JP5131109B2 - 電子部品用接着剤組成物およびそれを用いた電子部品用接着剤シート - Google Patents
電子部品用接着剤組成物およびそれを用いた電子部品用接着剤シート Download PDFInfo
- Publication number
- JP5131109B2 JP5131109B2 JP2008237518A JP2008237518A JP5131109B2 JP 5131109 B2 JP5131109 B2 JP 5131109B2 JP 2008237518 A JP2008237518 A JP 2008237518A JP 2008237518 A JP2008237518 A JP 2008237518A JP 5131109 B2 JP5131109 B2 JP 5131109B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- adhesive
- adhesive composition
- organopolysiloxane
- electronic parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4824—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
Description
久性、サーマルサイクル性と絶縁信頼性に優れた接着剤を設計することが重要である。そのためには、硬化後のガラス転移温度(Tg)が−10℃〜50℃であり、かつ175℃で1000時間熱処理した後のTgの変化率が15%以下であることが必要である。接着剤組成物の硬化後Tgは、サーマルサイクル(冷熱衝撃)環境下における熱応力緩和効果を示す指標となる。さらに、電圧を印加した場合のジュール熱に起因する電子やイオンの運動状態の変化、すなわち絶縁信頼性の変化を示す指標ともなる。また、パワーデバイスなどの分野においては150℃、10000時間の接着耐久性が求められている。本発明者らの知見によれば、175℃で1000時間熱処理することにより、150℃、10000時間相当の熱処理後の状態が再現される。したがって、本発明においては、硬化後のTgと、175℃で1000時間熱処理した後のTgの変化率に着目し、これらを前記範囲にすることで、長期高温条件下における接着耐久性、サーマルサイクル性と絶縁信頼性に優れた接着剤組成物を設計することができる。
ジメチルシリコーンオイル(シラノール基含有;BY16−873)、アルコール変性シリコーンオイル(水酸基含有;BY16−201)、エポキシ変性シリコーンオイル(エポキシ基含有;SF8413、BY16−855D、BY16−839、SF8421)、フェノール変性シリコーンオイル(水酸基含有;BY16−752、BY16−799)、カルボキシ変性シリコーンオイル(カルボキシル基含有;BY16−880、BY16−750)、メタクリレート変性シリコーンオイル(ビニル基含有;BY16−152D、BY16−152、BY16−152C)、アミノ変性シリコーンオイル(アミノ基含有;SF8417、BY16−871)等が挙げられる。
メタクリル変性シラン(ビニル基含有;DMS−V05、DMS−V22,DMS−V52、PVD−0325、PVD−0525、PVD−1641、FMV−4031)、ヒドロシリル変性シラン(ヒドロシリル基含有;HMS−H03、HMS−082、HMS−992)(以上、Gelest社製)、3037INTERMEDIATE(Mw=1000、メトキシ基、フェニル基およびメチル基を含む、メトキシ基含有18重量%)、3074INTERMEDIATE(Mw=1400、メトキシ基、フェニル基およびメチル基を含む、メトキシ基含有17重量%)、Z−6018(Mw=2000、水酸基、フェニル基およびメチル基を含む、水酸基価6重量%)、217FLAKE(Mw=2000、水酸基価、フェニル基およびメチル基を含む、水酸基価6重量%)、233FLAKE(Mw=3000、水酸基、フェニル基およびメチル基を含む、水酸基価6重量%)、249FLAKE(Mw=3000、水酸基、フェニル基およびメチル基を含む、水酸基価6重量%)、QP8−5314(Mw=200、メトキシ基、フェニル基およびメチル基を含む、メトキシ基42重量%)、SR2402(Mw=1500、メトキシ基およびメチル基を含む、メトキシ基31重量%)、AY42―161(Mw=1500、メトキシ基およびメチル基を含む、メトキシ基25重量%)、AY42−162(Mw=2500、メトキシ基およびメチル基を含む、メトキシ基33重量%)、AY42−163(Mw=4500、メトキシ基およびメチル基を含む、メトキシ基25重量%)、(以上、東レ・ダウコーニング(株)製)等が挙げられる。
(a)本発明の接着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を、離型性を有するポリエステルフィルム上にバーコータ等を用いて塗布し、乾燥する。乾燥条件は、100〜200℃、1〜5分が一般的である。
(A)BGA方式の半導体装置
(a)TAB用接着剤付きテープに12〜35μmの電解銅箔を、130〜170℃、0.1〜0.5MPaの条件でラミネートする。続いてエアオーブン中で80〜170℃の順次加熱キュア処理を行い、銅箔付きTAB用テープを作製する。得られた銅箔付きTAB用テープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離、電解ニッケルメッキ、電解金メッキ、ソルダーレジスト膜作製をそれぞれ行い、半導体集積回路接続用基板を作製する。
(a)セラミックス基板の片面あるいは両面に第一の導電層および半導体集積回路が配置された凹凸上に、(1)で得られた接着剤シートを積層し、120〜180℃で加熱圧着して一括封止する。接着剤シート積層後に、接着剤層の硬化度を調節してもよい。第一の導電層の形成は、サブトラクティブ法またはアディティブ法のいずれを用いてもよい。
TAB用接着剤付きテープ(#7100、(タイプ31N0−00FS)、東レ(株)製)に、18μmの電解銅箔を140℃、0.3MPa、0.3m/分の条件でラミネートした。続いてエアオーブン中、80℃で3時間、100℃で5時間、150℃で5時間の順次加熱キュア処理を行い、銅箔付きTAB用テープを作製した。得られた銅箔付きTAB用テープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離を行い、導体幅25μm、導体間距離25μmのくし形状導体パターンを持つ、評価用パターンテープを作製した。
電解銅箔(36μm)をJPCA−BM02の銅箔面クリーニングの標準手順に従いクリーニングしたものの光沢面に、接着剤シート(接着剤層厚さ200μm)の一方の保護フィルム層を剥離したものを130℃、0.5MPa、0.3m/分でラミネートした。他方の保護フィルム層を剥離し、100℃で1時間、170℃で2時間硬化させた。次いで銅箔をエッチングにより全面除去し、得られた接着剤層について動的粘弾性装置により周波数1Hz、昇温速度5℃/分の条件下で30℃における貯蔵弾性率を求めた(初期弾性率)。また、上述の条件で硬化した後の銅箔層付き接着剤層を175℃のオーブンにて接着剤層が露出している面を空気中に置いて1000時間放置した。次いで銅箔層を全てエッチングにより除去し、同様の条件で加熱処理して得られた接着剤層を動的粘弾性により貯蔵弾性率を測定した。
上記(2)記載の方法と同様にサンプルを作製し、動的粘弾性測定装置により得られたtanδのピーク温度よりガラス転移温度を測定し、初期ガラス転移温度(Tg)とした。175℃で1000時間加熱したサンプルについても同様の方法で処理を行い、ガラス転移温度を測定した。Tgの変化率は、初期ガラス転移温度の絶対温度(Tg1)と175℃で1000時間加熱処理した後の接着剤層のガラス転移温度の絶対温度(Tg2)から((Tg2−Tg1)/Tg1)×100(%)で表される。
(a)初期接着力
接着剤シート(接着剤層厚さ200μm)の一方の保護フィルム層を剥離し、0.5mm厚の銅板に130℃、1MPaの条件でラミネートした。その後、銅板上にラミネートした接着剤シートのもう一方の保護フィルム層を剥離し、ポリイミドフィルム(厚み75μm:宇部興産(株)製“ユーピレックス”(登録商標)75S)に130℃、1MPaの条件でラミネートした後、0.5MPa加圧下、170℃、2時間の加熱処理を行い、評価用サンプルを作製した。ポリイミドフィルムを5mm幅にスリットした後、5mm幅のポリイミドフィルムを90°方向に50mm/分の速度で剥離し、その際の接着力を測定した。
0.5mm厚の銅板をJPCA−BM02の銅箔面クリーニングの標準手順に従いクリーニングしたものの光沢面に、200μm厚の接着剤層を130℃、0.5MPa、0.3m/分でラミネートし、銅箔/接着剤層の構成にし、100℃で1時間、170℃で2時間硬化させた。それらを200℃のエアオーブンに入れた。途中、500時間までは50時間周期でサンプルを観察し、接着剤の剥がれあるいはクラックが生じればN.G.とした。500時間以降の観察は100時間周期の観察を行い、最長2000時間まで評価を行った。
前記(1)記載の方法で作製した評価用パターンテープの裏面に、130℃、0.5MPa、0.3m/分の条件で、一方の保護フィルム層を剥離した接着剤シート(接着剤層厚さ50μm)をロールラミネートした。その後、ICに見立てたシリコンウエハ(ダミーウエハ、20mm角)のコーティング面に、評価用パターンテープ裏面に貼り合わせた接着剤シートの保護フィルム層を剥離したものを、130℃、3MPa、10秒の条件で貼り付けた。接着剤の硬化は100℃で1時間、170℃で2時間行った。なお、シリコンウエハは、鏡面にポリイミドコーティング剤(東レ(株)製:SP341)で表面をコーティングし、350℃で1時間硬化させたものを使用した。
前記(b)の方法で、200℃のエアオーブンで500時間加熱処理した銅箔/接着剤層の積層体を、前記(c)記載の装置で−65℃〜150℃、最低および最高温度で各20分保持の条件で処理し、剥がれの発生を評価した。50サイクル周期でサンプルを観察し、接着剤の剥がれが生じればN.G.とした。
(a)絶縁破壊電圧
50μm厚さの接着剤層について、JIS C2110(1994)に準じて、平均10〜20秒間一定速度で印加電圧を加え、絶縁破壊が生じた時の電圧をその試験片の厚さで除して値(絶縁破壊電圧)を求めた。
接着剤シート(接着剤層厚さ50μm)の一方の保護フィルム層を剥離し、露出した接着剤層を、ポリイミドフィルム(宇部興産(株)製“ユーピレックス”(登録商標)75S)に130℃、0.5MPa、0.3m/分の条件でラミネートした後、他方の保護フィルム層を剥離し、18μmの電解銅箔を140℃、0.3MPa、0.3m/分の条件でラミネートした。続いて、エアオーブン中で170℃で2時間キュア処理を行い、銅箔/接着剤層/ポリイミドフィルムの構成の銅箔付きテープを作製した。得られた銅箔付きテープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離を行い、導体幅200μm、導体間距離200μmのくし形状導体パターンを持つ、評価用パターンテープを作製した。このパターンテープに170℃条件下で200V、500時間印加した時のパターン外観を、光学顕微鏡を用いて観察した。電極を基点にマイグレーションが生長した長さをマイグレーション量とした。
メチルシリコーンオイル(Gelest社製PDV―0325)120gに35%硫酸水溶液2.3gを窒素下、室温で9時間混合した。冷蔵庫で一夜放置し、氷水で希釈し、5℃以下で水酸化ナトリウム水溶液を加え中和した。エーテルで十分抽出し、乾燥後蒸留し、水酸基を有するメチルシリコーンオイルを得た。次いで水酸基の10倍モル当量に相当するエピクロルヒドリンを加え、撹拌しながら120℃に加熱環流し、40重量%の水酸化ナトリウムを水酸基の2倍モル相当量を4時間で滴下した。滴下終了後、さらに15分間加熱を行い、水を完全に除去してから、未反応エピクロルヒドリンを蒸留により除去した。次いでトルエンを加えて粗生成物を溶解し、濾過して食塩を除去した後、170℃、267Pa(2mmHg)まで加熱してトルエンを完全に抽出し、エポキシ基を有するオルガノポリシロキサンA−1を得た。
メチルシリコーンオイルにかえてフェニルメチルシリコーンオイル(Gelest社製PDV―1625)を用いた以外は参考例1と同様にしてオルガノポリシロキサンA−5を得た。
メチルシリコーンオイルにかえてフェニルシリコーンオイル(Gelest社製PDS―9931)を用い、水酸基の等倍モル当量に相当するエピクロルヒドリンを加えた以外は参考例1と同様にしてエポキシ基を有するフェニルシリコーンオイルを得た。次いで未反応の水酸基と等量モル分のヒドロシリル基を有するフェニルジメチルシラン(Gelest社製SIP6729)、Platinum−1,3−divinyl−1,1,3,3−tetramethyl−disiloxane complex(Gelest社製)および1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサンがそれぞれ200ppmになるように加え、未反応の水酸基をすべてアルキル変性したオルガノポリシロキサンSを得た。
n−ブチルメタクリレート5.69g、アクリロニトリル10.6g、グリシジルメタクリレート0.90g、連鎖移動剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン0.784gをトルエン8.49gに溶解した反応液に窒素気流下、アゾビスイソブチロニトリル0.025gをトルエン3gに溶解したものを滴下し、90℃で8時間反応させアクリル樹脂B−4を得た。
グリシジルメタクリレート0.90gを1.4gに変更した以外は全て参考例4と同様の操作を行い、アクリル樹脂B−5を得た。
グリシジルメタクリレート0.90gを0.14gに変更した以外は全て参考例4と同様の操作を行い、アクリル樹脂B−6を得た。
グリシジルメタクリレートを用いなかった以外は全て参考例4と同様の操作を行い、アクリル樹脂B−7を得た。
グリシジルメタクリレート0.90gを0.40gに変更した以外は全て参考例4と同様の操作を行い、アクリル樹脂B−8を得た。
グリシジルメタクリレート0.90gを0.54gに変更した以外は全て参考例4と同様の操作を行い、アクリル樹脂B−9を得た。
グリシジルメタクリレート0.90gを1.79gに変更した以外は全て参考例4と同様の操作を行い、アクリル樹脂B−10を得た。
表3記載の樹脂組成比になるように熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、硬化剤、オルガノポリシロキサン、硬化触媒を固形分20重量%となるようにメチルエチルケトン/トルエン=2/1(重量比)の混合溶剤に加え、30℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作製した。この接着剤溶液をバーコータで、シリコーン離型剤付きの厚さ38μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(藤森工業(株)製“フィルムバイナ”(登録商標)GT)に必要な乾燥厚さとなるように塗布し、150℃で4分間乾燥し、保護フィルム層を貼り合わせて、本発明の接着剤シートを作製した。また、前記方法により貯蔵弾性率、ガラス転移温度、接着性、絶縁信頼性の評価を行った。
表3〜表6記載の樹脂組成比となるように接着剤溶液を調合した以外は全て実施例1と同様にして接着剤シートを作製し、評価を行った。
ビニル基含有シラン(Gelest社製 DMS−V05)およびヒドロシリル基含有シラン(Gelest社製 HMS−031)が当量比1になるように混合した後にPlatinum−1,3−divinyl−1,1,3,3−tetramethyl−disiloxane complex(Gelest社製)および1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサンがそれぞれ200ppmになるように加えた。撹拌後この接着剤溶液をバーコータで、厚さ38μmのポリサルフォンフィルム(三菱化学(株)製)に必要な乾燥厚さとなるように塗布し、120℃で10分間乾燥し、保護フィルム層を貼り合わせて接着剤シートを作製した。本操作以外は全て実施例1と同様にして評価を行った。
2、10、15a、15b、15c 接着剤層
3、12 絶縁体層
4 導体パターン
5 半導体集積回路接続用基板
6 ボンディングワイヤー
7、11 半田ボール
8 封止樹脂
13a、13b、13c 第一の導電層
14 セラミックス基板
16 第二の導電層
Claims (10)
- (a)熱可塑性樹脂、(b)エポキシ樹脂、(c)硬化剤および(d)オルガノポリシロキサンを含有する電子部品用接着剤組成物であって、硬化後のガラス転移温度(Tg)が−10℃〜50℃であり、かつ175℃で1000時間熱処理した後のTgの変化率が15%以下であり、前記(d)オルガノポリシロキサンが、ケイ素原子に結合したアルキル基およびフェニル基を有し、フェニル基の含有量がケイ素原子に結合したアルキル基とフェニル基の総モル数に対して5〜70モル%であることを特徴とする電子部品用接着剤組成物。
- 硬化後の30℃における貯蔵弾性率、および、さらに175℃で1000時間加熱した後の30℃における貯蔵弾性率がいずれも0.1MPa〜100MPaであることを特徴とする請求項1記載の電子部品用接着剤組成物。
- 前記(d)オルガノポリシロキサンが、水酸基、エポキシ基、アルコキシル基、ビニル基、シラノール基、カルボキシル基、アミノ基、オキセタニル基およびヒドロシリル基からなる群より選ばれる少なくとも1種の官能基を含むことを特徴とする請求項1または2記載の電子部品用接着剤組成物。
- 前記(d)オルガノポリシロキサンの官能基含有量が(d)オルガノポリシロキサン中0.3〜30重量%であることを特徴とする請求項3記載の電子部品用接着剤組成物。
- 前記(d)オルガノポリシロキサンが2官能性シロキサン単位と3官能性以上のシロキサン単位を含むことを特徴とする請求項1〜4いずれか記載の電子部品用接着剤組成物。
- 前記(d)オルガノポリシロキサン中の2官能性シロキサン単位が20〜90モル%であることを特徴とする請求項5記載の電子部品用接着剤組成物。
- 前記(a)熱可塑性樹脂が、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、ビニル基、シラノール基およびイソシアネート基からなる群より選ばれる少なくとも1種の官能基を0.9〜3.0eq/kg有し、かつ炭素数1〜8の側鎖を有するアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルを含むことを特徴とする請求項1〜6いずれか記載の電子部品用接着剤組成物。
- 請求項1〜7いずれか記載の電子部品用接着剤組成物から形成される接着剤層と、少なくとも1層の剥離可能な保護フィルム層を有する電子部品用接着剤シート。
- 請求項1〜7いずれか記載の電子部品用接着剤組成物から形成される接着剤層を有する電子部品。
- 基板上に、第一の導電層と、半導体集積回路と、第一の導電層の少なくとも一部または半導体集積回路の少なくとも一部と接する請求項1〜7いずれか記載の電子部品用接着剤組成物から形成される接着剤層と、第一の導電層および半導体集積回路を接続する第二の導電層とを有する請求項9記載の電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008237518A JP5131109B2 (ja) | 2007-09-20 | 2008-09-17 | 電子部品用接着剤組成物およびそれを用いた電子部品用接着剤シート |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007243462 | 2007-09-20 | ||
JP2007243462 | 2007-09-20 | ||
JP2008237518A JP5131109B2 (ja) | 2007-09-20 | 2008-09-17 | 電子部品用接着剤組成物およびそれを用いた電子部品用接着剤シート |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009094493A JP2009094493A (ja) | 2009-04-30 |
JP5131109B2 true JP5131109B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=40666107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008237518A Active JP5131109B2 (ja) | 2007-09-20 | 2008-09-17 | 電子部品用接着剤組成物およびそれを用いた電子部品用接着剤シート |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5131109B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5330966B2 (ja) * | 2009-05-14 | 2013-10-30 | 日東電工株式会社 | 透明基板ならびに透明基板を用いた表示素子、太陽電池および照明素子 |
JP5454018B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2014-03-26 | 日立化成株式会社 | フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 |
JP5416546B2 (ja) | 2009-10-23 | 2014-02-12 | 日東電工株式会社 | 透明基板 |
JP5521848B2 (ja) * | 2010-07-21 | 2014-06-18 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電フィルム、接続構造体及びそれらの製造方法 |
JP5823117B2 (ja) * | 2010-11-16 | 2015-11-25 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電フィルム、接合体、及び接合体の製造方法 |
JP2012142439A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | 半導体装置実装用ペ−スト |
JP5814029B2 (ja) * | 2011-07-26 | 2015-11-17 | 日東電工株式会社 | 半導体装置製造用の接着シート、及び、半導体装置製造用の接着シートを有する半導体装置 |
KR102007194B1 (ko) * | 2013-02-14 | 2019-08-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 발광 장치 |
JP2015117283A (ja) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | オリンパス株式会社 | 医療機器用接着剤組成物及び医療機器 |
JP2016219619A (ja) * | 2015-05-21 | 2016-12-22 | 日東電工株式会社 | 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP7035347B2 (ja) * | 2017-10-05 | 2022-03-15 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 半導体加工用テープ |
TWI811458B (zh) * | 2018-09-26 | 2023-08-11 | 日商力森諾科股份有限公司 | 膜狀接著劑、接著片、以及半導體裝置及其製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4534100B2 (ja) * | 1998-11-10 | 2010-09-01 | 日立化成工業株式会社 | 電子部品用両面接着フィルム、半導体搭載用有機基板および半導体装置 |
JP3985148B2 (ja) * | 2001-08-16 | 2007-10-03 | 信越化学工業株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2003252960A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-10 | Toray Ind Inc | エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
JP3794349B2 (ja) * | 2002-06-25 | 2006-07-05 | 松下電工株式会社 | 封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2006232950A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用液状エポキシ樹脂組成物、半導体装置及びその製造方法 |
JP4786964B2 (ja) * | 2005-08-16 | 2011-10-05 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化型エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
-
2008
- 2008-09-17 JP JP2008237518A patent/JP5131109B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009094493A (ja) | 2009-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5131109B2 (ja) | 電子部品用接着剤組成物およびそれを用いた電子部品用接着剤シート | |
KR101471232B1 (ko) | 전자 부품용 접착제 조성물 및 이를 이용한 전자 부품용 접착제 시트 | |
JP5109411B2 (ja) | 電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート、電子部品 | |
JP5266696B2 (ja) | 電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート | |
JP4961761B2 (ja) | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート、半導体接続用基板ならびに半導体装置 | |
JP5263374B2 (ja) | 配線基板及び半導体装置並びに配線基板の製造方法 | |
JP5028897B2 (ja) | 絶縁材料、配線基板及び半導体装置 | |
JP4691365B2 (ja) | 半導体装置用接着剤組成物および半導体装置用接着シート | |
JPWO2018173945A1 (ja) | 回路基板用樹脂組成物とそれを用いた金属ベース回路基板 | |
JP7444212B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP2008231287A (ja) | 半導体装置用接着剤組成物、それを用いた接着剤シート、半導体用接着剤付きテープおよび銅張り積層板 | |
KR20150093730A (ko) | 수지층이 형성된 금속층, 적층체, 회로 기판 및 반도체 장치 | |
KR20180008308A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2009091566A (ja) | 接着剤組成物およびそれを用いた接着剤シート | |
JP7562944B2 (ja) | 基材付き樹脂膜、プリント配線基板および電子装置 | |
JP2010135587A (ja) | 半導体デバイス | |
JP5890253B2 (ja) | 熱伝導性熱硬化型接着剤組成物及び熱伝導性熱硬化型接着剤シート | |
JP5239661B2 (ja) | カバーレイフィルム | |
KR100727550B1 (ko) | 반도체 장치용 접착제 조성물 및 반도체 장치용 접착시트 | |
JP2008222815A (ja) | 接着剤組成物およびそれを用いた接着剤シート | |
JPH10178039A (ja) | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート | |
JP5234729B2 (ja) | 絶縁材料、配線基板及び半導体装置 | |
JP2005126712A (ja) | 半導体素子用接着剤組成物、それを用いた接着シート及び接着テープ | |
TW201309115A (zh) | 基板、金屬膜、基板之製造方法及金屬膜之製造方法 | |
JP3596237B2 (ja) | Tab用接着剤付きテープおよび半導体接続基板並びに半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110916 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120619 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120911 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121009 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121022 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5131109 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |