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JP5460465B2 - 光電変換装置および撮像システム - Google Patents

光電変換装置および撮像システム Download PDF

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Description

本発明は光電変換装置に関し、特に、光電変換を行う光電変換部と、光電変換部からの信号を転送する転送部と、光電変換部からの信号を保持する記憶部と、を備える光電変換装置に関する。
撮像システムにおいては、焦点を検出するAF(Auto Focusing)センサを備えることが一般的である。
特許文献1には、フォトダイオードで発生した電荷に基づく信号を増幅する差動増幅部と、差動増幅部で増幅された信号を保持する容量と、容量に保持された信号を後段に伝達するソースフォロワ回路とを有する光電変換装置が記載されている。このソースフォロワの出力を差動増幅部にフィードバックすることで、FPN(Fixed Pattern Noise;固定パターンノイズ)の低減や、ゲインの向上などに効果があるとしている。
特許文献2には、ラインセンサを複数の領域に分割した場合にそれぞれの領域に対応する蓄積信号を記憶するフレームメモリと、ラインセンサの全領域に対応する蓄積信号を記憶するフレームメモリと、を備える焦点検出装置が記載されている。特許文献2によれば、デフォーカス量が大きい場合でも高速に焦点検出を行えるとしている。
特開2000−078472号公報 特開2006−220684号公報
しかしながら、特許文献1や特許文献2に開示された技術では、回路規模を増大させることなく、焦点検出の高速化と高い検出精度とを実現することは困難であった。
本発明は、回路規模の増大を抑制しつつ、焦点検出の高速化と高い検出精度を実現可能な光電変換装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成する本発明は、光電変換部を有するセンサセル部と、前記センサセル部から出力された信号を増幅する増幅部と、前記増幅部で増幅された信号を保持する複数のメモリセル部と、前記複数のメモリセル部に共通に設けられ、前記複数のメモリセル部に保持された信号を伝達するバッファ部と、を各々が備える複数の単位画素を有し、前記増幅部は、前記バッファ部の出力と前記センサセル部から出力された信号との差分を出力する差動増幅回路を有することを特徴とする光電変換装置である。
本発明によれば、回路規模の増大を抑制しつつ、焦点検出の高速化と高い検出精度を実現可能な光電変換装置を提供することが可能となる。
本発明に係る光電変換装置における撮像面を模式的に示す図である。 本発明に係る光電変換装置のラインセンサ部の構成を示すブロック図である。 本発明に係る光電変換装置の単位画素の一部を示す回路図である。 実施例1に係る光電変換装置の動作を示すタイミング図である。 実施例2に係る光電変換装置の動作を示すタイミング図である。 実施例3に係る焦点検出装置の構成を示すブロック図である。 実施例4に係る撮像システムの構成を示すブロック図である。 従来技術を仮に組み合わせた場合に想定される単位画素の構成を示す回路図である。
(比較例)
まず、本発明の効果をより明らかにするために、特許文献1において、特許文献2に記載されたように1個のセンサセル部に対して複数のメモリセル部を設ける場合を比較例として示す。
図8は、特許文献1の技術に対して特許文献2の技術を適用した構成例である。1個のセンサセル部201に対して、2個のメモリセル部203(a)と203(b)とを設けた光電変換装置の一部を抜き出した回路図である。ここでは、特許文献1に倣って、センサセル部201の出力を増幅する差動増幅部202と、メモリセル部203(a)、203(b)の出力を増幅する電圧フォロワ402(a)、402(b)とを備え、電圧フォロワ402(a)、402(b)の出力を差動増幅部202の反転入力端子に選択的にフィードバックする構成を取っている。
このような構成では、1個のセンサセル部201に対して、複数の電圧フォロワを設けているために、回路規模が増大してしまう。さらに、電圧フォロワのそれぞれに対してノイズ除去回路を設けなければ電圧フォロワごとに発生するノイズを除去することができない。結果、回路規模がますます増大してしまうことに加えて、動作が複雑になることも問題となる。
このような問題に対処する、本発明に係る実施例を以下に説明する。
(実施例1)
図面を参照しながら、本発明に係る第1の実施例を説明する。第1の実施例は、位相差焦点検出(Auto Focusing;AF)用の光電変換装置に適用した例を示す。
図1は、位相差AF用の光電変換装置における撮像面101を模式的に示した図である。撮像面101には、対となるラインセンサ部L1AとL1B、L2AとL2B、・・・LNAとLNBが存在する。一対のラインセンサ部は撮像面のある領域における被写体のデフォーカス量を測定するために用いられ、このラインセンサ部の対を複数配列することで測距点を複数設け、AFの精度の向上を図るものである。各ラインセンサ部には、単位画素11A、12A、・・・が1次元的に配列されている。図1に示す領域Iおよび領域IIは、後述するAGC(Automatic Gain Control)動作を行う際に、蓄積時間を制御する領域である。
図2は、ラインセンサ部L1Aのうちの単位画素11Aおよび12Aに係る部分をより詳細に示したブロック図である。
各単位画素は互いに同じ構成であるので、ここでは単位画素12Aに着目して説明を行う。単位画素12Aはセンサセル部201、差動増幅部202、第1および第2のメモリセル部203(a)、203(b)、バッファ部204、リセット部205、ノイズ除去回路206(a)、206(b)、最小値検出部207、及び最大値検出部208を有する。
センサセル部201の出力は差動増幅部202の非反転入力端子に接続され、その出力は、スイッチ219を介して第1のメモリセル部203(a)、第2メモリセル部203(b)、バッファ部204の入力端子、およびリセット部205に接続される。バッファ部204の出力は、ノイズ除去回路206(a)、206(b)に接続されるとともに、差動増幅部202の反転入力端子に接続される。図中、差動増幅部202に描かれた円は、反転入力端子であることを意味する。ノイズ除去回路206(a)の出力は最小値検出部207に接続される一方で、ノイズ除去回路206(b)の出力は最大値検出部208に接続される。
最小値検出部207は2つの出力端子を有し、その一方はスイッチ209を介して第1共通出力線213の一方に接続され、他方はスイッチ210を介して第2共通出力線214の一方に接続される。スイッチ209は、不図示の選択回路から供給される信号φPHxまたは信号φBottom1xによって制御される。スイッチ210は、不図示の選択回路から供給される信号φBottom2xによって制御される。ここで、信号φPHxは単位画素毎の出力を得るために、単位画素の配列に沿って供給されるもので、信号φBottom1xおよびφBottom2xは、複数の単位画素の出力のうちの最小値を得るために、複数の単位画素に対して同時に供給されるものである。
最大値検出部208は2つの出力端子を有し、その一方はスイッチ211を介して第1共通出力線213の他方に接続され、他方はスイッチ212を介して第2共通出力線214の他方に接続される。スイッチ211は、不図示の選択回路から供給される信号φPeak1xによって制御される。スイッチ212は不図示の選択回路から供給される信号φPeak2xによって制御される。ここで、信号φPeak1xおよびφPeak2xは、複数の単位画素の出力のうちの最大値を得るために、複数の単位画素に対して同時に供給されるものである。最小値検出部207および最大値検出部208は、例えばソースフォロワ回路で構成され、複数の最小値検出部207もしくは最大値検出部208が共通のノードに同時に接続されると、最小もしくは最大の信号のみが当該ノードに現れる。
第1共通出力線213は、第1蓄積制御部215に接続され、第2共通出力線214は、第2蓄積制御部216に接続される。第1蓄積制御部215は、第1共通出力線213に供給される最大値と最小値の信号に基づいて、第1のメモリセル部203(a)が差動増幅部202の出力をホールドするタイミングを制御する。同様に、第2蓄積制御部216は、第2共通出力線214に供給される最大値と最小値の信号に基づいて、第2メモリセル部203(b)が差動増幅部202の出力をホールドするタイミングを制御する。また、第1共通出力線213の一方はゲイン部217とも接続される。ゲイン部217は、最小値検出部207から出力された信号に対して、後述するAGC動作によって決定されたゲインで増幅した信号を出力端子218から出力する。図2では、図を簡略にするために、第1および第2蓄積制御部から第1および第2メモリセル部に与えられる信号を伝達する信号線は省略している。
第1および第2蓄積制御部、ならびにゲイン部217は、ラインセンサの数(本実施例ではN)と同数設ける必要はなく、複数のラインセンサ部に対して共通に設けても良い。その場合には、共通出力線をマルチプレクスすればよい。
図3は、単位画素のうち、センサセル部201、差動増幅部202、第1および第2メモリセル部203、バッファ部204、リセット部205、およびスイッチ219に係る部分を抜き出した回路図である。
センサセル部201は光電変換部であるフォトダイオード(Photo Diode;PD)301と、スイッチ302とを含む。フォトダイオード301のアノードには、スイッチ302を介して電源電圧VRSが与えられる。また、フォトダイオード301のアノードは、差動増幅部202の非反転入力端子と接続される。スイッチ302は、不図示の制御部から供給される信号φRSによって制御される。
差動増幅部202の出力は、不図示の制御部から供給される信号φDIFによって制御されるスイッチ219を介して第1および第2メモリセル部、リセット部、およびバッファ部が共通に接続されるノードに接続される。
第1および第2メモリセル部203はそれぞれ容量とスイッチとを含んでなり、第1のメモリセル部203(a)は第1蓄積制御部215から供給される信号φSH1によって制御され、第2メモリセル部203(b)は第2蓄積制御部216から供給される信号φSH2によって制御される。
リセット部205は、不図示の制御部から供給される信号φCLRによって制御されるリセットスイッチ303を含む。リセットスイッチ303は、一方の端子には電源電圧VCLRが与えられ、信号φCLRによって導通すると、第1および第2メモリセル部203ならびにバッファ部204の入力部が接続されるノードをリセットする。
バッファ部204の出力は端子Voutからノイズ除去回路206に接続されるとともに、差動増幅部202の反転入力端子に接続される。バッファ部204は、例えばソースフォロワ回路を用いることができる。この構成により、第1および第2メモリセル部は、PD301によって生じる電位からバッファ部204のオフセット分だけシフトした電位を信号レベルとしてサンプルホールドする。バッファ部204は、入力された信号に対してゲインをかける、増幅機能を持つものでも良い。
次に、図4をさらに参照しながら本実施例に係る光電変換装置の動作を説明する。図4は、図2および3に示したスイッチに与えられる信号の時間的変化を表すタイミング図である。各スイッチは、対応する信号がHighレベルのときに導通するものとして以下の説明を行う。図4において、信号NCLAMPは、ノイズ除去回路206が、バッファ部204から出力される信号をクランプするタイミングを制御する信号である。
期間(1)では信号φRS、φDIF、φSH1およびφSH2がHighレベルである。つまり、PD301が電源電圧VRSによってリセットされた状態であり、このときの差動増幅部202の出力が第1および第2メモリ部のそれぞれの容量素子に供給されている状態である。
期間(2)では信号φRSがLowレベルになり、PD301による蓄積時間が開始する。このとき、スイッチ302がオフすることで発生するノイズ(以下、リセットノイズ)が、PD301には重畳される。このとき、信号φDIFがHighレベルであるので、バッファ部204からは、センサセル部のリセットノイズと差動増幅部202のオフセットとを含んだ信号(N信号)が出力される。第1および第2のノイズ除去回路は、信号NCLAMPによって、このときのN信号をクランプする。期間(2)でもPD301に光が照射されているため、PD301で光電変換が行われるが、期間(2)は、センサセル部の総蓄積時間に対して十分に短いので、ここで生じる光電変換による信号(S信号)は無視できる。したがって、第1および第2のノイズ除去回路でクランプされる信号は、N信号と見なすことができる。
期間(3)では、フォトダイオードに蓄積される信号のモニタが行われる。期間(3)になると信号φPeak1x、φBottom1x、φPeak2xおよびφBottom2xがHighレベルになる。信号φPeak1xおよびφBottom1xは図1で示した領域Iの単位画素に対して与えられ、信号φPeak2xおよびφBottom2xは図1で示した領域IIの単位画素に対して与えられるので、対応する単位画素のスイッチ209〜212が導通する。これにより、第1共通出力線213には領域Iにおける最大値と最小値の信号が現れ、第2共通出力線214には領域IIにおける最大値と最小値の信号が現れる。第1の蓄積制御部215および第2の蓄積制御部216は、それぞれ対応する領域における最大値と最小値の差分の大きさを演算して、予め定められた閾値との比較を行う。比較の結果、最大値と最小値の差分(P−B;Peak−Bottom)が閾値を上回ると判定されたら、蓄積制御部は対応するメモリセル部がホールド動作を行うように制御する。具体的には、第1の蓄積制御部215は信号φSH1をLowレベルに遷移させ、第2の蓄積制御部216は信号φSH2をLowレベルに遷移させる。これにより、領域Iに含まれる各単位画素の第1のメモリセル部203(a)に、対応する差動増幅部202から出力された信号が保持される。図4では、信号φSH1がLowレベルに遷移したタイミングを期間(3)の終わりとしている。なお、第1と第2の蓄積制御部に設定された閾値は同じ値であっても良いし、互いに異なる値であっても良い。
信号φSH1がLowレベルに遷移した後、期間(4)では領域IIの蓄積動作が引き続き行われる。そして、領域IIの最大値と最小値との差分が閾値を上回ると、第2の蓄積制御部216は信号φSH2をLowレベルに遷移させる。これにより、領域IIに含まれる各単位画素の第2メモリセル部203(b)に、対応する差動増幅部202から出力された信号が保持される。以上の動作によって、領域IおよびIIに係る信号蓄積動作が終了する。信号φDIFは、信号φSH2がLowレベルに遷移するのと合わせてLowレベルに遷移するため、これ以降にセンサセル部201の出力が変化しても、バッファ部204には伝達されない。
期間(5)においては、領域Iに含まれる各単位画素の第1のメモリセル部203(a)に保持された信号を第1の共通出力線213に出力させる動作が行われる。まず、信号φCLRが一時的にHighレベルになり、バッファ部204の入力部がリセットされる。その後、信号φSH1がHighレベルになり、領域Iに含まれる単位画素の第1のメモリセル部203(a)に保持された信号が対応するバッファ部204に与えられる。この期間に信号φPHxによってスイッチ209が順次オンされることで、期間(3)の終了時点における領域Iの各単位画素の信号が第1の共通出力線213へと出力される。ただし、第1のメモリセル部203(a)の容量値をC1、バッファ部204の入力部に付随する寄生容量をCbufとすると、第1のメモリセル部203(a)に保持された信号はC1/(C1+Cbuf)倍に減衰する。領域Iの信号が第1の共通出力線213に出力された後、信号φSH1がLowレベルに遷移し、第1のメモリセル部203(a)がバッファ部204から切り離される。
期間(6)では、領域IIの第2のメモリセル部203(b)について期間(5)における第1のメモリセル部203(a)と同様の動作が行われ、領域IIの第2のメモリセル部203(b)に保持された信号が順次第2の共通出力線214に出力される。以上により、期間(4)の終了時点における領域IIの各単位画素の信号が第2の共通出力線214へと出力される。ここでも、第2メモリセル部203(b)の容量値をC2、バッファ部204の入力部に付随する寄生容量をCbufとすると、第2メモリセル部203(b)に保持された信号はC2/(C2+Cbuf)倍に減衰する。第1および第2メモリセル部の容量値C1とC2とを一致させることで、後段の信号処理が複雑になることを抑制できる。
以上で説明した動作により、特許文献2に記載された焦点検出装置と同様に、1回の蓄積シーケンスでセンサセル部201から、異なる蓄積時間に基づく信号を取得することができる。つまり、図2や図3を用いて説明したように、本実施例に係る光電変換装置を焦点検出装置に適用すると、1個のセンサセル部に対して複数のメモリを設けた場合でも面積の増大を抑制しながら、高速な焦点検出動作が実現できる。
本実施例の動作として特徴的なのは、各メモリセル部からバッファ部を介して信号を出力させる動作に先だって、バッファ部204の入力部を一定の電位にリセットすることである。つまり、同一の単位画素について、一のメモリセル部から信号を読み出した後、別の一のメモリセル部から信号を読み出す動作に先だってバッファ部204の入力部をリセットすることである。これにより、直前の時刻でのバッファ部204の入力部の電位に影響されることを抑制でき、ひいては信号の劣化を抑制することができる。
(実施例2)
次に、図5に示すタイミングチャートを参照しながら、本発明の第2の実施例に係る動作を説明する。実施例1と異なるのは、図4で示した期間(5)と期間(6)との間に期間(4’)の動作が行われる点である。実施例1と同じ動作については、説明を省略する。
本実施例は、領域IIにおける最大値と最小値の差分(P−B)が予め定められたしきい値に達していない状況での動作を想定している。例えば、ラインセンサ部L1A、L1Bの全範囲である領域Iについては十分なコントラストが得られるが、中央付近の領域である領域IIについては十分なコントラストが得られていない状況が考えられる。
実施例1では、領域IIのP−Bが予め設定されたしきい値を上回ったことを受けて信号φPeak2x、φBottom2x、φSH2、φDIFがLowレベルになり、期間(4)が終了する。しかし、本実施例では予め設定された時間を経過しても領域IIのP−Bがしきい値を超えないために、信号φPeak2x、φBottom2x、φSH2、φDIFが強制的にLowレベルになる。
期間(5)では、実施例1と同様に、期間(3)の終了時刻における領域Iの各単位画素からの信号が第1の共通出力線213を介して出力される。
実施例1では期間(5)に引き続いて、期間(4)の終了時刻における領域IIの各単位画素からの信号を出力する動作が行われたが、本実施例では領域IIの各単位画素の信号をモニタする、期間(4’)の動作が行われる。期間(4’)では、信号φDIF、φSH2、φPeak2x、φBottom2xが再びHighレベルになるとともに、信号φSH1がLowレベルに遷移する。これにより、期間(4)と同様に、領域IIの各単位画素からの信号のうちの最大値と最小値とがそれぞれ第1の共通出力線213に現れ、両者の差分が第1の蓄積制御部215によってモニタされる。そして、第1の蓄積制御部215によってモニタされるP−Bが予め定められたしきい値を上回ると、第1の蓄積制御部215は信号φPeak2x、φBottom2x、φSH2、φDIFをLowレベルに遷移させる。
期間(6)における動作は実施例1と同じであるので説明を省略する。
以上で説明した本実施例に係る光電変換装置を焦点検出装置に適用すると、1個のセンサセル部に対して複数のメモリを設けた場合でも面積の増大を抑制しながら、高速な焦点検出動作が実現できる。特に、領域IIに係るモニタ動作を終える前に領域Iの信号が出力されることから、領域Iに係る信号を基にして焦点検出を行えるので、より高速な焦点検出動作が実現される。
(実施例3)
図6を参照しながら本発明に係る第3の実施例を説明する。図6は、本発明に係る光電変換装置を、位相差検出方式の焦点検出装置(以下AFセンサと称す)に適用した場合の構成例を示すブロック図である。
AFセンサ811は、ラインセンサ部L1A、L2A、…及びL1B、L2B、・・・が配列されたセンサブロックと、外部インターフェースとAFセンサのタイミング信号を生成する機能を持つロジックブロック801、アナログ回路ブロック810とを含む。
アナログ回路ブロック810は、蓄積制御部802〜805を備え、ラインセンサ部からの信号のモニタリングや、蓄積時間の制御を行う。アナログ回路ブロック810は更に、光電変換装置で用いられる参照電圧や参照電流を生成する参照電圧電流生成回路806、温度計回路807等を含んでいる。813と814は、806と807で生成された信号を外部に出力する端子である。
ロジックブロック801はシリアル通信端子812を介して外部とのシリアル通信によってAFセンサ811の駆動タイミングを制御する。ラインセンサ部の信号はAFゲイン回路808で増幅され、出力マルチプレクサ809を通してアナログ信号出力端子815から取り出される。
本実施例においても、実施例1または2で説明した光電変換装置を用いることで、高速な焦点検出動作が実現できる。
(実施例4)
図6を参照しながら本発明に係る第4の実施例を説明する。図6は、本発明に係る光電変換装置を、位相差検出方式の焦点検出装置(以下AFセンサと称す)に適用した場合の構成例を示すブロック図である。
AFセンサ811は、ラインセンサ部L1A、L2A、・・・及びL1B、L2B、・・・が配列されたセンサブロックと、外部インターフェースとAFセンサのタイミング信号を生成する機能を持つロジックブロック801、アナログ回路ブロック810とを含む。
アナログ回路ブロック810は、AGC回路802〜805を備え、ラインセンサ部からの信号のモニタリングや、蓄積時間の制御を行う。アナログ回路ブロック810は更に、光電変換装置で用いられる参照電圧や参照電流を生成する参照電圧電流生成回路806、温度計回路807等を含んでなる。
ロジックブロック801はシリアル通信端子812を介して外部とのシリアル通信によってAFセンサ811の駆動タイミングを制御する。
本実施例においても、実施例1または2で説明した光電変換装置を用いることで、高速な焦点検出動作が実現できる。
(実施例5)
図7は、本発明の実施例5を示す撮像システムの構成例を示すブロック図である。
901は後述するレンズのプロテクトを行うバリア、902は被写体の光学像を固体撮像装置904に結像するレンズ、903はレンズを通過した光量を調整するための絞りである。904はレンズで結像された被写体の光学像を画像信号として取得する固体撮像装置である。905は先述の各実施例で説明した光電変換装置を用いたAFセンサである。
906は固体撮像装置904やAFセンサ905から出力される信号を処理するアナログ信号処理装置、907は信号処理装置906から出力された信号をアナログデジタル変換するA/D変換器である。908はA/D変換器907より出力された画像データに対して各種の補正や、データを圧縮するデジタル信号処理部である。
909は画像データを一時記憶するためのメモリ部、910は外部コンピュータなどと通信するための外部I/F回路、911はデジタル信号処理部908などに各種タイミング信号を出力するタイミング発生部である。912は各種演算とカメラ全体を制御する全体制御・演算部、913は記録媒体制御I/F部、914は取得した画像データを記録、又は読み出しを行うための半導体メモリなどの着脱可能な記録媒体、915は外部コンピュータである。
次に、上記の撮像システムの撮影時の動作について説明する。
バリア901がオープンされ、AFセンサ905から出力された信号をもとに、全体制御・演算部912は前記したような位相差検出により被写体までの距離を演算する。その後、演算結果に基づいてレンズ902を駆動し、再び合焦しているか否かを判断し、合焦していないと判断したときには、再びレンズ902を駆動するオートフォーカス制御を行う。次いで、合焦が確認された後に固体撮像装置904による蓄積動作が始まる。固体撮像装置904の蓄積動作が終了すると、固体撮像装置904から出力された画像信号はA/D変換器907でアナログデジタル変換され、デジタル信号処理部908を通り全体制御・演算によりメモリ部909に書き込まれる。その後、メモリ部909に蓄積されたデータは全体制御・演算部912の制御により記録媒体制御I/F部910を介して記録媒体914に記録される。また、外部I/F部910を通り直接コンピュータなどに入力してもよい。
上記で説明した各実施例では、各単位画素が2個のメモリセル部を備える構成を示したが、各単位画素が3以上のメモリセル部を持つように構成してもよい。
101 撮像面
201 センサセル部
202 差動増幅部
203(a)、(b) メモリセル部
204 バッファ部
205 リセット部
206(a)、(b) ノイズ除去回路
207 最小値検出部
208 最大値検出部
209−212 スイッチ
213 第1の共通出力線
214 第2の共通出力線
215 第1の蓄積制御部
216 第2の蓄積制御部
217 ゲイン部
218 出力端子
LNA、LNB ラインセンサ部

Claims (9)

  1. 光電変換部を有するセンサセル部と、
    前記センサセル部から出力された信号を増幅する増幅部と、
    前記増幅部で増幅された信号を保持する複数のメモリセル部と、
    前記複数のメモリセル部に共通に設けられ、前記複数のメモリセル部に保持された信号を伝達するバッファ部と、を各々が備える複数の単位画素を有し、
    前記増幅部は、前記バッファ部の出力と前記センサセル部から出力された信号との差分を出力する差動増幅部を有すること
    を特徴とする光電変換装置。
  2. 前記複数の単位画素の各々は、前記バッファ部の入力部をリセットするリセット部を有すること
    を特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
  3. 複数の前記センサセル部が1次元的に配列されたラインセンサ部を複数有し、
    一対の前記ラインセンサ部から得られた信号に基づいて焦点検出を行うこと
    を特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
  4. 請求項3に記載の光電変換装置であって、
    前記単位画素の各々は、最小値検出部および最大値検出部を備え、
    前記光電変換装置は一対の第1の共通出力線および一対の第2の共通出力線を備え、
    複数の前記最小値検出部は前記第1の共通出力線の一方と接続され、複数の前記最大値検出部は前記第1の共通出力線の他方と接続され、
    前記第1の共通出力線に接続される前記最小値検出部とは異なる数の前記最小値検出部が前記第2の共通出力線の一方と接続され、前記第1の共通出力線に接続される前記最大値検出部とは異なる数の前記最大値検出部が前記第2の共通出力線の他方と接続されること
    を特徴とする光電変換装置。
  5. 前記一対の第1の共通出力線に出力された最大値および最小値に基づいて、前記メモリセル部に信号を保持させる第1の蓄積制御部と、
    前記一対の第2の共通出力線に出力された最大値および最小値に基づいて、前記メモリセル部に信号を保持させる第2の蓄積制御部と、を有することを特徴とする請求項4に記載の光電変換装置。
  6. 同一の前記単位画素において、一の前記メモリセル部に保持された信号を対応する前記バッファ部から出力した後、別の一の前記メモリセル部に保持された信号を対応する前記バッファ部から出力する動作に先だって、前記リセット部によって前記バッファ部の入力部をリセットすることを特徴とする請求項5に記載の光電変換装置。
  7. 前記第1の蓄積制御部によって対応するセンサセル部からの信号を前記メモリセル部に保持させ、
    前記第2の蓄積制御部によって対応するセンサセル部からの信号を別の前記メモリセル部に保持させ、
    前記第1の蓄積制御部によって制御された前記メモリセル部に保持された信号を前記第1の共通出力線に出力した後、前記第2の蓄積制御部によって制御された前記メモリセル部に保持された信号を前記第2の共通出力線に出力する動作に先だって、前記第2の蓄積制御部によって対応するセンサセル部からの信号を別の前記メモリセル部に再び保持させること
    を特徴とする請求項5または6に記載の光電変換装置。
  8. 請求項1ないし7のいずれかに記載の光電変換装置と、
    固体撮像装置と、を備えること
    を特徴とする撮像システム。
  9. 光電変換装置の駆動方法であって、前記光電変換装置は、
    光電変換部を有するセンサセル部と、
    前記センサセル部から出力された信号を増幅する増幅部と、
    前記増幅部で増幅された信号を保持する複数のメモリセル部と、
    前記複数のメモリセル部に共通に設けられ、前記複数のメモリセル部に保持された信号を伝達するバッファ部と、を各々が備える複数の単位画素を有し、
    前記増幅部は、前記バッファ部の出力と前記センサセル部から出力された信号との差分を出力する差動増幅部と、
    一対の第1の共通出力線および一対の第2の共通出力線と、を有し、さらに、前記単位画素の各々は、最小値検出部および最大値検出部を備え、
    複数の前記最小値検出部は前記第1の共通出力線の一方と接続され、複数の前記最大値検出部は前記第1の共通出力線の他方と接続され、
    前記第1の共通出力線に接続される前記最小値検出部とは異なる数の前記最小値検出部が前記第2の共通出力線の一方と接続され、前記第1の共通出力線に接続される前記最大値検出部とは異なる数の前記最大値検出部が前記第2の共通出力線の他方と接続され、
    一の前記単位画素において、一の前記メモリセル部に保持された信号を対応する前記バッファ部から出力させた後、別の一の前記メモリセル部に保持された信号を対応する前記バッファ部から出力する動作に先だって、前記リセット部によって前記バッファ部の入力部をリセットすることを特徴とする光電変換装置の駆動方法。
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