[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP5481411B2 - Laser ion source and laser ion source driving method - Google Patents

Laser ion source and laser ion source driving method Download PDF

Info

Publication number
JP5481411B2
JP5481411B2 JP2011035898A JP2011035898A JP5481411B2 JP 5481411 B2 JP5481411 B2 JP 5481411B2 JP 2011035898 A JP2011035898 A JP 2011035898A JP 2011035898 A JP2011035898 A JP 2011035898A JP 5481411 B2 JP5481411 B2 JP 5481411B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion beam
aperture
container
ion
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011035898A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2012174515A (en
Inventor
晶子 角谷
林  和夫
昭宏 長内
潔和 佐藤
郁男 渡辺
健 吉行
努 来栖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2011035898A priority Critical patent/JP5481411B2/en
Publication of JP2012174515A publication Critical patent/JP2012174515A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5481411B2 publication Critical patent/JP5481411B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Particle Accelerators (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

本発明の実施形態は、レーザ光の照射によりイオンを発生させるレーザ・イオン源に係わり、特に多価イオンの選別機構を備えたレーザ・イオン源及びレーザ・イオン源の駆動方法に関する。   Embodiments described herein relate generally to a laser ion source that generates ions by laser light irradiation, and more particularly to a laser ion source having a multivalent ion selection mechanism and a method for driving the laser ion source.

近年、高エネルギーの炭素イオンの照射によるがん治療法が開発され、実際に、一般病院にイオン加速装置が設置されて、治療も始まっている。この種の装置の更なる性能向上には、高密度の6価の炭素イオンを生成するイオン源が不可欠である。従来のマイクロ波放電プラズマを使ったイオン源は、この点で非力なので、新たなイオン源の開発が強く望まれている。   In recent years, cancer treatment methods using high-energy carbon ion irradiation have been developed. In fact, ion accelerators have been installed in general hospitals, and treatment has begun. In order to further improve the performance of this type of apparatus, an ion source that generates high-density hexavalent carbon ions is indispensable. Since conventional ion sources using microwave discharge plasma are ineffective in this respect, development of a new ion source is strongly desired.

高密度イオンビーム生成の能力を持つイオン源として、レーザ・イオン源が開発されている。このレーザ・イオン源は、レーザ光をターゲットに集光照射し、レーザ光のエネルギーによりターゲットをイオン化する。そして、ターゲットから生成されたイオンを静電的に引出してイオンビームを作り出す。   Laser ion sources have been developed as ion sources capable of generating high-density ion beams. This laser ion source condenses and irradiates laser light onto a target and ionizes the target with the energy of the laser light. Then, ions generated from the target are electrostatically extracted to generate an ion beam.

しかし、この種のレーザ・イオン源にあっては、次のような問題があった。即ち、レーザ・イオン源から輸送されるイオンには、レーザ光のエネルギーと密度に依存した複数の価数のイオンが混在している。このため、取り出したいイオンが6価の炭素イオンであるにも拘わらず、それ以外の価数のイオンも放出されてしまう。   However, this type of laser ion source has the following problems. That is, the ions transported from the laser ion source are mixed with ions having a plurality of valences depending on the energy and density of the laser beam. For this reason, although ions to be extracted are hexavalent carbon ions, ions having other valences are also released.

下流の線形加速器に価数の選別機能を持たせることにより、6価のイオンのみを選択して用いることはできる。しかし、この場合、不要な価数のイオンは線形加速器内で汚れとして滞留することになり、電極を汚染したり、放電を起こす要因となる。これを防止するためには線形加速器内に付着したイオンを定期的に除去する必要があるが、線形加速器は非常に大型で精密な機械であり、そのメンテナンスには多大な労力が伴う。   By providing the downstream linear accelerator with a valence selection function, only hexavalent ions can be selected and used. However, in this case, ions with an unnecessary valence stay as dirt in the linear accelerator, which causes contamination of the electrode or causes discharge. In order to prevent this, it is necessary to periodically remove ions adhering in the linear accelerator. However, the linear accelerator is a very large and precise machine, and its maintenance involves a great deal of labor.

特許第3713524号Japanese Patent No. 3713524 特開2009−37764号公報JP 2009-37764 A

上述したレーザ・イオン源においては、複数の価数のイオンが混在したままで下流の線形加速器に入射するため、不要なイオンが線形加速器内に滞留し、電極を汚染し、放電を起こすことが課題であった。   In the laser ion source described above, since ions of a plurality of valences are mixed and enter the downstream linear accelerator, unnecessary ions may stay in the linear accelerator, contaminate the electrode, and cause discharge. It was a challenge.

本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、不要なイオンの放出を抑制することができ、不要なイオンによる下流の線形加速器側の汚染を低減することが可能なレーザ・イオン源及びレーザ・イオン源の駆動方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and is capable of suppressing the emission of unnecessary ions and capable of reducing contamination on the downstream linear accelerator side by unnecessary ions. It is an object of the present invention to provide a source and a method for driving a laser ion source.

本発明の実施形態に係わるレーザ・イオン源は、真空排気される容器と、前記容器内に配置され、レーザ光の照射により多価イオンを発生するターゲットが収容された照射箱と、前記照射箱からイオンを静電的に引き出し、イオンビームとして前記容器の外部に導くイオンビーム引き出し手段と、前記照射箱から引き出されたイオンビームを電磁力により収束する電磁レンズと、前記電磁レンズの下流側の位置に設けられ、該位置で収束されたイオンビームを通過させるアパーチャと、を具備したことを特徴とする。   A laser ion source according to an embodiment of the present invention includes a container that is evacuated, an irradiation box that is disposed in the container and contains a target that generates multivalent ions when irradiated with laser light, and the irradiation box Ion beam extraction means for electrostatically extracting ions from the container and guiding them to the outside of the container as an ion beam, an electromagnetic lens for converging the ion beam extracted from the irradiation box by electromagnetic force, and a downstream side of the electromagnetic lens And an aperture that allows an ion beam focused at the position to pass therethrough.

本発明の実施形態によれば、不要なイオンの放出を抑制することができ、不要なイオンによる下流の線形加速器側の汚染を低減することができる。   According to the embodiment of the present invention, it is possible to suppress emission of unnecessary ions, and it is possible to reduce contamination on the downstream linear accelerator side due to unnecessary ions.

第1の実施形態に係わるレーザ・イオン源の概略構成を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a laser ion source according to a first embodiment. 第1の実施形態におけるイオンビームの選別の様子を示す断面図。Sectional drawing which shows the mode of selection of the ion beam in 1st Embodiment. (a)及び(b)は第1の実施形態におけるイオンビームの選別の原理を説明するための概略説明図。(A) And (b) is a schematic explanatory drawing for demonstrating the principle of selection of the ion beam in 1st Embodiment. 第2の実施形態に係わるレーザ・イオン源の要部構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the principal part structure of the laser ion source concerning 2nd Embodiment. 第3の実施形態に係わるレーザ・イオン源の要部構成を示す平面図。The top view which shows the principal part structure of the laser ion source concerning 3rd Embodiment. (a)は第3の実施形態の変形例を示す平面図、(b)は更に別の変形例を示す平面図と断面図。(A) is a top view which shows the modification of 3rd Embodiment, (b) is the top view and sectional drawing which show another modification. 第4の実施形態に係わるレーザ・イオン源の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the laser ion source concerning 4th Embodiment. 第5の実施形態に係わるレーザ・イオン源の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the laser ion source concerning 5th Embodiment. (a)及び(b)は第5の実施形態におけるイオンビームの選別の原理を説明するための概略説明図。(A) And (b) is a schematic explanatory drawing for demonstrating the principle of selection of the ion beam in 5th Embodiment. 第6の実施形態に係わるレーザ・イオン源の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the laser ion source concerning 6th Embodiment. 第7の実施形態に係わるレーザ・イオン源の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the laser ion source concerning 7th Embodiment. (a)から(c)は第7の実施形態におけるイオンビームの選別の原理を説明するための概略説明図。(A) to (c) are schematic explanatory views for explaining the principle of ion beam selection in the seventh embodiment. 第8の実施形態に係わるレーザ・イオン源の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the laser ion source concerning 8th Embodiment.

以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.

(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係わるレーザ・イオン源の概略構成を示す断面図である。図2は、図1の一部(破線円で囲んだ部分)を拡大して示す断面図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a laser ion source according to the first embodiment of the present invention. 2 is an enlarged cross-sectional view of a part of FIG. 1 (a part surrounded by a broken-line circle).

本実施形態のレーザ・イオン源は、イオン源本体100とイオン源輸送系200及び線形加速器(RFQ)300で構成されている。   The laser ion source of the present embodiment includes an ion source main body 100, an ion source transport system 200, and a linear accelerator (RFQ) 300.

イオン源本体100は、真空容器10,引き出し電極12,及び照射箱20等で構成されている。容器10はステンレス製であり、この容器10内の中央部に、レーザ照射部を覆うための照射箱20が設置されている。照射箱20内には、イオンとなる元素又はそれを含有するターゲット21が設置されている。ターゲット21としては、例えばカーボン系の板状部材が選択される。   The ion source main body 100 includes a vacuum vessel 10, a lead electrode 12, an irradiation box 20, and the like. The container 10 is made of stainless steel, and an irradiation box 20 for covering the laser irradiation unit is installed at the center of the container 10. In the irradiation box 20, an element that becomes an ion or a target 21 containing the element is installed. For example, a carbon plate member is selected as the target 21.

照射箱20の上面には、レーザ光を入射するための窓22が設けられている。そして、図示しない光学系を介してレーザ光31が照射箱20内に入射され、ターゲット21に集光照射されるようになっている。レーザ光を放出する光源としては、CoレーザやNd−YAGレーザを用いることができる。 On the upper surface of the irradiation box 20, a window 22 for entering laser light is provided. Then, the laser beam 31 enters the irradiation box 20 through an optical system (not shown), and is focused on the target 21. As a light source for emitting laser light, a Co 2 laser or an Nd-YAG laser can be used.

照射箱20は絶縁支柱11によって支えられ、図示しない高電圧電源によって、高電圧が印加される。正イオンビーム生成のときは正電位を、負イオンビーム生成のときは負電位を与えるように構成されている。   The irradiation box 20 is supported by the insulating support 11, and a high voltage is applied by a high voltage power source (not shown). A positive potential is applied when generating a positive ion beam, and a negative potential is applied when generating a negative ion beam.

照射箱20の一側面(図では右側面)には、イオンを取り出すための窓23が設けられている。照射箱20の窓23が設けられた一側面と対向するように、引出し電極12が設置されている。引き出し電極12は、中央部に円形の孔を有する円板状の導電体であり、照射箱20内からイオンを引き出すために接地電位に保たれている。   A window 23 for taking out ions is provided on one side surface (right side surface in the figure) of the irradiation box 20. The extraction electrode 12 is installed so as to face one side surface of the irradiation box 20 where the window 23 is provided. The extraction electrode 12 is a disk-shaped conductor having a circular hole in the center, and is maintained at a ground potential in order to extract ions from the irradiation box 20.

容器10の上面には排気口13が形成され、この排気口13に図示しない真空ポンプが接続され、容器10内が真空排気されるようになっている。容器10の一側面で、照射箱20の窓23を形成した一側面に対向する部分に、イオンビーム取り出し部(イオン源輸送部200)が形成されている。この取り出し部は、容器10の一側面に接続された筒体41及び筒体41の先端のフランジ42から構成される。フランジ42は、次段の線形加速器300に接続されている。なお、加速器ではなくイオン注入装置に用いる場合は、線形加速器300の代わりに、偏向装置や静電レンズを接続するようにすればよい。   An exhaust port 13 is formed on the upper surface of the container 10, and a vacuum pump (not shown) is connected to the exhaust port 13 so that the inside of the container 10 is evacuated. An ion beam extraction unit (ion source transport unit 200) is formed on a side surface of the container 10 that faces the one side surface where the window 23 of the irradiation box 20 is formed. The take-out portion is configured by a cylinder 41 connected to one side surface of the container 10 and a flange 42 at the tip of the cylinder 41. The flange 42 is connected to the next linear accelerator 300. In the case where the ion implantation apparatus is used instead of the accelerator, a deflection apparatus or an electrostatic lens may be connected instead of the linear accelerator 300.

ここまでの基本構成に加え本実施形態では、筒体41の容器10側に多価イオンビームを収束する静電レンズ51が設けられ、線形加速器側にアパーチャ52が設けられている。静電レンズ51は、例えば軸方向に離間配置された3つの電極によりイオンビームを静電力により収束するものである。アパーチャ52は、中央部に小径の開口を有するものである。また、フランジ42と線形加速器200との間にバルブ43が設けられている。このバルブ43は、例えば、ゲートバルブやビームの進行路が開口部となるように取り付けたバタフライバルブであり、ビーム通過管路の開閉を気密を保てる機能を有する。   In addition to the basic configuration so far, in the present embodiment, an electrostatic lens 51 for converging a multivalent ion beam is provided on the container 10 side of the cylindrical body 41, and an aperture 52 is provided on the linear accelerator side. The electrostatic lens 51 converges the ion beam by electrostatic force by, for example, three electrodes spaced apart in the axial direction. The aperture 52 has a small-diameter opening at the center. A valve 43 is provided between the flange 42 and the linear accelerator 200. The valve 43 is, for example, a gate valve or a butterfly valve attached so that the beam traveling path is an opening, and has a function of keeping the opening and closing of the beam passage conduit airtight.

次に、このように構成されたレーザ・イオン源の動作について説明する。   Next, the operation of the laser ion source configured as described above will be described.

容器10内は排気口13に接続された真空ポンプ等により十分に排気されているものとする。照射箱20には、例えば正電位が与えられ、引き出し電極12には接地電位が与えられているものとする。   It is assumed that the inside of the container 10 is sufficiently exhausted by a vacuum pump or the like connected to the exhaust port 13. For example, a positive potential is applied to the irradiation box 20 and a ground potential is applied to the extraction electrode 12.

この状態で、パルス駆動のレーザ光源(図示せず)からレーザ光31をターゲット21に集光照射すると、ターゲット21上に集光したレーザ光31により、レーザ集光点では、ターゲット21の微小部分が高温に熱せられる。高温に熱せられた部分がプラズマ化し、空間に向かって放出される。プラズマ中の原子及びイオンは、レーザ光31からもエネルギーを受け取り、多価イオンが生成される。   In this state, when the target 21 is focused and irradiated with the laser beam 31 from a pulse-driven laser light source (not shown), the laser beam 31 focused on the target 21 causes a minute portion of the target 21 at the laser focusing point. Is heated to a high temperature. The portion heated to a high temperature is turned into plasma and emitted toward the space. The atoms and ions in the plasma also receive energy from the laser beam 31 and multivalent ions are generated.

照射箱20内の空間に噴出したものは、アブレーション・プルーム、或いは単にプルームと呼ばれる。照射箱20には、プルームの放出方向に窓23が設けられ、更に窓23の外側に接地電位の引き出し電極12が設置されている。このため、照射箱20と引出し電極12との間の電界によって照射箱20内からイオンが引出され、同時に加速されてイオンビームとなる。そして、このイオンビームは、後段の線形加速器300によって更に加速されることになる。   What is ejected into the space inside the irradiation box 20 is called an ablation plume or simply a plume. In the irradiation box 20, a window 23 is provided in the plume emission direction, and an extraction electrode 12 having a ground potential is provided outside the window 23. For this reason, ions are extracted from the irradiation box 20 by the electric field between the irradiation box 20 and the extraction electrode 12, and are simultaneously accelerated into an ion beam. The ion beam is further accelerated by the subsequent linear accelerator 300.

ところで、イオン源本体100から引き出された多価イオンビーム33は、イオン源輸送系200内の静電レンズ51で収束されるが、それぞれの価数によって収束位置(焦点距離)が異なる。従って、図2に示すように、必要な価数Z1のイオンビーム33aの焦点位置にアパーチャ52を設置することにより、価数Z1のイオンビーム33aのみを選択的に取り出すことが可能である。なお、価数Z1以外のイオンビームで中心軸付近を通るものはアパーチャ52で遮られることなく通過するが、その量は全体の量に比して極めて少ないため、これによる汚染は殆ど問題とならない。   By the way, the multivalent ion beam 33 drawn out from the ion source main body 100 is converged by the electrostatic lens 51 in the ion source transport system 200, but the convergence position (focal length) differs depending on each valence. Therefore, as shown in FIG. 2, it is possible to selectively extract only the ion beam 33a having the valence Z1 by installing the aperture 52 at the focal position of the ion beam 33a having the required valence Z1. An ion beam other than the valence Z1 that passes near the central axis passes through the aperture 52 without being blocked by the aperture 52, but the amount thereof is extremely small compared to the total amount, and contamination due to this hardly causes a problem. .

図3に、各種の価数のイオンビームと収束の様子を示す。(a)はターゲット21,レンズ51,アパーチャ52の位置関係を示す図、(b)はレンズ中心からの距離xとビームの位置との関係を示す図である。   FIG. 3 shows ion beams of various valences and how they converge. (A) is a figure which shows the positional relationship of the target 21, the lens 51, and the aperture 52, (b) is a figure which shows the relationship between the distance x from a lens center, and the position of a beam.

この図3からも分かるように、イオンビーム33は価数が大きいものほど静電レンズ51による電界の影響を大きく受けるために、レンズ51に対する焦点位置がC1+〜C6+の順に短くなる。従って、例えばC6+の焦点位置(例えばx=95mm)の位置にアパーチャ52を設置すれば、C6+のイオンビームはアパーチャ52で殆ど遮られることなく通過し、それ以外のイオンビームはアパーチャ52で大部分が遮られることになる。 As can be seen from FIG. 3, since the ion beam 33 is more affected by the electric field by the electrostatic lens 51 as the valence is larger, the focal position with respect to the lens 51 becomes shorter in the order of C 1+ to C 6+. . Therefore, for example, if the aperture 52 is installed at a C 6+ focal position (for example, x = 95 mm), the C 6+ ion beam passes through the aperture 52 almost unobstructed, and other ion beams pass through the aperture 52. At 52, the majority will be blocked.

このように本実施形態によれば、イオン源輸送系200内に静電レンズ51とアパーチャ52を設けることにより、不要な価数のイオンビームを低減し、必要な価数のイオンビーム33aのみを選択的に取り出すことができる。このため、下流の線形加速器300側への不要なイオン流入を低減して線形加速器300の汚染を低減することができる。レーザ・イオン源は多価のイオンが放出されるので、このような価数の選別が特に有効である。   As described above, according to the present embodiment, by providing the electrostatic lens 51 and the aperture 52 in the ion source transport system 200, the ion beam having an unnecessary valence is reduced, and only the ion beam 33a having a necessary valence is supplied. Can be selectively extracted. For this reason, unnecessary ion inflow to the downstream linear accelerator 300 side can be reduced, and contamination of the linear accelerator 300 can be reduced. Since the laser ion source emits multivalent ions, such valence selection is particularly effective.

なお、不要のイオンビームを下流側に輸送せずにアパーチャ52で遮るため、イオン源側の汚染が大きくなることが懸念される。しかし、イオン源のメンテナンスは線形加速器300のメンテナンスに比して格段に容易であり、イオン源の汚染は簡単に除去することができる。また、レーザ・イオン源においては、ターゲット21を定期的に交換する必要があり、このときに汚染除去のメンテナンスを行えばよい。   Since the unnecessary ion beam is blocked by the aperture 52 without being transported to the downstream side, there is a concern that the contamination on the ion source side may increase. However, maintenance of the ion source is much easier than maintenance of the linear accelerator 300, and contamination of the ion source can be easily removed. Further, in the laser ion source, it is necessary to periodically replace the target 21. At this time, maintenance for removing contamination may be performed.

(第2の実施形態)
図4は、本発明の第2の実施形態に係わるレーザ・イオン源を説明するためのもので、イオン源輸送系の構成を示す断面図である。なお、図4において図1と同一の部分には同一の符号を付し、その部分の構成の説明は省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of an ion source transport system for explaining a laser ion source according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 4, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description of the structure of those parts is omitted.

この第2の実施形態において基本的な構成は先の第1の実施形態と同様であり、本実施形態が第1の実施形態と異なる点は、イオン源輸送系200内のアパーチャ52を真空中で駆動するステージ53を設けたことにある。このステージ53は、図示しない駆動機構を有しており、アパーチャ52の一端を固定した状態で、筒体41内をビーム軸方向に移動可能となっている。また、ステージ53には真空導入端子を介して信号ケーブルが接続され、真空外でコントロール可能な構成となっている。   The basic configuration of the second embodiment is the same as that of the first embodiment, and this embodiment is different from the first embodiment in that the aperture 52 in the ion source transport system 200 is placed in a vacuum. The stage 53 to be driven is provided. The stage 53 has a drive mechanism (not shown), and can move in the cylindrical body 41 in the beam axis direction with one end of the aperture 52 fixed. In addition, a signal cable is connected to the stage 53 via a vacuum introduction terminal, so that the stage 53 can be controlled outside the vacuum.

このように本実施形態においては、ステージ53に取り付けられたアパーチャ52をイオンビーム軸方向に移動可能である。従って、価数Z1のイオンビーム33aの焦点位置P1にアパーチャ52を移動すれば、価数Z1のイオンビーム33aを選択的に輸送できる。また、価数Z2のイオンビーム33bの焦点位置P2にアパーチャ52を移動すれば価数Z2のイオンビーム33bを選択的に輸送できる。つまり、多価イオンビームの中から、異なる価数のイオンビームを取り出したい場合に、真空を破ることなく必要な価数のイオンビームを選別し、下流の線形加速器300側への不要なイオン流入を低減して汚染を低減することができる。   Thus, in the present embodiment, the aperture 52 attached to the stage 53 can be moved in the ion beam axis direction. Therefore, if the aperture 52 is moved to the focal position P1 of the ion beam 33a having the valence Z1, the ion beam 33a having the valence Z1 can be selectively transported. Further, if the aperture 52 is moved to the focal position P2 of the ion beam 33b having the valence Z2, the ion beam 33b having the valence Z2 can be selectively transported. In other words, when an ion beam having a different valence is to be extracted from the multivalent ion beam, the ion beam having a necessary valence is selected without breaking the vacuum, and unnecessary ion flow into the downstream linear accelerator 300 side. To reduce contamination.

従って、先の第1の実施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、イオンビームの価数の選択を簡易に行うことができる利点がある。   Therefore, it is possible to easily select the valence of the ion beam as well as to obtain the same effect as that of the first embodiment.

なお、アパーチャ52の駆動機構としては、直線導入機を用いてもよいし、回転導入機とギアを組み合わせてイオンビーム軸方向への移動機構とすることも可能である。さらに、ステージ53を3軸ステージとすることで、イオンビーム軸にアパーチャ52を遠隔で合わせる機能を持たせることも可能である。   In addition, as a drive mechanism of the aperture 52, a linear introduction machine may be used, or a rotation introduction machine and a gear may be combined to form a movement mechanism in the ion beam axis direction. Furthermore, by making the stage 53 a three-axis stage, it is possible to have a function of remotely aligning the aperture 52 with the ion beam axis.

また、アパーチャ52にシャッタ絞りのような機構を設け、アパーチャ52の開口径を可変できるようにしても良い。この場合、選択すべきイオンビームの収束位置におけるビーム径に合わせて開口径を設定することが可能となるため、より高い精度での選別制御が可能となる。   Further, a mechanism such as a shutter stop may be provided in the aperture 52 so that the aperture diameter of the aperture 52 can be varied. In this case, since the aperture diameter can be set in accordance with the beam diameter at the convergence position of the ion beam to be selected, the selection control with higher accuracy is possible.

(第3の実施形態)
図5は、本発明の第3の実施形態に係わるレーザ・イオン源を説明するためのもので、イオン源輸送系内に設けるアパーチャの構成を示す平面図である。
(Third embodiment)
FIG. 5 is a plan view for explaining a laser ion source according to the third embodiment of the present invention, and shows a configuration of an aperture provided in the ion source transport system.

基本的な構成は先の第1の実施形態と同様であり、本実施形態が第1の実施形態と異なる点は、イオン源輸送系200内のアパーチャ52に、イオンビームを通過させるための開口52aとは別に、真空排気のためのコンダクタンスを確保するための排気用の開口52bを設けたことにある。   The basic configuration is the same as that of the first embodiment, and this embodiment is different from the first embodiment in that an aperture for allowing an ion beam to pass through the aperture 52 in the ion source transport system 200. Apart from 52a, an exhaust opening 52b for securing conductance for vacuum exhaust is provided.

アパーチャ52には、中央部にイオンビームを通過させるための小径の開口52aが設けられ、周辺部に排気用開口52bが設けられている。排気用開口52bは、静電レンズ51を通過した後のイオンビーム輸送系200での多価イオンビーム最大径52cよりも外側に複数個設けられている。   The aperture 52 is provided with a small-diameter opening 52a for allowing the ion beam to pass through at the center and an exhaust opening 52b at the periphery. A plurality of exhaust openings 52b are provided outside the multivalent ion beam maximum diameter 52c in the ion beam transport system 200 after passing through the electrostatic lens 51.

レーザ・イオン源においては、前記図1に示すように、容器10の上面に設けた排気口13から排気するために、アパーチャ52の開口52aが小さいと、アパーチャ52よりも下流側を十分に排気できない場合がある。これに対し本実施形態のように、アパーチャ52に開口52a以外に比較的径の大きい開口52bを設けることにより、アパーチャ52よりも下流側の真空のコンダクタンスの低下を抑制することができる。従って本実施形態によれば、先の第1の実施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、アパーチャ52を設けたことによるコンダクタンスの低下を抑制できる利点がある。   In the laser ion source, as shown in FIG. 1, if the opening 52a of the aperture 52 is small in order to exhaust from the exhaust port 13 provided on the upper surface of the container 10, the downstream side of the aperture 52 is sufficiently exhausted. There are cases where it is not possible. On the other hand, by providing the aperture 52 with a relatively large diameter in addition to the opening 52 a as in the present embodiment, it is possible to suppress a decrease in vacuum conductance downstream of the aperture 52. Therefore, according to the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and there is an advantage that a decrease in conductance due to the provision of the aperture 52 can be suppressed.

なお、アパーチャ52に排気用開口部を設ける他の方法として、イオンビーム輸送系200の真空ダクトのサイズよりアパーチャ52の径を小さくしても良い。さらに、図6(a)に示すように、アパーチャ52の外側に切り欠52dを設けるようにしても良い。また、図6(b)に示すように、径の小さなアパーチャ521と、中心にアパーチャ521より小さな開口部を設けた、アパーチャ521より大きな径の板522を組み合わせた構成としてもよい。   As another method of providing the exhaust opening in the aperture 52, the diameter of the aperture 52 may be made smaller than the size of the vacuum duct of the ion beam transport system 200. Further, as shown in FIG. 6A, a notch 52 d may be provided outside the aperture 52. Further, as shown in FIG. 6B, a configuration in which an aperture 521 having a small diameter and a plate 522 having a diameter larger than the aperture 521 provided with an opening smaller than the aperture 521 at the center may be combined.

(第4の実施形態)
図7は、本発明の第4の実施形態に係わるレーザ・イオン源の概略構成を示す断面図である。なお、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。また、主要部分以外の構成は簡略化して示している。
(Fourth embodiment)
FIG. 7 is a sectional view showing a schematic configuration of a laser ion source according to the fourth embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to FIG. 1 and an identical part, and the detailed description is abbreviate | omitted. Further, the configuration other than the main part is shown in a simplified manner.

本実施形態が第1の実施形態と異なる点は、イオンビーム選別機構として、静電レンズ51の代わりに電磁レンズ55を用いたことにある。即ち、イオン源輸送系200の筒体41の容器10側に多価イオンビームを電磁力により収束する電磁レンズ55が設けられ、線形加速器300側にアパーチャ52が設けられている。   This embodiment is different from the first embodiment in that an electromagnetic lens 55 is used instead of the electrostatic lens 51 as an ion beam selection mechanism. That is, an electromagnetic lens 55 for converging a multivalent ion beam by electromagnetic force is provided on the container 10 side of the cylinder 41 of the ion source transport system 200, and an aperture 52 is provided on the linear accelerator 300 side.

このような構成であっても、第1の実施形態と同様に、電磁レンズ55によるイオンビームの収束位置が価数によって異なるため、必要な価数のイオンビームの収束位置にアパーチャ52をセットすることにより、必要な価数のイオンビームのみを取り出すことができる。従って、第1の実施形態と同様の効果が得られる。   Even in such a configuration, as in the first embodiment, since the convergence position of the ion beam by the electromagnetic lens 55 differs depending on the valence, the aperture 52 is set at the convergence position of the ion beam having the necessary valence. As a result, only the ion beam having the required valence can be extracted. Therefore, the same effect as the first embodiment can be obtained.

また、本実施形態は第1の実施形態と同様に、第2〜第3の実施形態の構成を組み合わせることも可能である。   Moreover, this embodiment can also combine the structure of 2nd-3rd embodiment similarly to 1st Embodiment.

(第5の実施形態)
図8は、本発明の第5の実施形態に係わるレーザ・イオン源の概略構成を示す断面図である。なお、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。また、主要部分以外の構成は簡略化して示している。
(Fifth embodiment)
FIG. 8 is a sectional view showing a schematic configuration of a laser ion source according to the fifth embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to FIG. 1 and an identical part, and the detailed description is abbreviate | omitted. Further, the configuration other than the main part is shown in a simplified manner.

本実施形態が第1の実施形態と異なる点は、イオンビーム選別機構として、偏向器とアパーチャを用いたことにある。即ち、イオン源輸送系200の容器10側に多価イオンビームを偏向する偏向電磁石61が設けられ、線形加速器300側にアパーチャ62が設けられている。偏向電磁石61は、イオンビームを電磁力により偏向するものであり、筒体41の外部に設けられている。アパーチャ62は、中央部に開口を有するものであり、第1の実施形態に用いたアパーチャ51の開口よりは大きな径となっている。   This embodiment is different from the first embodiment in that a deflector and an aperture are used as an ion beam selection mechanism. That is, a deflecting electromagnet 61 for deflecting a multivalent ion beam is provided on the container 10 side of the ion source transport system 200, and an aperture 62 is provided on the linear accelerator 300 side. The deflection electromagnet 61 deflects the ion beam by electromagnetic force, and is provided outside the cylindrical body 41. The aperture 62 has an opening at the center, and has a larger diameter than the opening of the aperture 51 used in the first embodiment.

このように構成された本実施形態において、イオン源本体100から引き出された多価イオンビーム33は偏向電磁石61で偏向されるが、それぞれの価数によって偏向半径が異なることから、必要な価数Z1のイオンビーム33aの軌道上にアパーチャ62を設置することにより、価数Z1のイオンビーム33aを選択的に輸送することが可能である。また、中性粒子は磁場強度によらず直進するため、同時に中性粒子を排除することができる。さらに、多価イオンビームの中から、異なる価数のイオンビームを取り出したい場合に、偏向電磁石12の磁場強度を変えることにより、アパーチャ62を通過できる価数のイオンを選択できる。さらにアパーチャ62に第2の実施形態に記載した移動機構を設けることでもイオンを選択できる。   In the present embodiment configured as described above, the multivalent ion beam 33 drawn from the ion source main body 100 is deflected by the deflecting electromagnet 61. Since the deflection radius differs depending on the valence, the necessary valence is required. By installing the aperture 62 on the orbit of the Z1 ion beam 33a, it is possible to selectively transport the ion beam 33a having the valence Z1. Moreover, since neutral particles go straight regardless of the magnetic field strength, neutral particles can be eliminated at the same time. Furthermore, when it is desired to extract ion beams having different valences from the multivalent ion beam, ions having a valence that can pass through the aperture 62 can be selected by changing the magnetic field strength of the deflection electromagnet 12. Further, ions can be selected by providing the aperture 62 with the moving mechanism described in the second embodiment.

図9に、各種の価数のイオンビームと偏向の様子を示す。(a)は偏向電磁石61とアパーチャ62及びイオンビームの位置関係を示す図、(b)は偏向電磁石61の中心からの距離xとビームの偏向位置との関係を示す図である。   FIG. 9 shows ion beams of various valences and how they are deflected. (A) is a figure which shows the positional relationship of the deflection electromagnet 61, the aperture 62, and an ion beam, (b) is a figure which shows the relationship between the distance x from the center of the deflection electromagnet 61, and the deflection position of a beam.

この図9からも分かるように、イオンビーム33は価数が大きいものほど偏向電磁石61による磁界の影響を大きく受けるために、C1+〜C6+の順に大きく偏向される。従って、例えばC6+の偏向位置にアパーチャ62の開口が位置するように設置すれば、C6+のイオンビームはアパーチャ62で遮られることなく通過し、それ以外のイオンビームはアパーチャ62で遮られることになる。 As can be seen from FIG. 9, the ion beam 33 is greatly deflected in the order of C 1+ to C 6+ because the ion beam 33 is more affected by the magnetic field by the deflecting electromagnet 61 as the valence is larger. Therefore, for example, if the aperture of the aperture 62 is positioned at the C 6+ deflection position, the C 6+ ion beam passes without being blocked by the aperture 62, and other ion beams are blocked by the aperture 62. Will be.

このように本実施形態によれば、イオン源輸送系200内に偏向電磁石61とアパーチャ62を設けることにより、不要な価数のイオンビームを低減し、必要な価数Z1のイオンビーム33aのみを選択的に取り出すことができる。従って、第1の実施形態と同様の効果が得られる。   As described above, according to the present embodiment, by providing the deflecting electromagnet 61 and the aperture 62 in the ion source transport system 200, the ion beam having an unnecessary valence is reduced, and only the ion beam 33a having the necessary valence Z1 is provided. Can be selectively extracted. Therefore, the same effect as the first embodiment can be obtained.

また、イオンビームを収束したい場合、若しくはイオン選別の効果を高めたい場合に、イオン源輸送系200に第1〜第3の実施形態の記載の構成と組み合わせて偏向電磁石61を配置する構成を取ることも可能である。   Further, when it is desired to focus the ion beam, or when it is desired to enhance the effect of ion selection, a configuration is adopted in which the deflecting electromagnet 61 is arranged in combination with the configuration described in the first to third embodiments in the ion source transport system 200. It is also possible.

(第6の実施形態)
図10は、本発明の第6の実施形態に係わるレーザ・イオン源の概略構成を示す断面図である。なお、図8と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。また、主要部分以外の構成は簡略化して示している。
(Sixth embodiment)
FIG. 10 is a sectional view showing a schematic configuration of a laser ion source according to the sixth embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as FIG. Further, the configuration other than the main part is shown in a simplified manner.

本実施形態が第5の実施形態と異なる点は、イオンビーム選別機構として、偏向電磁石61の代わりに偏向電極65を用いたことにある。即ち、イオン源輸送系200の筒体41の容器10側に多価イオンビームを静電力により偏向する偏向電極65が設けられ、線形加速器300側にアパーチャ62が設けられている。   This embodiment is different from the fifth embodiment in that a deflection electrode 65 is used instead of the deflection electromagnet 61 as an ion beam selection mechanism. That is, a deflection electrode 65 for deflecting a multivalent ion beam by electrostatic force is provided on the container 10 side of the cylindrical body 41 of the ion source transport system 200, and an aperture 62 is provided on the linear accelerator 300 side.

このような構成であっても、第5の実施形態と同様に、偏向電極65によるイオンビームの偏向位置が価数によって異なるため、必要な価数のイオンビームの偏向位置にアパーチャ62をセットすることにより、必要な価数のイオンビームのみを取り出すことができる。従って、第5の実施形態と同様の効果が得られる。   Even in such a configuration, as in the fifth embodiment, the deflection position of the ion beam by the deflection electrode 65 differs depending on the valence, and thus the aperture 62 is set at the deflection position of the ion beam having the required valence. As a result, only the ion beam having the required valence can be extracted. Therefore, the same effect as the fifth embodiment can be obtained.

(第7の実施形態)
図11は、本発明の第7の実施形態に係わるレーザ・イオン源の概略構成を示す断面図である。なお、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。また、主要部分以外の構成は簡略化して示している。
(Seventh embodiment)
FIG. 11 is a sectional view showing a schematic configuration of a laser ion source according to the seventh embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to FIG. 1 and an identical part, and the detailed description is abbreviate | omitted. Further, the configuration other than the main part is shown in a simplified manner.

本実施形態が第1の実施形態と異なる点は、イオンビーム選別機構として、高速偏向可能な偏向器とアパーチャを用いたことにある。即ち、イオン源輸送系200の筒体41内に容器10側に多価イオンビーム33をパルス的に偏向するパルス電極71が設けられ、線形加速器300側にアパーチャ72が設けられている。アパーチャ72はビームダンプの役割であるため、イオン源輸送系200の下流の壁でも代用可能である。   This embodiment is different from the first embodiment in that a deflector and an aperture capable of high-speed deflection are used as an ion beam selection mechanism. That is, a pulse electrode 71 for pulsing the multivalent ion beam 33 in a pulse manner is provided in the cylinder 41 of the ion source transport system 200 on the container 10 side, and an aperture 72 is provided on the linear accelerator 300 side. Since the aperture 72 serves as a beam dump, the downstream wall of the ion source transport system 200 can be substituted.

このように構成された本実施形態において、イオン源本体100から引き出された多価イオンビーム33は、パルス電極71に偏向電圧を印加することにより偏向され、アパーチャ72で遮られる。多価イオンビーム33は時間構造を持ち、価数の大きなものほど速度が速い。従って、イオンビームの通過時刻に合わせてパルス電極71を駆動することにより、アパーチャ72で遮られるイオンビームの価数を選択することができる。具体的には、必要な価数Z1のイオンビーム33aが通過する時間を避けてパルス電極71にパルス電圧を印加すれば、不要な他の価数のイオンビームはイオン源輸送系200aの軸から外れ、下流のアパーチャ72に衝突して排除される。これにより、価数Z1のイオンビーム33aのみを取り出すことができる。   In the present embodiment configured as described above, the multivalent ion beam 33 extracted from the ion source main body 100 is deflected by applying a deflection voltage to the pulse electrode 71 and blocked by the aperture 72. The multivalent ion beam 33 has a time structure, and the higher the valence, the faster the speed. Accordingly, by driving the pulse electrode 71 in accordance with the passage time of the ion beam, the valence of the ion beam blocked by the aperture 72 can be selected. Specifically, if a pulse voltage is applied to the pulse electrode 71 while avoiding the passage time of the ion beam 33a having the necessary valence Z1, unnecessary ion beams having other valences are separated from the axis of the ion source transport system 200a. It is removed and collides with the downstream aperture 72 to be eliminated. As a result, only the ion beam 33a having the valence Z1 can be extracted.

これとは逆に、価数Z1のイオンビーム33aが通過する時間のみにパルス電圧を印加することにより、価数Z1のイオンビーム33aのみを取り出すことも可能である。この場合、偏向電極71による偏向方向を線形加速器300へのイオン輸送系200の軸と一致させた構成とすればよい。   On the contrary, it is also possible to extract only the ion beam 33a having the valence Z1 by applying the pulse voltage only during the time when the ion beam 33a having the valence Z1 passes. In this case, the deflection direction by the deflection electrode 71 may be configured to coincide with the axis of the ion transport system 200 to the linear accelerator 300.

図12に、各種の価数のイオンビームと偏向の様子を示す。(a)はイオンの時間分布を示し、(b)はパルス電場を示し、(c)はイオンビームの偏向状態を示している。   FIG. 12 shows ion beams having various valences and how they are deflected. (A) shows the time distribution of ions, (b) shows the pulse electric field, and (c) shows the deflection state of the ion beam.

この図12からも分かるように、イオンビーム33は価数が大きいものほど速度が速く、価数の違いによりアパーチャ72の位置に到達する時間が異なる。従って、必要な価数C6+のイオンビーム33aがアパーチャ72を通過する時間のみパルス電圧を印加せず、それ以外でパルス電圧を印加するようにすれば、C6+のイオンビームはアパーチャ72で遮られることなく通過し、それ以外のイオンビームはアパーチャ72で遮られることになる。 As can be seen from FIG. 12, the ion beam 33 has a higher speed as the valence is larger, and the time required to reach the position of the aperture 72 varies depending on the valence. Therefore, if the pulse voltage is not applied only during the time when the ion beam 33a having the required valence C 6+ passes through the aperture 72 and the pulse voltage is applied at other times, the ion beam of C 6+ can be applied to the aperture 72. The ion beam passes without being blocked by the aperture 72, and the other ion beams are blocked by the aperture 72.

このように本実施の形態によれば、イオン源輸送系200内にパルス電極71とアパーチャ72を設けることにより、不要な価数のイオンビームを低減し、必要な価数Z1のイオンビーム4aのみを選択的に取り出すことができる。従って、第1の実施形態と同様の効果が得られる。   As described above, according to the present embodiment, by providing the pulse electrode 71 and the aperture 72 in the ion source transport system 200, the ion beam having an unnecessary valence is reduced, and only the ion beam 4a having the necessary valence Z1 is provided. Can be selectively extracted. Therefore, the same effect as the first embodiment can be obtained.

また、イオンビームを収束したい場合、もしくはイオン選別の効果を高めたい場合に、第1〜第4の実施形態の構成と組み合わせた構成をとることも可能である。   Further, when it is desired to focus the ion beam or when it is desired to enhance the effect of ion selection, it is possible to adopt a configuration combined with the configurations of the first to fourth embodiments.

(第8の実施形態)
図13は、本発明の第8の実施形態に係わるレーザ・イオン源の概略構成を示す断面図である。なお、図11と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。また、主要部分以外の構成は簡略化して示している。
(Eighth embodiment)
FIG. 13 is a sectional view showing a schematic configuration of a laser ion source according to the eighth embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to FIG. 11 and an identical part, and the detailed description is abbreviate | omitted. Further, the configuration other than the main part is shown in a simplified manner.

本実施形態が第7の実施形態と異なる点は、イオンビーム選別機構として、高速偏向可能な偏向器として、パルス電極71の代わりにパルス電磁石75を用いたことにある。即ち、イオン源輸送系200の筒体41内の容器10側に多価イオンビーム33をパルス的に偏向するパルス電磁石75が設けられ、線形加速器300側にアパーチャ72が設けられている。アパーチャ72はビームダンプの役割であるため、イオン源輸送系200の下流の壁でも代用可能である。   This embodiment differs from the seventh embodiment in that a pulse electromagnet 75 is used instead of the pulse electrode 71 as a deflector capable of high-speed deflection as an ion beam selection mechanism. That is, a pulse electromagnet 75 that deflects the multivalent ion beam 33 in a pulse manner is provided on the container 10 side in the cylindrical body 41 of the ion source transport system 200, and an aperture 72 is provided on the linear accelerator 300 side. Since the aperture 72 serves as a beam dump, the downstream wall of the ion source transport system 200 can be substituted.

このような構成であっても、第7の実施形態と同様に、パルス電磁石75により不要な価数のイオンビームの通過時にパルス電圧を印加することにより、不要な価数のイオンビームを排除し、必要な価数のイオンビームのみを取り出すことができる。従って、第7の実施形態と同様の効果が得られる。   Even in such a configuration, an unnecessary valence ion beam can be eliminated by applying a pulse voltage when an unnecessary valence ion beam passes through the pulse electromagnet 75 as in the seventh embodiment. Only the ion beam having the required valence can be taken out. Therefore, the same effect as in the seventh embodiment can be obtained.

また、イオンビームを収束したい場合、もしくはイオン選別の効果を高めたい場合に、第1〜第4の実施形態の構成と組み合わせた構成をとることも可能である。   Further, when it is desired to focus the ion beam or when it is desired to enhance the effect of ion selection, it is possible to adopt a configuration combined with the configurations of the first to fourth embodiments.

(変形例)
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、各々の実施形態を組み合わせることもできる。また、各部の構造や材料等は実施形態に何ら限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。
(Modification)
In addition, this invention is not limited to each embodiment mentioned above, Each embodiment can also be combined. Further, the structure, material, and the like of each part are not limited to the embodiment, and can be appropriately changed according to specifications.

実施形態では、照射箱からイオンビームを引き出すために引き出し電極を設けているが、容器の壁面を引き出し電極として代用することも可能である。照射箱の壁面は必ずしも板状である必要はなく、メッシュ状になっていても良い。ターゲットは、必ずしもカーボン系に限るものではなく、多価のイオンとなる元素又はそれを含有するものであればよい。さらに、レーザ光源はCoレーザやYAGレーザに限定されるものではなく、高エネルギーの短パルス照射(数J/パルス)が可能なものであればよい。 In the embodiment, the extraction electrode is provided to extract the ion beam from the irradiation box. However, the wall surface of the container can be used as the extraction electrode. The wall surface of the irradiation box does not necessarily have a plate shape, and may have a mesh shape. The target is not necessarily limited to carbon, but may be any element that becomes a polyvalent ion or contains it. Further, the laser light source is not limited to the Co 2 laser or the YAG laser, and any laser light source capable of performing high-energy short pulse irradiation (several J / pulse) may be used.

また、実施形態では用いるイオンは重粒子としての炭素を例に説明したが、場合によってはヘリウム(He)、窒素(N)、酸素(O)、ネオン(Ne)、シリコン(Si)、アルゴン(Ar)を使用することも可能である。   In the embodiment, the ion used is carbon as a heavy particle. However, in some cases, helium (He), nitrogen (N), oxygen (O), neon (Ne), silicon (Si), argon ( It is also possible to use Ar).

本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

10…真空容器
12…引き出し電極
20…照射箱
21…ターゲット
31…レーザ光
41…筒体
42…フランジ
43…バルブ
51…静電レンズ
52,62,72…アパーチャ
55…電磁レンズ
61…偏向電磁石
65…偏向電極
71…パルス電極
75…パルス電磁石
100…イオン源本体
200…イオン源輸送系
300…線形加速器(RFQ)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Vacuum container 12 ... Extraction electrode 20 ... Irradiation box 21 ... Target 31 ... Laser beam 41 ... Cylindrical body 42 ... Flange 43 ... Valve 51 ... Electrostatic lens 52, 62, 72 ... Aperture 55 ... Electromagnetic lens 61 ... Deflection magnet 65 ... Deflection electrode 71 ... Pulse electrode 75 ... Pulse electromagnet 100 ... Ion source body 200 ... Ion source transport system 300 ... Linear accelerator (RFQ)

Claims (10)

真空排気される容器と、
前記容器内に配置され、レーザ光の照射により多価イオンを発生するターゲットが収容された照射箱と、
前記照射箱からイオンを静電的に引き出し、イオンビームとして前記容器の外部に導くイオンビーム引き出し手段と、
前記照射箱から引き出されたイオンビームを静電力により収束する静電レンズと、
前記静電レンズの下流側の位置に設けられ、該位置で収束されたイオンビームを通過させるアパーチャと、
を具備したことを特徴とするレーザ・イオン源。
A container to be evacuated;
An irradiation box disposed in the container and containing a target that generates multivalent ions by irradiation with laser light; and
Ion beam extraction means for electrostatically extracting ions from the irradiation box and guiding the ions to the outside of the container;
An electrostatic lens that converges the ion beam extracted from the irradiation box by an electrostatic force;
An aperture provided at a position on the downstream side of the electrostatic lens, and allowing an ion beam focused at the position to pass through;
A laser ion source comprising:
真空排気される容器と、
前記容器内に配置され、レーザ光の照射により多価イオンを発生するターゲットが収容された照射箱と、
前記照射箱からイオンを静電的に引き出し、イオンビームとして前記容器の外部に導くイオンビーム引き出し手段と、
前記イオン源から引き出されたイオンビームを電磁力により収束する電磁レンズと、
前記電磁レンズの下流側の位置に設けられ、該位置で収束されたイオンビームを通過させるためのアパーチャと、
を具備したことを特徴とするレーザ・イオン源。
A container to be evacuated;
An irradiation box disposed in the container and containing a target that generates multivalent ions by irradiation with laser light; and
Ion beam extraction means for electrostatically extracting ions from the irradiation box and guiding the ions to the outside of the container;
An electromagnetic lens for converging the ion beam drawn from the ion source by electromagnetic force;
An aperture provided at a position on the downstream side of the electromagnetic lens, for passing an ion beam converged at the position;
A laser ion source comprising:
前記アパーチャは、前記イオンビームの進行方向に移動可能に設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザ・イオン源。   3. The laser ion source according to claim 1, wherein the aperture is provided so as to be movable in a traveling direction of the ion beam. 前記アパーチャは、前記イオンビームの一部を通過させるための開口の径が可変可能に設けられていることを特徴とする請求項3に記載のレーザ・イオン源。   4. The laser ion source according to claim 3, wherein the aperture is provided so that a diameter of an opening for allowing a part of the ion beam to pass therethrough is variable. 前記アパーチャに、前記イオンビームの一部を通過させるための開口とは別に、イオンビーム最大径より外側に排気用開口部を設けたことを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザ・イオン源。   3. The laser ion according to claim 1, wherein an exhaust opening is provided outside the maximum diameter of the ion beam, in addition to the opening for allowing a part of the ion beam to pass through the aperture. source. 真空排気される容器と、
前記容器内に配置され、レーザ光の照射により多価イオンを発生するターゲットが収容された照射箱と、
前記照射箱からイオンを静電的に引き出し、イオンビームとして前記容器の外部に導くイオンビーム引き出し手段と、
前記照射箱から引き出されたイオンビームを電磁力で偏向する偏向電磁石と、
前記偏向電磁石の下流側に設けられ、前記偏向電磁石で所定量偏向されたイオンビームを通過させるアパーチャと、
を具備したことを特徴とするレーザ・イオン源。
A container to be evacuated;
An irradiation box disposed in the container and containing a target that generates multivalent ions by irradiation with laser light; and
Ion beam extraction means for electrostatically extracting ions from the irradiation box and guiding the ions to the outside of the container;
A deflecting electromagnet that deflects the ion beam extracted from the irradiation box with electromagnetic force;
An aperture that is provided downstream of the deflection electromagnet and allows an ion beam deflected by a predetermined amount by the deflection electromagnet to pass through;
A laser ion source comprising:
真空排気される容器と、
前記容器内に配置され、レーザ光の照射により多価イオンを発生するターゲットが収容された照射箱と、
前記照射箱からイオンを静電的に引き出し、イオンビームとして前記容器の外部に導くイオンビーム引き出し手段と、
前記照射箱から引き出されたイオンビームを静電的に偏向する偏向電極と、
前記偏向電極の下流側に設けられ、前記偏向電極で所定量偏向されたイオンビームを通過させるアパーチャと、
を具備したことを特徴とするレーザ・イオン源。
A container to be evacuated;
An irradiation box disposed in the container and containing a target that generates multivalent ions by irradiation with laser light; and
Ion beam extraction means for electrostatically extracting ions from the irradiation box and guiding the ions to the outside of the container;
A deflection electrode that electrostatically deflects the ion beam drawn from the irradiation box;
An aperture that is provided on the downstream side of the deflection electrode and passes an ion beam deflected by a predetermined amount by the deflection electrode;
A laser ion source comprising:
真空排気される容器と、
前記容器内に配置され、レーザ光の照射により多価イオンを発生するターゲットが収容された照射箱と、
前記照射箱からイオンを静電的に引き出し、イオンビームとして前記容器の外部に導くイオンビーム引き出し手段と、
前記照射箱から引き出されたイオンビームを、該イオンビームの時間分布幅より短い間隔で偏向可能なパルス電極と、
前記パルス電極の下流側に設けられ、前記パルス電極で偏向されたイオンビームを遮るアパーチャと、
を具備したことを特徴とするレーザ・イオン源。
A container to be evacuated;
An irradiation box disposed in the container and containing a target that generates multivalent ions by irradiation with laser light; and
Ion beam extraction means for electrostatically extracting ions from the irradiation box and guiding the ions to the outside of the container;
A pulse electrode capable of deflecting an ion beam extracted from the irradiation box at an interval shorter than a time distribution width of the ion beam;
An aperture that is provided downstream of the pulse electrode and blocks an ion beam deflected by the pulse electrode;
A laser ion source comprising:
真空排気される容器と、
前記容器内に配置され、レーザ光の照射により多価イオンを発生するターゲットが収容された照射箱と、
前記照射箱からイオンを静電的に引き出し、イオンビームとして前記容器の外部に導くイオンビーム引き出し手段と、
前記照射箱から引き出されたイオンビームを、該イオンビームの時間分布幅より短い間隔で偏向可能なパルス電磁石と、
前記パルス電磁石の下流側に設けられ、前記パルス電磁石で偏向されたイオンビームを遮るアパーチャと、
を具備したことを特徴とするレーザ・イオン源。
A container to be evacuated;
An irradiation box disposed in the container and containing a target that generates multivalent ions by irradiation with laser light; and
Ion beam extraction means for electrostatically extracting ions from the irradiation box and guiding the ions to the outside of the container;
A pulse electromagnet capable of deflecting the ion beam extracted from the irradiation box at intervals shorter than the time distribution width of the ion beam;
An aperture that is provided downstream of the pulse electromagnet and blocks the ion beam deflected by the pulse electromagnet;
A laser ion source comprising:
イオン源本体から引き出されたイオンビームを、該イオンビームの時間分布幅より短い間隔で偏向可能なパルス偏向器と、このパルス偏向器の下流側に設けられたアパーチャとを備えたレーザ・イオン源の駆動方法であって、
前記パルス偏向器の設置領域を必要な価数のイオンビームが通過するタイミングでは該偏向器に偏向信号は印加せず、必要な価数のイオンビームを偏向せずに前記アパーチャを通過させ、
前記パルス偏向器の設置領域を不必要な価数のイオンビームが通過するタイミングで該偏向器に偏向信号を与えることにより、不必要な価数のイオンビームを偏向して前記アパーチャで遮断する、
ことを特徴とするレーザ・イオン源の駆動方法。
Laser ion source comprising a pulse deflector capable of deflecting an ion beam extracted from the ion source body at intervals shorter than the time distribution width of the ion beam, and an aperture provided downstream of the pulse deflector Driving method,
At the timing when an ion beam having a required valence passes through an installation region of the pulse deflector, a deflection signal is not applied to the deflector, and the ion beam having a required valence is allowed to pass through the aperture without being deflected.
By applying a deflection signal to the deflector at a timing when an ion beam having an unnecessary valence passes through an installation region of the pulse deflector, the ion beam having an unnecessary valence is deflected and blocked by the aperture.
A method of driving a laser ion source.
JP2011035898A 2011-02-22 2011-02-22 Laser ion source and laser ion source driving method Active JP5481411B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011035898A JP5481411B2 (en) 2011-02-22 2011-02-22 Laser ion source and laser ion source driving method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011035898A JP5481411B2 (en) 2011-02-22 2011-02-22 Laser ion source and laser ion source driving method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012174515A JP2012174515A (en) 2012-09-10
JP5481411B2 true JP5481411B2 (en) 2014-04-23

Family

ID=46977250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011035898A Active JP5481411B2 (en) 2011-02-22 2011-02-22 Laser ion source and laser ion source driving method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5481411B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5801144B2 (en) 2011-08-30 2015-10-28 株式会社東芝 Ion source
JP6457251B2 (en) * 2014-11-21 2019-01-23 株式会社日立製作所 Method for operating charged particle beam generator and charged particle beam generator
CN108511309A (en) * 2018-05-28 2018-09-07 河南太粒科技有限公司 A kind of lasing ion source device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012174515A (en) 2012-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5683902B2 (en) Laser ion source
JP6893697B2 (en) X-ray source with ionization tool
JP4988516B2 (en) Particle beam therapy system
JP5225200B2 (en) Particle beam therapy system
JP5808815B2 (en) Improvements to and related to ion guns
JP2009279045A (en) Particle beam therapy system
EP2862182B1 (en) Limiting migration of target material
US20130228698A1 (en) Ion source
TW201917766A (en) Ion source
JP2016524277A5 (en)
JP2016524277A (en) Voltage modulation of extraction electrode assembly in ion implantation system
JP5481411B2 (en) Laser ion source and laser ion source driving method
US20110139997A1 (en) Ion transporter, ion transport method, ion beam irradiator, and medical particle beam irradiator
TWI791921B (en) Ion implantation apparatus, method of controlling ion beam and ion implanter
JP6341655B2 (en) Circular accelerator and heavy ion beam therapy system
JP2014229596A (en) X-ray generator
JP7291048B2 (en) Charged particle beam device
JP2006156209A (en) Ion beam/charged particle beam irradiator
JP2005038638A (en) Electron gun and electron beam irradiation apparatus using the same
JP2011086471A (en) Cluster ion beam device and method of adjusting the same
JP5111233B2 (en) Particle beam therapy system
JPWO2014136158A1 (en) Ion beam processing method and ion beam processing apparatus
US9859086B2 (en) Ion source
JP2016072248A (en) Chicane blanker assembly for charged particle beam system and method of using the same
JP6944652B2 (en) Ion beam irradiation device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130627

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20131205

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20131212

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20131219

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20131226

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140110

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20140109

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140121

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140217

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5481411

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151