JP5345519B2 - ヘテロレプティックな遷移金属−カルベン錯体及びそれを有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）において用いる使用 - Google Patents

Description

本発明は、少なくとも２つの異なるカルベン配位子を含むヘテロレプティックなカルベン錯体、該ヘテロレプティックなカルベン錯体の製造方法、該ヘテロレプティックなカルベン錯体を有機発光ダイオードにおいて用いる使用、少なくとも１つの本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を含む有機発光ダイオード、少なくとも１つの本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を含む発光層、少なくとも１つの本発明による発光層を含む有機発光ダイオード並びに少なくとも１つの本発明による有機発光ダイオードを含む装置に関する。

発光ダイオード（ＯＬＥＤ）においては、電流によって励起された場合に光を放出する材料の特性が用いられる。ＯＬＥＤは、特に陰極線管及び液晶ディスプレイの代替として、平面ディスプレイの製造のために関心が持たれている。そのコンパクトな構造及び本来より低い電流消費に基づいて、ＯＬＥＤを含む装置は、特に可搬用途、例えば携帯機器、ラップトップなどで使用するために適している。

ＯＬＥＤの作動様式の基本原理並びにＯＬＥＤの好適な構造（層）は、例えばＷＯ２００５／１１３７０４号とそこに引用される文献に挙げられている。

先行技術においては、既に、電流による励起に際して光を発する多数の材料が提案されている。

ＷＯ２００５／０１９３７３号においては、少なくとも１つのカルベン配位子を含む中性の遷移金属錯体をＯＬＥＤにおいて用いる使用がはじめて開示されている。これらの遷移金属錯体は、ＷＯ２００５／０１９３７３号によれば、ＯＬＥＤの各層において使用することができ、その際、配位子骨格もしくは中心金属は、所望される遷移金属錯体の特性に適合させるために変更することができる。該遷移金属錯体は、例えば、ＯＬＥＤの電子のための阻止層、励起子のための阻止層、正孔のための阻止層もしくは発光層において使用することが可能であり、その際、該遷移金属錯体は、ＯＬＥＤ中の発光体分子として使用することが好ましい。

ＷＯ２００５／１１３７０４号は、カルベン配位子を有する発光性化合物に関する。ＷＯ２００５／１１３７０４号によれば、種々のカルベン配位子を有する多数の遷移金属錯体が挙げられており、その際、該遷移金属錯体は、好ましくは燐光発光性材料として、特に好ましくはドープ物質として使用される。

ＯＬＥＤで使用するために、特に発光性物質として適している化合物が既に知れられているにもかかわらず、産業上で使用可能なより効率的な化合物を提供することは望ましい。本願の範囲においては、電子ルミネッセンスとは、電子蛍光と電子燐光のいずれも表している。

従って、本願の課題は、ＯＬＥＤで使用するのに適した新規のカルベン錯体を提供することである。特に、エレクトロルミネッセンスを良好な効率で示す遷移金属錯体を提供することが望まれている。更に、該新規のカルベン錯体をもって、同時に良好な効率において"色微調整"が達成されることが望ましい。

前記課題は、少なくとも２つの異なるカルベン配位子を含有する、一般式（Ｉ）
Ｍ¹［ｃａｒｂｅｎ］_n （Ｉ）
［式中、記号は、以下の意味を有する：
Ｍ¹は、Ｉｒ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ及びＡｕ、好ましくはＩｒ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＰｔ、特に好ましくはＩｒ、Ｐｔ、Ｒｈ及びＯｓ、殊に好ましくはＩｒからなる群から選択される金属原子であって、その相応する金属原子について可能な各酸化段階におけるものを意味する；
ｎは、カルベン配位子の数を意味し、その際、ｎは、少なくとも２である；
その際、ｎは、使用される金属原子の酸化段階及び配位数と、配位子ｃａｒｂｅｎの電荷に依存している；
ｃａｒｂｅｎは、一般式（ＩＩ）

のカルベン配位子を意味する；
一般式ＩＩのカルベン配位子中の記号は、以下の意味を有する：
Ｄｏ¹は、Ｃ、Ｐ、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｉ、好ましくはＰ、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群から選択されるドナー原子を意味する；
Ｄｏ²は、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｏ及びＳからなる群から選択されるドナー原子を意味する；
ｒは、Ｄｏ¹がＣもしくはＳｉである場合に、２であり、Ｄｏ¹がＮもしくはＰである場合に、１であり、かつＤｏ¹がＯもしくはＳである場合に、０である；
ｓは、Ｄｏ²がＣである場合に、２であり、Ｄｏ²がＮもしくはＰである場合に、１であり、かつＤｏ²がＯもしくはＳである場合に、０である；
Ｘは、シリレン、アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹³、ＰＲ¹⁴、ＢＲ¹⁵、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ¹⁶Ｒ¹⁷）_wからなる群から選択されるスペーサーであり、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ¹⁶Ｒ¹⁷）は、ＮＲ¹³、ＰＲ¹⁴、ＢＲ¹⁵、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよい；
ｗは、２〜１０である；
Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する；
ｐは、０もしくは１である；
ｑは、０もしくは１である；
Ｙ¹、Ｙ²は、それぞれ互いに無関係に、水素又はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基及びアルケニル基からなる群から選択される炭素含有基を意味するか、又は
Ｙ¹及びＹ²は、一緒になって、ドナー原子Ｄｏ¹と窒素原子Ｎとの間に、少なくとも２つの原子を有し、そのうち少なくとも１つが炭素原子である架橋を形成する；
Ｒ¹、Ｒ²は、互いに無関係に、水素、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味するか、又は
Ｒ¹及びＲ²は、一緒になって、全体で３〜５個の原子を有し、そのうち１〜５個の原子がヘテロ原子であってよく、かつ残りの原子が炭素原子である架橋を形成するので、基

は、５員ないし７員の環を形成し、前記環は、場合により、既に存在する二重結合の他に、１つの更なる二重結合を有してよく、又は６員もしくは７員の環の場合には、２つの更なる二重結合を有してよく、かつ場合によりアルキル基もしくはアリール基及び／又はドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基で置換されていてよく、かつ場合により少なくとも１つのヘテロ原子を有してよく、かつ前記の５員ないし７員の環は、場合により、１もしくは複数の他の環と縮合されていてよい；
更に、Ｙ¹及びＲ¹は、架橋を介して互いに結合されていてよく、その際、該架橋は以下の意味を有してよい：
アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²¹Ｒ²²）_x、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ²¹Ｒ²²）は、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよく、その際、
ｘは、２〜１０であり、かつ
Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³⁰、Ｒ³¹は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する；
Ｒ³は、水素、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味する］のヘテロレプティックなカルベン錯体であって、少なくとも２つのカルベン配位子が、異なるＹ³の意味を有し、その際、
少なくとも１つの第一のカルベン配位子（ＩＩａ）におけるＹ³は、以下の意味を有する：
水素、アルキル基、アルキニル基もしくはアルケニル基、その際、Ｄｏ¹がＣもしくはＳｉであり、かつｒが２を意味する場合に、両方の基Ｙ³は、上述の意味を有する；及び
少なくとも１つの第二のカルベン配位子（ＩＩｂ）におけるＹ³は、以下の意味を有する：

［式中、Ｄｏ^2'、ｑ′、ｓ′、Ｒ^3'、Ｒ^1'、Ｒ^2'、Ｘ′及びｐ′は、無関係に、Ｄｏ²、ｑ、ｓ、Ｒ³、Ｒ¹、Ｒ²、Ｘ及びｐと同じ意味を有する］を意味し、かつ
Ｄｏ¹がＣもしくはＳｉであり、かつｒが２を意味する場合には、両方の基Ｙ³の少なくとも１つは、上述の意味を有する；第二の基Ｙ³は、上述の意味を有するか、又は第一のカルベン配位子に関してＹ³について挙げた意味を有してよい；及び
一般式Ｉで示されｎ＞２であるヘテロレプティックなカルベン錯体における第三のもしくは他のカルベン配位子におけるＹ³は、第一のカルベン配位子（ＩＩａ）において挙げた意味か、第二のカルベン配位子（ＩＩｂ）において挙げた意味のいずれかを有する；
更に、ｎ個のカルベン配位子の各々におけるＹ³及びＹ²は、架橋を介して互いに結合されていてよく、その際、該架橋は、以下の意味を有してよい：
アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ²⁵、ＰＲ²⁶、ＢＲ²⁷、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³²Ｒ³³、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²⁸Ｒ²⁹）_y、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ²⁸Ｒ²⁹）は、ＮＲ²⁵、ＰＲ²⁶、ＢＲ²⁷、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³²Ｒ³³、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよく、その際、
ｙは、２〜１０であり、かつ
Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³²、Ｒ³³は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味することを特徴とするヘテロレプティックなカルベン錯体を提供することによって解決される。

従って、一般式ＩＩのカルベン配位子は、Ｄｏ¹がＯもしくはＳを意味する場合においては、本願の意味における非対称のカルベン配位子である。

本発明による式Ｉのヘテロレプティックなカルベン錯体は、該錯体が、少なくとも２つの異なるカルベン配位子（少なくとも１つの第一のカルベン配位子ＩＩａ及び少なくとも１つの第二のカルベン配位子ＩＩｂ）を有することを特徴とする。使用される金属原子Ｍ¹の酸化段階及び配位数と、配位子ｃａｒｂｅｎの配座数並びに電荷に依存して、第一のカルベン配位子ＩＩａ及び第二のカルベン配位子ＩＩｂの他に、本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体中には、他のカルベン配位子が存在してよい。前記のカルベン配位子の構造は、第一のカルベン配位子ＩＩａか第二のカルベン配位子ＩＩｂのいずれかの構造に相当してよく、その際、個々のカルベン配位子の置換型は異なっていてよい。

第一のカルベン配位子ＩＩａは、以下で、"非対称のカルベン配位子"とも呼称し、一方、第二のカルベン配位子ＩＩｂは、"対称のカルベン配位子"とも呼称する。その際、対称のカルベン配位子とは、本願の範囲においては、置換基Ｙ³が、一般式ＩＩで表されるカルベン配位子のＮ原子に結合した基と同一性を有さねばならないか、あるいはＤｏ¹がＮでなければならず、かつ／又はＹ¹及びＹ²が同一でなければならないか、又はそれが一緒になって厳密に対称的な基を形成せねばならないことを表すわけではない。個々の基の置換型は、完全に異なっていてよい。

本願の範囲における対称のカルベン配位子とは、置換基Ｙ³の基本構造が、一般式ＩＩのカルベン配位子中のＮ原子に結合した基の基本構造と一致しているカルベン配位子を表すべきであり、その際、該基の置換型は異なっていてよい。

少なくとも１つの対称のカルベン配位子（第二のカルベン配位子ＩＩｂ）及び少なくとも１つの非対称のカルベン配位子（第一のカルベン配位子ＩＩａ）を含有する本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体が、同じカルベン配位子を有する相応の錯体に対して、異なる配位子（１つのカルベン錯体中に対称と非対称のカルベン配位子）によって、発光色の微調整を達成できる、すなわちそれぞれ１種類の配位子だけで相応の純粋なカルベン錯体の混色を達成できる点で優れており、その際、驚くべきことに、混合型の錯体のホトルミネッセンス−量子収率は、純粋な錯体の量子収率の間にはなく、純粋な錯体の効率化されたものと同じ高さであることが判明した。従って、驚くべきことに、本発明による一般式Ｉのヘテロレプティックなカルベン錯体によって、効率がより低い錯体の量子収率の方向に量子収率を悪化することなく、発光色を調節できることが判明した。

使用される金属Ｍ¹の配位数と、使用されるカルベン配位子及び非カルベン配位子の数とに依存して、相応の金属錯体の種々の異性体は、同じ金属Ｍ¹で、かつ同じ使用されるカルベン配位子及び非カルベン配位子の性質で存在しうる。例えば、配位数６を有する金属Ｍ¹との錯体（従って八面体の錯体）、例えばＩｒ（ＩＩＩ）錯体の場合に、一般組成Ｍ（ＡＢ）₂（ＣＤ）［式中、ＡＢ及びＣＤは二座配位子である］の錯体であるときには、"ｆａｃ−ｍｅｒ−異性体（ｆａｃｉａｌ／ｍｅｒｉｄｉｏｎａｌ−異性体）"が可能である。その際、本願の範囲内では、"ｆａｃ−ｍｅｒ−異性体"とは、以下に表す異性体を意味するべきである：

配位数４を有する金属Ｍ¹との正方平面型錯体、例えばＰｔ（ＩＩ）錯体の場合に、一般組成Ｍ（ＡＢ）（ＣＤ）［式中、ＡＢ及びＣＤは二座配位子である］であるときには、"異性体"が可能である。その際、本願の範囲内では、"異性体"とは、以下に表す異性体を意味するべきである：

記号Ａ及びＢ並びにＣ及びＤは、それぞれ配位子の結合位置であり、その際、二座配位子だけが存在する。二座配位子は、上述の一般組成によれば、群Ａ及び群Ｂもしくは群Ｃ及び群Ｄを有する。

当業者には、基本的に、シス／トランス異性体あるいはｆａｃ／ｍｅｒ異性体が何を意味するかは知られている。組成ＭＡ₃Ｂ₃の錯体の場合に、同じ種類の３つの群は、八面体表面に頂点を有する（ｆａｃｉａｌ異性体）か、又は経線を有する、すなわち３つの配位子結合位置の２つが互いにトランス位にある（ｍｅｒｉｄｉｏｎａｌ異性体）。八座の金属錯体におけるシス／トランス異性体あるいはｆａｃ／ｍｅｒ異性体の定義に関しては、例えばＪ．Ｈｕｈｅｅｙ，Ｅ．Ｋｅｉｔｅｒ，Ｒ．Ｋｅｉｔｅｒ，Ａｎｏｒｇａｎｉｓｃｈｅ Ｃｈｅｍｉｅ：Ｐｒｉｎｚｉｐｉｅｎ ｖｏｎ Ｓｔｒｕｋｔｕｒ ｕｎｄ Ｒｅａｋｔｉｖｉｔａｅｔ、Ｒａｌｆ Ｓｔｅｕｄｅｌ訳の第二改訂拡張版，Ｂｅｒｌｉｎ；Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ：ｄｅ Ｇｒｕｙｔｅｒ，１９９５，第５７５，５７６頁を参照のこと。

正方平面錯体の場合には、シス異性体は、組成ＭＡ₂Ｂ₂の錯体である場合には、両方の群Ａも両方の群Ｂも、隣接した四面体の頂点を占有し、一方で、トランス異性体である場合には、両方の群Ａも両方の群Ｂも、それぞれ互いに対角に向かい合った四面体の頂点を占有していることを意味する。正方平面金属錯体におけるシス／トランス異性体の定義に関しては、例えばＪ．Ｈｕｈｅｅｙ，Ｅ．Ｋｅｉｔｅｒ，Ｒ．Ｋｅｉｔｅｒ，Ａｎｏｒｇａｎｉｓｃｈｅ Ｃｈｅｍｉｅ：Ｐｒｉｎｚｉｐｉｅｎ ｖｏｎ Ｓｔｒｕｋｔｕｒ ｕｎｄ Ｒｅａｋｔｉｖｉｔａｅｔ、Ｒａｌｆ Ｓｔｅｕｄｅｌ訳の第二改訂拡張版，Ｂｅｒｌｉｎ；Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ：ｄｅ Ｇｒｕｙｔｅｒ，１９９５，第５５７〜５５９頁を参照のこと。

一般に、式Ｉの金属錯体の種々の異性体は、当業者に公知の方法に従って、例えばクロマトグラフィー、昇華もしくは結晶化によって分離することができる。

従って、本発明は、式Ｉのカルベン錯体のそれぞれの個々の異性体にも、種々の異性体のそれぞれの任意の混合比における混合物にも関する。

特に好ましくは、本発明による一般式Ｉのヘテロレプティックなカルベン錯体は、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈ及びＰｔからなる群から選択される金属原子Ｍ¹を有し、その際、Ｏｓ（ＩＩ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）、Ｉｒ（ＩＩＩ）及びＰｔ（ＩＩ）が好ましい。Ｉｒ（ＩＩＩ）が特に好ましい。

一般式ＩＩのカルベン配位子の数ｎは、式Ｉで示され、式中の遷移金属原子Ｉｒ（ＩＩＩ）が配位数６を有する本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体においては、一般に３である。すなわち第一の（非対称の）カルベン配位子（ＩＩａ）と、第二の（対称の）カルベン配位子（ＩＩｂ）と、対称あるいは非対称の一般式ＩＩの第三のカルベン配位子とを有する。

カルベン配位子の数ｎは、遷移金属原子Ｐｔ（ＩＩ）が配位数４を有する遷移金属錯体においては２である。すなわち、第一の（非対称の）カルベン配位子（ＩＩａ）と、第二の（対称の）カルベン配位子（ＩＩｂ）とを有する。

基Ｙ¹及びＹ²に関しては、本発明の範囲においては（対称のカルベン配位子についても、非対称のカルベン配位子についても）以下のことが該当する：
基Ｙ¹及びＹ²の置換基は、一緒になって、全体で２ないし４つの、好ましくは２ないし３つの原子を有する架橋を形成でき、そのうち１もしくは２つの原子は、ヘテロ原子、好ましくはＮであってよく、かつ残りの原子は炭素原子であるので、基ＮＣＤｏ¹は、一緒になって前記の架橋と５員ないし７員の、好ましくは５員ないし６員の環を形成し、前記環は場合により２つもしくは６員もしくは７員の場合には、３つの二重結合を有してよく、場合によりアルキル基もしくはアリール基及び／又はドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基で置換されていてよく、かつ場合によりヘテロ原子、好ましくはＮを有してよく、その際、５員もしくは６員の芳香族環であって、アルキル基もしくはアリール基及び／又はドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基で置換もしくは非置換の環が好ましく、又は好ましくは５員もしくは６員の芳香族環は、更なる環であって場合により少なくとも１つのヘテロ原子、好ましくはＮを有する環、好ましくは６員の芳香族環と縮合されている。

基Ｙ¹は、基Ｒ¹と架橋を介して結合されていてよく、その際、架橋は、以下の意味を有してよい：
アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²¹Ｒ²²）_x、
その際、１つ以上の隣接していない基（ＣＲ²¹Ｒ²²）は、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって置き換えられていてよく、その際、ｘは２〜１０であり、かつＲ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³⁰、Ｒ³¹は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する。

Ｙ¹及びＹ²が一緒になって架橋を形成し、その際、５員ないし７員の環が形成される場合に、基Ｒ¹に結合する架橋は、直接的に５員ないし７員の環と結合されてよく、又は前記の環の置換基に結合されてよく、その際、５員ないし７員の環との直接的な結合が好ましい。特に好ましくは、５員ないし７員の環のＮ原子（一般式ＩＩにおいて）に直接的に隣接する原子は、係る結合が存在する場合（例えば後に挙げる架橋された構造を参照）に、架橋を介してＲ¹と結合される。Ｙ¹及びＹ²が一緒に架橋することによって形成される５員ないし７員の環が他の５員ないし７員の環と縮合されている場合に、結合する架橋は、縮合環の１つの原子と結合されていてよい（例えば以下に挙げる架橋された構造を参照）。

以下に、好ましい架橋された構造を、対称なカルベン配位子及び非対称のカルベン配位子について例示する。示された配位子系に示される基は、例えば置換基を有してよく、又は示した芳香族基中の１もしくは複数のＣＨ基は、ヘテロ原子によって交換されていてよい。同様に、カルベン配位子は、複数の同一もしくは異なる架橋を有することが可能である。表される架橋は、他の本発明により使用される配位子形中にも、例えば以下に挙げる式ＩＩａａ〜ＩＩａｅ及びＩＩｂａ〜ＩＩｂｅの配位子形にも存在してよい。

架橋された構造を有する非対称のカルベン配位子のための例：

架橋された構造を有する対称のカルベン配位子のための例：

基Ｒ¹⁸、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³⁰及びＲ³¹は、既に前記に定義したものである。

本願の範囲においては、概念アリール残基又はアリール基、ヘテロアリール残基又はヘテロアリール基、アルキル残基又はアルキル基、アルケニル残基又はアルケニル基及びアルキニル残基又はアルキニル残基は、以下の意味を有する：
アリール残基（又はアリール基）とは、６〜３０個の炭素原子、有利には６〜１８個の炭素原子の基本骨格を有する基であって、１つの芳香環又は複数の縮合された芳香環から構成されている基を表す。好適な基本骨格は、例えばフェニル、ナフチル、アントラセニル又はフェナントレニルである。前記の基本骨格は、非置換であってよい（すなわち、置換可能な全ての炭素原子は水素原子を有する）、又は基本骨格の１つ、複数又は全ての置換可能な位置は置換されていてよい。好適な置換基は、例えば、アルキル基、有利には１〜８個の炭素原子を有するアルキル基、特に有利にはメチル基、エチル基もしくはｉ−プロピル基、アリール基、有利にはＣ₆−アリール基（前記基は、更に置換されていてよく又は非置換であってもよい）、ヘテロアリール基、有利には、少なくとも１つの窒素原子を有するヘテロアリール基、特に有利にはピリジル基、アルケニル基、有利には１つの二重結合を有するアルケニル基、特に有利には、１つの二重結合及び１〜８個の炭素原子を有するアルケニル基又はドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基である。ドナー作用もしくはアクセプター作用を有する好適な基は以下に挙げられるものである。殊に有利には、アリール基は、メチル、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、アリールオキシ及びアルコキシ、スルホニル、ヘテロアリールからなる群から選択される置換基を有する。有利には、アリール残基又はアリール基は、Ｃ₆〜Ｃ₁₈−アリール基、特に有利にはＣ₆−アリール基であり、該アリール基は、場合により上述の置換基の少なくとも１つで置換されている。特に有利には、Ｃ₆〜Ｃ₁₈−アリール基、好ましくはＣ₆−アリール基は、上述の置換基の１又は２つを有し、その際、Ｃ₆−アリール基の場合に、１つの置換基は、アリール基の他の結合位置に対してオルト位、メタ位又はパラ位に配置されており、かつ２つの置換基の場合に、それぞれアリール基の他の結合位置に対してメタ位又はオルト位に配置されているか又は１つの基がオルト位で１つの基がメタ位で配置されていてよく、又は１つの基がオルトもしくはメタ位に配置され、かつ他の基がパラ位に配置されている。

ヘテロアリール残基又はヘテロアリール基とは、アリール基の基本骨格において少なくとも１つの炭素が１つのヘテロ原子によって交換されている点で前記のアリール基と異なる基を表す。有利なヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ及びＳである。殊に有利には、アリール基の基本骨格の１又は２つの炭素原子は、ヘテロ原子によって交換されている。特に、ピリジン及び５員の複素芳香族化合物、例えばピロール、フラン、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、オキサゾール、チアゾールなどの系から選択される基本骨格が好ましい。該基本骨格は、その基本骨格の１つ、複数又は全ての置換可能な位置で置換されていてよい。好適な置換基は、既にアリール基に関して挙げたのと同じ置換基である。

アルキル残基又はアルキル基とは、１〜２０個の炭素原子、有利には１〜１０個の炭素原子、特に有利には１〜８個の炭素原子を有する基を表すべきである。前記のアルキル基は、分枝鎖状又は非分枝鎖状であってよく、かつ場合により１又は複数のヘテロ原子、有利にはＳｉ、Ｎ、Ｏ又はＳ、特に好ましくはＮ、ＯもしくはＳによって中断されていてよい。更に、前記のアルキル基は、アリール基に関して挙げた置換基１又は複数で置換されていてよい。同様に、該アルキル基は、１つ又は複数の（ヘテロ）アリール基を有することも可能である。この場合に、前記の（ヘテロ）アリール基の全てが適している。特に、メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル及びｔ−ブチルからなる群から選択されるアルキル基が好ましく、殊にメチル及びイソプロピルが好ましい。

アルケニル残基又はアルケニル基とは、少なくとも２個の炭素原子を有する上述のアルキル基に相当するが、アルキル基の少なくとも１つのＣ−Ｃ単結合が１つのＣ−Ｃ二重結合によって交換されていることが異なる基を表すべきである。有利には、アルケニル基は、１又は２つの二重結合を有する。

アルケニル残基又はアルケニル基とは、少なくとも２個の炭素原子を有する上述のアルキル基に相当するが、アルキル基の少なくとも１つのＣ−Ｃ単結合が１つのＣ−Ｃ二重結合によって交換されていることが異なる基を表すべきである。有利には、アルキニル基は、１又は２つの三重結合を有する。

アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン及びアルケニレンといった概念は、本発明の範囲においては、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基及びアルケニル基に関して挙げた意味を有するが、そのアルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、アルキニレン基及びアルケニレン基が式ＩＩの配位子の原子に対して２つの結合箇所を有するという点で異なるものである。

少なくとも２つの原子を有し、そのうち少なくとも１つが炭素原子であり、かつ他の原子が有利には窒素原子又は炭素原子であるＹ¹及びＹ²から形成される架橋であって、飽和又は有利には不飽和であってよく、かつ少なくとも２つの架橋の原子が置換又は非置換であってよい架橋とは、以下の基を表すべきである：
− ２つの炭素原子を有するか１つの炭素原子と１つの窒素原子を有する架橋であって、炭素原子もしくは炭素原子と窒素原子とが二重結合によって互いに結合されているので、以下の式の１つを有し、有利には２つの炭素原子を有する架橋：

［式中、
Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ¹¹及びＲ^11'は、互いに無関係に水素、アルキル、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニル、アリール又はドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味するか、又は
Ｒ²³及びＲ²⁴は、一緒になって、全体で３〜５個、有利には４個の原子を有する架橋を形成し、そのうち場合により１〜５個は、ヘテロ原子、有利にはＮであってよく、かつ残りの原子は炭素原子なので、この基は、５員ないし７員、有利には６員の環を形成し、該環は、場合により、既に存在する二重結合の他に、１つの他の二重結合を、又は６員又は７員の環の場合には、２つの他の二重結合を有してよく、かつ場合によりアルキル基又はアリール基及び／又はドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基で置換されていてよい］。その場合に、６員の芳香族環であることが好ましい。該環は、アルキル基又はアリール基及び／又はドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基で置換されているか又は非置換であってよい。更に、前記の芳香族環、有利には前記の６員の芳香族環に、１又は複数の他の芳香族環が縮合されていてよい。この場合に、それぞれ考えられる縮合が可能である。これらの縮合された基は、更に置換されていてよく、有利にはアリール基の一般的な定義で挙げた基で置換されていてよい。

− ２つの炭素原子を有する架橋であって、炭素原子が１つの単結合によって互いに結合されているので、以下の式を有する架橋：

［式中、
Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＲ⁷は、互いに無関係に、水素、アルキル、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニル、アリールもしくはドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味し、有利には水素、アルキル又はアリールを意味する］。

ドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基もしくは置換基は、本発明の範囲では以下の基を表す：
ドナー作用を有する基とは、＋Ｉ効果及び／又は＋Ｍ効果を有する基を表し、かつアクセプター作用を有する基とは、−Ｉ効果及び／又は−Ｍ効果を有する基を表す。ドナー作用もしくはアクセプター作用を有する好適な基は、ハロゲン基、有利にはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、特に好ましくはＦ、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニル基、エステル基、オキシカルボニル基もカルボニルオキシ基も、アミン基、アミド基、ＣＨ₂Ｆ−基、ＣＨＦ₂基、ＣＦ₃基、ＣＮ基、チオ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、ホウ酸基、ホウ酸エステル基、ホスホン酸基、ホスホン酸エステル基、ホスフィン基、スルホキシド基、スルホニル基、スルフィド基、ヘテロアリール基、ニトロ基、ＯＣＮ、ボラン基、シリル基、スタネート基、イミノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、オキシム基、ニトロソ基、ジアゾ基、ホスフィンオキシド基、ヒドロキシ基もしくはＳＣＮ基である。殊には、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、アリールオキシ、アルコキシ、スルホニル及びヘテロアリールが好ましい。

基

は、対称のカルベン配位子（ＩＩｂ）においても非対称のカルベン配位子（ＩＩａ）においても、好ましくは、

［式中、記号は、以下の意味を有する：
Ｚ′′は、互いに無関係に、ＣＲ¹⁰もしくはＮを意味する；基Ｚ′′の０〜３個、特に好ましくは０〜２個、殊に好ましくは０もしくは１個がＮであり、その他の基Ｚ′′がＣＲ¹⁰を意味することが好ましい；
Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹¹及びＲ^11′は、水素、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルキニルもしくはアルケニル又はドナー作用もしくはアクセプター作用を有する置換基、好ましくは水素、アルキル、ヘテロアリールもしくはアリールを意味する；
Ｒ¹⁰は、水素、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルキニルもしくはアルケニルを意味するか、又はそれぞれ２個の基Ｒ¹⁰は、一緒になって、場合により少なくとも１つのヘテロ原子、好ましくはＮを有してよい縮合環を形成するか、又はＲ¹⁰は、ドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味する；その際、好ましくは少なくとも１つの基Ｒ¹⁰はＨを意味し、特に好ましくは少なくとも２つの基Ｒ¹⁰はＨを意味し、殊に好ましくは、３もしくは４つの基Ｒ¹⁰はＨを意味する；
更に、基ａ中のＲ⁴もしくはＲ⁵と、基ｂ中のＲ⁸と、基ｃ中の基Ｒ¹⁰の１つと、基ｄ中のＲ¹¹は、Ｒ¹と架橋を介して結合されていてよく、その際、該架橋は、以下の意味を有してよい：
アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²¹Ｒ²²）_x、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ²¹Ｒ²²）は、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよく、その際、
ｘは、２〜１０であり、かつ
Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³⁰、Ｒ³¹は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味し、好ましい好適な架橋に関する例は、前述されている；
少なくとも１つの第一のカルベン配位子（ＩＩａ）（非対称のカルベン配位子）におけるＹ³は、以下の意味：
水素、アルキル基、アルキニル基もしくはアルケニル基を有する；及び
少なくとも１つの第二のカルベン配位子（ＩＩｂ）（対称のカルベン配位子）におけるＹ³は、以下の意味：

（式中、Ｄｏ^2'、ｑ′、ｓ′、Ｒ^3'、Ｒ^1'、Ｒ^2'、Ｘ′及びｐ′は、無関係に、Ｄｏ²、ｑ、ｓ、Ｒ³、Ｒ¹、Ｒ²、Ｘ及びｐと同じ意味を有する）を有する］からなる群から選択される。

本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体において場合により存在する他のカルベン配位子（式Ｉのカルベン錯体中のｎが２より大きい場合に）は、対称でも非対称でもよい。

式ＩＩのカルベン配位子の基

は、対称のカルベン配位子（ＩＩｂ）においても非対称のカルベン配位子（ＩＩａ）においても、好ましくは、構造

［式中、記号は以下の意味を有する：
Ｚは、互いに無関係に、ＣＲ¹²もしくはＮを意味し、その際、記号Ｚの０〜３個、好ましくは０〜２個、特に好ましくは０もしくは１個がＮを意味してよく、かつＺは、１つの記号ＺがＮを意味する場合には、該基と基

との結合位置に対して、ｏ位、ｍ位もしくはｐ位で、好ましくはｏ位もしくはｐ位で配置されていてよい；
基Ｚ中のＲ¹²は、互いに無関係に、Ｈ、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基、アルケニル基を意味するか、もしくはそれぞれ２個の基Ｒ¹²は、一緒になって、場合により少なくとも１つのヘテロ原子、好ましくはＮを有してよい縮合環を形成するか、又はＲ¹²は、ドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味し、好ましくはＨもしくはドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味する；
更に、構造

の基は、芳香族の本体を介してもしくは基Ｒ¹²の１つによって、Ｙ¹と架橋を介して結合されていてよく、その際、該架橋は、以下の意味を有してよい：
アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²¹Ｒ²²）_x、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ²¹Ｒ²²）は、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよく、その際、
ｘは、２〜１０であり、かつ
Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³⁰、Ｒ³¹は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する］を有する。

基Ｙ³は、非対称のカルベン配位子（ＩＩａ）においては、本発明によれば、水素、アルキル基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味し、その際、一般式ＩＩのカルベン配位子において、Ｄｏ¹がＣもしくはＳｉであり、かつｒが２を意味する場合には、両方の基Ｙ³は、上述の意味を有する。好ましい一実施態様においては、Ｄｏ¹は、Ｎであり、かつｒは、１である。好ましいアルキル基、アルキニル基及びアルケニル基は、上述の通りである。特に好ましくは、非対称のカルベン配位子における基Ｙ³は、アルキル基、殊に好ましくはメチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチルもしくはｔ−ブチル、より特に好ましくはメチルもしくはイソプロピルである。

基Ｙ³は、対称のカルベン配位子（ＩＩｂ）においては、本発明によれば：

［式中、Ｄｏ^2'、ｑ′、ｓ′、Ｒ^3'、Ｒ^1'、Ｒ^2'、Ｘ′及びｐ′は、無関係に、既に前記定義のＤｏ²、ｑ、ｓ、Ｒ³、Ｒ¹、Ｒ²、Ｘ及びｐと同じ意味を有し、かつＤｏ¹がＣもしくはＳｉであり、かつｒが２を意味する場合には、両方の基Ｙ³の少なくとも１つは、上述の意味を有する；第二の基Ｙ³は、上記の意味又は非対称のカルベン配位子に関してＹ³について挙げた意味を有してよい］を意味する。好ましい一実施態様においては、Ｄｏ¹、Ｎ及びｒは１である。すなわち基Ｙ³は、上述の意味を有する。

本発明の好ましい一実施態様においては、基

は、対称のカルベン配位子においては、以下の意味：

［式中、記号は、以下の意味を有する：
Ｚ′は、互いに無関係に、ＣＲ^12'もしくはＮを意味し、その際、記号Ｚ′の０〜５個、好ましくは０〜４個、特に好ましくは０〜３個、殊に好ましくは０〜２個、より殊に好ましくは０もしくは１個がＮを意味してよく、かつＺ′は、１つの記号Ｚ′がＮを意味する場合には、該基と基

との結合位置に対して、ｏ位、ｍ位もしくはｐ位で、好ましくはｏ位もしくはｐ位で配置されていてよい；
基Ｚ′中のＲ^12'は、互いに無関係に、Ｈ、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基、アルケニル基を意味するか、もしくはそれぞれ２個の基Ｒ^12'は、一緒になって、場合により少なくとも１つのヘテロ原子、好ましくはＮを有してよい縮合環を形成するか、又はＲ^12'は、ドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味し、好ましくはＨもしくはドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味する；
更に、構造

の基は、芳香族の本体を介してもしくは基Ｒ^12'の１つを介して、Ｙ¹と架橋を介して結合されていてよく、その際、該架橋は、以下の意味を有してよい：
アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²¹Ｒ²²）_x、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ²¹Ｒ²²）は、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよく、その際、
ｘは、２〜１０であり、かつ
Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³⁰、Ｒ³¹は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する］を有する。

一般式Ｉのヘテロレプティックなカルベン錯体においてｎが２より大きい場合、例えばＭ¹＝Ｉｒ（ＩＩＩ）について、ｎが３である場合に、１つ以上の他の基Ｙ³は、第一の（非対称の）カルベン配位子（ＩＩａ）に関して挙げた意味を有するか、又は第二の（対称の）カルベン配位子（ＩＩｂ）に関して挙げた意味を有してよい。

更に、一般式ＩＩのｎ個のカルベン配位子の各々におけるＹ³及びＹ²は、架橋を介して互いに結合されていてよく、その際、架橋は、以下の意味を有してよい：
アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ²⁵、ＰＲ²⁶、ＢＲ²⁷、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³²Ｒ³³、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²⁸Ｒ²⁹）_y、
その際、１つ以上の隣接していない基（ＣＲ²⁸Ｒ²⁹）は、ＮＲ²⁵、ＰＲ²⁶、ＢＲ²⁷、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³²Ｒ³³、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって置き換えられていてよく、その際、ｙは２〜１０であり、かつＲ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³²、Ｒ³³は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する。

殊に好ましい一実施態様においては、本発明は、式Ｉのヘテロレプティックなカルベン錯体であって、そのうちの少なくとも１つの第一の（非対称の）カルベン配位子が、

［式中、記号は、以下の意味を有する：
Ｚは、同一もしくは異なって、ＣＲ¹²もしくはＮを意味する；
Ｚ′′は、同一もしくは異なって、ＣＲ¹⁰もしくはＮを意味する；
Ｒ¹²は、互いに無関係に、Ｈ、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味するか、又はそれぞれ２個の基Ｒ¹²は、一緒になって、場合により少なくとも１つのヘテロ原子を有してよい縮合環を形成するか、又はＲ¹²は、ドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味する；
Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹¹及びＲ^11'は、水素、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルキニルもしくはアルケニル又はドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味する；
基Ｚ′′中のＲ¹⁰は、互いに無関係に、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルキニルもしくはアルケニルを意味するか、又はそれぞれ２個の基Ｒ¹⁰は、一緒になって、場合により少なくとも１つのヘテロ原子を有してよい縮合環を形成するか、又はＲ¹⁰は、ドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味する；
更に、構造

の基は、芳香族の本体もしくは基Ｒ ¹² の１つを介して、基ａａにおいては、Ｒ⁴もしくはＲ⁵又はＲ⁴及びＲ⁵が結合されている炭素原子と、基ａｂにおいては、Ｒ⁸又はＲ⁸が結合されている炭素原子と、基ａｃにおいては、基Ｒ¹⁰の１つ又はＲ¹⁰が結合されている炭素原子の１つと、又は基ａｄにおいては、Ｒ¹¹又はＲ¹¹が結合されている炭素原子と、架橋を介して結合されていてよく、その際、該架橋は、以下の意味を有してよい：
アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²¹Ｒ²²）_x、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ²¹Ｒ²²）は、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよく、その際、
ｘは、２〜１０であり、かつ
Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³⁰、Ｒ³¹は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する；
その際、構造

の基が、架橋を介して、Ｒ⁴及びＲ⁵が結合されている炭素原子と（基ａａ）、Ｒ⁸が結合されている炭素原子と（基ａｂ）、Ｒ¹⁰が結合されている炭素原子の１つと（基ａｃ）又はＲ¹¹が結合されている炭素原子と（基ａｄ）と結合されている場合には、それぞれの基Ｒ⁴もしくはＲ⁵、Ｒ⁸、基Ｒ¹⁰の１つもしくはＲ¹¹は、該架橋に対する結合によって交換されている；
Ｙ³は、アルキル基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味する］からなる群から選択されるものであるカルベン錯体に関する。

更なる殊に好ましい一実施態様において、本発明は、式Ｉのヘテロレプティックなカルベン錯体であって、そのうち少なくとも１つの第二の（対称の）カルベン配位子が、

［式中、記号は以下の意味を有する：
Ｚは、同一もしくは異なって、ＣＲ¹²もしくはＮを意味する；
Ｚ′は、同一もしくは異なって、ＣＲ^12'もしくはＮを意味する；
Ｚ′′は、同一もしくは異なって、ＣＲ¹⁰もしくはＮを意味する；
Ｒ¹²、Ｒ^12'は、同一もしくは異なって、それぞれ互いに無関係に、Ｈ、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味するか、又はそれぞれ２個の基Ｒ¹²もしくはＲ^12'は、一緒になって、場合により少なくとも１つのヘテロ原子を有してよい縮合環を形成するか、又はＲ¹²もしくはＲ^12'は、ドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味する；
Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹¹及びＲ^11'は、水素、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルキニルもしくはアルケニル又はドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味する；
基Ｚ′′中のＲ¹⁰は、互いに無関係に、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルキニルもしくはアルケニルを意味するか、又はそれぞれ２個の基Ｒ¹⁰は、一緒になって、場合により少なくとも１つのヘテロ原子を有してよい縮合環を形成するか、又はＲ¹⁰は、ドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味する；
更に、構造

の基は、芳香族の本体もしくは基Ｒ ¹² の１つを介して、基ｂａにおいては、Ｒ⁴もしくはＲ⁵又はＲ⁴及びＲ⁵が結合されている炭素原子と、基ｂｂにおいては、Ｒ⁸又はＲ⁸が結合されている炭素原子と、基ｂｃにおいては、基Ｒ¹⁰の１つ又はＲ¹⁰が結合されている炭素原子の１つと、又は基ｂｄにおいては、Ｒ¹¹又はＲ¹¹が結合されている炭素原子と、架橋を介して結合されていてよく、その際、それぞれの架橋は、以下の意味を有してよい：
アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²¹Ｒ²²）_x、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ²¹Ｒ²²）は、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよく、その際、
ｘは、２〜１０であり、かつ
Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³⁰、Ｒ³¹は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する；
その際、構造

の基が、架橋を介して、Ｒ⁴及びＲ⁵が結合されている炭素原子と（基ｂａ）、Ｒ⁸が結合されている炭素原子と（基ｂｂ）、Ｒ¹⁰が結合されている炭素原子の１つと（基ｂｃ）又はＲ¹¹が結合されている炭素原子と（基ｂｄ）と結合されている場合には、それぞれの基Ｒ⁴もしくはＲ⁵、Ｒ⁸、基Ｒ¹⁰の１つもしくはＲ¹¹は、該架橋に対する結合によって交換されている］からなる群から選択されるものであるカルベン錯体に関する。

殊に、一般式Ｉで示され、上述の殊に好ましい実施態様による少なくとも１つの第一の（非対称の）カルベン配位子と、上述の他の殊に好ましい実施態様による少なくとも１つの第二の（対称の）カルベン配位子を有するヘテロレプティックなカルベン錯体が好ましい。本発明による式Ｉのヘテロレプティックなカルベン錯体におけるｎが２より大きい場合に、１つ以上の他のカルベン配位子は、更に好ましい一実施態様においては、同様に、上述の殊に好ましい実施態様による対称もしくは非対称のカルベン配位子のいずれかである。

金属原子Ｍ¹は、本発明による一般式Ｉのヘテロレプティックなカルベン錯体において、特に好ましくは、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈ及びＰｔからなる群から選択され、その際、Ｏｓ（ＩＩ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）、Ｉｒ（ＩＩＩ）及びＰｔ（ＩＩ）が好ましい。Ｉｒ（ＩＩＩ）が特に好ましい。殊には、ヘテロレプティックなカルベン錯体であって、その際Ｍ¹がＩｒ（ＩＩＩ）であり、ｎが３であるものが好ましい。

従って、本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体は、殊に好ましい一実施態様においては、式（Ｉｉ）及び（Ｉｉｉ）

［式中、一般式（Ｉｉ）及び（Ｉｉｉ）のカルベン錯体中の記号は、以下の意味を有する：
Ｄｏ¹は、Ｃ、Ｐ、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｉ、好ましくはＰ、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群から選択されるドナー原子を意味し、その際、カルベン配位子

において、Ｄｏ¹は、ＯもしくはＳを意味しない；
Ｄｏ²、Ｄｏ^2'は、互いに無関係に、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｏ及びＳからなる群から選択されるドナー原子を意味する；
ｒは、Ｄｏ¹がＣもしくはＳｉである場合に、２であり、Ｄｏ¹がＮもしくはＰである場合に、１であり、かつＤｏ¹がＯもしくはＳである場合に、０である；
ｓ、ｓ′は、Ｄｏ²もしくはＤｏ^2'がＣである場合に、２であり、Ｄｏ²もしくはＤｏ^2'がＮもしくはＰである場合に、１であり、かつＤｏ²もしくはＤｏ^2'がＯもしくはＳである場合に、０である；
Ｘ、Ｘ′は、互いに無関係に、シリレン、アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹³、ＰＲ¹⁴、ＢＲ¹⁵、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ¹⁶Ｒ¹⁷）_wからなる群から選択されるスペーサーであり、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ¹⁶Ｒ¹⁷）は、ＮＲ¹³、ＰＲ¹⁴、ＢＲ¹⁵、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよい；
ｗは、２〜１０である；
Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する；
ｐ、ｐ′は、０もしくは１である；
ｑ、ｑ′は、０もしくは１である；
Ｙ¹、Ｙ²は、それぞれ互いに無関係に、水素又はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基及びアルケニル基からなる群から選択される炭素含有基を意味するか、又は
Ｙ¹及びＹ²は、一緒になって、ドナー原子Ｄｏ¹と窒素原子Ｎとの間に、少なくとも２つの原子を有し、そのうち少なくとも１つが炭素原子である架橋を形成する；
Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^1'、Ｒ^2'は、互いに無関係に、水素、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味するか、又は
Ｒ¹及びＲ²もしくはＲ^1'及びＲ^2'は、一緒になって、全体で３〜５個の原子を有し、そのうち１〜５個の原子がヘテロ原子であってよく、かつ残りの原子が炭素原子である架橋を形成するので、基

は、５員ないし７員の環を形成し、前記環は、場合により、既に存在する二重結合の他に、１つの更なる二重結合を有してよく、又は６員もしくは７員の環の場合には、２つの更なる二重結合を有してよく、かつ場合によりアルキル基もしくはアリール基及び／又はドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基で置換されていてよく、かつ場合により少なくとも１つのヘテロ原子を有してよく、かつ前記の５員ないし７員の環は、場合により、１もしくは複数の他の環、好ましくは６員の芳香環と縮合されていてよい；
更に、Ｙ¹及びＲ¹もしくはＹ²及びＲ^1'は、架橋を介して互いに結合されていてよく、その際、該架橋は以下の意味を有してよい：
アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²¹Ｒ²²）_x、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ²¹Ｒ²²）は、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよく、その際、
ｘは、２〜１０であり、かつ
Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³⁰、Ｒ³¹は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する；
Ｒ³は、水素、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味する；
Ｙ³は、水素、アルキル基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味する；
更に、Ｙ³及びＹ²は、架橋を介して互いに結合されていてよく、その際、該架橋は、以下の意味を有してよい：
アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ²⁵、ＰＲ²⁶、ＢＲ²⁷、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³²Ｒ³³、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²⁸Ｒ²⁹）_y、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ²⁸Ｒ²⁹）は、ＮＲ²⁵、ＰＲ²⁶、ＢＲ²⁷、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³²Ｒ³³、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよく、その際、
ｙは、２〜１０であり、かつ
Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³²、Ｒ³³は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する；
その際、異なるカルベン配位子における残基、基及び係数Ｒ¹、Ｒ²、Ｙ¹、Ｙ²、Ｄｏ¹、Ｄｏ²、Ｙ³、Ｘ、Ｒ³、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、Ｒ^1'、Ｒ^2'、Ｄｏ^2'、Ｒ^3'、ｐ′、ｑ′、ｓ′は、それぞれ同一もしくは異なってよい］を有する。

従って、本発明の好ましい一実施態様は、式（Ｉｉ）で示され、２つの非対称のカルベン配位子と１つの対称のカルベン配位子とを有するヘテロレプティックなＩｒ（ＩＩＩ）カルベン錯体に関し、かつ本発明の更なる好ましい一実施態様は、式（Ｉｉｉ）で示され、２つの対称のカルベン配位子と１つの非対称のカルベン配位子とを有するヘテロレプティックなＩｒ（ＩＩＩ）カルベン錯体に関する。式（Ｉｉ）のカルベン錯体中の２つの非対称のカルベン配位子及び式（Ｉｉｉ）のカルベン錯体中の２つの対称のカルベン配位子は、それぞれ同一もしくは異なってよい。好ましくは、式（Ｉｉ）のカルベン錯体中の２つの非対称のカルベン配位子及び式（Ｉｉｉ）のカルベン錯体中の２つの対称のカルベン配位子は、それぞれ同一である。好ましい、及び殊に好ましい対称のカルベン配位子と、好ましい、及び殊に好ましい非対称のカルベン配位子は、上述したとおりである。

式Ｉｉ及びＩｉｉ（Ｍ¹は、Ｉｒ（ＩＩＩ）であり、かつｎは、３である）のヘテロレプティックなカルベン錯体中で、殊に好ましく使用される非対称の配位子ａａないしａｅ及び対称の配位子ｂａないしｂｅの殊に好ましい配位子の組み合わせを、以下の表に挙げる：

¹⁾ "＋"は、対称のカルベン配位子と非対称のカルベン配位子との可能な組み合わせを意味する。

式Ｉｉのカルベン錯体においては、非対称の配位子ａａないしａｅの数は２であり、かつ対称の配位子ｂａないしｂｅの数は１であり、かつ式Ｉｉｉのカルベン錯体においては、非対称の配位子ａａないしａｅの数は１であり、かつ対称の配位子ｂａないしｂｅの数は２である。より殊に、以下の配位子の組合せが好ましい：
非対称のカルベン配位子：ａｂ − 対称のカルベン配位子：ｂｂ；
非対称のカルベン配位子：ａｂ − 対称のカルベン配位子：ｂｃ；
非対称のカルベン配位子：ａｃ − 対称のカルベン配位子：ｂｂ；
非対称のカルベン配位子：ａｃ − 対称のカルベン配位子：ｂｃ。

特に、式ＩＩで示される、２つの非対称のカルベン配位子と１つの対称のカルベン配位子を有する式ＩＩのヘテロレプティックなカルベン錯体が好ましい。

本発明による式Ｉのヘテロレプティックなカルベン錯体は、基本的に、当業者に公知の方法と同様に製造することができ、その際、本発明による式Ｉのヘテロレプティックなカルベン錯体は、少なくとも２つの異なるカルベン配位子を有することを顧慮すべきである。カルベン錯体の製造に適した方法は、例えば総説であるＷ．Ａ．Ｈｅｒｍａｎｎ他著のＡｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００１ Ｖｏｌ．４８，１〜６９、Ｗ．Ａ．Ｈｅｒｍａｎｎ他著のＡｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．１９９７，１０９，２２５６〜２２８２及びＧ．Ｂｅｒｔｒａｎｄ他著のＣｈｅｍ．Ｒｅｖ．２０００，１００，３９〜９１並びにそこに引用された文献に挙げられており、並びにＷＯ２００５／１１３７０４号、ＷＯ２００５／０１９３７３号及び整理番号ＥＰ０６１０１１０９．４を有する未公表の欧州出願に挙げられている。

一実施態様では、本発明による式Ｉのヘテロレプティックなカルベン錯体を、カルベン配位子に相応する配位子前駆体を脱プロトン化し、引き続き好適な、所望の金属を含有する金属錯体と反応させることによって製造される。

好適な対称の及び非対称のカルベン配位子の配位子前駆体は、当業者に公知である。有利には、それはカチオン性前駆体である。

好ましい一実施態様においては、本発明は、一般式Ｉの本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体の製造方法において、一般式（ＩＩＩ）

［式中、Ｑ^-は、モノアニオン性の対イオン、好ましくはハロゲン化物イオン、擬ハロゲン化物イオン、ＢＦ₄ ^-、ＢＰｈ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＡｓＦ₆ ^-もしくはＳｂＦ₆ ^-を意味し、かつ
Ｇは、Ｄｏ²がＣであるかｑが０である場合にＨを意味し、かつＧは、Ｄｏ²がＮ、Ｓ、ＯもしくはＰである場合にＨ又はヘテロ原子の自由電子対を意味し、かつ
一般式ＩＩＩの配位子前駆体中の他の記号は、以下の意味を有する：
Ｄｏ¹は、Ｃ、Ｐ、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｉ、好ましくはＰ、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群から選択されるドナー原子を意味する；
Ｄｏ²は、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｏ及びＳからなる群から選択されるドナー原子を意味する；
ｒは、Ｄｏ¹がＣもしくはＳｉである場合に、２であり、Ｄｏ¹がＮもしくはＰである場合に、１であり、かつＤｏ¹がＯもしくはＳである場合に、０である；
ｓは、Ｄｏ²がＣである場合に、２であり、Ｄｏ²がＮもしくはＰである場合に、１であり、かつＤｏ²がＯもしくはＳである場合に、０である；
Ｘは、シリレン、アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹³、ＰＲ¹⁴、ＢＲ¹⁵、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ¹⁶Ｒ¹⁷）_wからなる群から選択されるスペーサーであり、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ¹⁶Ｒ¹⁷）は、ＮＲ¹³、ＰＲ¹⁴、ＢＲ¹⁵、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよい；
ｗは、２〜１０である；
Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する；
ｐは、０もしくは１である；
ｑは、０もしくは１である；
Ｙ¹、Ｙ²は、それぞれ互いに無関係に、水素又はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基及びアルケニル基からなる群から選択される炭素含有基を意味するか、又は
Ｙ¹及びＹ²は、一緒になって、ドナー原子Ｄｏ¹と窒素原子Ｎとの間に、少なくとも２つの原子を有し、そのうち少なくとも１つが炭素原子である架橋を形成する；
Ｒ¹、Ｒ²は、互いに無関係に、水素、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味するか、又は
Ｒ¹及びＲ²は、一緒になって、全体で３〜５個の原子を有し、そのうち１〜５個の原子がヘテロ原子であってよく、かつ残りの原子が炭素原子である架橋を形成するので、基

は、５員ないし７員の環を形成し、前記環は、場合により、既に存在する二重結合の他に、１つの更なる二重結合を有してよく、又は６員もしくは７員の環の場合には、２つの更なる二重結合を有してよく、かつ場合によりアルキル基もしくはアリール基及び／又はドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基で置換されていてよく、かつ場合により少なくとも１つのヘテロ原子を有してよく、かつ前記の５員ないし７員の環は、場合により、１もしくは複数の他の環、好ましくは６員の芳香族環と縮合されていてよい；
更に、Ｙ¹及びＲ¹は、架橋を介して互いに結合されていてよく、その際、該架橋は以下の意味を有してよい：
アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²¹Ｒ²²）_x、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ²¹Ｒ²²）は、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよく、その際、
ｘは、２〜１０であり、かつ
Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³⁰、Ｒ³¹は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する；
Ｒ³は、水素、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味する；
その際、一般式ＩＩＩの少なくとも２つの配位子前駆体は、異なる意味のＹ³を有し、その際、
少なくとも１つの第一の配位子前駆体（ＩＩＩａ）中のＹ³は、以下の意味：
水素、アルキル基、アルキニル基もしくはアルケニル基を有し、その際、
Ｄｏ¹がＣもしくはＳｉでありかつｒが２を意味する場合に、両方の基Ｙ³は、上述の意味を有する；かつ
少なくとも１つの第二の配位子前駆体（ＩＩＩｂ）中のＹ³は、以下の意味：

（式中、Ｄｏ^2'、ｑ′、ｓ′、Ｒ^3'、Ｒ^1'、Ｒ^2'、Ｘ′及びｐ′は、無関係に、Ｄｏ²、ｑ、ｓ、Ｒ³、Ｒ¹、Ｒ²、Ｘ及びｐと同じ意味を有する）を有し、かつ
Ｄｏ¹がＣもしくはＳｉでありかつｒが２を意味する場合に、両方の基Ｙ³の少なくとも一方は、上述の意味を有する；第二の基Ｙ³は、上述の意味を有するか、又は第一の配位子前駆体に関してＹ³について挙げた意味を有してよい］の少なくとも２つの配位子前駆体と、少なくとも１つの金属Ｍ^1'［その際、前記のＭ^1'は、以下の意味を有する：
Ｍ^1'は、Ｉｒ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ及びＡｕ、好ましくはＩｒ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＰｔ、特に好ましくはＩｒ、Ｐｔ、Ｒｈ及びＯｓからなる群から選択される金属原子であって、相応の金属原子についてそれぞれ可能な酸化段階におけるものを意味する］を有する金属錯体とを反応させる工程を含む製造方法に関する。

好ましくは、金属Ｍ¹として、Ｉｒが使用され、特に好ましくはＩｒ（Ｉ）もしくはＩｒ（ＩＩＩ）が使用される。

一般式ＩＩＩの配位子前駆体中の好ましい、Ｄｏ¹、Ｙ¹、Ｙ²、Ｄｏ²、ｑ、ｓ、Ｒ³、Ｒ¹、Ｒ²、Ｘ及びｐ並びにＤｏ^2'、ｑ′、ｓ′、Ｒ^3'、Ｒ^1'、Ｒ^2'、Ｘ′及びｐ′の定義は、一般式ＩＩのカルベン配位子に関して挙げた定義である。式ＩＩＩの好ましい配位子前駆体は、好ましい対称のカルベン配位子（ＩＩｂ）及び非対称のカルベン配位子（ＩＩａ）に相当する。

本願の範囲において、非対称の配位子前駆体（ＩＩＩａ）（相応して非対称のカルベン配位子）とは、一般式ＩＩＩで示され、その式中のＹ³が水素、アルキル基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味し、Ｄｏ¹がＣもしくはＳｉでありかつｒが２を意味する場合に、両方の基Ｙ³が上述の意味を有する配位子前駆体を表す。

対称の配位子前駆体（ＩＩＩｂ）（相応して対称のカルベン配位子）とは、一般式ＩＩＩ

［式中、Ｄｏ^2'、ｑ′、ｓ′、Ｒ^3'、Ｒ^1'、Ｒ^2'、Ｘ′及びｐ′は、無関係に、Ｄｏ¹、Ｙ¹、Ｙ²、Ｄｏ²、ｑ、ｓ、Ｒ³、Ｒ¹、Ｒ²、Ｘ及びｐと同じ意味を有し、かつ
Ｄｏ¹がＣもしくはＳｉでありかつｒが２を意味する場合には、両方の基Ｙ³の少なくとも一方は、上述の意味を有する；第二の基Ｙ³は、上述の意味を有するか、又は第一の配位子前駆体に関してＹ³について挙げた意味を有してよい］の配位子前駆体である。

本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体の製造は、基本的に、一般式ＩＩＩの対称の及び非対称の配位子前駆体と、少なくとも１つの金属Ｍ¹を含む金属錯体との同時の反応（"ワンポット反応"）によって可能であり、又は好ましくは連続的な反応によって可能である。その連続的な反応は、金属錯体と対称の配位子前駆体（ＩＩＩｂ）とを第一段階で反応させることによって実施でき、その際、まず中間体として、一般式ＩＩｂで示されるかもしくはシクロメタル化されていない形としての少なくとも１つの対称のカルベン配位子と、少なくとも１つの他の二座のカルベン配位子のための少なくとも１つの更なる配位能（その際、該更なる配位能は、金属Ｍ¹上の遊離配位箇所によるか別の配位子の排除によって存在する）を有するカルベン錯体が形成され、又は金属錯体と非対称の配位子前駆体（ＩＩＩａ）とを第一段階で反応させることによって実施でき、その際、まず中間体として、一般式ＩＩａで示されるかもしくはシクロメタル化されていない形としての少なくとも１つの非対称のカルベン配位子と、少なくとも１つの他の二座のカルベン配位子のための少なくとも１つの更なる配位能（その際、該更なる配位能は、金属Ｍ¹上の遊離配位箇所によるか別の配位子の排除によって存在する）を有するカルベン錯体が形成される。第一段階に引き続く第二段階において、第一段階で得られたカルベン錯体と非対称のカルベン配位子（第一段階で対称のカルベン配位子が使用された場合に）もしくは対称のカルベン配位子（第一段階で非対称のカルベン配位子が使用された場合に）とのそれぞれの反応が行われる。

本発明による式Ｉのヘテロレプティックなカルベン錯体における金属Ｍ¹が配位数６を有するＩｒ（ＩＩＩ）である特に好ましい場合において、連続的な反応に際して、例えば以下の特に好ましい可能性がもたらされる：
（ｉａ）一般式Ｉｉのカルベン錯体
（ｉａａ）少なくとも１つの金属Ｍ^1'を含み、その少なくとも１つの金属Ｍ^1'がＩｒである金属錯体と、Ｉｒとの比率において少なくとも二倍の化学量論量の非対称の配位子前駆体（ＩＩＩａ）とを反応させ、その際、２つの非対称のカルベン配位子と、他の二座の配位子のための更なる配位箇所を有するジカルベン錯体が形成される。

（ｉａｂ）引き続き、得られたジカルベン錯体と、Ｉｒとの比率において少なくとも化学量論量の対称の配位子前駆体（ＩＩＩｂ）とを反応させ、その際、一般式ＩｉのヘテロレプティックなＩｒ−カルベン錯体が得られる。

（ｉｂ）一般式Ｉｉのカルベン錯体
（ｉｂａ）少なくとも１つの金属Ｍ^1'を含み、その少なくとも１つの金属Ｍ^1'がＩｒである金属錯体と、Ｉｒとの比率において少なくとも化学量論量の対称の配位子前駆体（ＩＩＩｂ）とを反応させ、その際、１つの対称のカルベン配位子と、２つの他の二座の配位子のための２つの更なる配位箇所を有するモノカルベン錯体が形成される。

（ｉｂｂ）引き続き、得られたモノカルベン錯体と、Ｉｒとの比率において少なくとも二倍の化学量論量の非対称の配位子前駆体（ＩＩＩａ）とを反応させ、その際、一般式ＩｉのヘテロレプティックなＩｒ−カルベン錯体が得られる。

（ｉｉａ）一般式Ｉｉｉのカルベン錯体
（ｉｉａａ）少なくとも１つの金属Ｍ^1'を含み、その少なくとも１つの金属Ｍ^1'がＩｒである金属錯体と、Ｉｒとの比率において少なくとも二倍の化学量論量の対称の配位子前駆体（ＩＩＩｂ）とを反応させ、その際、２つの対称のカルベン配位子と、他の二座の配位子のための更なる配位箇所を有するジカルベン錯体が形成される。

（ｉｉａｂ）引き続き、得られたジカルベン錯体と、Ｉｒとの比率において少なくとも化学量論量の非対称の配位子前駆体（ＩＩＩａ）とを反応させ、その際、一般式ＩｉｉのヘテロレプティックなＩｒ−カルベン錯体が得られる。

（ｉｉｂ）一般式Ｉｉｉのカルベン錯体
（ｉｉｂａ）少なくとも１つの金属Ｍ^1'を含み、その少なくとも１つの金属Ｍ^1'がＩｒである金属錯体と、Ｉｒとの比率において少なくとも化学量論量の非対称の配位子前駆体（ＩＩＩａ）とを反応させ、その際、１つの非対称のカルベン配位子と、２つの他の二座の配位子のための２つの更なる配位箇所を有するモノカルベン錯体が形成される。

（ｉｉｂｂ）引き続き、得られたモノカルベン錯体と、Ｉｒとの比率において少なくとも二倍の化学量論量の対称の配位子前駆体（ＩＩＩｂ）とを反応させ、その際、一般式ＩｉｉのヘテロレプティックなＩｒ−カルベン錯体が得られる。

段階（ｉａａ）、（ｉｂａ）、（ｉｉａａ）及び（ｉｉｂａ）で形成された中間体において、それぞれのカルベン配位子は、シクロメタル化された形もしくはシクロメタル化されていない形のいずれかで存在してよい。

上述のモノカルベン錯体及びジカルベン錯体は、場合により単離することができ、又は"その場で"、すなわち後処理することなく、他のカルベン配位子と反応させることができる。

式ＩＩＩの配位子前駆体の製造は、当業者に公知の方法に従って行われる。好適な方法は、例えばＷＯ２００５／０１９３７３号及びそこに引用される文献、例えばＯｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９９９，１，９５３−９５６；Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ，２０００，１１２，１６７２−１６７４に挙げられている。他の好適な方法は、例えばＴ．Ｗｅｓｋａｍｐ他著のＪ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌ．Ｃｈｅｍ．２０００，６００，１２−２２；Ｇ．Ｘｕ他著のＯｒｇ．Ｌｅｔｔ．２００５，７，４６０５−４６０８；Ｖ．Ｌａｖａｌｌｏ他著のＡｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００５，４４，５７０５−５７０９に挙げられている。好適な幾つかの配位子前駆体は市販されている。

少なくとも１つの金属Ｍ¹を有する金属錯体は、Ｉｒ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ及びＡｕ、好ましくはＩｒ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＰｔ、特に好ましくはＩｒ、Ｐｔ、Ｒｈ及びＯｓ、殊に好ましくはＩｒのそれぞれの相応の金属原子について可能な酸化段階のもの、好ましくはＩｒ（Ｉ）もしくはＩｒ（ＩＩＩ）からなる群から選択される少なくとも１つの金属を有する金属錯体である。好適な金属錯体は、当業者に公知である。好適な金属錯体のための例は、Ｐｔ（ｃｏｄ）Ｃｌ₂、Ｐｔ（ｃｏｄ）Ｍｅ₂、Ｐｔ（ａｃａｃ）₂、Ｐｔ（ＰＰｈ₃）₂Ｃｌ₂、ＰｔＣｌ₂、［Ｒｈ（ｃｏｄ）Ｃｌ］₂、Ｒｈ（ａｃａｃ）ＣＯ（ＰＰｈ₃）、Ｒｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）₂、Ｒｈ（ｃｏｄ）₂ＢＦ₄、ＲｈＣｌ（ＰＰｈ₃）₃、ＲｈＣｌ₃×ｎＨ₂Ｏ、Ｒｈ（ａｃａｃ）₃、［Ｏｓ（ＣＯ）₃Ｉ₂］₂、［Ｏｓ₃（ＣＯ）₁₂］、ＯｓＨ₄（ＰＰＨ₃）₃、Ｃｐ₂Ｏｓ、Ｃｐ^* ₂Ｏｓ、Ｈ₂ＯｓＣｌ₆×６Ｈ₂Ｏ、ＯｓＣｌ₃×Ｈ₂Ｏ並びに［（μ−Ｃｌ）Ｉｒ（η⁴−１，５−ｃｏｄ）］₂、［（μ−Ｃｌ）Ｉｒ（η²−ｃｏｅ）₂］₂、Ｉｒ（ａｃａｃ）₃、ＩｒＣｌ₃×ｎＨ₂Ｏ、（ｔｈｔ）₃ＩｒＣｌ₃、Ｉｒ（η³−アリル）₃、Ｉｒ（η³−メタリル）₃であり、その際、ｃｏｄは、シクロオクタジエンを意味し、ｃｏｅは、シクロオクテンを意味し、ａｃａｃは、アセチルアセトネートを意味し、ｔｈｔは、テトラヒドロチオフェンを意味する。金属錯体は、当業者に公知の方法によって製造でき、もしくは市販されている。

一般式Ｉのイリジウム（ＩＩＩ）錯体（式Ｉ中のＭ¹がＩｒである）の製造に際して、それは本願によれば特に好ましいが、上述のイリジウム（Ｉ）錯体もしくはイリジウム（ＩＩＩ）錯体が使用され、特に［（μ−Ｃｌ）Ｉｒ（η⁴−１，５−ｃｏｄ）］₂、［（μ−Ｃｌ）Ｉｒ（η²−ｃｏｅ）₂］₂、Ｉｒ（ａｃａｃ）₃、ＩｒＣｌ₃×ｎＨ₂Ｏ、（ｔｈｔ）₃ＩｒＣｌ₃、Ｉｒ（η³−アリル）₃、Ｉｒ（η³−メタリル）₃が使用され、その際、ｃｏｄは、シクロオクタジエンを意味し、ｃｏｅは、シクロオクテンを意味し、ａｃａｃは、アセチルアセトネートを意味し、ｔｈｔは、テトラヒドロチオフェンを意味する。

前記反応に引き続き、本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体は、当業者に公知の方法に従って後処理し、場合により精製される。通常は、その後処理及び精製は、抽出、カラムクロマトグラフィー及び／又は再結晶化によって当業者に公知の方法に従って行われる。

以下に、本発明による一般式Ｉのヘテロレプティックなカルベン錯体の製造方法を、一般式ＩＩのヘテロレプティックなカルベン錯体の製造のための上述の反応（ｉａ）の例で例示する：

本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体の製造のための更なる合成経路（ｉｉａ）を、以下に例示する：

更に、本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体は、ＷＯ２００５／１１３７０４号と同様に製造でき、その際、以下の中間体を経由する：

上述の一般式中の記号及び残基は、既に定義したとおりである。

本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体は、発光体物質として極めて適している。それというのも該錯体は、電磁スペクトルの可視領域に発光（エレクトロルミネッセンス）を示すからである。本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を発光体物質として用いることによって、電磁スペクトルの赤色、緑色並びに青色領域に、非常に良好な効率でエレクトロルミネセンスを示す化合物を提供することが可能である。その際、量子収率は高く、本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体のデバイス中での安定性は高い。

更に、本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体は、使用される配位子と使用される中心金属に依存して、ＯＬＥＤにおける電子阻止物質、励起子阻止物質もしくは正孔阻止物質又は正孔伝導体、電子伝導体、正孔注入層又はマトリクス材料として適している。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、基本的に、複数の層：
１．アノード（１）
２．正孔輸送層（２）
３．発光層（３）
４．電子輸送層（４）
５．カソード（５）
から構成されている。

しかしながら、ＯＬＥＤは、上記の層の全てを有さなくてもよく、例えば層（１）（アノード）、（３）（発光層）及び（５）（カソード）を有するＯＬＥＤも同様に適しており、その際、層（２）（正孔輸送層）及び層（４）（電子輸送層）の機能は、隣接する層によって担われる。層（１）、（２）、（３）及び（５）もしくは層（１）、（３）、（４）及び（５）を有するＯＬＥＤは、同様に適している。

本願によるヘテロレプティックなカルベン錯体は、ＯＬＥＤの種々の層中に使用することができる。従って、本発明の更なる対象は、本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）において用いる使用並びに少なくとも１つの本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を含有するＯＬＥＤである。

本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体は、好ましくは、発光層において、特に好ましくは発光体分子として使用される。従って、本発明の更なる対象は、少なくとも１つのヘテロレプティックなカルベン錯体を、好ましくは発光体分子として含有する発光層である。好ましいヘテロレプティックなカルベン錯体は、上述のとおりである。

本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体は、そのままで、更なる添加剤なくして、ＯＬＥＤの発光層もしくは別の層中に、好ましくは発光層中に存在してよい。しかしながら、同様に、本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体の他に、更なる化合物が、本発明による少なくとも１つのヘテロレプティックなカルベン錯体を含有する層中に、好ましくは発光層中に存在することが可能であり、かつ好ましい。例えば、発光体分子として使用されるヘテロレプティックなカルベン錯体の発光色を変更するために、発光層中に蛍光色素が存在してよい。更に、好ましい一実施態様においては、希釈材料を使用することができる。この希釈材料は、ポリマーであってよく、例えばポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）又はポリシランであってよい。しかしながら、希釈材料は、同様に、小分子であってよく、例えば４，４′−Ｎ，Ｎ′−ジカルバゾールビフェニル（ＣＤＰ＝ＣＢＰ）又は第三級の芳香族アミンであってよい。

前記のＯＬＥＤ層の各々は、更に２又はそれ以上の層から構成されていてよい。例えば、正孔輸送層は、電極から正孔が注入される層と、正孔が正孔注入層から発光層へと輸送される層とから構成されていてよい。電子輸送層は、同様に、複層からなっていてよく、例えば電子が電極を通じて注入される層と、電子注入層から電子が得られ、そして発光層中に輸送される層とから成ってよい。これらの前記の層は、エネルギー準位、耐熱性及び電荷担体移動度並びに前記の層と有機層又は金属電極とのエネルギー差のような要素に応じてそれぞれ選択される。当業者は、ＯＬＥＤの構造を、本発明により、好ましくは発光物質として使用されるヘテロレプティックなカルベン錯体に最適に適合されるように選択することができる。

特に効率的なＯＬＥＤを得るためには、正孔輸送層のＨＯＭＯ（最高占有分子軌道）をアノードの仕事関数に合わせることが望ましく、かつ電子輸送層のＬＵＭＯ（最低非占有分子軌道）をカソードの仕事関数に合わせることが望ましい。

本願の更なる対象は、本発明による少なくとも１つの発光層を有するＯＬＥＤである。ＯＬＥＤ中の更なる層は、通常はかかる層で使用され、かつ当業者に公知の任意の材料から構成されていてよい。

アノード（１）は、正の電荷担体を提供する電極である。該電極は、例えば、金属、種々の金属の混合物、金属合金、金属酸化物又は種々の金属酸化物の混合物を含有する材料から構成されてよい。選択的に、アノードは導電性ポリマーであってよい。好適な金属は、元素の周期系の第１１族、第４族、第５族及び第６族の金属並びに第８族ないし第１０族の遷移金属を含む。アノードが光透過性であることが望ましい場合に、一般に元素の周期系の第１２族、第１３族及び第１４族の混合金属酸化物、例えばインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）が使用される。同様に、アノード（１）は、有機材料、例えばポリアニリンを含有することができ、これらは例えばＮａｔｕｒｅ，Ｖｏｌ．３５７，第４７７頁〜第４７９頁（１９９２年６月１１日）に記載されている。少なくともアノード又はカソードのいずれかは、形成された光を出力結合できるために、少なくとも部分的に透明であることが望ましい。

本発明によるＯＬＥＤの層（２）のために適した正孔輸送材料は、例えばＫｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅ，第４版、第１８巻、第８３７〜第８６０頁、１９９６に開示されている。正孔輸送性の分子もポリマーも、正孔輸送材料として使用することができる。通常使用される正孔輸送性分子は、４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１′−ビフェニル］−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１′−（３，３′−ジメチル）ビフェニル］−４，４′−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、α−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル）（４−メチル−フェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲ又はＤＥＡＳＰ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン（ＴＴＢ）、４，４′，４′′−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＴＤＴＡ）及びポルフィリン化合物並びにフタロシアニン、例えば銅フタロシアニンからなる群から選択される。通常使用される正孔輸送性ポリマーは、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン、ＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））、好ましくはＰＳＳ（ポリスチレンスルホネート）でドープされたＰＥＤＯＴ及びポリアニリンからなる群から選択される。同様に、正孔輸送性ポリマーは、ポリマー、例えばポリスチレン及びポリカーボネート中に正孔輸送性分子をドープすることによって得ることができる。好適な正孔輸送性分子は、既に前記に挙げた分子である。

本発明によるＯＬＥＤの層（４）に適した電子輸送性材料は、オキシノイド化合物とキレート化された金属、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ₃）、フェナントロリンを基礎とする化合物、例えば２，９−ジメチル，４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ＝ＢＣＰ）又は４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＰＡ）及びアゾール化合物、例えば２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）及び３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）を含む。この場合に、層（４）は、電子輸送の軽減のためにも、ＯＬＥＤの層の境界面での励起子の消光を回避するために緩衝層又は阻止層として使用することができる。有利には、層（４）は、電子の移動度を改善し、そして励起子の消光を低減させる。

前記に、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料として挙げた材料によって、幾つかの複数の機能を満たすことができる。例えば、電子伝導性材料の幾つかは、該材料が低いところにあるＨＯＭＯを有する場合には、同時に正孔ブロッキング性材料である。

電荷輸送層は、使用される材料の輸送特性を改善させるために、一方で、層厚を大規模に構成するために（ピン正孔／短絡の回避）、そして他方で、デバイスの駆動電圧を低減させるために、電子ドーピングされていてもよい。例えば、正孔輸送材料を電子受容体でドープしてよく、例えばフタロシアニンもしくはアリールアミン、例えばＴＰＤ又はＴＤＴＡをテトラフルオロ−テトラシアノ−キノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）でドープしてよい。電子輸送材料を、例えばアルカリ金属でドープしてよく、例えばＡｌｑ₃をリチウムでドープしてよい。電子ドーピングは、当業者に公知であり、例えばＷ．Ｇａｏ、Ａ．Ｋａｈｎ著のＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，第９４巻、第１号、２００３年７月１日（ｐ−ドープされた有機層）；Ａ．Ｇ．Ｗｅｒｎｅｒ、Ｆ．Ｌｉ、Ｋ．Ｈａｒａｄａ、Ｍ．Ｐｆｅｉｆｆｅｒ、Ｔ．Ｆｒｉｔｚ、Ｋ．Ｌｅｏ著のＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，第８２巻、第２５号、２００３年６月２３日及びＰｆｅｉｆｆｅｒ他著のＯｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ２００３，４，８９−１０３に開示されている。

カソード（５）は、電子又は負の電荷担体の供給に用いられる電極である。カソードは、アノードより低い仕事関数を有するあらゆる金属又は非金属であってよい。カソードに適した材料は、元素の周期系の第１族のアルカリ金属、例えばＬｉ、Ｃｓ、第２族のアルカリ土類金属、第１２族の金属からなり、希土類金属及びランタノイド及びアクチノイドを含む群から選択される。更に、アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウム及びマグネシウムのような金属並びにそれらの組合せ物を使用することができる。更に、リチウムを含有する有機金属化合物又はＬｉＦを、有機層とカソードとの間に適用して、駆動電圧を低減させることができる。

本発明によるＯＬＥＤは、付加的に、当業者に公知の更なる層を有してよい。例えば、層（２）と発光層（３）との間に、正電荷の輸送を軽減させ、かつ／又は層の互いのバンドギャップを整合させる層を適用することができる。選択的に、前記の更なる層は保護層としても用いることができる。同様に、発光層（３）と層（４）との間に、負電荷の輸送を軽減させ、かつ／又は層間の互いのバンドギャップを整合させるために付加的な層が存在してよい。選択的に、前記の層は保護層としても用いることができる。

有利な一実施態様においては、本発明によるＯＬＥＤは、層（１）〜（５）の他に、以下に挙げられる更なる層：
− アノード（１）と正孔輸送層（２）との間の正孔注入層；
− 正孔輸送層（２）と発光層（３）との間の電子及び／又は励起子についての阻止層；
− 発光層（３）と電子輸送層（４）との間の正孔及び／又は励起子についての阻止層；
− 電子輸送層（４）とカソード（５）との間の電子注入層
の少なくとも１つを有する。

既に上述のように、しかしながら、ＯＬＥＤは、上記の層（１）ないし（５）の全てを有さなくてもよく、例えば層（１）（アノード）、（３）（発光層）及び（５）（カソード）を有するＯＬＥＤも同様に適しており、その際、層（２）（正孔輸送層）及び層（４）（電子輸送層）の機能は、隣接する層によって担われる。層（１）、（２）、（３）及び（５）もしくは層（１）、（３）、（４）及び（５）を有するＯＬＥＤは、同様に適している。

これらの層を（例えば電気化学的調査に基づいて）好適な材料を選択せねばならないことは当業者に公知である。個々の層に適した材料並びに好適なＯＬＥＤ構造は、当業者に公知であり、かつ例えばＷＯ２００５／１１３７０４号に開示されている。

更に、本発明によるＯＬＥＤの前記の層の各々は、２つ又はそれ以上の層から構成されていてよい。更に、層（１）、（２）、（３）、（４）及び（５）の幾つか又は全ては、電荷担体輸送の効率を高めるために表面処理されていてよい。前記の層の各々についての材料の選択は、有利には、高い効率を有するＯＬＥＤが得られるようになされる。

本発明によるＯＬＥＤの製造は、当業者に公知の方法に従って行うことができる。一般に、該ＯＬＥＤは、個々の層を好適な基体上に連続的に蒸着させることによって製造される。好適な基体は、例えばガラス又はポリマー被膜である。蒸着のためには、通常の技術、例えば熱的蒸発、化学蒸着などを使用することができる。代替法では、好適な溶剤中の溶液又は分散液から有機層を被覆することができ、その際、当業者に公知の被覆技術が使用される。少なくとも１つの本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体の他に、ポリマー性材料を、ＯＬＥＤの層の１つに、好ましくは発光層中に有している組成物は、一般に溶液加工法によって層として塗布される。

一般に、種々の層は、以下の厚さを有する：アノード（２）５００〜５０００Å、有利には１０００〜２０００Å；正孔輸送層（３）５０〜１０００Å、有利には２００〜８００Å；発光層（４）１０〜１０００Å、有利には１００〜８００Å；電子輸送層（５）５０〜１０００Å、有利には２００〜８００Å；カソード（７）２００〜１００００Å、有利には３００〜５０００Å。本発明によるＯＬＥＤ中の正孔と電子の再結合領域の位置及び従ってＯＬＥＤの発光スペクトルは、各層の相対厚によって影響されうる。つまり、電子輸送層の厚さは、有利には、電子／正孔再結合領域が発光層中にあるように選択されることが望ましい。ＯＬＥＤ中の個々の層の層厚の比率は、使用される材料に依存する。場合により使用される付加的な層の層厚は、当業者に公知である。

本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を本発明によるＯＬＥＤの少なくとも一層で、好ましくは本発明によるＯＬＥＤの発光層中で発光体分子として使用することによって、高い効率を有するＯＬＥＤを得ることができる。本発明によるＯＬＥＤの効率は、更に、他の層の最適化によって改善することができる。例えば、高効率のカソード、例えばＣａ、Ｂａ又はＬｉＦを使用することができる。駆動電圧の低減又は量子効率の向上を引き起こす成形された基体及び新規の正孔輸送材料は、同様に本発明によるＯＬＥＤ中で使用することができる。更に、種々の層のエネルギー準位を調整するために、かつエレクトロルミネセンスを軽減するために、ＯＬＥＤ中に付加的な層が存在してよい。

本発明によるＯＬＥＤは、エレクトロルミネセンスが有用な全ての装置で使用することができる。好適な装置は、有利には、定置式ディスプレイ及び可搬式ディスプレイから選択される。定置式ディスプレイは、例えばコンピュータ、テレビのディスプレイ、プリンタのディスプレイ、調理機器のディスプレイ並びに宣伝用ボード、照明及び標識板である。可搬式ディスプレイは、例えば携帯機器、ラップトップ、デジタルカメラ、車両のディスプレイ並びにバス及び電車の目的地表示板である。

更に、本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体は、逆構造を有するＯＬＥＤにおいて使用することができる。好ましくは、本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体は、この逆ＯＬＥＤ中でも発光層中で使用される。逆ＯＬＥＤの構造及びそこで通常使用される材料は当業者に公知である。

前記の本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体は、ＯＬＥＤ中で使用する他に、光の入射に際して電磁スペクトルの可視領域で発光する（フォトルミネッセンス）着色剤として使用することができる。

従って、本願の更なる対象は、前記の本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、ポリマー材料の大量着色（Ｍａｓｓｅｎｆａｅｒｂｕｎｇ）のために用いる使用である。

好適なポリマー材料は、ポリ塩化ビニル、酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリウレタン、ポリイミド、ポリベンゾイミダゾール、メラミン樹脂、シリコーン、ポリエステル、ポリエーテル、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリルニトリル、ポリブタジエン、ポリクロロブタジエン、ポリイソプレンもしくは挙げられたモノマーのコポリマーである。

更に、前記の本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体は、以下の用途に使用することができる：
− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、建て染め染料としてもしくは建て染め染料において、天然物質、例えば紙、木材、わら、皮革、毛皮又は天然繊維材料、例えば木綿、ウール、絹、ジュート、サイザル、麻糸、亜麻もしくは獣毛（例えば馬巣織り）及びその化成製品、例えばビスコース繊維、硝酸処理絹もしくは銅レーヨン（Ｒｅｙｏｎ）の染色のために用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、着色剤として、例えば染料、塗料及び別の塗工剤、紙用染料、印刷用染料、インキ及び標識及び筆記目的のための別の染料の着色のために用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、顔料用染料として、例えば染料、塗料及び別の塗工剤、紙用染料、印刷用染料、インキ及び標識及び筆記目的のための別の染料の着色のために用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、電子写真における顔料として、例えば乾式複写機（ゼロックス法）及びレーザプリンタのために用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、安全標識目的のために用いる使用。その際、高い化学的及び光化学的な安定性と、場合により該物質のルミネッセンスも重要である。それは、特に認識不可能な色印象が達成されるべき小切手、チェックカード、紙幣、クーポン、文書、証明書類などのために好ましい。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、規定の色合い、特に好ましくは鮮烈な色度が達成されるべき他の染料への添加剤として用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、対象物の標識であって該対象物のルミネッセンスを介した機械的認識のための標識のために用いる使用。好ましくは、対象物の選別のための機械的認識であり、例えばまたプラスチックのリサイクルのためにも好ましい。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、機械読取り可能な標識のためのルミネッセンス染料として用いる使用。好ましくは、英数字加刷もしくはバーコードである。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、光の周波数変換のために、例えば短波長光から長波長の可視光にするために用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、様々な表示目的、注意目的及び標識目的のための表示エレメントにおいて、例えばパッシブ表示エレメント、道標及び交通標識、例えば交通信号灯において用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、インクジェットプリンタ、好ましくは発光インクとして均質溶液中で用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、超伝導有機材料用の出発材料として用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、固体発光標識のために用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、装飾目的のために用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、トレーサー目的のために、例えば生化学、医学、工学及び自然科学において用いる使用。この場合に、該染料は、基質と共有結合されていてよいか、又は副原子価を介して、例えば水素結合もしくは疎水性相互作用（吸着）を介して結合されていてよい。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、高感度検出法における発光色素として用いる使用（Ｃ．Ａｕｂｅｒｔ，Ｊ．Ｆｕｅｎｆｓｃｈｉｌｌｉｎｇ，ｌ．Ｚｓｃｈｏｃｋｅ−Ｇｒａｅｎａｃｈｅｒ及びＨ．Ｌａｎｇｈａｌｓ，Ｚ．Ａｎａｌｙｔ．Ｃｈｅｍ．３２０（１９８５）３６１を参照のこと）。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、シンチレータにおける発光色素として用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、光学的な集光システムにおける色素もしくは発光色素として用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、発光−ソーラーコレクタにおける色素もしくは発光色素として用いる使用（Ｌａｎｇｈａｌｓ，Ｎａｃｈｒ．Ｃｈｅｍ．Ｔｅｃｈ．Ｌａｂ．２８（１９８０）７１６）。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、発光表示ディスプレイにおける色素もしくは発光色素として用いる使用（Ｗ．Ｇｒｅｕｂｅｌ及びＧ．Ｂａｕｒ，Ｅｌｅｋｔｒｏｎｉｋ ２６（１９７７）６を参照）。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、プラスチックの製造のための光誘導型重合のための冷光源における色素もしくは発光色素として用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、材料検査のために、例えば半導体回路の製造における材料検査のための色素もしくは発光色素として用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、集積型半導体素子の微細構造の検査のための色素もしくは発光色素として用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、光導体における色素もしくは発光色素として用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、写真法における色素もしくは発光色素として用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、電子、イオンもしくはＵＶ線による励起が起こる表示システム、照明システムもしくは画像変換システムおいて、例えば発光ディスプレイ、ブラウン管もしくは蛍光灯において色素もしくは発光色素として用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、集積型半導体回路の一部として、そのままでもしくは他の半導体と組み合わせて、例えばエピタキシーの形で使用される色素もしくは発光色素として用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、化学発光システムにおいて、例えば化学発光型発光棒、発光型イムノアッセイもしくは別の発光型検出法において色素もしくは発光色素として用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、標識色としての色素もしくは発光色素として、好ましくは自体及び図面もしくは別の描画作品の光学的強調のために、特定の光学的な色印象が達成されるべきラベル及び他の対象物の標識のために用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、固体レーザにおける色素もしくは発光色素として、好ましくはレーザ光線の生成のための発光色素として用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、非線形レンズのための活性物質として、例えばレーザ光の周波数の二倍化及び三倍化のために用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、レオロジー向上剤として用いる使用。

− 本発明によるヘテロレプティックなカルベン錯体を、電磁線を電気的エネルギーに変換するための光起電型装置における色素として用いる使用。

次の実施例は本発明を更に説明する。

実施例
ａ）錯体ＫＩの合成

１ｌの三口フラスコ中で、１６．１１ｇ（４５ミリモル）のベンゾイミダゾリウム塩ＳＩを２５０ｍｌのトルエン中に懸濁させ、そして−８℃に冷却する。次いで、９０ｍｌのビス（トリメチルシリル）カリウムアミド（ＫＨＭＤＳ、トルエン中０．５Ｍ、４５ミリモル）を３０分以内で添加する。該混合物を、室温で１時間撹拌し、次いでそれを、３０分以内で−７８℃において、１５．１２ｇ（２２．５ミリモル）の［（μ−Ｃｌ）Ｉｒ（η⁴−１，５−ＣＯＤ）］₂を４００ｍｌのトルエン中に溶かした溶液に滴加する。該反応混合物を室温で１．５時間撹拌し、引き続き１８時間還流加熱する。冷却した後に、沈殿物を濾別し、そしてトルエンで洗浄する。合したトルエン相を、濃縮乾涸させ、カラムクロマトグラフィーによって精製する。１３．４ｇ（４９％）の黄色の粉末が得られる。

ｂ）錯体ＫＩＩの合成

１３．７４ｇ（４４．１６ミリモル）のイミダゾリウムヨージドＳＩＩを、２００ｍｌのＴＨＦ中に懸濁させ、そして−８℃において３０分以内で、８８．３２ｍｌのビス（トリメチルシリル）カリウムアミド（トルエン中０．５Ｍ、４４．１６ミリモル）と混合する。該懸濁液を、室温で１時間撹拌し、そして引き続き、それを、−７８℃において３０分以内で、４．９４ｇ（７．３６ミリモル）の［（μ−Ｃｌ）Ｉｒ（η⁴−１，５−ＣＯＤ）］₂を３６０ｍｌのＴＨＦ中に溶かした溶液に滴加する。室温で１．５時間、そして還流下で１７時間、撹拌する。冷却した後に、沈殿物を濾別し、ＴＨＦ、Ｈ₂Ｏ及びメタノールで洗浄し、そして乾燥させる。４．０２ｇ（３４％）の橙色の粉末が得られる。

ｃ）錯体ＫＩＩＩの合成（経路１）

１．２４ｇ（３．４６ミリモル）のベンゾイミダゾリウム塩ＳＩを、９０ｍｌのジオキサン中に懸濁させる。次いで、６．９ｍｌのビス（トリメチルシリル）カリウムアミド（ＫＨＭＤＳ、トルエン中０．５Ｍ、３．４５ミリモル）を１０分以内で添加する。該混合物を、室温で半時間撹拌し、次いでそれを、２０分以内で、１．３７ｇ（１．７３ミリモル）のＫＩＩ及び０．３４ｇ（１．７３ミリモル）のテトラフルオロホウ酸銀を９０ｍｌのジオキサン中に入れた混合物に滴加する。該反応混合物を室温で１時間撹拌し、引き続き２１時間還流加熱する。冷却した後に、沈殿物を濾別し、そしてジオキサンで洗浄する。濾液から溶剤を除去し、そして塩化メチレンで抽出する。抽出物から、カラムクロマトグラフィーによる分離により０．３８ｇ（２７％）の黄色の粉末が得られる。

ｄ）錯体ＫＩＩＩの合成（経路２）

２．３１ｇ（７．３８ミリモル）のイミダゾリウム塩ＳＩＩを、１３５ｍｌのジオキサン中に懸濁させる。次いで、１４．８ｍｌのビス（トリメチルシリル）カリウムアミド（ＫＨＭＤＳ、トルエン中０．５Ｍ、７．４０ミリモル）を１０分以内で添加する。該混合物を、室温で半時間撹拌し、次いでそれを、２０分以内で、１．５ｇ（２．４６ミリモル）のＫＩ及び０．４８ｇ（２．４６ミリモル）のテトラフルオロホウ酸銀を９０ｍｌのジオキサン中に入れた混合物に滴加する。該反応混合物を室温で１時間撹拌し、引き続き２１時間還流加熱する。冷却した後に、沈殿物を濾別し、そしてジオキサンで洗浄する。濾液から溶剤を除去し、そして塩化メチレンで抽出する。抽出物から、カラムクロマトグラフィーによる分離により０．７０ｇ（３４％）の明るい帯黄色の粉末が得られる。

ｅ）光学分光法
フォトルミネッセンス（２質量％のそれぞれのカルベン錯体でドープしたポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）膜）

^* 製造に関しては、出願ＷＯ０５／０１９３７３号におけるＩｒ錯体（７）を参照のこと。

^** 製造に関しては、２００４年１１月２５日に出願された整理番号１０２００４０５７０７２．８を有するドイツ国出願、発明の名称"遷移金属カルベン錯体の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）における使用"を参照のこと。

ｆ）ＯＬＥＤの製造
アノードとして使用されるＩＴＯ基板を、まず慣用のＬＣＤ生産用の清浄剤（Ｄｅｃｏｎｅｘ（登録商標）２０ＮＳ及び中和剤２５ＯＲＧＡＮ−ＡＣＩＤ（登録商標））で浄化し、引き続きアセトン／イソプロパノール混合物中で超音波浴において浄化する。可能性のある有機残留物の除去のために、その基板をオゾン炉中で更に２５分間にわたり連続的なオゾン流にさらす。この処理によって、ＩＴＯの正孔注入特性も改善される。

次いで、以下に挙げる有機材料を、前記の清浄化された基板上に、約２〜３ｎｍ／分の速度で、約１０^-7ミリバールにおいて蒸着させる。正孔伝導体及び励起子阻止物質として、Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）₃を２０ｎｍの厚さで基板上に施与する。

（製造に関しては、出願ＷＯ０５／０１９３７３号におけるＩｒ錯体（７）を参照のこと）
引き続き、３０質量％の化合物

及び７０質量％の化合物

（製造に関しては、２００５年３月２４日に出願された整理番号１０２００５０１４２８４．２を有するドイツ国出願、発明の名称"カルボニル基を有する基を介して結合された芳香族もしくは複素芳香族の環を含む化合物を有機発光ダイオードにおけるマトリクス材料として用いる使用"を参照のこと）からなる混合物を、２０ｎｍの厚さで蒸着させ、その際、第一の化合物は、発光体として機能し、後者の化合物は、マトリクス材料として機能する。

引き続き、該材料

（製造に関しては、２００４年１１月２５日に出願された整理番号１０２００４０５７０７３．６を有するドイツ国出願、"フェノチアジン−Ｓ−オキシド及び−Ｓ，Ｓ−オキシドの、有機発光ダイオード用のマトリクス材料としての使用"）を９ｎｍの厚さで励起子阻止物質及び正孔阻止物質として蒸着させる。

後続の層として、電子輸送体ＴＰＢＩ（１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンジルイミダゾール−２−イル）ベンゼン）を４０ｎｍの厚さで蒸着し、０．７５ｎｍ厚のフッ化リチウム層を蒸着し、最後に１１０ｎｍ厚のＡｌ電極を蒸着する。

ＯＬＥＤの特性決定のために、エレクトロルミネセンス−スペクトルを種々の電流もしくは電圧で記録する。更に、電流−電圧特性曲線を、放射された光量を組み合わせて測定する。光量は、輝度計を用いて較正することによって光度量に換算することができる。

記載されたＯＬＥＤについて、以下の電気光学的データが得られる：

Claims (7)

1. 少なくとも２つの異なるカルベン配位子（ＩＩａ）及び（ＩＩｂ）を有する、一般式（Ｉ）
   Ｍ¹［ｃａｒｂｅｎ］_n （Ｉ）
   のヘテロレプティックなカルベン錯体であって、
   式（Ｉｉ）及び（Ｉｉｉ）
   

   

   ［式中、一般式（Ｉｉ）及び（Ｉｉｉ）のカルベン錯体中の記号は、以下の意味を有する：
   Ｄｏ¹は、Ｎ原子を意味し、
   ｒは１であり；
   ｐ、ｐ′は、０であり；
   ｑ、ｑ′は、０である；
   Ｙ¹、Ｙ²は、それぞれ互いに無関係に、水素又はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基及びアルケニル基からなる群から選択される炭素含有基を意味するか、又は
   Ｙ¹及びＹ²は、一緒になって、ドナー原子Ｄｏ¹と窒素原子Ｎとの間に、少なくとも２つの原子を有し、そのうち少なくとも１つが炭素原子である架橋を形成する；
   Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^1'、Ｒ^2'は、互いに無関係に、水素、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味するか、又は
   Ｒ¹及びＲ²もしくはＲ^1'及びＲ^2'は、一緒になって、全体で３〜５個の原子を有し、そのうち１〜５個の原子がヘテロ原子であってよく、かつ残りの原子が炭素原子である架橋を形成するので、基
   

   

   は、５員ないし７員の環を形成し、前記環は、場合により、既に存在する二重結合の他に、１つの更なる二重結合を有してよく、又は６員もしくは７員の環の場合には、２つの更なる二重結合を有してよく、かつ場合によりアルキル基もしくはアリール基、及び／又は、ハロゲン基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニル基、エステル基、オキシカルボニル基及びカルボニルオキシ基、アミン基、アミド基、ＣＨ ₂ Ｆ−基、ＣＨＦ ₂ 基、ＣＦ ₃ 基、ＣＮ基、チオ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、ホウ酸基、ホウ酸エステル基、ホスホン酸基、ホスホン酸エステル基、ホスフィン基、スルホキシド基、スルホニル基、スルフィド基、ヘテロアリール基、ニトロ基、ＯＣＮ、ボラン基、シリル基、スタネート基、イミノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、オキシム基、ニトロソ基、ジアゾ基、ホスフィンオキシド基、ヒドロキシ基及びＳＣＮ基からなる群から選択されたドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基で置換されていてよく、かつ場合により少なくとも１つのヘテロ原子を有してよく、かつ前記の５員ないし７員の環は、場合により、１もしくは複数の他の環と縮合されていてよい；
   更に、Ｙ¹及びＲ¹もしくはＹ²及びＲ^1'は、架橋を介して互いに結合されていてよく、その際、該架橋は以下の意味を有してよい：
   アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²¹Ｒ²²）_x、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ²¹Ｒ²²）は、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよく、その際、
   ｘは、２〜１０であり、かつ
   Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³⁰、Ｒ³¹は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する；
   Ｙ³は、水素、アルキル基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味する；
   更に、Ｙ³及びＹ²は、架橋を介して互いに結合されていてよく、その際、該架橋は、以下の意味を有してよい：
   アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ²⁵、ＰＲ²⁶、ＢＲ²⁷、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³²Ｒ³³、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²⁸Ｒ²⁹）_y、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ²⁸Ｒ²⁹）は、ＮＲ²⁵、ＰＲ²⁶、ＢＲ²⁷、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³²Ｒ³³、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよく、その際、
   ｙは、２〜１０であり、かつ
   Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ²⁸、Ｒ²⁹、Ｒ³²、Ｒ³³は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する；
   その際、異なるカルベン配位子における残基、基及び係数Ｒ¹、Ｒ²、Ｙ¹、Ｙ²、Ｄｏ¹、Ｄｏ²、Ｙ³、Ｘ、Ｒ³、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、Ｒ^1'、Ｒ^2'、Ｄｏ^2'、Ｒ^3'、ｐ′、ｑ′、ｓ′は、それぞれ同一もしくは異なってよい］のカルベン錯体から選択されるカルベン錯体。
2. 請求項１に記載のカルベン錯体であって、少なくとも１つの第一のカルベン配位子（ＩＩａ）が、
   

   

   ［式中、記号は、以下の意味を有する：
   Ｚは、同一もしくは異なって、ＣＲ¹²もしくはＮを意味する；
   Ｚ′′は、同一もしくは異なって、ＣＲ¹⁰もしくはＮを意味する；
   Ｒ¹²は、互いに無関係に、Ｈ、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味するか、又はそれぞれ２個の基Ｒ¹²は、一緒になって、場合により少なくとも１つのヘテロ原子を有してよい縮合環を形成するか、又はＲ¹²は、ハロゲン基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニル基、エステル基、オキシカルボニル基及びカルボニルオキシ基、アミン基、アミド基、ＣＨ ₂ Ｆ−基、ＣＨＦ ₂ 基、ＣＦ ₃ 基、ＣＮ基、チオ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、ホウ酸基、ホウ酸エステル基、ホスホン酸基、ホスホン酸エステル基、ホスフィン基、スルホキシド基、スルホニル基、スルフィド基、ヘテロアリール基、ニトロ基、ＯＣＮ、ボラン基、シリル基、スタネート基、イミノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、オキシム基、ニトロソ基、ジアゾ基、ホスフィンオキシド基、ヒドロキシ基及びＳＣＮ基からなる群から選択されたドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味する；
   Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹¹及びＲ^11'は、水素、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルキニルもしくはアルケニル又はハロゲン基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニル基、エステル基、オキシカルボニル基及びカルボニルオキシ基、アミン基、アミド基、ＣＨ ₂ Ｆ−基、ＣＨＦ ₂ 基、ＣＦ ₃ 基、ＣＮ基、チオ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、ホウ酸基、ホウ酸エステル基、ホスホン酸基、ホスホン酸エステル基、ホスフィン基、スルホキシド基、スルホニル基、スルフィド基、ヘテロアリール基、ニトロ基、ＯＣＮ、ボラン基、シリル基、スタネート基、イミノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、オキシム基、ニトロソ基、ジアゾ基、ホスフィンオキシド基、ヒドロキシ基及びＳＣＮ基からなる群から選択されたドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味する；
   基Ｚ′′中のＲ¹⁰は、互いに無関係に、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルキニルもしくはアルケニルを意味するか、又はそれぞれ２個の基Ｒ¹⁰は、一緒になって、場合により少なくとも１つのヘテロ原子を有してよい縮合環を形成するか、又はＲ¹⁰は、ハロゲン基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニル基、エステル基、オキシカルボニル基及びカルボニルオキシ基、アミン基、アミド基、ＣＨ ₂ Ｆ−基、ＣＨＦ ₂ 基、ＣＦ ₃ 基、ＣＮ基、チオ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、ホウ酸基、ホウ酸エステル基、ホスホン酸基、ホスホン酸エステル基、ホスフィン基、スルホキシド基、スルホニル基、スルフィド基、ヘテロアリール基、ニトロ基、ＯＣＮ、ボラン基、シリル基、スタネート基、イミノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、オキシム基、ニトロソ基、ジアゾ基、ホスフィンオキシド基、ヒドロキシ基及びＳＣＮ基からなる群から選択されたドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味する；
   更に、構造
   

   

   の基は、芳香族の本体もしくは基Ｒ¹²の１つを介して、基ａａにおいては、Ｒ⁴もしくはＲ⁵又はＲ⁴及びＲ⁵が結合されている炭素原子と、基ａｂにおいては、Ｒ⁸又はＲ⁸が結合されている炭素原子と、基ａｃにおいては、基Ｒ¹⁰の１つ又はＲ¹⁰が結合されている炭素原子の１つと、又は基ａｄにおいては、Ｒ¹¹又はＲ¹¹が結合されている炭素原子と、架橋を介して結合されていてよく、その際、該架橋は、以下の意味を有してよい：
   アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²¹Ｒ²²）_x、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ²¹Ｒ²²）は、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよく、その際、
   ｘは、２〜１０であり、かつ
   Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³⁰、Ｒ³¹は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する；
   その際、構造
   

   

   の基が、架橋を介して、Ｒ⁴及びＲ⁵が結合されている炭素原子と（基ａａ）、Ｒ⁸が結合されている炭素原子と（基ａｂ）、Ｒ¹⁰が結合されている炭素原子の１つと（基ａｃ）又はＲ¹¹が結合されている炭素原子と（基ａｄ）と結合されている場合には、それぞれの基Ｒ⁴もしくはＲ⁵、Ｒ⁸、基Ｒ¹⁰の１つもしくはＲ¹¹は、該架橋に対する結合によって交換されている；
   Ｙ³は、アルキル基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味する］からなる群から選択されることを特徴とするカルベン錯体。
3. 請求項１又は２に記載のカルベン錯体であって、少なくとも１つの第二のカルベン配位子（ＩＩｂ）が、
   

   

   ［式中、記号は以下の意味を有する：
   Ｚは、同一もしくは異なって、ＣＲ¹²もしくはＮを意味する；
   Ｚ′は、同一もしくは異なって、ＣＲ^12'もしくはＮを意味する；
   Ｚ′′は、同一もしくは異なって、ＣＲ¹⁰もしくはＮを意味する；
   Ｒ¹²、Ｒ^12'は、同一もしくは異なって、それぞれ互いに無関係に、Ｈ、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味するか、又はそれぞれ２個の基Ｒ¹²もしくはＲ^12'は、一緒になって、場合により少なくとも１つのヘテロ原子を有してよい縮合環を形成するか、又はＲ¹²もしくはＲ^12'は、ハロゲン基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニル基、エステル基、オキシカルボニル基及びカルボニルオキシ基、アミン基、アミド基、ＣＨ ₂ Ｆ−基、ＣＨＦ ₂ 基、ＣＦ ₃ 基、ＣＮ基、チオ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、ホウ酸基、ホウ酸エステル基、ホスホン酸基、ホスホン酸エステル基、ホスフィン基、スルホキシド基、スルホニル基、スルフィド基、ヘテロアリール基、ニトロ基、ＯＣＮ、ボラン基、シリル基、スタネート基、イミノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、オキシム基、ニトロソ基、ジアゾ基、ホスフィンオキシド基、ヒドロキシ基及びＳＣＮ基からなる群から選択されたドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味する；
   Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹¹及びＲ^11'は、水素、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルキニルもしくはアルケニル又はハロゲン基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニル基、エステル基、オキシカルボニル基及びカルボニルオキシ基、アミン基、アミド基、ＣＨ ₂ Ｆ−基、ＣＨＦ ₂ 基、ＣＦ ₃ 基、ＣＮ基、チオ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、ホウ酸基、ホウ酸エステル基、ホスホン酸基、ホスホン酸エステル基、ホスフィン基、スルホキシド基、スルホニル基、スルフィド基、ヘテロアリール基、ニトロ基、ＯＣＮ、ボラン基、シリル基、スタネート基、イミノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、オキシム基、ニトロソ基、ジアゾ基、ホスフィンオキシド基、ヒドロキシ基及びＳＣＮ基からなる群から選択されたドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味する；
   基Ｚ′′中のＲ¹⁰は、互いに無関係に、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルキニルもしくはアルケニルを意味するか、又はそれぞれ２個の基Ｒ¹⁰は、一緒になって、場合により少なくとも１つのヘテロ原子を有してよい縮合環を形成するか、又はＲ¹⁰は、ハロゲン基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニル基、エステル基、オキシカルボニル基及びカルボニルオキシ基、アミン基、アミド基、ＣＨ ₂ Ｆ−基、ＣＨＦ ₂ 基、ＣＦ ₃ 基、ＣＮ基、チオ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、ホウ酸基、ホウ酸エステル基、ホスホン酸基、ホスホン酸エステル基、ホスフィン基、スルホキシド基、スルホニル基、スルフィド基、ヘテロアリール基、ニトロ基、ＯＣＮ、ボラン基、シリル基、スタネート基、イミノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、オキシム基、ニトロソ基、ジアゾ基、ホスフィンオキシド基、ヒドロキシ基及びＳＣＮ基からなる群から選択されたドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基を意味する；
   更に、構造
   

   

   の基は、芳香族の本体もしくは基Ｒ¹²の１つを介して、基ｂａにおいては、Ｒ⁴もしくはＲ⁵又はＲ⁴及びＲ⁵が結合されている炭素原子と、基ｂｂにおいては、Ｒ⁸又はＲ⁸が結合されている炭素原子と、基ｂｃにおいては、基Ｒ¹⁰の１つ又はＲ¹⁰が結合されている炭素原子の１つと、又は基ｂｄにおいては、Ｒ¹¹又はＲ¹¹が結合されている炭素原子と、架橋を介して結合されていてよく、その際、それぞれの架橋は、以下の意味を有してよい：
   アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²¹Ｒ²²）_x、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ²¹Ｒ²²）は、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよく、その際、
   ｘは、２〜１０であり、かつ
   Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³⁰、Ｒ³¹は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する；
   その際、構造
   

   

   の基が、架橋を介して、Ｒ⁴及びＲ⁵が結合されている炭素原子と（基ｂａ）、Ｒ⁸が結合されている炭素原子と（基ｂｂ）、Ｒ¹⁰が結合されている炭素原子の１つと（基ｂｃ）又はＲ¹¹が結合されている炭素原子と（基ｂｄ）と結合されている場合には、それぞれの基Ｒ⁴もしくはＲ⁵、Ｒ⁸、基Ｒ¹⁰の１つもしくはＲ¹¹は、該架橋に対する結合によって交換されている］からなる群から選択されることを特徴とするカルベン錯体。
4. 請求項１から３までのいずれか１項に記載の一般式Ｉのヘテロレプティックなカルベン錯体の製造方法において、一般式（ＩＩＩ）
   

   

   ［式中、Ｑ^-は、モノアニオン性の対イオンを意味し、かつ
   Ｇは、Ｈを意味し、かつ
   一般式ＩＩＩの配位子前駆体中の他の記号は、以下の意味を有する：
   Ｄｏ¹は、Ｎを意味する；
   ｒは、１であり、；
   ｐは、０である；
   ｑは、０である；
   Ｙ¹、Ｙ²は、それぞれ互いに無関係に、水素又はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基及びアルケニル基からなる群から選択される炭素含有基を意味するか、又は
   Ｙ¹及びＹ²は、一緒になって、ドナー原子Ｄｏ¹と窒素原子Ｎとの間に、少なくとも２つの原子を有し、そのうち少なくとも１つが炭素原子である架橋を形成する；
   Ｒ¹、Ｒ²は、互いに無関係に、水素、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキニル基もしくはアルケニル基を意味するか、又は
   Ｒ¹及びＲ²は、一緒になって、全体で３〜５個の原子を有し、そのうち１〜５個の原子がヘテロ原子であってよく、かつ残りの原子が炭素原子である架橋を形成するので、基
   

   

   は、５員ないし７員の環を形成し、前記環は、場合により、既に存在する二重結合の他に、１つの更なる二重結合を有してよく、又は６員もしくは７員の環の場合には、２つの更なる二重結合を有してよく、かつ場合によりアルキル基もしくはアリール基及び／又はハロゲン基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニル基、エステル基、オキシカルボニル基及びカルボニルオキシ基、アミン基、アミド基、ＣＨ ₂ Ｆ−基、ＣＨＦ ₂ 基、ＣＦ ₃ 基、ＣＮ基、チオ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、ホウ酸基、ホウ酸エステル基、ホスホン酸基、ホスホン酸エステル基、ホスフィン基、スルホキシド基、スルホニル基、スルフィド基、ヘテロアリール基、ニトロ基、ＯＣＮ、ボラン基、シリル基、スタネート基、イミノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、オキシム基、ニトロソ基、ジアゾ基、ホスフィンオキシド基、ヒドロキシ基及びＳＣＮ基からなる群から選択されたドナー作用もしくはアクセプター作用を有する基で置換されていてよく、かつ場合により少なくとも１つのヘテロ原子を有してよく、かつ前記の５員ないし７員の環は、場合により、１もしくは複数の他の環と縮合されていてよい；
   更に、Ｙ¹及びＲ¹は、架橋を介して互いに結合されていてよく、その際、該架橋は以下の意味を有してよい：
   アルキレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、アルキニレン、アルケニレン、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ及び（ＣＲ²¹Ｒ²²）_x、その際、１もしくは複数の隣接していない基（ＣＲ²¹Ｒ²²）は、ＮＲ¹⁸、ＰＲ¹⁹、ＢＲ²⁰、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、ＳｉＲ³⁰Ｒ³¹、ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯによって交換されていてよく、その際、
   ｘは、２〜１０であり、かつ
   Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ³⁰、Ｒ³¹は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アルキニルを意味する；
   その際、一般式ＩＩＩの少なくとも２つの配位子前駆体は、異なる意味のＹ³を有し、その際、
   少なくとも１つの第一の配位子前駆体（ＩＩＩａ）中のＹ³は、以下の意味：
   水素、アルキル基、アルキニル基もしくはアルケニル基を有し、；かつ
   少なくとも１つの第二の配位子前駆体（ＩＩＩｂ）中のＹ³は、以下の意味：
   

   

   （式中、Ｄｏ^2'、ｑ′、ｓ′、Ｒ^3'、Ｒ^1'、Ｒ^2'、Ｘ′及びｐ′は、無関係に、Ｄｏ²、ｑ、ｓ、Ｒ³、Ｒ¹、Ｒ²、Ｘ及びｐと同じ意味を有する）を有する］の少なくとも２つの配位子前駆体と、少なくとも１つの金属Ｍ^1'［その際、前記のＭ^1'は、以下の意味を有する：
   Ｍ^1'は、Ｉｒ（ＩＩＩ）を意味する］を有する金属錯体とを反応させる工程を含む製造方法。
5. 請求項１から３までのいずれか１項に記載の少なくとも１つのヘテロレプティックなカルベン錯体を含有する有機発光ダイオード。
6. 請求項１から３までのいずれか１項に記載の少なくとも１つのヘテロレプティックなカルベン錯体を含有する発光層。
7. 請求項５に記載の少なくとも１つの有機発光ダイオードを含む、定置式ディスプレイ及び可動式ディスプレイからなる群から選択される装置。