JP5279377B2

JP5279377B2 - 新規なポリアルコキシキンクフェニル誘導体、それよりなるホスト材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

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Publication number: JP5279377B2
Application number: JP2008181021A
Authority: JP
Inventors: 淳二城戸; 久宏笹部; 吉則大前
Original assignee: Chemipro Kasei Kaisha Ltd
Current assignee: Chemipro Kasei Kaisha Ltd
Priority date: 2008-07-11
Filing date: 2008-07-11
Publication date: 2013-09-04
Anticipated expiration: 2028-07-11
Also published as: JP2010018557A

Description

本発明は、新規なポリアルコキシキンクフェニル誘導体、それよりなるホスト材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。

有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）の実用化に向けた研究開発が、国内外の電気メーカーや材料メーカーなどが中心になって進められている。液晶表示素子や発光ダイオードなどの既に世間で知られているディスプレイなどと、互角に取り扱われていくには消費電力の低減および素子の長寿命化が必須の課題として挙げられている。
そこでこの問題を解決する目的で、近年リン光材料による有機ＥＬ素子の検討がなされている（非特許文献１）。
リン光材料は、従来の蛍光材料と異なり、三重項励起状態を使用することができるため量子効率が非常に高く、エネルギー失活がほとんどなく内部発光量子収率でほぼ１００％に達する材料である。
しかしこのリン光材料は、濃度消光を起こしやすいため蛍光材料と同様にホスト材料との併用が必要になってくる。
高効率発光を得るためには、輸送材料やホスト材料の最適化を図らないといけないが、リン光材料は蛍光材料と異なり三重項エネルギーを完全に閉じ込めないと満足な効果が得られない。特に青色の材料に関してはエネルギーレベルが非常に高い。そのためにこれまで使用されていた４，４′−ジ（Ｎ−カルバゾリル）−１，１′−ビフェニル（ＣＢＰ）では十分なエネルギーの閉じ込めができない。残念なことに、この青色リン光エネルギーを満足に閉じ込めることのできるワイドギャップ化されたホスト材料はこれまでほとんどなく、青色リン光材料の開発を妨げる一つの要因になっていた。

Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７５（１）４（１９９９）

本発明の目的は、素子の低電圧駆動を可能にし、高効率な素子を提供するために必要な新規なポリアルコキシキンクフェニル誘導体、それよりなるホスト材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する点にある。

本発明の第１は、下記一般式（１）
（式中、Ｒは炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、ｒは水素および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群から独立して選ばれた基であり、Ｒ^２０〜Ｒ^３１およびＲ^４０〜Ｒ^４２は水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキルアミノ基およびフッ素原子よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、ｍは１または２の整数、ｎは３または４の整数であり、かつｍ＋ｎ＝５である。）
で示されることを特徴とするポリアルコキシキンクフェニル誘導体に関する。
本発明の第２は、下記一般式（２）
（式中、Ｒは炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、ｒは水素および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群から独立して選ばれた基であり、Ｒ^２０〜Ｒ^３１およびＲ^４０〜Ｒ^４２は水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキルアミノ基およびフッ素原子よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、ｍは１または２の整数、ｎは３または４の整数であり、かつｍ＋ｎ＝５である。）
で示されることを特徴とするポリアルコキシキンクフェニル誘導体に関する。
本発明の第３は、請求項１または２記載のポリアルコキシキンクフェニル誘導体よりなるホスト材料に関する。
本発明の第４は、請求項１または２記載のポリアルコキシキンクフェニル誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。

本発明におけるＲ、ｒおよびＲ^２０〜Ｒ^３１およびＲ^４０〜Ｒ^４２における炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基（但し、Ｒの場合は、アルコキシ中のアルキル部分）としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｉｓｏ−ペンチル、２，２−ジメチルプロピル、ｎ−ヘキシル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、４−メチルペンチル、２，２−ジメチルブチル、２，３−ジメチルブチル、３，３−ジメチルブチルなどを挙げることができる。
またＲ^２０〜Ｒ^３１およびＲ^４０〜Ｒ^４２におけるアルコキシ基およびアルキルアミノ基中のアルキル基部分についても、上記のアルキル基を例示することができる。

本発明の化合物は、下記の反応により製造することができる。
〔式中、Ｒは炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、ｒは水素および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群から独立して選ばれた基であり、Ｒ^２０〜Ｒ^３１およびＲ^４０〜Ｒ^４２は水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキルアミノ基およびフッ素原子よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、ｍは１または２の整数、ｎは３または４の整数であり、かつｍ＋ｎ＝５である。Ｘはハロゲン（例えばＣｌ、Ｂｒ、Ｉ）である。〕

本反応で使用する反応は、一般に鈴木カップリング反応と呼ばれ、詳細はＭｉｙａｕｒａ，Ｎ．；Ｓｕｚｕｋｉ，Ａ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．１９９５，９５，２４５７などに記述されている。
用いる溶媒は、芳香属炭化水素系溶媒とアルコール系溶媒の混合物もしくはエーテル系溶媒が使用できる。前記混合物の芳香属炭化水素系溶媒としては、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼンなどが例示できる。また前記アルコール系溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどが例示できる。エーテル系溶媒としては、テトラヒドロフランや１，４−ジオキサンのような環状エーテルやメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールジメトキシエーテルやエチレングリコールジエトキシエーテルなどが例示できる。
溶媒に対する原料の溶解性が反応進行の鍵になるため、好ましくはトルエンとアルコール系の混合溶媒であり、より好ましくはトルエンとエタノールの混合溶媒である。
反応で使用する塩基類（前記式中ではＫ_２ＣＯ_３を使用）に関しては、アルカリ金属を含むものであれば特に限定されるものではない。例示すれば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウムのような水酸化物、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウムのようなアルカリ金属の炭酸塩、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素セシウムのようなアルカリ金属の重炭酸塩あるいはリチウム、ナトリウム、カリウムあるいはセシウムなどのアルカリ金属のアルコラートあるいはアルカリ金属の酢酸塩などの有機塩基である。好ましくは、アルカリ金属の炭酸塩もしくは重炭酸塩であり、より好ましくは炭酸カリウムである。
反応で使用するパラジウムについては、ハロゲン化合物とホウ酸化合物とのカップリング反応であるため、同様にＰｄ（０）のものが使用できる。好ましくは、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム〔Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４〕あるいはトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムであり、より好ましくはパラジウム化合物の反応性よりテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムである。

本発明の化合物の具体例を以下に例示する。なお、下記例示化合物において、メチル基は他のアルキル基、例えばエチル基やプロピル基などと置き換えることができる。

本発明のポリアルコキシキンクフェニル誘導体は高いキャリア輸送性能を有する。従って、ホスト材料として使用することができる。これらはいずれも蒸着により層形成を行うのが望ましい。

本発明のポリアルコキシキンクフェニル誘導体を有機エレクトロルミネッセンス素子に使用する場合、適当な発光材料と組み合わせて使用することができる。

本発明のポリアルコキシキンクフェニル誘導体を発光層に用いる場合、本発明の化合物はホスト材料として使用できる。

次に本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）について説明する。本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に複数層の有機化合物を積層した素子であり、発光層のホスト材料として本発明のポリアルコキシキンクフェニル誘導体を含有する。発光層は、発光材料とホスト材料から構成される。多層型の有機ＥＬ素子の構成例としては、例えば陽極（例えばＩＴＯ）／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、ＩＴＯ／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極、ＩＴＯ／ホール輸送層／発光層／ホールブロック層／電子輸送層／陰極、ＩＴＯ／ホール輸送層／発光層／ホールブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極、ＩＴＯ／ホール注入層（正孔注入層）／ホール輸送層／発光層／ホールブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極等の多層構成で積層したものが挙げられる。また、必要に応じて陰極上に封止層を有していても良い。

ホール輸送層、電子輸送層、および発光層のそれぞれの層は、各機能を分離した多層構造であることが望ましい。またホール輸送層、電子輸送層はそれぞれの層で注入機能を受け持つ層（ホール注入層および電子注入層）と輸送機能を受け持つ層（ホール輸送層および電子輸送層）を別々に設けることもできる。

以下本発明の有機ＥＬ素子の構成要素に関して、陽極／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極からなる素子構成を例として取り上げて説明する。本発明の有機ＥＬ素子は、基板に支持されていることが好ましい。

基板の素材については特に制限はなく、例えば、従来の有機ＥＬ素子に慣用されているものが使用でき、例えば、ガラス、石英ガラス、透明プラスチックなどからなるものを用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子の陽極としては、仕事関数の大きな金属単体（４ｅＶ以上）、仕事関数の大きな金属同士の合金（４ｅＶ以上）または導電性物質およびこれらの混合物を電極材料とすることが好ましい。このような電極材料の具体例としては、金、銀、銅等の金属、ＩＴＯ（インジウム−スズオキサイド）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの導電性透明材料、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性高分子材料が挙げられる。陽極はこれらの電極材料を、例えば蒸着、スパッタリング、塗布などの方法により形成することができる。陽極のシート電気抵抗は数百Ω／ｃｍ^２以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、一般に５〜１，０００ｎｍ程度、好ましくは１０〜５００ｎｍである。

陰極としては、仕事関数の小さな金属単体（４ｅＶ以下）、仕事関数の小さい金属同士の合金（４ｅＶ以下）または導電性物質およびこれらの混合物を電極材料とすることが好ましい。このような電極材料の具体例としては、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金などが挙げられる。陰極はこれらの電極材料を、例えば蒸着、スパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより作成することができる。陰極のシート電気抵抗は数百Ω／ｃｍ^２以下が好ましい。陰極の膜厚は材料にもよるが、一般に５〜１，０００ｎｍ程度、好ましくは１０〜５００ｎｍである。本発明の有機ＥＬ素子の発光を効率よく取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極は透明もしくは半透明であることが好ましい。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子のホール輸送層（正孔輸送層）は、ホール（正孔）伝達化合物からなるもので、陽極より注入されたホール（正孔）を発光層に伝達する機能を有している。電界が与えた２つの電極の間に正孔伝達化合物が配置されて陽極からホールが注入された場合、少なくとも１０^−６ｃｍ^２／Ｖ・秒以上のホール移動度を有するホール伝達物質が好ましい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子のホール輸送層に使用するホール伝達物質は、前記の好ましい性能を有するものであれば特に制限はない。従来から光導電材料においてホールの電荷注入材料として慣用されているものや有機エレクトロルミネッセンス素子のホール輸送層に使用されている公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。

前記のホール伝達物質としては、たとえば銅フタロシアニンなどのフタロシアニン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−１，４−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジ（ｍ−トリル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−４，４−ジアミノフェニル（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ′−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−４，４−ジアミノフェニル（α−ＮＰＤ）等のトリアリールアミン誘導体、ポリフェニレンジアミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、および水溶性のＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ポリエチレンジオキサチオフェン−ポリスチレンスルホン酸）などが挙げられる。ホール輸送層は、これらの他のホール伝達化合物一種または二種以上からなる一層で構成されたものでよく、前記のホール伝達物質とは別の化合物からなるホール輸送層を積層したものでも良い。
ホール注入材料としては、下記化学式に示されるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ポリマー混合物）やＤＮＴＰＤを挙げることができる。

ホール輸送材料としては、下記化学式に示すＴＰＤ、ＤＴＡＳｉ、α−ＮＰＤなどを挙げることができる。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の電子輸送層は、電子輸送材料からなるもので、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有している。電界が与えた２つの電極の間に電子輸送材料が配置されて陰極から電子が注入された場合、少なくとも１０^−６ｃｍ^２／Ｖ・秒以上の電子移動度を有する電子輸送材料が好ましい。本発明の有機ＥＬ素子に使用する電子輸送層に使用する電子輸送材料は、前記の好ましい性能を有するものであれば特に制限はない。従来から光導電材料において電子の電荷注入材料として慣用されているものや有機エレクトロルミネッセンス素子の電子輸送層に使用されている公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。

前記の電子輸送材料としては、たとえばトリス（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）のようなキノリン錯体、１−Ｎ−フェニル−２−（ｐ−ビフェニルイル）−５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン（ＴＡＺ）のようなトリアジン誘導体、１，４−ジ（１，１０−フェナントロリン−２−イル）ベンゼン（ＤＰＢ）のようなフェナントロリン誘導体、フッ化リチウムのようなハロゲン化アルカリ金属などが挙げられる。電子輸送層は、これらの他の電子輸送材料の一種または二種以上からなる一層で構成されたものでよく、前記の電子輸送材料とは別の化合物からなる電子輸送層を積層したものでも良い。
電子注入材料としては、下記化学式に示されるフッ化リチウム（ＬｉＦ）や８−ヒドロキシキノリノラトリチウム錯体（Ｌｉｑ）などを挙げることができるが、本出願人の特願２００６−２９２０３２号にかかげるフェナントロリン誘導体のリチウム錯体（ＬｉＰＢ）や特願２００７−２９６９５号に掲げるフェノキシピリジンのリチウム錯体（ＬｉＰＰ）を用いることもできる。
電子輸送材料としては、下記化学式に示すＡｌｑ_３、ＴＡＺ、ＤＰＢなどを挙げることができる。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層に用いられる発光材料については、特に制限はなく、任意のものを選択して用いることができる。

発光材料としては、ペリレン誘導体、ナフタセン誘導体、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体（例えばクマリン１、クマリン５４０、クマリン５４５など）ピラン誘導体（例えばＤＣＭ−１、ＤＣＭ−２、ＤＣＪＴＢなど）、有機金属錯体、例えばトリス（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｍｑ_３）等の蛍光材料や〔２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジル−Ｎ，Ｃ２′〕イリジウム（III）ピコリレート（ＦＩｒｐｉｃ）、トリス｛１−〔４−（トリフルオロメチル）フェニル〕−１Ｈ−ピラゾラート−Ｎ，Ｃ２′｝イリジウム（III）（Ｉｒｔｆｍｐｐｚ_３）、ビス〔２−（４′，６′−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２′〕イリジウム（III）テトラキス（１−ピラゾリル）ボレート（ＦＩｒ６）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（III）（Ｉｒｐｐｙ_３）などのリン光材料などを挙げることができる。

発光層は、ホスト材料と発光材料（ドーパント）から形成される［Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６５３６１０（１９８９）］。特にリン光材料を発光層に使用する場合、ホスト材料の使用が必要であり、この時使用されるホスト材料としては本発明のポリアルコキシキンクフェニル誘導体を用いることが好ましい。その他既存のホスト材料４，４′−ジ（Ｎ−カルバゾリル）−１，１′−ビフェニル（ＣＢＰ）、１，４−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン−２，２′−ジ〔４″−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル〕−１，１′−ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ）等と併用することもできる。

発光材料は、ホスト材料に対して好ましくは０．０１〜４０重量％であり、より好ましくは０．１〜２０重量％である。発光材料としては、下記に示す従来公知のＦＩｒｐｉｃ、Ｉｒｐｐｙ_３、Ｆｉｒ６等を挙げることができる。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、ホール注入性をさらに向上させる目的で陽極と有機化合物の層の間に有機導電体から構成されるホール注入層をさらに設けても良い。ここで使用されるホール注入材料としては、本発明の化合物の他に銅フタロシアニンなどのフタロシアニン誘導体、ポリフェニレンジアミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、およびＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸）などが挙げられる。

本発明のポリアルコキシキンクフェニル誘導体を含む素子のホール注入層、ホール輸送層の形成方法については特に限定されるものではない。例えば乾式製膜法（例えば真空蒸着法、イオン化蒸着法など）、湿式製膜法〔溶媒塗布法（例えばスピンコート法、キャスト法、インクジェット法など）〕を使用することができる。電子輸送層の製膜については、湿式製膜法で行うと下層が溶出する恐れがあるため乾式製膜法（例えば真空蒸着法、イオン化蒸着法など）に限定される。素子の作成については上記の製膜法を併用しても構わない。

真空蒸着法によりホール輸送層、発光層、電子輸送層などの各層を形成する場合、真空蒸着条件は特に限定されるものではない。通常１０^−５Ｔｏｒｒ程度以下の真空下で５０〜５００℃程度のボート温度（蒸着原温度）、−５０〜３００℃程度の基板温度で、０．０１〜５０ｎｍ／ｓｅｃ．程度蒸着することが好ましい。正孔輸送層、発光層、電子輸送層の各層を複数の化合物を使用して形成する場合、化合物を入れたボートをそれぞれ温度制御しながら共蒸着することが好ましい。

ホール注入層、ホール輸送層を溶媒塗布法で形成する場合、各層を構成する成分を溶媒に溶解または分散させて塗布液とする。溶媒としては、炭化水素系溶媒（例えばヘプタン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン等）、ケトン系溶媒（例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等）、ハロゲン系溶媒（例えばジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等）、エステル系溶媒（例えば酢酸エチル、酢酸ブチル等）、アルコール系溶媒（例えばメタノール、エタノール、ブタノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等）、エーテル系溶媒（例えばジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン等）、非プロトン性溶媒（例えばＮ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等）、水等が挙げられる。溶媒は単独で使用しても良く、複数の溶媒を併用しても良い。

ホール輸送層、発光層、電子輸送層等の各層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常５〜５，０００ｎｍになるようにする。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、酸素や水分等の接触を遮断する目的で保護層（封止層）を設けたり、不活性物質中に素子を封入して保護することができる。不活性物質としては、パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン等が挙げられる。保護層に使用する材料としては、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、光硬化性樹脂等がある。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、通常直流駆動の素子として使用できる。直流電圧を印加する場合、陽極をプラス、陰極をマイナスの極性として通常１．５〜２０Ｖ程度印加すると発光が観察される。また本発明の有機ＥＬ素子は交流駆動の素子としても使用できる。交流電圧を印加する場合には、陽極がプラス、陰極がマイナスの状態になった時に発光する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば電子写真感光体、フラットパネルディスプレイなどの平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト、計器等の光源、各種発光素子、各種表示装置、各種標識、各種センサー、各種アクセサリーなどに使用することができる。

図２５〜３３に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の好ましい例を示す。

図２５は、本発明の有機ＥＬ素子の一例を示す断面図である。図２５は、基板１上に陽極２、正孔輸送層５、発光層３および陰極４を順次設けた構成のものである。この場合、発光層は電子輸送性の機能を有している場合に有用である。

図２６は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図２６は、基板１上に陽極２、正孔輸送層５、発光層３、電子輸送層６および陰極４を順次設けた構成のものである。これはキャリア輸送と発光の機能を分離したものであり、材料選択の自由度が増すために、発光の高効率化や発光色の自由度が増すことになる。

図２７は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図２７は、基板１上に陽極２、正孔（ホール）注入層７、正孔（ホール）輸送層５、発光層３、電子輸送層６および陰極４を順次設けた構成のものである。この場合、正孔（ホール）注入層７を設けることにより、陽極２と正孔（ホール）輸送層５の密着性を高め、陽極からの正孔（ホール）の注入を良くし、発光素子の低電圧化に効果がある。

図２８は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図２８は、基板１上に陽極２、正孔（ホール）輸送層５、発光層３、電子輸送層６、電子注入層８および陰極４を順次設けた構成のものである。この場合、陰極４から電子の注入を良くし、発光素子の低電圧化に効果がある。

図２９は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図２９は、基板１上に陽極２、正孔（ホール）注入層７、正孔（ホール）輸送層５、発光層３、電子輸送層６、電子注入層８および陰極４を順次設けた構成のものである。この場合、陽極２から正孔（ホール）の注入を良くし、陰極４から電子注入を良くし、最も低電圧駆動に効果がある構成である。

図３０〜３３は素子の中に正孔（ホール）ブロック層を挿入したものの断面図である。正孔（ホール）ブロック層は、陽極から注入された正孔（ホール）、あるいは発光層３で再結合により生成した励起子が、陰極４に抜けることを防止する効果があり、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率の向上に効果がある。正孔（ホール）ブロック層９については、発光層３と陰極４の間もしくは発光層３と電子輸送層６の間あるいは発光層３と電子注入層８の間に挿入することができる。より好ましいものは発光層３と電子輸送層６の間である。

図３０〜３３で、正孔（ホール）輸送層５、正孔（ホール）注入層７、電子輸送層６、電子注入層８、発光層３、正孔（ホール）ブロック層９のそれぞれの層は、一層構造であっても多層構造であっても良い。

図２５〜３３は、あくまでも基本的な素子構成であり、本発明の化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の構成はこれに限定されるものではない。

本発明のポリアルコキシキンクフェニル誘導体は、従来のカルバゾール置換ホスト材料とは異なりホールと電子のキャリアーバランスがよく、発光層中で効率よくドーパントにエネルギーを与えることができ、また膜厚依存性も少ない。エネルギーギャップも３．６ｅＶ〜４．０ｅＶと十分に広く、発光に多くのエネルギーが必要な青色リン光ドーパントとの組み合わせでも十分な効果が期待できる。
よって本発明の化合物は、素子を高効率化させるために必要なものであり工業的に極めて重要なものである。

以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれにより何ら限定されるものではない。

実施例１
２，２″″，５，５″″−テトラメトキシ−５″−〔２′，５′−ジメトキシ（１，１′−ビフェニル）−４−イル〕−１，１′：３′，１″：３″，１″′：３″′，１″″−キンクフェニル（略号２，５−ＤＭＰＴＰＢ）の合成
１，３，５−トリス−（ｍ−ブロモフェニル）ベンゼン（略号ＴｍＢｒＰｈＢ）２．１７ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、２，５−ジメトキシフェニルボロン酸２．８４ｇ（１５．６ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸カリウム水溶液９．０ｍｌ、トルエン８０ｍｌ、エタノール４０ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム〔Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４〕０．２８ｇ（０．２４ｍｍｏｌ）を加え、２２時間還流した。有機層をトルエンで抽出、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）にて精製することにより、白色泡状固体を得た。目的物の確認は、^１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析（以下ＭＳと略す）により行った。（収量２．６０ｇ，収率９１％）
無色透明固体、^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ７．８７〜７．８６（ｍ，６Ｈ）、７．６８（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）、７．６０〜７．５０（ｍ，６Ｈ）、６．９８〜６．８６（ｍ，９Ｈ）、３．８１（ｓ，９Ｈ）、３．７７（ｓ，９Ｈ）ｐｐｍ．ＭＳ：ｍ／ｚ７１６［Ｍ＋Ｈ］^＋．元素分析：Ｃ_４８Ｈ_４２Ｏ_６としての計算値は、Ｃ，８０．６５％；Ｈ，５．９２％、実測値は、Ｃ，８０．７９％：Ｈ，５．９１％．
得られた２，５−ＤＭＰＴＰＢの^１Ｈ−ＮＭＲのチャートを図１に、ＭＳのチャートを図２（クロマトグラム）および図３（スペクトル）に示す。また２，５−ＤＭＰＴＰＢの薄膜状での紫外線吸収スペクトル（ＵＶ）とフォトルミネッセンス（ＰＬ）の測定結果を図４に示す。
さらに熱化学特性と電気化学特性について表１にまとめる。
Ｔｄ：分解温度、
Ｔｇ：二次転移温度、
Ｔｍ：融点、
Ｉｐ：イオン化ポテンシャル、
Ｅｇ：エネルギーギャップ、
Ｅａ：エレクトロアフィニティ（電子親和力）、
ｎ．ｄ．：検出されず
Ｔｇ（二次転移温度）については、ＤＳＣ（ＤｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌＳｃａｎｎｉｎｇＣａｌｏｒｉｍｅｔｅｒ示差熱量計）中にサンプルを加え、溶融されたものを急冷する。この溶融、急冷を２〜３回繰返すとガラス点を示すカーブがチャート上に現れるので、そのカーブを接線で結び、その交点の温度をＴｇとして採用する。
Ｔｍ（融点）は、同じくＤＳＣにサンプルを加え、昇温させていくと急熱カーブが現れるのでその極大のところの温度を読んで、その温度をＴｍとする。
Ｔｄ（分解温度）は、ＤＴＡ（ＤｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌＴｈｅｒｍａｌＡｎａｌｙｚｅｒ示差熱分析装置）にサンプルを加え、加熱していくとサンプルが熱によって分解し、重量が減少しだす。その減少が開始し５重量％減少したところの温度を読んでその点をＴｄとする。
エネルギーギャップ（Ｅｇ）については、蒸着機で作成した薄膜を紫外−可視吸光度計で薄膜の吸収曲線を測定する。その薄膜の短波長側の立ち上がりのところに接線を引き、求まった交点の波長Ｗ（ｎｍ）を次の式に代入し目的の値を求める。それによって得た値がＥｇになる。
Ｅｇ＝１２４０÷Ｗ
例えば接線を引いて求めた値Ｗ（ｎｍ）が４７０ｎｍだったとしたらこの時のＥｇの値は
Ｅｇ＝１２４０÷４７０＝２．６３（ｅＶ）
と言うことになる。
ＩＰ（イオン化ポテンシャル）はイオン化ポテンシャル測定装置（例えば理研計器ＡＣ−３）を使用して測定し、測定するサンプルがイオン化を開始したところの電圧（ｅＶ）の値を読む。
Ｅａ（電子親和力）は、ＩｐからＥｇを引いた値である。

実施例２
３，３″″，５，５″″−テトラメトキシ−５″−〔３′，５′−ジメトキシ（１，１′−ビフェニル）−４−イル〕−１，１′：３′，１″：３″，１″′：３″′，１″″−キンクフェニル（略号３，５−ＤＭＰＴＰＢ）の合成
ＴｍＢｒＰｈＢ２．１７ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、３，５−ジメトキシフェニルボロン酸ピナコールエステル４．１０ｇ（１５．６ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸カリウム水溶液９．０ｍｌ、トルエン８０ｍｌ、エタノール４０ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４０．２８ｇ（０．２４ｍｍｏｌ）を加え、１６時間還流した。有機層をトルエンで抽出、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）にて精製することにより、白色泡状固体を得た。目的物の確認は、^１Ｈ−ＮＭＲ、ＭＳにより行った。（収量２．４５ｇ，収率８６％）
無色透明固体、^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ７．８７（ｓ，６Ｈ），７．６９（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）７．６１〜７．５２（ｍ，６Ｈ），６．７８（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝２．２Ｈｚ），６．４８（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝２．２Ｈｚ），３．８４（ｓ，１８Ｈ）ｐｐｍ．ＭＳ：ｍ／ｚ７１６［Ｍ＋Ｈ］^＋．元素分析：Ｃ_４８Ｈ_４２Ｏ_６としての計算値は、Ｃ，８０．６５％；Ｈ，５．９２％．実測値は、Ｃ，８０．３８％；Ｈ，５．８６％．
得られた３，５−ＤＭＰＴＰＢの^１Ｈ−ＮＭＲのチャートを図５に、ＭＳのチャートを図６（クロマトグラム）と７（スペクトル）に示す。また薄膜状での紫外線吸収スペクトル（ＵＶ）とフォトルミネッセンス（ＰＬ）の測定結果を図８に示す。
さらに熱化学特性と電気化学特性について表２にまとめる。

実施例３
４，４″″−ジメトキシ−５″−〔４′−メトキシ（１，１′−ビフェニル）−４−イル〕−１，１′：３′，１″：３″，１″′：３″′，１″″−キンクフェニル（略号４−ＭｅＯＰＴＰＢ）の合成
ＴｍＢｒＰｈＢ２．１７ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、４−メトキシフェニルボロン酸２．３７ｇ（１５．６ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸カリウム水溶液９．０ｍｌ、トルエン８０ｍｌ、エタノール４０ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４０．２８ｇ（０．２４ｍｍｏｌ）を加え、１９時間還流した。有機層をトルエンで抽出、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）にて精製することにより、白色固体を得た。目的物の確認は、^１Ｈ−ＮＭＲ、ＭＳにより行った。（収量２．０ｇ，収率８０％）
無色透明固体、^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ７．８８（ｓ，３Ｈ），７．８７（ｓ，３Ｈ），７．６６〜７．４９（ｍ，１５Ｈ），７．００（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝８．２Ｈｚ），３．８５（ｓ，９Ｈ）ｐｐｍ．ＭＳ：ｍ／ｚ６２６［Ｍ＋Ｈ］^＋．
得られた４−ＭｅＯＰＴＰＢの^１Ｈ−ＮＭＲのチャートを図９に、ＭＳのチャートを図１０および図１１に示す。また薄膜状での紫外線吸収スペクトル（ＵＶ）とフォトルミネッセンス（ＰＬ）の測定結果を図１２に示す。
さらに熱化学特性と電気化学特性について表３にまとめる。

実施例４〜６および比較例１
実施例１、２および３で合成したホスト材料２，５−ＤＭＰＴＰＢ、３，５−ＤＭＰＴＰＢおよび４−ＭｅＯＰＴＰＢを用いた緑色リン光素子を作成した。比較例１として４，４′−ジ（カルバゾール−９−イル）−１，１′−ビフェニル（略称ＣＢＰ）を用いた素子を作成し、それぞれの素子の性能を評価した。
これらの各素子のエネルギーダイアグラムを図１３に示す。
また、各素子の構成は下記に示す。
実施例４：［ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／３，５−ＤＭＰＴＰＢ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）_３（１０ｎｍ）／ＢｍＰｙＰＢ（５０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）］
実施例５：［ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／２，５−ＤＭＰＴＰＢ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）_３（１０ｎｍ）／ＢｍＰｙＰＢ（５０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）］
実施例６：［ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／４−ＭｅＯＰＴＰＢ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）_３（１０ｎｍ）／ＢｍＰｙＰＢ（５０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）］
比較例１：［ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）_３（１０ｎｍ）／ＢｍＰｙＰＢ（５０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）］
電流密度−電圧特性は図１４に、
輝度−電圧特性は図１５に、
視感効率−電圧特性は図１６に、
電流効率−電圧特性は図１７に、
エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）スペクトルは図１８に、
それぞれ示す。
また、実施例４〜６と比較例１の緑色リン光素子の１００ｃｄ／ｍ^２と１０００ｃｄ／ｍ^２におけるそれぞれの視感効率および外部量子効率特性を表４に示す。

実施例７〜９および比較例２
実施例１、２および３で合成したホスト材料２，５−ＤＭＰＴＰＢ、３，５−ＤＭＰＴＰＢおよび４−ＭｅＯＰＴＰＢを用いた青色リン光素子を作成した。また比較例２としてＣＢＰを用いた素子を作成し、それぞれの素子の性能を評価した。
これらの各素子のエネルギーダイアグラムを図１９に示す。
また、各素子の構成は下記に示す。
実施例７：［ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／３ＤＴＡＰＢＰ（２０ｎｍ）／３，５−ＤＭＰＴＰＢ：１１ｗｔ％ＦＩｒｐｉｃ（１０ｎｍ）／ＢｍＰｙＰＢ（５０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）］
実施例８：［ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／３ＤＴＡＰＢＰ（２０ｎｍ）／２，５−ＤＭＰＴＰＢ：１１ｗｔ％ＦＩｒｐｉｃ（１０ｎｍ）／ＢｍＰｙＰＢ（５０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）］
実施例９：［ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／３ＤＴＡＰＢＰ（２０ｎｍ）／４−ＭｅＯＰＴＰＢ：１１ｗｔ％ＦＩｒｐｉｃ（１０ｎｍ）／ＢｍＰｙＰＢ（５０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）］
比較例２：［ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／３ＤＴＡＰＢＰ（２０ｎｍ）／ＣＢＰ：１１ｗｔ％ＦＩｒｐｉｃ（１０ｎｍ）／ＢｍＰｙＰＢ（５０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）］
電流密度−電圧特性は図２０に、
輝度−電圧特性は図２１に、
視感効率−電圧特性は図２２に、
電流効率−電圧特性は図２３に、
エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）スペクトルは図２４に、
それぞれ示す。
また、実施例７〜９と比較例２の青色リン光素子の１００ｃｄ／ｍ^２と１０００ｃｄ／ｍ^２におけるそれぞれの視感効率および外部量子効率特性を表５に示す。
図２１で見られるとおり、低電圧側では各実施例と比較例にほとんど差異は見られないが、高電圧側では各実施例化合物の方が比較例に較べて高輝度領域で発光している傾向が見られる。

実施例１の２，５−ＤＭＰＴＰＢの^１Ｈ−ＮＭＲのチャートを示す。実施例１の２，５−ＤＭＰＴＰＢのＭＳのチャート（クロマトグラム）を示す。実施例１の２，５−ＤＭＰＴＰＢのＭＳのチャート（スペクトル）を示す。実施例１の２，５−ＤＭＰＴＰＢのＵＶ−ＰＬ曲線を示す。実施例２の３，５−ＤＭＰＴＰＢの^１Ｈ−ＮＭＲのチャートを示す。実施例２の３，５−ＤＭＰＴＰＢのＭＳのチャート（クロマトグラム）を示す。実施例２の３，５−ＤＭＰＴＰＢのＭＳのチャート（スペクトル）を示す。実施例２の３，５−ＤＭＰＴＰＢのＵＶ−ＰＬ曲線を示す。実施例３の４−ＭｅＯＰＴＰＢの^１Ｈ−ＮＭＲチャートを示す。実施例３の４−ＭｅＯＰＴＰＢのＭＳのチャート（クロマトグラム）を示す。実施例３の４−ＭｅＯＰＴＰＢのＭＳのチャート（スペクトル）を示す。実施例３の４−ＭｅＯＰＴＰＢのＵＶ−ＰＬ曲線を示す。実施例４〜６と比較例１のエネルギーダイアグラムを示す。実施例４〜６と比較例１の電流密度−電圧特性を示す。実施例４〜６と比較例１の輝度−電圧特性を示す。実施例４〜６と比較例１の視感効率−電圧特性を示す。実施例４〜６と比較例１の電流効率−電圧特性を示す。実施例４〜６と比較例１のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）スペクトルを示す。実施例７〜９と比較例２のエネルギーダイアグラムを示す。実施例７〜９と比較例２の電流密度−電圧特性を示す。実施例７〜９と比較例２の輝度−電圧特性を示す。実施例７〜９と比較例２の視感効率−電圧特性を示す。実施例７〜９と比較例２の電流効率−電圧特性を示す。実施例７〜９と比較例２のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）スペクトルを示す。本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。

符号の説明

１基板
２陽極（ＩＴＯ）
３発光層
４陰極
５正孔（ホール）輸送層
６電子輸送層
７正孔（ホール）注入層
８電子注入層
９正孔（ホール）ブロック層

Claims

下記一般式（１）
（式中、Ｒは炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、ｒは水素および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群から独立して選ばれた基であり、Ｒ^２０〜Ｒ^３１およびＲ^４０〜Ｒ^４２は水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキルアミノ基およびフッ素原子よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、ｍは１または２の整数、ｎは３または４の整数であり、かつｍ＋ｎ＝５である。）
で示されることを特徴とするポリアルコキシキンクフェニル誘導体。
下記一般式（２）
（式中、Ｒは炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、ｒは水素および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群から独立して選ばれた基であり、Ｒ^２０〜Ｒ^３１およびＲ^４０〜Ｒ^４２は水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキルアミノ基およびフッ素原子よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、ｍは１または２の整数、ｎは３または４の整数であり、かつｍ＋ｎ＝５である。）
で示されることを特徴とするポリアルコキシキンクフェニル誘導体。
請求項１または２記載のポリアルコキシキンクフェニル誘導体よりなるホスト材料。
請求項１または２記載のポリアルコキシキンクフェニル誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子。