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JP5487200B2 - せん断垂直弾性表面波一体型表面プラズモン共鳴センシング装置および方法 - Google Patents

せん断垂直弾性表面波一体型表面プラズモン共鳴センシング装置および方法 Download PDF

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Description

本発明は概して流体または流体中の標的成分の特徴を迅速に検出する装置および方法に関する。
医薬産業においては、ポイントオブケア検査とハイスループットスクリーニングを共に目的とする、生体分子の相互作用を検出、分析するためのアフィニティーバイオセンサーが近年急速に開発されてきている。表面プラズモン共鳴(SPR)は、以下のような優れた特徴により、これらのバイオセンサーに広く用いられている。すなわち、
・SPRは無標識でよく、蛍光標識を必要としない。
・SPRはリアルタイムに作動し、反応動態を測定できる。
・SPRはハイスループットスクリーニングと複数の標的成分の検出を平行して行うことができる。
・SPRにより定量的アフィニティー測定ができる。
数種のSPRバイオセンシングシステムが市販されており、多くの確立された利用基盤を有している。しかし、SPRバイオセンシングシステムはまだ、大学においても民間部門においても研究開発にかなりの余地を残している。この理由の一つは、医薬研究者や医薬産業が、現在のSPRバイオセンシングシステムよりもさらに高度な性能を要求していることである。SPRバイオセンシングシステムには以下の2つの課題がある。すなわち、
・非特異的な吸着による感度の限界を克服すること、そして
・均質でタイムリーな分析のために、微小流体レベルで効率的混合を行うこと、である。
US 2004/0101975 A1 US 2006/0173636 A1 US 6,161,437 B1
本発明の第1の非制限的な例示的態様によれば、流体または流体中の標的成分の特徴を迅速に検出する装置であって、
流体に接触し流体または流体中の標的成分の特徴を検出するセンシング表面を有する、基板上に取り付けられセンサーと
検出の促進を考慮して、機械波を発生し基板を介して伝播して流体を混合し、少なくとも1つの非標的成分をセンシング表面から脱着させ、および/または少なくとも1つの非標的成分のセンシング表面への吸着を妨げる、基板上に取り付けられた機械波発生器を含み、機械波がせん断垂直波成分を含む、装置を提供する。
本発明の第2の非制限的な例示的態様によれば、流体または流体中の標的成分の特徴を迅速に検出する方法であって、
流体を基板上のセンシング表面に接触させ、
機械波を基板を介して伝播して流体を混合し、少なくとも1つの非標的成分をセンシング表面から脱着させ、および/または少なくとも1つの非標的成分のセンシング表面への吸着を妨げ、ここで機械波を伝播する工程はせん断垂直波成分を発生させることを含み、
センシング表面上で流体または流体中の標的成分の特徴を検出し、ここで流体を混合し、少なくとも1つの非標的成分をセンシング表面から脱着させ、および/または少なくとも1つの非標的成分のセンシング表面への吸着を妨げることが、検出を促進する、方法を提供する。
本発明の前述および他の目的、利点および特徴は、添付図面を用いて例示される、以下の例示的な実施形態の非制限的な記述を理解することにより、さらに明らかになるであろう。
より詳細には、以下の開示には本発明を具現化する実施例について記載する。すなわち上記の2つの課題を解決するために、SV−SAWとSPRを共通圧電基板上に一体化し、
・非特異吸着によりSPRセンシング表面に結合した非標的成分(例えば寄生的生体分子)を、SV−SAW波(レイリー波ともいう)を用いて減少または除去(脱着)し、さらに
・同じくSV−SAW波を用いて「音響流」により微小流体を混合する。
共通圧電基板に一体化されたSV−SAWとSPRにより、標的成分(例えば、病原体、タンパク質バイオマーカー、遺伝的バイオマーカーなど)の検出や同定のための微小流体分析が改善され、医薬品開発、伝染性疾患の検出、環境試験、医学的診断などの複数の用途において、より高い精度、選択性、スピードで分析できるようになる。
非特異的吸着とは、少なくとも1つの非標的成分、例えば標的成分以外の生体分子の、物理吸着などの機構によるSPRセンシング表面への非共有(弱い)結合である。良くても、非特異的吸着により偽陽性の結果および/または標的成分濃度の定量的推定値に誤差が生じる。最悪の場合、標的成分の測定は非標的成分によって完全に妨害される可能性がある。弱く結合した寄生的分子(非標的成分)をSPRセンシング表面からSV−SAWによって減少または強制的に除去(脱着)させると、測定の信号対雑音比が上昇することになる。
また、高価な試薬の使用量を最小にするために、最新のセンシング装置や方法は微小流体を用い、マイクロまたはナノリットル量の液量を、数百から数十ミクロンの断面寸法を有する小流路を通じて送液している。このような小スケールでの流体流は層流であるので、微小流体に関する課題は試薬を効果的に混合することである。層流により主に、比較的遅い拡散が起こり混合と表面組織効果が制限され、リガンドと分析物の結合速度が非直線になる(吸着等温線)。例えば、一般的な表面生化学反応には反応の完結に数時間かけて放置するものもある。SV−SAWにより加速された微小流体混合により、SPRセンシング装置や他の類似のセンシング法の処理量はかなり向上するだろう。
本発明のSV−SAW/SPRセンシング装置の一実施形態の概略図である。 クレッチマンSPR配置の概略図である。 流体(液状媒体)中へのせん断垂直弾性表面波(SV−SAW、レイリー波ともいう)の伝播とカップリングを示す概略図である。 液状媒体中のSV−SAW波の伝播およびカップリングを示す図3Aの拡大図である。 SV−SAW IDT(InterDigited Transducer:くし型変換器)電極の光学顕微鏡による上面図である。 図3CのSV−SAW IDT電極の部分上面図を示す拡大図である。 エネルギーをSV−SAW波から流体中に移動させ、微小流体の混合と脱着を共に促進する、圧電基板の表面に垂直な方向のSV−SAW波による圧電基板の変形を示す概略図である。 SV−SAWの振幅と電気励起周波数の関係を示すグラフであり、最大振幅は共鳴周波数f0で得られている。 異なった光屈折率(η1=1.3300;η2=1.3325;η3=1.3350;η4=1.3375;η5=1.3400;η6=1.3425;η7=1.3450;η8=1.3475およびη9=1.3500)を有する9種の流体(液体)のSPを示すグラフである。 SV−SAWを用いずに、ビオチン化ウシ血清アルブミン(BSA−ビオチン)をSPRセンシング表面へ吸着させた後、アビジンをビオチンへ共有結合させて得られたSPR反射率曲線を示すグラフである。 SV−SAWを用いて、ビオチン化ウシ血清アルブミン(BSA−ビオチン)をSPRセンシング表面に吸着させた後、アビジンをビオチンへ共有結合させて得られたSPR反射率曲線を示すグラフである。 圧電基板上にSV−SAW IDT金属電極とSPR金属電極を有するSV−SAW/SPRセンシング装置の一実施形態の図である。
本発明のSV−SAW/SPRセンシング装置の一実施例を図1を用いて以下に説明する。SV−SAW/SPRセンシング装置は、複数の異なった方法で構成できることに留意されたい。
図1に示すように、SV−SAW/SPRセンシング装置100は圧電基板101を含む。図1に例示するように、SPRセンシング表面102とSV−SAW IDT電極103は共に共通圧電基板101と一体化している。より具体的には、SV−SAW IDT電極103とSPRセンシング表面102は共に、共通圧電基板101の表面104上に付着した薄い金属膜である。フォトリソグラフィー、リフトオフ、ウエットエッチングなどの微細加工法を含む数種の方法を用いて、薄い金属膜を作製することができる。SV−SAW IDT電極103とSPRセンシング表面102を形成する薄い金属膜は、同時に単一ステップで、または別々に異なったステップで作成することができる。
例えばポリマー材料製の別の層105を、共通圧電基板101の表面104上に、SV−SAW IDT電極103とSPRセンシング表面102の上から付着し、標的成分を含む流体を受けるための流体ウェル106を形成する。図1からわかるように、SPRセンシング表面102は流体ウェル106の底部で露出する。
表面104の反対側の共通圧電基板101の表面107上に、通常三角形または半円形の断面を有するプリズム109の表面108を配置する。SPR励起光110はSPR励起光路に沿ってプリズム109の表面111、プリズム109そして共通圧電基板101を通って伝播し、SPRセンシング表面102を形成する薄い金属膜に達する。反射光112は、SPRセンシング表面102を形成する薄い金属膜から、共通圧電基板101、プリズム109そしてプリズム109の表面113を通る光路を進む。プリズムは、プリズム109と表面107間の光変化を防ぐために用いられる物質と共に、基板101の表面107に固定される。実際、SPR励起光路と反射光路は、プリズム109と共通圧電基板101を通って、SPRセンシング表面102を形成する薄い金属層と連結される。例えばLiNbO3製の圧電基板101が、SPR可視および近赤外励起光および反射光に対して実質的に透過性であろうことは、当業者には周知であろう。
例えば、流体ウェル106中に含まれる流体中の標的成分の、SPRセンシング表面102に結合したリガンドへの付着は、クレッチマン配置中のSPRを用いて観察することができる。クレッチマンSPR配置の作動原理を図2に示す。より具体的には、図2はクレッチマンSPR配置200の概略図である。
図2に示すように、SPR励起偏光110は、光源201から一定の広がりの入射角αを超えて生じる。一定の広がりの入射角αを生成するために、光源201には、例えば、機械的走査や分散レンズを用いてもよい(図示せず)。
SPR励起偏光110はSPR励起光路に沿ってプリズム109の表面111、プリズム109そして共通圧電基板101を通って伝播し、SPRセンシング表面102を形成する薄い金属膜202、例えば金膜に達する。反射光112は、薄い金属膜202から共通圧電基板101、プリズム109そしてプリズム109の表面113を通る光路を進む。実際、SPR励起光路と反射光路は、プリズム109と共通圧電基板101を通って、SPRセンシング表面102を形成する薄い金属層202と連結される。
標的成分がセンシング表面102上のリガンドに捕捉されると、薄い金属膜202における表面プラズモンカップリングの状態に変化が生じる。薄い金属膜202のSPRセンシング表面102と接する誘電媒体の屈折率に依存する特定の臨界角において、入射励起偏光110は金属センシング表面102上で伝播する表面プラズモンと強く結合し、最小振幅が、光学検出器204によって検出される反射光112中に観測されることになる。208などの標的成分の209などのリガンドによる捕捉は、反射率曲線205(反射光の強度と反射光の伝播角度の関係)の最小角度位置206のずれ207を検出することで追跡できる。最小点Iは、標的成分が結合していない場合の反射率曲線205の最小角度位置206に相当し、最小点IIは、標的成分が結合した場合の反射率曲線205の最小角度位置206に相当する。
図2のSPR配置(プリズムが上、流体が下)は図1の配置と逆である。流体サブシステムもまた異なっている。図1では流体サブシステムは流体ウェル106であるが、図2では流体サブシステムは流路210である。流体は流路210を流れて、209などの標的成分がセンシング表面102上の208などのリガンドと結合する。もちろん、流路210は、その中を流れる流体が、SPRセンシング表面102に接触できるように設計されている。しかし、SPRの作動原理と機能はいずれの場合においても同じであり、これは、SPRと流体の態様が複数の異なった実施形態で実施できることを示している。
SPRは他の点においては当業者にとって周知であり、したがって本明細書にはこれ以上説明しない。
前述したように、図1のせん断垂直弾性表面波(SV−SAW)くし型変換器(IDT)電極103は共通圧電基板101の表面104上に装着され、SV−SAW(レイリー波ともいう)を生成する。SV−SAWは、圧電基板101の表面104で伝播する機械的振動である。この振動は、圧電基板101の表面104上に付着した103などの薄膜金属IDT電極を用いて生成される。
図3Aに示すように、IDT103は、例えばLiNbO3製の圧電基板の表面104上に付着した金属のくし様構造を含む。より具体的には、図3Cのくし型変換器(IDT)103は、第1のくし様電極301と第2のくし様電極302を含む(共に一部のみを図3Cに示す)。くし様電極301と302はそれぞれ交互にかみ合う歯303と304を特徴とし、図3Cと3DのIDT電極構造を形成する。交互にかみ合う歯303と304の幅と間隔は、SV−SAW波が望ましい波長となるように調整される。同様に、交互にかみ合う歯303と304の長さは、SV−SAW波列が望ましい幅となるように調整される。電気信号、例えばパルス電気信号、をくし様電極301と302の両端、すなわち歯303と304の両端にかける。くし様電極301と302の両端にかけられる電気信号をまた、共鳴周波数f0(図5中の500を参照)で最大のSV−SAW振幅となるよう、基板101の圧電材料部の両端にかけて、圧電材料のこれらの部分を変形(縮小および拡大)し、電気エネルギーを機械エネルギーに、より具体的には共通圧電基板101の表面104で歯303および304に垂直な方向に伝播するSV−SAW波に変換する。IDT電極103は両方向に等振幅なSV−SAW波を生成し、従って双方向性である。
図3Aは、SV−SAW IDT電極103を用いたSV−SAW波の生成と、共通圧電基板101、例えばLiNbO3製の圧電基板、の表面104上とSPRセンシング表面104上のSV−SAW波305の伝播を示す概略図である。拡大図である図3Bは、流体中で生じる放射圧306による、脱着および混合を起こさせる音響エネルギーの流体307中への移動(矢印306)を示している。
SPRセンシング表面102とSV−SAW IDT電極103は共に共通圧電基板101の表面104で一体化しているので、SV−SAW波305は、図1に見られるような流体ウェル106に向かって、あるいは図2に見られるような流路210に向かって、共通圧電基板101の表面104上を伝播する。より具体的には、SV−SAW波は、流体ウェル106または流路210中の流体の混合(音響流)、および非標的成分、例えば不要な寄生的生体分子、のSPRセンシング表面102からの脱着を誘導することになる。
図4に示したように、SV−SAW波すなわちレイリー波は圧電基板101の表面104を表面104に垂直な方向に、海洋上をうねる波のように変形し、したがってSV−SAW波からのエネルギー(図3Bの矢印306参照)を流体ウェル106または流路210中の流体に移動させ、微小流体混合と脱着を促進する。これにより微小流体混合と脱着が促進され、SPRセンシング装置および方法の感度と処理量が向上することになる。
実験結果を解析すると、混合および反応時間、寄生的生体分子などの非特異的に結合した成分の除去(脱着)が促進されることが明らかになった。SPRは例えばLiNbO3製の圧電基板上でうまく行われている。脱着を起こさせ非標的成分、例えば非特異的に結合した化学種をSPRセンシング表面102から除去することによって、SV−SAWはSPR測定の信号対雑音比を向上する。
実験によりまた、アミノシラン系化合物に適当なSiO2薄膜(厚さ10nm)でコーティングされたSPR金属センシング表面を用いて、LiNbO3基板上でSPRを行うことができることが確認されている。
図6は、異なった光屈折率(η1=1.3300;η2=1.3325;η3=1.3350;η4=1.3375;η5=1.3400;η6=1.3425;η7=1.3450;η8=1.3475;およびη9=1.3500)を有する9種の流体(液体)に、LiNbO3系基板を用いたSPR反射率曲線を示すグラフである。より具体的には図6は、あらかじめ調製された屈折率を有する一連の流体を用いた時の、屈折率の増加に伴う、SPR反射率曲線の右へのずれ(最小反射率の角度が大きくなる)を示している。
LiNbO3系チップのSPR性能をまた標準的なアフィニティー分析により調べた。すなわち、図7Aのグラフに示すようなリン酸緩衝液(PBS)中のビオチンとアビジンのアフィニティー分析では、ビオチン化ウシ血清アルブミン(BSA)複合体をSPRセンシング表面上に吸着させた後、ビオチンに強い親和性を有するアビジンを導入する。SV−SAW作用による混合効率の向上を図7Bのグラフに示す。同じ時間間隔での同一の実験条件で、図7Bのグラフにおいて、一番右側のSPR曲線がより大きくずれていることから示されるように、より多くの物質(アビジン)がセンシング表面上のBSA−ビオチン複合体に結合したことが明らかである。
図8は、共通圧電基板上のIDTおよびSPR金属センシング表面の配置の実施形態を示すSV−SAW/SPRセンシング装置のチップの一例の写真である。
〔変形例〕
1.SV−SAWを、化学反応終了後にSPRセンシング表面に非特異的に結合した非標的成分を除去(脱着)するために用いることができるが、SV−SAWをまた化学反応中の非特異的吸着を妨げるために用いて、SPRセンシング表面上のリガンドへの(特異的)共有結合による標的成分の付着効率を動的に向上させることができる。
2.SV−SAW波は、圧電基板表面の機械的な変形だけでなく電場を介しても、機械的エネルギーを流体中に移動させる。これにより流体中に乱流が発生し、拡散のみによるゆっくりとした混合や反応時間に比べて、混合や化学反応が促進される。
3.本発明のSV−SAW/SPR装置および方法は、種々の構成において電子技術やソフトウェアを用いて制御することができる。
4.SPRセンシング範囲は単一のセンシング領域を含んでもよいし、SPRイメージング(SPRi)に用いられる配列構成のように複数のセンシング領域を含んでもよい。
5.共通基板は上記のような圧電基板であってもよいし、または例えば多結晶圧電材料(ZnO、BiTaO3、PZT、PbZrO3、AlNなど)、単結晶材料(LiTaO3)、石英、ランガサイト(La3Ga5SiO14)、あるいはGaPO4製の圧電膜でコーティングされた非圧電基板であってもよい(例えば、Lee等、Integrated ZnO surface acoustic wave microfluidic and biosensor system, IEEE International Electron Devices Meeting-IEDM '07, Washington, DC, USA, 2007)。
6.SPR配置はクレッチマン配置に限定されず、導波路を用いたもの(Krol等、米国特許登録第6,829,073B1号)および/または回折光学素子を用いたもの(Knoll等、表面プラズモン野強化回折センサー、米国特許出願2006/0194346A1号および欧州特許出願EP20050003435号、Thirstrup等、Diffractive optical coupling element for surface plasmon resonance sensors. Sensors and Actuators B (Chemical), 2004, 100(3): p. 298-308)などの他のSPR配置も用いることができる。
7.SPR配置は、角走査システム(非平行光を用いる機械的走査システムまたは並列システム)、角度分散システム、波長走査システム(調節可能な波長源または平行色分散システム)、ハイブリッドシステム(角度波長同時走査システム)、および近共鳴光位相走査システムを用いることができる。
8.SV−SAW IDT電極およびSPRセンシング表面は、金が最も一般的ではあるが、種々の金属から製造することができる。他の例としては、銀、銅、アルミニウム、パラジウムが挙げられる。金属表面を保護するためおよび/または有機化学的な機能化を促進するために、金属をコーティングしてもよい。典型的なコーティング方法では二酸化ケイ素の薄膜を使用するが、他のコーティング材を利用してもよい。
9.IDT電極は直線状電極に限定されず、バルク波や表面スキミングバルク波などの所望されるSV−SAW伝播の種類に応じて多様な配置に製造することができる(例えばWu等、Actuating and detecting of microdroplet using slanted finger interdigital transducers. J. of Applied Physics, 2005, 98(2): p. 024903-7)。IDT電極のパルス励起の周波数は通常10〜1000MHz程度であり、そのような周波数をこの微小流体システムに用いることができる。
10.製造性に関しては、SPRセンシング表面とSV−SAW IDT電極は共に、分離度を要する金属蒸着を含むが、これは安価なリソグラフィーの工業的製造法で容易に達成できる。
11.その用途に応じて、単一または複数のIDTを含むSV−SAW配置を用いることができる。また、IDTは液滴操作やパルス/エコー液滴ローカライゼーションに用いることができる(Renaudin等、Surface acoustic wave two-dimensional transport and location of microdroplets using echo signal. Journal of Applied Physics, 2006, 100(11): p. 116101-1)。
12.流体サブシステムは複数の可能な実施形態、例えば液滴、ウェル中の流体、微小流体流路中の流体などを含んでもよい。
13.用語「流体」は、純粋な液体、混合液、懸濁液、コロイドおよび分散液、さらに固形物質、例えば生物学的材料(細胞、DNA、タンパク質、分子、薬物、化合物、核酸、ペプチドなど)やカーボンナノチューブを含む液体を含んでもよい。
14.前記の実施例はバイオアッセイや生物学的材料の検出に関するが、本発明は無機分子や無機物質などの無機成分の検出にも等しく適用される。
15.共通基板上のSV−SAW IDT電極とSPRセンシング表面には多くの配列が可能で、図8はその一例に過ぎない。図8は、上記の説明の一般性に優先することを意味するものではない。
16.流体中の生体分子を検出するためのSV−SAW/SPR一体型装置および方法を以上に説明したが、SV−SAW/SPR一体型装置および方法はまた、細胞接着、細胞遊走、薬物透過性および溶解性、ウイルス検出およびタンパク質分泌、カーボンナノチューブ(CNT)吸着などの多様な研究の遂行にも使用可能であることを理解されたい。
17.上記の説明ではSV−SAWと組み合わせたSPRについて明示的に述べているが、SV−SAW IDTと同じ基板上の薄い金属膜を用いる、導波路格子(RWG)センシング(K. TiefenthalerおよびW. Lukosz, "Sensitivity of grating couplers as integrated-optical chemical sensors," Journal of the Optical Society of America, 6(2), 1989, p. 209-220)や微量熱量測定(A. Bourque-Viens, V. Aimez, A. Taberner, P. NielsenおよびP.G. Charette, "Modelling and experimental validation of thin-film effects in thermopile-based microscale calorimeters," Sensors and Actuators A: Physical, 150(2), 2009, p. 199-206)などの任意のSPR以外のセンシング技術を使用できることに留意されたい。
18.上記の明細書ではSV−SAWについて述べているが、SV−SAWを、適用目的の流体を適切に混合できるせん断垂直成分を含み、基板表面で伝播する機械波を生じさせることのできる他の任意の技術に置き換えることができることに留意されたい。
19.流体または流体中の標的成分の特徴を検出する方法を、DNA、タンパク質、抗体/抗原、病原体、他の生体分子などの分析対象物を含む分析試料における結合動力学(親和定数、解離定数、平衡状態、時定数など)を分析するために用いることができる。
以上、本発明を非制限的な例示的実施形態を用いて説明したが、これらの実施形態は、添付の請求項の範囲内で本発明の思想および本質から逸脱することなしに任意に変更することが可能である。

Claims (19)

  1. 流体または流体中の標的成分の特徴を迅速に検出する装置であって、
    流体に接触し流体または流体中の標的成分の特徴を検出するセンシング表面を有する、基板上に取り付けられセンサーと、
    前記検出の促進を考慮して、機械波を発生し基板を介して伝播して流体を混合し、少なくとも1つの非標的成分をセンシング表面から脱着させ、および/または前記少なくとも1つの非標的成分のセンシング表面への吸着を妨げる、基板上に取り付けられた機械波発生器と、を含み、機械波がせん断垂直波成分を含み、
    センシング表面が表面プラズモン共鳴センシング表面を含む、装置。
  2. センサーと機械波発生器が基板の共通表面に取り付けられている、請求項1に記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する装置。
  3. 機械波発生器がせん断垂直弾性表面波発生器を含む、請求項1または2に記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する装置。
  4. 基板が圧電基板である、請求項1〜3のいずれかに記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する装置。
  5. 基板が圧電膜でコーティングされた非圧電基板を含む、請求項1〜3のいずれかに記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する装置。
  6. せん断垂直弾性表面波発生器がくし型変換器電極を基板の共通表面上に含む、請求項3に記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する装置。
  7. くし型変換器電極が圧電基板の共通表面上の金属膜で形成される、請求項6に記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する装置。
  8. 流体を含有する流体ウェルを含む、請求項1〜のいずれかに記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する装置。
  9. 流体が流れる流路を含む、請求項1〜のいずれかに記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する装置。
  10. センサーが、
    基板の第1表面に配置された第1表面を有し、基板と反対側に表面プラズモン共鳴センシング表面を規定する金属膜と、
    前記基板の第1表面と反対側の基板の第2表面に配置された光伝播プリズムと、を含み、表面プラズモン共鳴励起光が金属膜の第1表面に向かって、プリズムおよび基板を通って伝播し、光が金属膜の第1表面で反射し、基板およびプリズムを通って伝播する、請求項1に記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する装置。
  11. 流体または流体中の標的成分の特徴を迅速に検出する方法であって、
    流体を基板上のセンシング表面に接触させ、
    機械波を基板を介して伝播して流体を混合し、少なくとも1つの非標的成分をセンシング表面から脱着させ、および/または前記少なくとも1つの非標的成分のセンシング表面への吸着を妨げ、ここで機械波を伝播する工程はせん断垂直波成分を発生させることを含み、
    センシング表面上で流体または流体中の標的成分の特徴を検出し、ここで流体を混合し、前記少なくとも1つの非標的成分をセンシング表面から脱着させ、および/または前記少なくとも1つの非標的成分のセンシング表面への吸着を妨げることが、検出を促進し、
    センシング表面が表面プラズモン共鳴センシング表面を含む、方法。
  12. センシング表面が基板の表面に位置し、機械波を伝播する工程がせん断垂直弾性表面波を発生させ、基板の前記表面に沿って伝播させることを含む、請求項11に記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する方法。
  13. 基板が圧電基板である、請求項1112のいずれかに記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する方法。
  14. 流体を流体ウェル中に含有させることを含む、請求項1113のいずれかに記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する方法。
  15. 流体を流路中に流すことを含む、請求項1114のいずれかに記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する方法。
  16. 第1表面を有する金属膜を基板の第1表面に配置し、金属膜は金属膜の第1表面と反対側に表面プラズモン共鳴センシング表面を規定し、
    光伝播プリズムを前記基板の第1表面と反対側の基板の第2表面に配置し、
    表面プラズモン共鳴励起光を金属膜の第1表面に向かってプリズムおよび基板を通って伝播させ、
    金属膜の第1表面で反射した光を基板およびプリズムを通って伝播させる、請求項11に記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する方法。
  17. 分析対象物を含む分析試料において結合動力学を分析するための、請求項1116のいずれかに記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する方法。
  18. 結合動力学が、親和定数、解離定数、平衡状態および時定数からなる群から選択される、請求項17に記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する方法。
  19. 分析対象物が、DNA、タンパク質、抗体/抗原、病原体および他の生体分子からなる群から選択される、請求項17に記載の流体または流体中の標的成分の特徴を検出する方法。
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