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JP5246746B2 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents

電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 Download PDF

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JP5246746B2 JP2008010098A JP2008010098A JP5246746B2 JP 5246746 B2 JP5246746 B2 JP 5246746B2 JP 2008010098 A JP2008010098 A JP 2008010098A JP 2008010098 A JP2008010098 A JP 2008010098A JP 5246746 B2 JP5246746 B2 JP 5246746B2
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Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器に関するものである。
液晶表示パネルは、二つの基板の間に注入されている異方性誘電率を有する液晶層を有し、その液晶層に印加する電界の強さを調節することで、基板を透過する光の量を調節し、所望の静止画像や動画像を表示させる表示装置である。このような液晶表示パネルは、軽量化、薄型化、低消費電力化等に優れており、携帯電話、カーナビ、PDA、パーソナルコンピュータ、及びテレビ受信機等の身近な機器に限らず、計測機器、医療機器、及び産業機器全般等の表示装置として採用されている。
ところで、上述の液晶表示パネルを用いた機器にあっては、リモコンの操作に限らず、タッチパネルの操作によって液晶表示パネルに表示される静止画像や動画像を操作することができるものがある。タッチパネルは、液晶表示パネルの前面に重ね合わされるものであり、液晶表示パネルに表示される動作選択の指示に応じた例えばバーやキースイッチ等が表示されるタッチ操作画面にタッチすることで、タッチ操作コントロールを行うことができる。つまり、タッチ操作画面の内容そのものがスイッチとなり、直感的な操作が行えるというものであり、視認性と操作性との向上が図れるばかりか、多彩な機能を自在にコントロールすることも可能とされる。尚、タッチパネルの方式としては、電磁誘導式、電気抵抗式、静電容量式、及び感圧式等が知られている。
一方、このような液晶表示パネルは、デュアルビューディスプレイ技術を採用することで、あるチャンネルの映像と他のソース源からの映像とを同時に表示させることが可能となる。尚、このようなデュアルビューディスプレイ技術は、それぞれ異なる映像を空間上の規定された領域からしか見えないようにした2次元(2D)表示に限らず、視聴者の両眼にそれぞれ異なる映像が見えるようにすることで、立体像を表示させることができる3次元(3D)表示にも用いることが知られている。例えば、デュアルビューディスプレイ技術とタッチパネルの方式とを組み合わせて、タッチパネルの操作によって液晶表示パネルに表示される2D或いは3D表示を操作することができるものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2005−71286号公報
しかしながら、通常の表示装置に遮光バリアやレンチキュラーレンズ等、画像を分離する物を取付け、その上にタッチパネルを取付けているので、装置が厚くなってしまう問題があった。又、貼り合わせ工程が煩雑になる問題があった。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]多視点画像を表示する電気光学装置であって、複数の画素を有し、少なくとも透光性の第1の基板を含む電気光学パネルと、静電容量の変化に応じて接触を検出する、透光性の第2の基板を含むタッチパネルと、を有し、前記第2の基板の前記第1の基板側の面に形成され、互いに隣接する前記画素の間に対応して、開口部が設けられた遮光性を有する金属膜からなるバリア層と、前記第2の基板の前記第1の基板から離間する側の面に形成され、透光性を有し、静電容量の変化に応じて接触を検出するための検出電極と、を含み、前記電気光学パネルは、前記第1の基板に間隔を設けて対向配置されるように形成される透光性を有する第3の基板と、前記第1の基板と前記第3の基板との間に形成された電気光学物質と、前記第1の基板の前記電気光学物質側の面に形成された前記電気光学物質に駆動電圧を印加する共通電極及び画素電極と、前記第3の基板の前記第1の基板に近接する側に配置され、互いに隣接する前記画素間で異なる表示光を射出するカラーフィルタ層と、前記第3の基板上の前記カラーフィルタ層の間に形成された遮光性を有する遮光膜と、を含み、前記第2の基板と前記第3の基板とは、前記バリア層を間に挟んで、固着されているとともに、前記第3の基板の厚さによって、前記カラーフィルタ層から射出される表示光の前記開口部に至る光路の角度が調節される、ことを特徴とする電気光学装置。
これによれば、第2の基板にバリア層が形成され、第2の基板と第3の基板とが、バリア層を間に挟んで、固着されていることにより、装置の厚みが薄くなる。これにより、基板が1枚少なくなり、その厚み分が薄くなるので、小型軽量化が図られ、しかもコストの低減も図れる電気光学装置を提供できる。また、第3の基板の厚さによって、カラーフィルタ層から射出される表示光の開口部に至る光路の角度が調節できるので、液晶表示装置による第1の画像及び第2の画像をそれぞれ好適な角度で表示することができる。
[適用例2]上記電気光学装置であって、前記バリア層は、金属膜であることを特徴とする電気光学装置。
これによれば、バリア層が導電膜の機能を持つため、従来の導電膜が不要になる。これは、導電膜が1枚少なくなり、その厚み分が薄くなるので、更に、小型軽量化が図られ、しかもコストの低減も図れる。
[適用例3]上記電気光学装置であって、前記電気光学パネルは、互いに隣接する前記画素の間に遮光性を有する遮光膜を含み、前記バリア層の前記開口部の幅は、前記遮光膜の幅よりも大きいことを特徴とする電気光学装置。
これによれば、開口部からの光の取り出し量が多くなるため、電気光学パネル全体の輝度が向上する。
[適用例4]上記電気光学装置であって、前記電気光学パネルは、互いに隣接する前記画素の間に遮光性を有する遮光膜を含み、前記バリア層の前記開口部の幅は、前記遮光膜の幅と同等或いは小さいことを特徴とする電気光学装置。
これによれば、画素間のクロストークの発生をより低減できるため、表示品質が向上する。
[適用例5]上記電気光学装置であって、前記電気光学パネルは、前記第1の基板に間隔を設けて対向配置されるように形成される透光性を有する第3の基板と、前記第1の基板と前記第3の基板との間に形成された電気光学物質と、前記第1の基板の前記電気光学物質側の面に形成された前記電気光学物質に駆動電圧を印加する共通電極及び画素電極と、を含むことを特徴とする電気光学装置。
これによれば、電気光学パネルの構成が容易になる。
[適用例6]多視点画像を表示する電気光学装置の製造方法であって、複数の画素を有し、少なくとも透光性の第1の基板を含む電気光学パネルを形成する工程と、静電容量の変化に応じて接触を検出する透光性の第2の基板を含むタッチパネルを形成する工程と、を有し、前記第2の基板の前記第1の基板側の面に形成され、互いに隣接する前記画素の間に対応して、開口部が設けられた遮光性を有する金属膜からなるバリア層を形成する工程と、前記第2の基板の前記第1の基板から離間する側の面に形成され、透光性を有し、静電容量の変化に応じて接触を検出するための検出電極を形成する工程と、を含み、前記電気光学パネルは、前記第1の基板に間隔を設けて対向配置されるように形成される透光性を有する第3の基板と、前記第1の基板と前記第3の基板との間に形成された電気光学物質と、前記第1の基板の前記電気光学物質側の面に形成された前記電気光学物質に駆動電圧を印加する共通電極及び画素電極と、前記第3の基板の前記第1の基板に近接する側に配置され、互いに隣接する前記画素間で異なる表示光を射出するカラーフィルタ層と、前記第3の基板上の前記カラーフィルタ層の間に形成された遮光性を有する遮光膜と、を含み、前記第2の基板と前記第3の基板とは、前記バリア層を間に挟んで、固着されているとともに、前記第3の基板の厚さによって、前記カラーフィルタ層から射出される表示光の前記開口部に至る光路の角度が調節される、ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
これによれば、第2の基板と第3の基板とを、バリア層を間に挟んで、1回で固着することにより、容易に貼り合わせが行える電気光学装置の製造方法を提供できる。
[適用例7]上記に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
これによれば、上記電気光学装置を搭載しているので、小型軽量化が図られ、しかもコストの低減も図れる電子機器が提供できる。
以下、本実施形態に係る電気光学装置を、図面に基づいて説明する。尚、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。
(電気光学装置)
本実施形態における電気光学装置は、多視点画像としての第1の画像を表示する複数の画像としての第1の画素と、多視点画像としての第2の画像を表示する複数の画像としての第2の画素とを備え、第1の画像及び第2の画像を異なる方向に同時に表示する液晶表示装置である。又、本実施形態における電気光学装置は、透過型のカラー液晶表示であって、r(赤)、g(緑)、b(青)の各色光を出力する3個のサブ画素領域で1個の画素を構成する液晶表示装置である。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称する。
最初に、本実施形態における液晶表示装置の概略構成について説明する。
図1は、本実施形態に係る液晶表示装置10の概略構成図である。本実施形態における液晶表示装置10は、図1に示すように、電気光学パネルとしての液晶パネル12と、接着剤14を介して液晶パネル12に貼り合わされたタッチパネル16と、を備えている。
液晶パネル12は、アクティブマトリックス基板である素子基板18と、素子基板18と間隔を設けて対向配置された対向基板20と、素子基板18及び対向基板20に挟持された液晶層(電気光学物質)22とを備えている。液晶パネル12は、素子基板18と対向基板20とが対向する対向領域の外周部に設けられた平面視で略矩形の枠状のシール材24を有しており、このシール材24によって素子基板18と対向基板20とが貼り合わされている。液晶パネル12のうちシール材24の内側に、画像表示領域が形成される。液晶パネル12は、素子基板18の外面側(液晶層22から離間する側)から照明光を照射する構成となっている。液晶パネル12は、素子基板18の外面側に設けられた偏光板26及び対向基板20の外面側(液晶層22から離間する側)に設けられた偏光板28を備えている。
タッチパネル16は対向基板20側にバリア層30(遮光パターン)を備えている。又、液晶表示装置10は、指等がタッチパネル16に接触したことを検出する検出手段32及びその接触座標を算出する算出手段34を備えている。
図2は本実施形態に係る液晶表示装置10の等価回路図である。本実施形態に係る液晶表示装置10は、図2に示すように、複数のサブ画素領域SGがマトリックス状に配置されている。この複数のサブ画素領域SGのそれぞれには、画素電極36と、画素電極36をスイッチング制御するためのTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)素子38とが形成されている。又、画像表示領域には、複数のデータ線40及び走査線42が格子状に配置されている。
TFT素子38は、ソースがデータ線40に接続され、ゲートが走査線42に接続され、ドレインが画素電極36に接続されている。
データ線40は、液晶表示装置10に設けられた駆動回路(図示略)から供給される画像信号S1、S2、…、Snを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、データ線40は、画像信号S1〜Snをこの順で線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線40同士に対してグループ毎に供給してもよい。
走査線42は、液晶表示装置10に設けられた駆動回路(図示略)から供給される走査信号G1、G2、…、Gmを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、走査線42は、走査信号G1〜Gmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する構成となっている。
又、液晶表示装置10は、スイッチング素子であるTFT素子38が走査信号G1〜Gmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線40から供給される画像信号S1〜Snが所定のタイミングで画素電極36に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極36を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1〜Snは、画素電極36と後述する共通電極44との間で一定期間保持される。
図3は本実施形態に係る液晶表示装置10の拡大平面図である。液晶表示装置10は、図3に示すように、マトリクス状に配置された矩形の画素46r,46g,46b(以下ではまとめて「画素46」とも呼ぶ)を有しており、これらはそれぞれ赤、緑、青の表示を行う。画素46r,46g,46bは、図中のX軸方向にこの順に繰り返し配置されており、Y軸方向については、同一の色に対応する画素46が一列にストライプ状に並ぶように配置されている。隣接する画素46の間には、黒色の樹脂からなる遮光膜48が形成されている。又、以下では画素46のX軸方向についての列を画素列50と呼ぶ。
各画素46は、第1の画像又は第2の画像のいずれかの表示に寄与する。第1の画像を表示する画素46を第1の画素としての画素46L、第2の画像を表示する画素46を第2の画素としての画素46Rとも呼ぶ。本実施形態では、画素46L,46Rは、画素列50の方向、すなわちX軸方向について交互に繰り返し配置されており、Y軸方向については各々が一列にストライプ状に並ぶように配置されている。
図4は図3に示す液晶表示装置10の模式断面図である。液晶パネル12は、図4に示すように、枠状のシール材24(図1参照)を介して対向して貼り合わされた素子基板18及び対向基板20を有している。素子基板18には、第1の基板としての基板本体52が含まれており、対向基板20には、第3の基板としての基板本体54が含まれている。基板本体52,54は透光性を有している。素子基板18と対向基板20との間には、液晶22が封入されている。
一方、タッチパネル16は、第2の基板としての基板本体56を基体としている。基板本体56は、基板本体54の外面側(液晶層22から離間する側)の面に対向配置されるように形成されている。基板本体56は透光性を有している。基板本体56は内面側(液晶層22側)にバリア層30が形成されている。基板本体56の内面側には、開口部58が設けられた遮光性を有するバリア層30が形成されている。基板本体56と基板本体54とは、バリア層30を間に挟んで、固着されている。基板本体56に形成されたバリア層30は、液晶パネル12の法線方向から見て画素46Lと画素46Rとの間の遮光膜48と略重なる領域に開口部58を有している。ここで、「画素46Lと画素46Rとの間」とは、図の右から左に向かう方向(すなわちX軸の負方向)に沿って画素46L、画素46Rがこの順に隣接している部位を言い、当該方向に沿って画素46R、画素46Lがこの順に隣接している部位は除かれる。従って、開口部58は、X軸方向について、一つおきの遮光膜48に対応する部位に設けられることとなる。又、開口部58の幅は遮光膜48の幅より若干大きくなっている。図4のように開口部58の幅が遮光膜48よりも大きく形成されている場合には、開口部58からの光の取り出し量が多くなるため、液晶パネル12全体の輝度が向上する利点がある。又、図4とは逆に開口部58の幅が遮光膜48の幅と同等かそれよりも小さく形成されている場合には、画素46Rと画素46Lとの間のクロストークの発生をより低減することができる。
バリア層30は、遮光性を有する金属膜である。例えば、バリア層30の材質はクロムである。尚、バリア層30は樹脂であってもよい。この場合、液晶パネル12からのノイズを低減する目的で、透明導電膜(透光性の導電性膜)を形成する。つまり、バリア層30をクロム等の導電性の金属膜で形成する場合、透明導電膜はつけなくてもよい。又、バリア層30の形成場所は、タッチパネル16と液晶パネル12との間であれば、タッチパネル16側でも液晶パネル12側でもどちらでもよい。
タッチパネル16は、基板本体56の外面側(液晶層22から離間する側)に形成された検出電極60,62と、検出電極60,62を被覆する被覆膜64とを備えている。検出電極60,62は透光性を有している。
次に、液晶表示装置10の詳細な構成について、図3及び図4を参照しながら説明する。素子基板18に含まれる基板本体52の内面側(液晶層22側)には、第1層から第4層までの構成要素が積層されている。素子基板18は、例えばガラスや石英、プラスチック等の透光性材料からなる基板本体52と、基板本体52の内面側に順に形成された素子形成層66、層間絶縁膜68、電極絶縁膜70、及び配向膜72とを備えている。素子形成層66は、絶縁膜、半導体膜、及び半導体膜を積層した構成となっており、図2に示すデータ線40や走査線42等の配線部とTFT素子38とを構成している。
素子基板18は、画素46毎に形成されたTFT素子38と、TFT素子38に接続された走査線42、データ線40、及び画素電極36等を含む、いわゆるTFT素子基板である。又、これらの各層間の構成要素が短絡するのを防止するため、第1層と第2層の間には素子形成層66が、第2層と第3層の間には層間絶縁膜68が、第3層と第4層の間には電極絶縁膜70が、それぞれ形成されている。尚、スイッチング素子としては、3端子のTFT素子38に代えて、2端子のTFD(Thin Film Diode)素子等を用いてもよい。
層間絶縁膜68は、例えばアクリル等の透光性材料で構成されており、素子形成層66を覆うように設けられている。
電極絶縁膜70は、例えばSiN等の透光性材料で構成されており、層間絶縁膜68上に形成された共通電極44を覆うように設けられている。
配向膜72は、例えばポリイミド等の樹脂材料で構成されており、電極絶縁膜70上に形成された画素電極36を覆うように設けられている。又、配向膜72の表面には、液晶層22を構成する液晶分子の初期配向状態を規制するための配向処理が施されている。
基板本体52の表面に設けられた第1層には、TFT素子38のゲート電極38gが形成されている。
第1層の上には、SiO2又はSiN等からなる素子形成層66を挟んで第2層が形成されている。第2層には、ゲート電極38gに重なる位置に、アモルファスシリコンからなる半導体層38aが形成されている。又、半導体層38aのソース領域にはソース電極38sが、又ドレイン領域にはドレイン電極38dが一部重なった状態で形成されている。ソース電極38sは、データ線40に接続されている。半導体層38a、ソース電極38s、ドレイン電極38d、及びゲート電極38gにより、TFT素子38が構成される。
素子基板18は、層間絶縁膜68の内面側(液晶層22側)に配置された共通電極44と、電極絶縁膜70の内面側(液晶層22側)に配置された画素電極36とを備えている。第2層の上には、SiO2又はSiN等からなる層間絶縁膜68を挟んで第3層が形成されている。第3層には、透光性を有するITO(Indium Tin Oxide:酸化インジウムスズ)からなる共通電極44が形成されている。共通電極44は図示しない定電位線に接続されており、一定の電位に保たれている。
第3層の上にはSiN等からなる電極絶縁膜70を挟んで、第4層が形成されている。第4層にはストライプ状の部位を有する画素電極36が、共通電極44に重なるようにして形成されている。画素電極36は、層間絶縁膜68及び電極絶縁膜70を貫通して形成されたコンタクトホール76を介してTFT素子38のドレイン電極38dに接続されている。
画素電極36は、ストライプ状に間隔をあけて形成された複数の帯状部36aと、これら帯状部36aを互いに導通させる枠部36bとを備えている。
共通電極44は、層間絶縁膜68を覆うように形成されており、例えばITO等の透光性導電材料で構成されている。共通電極44には、例えば液晶層22の駆動に用いられる所定の一定の電圧或いは0V、又は所定の一定の電位とこれと異なる他の所定の一定の電位とが周期的(フレーム期間毎又はフィールド期間毎)に切り替わる信号が印加される。
共通電極44と画素電極36との間に駆動電圧が印加されると、画素電極36から共通電極44に向かって(又は共通電極44から画素電極36に向かって)電界が発生する。このとき、液晶層22には、基板本体52に実質的に平行な電界、すなわち横電界が生じる。液晶分子22aは、この横電界に従って基板本体52に平行な平面内で配向方向を変える。その結果、偏光板26,28の透過軸との相対角度が変化し、その相対角度に応じた偏光変換機能に基づいて表示が行われる。こうした液晶モードはFFSモードと呼ばれ、液晶分子22aが常に基板本体52に対して平行な状態で駆動されることに起因して、広い視野角が得られる。又、第4層の表層にはポリイミドからなる配向膜72が形成されている。
基板本体52の外面側(液晶層22から離間する側)には、偏光板26が配置されている。又、偏光板26に対向して、液晶表示装置10に向けて光を照射するバックライト78が配置されている。
一方、対向基板20は、例えばガラスや石英、プラスチック等の透光性材料で構成された基板本体54と、基板本体54の内面側(液晶層22側)に順次積層された遮光膜48、画素46r,46g,46bにそれぞれ対応して、赤色のカラーフィルタ80r、緑色のカラーフィルタ80g(不図示)、青色のカラーフィルタ80b(以下まとめて「カラーフィルタ層80」とも呼ぶ)、及び配向膜82とを備えている。カラーフィルタ層80は、入射した光のうち特定の波長の光を吸収する樹脂であり、カラーフィルタ層80によって透過光を所定の色(例えば赤、緑、又は青)とすることができる。又、隣接する画素46の間の領域には、遮光性を有する黒色の樹脂からなる遮光膜48が形成されている。カラーフィルタ層80及び遮光膜48の表層には、ポリイミドからなる配向膜82が形成されている。尚、カラーフィルタ層80及び遮光膜48の上に、透光性を有する樹脂からなるオーバーコートを積層し、その上に配向膜を形成してもよい。
カラーフィルタ層80は、遮光膜48で区画された領域内であって各サブ画素領域に対応して配置されており、例えばアクリル等で構成されて各サブ画素領域で表示する色に対応する色材を含有している。
基板本体54は、ケミカルエッチング又はCMP(Chemical Mechanical Polishing )等により約50μmの厚さに加工されている。この加工によって、実質的に表示光が射出されるカラーフィルタ層80と、バリア層30の開口部58との距離が調節され、その結果、カラーフィルタ層80から開口部58に至る光路の角度が調節される。これにより、液晶表示装置10によって第1の画像及び第2の画像を好適な角度に表示することができる。
遮光膜48は、基板本体56の表面のうち平面視でサブ画素領域の縁部であって液晶層22等を介してTFT素子38やデータ線40、走査線42と重なる領域に、平面視で略格子状に形成されている。そして、遮光膜48は、サブ画素領域を縁取っている(図3参照)。
配向膜82は、例えばポリイミド等の透光性の樹脂材料で構成されており、遮光膜48及びカラーフィルタ層80を覆うように設けられている。そして、配向膜82の内面側(液晶層22側)には、配向処理が施されている。
以上より、液晶表示装置10は、帯状部36aと共通電極44との間に電圧を印加し、これによって生じる基板平面方向の電界(横電界)によって液晶を駆動する構成となっている。これにより、画素電極36及び共通電極44は、FFS(Fringe-Field Switching)方式の電極構造を構成している。
又、一方基板本体54の外面側には、接着剤14を介してタッチパネル16が貼り付けられている。タッチパネル16は、基板本体56を基体とし、基板本体56の内面側に上述のバリア層30が形成されている。基板本体56の外面側には、透光性を有する導電膜としての検出電極60,62及び偏光板28が、この順に略全面に形成されている。検出電極60,62には、ITOを用いることができる。偏光板28の透過軸は、偏光板26の透過軸と直交するように設定されている。
上記検出電極60,62は、一定の電位に保たれている。例えばグランド電位、共通電極44と同電位、データ線40に供給される画像信号の中心電位、走査線42に印加される走査信号の非選択電位、液晶表示装置10を駆動する駆動手段のロジック電位のいずれかの一定電位とすることができる。
図5は本実施形態に係る検出電極60,62を示す図である。タッチパネル16は、図4及び図5に示すように、基板本体56の外面側に形成された検出電極60,62と、引廻配線84及び端子部86と、検出電極60,62、引廻配線84、及び端子部86を被覆する被覆膜64とを備えている。
検出電極60,62は、図5に示すように、画像表示領域と重なる検出領域A内において複数(本実施形態では検出電極60,62共に5つずつ)形成されており、例えばITO等の透光性導電材料で構成されている。そして、検出電極60,62は、平面視で略矩形状の検出領域Aの一辺方向であるX軸方向(第1方向)に沿って形成されている。又、検出電極60と検出電極62とは、検出領域Aの他の一辺方向であってX軸方向と直交するY軸方向(第2方向)に沿って交互に配置されている。
検出電極60,62は、平面視で略直角三角形状を有しており、その形状が同一となっている。検出電極60は、直角を挟む2辺がそれぞれX軸方向、Y軸方向と平行となっており、その斜辺がX軸方向及びY軸方向から傾いてY軸方向の一方(+Y側)を向くように形成されている。そして、検出電極60は、X軸方向の一方(−X側)から他方(+X側)に向かうに従ってその幅が漸次狭くなっている。
一方、検出電極62は、直角を挟む2辺がそれぞれX軸方向、Y軸方向と平行となっており、その斜辺がX軸方向及びY軸方向から傾いてY軸方向の他方(−Y側)を向くように形成されている。そして、検出電極62は、X軸方向の−X側から+X側に向かうに従ってその幅が漸次広くなっている。
ここで、複数の検出電極60のうち、最も−Y側に配置されているものから順に検出電極60A〜60Eと称する。又、複数の検出電極62のうち、最も−Y側に配置されているものから順に検出電極62A〜62Eと称する。
又、略直角三角形状の検出電極60,62のうちY軸方向においてその斜辺が向かい合うように隣り合う2つの検出電極60,62は、検出電極対88を構成している。従って、一対の検出電極対88は、一方の検出電極60の幅と他方の検出電極62の幅との比率が、X軸方向に沿って−X側から+X側に向かって変化している。すなわち、X軸方向に沿って−X側から+X側に向かって、検出電極対88における検出電極60の幅の比率が、漸次小さくなると共に、検出電極62の幅の比率が漸次大きくなっている。
そして、この検出電極対88の外形は、検出電極60,62の斜辺が向かい合っていることから、平面視で略矩形状となっている。又、検出電極対88は、検出電極60,62がそれぞれ5つずつ形成されていることから5対形成されている。
ここで、5対の検出電極対88のうち、−Y側に位置している側から順に検出電極対88A〜88Eと称する。即ち、検出電極60A、62Aにより検出電極対88Aが形成され、検出電極60B、62Bにより検出電極対88Bが形成され、検出電極60C、62Cにより検出電極対88Cが形成され、検出電極60D、62Dにより検出電極対88Dが形成され、検出電極60E、62Eにより検出電極対88Eが形成される。
尚、図5に示すように、平面視で略矩形状の検出領域Aで検出可能なX軸方向の座標であるX座標及びY軸方向の座標であるY座標は、それぞれ0以上1以下、1以上5以下となっている。ここで、検出領域Aの−X側の端辺と対応するX座標の値が0、検出領域Aの+X側の端辺と対応するX座標の値が1と対応している。又、検出電極対88AのX軸方向と平行な中心線と対応するY座標の値が1、検出電極対88BのX軸方向と平行な中心線と対応するY座標の値が2、検出電極対88CのX軸方向と平行な中心線と対応するY座標の値が3、検出電極対88DのX軸方向と平行な中心線と対応するY座標の値が4、検出電極対88EのX軸方向と平行な中心線と対応するY座標の値が5となっている。
引廻配線84は、図5に示すように、検出電極60,62と共に基板本体56の外面側であって対向基板20の外周に沿って形成されており、検出電極60,62と端子部86とを接続している。又、引廻配線84は、例えばAl(アルミニウム)等のITOと比較して抵抗率の小さい導電材料で構成されている。そして、検出電極60と接続される引廻配線84は、検出電極60の−X側の端部において検出電極60に接続されている。又、検出電極62と接続される引廻配線84は、検出電極62の+X側の端部において検出電極62に接続されている。
端子部86は、検出電極60,62や引廻配線84と共に基板本体56の外面側であって検出領域Aの−Y側の外部に形成されており、対向基板20の外部に設けられた検出手段32(図1参照)に接続されている。そして、端子部86を介して検出電極60,62に検出手段32からの交流電圧が印加される。
検出手段32は、端子部86を介して検出電極60,62に交流電圧を印加し、偏光板26及び被覆膜64を介して検出電極60,62との間の静電容量を検出して指等を接触させていない基準状態において検出される電圧と、指等を接触させた状態において検出される電圧との差を静電容量の変化量として検出する構成となっている。
算出手段34は、図1に示すように、検出手段32による各検出電極60,62(図4参照)の静電容量の変化量からX軸方向における座標を算出するX座標算出手段(第1座標算出手段)34Aと、Y軸方向における座標を算出するY座標算出手段(第2座標算出手段)34Bと、を備えている。尚、算出手段34による座標の算出方法については、後述する。これらタッチパネル16、偏光板28、検出手段32及び算出手段34により、座標入力装置90が構成される。
図4に戻り、偏光板28は、例えばPVA(ポリビニルアルコール)の絶縁材料を用いて形成されたフィルムを基体として構成されている。偏光板26は、偏光板28と同様にPVAのフィルムを基体として構成されている。尚、偏光板26の外面側(液晶層22から離間する側)には、偏光板26を保護する保護フィルム(図示略)を設けてもよい。又、偏光板26は、その透過軸が偏光板28と略直交するように設けられている。
ここで、偏光板26の内面側(液晶層22側)には、1/4波長板を配置してもよい。1/4波長板を配置することで、偏光板26の外面から入射した外光が素子基板18で反射して再び射出することを防止できる。尚、1/4波長板に合わせて、偏光板26の透過軸を適宜変更する。
又、偏光板26,28の一方又は双方の内面側(液晶層22側)には、光学補償フィルム(図示略)を配置してもよい。光学補償フィルムを配置することで、液晶表示装置10を斜視した場合の液晶層22の位相差を補償することができ、光漏れを減少させてコントラストを増加させることができる。光学補償フィルムとしては、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせたものや、各方向の屈折率がnx>nz>nyである二軸性媒体が用いられる。
(液晶表示装置の動作)
次に、上述のような構成の液晶表示装置10の動作について説明する。素子基板18の外面側から入射した光は、偏光板26によって直線偏光に変換されて液晶層22に入射する。
ここで、画素電極36と共通電極44との間に電圧が印加されていないオフ状態の場合であれば、液晶層22に入射した直線偏光は、液晶層22により入射時と同一の偏光状態で液晶層22から射出する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板28の透過軸と直交するため、偏光板28で遮断され、サブ画素領域が暗表示となる。
一方、画素電極36と共通電極44との間に電圧が印加されているオン状態の場合であれば、液晶層22に入射した直線偏光は、液晶層22により所定の位相差(1/2波長分)の位相差が付与され、入射時の偏光方向と直交する直線偏光に変換されて液晶層22から射出する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板28の透過軸と平行であるため、偏光板28を透過して表示光として視認され、サブ画素領域が明表示となる。
そして、検出電極60,62に交流電圧を印加した状態で偏光板28に人間の指等が触れると、偏光板28及び被覆膜64を介して検出電極60,62と指等との間で静電容量が形成される。そのため、検出電極60,62から静電容量を介して電流が流れる。検出手段32は、静電容量が形成されることによって電流の変化量を静電容量の変化量として検出する。そして、算出手段34は、検出手段32において検出された静電容量の変化量から、検出領域Aにおける指等の接触位置を算出する。
その後、算出した接触位置の情報に基づいて、画像表示領域に表示される画像を切り替えたり、偏光板28の表面で移動する指の軌跡を画像表示領域に画像として表示させたりする。
ここで、接触位置の算出方法について具体的に説明する。尚、図6は本実施形態に係る接触位置の算出方法を示す説明図、図7は本実施形態に係る接触位置の算出方法を示すフローチャートである。又、図6に示す符号Tは、偏光板28に対する指の接触領域を示している。
先ず、検出手段32(図1参照)は、各検出電極60,62における静電容量の変化量CL、CRを検出する(図7に示すステップS100)。ここでは、検出手段32が、指等を接触させていない基準状態において各検出電極60,62で検出される静電容量と、指等を接触させた状態において各検出電極60,62で検出される静電容量との差を検出する。
又、X座標算出手段34A(図1参照)は、各検出電極60で検出した静電容量の変化量CLの和であるΣCLを算出すると共に(ステップS110)、各検出電極62で検出した静電容量の変化量CRの和であるΣCRを算出する(ステップS120)。そして、X座標算出手段34Aは、ΣCLとΣCRとの比を計算し(ステップS130)、X座標を算出する(ステップS140)。
従って、例えば図6に示すように、ΣCLとΣCRとの比が1:3である場合、ΣCLと(ΣCL+ΣCR)との比が1:4であることから、X座標算出手段34Aは、X座標の値を0.75として算出する。
一方、Y座標算出手段34B(図1参照)は、各検出電極対88A〜88Eにおける静電容量の変化量CPを算出する(ステップS150)。そして、検出電極対88A〜88Eにおける静電容量の変化の重心位置を算出するセントロイド計算を行う(ステップS160)。ここでは、下記の式(1)を用いてY座標を算出する(ステップS170)。
y=Σ(n×CP)/ΣCP………(1)
ここで、n×CPは、検出電極対88における静電容量の変化量CPと、その検出電極対88の幅方向の中心線と対応するY座標の値との積を示している。
従って、例えば図6に示すように、検出電極対88Aにおける静電容量の変化量CP1を0、検出電極対88Bにおける静電容量の変化量CP2を1、検出電極対88Cにおける静電容量の変化量CP3を4、検出電極対88Dにおける静電容量の変化量CP4を2、検出電極対88Eにおける静電容量の変化量CP5を0とする。このとき、(1×0+2×1+3×4+4×2+5×0)/(0+1+4+2+0)=3.14となる。よって、Y座標算出手段34Bは、Y座標の値を3.14として算出する。以上のようにして、X座標及びY座標の値から指の接触位置を算出する。
図8は、図3に示す液晶表示装置10の断面構造を、視角と、その視角において視認される表示との関係と共に示した図である。この図は、画素46b(画素46R)と画素46r(画素46L)との間に配置された開口部58を通る光に着目して描かれている。他の開口部58を通る光の振る舞いもこの図と同様である。又、この図においては、光路の説明の便宜上、基板本体54が厚く描かれており、又素子基板18の構成要素は省略されている。
画素46rからの表示光は、開口部58を通り、空気層に入射する際に屈折した後に、符号92rを付した角度範囲で視認される。同様にして、画素46g、画素46bからの表示光は、それぞれ符号92g,92bを付した角度範囲で視認される。角度範囲92rと角度範囲92b、角度範囲92rと角度範囲92g、及び角度範囲92bと角度範囲92gは、一部重複する。
この結果、正面から左に分布する角度範囲VLでは、画素46bからの表示光はバリア層30で遮蔽されて視認されず、画素46rからの表示光のみが視認される。一方、正面から右に分布する角度範囲VRでは、画素46rからの表示光はバリア層30で遮蔽されて視認されず、画素46bからの表示光のみが視認される。換言すれば、角度範囲VLでは、画素46Lによる第1の画像のみが視認され、角度範囲VRでは、画素46Rによる第2の画像のみが視認される。このように、液晶表示装置10は、角度範囲VL,VRにおいて2つの異なる画像を表示することができる。角度範囲VL,VRは、それぞれ約30°である。
このように、液晶表示装置10は、いわゆる2画面表示ディスプレイであり、斜め左右方向から観察されることとなるので、広い視野角を有している必要がある。そこで、上記したように横電界モード(FFS)を採用した。
尚、角度範囲VL,VRに挟まれた正面方向の角度範囲VCにおいては、画素46b及び画素46rからの表示光が共に視認される。すなわち、角度範囲VCは、第1の画像及び第2の画像が共に表示される混在領域となっている。これは、開口部58のX軸方向の幅が、遮光膜48のX軸方向の幅より大きくなっているためである。
以上に説明した液晶表示装置10は、第2の基板にバリア層が形成され、第2の基板と第3の基板とが、バリア層を間に挟んで、固着されていることにより、装置の厚みが薄くなる。これにより、基板が1枚少なくなり、その厚み分が薄くなるので、小型軽量化が図られ、しかもコストの低減も図れる又、タッチパネル16に検出電極60,62が形成されていることにより、次のような特徴を有する。すなわち、対向基板20には液晶22を駆動するための電極が形成されていないものの、タッチパネル16及び対向基板20に生じた静電気を検出電極60,62を介して除去することができ、ひいてはこれらの基板に静電気が蓄積するのを未然に防止することができる。これにより、静電気に起因する種々の表示上の不具合の少ない、高品位な表示を行うことができる。
(液晶表示装置の製造方法)
又、上記液晶表示装置10は、図9のような工程を経て製造される。
図9は本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示すフローチャートである。先ず、基板本体54,52の内面側(液晶層22側)に、上記した構成要素を積層させる(ステップS200)。具体的には、基板本体52上に、共通電極44及び画素電極36を形成する。
次に、これら両基板本体を、シール剤を介して貼り合わせた後、基板本体間に液晶22を封入する(ステップS210)。具体的には、共通電極44及び画素電極36上に間隔を設けて対向配置するように透光性を有する基板本体54を形成する。それから、基板本体52と基板本体54との間に、液晶層22を形成する。
続いて、基板本体54をケミカルエッチング又はCMP等によって約50μmの厚さに加工する(ステップS220)。
次に、あらかじめバリア層30、検出電極60,62が形成された基板本体56(タッチパネル16)を、接着剤14を介して基板本体54(対向基板20)に貼り合わせる(ステップS230)。具体的には、基板本体56の第1の面に、透光性を有し、静電容量の変化に応じて接触を検出するための検出電極60,62を形成する。それから、基板本体56の第1の面とは反対の第2の面に、互いに隣接する第1の画素46Lと第2の画素46Rとの間に対応して開口部58が設けられた遮光性を有するバリア層30を形成する。その後、基板本体56の第2の面と基板本体54の外面側とを、バリア層30を間に挟んで、対向配置されるように固着する。最後に偏光板26,28を配置し、バックライト78を取付けて完成する(ステップS240)。
こうした製造方法によれば、薄く加工された基板本体54に検出電極60,62を直接形成する必要がないため、基板本体54に損傷を与えにくくすることができる。そして、検出電極60,62を備えたタッチパネル16を対向基板20に貼り合わせることで、対向基板20及びタッチパネル16に生じた静電気を除去することができ、ひいてはこれらの基板に静電気が蓄積するのを未然に防止することができる。
(電子機器への搭載例)
図10は本実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図である。上述した液晶表示装置10は、例えば、図10に示すような電子機器としてのカーナビゲーションシステム用の液晶表示装置100に搭載して用いることができる。この液晶表示装置100は、表示部102に組み込まれた液晶表示装置10によって、2つの画像を異なる方向に同時に表示することができる。例えば、運転席側に地図の画像を表示すると共に、助手席側に映画の画像を表示することができる。
運転席側の地図の画像には、メニューボタン104,106,108が表示される。これらのメニューボタンには各種のプログラムを割り当てることができる。例えば、メニューボタン104には電子メールを割り当て、メニューボタン106にはブラウザを割り当て、メニューボタン108には描画ソフトを割り当てることができる。メニューボタンに触れるだけで、所望のソフトを起動することが可能となる。
又、助手席側の映画の画像には、メニューボタン110,112,114が表示される。これらのメニューボタンには各種のプログラムを割り当てることができる。例えば、メニューボタン110にはメニューを割り当て、メニューボタン112にはズームを割り当て、メニューボタン114には入力切替を割り当てることができる。メニューボタンに触れるだけで、所望の操作が可能となる。
尚、液晶表示装置10は、上記液晶表示装置100の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器等の各種電子機器に用いることができる。
以上、実施形態について説明したが、変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
平面パネル型の液晶表示装置に限らず、ブラウン管型の表示装置に適用可能である。又、平面パネル型としては、液晶表示パネルに限らず、プラズマ・ディスプレイ(Plasma Display Panel)や、有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイにも適用可能である。又、カーナビに限らず、デュアルビュー表示が可能な表示装置を搭載している機器であればよく、携帯電話、PDA、パーソナルコンピュータ、テレビ受信機等の身近な機器に限らず、計測機器、医療機器、産業機器全般等にも適用可能である。又、2次元(2D)表示に限らず、視聴者A又はBの両眼にそれぞれ異なる映像が見えるようにすることで、立体像を表示させることができる3次元(3D)表示にも適用可能である。
本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成図。 本実施形態に係る液晶表示装置の等価回路図。 本実施形態に係る液晶表示装置の拡大平面図。 図3に示す液晶表示装置の模式断面図。 本実施形態に係る検出電極を示す図。 本実施形態に係る座標の算出方法を示す説明図。 本実施形態に係る座標の算出方法を示すフローチャート。 図3に示す液晶表示装置の断面構造を、視角と、その視角において視認される表示との関係と共に示した図。 本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート。 本実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図。
符号の説明
10…電気光学装置(液晶表示装置) 12…液晶パネル(電気光学パネル) 14…接着剤 16…タッチパネル 18…素子基板 20…対向基板 22…液晶層(液晶)(電気光学物質) 22a…液晶分子 24…シール材 26,28…偏光板 30…バリア層 32…検出手段 34…算出手段 34A…X座標算出手段 34B…Y座標算出手段 36…画素電極 36a…帯状部 36b…枠部 38…TFT素子 38a…半導体層 38d…ドレイン電極 38g…ゲート電極 38s…ソース電極 40…データ線 42…走査線 44…共通電極 46…画素 48…遮光膜 50…画素列 52…基板本体(第1の基板) 54…基板本体(第3の基板) 56…基板本体(第2の基板) 58…開口部 60,62…検出電極 64…被覆膜 66…素子形成層 68…層間絶縁膜 70…電極絶縁膜 72…配向膜 76…コンタクトホール 78…バックライト 80…カラーフィルタ層 82…配向膜 84…引廻配線 86…端子部 88…検出電極対 90…座標入力装置 92…符号 100…液晶表示装置 102…表示部 104,106,108,110,112,114…メニューボタン。

Claims (4)

  1. 多視点画像を表示する電気光学装置であって、
    複数の画素を有し、少なくとも透光性の第1の基板を含む電気光学パネルと、
    静電容量の変化に応じて接触を検出する、透光性の第2の基板を含むタッチパネルと、
    を有し、
    前記第2の基板の前記第1の基板側の面に形成され、互いに隣接する前記画素の間に対応して、開口部が設けられた遮光性を有する金属膜からなるバリア層と、
    前記第2の基板の前記第1の基板から離間する側の面に形成され、透光性を有し、静電容量の変化に応じて接触を検出するための検出電極と、
    を含み、
    前記電気光学パネルは、
    前記第1の基板に間隔を設けて対向配置されるように形成される透光性を有する第3の基板と、
    前記第1の基板と前記第3の基板との間に形成された電気光学物質と、
    前記第1の基板の前記電気光学物質側の面に形成された前記電気光学物質に駆動電圧を印加する共通電極及び画素電極と、
    前記第3の基板の前記第1の基板に近接する側に配置され、互いに隣接する前記画素間で異なる表示光を射出するカラーフィルタ層と、
    前記第3の基板上の前記カラーフィルタ層の間に形成された遮光性を有する遮光膜と、
    を含み、
    前記第2の基板と前記第3の基板とは、前記バリア層を間に挟んで、固着されているとともに、
    前記第3の基板の厚さによって、前記カラーフィルタ層から射出される表示光の前記開口部に至る光路の角度が調節される、ことを特徴とする電気光学装置。
  2. 前記検出電極は、平面視で略直角三角形状を有する一対の検出電極が、それぞれの斜辺を対向させて配置された検出電極対であって、前記電気光学パネルの画像表示領域と重なる検出領域内に複数配置される、ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
  3. 請求項1に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
  4. 多視点画像を表示する電気光学装置の製造方法であって、
    複数の画素を有し、少なくとも透光性の第1の基板を含む電気光学パネルを形成する工程と、
    静電容量の変化に応じて接触を検出する透光性の第2の基板を含むタッチパネルを形成する工程と、
    を有し、
    前記第2の基板の前記第1の基板側の面に形成され、互いに隣接する前記画素の間に対応して、開口部が設けられた遮光性を有する金属膜からなるバリア層を形成する工程と、
    前記第2の基板の前記第1の基板から離間する側の面に形成され、透光性を有し、静電容量の変化に応じて接触を検出するための検出電極を形成する工程と、
    を含み、
    前記電気光学パネルは、
    前記第1の基板に間隔を設けて対向配置されるように形成される透光性を有する第3の基板と、
    前記第1の基板と前記第3の基板との間に形成された電気光学物質と、
    前記第1の基板の前記電気光学物質側の面に形成された前記電気光学物質に駆動電圧を印加する共通電極及び画素電極と、
    前記第3の基板の前記第1の基板に近接する側に配置され、互いに隣接する前記画素間で異なる表示光を射出するカラーフィルタ層と、
    前記第3の基板上の前記カラーフィルタ層の間に形成された遮光性を有する遮光膜と、
    を含み、
    前記第2の基板と前記第3の基板とは、前記バリア層を間に挟んで、固着されているとともに、
    前記第3の基板の厚さによって、前記カラーフィルタ層から射出される表示光の前記開口部に至る光路の角度が調節される、ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
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