JP5284004B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
この発明は基板を回転させながら処理液を供給して処理する基板の処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for supplying and processing a processing liquid while rotating the substrate.
たとえば液晶表示装置や半導体装置の製造工程においては、矩形状のガラス基板や半導体ウエハなどの基板に回路パタ−ンを形成するための成膜プロセスやフォトプロセスがある。これらのプロセスでは、スピン方式の処理装置を用いて基板を薬液で処理した後、洗浄作用を有する処理液で洗浄処理し、ついで処理液を除去して乾燥処理するということが行われる。 For example, in the manufacturing process of a liquid crystal display device or a semiconductor device, there are a film forming process and a photo process for forming a circuit pattern on a substrate such as a rectangular glass substrate or a semiconductor wafer. In these processes, a substrate is processed with a chemical solution using a spin processing apparatus, then cleaned with a processing solution having a cleaning action, and then the processing solution is removed and dried.
上記処理装置は、周知のように処理槽を有し、この処理槽内にはカップ体が設けられ、このカップ体内には駆動源によって回転駆動される回転テーブルが設けられている。この回転テーブルには上記基板が着脱可能に供給保持される。 The processing apparatus has a processing tank as is well known, and a cup body is provided in the processing tank, and a rotary table that is rotationally driven by a drive source is provided in the cup body. The substrate is removably supplied and held on the rotary table.
上記基板は、回転テーブルとともに所定の回転速度で回転駆動されながら、その板面に処理液が供給されて洗浄処理される。洗浄処理を所定時間行った後、基板は洗浄時よりも高速度で回転させられる。それによって、基板に付着残留した汚れを含む洗浄液が遠心力によって除去されて基板が乾燥処理されることになる。 While the substrate is being rotationally driven together with the rotary table at a predetermined rotational speed, a processing liquid is supplied to the plate surface and the substrate is cleaned. After performing the cleaning process for a predetermined time, the substrate is rotated at a higher speed than during the cleaning. As a result, the cleaning liquid containing dirt remaining on the substrate is removed by centrifugal force, and the substrate is dried.
上記基板を処理液によって洗浄処理する際、洗浄効果を高めるために処理液をミスト状にして供給するということが行われている。すなわち、洗浄に用いられる洗浄ノズルには処理液と高圧気体とが供給される。それによって、洗浄ノズル内で処理液と高圧気体が混合されることで、処理液がミスト状になって上記洗浄ノズルから基板に向かって噴射される。 When the substrate is cleaned with the processing liquid, the processing liquid is supplied in the form of a mist in order to enhance the cleaning effect. That is, the processing liquid and the high-pressure gas are supplied to the cleaning nozzle used for cleaning. Thereby, the processing liquid and the high-pressure gas are mixed in the cleaning nozzle, so that the processing liquid becomes mist and is sprayed from the cleaning nozzle toward the substrate.
処理液を洗浄ノズルからミスト状にして噴射すると、ミスト状となった処理液の微細な粒子が基板に形成されたパターン間に確実に入り込むから、処理液を液状のままで供給する場合に比べて洗浄効果を高めることができるということがある。 When the processing liquid is sprayed in the form of a mist from the cleaning nozzle, the fine particles of the processing liquid in the mist form surely enter between the patterns formed on the substrate. The cleaning effect can be enhanced.
通常、上記洗浄ノズルは、回転テーブルに保持された基板の上方で水平方向に回動駆動されるアーム体の先端に設けられている。そして、このアーム体が回動駆動されて上記洗浄ノズルが上記基板を横切る方向に移動することで、この洗浄ノズルから上記基板の上面にミスト状の処理液を噴射供給することができるようになっている。 Normally, the cleaning nozzle is provided at the tip of an arm body that is driven to rotate in the horizontal direction above the substrate held on the rotary table. The arm body is rotationally driven, and the cleaning nozzle moves in a direction crossing the substrate, so that a mist-like processing liquid can be sprayed and supplied from the cleaning nozzle to the upper surface of the substrate. ing.
アーム体の先端に洗浄ノズルを設け、この洗浄ノズルから基板に処理液をミスト状にして供給することは特許文献1に示されている。
基板の上方で、アーム体の先端に設けられた洗浄ノズルを、上記基板を横切る方向に駆動しながら、その基板の上面にミスト状の処理液を噴射供給して洗浄処理すると、上述したように基板に処理液を液体の状態で供給する場合に比べて洗浄効果を高めることができるということがある。 When the cleaning nozzle provided at the tip of the arm body is driven above the substrate in a direction crossing the substrate and the mist processing liquid is sprayed and supplied to the upper surface of the substrate, the cleaning process is performed as described above. In some cases, the cleaning effect can be enhanced as compared with the case where the processing liquid is supplied to the substrate in a liquid state.
しかしながら、処理液をミスト状にして供給すると、液体の状態で供給する場合に比べて処理液の供給量が少なくなる。とくに、ミストの粒子を小さくして洗浄効果を向上させるには、洗浄ノズルに供給される処理液と気体のうち、処理液の量を少なくする必要があるから、そのことによっても基板に供給される処理液の量が少なくなる。 However, when the treatment liquid is supplied in the form of a mist, the supply amount of the treatment liquid is smaller than when the treatment liquid is supplied in a liquid state. In particular, in order to improve the cleaning effect by reducing the mist particles, it is necessary to reduce the amount of the processing liquid out of the processing liquid and gas supplied to the cleaning nozzle, which is also supplied to the substrate. The amount of processing liquid to be reduced is reduced.
基板に供給される処理液の量が少なくなると、回転テーブルとともに基板が回転することで、その基板の上面が乾燥し易くなるということがある。とくに、回転する基板の上面に供給される処理液は中心部から周辺部に向かって流れるから、洗浄ノズルによるミスト状の処理液の供給が基板の中心部から周辺部に移行すると、中心部が乾燥し易いということがある。しかも、基板の乾燥した中心部には一度除去された汚れが再付着するということもある。 When the amount of the processing liquid supplied to the substrate decreases, the substrate may rotate together with the rotary table, so that the upper surface of the substrate may be easily dried. In particular, since the processing liquid supplied to the upper surface of the rotating substrate flows from the central portion toward the peripheral portion, when the supply of the mist processing liquid by the cleaning nozzle shifts from the central portion to the peripheral portion, the central portion is changed. Sometimes it is easy to dry. In addition, the dirt once removed may be reattached to the dried central portion of the substrate.
この発明は、基板を処理液で洗浄したときに、基板の特に中心部が乾燥し難くすることで、基板の中心部に洗浄除去された汚れが再付着するのを防止して洗浄効果を高めることができるようにした基板の処理装置を提供することにある。 The present invention, when cleaning the substrate with a processing solution, that particularly the center of the substrate is difficult to dry, increase the cleaning effect center is washed off the portion contamination of the substrate is prevented from reattaching It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus that can be used.
この発明は、基板を回転させながら処理液によって処理する基板の処理装置であって、
上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルと、
基端を支点として上記回転テーブルの上方にて水平方向に円弧運動するアーム体を有し、
このアーム体の先端部には、
上記基板を横切る方向に駆動されながら上記基板に上記処理液を供給する処理液供給手段と、
この処理液供給手段とは別に上記アーム体の円弧運動に応じて首振りして上記基板の中心部に向けて上記処理液を供給する乾燥防止手段とを具備し、
上記処理液供給手段によって上記基板の中心部以外の部分が処理されているときに上記乾燥防止手段により上記基板の中心部に向けて上記処理液を供給するようにしたことを特徴とする基板の処理装置に有る。
The present invention is a substrate processing apparatus for processing with a processing liquid while rotating the substrate,
A rotary table that is driven to rotate while holding the substrate;
Having an arm body that performs a circular arc motion in the horizontal direction above the rotary table with the base end as a fulcrum;
At the tip of this arm body,
A treatment liquid supply means for supplying the processing liquid to the substrate while being driven in a direction across said substrate,
Toward the center portion of the substrate; and a drying prevention means for supplying the treatment liquid to swing in accordance with the separate arcuate movement of the arm body and the treatment liquid supply means,
The substrate is characterized in that the processing liquid is supplied toward the central portion of the substrate by the drying preventing means when a portion other than the central portion of the substrate is being processed by the processing liquid supply means. In the processing unit.
この発明によれば、基板の中心部に供給される処理液によって基板が乾燥するのが防止されるから、処理液によって基板から除去された汚れが基板に再付着して汚れの原因になるのを防止することができる。 According to the present invention, since the substrate is prevented from being dried by the processing liquid supplied to the central portion of the substrate, the dirt removed from the substrate by the processing liquid reattaches to the substrate and causes dirt. Can be prevented.
以下、この発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図1乃至図5はこの発明の第1の実施の形態を示し、図1に示すスピン処理装置は処理槽1を備えている。この処理槽1内にはカップ体2が配置されている。このカップ体2は、上記処理槽1の底板上に設けられた下カップ3と、この下カップ3に対して図示しない上下駆動機構により上下動可能に設けられた上カップ4とからなる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 to 5 show a first embodiment of the present invention, and the spin processing apparatus shown in FIG. A
上記下カップ3の底壁には周方向に所定間隔で複数の排出管5が接続されている。これら排出管5は排気ポンプ6に連通している。この排気ポンプ6は制御装置7によって発停及び回転数が制御されるようになっている。
A plurality of discharge pipes 5 are connected to the bottom wall of the
上記カップ体2の下面側にはベース板8が配置されている。このベース板8には、上記下カップ3と対応する位置に取付け孔9が形成されている。この取付け孔9には駆動手段を構成する制御モータ11の固定子12の上端部が嵌入固定されている。制御モータ11は上記制御装置7によって発停及び回転数が制御されるようになっている。
A base plate 8 is disposed on the lower surface side of the
上記固定子12は筒状をなしていて、その内部には同じく筒状の回転子13が回転自在に嵌挿されている。この回転子13の上端面には筒状の連結体14が下端面を接触させて一体的に固定されている。この連結体14の下端には上記固定子12の内径寸法よりも大径な鍔部15が形成されている。この鍔部15は上記固定子12の上端面に摺動自在に接触しており、それによって回転子13の回転を阻止することなくこの回転子13が固定子12から抜け落ちるのを防止している。
The
上記下カップ3には上記回転子13と対応する部分に通孔3aが形成され、上記連結体14は上記通孔3aからカップ体2内に突出している。この連結体14の上端には回転テーブル16が取付けられている。この回転テーブル16の周辺部には周方向に所定間隔、この実施の形態では60度間隔で6本(2本のみ図示)の円柱状の保持部材17が図示しない駆動機構によって回転可能に設けられている。
A through hole 3 a is formed in the
上記保持部材17の上端面には、この保持部材17の回転中心から偏心した位置にテーパ面を有する支持ピン18が設けられている。回転テーブル16には、基板としての半導体ウエハWが周縁部の下面を上記支持ピン18のテーパ面に当接するよう供給される。その状態で上記保持部材17を回転させれば、支持ピン18が偏心回転するから、回転テーブル16に供給された半導体ウエハWは、上記支持ピン18によって保持される。
A
上記回転テーブル16は乱流防止カバー21によって覆われている。この乱流防止カバー21は上記回転テーブル16の外周面を覆う外周壁22と、上面を覆う上面壁23とを有し、上記外周壁22は上側が小径部22a、下側が大径部22bに形成されている。回転テーブル16を回転させたときに、この乱流防止カバー21によって回転テーブル16の上面で乱流が発生するのが防止される。上記上カップ4の上面は開口していて、その内周面にはリング状部材25が設けられている。
The rotary table 16 is covered with a turbulent
上記回転テーブル16に未処理の半導体ウエハWを供給したり、乾燥処理された半導体ウエハWを取り出すときには、上記上カップ4が後述するごとく下降させられる。
When the unprocessed semiconductor wafer W is supplied to the
上記処理槽1の上部壁には開口部31が形成されている。この開口部31にはULPAやHEPAなどのファン・フィルタユニット32が設けられている。このファン・フィルタユニット32はクリーンルーム内の空気をさらに清浄化して処理槽1内に導入するもので、その清浄空気の導入量は上記ファン・フィルタユニット32の駆動部33を上記制御装置7によって制御して行うようになっている。つまり、上記駆動部33により、ファン・フィルタユニット32のファン(図示せず)の回転数を制御することで、処理槽1内への清浄空気の供給量を制御できるようになっている。
An opening 31 is formed in the upper wall of the processing tank 1. The opening 31 is provided with a fan /
上記処理槽1の一側には出し入れ口34が開口形成されている。この出し入れ口34は、処理槽1の一側に上下方向にスライド可能に設けられたシャッタ35によって開閉される。このシャッタ35は圧縮空気で作動するシリンダ36によって駆動される。つまり、上記シリンダ36には圧縮空気の流れを制御する制御弁37が設けられ、この制御弁37を上記制御装置7によって切換え制御することで、上記シャッタ35を上下動させることができるようになっている。
An entrance / exit 34 is formed on one side of the processing tank 1. The entrance / exit 34 is opened and closed by a
上記制御モータ11の回転子13内には筒状の固定軸41が挿通されている。この固定軸41の上端には、上記回転テーブル16に形成された通孔42から上記回転テーブル16の上面側に突出したノズルヘッド43が設けられている。このノズルヘッド43には上記回転テーブル16に保持された半導体ウエハWの下面に向けて処理液としての薬液及び純水を噴射する一対のノズル44が設けられている。
A cylindrical fixed shaft 41 is inserted into the
上記乱流防止カバー21の上面壁23には上記ノズルヘッド43と対向して開口部45が形成され、この開口部45によって上記ノズル44から噴射された処理液が半導体ウエハWの下面に到達可能となっている。
An
上記回転テーブル16に保持された半導体ウエハWの上方には、洗浄処理時に半導体ウエハWの上面に処理液をミスト状にして供給する処理液供給手段としての第1のノズル体46が配置されている。この第1のノズル体46は水平に配置されたアーム体47の先端に取付け部材48を介して軸線を垂直にして取付けられている。
Above the semiconductor wafer W held on the rotary table 16, a
上記アーム体47の基端は軸線を垂直にして配置された回転軸49の上端部に連結されている。この回転軸49の下端は回転駆動源51の出力軸52に連結されている。回転駆動源51の出力軸52は上記制御装置7によって回転角度が制御される。それによって、上記アーム体47の先端に設けられた第1のノズル体46は、図5に矢印Rで示すように半導体ウエハWの径方向一端E1から中心Oを通過して径方向他端E2に至る、上記半導体ウエハWを径方向に横切る円弧運動をするようになっている。
The base end of the
上記アーム体47の先端部で、上記第1のノズル体46の近くには第2のノズル体54が首振り機構55によって噴射角度の制御可能に設けられている。この首振り機構55は、図2と図3に示すように上記アーム体47に設けられたリニアモータ56を有する。このリニアモータ56は直線駆動される作動軸57の軸線を水平にして上記アーム体47に取り付けられている。上記作動軸57の先端には取り付け杆58の一端である上端が枢着されている。つまり、取り付け杆58の上端には長孔58aが形成され、この長孔58aに上記作動軸57の先端に設けられた支軸57aが移動可能に係合されている。
A
上記取り付け杆58は中途部が軸線を水平にした支軸59によって枢支され、他端である下端には上記第2のノズル体54が取り付けられている。上記支軸59は上記アーム体47の先端部側面から側方に向かって延出された支持部材60に枢支されている。
The
それによって、上記リニアモータ56の作動軸57が水平方向に往復駆動されると、上記取り付け杆58は支軸59を支点として図2に矢印N1で示す回動方向、つまり上記アーム体47の回動によって矢印N2で示す第1のノズル体46の移動方向とほぼ同方向に沿って揺動するようになっている。
As a result, when the operating
上記取り付け杆58が図2に実線で示す垂直な中立位置にあるとき、上記第2のノズル体54の軸線O2と、上記第1のノズル体46の軸線O1は上記回転テーブル16に保持された半導体ウエハWの上面で一致するよう、上記第2のノズル54は上記取り付け杆58に対して傾斜して取り付けられている。そして、アーム体47が回転駆動されると、上記取り付け杆58は図2に鎖線で示すように所定の範囲で揺動駆動される。
When the mounting
つまり、上記第2のノズル体54は、アーム体47が回転したときに、アーム体47の回転角度に応じてその軸線O2が常に半導体ウエハWの中心を向くよう取り付け杆58を介してリニアモータ56によって揺動駆動される。上記リニアモータ56の駆動は上記制御装置7によって制御される。
That is, the
図4に示すように、上記第1のノズル体46にはたとえば純水などの洗浄液と、気体としての不活性ガス、たとえば窒素ガスがそれぞれ給液管61及び給気管62を通じて供給される。給液管61及び給気管62には上記制御装置7によって開閉制御される開閉弁61a,62aが設けられている。それによって、上記第1のノズル体46からは、上記回転テーブル16に保持された半導体ウエハWに向けて処理液が窒素ガスによってミスト化されて噴射されるようになっている。
As shown in FIG. 4, the
上記第2のノズル体54には純水などの洗浄液を供給する給液管64が接続されている。この給液管64の中途部には上記制御装置7によって開閉制御される開閉弁64aが設けられている。それによって、上記第2のノズル体54からは処理液が液体の状態で噴射されるようになっている。
A
つぎに、上記構成の処理装置によって半導体ウエハWを洗浄処理する場合について説明する。
半導体ウエハWを回転テーブル16に保持し、この回転テーブル16を所定の回転数で回転させたならば、アーム体47の先端の取付け部材48に設けられた第1のノズル体46からミスト状の処理液を半導体ウエハWに向けて噴射する。
Next, a case where the semiconductor wafer W is cleaned by the processing apparatus having the above configuration will be described.
When the semiconductor wafer W is held on the
それと同時に、回転駆動源51を作動させてアーム体47を半導体ウエハWの径方向に沿って回転させながら、第2のノズル体54から液状の処理液を半導体ウエハWに向けて供給する。
At the same time, a liquid processing liquid is supplied from the
このようにすることで、半導体ウエハWは、第1のノズル体46から供給されるミスト状の処理液によって微細な部分も良好に洗浄処理される。しかしながら、処理液をミスト状にして供給すると、処理液の量が少なくなるから、半導体ウエハWの上面の径方向中心部から周辺部に向かう処理液の流れが生じ難くなる。そのため、半導体ウエハWの、とくに処理液の流れる量が少ない中心部が乾燥し易くなるから、その中心部に一度洗浄除去された汚れが再付着してしまうということがある。
By doing so, the fine portion of the semiconductor wafer W is also well cleaned by the mist-like processing liquid supplied from the
しかしながら、制御装置7は、アーム体47の回転角度に係らず、常に第2のノズル体54の軸線が半導体ウエハWの中心を向くよう、リニアモータ56の駆動を制御する。そのため、第2のノズル体54からは第1のノズル体46がミスト状の処理液を半導体ウエハWの中心部分以外の部分に噴射しているときであっても、半導体ウエハWの中心部に液状の処理液が噴射供給される。
However, the
上記第2のノズル体54によって半導体ウエハWの中心部に供給された液状の処理液は、半導体ウエハWの中心部から周辺部に向かって流れるから、第1のノズル体46から噴射供給されるミスト状の処理液が半導体ウエハWの中心部から外れた部分に供給されているときに、半導体ウエハWの中心部が乾燥するのを防止する。
Since the liquid processing liquid supplied to the central portion of the semiconductor wafer W by the
しかも、第2のノズル体54によって半導体ウエハWの中心部に供給された液状の処理液は中心部から周辺部に向かって流れるから、その流れによってミスト状の処理液によって除去された汚れが半導体ウエハWの上面から確実に排出される。そのため、そのことによっても半導体ウエハWの洗浄効果を向上させることができる。
In addition, since the liquid processing liquid supplied to the central portion of the semiconductor wafer W by the
図6はこの発明の第2の実施の形態を示す首振り機構の変形例である。この実施の形態は一対の首振り機構55Aがアーム体47を挟んで左右対称に設けられている。この首振り機構55Aは、アーム体47に回転軸72を垂直にして設けられたモータ71を有し、上記回転軸72にはカム体73が嵌着固定されている。
FIG. 6 is a modified example of the swing mechanism showing the second embodiment of the present invention. In this embodiment, a pair of
上記カム体73の外周面である、カム面には中途部が支軸74によって枢支された取り付け杆75の一端が当接している。各取り付け杆75は一端が上記カム体73の外周面に弾性的に当接するようばね76によって付勢されている。上記取り付け杆75の他端には第2のノズル体54が設けられている。
One end of a mounting
そして、上記モータ71の回転軸72が制御装置7によってアーム体47の回転角度に応じて駆動されることで、上記取り付け杆75が実線で示す角度θで傾斜した状態から、鎖線で示す垂直状態との間で揺動する。
Then, the rotating
そして、上記アーム体47が図5で示す半導体ウエハWのE1からOに向かって回転するときには、回転方向の前方に位置する一方の第2のノズル体54の角度が半導体ウエハWの中心を向くよう一方のモータ71の駆動が制御装置7によって制御され、上記アーム体47がOからE2に向かって回転するときには回転方向の後方に位置する他方の第2のノズル体54の角度が半導体ウエハWの中心を向くよう他方のモータ71の駆動が制御装置7によって制御される。
When the
それによって、第1のノズル体46が半導体ウエハWの中心部以外の部分にミスト状の処理液を供給しているときに、一対の第2のノズル体54によって液状の処理液を半導体ウエハWの中心部に供給することができる。
Accordingly, when the
なお、上記取り付け杆75を枢支した支軸74は、上記アーム体47に取り付けられた、図6に鎖線で示す逆T字状の取り付け部材77に設けられ、上記取り付け杆75を付勢したばね76の一端も上記取り付け部材77に連結されている。
The
このように、アーム体47に一対の第2のノズル体54を設ければ、1つの場合に比べて半導体ウエハWに処理液を供給する範囲を半分にすることができるから、その供給範囲に応じて第2のノズル体54の揺動角度も半分にすることができる。
Thus, if the
仮に、第2のノズル体54を1つとすることでその揺動角度が大きくなると、その第2のノズル体54から噴射される液状の処理液の噴射方向が第2のノズル体54の軸線方向から大きくずれるから、処理液が半導体ウエハWの中心部に確実に供給されなくなるということがある。
If the swing angle is increased by using one
そのため、半導体ウエハWが大口径化した場合であっても、第2のノズル体54を2つ設けることで、第2のノズル体54の揺動角度を1つの場合に比べて約半分にできるから、半導体ウエハWの中心部に液状の処理液を確実に供給することが可能となる。
Therefore, even when the semiconductor wafer W has a large diameter, by providing two
第2の実施の形態において、アーム体47を図5で示す半導体ウエハWの径方向外方の一端側のE1から中心Oに向かって回転させたのち、中心Oから径方向他方の外方E2に向かって回転させるようにした。
In the second embodiment, the
上記基板Wが前工程で濡れている場合には上述したようにアーム体47を回転させても差し支えないが、前工程で基板Wが濡れていない場合には、アーム体47を基板Wの中心Oから径方向外方に向かって回転させるようにすることが好ましい。このようにすれば、基板Wの中心部に液膜を先に形成することになるから、基板Wの中心部からの汚れの排出を高めることが可能となる。
When the substrate W is wet in the previous process, the
図7はこの発明の第3の実施の形態を示す首振り機構の変形例である。この実施の形態の首振り機構55Bはアーム体47に第1のモータ81が設けられている。この第1のモータ81の回転軸81aにはねじ軸82が連結されている。このねじ軸82には図示しないガイドによって回転不能な状態で上下方向に移動可能に設けられた可動体83が螺合されている。
FIG. 7 shows a modification of the swing mechanism showing the third embodiment of the present invention. The
上記可動体83には第2のモータ84が設けられている。この第2のモータ84の回転軸84aには取り付け杆85が連結されていて、この取り付け杆85の下端には第2のノズル体54が軸線を垂直線に対して所定の角度θで傾斜させて取り付けられている。
The
上記第2のモータ84は制御装置7によってアーム体47の回転角度に応じて駆動が制御される。それによって、上記第2のノズル体54はアーム体47の回転角度に係らず、液状の処理液の噴射方向が半導体ウエハWの中心部に向くよう揺動角度が制御される。
The driving of the
さらに、上記第1のモータ81を作動させれば、第2のモータ84と一体的に設けられた第2のノズル体54の高さを変更することができる。それによって、第2ノズル体54から噴射される液状の処理液の飛距離を、半導体ウエハWの口径に応じて変えることができる。
Further, when the
つまり、半導体ウエハWの口径が異なる場合、第2のノズル体54の揺動角度が同じであっても、高さ位置を変更するその半導体ウエハWの中心部に処理液を供給することができる。
That is, when the diameter of the semiconductor wafer W is different, the processing liquid can be supplied to the central portion of the semiconductor wafer W whose height position is changed even if the swing angle of the
なお、上記各実施の形態では基板として半導体ウエハを例に挙げて説明したが、基板としては液晶表示装置に用いられる矩形状のガラス板であってもよく、要は清浄に洗浄することが要求される板状のものであれば、この発明を適用することができる。 In each of the above-described embodiments, the semiconductor wafer is described as an example of the substrate. However, the substrate may be a rectangular glass plate used in a liquid crystal display device, and is required to be cleaned cleanly. The present invention can be applied to any plate-like material.
また、アーム体の回転に応じて第2のノズル体の傾斜角度を変える首振り機構は、上記各実施の形態に挙げた構成に限定されるものでなく、他の構成であっても差し支えない。 Further, the swing mechanism that changes the inclination angle of the second nozzle body in accordance with the rotation of the arm body is not limited to the configuration described in each of the above embodiments, and may have other configurations. .
また、上記各実施の形態では第1のノズル体から基板に供給される処理液をミスト状にし、第2のノズル体から基板に供給される処理液を液状の状態としたが、第1のノズル体から基板に供給される処理液を液状の状態とし、第2のノズル体から基板に供給される処理液をミスト状としても差し支えない。また、第1、第2のノズル体の両方から液状或いはミスト状の処理液を基板に供給するようにしてもよい。 In each of the above embodiments, the processing liquid supplied from the first nozzle body to the substrate is made mist, and the processing liquid supplied from the second nozzle body to the substrate is in a liquid state. The processing liquid supplied from the nozzle body to the substrate may be in a liquid state, and the processing liquid supplied from the second nozzle body to the substrate may be mist-shaped. Further, a liquid or mist processing liquid may be supplied to the substrate from both the first and second nozzle bodies.
7…制御装置、16…回転テーブル、46…第1のノズル体(第1の処理液供給手段)、47…アーム体、54…第2のノズル体(乾燥防止手段)、55,55A,55B…首振り機構。
DESCRIPTION OF
Claims (3)
上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルと、
基端を支点として上記回転テーブルの上方にて水平方向に円弧運動するアーム体を有し、
このアーム体の先端部には、
上記基板を横切る方向に駆動されながら上記基板に上記処理液を供給する処理液供給手段と、
この処理液供給手段とは別に上記アーム体の円弧運動に応じて首振りして上記基板の中心部に向けて上記処理液を供給する乾燥防止手段とを具備し、
上記処理液供給手段によって上記基板の中心部以外の部分が処理されているときに上記乾燥防止手段により上記基板の中心部に向けて上記処理液を供給するようにしたことを特徴とする基板の処理装置。 A substrate processing apparatus for processing with a processing liquid while rotating a substrate,
A rotary table that is driven to rotate while holding the substrate;
Having an arm body that performs a circular arc motion in the horizontal direction above the rotary table with the base end as a fulcrum;
At the tip of this arm body,
A treatment liquid supply means for supplying the processing liquid to the substrate while being driven in a direction across said substrate,
Toward the center portion of the substrate; and a drying prevention means for supplying the treatment liquid to swing in accordance with the separate arcuate movement of the arm body and the treatment liquid supply means,
The substrate is characterized in that the processing liquid is supplied toward the central portion of the substrate by the drying preventing means when a portion other than the central portion of the substrate is being processed by the processing liquid supply means. Processing equipment.
を具備することを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。 A swing mechanism for driving and swinging the drying prevention means, and a neck of the drying prevention means so that the processing liquid from the drying prevention means is supplied to the central portion of the substrate in accordance with the arc motion of the arm body. the substrate processing apparatus according to claim 1, characterized in that a control means for controlling the swing angle.
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KR101355917B1 (en) * | 2011-10-11 | 2014-01-29 | 세메스 주식회사 | Injection unit and Apparatus for treating substrate with the unit |
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US9355835B2 (en) * | 2012-06-29 | 2016-05-31 | Semes Co., Ltd. | Method and apparatus for processing substrate |
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Family Cites Families (2)
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JP2006086415A (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate washing device |
-
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11322346B2 (en) | 2020-09-18 | 2022-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning substrate method and method of processing substrate using the same |
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