JP5484136B2

JP5484136B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP5484136B2
Application number: JP2010053916A
Authority: JP
Inventors: 智巳岩田
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2010-03-11
Filing date: 2010-03-11
Publication date: 2014-05-07
Anticipated expiration: 2030-03-11
Also published as: JP2011187851A

Description

本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）に対して乾燥処理等の所定の処理を施す基板処理装置に係り、特に、純水等の処理液から基板を引き上げつつ基板に対して乾燥処理を行う技術に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a predetermined process such as a drying process on a glass substrate (hereinafter simply referred to as a substrate) for a semiconductor wafer or a liquid crystal display device, and more particularly, a substrate from a processing liquid such as pure water. The present invention relates to a technique for performing a drying process on a substrate while pulling up.

従来、この種の基板処理装置として、純水等の処理液を貯留する処理槽と、複数枚のウエハ等の基板を支持し、処理槽の内部と処理槽の上方とにわたって昇降可能に構成されたリフタと、処理槽の液面近傍に備えられ、水平方向に一方側から他方側へドライエア（乾燥用気体）を供給するためのノズルとを有する基板処理装置が挙げられる（例えば、特許文献１，２参照）。 Conventionally, this type of substrate processing apparatus is configured to support a processing tank for storing a processing liquid such as pure water and a plurality of wafers and the like and to be moved up and down over the inside of the processing tank and above the processing tank. A substrate processing apparatus provided with a lifter and a nozzle for supplying dry air (drying gas) from one side to the other side in the horizontal direction provided near the liquid surface of the processing tank (for example, Patent Document 1). , 2).

このように構成された基板処理装置では、例えば、純水を貯留している処理槽にリフタを下降させて基板を純水に浸漬させ、次いで、処理槽にフッ化水素酸（ＨＦ）を混合してエッチング用の処理液を生成する。そして、所定時間のフッ化水素酸による処理の後に、処理槽に純水を供給してフッ化水素酸を含む処理液を純水で置換する。純水によるリンス処理を所定時間行った後、ノズルからドライエアを供給させつつリフタを上昇させる。これにより、リフタにより処理液の液面から引き上げられる基板をドライエアにより乾燥させる。なお、ドライエア供給装置は、低露点のドライエアを生成するのに長時間を要するので、常時作動されているのが一般的である。その関係上、エッチング用の処理液による処理が行われている際にもドライエアが供給されている。 In the substrate processing apparatus configured as described above, for example, the lifter is lowered in a processing tank storing pure water so that the substrate is immersed in pure water, and then hydrofluoric acid (HF) is mixed in the processing tank. Thus, a processing liquid for etching is generated. After the treatment with hydrofluoric acid for a predetermined time, pure water is supplied to the treatment tank to replace the treatment liquid containing hydrofluoric acid with pure water. After rinsing with pure water for a predetermined time, the lifter is raised while supplying dry air from the nozzle. Thereby, the substrate pulled up from the liquid surface of the processing liquid by the lifter is dried by dry air. Since the dry air supply device requires a long time to generate dry air with a low dew point, it is generally operated at all times. For this reason, dry air is also supplied when a process using a processing solution for etching is performed.

特開２００８−２０５３６０号公報JP 2008-205360 A 特開２００８−７８１９０号公報JP 2008-78190 A

しかしながら、このような構成を有する従来の基板処理装置には、次のような問題がある。すなわち、従来の基板処理装置では、低露点のドライエアを使用することで、基板に対する迅速な乾燥処理を実現しているが、従来の基板処理装置の構成では、ドライエア発生装置で発生されたドライエアは供給配管を介して供給部からチャンバ内へ供給され、チャンバ内で基板に対する乾燥処理が終了すると、排出部を介して基板処理装置から完全に排気している。ドライエア乾燥装置そのものがすでにＣＯＯのパフォーマンスを発揮しているとはいえ、使用したドライエアは排出部からそのまま廃棄されているので、ドライエアが無駄になるという問題があった。 However, the conventional substrate processing apparatus having such a configuration has the following problems. In other words, in the conventional substrate processing apparatus, the dry air with a low dew point is used to achieve a rapid drying process on the substrate. However, in the configuration of the conventional substrate processing apparatus, the dry air generated by the dry air generator is When the substrate is supplied from the supply unit to the chamber through the supply pipe and the drying process for the substrate is completed in the chamber, the substrate processing apparatus is completely exhausted through the discharge unit. Although the dry air drying apparatus itself has already demonstrated COO performance, the used dry air is discarded as it is from the discharge section, which causes a problem that the dry air is wasted.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、乾燥気体を効率的に使用できる基板処理装置を提供することを目的とする。 This invention is made | formed in view of such a situation, and it aims at providing the substrate processing apparatus which can use dry gas efficiently.

上述した課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、基板に対して、洗浄処理および乾燥処理を行う基板処理装置において、基板を浸漬させる処理液を貯留する処理槽と、基板を保持した状態で、前記処理槽内における処理位置と前記処理槽の上方位置に移動する保持機構と、前記処理槽の一端側の上方位置に配置され、前記処理槽の上方位置に乾燥気体を供給する供給部と、前記処理槽の他端側の上方位置であって、前記供給部と対向する位置に配置され、前記処理槽の上方位置に供給された乾燥気体を排出する排出部と、前記供給部へ乾燥気体を供給させる供給経路と、前記排出部から乾燥気体を排出させる排出経路と、前記供給経路と前記排出経路との間で連通接続され、かつ前記排出経路に流れた乾燥気体を前記供給経路へ戻す循環経路と、前記排出経路からの乾燥気体の排出と前記循環経路への乾燥気体の循環とを切り替える切替機構と、前記循環経路に設けられたファンと、前記供給部から供給される前の乾燥気体の露点を測定する第１の露点計と、前記排出部から排出された後の乾燥気体の露点を測定する第２の露点計と、前記第１の露点計および前記第２の露点計で測定された露点が所定の温度以下になったとき、前記切替機構を制御して、乾燥気体の排出から、前記循環経路への乾燥気体の循環へ切り替えを行い、前記ファンにより前記循環経路に乾燥気体を供給させる制御手段と、を備えることを特徴とするものである。 In order to solve the above-described problem, the invention described in claim 1 is a substrate processing apparatus that performs a cleaning process and a drying process on a substrate. A holding mechanism that moves to a processing position in the processing tank and an upper position of the processing tank in a held state, and an upper position on one end side of the processing tank, and supplies dry gas to the upper position of the processing tank. A supply unit, an upper position on the other end side of the processing tank, disposed at a position facing the supply unit, and a discharge unit for discharging the dry gas supplied to the upper position of the processing tank, A supply path for supplying dry gas to the supply unit, a discharge path for discharging dry gas from the discharge unit, and a dry gas that is connected in communication between the supply path and the discharge path and flows to the discharge path. Return to the supply path A circulation path, wherein the discharge of the drying gas from the discharge path and the switching mechanism for switching the circulation of the drying gas into the circulation path, a fan provided in the circulation path, dried before being supplied from the supply unit A first dew point meter that measures the dew point of the gas, a second dew point meter that measures the dew point of the dry gas after being discharged from the discharge unit, the first dew point meter and the second dew point meter. When the measured dew point becomes a predetermined temperature or less, the switching mechanism is controlled to switch from the discharge of the dry gas to the circulation of the dry gas to the circulation path, and the fan is dried to the circulation path by the fan. And a control means for supplying a gas .

本発明に記載の基板処理装置によれば、基板に対して乾燥処理を行う前に、切替機構により排出経路からの乾燥気体の排出から循環経路への乾燥気体の循環へと切り替えているので、乾燥気体を循環させながら使用することができ、その結果、乾燥気体を効率的に使用できるという顕著な効果がある。 According to the substrate processing apparatus described in the present invention, before performing the drying process on the substrate, the switching mechanism switches from the discharge of the dry gas from the discharge path to the circulation of the dry gas to the circulation path. The dry gas can be used while being circulated. As a result, the dry gas can be used efficiently.

本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. ドライエア供給装置のブロック図である。It is a block diagram of a dry air supply device. 本発明の実施形態に係る基板処理装置の電気系のブロック図である。It is a block diagram of the electric system of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 基板処理装置の処理動作の前半部分を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the first half part of the processing operation of a substrate processing apparatus. 基板処理装置の処理動作の後半部分を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the latter half part of the processing operation of a substrate processing apparatus.

以下、図面を参照して本発明の基板処理装置の実施形態を説明する。図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

この基板処理装置は、薬液、純水等の処理液を貯留する処理槽１を備えている。この処理槽１は、処理液を貯留し、起立姿勢とされた複数枚の基板Ｗを収容可能である。処理槽１の底部には、複数枚の基板Ｗが整列されている方向（紙面方向）に沿って長軸を有し、処理液を処理槽１内に供給するための一対の噴出管７が配設されている。右側の噴出管７には、供給管８の一端側が接続され、供給管８の他端側は、図示しない処理液供給源に連通接続されている。左側の噴出管７には、供給管９の一端側が接続され、供給管９の他端側は、図示しない処理液供給源に連通接続されている。一対の噴出管７には、処理液を処理槽１内へ供給するために、長軸方向に沿って複数の噴出孔（図示せず）が形成されている。供給管８，９は、フッ化水素酸（ＨＦ）や、硫酸・過酸化水素水（Ｈ_２ＳＯ_４／Ｈ_２Ｏ_２）の混合液（ＳＰＭ）などの薬液や、純水等を処理液として処理槽１内へ供給する。供給管８，９には、それぞれ流量制御弁１０，１１が取り付けられており、これらによって一対の噴出管７から処理槽１に供給される処理液の流量が調整される。 The substrate processing apparatus includes a processing tank 1 for storing a processing solution such as a chemical solution or pure water. The processing tank 1 stores a processing liquid and can accommodate a plurality of substrates W in an upright posture. At the bottom of the processing tank 1, there is a pair of ejection pipes 7 having a long axis along a direction (paper surface direction) in which a plurality of substrates W are aligned and for supplying a processing liquid into the processing tank 1. It is arranged. One end side of the supply pipe 8 is connected to the right ejection pipe 7, and the other end side of the supply pipe 8 is connected to a processing liquid supply source (not shown). One end side of a supply pipe 9 is connected to the left ejection pipe 7, and the other end side of the supply pipe 9 is connected to a processing liquid supply source (not shown). In the pair of ejection pipes 7, a plurality of ejection holes (not shown) are formed along the long axis direction in order to supply the treatment liquid into the treatment tank 1. The supply pipes 8 and 9 use a treatment liquid such as a chemical solution such as hydrofluoric acid (HF) or a mixed solution (SPM) of sulfuric acid / hydrogen peroxide solution (H ₂ SO ₄ / H ₂ O ₂ ), pure water, or the like. To the inside of the treatment tank 1. Flow control valves 10 and 11 are attached to the supply pipes 8 and 9, respectively, and the flow rate of the processing liquid supplied from the pair of ejection pipes 7 to the processing tank 1 is adjusted by these.

処理槽１は、その周囲がチャンバ１２で囲われている。チャンバ１２は、上部に開閉自在の上部カバー１３を備えている。起立姿勢で複数枚の基板Ｗを支持するリフタ１５は、チャンバ１２の上方にあたる「待機位置」と、処理槽１の内部にあたる「処理位置」と、処理槽１の上方であってチャンバ１２の内部にあたる「乾燥位置」とにわたって移動可能である。リフタ１５は、複数枚の基板Ｗを当接支持する３つの支持部材１６を下部に備えている。 The processing tank 1 is surrounded by a chamber 12. The chamber 12 includes an upper cover 13 that can be freely opened and closed. The lifter 15 that supports the plurality of substrates W in a standing posture includes a “standby position” that is above the chamber 12, a “processing position” that is inside the processing tank 1, and an interior of the chamber 12 that is above the processing tank 1. It can move over the “drying position”. The lifter 15 includes three support members 16 at the bottom for supporting a plurality of substrates W.

チャンバ１２の上方にあたる「待機位置」には、複数枚の基板Ｗを支持したリフタ１５の通過を検知する検出センサ１４が設けられている。この検出センサ１４は、チャンバ１２へ搬入される前のリフタ１５を検知する。 A detection sensor 14 that detects the passage of the lifter 15 that supports a plurality of substrates W is provided at a “standby position” above the chamber 12. This detection sensor 14 detects the lifter 15 before being carried into the chamber 12.

処理槽１の底部には、排出口１７が形成されている。この排出口１７には、ＱＤＲ弁１９が取り付けられている。この排出口１７を介して処理槽１内の処理液を排出すると、処理液がチャンバ１２内の底部に一旦排出される。チャンバ１２の底部には排液弁２１が取り付けられており、排液弁２１が開放されると、チャンバ１２内に一旦貯留された処理液がチャンバの外部へ排出される。また、噴出管７から供給されて処理槽１から溢れ、チャンバ１２内に排出された処理液も同様にして排液弁２１を介して外部に排出される。 A discharge port 17 is formed at the bottom of the processing tank 1. A QDR valve 19 is attached to the discharge port 17. When the processing liquid in the processing tank 1 is discharged through the discharge port 17, the processing liquid is once discharged to the bottom of the chamber 12. A drain valve 21 is attached to the bottom of the chamber 12. When the drain valve 21 is opened, the processing liquid once stored in the chamber 12 is discharged to the outside of the chamber. Further, the processing liquid supplied from the ejection pipe 7 and overflowing from the processing tank 1 and discharged into the chamber 12 is also discharged outside through the drain valve 21 in the same manner.

チャンバ１２のうち、処理槽１の上縁側方には、リフタ１５に支持された複数枚の基板Ｗの側方から乾燥気体であるドライエアを供給するための供給部２３が配設されている。また、処理槽１を挟んで供給部２３と対向する位置には、チャンバ１２からドライエアを排出するための排出部２５が配設されている。供給部２３は、処理槽１に貯留している処理液の液面近傍に開口するように、ドライエアを噴出する噴射口２７を備え、排出部２５は、ドライエアをチャンバ１２外へ排出するための排出口２９を処理槽１側に備えている。 A supply unit 23 for supplying dry air, which is a dry gas, from the side of the plurality of substrates W supported by the lifter 15 is disposed on the side of the upper edge of the processing tank 1 in the chamber 12. A discharge unit 25 for discharging the dry air from the chamber 12 is disposed at a position facing the supply unit 23 with the processing tank 1 interposed therebetween. The supply unit 23 includes an injection port 27 that ejects dry air so as to open near the liquid level of the processing liquid stored in the processing tank 1, and the discharge unit 25 discharges the dry air to the outside of the chamber 12. A discharge port 29 is provided on the processing tank 1 side.

供給部２３には、一端側がドライエア供給装置３１に連通接続された供給配管３３の他端側が連通接続されている。ドライエア供給装置３１の詳細な説明については、後述する。 The supply unit 23 is connected to the other end of a supply pipe 33 having one end connected to the dry air supply device 31 in communication. A detailed description of the dry air supply device 31 will be described later.

排出部２５には、排出配管３９の一端側が連通接続されている。この排出配管３９の他端側にはブロア（図示省略）が接続されている。この排出配管３９の途中には、上流側から第２の露点計４１、開閉弁４３が順番に設けられている。この開閉弁４３を開閉制御することにより、チャンバ１２からのドライエアの排出・停止（循環）を切り替える。開閉弁４３が開の状態でブロアが作動すると、チャンバ１２内にあるドライエアが排出部２５の排出口２９、排出配管３９を介して基板処理装置の外部へ排出される。 One end of a discharge pipe 39 is connected to the discharge unit 25 in communication. A blower (not shown) is connected to the other end side of the discharge pipe 39. In the middle of the discharge pipe 39, a second dew point meter 41 and an on-off valve 43 are provided in this order from the upstream side. By controlling the opening / closing of the on / off valve 43, the discharge / stop (circulation) of the dry air from the chamber 12 is switched. When the blower operates with the open / close valve 43 open, the dry air in the chamber 12 is discharged to the outside of the substrate processing apparatus through the discharge port 29 and the discharge pipe 39 of the discharge unit 25.

この基板処理装置には、ドライエア供給装置３１に一端側が接続され、排出配管３９における第２の露点計４１と開閉弁４３との間の位置に他端側が接続されている循環配管４５が設けられている。循環配管４５の途中には、上流側から上流側開閉弁４７、ファン４９、下流側開閉弁５１が順に設けられている。上流側開閉弁４７及び下流側開閉弁５１を開閉制御することにより、循環配管４５へのドライエアの供給・停止を切り替える。なお、開閉弁４３及び上流側開閉弁４７が、本発明における切替機構に相当する。 This substrate processing apparatus is provided with a circulation pipe 45 having one end connected to the dry air supply device 31 and having the other end connected to a position between the second dew point meter 41 and the on-off valve 43 in the discharge pipe 39. ing. In the middle of the circulation pipe 45, an upstream side open / close valve 47, a fan 49, and a downstream side open / close valve 51 are provided in this order from the upstream side. Supply / stop of the dry air to the circulation pipe 45 is switched by controlling the opening / closing of the upstream opening / closing valve 47 and the downstream opening / closing valve 51. The on-off valve 43 and the upstream-side on-off valve 47 correspond to the switching mechanism in the present invention.

次に、ドライエア供給装置について説明する。図２は、ドライエア供給装置のブロック図である。 Next, the dry air supply device will be described. FIG. 2 is a block diagram of the dry air supply device.

このドライエア供給装置３１には、供給配管３３の一端側に接続された供給配管５３が設けられている。この供給配管５３の上流側にはエア供給源（図示省略）が接続されている。この供給配管５３には、エア供給源から供給されてきたエアを下流側のチャンバ１２へ流すためのファン５５、開閉弁５７、ドライエア生成機構７０、第１の露点計５９が上流側から順に設けられている。 The dry air supply device 31 is provided with a supply pipe 53 connected to one end side of the supply pipe 33. An air supply source (not shown) is connected to the upstream side of the supply pipe 53. The supply pipe 53 is provided with a fan 55, an on-off valve 57, a dry air generation mechanism 70, and a first dew point meter 59 for flowing air supplied from an air supply source to the downstream chamber 12 in order from the upstream side. It has been.

供給配管５３の開閉弁５７とドライエア生成機構７０との間の位置には、循環配管４５の他端側が接続されている。循環配管４５から供給されてきたドライエアは、開閉弁５７が閉状態で供給配管５３へ供給されると、ドライエア生成機構７０、第１の露点計５９側へ流れていく。 The other end side of the circulation pipe 45 is connected to a position between the on-off valve 57 of the supply pipe 53 and the dry air generation mechanism 70. The dry air supplied from the circulation pipe 45 flows to the dry air generation mechanism 70 and the first dew point meter 59 side when supplied to the supply pipe 53 with the on-off valve 57 closed.

供給配管５３のファン５５が設けられている位置より上流側の位置に、排出配管６０の一端側が接続されている。この排出配管６０には、エア供給源から供給されてきたエアをドライエア供給装置３１から排気させるファン６２、エアを加熱するヒータ６４、ドライエア生成機構７０が上流側から順に設けられている。 One end of the discharge pipe 60 is connected to a position upstream of the position where the fan 55 of the supply pipe 53 is provided. The exhaust pipe 60 is provided with a fan 62 for exhausting air supplied from an air supply source from the dry air supply device 31, a heater 64 for heating air, and a dry air generating mechanism 70 in this order from the upstream side.

次に、ドライエア生成機構７０について説明する。 Next, the dry air generation mechanism 70 will be described.

このドライエア生成機構７０は、円筒状のゼオライト７１と、軸芯部材７２と、モーター７３とを備えている。モーター７３の回転軸（図示省略）に軸芯部材７２の一端側が連結されている。軸芯部材７２の他端側には、ゼオライト７１が取り付けられている。 The dry air generation mechanism 70 includes a cylindrical zeolite 71, a shaft core member 72, and a motor 73. One end side of the shaft core member 72 is connected to a rotation shaft (not shown) of the motor 73. A zeolite 71 is attached to the other end side of the shaft core member 72.

このゼオライト７１は、複数の微細孔を有した構造で、水分子を吸着するものであり、上流側の供給配管５３と下流側の供給配管５３の間の位置及び上流側の排出配管６０と下流側の排出配管６０の間の位置に配置されている。開閉弁５７が開の状態で、エア供給源から上流側の供給配管５３へ供給されてきた除湿前のエア（温度２５℃、湿度４５％）はゼオライト７１へ供給される。エアがゼオライト７１を通過するとドライエアが生成され、エアに含まれていた水分がゼオライト７１に吸収される。 The zeolite 71 has a structure having a plurality of micropores, and adsorbs water molecules. The zeolite 71 is positioned between the upstream supply pipe 53 and the downstream supply pipe 53 and the upstream discharge pipe 60 and the downstream. It arrange | positions in the position between the discharge piping 60 of the side. Air before dehumidification (temperature 25 ° C., humidity 45%) supplied from the air supply source to the upstream supply pipe 53 in the open state of the on-off valve 57 is supplied to the zeolite 71. When the air passes through the zeolite 71, dry air is generated, and the moisture contained in the air is absorbed by the zeolite 71.

このとき、モーター７３が駆動しているので、ゼオライト７１が一方向に回転している。このゼオライト７１の回転にともなって、上流側の供給配管５３と下流側の供給配管５３の間の位置にあるゼオライト７１の水分を含んだ部分は、上流側の排出配管６０と下流側の排出配管６０の間の位置に移動する。 At this time, since the motor 73 is driven, the zeolite 71 rotates in one direction. Along with the rotation of the zeolite 71, the portion containing the moisture of the zeolite 71 located between the upstream supply pipe 53 and the downstream supply pipe 53 is connected to the upstream discharge pipe 60 and the downstream discharge pipe. Move to a position between 60.

一方、供給配管５３から排出配管６０へ流れてきたエアは、ヒータ６４で加熱されて高温のエアとなり、上流側の排出配管６０と下流側の排出配管６０の間の位置にあるゼオライト７１の水分を含んだ部分へ供給される。この高温のエアによりゼオライト７１の水分を含んだ部分が乾燥される。これにより、ゼオライト７１は、再度ドライエア生成用として利用することが可能となる。 On the other hand, the air flowing from the supply pipe 53 to the discharge pipe 60 is heated by the heater 64 to become high-temperature air, and the moisture of the zeolite 71 located at a position between the upstream discharge pipe 60 and the downstream discharge pipe 60. Supplied to the part containing The portion of the zeolite 71 containing moisture is dried by this high-temperature air. Thereby, the zeolite 71 can be used again for generating dry air.

図３は、この基板処理装置の電気系のブロック図である。図３に示すように、上述したリフタ１５の上下移動の昇降動作や、ＱＤＲ弁１９及び排液弁２１の開閉、流量制御弁１０，１１、開閉弁４３，４７，５１，５７、検出センサ１４、第１の露点計５９、第２の露点計４１、ファン４９，５５，６２、ヒータ６４、モーター７３は、本発明における制御手段に相当する制御部８０によって統括的に制御される。特に、流量制御弁１０，１１、検出センサ１４及び開閉弁４３，４７，５１，５７等については、制御部８０によって、以下に説明するように、特徴的な操作が行われる。 FIG. 3 is a block diagram of the electrical system of this substrate processing apparatus. As shown in FIG. 3, the lifter 15 moves up and down as described above, opens and closes the QDR valve 19 and the drain valve 21, the flow control valves 10 and 11, the on-off valves 43, 47, 51, 57, and the detection sensor 14. The first dew point meter 59, the second dew point meter 41, the fans 49, 55, 62, the heater 64, and the motor 73 are centrally controlled by the control unit 80 corresponding to the control means in the present invention. In particular, the flow control valves 10 and 11, the detection sensor 14, and the on-off valves 43, 47, 51, and 57 are operated by the control unit 80 as described below.

次に、上述した構成の基板処理装置の動作について、図４及び図５に基づいて説明する。図４は、基板処理装置の処理動作の前半部分を示すフローチャートであり、図５は、基板処理装置の処理動作の後半部分を示すフローチャートである。 Next, the operation of the substrate processing apparatus having the above-described configuration will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a flowchart showing the first half of the processing operation of the substrate processing apparatus, and FIG. 5 is a flowchart showing the second half of the processing operation of the substrate processing apparatus.

＜洗浄処理前＞
まず、初期状態として、複数枚の基板Ｗを支持したリフタ１５がチャンバ１２内へ搬入される前には、制御部８０からの制御により、開閉弁４３，４７，５１，５７が閉の状態である。検出センサ１４が、「待機位置」複数枚の基板Ｗを保持したリフタ１５を検知する（ステップＳ１）。検出センサ１４がリフタ１５を検知すると、上部カバー１３が開き、チャンバ１２内への基板Ｗの搬入が可能となる（ステップＳ２）。 <Before cleaning>
First, as an initial state, before the lifter 15 supporting a plurality of substrates W is carried into the chamber 12, the on / off valves 43, 47, 51, 57 are closed by the control from the control unit 80. is there. The detection sensor 14 detects the lifter 15 holding a plurality of substrates W in “standby position” (step S1). When the detection sensor 14 detects the lifter 15, the upper cover 13 is opened, and the substrate W can be carried into the chamber 12 (step S2).

次に、複数枚の基板Ｗを支持したリフタ１５がチャンバ１２内へ搬入される（ステップＳ３）。複数枚の基板Ｗを支持したリフタ１５は、「待機位置」から「乾燥位置」、「乾燥位置」から「処理位置」に移動し、複数枚の基板Ｗは、処理槽１に貯留された処理液に浸漬され、リフタ１５の搬入は完了する（ステップＳ４）。リフタ１５の処理槽１への搬入が完了すると、上部カバー１３が閉じられる（ステップＳ５）。 Next, the lifter 15 supporting the plurality of substrates W is carried into the chamber 12 (step S3). The lifter 15 that supports the plurality of substrates W moves from the “standby position” to the “drying position” and from the “drying position” to the “processing position”, and the plurality of substrates W are processed in the processing tank 1. It is immersed in the liquid, and the carry-in of the lifter 15 is completed (step S4). When the carry-in of the lifter 15 into the processing tank 1 is completed, the upper cover 13 is closed (step S5).

＜洗浄処理時＞
次に、制御部８０は、流量制御弁１０，１１を同じ流量に設定して開放し、一対の噴出管７から同じ流量で処理液として薬液を処理槽１内へ供給させる。すると、薬液は、処理槽１の底部両端部の一対の噴出管７から供給され、底部中央にて上方へ向かい、液面付近で左右に分かれて処理槽１から溢れ出る。この状態を所定時間だけ維持させることにより、基板Ｗに対して薬液による処理が行われる（ステップＳ６）。 <During washing process>
Next, the control unit 80 sets the flow rate control valves 10 and 11 to the same flow rate, opens them, and causes the pair of jet pipes 7 to supply the chemical solution as the processing liquid into the processing tank 1 at the same flow rate. Then, the chemical solution is supplied from the pair of ejection pipes 7 at both ends of the bottom of the processing tank 1, and moves upward at the center of the bottom, and is divided into left and right near the liquid surface and overflows from the processing tank 1. By maintaining this state for a predetermined time, the substrate W is processed with a chemical solution (step S6).

次に、制御部８０は、一対の噴出管７から同じ流量で処理液として純水を処理槽１内へ供給させる。すると、純水は、処理槽１の底部両端部の一対の噴出管７から供給され、底部中央にて上方へ向かい、液面付近で左右に分かれて処理槽１から溢れ出る。この状態を所定時間だけ維持させることにより、基板Ｗに対してリンス処理が行われる（ステップＳ７）。 Next, the control unit 80 supplies pure water as treatment liquid from the pair of ejection pipes 7 at the same flow rate into the treatment tank 1. Then, pure water is supplied from a pair of jet pipes 7 at both ends of the bottom of the processing tank 1, upwards at the center of the bottom, and divided into left and right near the liquid level and overflows from the processing tank 1. By maintaining this state for a predetermined time, a rinsing process is performed on the substrate W (step S7).

このリンス処理の途中に、制御部８０によりファン５５の駆動を開始するとともに開閉弁５７，４３を閉から開の状態にすると、処理槽１の上部は、供給部２３の噴射口２７からドライエアが供給され、排出部２５の排出口２９から排出された状態となる（ステップＳ８）。リンス処理が開始されてから所定時間経過したか否かを判断する（ステップＳ９）。所定時間経過していれば、リンス処理が終了し、リンス処理から乾燥処理へ移行する。 During the rinsing process, when the control unit 80 starts driving the fan 55 and opens the on-off valves 57 and 43 from the closed state to the open state, the upper portion of the processing tank 1 receives dry air from the injection port 27 of the supply unit 23. It is supplied and is discharged from the discharge port 29 of the discharge unit 25 (step S8). It is determined whether a predetermined time has elapsed since the start of the rinsing process (step S9). If the predetermined time has elapsed, the rinsing process is completed, and the rinsing process is shifted to the drying process.

＜乾燥処理時＞
制御部８０は、流量制御弁１１の流量をゼロに設定する（ステップＳ１０）。これにより、左側の噴出管７からは純水の供給が停止され、右側の噴出管７のみから純水が供給される。したがって、純水は、処理槽１の底部右側から底部に沿って左側の噴出管７側へ向かった後、処理槽１の側壁に沿って上昇し、液面付近を排出部２５側へ向かって流れた後に処理槽１の上縁から溢れて排出される。 <Drying process>
The controller 80 sets the flow rate of the flow control valve 11 to zero (step S10). Thereby, the supply of pure water is stopped from the left jet pipe 7 and pure water is supplied only from the right jet pipe 7. Therefore, after deionized water goes from the bottom right side of the processing tank 1 to the left ejection pipe 7 side along the bottom, it rises along the side wall of the processing tank 1, and the vicinity of the liquid level toward the discharge unit 25 side. After flowing, it overflows from the upper edge of the processing tank 1 and is discharged.

このとき、供給部２３の噴射口２７から供給されるドライエアの露点を確認する。すなわち、供給部２３から供給される前のドライエアの露点については第１の露点計５９が−９５℃以下、排出部２５から排出された後の露点については第２の露点計４１が−３０℃以下であるか否かを判断する（ステップＳ１１）。第１の露点計５９及び第２の露点計４１が、ステップＳ１１の条件を満たせば、開閉弁４３を開から閉の状態、開閉弁４７を閉から開の状態にするとともに、ファン４９の駆動を開始して、ドライエアの循環配管４５への循環を開始する（ステップＳ１２）。 At this time, the dew point of the dry air supplied from the injection port 27 of the supply part 23 is confirmed. That is, the first dew point meter 59 is −95 ° C. or less for the dew point of the dry air before being supplied from the supply unit 23, and the second dew point meter 41 is −30 ° C. for the dew point after being discharged from the discharge unit 25. It is determined whether or not the following is true (step S11). If the first dew point meter 59 and the second dew point meter 41 satisfy the condition of step S11, the open / close valve 43 is opened and closed, the open / close valve 47 is closed and opened, and the fan 49 is driven. And circulation of dry air to the circulation pipe 45 is started (step S12).

ファン４９により循環配管４５内に十分なドライエアが送り込まれると、開閉弁５７を開から閉の状態、開閉弁５１を閉から開の状態にするとともに、ファン５５を停止させて、ドライエアの循環配管４５への循環を完了する（ステップＳ１３）。 When enough dry air is fed into the circulation pipe 45 by the fan 49, the on-off valve 5 7 from the open-closed state, the opening and closing valve 51 as well as from the closed to the open state, the fan 55 is stopped, circulation of dry air The circulation to the pipe 45 is completed (step S13).

次に、リンス処理の終了した複数枚の基板Ｗを支持したリフタ１５の純水からの引き上げを開始する（ステップＳ１４）。リフタ１５の引き上げにともなって、純水の液面から順次に露出する基板Ｗにドライエアが供給され、基板Ｗに対する乾燥処理が行われる（ステップＳ１５）。このとき、リフタ１５を処理槽１からの引き上げ時、複数枚の基板Ｗを当接支持している３つの支持部材１６を、供給部２３と排出部２５との間に形成される送風路に対して位置合わせを行い、一旦リフタ１５を停止させる（ステップＳ１６）。 Next, the lifting of the lifter 15 supporting the plurality of substrates W after the rinsing process from the pure water is started (step S14). As the lifter 15 is lifted, dry air is supplied to the substrate W that is sequentially exposed from the liquid surface of the pure water, and the substrate W is dried (step S15). At this time, when the lifter 15 is lifted from the processing tank 1, the three support members 16 that abut and support the plurality of substrates W are arranged in the air passage formed between the supply unit 23 and the discharge unit 25. Position alignment is performed, and the lifter 15 is once stopped (step S16).

このようにして基板Ｗの乾燥処理が行われるが、ドライエアの供給方向と液面付近における純水の流れとが一致するので、純水の流れに澱みが生じにくく、洗浄時に基板Ｗから剥離されて純水中に漂うパーティクルや処理槽１内の純水中に元々存在するパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板Ｗにパーティクルが付着するのを防止することができ、基板Ｗを清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、ドライエアにより液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板Ｗに飛沫が付着することを防止でき、基板Ｗの乾燥不良を防止することができる。 In this way, the substrate W is dried. However, since the supply direction of the dry air and the flow of pure water in the vicinity of the liquid surface coincide with each other, the flow of pure water hardly causes stagnation and is peeled off from the substrate W during cleaning. Thus, particles drifting in the pure water and particles originally existing in the pure water in the treatment tank 1 are efficiently discharged. As a result, it is possible to prevent particles from adhering to the substrate W to be pulled up, and the substrate W can be processed with high cleanliness. In addition, since the central portion of the liquid surface does not rise and it is possible to prevent the air surface from being rippled by dry air, it is possible to prevent the droplets from adhering to the substrate W being pulled up and to dry the substrate W. Defects can be prevented.

乾燥処理が終了すると、上部カバー１３が開き、チャンバ１２内から基板Ｗの搬出が可能となる（ステップＳ１７）。このとき、循環配管４５のファン４９を停止し、開閉弁４７及び開閉弁５１を開から閉の状態にして、ドライエアの循環配管４５への循環を終了する（ステップＳ１８）。その後、リフタ１５がチャンバ１２から搬出される（ステップＳ１９）。 When the drying process is completed, the upper cover 13 is opened, and the substrate W can be taken out from the chamber 12 (step S17). At this time, the fan 49 of the circulation pipe 45 is stopped, the on-off valve 47 and the on-off valve 51 are changed from the open state to the closed state, and the circulation of the dry air to the circulation pipe 45 is finished (step S18). Thereafter, the lifter 15 is unloaded from the chamber 12 (step S19).

以上により、ウエハＷに対する薬液処理、リンス処理および乾燥処理を含む基板処理装置の一連の処理動作が終了する。 Thus, a series of processing operations of the substrate processing apparatus including the chemical processing, rinsing processing, and drying processing for the wafer W is completed.

上述した実施形態によると、基板Ｗの乾燥処理前に、第１の露点計５９及び第２の露点計４１が、ステップＳ１１の条件を満たせば、開閉弁４３を開から閉の状態、開閉弁４７を閉から開の状態にするとともに、ドライエアの循環配管４５への循環を開始し、ファン４９により循環配管４５内に十分なドライエアが送り込まれると、開閉弁５７を開から閉の状態、開閉弁５１を閉から開の状態にするとともに、ファン５５を停止させて、ドライエアの循環配管４５への循環を完了している。その結果、ドライエアを循環配管４５に循環させながら使用することができ、その結果、ドライエアを効率的に使用できるという顕著な効果がある。 According to the above-described embodiment, before the substrate W is dried, if the first dew point meter 59 and the second dew point meter 41 satisfy the condition of step S11, the on / off valve 43 is opened to the closed state. 47 is changed from closed to open, and circulation of dry air to the circulation pipe 45 is started. When sufficient dry air is sent into the circulation pipe 45 by the fan 49, the on-off valve 57 is opened and closed. While the valve 51 is changed from the closed state to the open state, the fan 55 is stopped and the circulation of the dry air to the circulation pipe 45 is completed. As a result, the dry air can be used while being circulated through the circulation pipe 45. As a result, there is a remarkable effect that the dry air can be used efficiently.

また、上述した実施形態によると、第１の露点計５９及び第２の露点計４１という２つの露点計により、ドライエアの循環配管４５への循環を制御しているので、正確で正しい時期に循環を開始することができる。 Further, according to the above-described embodiment, the circulation of the dry air to the circulation pipe 45 is controlled by the two dew point meters of the first dew point meter 59 and the second dew point meter 41, so that the circulation is performed at an accurate and correct time. Can start.

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.

例えば、上述した実施形態では、処理槽１が単槽で構成されているが、内槽と、内槽から溢れた処理液を回収する外槽とを備えた複槽式の処理槽であってもよい。 For example, in the above-described embodiment, the processing tank 1 is configured as a single tank, but is a multi-tank processing tank including an inner tank and an outer tank that collects a processing liquid overflowing from the inner tank. Also good.

また、上述した実施形態では、供給部２３からドライエアを供給しているが、これに代えてドライ窒素（Ｎ_２）や他の乾燥気体を供給する構成としてもよい。 In the above-described embodiment, dry air is supplied from the supply unit 23. However, instead of this, dry nitrogen (N ₂ ) or other dry gas may be supplied.

１処理槽
１２チャンバ
１５リフタ
２３供給部
２５排出部
２７噴射口
２９排出口
３１ドライエア供給装置
３３供給配管
３９排出配管
４１第２の露点計
４２開閉弁
４５循環配管
４７開閉弁
４９ファン
５１開閉弁
５７開閉弁
５９第１の露点計 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing tank 12 Chamber 15 Lifter 23 Supply part 25 Discharge part 27 Injection port 29 Discharge port 31 Dry air supply device 33 Supply pipe 39 Discharge pipe 41 2nd dew point meter 42 Open / close valve 45 Circulation pipe 47 Open / close valve 49 Fan 51 Open / close valve 57 On-off valve 59 First dew point meter

Claims

In a substrate processing apparatus that performs a cleaning process and a drying process on a substrate,
A treatment tank for storing a treatment liquid for immersing the substrate;
In a state where the substrate is held, a holding mechanism that moves to a processing position in the processing tank and a position above the processing tank;
A supply unit that is disposed at an upper position on one end side of the processing tank and supplies a dry gas to an upper position of the processing tank;
An upper position on the other end side of the processing tank, disposed at a position facing the supply section, and a discharge section for discharging the dry gas supplied to the upper position of the processing tank;
A supply path for supplying dry gas to the supply unit;
A discharge path for discharging dry gas from the discharge unit;
A circulation path that is connected in communication between the supply path and the discharge path and returns the dry gas that has flowed to the discharge path to the supply path;
A switching mechanism for switching between discharge of dry gas from the discharge path and circulation of dry gas to the circulation path;
A fan provided in the circulation path;
A first dew point meter for measuring a dew point of the dry gas before being supplied from the supply unit;
A second dew point meter for measuring the dew point of the dry gas after being discharged from the discharge unit;
When the dew points measured by the first dew point meter and the second dew point meter are below a predetermined temperature, the switching mechanism is controlled to discharge dry gas from the dry gas to the circulation path. Control means for switching to circulation and supplying dry gas to the circulation path by the fan;
A substrate processing apparatus comprising: