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JP5284004B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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JP5284004B2 JP2008212054A JP2008212054A JP5284004B2 JP 5284004 B2 JP5284004 B2 JP 5284004B2 JP 2008212054 A JP2008212054 A JP 2008212054A JP 2008212054 A JP2008212054 A JP 2008212054A JP 5284004 B2 JP5284004 B2 JP 5284004B2
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Description

この発明は基板を回転させながら処理液を供給して処理する基板の処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for supplying and processing a processing liquid while rotating the substrate.

たとえば液晶表示装置や半導体装置の製造工程においては、矩形状のガラス基板や半導体ウエハなどの基板に回路パタ−ンを形成するための成膜プロセスやフォトプロセスがある。これらのプロセスでは、スピン方式の処理装置を用いて基板を薬液で処理した後、洗浄作用を有する処理液で洗浄処理し、ついで処理液を除去して乾燥処理するということが行われる。   For example, in the manufacturing process of a liquid crystal display device or a semiconductor device, there are a film forming process and a photo process for forming a circuit pattern on a substrate such as a rectangular glass substrate or a semiconductor wafer. In these processes, a substrate is processed with a chemical solution using a spin processing apparatus, then cleaned with a processing solution having a cleaning action, and then the processing solution is removed and dried.

上記処理装置は、周知のように処理槽を有し、この処理槽内にはカップ体が設けられ、このカップ体内には駆動源によって回転駆動される回転テーブルが設けられている。この回転テーブルには上記基板が着脱可能に供給保持される。   The processing apparatus has a processing tank as is well known, and a cup body is provided in the processing tank, and a rotary table that is rotationally driven by a drive source is provided in the cup body. The substrate is removably supplied and held on the rotary table.

上記基板は、回転テーブルとともに所定の回転速度で回転駆動されながら、その板面に処理液が供給されて洗浄処理される。洗浄処理を所定時間行った後、基板は洗浄時よりも高速度で回転させられる。それによって、基板に付着残留した汚れを含む洗浄液が遠心力によって除去されて基板が乾燥処理されることになる。   While the substrate is being rotationally driven together with the rotary table at a predetermined rotational speed, a processing liquid is supplied to the plate surface and the substrate is cleaned. After performing the cleaning process for a predetermined time, the substrate is rotated at a higher speed than during the cleaning. As a result, the cleaning liquid containing dirt remaining on the substrate is removed by centrifugal force, and the substrate is dried.

上記基板を処理液によって洗浄処理する際、洗浄効果を高めるために処理液をミスト状にして供給するということが行われている。すなわち、洗浄に用いられる洗浄ノズルには処理液と高圧気体とが供給される。それによって、洗浄ノズル内で処理液と高圧気体が混合されることで、処理液がミスト状になって上記洗浄ノズルから基板に向かって噴射される。   When the substrate is cleaned with the processing liquid, the processing liquid is supplied in the form of a mist in order to enhance the cleaning effect. That is, the processing liquid and the high-pressure gas are supplied to the cleaning nozzle used for cleaning. Thereby, the processing liquid and the high-pressure gas are mixed in the cleaning nozzle, so that the processing liquid becomes mist and is sprayed from the cleaning nozzle toward the substrate.

処理液を洗浄ノズルからミスト状にして噴射すると、ミスト状となった処理液の微細な粒子が基板に形成されたパターン間に確実に入り込むから、処理液を液状のままで供給する場合に比べて洗浄効果を高めることができるということがある。   When the processing liquid is sprayed in the form of a mist from the cleaning nozzle, the fine particles of the processing liquid in the mist form surely enter between the patterns formed on the substrate. The cleaning effect can be enhanced.

通常、上記洗浄ノズルは、回転テーブルに保持された基板の上方で水平方向に回動駆動されるアーム体の先端に設けられている。そして、このアーム体が回動駆動されて上記洗浄ノズルが上記基板を横切る方向に移動することで、この洗浄ノズルから上記基板の上面にミスト状の処理液を噴射供給することができるようになっている。   Normally, the cleaning nozzle is provided at the tip of an arm body that is driven to rotate in the horizontal direction above the substrate held on the rotary table. The arm body is rotationally driven, and the cleaning nozzle moves in a direction crossing the substrate, so that a mist-like processing liquid can be sprayed and supplied from the cleaning nozzle to the upper surface of the substrate. ing.

アーム体の先端に洗浄ノズルを設け、この洗浄ノズルから基板に処理液をミスト状にして供給することは特許文献1に示されている。
特開2002−113429号公報
Patent Document 1 discloses that a cleaning nozzle is provided at the tip of the arm body, and the processing liquid is supplied from the cleaning nozzle to the substrate in the form of a mist.
JP 2002-113429 A

基板の上方で、アーム体の先端に設けられた洗浄ノズルを、上記基板を横切る方向に駆動しながら、その基板の上面にミスト状の処理液を噴射供給して洗浄処理すると、上述したように基板に処理液を液体の状態で供給する場合に比べて洗浄効果を高めることができるということがある。   When the cleaning nozzle provided at the tip of the arm body is driven above the substrate in a direction crossing the substrate and the mist processing liquid is sprayed and supplied to the upper surface of the substrate, the cleaning process is performed as described above. In some cases, the cleaning effect can be enhanced as compared with the case where the processing liquid is supplied to the substrate in a liquid state.

しかしながら、処理液をミスト状にして供給すると、液体の状態で供給する場合に比べて処理液の供給量が少なくなる。とくに、ミストの粒子を小さくして洗浄効果を向上させるには、洗浄ノズルに供給される処理液と気体のうち、処理液の量を少なくする必要があるから、そのことによっても基板に供給される処理液の量が少なくなる。   However, when the treatment liquid is supplied in the form of a mist, the supply amount of the treatment liquid is smaller than when the treatment liquid is supplied in a liquid state. In particular, in order to improve the cleaning effect by reducing the mist particles, it is necessary to reduce the amount of the processing liquid out of the processing liquid and gas supplied to the cleaning nozzle, which is also supplied to the substrate. The amount of processing liquid to be reduced is reduced.

基板に供給される処理液の量が少なくなると、回転テーブルとともに基板が回転することで、その基板の上面が乾燥し易くなるということがある。とくに、回転する基板の上面に供給される処理液は中心部から周辺部に向かって流れるから、洗浄ノズルによるミスト状の処理液の供給が基板の中心部から周辺部に移行すると、中心部が乾燥し易いということがある。しかも、基板の乾燥した中心部には一度除去された汚れが再付着するということもある。   When the amount of the processing liquid supplied to the substrate decreases, the substrate may rotate together with the rotary table, so that the upper surface of the substrate may be easily dried. In particular, since the processing liquid supplied to the upper surface of the rotating substrate flows from the central portion toward the peripheral portion, when the supply of the mist processing liquid by the cleaning nozzle shifts from the central portion to the peripheral portion, the central portion is changed. Sometimes it is easy to dry. In addition, the dirt once removed may be reattached to the dried central portion of the substrate.

この発明は、基板を処理液で洗浄したときに、基板の特に中心部が乾燥し難くすることで、基板の中心部に洗浄除去された汚れが再付着するのを防止して洗浄効果を高めることができるようにした基板の処理装置を提供することにある。 The present invention, when cleaning the substrate with a processing solution, that particularly the center of the substrate is difficult to dry, increase the cleaning effect center is washed off the portion contamination of the substrate is prevented from reattaching It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus that can be used.

この発明は、基板を回転させながら処理液によって処理する基板の処理装置であって、
上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルと、
基端を支点として上記回転テーブルの上方にて水平方向に円弧運動するアーム体を有し、
このアーム体の先端部には、
上記基板を横切る方向に駆動されながら上記基板に上記処理液を供給する処理液供給手段と、
この処理液供給手段とは別に上記アーム体の円弧運動に応じて首振りして上記基板の中心部に向けて上記処理液を供給する乾燥防止手段とを具備し、
上記処理液供給手段によって上記基板の中心部以外の部分が処理されているときに上記乾燥防止手段により上記基板の中心部に向けて上記処理液を供給するようにしたことを特徴とする基板の処理装置に有る。
The present invention is a substrate processing apparatus for processing with a processing liquid while rotating the substrate,
A rotary table that is driven to rotate while holding the substrate;
Having an arm body that performs a circular arc motion in the horizontal direction above the rotary table with the base end as a fulcrum;
At the tip of this arm body,
A treatment liquid supply means for supplying the processing liquid to the substrate while being driven in a direction across said substrate,
Toward the center portion of the substrate; and a drying prevention means for supplying the treatment liquid to swing in accordance with the separate arcuate movement of the arm body and the treatment liquid supply means,
The substrate is characterized in that the processing liquid is supplied toward the central portion of the substrate by the drying preventing means when a portion other than the central portion of the substrate is being processed by the processing liquid supply means. In the processing unit.

この発明によれば、基板の中心部に供給される処理液によって基板が乾燥するのが防止されるから、処理液によって基板から除去された汚れが基板に再付着して汚れの原因になるのを防止することができる。 According to the present invention, since the substrate is prevented from being dried by the processing liquid supplied to the central portion of the substrate, the dirt removed from the substrate by the processing liquid reattaches to the substrate and causes dirt. Can be prevented.

以下、この発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図1乃至図5はこの発明の第1の実施の形態を示し、図1に示すスピン処理装置は処理槽1を備えている。この処理槽1内にはカップ体2が配置されている。このカップ体2は、上記処理槽1の底板上に設けられた下カップ3と、この下カップ3に対して図示しない上下駆動機構により上下動可能に設けられた上カップ4とからなる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 to 5 show a first embodiment of the present invention, and the spin processing apparatus shown in FIG. A cup body 2 is disposed in the processing tank 1. The cup body 2 includes a lower cup 3 provided on the bottom plate of the processing tank 1 and an upper cup 4 provided to the lower cup 3 so as to be movable up and down by a vertical drive mechanism (not shown).

上記下カップ3の底壁には周方向に所定間隔で複数の排出管5が接続されている。これら排出管5は排気ポンプ6に連通している。この排気ポンプ6は制御装置7によって発停及び回転数が制御されるようになっている。   A plurality of discharge pipes 5 are connected to the bottom wall of the lower cup 3 at predetermined intervals in the circumferential direction. These discharge pipes 5 communicate with an exhaust pump 6. The exhaust pump 6 is controlled by the control device 7 to start and stop and to rotate.

上記カップ体2の下面側にはベース板8が配置されている。このベース板8には、上記下カップ3と対応する位置に取付け孔9が形成されている。この取付け孔9には駆動手段を構成する制御モータ11の固定子12の上端部が嵌入固定されている。制御モータ11は上記制御装置7によって発停及び回転数が制御されるようになっている。   A base plate 8 is disposed on the lower surface side of the cup body 2. An attachment hole 9 is formed in the base plate 8 at a position corresponding to the lower cup 3. The upper end portion of the stator 12 of the control motor 11 constituting the driving means is fitted and fixed in the mounting hole 9. The control motor 11 is controlled by the control device 7 to start and stop and to rotate.

上記固定子12は筒状をなしていて、その内部には同じく筒状の回転子13が回転自在に嵌挿されている。この回転子13の上端面には筒状の連結体14が下端面を接触させて一体的に固定されている。この連結体14の下端には上記固定子12の内径寸法よりも大径な鍔部15が形成されている。この鍔部15は上記固定子12の上端面に摺動自在に接触しており、それによって回転子13の回転を阻止することなくこの回転子13が固定子12から抜け落ちるのを防止している。   The stator 12 has a cylindrical shape, and a cylindrical rotor 13 is also rotatably inserted in the stator 12. A cylindrical connecting body 14 is integrally fixed to the upper end surface of the rotor 13 with the lower end surface in contact therewith. A flange 15 having a diameter larger than the inner diameter of the stator 12 is formed at the lower end of the connecting body 14. The flange 15 is slidably in contact with the upper end surface of the stator 12, thereby preventing the rotor 13 from falling off the stator 12 without preventing the rotor 13 from rotating. .

上記下カップ3には上記回転子13と対応する部分に通孔3aが形成され、上記連結体14は上記通孔3aからカップ体2内に突出している。この連結体14の上端には回転テーブル16が取付けられている。この回転テーブル16の周辺部には周方向に所定間隔、この実施の形態では60度間隔で6本(2本のみ図示)の円柱状の保持部材17が図示しない駆動機構によって回転可能に設けられている。   A through hole 3 a is formed in the lower cup 3 at a portion corresponding to the rotor 13, and the connecting body 14 projects into the cup body 2 from the through hole 3 a. A turntable 16 is attached to the upper end of the connecting body 14. At the periphery of the turntable 16, six (two only shown) columnar holding members 17 are rotatably provided by a drive mechanism (not shown) at predetermined intervals in the circumferential direction, in this embodiment at intervals of 60 degrees. ing.

上記保持部材17の上端面には、この保持部材17の回転中心から偏心した位置にテーパ面を有する支持ピン18が設けられている。回転テーブル16には、基板としての半導体ウエハWが周縁部の下面を上記支持ピン18のテーパ面に当接するよう供給される。その状態で上記保持部材17を回転させれば、支持ピン18が偏心回転するから、回転テーブル16に供給された半導体ウエハWは、上記支持ピン18によって保持される。   A support pin 18 having a tapered surface is provided on the upper end surface of the holding member 17 at a position eccentric from the rotation center of the holding member 17. A semiconductor wafer W as a substrate is supplied to the turntable 16 so that the lower surface of the peripheral edge is in contact with the tapered surface of the support pin 18. If the holding member 17 is rotated in this state, the support pins 18 are eccentrically rotated, so that the semiconductor wafer W supplied to the rotary table 16 is held by the support pins 18.

上記回転テーブル16は乱流防止カバー21によって覆われている。この乱流防止カバー21は上記回転テーブル16の外周面を覆う外周壁22と、上面を覆う上面壁23とを有し、上記外周壁22は上側が小径部22a、下側が大径部22bに形成されている。回転テーブル16を回転させたときに、この乱流防止カバー21によって回転テーブル16の上面で乱流が発生するのが防止される。上記上カップ4の上面は開口していて、その内周面にはリング状部材25が設けられている。   The rotary table 16 is covered with a turbulent flow prevention cover 21. The turbulent flow prevention cover 21 has an outer peripheral wall 22 that covers the outer peripheral surface of the turntable 16 and an upper surface wall 23 that covers the upper surface. The outer peripheral wall 22 has a small diameter portion 22a on the upper side and a large diameter portion 22b on the lower side. Is formed. When the rotary table 16 is rotated, the turbulent flow prevention cover 21 prevents turbulent flow from occurring on the upper surface of the rotary table 16. The upper surface of the upper cup 4 is open, and a ring-shaped member 25 is provided on the inner peripheral surface thereof.

上記回転テーブル16に未処理の半導体ウエハWを供給したり、乾燥処理された半導体ウエハWを取り出すときには、上記上カップ4が後述するごとく下降させられる。   When the unprocessed semiconductor wafer W is supplied to the turntable 16 or the dried semiconductor wafer W is taken out, the upper cup 4 is lowered as described later.

上記処理槽1の上部壁には開口部31が形成されている。この開口部31にはULPAやHEPAなどのファン・フィルタユニット32が設けられている。このファン・フィルタユニット32はクリーンルーム内の空気をさらに清浄化して処理槽1内に導入するもので、その清浄空気の導入量は上記ファン・フィルタユニット32の駆動部33を上記制御装置7によって制御して行うようになっている。つまり、上記駆動部33により、ファン・フィルタユニット32のファン(図示せず)の回転数を制御することで、処理槽1内への清浄空気の供給量を制御できるようになっている。   An opening 31 is formed in the upper wall of the processing tank 1. The opening 31 is provided with a fan / filter unit 32 such as ULPA or HEPA. The fan / filter unit 32 further cleans the air in the clean room and introduces it into the processing tank 1, and the amount of clean air introduced is controlled by the controller 7 of the drive unit 33 of the fan / filter unit 32. To do it. That is, the supply amount of clean air into the processing tank 1 can be controlled by controlling the rotational speed of the fan (not shown) of the fan / filter unit 32 by the driving unit 33.

上記処理槽1の一側には出し入れ口34が開口形成されている。この出し入れ口34は、処理槽1の一側に上下方向にスライド可能に設けられたシャッタ35によって開閉される。このシャッタ35は圧縮空気で作動するシリンダ36によって駆動される。つまり、上記シリンダ36には圧縮空気の流れを制御する制御弁37が設けられ、この制御弁37を上記制御装置7によって切換え制御することで、上記シャッタ35を上下動させることができるようになっている。   An entrance / exit 34 is formed on one side of the processing tank 1. The entrance / exit 34 is opened and closed by a shutter 35 provided on one side of the processing tank 1 so as to be slidable in the vertical direction. The shutter 35 is driven by a cylinder 36 that operates with compressed air. That is, the cylinder 36 is provided with a control valve 37 for controlling the flow of compressed air, and the control valve 37 is switched by the control device 7 so that the shutter 35 can be moved up and down. ing.

上記制御モータ11の回転子13内には筒状の固定軸41が挿通されている。この固定軸41の上端には、上記回転テーブル16に形成された通孔42から上記回転テーブル16の上面側に突出したノズルヘッド43が設けられている。このノズルヘッド43には上記回転テーブル16に保持された半導体ウエハWの下面に向けて処理液としての薬液及び純水を噴射する一対のノズル44が設けられている。   A cylindrical fixed shaft 41 is inserted into the rotor 13 of the control motor 11. At the upper end of the fixed shaft 41, a nozzle head 43 that protrudes from the through hole 42 formed in the rotary table 16 to the upper surface side of the rotary table 16 is provided. The nozzle head 43 is provided with a pair of nozzles 44 for injecting a chemical solution and pure water as a processing solution toward the lower surface of the semiconductor wafer W held on the rotary table 16.

上記乱流防止カバー21の上面壁23には上記ノズルヘッド43と対向して開口部45が形成され、この開口部45によって上記ノズル44から噴射された処理液が半導体ウエハWの下面に到達可能となっている。   An opening 45 is formed in the upper surface wall 23 of the turbulent flow prevention cover 21 so as to face the nozzle head 43, and the processing liquid sprayed from the nozzle 44 can reach the lower surface of the semiconductor wafer W through the opening 45. It has become.

上記回転テーブル16に保持された半導体ウエハWの上方には、洗浄処理時に半導体ウエハWの上面に処理液をミスト状にして供給する処理液供給手段としての第1のノズル体46が配置されている。この第1のノズル体46は水平に配置されたアーム体47の先端に取付け部材48を介して軸線を垂直にして取付けられている。   Above the semiconductor wafer W held on the rotary table 16, a first nozzle body 46 is disposed as a processing liquid supply means for supplying the processing liquid in the form of a mist to the upper surface of the semiconductor wafer W during the cleaning process. Yes. The first nozzle body 46 is attached to the tip of an arm body 47 disposed horizontally with an axis line vertical via an attachment member 48.

上記アーム体47の基端は軸線を垂直にして配置された回転軸49の上端部に連結されている。この回転軸49の下端は回転駆動源51の出力軸52に連結されている。回転駆動源51の出力軸52は上記制御装置7によって回転角度が制御される。それによって、上記アーム体47の先端に設けられた第1のノズル体46は、図5に矢印Rで示すように半導体ウエハWの径方向一端E1から中心Oを通過して径方向他端E2に至る、上記半導体ウエハWを径方向に横切る円弧運動をするようになっている。   The base end of the arm body 47 is connected to the upper end portion of the rotating shaft 49 arranged with the axis line vertical. The lower end of the rotation shaft 49 is connected to the output shaft 52 of the rotation drive source 51. The rotation angle of the output shaft 52 of the rotation drive source 51 is controlled by the control device 7. Thereby, the first nozzle body 46 provided at the tip of the arm body 47 passes through the center O from the radial end E1 of the semiconductor wafer W as shown by an arrow R in FIG. In this way, an arc motion is performed across the semiconductor wafer W in the radial direction.

上記アーム体47の先端部で、上記第1のノズル体46の近くには第2のノズル体54が首振り機構55によって噴射角度の制御可能に設けられている。この首振り機構55は、図2と図3に示すように上記アーム体47に設けられたリニアモータ56を有する。このリニアモータ56は直線駆動される作動軸57の軸線を水平にして上記アーム体47に取り付けられている。上記作動軸57の先端には取り付け杆58の一端である上端が枢着されている。つまり、取り付け杆58の上端には長孔58aが形成され、この長孔58aに上記作動軸57の先端に設けられた支軸57aが移動可能に係合されている。   A second nozzle body 54 is provided near the first nozzle body 46 at the distal end of the arm body 47 so that the ejection angle can be controlled by a swing mechanism 55. The swing mechanism 55 has a linear motor 56 provided on the arm body 47 as shown in FIGS. The linear motor 56 is attached to the arm body 47 with the axis of the operation shaft 57 driven linearly being horizontal. An upper end which is one end of a mounting rod 58 is pivotally attached to the tip of the operating shaft 57. That is, a long hole 58a is formed at the upper end of the mounting rod 58, and a support shaft 57a provided at the tip of the operating shaft 57 is movably engaged with the long hole 58a.

上記取り付け杆58は中途部が軸線を水平にした支軸59によって枢支され、他端である下端には上記第2のノズル体54が取り付けられている。上記支軸59は上記アーム体47の先端部側面から側方に向かって延出された支持部材60に枢支されている。   The attachment rod 58 is pivotally supported by a support shaft 59 whose middle part is horizontal, and the second nozzle body 54 is attached to the lower end which is the other end. The support shaft 59 is pivotally supported by a support member 60 that extends from the side surface of the tip of the arm body 47 toward the side.

それによって、上記リニアモータ56の作動軸57が水平方向に往復駆動されると、上記取り付け杆58は支軸59を支点として図2に矢印N1で示す回動方向、つまり上記アーム体47の回動によって矢印N2で示す第1のノズル体46の移動方向とほぼ同方向に沿って揺動するようになっている。   As a result, when the operating shaft 57 of the linear motor 56 is reciprocated in the horizontal direction, the mounting rod 58 rotates in the direction indicated by the arrow N1 in FIG. By the movement, the first nozzle body 46 is swung along substantially the same direction as the moving direction of the first nozzle body 46 indicated by the arrow N2.

上記取り付け杆58が図2に実線で示す垂直な中立位置にあるとき、上記第2のノズル体54の軸線O2と、上記第1のノズル体46の軸線O1は上記回転テーブル16に保持された半導体ウエハWの上面で一致するよう、上記第2のノズル54は上記取り付け杆58に対して傾斜して取り付けられている。そして、アーム体47が回転駆動されると、上記取り付け杆58は図2に鎖線で示すように所定の範囲で揺動駆動される。 When the mounting rod 58 is in a vertical neutral position shown by a solid line in FIG. 2, the axis O2 of the second nozzle body 54 and the axis O1 of the first nozzle body 46 are held by the rotary table 16. The second nozzle 54 is attached to the mounting rod 58 so as to coincide with the upper surface of the semiconductor wafer W. When the arm body 47 is driven to rotate, the mounting rod 58 is driven to swing within a predetermined range as shown by a chain line in FIG.

つまり、上記第2のノズル体54は、アーム体47が回転したときに、アーム体47の回転角度に応じてその軸線O2が常に半導体ウエハWの中心を向くよう取り付け杆58を介してリニアモータ56によって揺動駆動される。上記リニアモータ56の駆動は上記制御装置7によって制御される。   That is, the second nozzle body 54 is connected to the linear motor via the mounting rod 58 so that the axis O2 always faces the center of the semiconductor wafer W according to the rotation angle of the arm body 47 when the arm body 47 rotates. 56 is driven to swing. The driving of the linear motor 56 is controlled by the control device 7.

図4に示すように、上記第1のノズル体46にはたとえば純水などの洗浄液と、気体としての不活性ガス、たとえば窒素ガスがそれぞれ給液管61及び給気管62を通じて供給される。給液管61及び給気管62には上記制御装置7によって開閉制御される開閉弁61a,62aが設けられている。それによって、上記第1のノズル体46からは、上記回転テーブル16に保持された半導体ウエハWに向けて処理液が窒素ガスによってミスト化されて噴射されるようになっている。   As shown in FIG. 4, the first nozzle body 46 is supplied with a cleaning liquid such as pure water and an inert gas such as a nitrogen gas through a liquid supply pipe 61 and an air supply pipe 62, respectively. The liquid supply pipe 61 and the air supply pipe 62 are provided with on-off valves 61 a and 62 a that are controlled to open and close by the control device 7. As a result, the processing liquid is misted by the nitrogen gas and sprayed from the first nozzle body 46 toward the semiconductor wafer W held on the turntable 16.

上記第2のノズル体54には純水などの洗浄液を供給する給液管64が接続されている。この給液管64の中途部には上記制御装置7によって開閉制御される開閉弁64aが設けられている。それによって、上記第2のノズル体54からは処理液が液体の状態で噴射されるようになっている。   A liquid supply pipe 64 for supplying a cleaning liquid such as pure water is connected to the second nozzle body 54. An opening / closing valve 64 a that is controlled to open and close by the control device 7 is provided in the middle of the liquid supply pipe 64. Accordingly, the processing liquid is ejected from the second nozzle body 54 in a liquid state.

つぎに、上記構成の処理装置によって半導体ウエハWを洗浄処理する場合について説明する。
半導体ウエハWを回転テーブル16に保持し、この回転テーブル16を所定の回転数で回転させたならば、アーム体47の先端の取付け部材48に設けられた第1のノズル体46からミスト状の処理液を半導体ウエハWに向けて噴射する。
Next, a case where the semiconductor wafer W is cleaned by the processing apparatus having the above configuration will be described.
When the semiconductor wafer W is held on the turntable 16 and the turntable 16 is rotated at a predetermined number of rotations, a mist-like shape is formed from the first nozzle body 46 provided on the mounting member 48 at the tip of the arm body 47. The processing liquid is sprayed toward the semiconductor wafer W.

それと同時に、回転駆動源51を作動させてアーム体47を半導体ウエハWの径方向に沿って回転させながら、第2のノズル体54から液状の処理液を半導体ウエハWに向けて供給する。   At the same time, a liquid processing liquid is supplied from the second nozzle body 54 toward the semiconductor wafer W while operating the rotational drive source 51 to rotate the arm body 47 along the radial direction of the semiconductor wafer W.

このようにすることで、半導体ウエハWは、第1のノズル体46から供給されるミスト状の処理液によって微細な部分も良好に洗浄処理される。しかしながら、処理液をミスト状にして供給すると、処理液の量が少なくなるから、半導体ウエハWの上面の径方向中心部から周辺部に向かう処理液の流れが生じ難くなる。そのため、半導体ウエハWの、とくに処理液の流れる量が少ない中心部が乾燥し易くなるから、その中心部に一度洗浄除去された汚れが再付着してしまうということがある。   By doing so, the fine portion of the semiconductor wafer W is also well cleaned by the mist-like processing liquid supplied from the first nozzle body 46. However, if the processing liquid is supplied in the form of a mist, the amount of the processing liquid is reduced, so that it is difficult for the processing liquid to flow from the central portion in the radial direction on the upper surface of the semiconductor wafer W toward the peripheral portion. For this reason, the central portion of the semiconductor wafer W, particularly where the amount of the processing liquid flowing, is easy to dry, so that the dirt once washed and removed may be reattached to the central portion.

しかしながら、制御装置7は、アーム体47の回転角度に係らず、常に第2のノズル体54の軸線が半導体ウエハWの中心を向くよう、リニアモータ56の駆動を制御する。そのため、第2のノズル体54からは第1のノズル体46がミスト状の処理液を半導体ウエハWの中心部分以外の部分に噴射しているときであっても、半導体ウエハWの中心部に液状の処理液が噴射供給される。   However, the control device 7 controls the drive of the linear motor 56 so that the axis of the second nozzle body 54 always faces the center of the semiconductor wafer W regardless of the rotation angle of the arm body 47. Therefore, even when the first nozzle body 46 sprays the mist-like processing liquid from the second nozzle body 54 to a portion other than the central portion of the semiconductor wafer W, A liquid processing liquid is jetted and supplied.

上記第2のノズル体54によって半導体ウエハWの中心部に供給された液状の処理液は、半導体ウエハWの中心部から周辺部に向かって流れるから、第1のノズル体46から噴射供給されるミスト状の処理液が半導体ウエハWの中心部から外れた部分に供給されているときに、半導体ウエハWの中心部が乾燥するのを防止する。   Since the liquid processing liquid supplied to the central portion of the semiconductor wafer W by the second nozzle body 54 flows from the central portion of the semiconductor wafer W toward the peripheral portion, it is jetted and supplied from the first nozzle body 46. When the mist-like processing liquid is supplied to a portion off the central portion of the semiconductor wafer W, the central portion of the semiconductor wafer W is prevented from drying.

しかも、第2のノズル体54によって半導体ウエハWの中心部に供給された液状の処理液は中心部から周辺部に向かって流れるから、その流れによってミスト状の処理液によって除去された汚れが半導体ウエハWの上面から確実に排出される。そのため、そのことによっても半導体ウエハWの洗浄効果を向上させることができる。   In addition, since the liquid processing liquid supplied to the central portion of the semiconductor wafer W by the second nozzle body 54 flows from the central portion toward the peripheral portion, the dirt removed by the mist processing liquid due to the flow is reduced. The wafer W is reliably discharged from the upper surface. Therefore, the cleaning effect of the semiconductor wafer W can be improved also by this.

図6はこの発明の第2の実施の形態を示す首振り機構の変形例である。この実施の形態は一対の首振り機構55Aがアーム体47を挟んで左右対称に設けられている。この首振り機構55Aは、アーム体47に回転軸72を垂直にして設けられたモータ71を有し、上記回転軸72にはカム体73が嵌着固定されている。   FIG. 6 is a modified example of the swing mechanism showing the second embodiment of the present invention. In this embodiment, a pair of swing mechanisms 55A are provided symmetrically with the arm body 47 interposed therebetween. The swing mechanism 55 </ b> A has a motor 71 provided on the arm body 47 with the rotation shaft 72 vertical, and a cam body 73 is fitted and fixed to the rotation shaft 72.

上記カム体73の外周面である、カム面には中途部が支軸74によって枢支された取り付け杆75の一端が当接している。各取り付け杆75は一端が上記カム体73の外周面に弾性的に当接するようばね76によって付勢されている。上記取り付け杆75の他端には第2のノズル体54が設けられている。   One end of a mounting rod 75 whose middle portion is pivotally supported by a support shaft 74 is in contact with the cam surface, which is the outer peripheral surface of the cam body 73. Each attachment rod 75 is biased by a spring 76 so that one end thereof elastically contacts the outer peripheral surface of the cam body 73. A second nozzle body 54 is provided at the other end of the mounting rod 75.

そして、上記モータ71の回転軸72が制御装置7によってアーム体47の回転角度に応じて駆動されることで、上記取り付け杆75が実線で示す角度θで傾斜した状態から、鎖線で示す垂直状態との間で揺動する。   Then, the rotating shaft 72 of the motor 71 is driven by the control device 7 according to the rotation angle of the arm body 47, so that the mounting rod 75 is tilted at an angle θ indicated by a solid line, and is in a vertical state indicated by a chain line. Swings between.

そして、上記アーム体47が図5で示す半導体ウエハWのE1からOに向かって回転するときには、回転方向の前方に位置する一方の第2のノズル体54の角度が半導体ウエハWの中心を向くよう一方のモータ71の駆動が制御装置7によって制御され、上記アーム体47がOからE2に向かって回転するときには回転方向の後方に位置する他方の第2のノズル体54の角度が半導体ウエハWの中心を向くよう他方のモータ71の駆動が制御装置7によって制御される。   When the arm body 47 rotates from E1 to O of the semiconductor wafer W shown in FIG. 5, the angle of one second nozzle body 54 positioned forward in the rotation direction faces the center of the semiconductor wafer W. When the driving of the one motor 71 is controlled by the control device 7 and the arm body 47 rotates from O to E2, the angle of the other second nozzle body 54 located rearward in the rotation direction is set to the semiconductor wafer W. The drive of the other motor 71 is controlled by the control device 7 so as to face the center of.

それによって、第1のノズル体46が半導体ウエハWの中心部以外の部分にミスト状の処理液を供給しているときに、一対の第2のノズル体54によって液状の処理液を半導体ウエハWの中心部に供給することができる。   Accordingly, when the first nozzle body 46 supplies the mist-like processing liquid to a portion other than the central portion of the semiconductor wafer W, the liquid processing liquid is supplied to the semiconductor wafer W by the pair of second nozzle bodies 54. Can be fed into the center of

なお、上記取り付け杆75を枢支した支軸74は、上記アーム体47に取り付けられた、図6に鎖線で示す逆T字状の取り付け部材77に設けられ、上記取り付け杆75を付勢したばね76の一端も上記取り付け部材77に連結されている。   The support shaft 74 that pivotally supports the attachment rod 75 is provided on an inverted T-shaped attachment member 77 that is attached to the arm body 47 and indicated by a chain line in FIG. 6, and biases the attachment rod 75. One end of the spring 76 is also connected to the mounting member 77.

このように、アーム体47に一対の第2のノズル体54を設ければ、1つの場合に比べて半導体ウエハWに処理液を供給する範囲を半分にすることができるから、その供給範囲に応じて第2のノズル体54の揺動角度も半分にすることができる。   Thus, if the arm body 47 is provided with a pair of second nozzle bodies 54, the range in which the processing liquid is supplied to the semiconductor wafer W can be halved as compared with the case where one arm is provided. Accordingly, the swing angle of the second nozzle body 54 can also be halved.

仮に、第2のノズル体54を1つとすることでその揺動角度が大きくなると、その第2のノズル体54から噴射される液状の処理液の噴射方向が第2のノズル体54の軸線方向から大きくずれるから、処理液が半導体ウエハWの中心部に確実に供給されなくなるということがある。   If the swing angle is increased by using one second nozzle body 54, the injection direction of the liquid processing liquid injected from the second nozzle body 54 is the axial direction of the second nozzle body 54. Therefore, the processing liquid may not be reliably supplied to the central portion of the semiconductor wafer W.

そのため、半導体ウエハWが大口径化した場合であっても、第2のノズル体54を2つ設けることで、第2のノズル体54の揺動角度を1つの場合に比べて約半分にできるから、半導体ウエハWの中心部に液状の処理液を確実に供給することが可能となる。   Therefore, even when the semiconductor wafer W has a large diameter, by providing two second nozzle bodies 54, the swing angle of the second nozzle body 54 can be reduced to about half compared to the case of one. Thus, the liquid processing liquid can be reliably supplied to the central portion of the semiconductor wafer W.

第2の実施の形態において、アーム体47を図5で示す半導体ウエハWの径方向外方の一端側のE1から中心Oに向かって回転させたのち、中心Oから径方向他方の外方E2に向かって回転させるようにした。   In the second embodiment, the arm body 47 is rotated from E1 on one end side in the radial direction of the semiconductor wafer W shown in FIG. 5 toward the center O, and then the outer side E2 in the radial direction from the center O. It was made to rotate toward.

上記基板Wが前工程で濡れている場合には上述したようにアーム体47を回転させても差し支えないが、前工程で基板Wが濡れていない場合には、アーム体47を基板Wの中心Oから径方向外方に向かって回転させるようにすることが好ましい。このようにすれば、基板Wの中心部に液膜を先に形成することになるから、基板Wの中心部からの汚れの排出を高めることが可能となる。   When the substrate W is wet in the previous process, the arm body 47 may be rotated as described above. However, when the substrate W is not wet in the previous process, the arm body 47 is positioned at the center of the substrate W. It is preferable to rotate from O to the outside in the radial direction. In this way, since the liquid film is first formed in the central portion of the substrate W, it becomes possible to increase the discharge of dirt from the central portion of the substrate W.

図7はこの発明の第3の実施の形態を示す首振り機構の変形例である。この実施の形態の首振り機構55Bはアーム体47に第1のモータ81が設けられている。この第1のモータ81の回転軸81aにはねじ軸82が連結されている。このねじ軸82には図示しないガイドによって回転不能な状態で上下方向に移動可能に設けられた可動体83が螺合されている。   FIG. 7 shows a modification of the swing mechanism showing the third embodiment of the present invention. The swing mechanism 55 </ b> B of this embodiment is provided with a first motor 81 on the arm body 47. A screw shaft 82 is connected to the rotation shaft 81 a of the first motor 81. The threaded shaft 82 is screwed with a movable body 83 provided so as to be movable in a vertical direction in a non-rotatable state by a guide (not shown).

上記可動体83には第2のモータ84が設けられている。この第2のモータ84の回転軸84aには取り付け杆85が連結されていて、この取り付け杆85の下端には第2のノズル体54が軸線を垂直線に対して所定の角度θで傾斜させて取り付けられている。   The movable body 83 is provided with a second motor 84. A mounting rod 85 is connected to the rotating shaft 84a of the second motor 84, and the second nozzle body 54 tilts the axis at a predetermined angle θ with respect to the vertical line at the lower end of the mounting rod 85. Attached.

上記第2のモータ84は制御装置7によってアーム体47の回転角度に応じて駆動が制御される。それによって、上記第2のノズル体54はアーム体47の回転角度に係らず、液状の処理液の噴射方向が半導体ウエハWの中心部に向くよう揺動角度が制御される。   The driving of the second motor 84 is controlled by the control device 7 in accordance with the rotation angle of the arm body 47. Accordingly, the swing angle of the second nozzle body 54 is controlled so that the liquid processing liquid spray direction is directed toward the center of the semiconductor wafer W regardless of the rotation angle of the arm body 47.

さらに、上記第1のモータ81を作動させれば、第2のモータ84と一体的に設けられた第2のノズル体54の高さを変更することができる。それによって、第2ノズル体54から噴射される液状の処理液の飛距離を、半導体ウエハWの口径に応じて変えることができる。   Further, when the first motor 81 is operated, the height of the second nozzle body 54 provided integrally with the second motor 84 can be changed. Accordingly, the flying distance of the liquid processing liquid ejected from the second nozzle body 54 can be changed according to the diameter of the semiconductor wafer W.

つまり、半導体ウエハWの口径が異なる場合、第2のノズル体54の揺動角度が同じであっても、高さ位置を変更するその半導体ウエハWの中心部に処理液を供給することができる。   That is, when the diameter of the semiconductor wafer W is different, the processing liquid can be supplied to the central portion of the semiconductor wafer W whose height position is changed even if the swing angle of the second nozzle body 54 is the same. .

なお、上記各実施の形態では基板として半導体ウエハを例に挙げて説明したが、基板としては液晶表示装置に用いられる矩形状のガラス板であってもよく、要は清浄に洗浄することが要求される板状のものであれば、この発明を適用することができる。   In each of the above-described embodiments, the semiconductor wafer is described as an example of the substrate. However, the substrate may be a rectangular glass plate used in a liquid crystal display device, and is required to be cleaned cleanly. The present invention can be applied to any plate-like material.

また、アーム体の回転に応じて第2のノズル体の傾斜角度を変える首振り機構は、上記各実施の形態に挙げた構成に限定されるものでなく、他の構成であっても差し支えない。   Further, the swing mechanism that changes the inclination angle of the second nozzle body in accordance with the rotation of the arm body is not limited to the configuration described in each of the above embodiments, and may have other configurations. .

また、上記各実施の形態では第1のノズル体から基板に供給される処理液をミスト状にし、第2のノズル体から基板に供給される処理液を液状の状態としたが、第1のノズル体から基板に供給される処理液を液状の状態とし、第2のノズル体から基板に供給される処理液をミスト状としても差し支えない。また、第1、第2のノズル体の両方から液状或いはミスト状の処理液を基板に供給するようにしてもよい。   In each of the above embodiments, the processing liquid supplied from the first nozzle body to the substrate is made mist, and the processing liquid supplied from the second nozzle body to the substrate is in a liquid state. The processing liquid supplied from the nozzle body to the substrate may be in a liquid state, and the processing liquid supplied from the second nozzle body to the substrate may be mist-shaped. Further, a liquid or mist processing liquid may be supplied to the substrate from both the first and second nozzle bodies.

この発明の第1の実施の形態を示す基板の洗浄装置の概略的構成図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The schematic block diagram of the washing | cleaning apparatus of the board | substrate which shows 1st Embodiment of this invention. 水平アームの先端に設けられる首振り機構の概略的構成を示す正面図。The front view which shows schematic structure of the swing mechanism provided in the front-end | tip of a horizontal arm. 水平アームの先端に設けられる首振り機構の概略的構成を示す側面図。The side view which shows schematic structure of the swing mechanism provided in the front-end | tip of a horizontal arm. 第1、第2のノズル体の配管系統図。The piping system figure of the 1st, 2nd nozzle body. 半導体ウエハ上の第1のノズル体の軌跡を示す説明図。Explanatory drawing which shows the locus | trajectory of the 1st nozzle body on a semiconductor wafer. この発明の第2の実施の形態を示す首振り機構の構成図。The block diagram of the swing mechanism which shows 2nd Embodiment of this invention. この発明の第3の実施の形態を示す首振り機構の構成図。The block diagram of the swing mechanism which shows the 3rd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

7…制御装置、16…回転テーブル、46…第1のノズル体(第1の処理液供給手段)、47…アーム体、54…第2のノズル体(乾燥防止手段)、55,55A,55B…首振り機構。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 7 ... Control apparatus, 16 ... Rotary table, 46 ... 1st nozzle body (1st process liquid supply means), 47 ... Arm body, 54 ... 2nd nozzle body (drying prevention means), 55, 55A, 55B ... swing mechanism.

Claims (3)

基板を回転させながら処理液によって処理する基板の処理装置であって、
上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルと、
基端を支点として上記回転テーブルの上方にて水平方向に円弧運動するアーム体を有し、
このアーム体の先端部には、
上記基板を横切る方向に駆動されながら上記基板に上記処理液を供給する処理液供給手段と、
この処理液供給手段とは別に上記アーム体の円弧運動に応じて首振りして上記基板の中心部に向けて上記処理液を供給する乾燥防止手段とを具備し、
上記処理液供給手段によって上記基板の中心部以外の部分が処理されているときに上記乾燥防止手段により上記基板の中心部に向けて上記処理液を供給するようにしたことを特徴とする基板の処理装置。
A substrate processing apparatus for processing with a processing liquid while rotating a substrate,
A rotary table that is driven to rotate while holding the substrate;
Having an arm body that performs a circular arc motion in the horizontal direction above the rotary table with the base end as a fulcrum;
At the tip of this arm body,
A treatment liquid supply means for supplying the processing liquid to the substrate while being driven in a direction across said substrate,
Toward the center portion of the substrate; and a drying prevention means for supplying the treatment liquid to swing in accordance with the separate arcuate movement of the arm body and the treatment liquid supply means,
The substrate is characterized in that the processing liquid is supplied toward the central portion of the substrate by the drying preventing means when a portion other than the central portion of the substrate is being processed by the processing liquid supply means. Processing equipment.
上記乾燥防止手段を駆動して首振りさせる首振り機構と、上記アーム体の円弧運動に応じて上記乾燥防止手段からの処理液が上記基板の中心部に供給されるよう上記乾燥防止手段の首振り角度を制御する制御手段と
を具備することを特徴とする請求項記載の基板の処理装置。
A swing mechanism for driving and swinging the drying prevention means, and a neck of the drying prevention means so that the processing liquid from the drying prevention means is supplied to the central portion of the substrate in accordance with the arc motion of the arm body. the substrate processing apparatus according to claim 1, characterized in that a control means for controlling the swing angle.
上記処理液供給手段は上記処理液をミスト化して噴射するものであり、上記乾燥防止手段は上記処理液を液体の状態で噴射するものであることを特徴とする請求項1または2記載の基板の処理装置。 3. The substrate according to claim 1, wherein the processing liquid supply means sprays the processing liquid in a mist, and the drying prevention means jets the processing liquid in a liquid state. Processing equipment.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11322346B2 (en) 2020-09-18 2022-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Cleaning substrate method and method of processing substrate using the same

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5829082B2 (en) * 2011-09-09 2015-12-09 オリンパス株式会社 Cleaning device
KR101330319B1 (en) * 2011-10-11 2013-11-14 세메스 주식회사 Injection unit and Apparatus for treating substrate with the unit
KR101355917B1 (en) * 2011-10-11 2014-01-29 세메스 주식회사 Injection unit and Apparatus for treating substrate with the unit
US8849453B2 (en) 2012-02-29 2014-09-30 GM Global Technology Operations LLC Human grasp assist device with exoskeleton
US9355835B2 (en) * 2012-06-29 2016-05-31 Semes Co., Ltd. Method and apparatus for processing substrate
JP5936535B2 (en) * 2012-12-28 2016-06-22 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus and liquid processing method
KR102375437B1 (en) * 2014-11-28 2022-03-18 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating a substrate
JP6478692B2 (en) * 2015-02-18 2019-03-06 株式会社Screenホールディングス Substrate processing equipment
US10332761B2 (en) 2015-02-18 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6404189B2 (en) * 2015-08-07 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
JP6784546B2 (en) * 2016-09-08 2020-11-11 株式会社Screenホールディングス Board processing equipment
JP6831134B2 (en) * 2016-10-25 2021-02-17 エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド Wet process equipment and methods for semiconductor substrates
TWI774756B (en) * 2018-04-24 2022-08-21 大陸商盛美半導體設備(上海)股份有限公司 Apparatus and method for wet processing of semiconductor substrates
CN110896041B (en) * 2018-09-13 2022-05-10 辛耘企业股份有限公司 Substrate processing apparatus and fluid supply device thereof
JP7504573B2 (en) 2019-09-30 2024-06-24 芝浦メカトロニクス株式会社 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3834542B2 (en) * 2001-11-01 2006-10-18 東京エレクトロン株式会社 Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
JP2006086415A (en) * 2004-09-17 2006-03-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate washing device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11322346B2 (en) 2020-09-18 2022-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Cleaning substrate method and method of processing substrate using the same

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