JP5330855B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
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Description
<実施形態1>
実施形態1の発光装置は、青色発光のフリップチップ素子の出射する青色光の一部を、色変換プレートによって赤色光と緑色光に変換し、青、赤、緑色光が混色された白色光を発光する装置である。
色変換プレート5は図4(a)〜(c)のようにして作製される。予め緑色蛍光体が所定濃度分散された樹脂またはガラスによって形成された基板を用意する。例えば、溶融ガラス成形プレートや、エポキシ樹脂シリコーン樹脂、もしくはその複合樹脂を用いた射出成形プレートなどである。この緑色蛍光体基板の片面に、図4(a)のように所定の直径、間隔で配置された半球状の凹部41を金型により転写成形する。このプレートが緑色蛍光体領域21(海部)となる。
実施形態2の発光装置について図5(a)、(b)を用いて説明する。
図5(a),(b)の発光装置では、予め電極や配線が形成された基板1上に青色光を発する半導体発光素子53がAuSn共晶57およびAuボンディングワイヤー56により実装されている。MB素子53の上には、透明接着層4を介して色変換プレート5が接着されている。
次に、実施形態3の発光装置について図7(a)および図8を用いて説明する。
実施形態3の発光装置は、実施形態1の発光装置と同様の構成であるが、色変換プレート5の構成が異なっている。実施形態3の発光装置は、その断面図を図7(a)に示したように、島部である赤色蛍光体領域22が球状であり、板状の緑色蛍光体領域21の下面から球の半分が突出している。
実施形態4の発光装置について図9(a)および図10を用いて説明する。
実施形態4の発光装置は、その断面図を図9(a)に示したように、海部である緑色蛍光体領域21は凹部のない平板形状であり、島部である赤色蛍光体領域22を、平板状の緑色蛍光体領域21の下面に半球状に突出している。他の構成は、実施形態3の発光装置と同様の構成である。
次に、本発明の実施形態5について図11(a),(b)、図12を用いて説明する。
実施形態5の発光装置は、実施形態1〜4と異なり、紫外光を発光する発光素子を用い、紫外光を色変換プレートによって赤色光と緑色光と青色光に変換し、青、赤、緑色光が混色された白色光を発光する装置である。
次に、実施形態6の発光装置について図16(a)および図17(a)〜(d)を用いて説明する。
実施形態6の発光装置は、実施形態5の発光装置と色変換プレート50の赤色蛍光体領域22を球状とし、板状の緑蛍光体領域21の下面から球の半分を突出させたものである。
実施形態7の発光装置について図18(a)を用いて説明する。
実施形態7の発光装置は、その断面図を図18(a)に示したように、海部である緑色蛍光体領域21の下面に凹部を設けておらず、島部である赤色蛍光体領域22を、平板状の緑色蛍光体領域21の下面に半球状に突出させている。上面の青色蛍光体領域23等、他の構成は、実施形態5の発光装置と同様の構成である。
(1)色変換プレート5、50の発光素子側の面(下面)に赤色蛍光体領域を島部、緑色蛍光体領域を海部として配置することにより、発光素子からの光が両領域に同時に入射するため、各蛍光体の励起効率が向上する。
Claims (9)
- 発光素子と、前記発光素子の上に搭載され、当該発光素子の発する光を吸収し蛍光を発する第1及び第2の蛍光体を少なくとも含有する色変換プレートとを有し、
前記色変換プレートは、海領域と、該海領域に点在する島領域とを含む海島構造であり、前記島領域には前記第1の蛍光体が含有され、前記海領域には前記第2の蛍光体が含有されており、
前記第1の蛍光体の蛍光波長は、前記第2の蛍光体の蛍光波長よりも長波長であり、
前記島領域は、赤、緑および青に対して透明な樹脂材料に前記第1の蛍光体を分散した材料からなり、かつ、前記色変換プレートの前記発光素子側の面にその一部が露出され、
前記島領域は、前記色変換プレートの前記発光素子側の面から上方に向かって凸の形状であり、該凸形状の上部は前記海領域に埋め込まれ、前記凸形状の底面は前記色変換プレートの前記発光素子側の面から前記発光素子側に突出しており、
前記色変換プレートの前記発光素子側の面から前記発光素子側に突出した前記島領域は、前記発光素子側の先端が前記発光素子の上面に対して接し、
前記発光素子の上面と、前記色変換プレートの発光素子側の面の海領域との間には、透明接着層が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1に記載の半導体発光装置において、前記島領域は半球形状であり、半球の曲面部分は前記海領域に埋め込まれ、前記半球の底面部分が前記色変換プレートの前記発光素子側の面から露出していることを特徴とする半導体発光装置。
- 請求項1または2に記載の半導体発光装置において、前記海領域には、第3の蛍光体が含有された第2の島領域が点在し、前記第3の蛍光体の蛍光体波長は、前記第1の蛍光体の蛍光波長より短波長であることを特徴とする半導体発光装置。
- 請求項3に記載の半導体発光装置において、前記色変換プレートの主平面方向における、前記第3の蛍光体を含有する第2の島領域の中心は、前記第1の蛍光体を含有する島領域の中心からずれた位置にあることを特徴とする半導体発光装置。
- 請求項3または4に記載の半導体発光装置において、前記第2の島領域は、前記色変換プレートの前記発光素子側の面と対向する面にその一部が露出されていることを特徴とする半導体発光装置。
- 請求項3に記載の半導体発光装置において、前記第3の蛍光体の蛍光体波長は、前記第2の蛍光体の蛍光波長よりも短いことを特徴とする半導体発光装置。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の半導体発光装置において、前記半導体発光素子は青色光を発光し、前記第1の蛍光体は、青色光を吸収し、赤色の蛍光を発するものであり、前記第2の蛍光体は、青色光を吸収し、緑色の蛍光を発するものであることを特徴とする半導体発光装置。
- 請求項3ないし6のいずれか1項に記載の半導体発光装置において、前記半導体発光素子は紫外光を発光し、前記第1の蛍光体は、紫外光を吸収し、赤色の蛍光を発するものであり、前記第2の蛍光体は、紫外光を吸収し、緑色の蛍光を発するものであり、前記第3の蛍光体は、紫外光を吸収し、青色の蛍光を発するものであることを特徴とする半導体発光装置。
- 請求項1ないし8のいずれか1項に記載の半導体発光装置において、前記発光素子および前記色変換プレートの側面は、光反射枠部により包囲されており、
前記光反射枠部は、樹脂にフィラーを分散した材料によって構成されたものであることを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009036971A JP5330855B2 (ja) | 2009-02-19 | 2009-02-19 | 半導体発光装置 |
US12/707,474 US20100207511A1 (en) | 2009-02-19 | 2010-02-17 | Semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009036971A JP5330855B2 (ja) | 2009-02-19 | 2009-02-19 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010192761A JP2010192761A (ja) | 2010-09-02 |
JP5330855B2 true JP5330855B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=42818452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009036971A Active JP5330855B2 (ja) | 2009-02-19 | 2009-02-19 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5330855B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101780408B1 (ko) * | 2010-11-26 | 2017-09-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 여기 판 및 조명 장치 |
JP5680472B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2015-03-04 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
JP5893888B2 (ja) * | 2011-10-13 | 2016-03-23 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2013197530A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Sharp Corp | 光源、発光装置、バックライト用光源、表示装置、および光源の製造方法 |
JP2013227362A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Citizen Electronics Co Ltd | 蛍光体シート及び蛍光体シートを備えた半導体発光装置 |
TW202002337A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-01-01 | 日商松下知識產權經營股份有限公司 | 顏色轉換元件及照明裝置 |
WO2023033204A1 (ko) * | 2021-09-01 | 2023-03-09 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7250715B2 (en) * | 2004-02-23 | 2007-07-31 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Wavelength converted semiconductor light emitting devices |
JP2005311136A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-11-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2009016689A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明装置 |
-
2009
- 2009-02-19 JP JP2009036971A patent/JP5330855B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010192761A (ja) | 2010-09-02 |
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