体装置は、半導体用接着シートを用いて、半導体素子と支持部材とを接着した構造を有してなるものである。支持部材としては、ダイパットを有するリードフレーム、セラミック基板や有機基板など基板材質に限定されることなく用いることができる。セラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミ基板等を用いることができる。有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含漬させたFR−4基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含漬させたBT基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用いることができる。さらに、支持部材としては配線が形成されていてもよく、配線が半導体装置の外部表面に現れる場合には、保護樹脂層を設けることが好ましい。配線の構造としては、片面配線、両面配線、多層配線いずれの構造でもよく、必要に応じて電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けてもよい。
When the dicing tape has a yield point at the time of tensile deformation, only the stress concentration portion extends at the time of expansion, and it tends to be difficult to singulate the adhesive sheet for semiconductor. Here, “yield” means that when the stress acting on the object exceeds the elastic limit as seen in the load-elongation diagram, stress-strain diagram, etc., the deformation progresses gradually even though there is no increase in load or stress. The “yield point” refers to a point at the maximum load and maximum stress value of the elastic behavior. A dicing tape having a yield point is a strip-shaped dicing tape having a width of 10 mm and a length of 30 mm, using a universal testing machine (manufactured by Orientec Co., Ltd., Tensilon UCT-5T type) at a temperature of 25 ° C. and a tensile speed of 5 mm / When the tensile test is performed under the conditions of minutes and the stress and strain until the dicing tape breaks are measured, and the strain is plotted on the X axis and the stress is plotted on the Y axis, the slope dY / dX is 0 or less from a positive value. It takes a stress value that changes to a negative value. That is, the dicing tape having no yield point does not take a stress value at which the inclination dY / dX changes from a positive value to 0 or a negative value. When dicing tape with a yield point is used, when external force is applied to the dicing tape to cut the semiconductor wafer and semiconductor adhesive sheet, no stress is applied to the semiconductor wafer and semiconductor adhesive sheet, and only the peripheral dicing tape is used. Since the film stretches and deforms, the semiconductor wafer and the adhesive sheet for semiconductor may not be cut or a cutting residue may occur. On the other hand, by using a dicing tape that does not have a yield point, stress is easily applied to the semiconductor wafer and the adhesive sheet for semiconductor, and can be easily separated into pieces, thereby improving breakability. Can be cut at the same time. In particular, when the semiconductor wafer and the adhesive sheet for a semiconductor are cut by a so-called expand by uniformly expanding the dicing tape by radially extending the dicing tape, the dicing tape is uniformly extended, so that the breakability is improved. Furthermore, when a thin semiconductor wafer, for example, a semiconductor wafer having a thickness of 100 μm or less is used, the semiconductor wafer is separated by stealth dicing or half-cut dicing to reduce defects such as chipping and then bonded to the semiconductor wafer by expanding. It is preferable to divide the sheet and cut it, but it is preferable to use a dicing tape having no yield point at this time because the semiconductor wafer and the adhesive sheet for semiconductor can be cut at the same time.
The semiconductor device of the present invention has a structure in which a semiconductor element and a support member are bonded using a semiconductor adhesive sheet. The supporting member can be used without being limited to a substrate material such as a lead frame having a die pad, a ceramic substrate or an organic substrate. As the ceramic substrate, an alumina substrate, an aluminum nitride substrate, or the like can be used. As an organic substrate, an FR-4 substrate in which an epoxy resin is impregnated in a glass cloth, a BT substrate in which a bismaleimide-triazine resin is impregnated, a polyimide film substrate using a polyimide film as a base material, or the like is used. Can do. Furthermore, a wiring may be formed as the support member. When the wiring appears on the outer surface of the semiconductor device, it is preferable to provide a protective resin layer. The wiring structure may be a single-sided wiring, double-sided wiring, or multilayer wiring structure, and may be provided with through-holes and non-through-holes that are electrically connected as necessary.

半導体用接着シートを支持部材へ張り付ける方法としては、半導体用接着シートを所定の形状に切断し、その切断された半導体用接着シートを支持部材の所望の位置に熱圧着する方法が一般的ではあるが、これに制限されるものではない。   As a method for attaching the semiconductor adhesive sheet to the support member, a method in which the semiconductor adhesive sheet is cut into a predetermined shape and the cut semiconductor adhesive sheet is thermocompression-bonded to a desired position of the support member is generally used. There is, but is not limited to this.

半導体装置の構造としては、半導体素子の電極と支持部材とがワイヤーボンディングで接続されている構造、半導体素子の電極と支持部材とがテープオートメーテッドボンディング(TAB)のインナーリードボンディングで接続されている構造等があるが、これらに制限されるものではなく、何れの場合でも効果がある。半導体素子としては、IC、LSI、VLSI等一般の半導体素子を使用することができる。半導体素子と支持部材の間に発生する熱応力は、半導体素子と支持部材の面積差が小さい場合に著しいが、半導体装置は低弾性率の接着部材を用いることによりその熱応力を緩和して信頼性を確保する。これらの効果は、半導体素子の面積が、支持部材の面積の70%以上である場合に非常に有効に現れるものである。また、このように半導体素子と支持部材の面積差が小さい半導体装置においては、外部接続端子はエリア状に設けられる場合が多い。   As the structure of the semiconductor device, the electrode of the semiconductor element and the support member are connected by wire bonding, and the electrode of the semiconductor element and the support member are connected by inner lead bonding of tape automated bonding (TAB). Although there are structures, etc., it is not limited to these, and any case is effective. As the semiconductor element, a general semiconductor element such as an IC, LSI, VLSI can be used. The thermal stress generated between the semiconductor element and the supporting member is significant when the area difference between the semiconductor element and the supporting member is small. However, the semiconductor device uses a low elastic modulus adhesive member to relieve the thermal stress and increase reliability. Ensure sex. These effects appear very effectively when the area of the semiconductor element is 70% or more of the area of the support member. In such a semiconductor device having a small area difference between the semiconductor element and the support member, the external connection terminals are often provided in an area.

また、本発明の半導体用接着シートの特性として、前記半導体用接着シートを支持部材の所望の位置に熱圧着する工程や、ワイヤーボンディングで接続する工程等、加熱される工程において、接着剤層からの揮発分を抑制できる。   In addition, as a characteristic of the adhesive sheet for semiconductors of the present invention, in the process of heating such as a process of thermocompression bonding the adhesive sheet for semiconductors to a desired position of the support member or a process of connecting by wire bonding, from the adhesive layer Can suppress volatile matter.

以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited to these.

実施例1〜2、比較例1〜4
<半導体用接着シートの作製>
低分子量成分としてエポキシ樹脂(YDCN−703:東都化成製商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210)、硬化剤としてフェノール樹脂(ミレックスXLC−LL:三井化学株式会社製商品名、フェノール樹脂、水酸基当量175、吸水率1.8質量%、350℃における加熱質量減少率4質量%)、シランカップリング剤としてNUC A−189(日本ユニカー株式会社製商品名)及びNUC A−1160(日本ユニカー株式会社製商品名)、フィラーとして、SO−C2(株式会社アドマテック製商品名、シリカ、比表面積7m/g、平均粒径0.4〜0.6μm)又はアエロジルR972(日本アエロジル株式会社製商品名、シリカ、平均粒径0.016μm)からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて90分混練した。
Examples 1-2 and Comparative Examples 1-4
<Preparation of semiconductor adhesive sheet>
As a low molecular weight component, an epoxy resin (YDCN-703: product name manufactured by Tohto Kasei, cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent 210), and as a curing agent, a phenol resin (Mirex XLC-LL: a product name manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., phenol resin, Hydroxyl equivalent 175, water absorption 1.8% by mass, heating mass decrease rate at 350 ° C. 4% by mass), NUC A-189 (trade name, manufactured by Nihon Unicar Co., Ltd.) and NUC A-1160 (Nihon Unicar) as silane coupling agents As a filler, SO-C2 (Admatech Co., Ltd., silica, specific surface area 7 m 2 / g, average particle size 0.4 to 0.6 μm) or Aerosil R972 (Nippon Aerosil Co., Ltd.) (Trade name, silica, average particle size 0.016 μm) Stirring and mixing added and further 90 min kneaded using a bead mill.

これに高分子量成分としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート2〜6質量%を含むアクリルゴム(HTR−860P−3:ナガセケムテック株式会社製商品名、重量平均分子量100万)、硬化促進剤としてキュアゾール2PZ−CN(四国化成株式会社製商品名、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)を混合攪拌し、真空脱気した。   Acrylic rubber (HTR-860P-3: trade name, manufactured by Nagase Chemtech Co., Ltd., weight average molecular weight 1 million) containing 2 to 6% by mass of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as a high molecular weight component, and Curazole 2PZ- CN (trade name, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) was mixed and stirred and vacuum degassed.

ワニスを、支持体フィルムとして厚さ38μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して、膜厚が20μmのBステージ状態(硬化前)の接着剤層を形成し、支持体フィルムを備えた半導体用接着シートを作製した。表1に実施例1〜2及び比較例1〜4の配合質量部を示す。   The varnish was coated on a polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 μm as a support film and dried by heating at 140 ° C. for 5 minutes to form an adhesive layer in a B stage state (before curing) with a film thickness of 20 μm. An adhesive sheet for semiconductor was formed, which was formed and provided with a support film. Table 1 shows the parts by mass of Examples 1-2 and Comparative Examples 1-4.

<半導体用接着シートの貯蔵弾性率の測定>
半導体用接着シートの接着剤層を170℃、3時間熱硬化させた後、動的粘弾性測定装置(レオロジ社製、商品名DVE−V4)を使用し、接着剤層硬化物に引張り荷重をかけて、周波数10Hz、昇温速度3〜10℃/分の条件で25〜300℃まで測定する温度依存性測定モードで接着剤層硬化物の150℃及び170℃における貯蔵弾性率を測定した。150℃における貯蔵弾性率が6MPa以上を「○」、6MPa未満を「×」とし、170℃における貯蔵弾性率が5MPa未満を「○」、5MPa以上を「×」とした。結果を表1に示す。
<Measurement of storage elastic modulus of adhesive sheet for semiconductor>
After thermosetting the adhesive layer of the adhesive sheet for semiconductor at 170 ° C. for 3 hours, using a dynamic viscoelasticity measuring device (trade name DVE-V4, manufactured by Rheology), the tensile load is applied to the cured adhesive layer. Then, the storage elastic modulus at 150 ° C. and 170 ° C. of the cured adhesive layer was measured in a temperature-dependent measurement mode in which the frequency was measured from 25 to 300 ° C. under conditions of a frequency of 10 Hz and a heating rate of 3 to 10 ° C./min. A storage elastic modulus at 150 ° C. of 6 MPa or more was indicated as “◯”, a storage elastic modulus at 170 ° C. of less than 5 MPa was indicated as “◯”, and a storage elastic modulus at 170 ° C. was indicated as “◯”. The results are shown in Table 1.

<半導体用接着シートの評価>
(1) エキスパンド切断性
動的粘弾性装置に取り付け、5℃、周波数500Hz、変位95μmの条件でエキスパンドを行い、接着シートの切断性を観察する。切断(破断)できた場合は「○」、切断できない場合は「×」とした。結果を表1に示す。
<Evaluation of adhesive sheet for semiconductor>
(1) Expand cutting property It attaches to a dynamic viscoelastic device, expands on conditions of 5 degreeC, frequency 500Hz, and displacement 95micrometer, and observes the cutting property of an adhesive sheet. When it was able to cut (break), it was set as “◯”, and when it could not be cut, it was set as “x”. The results are shown in Table 1.

(2)短時間での接着力の測定
半導体用接着シート(5mm×5mm)の接着剤層面をシリコンウェハ(5mm×5mm)に70℃で貼り付け、接着剤層を圧力0.04MPa、時間1.5秒及び温度150℃の条件でシリコンウェハに圧着し、150℃のホットプレート上で2分間硬化した後、万能型ボンドテスター(Dage社製)を用いて、測定温度170℃における接着剤層硬化物のダイシェア強度を測定した。ダイシェア強度が0.1MPa以上を「○」、0.1MPa未満を「×」とした。結果を表1に示す。
(2) Measurement of adhesive strength in a short time The adhesive layer surface of an adhesive sheet for semiconductor (5 mm × 5 mm) was attached to a silicon wafer (5 mm × 5 mm) at 70 ° C., and the adhesive layer was pressure 0.04 MPa, time 1 .5 seconds and a temperature of 150 ° C., pressed onto a silicon wafer, cured on a 150 ° C. hot plate for 2 minutes, and then used an all-purpose bond tester (manufactured by Dage) to form an adhesive layer at a measurement temperature of 170 ° C. The die shear strength of the cured product was measured. When the die shear strength was 0.1 MPa or more, “◯” was given, and when the die shear strength was less than 0.1 MPa, “x” was given. The results are shown in Table 1.

(3)ダイシェア強度比の測定
半導体用接着シート(5mm×5mm)の接着剤層面を半導体素子(5mm×5mm)に温度70℃、圧力0.3MPa及び速度0.3m/分の条件でホットロールラミネーターを用いて貼りあわせ、その後、圧力0.1MPa、時間5秒、温度120℃の条件で有機基板(ガラスクロスにエポキシ樹脂を含漬させたFR−4にAUS308を塗布した基板)に圧着し、170℃、3時間硬化させた後、温度85℃、相対湿度85%雰囲気下、保持時間48時間の条件で吸湿処理し、万能型ボンドテスター(Dage社製)を用いて、測定温度265℃で吸湿処理前後のダイシェア強度を測定した。ダイシェア強度の比(吸湿処理後のダイシェア強度/吸湿処理前のダイシェア強度)を算出し、前記比が0.7以上を「○」、0.7未満を「×」とした。結果を表1に示す。
(3) Measurement of die shear strength ratio Hot roll of adhesive layer surface of semiconductor adhesive sheet (5 mm x 5 mm) on semiconductor element (5 mm x 5 mm) under conditions of temperature 70 ° C, pressure 0.3 MPa and speed 0.3 m / min Bonding using a laminator, then pressure bonding to an organic substrate (a substrate coated with AUS308 on FR-4 impregnated with epoxy resin in a glass cloth) under conditions of pressure 0.1 MPa, time 5 seconds, temperature 120 ° C. After curing at 170 ° C. for 3 hours, the sample was moisture-absorbed under conditions of a temperature of 85 ° C. and a relative humidity of 85% under a holding time of 48 hours, and a measurement temperature of 265 ° C. using a universal bond tester (manufactured by Dage) The die shear strength before and after moisture absorption treatment was measured. A ratio of die shear strength (die shear strength after moisture absorption treatment / die shear strength before moisture absorption treatment) was calculated, and the ratio was 0.7 or more, and less than 0.7 was “x”. The results are shown in Table 1.

(4)配線基板の凹凸埋め込み性
半導体用接着シート(10mm×10mm)の接着剤層面を半導体素子(10mm×10mm)に、温度70℃、圧力0.3MPa及び速度0.3m/分の条件でホットロールラミネーターを用いて貼りあわせ、その後、圧力0.2MPa、温度120℃及び時間2秒の条件で配線段差5μmの凹凸を有する配線基板に貼り付けた後、170℃で30分硬化した。その後、樹脂封止を行い、評価用パッケージを作製した。配線基板の凹凸埋め込み性について目視で観察した。埋め込み性が充分なら「○」、埋め込み性が不十分なら「×」とした。結果を表1に示す。
(4) Convex / concave embedding property of wiring board The adhesive layer surface of the adhesive sheet for semiconductor (10 mm × 10 mm) is applied to the semiconductor element (10 mm × 10 mm) under conditions of a temperature of 70 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a speed of 0.3 m / min. Bonding was performed using a hot roll laminator, and thereafter, bonding was performed on a wiring board having unevenness with a wiring step of 5 μm under the conditions of pressure 0.2 MPa, temperature 120 ° C. and time 2 seconds, and then cured at 170 ° C. for 30 minutes. Thereafter, resin sealing was performed to prepare an evaluation package. The embedding property of the wiring board was visually observed. When the embeddability was sufficient, “◯” was indicated, and when the embeddability was insufficient, “x” was indicated. The results are shown in Table 1.

(5)半導体用接着シートの薄膜化
厚みが1μmの半導体用接着シートが作製できた場合を「○」、作製できなかった場合を「×」とした。結果を表1に示す。
(5) Thinning of the adhesive sheet for semiconductor The case where the adhesive sheet for semiconductor having a thickness of 1 μm was produced was designated as “◯”, and the case where the adhesive sheet was not produced was designated as “x”. The results are shown in Table 1.

以上の評価結果をまとめて表1に示す。

Figure 0005428758
The above evaluation results are summarized in Table 1.
Figure 0005428758

表1に示されるように、実施例1及び2の半導体用接着シートは、接着剤層の硬化後の貯蔵弾性率が規定値を満たしており、短時間での接着力が高く、切断性、配線基板の凹凸埋め込み性及び信頼性に優れていた。また、厚み1μmの接着シートの作製も可能であった。   As shown in Table 1, in the adhesive sheets for semiconductors of Examples 1 and 2, the storage elastic modulus after curing of the adhesive layer satisfies the specified value, the adhesive force in a short time is high, and the cutting property is high. It was excellent in the unevenness embedding property and reliability of the wiring board. Also, it was possible to produce an adhesive sheet having a thickness of 1 μm.

これに対し、比較例1は、硬化剤に対し、高分子量成分を多く含有しているため、硬化後の150℃における貯蔵弾性率が6MPa未満であり、切断性に劣り、短時間での接着力も低い結果となった。またフィラーを含有しているため厚み1μmの接着シートは作製できなかった。   On the other hand, since Comparative Example 1 contains a large amount of a high molecular weight component with respect to the curing agent, the storage elastic modulus at 150 ° C. after curing is less than 6 MPa, the cutting property is inferior, and the bonding is performed in a short time. The result was also low. Moreover, since the filler was contained, an adhesive sheet having a thickness of 1 μm could not be produced.

比較例2は、高分子量成分に対し、フィラーを多く含有しているため、接着剤層の硬化後の170℃における貯蔵弾性率が5MPa以上であり、配線基板の凹凸埋め込み性が劣っていた。またフィラーを含有しているため厚み1μmの接着シートは作製できなかった。   Since the comparative example 2 contained many fillers with respect to the high molecular weight component, the storage elastic modulus at 170 ° C. after curing of the adhesive layer was 5 MPa or more, and the uneven embedding property of the wiring board was inferior. Moreover, since the filler was contained, an adhesive sheet having a thickness of 1 μm could not be produced.

比較例3は、硬化剤に対し、高分子量成分の含有量が少ないため、接着剤層の硬化後の170℃における貯弾性率が5MPa以上であった。   Since the comparative example 3 had little high molecular weight component content with respect to the hardening | curing agent, the storage elastic modulus in 170 degreeC after hardening of an adhesive bond layer was 5 Mpa or more.

比較例4は、硬化剤に対し、硬化促進剤の含有量が少ないため、接着剤層の硬化後150℃における貯蔵弾性率が6MPa未満であり、短時間での接着力が低く、信頼性も劣っていた。   In Comparative Example 4, since the content of the curing accelerator is small with respect to the curing agent, the storage elastic modulus at 150 ° C. after curing of the adhesive layer is less than 6 MPa, the adhesive force in a short time is low, and the reliability is also high. It was inferior.

<ダイシングテープ一体型接着シートの作製と評価>
実施例1又は2で作製した厚さ20μmの半導体用接着シートを、各種ダイシングテープの粘着剤層面に積層し、ダイシングテープ一体型接着シートを作製し、半導体用接着シートの切断性について以下のとおり評価した。
厚さ50μmのシリコンウェハに、株式会社東京精密製のレーザダイサ「MAHOH DICING MACHINE」を用いてレーザー光を照射し、シリコンウェハ内部に改質領域を形成した。次に、シリコンウェハとダイシングテープ一体型接着シートの半導体用接着シートが接するように、ホットロールラミネータを用いて、温度70℃、圧力0.3MPa、速度0.3m/分でラミネートした。ダイシングテープの外周部にはステンレス製のリングを貼付けた。続いて、エキスパンド装置により、リングを固定しダイシングテープをエキスパンドし、チップを作製した。エキスパンド条件は、温度5℃、エキスパンド速度200mm/秒であった。その際、シリコンウェハと半導体用接着シートが同時に切断されたものを「○」(切断性良好)、同時に切断されなかったものを「×」(切断性不良)として評価した。結果を表2に示す。
<Production and evaluation of dicing tape integrated adhesive sheet>
The adhesive sheet for a semiconductor having a thickness of 20 μm prepared in Example 1 or 2 is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer surface of various dicing tapes to produce a dicing tape integrated adhesive sheet, and the cutting properties of the adhesive sheet for semiconductors are as follows. evaluated.
A silicon wafer having a thickness of 50 μm was irradiated with laser light using a laser dicer “MAHOH DICING MACHINE” manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd. to form a modified region inside the silicon wafer. Next, lamination was performed at a temperature of 70 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a speed of 0.3 m / min by using a hot roll laminator so that the silicon wafer and the dicing tape integrated adhesive sheet were in contact with each other. A stainless steel ring was attached to the outer periphery of the dicing tape. Subsequently, the ring was fixed and the dicing tape was expanded by an expanding device to produce a chip. The expanding conditions were a temperature of 5 ° C. and an expanding speed of 200 mm / sec. At that time, the case where the silicon wafer and the semiconductor adhesive sheet were cut at the same time was evaluated as “◯” (good cutting property), and the case where the silicon wafer and the semiconductor adhesive sheet were not cut at the same time was evaluated as “x” (good cutting property). The results are shown in Table 2.

なお、上記で用いたダイシングテープA〜Eの引張り荷重、5%伸び弾性率及び降伏点に関しては、以下の方法により測定した。   Note that the tensile load, 5% elongation modulus, and yield point of the dicing tapes A to E used above were measured by the following methods.

[引張り荷重の測定]
ダイシングテープの引張り荷重は、幅10mm×長さ30mmの短冊形状のダイシングテープについて、万能試験機(株式会社オリエンテック製、テンシロンUCT−5T型)を用い、温度25℃、引張速度5mm/分の条件で引っ張り試験を行い、ダイシングテープが破断するまでの応力を引張り荷重とした。
[Measurement of tensile load]
The tensile load of the dicing tape is about 10 mm wide x 30 mm long dicing tape using a universal testing machine (Orientec Co., Ltd., Tensilon UCT-5T type) at a temperature of 25 ° C. and a tensile speed of 5 mm / min. A tensile test was performed under the conditions, and the stress until the dicing tape broke was defined as the tensile load.

[5%伸び弾性率の測定]
幅10mm×長さ30mmの短冊形状のダイシングテープについて、万能試験機(株式会社オリエンテック製、テンシロンUCT−5T型)を用い、温度25℃、引張速度5mm/分の条件で引っ張り試験を行い、伸びと応力の関係から算出されるヤング率のうち、相対的に5%伸びた際に得られたものを5%伸び弾性率とした。
[Measurement of 5% elongation modulus]
Using a universal testing machine (Orientec Co., Ltd., Tensilon UCT-5T type) for strip-shaped dicing tape with a width of 10 mm and a length of 30 mm, a tensile test is performed at a temperature of 25 ° C. and a tensile speed of 5 mm / min. Among the Young's moduli calculated from the relationship between elongation and stress, the one obtained when relatively 5% stretched was defined as 5% stretch modulus.

[ダイシングテープの降伏点の有無]
幅10mm×長さ30mmの短冊形状のダイシングテープについて、万能試験機(株式会社オリエンテック製、テンシロンUCT−5T型)を用い、温度25℃、引張速度5mm/分の条件で引っ張り試験を行い、ダイシングテープが破断するまでの応力とひずみを測定し、ひずみをX軸、応力をY軸にそれぞれプロットした場合に、傾きdY/dXが正の値から0又は負の値に変化する応力値をとるものを「降伏点有り」とし、前記傾きdY/dXが正の値から0又は負の値に変化する応力値をとらないものを「降伏点無し」とした。

Figure 0005428758
[Presence / absence of yield point of dicing tape]
Using a universal testing machine (Orientec Co., Ltd., Tensilon UCT-5T type) for strip-shaped dicing tape with a width of 10 mm and a length of 30 mm, a tensile test is performed at a temperature of 25 ° C. and a tensile speed of 5 mm / min. Measure the stress and strain until the dicing tape breaks, and when the strain is plotted on the X axis and the stress is plotted on the Y axis, the stress value at which the slope dY / dX changes from a positive value to 0 or a negative value What was taken was “with a yield point”, and those where the slope dY / dX did not take a stress value changing from a positive value to 0 or a negative value was taken as “no yield point”.
Figure 0005428758

表2に示されるように、ダイシングテープA及びEは、引張り荷重が40kg以上、5%伸び弾性率が3MPa以上、降伏点を有しないため、半導体用接着シートとシリコンウェハを同時に切断することができ切断性に優れていた。   As shown in Table 2, since the dicing tapes A and E have a tensile load of 40 kg or more, a 5% elongation elastic modulus of 3 MPa or more, and no yield point, the semiconductor adhesive sheet and the silicon wafer can be cut simultaneously. The cutting ability was excellent.

ダイシングテープBは、降伏点を有しているために、エキスパンド装置と接するダイシングテープ部分のみが伸びてしまい、シリコンウェハ及び半導体用接着シートに応力がかからず、良好な結果が得られなかった。ダイシングテープCは、引張り荷重が40kg未満であるため、ダイシングテープが柔らかく、エキスパンド時に十分な引張り力を得ることが出来ず、良好な結果が得られなかった。ダイシングテープDは、引張り荷重が40kg未満であるため、ダイシングテープが柔らかく、エキスパンド時に十分な引張り力を得ることが出来ず、良好な結果が得られなかった。   Since the dicing tape B has a yield point, only the portion of the dicing tape in contact with the expanding device is stretched, the stress is not applied to the silicon wafer and the adhesive sheet for semiconductor, and good results cannot be obtained. . Since the dicing tape C had a tensile load of less than 40 kg, the dicing tape was soft and sufficient tensile force could not be obtained during expansion, and good results could not be obtained. Since the dicing tape D had a tensile load of less than 40 kg, the dicing tape was soft and sufficient tensile force could not be obtained during expansion, and good results were not obtained.

Claims (12)

接着剤層を有する半導体用接着シートであって、
硬化後の前記接着剤層は、動的粘弾性測定装置を用いて周波数10Hzで測定した150℃での貯蔵弾性率が6MPa以上、170℃での貯蔵弾性率が5MPa未満であることを特徴とする半導体用接着シート。
An adhesive sheet for a semiconductor having an adhesive layer,
The cured adhesive layer has a storage elastic modulus at 150 ° C. measured at a frequency of 10 Hz using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus of 6 MPa or more and a storage elastic modulus at 170 ° C. of less than 5 MPa. A semiconductor adhesive sheet.
前記接着剤層をシリコンウェハに熱圧着し、150℃で2分間硬化させた後の接着剤層硬化物の170℃におけるダイシェア強度が0.1MPa以上である請求項1記載の半導体用接着シート。   2. The adhesive sheet for semiconductor according to claim 1, wherein the adhesive layer cured product after thermobonding the adhesive layer to a silicon wafer and curing at 150 ° C. for 2 minutes has a die shear strength at 170 ° C. of 0.1 MPa or more. 前記接着剤層の厚さが、1〜20μmである請求項1又は2記載の半導体用接着シート。   The adhesive sheet for semiconductor according to claim 1, wherein the adhesive layer has a thickness of 1 to 20 μm. 前記接着剤層が、高分子量成分を含有する請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体用接着シート。   The adhesive sheet for a semiconductor according to any one of claims 1 to 3, wherein the adhesive layer contains a high molecular weight component. 前記高分子量成分のガラス転移温度が、−10〜60℃で、かつ、重量平均分子量が2万〜100万である請求項4記載の半導体用接着シート。   The adhesive sheet for semiconductor according to claim 4, wherein the high molecular weight component has a glass transition temperature of -10 to 60 ° C and a weight average molecular weight of 20,000 to 1,000,000. 前記高分子量成分の含有量が、接着剤層を構成する接着剤組成物の総質量の40〜95質量%である請求項4又は5記載の半導体用接着シート。   The adhesive sheet for semiconductor according to claim 4 or 5, wherein the content of the high molecular weight component is 40 to 95% by mass of the total mass of the adhesive composition constituting the adhesive layer. 前記接着剤層が、フィラーを含有しないことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体用接着シート。   The said adhesive bond layer does not contain a filler, The adhesive sheet for semiconductors as described in any one of Claims 1-6 characterized by the above-mentioned. 前記接着剤層が、低分子量成分を含有する請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体用接着シート。   The adhesive sheet for a semiconductor according to any one of claims 1 to 7, wherein the adhesive layer contains a low molecular weight component. 前記低分子量成分の重量平均分子量が、0.1万〜10万である請求項8記載の半導体用接着シート。   The adhesive sheet for semiconductor according to claim 8, wherein the low molecular weight component has a weight average molecular weight of 10,000 to 100,000. 請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体用接着シートとダイシングテープを一体化してなるダイシングテープ一体型半導体用接着シート。   A dicing tape-integrated adhesive sheet for semiconductors, wherein the semiconductor adhesive sheet according to any one of claims 1 to 9 and a dicing tape are integrated. 前記ダイシングテープが、引張り荷重が40kg以上、5%伸び弾性率が3MPa以上であり、引張り変形時に降伏点を有さないものである請求項10記載のダイシングテープ一体型半導体用接着シート。   The dicing tape-integrated semiconductor adhesive sheet according to claim 10, wherein the dicing tape has a tensile load of 40 kg or more, a 5% elongation elastic modulus of 3 MPa or more, and has no yield point during tensile deformation. 請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体用接着シートを用いて、半導体素子と支持部材とを接着した構造を有してなる半導体装置。   The semiconductor device which has a structure which adhere | attached the semiconductor element and the supporting member using the adhesive sheet for semiconductors as described in any one of Claims 1-9.
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