JP5397693B2 - 水素含有率取得装置および水素含有率取得方法 - Google Patents
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Description
3 分光エリプソメータ
9 ガラス基板
71 含有率演算部
72 記憶部
721 参照情報
S11〜S15,S21〜S23 ステップ
Claims (9)
- 対象物上に形成されたシリコン膜中に含まれるSiHの含有率およびSiH2の含有率を取得する水素含有率取得装置であって、
分光エリプソメータと、
所定のパラメータ群の値と、SiHの含有率およびSiH2の含有率とを関連付ける参照情報を記憶する記憶部と、
前記分光エリプソメータにて対象物上のシリコン膜に対して測定を行うことにより取得された測定スペクトルから前記パラメータ群の値を求め、前記パラメータ群の値および前記参照情報に基づいて、SiHの含有率およびSiH2の含有率を求める含有率演算部と、
を備え、
前記パラメータ群の1つが、基準となるシリコン膜の誘電関数における虚部のピーク値である参照ピーク値と、前記測定スペクトルから導かれる誘電関数における虚部のピーク値との差である第1シフト量であり、
前記パラメータ群の他の1つが、前記参照ピーク値に対応する振動数と、前記測定スペクトルから導かれる誘電関数の虚部のピークにおける振動数との差である第2シフト量であり、
前記参照情報が、前記第1シフト量および前記第2シフト量を変数として、SiHの含有率およびSiH 2 の含有率のそれぞれを表す関数を含むことを特徴とする水素含有率取得装置。 - 請求項1に記載の水素含有率取得装置であって、
前記含有率演算部が、SiHおよびSiH2のそれぞれの存在に起因してシリコン膜中に生じるボイドの体積分率をパラメータとして含む有効媒質理論を用いつつ、前記対象物上のシリコン膜における前記第1シフト量および前記第2シフト量の値を求めることを特徴とする水素含有率取得装置。 - 対象物上に形成されたシリコン膜中に含まれるSiHの含有率およびSiH 2 の含有率を取得する水素含有率取得装置であって、
分光エリプソメータと、
所定のパラメータ群の値と、SiHの含有率およびSiH 2 の含有率とを関連付ける参照情報を記憶する記憶部と、
前記分光エリプソメータにて対象物上のシリコン膜に対して測定を行うことにより取得された測定スペクトルから前記パラメータ群の値を求め、前記パラメータ群の値および前記参照情報に基づいて、SiHの含有率およびSiH 2 の含有率を求める含有率演算部と、
を備え、
前記パラメータ群の値が、前記測定スペクトルから導かれる誘電関数における虚部のピーク値およびピークにおける振動数を含むことを特徴とする水素含有率取得装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の水素含有率取得装置であって、
前記対象物が、太陽電池用の基板であることを特徴とする水素含有率取得装置。 - 対象物上に形成されたシリコン膜中に含まれるSiHの含有率およびSiH2の含有率を取得する水素含有率取得方法であって、
a)所定のパラメータ群の値と、SiHの含有率およびSiH2の含有率とを関連付ける参照情報を準備する工程と、
b)分光エリプソメータにて対象物上のシリコン膜に対して測定を行うことにより測定スペクトルを取得し、前記測定スペクトルから前記パラメータ群の値を求める工程と、
c)前記パラメータ群の前記値および前記参照情報に基づいて、SiHの含有率およびSiH2の含有率を求める工程と、
を備え、
前記パラメータ群の1つが、基準となるシリコン膜の誘電関数における虚部のピーク値である参照ピーク値と、前記測定スペクトルから導かれる誘電関数における虚部のピーク値との差である第1シフト量であり、
前記パラメータ群の他の1つが、前記参照ピーク値に対応する振動数と、前記測定スペクトルから導かれる誘電関数の虚部のピークにおける振動数との差である第2シフト量であり、
前記参照情報が、前記第1シフト量および前記第2シフト量を変数として、SiHの含有率およびSiH 2 の含有率のそれぞれを表す関数を含むことを特徴とする水素含有率取得方法。 - 請求項5に記載の水素含有率取得方法であって、
前記b)工程において、SiHおよびSiH2のそれぞれの存在に起因してシリコン膜中に生じるボイドの体積分率をパラメータとして含む有効媒質理論を用いつつ、前記対象物上のシリコン膜における前記第1シフト量および前記第2シフト量の値が求められることを特徴とする水素含有率取得方法。 - 請求項6に記載の水素含有率取得方法であって、
前記a)工程が、
a1)SiHの含有率およびSiH2の含有率が既知であり、前記基準となる基準シリコン膜と、SiHの含有率およびSiH2の含有率が既知である他の複数のサンプルシリコン膜を準備する工程と、
a2)前記基準シリコン膜および前記複数のサンプルシリコン膜のそれぞれに対して前記分光エリプソメータにて測定を行って誘電関数を取得する工程と、
a3)前記複数のサンプルシリコン膜のそれぞれに関して、前記第1シフト量および前記第2シフト量をパラメータとして含む前記有効媒質理論を用いて表される誘電関数と、前記a2)工程において取得された誘電関数とを比較することにより、前記複数のサンプルシリコン膜における前記第1シフト量および前記第2シフト量の値を決定する工程と、
a4)前記複数のサンプルシリコン膜における前記第1シフト量および前記第2シフト量の値から、前記第1シフト量および前記第2シフト量を変数として、SiHの含有率およびSiH2の含有率のそれぞれを表す前記関数を生成する工程と、
を備えることを特徴とする水素含有率取得方法。 - 対象物上に形成されたシリコン膜中に含まれるSiHの含有率およびSiH 2 の含有率を取得する水素含有率取得方法であって、
a)所定のパラメータ群の値と、SiHの含有率およびSiH 2 の含有率とを関連付ける参照情報を準備する工程と、
b)分光エリプソメータにて対象物上のシリコン膜に対して測定を行うことにより測定スペクトルを取得し、前記測定スペクトルから前記パラメータ群の値を求める工程と、
c)前記パラメータ群の前記値および前記参照情報に基づいて、SiHの含有率およびSiH 2 の含有率を求める工程と、
を備え、
前記パラメータ群の値が、前記測定スペクトルから導かれる誘電関数における虚部のピーク値およびピークにおける振動数を含むことを特徴とする水素含有率取得方法。 - 請求項5ないし8のいずれかに記載の水素含有率取得方法であって、
前記対象物が、太陽電池用の基板であることを特徴とする水素含有率取得方法。
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