JP5328058B2 - Memory cartridge - Google Patents
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Description
この発明は、メモリカートリッジに関し、特に例えばビデオゲーム機や携帯ゲーム機等の情報処理装置に着脱自在に装着されるメモリカートリッジ等において、電磁波の不要輻射を軽減するための改良されたメモリカートリッジに関する。 The present invention relates to a memory cartridge, and more particularly to an improved memory cartridge for reducing unnecessary radiation of electromagnetic waves in a memory cartridge or the like that is detachably attached to an information processing apparatus such as a video game machine or a portable game machine.
ビデオゲーム機や携帯ゲーム機等のＣＰＵを用いて所定の情報処理を行う情報処理装置においては、ＲＯＭカートリッジ又はＲＡＭカートリッジ等のメモリカートリッジが着脱自在に装着される。メモリカートリッジは、情報処理装置本体のＣＰＵクロック周波数の高速化にともない、１０メガＨｚ以上の電磁波が外部に漏れることにより不要輻射を発生し、ＣＰＵを内蔵する周辺の情報処理装置又は電子機器（コンピュータ，携帯情報端末，ペースメーカ等）に悪影響を与えたり、誤動作の原因の１つとなる場合がある。斯かる電磁波の不要輻射に対する法規制として米国のＦＣＣがあり、任意規制として日本のＶＣＣＩがある。従来のメモリカートリッジは、周辺の情報処理装置等への悪影響を防止し又は不要輻射を軽減するために、金属製のシールド板を内蔵し、シールド板の一部と基板のグランド（接地）端子を電気的に接続し、そのグランド端子が情報処理装置本体に内蔵されるコネクタのグランド端子を介して不要輻射を吸収していた。 In an information processing apparatus that performs predetermined information processing using a CPU such as a video game machine or a portable game machine, a memory cartridge such as a ROM cartridge or a RAM cartridge is detachably mounted. Memory cartridges generate unnecessary radiation when electromagnetic waves of 10 MHz or higher leak to the outside as the CPU clock frequency of the information processing apparatus main body increases, and peripheral information processing apparatuses or electronic devices (computers) incorporating a CPU , Mobile information terminals, pacemakers, etc.) may be adversely affected or may cause malfunction. The US FCC is a legal regulation against such unwanted radiation of electromagnetic waves, and the Japanese VCCI is a voluntary regulation. Conventional memory cartridges have a built-in metal shield plate to prevent adverse effects on peripheral information processing devices or reduce unnecessary radiation, and connect a part of the shield plate and the ground (ground) terminal of the substrate. Electrical connection was made, and the ground terminal absorbed unnecessary radiation via the ground terminal of the connector built in the information processing apparatus main body.
しかし、カートリッジ内にシールド板を収納しかつそれを情報処理装置内のコネクタのグランド端子を介して情報処理装置本体のグランド端子に電気的に接続するだけでは、電磁波の不要輻射を十分に軽減できず、また情報処理装置本体内のＣＰＵクロック周波数が高くなるに従って電磁波の不要輻射による影響が増大することが知られている。 However, simply accommodating a shielding plate in the cartridge and it through the connector ground terminal in the information processing apparatus is electrically connected to a ground terminal of the information processing apparatus main body can sufficiently reduce the unwanted radiation of an electromagnetic wave In addition, it is known that the influence of unnecessary electromagnetic radiation increases as the CPU clock frequency in the information processing apparatus main body increases.
それゆえに、この発明の主たる目的は、電磁波の不要輻射による影響を十分に軽減し得る、新規なメモリカートリッジを提供することである。
この発明の他の目的は、簡単な構成かつ安価にして、電磁波の不要輻射による影響を軽減し得る、メモリカートリッジを提供することである。
この発明のその他の目的は、組み立てが容易で量産性に優れ、一層安価に製造し得る、電磁波の不要輻射対策をした、メモリカートリッジを提供することである。
Therefore, a main object of the present invention is to provide a novel memory cartridge that can sufficiently reduce the influence of unnecessary radiation of electromagnetic waves.
Another object of the present invention is a simple structure and in the low cost, can reduce the effect of unwanted radiation of electromagnetic waves, it is to provide a memory cartridge.
Another object of the present invention is to provide a memory cartridge which is easy to assemble, has excellent mass productivity, and can be manufactured at a lower cost, and which has a countermeasure against unnecessary radiation of electromagnetic waves.
第１の発明（請求項１に係る発明）は、カートリッジ収納部に関連してコネクタとグランド端子部とが形成された情報処理装置に対して、着脱自在に装着されるメモリカートリッジであって、基板とハウジングとを備える。基板は、その一方主面の大部分がグランド部で覆われ、その他方主面に前記コネクタと接続される外部接続端子が形成され、さらに所望の回路パターン部分が形成される。ハウジングは、その一方主面に前記グランド部の一部を露出するための開口部が形成される。それによって、メモリカートリッジがカートリッジ収納部に装着されたとき、グランド部が開口部を介して情報処理装置のグランド端子部に電気的に接続されて、当該基板に生じる電磁波の不要輻射を除去する。 A first invention (invention according to claim 1) is a memory cartridge that is detachably attached to an information processing device in which a connector and a ground terminal portion are formed in relation to the cartridge housing portion, A substrate and a housing are provided. Most of one main surface of the substrate is covered with a ground portion, and external connection terminals connected to the connector are formed on the other main surface, and a desired circuit pattern portion is further formed. An opening for exposing a part of the ground portion is formed on one main surface of the housing. Thereby, when the memory cartridge is mounted in the cartridge housing portion, the ground portion is electrically connected to the ground terminal portion of the information processing apparatus through the opening portion, thereby removing unnecessary radiation of electromagnetic waves generated on the substrate.
ある実施態様では、開口部は、情報処理装置内のコネクタにメモリカートリッジを装着するときの挿入方向先端近傍の一辺に沿って帯状に形成される。
他の実施態様では、グランド部は、基板の一方主面を覆う第１のグランド部と、他方主面を覆う第２のグランド部とを含み、第１のグランド部と第２のグランド部とが電気的に接続される。
他の実施態様では、基板は、外部接続端子を複数含みかつ複数の外部接続端子のそれぞれがその他方主面における、情報処理装置内のコネクタにメモリカートリッジを装着するときの挿入方向先端部近傍の一辺に沿うように間隔を開けて形成される。基板の一方主面を覆うグランド部は、基板の前記複数の外部接続端子とは反対面に幅広く形成されたグランド電極と、基板の一方主面の大部分を覆うシールド部材とを含んで構成される。
In one embodiment, the opening is formed in a band shape along one side in the vicinity of the distal end in the insertion direction when the memory cartridge is attached to the connector in the information processing apparatus .
In another embodiment, the ground part includes a first ground part covering one main surface of the substrate and a second ground part covering the other main surface, and the first ground part and the second ground part Are electrically connected.
In another embodiment, the substrate includes a plurality of external connection terminals, and each of the plurality of external connection terminals is located in the vicinity of the distal end in the insertion direction when the memory cartridge is attached to the connector in the information processing apparatus on the other principal surface. It is formed at intervals along one side. The ground portion that covers one main surface of the substrate includes a ground electrode that is widely formed on the surface opposite to the plurality of external connection terminals of the substrate, and a shield member that covers most of the one main surface of the substrate. The
さらに他の実施態様では、グランド電極は、基板の一方主面における４辺に沿って幅広く形成される第１のグランド電極である。基板は、所望の回路パターンに関連して半導体部品が他方主面に実装され、当該所望の回路パターンの形成領域と半導体部品の実装領域を除く領域に形成される第２のグランド電極を含む。そして、第１のグランド電極と前記第２のグランド電極が電気的に接続される。
その他の実施態様では、シールド部材は、基板の一方主面の大部分を覆いかつ第１のグランド電極に電気的に接続される第１のシールド部材である。メモリカートリッジは、半導体部品ならびに基板の他方主面の大部分を覆う第２のシールド部材を備える。そして、第２のシールド部材は、第２のグランド電極と電気的に接続される。
その他の実施態様では、第２のグランド電極は、複数の外部接続端子の形成された辺を除く３辺であって、所望の回路パターンの周囲を囲むように幅広く形成される。第２のシールド部材は、導電性材料の金属板を折り曲げ成型することによって、半導体部品を覆う領域の面と、第２のグランド電極に対向する領域の面とが段差状に形成される。
その他の実施態様では、グランド部は、開口部において凸状に形成される。
In still another embodiment, the ground electrode is a first ground electrode formed widely along four sides on one main surface of the substrate. The substrate includes a semiconductor component mounted on the other main surface in relation to a desired circuit pattern, and includes a second ground electrode formed in a region excluding the formation region of the desired circuit pattern and the mounting region of the semiconductor component. The first ground electrode and the second ground electrode are electrically connected.
In another embodiment, the shield member is a first shield member that covers most of one main surface of the substrate and is electrically connected to the first ground electrode. The memory cartridge includes a second shield member that covers most of the semiconductor component and the other main surface of the substrate. The second shield member is electrically connected to the second ground electrode.
In another embodiment, the second ground electrode has three sides excluding the side where the plurality of external connection terminals are formed, and is widely formed so as to surround the periphery of the desired circuit pattern. The second shield member is formed by bending a metal plate made of a conductive material so that a surface of the region covering the semiconductor component and a surface of the region facing the second ground electrode are formed in steps.
In another embodiment, the ground portion is formed in a convex shape at the opening.
この発明によれば、電磁波の不要輻射による影響を十分に軽減し得る、新規なメモリカートリッジが得られる。
また、この発明によれば、簡単な構成かつ安価にして、電磁波の不要輻射による影響を十分に軽減し得る、メモリカートリッジが得られる。
さらに、この発明によれば、組み立てが容易で量産性に優れ、一層安価に製造できる。
According to the present invention, a novel memory cartridge that can sufficiently reduce the influence of unnecessary radiation of electromagnetic waves can be obtained.
Further, according to the present invention, a simple structure and in the low cost, the effect of unnecessary radiation of electromagnetic waves can sufficiently reduce the memory cartridge is obtained.
Furthermore, according to this invention, assembly is easy, it is excellent in mass productivity, and it can manufacture more cheaply.
図１はこの発明の一実施例であるメモリカートリッジの外観図である。図２はメモリカートリッジの分解斜視図である。図３は基板の詳細図である。次に、図１ないし図３を参照して、メモリカートリッジ（以下「カートリッジ」と略称する）１０の構成を説明する。
カートリッジ１０は、図１及び図２に示すように、ハウジング１１内に基板１２とシールド部材１３を収納して構成される。ハウジング１１は、その平面形状が扁平な矩形に選ばれ、上ハーフ１１ａと下ハーフ１１ｂとから構成され、図１（ａ）に示す表面と図１（ｂ）に示す裏面を有する。ハウジング１１は、適用されるゲーム機２０（図４参照）内のコネクタ２２（図４参照）に装着される挿入方向先端部分に、開口端面部１１１が形成される。開口端面部１１１には、開口端部１１２が形成される。ハウジング１１の一方主面の一方側面（又は、必要に応じて両側面）には、逆指しを防止するとともに、カートリッジ１０の装着時にガイドするためのテーパー部１１３が形成される。さらに、ハウジング１１の一方主面（図１の実施例では裏面）には、基板１２のグランド電極とシールド部材１３に対向する一方主面であって、シールド部材１３の一部を露出するための開口部１１４が形成される。
FIG. 1 is an external view of a memory cartridge according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an exploded perspective view of the memory cartridge. FIG. 3 is a detailed view of the substrate. Next, the configuration of the memory cartridge (hereinafter abbreviated as “cartridge”) 10 will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
As shown in FIGS. 1 and 2, the cartridge 10 is configured by housing a substrate 12 and a shield member 13 in a housing 11. The housing 11 is selected to have a flat rectangular shape, and is composed of an upper half 11a and a lower half 11b, and has a front surface shown in FIG. 1 (a) and a back surface shown in FIG. 1 (b). The housing 11 has an opening end surface portion 111 formed at the distal end portion in the insertion direction to be attached to the connector 22 (see FIG. 4) in the game machine 20 (see FIG. 4) to be applied. The open end face portion 111, the open end 112 is formed. A taper portion 113 is formed on one side surface (or both side surfaces if necessary) of one main surface of the housing 11 to prevent reverse pointing and to guide the cartridge 10 when the cartridge 10 is mounted. Further, one main surface (the back surface in the embodiment of FIG. 1) of the housing 11 is one main surface that faces the ground electrode of the substrate 12 and the shield member 13 and exposes a part of the shield member 13. An opening 114 is formed.
より具体的には、基板１２は、その他方主面の平面形状が図３（ａ）に示すように、縦長の長方形の絶縁基板１２１であって、上辺の左右の角を小さな正方形状に切欠いた切欠部１２２ａと、下辺の左右の角を小さな縦長の長方形状に切欠いた切欠部１２２ｂとを有し、左右の耳部分１２３に取付孔１２４を形成して構成される。基板１２の下辺部１２５には、外部接続端子１２６が横方向に複数個形成される。外部接続端子１２６は、より好ましくは、下辺の幅が小さくても多数形成できるように、幅方向に膨らみを有する端子部分が１つずつ交互に千鳥状に配置される。 More specifically, as shown in FIG. 3A, the substrate 12 is a vertically-long rectangular insulating substrate 121 having a planar shape of the other principal surface, and the left and right corners of the upper side are cut into small square shapes. It has a cutout portion 122a and a cutout portion 122b in which the left and right corners of the lower side are cut into a small vertically long rectangle, and mounting holes 124 are formed in the left and right ear portions 123. A plurality of external connection terminals 126 are formed in the lateral direction on the lower side portion 125 of the substrate 12. More preferably, the external connection terminals 126 are alternately arranged in a zigzag manner so that a large number of terminal portions having bulges in the width direction can be formed even if the width of the lower side is small.
基板１２の中央部には、ＲＯＭ又はＲＡＭ若しくはフラッシュメモリ等の各種メモリ（半導体電子部品）１４を実装するための端子１２７が複数形成される。この複数の端子１２７と複数の外部接続端子１２６とのそれぞれ対応関係を有するものが所望の回路パターンで接続される。基板１２の耳部分１２３及び上辺部分には、複数の端子１２７と所望の回路パターン（図示を省略）を囲むように、大きな面積のグランド電極１２８ａが形成される。一方、基板１２の一方主面（裏面）には、図３（ｂ）に示すように、所望の回路パターン部分１２９を囲むように、大きな面積のグランド電極１２８ｂが形成される。このグランド電極１２８ｂは他方主面（表面）のグランド電極１２８ａと電気的に接続される。換言すると、（第１の）グランド電極１２８ｂは、図３（ｂ）に示すように、所望の回路パターン部分１２９を囲む左右の耳部分１２３と上辺部分と下辺部分の４つの辺に沿って幅広く形成される。そのうちの下辺部分の（第１の）グランド電極１２８ｂが複数の外部接続端子１２６の形成面（表面）とは反対面（裏面）であって、少なくとも開口端面部１１１の近傍の一辺に沿って幅広く形成され、かつその一部が（第２の）グランド電極１２８ａと電気的に接続される。また、（第２の）グランド電極１２８ａは、図３（ａ）に示すように、複数の外部接続端子１２６の形成された下辺部分を除く左右の耳部分１２３と上辺部分の３辺であって、所望の回路パターン（図示を省略）の周囲を囲むように幅広く形成される。 A plurality of terminals 127 for mounting various memories (semiconductor electronic components) 14 such as a ROM, a RAM, or a flash memory are formed at the center of the substrate 12. Those having a corresponding relationship between the plurality of terminals 127 and the plurality of external connection terminals 126 are connected in a desired circuit pattern. A large-area ground electrode 128a is formed on the ear portion 123 and the upper side portion of the substrate 12 so as to surround a plurality of terminals 127 and a desired circuit pattern (not shown). On the other hand, on one main surface (back surface) of the substrate 12, as shown in FIG. 3B, a large-area ground electrode 128 b is formed so as to surround a desired circuit pattern portion 129. The ground electrode 128b is electrically connected to the ground electrode 128a on the other main surface ( front surface) . In other words, as shown in FIG. 3B, the (first) ground electrode 128b is wide along the four sides of the right and left ear portions 123, the upper side portion, and the lower side portion surrounding the desired circuit pattern portion 129. It is formed. Of these, the (first) ground electrode 128b on the lower side is a surface (back surface) opposite to the surface (front surface) on which the plurality of external connection terminals 126 are formed, and wide at least along one side in the vicinity of the opening end surface portion 111. A part thereof is formed and electrically connected to the (second) ground electrode 128a. In addition, as shown in FIG. 3A, the (second) ground electrode 128a includes three sides of the left and right ear portions 123 excluding the lower side portion where the plurality of external connection terminals 126 are formed and the upper side portion. , And is widely formed so as to surround the periphery of a desired circuit pattern (not shown).
再度、図２を参照して、上ハーフ１１ａには、開口部１１２を除く開口端面部１１１と左右側面と開口端面部１１１に対向する辺（図１（ａ）から見て上辺）に、壁面１１５が形成される。同様に、下ハーフ１１ｂには、開口部１１２を除く開口端面部１１１と左右側面と開口端面部１１１に対向する辺（図１（ａ）から見て上辺）の３辺に、壁面１１６が形成される。下ハーフ１１ｂの壁面１１６は、平面的に見て上ハーフ１１ａの壁面１１５よりも外側に形成され、上ハーフ１１ａを下ハーフ１１ｂに組み合わせたときに、壁面１１５が内接するように構成される。 Referring to FIG. 2 again, the upper half 11a has a wall surface on the opening end surface portion 111 excluding the opening portion 112, the left and right side surfaces, and the side facing the opening end surface portion 111 (upper side as viewed from FIG. 1A). 115 is formed. Similarly, on the lower half 11b, wall surfaces 116 are formed on the three sides of the opening end surface portion 111 excluding the opening portion 112, the left and right side surfaces, and the side facing the opening end surface portion 111 (the upper side when viewed from FIG. 1A). Is done. The wall surface 116 of the lower half 11b is formed outside the wall surface 115 of the upper half 11a in plan view, and is configured such that the wall surface 115 is inscribed when the upper half 11a is combined with the lower half 11b.
これらの壁面１１５及び／又は壁面１１６に関連して、複数の位置決部材１１７が形成される。この位置決部材１１７は、基板１２の上部の角（切欠部１２２ａに接する角）に当接して位置決めする位置決部１１７ａと、基板１２の下部の側面（切欠部１２２ｂに接する側面）に当接して位置決めする位置決部１１７ｂとを含む。なお、位置決部材１１７は、その形状と形成する位置によって、１個で構成してもよい。 A plurality of positioning members 117 are formed in relation to the wall surface 115 and / or the wall surface 116. The positioning member 117 is in contact with a positioning portion 117a that is positioned by contact with an upper corner of the substrate 12 (a corner that contacts the notch portion 122a) and a lower side surface of the substrate 12 (a side surface that is in contact with the notch portion 122b). Positioning part 117b for positioning. In addition, you may comprise the positioning member 117 by one by the shape and the position to form.
シールド部材１３は、ハウジング１１内に収納され、基板１２の少なくとも一方主面（図２の実施例では裏面）の大部分を覆いかつグランド電極に電気的に接続される。具体的には、シールド部材１３は、好ましくは、表面のシールド板１３ａ（第２のシールド部材）と裏面のシールド板１３ｂ（第１のシールド部材）を含む。両シールド板１３ａ，１３ｂは、金属板等の導電性材料が使用される。シールド板１３ａは、基板１２の耳部分１２３及び上辺部分を除く形状の平面部分１３１を有し、かつ半導体部品１４の厚みより若干大きな高さの部分から基板１２の耳部分１２３及び上辺部分に接するような形状の折り曲げ部１３２，１３３を有するように構成される。換言すると、シールド板１３ａ（第２のシールド部材）は、図２の右列最上部に示すように、導電性材料の金属板を折り曲げ成型することによって、半導体部品１４を覆う領域面と、（第２の）グランド電極１２８ａに対向する領域面とが段差状に形成される。平面部分１３１の下方側面には、位置決用突起１３５が形成される。 The shield member 13 is accommodated in the housing 11, covers most of at least one main surface (the back surface in the embodiment of FIG. 2) of the substrate 12, and is electrically connected to the ground electrode. Specifically, the shield member 13 preferably includes a front shield plate 13a (second shield member) and a rear shield plate 13b (first shield member) . Both shield plates 13a and 13b are made of a conductive material such as a metal plate. The shield plate 13 a has a planar portion 131 having a shape excluding the ear portion 123 and the upper side portion of the substrate 12, and contacts the ear portion 123 and the upper side portion of the substrate 12 from a portion slightly higher than the thickness of the semiconductor component 14. It is comprised so that it may have the bending parts 132 and 133 of a shape. In other words, the shield plate 13a (second shield member) includes a region surface that covers the semiconductor component 14 by bending a metal plate of a conductive material, as shown in the uppermost part of the right column in FIG. A region surface facing the second) ground electrode 128a is formed in a step shape. A positioning protrusion 135 is formed on the lower side surface of the flat portion 131.
一方、シールド板１３ｂは、基板１２に対応する平面形状を有し、開口端部１１２に近傍の開口部１１４に対応する領域にシールド凸状部１３４が形成される。この凸状部１３４は、開口部１１４から露出するように、横方向に帯状に突出して形成される。また、開口端部１１２の隙間を塞ぐために、スペーサ１５が設けられる。スペーサ１５は、側面から見て「コ」字状の樹脂材料で形成される。 On the other hand, the shield plate 13 b has a planar shape corresponding to the substrate 12, and a shield convex portion 134 is formed in a region corresponding to the opening 114 near the opening end 112. The convex portion 134 is formed to project in a strip shape in the lateral direction so as to be exposed from the opening 114. In addition, a spacer 15 is provided to close the gap between the open end portions 112. The spacer 15 is formed of a “U” -shaped resin material as viewed from the side.
次に、カートリッジ１０を組み立てる場合を説明する。上述のように形成されたハウジング１１の上ハーフ１１ａ，下ハーフ１１ｂ，半導体部品１４の実装された基板１２，シールド板１３ａ及び１３ｂならびにスペーサ１５が準備される。まず、上ハーフ１１ａが図２に示すように裏向きで載置される。上ハーフ１１ａの上には、シールド板１３ａが図２に示す状態とは逆の面を下向きにして、上ハーフ１１ａの上に位置決めされて載置される。 Next, a case where the cartridge 10 is assembled will be described. The upper half 11a and lower half 11b of the housing 11 formed as described above, the substrate 12 on which the semiconductor component 14 is mounted, the shield plates 13a and 13b, and the spacer 15 are prepared. First, the upper half 11a is placed face down as shown in FIG. On the upper half 11a, the shield plate 13a is positioned and placed on the upper half 11a with the surface opposite to the state shown in FIG. 2 facing downward.
シールド板１３ａの載せられた上ハーフ１１ａの上には、スペーサ１５と基板１２が図２に示す状態とは逆の面を下向きにして位置決めされて載せられる。その上には、シールド板１３ｂが図２に示す状態とは逆の面となるように、位置決めされて載置される。その上には、下ハーフ１１ｂが位置決めされて載せられる。その後、ネジ１６によってネジ止めされることにより、シールド板１３ａ，スペーサ１５，基板１２及びシールド板１３ｂが上ハーフ１１ａと下ハーフ１１ｂによって挟まれた状態で、ハウジング１１内で収納されることになる。 On the upper half 11a on which the shield plate 13a is placed, the spacer 15 and the substrate 12 are positioned and placed with the surface opposite to the state shown in FIG. 2 facing downward. On top of that, the shield plate 13b is positioned and placed so as to be a surface opposite to the state shown in FIG. The lower half 11b is positioned and placed thereon. Thereafter, the shield plate 13a, the spacer 15, the substrate 12, and the shield plate 13b are accommodated in the housing 11 with being sandwiched between the upper half 11a and the lower half 11b. .
このようにして組み立てられたとき、シールド板１３ｂの凸状部１３４は開口部１１４から露出した状態で保持され、かつ基板１２の複数の外部接続端子１２７が開口端部１１２から露出した状態となる。 When assembled in this way, the convex portion 134 of the shield plate 13b is held in a state exposed from the opening 114, and the plurality of external connection terminals 127 of the substrate 12 are exposed from the opening end 112. .
次に、カートリッジ１０が適用される情報処理装置の一例のビデオゲーム機とカートリッジとの関係について説明する。図４はカートリッジとビデオゲーム機との一部断面図である。図５はカートリッジとビデオゲーム機との関係を説明するためのコネクタの断面図である。 Next, a relationship between a cartridge and a video game machine as an example of an information processing apparatus to which the cartridge 10 is applied will be described. FIG. 4 is a partial cross-sectional view of the cartridge and the video game machine. FIG. 5 is a cross-sectional view of the connector for explaining the relationship between the cartridge and the video game machine.
図４を参照して、ビデオゲーム機２０は、ハウジング２１を含む。ハウジング２１の上面には、光学ディスク（例えばＤＶＤ，ＣＤ−ＲＯＭ又はこれに類するもの）を装着するためのディスク装着部２２が形成される。ディスク装着部２２には、蓋２３が開閉自在に装着される。また、ハウジング２１の正面又は前面パネルには、ゲーム機用操作器（コントローラ；図示せず）を接続するためのコントローラ用コネクタ２４が設けられるとともに、上述のカートリッジ１０を装着するためのカートリッジ用コネクタ３０が設けられる。 Referring to FIG. 4, video game machine 20 includes a housing 21. A disk mounting portion 22 for mounting an optical disk (for example, DVD, CD-ROM or the like) is formed on the upper surface of the housing 21. A lid 23 is mounted on the disk mounting portion 22 so as to be freely opened and closed. In addition, a controller connector 24 for connecting a game machine controller (controller; not shown) is provided on the front or front panel of the housing 21 and a cartridge connector for mounting the cartridge 10 described above. 30 is provided.
コネクタ３０は、図５（ａ）に示すような外観形状を有しかつ図５（ｂ）に示すような断面形状をしたハウジング３１を含む。ハウジング３１は、カートリッジ１０を受け入れ可能な収納部３２を有し、カートリッジ１０の複数の外部接続端子１２７と電気的に接続される複数の接点端子３３を収納部３２内に一体的に形成して構成される。ハウジング３１の収納部３２の下部には、開口部３４が形成される。コネクタ３０には、カートリッジ１０が装着されたときのシールド凸状部１３４に対向する位置に、シールド接点３５が形成される。すなわち、シールド接点３５は、開口部３４を介してシールド凸状部１３４に電気的に接続し得る位置に、ハウジング３１と一体的に形成される。 The connector 30 includes a housing 31 having an external shape as shown in FIG. 5A and a cross-sectional shape as shown in FIG. The housing 31 includes a storage portion 32 that can receive the cartridge 10, and a plurality of contact terminals 33 that are electrically connected to the plurality of external connection terminals 127 of the cartridge 10 are integrally formed in the storage portion 32. Composed. An opening 34 is formed in the lower part of the housing part 32 of the housing 31. A shield contact 35 is formed on the connector 30 at a position facing the shield convex portion 134 when the cartridge 10 is mounted. That is, the shield contact 35 is formed integrally with the housing 31 at a position where it can be electrically connected to the shield convex portion 134 via the opening 34.
次に、カートリッジ１０をビデオゲーム機２０に装着した場合の作用を説明する。プレイヤは、ゲームプレイの開始に先立って、カートリッジ１０を収納部３２へ挿入することにより、ビデオゲーム機２０のコネクタ３０に装着する。そして、カートリッジ１０の外部接続端子１２７がコネクタ３０の対応する接点端子３３に接続されることにより、ビデオゲーム機２０から電力がカートリッジ１０に供給される。このとき、ビデオゲーム機２０に含まれるＣＰＵ（図示せず）によって、カートリッジ１０内の半導体電子部品の一例メモリ１４がアクセスされ、記憶されているデータが読み出され、又はゲームの進行状態を表すバックアップデータがメモリ１４に書込まれる。ＣＰＵが外部メモリなどをアクセスするとき、高周波クロックを供給して同期を取りながらアクセスする。 Next, an operation when the cartridge 10 is mounted on the video game machine 20 will be described. Prior to the start of the game play, the player inserts the cartridge 10 into the storage portion 32 and attaches it to the connector 30 of the video game machine 20. Then, the external connection terminal 127 of the cartridge 10 is connected to the corresponding contact terminal 33 of the connector 30, whereby electric power is supplied from the video game machine 20 to the cartridge 10. At this time, a CPU (not shown) included in the video game machine 20 accesses the memory 14 as an example of the semiconductor electronic component in the cartridge 10 and reads stored data or represents the progress of the game. Backup data is written to the memory 14. When the CPU accesses an external memory or the like, the high-frequency clock is supplied to synchronize the access.
しかし、クロック周波数が１０ＭＨｚ以上の高周波の場合、電磁波による不要輻射（ＥＭＩ）が発生する。その場合、カートリッジ１０の基板１２から発生される不要輻射（又はＥＭＩノイズ）は、シールド板１３ａ，１３ｂによって電磁シールドされ、シールド凸状部１３４及びシールド接点３５を介してビデオゲーム機２０内のグランド端子（図示せず）からアースされて除去されることになる。そのため、コネクタ３０の収納部３２（結果としてビデオゲーム機１０）より一部が露出しているカートリッジ１０から、不要輻射が漏れることを防止でき、ビデオゲーム機２０の周辺にある情報処理装置又はその他の電子機器に悪影響を及ぼすのを防止することができる。 However, when the clock frequency is a high frequency of 10 MHz or more, unnecessary radiation (EMI) due to electromagnetic waves is generated. In this case, unnecessary radiation (or EMI noise) generated from the substrate 12 of the cartridge 10 is electromagnetically shielded by the shield plates 13a and 13b, and is grounded in the video game machine 20 via the shield convex portion 134 and the shield contact 35. It is grounded and removed from a terminal (not shown). Therefore, unnecessary radiation can be prevented from leaking from the cartridge 10 that is partially exposed from the storage portion 32 (as a result, the video game machine 10) of the connector 30, and an information processing device or other device around the video game machine 20 can be prevented. it is possible to prevent the of adversely affecting the electronic devices.
上述の実施例では、メモリカートリッジとしてＲＡＭカートリッジの場合を説明したが、この発明の技術思想はその他のメモリや、各種半導体電子部品を内蔵するカートリッジに適用できる。また、情報処理装置として、ビデオゲーム機の場合を説明したが、携帯ゲーム機等の他の情報処理装置にも適用できる。 In the above-described embodiments, the case where the RAM cartridge is used as the memory cartridge has been described. However, the technical idea of the present invention can be applied to other memories and cartridges incorporating various semiconductor electronic components. Further, as an information processing apparatus, a case has been described of a video game machine, applicable to other information processing apparatus such as a portable game machine.
１０；メモリカートリッジ（カートリッジ）
１１；ハウジング
１１４；開口部
１１５,１１６；壁面
１１７；位置決部材
１２；基板
１２３；耳部分
１２８ａ，１２８ｂ；グランド電極
１３；シールド部材
１３ａ，１３ｂ；シールド板
１３２，１３３；折り曲げ部
１３４；シールド凸状部
１４；半導体部品
１５；スペーサ
２０；ビデオゲーム機
２１；ビデオゲーム機本体ハウジング
２２；ディスク装着部
３０；カートリッジ用コネクタ
３２；収納部
３４；開口部
３５；シールド接点
10; Memory cartridge (cartridge)
11; Housing 114; Opening 115, 116; Wall 117; Positioning member 12; Substrate 123; Ear portion 128a, 128b; Ground electrode 13; Shield member 13a, 13b; Shield plate 132, 133; 14: Semiconductor component 15; Spacer 20; Video game machine 21; Video game machine main body housing 22; Disc mounting part 30; Cartridge connector 32; Storage part 34; Opening part 35;
Claims (8)
その一方主面の大部分がグランド部で覆われ、その他方主面に前記コネクタと接続される外部接続端子が形成され、さらに所望の回路パターン部分が形成された基板、および、
その一方主面に前記グランド部の一部を露出するための開口部が形成された、前記基板を収納するハウジングを備え、
それによって、前記メモリカートリッジが前記カートリッジ収納部に装着されたとき、前記グランド部が前記開口部を介して前記情報処理装置のグランド端子部に電気的に接続されて、当該基板に生じる電磁波の不要輻射を除去することを特徴とする、メモリカートリッジ。 A memory cartridge that is detachably attached to an information processing device in which a connector and a ground terminal portion are formed in relation to the cartridge storage portion,
One of the main surfaces is covered with a ground portion, the other main surface is formed with an external connection terminal connected to the connector, and a substrate on which a desired circuit pattern portion is formed, and
A housing for housing the substrate, in which an opening for exposing a part of the ground portion is formed on one main surface thereof,
Thereby, when the memory cartridge is mounted in the cartridge housing portion, the ground portion is electrically connected to the ground terminal portion of the information processing apparatus through the opening, so that the electromagnetic wave generated on the substrate is unnecessary. A memory cartridge characterized by removing radiation.
前記第１のグランド部と前記第２のグランド部とが電気的に接続される、請求項１に記載のメモリカートリッジ。 The ground portion includes a first ground portion covering one main surface of the substrate and a second ground portion covering the other main surface,
The memory cartridge according to claim 1, wherein the first ground part and the second ground part are electrically connected.
前記基板の一方主面を覆うグランド部は、前記基板の前記複数の外部接続端子とは反対面に幅広く形成されたグランド電極と、基板の一方主面の大部分を覆うシールド部材とを含んで構成される、請求項１または請求項２に記載のメモリカートリッジ。 The board includes a plurality of external connection terminals, and each of the plurality of external connection terminals is on the other principal surface along one side near the distal end in the insertion direction when the memory cartridge is attached to the connector in the information processing apparatus . Formed at intervals like
The ground portion that covers one main surface of the substrate includes a ground electrode that is widely formed on the surface of the substrate opposite to the plurality of external connection terminals, and a shield member that covers most of the one main surface of the substrate. The memory cartridge according to claim 1, wherein the memory cartridge is configured.
前記基板は、所望の回路パターンに関連して半導体部品が他方主面に実装され、当該所望の回路パターンの形成領域と半導体部品の実装領域を除く領域に形成される第２のグランド電極を含み、
前記第１のグランド電極と前記第２のグランド電極が電気的に接続される、請求項４に記載のメモリカートリッジ。 The ground electrode is a first ground electrode that is widely formed along four sides on one main surface of the substrate,
The substrate includes a second ground electrode formed in a region excluding the formation region of the desired circuit pattern and the mounting region of the semiconductor component, with the semiconductor component mounted on the other main surface in relation to the desired circuit pattern. ,
The memory cartridge according to claim 4, wherein the first ground electrode and the second ground electrode are electrically connected.
前記メモリカートリッジは、前記半導体部品ならびに前記基板の他方主面の大部分を覆う第２のシールド部材をさらに備え、
前記第２のシールド部材は、前記第２のグランド電極と電気的に接続される、請求項５に記載のメモリカートリッジ。 The shield member is a first shield member that covers most of one main surface of the substrate and is electrically connected to the first ground electrode;
The memory cartridge further includes a second shield member that covers most of the semiconductor component and the other main surface of the substrate,
The memory cartridge according to claim 5, wherein the second shield member is electrically connected to the second ground electrode.
前記第２のシールド部材は、導電性材料の金属板を折り曲げ成型することによって、前記半導体部品を覆う領域の面と、前記第２のグランド電極に対向する領域の面とが段差状に形成される、請求項６に記載のメモリカートリッジ。 The second ground electrode has three sides excluding the side where the plurality of external connection terminals are formed, and is widely formed so as to surround the periphery of the desired circuit pattern,
The second shield member is formed by bending a conductive metal plate so that the surface of the region covering the semiconductor component and the surface of the region facing the second ground electrode are formed in steps. The memory cartridge according to claim 6.
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