JP5252104B1 - 静電容量型センサ、音響センサ及びマイクロフォン - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板12の上方にダイアフラム13が配置される。基板12の上面には、ダイアフラム13を覆うようにしてバックプレート18が設けられ、その下面に固定電極板19が配置される。ダイアフラム13は、第1及び第2ダイアフラム13a、13bに分割される。同様に、固定電極板19も第1及び第2固定電極板19a、19bに分割される。第2ダイアフラム13bと第2固定電極板19bで構成された音響センシング部では、バックプレート18に孔径の小さなアコースティックホール24bが開口され、第1ダイアフラム13aと第1固定電極板19aによって構成された音響センシング部では、バックプレート18に孔径の大きなアコースティックホール24aが開口される。
【選択図】図3
Description
以下、図3−6を参照して本発明の実施形態1による音響センサの構造を説明する。図3は、本発明の実施形態1による音響センサ11の分解斜視図である。図4は、音響センサ11の断面図である。図5Aは、音響センサ11の平面図である。図5Bは、図5AのX部拡大図である。図6は、バックプレート18や保護膜30などを除いた音響センサ11の平面図であって、シリコン基板12の上方でダイアフラム13と固定電極板19が重なった様子を表している。ただし、これらの図は、音響センサ11のMEMSによる製造工程を反映したものではない
また、図12Aによれば、アコースティックホール24bの孔径D2を小さくすることで、第1固定電極板19aの変位も小さくできることが分かる。
図16は、本発明の実施形態1の変形例による音響センサを示す平面図であって、バックプレート18や保護膜30などを除いた状態を表わしている。この音響センサのように、ダイアフラム13は、スリット17によって第1ダイアフラム13aと第2ダイアフラム13bとに完全に分離され、第1固定電極板19aと第2固定電極板19bが連結部64によって一体につながっていてもよい。
図17は、本発明の実施形態2による音響センサ71を示す平面図である。この音響センサ71では、第2音響センシング部23bのアコースティックホール24bは、第1音響センシング部23aのアコースティックホール24aよりも分布密度(数密度)が小さくなっている。すなわち、アコースティックホール24bの配列ピッチは、アコースティックホール24aの配列ピッチよりも大きくなっている。アコースティックホール24bの配列ピッチは、アコースティックホール24aの配列ピッチの2倍以上であることが好ましい。一方、第1音響センシング部23aのアコースティックホール24aと第2音響センシング部23bのアコースティックホール24bは同じ孔径を有している。これ以外の点については、当該音響センサ71は、実施形態1の音響センサ11と同じ構造を有しているので、説明を省略する。
図18は、本発明の実施形態3による音響センサ81を示す断面図である。この音響センサ81では、第2音響センシング部23bにおけるバックプレート18、すなわちバックプレート18bの厚みが、第1音響センシング部23aにおけるバックプレート18、すなわちバックプレート18aの厚みよりも厚くなっている。アコースティックホール24aとアコースティックホール24bの分布密度や孔径は同じであってもよい。これ以外の点については、当該音響センサ71は、実施形態1の音響センサ11と同じ構造を有しているので、説明を省略する。
図19は、本発明の実施形態4による音響センサ91の構造を示す平面図であって、バックプレートや保護膜などを除いた状態を表わしている。この音響センサ91は、3つの音響センシング部23a、23b、23cを有している。音響センシング部23aは、ダイアフラム13aと固定電極板19aによって構成されたコンデンサ構造である。音響センシング部23cは、ダイアフラム13cと固定電極板19cによって構成されたコンデンサ構造である。音響センシング部23a及び23cは、小音圧域用の高感度のセンシング部である。音響センシング部23bは、ダイアフラム13bと固定電極板19bによって構成されたコンデンサ構造であって、大音圧域用の低感度のセンシング部である。
図20は、本発明の実施形態5による音響センサ101の構造を示す平面図であって、バックプレートや保護膜などを除いた状態を表わしている。この音響センサ101も、3つの音響センシング部23a、23b、23cを有している。音響センシング部23aは、ダイアフラム13aと固定電極板19aによって構成されたコンデンサ構造であって、小音圧域用の高感度のセンシング部である。音響センシング部23bは、ダイアフラム13bと固定電極板19bによって構成されたコンデンサ構造であって、大音圧域用の低感度のセンシング部である。音響センシング部23cは、ダイアフラム13cと固定電極板19cによって構成されたコンデンサ構造であって、中音圧域用の中感度のセンシング部である。
ダイアフラム13や固定電極板19を分割する形態は、上記実施形態のようなものに限らない。たとえば、固定電極板19を、その外周領域とその内側領域とに分割し、外周領域に位置する面積が小さくて略環状をした領域を感度の低い第2固定電極板19bとし、その内側にある領域を感度の高い第1固定電極板19aとしてもよい(特願2011−002313の図1を参照)。ダイアフラム13についても同様である。
12 シリコン基板
13 ダイアフラム
13a 第1ダイアフラム
13b 第2ダイアフラム
13c 第3ダイアフラム
17、17a、17c スリット
18、18a、18b バックプレート
19 固定電極板
19a 第1固定電極板
19b 第2固定電極板
19c 第3固定電極板
23a、23b、23c 音響センシング部
24、24a、24b アコースティックホール
25 ストッパ
41 マイクロフォン
42 回路基板
43 カバー
44 信号処理回路
45 音導入孔
Claims (12)
- 基板の上方に形成された振動電極板と、
前記振動電極板を覆うようにして前記基板の上方に形成されたバックプレートと、
前記振動電極板と対向させるようにして前記バックプレートに設けた固定電極板とを備えた静電容量型センサにおいて、
前記振動電極板と前記固定電極板のうち少なくとも一方が複数領域に分割されていて、分割された各領域毎にそれぞれ前記振動電極板と前記固定電極板からなるセンシング部が形成され、
複数の前記センシング部から異なる感度の複数の信号が出力され、
前記センシング部のうち少なくとも一部のセンシング部は、その振動電極板の面積が他のセンシング部における振動電極板の面積と異なり、
前記センシング部のうち前記振動電極板の面積が小さい一部のセンシング部は、その領域におけるバックプレートの剛性が、前記振動電極板の面積が大きい他のセンシング部におけるバックプレートの剛性よりも高くなっていることを特徴とする静電容量型センサ。 - 基板の上方に形成された振動電極板と、
前記振動電極板を覆うようにして前記基板の上方に形成されたバックプレートと、
前記振動電極板と対向させるようにして前記バックプレートに設けた固定電極板とを備えた静電容量型センサにおいて、
前記振動電極板と前記固定電極板のうち少なくとも一方が複数領域に分割されていて、分割された各領域毎にそれぞれ前記振動電極板と前記固定電極板からなるセンシング部が形成され、
複数の前記センシング部から異なる感度の複数の信号が出力され、
前記センシング部はそれぞれ、前記バックプレート及び前記固定電極板に複数個の開口を形成され、
前記センシング部のうち少なくとも一部のセンシング部は、その振動電極板の面積が他のセンシング部における振動電極板の面積と異なり、
前記センシング部のうち前記振動電極板の面積が異なる少なくとも一対のセンシング部は、振動電極板の面積が小さい側のセンシング部における前記開口の開口率が、振動電極板の面積が大きい側のセンシング部における前記開口の開口率よりも小さくなっていることを特徴とする静電容量型センサ。 - 前記バックプレートの開口率は、前記開口の孔径によって調整されていることを特徴とする、請求項2に記載の静電容量型センサ。
- 前記振動電極板と前記固定電極板のうち少なくとも一方が2つの領域に分割されていて2つの前記センシング部が形成され、
振動電極板の面積が小さい側の前記センシング部における前記開口の孔径は、振動電極板の面積が大きい側の前記センシング部における前記開口の孔径の1/2以下であることを特徴とする、請求項3に記載の静電容量型センサ。 - 振動電極板の面積が小さい側の前記センシング部における前記開口の孔径は、10μm以下であることを特徴とする、請求項4に記載の静電容量型センサ。
- 前記バックプレートの開口率は、前記開口の分布密度によって調整されていることを特徴とする、請求項2に記載の静電容量型センサ。
- 前記振動電極板と前記固定電極板のうち少なくとも一方が2つの領域に分割されていて2つの前記センシング部が形成され、
振動電極板の面積が小さい側の前記センシング部における前記開口の配列ピッチは、振動電極板の面積が大きい側の前記センシング部における前記開口の配列ピッチの2倍以上であることを特徴とする、請求項6に記載の静電容量型センサ。 - 前記バックプレートの開口率は、前記開口の孔径及び分布密度によって調整されていることを特徴とする、請求項2に記載の静電容量型センサ。
- 基板の上方に形成された振動電極板と、
前記振動電極板を覆うようにして前記基板の上方に形成されたバックプレートと、
前記振動電極板と対向させるようにして前記バックプレートに設けた固定電極板とを備えた静電容量型センサにおいて、
前記振動電極板と前記固定電極板のうち少なくとも一方が複数領域に分割されていて、分割された各領域毎にそれぞれ前記振動電極板と前記固定電極板からなるセンシング部が形成され、
複数の前記センシング部から異なる感度の複数の信号が出力され、
前記センシング部のうち少なくとも一部のセンシング部は、その振動電極板の面積が他のセンシング部における振動電極板の面積と異なり、
前記センシング部のうち前記振動電極板の面積が異なる少なくとも一対のセンシング部は、振動電極板の面積が小さい側のセンシング部におけるバックプレートの厚みが、振動電極板の面積が大きい側のセンシング部におけるバックプレートの厚みよりも厚くなっていることを特徴とする静電容量型センサ。 - 前記振動電極板が複数領域に分割されていて、分割された各領域毎にそれぞれ前記振動電極板と前記固定電極板からなるセンシング部が形成されていることを特徴とする請求項1、2又は9に記載の静電容量型センサ。
- 請求項1、2又は9に記載の静電容量型センサを利用した音響センサであって、
前記バックプレート及び前記固定電極板に、音響振動を通過させるための複数個の開口を形成し、
音響振動に感応した前記ダイアフラムと前記固定電極板との間の静電容量の変化により、前記センシング部から信号を出力することを特徴とする音響センサ。 - 請求項11に記載の音響センサと、前記音響センサからの信号を増幅して外部に出力する回路部とを備えたマイクロフォン。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9351082B2 (en) | 2014-03-14 | 2016-05-24 | Omron Corporation | Capacitance-type transducer |
CN113708620A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-11-26 | 慧石(上海)测控科技有限公司 | 电荷泵电路结构及微型电荷泵 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012215239B4 (de) * | 2012-08-28 | 2023-12-21 | Robert Bosch Gmbh | Bauteil und Verfahren zum Prüfen eines solchen Bauteils |
DE102013213717A1 (de) * | 2013-07-12 | 2015-01-15 | Robert Bosch Gmbh | MEMS-Bauelement mit einer Mikrofonstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung |
US9344808B2 (en) * | 2014-03-18 | 2016-05-17 | Invensense, Inc. | Differential sensing acoustic sensor |
JP6211968B2 (ja) | 2014-03-20 | 2017-10-11 | 株式会社東芝 | 圧力センサ、マイクロフォン及び音響処理システム |
CN104113812A (zh) * | 2014-08-11 | 2014-10-22 | 苏州敏芯微电子技术有限公司 | 电容式微硅麦克风及其制造方法 |
KR101463429B1 (ko) * | 2014-08-20 | 2014-11-20 | 한국지질자원연구원 | 초저주파 음파 감지 장치 |
KR20160025754A (ko) * | 2014-08-28 | 2016-03-09 | 삼성전기주식회사 | 음향변환장치 |
CN107615777A (zh) * | 2015-05-29 | 2018-01-19 | 怀斯迪斯匹有限公司 | 电容式传声器的系统和方法 |
US10470674B2 (en) | 2016-03-17 | 2019-11-12 | Intel Corporation | Technologies for a fabric acoustic sensor |
ITUA20163571A1 (it) * | 2016-05-18 | 2017-11-18 | St Microelectronics Srl | Trasduttore acustico mems con elettrodi interdigitati e relativo procedimento di fabbricazione |
US10254134B2 (en) * | 2016-08-04 | 2019-04-09 | Apple Inc. | Interference-insensitive capacitive displacement sensing |
GB2555139A (en) | 2016-10-21 | 2018-04-25 | Nokia Technologies Oy | Detecting the presence of wind noise |
KR102378675B1 (ko) * | 2017-10-12 | 2022-03-25 | 삼성전자 주식회사 | 마이크로폰, 마이크로폰을 포함하는 전자 장치 및 전자 장치의 제어 방법 |
JP7067891B2 (ja) * | 2017-10-18 | 2022-05-16 | Mmiセミコンダクター株式会社 | トランスデューサ |
JP2020036214A (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | Tdk株式会社 | Memsマイクロフォン |
US11553290B2 (en) | 2018-10-24 | 2023-01-10 | Cochlear Limited | Implantable sound sensors with non-uniform diaphragms |
EP3783917B1 (en) | 2019-03-28 | 2024-07-17 | Sumitomo Riko Company Limited | Electrostatic transducer and electrostatic transducer unit |
US11119532B2 (en) * | 2019-06-28 | 2021-09-14 | Intel Corporation | Methods and apparatus to implement microphones in thin form factor electronic devices |
JP7522541B2 (ja) * | 2019-07-12 | 2024-07-25 | 日清紡マイクロデバイス株式会社 | 圧電素子 |
CN113092871B (zh) * | 2021-03-19 | 2022-02-22 | 北京航空航天大学 | 一种基于静电自激振动原理的电容测量方法 |
CN113596691B (zh) * | 2021-07-14 | 2023-06-23 | 王丁宁 | 一种带有被动辐射结构的空心静电扬声器 |
WO2024112406A1 (en) * | 2022-11-23 | 2024-05-30 | Invensense, Inc. | Electrodes for microelectromechanical system microphones |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008245267A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-10-09 | Yamaha Corp | シリコンマイクロフォン |
JP4924853B1 (ja) * | 2011-02-23 | 2012-04-25 | オムロン株式会社 | 音響センサ及びマイクロフォン |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62213400A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-19 | Sony Corp | コンデンサ形マイクロホン |
US8477983B2 (en) | 2005-08-23 | 2013-07-02 | Analog Devices, Inc. | Multi-microphone system |
EP2304968A2 (en) | 2008-05-23 | 2011-04-06 | Analog Devices, Inc. | Wide dynamic range microphone |
JP4419103B1 (ja) * | 2008-08-27 | 2010-02-24 | オムロン株式会社 | 静電容量型振動センサ |
US8233637B2 (en) | 2009-01-20 | 2012-07-31 | Nokia Corporation | Multi-membrane microphone for high-amplitude audio capture |
EP2325613A1 (en) | 2009-11-16 | 2011-05-25 | Farsens, S.L. | Microelectromechanical sensing device |
CN102065354A (zh) * | 2010-04-19 | 2011-05-18 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 振膜和包括该振膜的硅电容麦克风 |
US8351625B2 (en) * | 2011-02-23 | 2013-01-08 | Omron Corporation | Acoustic sensor and microphone |
-
2012
- 2012-05-31 JP JP2012125527A patent/JP5252104B1/ja active Active
-
2013
- 2013-05-22 WO PCT/JP2013/064288 patent/WO2013179990A1/ja active Application Filing
- 2013-05-22 DE DE112013002734.8T patent/DE112013002734B4/de active Active
- 2013-05-22 US US14/402,246 patent/US9380393B2/en active Active
- 2013-05-22 CN CN201380026165.XA patent/CN104350767B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008245267A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-10-09 | Yamaha Corp | シリコンマイクロフォン |
JP4924853B1 (ja) * | 2011-02-23 | 2012-04-25 | オムロン株式会社 | 音響センサ及びマイクロフォン |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9351082B2 (en) | 2014-03-14 | 2016-05-24 | Omron Corporation | Capacitance-type transducer |
CN113708620A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-11-26 | 慧石(上海)测控科技有限公司 | 电荷泵电路结构及微型电荷泵 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013251774A (ja) | 2013-12-12 |
DE112013002734T5 (de) | 2015-03-19 |
WO2013179990A1 (ja) | 2013-12-05 |
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CN104350767B (zh) | 2017-05-17 |
CN104350767A (zh) | 2015-02-11 |
US20150104048A1 (en) | 2015-04-16 |
US9380393B2 (en) | 2016-06-28 |
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