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JP5126687B2 - Resin-sealed semiconductor device, lead frame, lead frame manufacturing method, and resin-sealed semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Resin-sealed semiconductor device, lead frame, lead frame manufacturing method, and resin-sealed semiconductor device manufacturing method Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin-sealed semiconductor device for stable wire bonding at manufacturing, along with a lead frame therefor, a method of manufacturing the lead frame, and the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device. <P>SOLUTION: The resin-sealed semiconductor device 30 includes a die pad 12, a semiconductor element 31 mounted on the die pad 12, and a plurality of leads 20 each containing an inner lead 21 and outer lead 22. The semiconductor element 31 is connected to respective inner leads 21 by a bonding wire 33. The die pad 12, the semiconductor element 31, the lead 20, and the bonding wire 33 are sealed up with a sealing resin 34. The lateral cross section of respective inner leads 21 includes a top edge 21f, a bottom edge 21g, and a pair of side edges 21h. The bottom edge 21g is provided with a pair of protruding parts 21i at its both ends. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、樹脂封止型半導体装置、樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム、リードフレームの製造方法、および樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device, a lead frame for a resin-encapsulated semiconductor device, a lead frame manufacturing method, and a resin-encapsulated semiconductor device manufacturing method.

近年、樹脂封止型半導体装置において、ますますその形状を小型化および薄型化することが要求されてきている。このような背景のもと、樹脂封止型半導体装置のうち二方向端子のものについては、その開発のトレンドが、ＤＩＰ（Dual In-line Package）から、ＳＯＰ（Small Outline Package）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）、ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）という順に移り変わりつつある。   In recent years, there has been an increasing demand for reducing the size and thickness of resin-encapsulated semiconductor devices. Against this background, the development trend of resin-encapsulated semiconductor devices with two-way terminals has changed from DIP (Dual In-line Package) to SOP (Small Outline Package), TSOP (Thin). Small Outline Package) and SON (Small Outline Non-leaded Package).

また、樹脂封止型半導体装置のうち四方向端子のものについては、その開発のトレンドが、ＱＦＪ（Quad Flat J-leaded Package）（ＰＬＣＣ（Plastic Lead Chip Carrier））から、ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat J-leaded Package）、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）という順に移り変わりつつある。   Among the resin-encapsulated semiconductor devices that have four-way terminals, the development trend is from QFJ (Quad Flat J-leaded Package) (PLCC (Plastic Lead Chip Carrier)) to TQFP (Thin Quad Flat J). -leaded Package) and QFN (Quad Flat Non-leaded Package).

このうち小型薄型のパッケージであるＱＦＮに関しては、更なるコストダウンの要求により、個別封止タイプから一括封止タイプへと移り変わりつつある。   Among these, QFN, which is a small and thin package, is changing from an individual sealing type to a batch sealing type due to a demand for further cost reduction.

このＱＦＮは、リード部を有しており、リード部は、表裏一体に形成された内部端子と外部端子とを有している。そして近年、ＱＦＮのコストを更に下げることが要求されてきている。このため、ＱＦＮのリード部の内部端子先端にインナーリードを設け、これにより金からなるボンディングワイヤーの長さを短くし、コストダウンを図るものが登場している。該インナーリードは、内部端子から連続的に加工形成されており、その裏面（ワイヤーボンディングされる面と反対側の面）は、ハーフエッチングにより肉薄に加工されている。この結果、リード部の外部端子の形状を損ねることなく、半導体素子およびリード部を樹脂封止することができる。   The QFN has a lead portion, and the lead portion has an internal terminal and an external terminal that are integrally formed on the front and back sides. In recent years, there has been a demand for further reducing the cost of QFN. For this reason, an inner lead is provided at the tip of the internal terminal of the lead portion of the QFN, thereby shortening the length of the bonding wire made of gold and reducing the cost. The inner lead is continuously formed from the internal terminal, and the back surface (surface opposite to the surface to be wire bonded) is thinly processed by half etching. As a result, the semiconductor element and the lead portion can be resin-sealed without impairing the shape of the external terminal of the lead portion.

特開２０００−９１４８８号公報JP 2000-91488 A

このようなインナーリードを有するＱＦＮを製造する際、従来、リードフレーム上の個々の半導体素子毎に樹脂封止する手法（個別封止法）が用いられており、リードフレーム上の複数の半導体素子を一括して樹脂封止し、その後個々の半導体素子毎にダイシングする手法（一括封止法）を用いることは困難であると考えられている。これは、以下の理由による。   When manufacturing such QFN having inner leads, conventionally, a method (individual sealing method) of resin sealing for each individual semiconductor element on the lead frame is used, and a plurality of semiconductor elements on the lead frame are used. It is considered difficult to use a method (collective sealing method) in which resin is encapsulated in a lump and then diced for each individual semiconductor element. This is due to the following reason.

すなわち、一括封止法を用いる場合、リードフレーム裏面に封止樹脂の漏洩を防止するためのテープを貼り付けた状態でワイヤーボンディングを行う。このため、インナーリード裏面とテープとの間に空隙が生じる。したがって、例えば図１３に示すように従来のインナーリードの場合、その付根が肉薄であるため、ワイヤーボンディング時にインナーリードが大きくたわんで塑性変形してしまう。この結果、テープを剥離した後、インナーリード先端がパッケージ裏面から外方に露出するおそれがある。   That is, when using the collective sealing method, wire bonding is performed in a state where a tape for preventing leakage of the sealing resin is attached to the back surface of the lead frame. For this reason, a space | gap arises between an inner lead back surface and a tape. Therefore, for example, as shown in FIG. 13, in the case of the conventional inner lead, since the root is thin, the inner lead is greatly bent and plastically deformed during wire bonding. As a result, after the tape is peeled off, the tip of the inner lead may be exposed outward from the back surface of the package.

また従来、ハーフエッチング加工されたインナーリードの横断面形状は、図１４に示すようにお椀型となっている。このため、ワイヤーボンディング時にインナーリードが下方に押されてその底面がテープに着地した際、インナーリードが安定せず、横ぶれするおそれがある。この結果、インナーリード表面にワイヤーが正しくボンディングされない可能性がある。   Conventionally, the cross-sectional shape of a half-etched inner lead has a bowl shape as shown in FIG. For this reason, when the inner lead is pushed downward at the time of wire bonding and its bottom surface is landed on the tape, the inner lead may not be stable and may sway laterally. As a result, the wire may not be correctly bonded to the inner lead surface.

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、樹脂封止型半導体装置の製造工程において、ワイヤーボンディングを安定して行うことが可能な樹脂封止型半導体装置、樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム、リードフレームの製造方法、および樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and in the manufacturing process of a resin-encapsulated semiconductor device, a resin-encapsulated semiconductor device and a resin-encapsulated type capable of stably performing wire bonding An object is to provide a lead frame for a semiconductor device, a method for manufacturing the lead frame, and a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.

本発明は、樹脂封止型半導体装置において、ダイパッドと、ダイパッド上に搭載された半導体素子と、ダイパッドの周縁に設けられ、各々がインナーリードとアウターリードとを有する複数のリードと、半導体素子と各リードのインナーリードとを接続するボンディングワイヤーと、ダイパッドと、半導体素子と、リードと、ボンディングワイヤーとを封止する封止樹脂とを備え、各リードのインナーリードは、裏面側から肉薄化されており、各リードのインナーリードの横方向断面は、天縁と、底縁と、一対の側縁とを有し、底縁は、その両端に一対の突出部を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。 In the resin-encapsulated semiconductor device, the present invention provides a die pad, a semiconductor element mounted on the die pad, a plurality of leads each provided on the periphery of the die pad, each having an inner lead and an outer lead, and a semiconductor element. It has a bonding wire that connects the inner lead of each lead, a die pad, a semiconductor element, a lead, and a sealing resin that seals the bonding wire. The inner lead of each lead is thinned from the back side. and, transverse cross-section of each lead of the inner lead includes a top edge, a bottom edge and a pair of side edges, the bottom edge, the resin characterized by having a pair of projecting portions at both ends thereof This is a sealed semiconductor device.

本発明は、各リードのインナーリードの縦方向断面は、上辺と、端縁と、端縁に連結された水平部と、水平部とアウターリード側とを連結する湾曲部とを有し、湾曲部は、湾曲部の下端から延びる垂線よりアウターリード側へ入らないことを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。   According to the present invention, the longitudinal cross section of the inner lead of each lead has an upper side, an end edge, a horizontal portion connected to the end edge, and a curved portion connecting the horizontal portion and the outer lead side. The part is a resin-encapsulated semiconductor device that does not enter the outer lead side from a perpendicular extending from the lower end of the curved part.

本発明は、各リードのインナーリードの横方向断面において、底縁両端に設けられた一対の突出部間に、少なくとも１つの追加の突出部が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。   In the lateral cross section of the inner lead of each lead, the present invention is characterized in that at least one additional protrusion is provided between a pair of protrusions provided at both ends of the bottom edge. It is a semiconductor device.

本発明は、半導体装置用のリードフレームにおいて、ダイパッドと、ダイパッドの周縁に設けられ、各々がインナーリードとアウターリードとを有する複数のリードとを備え、各リードのインナーリードは、裏面側から肉薄化されており、各リードのインナーリードの横方向断面は、天縁と、底縁と、一対の側縁とを有し、底縁は、その両端に一対の突出部を有することを特徴とするリードフレームである。 The present invention provides a lead frame for a semiconductor device, comprising a die pad and a plurality of leads each provided with an inner lead and an outer lead, the inner lead of each lead being thinned from the back side. transverse cross section of the reduction is and, for each lead inner lead, a top edge, it has a bottom edge and a pair of side edges, bottom edge, and characterized by having a pair of projections at both ends thereof Lead frame.

本発明は、各リードのインナーリードの縦方向断面は、上辺と、端縁と、端縁に連結された水平部と、水平部とアウターリード側とを連結する湾曲部とを有し、湾曲部は、湾曲部の下端から延びる垂線よりアウターリード側へ入らないことを特徴とするリードフレームである。   According to the present invention, the longitudinal cross section of the inner lead of each lead has an upper side, an end edge, a horizontal portion connected to the end edge, and a curved portion connecting the horizontal portion and the outer lead side. The part is a lead frame that does not enter the outer lead side from a perpendicular extending from the lower end of the curved part.

本発明は、各リードのインナーリードの横方向断面において、底縁両端に設けられた一対の突出部間に、少なくとも１つの追加の突出部が設けられていることを特徴とするリードフレームである。   The present invention is the lead frame characterized in that at least one additional protrusion is provided between a pair of protrusions provided at both ends of the bottom edge in the lateral cross section of the inner lead of each lead. .

本発明は、各々がインナーリードとアウターリードとを有する複数のリードを含むリードフレームを製造するリードフレームの製造方法において、基板を準備する工程と、基板に対し、基板裏面側に位置する一対の部分レジストを含むレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンが形成された基板に対してエッチングを施す工程とを備え、エッチングを施す工程において、基板裏面側の一対の部分レジストにより、両端に一対の突出部を有する底縁を有するとともに基板裏面側から肉薄化されたインナーリードが形成されることを特徴とするリードフレームの製造方法である。 The present invention relates to a lead frame manufacturing method for manufacturing a lead frame including a plurality of leads each having an inner lead and an outer lead, and a step of preparing a substrate and a pair of substrates positioned on the back side of the substrate with respect to the substrate A step of forming a resist pattern including a partial resist and a step of etching the substrate on which the resist pattern is formed. In the step of etching, a pair of partial resists on the back side of the substrate are used to form a pair A lead frame manufacturing method characterized in that an inner lead having a bottom edge having a protruding portion and being thinned from the back side of the substrate is formed.

本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法において、リードフレームの製造方法によりリードフレームを製造する工程と、リードフレーム裏面にバックアップ材を取り付ける工程と、リードフレームのダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子と各リードのインナーリードとをボンディングワイヤーにより接続する工程と、ダイパッドと、半導体素子と、リードと、ボンディングワイヤーとを封止樹脂により封止する工程と、バックアップ材を除去する工程と、リードフレームを切断して樹脂封止型半導体装置毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法である。   The present invention relates to a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, a step of manufacturing a lead frame by a method of manufacturing a lead frame, a step of attaching a backup material to the back surface of the lead frame, and mounting a semiconductor element on a die pad of the lead frame The step of connecting the semiconductor element and the inner lead of each lead with a bonding wire, the step of sealing the die pad, the semiconductor element, the lead, and the bonding wire with a sealing resin, and removing the backup material And a step of cutting the lead frame and separating each of the resin-encapsulated semiconductor devices.

本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法において、請求項７記載のリードフレームの製造方法によりリードフレームを製造する工程と、ボンディング用金型の凸部上にリードフレームの各リードのインナーリードがくるように、リードフレームをボンディング用金型上に載置する工程と、リードフレームのダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子と各リードのインナーリードとをボンディングワイヤーにより接続する工程と、ボンディング用金型をリードフレームから取り除く工程と、ダイパッドと、半導体素子と、リードと、ボンディングワイヤーとを封止樹脂により封止する工程と、リードフレームを切断して樹脂封止型半導体装置毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法である。   The present invention relates to a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, the step of manufacturing a lead frame by the method of manufacturing a lead frame according to claim 7, and the inner of each lead of the lead frame on the convex portion of the bonding mold The step of placing the lead frame on the bonding mold, the step of mounting the semiconductor element on the die pad of the lead frame, and the inner lead of each lead are connected by bonding wires so that the leads come. A step, a step of removing a bonding die from a lead frame, a step of sealing a die pad, a semiconductor element, a lead, and a bonding wire with a sealing resin, and a resin-encapsulated semiconductor by cutting the lead frame A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising: a step of separating each device; That.

本発明によれば、各リードのインナーリードの横方向断面は、天縁と、底縁と、一対の側縁とを有し、底縁は、その両端に一対の突出部を有する。このことにより、ワイヤーボンディング時にインナーリードが下方に押され、その底面がバックアップ材に着地した際、インナーリードが横ぶれすることがない。したがって、安定したワイヤーボンディングを行うことが可能となる。   According to the present invention, the lateral cross section of the inner lead of each lead has a top edge, a bottom edge, and a pair of side edges, and the bottom edge has a pair of protrusions at both ends thereof. As a result, the inner lead is not swayed when the inner lead is pushed downward during wire bonding and its bottom surface is landed on the backup material. Therefore, stable wire bonding can be performed.

また本発明によれば、各リードのインナーリードの縦方向断面は、上辺と、端縁と、端縁に連結された水平部と、水平部とアウターリード側とを連結する湾曲部とを有し、湾曲部は、湾曲部の下端から延びる垂線よりアウターリード側へ入らない。このことにより、ワイヤーボンディング時にインナーリードが下方に押された際、インナーリードの変形を小さくし、その変形量を製品に影響を及ぼさない程度に抑えることができる。   Further, according to the present invention, the longitudinal cross section of the inner lead of each lead has an upper side, an end edge, a horizontal portion connected to the end edge, and a curved portion connecting the horizontal portion and the outer lead side. Then, the bending portion does not enter the outer lead side from the perpendicular extending from the lower end of the bending portion. As a result, when the inner lead is pushed downward during wire bonding, the deformation of the inner lead can be reduced and the amount of deformation can be suppressed to the extent that the product is not affected.

また本発明によれば、リードフレーム上の複数の半導体素子を一括して樹脂封止する手法（一括封止法）を用いて、樹脂封止型半導体装置を製造することが可能となる。このことにより、樹脂封止型半導体装置のコストダウンを図ることができる。   In addition, according to the present invention, it is possible to manufacture a resin-encapsulated semiconductor device using a technique (collective encapsulating method) in which a plurality of semiconductor elements on a lead frame are encapsulated with resin. As a result, the cost of the resin-encapsulated semiconductor device can be reduced.

本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す平面図。1 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１のII−II線断面図）。Sectional drawing which shows the lead frame by one embodiment of this invention (II-II sectional view taken on the line of FIG. 1). 本発明の一実施の形態によるリードフレームのリードを示す縦方向断面図（図２のIII部拡大図）。FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a lead of a lead frame according to an embodiment of the present invention (an enlarged view of a portion III in FIG. 2). 本発明の一実施の形態によるリードフレームのリードを示す横方向断面図（図３のIV−IV線断面図）。FIG. 4 is a lateral cross-sectional view (a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3) showing the lead of the lead frame according to the embodiment of the present invention. リードフレームのリードの変形例を示す横方向断面図。The transverse direction sectional view showing the modification of the lead of a lead frame. 本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置を示す平面図。1 is a plan view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置を示す断面図（図６のVI−VI線断面図）。Sectional drawing which shows the resin sealing type semiconductor device by one embodiment of this invention (VI-VI sectional view taken on the line of FIG. 6). 本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of the lead frame by one embodiment of this invention. リードフレームの製造工程において、インナーリードが形成される工程を示す図。The figure which shows the process in which an inner lead is formed in the manufacturing process of a lead frame. 本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of the resin sealing type semiconductor device by one embodiment of this invention. 樹脂封止型半導体装置の製造工程において、ワイヤーボンディング時にインナーリードが下方へ押圧された状態を示す図。The figure which shows the state by which the inner lead was pressed below at the time of wire bonding in the manufacturing process of a resin-encapsulated semiconductor device. 本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置の製造工程の変形例を示す図。The figure which shows the modification of the manufacturing process of the resin sealing type semiconductor device by one embodiment of this invention. 従来のインナーリードを示す縦方向断面図。The longitudinal direction sectional view showing the conventional inner lead. 従来のインナーリードを示す横方向断面図（図１３のXIII−XIII線断面図）。FIG. 14 is a lateral sectional view showing a conventional inner lead (cross sectional view taken along line XIII-XIII in FIG. 13).

以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図１２を参照して説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

リードフレームの構成
まず、図１乃至図４により、本発明の一実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。ここで、図１は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す平面図であり、図２は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１のII−II線断面図）である。また図３は、本発明の一実施の形態によるリードフレームのリードを示す縦方向断面図（図２のIII部拡大図）であり、図４は、本発明の一実施の形態によるリードフレームのリードを示す横方向断面図（図３のIV−IV線断面図）である。図５は、リードフレームのリードの変形例を示す横方向断面図である。なお、本明細書において、インナーリード２１の縦方向断面とは、インナーリード２１の長手方向に沿う垂直断面をいい、インナーリード２１の横方向断面とは、インナーリード２１の長手方向に垂直な方向に沿う垂直断面をいう。 Construction of the lead frame initially, to FIG. 1 to FIG. 4, the outline of the lead frame according to an exemplary embodiment of the present invention. Here, FIG. 1 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention (II-II line in FIG. 1). FIG. FIG. 3 is a longitudinal sectional view (an enlarged view of a portion III in FIG. 2) showing a lead of the lead frame according to the embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a view of the lead frame according to the embodiment of the present invention. FIG. 4 is a lateral cross-sectional view showing a lead (a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3). FIG. 5 is a lateral cross-sectional view showing a modification of the lead of the lead frame. In this specification, the longitudinal section of the inner lead 21 refers to a vertical section along the longitudinal direction of the inner lead 21, and the lateral section of the inner lead 21 refers to a direction perpendicular to the longitudinal direction of the inner lead 21. A vertical cross section along

図１および図２に示すように、リードフレーム１０は、外枠部材１１と、外枠部材１１内方に設けられたダイパッド１２と、ダイパッド１２の周縁に設けられるとともに外枠部材１１の内側端辺１１ａから内方へ突出する複数の細長状リード２０とを備えている。   As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the lead frame 10 includes an outer frame member 11, a die pad 12 provided inside the outer frame member 11, and an inner end of the outer frame member 11 provided at the periphery of the die pad 12. And a plurality of elongated leads 20 protruding inward from the side 11a.

このうち外枠部材１１は、外形形状および内側開口形状が矩形の回廊形状であり、各リード２０は外枠部材１１の内側端辺１１ａから同一平面内に突設されている。   Out of these, the outer frame member 11 has a corridor shape in which the outer shape and the inner opening shape are rectangular, and each lead 20 projects from the inner end side 11 a of the outer frame member 11 in the same plane.

ダイパッド１２は、外枠部材１１の内側端辺１１ａの四隅から延設された４本の吊りリード１３によって支持されている。図２において、ダイパッド１２はリード２０と同一の厚みをもっているが、これに限らず、ダイパッド１２の厚みをリード２０より薄くしても良く、あるいは厚くしても良い。   The die pad 12 is supported by four suspension leads 13 extending from the four corners of the inner end side 11 a of the outer frame member 11. In FIG. 2, the die pad 12 has the same thickness as the lead 20, but the present invention is not limited to this, and the die pad 12 may be thinner or thicker than the lead 20.

図２に示すように、各リード２０は、それぞれインナーリード２１とアウターリード２２とを有している。このうちインナーリード２１は、後述するように樹脂封止型半導体装置３０を製造する際、半導体素子３１と接続される内部端子としての役割を果たす。他方、アウターリード２２は、樹脂封止型半導体装置３０と外部の機器との接続を行う外部端子としての役割を果たす。   As shown in FIG. 2, each lead 20 has an inner lead 21 and an outer lead 22. Among these, the inner lead 21 serves as an internal terminal connected to the semiconductor element 31 when the resin-encapsulated semiconductor device 30 is manufactured as described later. On the other hand, the outer lead 22 serves as an external terminal for connecting the resin-encapsulated semiconductor device 30 to an external device.

次に、図３および図４を用いて、各リード２０の構成について更に説明する。   Next, the configuration of each lead 20 will be further described with reference to FIGS. 3 and 4.

図３に示すように、各リード２０のインナーリード２１の縦方向断面は、上辺２１ａと、上辺２１ａの一側（ダイパッド１２側）端部から下方に延びる端縁２１ｂと、端縁２１ｂに連結された水平部２１ｃと、水平部２１ｃとアウターリード２２側とを連結する湾曲部２１ｄとを有している。このうち湾曲部２１ｄは、湾曲部２１ｄの下端２１ｅから延びる垂線Ｈよりアウターリード２２側（図３の左側）へ入らないようになっている。すなわち図３において、湾曲部２１ｄの下端２１ｅにおける湾曲部２１ｄの接線Ｌと、リード２０底面上に位置する直線Ｐとがなす角θは９０°以下となる。このような構成により、インナーリード２１の付根の強度が高められている。   As shown in FIG. 3, the longitudinal cross section of the inner lead 21 of each lead 20 is connected to the upper edge 21a, an edge 21b extending downward from one end (on the die pad 12) of the upper edge 21a, and the edge 21b. And a curved portion 21d that connects the horizontal portion 21c and the outer lead 22 side. Of these, the bending portion 21d is prevented from entering the outer lead 22 side (left side in FIG. 3) from the perpendicular H extending from the lower end 21e of the bending portion 21d. That is, in FIG. 3, the angle θ formed by the tangent line L of the bending portion 21d at the lower end 21e of the bending portion 21d and the straight line P located on the bottom surface of the lead 20 is 90 ° or less. With such a configuration, the strength of the root of the inner lead 21 is increased.

このような構成により、樹脂封止型半導体装置３０の製造工程において、インナーリード２１に力が加わった際に塑性変形が生じることを防止することができる。   With such a configuration, it is possible to prevent plastic deformation from occurring when a force is applied to the inner lead 21 in the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device 30.

さらに図４に示すように、各リード２０のインナーリード２１の横方向断面は、水平な天縁２１ｆと、底縁２１ｇと、一対の側縁２１ｈとを有している。このうち底縁２１ｇは、インナーリード２１内方に湾曲した形状を有しており、その両端に一対の突出部２１ｉを有している。また一対の側縁２１ｈも、それぞれインナーリード２１内方に湾曲した形状を有している。   Further, as shown in FIG. 4, the lateral cross section of the inner lead 21 of each lead 20 has a horizontal top edge 21f, a bottom edge 21g, and a pair of side edges 21h. Of these, the bottom edge 21g has a shape curved inwardly of the inner lead 21, and has a pair of projecting portions 21i at both ends thereof. Each of the pair of side edges 21h also has a shape curved inwardly of the inner lead 21.

あるいは、図５に示すように、各リード２０のインナーリード２１の横方向断面において、底縁２１ｇの両端に設けられた一対の突出部２１ｉ間に追加の突出部２１ｊが設けられていてもよい。なお追加の突出部２１ｊは、一対の突出部２１ｉ間に２つ以上設けられていても良い。   Alternatively, as shown in FIG. 5, in the cross section in the lateral direction of the inner lead 21 of each lead 20, an additional protrusion 21 j may be provided between a pair of protrusions 21 i provided at both ends of the bottom edge 21 g. . Two or more additional protrusions 21j may be provided between the pair of protrusions 21i.

このようなリードフレーム１０の材質は、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等とすることができる。   The material of the lead frame 10 can be copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 41% Fe alloy), or the like.

樹脂封止型半導体装置の構成
次に、図６および図７を用いて、本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置の概略について説明する。図６は、本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置を示す平面図であり、図７は、本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置を示す断面図（図６のVI−VI線断面図）である。なお、樹脂封止型半導体装置の構成を理解しやすくするために、図６では後述する封止樹脂３４を省略し、図７では封止樹脂３４を仮想線（２点鎖線）で示している。 Configuration of Resin Sealed Semiconductor Device Next, an outline of a resin sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 is a plan view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view showing the resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention (FIG. 6). FIG. 6 is a sectional view taken along line VI-VI. In order to facilitate understanding of the configuration of the resin-encapsulated semiconductor device, a sealing resin 34 described later is omitted in FIG. 6, and the sealing resin 34 is indicated by a virtual line (two-dot chain line) in FIG. .

図６および図７に示す樹脂封止型半導体装置３０は、図１乃至図５に示すリードフレーム１０を用いて作成されるものである。この樹脂封止型半導体装置３０は、ダイパッド１２と、ダイパッド１２上に搭載された半導体素子３１とを備えている。   The resin-encapsulated semiconductor device 30 shown in FIGS. 6 and 7 is manufactured using the lead frame 10 shown in FIGS. 1 to 5. This resin-encapsulated semiconductor device 30 includes a die pad 12 and a semiconductor element 31 mounted on the die pad 12.

図７に示すように、半導体素子３１は、電気絶縁性の両面接着テープ３２を介して、ダイパッド１２上にその端子面と反対側の面を固着され搭載されている。この両面接着テープ３２としては、電気絶縁性のもののほか、導電性のものを用いても良い。また、半導体素子３１をダイパッド１２上に固着する場合、両面接着テープ３２に代えてペーストを用いても良い。あるいは、半導体素子３１をダイパッド１２上に直付けしても良い。また半導体素子３１の複数の端子３１ａは、半導体素子３１の各辺に沿って配置されている。   As shown in FIG. 7, the semiconductor element 31 is mounted on the die pad 12 with a surface opposite to the terminal surface thereof fixed via an electrically insulating double-sided adhesive tape 32. As the double-sided adhesive tape 32, an electrically conductive one may be used in addition to an electrically insulating one. Further, when the semiconductor element 31 is fixed on the die pad 12, a paste may be used instead of the double-sided adhesive tape 32. Alternatively, the semiconductor element 31 may be directly attached on the die pad 12. The plurality of terminals 31 a of the semiconductor element 31 are disposed along each side of the semiconductor element 31.

ダイパッド１２の周縁には、各々がインナーリード２１とアウターリード２２とを有する複数の細長状リード２０が設けられている。各リード２０は、略同一平面内において二次元的に互いに電気的に独立して配置されている。このリード２０の縦方向断面および横方向断面の構成は、図３乃至図５を用いて既に説明した構成と同一であるので、ここでは説明を省略する。   A plurality of elongated leads 20 each having an inner lead 21 and an outer lead 22 are provided on the periphery of the die pad 12. Each lead 20 is arranged two-dimensionally and electrically independent from each other in substantially the same plane. Since the configuration of the longitudinal cross section and the horizontal cross section of the lead 20 is the same as the configuration already described with reference to FIGS. 3 to 5, the description thereof is omitted here.

また、ダイパッド１２は、リード２０が二次元的に配置されている平面の略中央にリード２０から電気的に独立して配置されている。このダイパッド１２の四隅からは、吊りリード１３が、リード２０が二次元的に配置されている平面内に電気的に独立して延びている（図６）。   Further, the die pad 12 is disposed electrically independently from the lead 20 at the approximate center of the plane on which the lead 20 is two-dimensionally disposed. From the four corners of the die pad 12, suspension leads 13 extend electrically independently in a plane in which the leads 20 are two-dimensionally arranged (FIG. 6).

また、ダイパッド１２に搭載されている半導体素子３１の各端子３１ａは、各リード２０のインナーリード２１にボンディングワイヤー３３によって接続されている。   Each terminal 31 a of the semiconductor element 31 mounted on the die pad 12 is connected to the inner lead 21 of each lead 20 by a bonding wire 33.

そして、アウターリード２２を外部に露出させるようにリード２０、ダイパッド１２、吊りリード１３、半導体素子３１およびボンディングワイヤー３３が封止樹脂３４により封止されている。封止樹脂３４は、樹脂封止型半導体装置に使用されている公知の樹脂材料を用いて形成することができる。   The lead 20, the die pad 12, the suspension lead 13, the semiconductor element 31, and the bonding wire 33 are sealed with a sealing resin 34 so that the outer lead 22 is exposed to the outside. The sealing resin 34 can be formed using a known resin material used in a resin-sealed semiconductor device.

リードフレームの製造方法
次に、本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造方法について説明する。 Lead Frame Manufacturing Method Next, a lead frame manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described.

ここで図８（ａ）−（ｄ）は、図１乃至図５に示す本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造工程を示す図である。また図９（ａ）−（ｂ）は、リードフレームの製造工程において、インナーリードが形成される工程を示す図である。なお図８（ａ）−（ｄ）に示す各工程は、上記の図２に対応するリードフレームの縦断面図で示してあり、図９（ａ）−（ｂ）に示す各工程は、上記の図４に対応するインナーリードの横方向断面図で示してある。   Here, FIGS. 8A to 8D are views showing a manufacturing process of the lead frame according to the embodiment of the present invention shown in FIGS. FIGS. 9A to 9B are views showing a process of forming inner leads in the lead frame manufacturing process. 8A to 8D are shown in the longitudinal sectional view of the lead frame corresponding to FIG. 2, and the steps shown in FIGS. 9A to 9B are the same as those described above. 5 is a cross-sectional view of the inner lead corresponding to FIG.

まず、導電性基板４０を準備する（図８（ａ））。この導電性基板４０としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等の金属基板（厚み１００〜２５０μｍ）を使用することができ、この導電性基板４０は、その両面に対して脱脂等を行い洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。   First, the conductive substrate 40 is prepared (FIG. 8A). As the conductive substrate 40, a metal substrate (thickness: 100 to 250 μm) such as copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 41% Fe alloy) can be used as described above. It is preferable to use one that has been degreased on both sides and subjected to a cleaning treatment.

次に、この導電性基板４０の表裏に感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像してレジストパターン５１、５２を形成する（図８（ｂ））。なお感光性レジストとしては、従来公知のものを使用することができる。この場合、導電性基板４０裏面側に形成されるレジストパターン５２のうち、リード２０のインナーリード２１を形成しようとする位置に、一対の部分レジスト５２ａ、５２ａを設けておく（図９（ａ））。   Next, a photosensitive resist is applied to the front and back of the conductive substrate 40, dried, exposed through a desired photomask, and then developed to form resist patterns 51 and 52 (FIG. 8B). ). In addition, a conventionally well-known thing can be used as a photosensitive resist. In this case, a pair of partial resists 52a and 52a are provided at positions where the inner leads 21 of the leads 20 are to be formed in the resist pattern 52 formed on the back side of the conductive substrate 40 (FIG. 9A). ).

次に、レジストパターン５１、５２を耐腐蝕膜として導電性基板４０に腐蝕液でエッチングを施す（図８（ｃ））。腐蝕液は、使用する導電性基板４０の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、導電性基板４０として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、導電性基板４０の両面からスプレーエッチングにて行う。   Next, the conductive substrate 40 is etched with a corrosive solution using the resist patterns 51 and 52 as corrosion resistant films (FIG. 8C). The corrosive liquid can be appropriately selected according to the material of the conductive substrate 40 to be used. For example, when copper is used as the conductive substrate 40, a ferric chloride aqueous solution is usually used, and the conductive substrate 40 Perform by spray etching from both sides.

上述したように、導電性基板４０の裏面側において、リード２０のインナーリード２１に対応する位置に、一対の部分レジスト５２ａ、５２ａが設けられている（図９（ａ））。このことにより、導電性基板４０に対して腐蝕液でエッチングを行った際、表面側のレジストパターン５１と裏面側の一対の部分レジスト５２ａ、５２ａとの間で、天縁２１ｆと、その両端に一対の突出部２１ｉを有する底縁２１ｇと、一対の側縁２１ｈとを有する横方向断面をもつインナーリード２１が形成される（図９（ｂ））。   As described above, the pair of partial resists 52a and 52a are provided on the back surface side of the conductive substrate 40 at positions corresponding to the inner leads 21 of the leads 20 (FIG. 9A). Accordingly, when etching is performed on the conductive substrate 40 with a corrosive liquid, the top edge 21f and the both ends thereof are formed between the resist pattern 51 on the front surface side and the pair of partial resists 52a and 52a on the back surface side. An inner lead 21 having a lateral cross section having a bottom edge 21g having a pair of protrusions 21i and a pair of side edges 21h is formed (FIG. 9B).

次いで、レジストパターン５１、５２を剥離して除去する（図８（ｄ））。このようにして、外枠部材１１と、外枠部材１１内方に設けられたダイパッド１２と、ダイパッド１２の周縁に設けられ、インナーリード２１とアウターリード２２とを有する複数の細長状リード２０とを有するリードフレーム１０が得られる。   Next, the resist patterns 51 and 52 are peeled and removed (FIG. 8D). In this way, the outer frame member 11, the die pad 12 provided inside the outer frame member 11, and the plurality of elongated leads 20 provided on the periphery of the die pad 12 and having the inner leads 21 and the outer leads 22, The lead frame 10 having the following is obtained.

樹脂封止型半導体装置の製造方法
次に、本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described.

ここで図１０（ａ）−（ｇ）は、図６および図７に示す本発明の一実施の形態による樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す図である。また図１１は、樹脂封止型半導体装置の製造工程において、ワイヤーボンディング時にインナーリードが下方へ押圧された状態を示す図である。なお図１０（ａ）−（ｇ）に示す各工程は、上記の図７に対応する樹脂封止型半導体装置の縦断面図で示してある。また図１１は、上記の図４に対応するインナーリードの横方向断面図で示してある。   Here, FIGS. 10A to 10G are views showing a manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device according to the embodiment of the present invention shown in FIGS. FIG. 11 is a diagram showing a state in which the inner lead is pressed downward during wire bonding in the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device. Each process shown in FIGS. 10A to 10G is shown in a longitudinal sectional view of the resin-encapsulated semiconductor device corresponding to FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view of the inner lead corresponding to FIG. 4 described above.

まず、上述した工程により、リードフレーム１０を作成する（図８（ａ）−（ｄ）、図１０（ａ））。次に、リードフレーム１０の裏面側に、テープ等からなるバックアップ材５７を取り付ける（図１０（ｂ））。   First, the lead frame 10 is created by the above-described steps (FIGS. 8A to 8D and FIG. 10A). Next, a backup material 57 made of tape or the like is attached to the back side of the lead frame 10 (FIG. 10B).

次に、ダイパッド１２の表面に電気絶縁性の両面接着テープ３２を貼付し、この両面接着テープ３２を介して半導体素子３１の回路形成面の裏面側を固着することにより、半導体素子３１を搭載する（図１０（ｃ））。   Next, an electrically insulating double-sided adhesive tape 32 is affixed to the surface of the die pad 12 and the semiconductor element 31 is mounted by fixing the back side of the circuit formation surface of the semiconductor element 31 via the double-sided adhesive tape 32. (FIG. 10 (c)).

次いで、搭載した半導体素子３１の端子３１ａと、リードフレーム１０のインナーリード２１とを、ボンディングワイヤー３３で電気的に接続する（図１０（ｄ））。   Next, the terminal 31a of the mounted semiconductor element 31 and the inner lead 21 of the lead frame 10 are electrically connected by the bonding wire 33 (FIG. 10D).

このワイヤーボンディング工程において、ワイヤーボンダーによりボンディングワイヤー３３がインナーリード２１に接続される。この間、図１１に示すように、ワイヤーボンダーのキャピラリ５８によりインナーリード２１が下方へ押圧される。ここで、上述したように、各インナーリード２１の横方向断面は、天縁２１ｆと、底縁２１ｇと、一対の側縁２１ｈとを有し、底縁２１ｇは、その両端に一対の突出部２１ｉを有している（図４参照）。したがって、インナーリード２１がキャピラリ５８により下方に押圧されて、インナーリード２１の底面がバックアップ材５７に着地した際、インナーリード２１が横ぶれすることがない（図１１）。したがって、ボンディングワイヤー３３をインナーリード２１表面に安定してボンディングすることが可能となる。   In this wire bonding step, the bonding wire 33 is connected to the inner lead 21 by a wire bonder. During this time, as shown in FIG. 11, the inner lead 21 is pressed downward by the capillary 58 of the wire bonder. Here, as described above, the transverse cross section of each inner lead 21 has a top edge 21f, a bottom edge 21g, and a pair of side edges 21h, and the bottom edge 21g has a pair of projecting portions at both ends thereof. 21i (see FIG. 4). Therefore, when the inner lead 21 is pressed downward by the capillary 58 and the bottom surface of the inner lead 21 is landed on the backup material 57, the inner lead 21 does not run sideways (FIG. 11). Therefore, the bonding wire 33 can be stably bonded to the surface of the inner lead 21.

また、上述したように、各インナーリード２１の縦方向断面は、上辺２１ａと、端縁２１ｂと、端縁２１ｂに連結された水平部２１ｃと、水平部２１ｃとアウターリード２２側とを連結する湾曲部２１ｄとを有し、湾曲部２１ｄは、湾曲部２１ｄの下端から延びる垂線Ｈよりアウターリード２２側へ入らないようになっている（図３参照）。したがって、インナーリード２１の付根の強度が高められ、これによりインナーリード２１が下方へ押圧された際、インナーリード２１の変形を小さくし、その変形量を製品に影響を及ぼさない程度に抑えることができる。   Further, as described above, the longitudinal cross section of each inner lead 21 connects the upper side 21a, the end edge 21b, the horizontal portion 21c connected to the end edge 21b, and the horizontal portion 21c and the outer lead 22 side. The bending portion 21d does not enter the outer lead 22 side from the perpendicular H extending from the lower end of the bending portion 21d (see FIG. 3). Accordingly, the strength of the root of the inner lead 21 is increased, whereby when the inner lead 21 is pressed downward, the deformation of the inner lead 21 is reduced and the deformation amount is suppressed to an extent that does not affect the product. it can.

続いて、リードフレーム１０を成形金型内に収容し、アウターリード２２を外部に露出させるようにして、リード２０、ダイパッド１２、吊りリード１３、半導体素子３１、およびボンディングワイヤー３３を封止樹脂３４により封止する（図１０（ｅ））。   Subsequently, the lead frame 10 is accommodated in a molding die, and the outer lead 22 is exposed to the outside, and the lead 20, the die pad 12, the suspension lead 13, the semiconductor element 31, and the bonding wire 33 are sealed with the sealing resin 34. (FIG. 10E).

次いで、リードフレーム１０を成形金型内から取出すとともに、リードフレーム１０の裏面からバックアップ材５７を除去する（図１０（ｆ））。   Next, the lead frame 10 is taken out from the molding die, and the backup material 57 is removed from the back surface of the lead frame 10 (FIG. 10F).

最後に、リードフレーム１０を切断して樹脂封止型半導体装置３０毎に分離する。具体的には、封止樹脂３４から露出しているリードフレーム１０の各リード２０と各吊りリード１３とを切断するとともに、外枠部材１１を除去する。このようにして、本実施の形態による樹脂封止型半導体装置３０が得られる（図１０（ｇ））。   Finally, the lead frame 10 is cut and separated for each resin-encapsulated semiconductor device 30. Specifically, the leads 20 and the suspension leads 13 of the lead frame 10 exposed from the sealing resin 34 are cut, and the outer frame member 11 is removed. In this way, the resin-encapsulated semiconductor device 30 according to the present embodiment is obtained (FIG. 10 (g)).

樹脂封止型半導体装置の製造方法の変形例
次に図１２（ａ）−（ｇ）により、本実施の形態による樹脂封止型半導体装置の製造方法の変形例について説明する。 Modified Example of Manufacturing Method of Resin Sealed Semiconductor Device Next, a modified example of the manufacturing method of the resin sealed semiconductor device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

ここで図１２（ａ）−（ｇ）は、図６および図７に示す樹脂封止型半導体装置の製造工程の変形例を示す図である。なお図１２（ａ）−（ｇ）に示す各工程は、上記の図７に対応する樹脂封止型半導体装置の縦断面図で示してある。図１２（ａ）−（ｇ）に示す変形例は、ボンディング用金型を用いる点が異なるものであり、他の構成は図１０（ａ）−（ｇ）に示す実施の形態と略同一である。図１２（ａ）−（ｇ）において、図１０（ａ）−（ｇ）に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付してある。   Here, FIGS. 12A to 12G are views showing a modification of the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device shown in FIGS. Each process shown in FIGS. 12A to 12G is shown in a longitudinal sectional view of the resin-encapsulated semiconductor device corresponding to FIG. The modification shown in FIGS. 12A to 12G is different in that a bonding mold is used, and the other configuration is substantially the same as that of the embodiment shown in FIGS. 10A to 10G. is there. 12 (a)-(g), the same parts as those in the embodiment shown in FIGS. 10 (a)-(g) are denoted by the same reference numerals.

まず上述した工程により、リードフレーム１０を作成する（図８（ａ）−（ｄ）、図１２（ａ））。次に、上向きの凸部５９ａを有するボンディング用金型５９を準備し、リードフレーム１０をこのボンディング用金型５９上に載置する（図１２（ｂ））。この場合、リードフレーム１０の各リード２０のインナーリード２１がボンディング用金型５９の凸部５９ａ上にくるようにする。   First, the lead frame 10 is formed by the above-described steps (FIGS. 8A to 8D and FIG. 12A). Next, a bonding mold 59 having an upward convex portion 59a is prepared, and the lead frame 10 is placed on the bonding mold 59 (FIG. 12B). In this case, the inner lead 21 of each lead 20 of the lead frame 10 is placed on the convex portion 59 a of the bonding mold 59.

次に、ダイパッド１２の表面に電気絶縁性の両面接着テープ３２を貼付し、この両面接着テープ３２を介して半導体素子３１の回路形成面の裏面側を固着することにより、半導体素子３１を搭載する（図１２（ｃ））。   Next, an electrically insulating double-sided adhesive tape 32 is affixed to the surface of the die pad 12 and the semiconductor element 31 is mounted by fixing the back side of the circuit formation surface of the semiconductor element 31 via the double-sided adhesive tape 32. (FIG. 12 (c)).

次いで、搭載した半導体素子３１の端子３１ａと、リードフレーム１０のインナーリード２１とを、ボンディングワイヤー３３で電気的に接続する（図１２（ｄ））。   Next, the terminal 31a of the mounted semiconductor element 31 and the inner lead 21 of the lead frame 10 are electrically connected by the bonding wire 33 (FIG. 12D).

このワイヤーボンディング工程において、ワイヤーボンダーによりボンディングワイヤー３３がインナーリード２１に接続される。この間、ワイヤーボンダーのキャピラリによりインナーリード２１が下方へ押圧される。ここで、上述したように、各インナーリード２１の横方向断面は、天縁２１ｆと、底縁２１ｇと、一対の側縁２１ｈとを有し、底縁２１ｇは、その両端に一対の突出部２１ｉを有している（図４参照）。したがって、インナーリード２１がキャピラリにより押圧された際、インナーリード２１がボンディング用金型５９の凸部５９ａ上で横ぶれすることがない。したがって、ボンディングワイヤー３３をインナーリード２１表面に安定してボンディングすることが可能となる。   In this wire bonding step, the bonding wire 33 is connected to the inner lead 21 by a wire bonder. During this time, the inner lead 21 is pressed downward by the capillary of the wire bonder. Here, as described above, the transverse cross section of each inner lead 21 has a top edge 21f, a bottom edge 21g, and a pair of side edges 21h, and the bottom edge 21g has a pair of projecting portions at both ends thereof. 21i (see FIG. 4). Therefore, when the inner lead 21 is pressed by the capillary, the inner lead 21 does not sway on the convex portion 59 a of the bonding mold 59. Therefore, the bonding wire 33 can be stably bonded to the surface of the inner lead 21.

また、インナーリード２１下方にボンディング用金型５９の凸部５９ａを配置したことにより、キャピラリにより押圧された際にインナーリード２１が下方に変形することがない。   Further, since the convex portion 59a of the bonding die 59 is disposed below the inner lead 21, the inner lead 21 is not deformed downward when pressed by the capillary.

続いて、ボンディング用金型５９をリードフレーム１０から取り除く。次いで、リードフレーム１０を成形金型内に収容する。次に、アウターリード２２を外部に露出させるようにして、リード２０、ダイパッド１２、吊りリード１３、半導体素子３１、およびボンディングワイヤー３３を封止樹脂３４により封止する（図１２（ｅ））。なお、アウターリード２２が樹脂封止されることを防ぐため、リードフレーム１０の裏面側であって、成形金型の下型上に、予め非接着性のシート等からなるバックアップ材５６を配置して、樹脂封止してもよい。   Subsequently, the bonding mold 59 is removed from the lead frame 10. Next, the lead frame 10 is accommodated in a molding die. Next, the lead 20, the die pad 12, the suspension lead 13, the semiconductor element 31, and the bonding wire 33 are sealed with a sealing resin 34 so that the outer lead 22 is exposed to the outside (FIG. 12E). In order to prevent the outer leads 22 from being resin-sealed, a backup material 56 made of a non-adhesive sheet or the like is disposed in advance on the back side of the lead frame 10 and on the lower mold of the molding die. The resin may be sealed.

次いで、リードフレーム１０を成形金型内から取出す（図１２（ｆ））。   Next, the lead frame 10 is taken out from the molding die (FIG. 12 (f)).

最後に、リードフレーム１０を切断して樹脂封止型半導体装置３０毎に分離する。具体的には、封止樹脂３４から露出しているリードフレーム１０の各リード２０と各吊りリード１３とを切断するとともに、外枠部材１１を除去する。このようにして、本実施の形態による樹脂封止型半導体装置３０が得られる（図１２（ｇ））。   Finally, the lead frame 10 is cut and separated for each resin-encapsulated semiconductor device 30. Specifically, the leads 20 and the suspension leads 13 of the lead frame 10 exposed from the sealing resin 34 are cut, and the outer frame member 11 is removed. In this way, the resin-encapsulated semiconductor device 30 according to the present embodiment is obtained (FIG. 12 (g)).

このように本実施の形態によれば、各リード２０のインナーリード２１の横方向断面は、天縁２１ｆと、底縁２１ｇと、一対の側縁２１ｈとを有し、底縁２１ｇは、その両端に一対の突出部２１ｉを有する。このことにより、ワイヤーボンディング時にインナーリード２１が下方に押された際、インナーリード２１が横ぶれすることがない。したがって、安定したワイヤーボンディングを行うことが可能となる。   Thus, according to the present embodiment, the lateral cross section of the inner lead 21 of each lead 20 has a top edge 21f, a bottom edge 21g, and a pair of side edges 21h, and the bottom edge 21g A pair of protrusions 21i are provided at both ends. As a result, when the inner lead 21 is pushed downward during wire bonding, the inner lead 21 does not run sideways. Therefore, stable wire bonding can be performed.

また本実施の形態によれば、各リード２０のインナーリード２１の縦方向断面は、上辺２１ａと、端縁２１ｂと、端縁２１ｂに連結された水平部２１ｃと、水平部２１ｃとアウターリード２２側とを連結する湾曲部２１ｄとを有し、湾曲部２１ｄは、湾曲部２１ｄの下端から延びる垂線Ｈよりアウターリード２２側へ入らない。このことにより、ワイヤーボンディング時にインナーリード２１が下方に押された際、インナーリード２１の変形を小さくし、その変形量を製品に影響を及ぼさない程度に抑えることができる。   In addition, according to the present embodiment, the longitudinal cross section of the inner lead 21 of each lead 20 includes an upper side 21a, an end edge 21b, a horizontal portion 21c connected to the end edge 21b, a horizontal portion 21c, and an outer lead 22. The curved portion 21d does not enter the outer lead 22 side from the perpendicular H extending from the lower end of the curved portion 21d. As a result, when the inner lead 21 is pushed downward during wire bonding, the deformation of the inner lead 21 can be reduced and the amount of deformation can be suppressed to an extent that does not affect the product.

さらに本実施の形態によれば、リードフレーム１０上の複数の半導体素子３１を一括して樹脂封止する手法（一括封止法）を用いて、樹脂封止型半導体装置３０を製造することが可能となる。このことにより、樹脂封止型半導体装置３０のコストダウンを図ることができる。   Furthermore, according to the present embodiment, the resin-encapsulated semiconductor device 30 can be manufactured by using a technique (collective encapsulating method) for encapsulating a plurality of semiconductor elements 31 on the lead frame 10 together. It becomes possible. As a result, the cost of the resin-encapsulated semiconductor device 30 can be reduced.

１０ リードフレーム
１１ 外枠部材
１２ ダイパッド
１３ 吊りリード
２０ リード
２１ インナーリード
２１ａ 上辺
２１ｂ 端縁
２１ｃ 水平部
２１ｄ 湾曲部
２１ｅ 下端
２１ｆ 天縁
２１ｇ 底縁
２１ｈ 側縁
２１ｉ 突出部
２１ｊ 追加の突出部
２２ アウターリード
３０ 樹脂封止型半導体装置
３１ 半導体素子
３１ａ 端子
３２ 両面接着テープ
３３ ボンディングワイヤー
３４ 封止樹脂
４０ 導電性基板
５１、５２ レジストパターン
５２ａ 部分レジスト
５６、５７ バックアップ材
５８ キャピラリ
５９ ボンディング用金型
５９ａ 凸部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Lead frame 11 Outer frame member 12 Die pad 13 Hanging lead 20 Lead 21 Inner lead 21a Upper side 21b Edge 21c Horizontal part 21d Curved part 21e Lower end 21f Top edge 21g Bottom edge 21h Side edge 21i Projection part 21j Additional projection part 22 Outer lead DESCRIPTION OF SYMBOLS 30 Resin sealing type semiconductor device 31 Semiconductor element 31a Terminal 32 Double-sided adhesive tape 33 Bonding wire 34 Sealing resin 40 Conductive substrate 51, 52 Resist pattern 52a Partial resist 56, 57 Backup material 58 Capillary 59 Bonding die 59a Protrusion

Claims (9)

樹脂封止型半導体装置において、
ダイパッドと、
ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
ダイパッドの周縁に設けられ、各々がインナーリードとアウターリードとを有する複数のリードと、
半導体素子と各リードのインナーリードとを接続するボンディングワイヤーと、
ダイパッドと、半導体素子と、リードと、ボンディングワイヤーとを封止する封止樹脂とを備え、
各リードのインナーリードは、裏面側から肉薄化されており、
各リードのインナーリードの横方向断面は、天縁と、底縁と、一対の側縁とを有し、底縁は、その両端に一対の突出部を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 In resin-encapsulated semiconductor devices,
Die pad,
A semiconductor element mounted on a die pad;
A plurality of leads provided on the periphery of the die pad, each having an inner lead and an outer lead;
A bonding wire that connects the semiconductor element and the inner lead of each lead;
A die pad, a semiconductor element, a lead, and a sealing resin that seals the bonding wire,
The inner lead of each lead is thinned from the back side,
The cross section in the lateral direction of the inner lead of each lead has a top edge, a bottom edge, and a pair of side edges, and the bottom edge has a pair of protrusions at both ends thereof. Semiconductor device. 各リードのインナーリードの縦方向断面は、上辺と、端縁と、端縁に連結された水平部と、水平部とアウターリード側とを連結する湾曲部とを有し、湾曲部は、湾曲部の下端から延びる垂線よりアウターリード側へ入らないことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。   The longitudinal cross section of the inner lead of each lead has an upper side, an end edge, a horizontal portion connected to the end edge, and a curved portion that connects the horizontal portion and the outer lead side. 2. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the resin-encapsulated semiconductor device does not enter the outer lead side from a perpendicular extending from the lower end of the portion. 各リードのインナーリードの横方向断面において、底縁両端に設けられた一対の突出部間に、少なくとも１つの追加の突出部が設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の樹脂封止型半導体装置。   3. The resin according to claim 1, wherein at least one additional projecting portion is provided between a pair of projecting portions provided at both ends of the bottom edge in a cross section in the lateral direction of the inner lead of each lead. Sealed semiconductor device. 半導体装置用のリードフレームにおいて、
ダイパッドと、
ダイパッドの周縁に設けられ、各々がインナーリードとアウターリードとを有する複数のリードとを備え、
各リードのインナーリードは、裏面側から肉薄化されており、
各リードのインナーリードの横方向断面は、天縁と、底縁と、一対の側縁とを有し、底縁は、その両端に一対の突出部を有することを特徴とするリードフレーム。 In lead frames for semiconductor devices,
Die pad,
A plurality of leads provided on the periphery of the die pad, each having an inner lead and an outer lead;
The inner lead of each lead is thinned from the back side,
A cross section of the inner lead of each lead has a top edge, a bottom edge, and a pair of side edges, and the bottom edge has a pair of protrusions at both ends thereof. 各リードのインナーリードの縦方向断面は、上辺と、端縁と、端縁に連結された水平部と、水平部とアウターリード側とを連結する湾曲部とを有し、湾曲部は、湾曲部の下端から延びる垂線よりアウターリード側へ入らないことを特徴とする請求項４記載のリードフレーム。   The longitudinal cross section of the inner lead of each lead has an upper side, an end edge, a horizontal portion connected to the end edge, and a curved portion that connects the horizontal portion and the outer lead side. The lead frame according to claim 4, wherein the lead frame does not enter the outer lead side from a perpendicular extending from the lower end of the portion. 各リードのインナーリードの横方向断面において、底縁両端に設けられた一対の突出部間に、少なくとも１つの追加の突出部が設けられていることを特徴とする請求項４または５記載のリードフレーム。   6. The lead according to claim 4, wherein at least one additional protrusion is provided between a pair of protrusions provided at both ends of the bottom edge in the transverse cross section of the inner lead of each lead. flame. 各々がインナーリードとアウターリードとを有する複数のリードを含むリードフレームを製造するリードフレームの製造方法において、
基板を準備する工程と、
基板に対し、基板裏面側に位置する一対の部分レジストを含むレジストパターンを形成する工程と、
レジストパターンが形成された基板に対してエッチングを施す工程とを備え、
エッチングを施す工程において、基板裏面側の一対の部分レジストにより、両端に一対の突出部を有する底縁を有するとともに基板裏面側から肉薄化されたインナーリードが形成されることを特徴とするリードフレームの製造方法。 In a lead frame manufacturing method for manufacturing a lead frame including a plurality of leads each having an inner lead and an outer lead,
Preparing a substrate;
Forming a resist pattern including a pair of partial resists located on the back side of the substrate with respect to the substrate;
And a step of etching the substrate on which the resist pattern is formed,
In the etching step, a pair of partial resists on the back surface side of the substrate forms bottom edges having a pair of protrusions at both ends and thinned inner leads from the back surface side of the substrate. Manufacturing method. 樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
請求項７記載のリードフレームの製造方法によりリードフレームを製造する工程と、
リードフレーム裏面にバックアップ材を取り付ける工程と、
リードフレームのダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、
半導体素子と各リードのインナーリードとをボンディングワイヤーにより接続する工程と、
ダイパッドと、半導体素子と、リードと、ボンディングワイヤーとを封止樹脂により封止する工程と、
バックアップ材を除去する工程と、
リードフレームを切断して樹脂封止型半導体装置毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the resin-encapsulated semiconductor device,
Producing a lead frame by the method for producing a lead frame according to claim 7;
Attaching a backup material to the back of the lead frame;
Mounting a semiconductor element on the die pad of the lead frame;
Connecting the semiconductor element and the inner lead of each lead by a bonding wire;
Sealing a die pad, a semiconductor element, a lead, and a bonding wire with a sealing resin;
Removing the backup material;
And a step of cutting the lead frame and separating each of the resin-encapsulated semiconductor devices. 樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
請求項７記載のリードフレームの製造方法によりリードフレームを製造する工程と、
ボンディング用金型の凸部上にリードフレームの各リードのインナーリードがくるように、リードフレームをボンディング用金型上に載置する工程と、
リードフレームのダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、
半導体素子と各リードのインナーリードとをボンディングワイヤーにより接続する工程と、
ボンディング用金型をリードフレームから取り除く工程と、
ダイパッドと、半導体素子と、リードと、ボンディングワイヤーとを封止樹脂により封止する工程と、
リードフレームを切断して樹脂封止型半導体装置毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the resin-encapsulated semiconductor device,
Producing a lead frame by the method for producing a lead frame according to claim 7;
Placing the lead frame on the bonding mold so that the inner lead of each lead of the lead frame comes on the convex part of the bonding mold;
Mounting a semiconductor element on the die pad of the lead frame;
Connecting the semiconductor element and the inner lead of each lead by a bonding wire;
Removing the bonding mold from the lead frame;
Sealing a die pad, a semiconductor element, a lead, and a bonding wire with a sealing resin;
And a step of cutting the lead frame and separating each of the resin-encapsulated semiconductor devices.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9224915B2 (en) * 2010-09-17 2015-12-29 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, method for producing same, and display device
JP5997964B2 (en) * 2012-08-03 2016-09-28 株式会社三井ハイテック Lead frame
US9257306B2 (en) 2013-04-18 2016-02-09 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Lead frame, method for manufacturing lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP6205816B2 (en) * 2013-04-18 2017-10-04 大日本印刷株式会社 Lead frame and manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2015154042A (en) * 2014-02-19 2015-08-24 大日本印刷株式会社 Lead frame and manufacturing method therefor, and semiconductor device and manufacturing method therefor
JP6505540B2 (en) * 2015-07-27 2019-04-24 新光電気工業株式会社 Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP7182374B2 (en) * 2017-05-15 2022-12-02 新光電気工業株式会社 Lead frame and manufacturing method thereof
JP6436202B2 (en) * 2017-09-05 2018-12-12 大日本印刷株式会社 Lead frame and manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof
JP7144157B2 (en) 2018-03-08 2022-09-29 エイブリック株式会社 Semiconductor device and its manufacturing method

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55103970U (en) * 1979-01-11 1980-07-19
JPH0245967A (en) * 1988-08-08 1990-02-15 Hitachi Cable Ltd Manufacture of lead frame for semiconductor device
JPH07283265A (en) * 1994-04-08 1995-10-27 Toshiba Corp Heater device for bonding
JP3606837B2 (en) * 2001-12-19 2005-01-05 株式会社三井ハイテック Lead frame and semiconductor device using the same

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