JP5326417B2 - Charge transport film and organic electroluminescence device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は架橋性ポリマーを含有する電荷輸送膜に関し、特に有機電界発光素子の正孔輸送膜として使用される電荷輸送膜、並びに、それを用いた有機電界発光素子に関する。 The present invention relates to a charge transport film containing a crosslinkable polymer, and more particularly to a charge transport film used as a hole transport film of an organic electroluminescence device, and an organic electroluminescence device using the same.
コダック社による真空蒸着法を用いた積層型の有機電界発光素子の発表以来、有機ELディスプレイの開発が盛んに行なわれ、現在実用化されつつある。
このような積層型有機電界発光素子では、陽極と陰極との間に複数の有機層(発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層等)が積層して設けられる。これらの有機層の形成は、多くの場合、低分子系色素等の有機層の材料を真空蒸着することにより行なわれている。しかし、真空蒸着法では均質で欠陥がない薄膜を得ることは困難であり、且つ、数層もの有機層を形成するには長時間を要するため、素子の製造効率の面でも課題があった。
Since the announcement of the stacked organic electroluminescent device using the vacuum evaporation method by Kodak Company, the development of organic EL displays has been actively carried out and is now in practical use.
In such a stacked organic electroluminescent device, a plurality of organic layers (such as a light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron transport layer) are stacked between an anode and a cathode. In many cases, these organic layers are formed by vacuum-depositing organic layer materials such as low molecular weight dyes. However, it is difficult to obtain a thin film that is homogeneous and free of defects by the vacuum deposition method, and it takes a long time to form several organic layers.
これに対して、積層型有機電界発光素子の複数の有機層を湿式成膜法によって形成する技術が報告されている。例えば、特許文献1では、架橋基を有する化合物を含有する組成物を塗布して光や熱で架橋させることにより得られる架橋性ポリマーを含む電荷輸送膜および発光層を有する有機電界発光素子が記載されている。架橋性ポリマーを含む電荷輸送膜を用いると、該電荷輸送膜の上層に湿式成膜法で他の層を容易に形成することができる。
On the other hand, a technique for forming a plurality of organic layers of a stacked organic electroluminescent element by a wet film forming method has been reported. For example,
しかしながら、特許文献1記載の従来の架橋性ポリマーを含む電荷輸送膜を有する有機電界発光素子では、十分な寿命が得られていなかった。
本発明では、架橋性ポリマーを含む電荷輸送膜を有する有機電界発光素子において、長寿命な有機電界発光素子を提供することを課題とする。
However, in the organic electroluminescent element having a charge transport film containing the conventional crosslinkable polymer described in
An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device having a long lifetime in an organic electroluminescent device having a charge transport film containing a crosslinkable polymer.
本発明者らが鋭意検討した結果、高ければ高いほど良いと考えられていた電荷輸送膜の比誘電率の範囲を、ある一定の範囲とすることにより、上記課題を解決できることがわかり、本発明に到達した。 As a result of intensive studies by the present inventors, it has been found that the above problem can be solved by setting the range of the relative permittivity of the charge transport film, which is considered to be better as it is higher, to a certain range. Reached.
即ち、本発明は、架橋性ポリマーを含有する電荷輸送膜であって、該架橋性ポリマーは、25℃、測定周波数100Hz及び測定交流電圧250mVで下記測定用素子を用いて測定される比誘電率が3.3以上6.3以下であることを特徴とする、電荷輸送膜に存する(請求項1)。 That is, the present invention is a charge transport film containing a crosslinkable polymer, and the crosslinkable polymer has a relative dielectric constant measured using the following measurement element at 25 ° C., a measurement frequency of 100 Hz, and a measurement AC voltage of 250 mV. Is in the charge transport film, characterized in that it is not less than 3.3 and not more than 6.3.
[測定用素子]
ITOからなる厚さ100nm以上200nm以下のITO層上に、下記式(P1)に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子(重量平均分子量:10,000以上50,000以下、重量平均分子量/数平均分子量:1以上3以下)2.0重量%、及び、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート0.8重量%を含む安息香酸エチル溶液を成膜し、大気中230℃で3時間ベークしてなる厚さ30nmの層を備えた測定用陽極と、前記測定用陽極上に形成された、前記架橋性ポリマーからなる厚さ100nm以上200nm以下のサンプル層と、前記サンプル層上に形成された、Alからなる厚さ80nmの測定用陰極とを備えた測定用素子。
A hole transporting polymer having a repeating structure represented by the following formula (P1) (weight average molecular weight: 10,000 to 50,000, weight average molecular weight / A film of an ethyl benzoate solution containing 2.0% by weight of a number average molecular weight: 1 or more and 3 or less) and 0.8% by weight of 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, A measurement anode provided with a 30 nm thick layer formed by baking at 230 ° C. for 3 hours in the atmosphere, and a sample layer made of the crosslinkable polymer and having a thickness of 100 nm to 200 nm formed on the measurement anode; A measuring element comprising a measuring cathode made of Al and having a thickness of 80 nm formed on the sample layer.
このとき、前記測定用素子で測定される電流変異点が、1050kV/cm以上であることが好ましい(請求項2)。 At this time, it is preferable that the current mutation point measured by the measuring element is 1050 kV / cm or more.
本発明の別の要旨は、陽極、陰極、並びに、該陽極と該陰極との間に設けられた本発明の電荷輸送膜を備えることを特徴とする、有機電界発光素子に存する(請求項3)。
このとき、該電荷輸送膜が正孔輸送層であることが好ましい(請求項4)。
Another subject matter of the present invention lies in an organic electroluminescent device comprising an anode, a cathode, and the charge transport film of the present invention provided between the anode and the cathode. ).
At this time, the charge transport film is preferably a hole transport layer.
本発明の別の要旨は、上記の有機電界発光素子を用いることを特徴とする、有機ELディスプレイに存する(請求項5)。 Another subject matter of the present invention lies in an organic EL display characterized by using the above-mentioned organic electroluminescent element (claim 5).
本発明の別の要旨は、上記の本発明の電荷輸送膜に含有される架橋性ポリマーを形成することを特徴とする、架橋基を有する化合物に存する(請求項6)。 Another gist of the present invention resides in a compound having a cross-linking group, characterized in that it forms a cross-linkable polymer contained in the charge transport film of the present invention.
本発明によれば、長寿命な有機電界発光素子を実現できる電荷輸送膜、及び、長寿命な有機電界発光素子を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the charge transport film | membrane which can implement | achieve a long life organic electroluminescent element, and a long life organic electroluminescent element can be provided.
以下、本発明について実施形態を示して詳細に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変更して実施することができる。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments, but the present invention is not limited to the following embodiments, and can be arbitrarily modified and implemented without departing from the gist of the present invention. .
[1.電荷輸送膜]
電荷輸送膜とは、正孔、電子等の電荷が外部から印加されるか膜内部において発生した場合に、当該電荷を輸送する性質を有する膜のことをいう。本発明の電荷輸送膜は、所定の電荷輸送膜用組成物を用いて形成されるものであって、少なくとも架橋性ポリマーを含有するものである。
[1. Charge transport film]
The charge transport film refers to a film having a property of transporting charges such as holes and electrons when applied from the outside or generated inside the film. The charge transport film of the present invention is formed using a predetermined charge transport film composition and contains at least a crosslinkable polymer.
[1−1.架橋性ポリマー]
本発明に係る架橋性ポリマーとは、架橋基を有する化合物を架橋させて得られるポリマーをいう。すなわち、架橋基を有する少なくとも一種のモノマー、オリゴマー及び/又はポリマーをその架橋基により連結したポリマーのことをいう。架橋基を有する化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。
[1-1. Crosslinkable polymer]
The crosslinkable polymer according to the present invention refers to a polymer obtained by crosslinking a compound having a crosslinking group. That is, it refers to a polymer in which at least one monomer, oligomer and / or polymer having a crosslinking group is linked by the crosslinking group. The compound having a crosslinking group may be any of a monomer, an oligomer, and a polymer.
架橋基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基;ビニル基、トリフルオロビニル基等の置換基を有していてもよいビニル基;スチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、シンナモイル基等の不飽和二重結合を有する基;ベンゾシクロブテン環由来の基などが挙げられる。なお、架橋基を有する化合物は、上記の架橋基を、1種のみを有していてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。 Examples of the crosslinking group include: a group derived from a cyclic ether such as oxetane or epoxy; a vinyl group optionally having a substituent such as a vinyl group or a trifluorovinyl group; a styryl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, or cinnamoyl. A group having an unsaturated double bond such as a group; a group derived from a benzocyclobutene ring, and the like. In addition, the compound which has a crosslinking group may have said crosslinking group only by 1 type, and may have 2 or more types by arbitrary combinations and ratios.
架橋基を有する化合物は、通常、電荷輸送性の化合物である。架橋基を有する化合物が有する架橋基の数に特に制限はないが、単位電荷輸送ユニットあたり通常2.0未満、好ましくは0.8以下、より好ましくは0.5以下となる数が好ましい。架橋性ポリマーの比誘電率を好適な範囲に納めるためである。また、架橋基の数が多すぎると、反応活性種が発生し、他の材料に悪影響を与える可能性があるためである。
ここで、単位電荷輸送ユニットとは、架橋基を有する化合物がモノマーの場合、モノマーそのものであり、架橋基をのぞいた骨格(主骨格)のことを示す。架橋基を有する化合物がオリゴマーやポリマーの場合、有機化学的に共役がとぎれる構造の繰り返しの場合は、その繰り返しの構造を単位電荷輸送ユニットとする。また、広く共役が連なっている構造の場合には、電荷輸送性を示す最小繰り返し構造、乃至はモノマー構造を示す。単位電荷輸送ユニットとしては、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、クリセン、ピレン、ペリレン、フルオレン、トリフェニレン、カルバゾール、トリアリールアミン、テトラアリールベンジジン、1,4−ビス(ジアリールアミノ)ベンゼンなどが挙げられる。
The compound having a crosslinking group is usually a charge transporting compound. The number of crosslinking groups in the compound having a crosslinking group is not particularly limited, but is preferably less than 2.0, preferably 0.8 or less, more preferably 0.5 or less per unit charge transport unit. This is to keep the relative dielectric constant of the crosslinkable polymer within a suitable range. Moreover, when the number of crosslinking groups is too large, reactive active species are generated, which may adversely affect other materials.
Here, when the compound having a crosslinkable group is a monomer, the unit charge transport unit is a monomer itself and indicates a skeleton (main skeleton) excluding the crosslinkable group. When the compound having a crosslinking group is an oligomer or polymer, in the case of repeating a structure in which conjugation is broken organically, the repeated structure is defined as a unit charge transport unit. In the case of a structure in which conjugation is widely connected, a minimum repeating structure exhibiting charge transporting property or a monomer structure is shown. Examples of the unit charge transport unit include naphthalene, anthracene, phenanthrene, tetracene, chrysene, pyrene, perylene, fluorene, triphenylene, carbazole, triarylamine, tetraarylbenzidine, 1,4-bis (diarylamino) benzene, and the like. It is done.
架橋基を有する化合物がポリマーの場合(分子量分布を有する化合物である場合)、その重量平均分子量は、通常3,000,000以下、好ましくは1,000,000以下、より好ましくは500,000以下であり、また通常1,000以上、好ましくは2,500以上、より好ましくは5,000以上である。
ここでいう重量平均分子量はSEC(サイズ排除クロマトグラフィー)測定により決定される。SEC測定では高分子量成分ほど溶出時間が短く、低分子量成分ほど溶出時間が長くなるが、分子量既知のポリスチレン(標準試料)の溶出時間から算出した校正曲線を用いて、サンプルの溶出時間を分子量に換算することによって、重量平均分子量が算出される。
When the compound having a crosslinking group is a polymer (when it is a compound having a molecular weight distribution), its weight average molecular weight is usually 3,000,000 or less, preferably 1,000,000 or less, more preferably 500,000 or less. Also, it is usually 1,000 or more, preferably 2,500 or more, more preferably 5,000 or more.
The weight average molecular weight here is determined by SEC (size exclusion chromatography) measurement. In SEC measurement, the elution time is shorter for higher molecular weight components and the elution time is longer for lower molecular weight components, but using the calibration curve calculated from the elution time of polystyrene (standard sample) with a known molecular weight, the elution time of the sample is changed to the molecular weight. The weight average molecular weight is calculated by conversion.
架橋基を有する化合物がモノマーの場合(単一の分子量で特定される化合物である場合)、その分子量は、通常5000以下、好ましくは2500以下であり、また好ましくは300以上、さらに好ましくは500以上である。 When the compound having a crosslinking group is a monomer (when it is a compound specified by a single molecular weight), its molecular weight is usually 5000 or less, preferably 2500 or less, preferably 300 or more, more preferably 500 or more. It is.
さらに、架橋基を有する化合物としては、正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体;トリフェニルアミン誘導体などのアリールアミン誘導体;シロール誘導体;オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体;トリフェニルアミン誘導体などのアリールアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体などのアリールアミン誘導体がより好ましい。
なお、ここで「誘導体」とは当該用語を付された化合物を排除するものではなく、例えば「トリフェニルアミン誘導体」は、トリフェニルアミンと、トリフェニルアミンから誘導して得られる化合物との両方を含むものとする。
Furthermore, it is preferable to use a hole transporting compound as the compound having a crosslinking group. Examples of hole transporting compounds include nitrogen-containing aromatic compound derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives; triphenylamine derivatives Arylamine derivatives such as: silole derivatives; oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes and the like. Among them, nitrogen-containing aromatic derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives; arylamine derivatives such as triphenylamine derivatives, silole derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives And metal complexes are preferable, and arylamine derivatives such as triphenylamine derivatives are particularly preferable.
Here, the term “derivative” does not exclude a compound to which the term is attached. For example, a “triphenylamine derivative” refers to both triphenylamine and a compound derived from triphenylamine. Shall be included.
アリールアミン誘導体は、下記式(A)で表される繰り返し単位を有する化合物が好ましい。特に、下記式(A)からなる繰り返し単位を有する重合体であることが好ましく、その場合、Ar1とAr2とがそれぞれ各繰り返し単位で異なるものであってもよい。
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、6員環の単環または2〜5縮合環由来の基が挙げられる。 Examples of the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent include, for example, a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, and acenaphthene. And groups derived from a 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring, such as a ring, a fluoranthene ring, and a fluorene ring.
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、5または6員環の単環または2〜4縮合環由来の基が挙げられる。 Examples of the aromatic heterocyclic group which may have a substituent include a furan ring, a benzofuran ring, a thiophene ring, a benzothiophene ring, a pyrrole ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, an oxadiazole ring, an indole ring, and a carbazole ring. , Pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine Ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring, etc. Or it includes groups derived from 2-4 fused rings.
溶解性、耐熱性の点から、Ar1およびAr2は、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が2環以上連結してなる基(例えば、ビフェニル基やターフェニル基)が好ましい。 From the viewpoint of solubility and heat resistance, Ar 1 and Ar 2 are each independently selected from the group consisting of a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, triphenylene ring, pyrene ring, thiophene ring, pyridine ring, and fluorene ring. A group derived from a selected ring or a group formed by linking two or more benzene rings (for example, a biphenyl group or a terphenyl group) is preferable.
中でも、ベンゼン環由来の基(フェニル基)、ベンゼン環が2環連結してなる基(ビフェニル基)およびフルオレン環由来の基(フルオレニル基)が好ましい。 Among these, a group derived from a benzene ring (phenyl group), a group formed by connecting two benzene rings (biphenyl group), and a group derived from a fluorene ring (fluorenyl group) are preferable.
特に、式(A)で表される繰り返し単位を有する化合物は、側鎖のAr2がフェニル基のような単環の場合は、その架橋基の数が単位電荷輸送ユニットあたり0.3以下が好ましく、0.2以下がより好ましい。 In particular, in the compound having a repeating unit represented by the formula (A), when Ar 2 in the side chain is a single ring such as a phenyl group, the number of cross-linking groups is 0.3 or less per unit charge transport unit. Preferably, 0.2 or less is more preferable.
Ar1およびAr2はその置換基として、前述した架橋基を有することが好ましい。置換基として架橋基を有する場合は、架橋基はアルキレン基等の連結基を介して、Ar1またはAr2に結合していてもよい。
Ar1およびAr2が有していてもよい置換基としては、特に制限はないが、例えば、下記置換基群Zから選ばれる1種または2種以上が挙げられる。
Ar 1 and Ar 2 preferably have the above-described crosslinking group as a substituent. When it has a crosslinking group as a substituent, the crosslinking group may be bonded to Ar 1 or Ar 2 via a linking group such as an alkylene group.
The substituent that Ar 1 and Ar 2 may have is not particularly limited, and examples thereof include one or more selected from the following substituent group Z.
[置換基群Z]
メチル基、エチル基等の炭素数が好ましくは1以上、また好ましくは24以下、さらに好ましくは12以下のアルキル基;
ビニル基等の炭素数が好ましくは2以上、また好ましくは24以下、さらに好ましくは12以下のアルケニル基;
エチニル基等の炭素数が好ましくは2以上、また好ましくは24以下、さらに好ましくは12以下のアルキニル基;
メトキシ基、エトキシ基等の炭素数が好ましくは1以上、また好ましくは24以下、さらに好ましくは12以下のアルコキシ基;
フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の炭素数が好ましくは4以上、さらに好ましくは5以上、また好ましくは36以下、さらに好ましくは炭素数24以下のアリールオキシ基;
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数が好ましくは2以上、また好ましくは24以下、さらに好ましくは12以下のアルコキシカルボニル基;
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の炭素数が好ましくは2以上、また好ましくは24以下、さらに好ましくは12以下のジアルキルアミノ基;
ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、N−カルバゾリル基等の炭素数が好ましくは10以上、さらに好ましくは12以上、また好ましは36以下、さらに好ましくは24以下のジアリールアミノ基;
フェニルメチルアミノ基等の炭素数が好ましくは6以上、さらに好ましくは7以上、また、好ましくは36以下、さらに好ましくは炭素数24以下のアリールアルキルアミノ基;
アセチル基、ベンゾイル基等の炭素数が好ましくは2以上、また、好ましくは24以下、さらに好ましくは12以下のアシル基;
フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子;
トリフルオロメチル基等の炭素数が好ましくは1以上、また好ましくは12以下、さらに好ましくは6以下のハロアルキル基;
メチルチオ基、エチルチオ基等の炭素数が好ましくは1以上、また好ましくは24以下、さらに好ましくは12以下のアルキルチオ基;
フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の炭素数が好ましくは4以上、さらに好ましくは5以上、また好ましくは36以下、さらに好ましくは炭素数24以下のアリールチオ基;
トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の好ましくは炭素数2以上、さらに好ましくは3以上、また好ましくは36以下、さらに好ましくは24以下のシリル基;
トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の炭素数が好ましくは2以上、さらに好ましくは3以上、また好ましくは36以下、さらに好ましくは24以下のシロキシ基;
シアノ基;
フェニル基、ナフチル基等の炭素数が好ましくは6以上、また好ましくは36以下、さらに好ましくは24以下の芳香族炭化水素環基;
チエニル基、ピリジル基等の炭素数が好ましくは3以上、さらに好ましくは4以上、また好ましくは36以下、さらに好ましくは24以下の芳香族複素環基;等が挙げられる。
上記各置換基は、さらに置換基を有していてもよく、その例としては前記置換基群Zに例示した基が挙げられる。
[Substituent group Z]
An alkyl group having preferably 1 or more, preferably 24 or less, more preferably 12 or less, such as a methyl group or an ethyl group;
An alkenyl group having preferably 2 or more, preferably 24 or less, more preferably 12 or less, such as a vinyl group;
An alkynyl group having preferably 2 or more, preferably 24 or less, more preferably 12 or less, such as an ethynyl group;
An alkoxy group having preferably 1 or more, preferably 24 or less, more preferably 12 or less, such as a methoxy group or an ethoxy group;
An aryloxy group having preferably 4 or more, more preferably 5 or more, preferably 36 or less, more preferably 24 or less carbon atoms, such as a phenoxy group, a naphthoxy group, or a pyridyloxy group;
An alkoxycarbonyl group having preferably 2 or more, preferably 24 or less, more preferably 12 or less, such as a methoxycarbonyl group or an ethoxycarbonyl group;
A dialkylamino group having preferably 2 or more, preferably 24 or less, more preferably 12 or less, such as a dimethylamino group or a diethylamino group;
A diarylamino group having preferably 10 or more, more preferably 12 or more, and preferably 36 or less, more preferably 24 or less, such as a diphenylamino group, a ditolylamino group, or an N-carbazolyl group;
An arylalkylamino group having preferably 6 or more, more preferably 7 or more, preferably 36 or less, more preferably 24 or less carbon atoms, such as a phenylmethylamino group;
An acyl group having preferably 2 or more, preferably 24 or less, more preferably 12 or less, such as an acetyl group or a benzoyl group;
Halogen atoms such as fluorine atoms and chlorine atoms;
A haloalkyl group having preferably 1 or more, preferably 12 or less, more preferably 6 or less, such as a trifluoromethyl group;
An alkylthio group having preferably 1 or more, preferably 24 or less, more preferably 12 or less, such as a methylthio group or an ethylthio group;
An arylthio group having preferably 4 or more, more preferably 5 or more, preferably 36 or less, more preferably 24 or less carbon atoms, such as a phenylthio group, a naphthylthio group, a pyridylthio group;
A silyl group having 2 or more carbon atoms, more preferably 3 or more, preferably 36 or less, more preferably 24 or less, such as a trimethylsilyl group or a triphenylsilyl group;
A siloxy group having preferably 2 or more, more preferably 3 or more, and preferably 36 or less, more preferably 24 or less, such as a trimethylsiloxy group or a triphenylsiloxy group;
A cyano group;
An aromatic hydrocarbon ring group having preferably 6 or more, preferably 36 or less, more preferably 24 or less, such as a phenyl group or a naphthyl group;
An aromatic heterocyclic group having preferably 3 or more, more preferably 4 or more, preferably 36 or less, more preferably 24 or less, such as a thienyl group or a pyridyl group.
Each of the above substituents may further have a substituent, and examples thereof include the groups exemplified in the substituent group Z.
Ar1およびAr2の置換基の分子量としては、さらに置換した基を含めて500以下が好ましく、250以下がさらに好ましい。
溶解性の点から、Ar1およびAr2が有していてもよい置換基としては、各々独立に、炭素数1〜12のアルキル基および炭素数1〜12のアルコキシ基が好ましい。
The molecular weight of the substituents of Ar 1 and Ar 2 is preferably 500 or less, and more preferably 250 or less, including further substituted groups.
From the viewpoint of solubility, the substituents that Ar 1 and Ar 2 may have are each independently preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
架橋基を有する化合物の好ましい例としては、以下のものが挙げられる。
また、電荷輸送膜中には、架橋性ポリマーが1種のみ含まれていてもよく、2種以上が任意の組み合わせ及び比率で含まれていてもよい。その場合、2種以上の少なくとも1種の架橋性ポリマーの誘電率が3.3以上6.3以下であることが好ましく、電荷輸送膜中に含まれる全ての架橋性ポリマーの誘電率が3.3以上6.3以下であることが特に好ましい。 Moreover, in the charge transport film, only one type of crosslinkable polymer may be contained, or two or more types may be contained in any combination and ratio. In that case, the dielectric constant of at least one crosslinkable polymer of two or more is preferably 3.3 or more and 6.3 or less, and the dielectric constant of all the crosslinkable polymers contained in the charge transport film is 3. It is particularly preferably 3 or more and 6.3 or less.
〔架橋性ポリマーの物性〕
〔比誘電率〕
本発明に係る架橋性ポリマーは、室温25℃、測定周波数100Hz及び測定交流電圧250mVで下記測定用素子を用いて測定される比誘電率が、3.3以上であり、また、6.3以下、好ましくは4.0以下である。比誘電率が上記範囲となることにより、本発明の電荷輸送膜を用いた有機電界発光素子の長寿命化が可能となる。
[Physical properties of crosslinkable polymer]
[Relative permittivity]
The crosslinkable polymer according to the present invention has a relative dielectric constant of 3.3 or more and 6.3 or less measured at room temperature of 25 ° C., a measurement frequency of 100 Hz, and a measurement AC voltage of 250 mV using the following measurement element. , Preferably 4.0 or less. When the relative dielectric constant falls within the above range, the lifetime of the organic electroluminescence device using the charge transport film of the present invention can be extended.
測定用素子としては、ITO(即ち、インジウム・スズ酸化物)からなる厚さ100nm以上200nm以下のITO層上に、下記式(P1)に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子(重量平均分子量:10,000以上50,000以下、重量平均分子量/数平均分子量:1以上3以下)2.0重量%、及び、下記式(A1)に示す4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート0.8重量%を含む安息香酸エチル溶液を成膜し、大気中230℃で3時間ベークしてなる厚さ30nmの層を備えた測定用陽極と、前記測定用陽極上に形成された、本発明に係る架橋性ポリマーからなる厚さ100nm以上200nm以下のサンプル層と、前記サンプル層上に形成された、Alからなる厚さ80nmの測定用陰極とを備えたものを用いる。
具体的な測定方法としては、以下のように行なえばよい。なお、図1に、測定用素子の層構成を模式的に示す。
図1に示すように、ガラス基板1上に、インジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を100nm以上200nm以下の厚さに堆積したもの(例えば、三容真空社製、スパッタ成膜品。寸法250mm×375mm)を用意する。これに、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングしてITO層2を形成する。こうしてパターンを形成されたITO層を有する基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行う。
A specific measurement method may be performed as follows. In addition, in FIG. 1, the layer structure of the element for a measurement is shown typically.
As shown in FIG. 1, an indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a
次に、上記式(P1)に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子(重量平均分子量10,000以上50,000以下、重量平均分子量/数平均分子量:1以上3以下)2.0重量%、及び、上記式(A1)に示す4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート0.8重量%を含む安息香酸エチル溶液を調製する。そして、この安息香酸エチル溶液を、下記表1に示す成膜条件でスピンコート法により成膜し、膜厚30nmの高分子層3を形成する。これにより、ITO層2と高分子層3とから測定用陽極4が構成される。
その後、当該測定用陽極4上に、本発明に係る架橋性ポリマーを形成する架橋基を有する化合物を用いてサンプル層5を形成する。サンプル層5は、該架橋基を有する化合物を溶媒に溶解または分散させて塗布液を調製し、これを当該測定用陽極4上にスピンコートにて成膜する。該溶媒は、架橋基を有する化合物に併せて適宜選択でき、以下に詳述する電荷輸送膜用組成物に含有される溶媒として例示したものが挙げられる。スピンコートの条件は、スピナ回転数150〜1500rpm、スピナ回転時間30秒、窒素雰囲気であることが好ましい。成膜後、加熱して溶媒を除去する。また、この加熱と同時または別に加熱することにより、架橋基を有する化合物の架橋反応をさせるか、或いは、加熱と同時または別に光等の電磁エネルギーを照射することにより架橋反応をさせる。これにより、架橋性ポリマーからなるサンプル層を得る。該加熱後または、該照射後のサンプル層の膜厚は100nm以上200nm以下となるようにする。
Thereafter, the
サンプル層5を形成した素子を、例えばグローブボックスに連結されたマルチチャンバー型真空蒸着装置内に大気に曝すことなく搬入し、油回転ポンプ等により装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が9.9×10−4Pa以下になるまでクライオポンプ等を用いて排気する。次に、金属蒸着チャンバーへと真空中で搬送し、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、ITO層2のストライプと直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置する。そして、装置内の真空度が9.9×10−4Pa以下になるまで排気する。その後、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.2〜16.0Å/秒、真空度2.0〜250×10−5Paで制御して膜厚80nmのアルミニウム層を形成し、これを測定用陰極6とする。なお、測定用陰極6の蒸着時の基板温度は室温に保持する。以上のようにして、2mm×2mmのサイズの素子面積を有するサンプルとして、本発明に係る架橋性ポリマーの比誘電率の測定に用いる測定用素子が得られる。
The element in which the
こうして得られた測定用素子をそのまま用いて比誘電率を測定してもよいが、測定用素子の作製から比誘電率の測定までの間に時間を要する場合には、測定用素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行うことが好ましい。
作製した測定用素子を、大気に曝すことなく、窒素グローブボックスに搬入する。一方、窒素グローブボックス中で、23mm×23mmサイズのガラス板の外周部に、約1mmの幅で光硬化性樹脂(例えば、株式会社スリーボンド製30Y−437)を塗布し、中央部に水分ゲッターシート(例えば、ダイニック株式会社製)を設置する。この上に、測定用素子を、測定用陰極が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせる。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、光硬化性樹脂を硬化させる。
The relative permittivity may be measured using the measurement element thus obtained as it is. However, if it takes time from the preparation of the measurement element to the measurement of the relative permittivity, the measurement element is in storage. In order to prevent deterioration due to moisture or the like in the atmosphere, it is preferable to perform a sealing treatment by the method described below.
The produced measuring element is carried into a nitrogen glove box without being exposed to the atmosphere. On the other hand, in a nitrogen glove box, a photocurable resin (for example, 30Y-437 manufactured by ThreeBond Co., Ltd.) with a width of about 1 mm is applied to the outer periphery of a 23 mm × 23 mm glass plate, and a moisture getter sheet is applied to the center. (For example, Dynic Co., Ltd.) is installed. On this, the measuring element is bonded so that the measuring cathode faces the desiccant sheet. After that, only the region where the photocurable resin is applied is irradiated with ultraviolet light to cure the photocurable resin.
上記のようにして得られた測定用素子の電極4,6に、室温25℃の条件で、測定周波数100Hz、測定交流電圧250mVの電圧を印加し、測定用素子について静電容量を計測する。この際、一回あたりの測定速度を480ミリ秒に設定し、等価回路には並列等価回路を選択し、例えば、1秒に1点測定値を取得する方法で30分間測定した後、その平均値をサンプル層5を形成する架橋性ポリマーの静電容量とする。そして、計測された静電容量から、以下の関係式(1)により比誘電率を算出することにより、比誘電率の測定を行なう。
前記の静電容量の計測には、株式会社エヌエフ回路設計ブロック社製ZM2353型LCRメーターを用い、2335AL型テストフィクスチャ(2個のクリップで4端子接続ができるケルビンクリップ)を用いることができるが、同等の計測ができる装置であればいずれを用いてもよい。計測の際は、作製した測定用素子のITO層2からコンタクトプローブを用いて電極を取り出し、前述のクリップで挟んで測定すればよい。
For the measurement of the capacitance, a ZM2353 type LCR meter manufactured by NF Circuit Design Block Co., Ltd. can be used, and a 2335AL type test fixture (a Kelvin clip capable of connecting four terminals with two clips) can be used. Any device can be used as long as it can perform the same measurement. At the time of measurement, the electrode may be taken out from the
ここで、本発明に係る架橋性ポリマーの比誘電率を測定する上で、上記のような測定方法を用いた理由は、以下のとおりである。
本発明の電荷輸送膜は、その使用時に他の有機層と積層されて使用されることが多い。例えば本発明の電荷輸送膜を有機電界発光素子の構成要素として使用する場合には、通常、正孔注入層などの有機層と積層して使用される。このように有機層と積層した場合にその比誘電率を測定すると、測定される比誘電率は、架橋性ポリマー単独の比誘電率と必ずしも一致しない。したがって、本発明に特有の効果を奏する架橋性ポリマーの比誘電率を測定する場合には、所定の有機層と積層された状態での比誘電率を測定することが適切である。そこで、本発明においては、測定用陽極4として、ITO層2に所定の高分子層3を積層したものを用いているのである。
Here, the reason why the above measuring method is used in measuring the relative dielectric constant of the crosslinkable polymer according to the present invention is as follows.
The charge transport film of the present invention is often used by being laminated with another organic layer at the time of use. For example, when the charge transport film of the present invention is used as a component of an organic electroluminescence device, it is usually used by being laminated with an organic layer such as a hole injection layer. When the relative dielectric constant is measured when the organic layer is laminated as described above, the measured relative dielectric constant does not necessarily match the relative dielectric constant of the crosslinkable polymer alone. Therefore, when measuring the relative dielectric constant of a crosslinkable polymer that exhibits the effects specific to the present invention, it is appropriate to measure the relative dielectric constant in a state where it is laminated with a predetermined organic layer. Therefore, in the present invention, the
比誘電率は、直流駆動のようなデバイスの場合、その応答性を無視すれば、以下の3種の分極により主に影響を受ける。
(1)電子分極(主に電子雲の電場の変化に追随して変化する:分子分極率)
(2)変形分極(原子核の位置が電場の変化に追随して変化する:分子振動)
(3)配向分極(分子の持つ永久双極子により配向の変化が起こることで生ずる:分子回転)
In the case of a device such as a direct current drive, the relative permittivity is mainly affected by the following three types of polarization if the response is ignored.
(1) Electron polarization (mainly changes following changes in the electric field of the electron cloud: molecular polarizability)
(2) Deformation polarization (the position of the nucleus changes following the change of the electric field: molecular vibration)
(3) Orientation polarization (produced by a change in orientation caused by the permanent dipole of the molecule: molecular rotation)
したがって、架橋性ポリマーを構成する電荷輸送ユニット自身やそれに置換する基の位置の非対称化[主に(3)に影響]、架橋性ポリマーへの孤立電子対を持つヘテロ原子の導入[主に(1)に影響]、架橋性ポリマーにおける自由度の高い置換基や分子の設計[主に(2)に影響]、架橋基を有する化合物を塗布した際に電荷輸送ユニットが配向しやすい分子構造や溶媒の選出[主に(1)に影響]などの工夫により、本発明に係る架橋性ポリマーの比誘電率を高めることができる。 Therefore, asymmetry of the position of the charge transport unit itself constituting the crosslinkable polymer and the group replacing it [mainly affects (3)], introduction of heteroatoms having lone pairs into the crosslinkable polymer [mainly ( 1)], design of substituents and molecules having a high degree of freedom in the crosslinkable polymer [mainly affects (2)], molecular structure in which the charge transport unit is easily oriented when a compound having a crosslinking group is applied, The specific permittivity of the crosslinkable polymer according to the present invention can be increased by devising the selection of the solvent [mainly affecting (1)].
さらに、架橋基を有する化合物の電荷輸送ユニットあたりの架橋基の数の調整も比誘電率と密接な関係がある。したがって、架橋基の種類によるが、前述の通り、電荷輸送ユニットあたりの架橋基の数を2.0未満にすることにより、本発明の比誘電率の範囲とすることができる。
また、架橋性ポリマーの共役長や立体障害を制御して、適度な平面性をポリマーに持たせることにより、比誘電率を高めることができる。このように、架橋性ポリマーすなわち架橋基を有する化合物の設計及び選択により、本発明の比誘電率の範囲を有する架橋性ポリマーを得ることができる。
Furthermore, adjustment of the number of crosslinking groups per charge transport unit of the compound having a crosslinking group is also closely related to the dielectric constant. Therefore, depending on the type of the cross-linking group, as described above, the relative dielectric constant of the present invention can be achieved by setting the number of cross-linking groups per charge transport unit to less than 2.0.
In addition, by controlling the conjugation length and steric hindrance of the crosslinkable polymer so that the polymer has appropriate planarity, the relative dielectric constant can be increased. Thus, a crosslinkable polymer having the range of relative dielectric constant of the present invention can be obtained by designing and selecting a crosslinkable polymer, that is, a compound having a crosslinkable group.
また、架橋性ポリマーの主鎖に置換する基の位置や種類の調整も,比誘電率に影響を与えやすい電子雲の広がりなどに影響を与えるため、本発明の比誘電率の範囲とするために有効である。例えば、トリアリールアミン誘導体等のアミン系化合物において、架橋基を導入する際、アミンを規準にしてメタ位に導入すると、目的とする比誘電率の範囲に収まりやすい。 In addition, the adjustment of the position and type of the group that substitutes for the main chain of the crosslinkable polymer also affects the spread of the electron cloud that tends to affect the dielectric constant, so that the dielectric constant is within the range of the present invention. It is effective for. For example, in an amine compound such as a triarylamine derivative, when a crosslinking group is introduced, if it is introduced at the meta position with reference to the amine, it tends to fall within the target relative dielectric constant range.
本発明はまた、上記比誘電率を満たす架橋性ポリマーを形成する架橋基を有する化合物に関する。このような架橋基を有する化合物は、上記電荷輸送膜用組成物に含有される架橋基を有する化合物として詳述したものと同様であり、また、架橋性ポリマーを形成した後に、上記比誘電率を満たすものである。 The present invention also relates to a compound having a crosslinkable group that forms a crosslinkable polymer satisfying the above dielectric constant. The compound having such a crosslinkable group is the same as that described in detail as the compound having a crosslinkable group contained in the charge transport film composition, and after forming the crosslinkable polymer, the relative dielectric constant is It satisfies.
〔電流変異点〕
本発明に係る架橋性ポリマーは、前記の測定用素子で測定される電流変異点が、1050kV/cm以上が好ましく、また、通常2500kV/cm以下が好ましく、2000kV/cm以下がより好ましい。電流変異点が低すぎると本発明の電荷輸送膜が電荷によって容易に破壊されて劣化する可能性があり、電流変異点が高すぎると絶縁性を生じることがあり、電荷輸送性が下がる場合がある。
[Current mutation point]
In the crosslinkable polymer according to the present invention, the current mutation point measured by the above-mentioned measuring element is preferably 1050 kV / cm or more, usually 2500 kV / cm or less, more preferably 2000 kV / cm or less. If the current mutation point is too low, the charge transport film of the present invention may be easily destroyed by the charge and deteriorate, and if the current mutation point is too high, insulation may be generated, and the charge transport property may be lowered. is there.
前記の電流変異点とは、サンプルに対して正孔又は電子のみ、或いはその両方を注入した場合において、それらを印加するに用いた電圧に対して検出される電流密度の値の最初の極大値、乃至は急激に電流値が増大または下降する点における電圧の値の絶対値をkV単位に変換し、サンプルの膜厚(cm)で割った値のことをいう。ただし、低電位において起こる電荷の印加に伴う微少なノイズや、乱高下が起こる現象の場合は、電流変異点とはみなさない。 The current variation point is the first maximum value of the current density value detected with respect to the voltage used to apply holes or electrons alone, or both when the sample is injected with holes or electrons. Or the value obtained by converting the absolute value of the voltage value at the point where the current value suddenly increases or decreases into kV units and dividing by the film thickness (cm) of the sample. However, in the case of a minute noise associated with the application of charge that occurs at a low potential or a phenomenon in which fluctuation occurs, it is not regarded as a current mutation point.
本発明に係る架橋性ポリマーの電流変異点の測定方法は、以下のとおりである。
サンプルとして、比誘電率の測定方法で用いたものと同様の測定用素子を用意する。また、電荷の印加のために使用する電圧の発生及びそれに伴う電流値の検出については、Keithley社製2400型ソースメーターを使用することが好ましいが、同等の装置であってもよい。そして、測定用素子の電荷を注入したい電極に、ソースメーターの出力側の電極をつなぎ、電圧を変化させたときの電流の値を読み取る。電圧は、2秒に0.1V上昇させる。電圧を上昇させ続ける事により、ある電圧において電流値が明らかに下降または急上昇の挙動を示すので、そのときの電圧の値の絶対値をkVの単位に変換し、膜厚(cm)で割ることにより、電流変異点を求める。
The method for measuring the current mutation point of the crosslinkable polymer according to the present invention is as follows.
As a sample, a measurement element similar to that used in the relative dielectric constant measurement method is prepared. In addition, it is preferable to use a 2400 type source meter manufactured by Keithley for the generation of the voltage used for applying the electric charge and the detection of the current value associated therewith, but an equivalent device may be used. Then, the electrode on the output side of the source meter is connected to the electrode into which the charge of the measuring element is to be injected, and the value of the current when the voltage is changed is read. The voltage is increased by 0.1V every 2 seconds. By continuing to increase the voltage, the current value clearly shows a behavior of decreasing or suddenly increasing at a certain voltage, so the absolute value of the voltage value at that time is converted into kV units and divided by the film thickness (cm). To obtain the current mutation point.
電流変異点は、架橋性ポリマー中を電荷が流れた時に、その電荷量に対して架橋性ポリマーが耐えきれず、その架橋性ポリマーとしての性質が破壊される現象の方が優位な状態に成った点である。そのため、発生するラジカルイオン種の自己分解を防ぐ事が、電流変異点を高める一つの方法である。例えば、ラジカルカチオン種を発生する架橋性ポリマーの場合、架橋性ポリマーの分子構造において、トリアリールメチル位及び/又はベンジル位に、水素を結合させたりカルボニル基を結合させたりしないようにすることで、電荷輸送ユニットに自身の壊変により安定ラジカルまたはイオン種が発生することを防ぎ、電流変異点を高めることができる。これは、水素を結合させた場合にはプロトンの放出により安定ラジカルを発生する可能性があること、及び、カルボニル基を結合させた場合には結合切断により安定カチオン種(トリチルカチオンなど)を発生するため比較的容易に切断されることなどに対応したものである。これは、後述する実施例を参照すると、pk−H1やpk−H3がpk−H2に比べて電流変異点が小さいことからも推定される(ベンジル位水素の除去)。
また、架橋性ポリマー自身のガラス転移点Tgを高めることも、電流変異点を高める一つの方法と考えられる。これは、結晶化が起こった場合、電流はその温度で急激に上昇し、架橋性ポリマーとしての性質を失う可能性があるためである。
The current mutation point is in a state where the phenomenon that the crosslinkable polymer cannot withstand the amount of charge when the charge flows through the crosslinkable polymer and the property as the crosslinkable polymer is destroyed is more dominant. It is a point. Therefore, preventing the self-decomposition of the generated radical ion species is one method for increasing the current mutation point. For example, in the case of a crosslinkable polymer that generates radical cation species, hydrogen or carbonyl group is not bonded to the triarylmethyl position and / or benzyl position in the molecular structure of the crosslinkable polymer. , It is possible to prevent generation of stable radicals or ionic species due to its own decay in the charge transport unit, and to increase the current mutation point. This is because stable radicals may be generated by releasing protons when hydrogen is bonded, and stable cation species (trityl cation, etc.) are generated by bond cleavage when carbonyl groups are bonded. Therefore, it corresponds to cutting relatively easily. This is presumed from the fact that pk-H1 and pk-H3 have smaller current mutation points than pk-H2 (removal of benzylic hydrogen) when referring to the examples described later.
Further, increasing the glass transition point Tg of the crosslinkable polymer itself is considered as one method for increasing the current mutation point. This is because when crystallization occurs, the current rises rapidly at that temperature and may lose its properties as a crosslinkable polymer.
[1−2.電荷輸送膜の膜厚]
本発明の電荷輸送膜の寸法に制限はないが、その膜厚は、通常100nm以上、好ましくは110nm以上、より好ましくは120nm以上であり、また、通常200nm以下、好ましくは180nm以下、より好ましくは150nm以下である。膜厚が薄すぎると電荷輸送膜に対して電極の特性が影響する可能性があり、厚すぎると膜質が悪くなる可能性がある。
[1-2. Charge transport film thickness]
The size of the charge transport film of the present invention is not limited, but the film thickness is usually 100 nm or more, preferably 110 nm or more, more preferably 120 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 180 nm or less, more preferably 150 nm or less. If the film thickness is too thin, the characteristics of the electrode may affect the charge transport film, and if it is too thick, the film quality may deteriorate.
[1−3.電荷輸送膜の製造方法]
本発明の電荷輸送膜の製造方法に制限はないが、通常は、架橋性ポリマーを形成する架橋基を有する化合物(架橋基を有する、モノマー、オリゴマー及び/又はポリマー)、並びに、必要に応じて用いられるそれ以外の成分を含む組成物(以下適宜、「電荷輸送膜用組成物」という)を調製し、この電荷輸送膜用組成物を成膜した後、架橋基を有する化合物を架橋させて架橋性ポリマーを形成することで、電荷輸送膜を製造する。また、電荷輸送膜用組成物には通常は適切な溶媒を含有させ、架橋基を有する化合物、並びに、それ以外の成分を溶解又は分散させるようにする。
[1-3. Method for producing charge transport film]
Although there is no restriction | limiting in the manufacturing method of the charge transport film | membrane of this invention, Usually, the compound (monomer, oligomer, and / or polymer which has a crosslinking group) which has a crosslinking group which forms a crosslinkable polymer, and as needed A composition containing other components to be used (hereinafter referred to as “charge transport film composition” as appropriate) was prepared, and after the charge transport film composition was formed, the compound having a crosslinking group was crosslinked. A charge transport membrane is produced by forming a crosslinkable polymer. In addition, the charge transport film composition usually contains an appropriate solvent so as to dissolve or disperse the compound having a crosslinking group and other components.
電荷輸送膜用組成物に含有させる架橋基を有する化合物は、前記の説明のとおりである。また、これらの架橋基を有する化合物、並びに、それ以外の成分は、それぞれ、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 The compound having a crosslinking group to be contained in the charge transport film composition is as described above. Moreover, only 1 type may be used for the compound which has these crosslinking groups, and the other component, respectively, and 2 or more types may be used together by arbitrary combinations and a ratio.
電荷輸送膜用組成物において、架橋基を有する化合物の含有量は、通常0.1重量%以上、好ましくは0.5重量%以上、通常50重量%以下、好ましくは20重量%以下である。架橋基を有する化合物を2種以上組み合わせて用いる場合は、その合計量が上記範囲となるようにする。 In the charge transport film composition, the content of the compound having a crosslinking group is usually 0.1% by weight or more, preferably 0.5% by weight or more, usually 50% by weight or less, preferably 20% by weight or less. When two or more compounds having a crosslinking group are used in combination, the total amount is within the above range.
電荷輸送膜用組成物に含有させる溶媒は、特に制限されるものではないが、上述した架橋基を有する化合物、並びに、それ以外の成分を溶解させるものが好ましい。具体的には、溶媒は、本発明の電荷輸送膜用組成物に含まれる溶質を、通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上溶解するものを用いる。 The solvent to be contained in the charge transport film composition is not particularly limited, but a solvent that dissolves the above-described compound having a crosslinking group and other components is preferable. Specifically, the solvent dissolves the solute contained in the charge transport film composition of the present invention, usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more. Use what you want.
好適な溶媒の例を挙げると、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族系溶媒;1,2−ジクロロエタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン等の含ハロゲン系溶媒;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル、1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等のエーテル系溶媒;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸イソプロピル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル等のエステル系溶媒等の有機溶媒などが挙げられる。
なお、溶媒は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
Examples of suitable solvents include aromatic solvents such as toluene, xylene, methicylene, and cyclohexylbenzene; halogen-containing solvents such as 1,2-dichloroethane, chlorobenzene, and o-dichlorobenzene; ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl Ethers, aliphatic ethers such as propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA), 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4- Ether solvents such as aromatic ethers such as methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole and 2,4-dimethylanisole; aliphatic esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate, ethyl lactate and n-butyl lactate; phenyl acetate Propionate phenyl, benzoate, ethyl benzoate, isopropyl benzoate, propyl benzoate, and organic solvent of the ester solvents such as aromatic esters such as benzoic acid n- butyl.
In addition, only 1 type may be used for a solvent and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
電荷輸送膜用組成物に含有される溶媒の濃度は特に制限はないが、通常10重量%以上、好ましくは50重量%以上、より好ましくは80重量%以上であり、通常99.999重量%以下、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下である。溶媒が少なすぎても多すぎても膜質が悪くなる傾向がある。 The concentration of the solvent contained in the charge transport film composition is not particularly limited, but is usually 10% by weight or more, preferably 50% by weight or more, more preferably 80% by weight or more, and usually 99.999% by weight or less. , Preferably 99.99% by weight or less, more preferably 99.9% by weight or less. If the solvent is too little or too much, the film quality tends to deteriorate.
さらに、電荷輸送膜用組成物は、架橋基を有する化合物以外の成分を含んでいてもよい。その例としては、架橋反応を促進するための添加剤、レベリング剤や消泡剤等の塗布性改良剤、電子受容性化合物、バインダー樹脂、架橋基を有する化合物以外の電荷輸送性を有する化合物等が挙げられる。従って、これらの成分は、架橋性ポリマー以外の成分として電荷輸送膜中に含まれていてもよい。
架橋反応を促進するための添加剤は、電荷輸送膜の溶解性を低下させるために使用される。架橋反応が促進されることにより電荷輸送膜の溶媒に対する溶解性が低下し、当該電荷輸送膜上に他の層を塗布により形成することが可能となる。
Furthermore, the composition for charge transport films may contain components other than the compound having a crosslinking group. Examples include additives for accelerating the crosslinking reaction, coatability improvers such as leveling agents and antifoaming agents, electron accepting compounds, binder resins, compounds having charge transportability other than compounds having a crosslinking group, etc. Is mentioned. Therefore, these components may be contained in the charge transport film as components other than the crosslinkable polymer.
Additives for promoting the crosslinking reaction are used to reduce the solubility of the charge transport film. By accelerating the crosslinking reaction, the solubility of the charge transport film in the solvent is lowered, and another layer can be formed on the charge transport film by coating.
架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤及び重合促進剤;縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤;などが挙げられる。 Examples of additives that promote the crosslinking reaction include polymerization initiators and polymerization accelerators such as alkylphenone compounds, acylphosphine oxide compounds, metallocene compounds, oxime ester compounds, azo compounds, onium salts; condensed polycyclic hydrocarbons, And photosensitizers such as porphyrin compounds and diaryl ketone compounds.
また、電荷輸送性を有する化合物としては、モノマー、オリゴマー及びポリマーのいずれでもよい。その例を挙げると、有機電界発光素子で通常用いられる正孔輸送性化合物及び電子輸送性化合物などが挙げられる。 Moreover, as a compound which has charge transportability, any of a monomer, an oligomer, and a polymer may be sufficient. When the example is given, the hole transportable compound, electron transport compound, etc. which are normally used with an organic electroluminescent element will be mentioned.
電荷輸送膜用組成物の成膜方法としては、例えば、スピンコート法、スプレー法、インクジェット法、スクリーン法などの湿式成膜法が挙げられる。また、通常は電荷輸送膜用組成物は溶媒を含んでいるため、成膜後、必要に応じて乾燥により溶媒を除去する。乾燥の条件は任意であり、加熱乾燥、減圧乾燥などにより乾燥を行うことができる。 Examples of the film forming method for the charge transport film composition include wet film forming methods such as a spin coating method, a spray method, an ink jet method, and a screen method. Moreover, since the composition for charge transport films usually contains a solvent, the solvent is removed by drying as necessary after film formation. The drying conditions are arbitrary, and drying can be performed by heat drying, reduced pressure drying, or the like.
上記の成膜後、光等の電磁エネルギー照射及び/又は加熱により、架橋反応を進行させる。必要に応じて乾燥により溶媒を除去してもよい。これにより、成膜された膜中の架橋基を有する化合物が架橋し、架橋性ポリマーとなることにより、当該膜を本発明の電荷輸送膜として得ることができる。得られる電荷輸送膜は架橋により溶媒に対する溶解性が低下するため、更にその上に湿式成膜法等により成膜することが可能となる。 After the film formation, the crosslinking reaction proceeds by irradiation with electromagnetic energy such as light and / or heating. If necessary, the solvent may be removed by drying. As a result, the compound having a crosslinking group in the formed film is crosslinked to form a crosslinkable polymer, whereby the film can be obtained as the charge transport film of the present invention. Since the resulting charge transport film has a lower solubility in a solvent due to cross-linking, it can be further formed thereon by a wet film formation method or the like.
架橋反応を光等の電磁エネルギー照射により進行させる場合、電磁エネルギー照射の照射装置に制限はない。例えば、光の照射を用いる場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源;前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置などを用いることができる。また、光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置;電子レンジなどを用いることもできる。
電磁エネルギーの照射時間としては、電荷輸送膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常0.1秒以上、好ましくは10時間以下である。
When the crosslinking reaction proceeds by irradiation with electromagnetic energy such as light, there is no limitation on the irradiation apparatus for electromagnetic energy irradiation. For example, when light irradiation is used, ultra-high pressure mercury lamp, high-pressure mercury lamp, halogen lamp, infrared lamp, and other ultraviolet / visible / infrared light sources; mask aligners incorporating the above-mentioned light sources, conveyor-type light irradiation devices Etc. can be used. For electromagnetic energy irradiation other than light, for example, a device that irradiates a microwave generated by a magnetron; a microwave oven or the like can be used.
The electromagnetic energy irradiation time is preferably set to conditions necessary for reducing the solubility of the charge transport film, but is usually 0.1 seconds or longer, preferably 10 hours or shorter.
一方、架橋反応を加熱により進行させる場合、加熱温度に制限はないが、通常80℃以上、通常400℃以下である。また、加熱時の圧力にも制限は無く、常圧であってもよく、減圧であってもよい。加熱時間は通常1分以上、通常24時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、例えば、ホットプレート上で加熱を行ったり、オーブン内で加熱を行なったりすればよい。具体例を挙げると、ホットプレート上で、温度120℃以上で、1分間以上加熱する等の条件を用いることができる。 On the other hand, when the crosslinking reaction proceeds by heating, the heating temperature is not limited, but is usually 80 ° C. or higher and usually 400 ° C. or lower. Moreover, there is no restriction | limiting also in the pressure at the time of a heating, Normal pressure may be sufficient and pressure reduction may be sufficient. The heating time is usually 1 minute or more and usually 24 hours or less. Although it does not specifically limit as a heating means, For example, what is necessary is just to heat on a hotplate or to heat in an oven. As a specific example, conditions such as heating on a hot plate at a temperature of 120 ° C. or higher for 1 minute or longer can be used.
なお、上記の加熱及び電磁エネルギー照射は、いずれか一つのみを行ってもよく、2つ以上の操作を任意に組み合わせて行なってもよい。また、組み合わせて行なう場合、それらを実施する順序は特に限定されない。 In addition, said heating and electromagnetic energy irradiation may perform only any one, and may perform it combining 2 or more operation arbitrarily. Moreover, when performing in combination, the order which implements them is not specifically limited.
また、上記の架橋反応は、架橋後に得られる本発明の電荷輸送膜が含有する水分、及び/又は電荷輸送膜の表面に吸着する水分の量を低減するために、水分量が少ない雰囲気で行うことが好ましく、水分を含まない雰囲気で行うことがより好ましい。また、意図しない酸化等の反応が進行することを防止する観点からは、不活性雰囲気において架橋反応を行うことが好ましく、例えば窒素ガス雰囲気下で行うことが好ましい。 The above cross-linking reaction is performed in an atmosphere having a low water content in order to reduce the water content of the charge transport film of the present invention obtained after cross-linking and / or the amount of water adsorbed on the surface of the charge transport film. It is preferable to carry out in an atmosphere that does not contain moisture. Further, from the viewpoint of preventing unintended oxidation or the like from proceeding, it is preferable to perform the crosslinking reaction in an inert atmosphere, for example, in a nitrogen gas atmosphere.
[2.有機電界発光素子]
本発明の有機電界発光素子は、陽極、陰極、並びに、陽極と該陰極との間に設けられた本発明の電荷輸送膜を備えるものである。以下、本発明の有機電界発光素子について、一実施形態を示して詳細に説明する。
[2. Organic electroluminescent device]
The organic electroluminescent element of the present invention comprises an anode, a cathode, and the charge transport film of the present invention provided between the anode and the cathode. Hereinafter, the organic electroluminescent element of the present invention will be described in detail with reference to an embodiment.
図2(a)は、本発明の一実施形態に係る有機電界発光素子の層構成を模式的に示す断面図である。図2(a)に示す有機電界発光素子10は、基板11の上に、陽極12、正孔注入層13、電荷輸送膜14、発光層15、電子注入層16及び陰極17を、この順に積層することにより構成される。
FIG. 2A is a cross-sectional view schematically showing a layer configuration of an organic electroluminescent element according to an embodiment of the present invention. The
[2−1.基板]
基板11は、有機電界発光素子10の支持体となるものである。
基板11の材料は制限されないが、例としては、石英、ガラス、金属、プラスチック等が挙げられる。これらの材料は何れか1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
[2-1. substrate]
The substrate 11 serves as a support for the
Although the material of the board | substrate 11 is not restrict | limited, As an example, quartz, glass, a metal, a plastic etc. are mentioned. Any one of these materials may be used, or two or more of these materials may be used in any combination and ratio.
基板11の形状も制限されないが、例としては、板、シート、フィルム、箔等、或いはこれらの二種以上を組み合わせた形状等が挙げられる。
中でも、基板11としては、ガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。
Although the shape of the board | substrate 11 is not restrict | limited, As an example, the shape etc. which combined a board, a sheet | seat, a film, foil, etc. or these 2 or more types are mentioned.
Among them, the substrate 11 is preferably a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, polysulfone, or the like.
なお、基板11の材料として合成樹脂を使用する場合には、ガスバリア性に留意することが望ましい。基板11のガスバリア性が低過ぎると、基板11を通過した外気により、有機電界発光素子1が劣化する場合がある。よって、合成樹脂からなる基板11の少なくとも片面に、緻密なシリコーン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する、等の手法を講じることが好ましい。
In addition, when using a synthetic resin as a material of the board | substrate 11, it is desirable to pay attention to gas barrier property. If the gas barrier property of the substrate 11 is too low, the
基板11の厚さは制限されないが、通常1μm以上、好ましくは50μm以上、また、通常50mm以下、好ましくは3mm以下の範囲が望ましい。基板11が薄過ぎると機械的強度が低くなる場合があり、厚過ぎると素子の重量が増加し過ぎる場合がある。 The thickness of the substrate 11 is not limited, but is usually in the range of 1 μm or more, preferably 50 μm or more, and usually 50 mm or less, preferably 3 mm or less. If the substrate 11 is too thin, the mechanical strength may be low, and if it is too thick, the weight of the element may increase excessively.
なお、基板11は単一の層からなる構成としてもよいが、複数の層が積層された構成としてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいが、異なる材料からなる層であってもよい。 In addition, although the board | substrate 11 is good also as a structure which consists of a single layer, it is good also as a structure by which the several layer was laminated | stacked. In the latter case, the plurality of layers may be layers made of the same material, but may be layers made of different materials.
[2−2.陽極]
基板11の上には、陽極12が形成される。
陽極12は、発光層15側の層(正孔注入層13又は電荷輸送膜14)への正孔注入の役割を果たすものである。
[2-2. anode]
An anode 12 is formed on the substrate 11.
The anode 12 plays a role of hole injection into the layer (the hole injection layer 13 or the charge transport film 14) on the light emitting layer 15 side.
陽極12の材料は、導電性を有する材料であれば任意であるが、例としては、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等が挙げられる。
これらの陽極12の材料は、何れか1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
The material of the anode 12 is arbitrary as long as it is a conductive material. Examples thereof include metals such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, and platinum, and metal oxides such as oxides of indium and / or tin. Products, metal halides such as copper iodide, carbon black, or conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, and polyaniline.
Any one of these materials for the anode 12 may be used, or two or more may be used in any combination and ratio.
陽極12を形成する手法は制限されないが、通常はスパッタリング法、真空蒸着法等が用いられる。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の金属ハロゲン化物の微粒子、カーボンブラック等の炭素材料の微粒子、導電性金属酸化物の微粒子、導電性高分子の微粉末等の材料を用いる場合には、これらの材料を適当なバインダー樹脂溶液に分散させ、基板11上に塗布することにより、陽極12を形成することもできる。 Although the method for forming the anode 12 is not limited, a sputtering method, a vacuum evaporation method, or the like is usually used. Also, when using materials such as metal fine particles such as silver, metal halide fine particles such as copper iodide, carbon material fine particles such as carbon black, conductive metal oxide fine particles, conductive polymer fine powder, etc. The anode 12 can also be formed by dispersing these materials in a suitable binder resin solution and applying the solution on the substrate 11.
更に、導電性高分子を材料として用いる場合は、電解重合により基板11上に直接、薄膜を形成したり、基板11上に導電性高分子を塗布したりする等の手法により、陽極12を形成することもできる(Applied Physics Letters,1992年,Vol.60,pp.2711参照)。 Further, when a conductive polymer is used as a material, the anode 12 is formed by a method such as forming a thin film directly on the substrate 11 by electrolytic polymerization or applying a conductive polymer on the substrate 11. (See Applied Physics Letters, 1992, Vol. 60, pp. 2711).
陽極12の厚みは、陽極12に求められる透明性により異なる。
陽極12に透明性が求められる場合は、陽極12による可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましい。この場合、陽極12の厚みは、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲が望ましい。陽極12が薄過ぎると電気抵抗が大きくなる場合があり、厚過ぎると透明性が低下する場合がある。
The thickness of the anode 12 varies depending on the transparency required for the anode 12.
When the anode 12 is required to be transparent, the visible light transmittance of the anode 12 is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode 12 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less. If the anode 12 is too thin, the electrical resistance may increase, and if it is too thick, the transparency may decrease.
一方、陽極12が不透明でよい場合、例えば、陽極12が基板11を兼ねる場合、陽極12の厚さは基板11と同様、通常1μm以上、好ましくは50μm以上、また、通常50mm以下、好ましくは30mm以下の範囲が望ましい。陽極12が薄過ぎると機械的強度が低くなる場合があり、厚過ぎると有機電界発光素子の重量が増加し過ぎる場合がある。 On the other hand, when the anode 12 may be opaque, for example, when the anode 12 also serves as the substrate 11, the thickness of the anode 12 is usually 1 μm or more, preferably 50 μm or more, and usually 50 mm or less, preferably 30 mm. The following ranges are desirable. If the anode 12 is too thin, the mechanical strength may be low, and if it is too thick, the weight of the organic electroluminescent element may be excessively increased.
なお、陽極12は単一の層からなる構成としてもよいが、複数の層が積層された構成としてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいが、異なる材料からなる層であってもよい。
更には、陽極12を上述の基板11と一体に形成し、陽極12が基板11を兼ねる構成としてもよい。
The anode 12 may have a single layer configuration, but may have a configuration in which a plurality of layers are stacked. In the latter case, the plurality of layers may be layers made of the same material, but may be layers made of different materials.
Furthermore, the anode 12 may be formed integrally with the substrate 11 described above, and the anode 12 may also serve as the substrate 11.
なお、陽極12の形成後、陽極12に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的として、陽極12表面に対して、紫外線(UV)処理、オゾン処理、プラズマ処理(例えば酸素プラズマ処理、アルゴンプラズマ処理等)等の処理を行なうことが好ましい。 After the anode 12 is formed, the surface of the anode 12 is subjected to ultraviolet (UV) treatment, ozone for the purpose of removing impurities adhering to the anode 12 and adjusting the ionization potential to improve the hole injection property. It is preferable to perform processing such as processing, plasma processing (for example, oxygen plasma processing, argon plasma processing, etc.).
[2−3.正孔注入層]
陽極12の上には、正孔注入層13が形成される。
正孔注入層13は、陽極12から電荷輸送膜14へ正孔を輸送する層である。
正孔注入層13は、正孔輸送性化合物を含むことが好ましく、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことがより好ましい。更には、正孔注入層13中にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましく、カチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことが特に好ましい。
さらに正孔注入層13は、必要に応じて、バインダー樹脂や塗布性改良剤を含んでもよい。なお、バインダー樹脂は、電荷のトラップとして作用し難いものが好ましい。
[2-3. Hole injection layer]
A hole injection layer 13 is formed on the anode 12.
The hole injection layer 13 is a layer that transports holes from the anode 12 to the charge transport film 14.
The hole injection layer 13 preferably includes a hole transporting compound, and more preferably includes a hole transporting compound and an electron accepting compound. Further, the hole injection layer 13 preferably contains a cation radical compound, and particularly preferably contains a cation radical compound and a hole transporting compound.
Furthermore, the hole injection layer 13 may contain a binder resin and a coating property improving agent as necessary. The binder resin is preferably one that hardly acts as a charge trap.
〔正孔輸送性化合物〕
正孔輸送性化合物としては、4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。ただし、湿式成膜法に用いる場合には、湿式成膜法に用いる溶媒への溶解性が高い方が好ましい。
[Hole transporting compound]
As the hole transporting compound, a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV is preferable. However, when used in the wet film forming method, it is preferable that the solubility in the solvent used in the wet film forming method is high.
正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましい。 Examples of the hole transporting compound include aromatic amine compounds, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives, and the like. Of these, aromatic amine compounds are preferred from the viewpoints of amorphousness and visible light transmittance.
芳香族アミン化合物の種類は特に制限されず、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよいが、表面平滑化効果の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型炭化水素化合物)が好ましい。 The type of the aromatic amine compound is not particularly limited, and may be a low molecular compound or a high molecular compound. From the viewpoint of the surface smoothing effect, the high molecular compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less. (Polymerized hydrocarbon compound in which repeating units are continuous) is preferred.
また、芳香族アミン化合物の中でも、特に、芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。 Of the aromatic amine compounds, an aromatic tertiary amine compound is particularly preferable. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.
芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例としては、下記式(i)で表わされる繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
Ara1〜Ara16としては、任意の芳香族炭化水素環または芳香族複素環由来の1価または2価の基が適用可能である。これらの基は各々同一であっても、互いに異なっていてもよい。また、これらの基は、更に任意の置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常400以下、中でも250以下が好ましい。 As Ar a1 to Ar a16 , any monovalent or divalent group derived from any aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is applicable. These groups may be the same or different from each other. Further, these groups may further have an arbitrary substituent. The molecular weight of the substituent is usually 400 or less, and preferably 250 or less.
Ara1、Ara2としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の1価の基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がさらに好ましい。 Ar a1 and Ar a2 are preferably monovalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, a thiophene ring, or a pyridine ring from the viewpoints of solubility, heat resistance, and hole injection / transport properties of the polymer compound. More preferred are a phenyl group and a naphthyl group.
また、Ara3〜Ara5としては、耐熱性、酸化還元電位を含めた正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環由来の2価の基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基がさらに好ましい。 Ar a3 to Ar a5 are preferably divalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, or a phenanthrene ring from the viewpoint of heat resistance and hole injection / transport properties including redox potential. A group, a biphenylene group, and a naphthylene group are more preferable.
一般式(i)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第2005/089024号パンフレットに記載の化合物が挙げられる。
なお、正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種のみを含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。
2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物1種または2種以上と、その他の正孔輸送性化合物1種または2種以上とを併用するのが好ましい。
Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the general formula (i) include compounds described in International Publication No. 2005/089024 pamphlet.
In addition, the hole transportable compound may contain only 1 type in such a compound, and may contain 2 or more types.
When two or more hole transporting compounds are contained, the combination thereof is arbitrary, but one or more aromatic tertiary amine polymer compounds and one or two other hole transporting compounds are used. It is preferable to use the above together.
〔電子受容性化合物〕
電子受容性化合物としては、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましい。具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
[Electron-accepting compound]
As the electron-accepting compound, a compound having an oxidizing power and an ability to accept one electron from the above-described hole-transporting compound is preferable. Specifically, a compound with an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and a compound with a compound of 5 eV or more is more preferable.
電子受容性化合物の例としては、例えば、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート等の有機基の置換したオニウム塩、塩化鉄(III)(特開平11−251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物、テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物、フラーレン誘導体、ヨウ素等が挙げられる。 Examples of the electron-accepting compound include onium salts substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, iron (III) chloride (Japanese Patent Laid-Open No. 11-251067). Publication), high valence inorganic compounds such as ammonium peroxodisulfate, cyano compounds such as tetracyanoethylene, aromatic boron compounds such as tris (pentafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365), fullerene derivatives, iodine Etc.
上記の化合物のうち、強い酸化力を有する点で、有機基の置換したオニウム塩、高原子価の無機化合物等が好ましい。また、種々の溶剤に可溶で湿式成膜に適用可能である点で、有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物等が好ましい。 Of the above-mentioned compounds, an onium salt substituted with an organic group, a high-valence inorganic compound, and the like are preferable because they have strong oxidizing power. In addition, an onium salt substituted with an organic group, a cyano compound, an aromatic boron compound, or the like is preferable because it is soluble in various solvents and can be applied to wet film formation.
電子受容性化合物として好適な有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物の具体例としては、国際公開第2005/089024号パンフレットに記載のものが挙げられ、その好適例も同様である。例えば、下記構造式で表わされる化合物が挙げられるが、何らそれらに限定されるものではない。
〔カチオンラジカル化合物〕
カチオンラジカル化合物としては、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンとからなるイオン化合物が好ましい。但し、カチオンラジカルが正孔輸送性の高分子化合物由来である場合、カチオンラジカルは高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除いた構造となる。
[Cation radical compound]
As the cation radical compound, an ionic compound composed of a cation radical which is a chemical species obtained by removing one electron from a hole transporting compound and a counter anion is preferable. However, when the cation radical is derived from a hole transporting polymer compound, the cation radical has a structure in which one electron is removed from the repeating unit of the polymer compound.
カチオンラジカルとしては、正孔輸送性化合物として前述した化合物から一電子取り除いた化学種であることが好ましい。非晶質性、可視光の透過率、耐熱性、溶解性などの点から好適だからである。 The cation radical is preferably a chemical species obtained by removing one electron from the compound described above as the hole transporting compound. This is because it is preferable in terms of amorphousness, visible light transmittance, heat resistance, solubility, and the like.
ここで、カチオンラジカル化合物は、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより生成させることができる。即ち、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを混合することにより、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物へと電子移動が起こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンとからなるカチオンイオン化合物が生成する。 Here, the cation radical compound can be generated by mixing the hole transporting compound and the electron accepting compound. That is, by mixing the hole transporting compound and the electron accepting compound, electron transfer occurs from the hole transporting compound to the electron accepting compound, and the cation radical and the counter anion of the hole transporting compound A cation ion compound consisting of
また、PEDOT/PSS(Adv.Mater.,2000年,12巻,481頁)やエメラルジン塩酸塩(J.Phys.Chem.,1990年,94巻,7716頁)等の高分子化合物由来のカチオンラジカル化合物は、酸化重合(脱水素重合)することによっても生成する。 In addition, cationic radicals derived from polymer compounds such as PEDOT / PSS (Adv. Mater., 2000, 12, 481) and emeraldine hydrochloride (J. Phys. Chem., 1990, 94, 7716). The compound is also produced by oxidative polymerization (dehydrogenation polymerization).
ここでいう酸化重合は、モノマーを酸性溶液中で、ペルオキソ二硫酸塩等を用いて化学的に、または、電気化学的に酸化するものである。この酸化重合(脱水素重合)の場合、モノマーが酸化されることにより高分子化されるとともに、酸性溶液由来のアニオンを対アニオンとする、高分子の繰り返し単位から一電子取り除かれたカチオンラジカルが生成する。
なお、カチオンラジカル化合物は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
The oxidative polymerization referred to here is a method in which a monomer is chemically or electrochemically oxidized using peroxodisulfate or the like in an acidic solution. In the case of this oxidative polymerization (dehydrogenation polymerization), the monomer is polymerized by oxidation, and a cation radical that is removed from the polymer repeating unit by using an anion derived from an acidic solution as a counter anion is removed. Generate.
In addition, a cation radical compound may use only 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
〔正孔注入層13の製造方法〕
正孔注入層13は、本発明の効果を著しく損なわない限り、任意の方法で形成することができるが、例えば、湿式成膜法または真空蒸着法により陽極12上に形成される。
[Method for producing hole injection layer 13]
The hole injection layer 13 can be formed by any method as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. For example, the hole injection layer 13 is formed on the anode 12 by a wet film formation method or a vacuum evaporation method.
湿式成膜法による層形成の場合、前述した各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)の1種または2種以上の所定量を、必要により電荷のトラップとして作用し難いバインダー樹脂や塗布性改良剤と共に溶剤に溶解させて、まず塗布溶液を調製する。次いで、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等の湿式成膜法により陽極上に塗布し、乾燥して、正孔注入層13を形成させることができる。 In the case of layer formation by a wet film formation method, one or more predetermined amounts of each of the above-described materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) act as a charge trap if necessary. First, a coating solution is prepared by dissolving it in a solvent together with a difficult binder resin and coating property improver. Next, the hole injection layer 13 can be formed by applying on the anode by a wet film formation method such as spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing, screen printing, and ink jet method, and drying.
湿式成膜法による層形成のために用いられる溶剤としては、前述の各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)を溶解することが可能な溶剤であれば、その種類は特に限定されない。なお、正孔注入層に用いられる各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)を失活させる可能性のある失活物質または失活物質を発生させる物質を含まないことが好ましい。
好ましい溶剤の具体例としては、エーテル系溶剤またはエステル系溶剤が挙げられる。なお、溶剤は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
As the solvent used for the layer formation by the wet film forming method, any solvent can be used as long as it can dissolve the above-mentioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound). Is not particularly limited. In addition, the material used for the hole injection layer (a hole transporting compound, an electron accepting compound, a cation radical compound) does not contain a deactivating substance or a substance that generates a deactivating substance that may deactivate the material. Is preferred.
Specific examples of preferred solvents include ether solvents or ester solvents. In addition, only 1 type may be used for a solvent and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
上記塗布溶液中における溶剤の濃度は、通常10重量%以上、好ましくは30重量%以上、より好ましくは50%重量以上、また、通常、99.999重量%以下、好ましくは99.99重量%以下、さらに好ましくは99.9重量%以下である。なお、2種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにすればよい。 The concentration of the solvent in the coating solution is usually 10% by weight or more, preferably 30% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, and usually 99.999% by weight or less, preferably 99.99% by weight or less. More preferably, it is 99.9% by weight or less. In addition, when using 2 or more types of solvents in mixture, the total of these solvents should just satisfy this range.
真空蒸着法による層形成の場合には、まず、前述した各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)の1種または2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、次いで、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度まで排気する。その後、るつぼを加熱し(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱し)、蒸発量を制御して蒸発させて(2種以上材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極上に正孔注入層を形成させることができる。なお、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱し蒸発させて正孔注入層形成に用いることもできる。 In the case of layer formation by vacuum deposition, first, one or more of the above-mentioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) are placed in a crucible placed in a vacuum vessel. Put in each crucible when using two or more materials, and then evacuate the inside of the vacuum vessel to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump. After that, the crucible is heated (each crucible is heated when two or more materials are used), and the amount of evaporation is controlled and evaporated (when two or more materials are used, the amount of evaporation is controlled independently). Evaporation) and a hole injection layer can be formed on the anode of the substrate placed facing the crucible. In addition, when using 2 or more types of materials, they can also be put into a crucible, can be heated and evaporated, and can be used for hole injection layer formation.
上述のようにして形成される正孔注入層13の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。正孔注入層13が薄すぎると、正孔注入性が不十分になる可能性がある。また、厚すぎると、抵抗が高くなる場合がある。 The thickness of the hole injection layer 13 formed as described above is usually in the range of 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less. If the hole injection layer 13 is too thin, the hole injection property may be insufficient. Moreover, when it is too thick, resistance may become high.
なお、正孔注入層13は単一の層からなる構成としてもよいが、複数の層が積層された構成としてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいし、異なる材料からなる層であってもよい。 The hole injection layer 13 may be composed of a single layer, or may be composed of a plurality of layers. In the latter case, the plurality of layers may be layers made of the same material or layers made of different materials.
[2−4.電荷輸送膜]
電荷輸送膜14は、[1.電荷輸送膜]の項で説明した構成を有する層である。本実施形態では、電荷輸送膜14は陽極12又は正孔注入層13から発光層15へ正孔を輸送する正孔輸送膜(正孔輸送層)として機能している。
[2-4. Charge transport film]
The charge transport film 14 is formed by [1. It is a layer having the structure described in the section “Charge transport film”. In the present embodiment, the charge transport film 14 functions as a hole transport film (hole transport layer) that transports holes from the anode 12 or the hole injection layer 13 to the light emitting layer 15.
[2−5.発光層]
電荷輸送膜14の上には、発光層15が形成される。
発光層15は、電界を与えられた電極間において、陽極12から正孔注入層13及び電荷輸送膜14を通じて注入された正孔と、陰極17から電子注入層16を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
[2-5. Light emitting layer]
A light emitting layer 15 is formed on the charge transport film 14.
The light-emitting layer 15 is configured to regenerate holes injected from the anode 12 through the hole injection layer 13 and the charge transport film 14 and electrons injected from the cathode 17 through the electron injection layer 16 between the electrodes to which an electric field is applied. It is a layer that is excited by bonding and becomes the main light emitting source.
発光層15は、少なくとも、発光の性質を有する材料(発光材料)を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する材料(正孔輸送性化合物)、或いは、電子輸送の性質を有する材料(電子輸送性化合物)とを含有する。 The light emitting layer 15 contains at least a material having a light emitting property (light emitting material), and preferably a material having a hole transporting property (hole transporting compound) or a material having an electron transporting property. (Electron transporting compound).
発光材料としては、湿式成膜法で発光層15を形成することが好ましいため、何れも低分子系の材料を使用することが好ましい。
また、本発明の有機電界発光素子を製造する場合、発光材料として少なくとも蛍光発光材料を用いることが好ましい。ただし、燐光発光材料を併用してもよい。例えば、本発明の有機電界発光素子を備える発光表示装置の場合、発光色ごとに蛍光発光材料と燐光発光材料とを分けて用いてもよく、1つの有機電界発光素子の中で蛍光発光材料と燐光発光材料とを混合して用いてもよい。
なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることもできる。
As the luminescent material, it is preferable to use a low molecular weight material because it is preferable to form the luminescent layer 15 by a wet film formation method.
Moreover, when manufacturing the organic electroluminescent element of this invention, it is preferable to use at least a fluorescent light-emitting material as a light-emitting material. However, a phosphorescent material may be used in combination. For example, in the case of a light-emitting display device including the organic electroluminescent element of the present invention, a fluorescent light-emitting material and a phosphorescent light-emitting material may be used separately for each emission color. A phosphorescent material may be mixed and used.
For the purpose of improving the solubility in a solvent, the symmetry and rigidity of the molecules of the luminescent material can be reduced, or lipophilic substituents such as alkyl groups can be introduced.
青色発光を与える蛍光発光材料としては、例えば、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光発光材料としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光発光材料としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光発光材料としては、例えば、DCM(4−(dicyanomethylene)−2−methyl−6−(p−dimethylaminostyryl)−4H−pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。 Examples of the fluorescent material that gives blue light emission include perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof. Examples of the green fluorescent material include quinacridone derivatives and coumarin derivatives. Examples of the yellow fluorescent material include rubrene and perimidone derivatives. Examples of the red fluorescent material include DCM (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran) compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothiones. Xanthene and the like.
また、燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表(以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。)第7〜11族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体が挙げられる。 Examples of phosphorescent materials include long-period periodic tables (hereinafter referred to as long-period periodic tables when referred to as “periodic tables” unless otherwise specified). And phosphorescent organometallic complexes containing a metal selected from:
燐光性有機金属錯体に含まれる、周期表第7〜11族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記式(I)又は式(II)で表わされる化合物が挙げられる。
Preferred examples of the metal selected from
ML(q−j)L′j (I)
(式(I)中、Mは金属を表わし、qは上記金属の価数を表わす。また、L及びL′は二座配位子を表わす。jは0、1又は2の数を表わす。)
ML (q−j) L ′ j (I)
(In the formula (I), M represents a metal, q represents a valence of the metal, L and L ′ represent a bidentate ligand, and j represents a number of 0, 1 or 2. )
以下、まず、式(I)で表わされる化合物について説明する。
式(I)中、Mは任意の金属を表わし、好ましいものの具体例としては、周期表第7〜11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
Hereinafter, the compound represented by formula (I) will be described first.
In formula (I), M represents an arbitrary metal, and specific examples of preferable ones include the metals described above as metals selected from
また、式(I)中、二座配位子Lは、以下の部分構造を有する配位子を示す。
該芳香族炭化水素基としては、5又は6員環の単環又は2〜5縮合環が挙げられる。具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環由来の1価の基などが挙げられる。 Examples of the aromatic hydrocarbon group include a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring. Specific examples include monovalent groups derived from a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring, fluoranthene ring, fluorene ring, etc. Is mentioned.
該芳香族複素環基としては、5又は6員環の単環又は2〜4縮合環が挙げられる。具体例としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環由来の1価の基などが挙げられる。 Examples of the aromatic heterocyclic group include a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-4 condensed ring. Specific examples include furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, Thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring , Sinoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, monovalent group derived from an azulene ring, and the like.
また、上記Lの部分構造において、環A2は、置換基を有していてもよい、含窒素芳香族複素環基を表わす。 In the partial structure of L, ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
該含窒素芳香族複素環基としては、5又は6員環の単環又は2〜4縮合環由来の基が挙げられる。具体例としては、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、フロピロール環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環由来の1価の基などが挙げられる。 Examples of the nitrogen-containing aromatic heterocyclic group include groups derived from a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-4 condensed ring. Specific examples include pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, furopyrrole ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring. , Benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone Examples thereof include a monovalent group derived from a ring.
環A1又は環A2がそれぞれ有していてもよい置換基の例としては、ハロゲン原子;アルキル基;アルケニル基;アルコキシカルボニル基;アルコキシ基;アリールオキシ基;ジアルキルアミノ基;ジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アシル基;ハロアルキル基;シアノ基;芳香族炭化水素基等が挙げられる。 Examples of the substituent that each of ring A1 and ring A2 may have include a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxycarbonyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a dialkylamino group, a diarylamino group, and a carbazolyl group. Acyl group; haloalkyl group; cyano group; aromatic hydrocarbon group and the like.
また、式(I)中、二座配位子L′は、以下の部分構造を有する配位子を示す。但し、以下の式において、「Ph」はフェニル基を表わす。 In formula (I), bidentate ligand L ′ represents a ligand having the following partial structure. In the following formulae, “Ph” represents a phenyl group.
中でも、L′としては、錯体の安定性の観点から、以下に挙げる配位子が好ましい。
式(I)で表わされる化合物として、更に好ましくは、下記式(Ia)、(Ib)、(Ic)で表わされる化合物が挙げられる。 More preferable examples of the compound represented by the formula (I) include compounds represented by the following formulas (Ia), (Ib), and (Ic).
上記式(Ia)〜(Ic)において、環A1及び環A1′の好ましい例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。 In the above formulas (Ia) to (Ic), preferable examples of the ring A1 and the ring A1 ′ include phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, anthryl group, thienyl group, furyl group, benzothienyl group, benzofuryl group, pyridyl group. Quinolyl group, isoquinolyl group, carbazolyl group and the like.
上記式(Ia)〜(Ic)において、環A2及び環A2′の好ましい例としては、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。 In the above formulas (Ia) to (Ic), preferred examples of the ring A2 and the ring A2 ′ include pyridyl group, pyrimidyl group, pyrazyl group, triazyl group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, quinolyl group, An isoquinolyl group, a quinoxalyl group, a phenanthridyl group, and the like can be given.
上記式(Ia)〜(Ic)で表わされる化合物が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子;アルキル基;アルケニル基;アルコキシカルボニル基;アルコキシ基;アリールオキシ基;ジアルキルアミノ基;ジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アシル基;ハロアルキル基;シアノ基等が挙げられる。 The substituents that the compounds represented by the above formulas (Ia) to (Ic) may have include a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxycarbonyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a dialkylamino group, and a diaryl. An amino group; a carbazolyl group; an acyl group; a haloalkyl group; a cyano group;
なお、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環A1が有する置換基と環A2が有する置換基とが結合するか、又は、環A1′が有する置換基と環A2′が有する置換基とが結合することにより、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環としては、7,8−ベンゾキノリン基等が挙げられる。 These substituents may be connected to each other to form a ring. As a specific example, a substituent of the ring A1 and a substituent of the ring A2 are bonded, or a substituent of the ring A1 ′ and a substituent of the ring A2 ′ are bonded. A condensed ring may be formed. Examples of such a condensed ring include a 7,8-benzoquinoline group.
中でも、環A1、環A1′、環A2及び環A2′の置換基として、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。 Among these, as a substituent for ring A1, ring A1 ′, ring A2 and ring A2 ′, an alkyl group, alkoxy group, aromatic hydrocarbon group, cyano group, halogen atom, haloalkyl group, diarylamino group, carbazolyl are more preferable. Groups.
また、式(Ia)〜(Ic)におけるM2〜M4の好ましい例としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられる。 In addition, preferable examples of M 2 to M 4 in the formulas (Ia) to (Ic) include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, or gold.
上記式(I)及び(Ia)〜(Ic)で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない。 Specific examples of the organometallic complexes represented by the above formulas (I) and (Ia) to (Ic) are shown below, but are not limited to the following compounds.
上記式(I)で表わされる有機金属錯体の中でも、特に、配位子L及び/又はL′として2−アリールピリジン系配位子、即ち、2−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、及び、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。 Among the organometallic complexes represented by the above formula (I), in particular, as the ligand L and / or L ′, a 2-arylpyridine-based ligand, that is, 2-arylpyridine, and an arbitrary substituent is bonded thereto. And compounds having an arbitrary group condensed thereto are preferable.
また、国際特許公開第2005/019373号パンフレットに記載の化合物も、発光材料として使用することが可能である。 The compounds described in International Patent Publication No. 2005/019373 pamphlet can also be used as the light emitting material.
次に、式(II)で表わされる化合物について説明する。
式(II)中、M1は金属を表わす。具体例としては、周期表第7〜11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の2価の金属が挙げられる。
Next, the compound represented by formula (II) will be described.
In formula (II), M 1 represents a metal. Specific examples include the metals described above as the metal selected from
また、式(II)において、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表わす。 In formula (II), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, Represents an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group;
更に、Tが炭素原子の場合、R3及びR4は、それぞれ独立に、R1及びR2と同様の例示物で表わされる置換基を表わす。また、Tが窒素原子の場合は、R3及びR4は無い。 Further, when T is a carbon atom, R 3 and R 4 each independently represent a substituent represented by the same examples as R 1 and R 2 . Further, when T is a nitrogen atom, R 3 and R 4 are absent.
また、R1〜R4は、更に置換基を有していてもよい。置換基を有する場合、その種類に特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
更に、R1〜R4のうち任意の2つ以上の基が互いに連結して環を形成してもよい。
R 1 to R 4 may further have a substituent. When it has a substituent, there is no restriction | limiting in particular in the kind, Arbitrary groups can be made into a substituent.
Further, any two or more groups of R 1 to R 4 may be connected to each other to form a ring.
式(II)で表わされる有機金属錯体の具体例(T−1、T−10〜T−15)を以下に示すが、下記の例示物に限定されるものではない。また、以下の化学式において、Meはメチル基を表わし、Etはエチル基を表わす。 Specific examples (T-1, T-10 to T-15) of the organometallic complex represented by the formula (II) are shown below, but are not limited to the following examples. In the following chemical formulae, Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group.
発光材料として用いる化合物の分子量は、通常10000以下、好ましくは5000以下、より好ましくは4000以下、更に好ましくは3000以下、また、通常100以上、好ましくは200以上、より好ましくは300以上、更に好ましくは400以上の範囲である。分子量が低過ぎると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、或いはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を招いたりする場合がある。分子量が高過ぎると、有機化合物の精製が困難となったり、溶剤に溶解させる際に時間を要したりする場合がある。 The molecular weight of the compound used as the light emitting material is usually 10,000 or less, preferably 5000 or less, more preferably 4000 or less, still more preferably 3000 or less, and usually 100 or more, preferably 200 or more, more preferably 300 or more, still more preferably. The range is 400 or more. If the molecular weight is too low, the heat resistance may be significantly reduced, gas may be generated, the film quality may be deteriorated when the film is formed, or the morphology of the organic electroluminescent device may be changed due to migration or the like. There is a case. If the molecular weight is too high, it may be difficult to purify the organic compound, or it may take time to dissolve in the solvent.
なお、発光層15は、上に説明した各種の発光材料のうち、何れか1種のみを含有していてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で含有していてもよい。 In addition, the light emitting layer 15 may contain only any 1 type among the various light-emitting materials demonstrated above, and may contain 2 or more types by arbitrary combinations and ratios.
低分子系の正孔輸送性化合物の例としては、前述の正孔注入層13の正孔輸送性化合物として例示した各種の化合物の他、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルに代表される、2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5−234681号公報)、4,4’,4”−トリス(1−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物(Journal of Luminescence, 1997年, Vol.72−74, pp.985)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chemical Communications,1996年, pp.2175)、2,2’,7,7’−テトラキス−(ジフェニルアミノ)−9,9’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synthetic Metals, 1997年, Vol.91, pp.209)等が挙げられる。
なお、正孔輸送性化合物は、何れか1種のみを含有していてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で含有していてもよい。
Examples of the low molecular weight hole transporting compound include various compounds exemplified as the hole transporting compound of the
In addition, the positive hole transport compound may contain only any 1 type, and may contain 2 or more types by arbitrary combinations and ratios.
低分子系の電子輸送性化合物の例としては、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール(BND)や、2,5−ビス(6’−(2’,2”−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロール(PyPySPyPy)や、バソフェナントロリン(BPhen)や、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BCP、バソクプロイン)、2−(4−ビフェニリル)−5−(p−ターシャルブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(tBu−PBD)や、4,4’−ビス(9−カルバゾール)−ビフェニル(CBP)等がある。
なお、電子輸送性化合物は、何れか1種のみを含有していてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で含有していてもよい。
Examples of low molecular weight electron transport compounds include 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole (BND) and 2,5-bis (6 ′-(2 ′). , 2 "-bipyridyl))-1,1-dimethyl-3,4-diphenylsilole (PyPySPyPy), bathophenanthroline (BPhen), 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline ( BCP, bathocuproine), 2- (4-biphenylyl) -5- (p-tertiarybutylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (tBu-PBD), 4,4′-bis (9-carbazole) ) -Biphenyl (CBP) and the like.
In addition, the electron transport compound may contain only any 1 type, and may contain 2 or more types by arbitrary combinations and ratios.
これら正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物は発光層においてホスト材料として使用されることが好ましいが、ホスト材料として具体的には以下のような化合物を使用することができる。 These hole transporting compounds and electron transporting compounds are preferably used as host materials in the light-emitting layer, but specifically, the following compounds can be used as host materials.
発光層15の形成法としては、湿式成膜法、真空蒸着法が挙げられるが、均質で欠陥がない薄膜を容易に得られる点や、形成のための時間が短くて済む点から、低分子系の材料を用いて湿式成膜法で発光層15を形成することが好ましい。 Examples of the method for forming the light emitting layer 15 include a wet film forming method and a vacuum evaporation method. However, a low molecular weight can be obtained because a thin film that is homogeneous and free from defects can be easily obtained and the time required for forming the light emitting layer 15 is short. It is preferable to form the light emitting layer 15 by a wet film forming method using a system material.
湿式成膜法により発光層15を形成する場合、上述の材料を適切な溶剤に溶解させて発光層形成用組成物を調製し、それを上述の正孔注入層13の上に塗布・成膜し、乾燥して溶剤を除去することにより形成する。 When the light emitting layer 15 is formed by a wet film forming method, the above-described material is dissolved in an appropriate solvent to prepare a light emitting layer forming composition, which is applied and formed on the hole injection layer 13. And drying to remove the solvent.
成膜の手法は制限されないが、発光層形成用組成物の成分や下地となる電荷輸送膜や正孔注入層13の性質等に応じて、スピンコート法、スプレー法等の塗布法や、インクジェット法、スクリーン法等の印刷法等を任意に選択して用いることが可能である。 The method of film formation is not limited, but depending on the components of the composition for forming the light emitting layer and the properties of the charge transport film and the hole injection layer 13 as a base, a coating method such as a spin coating method and a spray method, an inkjet method, etc. A printing method such as a printing method or a screen method can be arbitrarily selected and used.
湿式成膜法により成膜を行なった場合、成膜後に乾燥処理等を行なう。
乾燥処理の手法は特に制限されないが、例としては自然乾燥、加熱乾燥、減圧乾燥等が挙げられる。また、加熱乾燥と減圧乾燥とを組み合わせて実施してもよい。
In the case where film formation is performed by a wet film formation method, a drying process or the like is performed after film formation.
The method for the drying treatment is not particularly limited, and examples include natural drying, heat drying, and reduced pressure drying. Moreover, you may implement combining heat drying and reduced pressure drying.
加熱乾燥を行なう場合、その手法の例としては、ホットプレート、オーブン、赤外線照射、電波照射等が挙げられる。
加熱乾燥を行なう場合、加熱温度としては、通常は室温以上、好ましくは50℃以上、また、通常300℃以下、好ましくは260℃以下の範囲が望ましい。なお、加熱乾燥時の温度は一定でもよいが、変動してもよい。
In the case of performing heat drying, examples of the method include hot plate, oven, infrared irradiation, radio wave irradiation and the like.
When heat drying is performed, the heating temperature is usually room temperature or higher, preferably 50 ° C. or higher, and usually 300 ° C. or lower, preferably 260 ° C. or lower. In addition, the temperature at the time of heat drying may be constant, but may vary.
減圧乾燥を行なう場合、乾燥時の圧力としては、通常は常圧以下、好ましくは10kPa以下、より好ましくは1kPa以下の範囲が望ましい。
乾燥処理の時間は、通常1秒以上、好ましくは10秒以上、より好ましくは30秒以上、また、通常100時間以下、好ましくは24時間以下、より好ましくは3時間以下の範囲が望ましい。
When drying under reduced pressure, the pressure during drying is usually normal pressure or lower, preferably 10 kPa or lower, more preferably 1 kPa or lower.
The drying treatment time is usually 1 second or longer, preferably 10 seconds or longer, more preferably 30 seconds or longer, and usually 100 hours or shorter, preferably 24 hours or shorter, more preferably 3 hours or shorter.
発光層15の厚さは制限されないが、通常5nm以上、好ましくは20nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは100nm以下の範囲が望ましい。発光層15が薄過ぎると発光効率が低下したり、寿命が短くなる場合があり、厚過ぎると素子の電圧が高くなる場合がある。 The thickness of the light emitting layer 15 is not limited, but is usually in the range of 5 nm or more, preferably 20 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 100 nm or less. If the light emitting layer 15 is too thin, the light emission efficiency may be reduced and the life may be shortened. If the light emitting layer 15 is too thick, the voltage of the device may be increased.
なお、発光層15は単一の層からなる構成としてもよいが、複数の層が積層された構成としてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいが、異なる材料からなる層であってもよい。 The light emitting layer 15 may have a single layer structure, or may have a structure in which a plurality of layers are stacked. In the latter case, the plurality of layers may be layers made of the same material, but may be layers made of different materials.
[2−6.電子注入層]
発光層15の上には、電子注入層16が形成される。
電子注入層16は、陰極17から注入された電子を効率よく発光層15へ注入する役割を果たす。
[2-6. Electron injection layer]
An electron injection layer 16 is formed on the light emitting layer 15.
The electron injection layer 16 serves to efficiently inject electrons injected from the cathode 17 into the light emitting layer 15.
電子注入を効率よく行なうために、電子注入層16を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。
この場合、電子注入層16の厚さは、通常0.1nm以上、好ましくは0.5nm以上、また、通常5nm以下、好ましくは2nm以下の範囲が望ましい。
In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer 16 is preferably a metal having a low work function. Examples include alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium.
In this case, the thickness of the electron injection layer 16 is usually in the range of 0.1 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 5 nm or less, preferably 2 nm or less.
更に、例えばバソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物;8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。 Further, for example, nitrogen-containing heterocyclic compounds such as bathophenanthroline; organic electron transport materials represented by metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline are doped with alkali metals such as sodium, potassium, cesium, lithium and rubidium (Described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-1000047, JP-A-2002-1000048, etc.) makes it possible to improve electron injection / transport properties and achieve excellent film quality. Therefore, it is preferable.
この場合、電子注入層16の厚さは、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常200nm以下、好ましくは100nm以下の範囲が望ましい。 In this case, the thickness of the electron injection layer 16 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.
これらの電子注入層16の材料は、何れか1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 Any one of these materials for the electron injection layer 16 may be used, or two or more may be used in any combination and ratio.
電子注入層16は、湿式成膜法或いは真空蒸着法により、発光層15上に積層することにより形成される。 The electron injection layer 16 is formed by laminating on the light emitting layer 15 by a wet film formation method or a vacuum deposition method.
湿式成膜法の詳細は、上述の発光層15の場合と同様である。
一方、真空蒸着法の場合には、真空容器内に設置されたるつぼ又は金属ボートに蒸着源を入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、るつぼ又は金属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼ又は金属ボートと向き合って置かれた基板11上の発光層15上に電子注入層16を形成する。
The details of the wet film forming method are the same as in the case of the light emitting layer 15 described above.
On the other hand, in the case of the vacuum deposition method, a deposition source is put into a crucible or a metal boat installed in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa with an appropriate vacuum pump, and then the crucible or metal The boat is heated and evaporated to form an electron injection layer 16 on the light emitting layer 15 on the substrate 11 placed facing the crucible or metal boat.
電子注入層16としてのアルカリ金属の蒸着は、クロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロムに充填したアルカリ金属ディスペンサーを用いて行なう。このディスペンサーを真空容器内で加熱することにより、クロム酸アルカリ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発される。 The alkali metal is deposited as the electron injection layer 16 by using an alkali metal dispenser in which nichrome is filled with an alkali metal chromate and a reducing agent. By heating the dispenser in a vacuum container, the alkali metal chromate is reduced and the alkali metal is evaporated.
有機電子輸送材料とアルカリ金属とを共蒸着する場合は、有機電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、各々のるつぼ及びディスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、るつぼ及びディスペンサーと向き合って置かれた基板上に電子注入層16を形成する。
このとき、通常は電子注入層16の膜厚方向において均一に共蒸着されるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。
In the case of co-evaporating the organic electron transport material and the alkali metal, the organic electron transport material is put in a crucible installed in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump. Each crucible and dispenser are simultaneously heated and evaporated to form an electron injection layer 16 on the substrate placed facing the crucible and dispenser.
At this time, normally, the co-evaporation is uniformly performed in the film thickness direction of the electron injection layer 16, but there may be a concentration distribution in the film thickness direction.
なお、電子注入層16は単一の層からなる構成としてもよいが、複数の層が積層された構成としてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいが、異なる材料からなる層であってもよい。 Note that the electron injection layer 16 may be composed of a single layer, or may be composed of a plurality of layers. In the latter case, the plurality of layers may be layers made of the same material, but may be layers made of different materials.
[2−6.陰極]
電子注入層16の上には、陰極17が形成される。
陰極17は、発光層15側の層(電子注入層16又は発光層15など)に電子を注入する役割を果たす。
[2-6. cathode]
A cathode 17 is formed on the electron injection layer 16.
The cathode 17 plays a role of injecting electrons into a layer on the light emitting layer 15 side (such as the electron injection layer 16 or the light emitting layer 15).
陰極17の材料としては、前記の陽極12に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましい。仕事関数の低い金属の例としては、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等、又はそれらの合金が挙げられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等が挙げられる。
これらの陰極17の材料は、何れか1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
As a material of the cathode 17, the material used for the anode 12 can be used. However, a metal having a low work function is preferable for efficient electron injection. Examples of the metal having a low work function include tin, magnesium, indium, calcium, aluminum, silver, or an alloy thereof. Examples of the alloy include a magnesium-silver alloy, a magnesium-indium alloy, and an aluminum-lithium alloy.
Any one of these cathode 17 materials may be used, or two or more may be used in any combination and ratio.
陰極17の厚さは制限されないが、通常は陽極12と同様である。
なお、陰極17は単一の層からなる構成としてもよいが、複数の層が積層された構成としてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいが、異なる材料からなる層であってもよい。
The thickness of the cathode 17 is not limited, but is usually the same as that of the anode 12.
The cathode 17 may be composed of a single layer, but may be composed of a plurality of layers. In the latter case, the plurality of layers may be layers made of the same material, but may be layers made of different materials.
[2−7.正孔阻止層]
図2(a)に示す有機電界発光素子10の構成において、発光層15と電子注入層16との間に正孔阻止層18を設けることも可能である。以下、この実施形態について以下に説明する。
[2-7. Hole blocking layer]
In the configuration of the
図2(b)は、本発明の更に別の実施形態に係る有機電界発光素子10’の層構成を模式的に示す断面図である。図2(b)に示す有機電界発光素子10’は、基板11の上に、陽極12、正孔注入層13、電荷輸送膜14、発光層15、正孔阻止層18、電子注入層16及び陰極17を、この順に積層することにより構成される。
FIG. 2B is a cross-sectional view schematically showing a layer configuration of an
なお、図2(b)において、図2(a)と同じ符号を用いて示した有機電界発光素子10’の構成要素、即ち基板11、陽極12、正孔注入層13、電荷輸送膜14、発光層15、電子注入層16及び陰極17の構成や形成方法等の詳細は、図2(a)の有機電界発光素子1の場合と同様であるので、その説明は省略する。
2B, components of the
正孔阻止層18は、発光層15上に、発光層15の陰極17側の界面と接するように積層されるが、陽極12から移動してくる正孔が陰極17に到達するのを阻止する役割と、陰極17から注入された電子を効率よく発光層15の方向に輸送する役割とを有する化合物(これを「正孔阻止材料」という。)により形成される。 The hole blocking layer 18 is stacked on the light emitting layer 15 so as to be in contact with the interface on the cathode 17 side of the light emitting layer 15, but prevents holes moving from the anode 12 from reaching the cathode 17. It is formed of a compound having a role and a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode 17 in the direction of the light emitting layer 15 (this is referred to as a “hole blocking material”).
正孔阻止層18を構成する材料(正孔阻止材料)に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。 The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer 18 (hole blocking material) include high electron mobility and low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet. It can be mentioned that the term level (T1) is high.
これらの条件を満たす正孔阻止材料としては、ビス(2−メチル−8−キノリノラト),(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト),(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996号公報)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)が挙げられる。更に、国際公開第2005−022962号パンフレットに記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も、正孔阻止材料として好ましい。 As a hole blocking material satisfying these conditions, mixed arrangements of bis (2-methyl-8-quinolinolato), (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato), (triphenylsilanolato) aluminum, etc. Ligand complexes, metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, styryl compounds such as distyrylbiphenyl derivatives ( JP-A-11-242996), triazole derivatives such as 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (JP-A-7-41759) And phenanthroline derivatives such as bathocuproine (Japanese Patent Laid-Open No. 10-79297). Furthermore, a compound having at least one pyridine ring substituted at the 2,4,6-positions described in International Publication No. 2005-022962 is also preferable as the hole blocking material.
正孔阻止材料の具体例としては、以下に挙げる構造の化合物が挙げられる。
これらの正孔阻止材料は、何れか1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 Any one of these hole blocking materials may be used, or two or more of them may be used in any combination and ratio.
正孔阻止層18も、発光層15と同様、湿式成膜法を用いて形成することもできるが、通常は真空蒸着法により形成される。真空蒸着法の手順の詳細は、上述の電子注入層16の場合と同様である。 The hole blocking layer 18 can also be formed by a wet film formation method, as with the light emitting layer 15, but is usually formed by a vacuum evaporation method. Details of the procedure of the vacuum deposition method are the same as those of the electron injection layer 16 described above.
正孔阻止層18の厚さは制限されないが、通常0.5nm以上、好ましくは1nm以上、また、通常100nm以下、好ましくは50nm以下の範囲が望ましい。正孔阻止層18が薄過ぎると、正孔阻止能力不足による発光効率の低下が生じる場合があり、正孔阻止層18が厚過ぎると、素子の電圧が高くなる場合がある。 The thickness of the hole blocking layer 18 is not limited, but is usually 0.5 nm or more, preferably 1 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less. If the hole blocking layer 18 is too thin, the light emission efficiency may be reduced due to insufficient hole blocking capability, and if the hole blocking layer 18 is too thick, the voltage of the device may increase.
なお、正孔阻止層18は単一の層からなる構成としてもよいが、複数の層が積層された構成としてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいが、異なる材料からなる層であってもよい。 The hole blocking layer 18 may be composed of a single layer, or may be composed of a plurality of layers stacked. In the latter case, the plurality of layers may be layers made of the same material, but may be layers made of different materials.
[2−8.電子輸送層]
図2(a)に示す有機電界発光素子10の構成において、発光層15と電子注入層16との間に電子輸送層19を設けることも可能である。以下、この実施形態について以下に説明する。
[2-8. Electron transport layer]
In the configuration of the
図2(c)は、本発明の更に別の実施形態に係る有機電界発光素子10”の層構成を模式的に示す断面図である。図2(c)に示す有機電界発光素子10”は、基板11の上に、陽極12、正孔注入層13、電荷輸送膜14、発光層15、電子輸送層19、電子注入層16及び陰極17を、この順に積層することにより構成される。
FIG. 2C is a cross-sectional view schematically showing a layer structure of an
なお、図2(c)において、図2(a)と同じ符号を用いて示した有機電界発光素子10”の構成要素、即ち基板11、陽極12、正孔注入層13、電荷輸送膜14、発光層15、電子注入層16及び陰極17の構成や形成方法等の詳細は、図2(a)の有機電界発光素子10の場合と同様であるので、その説明は省略する。
2C, the constituent elements of the
電子輸送層19は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において、陰極17から注入された電子を効率よく発光層15の方向に輸送することができる化合物より形成される。 The electron transport layer 19 is provided for the purpose of further improving the light emission efficiency of the device, and efficiently transports electrons injected from the cathode 17 toward the light emitting layer 15 between electrodes to which an electric field is applied. Formed from a compound that can.
電子輸送層19に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極17又は電子注入層16からの電子注入効率が高く、且つ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物(即ち、電子輸送材料)を用いる。 As the electron transporting compound used for the electron transport layer 19, usually, the electron injection efficiency from the cathode 17 or the electron injection layer 16 is high, and the injected electrons having high electron mobility are efficiently transported. A compound that can be used (that is, an electron transport material) is used.
電子輸送材料の例としては、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−又は5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5645948号明細書)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。 Examples of electron transport materials include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives, distyrylbiphenyl. Derivatives, silole derivatives, 3- or 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compounds (JP-A-6-207169) Phenanthroline derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 5-33159), 2-t-butyl-9,10-N, N′-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, n-type Examples include zinc selenide.
なお、これらの電子輸送材料は、1種のみを単独で用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 In addition, these electron transport materials may be used alone or in combination of two or more in any combination and ratio.
電子輸送層19の形成方法に制限は無い。電子輸送層19は発光層15と同様、湿式成膜法を用いて形成することもできるが、通常は真空蒸着法により形成される。真空蒸着法の手順の詳細は、電子注入層16の場合と同様である。 There is no restriction | limiting in the formation method of the electron carrying layer 19. FIG. The electron transport layer 19 can be formed using a wet film formation method, as with the light emitting layer 15, but is usually formed by a vacuum deposition method. The details of the procedure of the vacuum deposition method are the same as those of the electron injection layer 16.
電子輸送層19の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常1nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常300nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。 The film thickness of the electron transport layer 19 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.
[2−9.その他]
以上、本発明の製造方法の詳細について、図2(a)〜(c)に示す有機電界発光素子10、10’、10”を製造する場合を例として説明したが、本発明の製造方法の詳細は、上記説明によって限定されるものではない。
[2-9. Others]
As mentioned above, although the detail of the manufacturing method of this invention was demonstrated taking the case of manufacturing the
例えば、本発明の製造方法により製造される有機電界発光素子の構成は、図2(a)〜(c)の有機電界発光素子10、10’、10”の構成に制限されるものではなく、有機電界発光素子10、10’、10”の構成に対して任意の変更を加えた構成であってもよい。
For example, the configuration of the organic electroluminescent device manufactured by the manufacturing method of the present invention is not limited to the configuration of the
変更の例として、図2(a)に示す有機電界発光素子10に対し、図2(b)に示す正孔阻止層18、及び図2(c)に示す電子輸送層19のうち二以上の層を組み合わせて設けた構成が挙げられる。
As an example of the change, two or more of the hole blocking layer 18 shown in FIG. 2B and the electron transport layer 19 shown in FIG. 2C are used for the
また、別の変更の例として、図2(a)〜(c)に示す有機電界発光素子10、10’、10”の層構成において、その積層順を変更した構成や、一又は二以上の層を付加又は省略した構成等が挙げられる。
In addition, as another example of the change, in the layer configuration of the organic
積層順の異なる構成の例としては、図2(a)〜(c)に示す有機電界発光素子10、10’、10”の層構成において、基板11に対して他の各層を、有機電界発光素子10、10’、10”とは逆の順に積層した構成等が挙げられる。
As an example of the configuration in which the stacking order is different, in the layer configuration of the organic
別の層を付加した構成の例としては、正孔注入の効率を更に向上させ、かつ、有機層全体の陽極12への付着力を改善させる目的で、陽極12と正孔注入層13との間に陽極バッファ層を設けた構成や、低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、陰極17の上に、更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層(例えばアルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等からなる層)を設けた構成等が挙げられる。 As an example of a configuration in which another layer is added, for the purpose of further improving the efficiency of hole injection and improving the adhesion of the entire organic layer to the anode 12, For the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal with a configuration in which an anode buffer layer is provided between them, a metal layer (for example, aluminum, silver, The structure etc. which provided the layer which consists of copper, nickel, chromium, gold | metal | money, platinum, etc. are mentioned.
更には、少なくとも一方が透明性を有する2枚の基板の間に、上述の基板11以外の構成要素を順次積層することにより、有機電界発光素子10、10’、10”を構成することも可能である。
Furthermore, organic
また、上述の各種の有機電界発光素子10、10’、10”を構成する層のうち、基板2以外の層からなるユニット(発光ユニット)を複数段重ねた構造(複数の発光ユニットを積層した構造)とすることも可能である。その場合には、各段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合は、それら2層)の代わりに、例えば五酸化バナジウム(V2O5)等からなる電荷発生層(Carrier Generation Layer:CGL)を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
In addition, among the above-described various organic
また、上述の各種層構成を有する有機電界発光素子10、10’、10”を、単一の有機電界発光素子10、10’、10”として構成してもよいが、複数の有機電界発光素子10、10’、10”がアレイ状に配置された構成としてもよい。このような構成の例としては、陽極12と陰極17とがX−Yマトリックス状に配置された構成が挙げられる。なお、アレイ状に配置された複数の有機電界発光素子10、10’、10”が、一又は二以上の層、例えば基板11を共有する構成としてもよい。
このような有機電界発光素子は、発光装置に備えられるフラットパネルディスプレイや光源として用いられる。
In addition, the organic
Such an organic electroluminescent element is used as a flat panel display or a light source provided in a light emitting device.
[3.有機ELディスプレイ]
本発明の有機電界発光素子は、有機ELディスプレイに使用することができる。本発明により得られる有機電界発光素子は、例えば、「有機ELディスプレイ」(オーム社,平成16年8月20日発行,時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法で有機ELディスプレイを形成することができる。
[3. Organic EL display]
The organic electroluminescent element of the present invention can be used for an organic EL display. The organic electroluminescent device obtained by the present invention is described in, for example, “Organic EL Display” (Ohm, August 20, 2004, written by Shizushi Tokito, Chiba Adachi, and Hideyuki Murata). An organic EL display can be formed by the method.
[4.本発明の利点]
本発明の電荷輸送膜を備えた有機電界発光素子は、従来の有機電界発光素子よりも長寿命である。
また、本発明の電荷輸送膜は通常は電荷の輸送能が高く、かつ、耐電圧・電流性に優れるため、これを用いて製造された有機電界発光素子は、通常、高い耐久性を有する。
[4. Advantages of the present invention]
The organic electroluminescent device provided with the charge transport film of the present invention has a longer lifetime than the conventional organic electroluminescent device.
In addition, since the charge transport film of the present invention usually has a high charge transport capability and is excellent in voltage resistance and current resistance, an organic electroluminescent device produced using the same usually has high durability.
以下、実施例を示して本発明について具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で任意に変更して実施できる。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples, and can be arbitrarily modified without departing from the gist of the present invention.
[合成例1:目的物1の合成]
窒素気流中、試薬1[N−(4−ビフェニル)−N−(4−メトキシ)アミン](5.78g)、試薬2[4−ヨード−4’−メトキシビフェニル](7.16g)、銅(1.87g)、炭酸カリウム(5.80g)、およびテトラグライム(15ml)を、200℃に加熱下、10時間撹拌した。放冷後、クロロホルム(200ml)を加えて、攪拌した後、不溶物を濾別し、濾液を濃縮した。得られた固形分をエタノールで懸濁洗浄し、目的物1(7.10g)を得た。 In a nitrogen stream, reagent 1 [N- (4-biphenyl) -N- (4-methoxy) amine] (5.78 g), reagent 2 [4-iodo-4′-methoxybiphenyl] (7.16 g), copper (1.87 g), potassium carbonate (5.80 g), and tetraglyme (15 ml) were stirred at 200 ° C. for 10 hours. After allowing to cool, chloroform (200 ml) was added and stirred, and then insoluble matters were filtered off, and the filtrate was concentrated. The obtained solid was suspended and washed with ethanol to obtain Target 1 (7.10 g).
[合成例2:目的物2の合成]
窒素気流中、目的物1(6.86g)、およびジクロロメタン(100ml)を、0℃に冷却し、三臭化ホウ素の1M塩化メチレン溶液(35ml)を滴下した。室温まで昇温し、2時間攪拌した。重曹水を加えた後、酢酸エチルで抽出して、有機層を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトフラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=1/1)によって精製し、目的物2(3.68g)を得た。EI−MS(m/z=429(M+))により、生成物が目的物2であることを確認した。
The target product 1 (6.86 g) and dichloromethane (100 ml) were cooled to 0 ° C. in a nitrogen stream, and a 1M methylene chloride solution of boron tribromide (35 ml) was added dropwise. The mixture was warmed to room temperature and stirred for 2 hours. After adding sodium bicarbonate water, the mixture was extracted with ethyl acetate, the organic layer was concentrated, and purified by silica gel column chromatography (hexane / ethyl acetate = 1/1) to obtain the desired product 2 (3.68 g). By EI-MS (m / z = 429 (M + )), it was confirmed that the product was the
[合成例3:目的物3(h1)の合成]
窒素気流中、水酸化カリウム(3.25g)とジメチルスルホキシド(100ml)を、室温で15分撹拌し、目的物2(5.00g)を加え、室温で15分攪拌し、3−(4−ブロモブトキシメチル)−3−メチルオキセタン(6.90g)を加え、室温で8時間攪拌した。塩化メチレン(200ml)及び水(200ml)を加えて、攪拌した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル混合液)で精製することにより、目的物3(4.2g)を得た。DEI−MS(m/z=741(M+))により、生成物が目的物3であることを確認した。
In a nitrogen stream, potassium hydroxide (3.25 g) and dimethyl sulfoxide (100 ml) were stirred at room temperature for 15 minutes, target product 2 (5.00 g) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 15 minutes. Bromobutoxymethyl) -3-methyloxetane (6.90 g) was added and stirred at room temperature for 8 hours. After adding methylene chloride (200 ml) and water (200 ml) and stirring, the organic layer was dried over magnesium sulfate, concentrated and purified by silica gel chromatography (hexane / ethyl acetate mixture) to obtain the target compound 3 (4.2 g) was obtained. It was confirmed by DEI-MS (m / z = 741 (M + )) that the product was the
[合成例4:目的物4の合成]
DCスターラー、滴下漏斗、および冷却管を装備した4口フラスコに、50重量%水酸化ナトリウム水溶液(300g)とヘキサン(250mL)の混合溶液を加え、テトラn−ブチルアンモニウムブロマイド(TBABr)(4.98g、15.5mmol)を添加した。混合物を5℃まで冷却後、メチルオキセタンメタノール(31g)と1,4−ジブロモブタン(200g)の混合物を激しく攪拌しながら滴下した。滴下終了後、室温で15分間攪拌し、さらに還流下、15分間攪拌し、室温まで放冷しながら15分間攪拌した。有機層を分離し、有機層を水洗して硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下に除去し、減圧蒸留(0.42mmHg、72℃)にて3−(4−ブロモブトキシメチル)−3−メチルオキセタン(52.2g)を得た。 To a four-necked flask equipped with a DC stirrer, dropping funnel, and condenser, a mixed solution of 50% by weight aqueous sodium hydroxide (300 g) and hexane (250 mL) was added, and tetra n-butylammonium bromide (TBABr) (4. 98 g, 15.5 mmol) was added. After cooling the mixture to 5 ° C., a mixture of methyl oxetane methanol (31 g) and 1,4-dibromobutane (200 g) was added dropwise with vigorous stirring. After completion of dropping, the mixture was stirred for 15 minutes at room temperature, further stirred for 15 minutes under reflux, and stirred for 15 minutes while being allowed to cool to room temperature. The organic layer is separated, the organic layer is washed with water and dried over magnesium sulfate, the solvent is removed under reduced pressure, and 3- (4-bromobutoxymethyl) -3- is obtained by distillation under reduced pressure (0.42 mmHg, 72 ° C.). Methyl oxetane (52.2 g) was obtained.
窒素気流中、ジメチルスルホキシド(50ml)に粉砕した水酸化カリウム(8.98g)を加え、次いでm−ブロモフェノール(6.92g)を加えて30分間撹拌後、3−(4−ブロモブトキシメチル)−3−メチルオキセタン(12.33g)を加えて室温で6時間撹拌した。析出物を濾取した後、塩化メチレンで抽出してオイル層を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン/塩化メチレン混合液)で精製することにより、目的物4(11.4g)を得た。 In a nitrogen stream, pulverized potassium hydroxide (8.98 g) was added to dimethyl sulfoxide (50 ml), then m-bromophenol (6.92 g) was added, stirred for 30 minutes, and then 3- (4-bromobutoxymethyl). -3-Methyloxetane (12.33 g) was added and stirred at room temperature for 6 hours. The precipitate was collected by filtration, extracted with methylene chloride, the oil layer was concentrated, and purified by silica gel chromatography (hexane / methylene chloride mixed solution) to obtain the desired product 4 (11.4 g).
[合成例5:目的物5(h2)の合成]
窒素気流中、N,N’−ビス(4−ビフェニル)アミン(4.69g)、目的物4(4.00g)、tert−ブトキシナトリウム(1.63g)、およびトルエン(90ml)の溶液に、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)クロロホルム錯体(0.063g)、トリ−tert−ブチルホスフィン(0.098g)、およびトルエン(10ml)を窒素雰囲気下、60℃で15分間攪拌して調製した溶液を加えて、85℃に加熱下、4時間攪拌した。放冷後、トルエン及び活性白土を加え、室温で15分間攪拌した後、不溶物を濾別し、濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(塩化メチレン溶媒)で精製し、トルエン溶媒で活性白土処理を行うことにより、目的物5(2.61g)を得た。
このもののガラス転移温度は14℃であり、融点は観測されず、窒素気流下での重量減少開始温度は404℃であった。
また、DEI−MS(m/z=569(M+))により、生成物が目的物5であることを確認した。
To a solution of N, N′-bis (4-biphenyl) amine (4.69 g), target product 4 (4.00 g), tert-butoxy sodium (1.63 g), and toluene (90 ml) in a nitrogen stream, Prepared by stirring tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) chloroform complex (0.063 g), tri-tert-butylphosphine (0.098 g), and toluene (10 ml) at 60 ° C. for 15 minutes in a nitrogen atmosphere. The solution was added and stirred at 85 ° C. for 4 hours. After allowing to cool, toluene and activated clay are added, and the mixture is stirred at room temperature for 15 minutes. Insoluble matters are filtered off, the filtrate is concentrated, purified by silica gel column chromatography (methylene chloride solvent), and treated with activated clay. To obtain the intended product 5 (2.61 g).
The glass transition temperature of this product was 14 ° C., the melting point was not observed, and the weight loss starting temperature under a nitrogen stream was 404 ° C.
In addition, it was confirmed by DEI-MS (m / z = 569 (M + )) that the product was the
[合成例6:目的物6の合成]
窒素気流中、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(2.74g)、目的物4(9.00g)、tert−ブトキシナトリウム(3.69g)、およびトルエン(50ml)の溶液に、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)クロロホルム錯体(0.071g)、ビス(トリフェニルフォスフィノ)フェロセン(0.152g)、およびトルエン(5ml)を窒素雰囲気下、60℃で15分間攪拌して調製した溶液を加えて、85℃に加熱下、2時間攪拌した。放冷後、トルエンおよび活性白土を加え15分間攪拌した後、不溶物を濾別、濾液を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(酢酸エチル/塩化メチレン混合液)で精製することにより、目的物6(6.52g)を得た。 To a solution of 3,4'-diaminodiphenyl ether (2.74 g), target compound 4 (9.00 g), tert-butoxy sodium (3.69 g), and toluene (50 ml) in a nitrogen stream, tris (dibenzylideneacetone ) A solution prepared by stirring dipalladium (0) chloroform complex (0.071 g), bis (triphenylphosphino) ferrocene (0.152 g), and toluene (5 ml) at 60 ° C. for 15 minutes in a nitrogen atmosphere. In addition, the mixture was stirred at 85 ° C. for 2 hours. After allowing to cool, toluene and activated clay were added, and the mixture was stirred for 15 minutes. The insoluble material was filtered off, the filtrate was concentrated, and purified by silica gel chromatography (ethyl acetate / methylene chloride mixed solution) to obtain the target compound 6 (6 .52 g) was obtained.
[合成例7:目的物7の合成]
窒素気流中、水酸化カリウム(49.4g)、ジメチルスルホキシド(220ml)の混合溶液に、1−ブロモヘキサン(28.1ml)、3−ブロモフェノール(36.3g)を順次投入し、室温で8時間撹拌した。反応溶液に水350mlを加えて得られた溶液から、塩化メチレン(450ml)で抽出し、抽出液を食塩水で2回洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン)で精製し、無色の液体として、目的物7(44.3g)を得た。 In a nitrogen stream, 1-bromohexane (28.1 ml) and 3-bromophenol (36.3 g) were sequentially added to a mixed solution of potassium hydroxide (49.4 g) and dimethyl sulfoxide (220 ml) at room temperature. Stir for hours. A solution obtained by adding 350 ml of water to the reaction solution was extracted with methylene chloride (450 ml), and the extract was washed twice with brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and concentrated. This was purified by silica gel column chromatography (hexane) to give the intended product 7 (44.3 g) as a colorless liquid.
[合成例8:目的物8の合成]
窒素気流中、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)クロロホルム錯体(0.673g)、ビス(トリフェニルフォスフィノ)フェロセン(0.708g)、およびトルエン(455ml)を、室温で10分間攪拌して得た溶液に、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(13.02g)、目的物7(33.10g)、tert−ブトキシナトリウム(14.99g)を順次投入し、90℃の油浴中、6時間攪拌した。放冷後、酢酸エチル1リットルと食塩水500mlを加え、振り混ぜた後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/塩化メチレン混合液)および塩化メチレン/メタノールからの再結晶により精製し、目的物8の白色結晶(21.44g)を得た。
In a nitrogen stream, tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) chloroform complex (0.673 g), bis (triphenylphosphino) ferrocene (0.708 g), and toluene (455 ml) were stirred at room temperature for 10 minutes. 3,4'-diaminodiphenyl ether (13.02 g), target product 7 (33.10 g), and tert-butoxy sodium (14.99 g) were sequentially added to the solution obtained in the above, Stir for hours. After standing to cool, 1 liter of ethyl acetate and 500 ml of brine were added and shaken. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate and concentrated. From silica gel column chromatography (hexane / methylene chloride mixture) and methylene chloride / methanol. To obtain white crystals (21.44 g) of the
[合成例9:目的物9(H4)の合成]
窒素気流中、目的物6(0.840g)、目的物8(6.00g)、4,4’−ジブロモブフェニル(3.76g)、tert−ブトキシナトリウム(3.26g)、およびトルエン(60ml)の溶液に、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)クロロホルム錯体(0.125g)、トリ−tert−ブチルフォスフィン(0.196g)、およびトルエン(5ml)を、窒素雰囲気下、60℃で15分間攪拌して調製した溶液を加えて、加熱還流下、2時間攪拌した。続いて、ブロモベンゼン(0.190g)およびトルエン(25ml)を加え、加熱還流下、1時間攪拌した。続いて、ジフェニルアミン(0.410g)を加え、加熱還流下、1.5時間攪拌した。放冷後、トルエンおよび活性白土を加え15分間攪拌した後、不溶物を濾別、濾液を濃縮し、塩化メチレンを加え、メタノールに再沈殿させた。沈殿物を濾取後、トルエンに溶解させた溶液に、活性白土を加え15分間攪拌した後、不溶物を濾別、濾液を濃縮し、塩化メチレンを加え、メタノールに再沈殿させた。沈殿物を濾取後、減圧乾燥することにより、目的物9(2.74g)を得た。この高分子化合物の重量平均分子量(Mw)は158000、数平均分子量(Mn)31000であった。 In a nitrogen stream, target product 6 (0.840 g), target product 8 (6.00 g), 4,4′-dibromobutphenyl (3.76 g), tert-butoxy sodium (3.26 g), and toluene (60 ml) ), Tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) chloroform complex (0.125 g), tri-tert-butylphosphine (0.196 g), and toluene (5 ml) at 60 ° C. under a nitrogen atmosphere. The solution prepared by stirring for 15 minutes was added and stirred for 2 hours under reflux with heating. Subsequently, bromobenzene (0.190 g) and toluene (25 ml) were added, and the mixture was stirred for 1 hour with heating under reflux. Subsequently, diphenylamine (0.410 g) was added, and the mixture was stirred for 1.5 hours with heating under reflux. After allowing to cool, toluene and activated clay were added and stirred for 15 minutes. The insoluble material was filtered off, the filtrate was concentrated, methylene chloride was added, and reprecipitation was carried out in methanol. After the precipitate was collected by filtration, activated clay was added to the solution dissolved in toluene, and the mixture was stirred for 15 minutes. The insoluble matter was filtered off, the filtrate was concentrated, methylene chloride was added, and the mixture was reprecipitated in methanol. The precipitate was collected by filtration and dried under reduced pressure to give the intended product 9 (2.74 g). The polymer compound had a weight average molecular weight (Mw) of 158,000 and a number average molecular weight (Mn) of 31,000.
なお、一般に、下記式(I)で表される繰り返し単位を得るためのモノマーが非対称構造であるため、通常、前記のモノマーにより高分子化合物を合成すると、式(I)で表される繰り返し単位と、下記式(I’)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が得られる。目的物9もこのような高分子化合物に該当するが、ここでは、式(I)に対応する構造式のみを記載している。
[合成例10:目的物10(H6)の合成]
(化合物1)
(Compound 1)
2−ニトロフルオレン(25.0g)、1−ブロモヘキサン(58.61g)、テトラブチルアモンニウムブロマイド(TBAB)(7.63g)、ジメチルスルホキシド(DMSO)(220ml)に水酸化ナトリウム水溶液(17M)35mlをゆっくり滴下し、室温で3時間反応した。酢酸エチル(200ml)および水(100ml)を加え攪拌後、分液し、水層を酢酸エチル(100ml×2回)で抽出し、有機層を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。さらに、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/酢酸エチル混合液)で精製することにより、化合物1(44.0g)を得た。 2-Nitrofluorene (25.0 g), 1-bromohexane (58.61 g), tetrabutylammonium bromide (TBAB) (7.63 g), dimethyl sulfoxide (DMSO) (220 ml) and aqueous sodium hydroxide solution (17M) 35 ml was slowly added dropwise and reacted at room temperature for 3 hours. Ethyl acetate (200 ml) and water (100 ml) were added and stirred, and the layers were separated. The aqueous layer was extracted with ethyl acetate (100 ml × 2 times), and the organic layers were combined, dried over magnesium sulfate, and concentrated. Furthermore, the compound 1 (44.0g) was obtained by refine | purifying with silica gel column chromatography (n-hexane / ethyl acetate liquid mixture).
(モノマー1)
化合物1(44.0g)、テトラヒドロフラン(THF)(120ml)、エタノール(EtOH)(120ml)に10%Pd/C(8.6g)を加え、50℃に昇温後、ヒドラジン・1水和物(58.0g)をゆっくり滴下し、50℃で3時間反応した。放冷後、反応液を、セライトを通して濾過し、濾液を濃縮後、析出した結晶をメタノールで洗浄した。減圧濾過、乾燥することにより、モノマー1(34.9g)を得た。 10% Pd / C (8.6 g) was added to Compound 1 (44.0 g), tetrahydrofuran (THF) (120 ml) and ethanol (EtOH) (120 ml), and the temperature was raised to 50 ° C., followed by hydrazine monohydrate. (58.0 g) was slowly added dropwise and reacted at 50 ° C. for 3 hours. After allowing to cool, the reaction mixture was filtered through celite, the filtrate was concentrated, and the precipitated crystals were washed with methanol. Monomer 1 (34.9 g) was obtained by filtration under reduced pressure and drying.
(化合物2)
窒素気流中、3−ブロモスチレン(5.0g)、3−ニトロフェニルボロン酸(5.5g)、トルエン:エタノール(Toluene/EtOH)(80ml:40ml)、炭酸ナトリウム水溶液(2M)20mlを、60℃に加熱下、30分間撹拌し、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(Pd(PPh3)4)を加え、6時間還流した。室温まで放冷した後、反応液に塩化メチレン(100ml)および水(100ml)を加え攪拌後、分液し、水層を塩化メチレン(100ml×2回)で抽出し、有機層を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。さらに、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/塩化メチレン混合液)で精製することにより、化合物2(5.5g)を得た。 In a nitrogen stream, 3-bromostyrene (5.0 g), 3-nitrophenylboronic acid (5.5 g), toluene: ethanol (Toluene / EtOH) (80 ml: 40 ml), 20 ml of aqueous sodium carbonate (2M), The mixture was stirred at 30 ° C. for 30 minutes, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (Pd (PPh 3 ) 4 ) was added, and the mixture was refluxed for 6 hours. After allowing to cool to room temperature, methylene chloride (100 ml) and water (100 ml) were added to the reaction mixture, and the mixture was stirred and separated. The aqueous layer was extracted with methylene chloride (100 ml × 2 times), and the organic layers were combined. After drying with magnesium, it was concentrated. Furthermore, the compound 2 (5.5g) was obtained by refine | purifying with silica gel column chromatography (n-hexane / methylene chloride liquid mixture).
(化合物3)
窒素気流中、化合物2(2.8g)、4−ブロモシクロブテン(3.64g)、N,N−ジメチルホルムアミド(76ml)、炭酸カリウム(2.73g)、テトラブチルアモンニウムブロマイド(TBAB)(2.67g)を、60℃に加熱下、30分間撹拌し、ビス〔μ−クロロ〔5−クロロ−2−〔(4−クロロフェニル)(ヒドロキシイミノ)メチル〕フェニル〕パラジウム〕(Pd cat./DMF)(24.1mg)を加え、130℃に加熱下、7.5時間撹拌した。室温まで放冷した後、反応液に酢酸エチルおよび水を加え攪拌後、分液、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。さらに、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/酢酸エチル混合液)で精製することにより、化合物3(1.7g)を得た。 In a nitrogen stream, compound 2 (2.8 g), 4-bromocyclobutene (3.64 g), N, N-dimethylformamide (76 ml), potassium carbonate (2.73 g), tetrabutylammonium bromide (TBAB) ( 2.67 g) is stirred at 60 ° C. for 30 minutes, and bis [μ-chloro [5-chloro-2-[(4-chlorophenyl) (hydroxyimino) methyl] phenyl] palladium] (Pd cat./ DMF) (24.1 mg) was added, and the mixture was stirred at 130 ° C. for 7.5 hours. After allowing to cool to room temperature, ethyl acetate and water were added to the reaction mixture, and the mixture was stirred and separated. The organic layer was dried over magnesium sulfate and concentrated. Furthermore, the compound 3 (1.7g) was obtained by refine | purifying with silica gel column chromatography (n-hexane / ethyl acetate mixed liquid).
(モノマー2)
窒素気流中、化合物3(1.6g)、酢酸(AcOH)(30ml)、エタノール(30ml)、塩酸(1N、1ml)、水(4ml)および還元鉄(5.5g)を1.5時間還流した。室温で反応液を濾過し、酢酸エチル(30ml)および水(30ml)を加え攪拌後、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液で中和し、分液し、水層を酢酸エチルで抽出し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。さらに、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/酢酸エチル混合液)で精製することにより、モノマー2(1.3g)を得た。 In a nitrogen stream, Compound 3 (1.6 g), acetic acid (AcOH) (30 ml), ethanol (30 ml), hydrochloric acid (1N, 1 ml), water (4 ml) and reduced iron (5.5 g) were refluxed for 1.5 hours. did. The reaction mixture was filtered at room temperature, ethyl acetate (30 ml) and water (30 ml) were added, and the mixture was stirred and neutralized with a saturated aqueous solution of sodium hydrogen carbonate. The mixture was separated, the aqueous layer was extracted with ethyl acetate, and the organic layer was sulfated. After drying with magnesium, it was concentrated. Furthermore, the monomer 2 (1.3g) was obtained by refine | purifying with silica gel column chromatography (n-hexane / ethyl acetate liquid mixture).
(化合物4)
反応容器内にフッ化カリウム(23.01g)を仕込み、減圧下、加熱乾燥と窒素置換を繰り返し系内を窒素雰囲気とした。3−ニトロフェニルボロン酸(6.68g)、4−ブロモ−ベンゾシクロブテン(7.32g)、脱水テトラヒドロフラン(50ml)を仕込み、撹拌した。そこへ、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(Pd2(dba)3)(0.21g)を加え、さらに系内を十分に窒素置換して、室温でトリ−t−ブチルホスフィン(0.47g)を加え、添加終了後、そのまま1時間攪拌させた。反応終了後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を2回水洗し、硫酸ナトリウムを加え脱水乾燥し、濃縮した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル)にて精製し、化合物4(8.21g)を得た。 Potassium fluoride (23.01 g) was charged into the reaction vessel, and heating and drying and nitrogen substitution were repeated under reduced pressure to create a nitrogen atmosphere in the system. 3-Nitrophenylboronic acid (6.68 g), 4-bromo-benzocyclobutene (7.32 g) and dehydrated tetrahydrofuran (50 ml) were charged and stirred. Thereto was added tris (dibenzylideneacetone) dipalladium chloroform complex (Pd 2 (dba) 3 ) (0.21 g), and the inside of the system was sufficiently substituted with nitrogen, and tri-t-butylphosphine (0 .47 g) was added, and the mixture was stirred for 1 hour after the addition. After completion of the reaction, water was added to the reaction solution and extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer was washed with water twice, added with sodium sulfate, dehydrated and dried, and concentrated. The crude product was purified by silica gel column chromatography (hexane / ethyl acetate) to obtain Compound 4 (8.21 g).
(化合物5)
窒素気流中、ジクロロビス(アセトニトリル)パラジウム(II)(212mg)、よう化銅(104mg)、ジオキサン(75mL)を攪拌した。この液にトリ−t−ブチルホスフィン(331mg)を添加して15分、室温で攪拌した。この溶液にジ−i−プロピルアミン(3.31g)、4−ブロモベンゾシクロブテン(5.00g)、1,7−オクタジイン(20.3g)を加えて室温下9時間攪拌した。得られた反応混合物を400Paの減圧下、バス温60℃で軽沸分を留去した後、飽和食塩水(50mL)、1N塩酸(5mL)を添加し、酢酸エチル(30mLで3回)で抽出、有機層を飽和食塩水(30mLで2回)で洗浄した。酢酸エチル層を濃縮すると粗成生物(7.7g)が得られた。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒:n−ヘキサン/酢酸エチル混合溶媒)にて精製することにより2.78gの化合物5を無色の油状物として得た。
In a nitrogen stream, dichlorobis (acetonitrile) palladium (II) (212 mg), copper iodide (104 mg), and dioxane (75 mL) were stirred. Tri-t-butylphosphine (331 mg) was added to this solution and stirred at room temperature for 15 minutes. To this solution, di-i-propylamine (3.31 g), 4-bromobenzocyclobutene (5.00 g) and 1,7-octadiyne (20.3 g) were added and stirred at room temperature for 9 hours. The obtained reaction mixture was distilled under a reduced pressure of 400 Pa at a bath temperature of 60 ° C., the light boiling portion was distilled off, saturated brine (50 mL), 1N hydrochloric acid (5 mL) were added, and ethyl acetate (3 × 30 mL) was added. Extraction and the organic layer were washed with saturated brine (2 × 30 mL). When the ethyl acetate layer was concentrated, a crude product (7.7 g) was obtained. The crude product was purified by silica gel column chromatography (solvent: n-hexane / ethyl acetate mixed solvent) to obtain 2.78 g of
(化合物6)
窒素気流中、m−ヨウ化ニトロベンゼン(3.64g)、炭酸カリウム(5.06g)、よう化銅(111mg)、トリフェニルホスフィン(307mg)、5%Pd/C(623mg)、メトキシエタン/水=1/1の混合溶媒(95mL)を室温下、1時間攪拌した。この液に化合物5(2.77g)をジメトキシエタン(2mL)に溶解させた溶液を添加し、70℃のバス(内温63℃)で7時間加熱反応した。得られた反応混合物を、セライトを通してろ過した後、エバポレーターで濃縮、1N塩酸25mLを添加して酢酸エチル(30mLで3回)で抽出、得られた酢酸エチル層を飽和食塩水(20mLを3回)で洗浄した。有機層を濃縮して得られた粗生成物を酢酸エチル−n−ヘキサンの混合溶媒から再結晶して2.50gの化合物6をごく薄い黄色の針状結晶として得た。
In a nitrogen stream, m-iodinated nitrobenzene (3.64 g), potassium carbonate (5.06 g), copper iodide (111 mg), triphenylphosphine (307 mg), 5% Pd / C (623 mg), methoxyethane / water = 1/1 mixed solvent (95 mL) was stirred at room temperature for 1 hour. A solution prepared by dissolving compound 5 (2.77 g) in dimethoxyethane (2 mL) was added to this solution, and the mixture was reacted by heating in a 70 ° C. bath (internal temperature 63 ° C.) for 7 hours. The obtained reaction mixture was filtered through celite, concentrated with an evaporator, 25 mL of 1N hydrochloric acid was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate (3 × 30 mL). The resulting ethyl acetate layer was washed with saturated brine (3 × 20 mL). ). The crude product obtained by concentrating the organic layer was recrystallized from a mixed solvent of ethyl acetate-n-hexane to obtain 2.50 g of
(モノマー4)
化合物6(2.31g)を、テトラヒドロフラン(15mL)、エタノール(15mL)に溶解させた。この溶液に水素化触媒としてラネーニッケル(1.07g)(日興リカ社製、R−200)を添加、水素で3回置換後、水素下、室温で35時間反応させた。反応液を、セライトを通してろ過、エバポレーターで濃縮して2.8gの粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒:n−ヘキサン/酢酸エチル混合溶媒)にて精製することにより1.72gのモノマー4を白色の針状結晶として得た。
Compound 6 (2.31 g) was dissolved in tetrahydrofuran (15 mL) and ethanol (15 mL). Raney nickel (1.07 g) (manufactured by Nikko Rica Co., Ltd., R-200) was added to the solution as a hydrogenation catalyst, and the mixture was replaced with hydrogen three times. The reaction solution was filtered through celite and concentrated with an evaporator to obtain 2.8 g of a crude product. The crude product was purified by silica gel column chromatography (solvent: n-hexane / ethyl acetate mixed solvent) to obtain 1.72 g of
(モノマー5)
窒素気流中、化合物2(2.5g)、酢酸(60ml)、エタノール(60ml)、塩酸(1N、2ml)、水(8ml)および還元鉄(12.4g)を1時間還流した。室温で反応液を濾過し、酢酸エチル(100ml)および水(100ml)を加え攪拌後、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液で中和し、分液し、水層を酢酸エチル(100mlで2回)で抽出し、有機層を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。さらに、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/酢酸エチル混合液)で精製することにより、モノマー5(2.1g)を得た。 In a nitrogen stream, Compound 2 (2.5 g), acetic acid (60 ml), ethanol (60 ml), hydrochloric acid (1N, 2 ml), water (8 ml) and reduced iron (12.4 g) were refluxed for 1 hour. The reaction mixture was filtered at room temperature, ethyl acetate (100 ml) and water (100 ml) were added, and the mixture was stirred and neutralized with a saturated aqueous solution of sodium hydrogen carbonate, separated, and the aqueous layer was extracted with ethyl acetate (twice with 100 ml). The organic layers were combined, dried over magnesium sulfate, and concentrated. Furthermore, the monomer 5 (2.1g) was obtained by refine | purifying with silica gel column chromatography (n-hexane / ethyl acetate liquid mixture).
(H6の合成)
一級アミンとして、モノマー4、モノマー1、モノマー5を、モノマー4:モノマー1:モノマー5=0.8274:0.0863:0.863のモル比で用い、ジブロマイドとして、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)アントラセンを用いて重合反応を行い、ポリマー1(H6)を合成した。
As the primary amine,
モノマー4(0.1087g)、モノマー1(1.185g)、モノマー5(0.069g)、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)アントラセン(1.000g)、およびtert−ブトキシナトリウム(1.26g、トルエン(10ml)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、50℃まで加温した(溶液A)。 Monomer 4 (0.1087 g), Monomer 1 (1.185 g), Monomer 5 (0.069 g), 9,10-bis (4-bromophenyl) anthracene (1.000 g), and sodium tert-butoxy (1. 26 g and toluene (10 ml) were charged, the inside of the system was sufficiently purged with nitrogen, and the mixture was heated to 50 ° C. (solution A).
トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.042g)のトルエン2ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.066g)を加え、50℃まで加温した(溶液B)。
Tri-t-butylphosphine (0.066 g) was added to a
窒素気流中、溶液Aに溶液Bを添加し、1.5時間、90℃に加熱し反応した。続いて、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)アントラセン(0.940g)を追添加した。1時間加熱還流した後、反応液を放冷して、反応液をエタノール中に滴下し、粗ポリマー1を晶出させた。
In a nitrogen stream, solution B was added to solution A and heated to 90 ° C. for 1.5 hours to react. Subsequently, 9,10-bis (4-bromophenyl) anthracene (0.940 g) was additionally added. After heating and refluxing for 1 hour, the reaction solution was allowed to cool, and the reaction solution was dropped into ethanol to crystallize
得られた粗ポリマー1をトルエン150mlに溶解させ、ブロモベンゼン(0.52g)、tert−ブトキシナトリウム(0.63g)を仕込み、系内を十分に窒素置換して、50℃まで加温した(溶液C)。
The obtained
トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムクロロホルム錯体(0.021g)のトルエン2ml溶液に、トリ−t−ブチルホスフィン(0.033g)を加え、50℃まで加温した(溶液D)。
Tri-t-butylphosphine (0.033 g) was added to a
窒素気流中、溶液Cに溶液Dを添加し、3時間、加熱還流反応した。この反応液に、N,N−ジフェニルアミン(1.63g)を添加し、再度調製した溶液Dを加え、さらに、4時間、加熱還流反応した。反応液を放冷し、エタノール中に滴下し、エンドキャップした粗ポリマー1を得た。
In a nitrogen stream, solution D was added to solution C, and heated to reflux for 3 hours. To this reaction solution, N, N-diphenylamine (1.63 g) was added, the solution D prepared again was added, and the mixture was further heated and refluxed for 4 hours. The reaction solution was allowed to cool and dropped into ethanol to obtain an end-capped
このエンドキャップした粗ポリマー1をトルエンに溶解し、アセトンに再沈殿し、析出したポリマーを濾別した。得られたポリマーをトルエンに溶解させ、希塩酸にて洗浄し、アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより2回精製し、精ポリマー1(H6)を得た(1.63g)。
This end-capped
得られた精ポリマー1の重量平均分子量(Mw)は330000、分散度(Mw/Mn)は9.2であった。
The obtained
[合成例11:目的物11(H7)の合成]
一級アミンとして、上述のモノマー3、モノマー1を、モノマー3:モノマー1=0.8298:0.1702のモル比で用いた点、ジブロマイドとして、9,10−ビス(4−ブロモフェニル)アントラセンを用いて重合反応を行った点を除いて、ポリマー1(H6)と同様にしてポリマー2(H7)を合成した。
As the primary amine, the above-mentioned
得られたポリマー2(H7)の重量平均分子量(Mw)は68000、分散度(Mw/Mn)は2.5であった。 The obtained polymer 2 (H7) had a weight average molecular weight (Mw) of 68,000 and a dispersity (Mw / Mn) of 2.5.
[合成例12:目的物12(H8)の合成]
一級アミンとして、上述のモノマー3、モノマー1、アニリンを、モノマー3:モノマー1:アニリン=0.134:0.665:0.201のモル比で用いた点、ジブロマイドとして、4,4’−ジブロモビフェニル、2,7−ジブロモ−9,9’−スピロビ〔フルオレン〕をモル比0.5:0.5で用いて重合反応を行った点を除いて、ポリマー3(H8)をポリマー1(H6)と同様にして合成した。
As the primary amine, the above-mentioned
得られたポリマー3(H8)の重量平均分子量(Mw)は23000、分散度(Mw/Mn)は1.4であった。 The obtained polymer 3 (H8) had a weight average molecular weight (Mw) of 23,000 and a dispersity (Mw / Mn) of 1.4.
[合成例13:目的物13(H9)の合成]
一級アミンとして、上述のモノマー3、アニリンを、モノマー3:アニリン=0.9442:0.0558のモル比で用いた点、ジブロマイドとして、4,4”−ジブロモ−2’,5’−ジ−n−オクチル−p−ターフェニルを用いて重合反応を行った点を除いて、ポリマー4(H9)をポリマー1(H6)と同様にして合成した。
As the primary amine, the above-mentioned
得られたポリマー4(H9)の重量平均分子量(Mw)は72000、分散度(Mw/Mn)は2.0であった。 The obtained polymer 4 (H9) had a weight average molecular weight (Mw) of 72,000 and a dispersity (Mw / Mn) of 2.0.
[合成例14:目的物14(H10)の合成]
一級アミンとして、上述のモノマー2、モノマー1、アニリンを、モノマー2:モノマー1:アニリン=0.101:0.505:0.394のモル比で用いた点、ジブロマイドとして、4,4’−ジブロモビフェニルを用いて重合反応を行った点を除いて、ポリマー5(H10)をポリマー1(H6)と同様にして合成した。
As the primary amine, the above-mentioned
得られたポリマー5(H10)の重量平均分子量(Mw)は26000、分散度(Mw/Mn)は1.7であった。 The obtained polymer 5 (H10) had a weight average molecular weight (Mw) of 26000 and a dispersity (Mw / Mn) of 1.7.
[合成例15:目的物15(H11)の合成]
得られたポリマー5(H11)の重量平均分子量(Mw)は77000、分散度(Mw/Mn)は2.2であった。
[Synthesis Example 15: Synthesis of Target 15 (H11)]
The obtained polymer 5 (H11) had a weight average molecular weight (Mw) of 77000 and a dispersity (Mw / Mn) of 2.2.
[測定用素子の作製]
図1に示すように、ガラス基板1上に、インジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を120nmの厚さに堆積したもの(三容真空社製、スパッタ成膜品。)に、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングしてITO層2を形成した。このITO基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
[Preparation of measuring element]
As shown in FIG. 1, an indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a
次に、下記式(P1)に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子(重量平均分子量:26500、数平均分子量:12000)2.0重量%、及び、下記式(A1)に示す4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート0.8重量%を含む安息香酸エチル溶液を調製した。この安息香酸エチル溶液を、前記表2に示す成膜条件でスピンコート法により成膜し、膜厚30nmの高分子層3を形成し、ITO層2と高分子層3とから測定用陽極4を形成した。
また、表2に示すように、サンプル層5の材料を溶媒に溶解させて塗布液(電荷輸送膜用組成物)を調製し、これを、当該測定用陽極4上に、スピナ回転時間:30秒、スピンコート雰囲気:窒素中の条件でスピンコートし、ベークを行い、サンプル層5を形成した。
Also, as shown in Table 2, the material of the
なお、サンプル層の材料とした化合物は、以下のとおりである。また、H1、H2及びH3において、h1とh2との比は重量比を表わす。Meはメチル基を表す。
サンプル層5を形成した素子をグローブボックスに連結されたマルチチャンバー型真空蒸着装置内に大気に曝すことなく搬入し、油回転ポンプ等により装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が9.9×10−4Pa以下になるまでクライオポンプ等を用いて排気した。次に、隣接する金属蒸着チャンバーへと真空中で搬送し、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、ITO層2のストライプと直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が9.9×10−4Pa以下になるまで排気した。その後、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.6〜16.0Å/秒、真空度2.0〜250×10−5Paで制御して膜厚80nmのアルミニウム層を形成し、これを測定用陰極6とした。なお、以上の測定用陰極6の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
The element in which the
引き続き、測定用素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。真空蒸着装置に連結された窒素グローブボックス中で、23mm×23mmサイズのガラス板の外周部に、約1mmの幅で光硬化性樹脂(株式会社スリーボンド製30Y−437)を塗布し、中央部に水分ゲッターシート(ダイニック株式会社製)を設置した。この上に、測定用陰極6の形成を終了した素子を、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。以上の様にして、2mm×2mmのサイズの素子面積を有する測定用素子を作製した。
Subsequently, in order to prevent the measuring element from being deteriorated by moisture in the atmosphere during storage, a sealing treatment was performed by the method described below. In a nitrogen glove box connected to a vacuum vapor deposition device, a photocurable resin (30Y-437 manufactured by ThreeBond Co., Ltd.) with a width of about 1 mm is applied to the outer peripheral portion of a 23 mm × 23 mm size glass plate, and the central portion is applied. A moisture getter sheet (manufactured by Dynic Co., Ltd.) was installed. On this, the element which completed formation of the
[比誘電率の測定]
測定用素子の静電容量を測定し、静電容量と誘電率の基本的な関係式(1)から比誘電率を算出した。静電容量の測定には、(株)エヌエフ回路設計ブロック社製ZM2353型LCRメーターを用い、2335AL型テストフィクスチャ(2個のクリップで4端子接続ができるケルビンクリップ)を用いた。測定の際は、作製した測定用素子のITO層2からコンタクトプローブを用いて電極を取り出し、前述のクリップで挟んで測定した。測定の条件は、室温25℃の条件で、測定周波数100Hz、測定電圧250mV、一回あたりの測定速度を480ミリ秒に設定し、等価回路には並列等価回路を選択し、1秒に1点測定値を取得する方法で30分間測定した後、その平均値をサンプルの静電容量とした。
測定された比誘電率は、表4および表6に示す。
[Measurement of relative permittivity]
The capacitance of the measuring element was measured, and the relative dielectric constant was calculated from the basic relational expression (1) between the capacitance and the dielectric constant. For the measurement of capacitance, a ZM2353 type LCR meter manufactured by NF Circuit Design Block Co., Ltd. was used, and a 2335AL type test fixture (Kelvin clip capable of connecting four terminals with two clips) was used. At the time of measurement, an electrode was taken out from the
The measured dielectric constants are shown in Tables 4 and 6.
[電流変異点の測定]
電荷の印加のために使用する電圧の発生及びそれに伴う電流値の検出については、Keithley社製2400型ソースメーターを使用した。
上述した測定用素子の電荷を注入したい極に、ソースメーターの出力側の電極をつなぎ、電圧を変化させたときの電流の値を読み取った。電圧は、2秒に0.1V上昇させた。電圧を上昇させ続ける事により、ある電圧において、電流値が明らかに下降または急上昇の挙動を示したので、そのときの電圧の値の絶対値をkVの単位に変換し、膜厚(cm)で割ることにより、電流変異点を求めた。
測定された電流変異点を、表4および表6に示す。
[Measurement of current mutation point]
A Keithley 2400 type source meter was used for generation of a voltage used for charge application and detection of a current value associated therewith.
The electrode on the output side of the source meter was connected to the pole where the charge of the measuring element described above was to be injected, and the current value when the voltage was changed was read. The voltage was increased by 0.1V in 2 seconds. By continuing to increase the voltage, the current value clearly decreased or suddenly increased at a certain voltage. Therefore, the absolute value of the voltage value at that time was converted into kV units, and the film thickness (cm) The current mutation point was determined by dividing.
Table 4 and Table 6 show the measured current mutation points.
[駆動試験用素子の作製]
比誘電率を測定したサンプルに対応した実際の有機電界発光素子を作製する場合は、次の様に行った。図3に示すように、ガラス基板11上に、ITO透明導電膜を120nmの厚さに堆積したもの(三容真空社製、スパッタ成膜品。)に、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターンイングしてITO層12を形成した。このITO基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純粋による水洗、超純粋による超音波洗浄、超純粋による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
[Production of element for driving test]
When an actual organic electroluminescence device corresponding to the sample whose relative dielectric constant was measured was produced as follows. As shown in FIG. 3, a normal photolithography technique and hydrochloric acid etching are performed on a glass substrate 11 having an ITO transparent conductive film deposited to a thickness of 120 nm (manufactured by Sanyo Vacuum Co., Ltd., sputtered film). The ITO layer 12 was formed by patterning into a stripe having a width of 2 mm. This ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with a surfactant aqueous solution, ultrapure water cleaning, ultrapure ultrasonic cleaning, and ultrapure water cleaning, followed by drying with compressed air, and finally UV ozone cleaning. .
次に、2.0重量%の前記式(P1)に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子、及び、0.8重量%の前記式(A1)に示す4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラートを含む安息香酸エチル溶液を調製した。この安息香酸エチル溶液を、前記表1に示す成膜条件でスピンコート法により成膜し、膜厚30nmの正孔注入層13を得た。 Next, 2.0 wt% of a hole transporting polymer having a repeating structure represented by the formula (P1) and 0.8 wt% of 4-isopropyl-4′-methyl represented by the formula (A1) An ethyl benzoate solution containing diphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate was prepared. This ethyl benzoate solution was deposited by spin coating under the deposition conditions shown in Table 1 to obtain a hole injection layer 13 having a thickness of 30 nm.
その後、電荷輸送膜用組成物として、上述の架橋基を有する化合物H1〜H5、pk−H1〜pk−H3をそれぞれ下記表3に示す溶媒に溶解又は分散させた塗布液を調製し、これを正孔注入層13上にスピンコート(スピナ回転数:1500rpm、スピナ回転時間:30秒、スピンコート雰囲気:窒素中)にて成膜し、架橋処理を行うことで架橋ポリマーからなる電荷輸送膜(正孔輸送層)14を形成した。各実施例ならびに比較例の材料、成膜条件ならびに架橋処理後の膜厚は下記表3の通りである。 Thereafter, as a composition for a charge transport film, a coating solution was prepared by dissolving or dispersing each of the above-mentioned compounds H1 to H5 and pk-H1 to pk-H3 having a crosslinking group in a solvent shown in Table 3 below. A charge transport film made of a cross-linked polymer is formed on the hole injection layer 13 by spin coating (spinner rotation speed: 1500 rpm, spinner rotation time: 30 seconds, spin coating atmosphere: in nitrogen), and is subjected to cross-linking treatment. Hole transport layer) 14 was formed. Table 3 below shows the materials, film forming conditions, and film thickness after the crosslinking treatment in each example and comparative example.
なお、架橋基を有する化合物としてH4を使用した実施例3におけるリンスの処理は、電荷輸送膜形成後、成膜時と同じスピンコーターの条件でキシレンを用いてスピンアウトすることで行った。 The rinsing treatment in Example 3 using H4 as the compound having a crosslinking group was performed by spin-out using xylene under the same spin coater conditions as in the film formation after the charge transport film was formed.
次に、下記構造式で示される有機化合物(C1)、(C2)、および(C3)を用いて、以下の条件で、発光層形成用組成物を調製した。この組成物を下記の条件で電荷輸送膜上にスピンコートすることにより成膜し、乾燥することにより、膜厚40nmの発光層15を形成した。
<発光層形成用組成物>
溶媒 キシレン
塗布液濃度 C1:1.0重量%
C2:1.0重量%
C3:0.1重量%
<発光層15の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
ベーク条件 真空中 130℃ 1時間
<Composition for light emitting layer formation>
Solvent Xylene Coating solution concentration C1: 1.0% by weight
C2: 1.0% by weight
C3: 0.1% by weight
<Deposition conditions of the light emitting layer 15>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Spin coating atmosphere In nitrogen Bake conditions In vacuum 130 °
次に、正孔注入層13、電荷輸送膜14および発光層15を湿式成膜した基板をグローブボックスに連結されたマルチチャンバー型真空蒸着装置内に大気に曝すことなく搬入し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が5.3×10−5Pa以下になるまでクライオポンプを用いて排気し、下記構造式(C4)で表される化合物を真空蒸着法によって積層し正孔阻止層18を得た。蒸着時の真空度は3.1〜4.8×10−5Pa、蒸着速度は0.6〜1.1Å/秒の範囲で制御し、膜厚5nmの膜を発光層15の上に積層して正孔阻止層18を形成した。
次いで、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウムを加熱して蒸着を行い、電子輸送層19を成膜した。蒸着時の真空度は2.9〜4.9×10−5Pa、蒸着速度は0.7〜1.3Å/秒の範囲で制御し、膜厚30nmの膜を正孔阻止層19の上に積層して電子輸送層19を形成した。 Next, tris (8-hydroxyquinolinate) aluminum was heated and evaporated to form an electron transport layer 19. The degree of vacuum during deposition is 2.9 to 4.9 × 10 −5 Pa, the deposition rate is controlled in the range of 0.7 to 1.3 Å / sec, and a film with a thickness of 30 nm is formed on the hole blocking layer 19. To form an electron transport layer 19.
ここで、電子輸送層19までの蒸着を行った素子を、電子輸送層19までを蒸着した有機層蒸着チャンバーから金属蒸着チャンバーへと真空中で搬送し、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプと直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して、有機層蒸着時と同様にして装置内の真空度が8.7×10−5Pa以下になるまで排気した。
Here, the element on which the electron transport layer 19 has been vapor-deposited is transported in vacuum from the organic layer vapor deposition chamber on which the electron transport layer 19 has been vapor-deposited to the metal vapor deposition chamber, and a 2 mm wide stripe is used as a mask for cathode vapor deposition. A thin shadow mask is placed in close contact with the element so as to be orthogonal to the ITO stripe of the
電子注入層16として、先ずフッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.07〜0.15Å/秒、真空度4.7〜10.0×10−5Paで制御し、0.5nmの膜厚で電子輸送層19の上に成膜した。次に、陰極17としてアルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.6〜16.0Å/秒、真空度2.0〜13.0×10−5Paで制御して膜厚80nmの陰極17を形成した。以上の2層型陰極の蒸着時の基板温度は室温に保持した。 As the electron injection layer 16, first, lithium fluoride (LiF) was controlled at a deposition rate of 0.07 to 0.15 liters / second and a degree of vacuum of 4.7 to 10.0 × 10 −5 Pa using a molybdenum boat. The film was formed on the electron transport layer 19 with a film thickness of 0.5 nm. Next, aluminum is similarly heated as a cathode 17 by a molybdenum boat, and the film thickness is 80 nm by controlling the deposition rate from 0.6 to 16.0 Å / sec and the degree of vacuum from 2.0 to 13.0 × 10 −5 Pa. The cathode 17 was formed. The substrate temperature at the time of vapor deposition of the above two-layer cathode was kept at room temperature.
引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。
真空蒸着装置に連結された窒素グローブボックス中で、23mm×23mmサイズのガラス板の外周部に、約1mmの幅で光硬化性樹脂(株式会社スリーボンド製30Y−437)を塗布し、中央部に水分ゲッターシート(ダイニック株式会社製)を設置した。この上に、陰極17の形成を終了した基板を、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
Subsequently, in order to prevent the element from being deteriorated by moisture in the atmosphere during storage, a sealing process was performed by the method described below.
In a nitrogen glove box connected to a vacuum vapor deposition device, a photocurable resin (30Y-437 manufactured by ThreeBond Co., Ltd.) with a width of about 1 mm is applied to the outer peripheral portion of a 23 mm × 23 mm size glass plate, and the central portion is applied. A moisture getter sheet (manufactured by Dynic Co., Ltd.) was installed. On top of this, the substrate on which the cathode 17 had been formed was bonded so that the deposited surface faced the desiccant sheet. Then, only the area | region where the photocurable resin was apply | coated was irradiated with ultraviolet light, and resin was hardened.
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained.
[輝度半減寿命の測定]
駆動試験用素子を用いて、輝度半減寿命を測定した。結果を表4に示す。また、2500cd/m2条件における輝度半減寿命と架橋性ポリマーの比誘電率との関係を表わす相関図を図4に示し、2500cd/m2条件における輝度半減寿命と架橋基を有する化合物中の架橋基の数との関係を表わす相関図を図5に示し、2500cd/m2条件における)輝度半減寿命と架橋性ポリマーの電流変異点との関係を表わすグラフを図6に示す。なお、図4において破線は比誘電率3.3〜6.3の範囲を表わす。また、図5において破線は架橋基の数が2であるラインを表わす。さらに、図6において破線は電流変異点が1050kV/cmであるラインを表わす。
また、輝度半減寿命の測定法、及び、架橋基の数の数え方は、以下のとおりである。
[Measurement of luminance half-life]
The luminance half-life was measured using a driving test element. The results are shown in Table 4. FIG. 4 is a correlation diagram showing the relationship between the luminance half-life under the condition of 2500 cd / m 2 and the relative dielectric constant of the crosslinkable polymer. FIG. 4 shows the relationship between the luminance half-life under the condition of 2500 cd / m 2 and the crosslinking in the compound having a crosslinking group. FIG. 5 shows a correlation diagram showing the relationship with the number of groups, and FIG. 6 shows a graph showing the relationship between the luminance half-life and the current mutation point of the crosslinkable polymer (under the condition of 2500 cd / m 2 ). In FIG. 4, the broken line represents the range of the relative dielectric constant of 3.3 to 6.3. In FIG. 5, a broken line represents a line having 2 cross-linking groups. Further, the broken line in FIG. 6 represents a line having a current variation point of 1050 kV / cm.
Moreover, the measuring method of a brightness | luminance half-life and how to count the number of crosslinking groups are as follows.
・輝度半減寿命の測定法
輝度半減寿命の測定法(以下、駆動試験という)を次に示す。始めに、対象となる素子が2500cd/m2で発光するときの電流値を測定した。次に、対象となる素子に先ほど測定した電流値に保って電流を流した。その際の素子の輝度を観測し続け、初期の輝度、すなわち2500cd/m2が半減するまでの時間を測定し、これを輝度半減寿命とした。なお、温度条件は室温で行った。
<駆動条件>
温度 室温
駆動方式 直流駆動(DC駆動)
初期輝度 2,500cd/m2
-Luminance half-life measurement method The luminance half-life measurement method (hereinafter referred to as drive test) is shown below. First, the current value was measured when the target device emitted light at 2500 cd / m 2 . Next, a current was passed through the target element while maintaining the current value measured previously. The luminance of the element at that time was continuously observed, and the time until the initial luminance, that is, 2500 cd / m 2 halved was measured, and this was defined as the luminance half life. The temperature condition was room temperature.
<Drive conditions>
Temperature Room temperature Drive method DC drive (DC drive)
Initial luminance 2,500 cd / m 2
・架橋基の数の数え方
ここで、架橋基の数は、単位輸送ユニット当たりの架橋基の数のことをいう。計算方法を改めて示すと、架橋性ポリマーを形成する架橋基を有する化合物が、1種類のモノマーである場合には、そのモノマーに置換されている架橋基の数がそれに当たる。また、架橋性ポリマーを形成する架橋基を有する化合物が複数種のモノマー体を混合するものである場合は、それぞれのモノマーに置換した置換基の数と混合するモル比とから単純に計算する。例えばH1の場合、h1には2つ置換基があり、h2には一つ置換基があり、そのモル比は30対70であるから、この混合物1モルの中には、h1由来の架橋基が0.6モル、h2由来の架橋基が0.7モル存在することになるので、単位電荷輸送ユニット当たりの架橋基の数は(0.6+0.7)/1=1.3個となる。さらに、架橋基を有する化合物がオリゴマー系/モノマー系の場合は、前記の架橋基の数は、架橋性ポリマーを形成する電荷輸送能を持つ主骨格に対する架橋基の数になる。例えばH4の場合、電荷輸送能を持つ主骨格はベンジジンになるため、これをエーテル結合で繋いだ繰り返し構造が100個連結している場合、架橋基は20個あることになり、前記架橋基の数は0.2個となる。
-How to count the number of cross-linking groups Here, the number of cross-linking groups means the number of cross-linking groups per unit transport unit. When the calculation method is shown again, when the compound having a crosslinkable group forming the crosslinkable polymer is one kind of monomer, the number of the crosslinkable groups substituted by the monomer corresponds to that. Moreover, when the compound which has a crosslinking group which forms a crosslinkable polymer mixes several types of monomer bodies, it calculates simply from the number of the substituents substituted by each monomer, and the molar ratio mixed. For example, in the case of H1, since h1 has two substituents and h2 has one substituent, and the molar ratio thereof is 30 to 70, one mole of the mixture contains a bridging group derived from h1. Is 0.6 mol and h2 cross-linking group is 0.7 mol, so the number of cross-linking groups per unit charge transport unit is (0.6 + 0.7) /1=1.3. . Furthermore, when the compound having a crosslinking group is an oligomer / monomer system, the number of the crosslinking groups is the number of crosslinking groups with respect to the main skeleton having a charge transporting ability to form a crosslinkable polymer. For example, in the case of H4, the main skeleton having the charge transporting ability is benzidine. Therefore, when 100 repeating structures connected by ether bonds are connected, there are 20 crosslinking groups. The number is 0.2.
[青蛍光発光材料を用いた駆動試験用素子の作製]
比誘電率を測定したサンプルに対応した実際の発光素子を作製する他の実施例として、青蛍光発光材料を用いた駆動試験用素子(以下、「青蛍光駆動試験用素子」ということがある。)を作成した。図3に示すように、ガラス基板11上に、ITO透明導電膜を150nmの厚さに堆積したもの(三容真空社製、スパッタ成膜品。)に、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターンイングしてITO層12を形成した。このITO基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純粋による水洗、超純粋による超音波洗浄、超純粋による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
[Fabrication of driving test element using blue fluorescent material]
As another example for producing an actual light emitting element corresponding to a sample whose relative dielectric constant is measured, there is a driving test element using a blue fluorescent light emitting material (hereinafter referred to as “blue fluorescent driving test element”). )created. As shown in FIG. 3, a normal photolithography technique and hydrochloric acid etching are performed on a glass substrate 11 in which an ITO transparent conductive film is deposited to a thickness of 150 nm (manufactured by Sanyo Vacuum Co., Ltd., sputtered film). The ITO layer 12 was formed by patterning into a stripe having a width of 2 mm. This ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with a surfactant aqueous solution, ultrapure water cleaning, ultrapure ultrasonic cleaning, and ultrapure water cleaning, followed by drying with compressed air, and finally UV ozone cleaning. .
次に、2.0重量%の前記式(P1)に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子、及び、0.8重量%の前記式(A1)に示す4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラートを含む安息香酸エチル溶液を調製した。この安息香酸エチル溶液を、前記表1に示す成膜条件でスピンコート法により成膜し、膜厚30nmの正孔注入層13を得た。 Next, 2.0 wt% of a hole transporting polymer having a repeating structure represented by the formula (P1) and 0.8 wt% of 4-isopropyl-4′-methyl represented by the formula (A1) An ethyl benzoate solution containing diphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate was prepared. This ethyl benzoate solution was deposited by spin coating under the deposition conditions shown in Table 1 to obtain a hole injection layer 13 having a thickness of 30 nm.
その後,電荷輸送膜用組成物として上述の架橋基を有する化合物H6〜H11をそれぞれ下記表5に示す溶媒に溶解又は分散させた塗布液を調製し、これを正孔注入層13上にスピンコート(スピナ回転数:1500rpm、スピナ回転時間:30秒、スピンコート雰囲気:窒素中)にて成膜し、架橋処理を行うことで架橋ポリマーからなる電荷輸送膜(正孔輸送層)14を形成した。各実施例ならびに比較例の材料、成膜条件ならびに架橋処理後の膜厚は下記表5の通りである。
次に、下記構造式で示される有機化合物(C5)及び(C6)を用いて、以下の条件で、発光層形成用組成物を調製した。この組成物を下記の条件で電荷輸送膜上にスピンコートすることにより成膜し、乾燥することにより、膜厚40nmの発光層15を形成した。
<発光層形成用組成物>
溶媒 トルエン
塗布液濃度 C5:0.75重量%
C6:0.075重量%
<発光層15の成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 窒素中
ベーク条件 真空中 130℃ 1時間
<Composition for light emitting layer formation>
Solvent Toluene Coating solution concentration C5: 0.75 wt%
C6: 0.075% by weight
<Deposition conditions of the light emitting layer 15>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Spin coating atmosphere In nitrogen Bake conditions In vacuum 130 °
次に、正孔注入層13、電荷輸送膜14および発光層15を塗布成膜した基板をグローブボックスに連結されたマルチチャンバー型真空蒸着装置内に大気に曝すことなく搬入し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が3×10−4Pa以下になるまでクライオポンプを用いて排気し、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(パラフェニルフェノラート)アルミニウムを真空蒸着法によって積層し正孔阻止層18を得た。蒸着時の真空度は3×10−4Pa以下、蒸着速度は0.8〜1.2Å/秒の範囲で制御し、膜厚10nmの膜を発光層15の上に積層して正孔阻止層18を形成した。 Next, the substrate on which the hole injection layer 13, the charge transport film 14 and the light emitting layer 15 are coated is carried into the multi-chamber vacuum deposition apparatus connected to the glove box without being exposed to the atmosphere, and is rotated by an oil rotary pump. After roughly evacuating the apparatus, the apparatus was evacuated using a cryopump until the degree of vacuum in the apparatus was 3 × 10 −4 Pa or less, and bis (2-methyl-8-quinolinolato) (paraphenylphenolate) aluminum Were stacked by a vacuum deposition method to obtain a hole blocking layer 18. The degree of vacuum during vapor deposition is 3 × 10 −4 Pa or less, the vapor deposition rate is controlled in the range of 0.8 to 1.2 liters / second, and a 10 nm thick film is stacked on the light emitting layer 15 to block holes. Layer 18 was formed.
次いで、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウムを加熱して蒸着を行い、電子輸送層19を成膜した。蒸着時の真空度は2.9〜4.9×10−5Pa、蒸着速度は0.7〜1.3Å/秒の範囲で制御し、膜厚30nmの膜を正孔阻止層19の上に積層して電子輸送層19を形成した。 Next, tris (8-hydroxyquinolinate) aluminum was heated and evaporated to form an electron transport layer 19. The degree of vacuum during deposition is 2.9 to 4.9 × 10 −5 Pa, the deposition rate is controlled in the range of 0.7 to 1.3 Å / sec, and a film with a thickness of 30 nm is formed on the hole blocking layer 19. To form an electron transport layer 19.
ここで、電子輸送層19までの蒸着を行った素子を、電子輸送層19までを蒸着した有機層蒸着チャンバーから金属蒸着チャンバーへと真空中で搬送し、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプと直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して、有機層蒸着時と同様にして装置内の真空度が8.7×10−5Pa以下になるまで排気した。
Here, the element on which the electron transport layer 19 has been vapor-deposited is transported in vacuum from the organic layer vapor deposition chamber on which the electron transport layer 19 has been vapor-deposited to the metal vapor deposition chamber, and a 2 mm wide stripe is used as a mask for cathode vapor deposition. A thin shadow mask is placed in close contact with the element so as to be orthogonal to the ITO stripe of the
電子注入層16として、先ずフッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.07〜0.15Å/秒、真空度4.7〜10.0×10−5Paで制御し、0.5nmの膜厚で電子輸送層19の上に成膜した。次に、陰極17としてアルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.6〜16.0Å/秒、真空度2.0〜13.0×10−5Paで制御して膜厚80nmの陰極17を形成した。以上の2層型陰極の蒸着時の基板温度は室温に保持した。 As the electron injection layer 16, first, lithium fluoride (LiF) was controlled at a deposition rate of 0.07 to 0.15 liters / second and a degree of vacuum of 4.7 to 10.0 × 10 −5 Pa using a molybdenum boat. The film was formed on the electron transport layer 19 with a film thickness of 0.5 nm. Next, aluminum is similarly heated as a cathode 17 by a molybdenum boat, and the film thickness is 80 nm by controlling the deposition rate from 0.6 to 16.0 Å / sec and the degree of vacuum from 2.0 to 13.0 × 10 −5 Pa. The cathode 17 was formed. The substrate temperature at the time of vapor deposition of the above two-layer cathode was kept at room temperature.
引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。
真空蒸着装置に連結された窒素グローブボックス中で、23mm×23mmサイズのガラス板の外周部に、約1mmの幅で光硬化性樹脂(株式会社スリーボンド製30Y−437)を塗布し、中央部に水分ゲッターシート(ダイニック株式会社製)を設置した。この上に、陰極17の形成を終了した基板を、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
Subsequently, in order to prevent the element from being deteriorated by moisture in the atmosphere during storage, a sealing process was performed by the method described below.
In a nitrogen glove box connected to a vacuum vapor deposition device, a photocurable resin (30Y-437 manufactured by ThreeBond Co., Ltd.) with a width of about 1 mm is applied to the outer peripheral portion of a 23 mm × 23 mm size glass plate, and the central portion is applied. A moisture getter sheet (manufactured by Dynic Co., Ltd.) was installed. On top of this, the substrate on which the cathode 17 had been formed was bonded so that the deposited surface faced the desiccant sheet. Then, only the area | region where the photocurable resin was apply | coated was irradiated with ultraviolet light, and resin was hardened.
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained.
[駆動寿命の測定]
青蛍光駆動試験用素子を用いて、駆動寿命を測定した。結果を表6に示す。また、1000cd/m2条件におけるH6を規準とした際の輝度8割減寿命との相対比(以下,相対寿命)と架橋性ポリマーの比誘電率との関係を表わす相関図を図7に示し、1000cd/m2条件における相対寿命と架橋性ポリマーの電流変異点との関係を表わすグラフを図8に示す。なお、図7において破線は比誘電率3.3〜6.3の範囲を表わす。さらに、図8において破線は電流変異点が1050kV/cmであるラインを表わす。
また、輝度8割減寿命の測定法は、以下のとおりである。
[Measurement of drive life]
The driving life was measured using a blue fluorescent driving test element. The results are shown in Table 6. In addition, FIG. 7 shows a correlation diagram showing the relationship between the relative ratio (hereinafter referred to as the relative life) of the luminance reduced to 80% when the H6 standard is 1000 cd / m 2 and the relative dielectric constant of the crosslinkable polymer. FIG. 8 is a graph showing the relationship between the relative lifetime under the condition of 1000 cd / m 2 and the current mutation point of the crosslinkable polymer. In FIG. 7, the broken line represents the range of the relative dielectric constant of 3.3 to 6.3. Furthermore, the broken line in FIG. 8 represents a line having a current variation point of 1050 kV / cm.
Moreover, the measuring method of a brightness | luminance 80% reduction lifetime is as follows.
・駆動寿命の測定法
駆動寿命の測定法(以下、駆動試験という)を次に示す。始めに、対象となる素子が1000cd/m2で発光するときの電流値を測定した。次に、対象となる素子に先に測定した電流値に保って電流を流した。その際の素子の輝度を観測し続け、初期の輝度、すなわち1000cd/m2が8割減するまでの時間を測定し、これを駆動寿命とした。なお、温度条件は室温で行った。
<駆動条件>
温度 室温
駆動方式 直流駆動(DC駆動)
初期輝度 1000cd/m2
• Driving life measurement method The driving life measurement method (hereinafter referred to as drive test) is shown below. First, the current value was measured when the target device emitted light at 1000 cd / m 2 . Next, a current was passed through the target element while maintaining the current value measured previously. The luminance of the element at that time was continuously observed, and the initial luminance, that is, the time until 1000 cd / m 2 was reduced by 80% was measured, and this was defined as the driving life. The temperature condition was room temperature.
<Drive conditions>
Temperature Room temperature Drive method DC drive (DC drive)
Initial luminance 1000 cd / m 2
本発明は、例えば、有機電界発光素子、電子写真感光体、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等に用いることができ、特に、有機電界発光素子に用いて好適である。 The present invention can be used for, for example, an organic electroluminescent element, an electrophotographic photosensitive member, a photoelectric conversion element, an organic solar battery, an organic rectifying element, and the like, and particularly suitable for an organic electroluminescent element.
1 ガラス基板
2 ITO層
3 高分子層
4 測定用陽極
5 サンプル層
6 測定用陰極
10,10’,10” 有機電界発光素子
11 基板(ガラス基板)
12 陽極(ITO層)
13 正孔注入層
14 電荷輸送膜
15 発光層
16 電子注入層
17 陰極
18 正孔阻止層
19 電子輸送層
DESCRIPTION OF
12 Anode (ITO layer)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 13 Hole injection layer 14 Charge transport film | membrane 15 Light emitting layer 16 Electron injection layer 17 Cathode 18 Hole blocking layer 19 Electron transport layer
Claims (6)
ことを特徴とする、電荷輸送膜。
[測定用素子]
ITOからなる厚さ100nm以上200nm以下のITO層上に、下記式(P1)に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子(重量平均分子量:10,000以上50,000以下、重量平均分子量/数平均分子量:1以上3以下)2.0重量%、及び、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート0.8重量%を含む安息香酸エチル溶液を成膜し、大気中230℃で3時間ベークしてなる厚さ30nmの層を備えた測定用陽極と、
前記サンプル層上に形成された、Alからなる厚さ80nmの測定用陰極とを備えた測定用素子。 A charge transport film containing a crosslinkable polymer, wherein the crosslinkable polymer has a relative dielectric constant of 3.3 or more and 6 measured at 25 ° C., a measurement frequency of 100 Hz, and a measurement AC voltage of 250 mV using the following measurement element. A charge transporting film characterized by being 3 or less.
[Measuring element]
A hole transporting polymer having a repeating structure represented by the following formula (P1) (weight average molecular weight: 10,000 to 50,000, weight average molecular weight / A film of an ethyl benzoate solution containing 2.0% by weight of a number average molecular weight: 1 or more and 3 or less) and 0.8% by weight of 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, An anode for measurement provided with a layer having a thickness of 30 nm obtained by baking at 230 ° C. for 3 hours in the atmosphere;
A measuring element provided with a measuring cathode made of Al and having a thickness of 80 nm formed on the sample layer.
ことを特徴とする、請求項1記載の電荷輸送膜。 The charge transport film according to claim 1, wherein the current mutation point measured by the measuring element is 1050 kV / cm or more.
ことを特徴とする、有機電界発光素子。 An organic electroluminescent device comprising: an anode; a cathode; and the charge transport film according to claim 1 or 2 provided between the anode and the cathode.
ことを特徴とする、請求項3記載の有機電界発光素子。 4. The organic electroluminescent device according to claim 3, wherein the charge transport film is a hole transport layer.
ことを特徴とする、有機ELディスプレイ。 An organic EL display using the organic electroluminescent element according to claim 3.
ことを特徴とする、架橋基を有する化合物。 A compound having a crosslinking group, which forms a crosslinkable polymer contained in the charge transport film according to claim 1 or 2.
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