JP5296343B2 - バリア層つき基板、表示素子および表示素子の製造方法 - Google Patents
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Description
上記多層バリア層(下部多層封止膜)および上部多層封止膜を構成する無機層としては、酸化ケイ素(SiO2)、窒化ケイ素(SiN)、酸窒化ケイ素(SiON)、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化アルミニウム(AIN)などの無機酸化物、無機窒化物が好適に用いられる。この無機膜の形成方法としては、スパッタ法、プラズマCVD法などの公知の薄膜形成方法を用いることができる。
有機EL素子に用いる基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板、これらを積層したものなどが用いられる。
有機EL素子の基本的構造としては、少なくとも陰極が光透過性を有する透明又は半透明である一対の陽極(第1電極)及び陰極(第2電極)からなる電極間に、少なくとも1つの発光層を有する。前記発光層には低分子及び/又は高分子の有機発光材料が用いられる。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
c)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(ここで、/は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
e)陽極/電荷注入層/発光層/陰極
f)陽極/発光層/電荷注入層/陰極
g)陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層/陰極
h)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
j)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
k)陽極/電荷注入層/発光層/電荷輸送層/陰極
l)陽極/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
m)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
n)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷輸送層/陰極
o)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
p)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
上記陽極には、たとえば透明電極または半透明電極として、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の薄膜を用いることができ、透過率が高いものが好適に利用でき、用いる有機層により適宜、選択して用いる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作製された膜(NESAなど)や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
正孔注入層は、上述のように、陽極と正孔輸送層との間、または陽極と発光層との間に設けることができる。正孔注入層を形成する材料としては、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層を構成する材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などが例示される。
発光層は、本発明においては有機発光層であり、通常、主として蛍光またはりん光を発光する有機物(低分子化合物および高分子化合物)を有する。なお、さらにドーパント材料を含んでいてもよい。本発明において用いることができる発光層を形成する材料としては、例えば、以下のものが挙げられる。
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。
金属錯体系材料としては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など、中心金属に、Al、Zn、BeなどまたはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加することができる。このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。
電子輸送層を形成する材料としては、公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等が例示される。
電子注入層は、先に述べたように、電子輸送層と陰極との間、または発光層と陰極との間に設けられる。電子注入層としては、発光層の種類に応じて、Ca層の単層構造からなる電子注入層、または、Caを除いた周期律表IA族とIIA族の金属であり且つ仕事関数が1.5〜3.0eVの金属およびその金属の酸化物、ハロゲン化物および炭酸化物の何れか1種または2種以上で形成された層とCa層との積層構造からなる電子注入層を設けることができる。仕事関数が1.5〜3.0eVの、周期律表IA族の金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、酸化リチウム、炭酸リチウム等が挙げられる。また、仕事関数が1.5〜3.0eVの、Caを除いた周期律表IIA族の金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。
陰極には、透明電極、または、半透明電極として、金属、グラファイトまたはグラファイト層間化合物、ZnO(亜鉛オキサイド)等の無機半導体、ITO(インジウム・スズ・オキサイド)やIZO(インジウム・亜鉛・オキサイド)などの導電性透明電極、酸化ストロンチウム、酸化バリウム等の金属酸化物などが挙げられる。金属としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム等のアルカリ金属;ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等のアルカリ土類金属、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン等の遷移金属;錫、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム;およびそれらのうち2つ以上の合金等があげられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。また、陰極を2層以上の積層構造としてもよい。この例としては、上記の金属、金属酸化物、フッ化物、これらの合金と、アルミニウム、銀、クロム等の金属との積層構造などが挙げられる。
厚さ125μmのポリエチレンテレフタレート(PEN)フィルム基板(デュポン帝人社製、商品名「テオネックス965A」)をガラス基板に貼り付け、UV−O3装置(テクノビジョン株式会社製、商品名「モデル312 UV−O3 クリーニングシステム」)にて表面処理(親液化処理)を行った。その後、基板を膜封止装置(米国VITEX社製、商品名「Guardian200」)にセットし、図3に示すような所定の分割パターンに従って、多層バリア層(下部多層封止膜)を形成した。多層バリア層は基板全面ではなく、作製する素子部分およびその周囲にのみ形成されるようにステンシルマスクを用いて行った。従って、得られたバリア層つき基板においては、素子間の領域、基板の外縁部には、バリア層は形成されない。また、ステンシルマスクは無機層用と有機層用からなり、無機層部が有機層部を完全にカバーし、有機層領域周辺約2mmの領域まで無機層が形成されるように設計した。
上述のようにして得たバリア層つき基板の各バリア層上に、対向式スパッタ装置にて、マスクを用いてパターニングされた約150nmの膜厚のITO(透明陽極)を成膜した。ITO上の発光部は、各バリア層領域の内部に形成した。次に、UV−O3装置にてITO表面の処理を行った。
上述のようにして素子の発光部を形成後、蒸着室から大気には暴露せず、膜封止装置(米国VITEX社製、商品名「Guardian200」)を用いて、上記多層バリア層と同様に上部多層封止膜を形成した。上記多層バリア層と同一場所に上部多層封止膜を形成するために、上記多層バリア層の形成時に用いた無機層用マスクと有機層用マスクを用い、上記多層バリア層の形成条件と同一条件で、有機/無機多層封止膜を形成した。
上記実施例の封止膜形成用マスクとは別のマスクを用いて、基板のほぼ全面に多層バリア層と上部多層封止膜とを作製したことを除いては、実施例と同様にして、有機EL発光素子を作製した。
実施例および比較例において、上部多層封止膜を形成後、基板を切断して個々の実装用の発光素子とし、電圧を印加し、素子を駆動したところ、それぞれの発光素子は、発光部が均一に発光した。
その後、実施例および比較例の各発光素子を大気中に保管し、2ヶ月後に同様に駆動したところ、比較例の発光素子に比べ、実施例の発光素子は、発光部周辺の非発光部の増加が少なく、発光面積の減少が少なく、大気下で安定な発光性能を示した。すなわち、比較例の発光素子の寿命に比べて、本発明の発光素子の寿命は格段に向上されていることが確認できた。
11 基板
12 多層バリア層(下部多層封止膜)
12a バリア層の有機膜
12b バリア層の無機膜
13 表示エレメント
14 表示部
15 上部多層封止膜
15a 上部多層封止膜の有機膜
15b 上部多層封止膜の無機膜
Claims (22)
- 基板上にバリア層が形成されてなるバリア層つき基板と、該バリア層つき基板のバリア層上に形成されてなる複数の表示エレメントと、該表示エレメント上に該表示エレメントを覆うように形成されている上部多層封止膜とを有してなる表示素子に用いられるバリア層つき基板であって、
前記バリア層が複数に分割パターニングされて前記基板上に形成されており、複数に分割パターニングされたバリア層の間にはバリア層は存在しないことを特徴とするバリア層つき基板。 - 前記バリア層が少なくとも一つの無機層と少なくとも一つの有機層を有する多層膜であることを特徴とする請求項1に記載のバリア層つき基板。
- 前記バリア層において有機層の上に積層されている無機層は下部の有機層の端部を覆っていることを特徴とする請求項2に記載のバリア層つき基板。
- 前記基板がフレキシブル基板であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のバリア層つき基板。
- 前記表示エレメントが陽極と陰極とこれら電極間に形成された有機EL発光層とを有する、有機EL素子用のバリア層つき基板であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のバリア層つき基板。
- 基板上にバリア層が形成されてなるバリア層つき基板と、該バリア層つき基板のバリア層上に形成されてなる複数の表示エレメントと、該表示エレメント上に該表示エレメントを覆うように形成されている上部多層封止膜とを有してなる表示素子であって、
前記バリア層が複数に分割パターニングされて前記基板上に形成されており、複数に分割パターニングされたバリア層の間にはバリア層は存在しないことを特徴とする表示素子。 - 前記バリア層が少なくとも一つの無機層と少なくとも一つの有機層を有する多層膜であることを特徴とする請求項6に記載の表示素子。
- 前記バリア層において有機層の上に積層されている無機層は下部の有機層の端部を覆っていることを特徴とする請求項7に記載の表示素子。
- 前記表示エレメントおよび前記上部多層封止膜は前記複数に分割パターニングされた個々のバリア層上に積層されていることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の表示素子。
- 前記上部多層封止膜が少なくとも一つの無機層と少なくとも一つの有機層を有する多層膜であることを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項に記載の表示素子。
- 前記上部多層封止膜において有機層の上に積層されている無機層は下部の有機層の端部を覆っていることを特徴とする請求項10に記載の表示素子。
- 前記基板がフレキシブル基板であることを特徴とする請求項6〜11のいずれか1項に記載の表示素子。
- 前記表示エレメントが陽極と陰極とこれら電極間に形成された有機EL発光層とを有する、有機EL素子であることを特徴とする請求項6〜12のいずれか1項に記載の表示素子。
- 基板上にバリア層が形成されてなるバリア層つき基板と、該バリア層つき基板のバリア層上に形成されてなる複数の表示エレメントと、該表示エレメント上に該表示エレメントを覆うように形成されている上部多層封止膜とを有してなる表示素子の製造方法であって、
前記バリア層を互いに離間した複数の領域に分割し、分割されたバリア層の間にはバリア層が存在しないように形成することを特徴とする表示素子の製造方法。 - 前記バリア層を少なくとも一つの無機層と少なくとも一つの有機層とを積層して形成することを特徴とする請求項14に記載の表示素子の製造方法。
- 前記バリア層の積層工程において有機層の上に積層する無機層は下部の有機層の端部を覆うように積層することを特徴とする請求項15に記載の表示素子の製造方法。
- 前記表示エレメントおよび前記上部多層封止膜は前記複数に分割して形成された個々のバリア層上に積層することを特徴とする請求項14〜16のいずれか1項に記載の表示素子の製造方法。
- 前記上部多層封止膜を少なくとも一つの無機層と少なくとも一つの有機層とを積層して形成することを特徴とする請求項14〜17のいずれか1項に記載の表示素子の製造方法。
- 前記上部多層封止膜の積層工程において有機層の上に積層する無機層は下部の有機層の端部を覆うように積層することを特徴とする請求項18に記載の表示素子の製造方法。
- 前記上部多層封止膜の積層後、前記基板を前記各バリア層により分割されたユニット毎に切断することにより実装用の表示素子を得ることを特徴とする請求項14〜19のいずれか1項に記載の表示素子の製造方法。
- 前記基板としてフレキシブル基板を用いることを特徴とする請求項14〜20のいずれか1項に記載の表示素子の製造方法。
- 前記表示エレメントが陽極と陰極とこれら電極間に形成された有機EL発光層とを有する、有機EL素子であることを特徴とする請求項14〜21のいずれか1項に記載の表示素子の製造方法。
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