JP5413529B2 - Wafer positioning apparatus and wafer bonding apparatus having the same - Google Patents
Wafer positioning apparatus and wafer bonding apparatus having the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP5413529B2 JP5413529B2 JP2013072860A JP2013072860A JP5413529B2 JP 5413529 B2 JP5413529 B2 JP 5413529B2 JP 2013072860 A JP2013072860 A JP 2013072860A JP 2013072860 A JP2013072860 A JP 2013072860A JP 5413529 B2 JP5413529 B2 JP 5413529B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- angle
- mark
- bonding apparatus
- rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 266
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 54
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 36
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 29
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 22
- 230000006870 function Effects 0.000 description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 101100342487 Oryza sativa subsp. indica KSL11 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本発明は、ウェハ製造分野で用いられる、ウェハ位置決め装置と、これを有するウェハ貼り合わせ装置に関する。 The present invention relates to a wafer positioning apparatus and a wafer bonding apparatus having the same used in the field of wafer manufacturing.
半導体デバイスの動作速度向上、機能高度化、大容量化など達成するための有力な手段の一つとして、ウェハの3次元積層が挙げられる。これは半導体基板内部に貫通した導線を設けたウェハを積層して導線を接続・薄加工することにより、回路の脱線長を短く出来、デバイスの高速化と低発熱化を実現出来る。また、ウェハ積層の層数を増すことにより、回路の機能を高め、メモリも容量を増やすことが出来る。 One of the effective means for achieving an improvement in the operation speed, functional advancement, and capacity increase of a semiconductor device is a three-dimensional stack of wafers. By laminating a wafer provided with a conductive wire penetrating inside the semiconductor substrate and connecting and thinning the conductive wire, the derailment length of the circuit can be shortened, and the device can be speeded up and heat generation can be reduced. Further, by increasing the number of layers of the wafer stack, the function of the circuit can be improved and the capacity of the memory can be increased.
ウェハの3次元積層を行なうには、回路形成が終わったウェハ表面に接合電極を形成し、2枚のウェハ、あるいは既に積層されたウェハと更に積層する次のウェハの電極同士が合うように位置決めして貼り合わせるウェハ貼り合わせ装置が提案され、この位置決めに際して、ウェハを回転する回転駆動部に回転角度を検出するロータリエンコーダが用いられている(例えば、特許文献1参照)。 To perform three-dimensional stacking of wafers, a bonding electrode is formed on the surface of the wafer after circuit formation, and positioning is performed so that the electrodes of two wafers or an already stacked wafer and the next wafer to be stacked are aligned with each other. Thus, a wafer bonding apparatus for bonding is proposed, and for this positioning, a rotary encoder that detects a rotation angle is used for a rotation drive unit that rotates the wafer (see, for example, Patent Document 1).
従来のウェハ位置決め装置に用いられる回転モータは、モータ単独で基準となる絶対角度工具を用いて、エンコーダ変動を検出し、変動分を補正するための数値をモータドライバへ組み込んでいた。このため、ウェハ位置決め装置に当該モータを組み込んだのちに発生する、例えば、ストレスによるエンコーダ変動や、温度変化によるエンコーダ変動、あるは回転モータやドライバーの破損に伴う交換時に、エンコーダ変動を補正することが困難であった。 A rotary motor used in a conventional wafer positioning apparatus detects an encoder variation using an absolute angle tool that is a reference of the motor alone, and incorporates a numerical value for correcting the variation into a motor driver. For this reason, encoder fluctuations that occur after incorporation of the motor into the wafer positioning device, for example, encoder fluctuations due to stress, encoder fluctuations due to temperature changes, or replacement due to breakage of the rotary motor or driver must be corrected. It was difficult.
上記課題を解決するため、本発明は、積層された複数のウェハを有する積層ウェハと他のウェハとを貼り合わせるウェハ貼り合わせ装置であって、前記積層ウェハのうちの最上面ウェハの外形から前記最上面ウェハの所定位置を検出する外形検出手段と、前記外形検出手段の検出結果に基づいて、ウェハホルダに対して前記最上面ウェハを位置決めする位置決め装置と、前記ウェハホルダに保持された前記積層ウェハの前記最上面ウェハと前記他のウェハとを接合する接合装置と、前記積層ウェハが保持された前記ウェハホルダを前記位置決め装置から前記接合装置に搬送する搬送手段と、を備え、前記位置決め装置は、ウェハを回転させる回転駆動部と、前記回転駆動部に搭載された回転位置検出手段と、前記ウェハ上に形成されたマークの位置を計測するマーク位置検出手段と、前記ウェハを前記回転駆動部で回転した時の前記回転位置検出手段の回転角度変動を、前記マーク位置検出手段によって計測される前記マークの位置変動から導出される近似周期関数として記憶し、ウェハアライメント時に、前記回転位置検出手段の回転角度補正量を前記近似関数から算出し、前記回転角度補正量に基づき前記回転位置検出手段の回転角度を補正する制御手段と、を備えていることを特徴とするウェハ貼り合わせ装置を提供する。 In order to solve the above-mentioned problem, the present invention is a wafer bonding apparatus for bonding a laminated wafer having a plurality of laminated wafers and another wafer, and from the outer shape of the uppermost wafer among the laminated wafers, An outer shape detecting means for detecting a predetermined position of the uppermost wafer, a positioning device for positioning the uppermost wafer with respect to a wafer holder based on a detection result of the outer shape detecting means, and the laminated wafer held by the wafer holder A bonding apparatus that bonds the uppermost wafer and the other wafer; and a transport unit that transports the wafer holder holding the laminated wafer from the positioning apparatus to the bonding apparatus. a rotation driving unit that rotates and a rotational position detection means mounted on the rotary drive unit, the mark formed on the wafer A mark position detector for measuring the position, the rotation angle variation of the rotational position detecting means when the wafer is rotated by the rotary drive unit, is derived from the positional change of the mark measured by said mark position detecting means stored as an approximate periodic function that, at the time of wafer alignment, calculates the rotational angle correction amount of the rotational position detecting means from the approximate function, the control means for correcting the rotational angle of the rotational position detecting means based on the rotational angle correction amount And a wafer bonding apparatus characterized by comprising:
また、本発明は、前記ウェハ位置決め装置を有することを特徴とするウェハ貼り合わせ装置を提供する。 The present invention also provides a wafer bonding apparatus comprising the wafer positioning apparatus.
本発明によれば、ウェハの位置決め精度を向上させたウェハ位置決め装置と、これを有するウェハ貼り合わせ装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the wafer positioning apparatus which improved the positioning precision of the wafer, and the wafer bonding apparatus which has this can be provided.
以下、本発明の実施の形態にかかるウェハ位置決め装置と、これを有するウェハ貼り合わせ装置ついて図面を参照しつつ説明する。 Hereinafter, a wafer positioning apparatus according to an embodiment of the present invention and a wafer bonding apparatus having the same will be described with reference to the drawings.
図1は、実施の形態にかかるウェハ位置決め装置を有するウェハ貼り合わせ装置の概略構成図である。 FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a wafer bonding apparatus having a wafer positioning apparatus according to an embodiment.
図1において、実施の形態にかかるウェハ貼り合わせ装置1は、後述するウェハ外形検出装置10を内蔵するウェハ位置決め装置50と、位置決めされた2体のウェハをウェハホルダを介して接合して積層ウェハを形成するウェハ貼り合わせ部90とから構成されている。
In FIG. 1, a
前工程を終了してウェハ外形検出装置10に投入されたウェハは、ウェハ外形検出装置10で最上面の貼り合わせ面に対応するウェハの外形や、ウェハのノッチ位置、或いはオリフラ位置が検出される。
The wafer
ウェハ外形検出装置10の検出結果に基づき、ウェハのノッチ位置或いはオリフラ位置が後述するウェハ位置決め装置50で後述するウェハホルダの所定位置に位置決めされる。
Based on the detection result of the wafer
ウェハ位置決め装置50でウェハホルダに位置決めされたウェハとウェハホルダのセットは、搬送ロボット2でウェハ貼り合わせ部90に搬送され、2体のウェハがウェハホルダを介してウェハ貼り合わせ部90で接合されて貼り合わせウェハ11(以後、単板ウェハ、積層ウェハとも単にウェハと記す)が形成される。
The wafer positioned on the wafer holder by the
(第1実施の形態)
次に、第1実施の形態にかかるウェハ位置決め装置50について説明する。
(First embodiment)
Next, the
図2は、第1実施の形態にかかるウェハ位置決め装置の概略構成図である。図3は、第1実施の形態にかかるウェハ外形検出装置10の概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the wafer positioning apparatus according to the first embodiment. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the wafer outer
図2、図3において、ティーチングウェハ11(以後、単にウェハと記す)が、回転モータ12の回転軸に固定されたターンテーブル13に載置される。また、回転モータ12には、回転モータ12の回転位置(回転角度)を検出するためのロータリーエンコーダ14が内蔵されている。以降の説明では、ターンテーブル13上にティーチングウェハ11を載置した場合について説明するが、本ウェハ外形検出装置10は、製品ウェハの外形検出に用いられる装置である。
2 and 3, a teaching wafer 11 (hereinafter simply referred to as a wafer) is placed on a
ティーチングウェハ11とは、図12に示すように、ウェハ11の外周部近傍の少なくとも二箇所にマーク11A、11Bを有する基準ウェハである。このウェハ11の二箇所のマーク11A、11Bの位置を計測することで二箇所のマーク11A、11Bを結ぶ線分とX軸とのなす角度(マーク角度と呼ぶ)、すなわちウェハ11の角度変動を計測し、ロータリエンコーダ14の角度変動を検出し、ロータリエンコーダ14の角度補正を可能にするものである。
As shown in FIG. 12, the
図2、図3に示すように、ウェハ外形検出装置10には、透過型ラインセンサー112が、回転するウェハ11の外周部近傍に配置されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, in the wafer
透過型ラインセンサー112は、一般的に用いられるウェハ外形検出センサーで発光部112aからライン状の平行光を照射し、その透過光を受光部112bで感知し透過部と遮蔽部の境界の位置を出力するセンサである。
The
また、図3に示すように、回転モータ12、透過型ラインセンサー112等を制御すると共に、各信号を処理するための後述する各種制御部からなる制御装置20を有している。
Further, as shown in FIG. 3, the
回転モータ12は、不図示の回転子と固定子を有し、固定子に対し回転子は電磁力等でトルクを発生し回転できる構造となっている。
The
ロータリエンコーダ14は、回転モータ12に内蔵され、回転モータ12の回転角度に応じた回転角検出を行うものである。パルスカウントで角度を判定できるが、回転モータ12の初期化の際に原点センサ(不図示)でカウントリセットを行う。カウント値からモータ回転角度への変換はデータ処理部(CPU)21で行う。なお、本実施の形態では、ロータリエンコーダ14は内蔵としているが、外付けであっても構わない。
The
ターンテーブル13は、回転モータ12の回転子に取り付けられ、ウェハ11を吸着する機能をもつ。吸着されたウェハ11は回転モータ12の回転とともに回る。なお、実施の形態では、真空吸着を用い、ターンテーブル13までの真空導入はロータリユニオン(不図示)などを中継して行うものとする。なお、真空吸着に代えて静電吸着等を用いることもできる。
The
制御装置20内の回転モータドライバ23は、回転モータ12を駆動するためのコントロールドライバであって、回転指令を送信すると指令回転数での回転が可能となり、目的回転角への位置指令を送信すると所定回転角へ位置決め可能となる。回転モータ12の駆動条件などの様々なパラメータが設定可能で、パラメータに応じた回転モータ駆動を可能にしている。
The
計測データ読込み部25は、透過型ラインセンサー112、ロータリーエンコーダ14等の出力電圧を時間同期、あるいはエンコーダカウント同期に合わせてデータを読み込む機能を有する。読み取ったデータはデータ処理部21に伝える。
The measurement
データ処理部(CPU)21は、ウェハ外形検出装置10の場合、計測データの演算処理や記憶を行ったり、各ドライバへの指令を行ったり、ドライバの状態を読み取る等の処理を行う。また、投入されたウェハの状態判別を行い状態に対応する処理指令等を行う。
In the case of the wafer
図2に示す、ウェハ投入ロボット51は、ウェハ11を所定の保管場所から回転モータ12のターンテーブル13上へ積載するためのロボットである。アーム51a先端でウェハ11を吸着保持し搬送を行う。また、多関節構造でアーム51aの伸縮が可能である。
The
回転モータ昇降機構部52は、回転モータ12を垂直方向に上下動させる駆動部である。
The rotary
ウェハ搬送機構部(Y軸)53は、ウェハ11を回転モータ12位置からウェハホルダステージ54へ搬送するための機構部である。アーム53a先端でウェハ11を吸着保持し搬送を行う。
The wafer transfer mechanism (Y axis) 53 is a mechanism for transferring the
ウェハ搬送機構部(Z軸)55は、ウェハ11を垂直方向に上下動させる駆動部である。ウェハ11を吸着保持するための吸着ピンを有する。
The wafer transfer mechanism unit (Z axis) 55 is a drive unit that moves the
ウェハホルダ56は、ウェハ11を保持する基材で、ウェハ11を着脱可能に吸着する面を有する。
The
ウェハホルダステージ(θ軸)54aは、ウェハホルダ56を回転させる駆動部でウェハ搬送機構部(Z軸)55を搭載し、ウェハホルダ56を吸着保持する機構を有する。
The wafer holder stage (θ-axis) 54 a has a mechanism that mounts a wafer transfer mechanism (Z-axis) 55 as a drive unit that rotates the
ウェハホルダステージ(X軸)54bは、ウェハホルダ56をX軸方向に移動させる駆動部でウェハホルダステージ(θ軸)54aを搭載している。
The wafer holder stage (X-axis) 54b is a drive unit that moves the
ウェハホルダステージ(Y軸)54cは、ウェハホルダ56をY軸方向に移動させる駆動部でウェハホルダステージ(X軸)54bを搭載している。
The wafer holder stage (Y axis) 54c is a drive unit that moves the
ウェハホルダ投入ロボット57は、ウェハホルダ56をウェハホルダステージ54上へ搬送するロボットである。なお、ウェハホルダ投入ロボット57は、ウェハ投入ロボット51と兼用でも構わない。
The wafer
また、回転モータ昇降機構部52、ウェハ搬送機構部(Y軸)53、ウェハ搬送機構部(Z軸)55の駆動機構それぞれのドライバコントローラと、ウェハホルダステージ(θ軸)54a、(X軸)54b、(Y軸)54cの駆動機構それぞれのドライバコントローラ、および制御部(CPU)等を含む不図示の駆動系コントローラを有している。そして、これらドライバコントローラと図2に示すデータ処理部21とが通信し以下のウェハ位置決めシーケンス制御を行う。
In addition, the respective drive controllers of the rotary
ウェハホルダ56に載置されたウェハ11は、画像位置検出センサー60で、マーク11Aの位置が検出される。画像位置検出センサー60は、不図示の固定部に固定されている。ウェハホルダステージ54でウェハ11をXY面内に移動し、画像位置センサー60でマーク11AのXY座標を検出し、データ処理部21に記憶する。
The position of the
次に、ロータリエンコーダ14のリニアリティー検出、および補正処理に関し図4に示すフローチャートを参照しつつ説明する。
Next, the linearity detection and correction processing of the
図4は、ロータリエンコーダ14のリニアリティー検出、近似関数生成に関するフローである。以下、ステップ毎に説明する。
FIG. 4 is a flow relating to linearity detection and approximate function generation of the
ステップ(S1):初期値設定
ターンテーブル13上にウェハ11を積載する際にウェハのノッチの位置を変えて計測しなければならない。ターンテーブル13の1周分(360度)を積載する際のノッチ角度ピッチ(θpitch:以後、θpと記す)で割った数をMとする。この計測回数M回をウェハ11の1回転分の計測動作とし、この計測動作の繰返し数をNとする。この繰返し数N個分のノッチの位置決め角度(以下ノッチターゲット角度:θtと呼ぶ)を初期設定する。
Step (S1): Initial value setting When loading the
ノッチ角度ピッチθpは、ターンテーブル13の1周の間で変化させても良いが、ここでは説明を簡単にするために固定値とする。例えばノッチ角度ピッチθpを45度とするとノッチの搭載位置は、モータ原点0度、45度、90度、135度、180度、225度、270度、315度の8種類となり、この8点のノッチ位置からノッチターゲット角度θtへ回転移動したウェハ11上のマーク11A、11Bの位置を画像位置検出センサー60で計測する。
The notch angle pitch θp may be changed during one turn of the
第1実施の形態では、N=2とし、N=1の場合のθt=−90度、N=2の場合のθt=+90度とする。実施の形態では、装置の原点をターンテーブル中心としモータ原点角度をX軸とする。ウェハ外形計測センサである透過型ラインセンサー112の検出位置はX軸上とする。ターンテーブル13からウェハホルダステージ54へのウェハ搬送方向をY軸とする。
In the first embodiment, N = 2, θt = −90 degrees when N = 1, and θt = + 90 degrees when N = 2. In the embodiment, the origin of the apparatus is the turntable center, and the motor origin angle is the X axis. The detection position of the
ステップ(S2):ウェハ搭載
ウェハ11をロボット自動搬送51あるいは人による手動搬送で回転モータ12のターンテーブル13上に積載する。ウェハ11はノッチを有するウェハ上の2箇所にマーク11A、11Bが形成されている。
Step (S2): Wafer mounting The
ステップ(S3):初回のウェハ外形計測とノッチ位置決め
ウェハ外形データは回転モータ12に内蔵されているロータリエンコーダ14の値に対応する透過型ラインセンサー112からの出力を一対のデータとして計測データ読み込み部25で記憶される。図5は、ウェハ外検出結果の一例を示す。一周に亘るエッジとノッチ位置とが検出されている。ノッチ位置は、回転角約3.14radに検出されている。
Step (S3): Initial wafer outer shape measurement and notch positioning Wafer outer shape data is a measurement data reading unit using the output from the
1回転分データを計測したのち、データ処理部21へデータを転送し、データを記録すると共にウェハ外形データ(図5参照)から、ノッチ角度及び偏芯を算出する。
After measuring the data for one rotation, the data is transferred to the
ステップ(S4):偏芯補正とノッチ初期位置合わせ
ウェハ11の偏芯座標から、ウェハ偏芯をY方向に向けるように回転モータを制御する。その後、ウェハ搬送機構部(Y軸)53にウェハ11を載せ替え、ウェハ搬送機構部(Y軸)53を移動し、Y方向偏芯分を補正する。偏芯補正後、ターンテーブル13上へウェハ11を戻しノッチ位置を0度に位置決めする。再度ターンテーブル13からウェハ搬送機構部(Y軸)53にウェハ11を載せ替えた後、回転モータ12の原点復帰を行い、ノッチ位置とエンコーダ原点を0度に合わせる。
Step (S4): Eccentricity correction and notch initial alignment From the eccentricity coordinates of the
なお、ステップS3、S4は、ロータリエンコーダ14のリニアリティーを計測する上で計測誤差を少なくするための処理であるので、ロータリエンコーダ14の回転角度変動の許容度が大きい場合は省略できる。
Note that steps S3 and S4 are processes for reducing the measurement error in measuring the linearity of the
ステップ(S5):繰返しのウェハ外形計測とノッチ位置決め
ウェハ外形データは回転モータ12のロータリエンコーダ14の値に対応する透過型ラインセンサー112の出力を一対のデータとして計測データ読み込み部25に記憶される。その1回転分のデータを計測したら、データ処理部21へ記憶データを転送し、ウェハ外形データから、ノッチ角度及び偏芯量を算出しノッチターゲット角度θtへノッチ位置決め回転を行う。N=1ではノッチターゲット角度θtは−90度に設定する。
Step (S5): Repeated wafer outer shape measurement and notch positioning Wafer outer shape data is stored in the measurement
ステップ(S6):ウェハをウェハホルダステージへの搬送(図2参照)
ここで、ウェハホルダステージ54はマーク11A、11Bを観測可能なステージである。回転モータ昇降機構部52で回転モータ12を下降させ、ターンテーブル13に吸着されているウェハ11をウェハ搬送機構部(Y軸)53のアーム53aへ搬送する。ターンテーブル13でのウェハ吸着はウェハ搬送機構部(Y軸)53のアーム53aへのウェハ11吸着を確認した後に吸着オフしウェハ搬送機構部(Y軸)53のアーム53aへの搬送が完了する。回転モータ昇降機構部52は下方退避位置へ移動しウェハ搬送機構部(Y軸)53のウェハホルダステージ54側への駆動が可能となる。
Step (S6): Transfer wafer to wafer holder stage (see FIG. 2)
Here, the
ウェハ搬送機構部(Y軸)53はウェハホルダステージ54との受け渡し位置までY方向に駆動される。ウェハ搬送機構部(Y軸)53停止後にウェハ搬送機構部(Z軸)55が上方向に駆動される。ウェハ搬送機構部(Z軸)55の吸着ピンを吸着オン状態にする。受け渡し位置まで上昇させたら吸着ピンの吸着状態を監視しながら、吸着力が発生するまで上方向へ微動させる。吸着ピン側の吸着力が所定の閾値を超えたらウェハ搬送機構部(Y軸)53側のアーム53aの吸着をオフする。吸着ピンはさらに上昇し、上方待機位置までウェハ11を持ち上げる。その後ウェハ搬送機構部(Y軸)53を退避させる。
The wafer transfer mechanism (Y axis) 53 is driven in the Y direction to the delivery position with the
ウェハ搬送機構部(Z軸)55の吸着ピンをウェハ吸着状態で保持しつつ下降させる。ウェハホルダ56を吸着オン状態にし、吸着ピンを受け渡し位置まで下降させる。ウェハホルダ56の吸着力が所定の閾値を超えたら吸着ピン側の吸着をオフする。吸着ピンはさらに下降し、下方待機位置にて動作終了する。なお、吸着力の確認は真空圧の確認でも構わない。或いは、真空圧確認を無視した時間管理の搬送でも構わない。
The suction pins of the wafer transfer mechanism (Z axis) 55 are lowered while being held in the wafer suction state. The
以上の動作シーケンスでマーク11A、11Bを観測できる状態にウェハ11を位置決めできた。
With the above operation sequence, the
ステップ(S7):マーク角度算出
ウェハ11上のマーク11A、11Bはノッチに対する位置が事前に分っているので、マーク11Aが画像位置検出センサ60で観測できる位置にウェハホルダステージ54を用いて移動させる。画像位置検出センサ60で2箇所のマーク11A、11Bの位置を計測し、図12に示すマーク角度を計算する。そしてこのマーク角度をウェハ11の回転成分の変動を算出するデータとする。ここで、マーク角度とは、図12に示すように、マーク11Aの中心とマーク11Bの中心とを結ぶ線分が、前述したX軸となす角度を示している。すなわち、回転成分の変動がゼロの場合、マーク11Aの中心とマーク11Bの中心とを結ぶ線はY軸に一致し、マーク角度は90度となる。
Step (S7): Mark angle calculation Since the positions of the
ステップ(S8):ウェハの逆搬送とターンテーブル回転
マーク11A、11Bの位置の計測終了後、ウェハ11をウェハ搬送機構部(Y軸)53を介して逆搬送しターンテーブル13上へ戻す。その際、ターンテーブル13をノッチ角度ピッチθp分回転させた状態でウェハ11をターンテーブル13へ受け渡す。その後、ステップ(S5)へ戻って外形計測ルーチンを実行する。更に、ステップ(S5〜S8)を所定回数(この場合は8回)繰り返しN=1(ノッチターゲット角度θt=−90度)におけるマーク11Aの位置データ取得が終了する。
Step (S8): Reverse wafer transfer and turntable rotation After measurement of the positions of the
その後、N=2としてステップ(S5〜S8)を同様に繰り返しノッチターゲット角度θt=+90度におけるマーク11A、11Bのデータ取得を行う。
Thereafter, N = 2 is performed, and the steps (S5 to S8) are repeated in the same manner to acquire data of the
以上で、ウェハ11のノッチ位置を所定角度回転しながらマーク11A、11Bの位置データの取得を終了する。このようにして取得されたデータから計算された結果の一例を図7のグラフで示す。図7の横軸はノッチ角度θn、縦軸は計測されたマーク11Aとマーク11Bのなす角度を示している。
This completes the acquisition of the position data of the
続いて、取得したデータに基づき、ロータリエンコーダ14のリニアリティーを検討する。図6は、ロータリエンコーダ14のリニアリティー変動をモデル的に示した図である。理想的な回転角θiに対し実際の回転角θmは1回転中に図示のような変動を示す。そのため、少なからず回転角度誤差が発生することになる。そのリニアリティー変動の近似関数を以下の3次のフーリエ級数展開で表す。
f(θ)=(a0/2)+a1×cosθ+b1×sinθ+a2×cos2θ
+b2×sin2θ+a3×cos3θ+b3×sin3θ -------(1)
フーリエ級数は一般的な周期関数に用いられる関数で、(1)式のそれぞれの係数a1〜a3、b1〜b3を求めれば近似関数が導出できる。
Subsequently, the linearity of the
f (θ) = (a0 / 2) + a1 × cos θ + b1 × sin θ + a2 × cos 2θ
+ B2 × sin 2θ + a3 × cos 3θ + b3 × sin 3θ ------- (1)
The Fourier series is a function used for a general periodic function, and an approximate function can be derived by obtaining the coefficients a1 to a3 and b1 to b3 of the equation (1).
但し、この係数の中でa0は補正値算出の際に計算上は相殺されるので、特に導出の必要はない。 However, a0 of these coefficients is not necessary to be derived because it is offset in calculation when calculating the correction value.
上記係数を求めるにはノッチターゲット角度−90度とノッチターゲット角度+90度で取得した1回転分のノッチ角度とそれに対応したマーク角度データが必要となる。図7は、ノッチ角度ピッチθp=30度で計測したデータをグラフにプロットして示したものである。 In order to obtain the coefficient, the notch angle for one rotation acquired at the notch target angle −90 degrees and the notch target angle +90 degrees and the mark angle data corresponding to the notch angle are required. FIG. 7 is a graph plotting data measured at the notch angle pitch θp = 30 degrees.
(ステップS1〜S8で取得したデータ)
次に、図7に示す、ノッチターゲット角度−90度の計測データとノッチターゲット角度+90度の計測データの合成を行う。装置における画像位置検出センサー60の位置の都合によりマーク11Aとマーク11Bのなす角度は、Y軸に沿った形になりマーク角度変動が90度(π/2(rad))中心に振れるが、ここではそのオフセットをゼロにする計算処理も入れて説明する。計算の流れを、図8の表1、図9の表2、および図10の表3を例にして示す。
(Data acquired in steps S1 to S8)
Next, the measurement data with the notch target angle −90 degrees and the measurement data with the notch target angle +90 degrees shown in FIG. 7 are synthesized. Depending on the position of the image
図8の表1の右端のD1〜D8のデータは、ノッチターゲット角度−90度とノッチターゲット角度+90度の各ノッチ角度に対するマーク角度データである。図中の(2)はノッチターゲット角度−90度のマーク角度データの平均値、(3)はノッチターゲット角度+90度のマーク角度データの平均値である。
(8)=(6)+(7) (合成波形の計算)
(6)の各データ=ターゲット−90計測データ−(2)値:オフセットの除去
(7)の各データ=ターゲット+90計測データ−(3)値:オフセットの除去
(5)は、(4)の角度(度)から(rad)への単位変換値、をそれぞれ示している。
The data of D1 to D8 at the right end of Table 1 in FIG. 8 is mark angle data for each notch angle of notch target angle −90 degrees and notch target angle +90 degrees. In the figure, (2) is an average value of mark angle data with a notch target angle of −90 degrees, and (3) is an average value of mark angle data with a notch target angle of +90 degrees.
(8) = (6) + (7) (Calculation of composite waveform)
Each data of (6) = target−90 measurement data− (2) value: removal of offset Each data of (7) = target + 90 measurement data− (3) value: removal of offset (5) is the same as that of (4) Unit conversion values from angles (degrees) to (rad) are shown.
ここで得られた合成波形データを用いて、図9に示す表2でフーリエ級数展開近似式の係数算出を説明する。 The calculation of the coefficients of the Fourier series expansion approximation formula will be described with reference to Table 2 shown in FIG. 9 using the synthesized waveform data obtained here.
表2の(5)、(8)を用いて、各ノッチ角度に対応する係数計算を以下のように行う。
表2において、
(11)列のノッチ角(5)に対応する各数値(K01〜K08)は、(8)と同じ。
(12)列のノッチ角(5)に対応する各数値(KC11〜KC18)は、(8)×cos((5))
(13)列のノッチ角(5)に対応する各数値(KC21〜KC28)は、(8)×cos(2×(5))
(14)列のノッチ角(5)に対応する各数値(KC31〜KC38)は、(8)×cos(3×(5))
(15)列のノッチ角(5)に対応する各数値(KS11〜KS18)は、(8)×sin((5))
(16)列のノッチ角(5)に対応する各数値(KS21〜KS28)は、(8)×sin(2×(5))
(17)列のノッチ角(5)に対応する各数値(KS31〜KS38)は、(8)×sin(3×(5))
Using (5) and (8) in Table 2, coefficient calculation corresponding to each notch angle is performed as follows.
In Table 2,
(11) Each numerical value (K01 to K08) corresponding to the notch angle (5) of the row is the same as (8).
(12) Each numerical value (KC11 to KC18) corresponding to the notch angle (5) of the row is (8) × cos ((5))
(13) Each numerical value (KC21 to KC28) corresponding to the notch angle (5) of the row is (8) × cos (2 × (5))
(14) Each numerical value (KC31 to KC38) corresponding to the notch angle (5) of the row is (8) × cos (3 × (5))
(15) Each numerical value (KS11 to KS18) corresponding to the notch angle (5) of the row is (8) × sin ((5))
(16) Each numerical value (KS21 to KS28) corresponding to the notch angle (5) of the row is (8) × sin (2 × (5))
(17) Each numerical value (KS31 to KS38) corresponding to the notch angle (5) of the row is (8) × sin (3 × (5))
(11)平均〜(17)平均と書かれた数値は、それぞれの各ノッチ角に対応する上記(11)〜(17)列の値の平均値を示す。それぞれの平均値を用いて最終的な(1)式の係数は図11に示す表3の計算式で示される。この例ではノッチ角度ピッチθpは45度であるが、このピッチを小さくすると対応するノッチ角(5)に対応するデータ数は増え近似関数の精度は増す。図7の実線f(θn)が、このようにして求められたフーリエ級数展開に基づく近似曲線である。 The numerical values written as (11) average to (17) average indicate the average value of the values in the above-mentioned (11) to (17) columns corresponding to the respective notch angles. Using the respective average values, the final coefficient of the formula (1) is shown by the calculation formula of Table 3 shown in FIG. In this example, the notch angle pitch θp is 45 degrees. However, if this pitch is reduced, the number of data corresponding to the corresponding notch angle (5) increases and the accuracy of the approximation function increases. A solid line f (θn) in FIG. 7 is an approximate curve based on the Fourier series expansion thus obtained.
次に、ウェハ11のノッチ位置決めシーケンスについて以下に説明する。まず、補正動作を説明する。本補正シーケンスはウェハ11のノッチ位置決め動作に組み込まれる形となっている。
Next, the notch positioning sequence of the
補正角度θhは(1)式の近似関数f(θ)を用いて次式で示される。
θh=f(θn+θrs)−f(θn)
ここでθnは、ノッチ位置を表す。θrsは透過型ラインセンサー112位置からターゲット角度(ティーチングウェハでなく一般のウェハが対象)までの相対角度を表す。ロータリエンコーダ14の近似関数(1)式をロータリエンコーダ14の座標で表現する。
The correction angle θh is expressed by the following equation using the approximate function f (θ) of equation (1).
θh = f (θn + θrs) −f (θn)
Here, θn represents the notch position. θrs represents a relative angle from the position of the
ロータリエンコーダ14の一周分のパルスカウントをNepとすると
θ=2×π×(N/Nep)として
f(N)=(a0/2)+a1×cos(2×π×(N/Nep))
+b1×sin(2×π×(N/Nep))
+a2×cos(4×π×(N/Nep))
+b2×sin(4×π×(N/Nep))
+a3×cos(6×π×(N/Nep))
+b3×sin(6×π×(N/Nep)) (18)
Assuming that the pulse count for one round of the
+ B1 × sin (2 × π × (N / Nep))
+ A2 × cos (4 × π × (N / Nep))
+ B2 × sin (4 × π × (N / Nep))
+ A3 × cos (6 × π × (N / Nep))
+ B3 × sin (6 × π × (N / Nep)) (18)
従って、ノッチ角度θnに対応するロータリエンコーダ14値Nn、相対角度θrsに対応するロータリエンコーダ値Nrsとすると
θh=f(Nn+Nrs)−f(Nn)
と表せる。ここで計算されるθhの単位は(rad)となる。
Accordingly, assuming that the
It can be expressed. The unit of θh calculated here is (rad).
ウェハの角度位置決めの際にターゲットへの回転角度に上記の補正値を加える。補正値込みのターゲットまでの移動角度分を回転モータ12で駆動し、ノッチ位置(或いはオリフラ位置)の角度決めが終了する。
The above correction value is added to the rotation angle to the target when the angle of the wafer is positioned. The angle of movement of the correction value-included target to the target is driven by the
以上の計測、および処理を行うことにより、ロータリエンコーダ14のリニアリティー補正を行うことができる。これにより、製品貼り合わせ時のウェハ11の位置決めをより高精度に行うことが可能になる。
By performing the above measurement and processing, the linearity correction of the
このように第1実施の形態では、回転モータ12に内蔵されたロータリエンコーダ14の回転角度変動を、ウェハ11に形成されたマーク11A、11Bのなすマーク角度の回転変動から、上述した近似関数を導出し、導出された近似関数に基づき、実際のウェハの位置決め精度を向上させることが可能となる。
As described above, in the first embodiment, the rotation angle variation of the
(第2実施の形態)
図11は、第2実施の形態にかかるウェハ位置決め装置のウェハ外形検出装置の概略構成図である。第1実施の形態では、ウェハ11のマーク11A、11Bの検出をウェハホルダステージ54で行っていたが、第2実施の形態では、画像位置検出センサーとこれをウェハの半径方向に制御するサーボ機構をウェハ外形検出装置10側に配置して、回転モータ12のターンテーブル13上でマーク11A、11Bの検出を可能にしている。第1実施の形態と同様の構成、作用には同じ符号を付し説明を省略する。また、ウェハ貼り合わせ装置1の構成、作用も第1実施の形態と同様であり説明を省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a wafer outline detecting device of the wafer positioning device according to the second embodiment. In the first embodiment, the
図11において、ウェハ外形検出装置10では、ウェハ11が、回転モータ12の回転軸に固定されたターンテーブル13に載置される。ウェハ11には、所定の位置にマーク11A、11Bが形成されている。回転モータ12には、回転モータ12の回転位置(回転角度)を検出するためのロータリーエンコーダ14が内蔵されている。
In FIG. 11, in the wafer
ウェハ11の上方には、ウェハ11のマーク11A、11Bを検出するための画像位置検出センサー15と、この画像位置検出センサー15を支持し、画像位置検出センサー15をウェハ11の半径方向に移動させるサーボ機構16が配置されている。サーボ機構16は、リニアエンコーダ17を内蔵するリニアモータ18から構成され、画像位置検出センサー15をウェハ11の半径方向に移動させる。
Above the
また、回転モータ12、画像位置検出センサー15、リニアモータ18等を制御すると共に、各信号を処理するための後述する各種制御部からなる制御装置20を有している。
In addition, the
リニアモータ18は、画像位置検出センサー15をウェハ11の半径方向に駆動可能にする機構であり、3相コイルと磁石を利用して電磁駆動力を発生する可動部と固定部を有し、固定部に対し電磁駆動力によって可動部が駆動される構造を有する。画像位置検出センサー15は可動部に固定されている。また、案内機構も内蔵され、位置決め分解能も数μm程度の能力をもつ。
The
なお、ウェハ11のマーク検出に必要な分解能は、サンプリングデータ数にもよるが、10μm程度が必要であるので数μmの位置決め能力のある駆動形態であれば単相VCM駆動や電磁駆動力以外の空圧駆動力をもった空圧アクチュエータなどを用いても良い。
Note that the resolution necessary for mark detection of the
画像位置検出センサーコントローラ17は、画像位置検出センサー15の位置を検出し、検出結果を計測データ読み込み部25に送信する。位置データは、計測データ読み込み部25からデータ処理部21に送られ、ロータリエンコーダ14の回転角度変動の解析に使用される。
The image position
制御装置20内のリニアモータドライバ22は、リニアモータ18を駆動するためのコントロールドライバであって、位置指令を送信すると所定位置へ位置決め可能となる。また推力指令を送信すると所定推力で可動子を駆動することが可能となる。リニアモータ18の駆動条件などの様々なパラメータが設定可能で、パラメータに応じたリニアモータ駆動を可能にしている。
The
このような構成のウェハ外形検出装置10において、図4に示すステップでロータリエンコーダ14のリニアリティーデータ取得、近似関数生成、および近似関数を用いたロータリエンコーダ14の角度補正を行う。なお、図4に示す各ステップは、ウェハをウェハホルダに搬送する処理を除いて第1実施の形態と同様であり説明を省略する。
In the wafer outer
本実施の形態では、第1実施の形態に比べ、ウェハの搬送がウェハ搬送機構部(Y軸)53のみで行われ、ウェハホルダステージ54への搬送動作が不要となるため短時間でマーク11A、11Bの位置データ取得から補正データを生成することができる。
In the present embodiment, compared with the first embodiment, the wafer is transported only by the wafer transport mechanism (Y axis) 53, and the transport operation to the
以上、実施の形態にかかるウェハ位置決め装置によれば、回転モータを装置に組み込んだ状態及び、使用環境でロータリエンコーダのリニアリティ変動データを所得でき、その結果を基に補正を行うので、ウェハの回転位置決め精度が損なわれない。また、絶対基準の工具等も必要でなく容易に補正を実現できる。また、回転モータ破損時はモータ単独交換後に再度ロータリエンコーダのリニアリティ変動データを所得できるため、回転モータドライバの交換は必要なくなる。 As described above, according to the wafer positioning apparatus according to the embodiment, the linearity fluctuation data of the rotary encoder can be obtained in the state in which the rotary motor is incorporated in the apparatus and the use environment, and the correction is performed based on the result. Positioning accuracy is not impaired. Further, an absolute reference tool or the like is not necessary, and correction can be easily realized. Further, when the rotary motor is broken, the linearity fluctuation data of the rotary encoder can be obtained again after exchanging the motor alone, so that it is not necessary to replace the rotary motor driver.
この結果、ウェハ貼り合わせ装置における位置決め精度が格段に向上し、2体のウェハを張り合わせる際の位置決め不良による半導体製造工程の歩留まり低下を防止することが可能となる。 As a result, the positioning accuracy in the wafer bonding apparatus is remarkably improved, and it is possible to prevent a decrease in the yield of the semiconductor manufacturing process due to a positioning failure when bonding two wafers.
なお、上述の実施の形態は例に過ぎず、上述の構成や形状に限定されるものではなく、本発明の範囲内において適宜修正、変更が可能である。 The above-described embodiment is merely an example, and is not limited to the above-described configuration and shape, and can be appropriately modified and changed within the scope of the present invention.
1 ウェハ貼り合わせ装置
2 搬送ロボット
10 ウェハ外形検出装置
11 ティーチングウェハ(ウェハ)
12 回転モータ
13 ターンテーブル
14 ロータリエンコーダ
15 画像位置検出センサー
16 サーボ機構
17 画像位置検出センサーコントローラ
18 リニアモータ
20 制御装置
21 データ処理部(CPU)
22 リニアモータドライバ
23 回転モータドライバ
25 計測データ読み取り部
50 ウェハ位置決め装置
51 ウェハ投入ロボット
52 回転モータ昇降機構部
53 ウェハ搬送機構部(Y軸)
54 ウェハホルダステージ
55 ウェハ搬送機構部(Z軸)
56 ウェハホルダ
57 ウェハホルダ投入ロボット
90 ウェハ貼り合わせ部
112 透過型ラインセンサー
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF
54
56
Claims (8)
前記積層ウェハのうちの最上面ウェハの外形から前記最上面ウェハの所定位置を検出する外形検出手段と、
前記外形検出手段の検出結果に基づいて、ウェハホルダに対して前記最上面ウェハを位置決めする位置決め装置と、
前記ウェハホルダに保持された前記積層ウェハの前記最上面ウェハと前記他のウェハとを接合する接合装置と、
前記積層ウェハが保持された前記ウェハホルダを前記位置決め装置から前記接合装置に搬送する搬送手段と、を備え、
前記位置決め装置は、ウェハを回転させる回転駆動部と、
前記回転駆動部に搭載された回転位置検出手段と、
前記ウェハ上に形成されたマークの位置を計測するマーク位置検出手段と、
前記ウェハを前記回転駆動部で回転した時の前記回転位置検出手段の回転角度変動を、前記マーク位置検出手段によって計測される前記マークの位置変動から導出される近似周期関数として記憶し、ウェハアライメント時に、前記回転位置検出手段の回転角度補正量を前記近似関数から算出し、前記回転角度補正量に基づき前記回転位置検出手段の回転角度を補正する制御手段と、を備えていることを特徴とするウェハ貼り合わせ装置。 A wafer bonding apparatus for bonding a laminated wafer having a plurality of laminated wafers and another wafer,
Outer shape detecting means for detecting a predetermined position of the uppermost wafer from the outer shape of the uppermost wafer of the laminated wafers
A positioning device for positioning the uppermost wafer with respect to a wafer holder based on the detection result of the outer shape detection means;
A bonding apparatus for bonding the top wafer and the other wafer of the laminated wafer held by the wafer holder;
Transport means for transporting the wafer holder holding the laminated wafer from the positioning device to the bonding device;
The positioning device includes a rotation driving unit that rotates the wafer,
A rotational position detecting means mounted on the rotary drive unit,
Mark position detecting means for measuring the position of the mark formed on the wafer;
Rotational angle variation of the rotational position detecting means when the wafer is rotated by the rotational drive unit is stored as an approximate periodic function derived from the position variation of the mark measured by the mark position detecting means , and wafer alignment And a control unit that calculates a rotation angle correction amount of the rotation position detection unit from the approximate function and corrects a rotation angle of the rotation position detection unit based on the rotation angle correction amount. Wafer bonding equipment.
前記所定回転角度位置は、前記外形検出手段の基準角度位置からの相対角度で制御されることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載のウェハ貼り合わせ装置。5. The wafer bonding apparatus according to claim 1, wherein the predetermined rotation angle position is controlled by a relative angle from a reference angle position of the outer shape detection unit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013072860A JP5413529B2 (en) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | Wafer positioning apparatus and wafer bonding apparatus having the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013072860A JP5413529B2 (en) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | Wafer positioning apparatus and wafer bonding apparatus having the same |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007155452A Division JP5239220B2 (en) | 2007-06-12 | 2007-06-12 | Wafer positioning apparatus and wafer bonding apparatus having the same |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013234959A Division JP2014060429A (en) | 2013-11-13 | 2013-11-13 | Wafer bonding device and wafer bonding method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013165280A JP2013165280A (en) | 2013-08-22 |
JP5413529B2 true JP5413529B2 (en) | 2014-02-12 |
Family
ID=49176424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013072860A Active JP5413529B2 (en) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | Wafer positioning apparatus and wafer bonding apparatus having the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5413529B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014060429A (en) * | 2013-11-13 | 2014-04-03 | Nikon Corp | Wafer bonding device and wafer bonding method |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109241114B (en) * | 2018-08-31 | 2021-12-03 | 上海华力微电子有限公司 | Fault device identification system and method, and computer storage medium |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2543245B2 (en) * | 1990-09-17 | 1996-10-16 | オ−クマ株式会社 | Position detection error correction device |
JP3336505B2 (en) * | 1991-12-12 | 2002-10-21 | 株式会社ニコン | Positioning method and apparatus, and exposure method and apparatus |
-
2013
- 2013-03-29 JP JP2013072860A patent/JP5413529B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014060429A (en) * | 2013-11-13 | 2014-04-03 | Nikon Corp | Wafer bonding device and wafer bonding method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013165280A (en) | 2013-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5343847B2 (en) | Wafer bonding apparatus and wafer bonding method | |
KR101485297B1 (en) | Heat treatment apparatus and method for adjusting position of substrate transfer | |
WO2009104568A1 (en) | Single-axis drive aligner | |
WO2010004636A1 (en) | Robot and its teaching method | |
CN107026110B (en) | Substrate transfer position teaching method and substrate processing system | |
KR101291368B1 (en) | Robot and its teaching method | |
WO2016125752A1 (en) | Substrate transfer robot and substrate transfer method | |
JP5239220B2 (en) | Wafer positioning apparatus and wafer bonding apparatus having the same | |
JP5309503B2 (en) | POSITIONING DEVICE, POSITIONING METHOD, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE HAVING THEM | |
JP2008218903A (en) | Centripetal apparatus and centripetal method for wafer | |
JP5413529B2 (en) | Wafer positioning apparatus and wafer bonding apparatus having the same | |
JP4824641B2 (en) | Parts transfer device | |
TW202139319A (en) | Apparatus for producing semiconductor device, and method for producing semiconductor device | |
JP2009016673A5 (en) | ||
JP2014060429A (en) | Wafer bonding device and wafer bonding method | |
JP5104127B2 (en) | Wafer transfer apparatus and semiconductor manufacturing apparatus having the same | |
KR101394312B1 (en) | Wafer alignment apparatus | |
KR101372503B1 (en) | Chip transfer apparatus and method for controlling the apparatus | |
JP7374683B2 (en) | Substrate transfer device and hand position correction method for the substrate transfer device | |
CN221282069U (en) | Automatic wafer loading machine | |
JP4859705B2 (en) | Implementation method | |
JP5516684B2 (en) | Wafer bonding method, positioning method, and semiconductor manufacturing apparatus having the same | |
JP2009233789A (en) | Method of controlling carrier robot | |
CN111052337A (en) | Robot diagnosis method | |
JP5576219B2 (en) | Die bonder and die bonding method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130730 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131015 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131028 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5413529 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |