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JP5293469B2 - 半導体装置用複合配線部材および樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

半導体装置用複合配線部材および樹脂封止型半導体装置 Download PDF

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JP5293469B2
JP5293469B2 JP2009164910A JP2009164910A JP5293469B2 JP 5293469 B2 JP5293469 B2 JP 5293469B2 JP 2009164910 A JP2009164910 A JP 2009164910A JP 2009164910 A JP2009164910 A JP 2009164910A JP 5293469 B2 JP5293469 B2 JP 5293469B2
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lead frame
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場 進 馬
田 正 親 増
木 博 通 鈴
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Description

本発明は、半導体装置用複合配線部材および樹脂封止型半導体装置に係り、とりわけ、従来より小型化（ファイン化）された半導体チップを確実に実装することができるともに、製造コストを低減することができる半導体装置用複合配線部材および樹脂封止型半導体装置に関する。
近年、半導体装置は、高集積化や小型化技術の進歩、電子機器の高性能化と軽薄短小化の傾向から、ますます高集積化、高機能化が進んできている。このように高集積化、高機能化された半導体装置においては、外部端子（ピン）の総和の増加や更なる多端子（ピン）化が要請されている。
このような半導体装置としては、リードフレームにＩＣチップ、ＬＳＩチップなどの半導体チップが搭載され、絶縁性樹脂で封止された構造をもつ半導体パッケージがある。このような半導体装置では、高集積化および小型化が進むに従ってパッケージの構造が、ＳＯＪ（Small Outline J-Leaded Package）やＱＦＰ（Quad Flat Package）のような樹脂パッケージの側壁から外部リードが外側に突出したタイプを経て、外部リードが外側に突出せずに樹脂パッケージの裏面に外部リードが露出するように埋設された、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）やＳＯＮ（Small Outline Nonleaded Package）などの薄型で実装面積の小さいタイプに進展している。
またＱＦＰパッケージが抱える実装効率、実装性の問題を回避するために、半田ボールをパッケージの外部端子として備えた表面実装型パッケージであるＢＧＡ(Ball Grid Array)と呼ばれる樹脂封止型の半導体装置が量産されている。また、ＢＧＡの半田ボールに代えてマトリックス状の平面電極からなる外部端子が設けられた表面実装型パッケージとして、ＬＧＡ(Land Grid Array)と呼ばれる半導体装置が存在する。
特許第２６８８０９９号公報 特開平１０−４１４３４号公報
ところで、半導体チップはますます小型化（ファイン化）が進んでいるが、リードフレームのインナーリード部のピッチ（間隔）を狭くすることには限界があるため、このようなファイン化された半導体チップをリードフレームに搭載することは次第に困難になることが予想される。
またこのような半導体装置の検査を行なう場合、半導体チップを実装し、半導体チップを含む半導体装置として完成させた後にかかる検査を行なう必要がある。したがって、仮に半導体チップが良品でなかった場合、半導体装置全体を破棄しなければならない。このため、半導体チップの歩留まりが悪化した場合、コスト面での損失が大きくなることが懸念される。
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、小型化（ファイン化）された半導体チップを確実に実装することができるとともに、半導体装置としてパッケージングする前に半導体チップの検査を行なうことができ、かつ製造コストを低減することができる、半導体装置用複合配線部材および樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。
本発明は、半導体チップ上の電極と配線基板とを電気的に接続するための半導体装置用複合配線部材において、配線部材と、この配線部材に電気的に接続されるとともに配線部材を載置するリードフレームとを備え、配線部材は、絶縁層と、絶縁層の一の側に配置された金属基板と、絶縁層の他の側に配置された銅配線層とを有し、銅配線層上に半導体チップ載置部が形成され、銅配線層は、半導体チップ上の電極と接続される第１端子部と、リードフレームと接続される第２端子部と、第１端子部と第２端子部とを接続する配線部とを含み、銅配線層の第２端子部とリードフレームとは第２接続部を介して電気的に接続され、リードフレームは、配線部材を載置するダイパッドと、ダイパッド外方に設けられたリード部とを有し、ダイパッドは、半導体チップに対応する中央エリアと、中央エリア外周に位置するとともに中央エリアに連結され、中央エリアとの間に封止樹脂流入空間を形成する周縁エリアとを有し、配線部材は、ダイパッドの中央エリアから周縁エリアまでの領域に配置され、配線部材は、少なくともダイパッドの中央エリアおよび周縁エリアに樹脂ペーストを用いて接着されていることを特徴とする半導体装置用複合配線部材である。
本発明は、金属基板は、ステンレスからなることを特徴とする半導体装置用複合配線部材である。
本発明は、樹脂ペーストは、多点状または直線状に塗布されていることを特徴とする半導体装置用複合配線部材である。
本発明は、ダイパッドのうち、少なくとも中央エリアおよび周縁エリアに、めっき処理が施されていることを特徴とする半導体装置用複合配線部材である。
本発明は、樹脂封止型半導体装置において、絶縁層と、絶縁層の一の側に配置された金属基板と、絶縁層の他の側に配置された銅配線層とを有し、銅配線層上に半導体チップ載置部が形成され、銅配線層は、半導体チップ上の電極と接続される第１端子部と、外部配線部材と接続される第２端子部と、第１端子部と第２端子部とを接続する配線部とを含む配線部材と、この配線部材に電気的に接続されるとともに配線部材を載置するリードフレームと、配線部材の半導体チップ載置部に載置され、電極を有する半導体チップとを備え、半導体チップ上の電極と第１端子部とは第１接続部により電気的に接続され、第２端子部とリードフレームとは第２接続部により電気的に接続され、リードフレームの一部を露出した状態で半導体チップ、銅配線層、リードフレーム、第１接続部、および第２接続部が封止樹脂部により樹脂封止され、リードフレームは、配線部材を載置するダイパッドと、ダイパッド外方に設けられたリード部とを有し、ダイパッドは、半導体チップに対応する中央エリアと、中央エリア外周に位置するとともに中央エリアに連結され、中央エリアとの間に封止樹脂流入空間を形成する周縁エリアとを有し、配線部材は、ダイパッドの中央エリアから周縁エリアまでの領域に配置され、配線部材は、少なくともダイパッドの中央エリアおよび周縁エリアに樹脂ペーストを用いて接着されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、金属基板は、ステンレスからなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、樹脂ペーストは、多点状または直線状に塗布されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明は、ダイパッドのうち、少なくとも中央エリアおよび周縁エリアに、めっき処理が施されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
以上のように本発明によれば、半導体チップと銅配線層との間が第１接続部により電気的に接続され、銅配線層とリードフレームとの間が第２接続部により電気的に接続されるので、比較的ピッチが広いリードフレームのインナーリード部と比較的ピッチが狭い半導体チップの電極との間を確実に接続することができる。これにより、従来より小さい半導体チップを半導体装置のリードフレームに搭載することができる。
また本発明によれば、半導体装置としてパッケージングする前に、半導体装置用配線部材または半導体装置用複合配線部材に搭載した状態で半導体チップの検査を行なうことができる。
また本発明によれば、第１接続部と第２接続部との間に銅配線層が設けられているので、半導体チップとリードフレームとを直接ボンディングワイヤで接続する場合と比較して製造コストを低減することができる。
また本発明によれば、金属基板はステンレスからなっているので、従来のポリイミドからなる基板と比較して剛性があり、取り扱いがしやすく、かつ厚さを薄くすることができる。また、半導体チップからの熱を金属基板の裏面から放熱させることができる。
また本発明によれば、銅配線層は、半導体チップ上の複数の電極と電気的に接続される端子ブロック部を有するので、半導体チップの電極のうち例えば電源端子をこの端子ブロック部にまとめて接続することができる。これにより第２接続部を減らすことができ、半導体装置中の総端子数を減らすことができる。また、パッケージ後の半導体装置の外形を小さくすることができ、リードフレーム内のパッケージ取り数を増加させることができるので、半導体装置の製造コストを低減することができる。さらに、半導体装置用配線部材を、半導体装置用配線部材よりやや大きい分割ダイパッド上に載置するとともに、半導体装置用配線部材と分割ダイパッドとを結線することにより、この分割ダイパッドをＧＮＤブロックとして構成することも可能である。さらに、半導体チップの下に絶縁フィルム（またはペースト）を介して銅配線層を配置し、ダイパッドを半導体チップのサイズより大きくし、このダイパッドをＧＮＤ層としてワイヤボンディングにより接続することもでき、この場合半導体装置中の総端子数を減らすことができる。
図１は、半導体装置用配線部材（ワイヤ接続タイプ）の第１の参考例を示す概略断面図。 図２は、第１の参考例を示す概略平面図。 図３は、第１の参考例による半導体装置用配線部材の変形例１（ソルダー接続タイプ）を示す概略断面図。 図４は、図１に示す半導体装置用配線部材を含む半導体装置を示す概略断面図。 図５は、図３に示す半導体装置用配線部材を含む半導体装置を示す概略断面図。 図６（ａ）−（ｄ）は、半導体装置用配線部材の製造方法を示す図。 図７（ａ）−（ｆ）は、図４に示す半導体装置の製造方法を示す図。 図８（ａ）−（ｆ）は、図５に示す半導体装置の製造方法を示す図。 図９は、第１の参考例による半導体装置用配線部材の変形例２を示す概略平面図。 図１０は、第１の参考例による半導体装置用配線部材の変形例３を示す概略平面図。 図１１（ａ）は、第１の参考例による半導体装置用配線部材の変形例４を示す概略平面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ線断面図。 図１２は、半導体装置の第２の参考例を示す概略断面図。 図１３（ａ）−（ｅ）は、パッケージタイプの半導体装置の製造方法を示す図。 図１４（ａ）−（ｆ）は、図４に示す半導体装置の製造方法の変形例を示す図。 図１５（ａ）−（ｆ）は、図５に示す半導体装置の製造方法の変形例を示す図。 図１６は、第３の参考例による半導体装置用配線部材を示す概略断面図。 図１７は、第３の参考例による半導体装置用複合配線部材を示す概略断面図。 図１８は、第３の参考例による半導体装置用配線部材の変形例を示す概略断面図。 図１９は、第３の参考例による半導体装置を示す概略断面図。 図２０（ａ）−（ｄ）は、第３の参考例による半導体装置用配線部材の製造方法を示す図。 図２１（ａ）−（ｆ）は、第３の参考例による半導体装置の製造方法を示す図。 図２２は、第４の参考例による半導体装置を示す概略断面図。 図２３は、第４の参考例による半導体装置に用いられる半導体装置用配線部材を示す平面図。 図２４（ａ）−（ｅ）は、第４の参考例による半導体装置の製造方法を示す図。 図２５は、第４の参考例による半導体装置の変形例を示す概略断面図。 図２６は、本発明の一実施の形態において用いられる半導体装置用配線部材を示す概略断面図。 図２７は、本発明の一実施の形態による半導体装置用複合配線部材を示す概略断面図。 図２８は、本発明の一実施の形態による半導体装置用複合配線部材および半導体装置を示す概略平面図。 図２９は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す概略断面図（図２８のＢ−Ｂ線断面図）。 図３０（ａ）−（ｆ）は、本発明の一実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図。
以下、図面を参照して参考例および本発明の実施の形態について説明する。
第１の参考例
図１乃至図１１は、第１の参考例を示す図である。ここで、図１は、第１の参考例を示す概略断面図であり、図２は、第１の参考例を示す概略平面図である。また図３は、第１の参考例の変形例１を示す概略断面図であり、図４は、図１に示す半導体装置用配線部材を含む半導体装置を示す概略断面図である。また図５は、図３に示す半導体装置用配線部材を含む半導体装置を示す概略断面図であり、図６（ａ）−（ｄ）は、半導体装置用配線部材の製造方法を示す図である。また図７（ａ）−（ｆ）は、図４に示す半導体装置の製造方法を示す図であり、図８（ａ）−（ｆ）は、図５に示す半導体装置の製造方法を示す図である。また図９は、第１の参考例による半導体装置用配線部材の変形例２を示す概略平面図であり、図１０は、第１の参考例による半導体装置用配線部材の変形例３を示す概略平面図である。また図１１（ａ）は、第１の参考例による半導体装置用配線部材の変形例４を示す概略平面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図１４（ａ）−（ｆ）は、図４に示す半導体装置の製造方法の変形例を示す図であり、図１５（ａ）−（ｆ）は、図５に示す半導体装置の製造方法の変形例を示す図である。
まず図１乃至図３により、本参考例による半導体装置用配線部材の概略について説明する。図１に示すように、本参考例によるワイヤ接続タイプの半導体装置用配線部材１０は、半導体チップ１５の電極１５Ａ（後述）と例えばリードフレーム２０のインナーリード部２１（後述）等の外部配線部材とを電気的に接続するためのものである。
このような半導体装置用配線部材１０は、例えばポリイミドからなる絶縁層１１と、絶縁層１１の一の側に配置された金属基板１２と、絶縁層１１の他の側に配置された銅配線層１３とを備えている。このうち銅配線層１３は、半導体チップ１５の電極１５Ａと各々電気的に接続される複数の第１端子部１３Ｄと、インナーリード部２１（外部配線部材）と各々電気的に接続される複数の第２端子部１３Ｅと、第１端子部１３Ｄと第２端子部１３Ｅとを各々電気的に接続する複数の配線部１３Ｃとを含んでいる。
また銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅ上に、リードフレーム２０用の第２接続部１９が各々設けられている。すなわち第２接続部１９は、一端がそれぞれ対応する第２端子部１３Ｅに接続されるとともに、他端がリードフレーム２０のインナーリード部２１（後述）に接続されている。なお図１および図２において、各第２接続部１９は金製のボンディングワイヤからなっている。
一方、銅配線層１３の配線部１３Ｃは、それぞれ図２に示すように半導体チップ１５から放射状に延びている。また銅配線層１３の断面は、図１に示すように、中心の銅層１３Ａと、銅層１３Ａを覆うめっき層１３Ｂとから構成されている。このうちめっき層１３Ｂは、例えばニッケル（Ｎｉ）めっき層と、ニッケル（Ｎｉ）めっき層上に設けられた金（Ａｕ）めっき層とからなっている。
なお金属基板１２としては各種金属を用いることができるが、金属基板１２がステンレスからなることが最も好ましい。金属基板１２がステンレスからなることにより、金属基板１２の剛性を高めることができ、金属基板１２の厚さを薄くすることができる。また、半導体チップ１５からの熱を金属基板１２の裏面から放熱させることができる。
また絶縁層１１の銅配線層１３側に半導体チップ載置部１１Ａが形成されている。半導体チップ１５は、図２に示すように、その周囲に沿って設けられた複数の電極１５Ａを有している。半導体チップ１５は、半導体チップ載置部１１Ａ上に接着層１４を介して載置固定される。また半導体チップ１５の各電極１５Ａと銅配線層１３の各第１端子部１３Ｄとの間が、それぞれ金（Ａｕ）製のボンディングワイヤからなる第１接続部１６により電気的に接続されている。
次に図３により半導体装置用配線部材１０の他の構成（変形例１）について説明する。
図３において、図１および図２に示す半導体装置用配線部材１０と同一部分には、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図３に示すように、ソルダー接続タイプの半導体装置用配線部材１０は、絶縁層１１と、絶縁層１１の一の側に配置された金属基板１２と、絶縁層１１の他の側に配置された銅配線層１３とを備えている。
また絶縁層１１の銅配線層１３側に半導体チップ載置部１１Ａが形成され、この半導体チップ載置部１１Ａに、接着層１４を介して半導体チップ１５が載置されている。さらに半導体チップ１５と銅配線層１３の第１端子部１３Ｄとの間が、金製のボンディングワイヤからなる第１接続部１６により電気的に接続されている。
図３において、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅ上に、各々リードフレーム２０用の第２接続部１８が設けられている。すなわち第２接続部１８は、下端がそれぞれ対応する第２端子部１３Ｅに接続されるとともに、上端がリードフレーム２０のインナーリード部２１（後述）に接続されている。なお図３において、各第２接続部１８は半田接続部（半田ボール）からなっている。
なお、図１乃至図３において、半導体装置用配線部材１０と、この半導体装置用配線部材１０に電気的に接続されたリードフレーム２０と、銅配線層１３の第２端子部１３Ｅとリードフレーム２０とを電気的に接続する第２接続部１８、１９とにより、半導体装置用複合配線部材１０Ａが構成される。この半導体装置用複合配線部材１０Ａにより、半導体チップ１５上の電極１５Ａと図示しない外部の配線基板とを電気的に接続することができる。
ここで、図１または図３に示した半導体装置用配線部材１０の使用形態として、半導体チップ１５の各電極１５Ａと銅配線層１３の第１端子部１３Ｄとの電気的接続にボンディングワイヤ（第１接続部１６）を用いたが、別の接続方法として金バンプ接続やはんだボール接続を用いることができる。このような金バンプやはんだボールによる接続方法を用いた場合、半導体チップ１５は、その電極１５Ａを配線部材１０の第１端子部１３Ｄに対向するように配置して載置する（図示せず）。さらに、第１接続部１６の接続方法として金バンプやはんだボールを用いる方法は、ＢＧＡパッケージに対応した第２の参考例（後述）にも用いることができる。
次に図４および図５により、上述した半導体装置用配線部材を有する半導体装置の概略について説明する。
図４に示す半導体装置３０は、図１に示す半導体装置用配線部材１０を含んでいる。すなわち半導体装置３０は、ダイパッド２２を有するリードフレーム２０と、リードフレーム２０のダイパッド２２上に載置されリードフレーム２０に電気的に接続された半導体装置用配線部材１０と、半導体装置用配線部材１０の半導体チップ載置部１１Ａに載置され、電極１５Ａを有する半導体チップ１５とを有している。
このうちリードフレーム２０の上面に複数の導電性のインナーリード部２１が形成され、ボンディングワイヤからなる各第２接続部１９は、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅと対応するインナーリード部２１とを電気的に接続している。また、半導体チップ１５上の電極１５Ａと第１端子部１３Ｄとは第１接続部１６により電気的に接続されている。さらに、リードフレーム２０の一部を露出した状態で半導体チップ１５、銅配線層１３、リードフレーム２０、第１接続部１６、および第２接続部１９が樹脂封止部２３により樹脂封止されている。
他方、図５に示す半導体装置３０は、図３に示す半導体装置用配線部材１０を含んでいる。すなわち半導体装置３０は、リードフレーム２０と、リードフレーム２０の中心に配置されリードフレーム２０に電気的に接続された半導体装置用配線部材１０と、半導体装置用配線部材１０の半導体チップ載置部１１Ａに載置され、電極１５Ａを有する半導体チップ１５とを有している。
このうちリードフレーム２０の下面に複数の導電性のインナーリード部２１が形成され、半田接続部からなる各第２接続部１８は、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅと対応するインナーリード部２１とを電気的に接続している。また、半導体チップ１５上の電極１５Ａと第１端子部１３Ｄとは第１接続部１６により電気的に接続されている。さらに、リードフレーム２０の一部（アウタリード部と呼ばれる）を露出した状態で半導体チップ１５、銅配線層１３、リードフレーム２０、第１接続部１６、および第２接続部１８が樹脂封止部２３により樹脂封止されている。
なお、図４および図５において、図１および図３に示す半導体装置用配線部材１０をリードフレーム２０に搭載する例を示したが、これに限らず、例えば半導体装置用配線部材１０または図１２に示す半導体装置（後述）をビルドアップ基板に内蔵させることにより、薄型の半導体装置を製造することもできる。
次にこのような構成からなる本参考例の作用について説明する。
はじめに、上述した半導体装置用配線部材１０を製造する方法について、図６（ａ）−（ｄ）により説明する。
まず、ステンレスからなる金属基板１２を準備する（図６（ａ））。次に金属基板１２上にポリイミドからなる絶縁層１１を積層する（図６（ｂ））。
次いで、絶縁層１１上にアディティブ法またはエッチング法により銅層１３Ａを形成する（図６（ｃ））。次いで電解めっきまたは無電解めっきにより、銅層１３Ａ上に例えばニッケル（Ｎｉ）めっき層および金（Ａｕ）めっき層からなるめっき層１３Ｂを形成することにより、銅層１３Ａおよびめっき層１３Ｂからなる銅配線層１３を形成する（図６（ｄ））。この際、銅配線層１３の第１端子部１３Ｄ、第２端子部１３Ｅ、および配線部１３Ｃも同時に形成される。このようにして、絶縁層１１と金属基板１２と銅配線層１３とを有する半導体装置用配線部材１０を作製することができる。
次に、ワイヤ接続タイプの半導体装置用配線部材を含む半導体装置（図４）を製造する方法について、図７（ａ）−（ｆ）により説明する。
まず上述した図６（ａ）−（ｄ）に示す工程により、半導体装置用配線部材１０を作製する（図７（ａ））。次に、半導体装置用配線部材１０の半導体チップ載置部１１Ａ上に接着層１４を介して半導体チップ１５を載置して固定するとともに（図７（ｂ））、半導体チップ１５の各電極１５Ａと銅配線層１３の各第１端子部１３Ｄとの間をボンディングワイヤからなる第１接続部１６により接続する（図７（ｃ））。
次に、インナーリード部２１とダイパッド２２とを有するリードフレーム２０を準備し、このリードフレーム２０のダイパッド２２上に半導体装置用配線部材１０を載置する（図７（ｄ））。
次に、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅと、対応するリードフレーム２０のインナーリード部２１とを、それぞれボンディングワイヤからなる第２接続部１９により接続する（図７（ｅ））。その後、リードフレーム２０の一部（アウタリード部）を露出した状態で半導体装置用配線部材１０、半導体チップ１５、第１接続部１６、ダイパッド２２、第２接続部１９、およびインナーリード部２１を封止樹脂部２３により封止することにより、図４に示す半導体装置３０が作製される（図７（ｆ））。
次に、ワイヤ接続タイプの半導体装置用配線部材を含む半導体装置（図４）を製造する方法の変形例について、図１４（ａ）−（ｆ）により説明する。
まず上述した図６（ａ）−（ｄ）に示す工程により、半導体装置用配線部材１０を作製する（図１４（ａ））。次に、インナーリード部２１とダイパッド２２とを有するリードフレーム２０を準備し、このリードフレーム２０のダイパッド２２上に半導体装置用配線部材１０を載置する（図１４（ｂ））。
次に、半導体装置用配線部材１０の半導体チップ載置部１１Ａ上に接着層１４を介して半導体チップ１５を載置して固定するとともに（図１４（ｃ））、半導体チップ１５の各電極１５Ａと銅配線層１３の各第１端子部１３Ｄとの間をボンディングワイヤからなる第１接続部１６により接続する（図１４（ｄ））。
次に、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅと、対応するリードフレーム２０のインナーリード部２１とを、それぞれボンディングワイヤからなる第２接続部１９により接続する（図１４（ｅ））。その後、リードフレーム２０の一部（アウタリード部）を露出した状態で半導体装置用配線部材１０、半導体チップ１５、第１接続部１６、ダイパッド２２、第２接続部１９、およびインナーリード部２１を封止樹脂部２３により封止することにより、図４に示す半導体装置３０が得られる（図１４（ｆ））。
次に、ソルダー接続タイプの半導体装置用配線部材を含む半導体装置（図５）を製造する方法について、図８（ａ）−（ｆ）により説明する。
まず上述した図６（ａ）−（ｄ）に示す工程により、半導体装置用配線部材１０を作製する（図８（ａ））。次に、半導体装置用配線部材１０の半導体チップ載置部１１Ａ上に接着層１４を介して半導体チップ１５を載置して固定するとともに（図８（ｂ））、半導体チップ１５の各電極１５Ａと銅配線層１３の各第１端子部１３Ｄとの間をボンディングワイヤからなる第１接続部１６により接続する（図８（ｃ））。
次に、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅ上に、各々半田接続部（半田ボール）からなるリードフレーム２０用の第２接続部１８を設ける（図８（ｄ））。
次にリードフレーム２０を準備し、各第２接続部１８と対応するリードフレーム２０のインナーリード部２１とをそれぞれ接続する（図８（ｅ））。その後、リードフレーム２０の一部（アウタリード部）を露出した状態で半導体装置用配線部材１０、半導体チップ１５、第１接続部１６、第２接続部１８、およびインナーリード部２１を封止樹脂部２３により封止することにより、図５に示す半導体装置３０が作製される（図８（ｆ））。
次に、ソルダー接続タイプの半導体装置用配線部材を含む半導体装置（図５）を製造する方法の変形例について、図１５（ａ）−（ｆ）により説明する。
まず上述した図６（ａ）−（ｄ）に示す工程により、半導体装置用配線部材１０を作製する（図１５（ａ））。次に、半導体装置用配線部材１０の銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅ上に、各々半田接続部（半田ボール）からなるリードフレーム２０用の第２接続部１８を設ける（図１５（ｂ））。次にリードフレーム２０を準備し、各第２接続部１８と、対応するリードフレーム２０のインナーリード部２１とをそれぞれ接続する（図１５（ｃ））。
次に、半導体装置用配線部材１０の半導体チップ載置部１１Ａ上に接着層１４を介して半導体チップ１５を載置して固定するとともに（図１５（ｄ））、半導体チップ１５の各電極１５Ａと銅配線層１３の各第１端子部１３Ｄとの間をボンディングワイヤからなる第１接続部１６により接続する（図１５（ｅ））。
その後、リードフレーム２０の一部（アウタリード部）を露出した状態で半導体装置用配線部材１０、半導体チップ１５、第１接続部１６、第２接続部１８、およびインナーリード部２１を封止樹脂部２３により封止することにより、図５に示す半導体装置３０が得られる（図１５（ｆ））。
このように本参考例によれば、従来よりファイン化された小型の半導体チップ１５をリードフレーム２０に搭載することができる。すなわちリードフレーム２０のインナーリード部２１間のピッチは比較的広く（例えば１３０μｍ）、半導体チップ１５の電極１５Ａ間のピッチは比較的狭い（例えば４０μｍ）。このような場合であっても、本参考例によれば、半導体チップ１５の電極１５Ａと銅配線層１３の第１端子部１３Ｄとの間が第１接続部１６により接続され、銅配線層１３の第２端子部１３Ｅとリードフレーム２０のインナーリード部２１との間が第２接続部１８、１９により接続されているので、半導体チップ１５をリードフレーム２０に確実に電気的に接続することができる。
これに対して、比較例として、半導体チップ１５の電極１５Ａとリードフレーム２０のインナーリード部２１とを直接金製のボンディングワイヤで接続することも考えられる。
しかしながら、この場合、金製のボンディングワイヤの長さが相対的に長くなるため、製造コストが上昇する。一方、本参考例によれば、第１接続部１６と第２接続部１８、１９との間に銅配線層１３を介在させているので、半導体チップ１５の電極１５Ａとリードフレーム２０のインナーリード部２１とを直接金製のボンディングワイヤで接続する場合（上述した比較例）と比較して半導体装置３０の製造コストを低減することができる。
また本参考例によれば、半導体装置３０としてパッケージングする前に、半導体装置用配線部材１０に搭載した状態で半導体チップ１５の検査を行なうことができる。
また本参考例によれば、金属基板１２はステンレスからなっているので、従来のポリイミドからなる基板と比較して剛性があり、取り扱いがしやすく、かつ厚さを薄くすることができる。また、半導体チップ１５からの熱を金属基板１２の裏面から放熱させることができる。
次に、図９乃至図１１により半導体装置用配線部材１０の他の構成（変形例２乃至４）について説明する。図９乃至図１１において、図１乃至図３に示す半導体装置用配線部材１０と同一部分には、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図９（変形例２）において、銅配線層１３は、第１接続部１６を介して半導体チップ１５上の複数の電源端子用電極１５Ａと電気的に接続される電源端子ブロック部１３Ｆと、第１接続部１６を介して半導体チップ１５上の複数のグランド端子用電極１５Ａと電気的に接続されるＧＮＤ（グランド）端子ブロック部１３Ｇと、他の第１接続部１６がそれぞれ接続される第１端子部１３Ｄと、第２接続部１９が接続される平行四辺形状の第２端子部１３Ｅとを有している。また第１端子部１３Ｄと第２端子部１３Ｅとの間、電源端子ブロック部１３Ｆと第２端子部１３Ｅとの間、およびＧＮＤ（グランド）端子ブロック部１３Ｇと第２端子部１３Ｅとの間にそれぞれ配線部１３Ｃが介在されている。
図１０（変形例３）において、銅配線層１３は、第１接続部１６を介して半導体チップ１５上の複数の電源端子用電極１５Ａと電気的に接続される電源端子ブロック部１３Ｆと、第１接続部１６を介して半導体チップ１５上の複数のグランド端子用電極１５Ａと電気的に接続されるＧＮＤ（グランド）端子ブロック部１３Ｇと、他の第１接続部１６がそれぞれ接続される第１端子部１３Ｄと、第２接続部１８が接続される円形状の第２端子部１３Ｅとを有している。また第１端子部１３Ｄと第２端子部１３Ｅとの間、電源端子ブロック部１３Ｆと第２端子部１３Ｅとの間、およびＧＮＤ（グランド）端子ブロック部１３Ｇと第２端子部１３Ｅとの間にそれぞれ配線部１３Ｃが介在されている。なお図１０（変形例３）において、第２端子部１３Ｅに接続される配線（配線部１３Ｃ）、引き出し線は、はんだボール実装時のはんだ流れを防止するため、それぞれクランク形状の配線、引き出し線としている。
図９および図１０に示すように、電源端子ブロック部１３ＦとＧＮＤ（グランド）端子ブロック部１３Ｇとを設け、電極１５Ａのうち電源端子およびグランド端子をそれぞれまとめて電気的に接続することにより、第２接続部１８、１９の数を減らすことができる。
図１１（変形例４）において、半導体装置用配線部材１０は、半導体装置用配線部材１０より若干大きい分割ダイパッド２０Ａ上に載置されている。また銅配線層１３は、第１接続部１６を介して半導体チップ１５上の複数の電源端子用電極１５Ａと電気的に接続される電源端子ブロック部１３Ｆと、第１接続部１６を介して半導体チップ１５上の複数のグランド端子用電極１５Ａと電気的に接続されるＧＮＤ（グランド）端子ブロック部１３Ｇとを有している。分割ダイパッド２０ＡはＧＮＤブロックとして構成され、分割ダイパッド２０ＡとＧＮＤ（グランド）端子ブロック部１３Ｇとは、第２接続部１９によって接続されている。
図１１において、電源端子ブロック部１３ＦとＧＮＤ（グランド）端子ブロック部１３Ｇとを設け、電極１５Ａのうち電源端子およびグランド端子をそれぞれまとめて電気的に接続し、かつ分割ダイパッド２０ＡとＧＮＤ（グランド）端子ブロック部１３Ｇとを第２接続部１９によって接続することにより、半導体装置全体における第２接続部１９の数を減らすことができる。
図９乃至図１１（変形例２乃至変形例４）において、半導体チップ１５のサイズより大きい銅配線層からなるダイパッドを設け、このダイパッド上に絶縁フィルム（またはペースト）を介して半導体チップ１５を搭載しても良い。この場合、銅配線層からなるダイパッドをＧＮＤ（グランド）層として構成し、半導体チップ１５の電極１５Ａとダイパッドとをワイヤにより接続することにより、半導体装置中の総端子数を減らすことができる。
第２の参考例
次に、第２の参考例について図１２および図１３（ａ）−（ｅ）を参照して説明する。ここで、図１２は、第２の参考例を示す概略断面図であり、図１３（ａ）−（ｅ）は、パッケージタイプの半導体装置の製造方法を示す図である。図１２および図１３（ａ）−（ｅ）に示す第２の参考例は、第２接続部が封止樹脂部から外方に露出している点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の参考例と略同一である。図１２および図１３（ａ）−（ｅ）において、図１乃至図１１に示す第１の参考例と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
図１２に示すように、本参考例によるパッケージタイプの半導体装置４０は、上述した半導体装置用配線部材１０と、半導体装置用配線部材１０の半導体チップ載置部１１Ａ上に接着層１４を介して載置され複数の電極１５Ａを有する半導体チップ１５とを備えている。
さらに、半導体チップ１５の各電極１５Ａと銅配線層１３の各第１端子部１３Ｄとの間が、それぞれ金（Ａｕ）製のボンディングワイヤからなる第１接続部１６により接続されている。
一方、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅ上に、半田接続部からなる外部接続用の第２接続部２４が各々設けられている。図１２に示すように、第２接続部２４は、半田ボールを２段に積層することにより構成されているが、第２接続部２４の高さを一定以上とすることができるのであればこのような構造に限定されない。
また銅配線層１３、半導体チップ１５、および第１接続部１６が封止樹脂部２３により封止されている。さらに、上述した第２接続部２４は、封止樹脂部２３から外方に露出している。第２接続部２４のうち封止樹脂部２３外方に露出した部分は、例えば外部機器の導電性部材と電気的に接続するために設けられており、これにより半導体チップ１５と外部機器とを確実に電気的に接続することができる。
なお金属基板１２としては各種金属を用いることができるが、金属基板１２がステンレスからなることが最も好ましい。金属基板１２がステンレスからなることにより、金属基板１２の剛性を高めることができ、金属基板１２の厚さを薄くすることができる。また、半導体チップ１５からの熱を金属基板１２の裏面から放熱させることができる。
次に、図１２に示すパッケージタイプの半導体装置４０を製造する方法について、図１３（ａ）−（ｅ）により説明する。
まず図６（ａ）−（ｄ）に示す工程により、半導体装置用配線部材１０を作製する（図１３（ａ））。次に、半導体装置用配線部材１０の半導体チップ載置部１１Ａ上に接着層１４を介して半導体チップ１５を載置して固定する（図１３（ｂ））。次いで、半導体チップ１５の各電極１５Ａと銅配線層１３の各第１端子部１３Ｄとの間をボンディングワイヤからなる第１接続部１６により接続する（図１３（ｃ））。
次に、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅ上に各々外部接続用の第２接続部２４（半田ボール）を設ける（図１３（ｄ））。その後、封止樹脂部２３により銅配線層１３、半導体チップ１５、および第１接続部１６を封止することにより、図１２に示す半導体装置４０が作製される（図１３（ｅ））。
このように本参考例によれば、従来より小型の半導体チップ１５を外部機器に接続することができる。すなわち本参考例によれば、半導体チップ１５の電極１５Ａと銅配線層１３の第１端子部１３Ｄとの間が第１接続部１６により接続され、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅ上に半田接続部からなる外部接続用の第２接続部２４が設けられている。これにより、外部機器の各導電性部材間のピッチが相対的に広く、半導体チップ１５の各電極１５Ａ間のピッチが相対的に狭い（例えば４０μｍ）場合であっても、半導体チップ１５と外部機器とを確実に接続することができる。
また本参考例によれば、第１接続部１６と第２接続部２４との間に銅配線層１３を介在させているので、半導体チップ１５の電極１５Ａと第２接続部２４との間を直接金製のボンディングワイヤで接続する場合と比較して半導体装置４０の製造コストを低減することができる。
また本参考例によれば、金属基板１２はステンレスからなっているので、従来のポリイミドからなる基板と比較して剛性があり、取り扱いがしやすく、かつ厚さを薄くすることができる。また、半導体チップ１５からの熱を金属基板１２の裏面から放熱させることができる。
なお図６、図９、図２０（後述）の半導体装置用配線部材１０や、図１２に示す半導体装置４０は、多面付けされた状態（図示せず）からダイサーカットにより個別に切り離されるようになっている。しかしながら、金属基板１２がステンレスからなるため、半導体装置４０をカットすることが難しいことも考えられる。この場合、ハーフエッチングやフルエッチングにより、予め金属基板１２にダイサーカット刃（ブレード）より幅の広いダイサーカットライン部を形成しておくことにより、ダイシング効率を向上させることができる。
なお、上述した各参考例において、絶縁層１１の銅配線層１３側ではなく、銅配線層１３上に半導体チップ載置部１１Ａを形成しても良い。この場合、半導体チップ１５は、絶縁フィルム（またはペースト）を介して半導体チップ載置部１１Ａに載置される。
第３の参考例
次に、第３の参考例について図１６乃至図２１を参照して説明する。ここで、図１６は、第３の参考例による半導体装置用配線部材を示す概略断面図であり、図１７は、第３の参考例による半導体装置用複合配線部材を示す概略断面図である。図１８は、第３の参考例による半導体装置用配線部材の変形例を示す概略断面図であり、図１９は、第３の参考例による半導体装置を示す概略断面図である。また図２０（ａ）−（ｄ）は、第３の参考例による半導体装置用配線部材の製造方法を示す図であり、図２１（ａ）−（ｆ）は、第３の参考例による半導体装置の製造方法を示す図である。図１６乃至図２１において、図１乃至図１１に示す第１の参考例と同一部分には同一の符号を付してある。
まず図１６により、本参考例による半導体装置用配線部材の概略について説明する。なお図１６において、便宜上、半導体装置用配線部材を構成する部分以外を仮想線（２点鎖線）で示している。
図１６に示すように、本参考例によるワイヤ接続タイプの半導体装置用配線部材１０は、例えばポリイミドからなる絶縁層１１と、絶縁層１１の一の側に配置された金属基板１２と、絶縁層１１の他の側に配置された銅配線層１３とを備えている。このうち銅配線層１３は、半導体チップ１５の電極１５Ａと各々電気的に接続される複数の第１端子部１３Ｄと、インナーリード部２１（外部配線部材）と各々電気的に接続される複数の第２端子部１３Ｅと、第１端子部１３Ｄと第２端子部１３Ｅとを各々電気的に接続する複数の配線部１３Ｃとを含んでいる。
金属基板１２としては各種金属を用いることができるが、ステンレスからなることが最も好ましい。金属基板１２がステンレスからなることにより、金属基板１２の剛性を高めることができ、金属基板１２の厚さを薄くすることができる。
また銅配線層１３上に半導体チップ載置部３１が形成されている。この半導体チップ載置部３１上に、その周囲に沿って設けられた複数の電極１５Ａを有する半導体チップ１５を載置できるようになっている。この場合、半導体チップ１５は、半導体チップ載置部３１上に接着層１４を介して載置固定される。また半導体チップ１５の各電極１５Ａと銅配線層１３の各第１端子部１３Ｄとの間が、それぞれ金（Ａｕ）製のボンディングワイヤからなる第１接続部１６により電気的に接続可能となっている。
他方、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅとリードフレーム２０の各インナーリード部２１とは、第２接続部１９を介して電気的に接続されるようになっている。
次に図１７により、本参考例による半導体装置用複合配線部材の概略について説明する。なお図１７において、便宜上、半導体装置用複合配線部材を構成する部分以外を仮想線（２点鎖線）で示している。
図１７に示すように、半導体装置用複合配線部材１０Ａは、上述した半導体装置用配線部材１０と、この半導体装置用配線部材１０に電気的に接続されたリードフレーム２０と、銅配線層１３の第２端子部１３Ｅとリードフレーム２０とを電気的に接続する第２接続部１９とにより構成されている。この半導体装置用複合配線部材１０Ａは、半導体チップ１５上の電極１５Ａと図示しない外部の配線基板とを電気的に接続するものである。
このうちリードフレーム２０は、半導体装置用配線部材１０を載置するダイパッド２２と、ダイパッド２２外方に位置するリード部２５とを有している。リード部２５上には、銀めっきまたはパラジウムめっきからなるインナーリード部２１（外部配線部材）が設けられている。
またダイパッド２２は、半導体チップ１５を載置する中央エリア２２ａと、中央エリア２２ａ外周に位置し、リード部２５と略同一の厚みを有する周縁エリア２２ｂとを有している。このダイパッド２２の中央エリア２２ａと周縁エリア２２ｂとの間には、スリット孔２６が設けられている。このスリット孔２６は、後述するように、半導体装置用配線部材１０とリードフレーム２０とを接着する接着剤から発生するガスを外方へ排出するためのものである。
なおダイパッド２２のうち少なくとも中央エリア２２ａはハーフエッチング等の方法により薄く形成されている。すなわち中央エリア２２ａの厚みは、リード部２５および周縁エリア２２ｂの厚みより薄く形成されている。これにより、半導体チップ１５が搭載された半導体装置３０を薄型に構成することが可能となる。
一方、第２接続部１９は、金製のボンディングワイヤからなり、それぞれその一端が対応する第２端子部１３Ｅに接続されるとともに、他端がリードフレーム２０のインナーリード部２１に接続されている。
ところで、図１８の変形例に示すように、半導体チップ１５の各電極１５Ａを銅配線層１３側に向けるとともに、この半導体チップ１５の各電極１５Ａと銅配線層１３の各第１端子部１３Ｄとの間をバンプまたは半田ボールからなる第１接続部１６Ａにより接続してもよい（フリップチップ接続）。この場合、第１接続部として金製のボンディングワイヤを使用しないため、製造コストを更に削減することができる。
次に図１９により、上述した半導体装置用配線部材および半導体装置用複合配線部材を有する半導体装置の概略について説明する。
図１９に示す半導体装置３０は、図１６に示す半導体装置用配線部材１０および図１７に示す半導体装置用複合配線部材１０Ａを含んでいる。すなわち半導体装置３０は、ダイパッド２２を有するリードフレーム２０と、リードフレーム２０のダイパッド２２上に載置されリードフレーム２０に電気的に接続された半導体装置用配線部材１０と、半導体装置用配線部材１０の半導体チップ載置部３１に載置され、電極１５Ａを有する半導体チップ１５とを有している。
このうちリードフレーム２０の上面に、複数の導電性のインナーリード部２１が形成されている。ボンディングワイヤからなる各第２接続部１９は、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅと、対応するインナーリード部２１とを電気的に接続している。また、半導体チップ１５上の電極１５Ａと第１端子部１３Ｄとはボンディングワイヤからなる第１接続部１６により電気的に接続されている。さらに、リードフレーム２０のリード部２５の一部を露出した状態で半導体チップ１５、銅配線層１３、リードフレーム２０、第１接続部１６、および第２接続部１９が封止樹脂部２３により樹脂封止されている。
なお、ダイパッド２２の構成は図１７を用いて既に説明したもの同様であるので、ここでは説明を省略する。
また図１９において、ダイパッド２２底面から封止樹脂部２３下面までの長さＨ1と、半導体装置用配線部材１０から封止樹脂部２３上面までの長さＨ2とは、略同一の長さとなっている。このことにより、吸湿試験（リフロー試験）の際、半導体装置３０に反りやクラックが発生することを防止することができる（詳細は後述する）。
次にこのような構成からなる本参考例の作用について説明する。
はじめに、本参考例による半導体装置用配線部材１０（図１６）を製造する方法について、図２０（ａ）−（ｄ）により説明する。
まず、ステンレスからなる金属基板１２を準備する（図２０（ａ））。次に金属基板１２上にポリイミドからなる絶縁層１１を積層する（図２０（ｂ））。
次いで、絶縁層１１上にアディティブ法またはエッチング法により銅層１３Ａを形成する（図２０（ｃ））。次いで電解めっきまたは無電解めっきにより、銅層１３Ａ上に例えばニッケル（Ｎｉ）めっき層および金（Ａｕ）めっき層からなるめっき層１３Ｂを形成することにより、銅層１３Ａおよびめっき層１３Ｂからなる銅配線層１３を形成する（図２０（ｄ））。この際、銅配線層１３の第１端子部１３Ｄ、第２端子部１３Ｅ、および配線部１３Ｃも同時に形成される。このようにして、絶縁層１１と金属基板１２と銅配線層１３とを有する半導体装置用配線部材１０が得られる。また銅配線層１３上に半導体チップ載置部３１が形成される。
次に、本参考例による半導体装置（図１９）を製造する方法について、図２１（ａ）−（ｆ）により説明する。
まず上述した図２０（ａ）−（ｄ）に示す工程により、半導体装置用配線部材１０を作製する（図２１（ａ））。次に、インナーリード部２１とダイパッド２２とを有するリードフレーム２０を準備し、このリードフレーム２０のダイパッド２２上に半導体装置用配線部材１０を載置する（図２１（ｂ））。この際、半導体装置用配線部材１０は、ダイパッド２２に接着剤を用いて接着される。この場合、半導体装置用配線部材１０の表面が平坦に形成されているので、ダイパッド２２に対して半導体装置用配線部材１０を面内で均等に加圧することができる。これにより、接着後に半導体装置用配線部材１０とダイパッド２２との間に隙間が生じないようになっている。
次に、半導体装置用配線部材１０の半導体チップ載置部３１上に接着層１４を介して半導体チップ１５を載置して固定するとともに（図２１（ｃ））、半導体チップ１５の各電極１５Ａと銅配線層１３の各第１端子部１３Ｄとの間をボンディングワイヤからなる第１接続部１６により接続する（図２１（ｄ））。
次に、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅと、対応するリードフレーム２０のインナーリード部２１とを、それぞれボンディングワイヤからなる第２接続部１９により接続する（図２１（ｅ））。その後、リードフレーム２０の一部（アウタリード部）を露出した状態で半導体装置用配線部材１０、半導体チップ１５、第１接続部１６、ダイパッド２２、第２接続部１９、およびインナーリード部２１を封止樹脂部２３により封止することにより、図１９に示す半導体装置３０が得られる（図２１（ｆ））。
ところで、封止樹脂部２３による樹脂封止の際、半導体装置用配線部材１０およびダイパッド２２は約１８０℃程度で加熱される。この際、半導体装置用配線部材１０とダイパッド２２とを接着する接着剤も加熱され、これにより接着剤から有機ガスが発生する場合がある。また、接着剤に吸湿した水が加熱されて水蒸気が発生することもありうる。これに対して本参考例において、ダイパッド２２の中央エリア２２ａと周縁エリア２２ｂとの間にスリット孔２６を設けているので、接着剤から発生したガス（有機ガスおよび／または水蒸気）は、半導体装置用配線部材１０や半導体チップ１５の搭載固着後や封止樹脂部２３が固化するまでの間にスリット孔２６を通って外方へ排出され、封止樹脂部２３内に残存することがない。
他方、このようなスリット孔２６を設けなかった場合、ガス（有機ガスおよび／または水蒸気）がダイパッド２２と半導体装置用配線部材１０との間付近に残存したまま封止樹脂部２３が固化する。この場合、完成後の半導体装置３０に対して吸湿試験（リフロー試験）を行った際、ガスが残存した部分が膨潤し、ここからクラックが発生するおそれがある。これに対して本参考例によれば、ダイパッド２２にスリット孔２６を設けたことにより接着剤からのガスを外方へ逃がすことができるので、吸湿試験（リフロー試験）の際に、半導体装置３０にクラックが発生することがない。
このように本参考例によれば、従来よりファイン化された小型の半導体チップ１５をリードフレーム２０に搭載することができる。すなわちリードフレーム２０のインナーリード部２１間のピッチは比較的広く（例えば１３０μｍ）、半導体チップ１５の電極１５Ａ間のピッチは比較的狭いが（例えば４０μｍ）、このような場合であっても、半導体チップ１５とリードフレーム２０のインナーリード部２１とを確実に接続することができる。
また本参考例によれば、ダイパッド２２のうち少なくとも半導体チップ１５を載置する中央エリア２２ａの厚みをリード部２５の厚みより薄くしたので、半導体装置３０を薄型に構成することができる。
また本参考例によれば、ダイパッド２２の中央エリア２２ａと周縁エリア２２ｂとの間にスリット孔２６を設け、半導体装置用配線部材１０とリードフレーム２０とを接着する接着剤から発生するガスをスリット孔２６から外方へ排出するので、吸湿試験（リフロー試験）の際、半導体装置３０にクラックが発生することを防止することができる。
また本参考例によれば、ダイパッド２２底面から封止樹脂部２３下面までの長さと、半導体装置用配線部材１０の銅配線層１３から封止樹脂部２３上面までの長さとを略同一としている。すなわち封止樹脂部２３の体積が、半導体装置３０の表面側と裏面側とで略均一となっている。この結果、吸湿試験（リフロー試験）の際、表面側と裏面側とで封止樹脂部２３が均一に膨張するので、半導体装置３０に反りやクラックが発生することを防止することができる。
また本参考例によれば、第１接続部１６と第２接続部１８との間に銅配線層１３を介在させているので、半導体チップ１５の電極１５Ａとリードフレーム２０のインナーリード部２１とを直接金製のボンディングワイヤで接続する場合と比較して、半導体装置３０の製造コストを低減することができる。
また本参考例によれば、金属基板１２はステンレスからなっているので、従来のポリイミドからなる基板と比較して剛性があり、取り扱いがしやすく、かつ厚さを薄くすることができる。
第４の参考例
次に、第４の参考例について図２２乃至図２５を参照して説明する。ここで、図２２は、第４の参考例による半導体装置を示す概略断面図であり、図２３は、第４の参考例による半導体装置に用いられる半導体装置用配線部材を示す平面図である。図２４（ａ）−（ｅ）は、第４の参考例による半導体装置の製造方法を示す図であり、図２５は、第４の参考例による半導体装置の変形例を示す概略断面図である。図２２乃至図２５に示す第４の参考例は、第２接続部２７Ａ、２７Ｂ、銅配線層１３、および半導体チップ載置部３１の構成が異なるものであり、他の構成は上述した第２の参考例と略同一である。図２２乃至図２５において、図１２および図１３（ａ）−（ｅ）に示す第２の参考例と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
図２２に示すように、本参考例によるパッケージタイプの半導体装置４０は、上述した半導体装置用配線部材１０と、半導体装置用配線部材１０の銅配線層１３上に形成された半導体チップ載置部３１上に接着層１４を介して載置されるとともに、複数の電極１５Ａを有する半導体チップ１５とを備えている。
半導体装置用配線部材１０は、絶縁層１１と、例えばステンレスからなる金属基板１２と、銅配線層１３とを有している。このうち銅配線層１３は、半導体チップ１５の電極１５Ａと各々電気的に接続される複数の第１端子部１３Ｄと、外部接続用の複数の第２端子部１３Ｅと、第１端子部１３Ｄと第２端子部１３Ｅとを各々電気的に接続する配線部１３Ｃとを含んでいる。
さらに、半導体チップ１５の各電極１５Ａと銅配線層１３の各第１端子部１３Ｄとの間が、それぞれ金（Ａｕ）製のボンディングワイヤからなる第１接続部１６により接続されている。
一方、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅ上に、半田接続部からなる外部接続用の第２接続部２７Ａ、２７Ｂが各々設けられている。各第２接続部２７Ａ、２７Ｂは半田ボールからなっている。図２２に示すように、これら第２接続部２７Ａ、２７Ｂのうち、半導体チップ１５（第１端子部１３Ｄ）に近い方の第２接続部を符号２７Ａで示し、半導体チップ１５（第１端子部１３Ｄ）から遠い方の第２接続部を符号２７Ｂで示す。
また銅配線層１３、半導体チップ１５、および第１接続部１６が封止樹脂部２３により封止されている。この場合、上述した第２接続部２７Ａ、２７Ｂは、その頂部が封止樹脂部２３から外方に露出している。第２接続部２７Ａ、２７Ｂのうち封止樹脂部２３外方に露出した部分は、例えば外部機器の導電性部材と電気的に接続するために設けられており、これにより半導体チップ１５と外部機器とを電気的に接続することができる。
なお金属基板１２としては各種金属を用いることができるが、金属基板１２がステンレスからなることが最も好ましい。金属基板１２がステンレスからなることにより、金属基板１２の剛性を高めることができ、金属基板１２の厚さを薄くすることができる。また、半導体チップ１５からの熱を金属基板１２の裏面から放熱させることができる。
ところで、図２３は、本参考例による半導体装置４０に用いられる半導体装置用配線部材１０を示す平面図である。図２３に示すように、銅配線層１３の複数の第２端子部１３Ｅは、それぞれ平面円形形状を有している。図２３において、複数の第２端子部１３Ｅのうち、第１端子部１３Ｄに近い位置に設けられた第２端子部を符号１３Ｅ1で示し、第１端子部１３Ｄから遠い位置に設けられた第２端子部を符号１３Ｅ2で示している。
図２３に示すように、銅配線層１３の各配線部１３Ｃは、それぞれその途中にクランク部１３Ｈを有している。また第１端子部１３Ｄと（第１端子部１３Ｄに近い方の）第２端子部Ｅ1とを接続する配線部１３Ｃは、第２端子部Ｅ1を囲むように引き回されている（囲み部１３Ｉ）。
このようにクランク部１３Ｈおよび囲み部１３Ｉを設けることにより、以下の効果が得られる。すなわち、第２端子部Ｅ1、Ｅ2上に第２接続部２７Ａ、２７Ｂを半田により形成する際、溶融した半田が配線部１３Ｃに沿って流動する。この場合、クランク部１３Ｈおよび囲み部１３Ｉにより流動する半田が第１端子部１３Ｄから遠ざけられ、これにより、半田が第１端子部１３Ｄまで達しないようになっている。これに対して、仮にクランク部１３Ｈおよび囲み部１３Ｉを設けない場合、流動する半田が第１端子部１３Ｄに達してしまう可能性がある。この場合、ワイヤボンディング工程において、第１接続部１６（ボンディングワイヤ）が第１端子部１３Ｄに接続できない不具合が生じるおそれがある。
なお、図２５の変形例に示すように、銅配線層１３の裏面に、放熱板接着層２８を介して放熱板２９を取り付けても良い。この場合、放熱板接着層２８は例えばダイアタッチメントフィルムからなり、放熱板２９は例えば銅からなっている。このような構成により、半導体チップ１５からの熱が放熱板２９を介して外方へ放熱されるので、半導体装置４０の放熱特性を更に向上させることができる。
次に、図２２に示すパッケージタイプの半導体装置４０を製造する方法について、図２４（ａ）−（ｅ）により説明する。
まず図２０（ａ）−（ｄ）に示す工程により、半導体装置用配線部材１０を作製する（図２４（ａ））。次に、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅ（第２端子部１３Ｅ1、第２端子部Ｅ2）上に各々外部接続用の第２接続部２７Ａ、２７Ｂ（半田ボール）を設ける（図２４（ｂ））。この際、上述したように配線部１３Ｃは第２端子部１３Ｅ1を囲むように引き回されている（図２３）。これにより、第２接続部２７Ａ、２７Ｂを形成するとき、半田が配線部１３Ｃに沿って流動した場合でも、この半田が第１端子部１３Ｄまで達しないようになっている。
次に、半導体装置用配線部材１０の半導体チップ載置部３１上に接着層１４を介して半導体チップ１５を載置して固定する（図２４（ｃ））。次いで、半導体チップ１５の各電極１５Ａと銅配線層１３の各第１端子部１３Ｄとの間をボンディングワイヤからなる第１接続部１６により接続する（図２４（ｄ））。
その後、封止樹脂部２３により銅配線層１３、半導体チップ１５、および第１接続部１６を封止することにより、図２２に示す半導体装置４０が得られる（図２４（ｅ））。
このように本参考例によれば、従来より小型の半導体チップ１５を外部機器に接続することができる。すなわち本参考例によれば、半導体チップ１５の電極１５Ａと銅配線層１３の第１端子部１３Ｄとの間が第１接続部１６により接続され、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅ上に半田ボールからなる外部接続用の第２接続部２７Ａ、２７Ｂが設けられている。これにより、外部機器の各導電性部材間のピッチが相対的に広く、半導体チップ１５の各電極１５Ａ間のピッチが相対的に狭い（例えば４０μｍ）場合であっても、半導体チップ１５と外部機器とを確実に接続することができる。
また本参考例によれば、第１接続部１６と第２接続部２７Ａ、２７Ｂとの間に銅配線層１３を介在させているので、半導体チップ１５の電極１５Ａと第２接続部２７Ａ、２７Ｂとの間を直接金製のボンディングワイヤで接続する場合と比較して半導体装置４０の製造コストを低減することができる。
また本参考例によれば、金属基板１２はステンレスからなっているので、従来のポリイミドからなる基板と比較して剛性があり、取り扱いがしやすく、かつ厚さを薄くすることができる。また、半導体チップ１５からの熱を金属基板１２の裏面から放熱させることができる。
一実施の形態
次に、本発明の一実施の形態について図２６乃至図３０を参照して説明する。ここで、図２６は、半導体装置用配線部材を示す概略断面図であり、図２７は、本実施の形態による半導体装置用複合配線部材を示す概略断面図であり、図２８は、本実施の形態による半導体装置用複合配線部材および半導体装置を示す平面図である。また、図２９は、本実施の形態による半導体装置を示す概略断面図であり、図３０（ａ）−（ｆ）は、本実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図である。図２６乃至図３０に示す一実施の形態において、図１乃至図１１に示す第１の参考例、および図１６乃至図２１に示す第３の参考例と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明を一部省略している。
まず図２６により、本実施の形態における半導体装置用配線部材の概略について説明する。なお図２６において、便宜上、半導体装置用配線部材を構成する部分以外を仮想線（２点鎖線）で示している。
図２６に示すように、本実施の形態におけるワイヤ接続タイプの半導体装置用配線部材１０は、例えばポリイミドからなる絶縁層１１と、絶縁層１１の一の側に配置された金属基板１２と、絶縁層１１の他の側に配置された銅配線層１３とを備えている。このうち銅配線層１３は、半導体チップ１５の電極１５Ａと各々電気的に接続される複数の第１端子部１３Ｄと、インナーリード部２１（外部配線部材）と各々電気的に接続される複数の第２端子部１３Ｅと、第１端子部１３Ｄと第２端子部１３Ｅとを各々電気的に接続する複数の配線部１３Ｃとを含んでいる。
金属基板１２としては各種金属を用いることができるが、ステンレスからなることが最も好ましい。金属基板１２がステンレスからなることにより、金属基板１２の剛性を高めることができ、金属基板１２の厚さを薄くすることができる。
また銅配線層１３上に半導体チップ載置部３１が形成されている。この半導体チップ載置部３１上に、その周囲に沿って設けられた複数の電極１５Ａを有する半導体チップ１５を載置できるようになっている。
次に図２７および図２８により、本実施の形態による半導体装置用複合配線部材の概略について説明する。なお図２７において、便宜上、半導体装置用複合配線部材を構成する部分以外を仮想線（２点鎖線）で示している。
図２７に示すように、半導体装置用複合配線部材１０Ａは、上述した半導体装置用配線部材１０と、この半導体装置用配線部材１０に電気的に接続されたリードフレーム２０と、銅配線層１３の第２端子部１３Ｅとリードフレーム２０とを電気的に接続する第２接続部１９とにより構成されている。この半導体装置用複合配線部材１０Ａは、半導体チップ１５上の電極１５Ａと図示しない外部の配線基板とを電気的に接続する役割を果たしている。
リードフレーム２０は、半導体装置用配線部材１０を載置するダイパッド２２と、ダイパッド２２外方に位置するリード部２５とを有している。リード部２５上には、銀めっきまたはパラジウムめっきからなるインナーリード部２１（外部配線部材）が設けられている。
またダイパッド２２は、半導体チップ１５に対応する中央エリア２２ｃと、中央エリア２２ｃの外周に位置し、中央エリア２２ｃとの間に封止樹脂流入空間３２を形成する周縁エリア２２ｄとを有している。
このうち中央エリア２２ｃは、四隅に配置された吊りリード３４を介して周縁エリア２２ｄに連結されている（図２８参照）。また周縁エリア２２ｄは、四隅に配置された吊りリード３５によってリードフレーム２０内に保持されている（図２８参照）。なお、中央エリア２２ｃと周縁エリア２２ｄとの間に形成された封止樹脂流入空間３２は、後述するように、内部に封止樹脂部２３が流入することにより、硬化後に封止樹脂部２３とリードフレーム２０との密着性を高めるものである。
本実施の形態において、半導体装置用配線部材１０は、ダイパッド２２の中央エリア２２ｃから周縁エリア２２ｄまでの領域に配置されている。すなわち図２８に示すように、半導体装置用配線部材１０は、中央エリア２２ｃの全域および封止樹脂流入空間３２の全域を覆い、かつ周縁エリア２２ｄを部分的に覆うように配置されている。
半導体装置用配線部材１０は、ダイパッド２２の中央エリア２２ｃおよび周縁エリア２２ｄに、樹脂ペースト３３を用いて接着されている。図２８に示すように、樹脂ペースト３３は、ダイパッド２２の中央エリア２２ｃおよび周縁エリア２２ｄにそれぞれ多点状に塗布されている。しかしながら、これに限らず、樹脂ペースト３３をダイパッド２２の中央エリア２２ｃおよび周縁エリア２２ｄに直線状に塗布しても良い。このような樹脂ペースト３３としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド系樹脂等の樹脂ペースト（ペ付け材）を用いることができる。
なお、ダイパッド２２のうち、少なくとも中央エリア２２ｃおよび周縁エリア２２ｄに、予めめっき処理が施されていることが好ましい。このように、ダイパッド２２にめっき処理を施しておくことにより、ダイパット２２表面に微細な凹凸が形成される。このことにより、樹脂ペースト３３を塗布した際、樹脂ペースト３３の流れ出しを抑制することができる。またダイパッド２２に使用される圧延銅には、一定方向にスジ（溝）が形成されているため、このスジに沿って樹脂ペースト３３が流れ出るおそれがある。これに対して、ダイパット２２表面にめっき処理を施すことにより、このスジを埋めることができるので、樹脂ペースト３３の流れ出しを抑制することができる。このようなめっきとしては、Ａｇめっき、Ｐｄめっき、Ａｕめっき等が挙げられ、その種類は問わないが、コストの面からはＡｇめっきを用いることが最も好ましい。
なお図２７に示すように、ダイパッド２２の厚みは、リード部２５の厚みより薄く形成されている。これにより、半導体チップ１５が搭載された半導体装置３０を薄型に構成することが可能となる。
一方、第２接続部１９は、金製のボンディングワイヤからなり、それぞれその一端が対応する第２端子部１３Ｅに接続されるとともに、他端がリードフレーム２０のインナーリード部２１に接続されている。
次に図２８および図２９により、上述した半導体装置用配線部材および半導体装置用複合配線部材を有する半導体装置の概略について説明する。なお図２８において、便宜上、封止樹脂部を省略した状態で示している。
図２８および図２９に示す半導体装置３０は、図２６に示す半導体装置用配線部材１０を含んでいる。すなわち半導体装置３０は、ダイパッド２２を有するリードフレーム２０と、リードフレーム２０のダイパッド２２上に載置されリードフレーム２０に電気的に接続された半導体装置用配線部材１０とを備えている。また、半導体装置用配線部材１０の半導体チップ載置部３１に、電極１５Ａを有する半導体チップ１５が載置されている。この半導体チップ１５は、接着層１４を介して半導体チップ載置部３１上に載置固定されている。
リードフレーム２０の上面には、複数の導電性のインナーリード部２１が形成されている。金（Ａｕ）製のボンディングワイヤからなる各第２接続部１９は、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅと、対応するインナーリード部２１とを電気的に接続している。また、半導体チップ１５上の電極１５Ａと第１端子部１３Ｄとは、金（Ａｕ）製のボンディングワイヤからなる第１接続部１６により電気的に接続されている。さらに、リードフレーム２０のリード部２５の一部を露出した状態で、半導体チップ１５、銅配線層１３、リードフレーム２０、第１接続部１６、および第２接続部１９が封止樹脂部２３により樹脂封止されている。
ダイパッド２２は、半導体チップ１５に対応する中央エリア２２ｃと、中央エリア２２ｃの外周に位置するとともに中央エリア２２ｃに連結され、中央エリア２２ｃとの間に封止樹脂流入空間３２を形成する周縁エリア２２ｄとを有している。
なお、ダイパッド２２の構成は図２７および図２８を用いて既に説明したので、ここでは詳細な説明を省略する。
また図２９に示すように、半導体装置用配線部材１０は、ダイパッド２２の中央エリア２２ｃから周縁エリア２２ｄまでの領域に配置されている。この半導体装置用配線部材１０は、ダイパッド２２の中央エリア２２ｃおよび周縁エリア２２ｄに、樹脂ペースト３３を用いて接着されている。なお、この点についても、図２７および図２８を用いて既に説明したので、ここでは詳細な説明を省略する。
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について、図２０（ａ）−（ｄ）および図３０（ａ）−（ｆ）により説明する。
はじめに、図２６に示す半導体装置用配線部材１０を製造する（図３０（ａ））。この製造方法は、図２０（ａ）−（ｄ）を用いて既に説明した通りである。
次に、リード部２５とダイパッド２２とを有するリードフレーム２０を準備し、このリードフレーム２０のダイパッド２２上に半導体装置用配線部材１０を載置する（図３０（ｂ））。なお、ダイパッド２２のうち、少なくとも中央エリア２２ｃおよび周縁エリア２２ｄに、予めめっき処理を施しておくことが好ましい。この場合、半導体装置用配線部材１０は、ダイパッド２２の中央エリア２２ｃと周縁エリア２２ｄとに、樹脂ペースト３３を用いて接着される。
具体的には、まずダイパッド２２の中央エリア２２ｃおよび周縁エリア２２ｄに、樹脂ペースト３３を例えば多点状に塗布する。この場合、図示しないシリンジを用いて、樹脂ペースト３３を１点ずつ滴下しても良く、または複数点分まとめて滴下しても良い。なお、樹脂ペースト３３は直線状に塗布しても良い。このように直線状に塗布する場合、図示しないシリンジを直線状に移動して樹脂ペースト３３を塗布すれば良い。
次いで、ダイパッド２２の中央エリア２２ｃおよび周縁エリア２２ｄ上に半導体装置用配線部材１０を載置する。その後、半導体装置用配線部材１０が載置されたリードフレーム２０の全体を加熱することにより、樹脂ペースト３３を硬化させ、半導体装置用配線部材１０をダイパッド２２上に固着する。
次に、半導体装置用配線部材１０の半導体チップ載置部３１上に、接着層１４を介して半導体チップ１５を載置して固定するとともに（図３０（ｃ））、半導体チップ１５の各電極１５Ａと銅配線層１３の各第１端子部１３Ｄとの間をボンディングワイヤからなる第１接続部１６により接続する（図３０（ｄ））。
次に、銅配線層１３の各第２端子部１３Ｅと、対応するリードフレーム２０のインナーリード部２１とを、それぞれボンディングワイヤからなる第２接続部１９により接続する（図３０（ｅ））。
その後、リードフレーム２０の一部（アウタリード部）を露出した状態で半導体装置用配線部材１０、半導体チップ１５、第１接続部１６、ダイパッド２２、第２接続部１９、およびインナーリード部２１を封止樹脂部２３により封止することにより、図２９に示す半導体装置３０が得られる（図３０（ｆ））。この際、中央エリア２２ｃと周縁エリア２２ｄとの間に形成された封止樹脂流入空間３２内に、硬化前の封止樹脂部２３が流入する。これにより、封止樹脂部２３の硬化後に、封止樹脂部２３とリードフレーム２０との密着性が高められる。
このようにダイパッド２２に半導体装置用配線部材１０を搭載する際、半導体チップ１５の搭載後のキュアあるいはベークの際、および封止樹脂部２３による樹脂封止の際、半導体装置用配線部材１０およびダイパッド２２は約１８０℃程度の温度で加熱される。この際、半導体装置用配線部材１０とダイパッド２２とを接着する接着剤も加熱される。このため、仮にこの接着剤中に水が含まれていると、吸湿した水が加熱されて水蒸気が発生する。これに対して本実施の形態においては、半導体装置用配線部材１０とダイパッド２２とが、樹脂ペースト３３を用いて接着されている。このような樹脂ペースト３３は、一般に有機ガスを発生しにくく、かつ低吸湿性である。したがって、樹脂ペースト３３からのガス（有機ガスおよび水蒸気）が封止樹脂部２３内に残存しにくくなっている。
他方、仮にガスがダイパッド２２と半導体装置用配線部材１０との間付近に残存したまま封止樹脂部２３が固化した場合、完成後の半導体装置３０に対して吸湿試験（リフロー試験）を行った際、ガスが残存した部分が膨潤し、ここからクラックが発生するおそれがある。これに対して本実施の形態によれば、上述したように樹脂ペースト３３を用いることにより封止樹脂部２３内に残存するガスを減らしているので、吸湿試験（リフロー試験）の際、半導体装置３０にクラックが発生することがない。
さらに本実施の形態によれば、ダイパッド２２の中央エリア２２ｃと周縁エリア２２ｄとの間に封止樹脂流入空間３２を形成しているので、封止樹脂部２３とリードフレーム２０との密着性が高められている。このことにより、吸湿試験（リフロー試験）の際に、ダイパッド２２下面と封止樹脂部２３との間に生じた隙間からクラックが発生することを防止することができる。
このように本実施の形態によれば、従来よりファイン化された小型の半導体チップ１５をリードフレーム２０に搭載することができる。すなわちリードフレーム２０のインナーリード部２１間のピッチは比較的広く（例えば１３０μｍ）、半導体チップ１５の電極１５Ａ間のピッチは比較的狭いが（例えば４０μｍ）、このような場合であっても、半導体チップ１５とリードフレーム２０のインナーリード部２１とを確実に接続することができる。
また本実施の形態によれば、ダイパッド２２の中央エリア２２ｃおよび周縁エリア２２ｄの厚みをリード部２５の厚みより薄くすると、半導体装置３０を薄型に構成することができる。
また本実施の形態によれば、半導体装置用配線部材１０は、ダイパッド２２の中央エリア２２ｃおよび周縁エリア２２ｄに樹脂ペースト３３を用いて接着されている。また中央エリア２２ｃと周縁エリア２２ｄとの間に封止樹脂流入空間３２が形成されている。このことにより、吸湿試験（リフロー試験）の際、半導体装置３０にクラックが発生することを防止することができる。
また本実施の形態によれば、樹脂ペースト３３は、多点状または直線状に塗布されるので、樹脂ペースト３３を中央エリア２２ｃおよび周縁エリア２２ｄに均一に塗布することができる。
さらに本実施の形態によれば、第１接続部１６と第２接続部１８との間に銅配線層１３を介在させているので、半導体チップ１５の電極１５Ａとリードフレーム２０のインナーリード部２１とを直接金製のボンディングワイヤで接続する場合と比較して、半導体装置３０の製造コストを低減することができる。
さらにまた本実施の形態によれば、金属基板１２はステンレスからなっているので、従来のポリイミドからなる基板と比較して剛性があり、取り扱いがしやすく、かつ厚さを薄くすることができる。
１０ 半導体装置用配線部材
１０Ａ 半導体装置用複合配線部材
１１ 絶縁層
１１Ａ、３１ 半導体チップ載置部
１２ 金属基板
１３ 銅配線層
１４ 接着層
１５ 半導体チップ
１６ 第１接続部
１８、１９、２４、２７Ａ、２７Ｂ 第２接続部
２０ リードフレーム
２１ インナーリード部
２２ ダイパッド
２３ 封止樹脂部
２５ リード部
２６ スリット孔
２８ 放熱板接着層
２９ 放熱板
３０、４０ 半導体装置

Claims (8)

  1. 半導体チップ上の電極と配線基板とを電気的に接続するための半導体装置用複合配線部材において、
    配線部材と、
    この配線部材に電気的に接続されるとともに配線部材を載置するリードフレームとを備え、
    配線部材は、絶縁層と、絶縁層の一の側に配置された金属基板と、絶縁層の他の側に配置された銅配線層とを有し、
    銅配線層上に半導体チップ載置部が形成され、
    銅配線層は、半導体チップ上の電極と接続される第１端子部と、リードフレームと接続される第２端子部と、第１端子部と第２端子部とを接続する配線部とを含み、
    銅配線層の第２端子部とリードフレームとは第２接続部を介して電気的に接続され、
    リードフレームは、配線部材を載置するダイパッドと、ダイパッド外方に設けられたリード部とを有し、
    ダイパッドは、半導体チップに対応する中央エリアと、中央エリア外周に位置するとともに中央エリアに連結され、中央エリアとの間に封止樹脂流入空間を形成する周縁エリアとを有し、
    配線部材は、ダイパッドの中央エリアから周縁エリアまでの領域に配置され、
    配線部材は、少なくともダイパッドの中央エリアおよび周縁エリアに樹脂ペーストを用いて接着されていることを特徴とする半導体装置用複合配線部材。
  2. 金属基板は、ステンレスからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用複合配線部材。
  3. 樹脂ペーストは、多点状または直線状に塗布されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置用複合配線部材。
  4. ダイパッドのうち、少なくとも中央エリアおよび周縁エリアに、めっき処理が施されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の半導体装置用複合配線部材。
  5. 樹脂封止型半導体装置において、
    絶縁層と、絶縁層の一の側に配置された金属基板と、絶縁層の他の側に配置された銅配線層とを有し、銅配線層上に半導体チップ載置部が形成され、銅配線層は、半導体チップ上の電極と接続される第１端子部と、外部配線部材と接続される第２端子部と、第１端子部と第２端子部とを接続する配線部とを含む配線部材と、
    この配線部材に電気的に接続されるとともに配線部材を載置するリードフレームと、
    配線部材の半導体チップ載置部に載置され、電極を有する半導体チップとを備え、
    半導体チップ上の電極と第１端子部とは第１接続部により電気的に接続され、
    第２端子部とリードフレームとは第２接続部により電気的に接続され、
    リードフレームの一部を露出した状態で半導体チップ、銅配線層、リードフレーム、第１接続部、および第２接続部が封止樹脂部により樹脂封止され、
    リードフレームは、配線部材を載置するダイパッドと、ダイパッド外方に設けられたリード部とを有し、
    ダイパッドは、半導体チップに対応する中央エリアと、中央エリア外周に位置するとともに中央エリアに連結され、中央エリアとの間に封止樹脂流入空間を形成する周縁エリアとを有し、
    配線部材は、ダイパッドの中央エリアから周縁エリアまでの領域に配置され、
    配線部材は、少なくともダイパッドの中央エリアおよび周縁エリアに樹脂ペーストを用いて接着されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  6. 金属基板は、ステンレスからなることを特徴とする請求項５記載の樹脂封止型半導体装置。
  7. 樹脂ペーストは、多点状または直線状に塗布されていることを特徴とする請求項５または６記載の樹脂封止型半導体装置。
  8. ダイパッドのうち、少なくとも中央エリアおよび周縁エリアに、めっき処理が施されていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項記載の樹脂封止型半導体装置。
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