[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP5336489B2 - 反射型発光ダイオード - Google Patents

反射型発光ダイオード Download PDF

Info

Publication number
JP5336489B2
JP5336489B2 JP2010522643A JP2010522643A JP5336489B2 JP 5336489 B2 JP5336489 B2 JP 5336489B2 JP 2010522643 A JP2010522643 A JP 2010522643A JP 2010522643 A JP2010522643 A JP 2010522643A JP 5336489 B2 JP5336489 B2 JP 5336489B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
side lead
lead
light emitting
support
tip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010522643A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2010013518A1 (ja
Inventor
行輔 樫谷
保弘 白井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pearl Lighting Co Ltd
Original Assignee
Pearl Lighting Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pearl Lighting Co Ltd filed Critical Pearl Lighting Co Ltd
Priority to JP2010522643A priority Critical patent/JP5336489B2/ja
Publication of JPWO2010013518A1 publication Critical patent/JPWO2010013518A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5336489B2 publication Critical patent/JP5336489B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、プリント回路基板などの表面に実装される表面実装型の反射型発光ダイオード及びその製造方法に関する。
従来、特許第3982635号公報(特許文献1)に記載されたような表面実装型発光ダイオードが知られている。この従来の表面実装型発光ダイオードは、内部に凹面形状の反射面を有し、周囲の壁部の上部に溝を有する凹状ケースと、凹状ケースの外部に位置する広幅リード部とその先端側の狭幅リード部とから成る一対のリードと、一方のリードの狭幅リード部の先端のマウント部に搭載された発光素子とから成り、リードそれぞれは、狭幅リード部が凹状ケースの溝に嵌合され、凹状ケースの溝の外部でリード構造の狭幅リード部が折り曲げられて、広幅リード部が凹状ケースの外側面に沿い、さらに、凹状ケースの外側面に沿って折り曲げられた広幅リード部の下端部が凹状ケースの底面に沿って内側に向かって折り曲げられ、その折り曲げ部分によって実装用端子を構成するようにした構成である。そして、凹状ケースの凹部には透明エポキシ樹脂もしくは透明シリコン樹脂のような透明樹脂を充填し、狭幅リード部を固定し、また発光素子を固定している。
このような反射型発光ダイオードの製造方法は次の通りである。エッチングまたは金型によって抜かれた一対のリードの一方の先端のマウント部に発光素子を導電性接着剤を用いて接着し、次に、発光素子の他端を他方のリードの狭幅リード部の先端に金線を用いて電気的に接続し、さらに、発光素子を搭載した1対のリードを発光素子が下向きにして凹部中心に位置するようにして凹状ケースに溝を利用して、それぞれの一方のリードと他方のリードの直線の共通の中心線を持ち、その中心線上にリードワイヤが位置するように嵌合して位置決めし、この状態で凹状ケースの凹部に透明樹脂を充填して硬化させ、発光素子とリードの狭幅リード部を凹状ケースと一体化する。そしてこの後に、両側のリードそれぞれの所定の部分を曲げ加工して凹状ケースの側面に沿った形状にする。
このような従来の反射型発光ダイオードは、発光素子で発生した熱は凹状ケースの外側に位置する広幅リード部を通じて外部に逃がせるので反射型発光ダイオードの熱抵抗を低減させることができ、結果的に大電流の通電を可能にして反射型発光ダイオードの高出力化が可能な利点がある。
ところが、従来の反射型発光ダイオードでは、上述したように発光素子を搭載した1対のリードを発光素子が下向きにして凹部中心に位置するようにして凹状ケースに嵌合し、その状態で透明樹脂を凹状ケースの凹部に充填して硬化させることで発光素子とリードの狭幅リード部を固定し、その後に、両側のリードそれぞれを曲げ加工して凹状ケースの外側面に沿う形状にしていたので、この曲げ加工の際に両リードの近接する狭幅のリード部間に曲げ加工時に引き離す力が働いて、硬化樹脂中に残存応力が蓄積された状態でリード加工されていることが分かった。このため、発光素子パッケージを基板上にマウントする際のリフローの工程等で樹脂がいったん軟化する工程があるような用途に使われるときに、この残存応力が発光素子とリード先端とを接続しているワイヤに働いて断線してしまい、不良品を発生させてしまうことがある問題点があった。
特許第3982635号公報 特許第4001347号公報
本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、リードの曲げ加工時に発光素子とリード先端部分との間に接続されているワイヤを断線させることがなく、信頼性の高い製品を歩留まり良く製造できる反射型発光ダイオード及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明はまた、放熱性が良くて大電流の給電が可能であり、ひいては高輝度発光が可能な反射型発光ダイオード及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の1つの特徴は、内部に凹面状の反射面を有する支持体と、前記支持体の前記反射面の上方中央部から一方の壁面に向けて水平に直線状に延びる素子マウント側リードと、前記支持体の前記反射面の上方中央部から前記一方の壁面と対向する他方の壁面に向けて水平に延びるワイヤ接続側リードと、前記素子マウント側リードにおける前記支持体の前記反射面上方の中心側先端部に搭載された発光素子と、前記発光素子と前記ワイヤ接続側リードにおける前記支持体の前記反射面上方の中心側先端部との間にボンディングされたワイヤとを備え、前記素子マウント側リードの中心側先端部と前記ワイヤ接続側リードの中心側先端部とは、前記素子マウント側リードの長手方向延長線上の位置からずれた位置関係に置き、かつ両中心側先端部を近接させた射型発光ダイオードである。
本発明の別の特徴は、リード素材の金属板を所定のパターンに加工して素子マウント側リードとワイヤ接続側リードを、前記素子マウント側リードと前記ワイヤ接続側リードとの根本部同士が共通の1つの中心線を有し、かつ前記素子マウント側リードと前記ワイヤ接続側リード先端部同士前記中心線上からずれた方向において近接するように形成し、前記素子マウント側リードの先端部に発光素子をマウントし、前記発光素子と前記ワイヤ接続側リードの先端部との間にワイヤをボンディングし、内部に凹面状の反射面を有する支持体に対して、前記反射面の開口部側に前記素子マウント側リードとワイヤ接続側リードとのそれぞれを前記発光素子が当該反射面の中央上方にて当該反射面に向く姿勢で載置し、前記支持体の凹状部内に透明樹脂を充填して硬化させて前記素子マウント側リードとワイヤ接続側リードとの先端部それぞれを支持体内に固定し、前記素子マウント側リードとワイヤ接続側リードとのそれぞれの前記支持体の外側に出ている部分に曲げ加工を施して当該支持体の外側面に沿うように下側に折り曲げ、前記素子マウント側リードとワイヤ接続側リードとのそれぞれの後端部を支持体の底面に接するように内側に折り曲げる反射型発光ダイオードの製造方法である。
本発明の反射型発光ダイオード及びその製造方法によれば、素子マウント側リードの中心側先端部とワイヤ接続側リードの中心側先端部とを、素子マウント側リードの長手方向延長線上の位置からずれた位置関係に置き、かつ両中心側先端部を近接させているので、支持体上に両リードを載置して支持体内に透明樹脂を充填して硬化させて固定した後、素子マウント側リードとワイヤ接続側リードとのそれぞれの支持体の外側に出ている部分に曲げ加工を施す方法によって該反射型発光ダイオードを製造するのに、その曲げ加工時に両リードの中心側先端部に素子マウント側リードの長手方向に働く位置ずれさせる力のうちワイヤを引っ張るストローク分が小さくなり、それだけワイヤに働く応力を小さくでき、製造過程や該発光ダイオードを基板上にマウントする際のリフローの工程等でワイヤの接続部分が外れたり断線したりすることがなくなり、結果として信頼性の高い製品を歩留まり良く製造できる。
また、本発明の反射型発光ダイオードによれば、支持体の凹面状の反射面の中央上方において素子マウント側リードの中心部に発光ダイオードが位置するが、その発光ダイオードの発光時の熱は素子マウント側リードの中心部から一方の壁面と他方の壁面との両方向に伸びる素子マウント側リードの渡り部分を同時に伝達して支持体の一方の外壁面と他方の外壁面とに至り、外気に放熱させることができるので、放熱性が良く、それだけ発光ダイオードに対して大電流を流すことができ、ひいては高輝度発光を可能とする。
また、本発明の反射型発光ダイオードの製造方法によれば、上記のような放熱性が良く、それだけ発光ダイオードに対して大電流を流すことができ、ひいては高輝度発光を可能とする反射型発光ダイオードを歩留まり良く製造できる。
図1は、本発明の第1の実施の形態の反射型発光ダイオードの斜視図。 図2は、上記実施の形態の反射型発光ダイオードの断面図。 図3は、上記実施の形態の反射型発光ダイオードの製造において使用するリードフレームの一部破断した平面図。 図4は、上記実施の形態の反射型発光ダイオードの製造過程において1対のリードに発光素子を取り付け、ワイヤをボンディングした状態の斜視図。 図5は、上記実施の形態の反射型発光ダイオードの製造において使用する凹状ケースの斜視図。 図6は、上記実施の形態の反射型発光ダイオードの製造において1対のリードの凹状ケースへの組み付け工程から透明樹脂の充填・硬化工程、リードの折り曲げ工程に至るまでの製造工程図。 図7は、本発明の第2の実施の形態の反射型発光ダイオードの斜視図。 図8は、本発明の第3の実施の形態の反射型発光ダイオードの斜視図。 図9は、上記実施の形態の反射型発光ダイオードの断面図。 図10は、上記実施の形態の反射型発光ダイオードの製造において使用するリードフレームの一部破断した平面図。 図11は、本発明の第4の実施の形態の反射型発光ダイオードの斜視図。 図12は、上記実施の形態の反射型発光ダイオードの断面図。 図13は、上記実施の形態の反射型発光ダイオードの製造において使用するリードフレームの一部破断した平面図。
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて詳説する。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態の反射型発光ダイオード1を示している。この反射型発光ダイオード1は、上面部に放物曲面形状の反射面2を有し、周囲の壁部3の一辺の上部に溝4が形成され、対向辺の上部に溝5が形成された直方体状の支持体としての凹状ケース6と、この凹状ケース6の反射面2の上方を横切り、当該凹状ケース6の壁側面及び底面に沿うように狭幅の上片7a、広幅の垂直片7b、広幅の下片7cが折り曲げられて形成されている素子マウント側リード7と、この素子マウント側リード7と対置され、同様に狭幅の上片8a、広幅の垂直片8b、広幅の下片8cが折り曲げられて形成されているワイヤ接続側リード8と、素子マウント側リード7の上片7aのケース中心側先端部に搭載された発光素子9とから構成されている。発光素子9にはワイヤ10の一端が接続され、ワイヤ10の他端はワイヤ接続側リード8の上片8aの先端部に接続されている。
素子マウント側リード7の幅狭の上片7aは、凹状ケース6の上面の中心線に沿い直線状に延びるストレートな形状である。他方、ワイヤ接続側リード8の上片8aは、上記中心線に対してその根本部分から先が屈曲するように延び、その先端部分は、素子マウント側リード7の上片7aの中心側先端部と中心線に対して垂直な方向にて近接する位置に位置する形状にしてある。
そして、1対のリード7,8それぞれの狭幅の上片7a,8aの折り曲げ基部が凹状ケース6の溝4,5それぞれに嵌合され、凹状ケース6の溝4,5の外部で1対のリード7,8それぞれの広幅の垂直片7b,8bが凹状ケース6の側面に沿い、かつ1対のリードそれぞれの広幅の下片7c,8cが凹状ケース6の底面に接している。
凹状ケース6の溝4,5それぞれにおいて、1対のリード7,8それぞれの上片7a,8aの嵌合部分の上面側から凹状ケース6の上縁面までの段差を塞ぐようにその段差部分に小さなUV硬化性樹脂を詰めて硬化させて堰止め11,12とし、同時にリード7,8それぞれの上片7a,8aの折り曲げ基部を固定している。そして、凹状ケース6の凹部内に、例えば、特許第4001347号公報(特許文献2)に記載されているカチオン重合型透明エポキシ樹脂のような透明エポキシ樹脂もしくは透明シリコン樹脂のような透明樹脂13を凹状ケース6の上縁面に達する深さに充填して硬化させることで、1対のリード7,8の上片7a,8aと翼片7d,8dの部分や発光素子9、ワイヤ10を透明樹脂13の中に埋没させた状態で固定している。
図2に示すように、上記構成の反射型発光ダイオード1は、図示していない基板上にこの反射型ダイオード1を載置し、底部両側のリード7,8の下片7c,8cそれぞれを半田にてプラス端子、マイナス端子に接続して固定する。このマウント状態で、それらのプラス端子、マイナス端子に通電することで発光素子9に両側のリード7,8を通じて通電して発光させる。発光素子9からの光は、図2において矢印線で示すように大部分が下方に出て放物曲面の反射面2にて反射され、ほぼ平行光線となって凹状ケース6の上面からそれに垂直な方向に出光する。このため、この反射型発光ダイオード1では、光の向きが揃い指向性が強い光、したがって光が当たるところでは輝度の高い光を得ることができる。
次に、上記の構造を有する反射型発光ダイオード1の製造方法について、図3〜図6を用いて説明する。大量生産においては、図3に示すような良導電性の材料、例えば、銅(Cu)を主成分として98%〜99%含み、若干の鉄(Fe)、硫黄(S)を含み、さらに2〜6μm厚に銀メッキが施された薄板を材料とし、これにエッチングあるいは打ち抜き加工にて図3に示すように1対の素子マウント側リード7とワイヤ接続側リード8が両側に対向して多数横並びになるように形成されたリードフレーム20を使用する。
素子マウント側リード7の形状は、直線状で狭幅の上片7a、広幅の垂直片7b、広幅の下片7cそれぞれになる部分が中心線Cに対して対称な形で形成されている。ワイヤ接続側リード8の形状は、根本部から先が中心線Cに対して屈曲して延びる狭幅の上片8a、広幅の垂直片8b、広幅の下片8cそれぞれになる部分が形成されている。このワイヤ接続側リード8の広幅の垂直片8b、広幅の下片8cそれぞれになる部分は中心線Cに対して対称な形で形成されている。
リードフレーム20において、素子マウント側リード7とワイヤ接続側リード8それぞれの垂直片7b,8bとなる部分と下片7c,8cとなる部分との境目に相当する部分には曲げ応力を緩和するための応力逃がし穴を形成してもよい。尚、図3において、素子マウント側リード7とワイヤ接続側リード8それぞれの下片7c,8cとなる部分の端部に相当する位置に形成されている扁平楕円形の穴21,22は、破断線23,24にて切断加工する時の切断抵抗を小さくするためのものである。
このようなリードフレーム20において、各1対のリード7,8に対して発光素子9をマウントし、ワイヤボンディングを行う。すなわち、図4に示したように素子マウント側リード7の上片7aの先端部分に発光素子9を銀ペーストにて固着し、続いてこの固着された発光素子9とワイヤ接続側リード8の屈曲した上片8aの先端部とにワイヤボンディングを行って例えば金線のようなワイヤ10を接続する。
他方、図5に示すように、凹状ケース6は、その上面側に放物凹曲面状の凹部が形成されていて、この凹部底面にアルミニウム若しくは銀蒸着することで反射面2が形成されている。また凹状ケース6の周囲の壁部3の一辺の上縁部に溝4が形成され、対向辺の上縁部に溝5が形成されている。
リードフレーム20の各1対のリード7,8それぞれを凹状ケース6に取り付ける手順は、図6に示してある。すなわち、図6(a)に示すように、発光素子9を搭載し、ワイヤボンディングにてワイヤ10が接続された1対のリード7,8は、上下を逆さまにして狭幅の上片7a,8aに相当する部分それぞれを凹状ケース6の溝4,5に嵌合させる。これにより、凹状ケース6の内部においては狭幅の上片7a,8bに相当する部分が反射面2の上方に位置し、凹状ケース6の外部に広幅の垂直片7b,8b、下片7c,8cそれぞれに相当する部分が位置することになる。
次に、図6(b)に示すように、凹状ケース6の溝4,5それぞれにおいて、1対のリード7,8それぞれの上片7a,8aの嵌合部分の上面側から凹状ケース6の上面までの段差を塞ぐようにその段差部分に小さなUV硬化性樹脂を詰めて硬化させて堰止め11,12を形成する。
続いて、図6(c)に示すように、硬化触媒を含む高粘度の透明エポキシ樹脂や透明シリコン樹脂のような透明樹脂13を凹状ケース6の凹部にその上縁面まで充填し、80〜130℃での雰囲気炉で硬化させて狭幅の上片7a,8aに相当する部分と発光素子9、ワイヤ10を凹状ケース6と一体化する。
このようにして凹状ケース6と1対のリード7,8の上片7a,8aに相当する部分を透明樹脂13にて固定した後、図6(d)に示すように、1対のリード7,8の凹状ケース6より外側に出ている部分に曲げ加工を施す。この曲げ加工では、広幅の垂直片7b,8bに相当する部分を、それに繋がる上片7a,8bの基部を凹状ケース6の側面に沿うように図において下側に折り曲げることで垂直にし、さらに、凹状ケース6の底面に下片7c,8cに相当する部分が接するように内側に折り曲げる。こうして、1対のリード7,8それぞれが狭幅の上片7a,8aと広幅の垂直片7b,8bと広幅の下片7c,8cとが折り曲げられて曲げ加工が完了する。この曲げ加工が完了すると、図1、図2に示した反射型発光ダイオード1が完成する。尚、この後、必要に応じて、1対のリード7,8それぞれの下片7c,8cは凹状ケース6の底面に対して半田にて固定することがある。
このように本実施の形態の反射型発光ダイオード1では、図3に示したように素子マウント側リード7の直線状で狭幅の上片7aに対してワイヤ接続側リード8の狭幅の上片8aは中心線Cからずれて屈曲する形状にして、かつそれらの中心側先端部間が中心線Cに垂直な方向において近接する形状に形成しておき、素子マウント側リード7の上片7aの先端部に発光素子9を取り付け、ワイヤ接続側リード8の上片8aの中央側先端部とこの発光素子9との間にワイヤ10をボンディングしているので、次のような効果がある。すなわち、本実施の形態の反射型発光ダイオード1の製造において透明樹脂13を硬化させて1対のリード7,8それぞれの狭幅の上片7a,8aを凹状ケース6の凹部内に固定した後に、凹状ケース6の外側にて上片7a,8aそれぞれの垂直片7b,8bに相当する部分との接続部分を折り曲げ、さらに垂直片7c,8cから下片7c,8cに相当する部分を折り曲げる加工をする際に発生する応力により両リード7,8の上片7a,8a間に中心線C上で引き離す力が働くが、ワイヤ10はこの引き離す力の方向に対して垂直な方向に位置する姿勢となっているためにワイヤ10がこの引き離す力により引っ張られることがない。この結果として、従来ではリード7,8を曲げ加工する時の応力により発生していたワイヤ10の断線を効果的に防止でき、製品の製造歩留まりが向上する。
(第2の実施の形態)
図7は第2の実施の形態の反射型発光ダイオード1Aを示している。本実施の形態の反射型発光ダイオード1Aは、1対のリード7,8それぞれの狭幅の上片7a,8aの側縁に側方に延出する翼片7d,8dを形成したことを特徴としている。尚、その他の構成、また製造方法については第1の実施の形態と同様である。
本実施の形態のように、1対のリード7,8それぞれの狭幅の上片7a,8aの側縁に側方に延出する翼片7d,8dを形成しておくならば、この翼片7d,8dが曲げ加工時に大きな抵抗となって上片7a,8aが透明樹脂13内で位置ずれするのを効果的に抑制し、結果として、製品歩留まりのいっそうの向上が図れる。
また、発光特性にしても、翼片7d,8dの形成によって狭幅の上片7a,8aの表面積が拡大し、従来よりも上片7a,8aの部分での放熱性能が高まり、それだけ熱抵抗を小さくでき、従来同様の温度状態で使用する場合にはより大電流を発光素子9に通電することができて高出力化が図れ、逆に従来同様の電流を発光素子9に通電する場合には温度条件が緩和できる。
本発明の発明者らの実験によれば、従来構造の反射型発光ダイオードと本発明の実施例の反射型発光ダイオードとを製造し、ワイヤの断線の発生率を評価してみたが、本発明の場合には不良品の発生がなく、歩留まり良く製造できることが確認できた。
(第3の実施の形態)
本発明の第3の実施の形態の反射型発光ダイオード1B及びその製造方法について、図8〜図10を参照して説明する。本実施の形態の反射型発光ダイオード1Bは、上面部に放物凹面状の反射面2を有し、周囲の壁部3の一辺の上部中央に溝4が形成され、対向辺の上部3箇所に溝501,502,503が形成された直方体状の支持体600と、この支持体600の反射面2の上方を一方の壁面から他方の壁面まで横切り、当該支持体600の両方の壁側面及び底面に沿うように、狭幅の上片701a,701b、広幅の垂直片702a,702b、広幅の下片703a,703bが折り曲げられて形成されている素子マウント側リード700と、この素子マウント側リード700と対置され、同様に狭幅の上片801、広幅の垂直片802、広幅の下片803が折り曲げられて形成されているワイヤ接続側リード800と、素子マウント側リード700の上片701a,701bの中央接続部に形成された素子マウント部704に搭載された発光素子9とから構成されている。尚、発光素子9にはワイヤ10の一端が接続され、ワイヤ10の他端はワイヤ接続側リード800の上片801の先端部に接続されている。
素子マウント側リード700の幅狭の上片701a,701bは、支持体600の上面の中心線に沿い直線状に延びるストレートな形状である。そして、素子マウント側リード700の片側、狭幅の上片701aに連続している広幅の垂直片702aには、上片701aに平行にして水平に伸びる副片705が形成してある。また副片705の先端は膨出部706としてある。
他方、ワイヤ接続側リード800の上片801は、素子マウント側リード700の長手方向の中心線に平行な根本部分から先が斜めにして反射面2の上方中央部に向かって屈曲して延び、その先端部分が素子マウント側リード700の中心部の素子マウント部704に対して近接する位置に位置する形状にしてある。
素子マウント側リード700の片側の狭幅の上片701aと副片705との折り曲げ基部が支持体600の一辺の上部中央位置の溝501と側方位置の溝502とのそれぞれに嵌合され、支持体600の溝501,502の外部で広幅の垂直片702aが支持体600の側面に沿い、かつ広幅の下片703aが支持体600の底面に接している。
素子マウント側リード700の反対側の狭幅の上片701bの折り曲げ基部が支持体600の対向辺の上部中央位置の溝4に嵌合され、支持体600の溝4の外部で広幅の垂直片702bが支持体600の側面に沿い、かつ広幅の下片703bが支持体600の底面に接している。
他方のワイヤ接続側リード800の屈曲した上片801の折り曲げ基部が支持体600の一辺の側方位置の溝503に嵌合され、支持体600の溝503の外部で広幅の垂直片802が支持体600の側面に沿い、かつ広幅の下片803が支持体600の底面に接している。
支持体600の溝4,501〜503それぞれにおいて、1対のリード700,800それぞれの上片701a,701b,801の嵌合部分、また副片705の嵌合部分の上面側から支持体600の上縁面までの段差を塞ぐようにその段差部分に小さなUV硬化性樹脂を詰めて硬化させて堰止め11,121,122,123とし、同時にリード700,800それぞれの上片701a,701b,801と副片705の折り曲げ基部を固定している。そして、支持体600の凹部内に、例えば、特許第4001347号公報(特許文献2)に記載されているカチオン重合型透明エポキシ樹脂のような透明エポキシ樹脂もしくは透明シリコン樹脂のような透明樹脂13を支持体600の上縁面に達する深さに充填して硬化させることで、1対のリード700,800の上片701a,701b,801と副片705の部分や発光素子9、ワイヤ10を透明樹脂13の中に埋没させた状態で固定している。
図9に示すように、上記構成の反射型発光ダイオード1Bは、図示していない基板上にこの反射型ダイオード1Bを載置し、底部両側のリード700,800の下片703a,703b,803それぞれを半田にてプラス端子、マイナス端子に接続して固定する。このマウント状態で、それらのプラス端子、マイナス端子に通電することで発光素子9に両側のリード700,800を通じて通電して発光させる。発光素子9からの光は、図9において矢印線で示すように大部分が下方に出て放物曲面の反射面2にて反射され、ほぼ平行光線となって支持体600の上面からそれに垂直な方向に出光する。このため、本実施の形態の反射型発光ダイオード1Bでも光の向きが揃い指向性が強い光、したがって光が当たるところでは輝度の高い光を得ることができる。
次に、上記の構造を有する反射型発光ダイオード1Bの製造方法について、図10、また第1の実施の形態の製造方法の説明にて参照した図4〜図6を用いて説明する。大量生産においては、図10に示すような良導電性の材料、例えば、銅(Cu)を主成分として98%〜99%含み、若干の鉄(Fe)、硫黄(S)を含み、さらに2〜6μm厚に銀メッキが施された薄板を材料とし、これにエッチングあるいは打ち抜き加工にて図10に示すように1対の素子マウント側リード700とワイヤ接続側リード800が多数横並びになるように形成されたリードフレーム200を使用する。
素子マウント側リード700の形状は、直線状で狭幅の上片701a,701b、広幅の垂直片702a,702b、広幅の下片703a,703b、素子マウント部704、副片705、膨出部706それぞれになる部分が形成されている。ここでは、狭幅の上片になる部分の中心を通る線を長手方向中心線Cとする。この素子マウント側リード700の広幅の垂直片702b、広幅の下片703bそれぞれになる部分は中心線Cに対して対称な形で形成されている。
ワイヤ接続側リード800の形状は、中心線Cに平行な根本部から屈曲して素子マウント側リード700の素子マウント部704になる部分に向かって斜めに延びる狭幅の上片801、広幅の垂直片802、広幅の下片803それぞれになる部分が形成されている。
リードフレーム200において、素子マウント側リード700とワイヤ接続側リード800それぞれの垂直片702a,702b,802となる部分と下片703a,703b,803となる部分との境目に相当する部分には曲げ応力を緩和するための応力逃がし穴を形成してもよい。尚、図10において、素子マウント側リード700とワイヤ接続側リード800それぞれの下片703a,703b,803となる部分の端部に相当する位置に形成されている扁平楕円形の穴210,220は、破断線230,240にて切断加工する時の切断抵抗を小さくするためのものである。
このようなリードフレーム200において、各1対のリード700,800に対して発光素子9をマウントし、ワイヤボンディングを行う。以下、ワイヤボンディングの工程、支持体600側に反射面2を形成する工程、支持体600の周囲の壁部3に溝4,501〜503を形成する工程、さらに、リードフレーム200の各1対のリード700,800それぞれを支持体600に取り付け、溝4,501〜503それぞれに堰止め11,121〜123を形成する工程、支持体600内に樹脂を充填して硬化させ、両リード700,800を固定する工程、リード700,800の曲げ工程等は第1の実施の形態にて説明した図4〜図6に示す工程と共通である。
このように本実施の形態の反射型発光ダイオード1Bでは、図8に示したように素子マウント側リード700の上片701a,701bを支持体600の上縁を一方の辺から対向辺まで渡らせ、さらに支持体600の一方の側面と反対側の側面とのそれぞれにおいて広幅の垂直片702a,702bを露出させる形にしたので、第1の実施の形態と同様の効果を奏するのに加えて、放熱面積が第1、第2の実施の形態に対して広くでき、同じ大きさの電流を流す場合には温度上昇を抑えることができ、また、許容温度に上昇するまで電流を流して発光素子9を発光させる場合にはより大電流を流すことができるために輝度を向上させることができる。
(第4の実施の形態)
本発明の第4の実施の形態の反射型発光ダイオード1C及びその製造方法について、図11〜図13を参照して説明する。本実施の形態の反射型発光ダイオード1Cは、上面部に放物凹面形状の反射面2を有し、周囲の壁部3の一辺の上部中央と左右それぞれの3箇所に溝451,452,453が形成され、対向辺の上部3箇所に溝551,552,553が形成された直方体状の支持体650を備えている。そして、この支持体650の反射面2の上方にそれぞれ反対向きにくの字型に屈曲するように素子マウント側リード750とワイヤ接続側リード850が設置されている。
素子マウント側リード750は、反射面2の上方に配置され、支持体650の一方の壁面から他方の壁面まで横切るくの字状に屈曲した狭幅の上片751a,751bと、支持体650の両方の壁側面及び底面に沿うように配置された広幅の垂直片752a,752bと、この垂直片752a,752bに繋がる広幅の下片753a,753bとで構成されている。
この素子マウント側リード750の両側の広幅の垂直片752a,752bそれぞれには、狭幅の上片751a,751bそれぞれに平行にして水平に伸びる副片755a,755bが形成されている。そしてこれらの副片755a,755bの先端それぞれには膨出部756a,756bが形成されている。
この素子マウント側リード750と対置されたワイヤ接続側リード850は、同様に狭幅の上片851a,851bと、広幅の垂直片852a,852bと、広幅の下片853a,853bとで構成されている。
発光素子9は、素子マウント側リード700の上片751a,751bのつながり部分に形成されている素子マウント部754上に設置されていて、反射面2のほぼ上方中部に位置させてある。この素子マウント部754上の発光素子9とワイヤ接続側リード850の上片851a,851bのつながり部分に形成されているワイヤボンディング部854との間にはワイヤ10が接続されている。
素子マウント側リード750の片側の狭幅の上片751aと副片755aとの折り曲げ基部が支持体650の一辺の上部中央位置の溝551と側方位置の溝552とのそれぞれに嵌合され、支持体650の溝551,552の外部で広幅の垂直片752aが支持体650の側面に沿い、かつ広幅の下片753aが支持体650の底面に接している。
素子マウント側リード750の反対側の狭幅の上片751bと副片755bとの折り曲げ基部が支持体650の対向辺の上部中央位置の溝451と側方位置の溝452とのそれぞれに嵌合され、支持体650の溝451,452の外部で広幅の垂直片752bが支持体650の側面に沿い、かつ広幅の下片753bが支持体650の底面に接している。
他方のワイヤ接続側リード850の屈曲した上片851a,851bそれぞれの折り曲げ基部が支持体650の一辺とその対向辺それぞれの側方位置の溝453,553に嵌合され、支持体650の溝453,553の外部で広幅の垂直片852a,852bが支持体650の側面に沿い、かつ広幅の下片853a,853bが支持体650の底面に接している。
支持体650の溝451〜453,551〜553それぞれにおいて、1対のリード750,850それぞれの上片751a,751b,851a,851bの嵌合部分、また副片755a,755bの嵌合部分の上面側から支持体650の上縁面までの段差を塞ぐようにその段差部分に小さなUV硬化性樹脂を詰めて硬化させて堰止め111〜113,121〜123とし、同時にリード750,850それぞれの上片751a,751b,851a,851bと副片755a,755bの折り曲げ基部を固定している。そして、支持体650の凹部内に、例えば、特許第4001347号公報(特許文献2)に記載されているカチオン重合型透明エポキシ樹脂のような透明エポキシ樹脂もしくは透明シリコン樹脂のような透明樹脂13を支持体650の上縁面に達する深さに充填して硬化させることで、1対のリード750,850の上片751a,751b,851a,851bと副片755a,755bの部分や発光素子9、ワイヤ10を透明樹脂13の中に埋没させた状態で固定している。
図12に示すように、上記構成の反射型発光ダイオード1Cは、図示していない基板上にこの反射型ダイオード1Cを載置し、底部両側のリード750,850の下片753a,753b,853a,853bそれぞれを半田にてプラス端子、マイナス端子に接続して固定する。このマウント状態で、それらのプラス端子、マイナス端子に通電することで発光素子9に両側のリード750,850を通じて通電して発光させる。発光素子9からの光は、図12において矢印線で示すように大部分が下方に出て放物曲面の反射面2にて反射され、ほぼ平行光線となって支持体650の上面からそれに垂直な方向に出光する。このため、本実施の形態の反射型発光ダイオード1Cでも光の向きが揃い指向性が強い光、したがって光が当たるところでは輝度の高い光を得ることができる。
次に、上記の構造を有する反射型発光ダイオード1Cの製造方法について、図13、また第1の実施の形態の製造方法にて参照した図4〜図6を用いて説明する。大量生産においては、図13に示すような良導電性の材料、例えば、銅(Cu)を主成分として98%〜99%含み、若干の鉄(Fe)、硫黄(S)を含み、さらに2〜6μm厚に銀メッキが施された薄板を材料とし、これにエッチングあるいは打ち抜き加工にて図13に示すように1対の素子マウント側リード750とワイヤ接続側リード850が多数横並びになるように形成されたリードフレーム250を使用する。
素子マウント側リード750の形状は、くの字状で狭幅の上片751a,751b、広幅の垂直片752a,752b、広幅の下片753a,753b、素子マウント部754、副片755a,755b、膨出部756a,756bそれぞれになる部分が形成されている。ここでは、素子マウント部754となる部分の中心を通る線を長手方向中心線Cとする。
ワイヤ接続側リード850の形状は、素子マウント側リード750とは逆向きのくの字状で狭幅の上片851a,851b、広幅の垂直片852a,852b、広幅の下片853a,853b、ワイヤランド部854それぞれになる部分が形成されている。
リードフレーム250において、素子マウント側リード750とワイヤ接続側リード850それぞれの垂直片752a,752b,852a,852bとなる部分と下片753a,753b,853a,853bとなる部分との境目に相当する部分には曲げ応力を緩和するための応力逃がし穴を形成してもよい。尚、図13において、素子マウント側リード750とワイヤ接続側リード850それぞれの下片753a,753b,853a,853bとなる部分の端部に相当する位置に形成されている扁平楕円形の穴251,252は、破断線261,262にて切断加工する時の切断抵抗を小さくするためのものである。
このようなリードフレーム250において、各1対のリード750,850に対して発光素子9をマウントし、ワイヤボンディングを行う。
以下、ワイヤボンディングの工程、支持体650側に反射面2を形成する工程、支持体650の周囲の壁部3に溝451〜453,551〜553を形成する工程、さらに、リードフレーム250の各1対のリード750,850それぞれを支持体650に取り付け、溝451〜453,551〜553それぞれに堰止め111〜113,121〜123を形成する工程、支持体650内に樹脂13を充填して硬化させ、両リード750,850を固定する工程、リード750,850の曲げ工程等は第1の実施の形態にて説明した図4〜図6に示す工程と共通である。
このように本実施の形態の反射型発光ダイオード1Cでは、図11、図12に示したように素子マウント側リード750の上片751a,751bを支持体650の上縁を一方の辺から対向辺まで渡らせ、さらに支持体650の一方の側面と反対側の側面とのそれぞれにおいて広幅の垂直片752a,752bを露出させる形にし、同様にワイヤ接続側リード850の上片851a,851bを支持体650の上縁を一方の辺から対向辺まで渡らせ、さらに支持体650の一方の側面と反対側の側面とのそれぞれにおいて広幅の垂直片852a,852bを露出させる形にしたので、第1の実施の形態と同様の効果を奏するのに加えて、放熱面積が第1、第2の実施の形態に対して広くでき、同じ大きさの電流を流す場合には温度上昇を抑えることができ、また、許容温度に上昇するまでの電流を流して発光素子9を発光させる場合にはより大電流を流すことができるために輝度を向上させることができる。
上記のように、本発明は第1〜第4の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。支持体の凹状の反射面の上方中央部において素子マウント側リードの長手方向の中心線を含む水平面内においてその中心線上からずれた位置において素子マウント側リードの素子マウント部とワイヤ接続側リードのワイヤ接続部とが近接対向する構造であれば、本発明の技術的範囲となる。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
1,1A〜1C 反射型発光ダイオード
2 反射面
3 壁部
4,451〜453 溝
5,501〜503,551〜553 溝
6 凹状ケース
600,650 支持体
7,700,750 素子マウント側リード
7a,701a,701b,751a,751b 上片
7b,702a,702b,751a,751b 垂直片
7c,703a,703b,751a,751b 下片
8,800,850 ワイヤ接続側リード
8a,801,851a,851b 上片
8b,802,852a,852b 垂直片
8c,803,853a,853b 下片
9 発光素子
10 ワイヤ

Claims (5)

  1. 内部に凹面状の反射面を有する支持体と、
    前記支持体の前記反射面の上方中央部から一方の壁面に向けて水平に直線状に延びる素子マウント側リードと、
    前記支持体の前記反射面の上方中央部から前記一方の壁面と対向する他方の壁面に向けて水平に延びるワイヤ接続側リードと、
    前記素子マウント側リードにおける前記支持体の前記反射面上方の中心側先端部に搭載された発光素子と、
    前記発光素子と前記ワイヤ接続側リードにおける前記支持体の前記反射面上方の中心側先端部との間にボンディングされたワイヤとを備え、
    前記素子マウント側リードの中心側先端部と前記ワイヤ接続側リードの中心側先端部とは、前記素子マウント側リードの長手方向延長線上の位置からずれた位置関係に置き、かつ両中心側先端部を近接させたことを特徴とする反射型発光ダイオード。
  2. 前記ワイヤ接続側リードは、前記他方の壁面の上部分に位置する根本部をその中心線が前記素子マウント側リードの中心線と一致する中心線を持つ直線状にし、前記根本部から前記中心側先端部に至る中間部を前記根本部から斜め前方に屈曲するように延ばし、前記中心側先端部は、前記素子マウント側リードの中心側先端部とその中心線に対して垂直な方向にて近接する位置に位置する形状にしたことを特徴とする請求項1に記載の反射型発光ダイオード。
  3. 前記素子マウント側リード、前記ワイヤ接続側リードそれぞれは、前記支持体の外側面に沿って折り曲げられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の反射型発光ダイオード。
  4. リード素材の金属板を所定のパターンに加工して素子マウント側リードとワイヤ接続側リードを、前記素子マウント側リードと前記ワイヤ接続側リードとの根本部同士が共通の1つの中心線を有し、かつ前記素子マウント側リードと前記ワイヤ接続側リード先端部同士前記中心線上からずれた方向において近接するように形成し、
    前記素子マウント側リードの先端部に発光素子をマウントし、
    前記発光素子と前記ワイヤ接続側リードの先端部との間にワイヤをボンディングし、
    内部に凹面状の反射面を有する支持体に対して、前記反射面の開口部側に前記素子マウント側リードとワイヤ接続側リードとのそれぞれを前記発光素子が当該反射面の中央上方にて当該反射面に向く姿勢で載置し、
    前記支持体の凹状部内に透明樹脂を充填して硬化させて前記素子マウント側リードとワイヤ接続側リードとの先端部それぞれを支持体内に固定し、
    前記素子マウント側リードとワイヤ接続側リードとのそれぞれの前記支持体の外側に出ている部分に曲げ加工を施して当該支持体の外側面に沿うように下側に折り曲げ、前記素子マウント側リードとワイヤ接続側リードとのそれぞれの後端部を支持体の底面に接するように内側に折り曲げることを特徴とする反射型発光ダイオードの製造方法。
  5. 前記素子マウント側リードは、その先端部から中間部、根本部までを前記中心線に対して両側が対称になる形状に形成し、
    前記ワイヤ接続側リードは、その根本部から中間部までを前記中心線に対して両側が対称になる形状にし、該中間部から先の先端部に至るまでの部分を前記中心線から外れるように屈曲させ、前記先端部を前記素子マウント側リードの先端部に対して前記中心線に対して垂直な方向において近接する形状に形成することを特徴とする請求項4に記載の反射型発光ダイオードの製造方法。
JP2010522643A 2008-08-01 2009-04-03 反射型発光ダイオード Expired - Fee Related JP5336489B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010522643A JP5336489B2 (ja) 2008-08-01 2009-04-03 反射型発光ダイオード

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008200161 2008-08-01
JP2008200161 2008-08-01
JP2010522643A JP5336489B2 (ja) 2008-08-01 2009-04-03 反射型発光ダイオード
PCT/JP2009/056964 WO2010013518A1 (ja) 2008-08-01 2009-04-03 反射型発光ダイオード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2010013518A1 JPWO2010013518A1 (ja) 2012-01-05
JP5336489B2 true JP5336489B2 (ja) 2013-11-06

Family

ID=41610228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010522643A Expired - Fee Related JP5336489B2 (ja) 2008-08-01 2009-04-03 反射型発光ダイオード

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5336489B2 (ja)
KR (1) KR101217949B1 (ja)
WO (1) WO2010013518A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101630479B1 (ko) * 2009-03-16 2016-06-14 도시바 라이텍쿠 가부시키가이샤 반사형 발광 다이오드 및 반사형 발광 다이오드 발광 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1041551A (ja) * 1996-07-26 1998-02-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオードランプ組立体
JP2001230451A (ja) * 2000-02-15 2001-08-24 Sharp Corp 発光ダイオード
JP2002223006A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Toyoda Gosei Co Ltd 反射型発光ダイオード
JP2003008079A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Toyoda Gosei Co Ltd 反射型光学デバイス及びその製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335706A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオードランプ
KR100665181B1 (ko) * 2005-05-31 2007-01-09 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1041551A (ja) * 1996-07-26 1998-02-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオードランプ組立体
JP2001230451A (ja) * 2000-02-15 2001-08-24 Sharp Corp 発光ダイオード
JP2002223006A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Toyoda Gosei Co Ltd 反射型発光ダイオード
JP2003008079A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Toyoda Gosei Co Ltd 反射型光学デバイス及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110025999A (ko) 2011-03-14
JPWO2010013518A1 (ja) 2012-01-05
KR101217949B1 (ko) 2013-01-02
WO2010013518A1 (ja) 2010-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9461207B2 (en) Light emitting device, and package array for light emitting device
US9013030B2 (en) Leadframe, semiconductor package including a leadframe and method for producing a leadframe
JP2007329516A (ja) 半導体発光装置
KR20180119763A (ko) 방열구조를 갖는 반도체 패키지
JP6539956B2 (ja) リードフレーム、樹脂成型体、表面実装型電子部品、表面実装型発光装置、及びリードフレーム製造方法
JP5336489B2 (ja) 反射型発光ダイオード
JP5721797B2 (ja) 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2009152227A (ja) 反射型発光ダイオード
JP6474939B2 (ja) 電子装置及び接続子
TW201448286A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
JP2009152228A (ja) 反射型発光ダイオード
JP5630436B2 (ja) 反射型発光ダイオード及び反射型発光ダイオード発光装置
JP4989929B2 (ja) 光半導体装置
JP4389263B2 (ja) 半導体発光装置の製法
JP2008282927A (ja) 光半導体用パッケージ、光半導体装置、及びその製造方法
JP2009283829A (ja) 反射型発光ダイオード及びその製造方法
WO2009145056A1 (ja) 反射型発光ダイオード
JP4994883B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP5888098B2 (ja) Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、ledパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム
JP2008103402A (ja) 上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体および上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体の製造方法
JP2007329515A (ja) 半導体発光装置
KR100727605B1 (ko) 고효율 발광소자
KR101080099B1 (ko) 고효율 발광소자
JP6350683B2 (ja) Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、ledパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム
JP2010263151A (ja) 反射型発光ダイオード

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130204

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130702

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130801

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5336489

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees