JP5466303B2 - 液晶表示パネル用基板、液晶表示パネル、液晶表示パネル用基板の製造方法、及び基板検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、タッチスイッチが内部に配されたインセル型の液晶表示パネルを構成する液晶表示パネル用基板、液晶表示パネル、液晶表示パネル用基板の製造方法、及び基板検査方法に関する。

タッチパネルとして、液晶パネル内に、タッチスイッチとして機能する“スイッチフォトスペーサー（以下スイッチＰＳと称する場合がある）”が形成されたインセル型タッチパネルが開発されている。

図２１は、一般的なスイッチＰＳが形成されたインセル型タッチパネルの構成を表す図である。

図２１に示すように、インセル型タッチパネル３００は、表面が、ペンなどの位置を検する対象物のタッチ面となる第１基板３０１と、液晶層３０２を介して、第１基板３０１と対向配置される第２基板３０３とを備えている。第１基板３０１の裏面（第２基板３０３との対向面）には、各副画素毎にカラーフィルタ３１１が配されており、各副画素間にＢＭ（ブラックマトリクス）３１２が配されている。

さらに、第１基板３０１の裏面には、第２基板３０３の表面（第１基板との対向面）方向へ突出するスイッチＰＳ３１３が配されている。このスイッチＰＳ３１３は、第２基板３０３と離間して配されている。

第２基板３０３の表面には、透明樹脂層３２１が配されており、透明樹脂層３２１の表面には、各副画素毎に画素電極３２２が配されている。

また、第２基板３０３の表面であり、スイッチＰＳ３１３と対向する位置にスイッチ電極３２３が配されている。

なお、第１基板３０１と、第２基板３０３との間には、メインＰＳ３０４が配されており、このメインＰＳ３０４によって、第１基板３０１と、第２基板３０３との距離（液晶層３０２の厚さ）が規定されている。

このように構成された液晶パネル３００では、第１基板３０１の表面が、ユーザによって、ペンなどで直接押される。これにより、スイッチＰＳ３１３が、第２基板３０３に配されたスイッチ電極３２３と接触することになり、位置検出を行うことができる。

ここで、一般的に液晶パネルは、液晶の配向を規制するために、液晶層と接触する基板表面（又は裏面）に配向膜を配している。

しかし、この配向膜が、スイッチＰＳ３１３と、スイッチ電極３２３との接触面に配されていると、それぞれが接触したとき導通不良を起こしてしまう。

特許文献１には、突起部の表面と、当該突起部と接触する電極部の表面とに配されている配向膜を除去することについて記載されている。

図２２を用いて特許文献１の液晶表示パネルについて説明する。

図２２に示すように、液晶表示パネル４０１は、画素電極４１４と、対向センサ電極４２２とにより抵抗型タッチセンサを構成している。

第１基板４１０に設けられた画素電極４１４には、複数のスリット４１４Ａと、複数のエッジ４１４Ｂとが設けられている。そして、液晶４３０を挟んで対向配置されている第２基板４２０には、第２空間制御柱４０１Ｂが設けられており、この第２空間制御柱４０１Ｂの裏面には対向センサ電極４２２が設けられている。

液晶表示パネル４０１の構成によると、比較的、エッジ４１４Ｂでは、配向膜４１５が薄くなる傾向があり、エッジ４１４Ｂが配向膜４１５から露出して構成されている。

また、第２空間制御柱４０１Ｂを約２．５μｍの高さで形成しており、この高さにより、第２基板４２０側に配される配向膜４２３は、追従しきれず、これにより第２空間制御柱４０１Ｂの先端部にはほとんど形成されない。

このように形成された液晶表示パネル４０１では、第２基板４２０の表面側から指などで押下されることで、エッジ４１４Ｂに対向して配されている対向センサ電極４２２は、画素電極４１４のうち、露出しているエッジ４１４Ｂと接触する。これにより、対向センサ電極４２２と、エッジ４１４Ｂとで、導通が取られることとなり、位置検出の不安定性を抑えている。

さらに、特許文献１では、配向膜４１５のラビング処理を行うことで、エッジ４１４
を露出させたり、さらに、配向膜４１５を形成したのち、ラビング処理を行う前にアッシング処理を行う工程を追加することで、配向膜４１５の厚みを減らし、エッジ４１４Ｂを露出させ易くしたりしている。

日本国公開特許公報「特開２００９‐２５１１１０号公報（２００９年１０月２９日公開）」

このような、インセル型タッチパネルは、スイッチＰＳ又はスイッチ電極の当接面に、僅かでも配向膜が残っていると、液晶表示パネルを押下した際、導通不良を起こしてしまい、正確な位置検出を行うことができないという課題が生じる。

図２１、２２で示したスイッチＰＳ３１３や対向センサ電極４２２のように、形状を突起状とすることで、スイッチＰＳ３１３や対向センサ電極４２２の、スイッチ電極４２３・エッジ４１４Ｂとの当接面に成膜される配向膜を弾かせることはできるが、実際に、配向膜が、スイッチＰＳ３１３や対向センサ電極４２２の、スイッチ電極３２３・エッジ４１４Ｂとの当接面に形成されていないか否かを、効率よく確認（検査）することができない。

すなわち、一般的に、配向膜の有無を確認する手法としては、光学顕微鏡を用いて作業者が目視確認を行なう方法が取られている。しかし、この場合、作業者は、配向膜の有無を、配向膜の色味のみで判断するしかない。このため、その判断は個人差でばらつく。

また、ＳＥＭにて断面を観察する方法も考えられるが、このような方法では、非常に手間と時間がかかり、なおかつ液晶表示パネルを破壊する必要があるため、実際の製造ラインには向かない。

特許文献１では、上述したように、ラビング処理を行ったり、アッシング処理を行う工程を追加したりして、エッジ４１４Ｂを露出させ易くしたりしているが、これについても同様に、エッジ４１４の表面から、本当に配向膜が除去されているか否かを確認するには、ＳＥＭにて断面を確認するしかなく、非破壊で配向膜の有無を確認することはできない。

このように、効率的に、又、確実に、配向膜の有無を確認することは困難であった。

本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無の確認が可能な、液晶表示パネル用基板、液晶表示パネル、液晶表示装置、液晶表示パネルの検査方法を提供することである。

上記の課題を解決するために、本発明の液晶表示パネル用基板は、液晶層を介して他の基板と対向配置されることで、液晶表示パネルを構成する液晶表示パネル用基板であって、上記他の基板に配された電極と一対のスイッチを構成し、上記他の基板と対向配置されたとき、自身、又は上記他の基板が押圧されることで、上記他の基板に配された電極と電気的に導通するように配されたスイッチ用電極と、上記スイッチ用電極の下方に配され、赤外光を反射する反射膜と、を備えていることを特徴としている。

上記構成によると、上記他の基板と対向配置されたとき、上記他の基板に配されている電極と、上記スイッチ用電極とが一対となり、上記スイッチを構成する。そして、上記液晶表示パネル用基板、又は上記他の基板が押圧されることで、上記スイッチは電気的に導通するので、当該スイッチを、例えば、当該導通した位置を検知するセンサとして機能させることができる。

さらに、上記構成によると、赤外光を反射する反射膜が、上記スイッチ用電極の下方に配されている。これにより、上記他の基板と対向配置される前に、上記スイッチ用電極の表面側から入射させた赤外光を、上記反射膜で反射することができる。このため、上記反射膜での反射光のスペクトルを測定させることで、上記他の基板に配された上記電極と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる構成が、上記スイッチ用電極の表面に存在するか否かを検査させることができる。

これにより、顕微鏡により目視確認する場合と比べて、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無の確認が可能である。

上記の課題を解決するために、本発明の液晶表示パネルは、アクティブ基板と、液晶層を介して、当該アクティブ基板と対向配置されている対向基板とを備えている液晶表示パネルであって、上記アクティブ基板又は上記対向基板が押圧されることで電気的に導通するように、上記アクティブ基板に配されている第１のスイッチ用電極、及び、上記対向基板に配されている第２のスイッチ用電極から構成されているスイッチを備え、さらに、上記アクティブ基板に配され、上記第１のスイッチ用電極が積層された赤外光を反射する第１の反射膜と、上記対向基板に配され上記第２のスイッチ用電極が積層された赤外光を反射する第２の反射膜とのうち少なくとも一方を備えていることを特徴としている。

上記構成によると、上記スイッチは、上記アクティブ基板又は対向基板が押圧されることで、上記第１のスイッチ用電極と、上記第２のスイッチ用電極とが電気的に導通する。このため、上記スイッチを、例えば、当該導通した位置を検知するセンサとして機能させることができる。

さらに、上記構成によると、上記アクティブ基板に配され、上記第１のスイッチ用電極が積層された赤外光を反射する第１の反射膜と、上記対向基板に配され上記第２のスイッチ用電極が積層された赤外光を反射する第２の反射膜とのうち少なくとも一方を備えている。

このため、上記アクティブ基板と、上記対向基板とが対向配置される前に、第１のスイッチ用電極又は第２のスイッチ用電極の表面側から入射させた赤外光を、上記第１の反射膜と第２の反射膜とのうち少なくとも一方で反射することができる。このため、上記第１の反射膜と第２の反射膜での反射光のスペクトルを測定させることで、上記第１のスイッチ用電極と上記第２のスイッチ用電極との間で電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる構成が、第１のスイッチ用電極又は第２のスイッチ用電極のうち少なくとも一方の表面に存在するか否かを検査させることができる。

これにより、顕微鏡により目視確認する場合と比べて、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無の確認が可能である。

上記の課題を解決するために、本発明の液晶表示パネル用基板の製造方法は、液晶層を介して他の基板と対向配置されることで、液晶表示パネルを構成する液晶表示パネル用基板の製造方法であって、赤外光を反射する反射膜を形成する反射膜形成工程と、上記他の基板に配された電極と一対のスイッチを構成し、上記他の基板と対向配置されたとき、上記液晶表示パネル用基板、又は上記他の基板が押圧されることで、上記他の基板に配された電極と電気的に導通するスイッチ用電極を、上記反射膜形成工程で形成された反射膜の上方に形成するスイッチ用電極形成工程と、を有することを特徴としている。

上記構成によると、上記スイッチ用電極形成工程では、上記反射膜形成工程で形成された、赤外光を反射する上記反射膜の上方に、上記スイッチ用電極が形成される。これにより、上記スイッチ用電極の表面側から入射させた赤外光を、上記反射膜で反射することができる液晶表示パネル用基板を製造することができる。

これにより、上記反射膜での反射光のスペクトルを測定させることで、上記他の基板に配された上記電極と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる構成が、上記スイッチ用電極の表面に存在するか否かを検査させることができる液晶表示パネル用基板を製造することができる。

これにより、顕微鏡により目視確認する場合と比べて、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無の確認が可能な液晶表示パネル用基板を製造することができる。

上記の課題を解決するために、本発明の液晶表示パネル用基板の基板検査方法は、液晶層を介して他の基板と対向配置されることで、液晶表示パネルを構成する液晶表示パネル用基板を検査する基板検査方法であって、上記他の基板に配された電極と一対のスイッチを構成し、上記他の基板と対向配置されたとき、上記液晶表示パネル用基板、又は上記他の基板が押圧されることで、上記他の基板に配された電極と電気的に導通するスイッチ用電極に赤外光を出射する赤外光出射工程と、上記赤外光出射工程で出射された赤外光のうち、上記液晶表示パネル用基板を平面視したときに上記スイッチ用電極内に形成されている、赤外光を反射する反射膜からの反射光を取得する反射光取得工程とを有することを特徴としている。

上記構成によると、上記赤外光出射工程で、上記スイッチ用電極に対して赤外光を出射し、上記反射光取得工程で、上記上記赤外光出射工程で出射された赤外光のうち、上記スイッチ用電極を積層する上記反射膜からの反射光を取得する。これにより、当該取得した反射光から、上記他の基板に配された上記電極と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる構成が、上記スイッチ用電極の表面に存在するか否かを判定することができる。

このため、上記構成によると、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無を検査することができる。

本発明の液晶表示パネルは、液晶層を介して他の基板と対向配置されることで、液晶表示パネルを構成する液晶表示パネル用基板であり、上記他の基板に配された電極と一対のスイッチを構成し、上記他の基板と対向配置されたとき、自身、又は上記他の基板が押圧されることで、上記他の基板に配された電極と電気的に導通するように配されたスイッチ用電極と、上記スイッチ用電極の下方に配され、赤外光を反射する反射膜と、を備えている。

本発明の液晶表示パネルは、アクティブ基板と、液晶層を介して、当該アクティブ基板と対向配置されている対向基板とを備えており、上記アクティブ基板又は上記対向基板が押圧されることで電気的に導通するように、上記アクティブ基板に配されている第１のスイッチ用電極、及び、上記対向基板に配されている第２のスイッチ用電極から構成されているスイッチを備え、さらに、上記アクティブ基板に配され、上記第１のスイッチ用電極が積層された赤外光を反射する第１の反射膜と、上記対向基板に配され上記第２のスイッチ用電極が積層された赤外光を反射する第２の反射膜とのうち少なくとも一方を備えている。

本発明の液晶表示パネル用基板の製造方法は、液晶層を介して他の基板と対向配置されることで、液晶表示パネルを構成する液晶表示パネル用基板の製造方法であり、赤外光を反射する反射膜を形成する反射膜形成工程と、上記他の基板に配された電極と一対のスイッチを構成し、上記他の基板と対向配置されたとき、上記液晶表示パネル用基板、又は上記他の基板が押圧されることで、上記他の基板に配された電極と電気的に導通するスイッチ用電極を、上記反射膜形成工程で形成された反射膜の上方に形成するスイッチ用電極形成工程と、を有している。

本発明の基板検査方法は、液晶層を介して他の基板と対向配置されることで、液晶表示パネルを構成する液晶表示パネル用基板を検査する基板検査方法であり、上記他の基板に配された電極と一対のスイッチを構成し、上記他の基板と対向配置されたとき、上記液晶表示パネル用基板、又は上記他の基板が押圧されることで、上記他の基板に配された電極と電気的に導通するスイッチ用電極に赤外光を出射する赤外光出射工程と、上記赤外光出射工程で出射された赤外光のうち、上記液晶表示パネル用基板を平面視したときに上記スイッチ用電極内に形成されている、赤外光を反射する反射膜からの反射光を取得する反射光取得工程とを有している。

これにより、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無の確認を行なうことができるという効果を奏する。

図２、図３に示すＡ‐Ａ’線矢視断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置のうち、対向基板の構成を表す平面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置のうち、アクティブ基板の構成を表す平面図である。 図３のＶ‐Ｖ’線矢視断面図である。 本発明の液晶表示パネルの等価回路を表す図である。 本発明の液晶表示パネルの製造工程を説明するフローチャートである。 本発明の液晶表示パネルの対向基板の製造方法を説明する図である。 本発明の対向基板のスイッチＰＳ電極の先端部の配向膜を除去する方法を説明する図である。 本発明の対向基板のスイッチＰＳ電極の変形例を表す図である。 本発明のアクティブ基板の製造方法を説明する図である。 （ａ）はスイッチ用電極にＰＩの残渣がある基板を検査している様子を表す図であり、（ｂ）はスイッチ用電極にＰＩの残渣が無い基板を検査している様子を説明する図である。 表示部に表示されるＰＩ残渣有りの場合のスペクトルを表す図である。 表示部に表示されるＰＩ残渣無しのスペクトルを表す図である。 赤外吸収による分子振動位置を説明する図である。 本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示パネルに配されているタッチスイッチの構成を表す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係るアクティブ基板のスイッチ電極の構成を表す平面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る液晶表示パネルに配されているタッチスイッチの構成を表す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係るスイッチ用電極検査装置の構成を表す図である。 表示部に表示された、ＰＩ残渣の有無の判定結果を表す図である。 スイッチ電極の表面にＰＩ残渣が存在しないことを表すスペクトルを示す図である。 従来のスイッチＰＳが形成されたインセル型タッチパネルの構成を表す図である。 従来の液晶表示パネルの構成を表す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。

〔実施形態１〕
（液晶表示装置の概略構成）
まず、図１〜図３を用いて、本実施の形態に係る液晶表示装置の概略構成について説明する。

図２は、本実施の形態に係る液晶表示装置のうち、対向基板の構成を表す平面図である。図３は、本実施の形態に係る液晶表示装置のうち、アクティブ基板の構成を表す平面図である。

図１は、図２、図３に示すＡ‐Ａ’線矢視断面図である。

図１に示すように、液晶表示装置３は、液晶表示パネル１と、バックライト２とを備えている。また、液晶表示装置３は、液晶表示パネル１及びバックライト２のそれぞれの駆動を制御する駆動制御回路（不図示）等を備えている。

液晶表示パネル１は、内部に、タッチセンサとしてタッチスイッチ（スイッチ）５０が形成されたタッチパネルとして機能するインセル型タッチセンサ機能付きの液晶表示パネルである。

本実施の形態によると、このようなインセル型タッチセンサ機能付き液晶表示パネル内部に配されるタッチスイッチ上の配向膜の有無を効率よく判別することができる手法を提供することができる。

液晶表示パネル１は、アクティブ基板（第２の基板）１２と、液晶層１０を介して、アクティブ基板１２と対向配置されている対向基板（第１の基板）１１とを備えている。

バックライト２は、液晶表示パネル１を照明する照明装置であり、アクティブ基板１２の裏面側（液晶層１０が配されている側とは反対側）に配されている。

対向基板（液晶表示パネル用基板、他の基板）１１と、アクティブ基板（他の基板、液晶表示パネル用基板）１２との間には、スペーサ３３が形成されている。スペーサ３３は、いわゆるフォトスペーサであり、このスペーサ３３によって、対向基板１１と、アクティブ基板１２との間隔（いわゆるセルギャップ）が規定されている。スペーサ３３はメインＰＳ（フォトスペーサ）である。

対向基板１１は、ガラス基板２５と、カラーフィルタ層２６と、反射膜（第２の反射膜）３８と、スイッチＰＳ電極（スイッチ用電極、他の基板に配された電極、第２のスイッチ用電極）５１と、配向膜２１とを少なくとも備えている。

ガラス基板２５は、例えば、０．７ｍｍ以下程度の厚みを有している。そして、ガラス基板２５の表面（アクティブ基板１２との対向面とは反対側の面）には図示しない偏光板が配されている。この偏光板の表面が、ユーザの指や、ペンなど、位置を検出する対象物がタッチ（接触）するタッチ面である。このタッチ面は、上記対象物によって押圧される面でもある。

カラーフィルタ層２６は、ガラス基板２５の裏面（アクティブ基板１２との対向面）に配されている。

反射膜３８は、カラーフィルタ層２６の裏面（アクティブ基板１２との対向面）に配されている。反射膜３８は、金属材料から構成されており、特に、フーリエ変換赤外分光光度計等から出射された赤外光を反射する材質により構成されている。

さらに、反射膜３８を構成する金属材料は、液晶表示パネル１を構成するアクティブ基板１２に形成されている配線又は電極の何れかと同じ材料であることが好ましい。これにより、反射膜３８を形成するために、新たに金属材料を用意する必要はなく、製造コストが上昇することを抑制することができる。

反射膜３８は、単層で構成されており、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）の何れかを主成分とすることが好ましい。これにより、反射膜３８を、アクティブ基板１２内の配線に用いられている金属材料を用いて形成することができる。

このため、反射膜３８を形成するために、新たに金属材料を用意する必要はなく、製造コストが上昇することを抑制することができる。

なお、反射膜３８は、必ずしも単層で形成されている必要は無く、上述したタンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）の何れかを主成分とする複数の層から構成されていてもよい。

反射膜３８の厚みは、特に限定されるものではなく、反射膜３８を形成後に成膜させる部材に影響が出ない程度の厚さであればよい。反射膜３８は、一例として、５０ｎｍ程度で形成されている。

スイッチＰＳ電極５１は、反射膜３８の裏面（アクティブ基板１２との対向面）に配されている。スイッチＰＳ電極５１は、後述するように、柱状の透明樹脂材料と、透明樹脂材料の表面を覆う共通電極である透明電極とから構成されている。

スイッチＰＳ電極５１は、反射膜３８の裏面からアクティブ基板１２側へ突出するように設けられており、スイッチＰＳ電極５１と、アクティブ基板１２に設けられているスイッチ電極５２（後述する）とは離間している。すなわち、スイッチＰＳ電極５１は、凸形状として構成されている。なお、スイッチＰＳ電極５１の詳細な構成は後述する。

配向膜２１は、例えば、ポリイミド（ＰＩ）からなる。配向膜２１は、スイッチＰＳ電極５１の先端面（スイッチ電極５２との対向面）を除く、対向基板１１の、液晶層１０との境界に配されている。なお、対向基板１１は、図１には図示しない共通電極である透明電極が積層されている。

配向膜２１は、この透明電極を介して、カラーフィルタ層２６、反射膜３８、スイッチＰＳ電極５１の側面、スペーサ３３の側面を覆っている。すなわち、スイッチＰＳ電極５１の先端面は、上記透明電極が露出している。

アクティブ基板１２は、ガラス基板３５と、画素電極１５と、反射膜（第１の反射膜）３９と、スイッチ電極５２と、配向膜３２とを少なくとも備えている。

ガラス基板３５は、例えば、０．７ｍｍ以下程度の厚みを有している。そして、ガラス基板３５の裏面（バックライト２との対向面）には図示しない偏光板が配されている。

反射膜３９は、スイッチ電極５２の形成領域内であって、スイッチＰＳ電極５１と対向する領域に配されている。

反射膜３９は、反射膜３８と同様に、金属材料から構成されており、特に、フーリエ変換赤外分光光度計等から出射された赤外光を反射する材質により構成されている。

反射膜３９は、単層で構成されており、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）の何れかを主成分とすることが好ましい。

これにより、反射膜３９を、アクティブ基板１２内の配線に用いられている金属材料を用いて形成することができる。これにより、反射膜３９を形成するために、新たに金属材料を用意する必要はなく、製造コストが上昇することを抑制することができる。

なお、反射膜３９は、必ずしも単層で形成されている必要は無く、上述したタンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）の何れかを主成分とする複数の層から構成されていてもよい。

反射膜３９の厚みは、特に限定されるものではなく、反射膜３９を形成後に成膜させる部材に影響が出ない程度の厚さであればよい。反射膜３９は、一例として、５０ｎｍ程度で形成されている。

スイッチ電極５２は、反射膜３９に積層されている。スイッチ電極５２は、スイッチＰＳ５１と対向する領域に配されている。すなわち、スイッチ電極５２は、押圧されたスイッチＰＳ５１と当接する位置に形成されている。

スイッチＰＳ電極５１と、後述するスイッチ電極５２とが、液晶表示パネル１内に設けられたタッチセンサとして機能するタッチスイッチ５０である。

このように、タッチスイッチ５０は、スイッチＰＳ電極５１と、スイッチ電極５２とのうち、スイッチＰＳ電極５１が凸形状として形成されている。これにより、対向基板１１とアクティブ基板１２との何れかが押圧されることで、互いに接触し、電気的に導通する。このように、タッチスイッチ５０は構成されている。

なお、本実施の形態では、スイッチ電極５２は、後述するように、タッチスイッチ５０の位置検出用ＴＦＴのドレイン電極も兼ねている。

配向膜３２は、例えば、ポリイミド（ＰＩ）からなる。配向膜３２は、スイッチ電極５２の表面を除く、アクティブ基板１２の、液晶層１０との境界面に配されている。すなわち、配向膜３２は、ガラス基板３５、画素電極１５、及びスペーサ３３の側面を覆っている。

（カラーフィルタ層の構成）
次に、図２を用いて、カラーフィルタ層２６について説明する。

図２に示すように、カラーフィルタ層２６は、各画素５内に配されている着色層２６Ｒ・２６Ｇ・２６Ｂと、隣り合う着色層２６Ｒ・２６Ｇ・２６Ｂ間に配されている遮光層（ブラックマトリクス）２６Ｍとを備えている。すなわち、着色層２６Ｒ・２６Ｇ・２６Ｂのそれぞれは、遮光層２６Ｍによって区画された領域内に配されている。

着色層２６Ｒは赤色の波長の光を選択的に透過し、着色層２６Ｇは緑色の波長の光を選択的に透過し、着色層２６Ｂは青色の波長の光を選択的に透過する。

また、遮光層２６Ｍは、対向基板１１を平面視したとき、対向基板１１の垂直方向に延びる遮光層２６Ｍのうち、一部が画素５内に突出して形成されている突出部２６Ｍａを有している。この突出部２６Ｍａは、タッチスイッチ５０の駆動を制御するための検出用ＴＦＴ（後述する）を覆うように形成されている。反射膜３８及びスイッチＰＳ電極５１は、この突出部２６Ｍａの裏面に配されている。

（アクティブ基板の構成）
図３は、アクティブ基板１２の構成を表す平面図である。

アクティブ基板１２には、互いに平行な複数のゲート配線１３と、互いに平行な複数の検出用配線４３と、互いに平行なソース配線１４とが配されている。

ゲート配線１３、検出用配線４３、及びソース配線１４は、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）の何れかを主成分とする金属材料から構成されている。

複数のゲート配線１３と、複数の検出用配線４３とは平行に配されており、複数のソース配線１４は、複数のゲート配線１３及び複数の検出用配線４３と交差するように配されている。アクティブ基板１２を平面視したとき、複数のゲート配線１３、及び複数の検出用配線４３は、水平方向に延びて配されており、複数のソース配線１４は、垂直方向に延びて配されている。

液晶表示パネル１を平面視したときに、ゲート配線１３と、検出用配線４３と、ソース配線１４とによって区画されている格子状パターンが画素５である。

画素５内には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）１６と、画素電極１５と、スイッチ電極５２とが形成されている。

ＴＦＴ１６は、ゲート電極１７と、ソース電極１８と、ドレイン電極１９とを備えている。ゲート電極１７、ソース電極１８、及びドレイン電極１９は、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）の何れかを主成分とする金属材料から構成されている。

ゲート電極１７と、ソース電極１８及びドレイン電極１９との間には半導体層３４が介在して配されている。ゲート電極１７はゲート配線１３と接続されており、ソース電極１８はソース配線１４と接続されており、ドレイン電極１９は画素電極１５に接続されている。

ドレイン電極１９は、層間絶縁膜（不図示）によって覆われている。そして、当該層間絶縁膜にコンタクトホール２３が形成されており、このコンタクトホール２３を介して、ドレイン電極１９と、画素電極１５とが接続されている。

画素電極１５は、ＩＴＯ等の透明電極からなる。画素電極１５は、着色層２６Ｒ・２６Ｇ・２６Ｂのそれぞれと対向する領域に配されている。ＴＦＴ１６によって、画素電極１５に電圧が印加されると、画素電極１５と、対向基板１１に配された共通電極との間で電位差が生じる。これにより、液晶層１０の液晶の駆動の制御がなされることで、液晶表示パネル１に画像を表示することができる。

また、画素５内には、タッチスイッチ５０用の位置の検出用ＴＦＴ５３が配されている。検出用ＴＦＴ５３は、ゲート電極５５と、ソース電極５６と、スイッチ電極５２であるドレイン電極とを備えている。ゲート電極５５、ソース電極５６は、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）の何れかを主成分とする金属材料から構成されている。

ゲート電極５５と、ソース電極５６及びスイッチ電極５２（ドレイン電極）との間には半導体層５７が介在して配されている。ゲート電極５５は検出用配線４３と接続されており、ソース電極５６はソース配線１４と接続されている。

スイッチ電極５２は、スイッチＰＳ電極５１と対向する領域に少なくとも配されている。スイッチ電極５２は、ＩＴＯ等の透明電極からなり、画素電極１５と同じ工程で形成することができる。

（タッチスイッチ近傍の断面構成）
次に、図４を用いて、アクティブ基板１２及び対向基板１１のタッチスイッチ５０近傍の断面構成について説明する。

図４は、図３のＶ‐Ｖ’線矢視断面図である。

まず、アクティブ基板１２の断面の構成について説明する。

図４に示すように、ガラス基板３５の表面にゲート電極５５が形成されている。そして、ゲート電極５５を覆ってガラス基板３５の表面にゲート絶縁膜３６が形成されている。

ゲート絶縁膜３６の表面のうち、ゲート電極５５を覆う領域に半導体層５７が形成されている。ゲート絶縁膜３６の表面のうち、スイッチ電極５２の形成領域内、すなわち、スイッチＰＳ電極５１と対向する領域に、反射膜３９が形成されている。

そして、反射膜３９及び半導体層５７の一部を覆ってスイッチ電極５２が形成されている。また、ゲート絶縁膜３６の表面、及び半導体層５７の他の一部を覆って、ソース電極５６が形成されている。

ソース電極５６を覆って、ゲート絶縁膜３６上及び半導体層５７上に層間絶縁膜３７が形成されている。

層間絶縁膜３７は、例えば、透光性を有する樹脂からなる。層間絶縁膜３７は、さらに好ましくは、透明性を有する樹脂からなる。具体的には、層間絶縁膜３７はアクリルにより構成されている。そして、層間絶縁膜３７の表面には配向膜３２が積層されている。

スイッチ電極５２の表面（対向基板１１に対する対向面）は、層間絶縁膜３７及び配向膜３２には覆われておらず、露出している。

なお、反射膜３９と、半導体層５７とは接していても、接触していなくてもよく、スイッチ電極５２と、半導体層５７とが電気的に導通がとれるように配されていればよい。

次に、対向基板１１側の断面の構成について説明する。

ガラス基板２５の裏面に、遮光層２６Ｍが形成されている。遮光層２６Ｍの裏面のうち、スイッチ電極５２と対向する領域内に反射膜３８が形成されている。反射膜３８の裏面には、柱状のスイッチＰＳ電極５１が複数形成されている。本実施の形態では、一つの共通する反射膜３８に、３個のスイッチＰＳ電極５１が形成されている。

スイッチＰＳ電極５１は、反射膜３８に形成されたスイッチＰＳ（構造物）５８と、そのスイッチＰＳ５８を覆う透明電極２７とから構成されている。そして、遮光層２６Ｍ、スイッチＰＳ５８及び反射膜３８を覆って透明電極２７が形成されている。

そして、透明電極２７のうち、スイッチＰＳ電極５１の先端面以外は、配向膜２１に覆われている。すなわち、スイッチＰＳ電極５１の先端部分は、透明電極２７が露出している。

スイッチＰＳ５８は凸形状を有している。スイッチＰＳ５８は、アクリルにより構成されている。このように、スイッチＰＳ５８をアクリルで構成することで、アクティブ基板１２に配されている層間絶縁膜３７と同じ材料で構成することができる。このため、スイッチＰＳ５８を形成するために、新たに別の材料を用いる必要は無いので、製造コストが上昇することを防止することができる。

（タッチ位置の検出方法）
次に、図５を用いて、液晶表示パネル１でのタッチ位置の検出方法について説明する。

図５は、液晶表示パネル１の等価回路を表す図である。

ある検出用配線４３に所定の走査電圧が印加される。すると、その検出用配線４３に接続されている検出用ＴＦＴ５３がＯＮ状態となり、スイッチ電極５２とソース電極５６とが導通する。

ここで、ユーザが、液晶表示パネル１のタッチ面を押圧することで、スイッチＰＳ電極５１の先端に形成されている透明電極２７と、スイッチ電極５２とが接触すると、透明電極２７とスイッチ電極５２とが導通状態となる。これにより、透明電極２７に印加されている共通電圧に応じた電流がソース配線１４に流れる、このソース配線１４に流れた電流を検知することで、タッチ位置を検知することができる。

複数の検出用配線４３のうち走査電圧を印加する検出用配線４３を順次切り替える（走査させる）ことで液晶表示パネル１内で二次元的に位置を検知することができる。

（液晶表示パネルの主な利点）
このように、液晶表示パネル１は、アクティブ基板１２又は対向基板１１が押圧されることで電気的に導通するように、アクティブ基板１２に配されているスイッチ電極５２及び対向基板１１に配されているスイッチＰＳ電極５１から構成されているタッチスイッチ５０を備えている。

このため、タッチ面である対向基板１１の表面又はアクティブ基板１２の裏面（バックライト２との対向面）が、例えば、指やペンなどで押圧されることで、その押圧された領域が局所的に湾曲する。そして、その湾曲した領域内のスイッチＰＳ電極５１の先端面に形成されている透明電極２７と、スイッチ電極５２とが接触すると、スイッチＰＳ電極５１と、スイッチ電極５２とが電気的に導通する。このため、タッチスイッチ５０を、電気的に導通した位置（すなわち押圧された位置）を検知するセンサとして機能させることができる。

さらに、液晶表示パネル１は、アクティブ基板１２に配され、スイッチ電極５２が積層された赤外光を反射する反射膜３９と、対向基板１１に配されスイッチＰＳ電極５１が積層された赤外光を反射する反射膜３８との両方を備えている。

このため、対向基板１１と、アクティブ基板１２とが対向配置される前に、対向基板１１のスイッチＰＳ電極５１の表面（先端面）側から入射させた赤外光を、反射膜３８で反射させることができる。このため、この反射膜３８からの反射光のスペクトルを測定させることで、スイッチＰＳ電極５１と、アクティブ基板１２側のスイッチ電極５２との間で電気的に導通をとる際、不良が発生する原因となる構成である配向膜２１の残渣が、スイッチＰＳ電極５１の表面（先端面）に存在するか否かを検査させることができる。

さらに、対向基板１１と、アクティブ基板１２とが対向配置される前に、アクティブ基板１２のスイッチ電極５２の表面側から入射させた赤外光を、反射膜３９で反射させることができる。このため、この反射膜３９からの反射光のスペクトルを測定させることで、スイッチ電極５２と、対向基板１１側のスイッチＰＳ電極５１との間で電気的に導通をとる際、不良が発生する原因となる構成である配向膜３２の残渣が、スイッチ電極５２の表面に存在するか否かを検査させることができる。

このように、液晶表示パネル１によると、反射膜３８と、反射膜３９との両方を備えているので、スイッチＰＳ電極５１とスイッチ電極５２との間で電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる構成である配向膜２１・３２の残渣が存在すか否かを、スイッチＰＳ電極５１とスイッチ電極５２との両方の表面とも検査させることができる。

これにより、顕微鏡で目視確認を行う場合と比較して、効率よく、より確実に、タッチスイッチ５０に発生する不良原因となる構成の存在の有無の確認が可能である。

また、液晶表示パネル１は、反射膜３８と、反射膜３９とのうち、少なくとも一方が配されている構成であってもよい。これにより、アクティブ基板１２と、対向基板１１とが対向配置される前に、スイッチＰＳ電極５１及びスイッチ電極５２の表面側から入射させた赤外光を、反射膜３８と反射膜３９とのうち少なくとも一方で反射することができる。

このため、反射膜３８と反射膜３９での反射光のスペクトルを測定させることで、スイッチＰＳ電極５１とスイッチ電極５２との間で電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる配向膜２１・３２の残渣が、スイッチＰＳ電極５１又はスイッチ電極５２のうち少なくとも一方の表面に存在するか否かを検査させることができる。

これにより、顕微鏡により目視確認する場合と比べて、効率よく、確実に、タッチスイッチ５０に発生する不良原因となる配向膜２１・３２の残渣の有無の確認が可能である。

また、アクティブ基板１２のスイッチ電極５２は、透明電極であるスイッチ電極５２を備えている。すなわち、アクティブ基板１２は、スイッチ電極５２を構成する透明電極と同一の工程で形成された画素電極１５を備えている。

これにより、液晶表示パネル用基板のうちアクティブ基板１２で一般的に形成されている画素電極１５を形成する工程と同一の工程で、スイッチ電極５２を形成することができる。

このため、スイッチ電極５２を形成するためだけの工程を設ける必要がなく、製造コストが上昇することを防止することができる。

一方、対向基板１１のスイッチＰＳ電極５１は、透明電極２７を備えている。すなわち、対向基板１１は、スイッチＰＳ電極５１を構成する透明電極２７と同一の工程で形成された共通電極（コモン電極）としての透明電極２７を備えている。

これにより、液晶表示パネル用基板のうち対向基板で一般的に形成されている共通電極を形成する工程と同一の工程で、スイッチＰＳ電極５１が備える透明電極２７を形成することができる。

このため、スイッチＰＳ電極５１が備える透明電極２７を形成するためだけの工程を設ける必要がなく、製造コストが上昇することを防止することができる。

本実施の形態では、ＴＦＴ１６と検出用ＴＦＴ５３とは共通するソース配線１４に接続されているものとして説明したが、検出用ＴＦＴ５３を接続するソース配線１４を、ＴＦＴ１６が接続されているソース配線１４とは別に設ける構成としてもよい。

このように、検出用ＴＦＴ５３が接続されるソース配線１４を、画素５の駆動制御用のＴＦＴ１６が接続されるソース配線１４とは別に設けることで、画素５の駆動制御とは独立してタッチ位置の検知を行うことができるので、検知精度を向上させることができる。

本実施の形態では、一つの画素５内に一つのタッチスイッチ５０を設けるものとして説明したが、これに限らず、着色層２６Ｒ、着色層２６Ｇ、又は着色層２６Ｂが配されている画素５のうち、何れか一つの画素５にタッチスイッチ５０を設ける構成としてもよい。さらに、任意の画素５に対して一つのタッチスイッチ５０を設ける構成としてもよい。

本実施の形態では、スイッチＰＳ電極５１は、共通する一つの反射膜３８に対して３個設けられているものとして説明したが、これに限らず、スイッチＰＳ電極５１は、一つの反射膜３８に、４個以上や２個設けてもよく、又は１個だけ設けてもよい。

しかし、上述したように、共通する一つの反射膜３８に対して３個程度の複数のスイッチＰＳ電極５１を設けることで、スイッチＰＳ電極５１がスイッチ電極５２に押圧された際に、スイッチＰＳ電極５１にかかる負荷を分散させることができる。このため、スイッチＰＳ電極５１や、スイッチＰＳ電極５１が形成されている反射膜３８、及び反射膜３８が形成されている遮光層２６Ｍが破壊することを防止することができる。

（液晶表示パネルの製造工程の概略）
次に、図６を用いて、液晶表示パネル１を製造する工程の概略について説明する。図６は、液晶表示パネル１の製造工程を説明するフローチャートである。

まず、対向基板１１の製造工程（製造方法）の概略について説明する。

反射膜形成工程では、ガラス基板２５の表面に形成されているカラーフィルタ層２６の表面に、赤外光を反射する反射膜３８を形成する。この反射膜３８は、スイッチＰＳ電極５１が形成される領域に形成する。

次に、スイッチＰＳ電極形成工程（スイッチ用電極形成工程）では、反射膜形成工程で形成された反射膜３９の上方、すなわち、反射膜３９に積層して、スイッチＰＳ電極５１を形成する。

本実施の形態に係る対向基板１１では、スイッチＰＳ電極形成工程は、スイッチＰＳ形成工程と、透明電極形成工程とを有する。

まず、スイッチＰＳ形成工程では、反射膜形成工程で形成された反射膜３８の上方、すなわち、反射膜３８に積層してスイッチＰＳ５８を形成する。

次に、透明電極形成工程では、スイッチＰＳ形成工程で形成されたスイッチＰＳ５８や、反射膜形成工程以前のカラーフィルタ形成工程で形成されたカラーフィルタ層２６を覆って、ＩＴＯをパターニングすることで、透明電極２７を形成する。これにより、共通電極が形成されると共に、スイッチＰＳ電極５１が形成される。

次に、配向膜形成工程では、透明電極形成工程で形成した透明電極２７の表面に、配向膜２１を形成する。配向膜２１は、透明電極２７の表面に、ポリイミド溶液を塗布し、当該塗布されたポリイミド溶液を焼成することで形成される。

また、対向基板１１を平面視したとき、スイッチＰＳ電極形成工程で形成したスイッチＰＳ電極５１の先端面（表面）５１ａを、配向膜２１を選択的に成膜しない配向膜２１の非形成領域として、配向膜形成工程では、配向膜２１の非形成領域の周囲に配向膜２１を形成する。

スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａに、選択的に配向膜２１を形成しない方法については後述する。

次に、スイッチＰＳ電極検査工程では、配向膜形成工程で、配向膜２１の非形成領域であるスイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａに、配向膜２１、すなわちポリイミド（ＰＩ）の残渣の有無を検査する。このＰＩ残渣の有無の検査は、一例として、ＦＴ-ＩＲ測定を行うことによってなされる。このＰＩ残渣の有無の検査は、付着しているＰＩが許容量を超えているか否かを判定することによって判定してもよい。このスイッチＰＳ電極検査工程の詳細は後述する。

スイッチＰＳ電極検査工程で、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａに、ＰＩの残渣があると判定されると、当該判定された基板は、次に、ＰＩ除去工程へ移される。

スイッチＰＳ電極検査工程で、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａに、ＰＩの残渣がないと判定されると、良品の対向基板１１として次工程へと移される。

スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａに、ＰＩの残渣があると判定されたことで、ＰＩ除去工程に移された基板は、当該ＰＩ除去工程で、例えば、アッシング処理がなされるなどして、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａに付着していたＰＩが除去される。

そして、ＰＩ除去工程で、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａに付着していたＰＩが除去された基板は、良品の対向基板１１として次工程へ移される。

次に、アクティブ基板１２の製造工程の概略について説明する。

反射膜形成工程では、ガラス基板３５の表面に形成されているゲート絶縁膜３６の表面に、赤外光を反射する反射膜３９を形成する。この反射膜３９は、スイッチ電極５２が形成される領域に形成する。

この反射膜３９を、ＴＦＴ１６・検出用ＴＦＴ５３を構成する何れかの電極や半導体層と同じ材料で形成する場合、当該同じ材料からなる電極や半導体層を形成する工程と、同一の工程で形成するようにしてもよい。

スイッチ電極形成工程は、本実施の形態では、透明電極形成工程を兼ねている。スイッチ電極形成工程では、反射膜形成工程で形成した反射膜３９を覆うように、ＩＴＯをパターニングすることで、スイッチ電極５２を形成する。また、スイッチ電極形成工程では、併せて、ゲート絶縁膜３６に積層して形成されている層間絶縁膜３７の表面に、画素電極１５も形成される。

次に、配向膜形成工程では、スイッチ電極形成工程で形成した画素電極１５や、層間絶縁膜３７の表面に、配向膜３２を形成する。配向膜３２は、画素電極１５や、層間絶縁膜３７の表面に、ポリイミド溶液を塗布し、当該塗布されたポリイミド溶液を焼成することで形成される。

また、本実施の形態では、アクティブ基板１２の配向膜形成工程には、ＰＩ除去工程を含む。

このＰＩ除去工程で、例えばアッシング処理がなされるなどにより、アクティブ基板１２を平面視したとき、スイッチ電極形成工程で形成したスイッチ電極５２の表面５２ａを、配向膜３２を選択的に成膜しない配向膜３２の非形成領域として、スイッチ電極５２の表面５２ａに成膜された配向膜３２、すなわちＰＩを除去する。

このようにして、配向膜形成工程では、配向膜３２の非形成領域の周囲に配向膜３２が形成される。なお、スイッチ電極５２の表面５２ａのＰＩを除去する方法については後述する。

次に、スイッチ電極検査工程では、配向膜形成工程で、配向膜３２の非形成領域であるスイッチ電極５２の表面５２ａに、配向膜３２、すなわちＰＩの残渣の有無を検査する。このＰＩ残渣の有無の検査は、一例として、ＦＴ-ＩＲ測定を行うことによってなされる。このＰＩ残渣の有無の検査は、付着しているＰＩが許容量を超えているか否かを判定することによって判定してもよい。このスイッチ電極検査工程の詳細は後述する。

スイッチ電極検査工程で、スイッチ電極５２の表面５２ａに、ＰＩの残渣があると判定されると、当該判定された基板は、次に、ＰＩ除去工程へ移される。

スイッチ電極検査工程で、スイッチ電極５２の表面５２ａに、ＰＩの残渣がないと判定されると、良品のアクティブ基板１２として次工程へ移される。

スイッチ電極５２の表面５２ａに、ＰＩの残渣があると判定されたことで、ＰＩ除去工程に移された基板は、当該ＰＩ除去工程で、例えば、アッシング処理がなされるなどして、スイッチ電極５２の表面５２ａに付着していたＰＩが除去される。

そして、ＰＩ除去工程で、スイッチ電極５２の表面５２ａに付着していたＰＩが除去されると、良品のアクティブ基板１２として次工程へ移される。

次に、シール形成工程で、完成したアクティブ基板１２に、シール用樹脂が塗布・印刷される。そして、そのアクティブ基板１２に液晶を滴下し、上記完成した対向基板１１と貼り合わせる。そして、対向基板１１、アクティブ基板１２の外側面にそれぞれ偏光板を配することで、液晶表示パネル１が完成する。そして、液晶表示パネル１に駆動回路や、バックライト２等を配することで液晶表示装置が完成する。

次に、対向基板１１、アクティブ基板１２の製造方法について具体的に説明する。

（対向基板の製造方法）
まず、図７の（ａ）〜（ｆ）を用いて、対向基板１１の製造方法について説明する。

図７の（ａ）〜（ｆ）は、対向基板１１の製造方法を説明する図である。

まず、カラーフィルタ層形成工程で、遮光層２６Ｍと着色層２６Ｒ・２６Ｇ・２６Ｂとをガラス基板２５上に形成する。

図７の（ａ）に示すように、ガラス基板２５の表面の所定のパターンの遮光層２６Ｍを形成する。

例えば、黒色樹脂材料を、ガラス基板２５の表面に塗布してから、フォトリソグラフィーにより、その塗布した黒色樹脂材料のうち、不要部分を除去することで、遮光層２６Ｍを形成することができる。

次に、図７の（ｂ）に示すように、遮光層２６Ｍの非形成領域、すなわち、画素５となる領域内に、着色層２６Ｒ・２６Ｇ・２６Ｂを形成する。

まず、ガラス基板２５上に、着色層材料を含むカラーレジストを塗布し、所定パターンの開口を有するフォトマスクを介して紫外線を照射する。これにより、その所定パターン部分のカラーレジストが硬化し、不溶化される。次に、現像液により、未硬化部分である不要なカラーレジストを除去する。そして、除去されず、パターニングされたカラーレジストをベークすることで硬化させる。

この工程を赤、緑、青の着色層材料について行うことで、着色層２６Ｒ・２６Ｇ・２６Ｂを形成する。

これにより、カラーフィルタ層２６が形成される。

なお、カラーフィルタ層２６の形成方法は、上述したものに限定されず、公知の方法を用いることができる。

次に、図７の（ｃ）に示すようにカラーフィルタ層２６のうち、遮光層２６Ｍの表面に反射膜３８を形成する（反射膜形成工程）。例えば、スパッタリング法により、反射膜３８を構成する金属材料の薄膜を、遮光層２６Ｍの表面に成膜することで、反射膜３８を形成することができる。

次に、図７の（ｄ）に示すように、反射膜３８の表面にスイッチＰＳ５８を形成する（スイッチＰＳ電極形成工程）。

まず、スイッチＰＳ５１を構成する透明樹脂材料を含むレジストを、反射膜３８及びカラーフィルタ層２６の表面に塗布する。

次に、所定パターンの開口を有するフォトマスクを介して紫外線を照射する。これにより、その所定パターン部分のレジストが硬化し、不溶化される。次に、現像液により、未硬化部分である不要なレジストを除去する。そして、除去されず、パターニングされたレジストをベークすることで硬化させる。

これにより、スイッチＰＳ５８が、反射膜３８の表面に形成される。

なお、スイッチＰＳ５８は、透明樹脂材料に限定されず、着色層２６Ｒ・２６Ｇ・２６Ｂを形成したカラーレジストの何れかを用いて形成してもよい。

次に、図７の（ｅ）に示すように、カラーフィルタ層２６、反射膜３８、及びスイッチＰＳ５８を覆うように、共通電極となる透明電極２７を形成する（透明電極形成工程）。

例えば、スパッタリング法により、透明電極２７を構成するＩＴＯの薄膜を形成することで、透明電極２７を形成することができる。

これにより、共通電極が形成されると共に、スイッチＰＳ５８と、透明電極２７とから構成されているスイッチＰＳ電極５１が形成される。

次に、図７の（ｆ）に示すように、遮光層２６Ｍの上方であり、透明電極２７の表面に、メインのＰＳであるスペーサ３３を形成する（スペーサ形成工程）。

まず、スペーサ３３を構成する樹脂材料を含むレジストを、透明電極２７の表面に塗布する。

次に、所定パターンの開口を有するフォトマスクを介して紫外線を照射する。これにより、その所定パターン部分のレジストが硬化し、不溶化される。次に、現像液により、未硬化部分である不要なレジストを除去する。そして、除去されず、パターニングされたレジストをベークすることで硬化させる。

これにより、スペーサ３３が、透明電極２７の表面であって、遮光層２６Ｍの上方に形成される。

次に、図７の（ｇ）に示すように、透明電極２７の表面に、配向膜２１を形成する（配向膜形成工程）。透明電極２７の表面に、配向膜２１を構成するポリイミド溶液（ＰＩ溶液）を塗布し、焼成（ベーク）することで硬化させる。この硬化させた膜が配向膜２１である。

ここで、スイッチＰＳ電極５１や、スペーサ３３は、ある程度の高さを有して、突出して形成されている。このため、配向膜２１を構成するポリイミドは、スイッチＰＳ電極５１や、スペーサ３３の形状に追従しきれず、スイッチＰＳ電極５１の先端面（スイッチ電極５２との対向面）や、スペーサ３３の先端面（アクティブ基板１２との当接面）には、ポリイミドが成膜されずに、硬化する。一例として、本実施の形態では、スイッチＰＳ電極５１の高さは２．５μｍであり、スペーサ３３の高さは３μｍ程度で形成している。

これにより、スイッチＰＳ電極５１の先端面や、スペーサ３３の先端面を除く透明電極２７の表面に配向膜２１が形成される。

このようにして、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａを、選択的に配向膜２１が形成されない領域である配向膜２１の非形成領域とすることができる。つまり、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａをＰＩが形成されない領域とすることができる。このようにして、対向基板１１が形成される。

さらに、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａのＰＩの残渣をより確実に無くすため、ＰＩ除去工程を追加してもよい。

以下に、ＰＩ除去工程の具体例について説明する。

図８の（ａ）〜（ｃ）は、スイッチＰＳ電極の先端部の配向膜２１を除去する方法を説明する図である。

図８の（ａ）に示すように、配向膜２１を成膜後、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａも覆うように、対向基板１１の表面全面にレジスト６２を成膜する。

次に、図８の（ｂ）に示すように、レジスト６２のうち、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａのレジスト６２を除去する。

次に、露出したスイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａに対して、酸素プラズマを用いたアッシングを行う。

そして、図８の（ｃ）に示すように、残っているレジスト６２を洗浄することで除去する。これにより、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａのＰＩの残渣が除去された対向基板１１が完成する。

また、スイッチＰＳ電極を図９に示す形状とすることで、スイッチＰＳ電極の先端面に配向膜が形成されないようにしてもよい。

図９は、スイッチＰＳ電極の変形例を表す図である。

また、図９に示すように、スイッチＰＳ電極（スイッチ用電極、他の基板に配された電極、第２のスイッチ用電極）６１は、先端面（配向膜の非形成領域）６１ａを凸形状の曲面とすることで、配向膜２１をはじきやすい形状としている。

図７の（ｄ）で説明したように、スイッチＰＳ５８を、反射膜３８の表面に形成したあと、その形成したスイッチＰＳ５８に熱を加える熱処理工程を加える。

この熱処理工程では、例えば、約２２０℃程度の熱を、スイッチＰＳ５８に加える。すると、スイッチＰＳ５８の先端面は、周囲が軟化し、変形して、スイッチＰＳ５８の先端面から側面にかけてなだらかな、凸形状となる。これにより、図９のスイッチＰＳ６８が形成される。

次に、図７の（ｅ）で示したように、カラーフィルタ層２６、反射膜３８、及びスイッチＰＳ５８を覆うように、共通電極となる透明電極２７を形成する。これにより、凸形状となったスイッチＰＳの先端面に積層された透明電極２７も凸形状となる。これにより、図８に示すように、先端面６１ａが凸形状であるスイッチＰＳ電極６１が形成される。

以降の工程は、図７の（ｆ）〜（ｇ）を用いて説明したものと同様であるので、省略する。

このようにして、凸形状の曲面である先端面６１ａを有するスイッチＰＳ電極６１が配されている対向基板１１を形成することができる。

このように、対向基板１１の製造方法によると、赤外光を反射する反射膜３８を形成する反射膜形成工程と、アクティブ基板１２に配されたスイッチ電極５２と一対のタッチスイッチ５０を構成し、アクティブ基板１２と対向配置されたとき、対向基板１１、又はアクティブ基板１２が押圧されることで、アクティブ基板１２に配されたスイッチ電極５２と電気的に導通するスイッチＰＳ電極５１を、反射膜形成工程で形成された反射膜３８の上方に形成するスイッチＰＳ電極形成工程と、を有している。

これにより、上記スイッチＰＳ電極形成工程では、上記反射膜形成工程で形成された、反射膜３８の上方に、スイッチＰＳ電極５１が形成される。このため、スイッチＰＳ電極５１の先端面（配向膜の非形成領域）５１ａ側から入射させた赤外光を、反射膜３８で反射することができる対向基板１１を製造することができる。

これにより、反射膜３８での反射光のスペクトルを測定させることで、アクティブ基板１２に配されたスイッチ電極５２と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる配向膜２１の残渣（ＰＩ残渣）が、スイッチＰＳ電極の先端面５１ａに存在するか否かを検査させることができる対向基板１１を製造することができる。

これにより、顕微鏡により目視確認する場合と比べて、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無の確認が可能な対向基板１１を製造することができる。

また、上記スイッチ用電極形成工程で形成されたスイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａを、配向膜２１を選択的に成膜しない配向膜２１の非形成領域として、配向膜２１の非形成領域の周囲に配向膜２１を形成する配向膜形成工程を有している。

このため、対向配置されたアクティブ基板１２に配されたスイッチ電極５２との間で電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる配向膜２１を、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａには形成せず、対向基板１１に形成することができる。これにより、導通不良の発生を防止したスイッチＰＳ電極５１が形成された対向基板１１を製造することができる。

（対向基板１１の主な利点）
次に、液晶層１０を介してアクティブ基板１２と対向配置されることで、液晶表示パネル１を構成する対向基板１１の主な利点を説明する。

対向基板１１は、アクティブ基板１２に配されたスイッチ電極５２と一対のタッチスイッチ５０を構成し、アクティブ基板１２と対向配置されたとき、自身（すなわち対向基板１１）、又はアクティブ基板１２が押圧されることで、アクティブ基板１２に配されたスイッチ電極５２と電気的に導通するように配されたスイッチＰＳ電極５１と、スイッチＰＳ電極５１の下方に配され、赤外光を反射する反射膜３８と、を備えている。

これにより、対向基板１１は、アクティブ基板１２と対向配置されたとき、アクティブ基板１２に配されているスイッチ電極５２と、スイッチＰＳ電極５１とが一対となり、タッチスイッチ５０を構成する。そして、対向基板１１、又はアクティブ基板１２が押圧されることで、タッチスイッチ５０は電気的に導通するので、タッチスイッチ５０を、位置を検知するセンサとして機能させることができる。

さらに、対向基板１１によると、赤外光を反射する反射膜３８が、スイッチＰＳ電極５１の下方に配されている。これにより、アクティブ基板１２と対向配置される前に、スイッチＰＳ電極５１の先端面（表面）５１ａ側から入射させた赤外光を、反射膜３８で反射することができる。このため、反射膜３８での反射光のスペクトルを、測定装置などに測定させることで、アクティブ基板１２に配されたスイッチ電極５２と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる配向膜２１の残渣が、スイッチＰＳ電極５１の先端面（表面）５１ａに存在するか否かを検査させることができる。

これにより、顕微鏡により、検査者が目視確認することで検査する場合と比べて、効率よく、確実に、タッチスイッチ５０に発生する不良原因となる構成の存在の有無の確認が可能である。

また、対向基板１１は、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａを、配向膜２１を選択的に形成しない配向膜の非形成領域として形成された、配向膜２１を備えている。そして、対向基板１１を平面視したとき、配向膜２１の非形成領域内には、反射膜３８が配されている。

これにより、対向基板１１を平面視したとき、配向膜２１の非形成領域（すなわちスイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａ）内には、反射膜３８が配されているので、配向膜２１の非形成領域内に、赤外光を出射させると、当該赤外光を、反射膜３８で反射することができる。

このため、反射膜３８からの反射光のスペクトルを、測定装置などに測定させることで、配向膜２１の非形成領域内に、配向膜２１の残渣であるＰＩ残渣が存在するか否かを検査させることができる。これにより、顕微鏡により目視確認する場合と比べて、効率よく、確実に、タッチスイッチ５０に発生する不良原因となる、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａのＰＩ残渣の有無を検査させることができる。

また、対向基板１１のスイッチＰＳ電極５１は、透明電極２７と、透明電極２７が積層された凸形状のスイッチＰＳ（構造物）５８とから構成されている。

すなわち、スイッチＰＳ電極５１は、凸形状に構成されたスイッチＰＳ５８と、スイッチＰＳ５８に積層された透明電極２７とから構成されるので、スイッチＰＳ電極５１も凸形状となる。このため、アクティブ基板１２と対向配置された際、対向基板（自身）１１又はアクティブ基板１２の何れかが押圧された際、確実に、スイッチＰＳ電極５１と、アクティブ基板１２に配されたスイッチ電極５２との間で、電気的に導通させることができる。

（アクティブ基板の製造方法）
次に、図１０の（ａ）〜（ｅ）を用いて、アクティブ基板１２の製造方法について説明する。

図１０の（ａ）〜（ｅ）は、アクティブ基板１２の製造方法を説明する図である。

図１０の（ａ）に示すように、例えば、スパッタリング法により、ガラス基板３５の表面にゲート電極５５が形成される。また、このゲート電極５５の形成工程と同一工程で、検出用配線４３、ゲート配線１３、及び画素５駆動用のＴＦＴ１６を構成するゲート電極１７もガラス基板３５の表面に形成される。

そして、例えば、スパッタリング法により、ゲート電極５５を覆うようにして、ガラス基板３５の表面にゲート絶縁膜３６が形成される。

そして、例えば、スパッタリング法などにより、ゲート絶縁膜３６の表面であって、ゲート電極５５を覆うようにして半導体層５７が形成される。この半導体層５７と同一工程で、ＴＦＴ１６を構成する半導体層３４も形成される。

そして、例えば、スパッタリング法などによって、半導体層５７の一部を覆うようにして、ゲート絶縁膜３６上にソース電極５６を形成される。また、このソース電極５６の形成工程と同一工程で、ソース配線１４、ソース電極１８及びドレイン電極１９も形成される。

次に、図１０の（ｂ）に示すように、例えば、スパッタリング法により、ゲート絶縁膜３６の表面に、所定パターンの反射膜３９が形成される（反射膜形成工程）。

ここで、反射膜３９を、ソース電極５６、又は半導体層５７等と同じ金属材料により形成する場合は、上述したソース電極５６又は半導体層５７の形成工程と同一工程にて、合せて形成するようにしてもよい。

次に、図１０の（ｃ）に示すように、所定パターンの層間絶縁膜３７が形成される。例えばＣＶＤ法やスピンコート法により層間絶縁膜３７はパターニングされ、スイッチ電極５２を形成する領域に形成された層間絶縁膜３７は除去される。これにより、反射膜３９が露出する。

そして、次に、図示しないが、層間絶縁膜３７に、ＴＦＴ１６のドレイン電極１９と、画素電極１５とを接続するためのコンタクトホール２３が形成される。

次に、図１０の（ｄ）に示すように、画素電極１５、及びスイッチ電極５２が形成される（スイッチ電極形成工程）。

例えば、スパッタリング法により、所定パターンにＩＴＯをパターニングする。これにより、層間絶縁膜３７の表面に画素電極１５を形成し、反射膜３９を露出させて層間絶縁膜３７を除去した領域であるスイッチ電極５２の形成領域に、反射膜３９を覆うように、スイッチ電極５２を形成する。

次に、図１０の（ｅ）に示すように、画素電極１５及び層間絶縁膜３７の表面に、配向膜３２を形成する（配向膜形成工程）。

画素電極１５を覆って、層間絶縁膜３７の表面に、配向膜３２を構成するポリイミド溶液を塗布し、焼成（ベーク）することで硬化させる。

次に、スイッチ電極５２上に成膜されたポリイミドを除去する（ＰＩ除去工程）。このスイッチ電極５２の表面のポリイミドを除去する方法は、図８の（ａ）〜（ｃ）を用いて説明したように、アッシング処理を行うことで除去してもよいし、その他の公知の技術を用いてもよい。

このようにして、スイッチ電極５２の表面５２ａを、選択的に配向膜３２が形成されない領域である配向膜３２の非形成領域とすることができる。

これにより、アクティブ基板１２が形成される。

次に、後述するスイッチ電極検査工程を経て、完成したアクティブ基板１２と、完成した対向基板１１とを貼り合わせ、内部に液晶を注入することで液晶層１０を形成し、また、対向基板１１、及びアクティブ基板１２のそれぞれの外側面に偏光板を貼ることで液晶表示パネル１が形成される。

この液晶表示パネル１に、各種の駆動回路や配線が形成され、また、バックライト２と接続されることで液晶表示装置３が形成される。

このように、アクティブ基板１２の製造方法によると、赤外光を反射する反射膜３９を形成する反射膜形成工程と、対向基板１１に配されたスイッチＰＳ電極５１と一対のタッチスイッチ５０を構成し、対向基板１１と対向配置されたとき、アクティブ基板１２、又は対向基板１１が押圧されることで、対向基板１１に配されたスイッチＰＳ電極５１と電気的に導通するスイッチ電極５２を、反射膜形成工程で形成された反射膜３９の上方に形成するスイッチ電極形成工程と、を有している。

これにより、上記スイッチＰＳ電極形成工程では、上記反射膜形成工程で形成された、反射膜３９の上方に、スイッチ電極５２が形成される。このため、スイッチ電極５２の表面５２ａ側から入射させた赤外光を、反射膜３９で反射することができるアクティブ基板１２を製造することができる。

これにより、反射膜３９での反射光のスペクトルを測定させることで、対向基板１１に配されたスイッチＰＳ電極５１と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる配向膜２１の残渣（ＰＩ残渣）が、スイッチ電極５２の表面５２ａに存在するか否かを検査させることができるアクティブ基板１２を製造することができる。

これにより、顕微鏡により目視確認する場合と比べて、効率よく、確実に、タッチスイッチ５０に発生する不良原因となる構成の存在の有無の確認が可能なアクティブ基板１２を製造することができる。

また、上記スイッチ電極形成工程で形成されたスイッチ電極５２の表面５２ａを、配向膜３２を選択的に成膜しない配向膜３２の非形成領域として、配向膜３２の非形成領域の周囲に配向膜３２を形成する配向膜形成工程を有している。

このため、対向配置された対向基板１１に配されたスイッチＰＳ電極５１との間で電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる配向膜３２を、スイッチ電極５２の表面５２ａには形成せず、アクティブ基板１２に形成することができる。これにより、導通不良の発生を防止したスイッチ電極５２が形成されたアクティブ基板１２を製造することができる。

（アクティブ基板１２の主な利点）
次に、液晶層１０を介して対向基板１１と対向配置されることで、液晶表示パネル１を構成するアクティブ基板１２の主な利点を説明する。

アクティブ基板１２は、対向基板１１に配されたスイッチＰＳ電極５１と一対のタッチスイッチ５０を構成し、対向基板１１と対向配置されたとき、自身（すなわちアクティブ基板１２）、又は対向基板１１が押圧されることで、対向基板１１に配されたスイッチＰＳ電極５１と電気的に導通するように配されたスイッチ電極５２と、スイッチ電極５２の下方に配され、赤外光を反射する反射膜３９と、を備えている。

これにより、アクティブ基板１２は、対向基板１１と対向配置されたとき、対向基板１１に配されているスイッチＰＳ電極５１と、スイッチ電極５２とが一対となり、タッチスイッチ５０を構成する。そして、アクティブ基板１２、又は対向基板１１が押圧されることで、タッチスイッチ５０は電気的に導通するので、タッチスイッチ５０を、位置を検知するセンサとして機能させることができる。

さらに、アクティブ基板１２によると、赤外光を反射する反射膜３９が、スイッチ電極５２の下方に配されている。これにより、対向基板１１と対向配置される前に、スイッチ電極５２の表面５２ａ側から入射させた赤外光を、反射膜３９で反射することができる。このため、反射膜３９での反射光のスペクトルを、測定装置などに測定させることで、対向基板１１に配されたスイッチＰＳ電極５１と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる配向膜３２の残渣が、スイッチ電極５２の表面５２ａに存在するか否かを検査させることができる。

これにより、顕微鏡により、検査者が目視確認することで検査する場合と比べて、効率よく、確実に、タッチスイッチ５０に発生する不良原因となる構成の存在の有無の確認が可能である。

また、アクティブ基板１２は、スイッチ電極５２の表面５２ａを、配向膜３２を選択的に形成しない配向膜３２の非形成領域として形成された、配向膜３２を備えている。アクティブ基板１２を平面視したとき、配向膜３２の非形成領域内には、反射膜３８が配されている。

これにより、アクティブ基板１２を平面視したとき、配向膜３２の非形成領域（すなわちスイッチ電極５２の表面５２ａ）内には、反射膜３９が配されているので、配向膜３２の非形成領域内に、赤外光を出射させると、当該赤外光を、反射膜３９で反射することができる。

このため、反射膜３９からの反射光のスペクトルを、測定装置などに測定させることで、配向膜３２の非形成領域内に、配向膜３２の残渣であるＰＩ残渣が存在するか否かを検査させることができる。これにより、顕微鏡により目視確認する場合と比べて、効率よく、確実に、タッチスイッチ５０に発生する不良原因となる、スイッチ電極５２の表面５２ａのＰＩ残渣の有無を検査させることができる。

（スイッチＰＳ電極検査工程・スイッチ電極検査工程）
次に、スイッチＰＳ電極検査工程・スイッチ電極検査工程について説明する。

この検査工程は、対向基板１１を製造する製造ラインと、アクティブ基板１２を製造する製造ラインとの両方に設けられていることが好ましいが、少なくとも一方に設けられていればよい。

以下では、対向基板１１のスイッチＰＳ電極検査工程について説明する。

図１１の（ａ）はスイッチ用電極にＰＩの残渣がある基板を検査している様子を表す図であり、（ｂ）はスイッチ用電極にＰＩの残渣が無い基板を検査している様子を説明する図である。

図１１の（ａ）（ｂ）に示すように、スイッチ用電極検査装置１００は、受光した光をスペクトル変化する分光光度計１０１と、スイッチ用電極検査装置１００の全体の駆動を制御する制御部１１０と、入力されたスペクトルデータを表示する表示部１２０とを備えている。

分光光度計１０１は、一例として、フーリエ変換赤外光分光光度計（ＦＴ‐ＩＲ）を用いる。フーリエ変換赤外光分光光度計は、一例として、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製のAvatar370〔製品名〕等を用いることができる。

スイッチ用電極検査装置１００では、分光光度計１０１によって出射した赤外光を、外部の反射膜で反射させ、その反射光の強度を測定する、所謂、ＦＴ‐ＩＲ反射法を用いる。

分光光度計１０１は、光源１０２と、検出器１０３とを備えている。制御部１１０は、駆動制御部１１１と、データ変換部１１２とを備えている。なお、制御部１１０は、分光光度計１０１の外部に設けてよいし、内部に設けてもよい。

光源１０２は、赤外光を出射する赤外光光源である。

検出器１０３は、光源１０２から出射された赤外光のうち、外部で反射された反射光を受光し、当該受光した反射光をスペクトルに変換する。検出器１０３は、変換したスペクトルを制御部１１０のデータ変換部１１２に出力する。本実施の形態では、検出器１０３の一例として、ＭＣＴ（水銀‐カドミウム‐テルル）を用いる。

駆動制御部１１１は、分光光度計１０１に対して、駆動条件の設定指示や、測定条件の設定指示を行ったり、表示部１２０に対して、駆動条件の設定指示や、表示条件の設定指示を行ったりする。

データ変換部１１２は、検出器１０３から出力されたスペクトルを、デジタルデータに変換すると共に、表示部１２０に表示させるために、縦軸、横軸を設定したスペクトルデータに変換する。そして、変換したスペクトルデータを表示部１２０に出力する。

表示部１２０は、データ変換部１１２から出力されてきたスペクトルデータが入力されると、当該入力されたスペクトルデータを表示画面に表示する。これにより、検査者に対して、測定したスペクトルを視認させることができる。

本実施の形態では、測定条件を以下のように設定する。すなわち、以下の測定条件となるように、駆動制御部１１１から、分光光度計１０１及び表示部１２０に対して、設定指示をさせる。
中赤外波長領域：２．５μｍ〜１５μｍ
波数表示：４０００ｃｍ^−１〜６５０ｃｍ^−１
また、検出器１０３の測定条件を以下のように設定する。
測定時の分解能：４ｃｍ^−１
積算回数：６４回
対向基板１１が送られてくると、光源１０２から、対向基板１１のうち、配向膜２１の非形成領域であるスイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａに、赤外光を出射する（赤外光出射工程）。

次に、検出器１０３は、光源１０２から出射された赤外光のうち、対向基板１１を平面視したときに、配向膜２１の非形成領域であるスイッチＰＳ電極５１内に形成されている、赤外光を反射する反射膜３８からの反射光を受光（取得）する（反射光取得工程）。

さらに、検出器１０３は、受光した反射光を、スペクトルに変更する（スペクトル変換工程）。

次に、データ変換部１１２は、検出器１０３から出力されたスペクトルに対しデジタル変換を行ったり、表示部１２０に表示させるために、縦軸、横軸の設定を行う（スペクトル変換工程）。そして、データ変換部１１２は、上記スペクトル変換工程で、変換、設定したスペクトルを表示部１２０に出力し、当該スペクトルを表示部１２０が表示する。

このようにして、表示部１２０は、検出器１０３が受光（取得）した反射光のスペクトルを表示する（表示工程）。

図１１の（ａ）に示す対向基板１１’のように、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａに配向膜２１の残渣であるＰＩ２１’が存在するとする（すなわち不良品）。

すると、光源１０２から出射された赤外光は、ＰＩ２１’、透明電極２７（ＩＴＯ）、スイッチＰＳ５８（アクリル）の順に透過し、反射膜３８で反射され、スイッチＰＳ５８、透明電極２７、ＰＩ２１’の順に透過し、検出器１０３で受光される。

このように、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａに、残渣であるＰＩ２１’が存在すると、検出器１０３から、アクリルと、ＰＩとの合算成を含むスペクトルが出力される。

なお、ＩＴＯは、赤外光を吸収せず、そのまま透過するので、検出器１０３から出力されるスペクトルにピークは現れない。

図１２は、表示部に表示されるＰＩ残渣有りの場合のスペクトルを表す図である。

ＰＩ残渣が有る場合、図１２に示すように、アクリルと、ＰＩとの合算成分を含むスペクトルが表示される。

一方、図１１の（ｂ）に示す対向基板１１のように、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａに配向膜２１の残渣が無い場合（すなわち正常品）、光源１０２から出射された赤外光は、透明電極２７（ＩＴＯ）、スイッチＰＳ５８（アクリル）の順に透過し、反射膜３８で反射され、スイッチＰＳ５８、透明電極２７の順に透過し、検出器１０３で受光される。このため、表示部１２０には、アクリルの成分のみが現れたスペクトルが表示される。

図１３は、表示部に表示されるＰＩ残渣無しのスペクトルを表す図である。

ＰＩ残渣が無い場合、図１３に示すように、アクリルを表す成分だけが現れたスペクトルが表示部１２０に表示される。

図１４の（ａ）〜（ｃ）は、赤外吸収による分子振動位置を説明する図である。

図１４の（ａ）はアクリル樹脂とＰＩとの合算値を含むスペクトルを表す。図１４の（ｂ）はアクリルを表す成分のみが現れたスペクトルを表す。図１４の（ｃ）はＰＩを表す成分のみが現れたスペクトルを表す。

分子の振動により、赤外光が吸収されることで、検出器１０３が受光する反射光には、特定の波数域に吸収ピークが現れる。この吸収ピークがどの波数に現れているか、また、その形状を確認することで、赤外光が透過してきた物質を特定することができる。

図１４を用いて、表示部１２０に表示されるスペクトルから、ＰＩの残渣の有無を判定する方法について説明する。

図１４（ａ）に示すように、（i）アクリル＋（ii）ＰＩを表すスペクトルには、赤外吸収により、波数が２９００〜２８００ｃｍ^−１付近のＣ‐Ｈ伸縮、波数が１７００ｃｍ^−１付近のＣ＝Ｏ伸縮、波数が１５００ｃｍ^−１付近のベンゼン環ＣＣ伸縮、波数が１３８０ｃｍ^−１付近のＣ‐Ｎ伸縮、波数が１２００〜１３００ｃｍ^−１付近のＣ-Ｏ伸縮、波数が８００ｃｍ^−１付近のベンゼン環ＣＨ面外変角による分子振動が発生していることが現れている。

一方、図１４の（ｂ）に示すように、（i）アクリルは、赤外吸収により、波数が２９００〜２８００ｃｍ^−１付近のＣ‐Ｈ伸縮、波数が１７００ｃｍ^−１付近のＣ＝Ｏ伸縮、波数が１５００ｃｍ^−１付近のベンゼン環ＣＣ伸縮、波数が１２００〜１３００ｃｍ^−１付近のＣ-Ｏ伸縮、波数が８００ｃｍ^−１付近のベンゼン環ＣＨ面外変角による分子振動が発生する。

また、図１４の（ｃ）に示すように、（ii）ＰＩは、赤外吸収により、波数が１７００ｃｍ^−１付近のＣ＝Ｏ伸縮、波数が１５００ｃｍ^−１付近のベンゼン環ＣＣ伸縮、波数が１３８０ｃｍ^−１付近のＣ‐Ｎ伸縮、波数が１２００〜１３００ｃｍ^−１付近のＣ-Ｏ伸縮による分子振動が発生する。

図１４の（ａ）に示すスペクトルは、図１４の（ｂ）に示すスペクトルと、図１４の（ｃ）に示すスペクトルが合算された成分が表示されていることが解る。

従って、検査者は、これらＣ‐Ｈ伸縮、Ｃ＝Ｏ伸縮、ベンゼン環ＣＣ伸縮、Ｃ‐Ｎ伸縮、Ｃ-Ｏ伸縮、ベンゼン環ＣＨ面外変角の分子振動が発生しているか否か、すなわち、分子振動による赤外吸収が発生しているか否かを確認することで、ＰＩ残渣の有無を確認することができる。

以上のように、ＦＴ‐ＩＲ反射法にて、反射膜３８からの反射光の波数毎の強度を測定することで、簡単に、残渣であるＰＩ２１’の存在の有無を、検査者に確認させることができる。

このため、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａの残渣の有無を、光学顕微鏡を用いる場合のように、検査者の目視判定に頼る必要はない。このため、合理的に、かつ、正確に、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａの残渣の有無を判定させることができる。

残渣の有無は、対向基板１１中に含まれる全スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａを測定して確認してもよいし、不良の発生が懸念される生産ロットに含まれている基板のうち数ポイントを抜き取りで測定し、確認してもよい。

スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａや、アクティブ基板１２を測定した場合にスイッチ電極５２の表面５２ａに、ＰＩの残渣が無いと判定されると、その基板は良品であるとして、次の工程に移され、貼り合わされる。

しかし、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａや、アクティブ基板１２を測定した場合にスイッチ電極５２の表面５２ａに、ＰＩの残渣があると判定されると、その基板は不良品であるとして、上述したＰＩ除去工程に移され、ＰＩ残渣の除去が行われる。そして、その後、対向基板１１と、アクティブ基板１２とは、貼り合わされる。

次に、アクティブ基板１２のスイッチ電極５２を検査するスイッチ電極検査工程（スイッチ用電極検査工程）について説明する。

スイッチ電極検査工程でも、上述したスイッチ用電極検査装置１００を用いることができる。

アクティブ基板１２のスイッチ電極５２にはアクリル材料が含まれておらず、反射膜３９に直接、ＩＴＯからなるスイッチ電極５２が積層されている。

このため、スイッチ電極検査工程では、アクリルを表す成分が含まれていないスペクトルを、反射膜３９からの反射光から得る点で、スイッチＰＳ電極検査工程と相違する。他は同様である。

アクティブ基板１２が送られてくると、光源１０２から、アクティブ基板１２のうち、配向膜３２の非形成領域であるスイッチ電極５２の表面５２ａに、赤外光を出射する（赤外光出射工程）。

次に、検出器１０３は、光源１０２から出射された赤外光のうち、アクティブ基板１２を平面視したときに、配向膜３２の非形成領域であるスイッチ電極５２内に形成されている、赤外光を反射する反射膜３９からの反射光を受光（取得）する（反射光取得工程）。

さらに、検出器１０３は、受光した反射光を、スペクトルに変更する（スペクトル変換工程）。

次に、データ変換部１１２は、検出器１０３から出力されたスペクトルに対しデジタル変換を行ったり、表示部１２０に表示させるために、縦軸、横軸の設定を行う（スペクトル変換工程）。そして、データ変換部１１２は、上記スペクトル変換工程で、変換、設定したスペクトルを表示部１２０に出力し、当該スペクトルを表示部１２０が表示する。

このようにして、表示部１２０は、検出器１０３が受光（取得）した反射光のスペクトルを表示する（表示工程）。

スイッチ電極５２の表面５２ａにＰＩ残渣が存在する場合（すなわち不良品）、反射膜３９からの反射光のスペクトルとして、検出器１０３は、ＰＩの成分を表すスペクトルを、データ変換部１１２に出力する。

そしてデータ変換部１１２は、図１４の（ｃ）で示したスペクトルのように、ＰＩの成分を表すスペクトルを表示部１２０に表示させる。このように、表示部１２０が、ＰＩの成分を表すスペクトルを表示することで、検査者に、スイッチ電極５２の表面５２ａにはＰＩ残渣が有ると判定させることができる。なお、以降の工程は、対向基板１１と同様である。

一方、スイッチ電極５２の表面５２ａにＰＩ残渣が存在しない場合（すなわち良品）、反射膜３９からの反射光のスペクトルとして、検出器１０３は、アクリル及びＰＩなどの成分を含まないスペクトルを、データ変換部１１２に出力する。このようなスペクトルは、図２０に示すスペクトルとなる。

図２０は、スイッチ電極の表面にＰＩ残渣が存在しないことを表すスペクトルを示す図である。図２０に示すように、スイッチ電極５２が良品の場合、スイッチ電極に有機物が存在しないので、赤外吸収のピークは存在せず、直線状のスペクトルが得られる。

そしてデータ変換部１１２は、図２０で示したスペクトルのように、アクリルやＰＩ等、成分を何も含まず、ＩＴＯのみを透過したことを表すスペクトルを表示部１２０に表示させる。このように、表示部１２０が、ＩＴＯのみを透過したことを表すスペクトルを表示することで、検査者に、スイッチ電極５２の表面５２ａにはＰＩ残渣が無いと判定させることができる。なお、以降の工程は、対向基板１１と同様である。

以上のように、アクティブ基板１２（対向基板１１）に配されたスイッチ電極５２（スイッチＰＳ電極５１）と一対のタッチスイッチ５０を構成し、アクティブ基板１２（対向基板１１）と対向配置されたとき、対向基板１１又はアクティブ基板１２が押圧されることで、アクティブ基板１２に配されたスイッチ電極５２と電気的に導通するスイッチＰＳ電極５１に赤外光を出射する赤外光出射工程と、上記赤外光出射工程で出射された赤外光のうち、反射膜３８（反射膜３９）からの反射光を取得する反射光取得工程と、上記反射光取得工程で取得した反射光のスペクトルを表示するスペクトル表示工程とを有している。

これにより、上記赤外光出射工程でスイッチＰＳ電極５１（スイッチ電極５２）内に赤外光を出射し、上記反射光取得工程で、上記赤外光出射工程で出射された赤外光のうち、反射膜３８（配向膜３９）からの反射光を取得する。そして、上記スペクトル表示工程で、反射膜３８（反射膜３９）からの反射光のスペクトルを表示部１２０に表示する。

その表示部１２０に表示されたスペクトルを、例えば、検査者に視認させることで、アクティブ基板１２（対向基板１１）に配されたスイッチ電極５２と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる配向膜２１の残渣が、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａに存在するか否かを確認させることができる。

このように、上記構成によると、効率よく、確実に、タッチスイッチ５０に発生する不良原因となる構成の存在の有無を確認させて対向基板１１（アクティブ基板１２）を製造することができる。

なお、上記では、反射光取得工程で得た反射膜３８からの反射光をスペクトル変換し、そして表示工程で、その反射光のスペクトルを表示するものとして説明した。しかし、これに限定されず、表示工程で反射光のスペクトルは表示せず、反射光取得工程で得た反射膜３８からの反射光にＰＩ残渣が含まれるか否かを制御部１１０等で解析して、その解析結果としてのＰＩ残渣の有無、もしくは、良品か不良品かの判定結果だけを表示工程で表示するようにしてもよい。

また、上記反射光取得工程で取得した反射光のスペクトルから、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａ（スイッチ電極５２の表面５２ａ）の配向膜２１（配向膜３２）の有無を判定する判定工程を有している。

これにより、上記判定工程により、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａ（スイッチ電極５２の表面５２ａ）の配向膜２１（配向膜３２）の有無を判定することができる。これにより、検査者による判定ミスを防止することができるので、より確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無を確認させて対向基板１１（アクティブ基板１２）を製造することができる。

また、上述したような、対向基板１１（アクティブ基板１２）の検査方法は、アクティブ基板１２（対向基板１１）に配されたスイッチ電極５２（スイッチＰＳ電極５１）と一対のタッチスイッチ５０を構成し、アクティブ基板１２（対向基板１１）と対向配置されたとき、対向基板１１又はアクティブ基板１２が押圧されることで、アクティブ基板１２（対向基板１１）に配されたスイッチ電極５２（スイッチＰＳ電極５１）と電気的に導通するスイッチＰＳ電極５１（スイッチ電極５２）に対して赤外光を出射する赤外光出射工程を有している。

さらに、上記赤外光出射工程で出射された赤外光のうち、スイッチＰＳ電極５１（スイッチ電極５２）を積層し、赤外光を反射する反射膜３８（反射膜３９）からの反射光を取得する反射光取得工程と、上記反射光取得工程で取得した反射光のスペクトルを表示するスペクトル表示工程とを有している。

このように、上記赤外光出射工程で、スイッチＰＳ電極５１（スイッチ電極５２）に対して赤外光を出射し、上記反射光取得工程で、上記赤外光出射工程で出射された赤外光のうち、スイッチＰＳ電極５１（スイッチ電極５２）を積層する反射膜３８（反射膜３９）からの反射光を取得する。そして、上記スペクトル表示工程で、反射膜３８（反射膜３９）からの反射光のスペクトルを表示する。

これにより、上記表示工程で表示した上記反射光のスペクトルを、例えば、検査者に視認させることで、アクティブ基板１２（対向基板１１）に配されたスイッチ電極５２（スイッチＰＳ電極５１）と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる配向膜２１の残渣（配向膜３２の残渣）が、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａ（スイッチ電極５２の表面５２ａ）に存在するか否かを確認させることができる。このため、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無を検査することができる。

また、上記スペクトル変換工程では、データ変換部１１２ａは、スペクトル変換を行う赤外光としては、波数値が４０００ｃｍ^−１〜６５０ｃｍ^−１の中赤外領域の赤外光のスペクトルを変換し、変換したスペクトルを表示部１２０に出力する。

これにより、スペクトルに変換するために取得し、変換するスペクトルのデータ量を抑えつつ、アクティブ基板１２（対向基板１１）に配されたスイッチＰＳ電極５１（スイッチ電極５２）と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる配向膜２１（配向膜３２）が、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａ（スイッチ電極５２の表面５２ａ）に存在するか否かを確認するために必要なスペクトルのデータを取得することができる。

また、上記スペクトル変換工程で変換されたスペクトルに、Ｃ‐Ｈ伸縮、Ｃ＝Ｏ伸縮、ベンゼン環ＣＣ伸縮、Ｃ‐Ｎ伸縮、Ｃ‐Ｏ伸縮、かつ、ベンゼン環ＣＨ面外変角による分子振動が発生しているか否かを判定させる工程を有している。これにより、上記反射光に、アクリルと、ポリイミドとを表す成分が含まれているか否かを判定させることができる。

すなわち、上記スペクトル変換工程で変換されたスペクトルに、Ｃ‐Ｈ伸縮、Ｃ＝Ｏ伸縮、ベンゼン環ＣＣ伸縮、Ｃ‐Ｎ伸縮、Ｃ‐Ｏ伸縮、かつ、ベンゼン環ＣＨ面外変角による分子振動が発生しているか否かを判定させるために、上記スペクトルを表示部１２０に表示する工程を有している。

このため、検査者は、上記スペクトルが表示された表示部１２０を確認することで、Ｃ‐Ｈ伸縮、Ｃ＝Ｏ伸縮、ベンゼン環ＣＣ伸縮、Ｃ‐Ｎ伸縮、Ｃ‐Ｏ伸縮、かつ、ベンゼン環ＣＨ面外変角による分子振動が発生していることを示すスペクトルか否かを判定することができる。すなわち、検査者は、上記反射光に、アクリルと、ポリイミドとを表す成分が含まれているか否かを判定することができる。

これにより、検査者に、反射膜３８に積層されたスイッチＰＳ電極５１が、アクリル材料からなるスイッチＰＳ５８と、ＩＴＯからなる透明電極２７とから構成されている場合に、当該スイッチＰＳ電極５１に、配向膜２１として一般的に用いられているポリイミドが積層されているか否かを、判定させることができる。このため、効率よく、確実に、タッチスイッチ５０に発生する不良原因となる配向膜２１の残渣の存在の有無を検査することができる。

このように、反射膜３８・３９を形成後に、ＦＴ‐ＩＲ反射法にて、ＰＩ残渣の有無を測定することで、非常に簡単に、かつ短時間でＰＩ残渣の有無を判定することができる。このため、検査者の個人差による判断ばらつきを防止することができる。

また、対向基板１１ではスイッチＰＳ電極５１の下方に反射膜３８を配し、アクティブ基板１２ではスイッチ電極５２の下方に反射膜３９を配しているので、スイッチＰＳ電極５１及びスイッチ電極５２をＦＴ‐ＩＲ反射法測定を行うことができる。このため、対向基板１１、アクティブ基板１２を非破壊で、ＰＩ残渣の有無を測定することができるので、スイッチＰＳ電極検査工程及びスイッチ電極検査工程を、製造工程内へ導入することができる。

このように、スイッチＰＳ電極検査工程及びスイッチ電極検査工程を、製造工程内へ導入することで、スイッチＰＳ電極５１を形成する工程や、スイッチ電極５２を形成する工程で突発的なトラブルが発生した場合でも、迅速に対応することがで、スイッチＰＳ電極５１を形成する工程や、スイッチ電極５２を形成する工程への早急なフィードバック及びトラブル解消が可能となる。

その結果、生産効率が上がり、歩留りを向上させることが可能である。また、ＦＴ‐ＩＲ反射法測定は、測定方法が比較的簡易であるので、測定にかかる費用、人件費も削除することができる。

このため、トータルで、製品化する際のコストを削減することができる。

また、タッチスイッチを構成するスイッチの表面のＰＩの残渣の有無を除去する方法について、さまざまな方法が検討されているが、ＰＩを除去した検討試作品を作成したのち、上述したようにスイッチ用電極検査装置１００（スイッチ用電極検査方法）を用いることで、本当にＰＩの残渣が除去されているかを容易に確認することができるので、技術検討期間の短縮に貢献することができる。

また、上述したように、液晶表示パネル１を構成する対向基板１１には反射膜３８が配され、アクティブ基板１２には反射膜３９が配されている。

この反射膜３８・３９は、対向基板１１、アクティブ基板１２のＰＩ残渣の有無を確認するために設ける構成である。すなわち、反射膜３８・３９は、対向基板１１、アクティブ基板１２の品質確認用に設ける構成であり、一般ユーザにはあまり、その存在を知られたくない構成である。

しかし、一般ユーザは、液晶表示パネル１（モジュール）を分解し、光学顕微鏡やＳＥＭで断面を確認しない限り、反射膜３８・３９の存在に気付くことは困難である。例え、反射膜３８・３９の存在に気付いたとしても、その反射膜３８・３９の存在意義について推測することすら困難である。

上述したように、スイッチ用電極検査装置１００（スイッチ用電極検査方法）を用いて、ＰＩ残渣の有無を確認する方法を用いることで、ユーザに認識され難く、またその存在意義を推測され難く品質確認用の構成である反射膜３８・３９を対向基板１１、アクティブ基板１２に配することができる。また、液晶表示パネル１の外観品質を損なうことなく、反射膜３８．３９を対向基板１１、アクティブ基板１２に配することができる。

〔実施形態２〕
次に、図１５を用いて、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、説明の便宜上、前記実施の形態１にて説明した図面と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。

図１５は、第２の実施の形態に係る液晶表示パネルに配されているタッチスイッチの構成を表す断面図である。図１６は、本実施の形態のアクティブ基板のスイッチ電極の構成を表す平面図である。

本実施の形態に係るタッチスイッチ（スイッチ）１５０は、アクティブ基板１２側に配されたスイッチ用電極が凸形状である点で、実施の形態１で説明したタッチスイッチ５０と相違する。

液晶表示パネル１３０は、液晶表示パネル１のタッチスイッチ５０に替えて、タッチスイッチ１５０を備えている。

タッチスイッチ１５０は、対向基板１１に配されたスイッチＰＳ電極５１と、アクティブ基板（他の基板、液晶表示パネル用基板）１３１に配されたスイッチ電極（他の基板に配された電極、スイッチ用電極、第１のスイッチ用電極）１５２とを備えている。

対向基板１１は、スイッチＰＳ電極５１の構成は実施の形態１と同じである。

アクティブ基板１３１は、アクティブ基板１２のスイッチ電極５２に替えて、スイッチ電極（他の基板に配された電極、スイッチ用電極、第１のスイッチ用電極）１５２を備えている。スイッチ電極１５２は、柱状突起（構造物）１５８と、透明電極１５５とから構成されている。

スイッチ電極１５２は、実施の形態１で説明したスイッチ電極５２（図３参照）と同様の位置に形成される。すなわち、スイッチ電極１５２は、スイッチ電極５２と同様、タッチスイッチ１５０の位置検出用ＴＦＴ５３のドレイン電極も兼ねている。スイッチ電極１５２は、実施の形態１で説明したスイッチ電極５２と、反射膜３９との間に柱状突起１５８を配した構成である。

図１６に示すように、スイッチ電極１５２を平面視したとき、スイッチ電極１５２の領域内には、反射膜３９が配されている。反射膜３９は、実施の形態１と同様に、島状に形成されている。

柱状突起１５８は、反射膜３９の表面に配されている。図１６に示すように、柱状突起１５８は、アクティブ基板１３１を平面視したとき、反射膜３９の領域内に配されている。本実施の形態では、共通する反射膜３８に３つの柱状突起１５８が配されている。

柱状突起１５８は、層間絶縁膜３７と同一の工程で形成される。すなわち、柱状突起１５８は、層間絶縁膜３７と同じ樹脂材料により形成されている。

そして、図１５に示すように、柱状突起１５８を覆うようにＩＴＯからなる透明電極１５５が形成されている。この透明電極１５５は、画素電極１５と同一の工程で形成される。これにより、スイッチ電極１５２が形成される。スイッチ電極１５２を構成する透明電極１５５は、半導体層５７の一部領域を覆っている。

そして、対向基板１１のスイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａと対向する面となるスイッチ電極１５２の先端面１５２ａ以外の領域に、配向膜３２が形成される。

スイッチ電極１５２は、凸形状であるので、配向膜３２を形成するためのポリイミド溶液は、スイッチ電極１５２の凸形状に追従しきれず成膜される。このため、このスイッチ電極１５２の先端面１５２ａは、配向膜３２が選択的に形成されない配向膜３２の非形成領域となる。

また、スイッチ電極１５２の先端面１５２ａのＰＩ残渣を確実に除去するために、上述したようにＰＩ除去工程で、例えば、スイッチ電極１５２の先端面１５２ａをアッシング処理するなどしてもよい。

また、図９を用いて説明したように、スイッチ電極１５２の先端面１５２ａを、凸形状の曲面とすることで、さらに、ＰＩをはじき易い形状としてもよい。

このように形成されたアクティブ基板１３１と、対向基板１１とが、液晶層を介して貼り合わされることで液晶表示パネル１３０が完成する。

このように、液晶表示パネル１３０のタッチスイッチ１５０は、スイッチＰＳ電極５１と、スイッチ電極１５２とが、両方とも凸形状である。これにより、アクティブ基板１３１と、対向基板１１とのうち、何れかが押圧されることで、より確実に、スイッチＰＳ電極５１と、スイッチ電極１５２とを電気的に導通させることができるので、導通不良などの発生を防止することができる。

なお、共通する反射膜３９に配するスイッチ電極１５２の個数は、３個に限定されるものではなく、２個や４個以上の複数個であってもよいし、１個であってもよい。

また、スイッチ電極１５２を構成する透明電極１５５は、層間絶縁膜３７に設けられたコンタクトホールを介して、検出用ＴＦＴ５３の半導体層５７と接続するようにしてもよい。

また、透明電極１５５の厚みは、必要に応じて適宜設定されればよく、図１５に示すように層間絶縁膜３７と同程度としてもよいし、層間絶縁膜３７より薄く形成してもよい。

〔実施形態３〕
次に、図１７を用いて、本発明の第３の実施の形態について説明する。なお、説明の便宜上、前記実施の形態１、２にて説明した図面と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。

図１７は、第３の実施の形態に係る液晶表示パネルに配されているタッチスイッチの構成を表す断面図である。

本実施の形態に係るタッチスイッチ（スイッチ）１６０は、対向基板１１側に配されたスイッチ用電極が凸形状でなく平坦である点で、実施の形態２で説明したタッチスイッチ１５０と相違する。

液晶表示パネル１３５は、液晶表示パネル１３０のタッチスイッチ１５０に替えて、タッチスイッチ１６０を備えている。

タッチスイッチ１６０は、対向基板（液晶表示パネル用基板、他の基板）１３６に配されたスイッチ用電極（他の基板に配された電極、第２のスイッチ用電極）１６１と、アクティブ基板１３１に配されたスイッチ電極（他の基板に配された電極、スイッチ用電極、第１のスイッチ用電極）１５２とを備えている。

アクティブ基板１３１は実施の形態２で説明したものと同じである。なお、図１７では、ガラス基板３５と、反射膜３９との間のゲート絶縁膜３６の図示は省略している。

対向基板１３６は、反射膜３８の裏面（遮光層２６Ｍが配されている面とは逆側の面）には、柱状の突起等が形成されておらず、ＩＴＯからなる透明電極２７に覆われている。

この反射膜３８の裏面を覆う透明電極２７が、スイッチ用電極１６１である。

このスイッチ用電極１６１の表面（スイッチ電極１５２と対向する面）１６１ａは、配向膜３２が選択的に形成されない配向膜２１の非形成領域である。すなわち、スイッチ用電極１６１の表面１６１ａは、配向膜２１が形成されず、露出している。

配向膜形成工程で、透明電極２７上に、ポリイミド溶液を塗布、焼成後することでポリイミド膜を成膜後、ＰＩ除去工程にて、アッシング処理を行うことで、選択的に、スイッチ用電極１６１の表面のポリイミド膜を除去する。これにより、スイッチ用電極１６１の表面１６１ａは、配向膜３２が選択的に形成されない配向膜２１の非形成領域となる。

このように形成された対向基板１３６と、アクティブ基板１３１とが、液晶層を介して貼り合わされることで液晶表示パネル１３０が完成する。

このように、液晶表示パネル１３５のタッチスイッチ１６０は、スイッチ用電極１６１と、スイッチ電極１５２とのうち、一方のスイッチ電極１５２が凸形状である。これにより、アクティブ基板１３１と、対向基板１３６とのうち、何れかが押圧されることで、確実に、スイッチ用電極１６１と、スイッチ電極１５２とを電気的に導通させることができるので、導通不良などの発生を防止することができる。

〔実施形態４〕
次に、図１８を用いて、本発明の第４の実施の形態について説明する。なお、説明の便宜上、前記実施の形態１〜３にて説明した図面と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。

図１８は、本実施の形態に係るスイッチ用電極検査装置１００ａの構成を表す図である。

スイッチ用電極検査装置１００ａは、スイッチ用電極検査装置１００と、制御部１１０ａを備えている点で相違する。

制御部１１０ａは、データ変換部１１２に替えてデータ変換部１１２ａを備え、さらに、スペクトル判定部１１３、及びスペクトル記憶部１１４を備えている点で制御部１１０と相違する。

データ変換部１１２ａは、検出器１０３から出力されたスペクトルに対しデジタル変換を行ったり、表示部１２０に表示させるために、縦軸、横軸の設定を行う。そして、データ変換部１１２ａは、変換、設定したスペクトルをスペクトル判定部１１３に出力する。

スペクトル判定部１１３は、配向膜２１の非形成領域の表面にＰＩ残渣が含まれているか否かを判定するものである。

スペクトル判定部１１３は、データ変換部１１２ａからスペクトルを取得すると、予めスペクトル記憶部１１４に記憶されているＰＩ残渣有りのスペクトルとの類似度と、ＰＩ残渣無しのスペクトルとの類似とを、サーチ計算式を適用して、当該取得したスペクトルに対してサーチアルゴリズム処理を行うことで算出する。なお、サーチ計算式は、公知の計算式を用いることができる。

この取得したスペクトルに対してサーチアルゴリズム処理を行い、ＰＩ残渣有りのスペクトルとの類似度と、ＰＩ残渣無しのスペクトルとの類似とを大小関係を決めることで、スペクトル判定部１１３は、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａの配向膜２１の残渣の有無や、スイッチ電極５２の表面５２ａの配向膜３２の残渣の有無を判定する（判定工程）。

スペクトル判定部１１３は、算出した、ＰＩ残渣有りのスペクトルとの類似度と、ＰＩ残渣無しのスペクトルとの類似度とを表示部１２０に出力する。

このＰＩ残渣有りのスペクトルとの類似度と、ＰＩ残渣無しのスペクトルとの類似度との大小関係により、配向膜２１の非形成領域の表面にＰＩ残渣が含まれているか否かを、検査者に確認させることができる。

すなわち、スペクトル判定部１１３は、ＰＩ残渣有りのスペクトルとの類似度と、ＰＩ残渣無しのスペクトルとの類似度とを、配向膜２１・３２の非形成領域の表面にＰＩ残渣が含まれているか否かの判定結果として、表示部１２０に出力する。

また、スペクトル判定部１１３は、データ変換部１１２ａから取得したスペクトル、スペクトル記憶部１１４に記憶されているＰＩ残渣有りのスペクトル及びＰＩ残渣無しのスペクトルも、上記判定結果と併せて、表示部１２０に出力する。

表示部１２０は、スペクトル判定部１１３から取得した、上記判定結果である、ＰＩ残渣有りのスペクトルとの類似度と、ＰＩ残渣無しのスペクトルとの類似度と、データ変換部１１２ａから取得したスペクトル（測定したスペクトル）と、ＰＩ残渣有りのスペクトルと、ＰＩ残渣無しのスペクトルとを表示する。

図１９は、表示部１２０に表示された、ＰＩ残渣の有無の判定結果を表す図である。なお、図１９では、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａのＰＩ残渣の有無の判定結果を表している。

図１９の（ａ）は、測定したスペクトルを表し、（ｂ）はＰＩ残渣無しのスペクトルを表し、（ｃ）はＰＩ残渣有りのスペクトルを表している。また、図１９の（ｂ）のスペクトル中の「ヒット率」が、測定したスペクトルの、ＰＩ残渣無しのスペクトルとの類似度を表し、（ｃ）のスペクトル中の「ヒット率」が、測定したスペクトルの、ＰＩ残渣ありのスペクトルとの類似度を表している。

また、図１９の（ｄ）は、図１９の（ｂ）（ｃ）に示されている判定結果を表にしたものである。

図１９の（ｂ）（ｄ）に示すように、測定したスペクトルの、ＰＩ残渣無しのスペクトルとの「ヒット率」は９８％であり、図１９の（ｃ）（ｄ）に示すように、測定したスペクトルの、ＰＩ残渣有りのスペクトルとの「ヒット率」は７４％である。

この結果から、検査者に対して、測定したスペクトルにはＰＩの成分が含まれていないものとして、すなわち、測定した対向基板１１は良品であると判断させることができる。

このように、上記反射光取得工程で取得した反射光のスペクトルから、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａの配向膜２１の残渣の有無を判定する判定工程を有することで、スイッチＰＳ電極５１の先端面５１ａの配向膜２１の残渣の有無を判定することができる。

これにより、検査者による判定ミスを防止することができるので、より確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無を検査することができる。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

以上のように、上記の課題を解決するために、本発明の液晶表示パネル用基板は、液晶層を介して他の基板と対向配置されることで、液晶表示パネルを構成する液晶表示パネル用基板であって、上記他の基板に配された電極と一対のスイッチを構成し、上記他の基板と対向配置されたとき、自身、又は上記他の基板が押圧されることで、上記他の基板に配された電極と電気的に導通するように配されたスイッチ用電極と、上記スイッチ用電極の下方に配され、赤外光を反射する反射膜と、を備えていることを特徴としている。

上記構成によると、上記他の基板と対向配置されたとき、上記他の基板に配されている電極と、上記スイッチ用電極とが一対となり、上記スイッチを構成する。そして、上記液晶表示パネル用基板、又は上記他の基板が押圧されることで、上記スイッチは電気的に導通するので、当該スイッチを、例えば、当該導通した位置を検知するセンサとして機能させることができる。

さらに、上記構成によると、赤外光を反射する反射膜が、上記スイッチ用電極の下方に配されている。これにより、上記他の基板と対向配置される前に、上記スイッチ用電極の表面側から入射させた赤外光を、上記反射膜で反射することができる。このため、上記反射膜での反射光のスペクトルを測定させることで、上記他の基板に配された上記電極と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる構成が、上記スイッチ用電極の表面に存在するか否かを検査させることができる。

これにより、顕微鏡により目視確認する場合と比べて、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無の確認が可能である。

また、上記スイッチ用電極の表面を、配向膜を選択的に形成しない配向膜の非形成領域として形成された配向膜を備え、上記液晶表示パネル用基板を平面視したとき、上記配向膜の非形成領域内には、上記反射膜が配されていることが好ましい。

上記構成によると、上記配向膜の非形成領域内には、上記反射膜が配されているので、上記配向膜の非形成領域内に、赤外光を出射させると、当該赤外光を、上記反射膜で反射することができる。このため、上記反射膜からの反射光のスペクトルを測定させることで、上記配向膜の非形成領域内に、上記配向膜の残渣が存在するか否かを検査させることができる。これにより、顕微鏡により目視確認する場合と比べて、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる、スイッチ用電極の表面の配向膜の残渣の有無を検査させることができる。

また、上記反射膜は金属材料から構成されていることが好ましい。上記構成により、上記赤外光を反射する反射膜を構成することができる。

また、上記反射膜を構成する上記金属材料は、上記液晶表示パネル用基板のうち、アクティブ基板に形成されている配線又は電極の何れかと同じ材料であることが好ましい。上記構成により、上記反射膜を形成するために、新たに金属材料を用意する必要はなく、製造コストが上昇することを抑制することができる。

また、上記反射膜は、タンタル、モリブデン、チタン、銅、アルミニウムの何れかを主成分とすることが好ましい。

上記構成により、上記液晶表示パネル用基板に形成されている配線又は電極の何れかと同じ金属材料により、上記反射膜を形成することができる。このため、上記反射膜を形成するために、製造コストが上昇することを防止することができる。

また、上記スイッチ用電極は、透明電極を備えていることが好ましい。

上記構成によると、液晶表示パネル用基板であるアクティブ基板に一般的に形成されている画素電極、又は対向基板に一般的に形成されている共通電極を形成する工程と同一の工程で、上記スイッチ用電極が備える透明電極を形成することができる。

このため、上記スイッチ用電極が備える電極を形成するためだけの工程を設ける必要がなく、製造コストが上昇することを防止することができる。

また、上記透明電極と同一の工程で形成された画素電極を備えていることが好ましい。上記構成により、上記液晶表示パネル用基板をアクティブ基板として構成することができる。

また、上記透明電極と同一の工程で形成された共通電極を備えていることが好ましい。上記構成により、上記液晶表示パネル基板を対向基板として構成することができる。

また、上記スイッチ用電極は、上記透明電極と、当該透明電極が積層された凸形状の構造物とから構成されていることが好ましい。

上記構成によると、凸形状に構成された上記構造物と、当該構造物に積層された上記透明電極とから構成されるので、上記スイッチ用電極も凸形状となる。このため、上記他の基板と対向配置された際、自身又は上記他の基板の何れかが押圧された際、確実に、上記スイッチ用電極と、上記他の基板に配された電極との間で、電気的に導通させることができる。

また、上記構造物は、アクリルから構成されていることが好ましい。上記構成によると、上記アクリルは、液晶表示パネル用基板に一般的に用いられているので、上記構想物を形成するために、新たに別の材料を用いる必要は無いので、製造コストが上昇することを防止することができる。

また、本発明の液晶表示パネルは、上記に記載の液晶表示パネル用基板と、当該液晶表示パネル用基板と対向配置されている上記他の基板と、を備えていることが好ましい。上記構成によると、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成が除去された液晶表示パネルを構成することができる。

上記の課題を解決するために、本発明の液晶表示パネルは、アクティブ基板と、液晶層を介して、当該アクティブ基板と対向配置されている対向基板とを備えている液晶表示パネルであって、上記アクティブ基板又は上記対向基板が押圧されることで電気的に導通するように、上記アクティブ基板に配されている第１のスイッチ用電極、及び、上記対向基板に配されている第２のスイッチ用電極から構成されているスイッチを備え、さらに、上記アクティブ基板に配され、上記第１のスイッチ用電極が積層された赤外光を反射する第１の反射膜と、上記対向基板に配され上記第２のスイッチ用電極が積層された赤外光を反射する第２の反射膜とのうち少なくとも一方を備えていることを特徴としている。

上記構成によると、上記スイッチは、上記アクティブ基板又は対向基板が押圧されることで、上記第１のスイッチ用電極と、上記第２のスイッチ用電極とが電気的に導通する。このため、上記スイッチを、例えば、当該導通した位置を検知するセンサとして機能させることができる。

さらに、上記構成によると、上記アクティブ基板に配され、上記第１のスイッチ用電極が積層された赤外光を反射する第１の反射膜と、上記対向基板に配され上記第２のスイッチ用電極が積層された赤外光を反射する第２の反射膜とのうち少なくとも一方を備えている。

このため、上記アクティブ基板と、上記対向基板とが対向配置される前に、第１のスイッチ用電極又は第２のスイッチ用電極の表面側から入射させた赤外光を、上記第１の反射膜と第２の反射膜とのうち少なくとも一方で反射することができる。このため、上記第１の反射膜と第２の反射膜での反射光のスペクトルを測定させることで、上記第１のスイッチ用電極と上記第２のスイッチ用電極との間で電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる構成が、第１のスイッチ用電極又は第２のスイッチ用電極のうち少なくとも一方の表面に存在するか否かを検査させることができる。

これにより、顕微鏡により目視確認する場合と比べて、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無の確認が可能である。

また、上記第１の反射膜と、上記第２の反射膜との両方を備えていることが好ましい。

上記構成によると、上記第１のスイッチ用電極と上記第２のスイッチ用電極との間で電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる構成が存在すか否かを、第１のスイッチ用電極と、第２のスイッチ用電極との両方の表面とも検査させることができる。

これにより、効率よく、より確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無の確認が可能である。

また、上記第１のスイッチ用電極と、上記第２のスイッチ用電極とのうち、少なくとも一方は、凸形状であることが好ましい。上記構成により、上記アクティブ基板と、対向基板とのうち、何れかが押圧されることで、電気的に導通するスイッチを構成することができる。

また、上記第１のスイッチ用電極と、上記第２のスイッチ用電極とは、凸形状であることが好ましい。上記構成により、上記アクティブ基板と、対向基板とのうち、何れかが押圧されることで、より確実に、第１のスイッチ用電極と、第２のスイッチ用電極とを電気的に導通させることができるので、導通不良などの発生を防止することができる。

上記の課題を解決するために、本発明の液晶表示パネル用基板の製造方法は、液晶層を介して他の基板と対向配置されることで、液晶表示パネルを構成する液晶表示パネル用基板の製造方法であって、赤外光を反射する反射膜を形成する反射膜形成工程と、上記他の基板に配された電極と一対のスイッチを構成し、上記他の基板と対向配置されたとき、上記液晶表示パネル用基板、又は上記他の基板が押圧されることで、上記他の基板に配された電極と電気的に導通するスイッチ用電極を、上記反射膜形成工程で形成された反射膜の上方に形成するスイッチ用電極形成工程と、を有することを特徴としている。

上記構成によると、上記スイッチ用電極形成工程では、上記反射膜形成工程で形成された、赤外光を反射する上記反射膜の上方に、上記スイッチ用電極が形成される。これにより、上記スイッチ用電極の表面側から入射させた赤外光を、上記反射膜で反射することができる液晶表示パネル用基板を製造することができる。

これにより、上記反射膜での反射光のスペクトルを測定させることで、上記他の基板に配された上記電極と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる構成が、上記スイッチ用電極の表面に存在するか否かを検査させることができる液晶表示パネル用基板を製造することができる。

これにより、顕微鏡により目視確認する場合と比べて、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無の確認が可能な液晶表示パネル用基板を製造することができる。

また、上記スイッチ用電極形成工程で形成されたスイッチ用電極の表面を、配向膜を選択的に成膜しない配向膜の非形成領域として、当該配向膜の非形成領域の周囲に配向膜を形成する配向膜形成工程を有することが好ましい。

上記構成によると、対向配置された他の基板に配された電極との間で電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる配向膜を、上記スイッチ用電極の表面には形成せず、液晶表示パネル用基板に形成することができる。これにより、導通不良の発生を防止したスイッチ用電極が形成された液晶表示パネル用基板を製造することができる。

また、上記配向膜の非形成領域に赤外光を出射する赤外光出射工程と、上記赤外光出射工程で出射された赤外光のうち、上記反射膜からの反射光を取得する反射光取得工程と、上記反射光取得工程で取得した反射光のスペクトルを表示するスペクトル表示工程とを有することが好ましい。

上記構成によると、上記赤外光出射工程で上記配向膜の非形領域に赤外光を出射し、上記反射光取得工程で、上記上記赤外光出射工程で出射された赤外光のうち、上記反射膜からの反射光を取得する。そして、上記スペクトル表示工程で、上記反射膜からの反射光のスペクトルを表示する。当該スペクトルを、例えば、検査者に視認させることで、上記他の基板に配された上記電極と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる構成が、上記スイッチ用電極の表面に存在するか否かを確認させることができる。

このように、上記構成によると、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無を確認させて液晶表示パネル用基板を製造することができる。

また、上記反射光取得工程で取得した反射光のスペクトルから、上記スイッチ用電極の表面の配向膜の有無を判定する判定工程とを有することが好ましい。

上記構成により、上記判定工程により、上記配向膜の有無を判定することができる。これにより、検査者による判定ミスを防止することができるので、より確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無を確認させて液晶表示パネル用基板を製造することができる。

上記の課題を解決するために、本発明の液晶表示パネル用基板の基板検査方法は、液晶層を介して他の基板と対向配置されることで、液晶表示パネルを構成する液晶表示パネル用基板を検査する基板検査方法であって、上記他の基板に配された電極と一対のスイッチを構成し、上記他の基板と対向配置されたとき、上記液晶表示パネル用基板、又は上記他の基板が押圧されることで、上記他の基板に配された電極と電気的に導通するスイッチ用電極に赤外光を出射する赤外光出射工程と、上記赤外光出射工程で出射された赤外光のうち、上記液晶表示パネル用基板を平面視したときに上記スイッチ用電極内に形成されている、赤外光を反射する反射膜からの反射光を取得する反射光取得工程とを有することを特徴としている。

上記構成によると、上記赤外光出射工程で、上記スイッチ用電極に対して赤外光を出射し、上記反射光取得工程で、上記上記赤外光出射工程で出射された赤外光のうち、上記スイッチ用電極を積層する上記反射膜からの反射光を取得する。これにより、当該取得した反射光から、上記他の基板に配された上記電極と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる構成が、上記スイッチ用電極の表面に存在するか否かを判定することができる。

このため、上記構成によると、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無を検査することができる。

また、上記反射光取得工程で取得した反射光のスペクトルを表示するスペクトル表示工程とを有することが好ましい。

これにより、上記表示工程で表示した上記反射光のスペクトルを、例えば、検査者に視認させることで、上記他の基板に配された上記電極と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる構成が、上記スイッチ用電極の表面に存在するか否かを確認させることができる。

また、上記反射光取得工程で取得した反射光のスペクトルから、上記スイッチ用電極の表面の配向膜の有無を判定する判定工程を有することが好ましい。

上記構成により、上記判定工程により、上記スイッチ用電極の表面の配向膜の有無を判定することができる。これにより、検査者による判定ミスを防止することができるので、より確実に、スイッチに発生する不良原因となる構成の存在の有無を検査することができる。

また、上記反射光取得工程で取得した反射光を、スペクトルに変更するスペクトル変換工程を有することが好ましい。上記構成により、上記スペクトル変換工程で、上記反射光を、スペクトルに変換することができる。

また、上記スペクトル変換工程では、スペクトル変換を行う赤外光は、波数値が４０００ｃｍ^−１〜６５０ｃｍ^−１の中赤外領域であることが好ましい。上記構成により、取得するデータ量を抑えつつ、上記他の基板に配された上記電極と電気的に導通をとる際に不良が発生する原因となる構成が、上記スイッチ用電極の表面に存在するか否かを確認するために必要なスペクトルのデータを取得することができる。

また、上記スペクトル変換工程で変換されたスペクトルに、Ｃ‐Ｈ伸縮、Ｃ＝Ｏ伸縮、ベンゼン環ＣＣ伸縮、Ｃ‐Ｎ伸縮、Ｃ‐Ｏ伸縮、かつ、ベンゼン環ＣＨ面外変角による分子振動が発生しているか否かを判定させる工程を有することが好ましい。

上記構成によると、Ｃ‐Ｈ伸縮、Ｃ＝Ｏ伸縮、ベンゼン環ＣＣ伸縮、Ｃ‐Ｎ伸縮、Ｃ‐Ｏ伸縮、かつ、ベンゼン環ＣＨ面外変角による分子振動が発生していることを示すスペクトルか否かを、例えば、検査者に判定させることで、上記反射光に、アクリルと、ポリイミドとを表す成分が含まれているか否かを判定させることができる。

これにより、反射膜に積層されたスイッチ用電極が、アクリル材料からなる構成と、ＩＴＯからなる構成とから構成されている場合に、当該スイッチ用電極に、配向膜として一般的に用いられているポリイミドが積層されているか否かを、判定させることができる。このため、効率よく、確実に、スイッチに発生する不良原因となる配向膜の存在の有無を検査することができる。

本発明は、タッチスイッチが内部に配されたインセル型の液晶表示パネルを構成する液晶表示パネル用基板、液晶表示パネル、液晶表示パネル用基板の製造方法、及び基板検査方法に利用することができる。

１・１３０・１３５ 液晶表示パネル
３ 液晶表示装置
５ 画素
１０ 液晶層
１１・１３６ 対向基板（液晶表示パネル用基板、他の基板）
１２・１３１ アクティブ基板（他の基板、液晶表示パネル用基板）
１５ 画素電極（電極）
１６ ＴＦＴ
２１・３２ 配向膜
２７・１５５ 透明電極（電極、共通電極）
３７ 層間絶縁膜
３８ 反射膜（第２の反射膜）
３９ 反射膜（第１の反射膜）
５０・１５０・１６０ タッチスイッチ（スイッチ）
５１・６１ スイッチＰＳ電極（スイッチ用電極、他の基板に配された電極、第２のスイッチ用電極）
５１ａ・６１ａ・１５２ａ 先端面（配向膜の非形成領域）
５２・１５２ スイッチ電極（他の基板に配された電極、スイッチ用電極、第１のスイッチ用電極）
５２ａ 表面（配向膜の非形成領域）
５８ スイッチＰＳ（構造物）
１００・１００ａ スイッチ用電極検査装置
１０１ 分光光度計
１０２ 光源
１０３ 検出器
１１０・１１０ａ 制御部
１１１ 駆動制御部
１１２・１１２ａ データ変換部
１１３ スペクトル判定部
１１４ スペクトル記憶部
１２０ 表示部
１５８ 柱状突起（構造物）
１６１ スイッチ用電極（スイッチ用電極、他の基板に配された電極、第２のスイッチ用電極）
１６１ａ 表面（配向膜の非形成領域）

Claims (25)

1. 液晶層を介して他の基板と対向配置されることで、液晶表示パネルを構成する液晶表示パネル用基板であって、
   上記他の基板に配された電極と一対のスイッチを構成し、上記他の基板と対向配置されたとき、自身、又は上記他の基板が押圧されることで、上記他の基板に配された電極と電気的に導通するように配されたスイッチ用電極と、
   上記スイッチ用電極の下方に配され、赤外光を反射する反射膜と、を備えていることを特徴とする液晶表示パネル用基板。
2. 上記スイッチ用電極の表面を、配向膜を選択的に形成しない配向膜の非形成領域として、形成された配向膜を備え、
   上記液晶表示パネル用基板を平面視したとき、上記非形成領域内には、上記反射膜が配されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル用基板。
3. 上記反射膜は金属材料から構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示パネル用基板。
4. 上記反射膜を構成する上記金属材料は、上記液晶表示パネル用基板のうち、アクティブ基板に形成されている配線又は電極の何れかと同じ材料であることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示パネル用基板。
5. 上記反射膜は、タンタル、モリブデン、チタン、銅、アルミニウムの何れかを主成分とすることを特徴とする請求項３又は４に記載の液晶表示パネル用基板。
6. 上記スイッチ用電極は、透明電極を備えていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の液晶表示パネル用基板。
7. 上記透明電極と同一の工程で形成された画素電極を備えていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示パネル用基板。
8. 上記透明電極と同一の工程で形成された共通電極を備えていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示パネル用基板。
9. 上記スイッチ用電極は、上記透明電極と、当該透明電極が積層された凸形状の構造物とから構成されていることを特徴とする請求項６〜８の何れか１項に記載の液晶表示パネル用基板。
10. 上記構造物は、アクリルから構成されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示パネル用基板。
11. 請求項７または８に記載の液晶表示パネル用基板と、当該液晶表示パネル用基板と対向配置されている上記他の基板と、を備えていることを特徴とする液晶表示パネル。
12. アクティブ基板と、液晶層を介して、当該アクティブ基板と対向配置されている対向基板とを備えている液晶表示パネルであって、
    上記アクティブ基板又は上記対向基板が押圧されることで電気的に導通するように、上記アクティブ基板に配されている第１のスイッチ用電極、及び、上記対向基板に配されている第２のスイッチ用電極から構成されているスイッチを備え、さらに、
    上記アクティブ基板に配され、上記第１のスイッチ用電極が積層された赤外光を反射する第１の反射膜と、上記対向基板に配され上記第２のスイッチ用電極が積層された赤外光を反射する第２の反射膜とのうち少なくとも一方を備えていることを特徴とする液晶表示パネル。
13. 上記第１の反射膜と、上記第２の反射膜との両方を備えていることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示パネル。
14. 上記第１のスイッチ用電極と、上記第２のスイッチ用電極とのうち、少なくとも一方は、凸形状であることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の液晶表示パネル。
15. 上記第１のスイッチ用電極と、上記第２のスイッチ用電極とは、凸形状であることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示パネル。
16. 液晶層を介して他の基板と対向配置されることで、液晶表示パネルを構成する液晶表示パネル用基板の製造方法であって、
    赤外光を反射する反射膜を形成する反射膜形成工程と、
    上記他の基板に配された電極と一対のスイッチを構成し、上記他の基板と対向配置されたとき、上記液晶表示パネル用基板、又は上記他の基板が押圧されることで、上記他の基板に配された電極と電気的に導通するスイッチ用電極を、上記反射膜形成工程で形成された反射膜の上方に形成するスイッチ用電極形成工程と、
    を有することを特徴とする液晶表示パネル用基板の製造方法。
17. 上記スイッチ用電極形成工程で形成されたスイッチ用電極の表面を、配向膜を選択的に成膜しない配向膜の非形成領域として、当該配向膜の非形成領域の周囲に配向膜を形成する配向膜形成工程を有することを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示パネル用基板の製造方法。
18. 上記配向膜の非形成領域に赤外光を出射する赤外光出射工程と、
    上記赤外光出射工程で出射された赤外光のうち、上記反射膜からの反射光を取得する反射光取得工程と、
    上記反射光取得工程で取得した反射光のスペクトルを表示するスペクトル表示工程とを有することを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示パネル用基板の製造方法。
19. 上記反射光取得工程で取得した反射光のスペクトルから、上記配向膜の有無を判定する判定工程とを有することを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示パネル用基板の製造方法。
20. 液晶層を介して他の基板と対向配置されることで、液晶表示パネルを構成する液晶表示パネル用基板を検査する基板検査方法であって、
    上記他の基板に配された電極と一対のスイッチを構成し、上記他の基板と対向配置されたとき、上記液晶表示パネル用基板、又は上記他の基板が押圧されることで、上記他の基板に配された電極と電気的に導通するスイッチ用電極に赤外光を出射する赤外光出射工程と、
    上記赤外光出射工程で出射された赤外光のうち、上記液晶表示パネル用基板を平面視したときに上記スイッチ用電極内に形成されている、赤外光を反射する反射膜からの反射光を取得する反射光取得工程とを有することを特徴とする基板検査方法。
21. 上記反射光取得工程で取得した反射光のスペクトルを表示するスペクトル表示工程を有することを特徴とする請求項２０に記載の基板検査方法。
22. 上記反射光取得工程で取得した反射光のスペクトルから、上記スイッチ用電極の表面の配向膜の有無を判定する判定工程を有することを特徴とする請求項２０又は２１に記載の基板検査方法。
23. 上記反射光取得工程で取得した反射光をスペクトルに変更するスペクトル変換工程を有することを特徴とする請求項２０〜２２の何れか１項に記載の基板検査方法。
24. 上記スペクトル変換工程では、スペクトル変換を行う赤外光は、波数値が４０００ｃｍ^−１〜６５０ｃｍ^−１の中赤外領域であることを特徴とする請求項２３に記載の基板検査方法。
25. 上記スペクトル変換工程で変換されたスペクトルに、Ｃ‐Ｈ伸縮、Ｃ＝Ｏ伸縮、ベンゼン環ＣＣ伸縮、Ｃ‐Ｎ伸縮、Ｃ‐Ｏ伸縮、かつ、ベンゼン環ＣＨ面外変角による分子振動が発生しているか否かを判定させる工程を有することを特徴とする請求項２３に記載の基板検査方法。

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