JP5123466B2 - 発光装置 - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 240
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 240
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 8
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 20
- 235000019646 color tone Nutrition 0.000 description 15
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 11
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- -1 rare earth aluminate Chemical class 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- PHXNQAYVSHPINV-UHFFFAOYSA-N P.OB(O)O Chemical compound P.OB(O)O PHXNQAYVSHPINV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910006360 Si—O—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002601 lanthanoid compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
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Description
前記透明樹脂層は、前記発光ダイオードを覆い、前記基板よりも幅狭に形成される第1透明樹脂層と、前記第1透明樹脂層上に前記基板の略全面を覆うように形成される第2透明樹脂層とを有し、
前記第2透明樹脂層は、上面がレンズを形成するように曲面状に加工されており、
前記第1透明樹脂層は前記蛍光体を含む一方、前記第2透明樹脂層は、前記蛍光体を含まないか、前記蛍光体の平均密度が前記第1透明樹脂層中の前記蛍光体の平均密度の1/10以下であり、
前記発光装置の互いに対向する1組の側面において、前記第1透明樹脂層及び前記第2透明樹脂層が略面一に裁断されて、前記第1透明樹脂層が露出しており、
前記発光ダイオードを覆う前記第1透明樹脂層及び前記第2透明樹脂層は、上面視において、前記1組の側面に平行な方向を長手方向とし、前記1組の側面に挟まれた厚み方向を短手方向とする長矩形であり、前記第2透明樹脂層に形成された前記レンズは、前記短手方向には曲率を有しておらず、前記長手方向に曲率を有し、
前記互いに対向する1組の側面の一方を実装面とするサイドビュー型発光装置であることを特徴とする発光装置。
図1は、本件発明の実施の形態1に係る発光装置を示す斜視図である。上面が平坦な略直方体形状の絶縁基板2上に、負電極4、正電極6が所定の間隔を空けて形成されている。負電極4及び正電極6は、絶縁基板2の裏面に形成された実装用電極(図示せず)とスルーホール(図示せず)を介して接続されている。正負一対の電極を半導体面側に備えた発光ダイオード8は、絶縁基板2の負電極4上に実装されており、発光ダイオードの負電極が絶縁基板上の負電極4と、正電極が絶縁基板上の正電極6と、各々ワイヤ10によって接続されている。この発光ダイオード8を覆うように、半円柱状の第1透明樹脂層12が形成されている。また、第1透明樹脂層12の上には、絶縁基板2の略全面を覆うように第2透明樹脂層14が形成されている。また、絶縁基板の側面2a、第1透明樹脂層12の側面12a及び第2透明樹脂層14の側面14aはほぼ面一に裁断されており、第1透明樹脂層が外部に露出している。
(第1透明樹脂層12)
第1透明樹脂層12は、できるだけ発光ダイオード8の近傍に形成されることが好ましい。これは、第1透明樹脂層12の内部に分散された蛍光体16が発光するため、その分布が狭い方が理想的な点光源に近づくからである。また、第1透明樹脂層12の高さは、できるだけ低い方が好ましい。但し、ワイヤ10よりも低くなると、ワイヤ10が第1透明樹脂層12と第2透明樹脂層14にまたがることになり、ワイヤ10が切れ易くなる。従って、第1透明樹脂層10の高さは、少なくともワイヤ10を越えることが好ましい。尚、ワイヤ10の強度が十分にあれば、図4に示すように、第1透明樹脂がワイヤの一部を覆っていても良い。また、より理想的な点光源に近づける目的で、第1透明樹脂層12内において蛍光体16を沈降させることが好ましい。但し、蛍光体16が沈降し過ぎると、第1透明樹脂層12の研磨によって色調が補正しにくくなるため、適当な程度に沈降させることが好ましい。また、第1透明樹脂層12は、略半円柱状であり、実装面に平行な断面(=発光面に直交する断面)が半円状又は半楕円状であることが好ましい。これによって観察方位による色ムラが小さくなる。尚、第1透明樹脂層12を上記形状に形成するには、本実施の形態で説明するライン塗布法を用いることが好ましい。尚、第1透明樹脂層12は、実施の形態2で説明するように印刷で形成しても良い。
第2透明樹脂層に形成するレンズは、実装面に平行な方向に大きなレンズ径を有することが好ましい。これは実装面に平行な方向は、実装面に垂直な方向に比べて配光特性を制御する必要性が高いからである。一方、実装面に垂直な方向には薄型にする必要があるため、レンズ径を小さくすることが好ましい。また、実装面に垂直な方向には、レンズの曲率も小さなことが好ましい。これは、実装面に垂直な方向に大きな曲率を持ったレンズを形成すると、第1及び第2透明樹脂層の側面を研磨して色調を補正する際に、レンズ特性が変化し易くなるからである。例えば、第2透明樹脂層に形成するレンズを、実装面に平行な方向にだけ曲率を有するシリンドリカルレンズとしても良い。尚、実装面に垂直な方向における第2樹脂層14の断面は、完全に平らである必要はなく、ある程度の曲率を有していても構わない。
絶縁基板2は、適当な機械的強度と絶縁性を有する材料であれば特に限定されない。例えば、BTレジン、ガラスエポキシ等を用いることができる。また、エポキシ系樹脂シートを多層張り合わせたものでも良い。また、絶縁基板2に形成する負及び正電極4,6は、Cuを主成分とする金属層とすることが好ましい。例えば、負及び正電極4,6は、Cu/Ni/Agによって構成することができる。
発光ダイオード8と蛍光体16は、発光ダイオード8の一部又は全部の発光を蛍光体16が波長変換できるような組合せであれば特に限定されない。例として、現在最も需要の多い白色の発光装置を構成するために適した発光ダイオード8と蛍光体16の組合せについて説明する。
−発光ダイオード8
白色の発光装置を構成するために適した発光ダイオードとして、窒化物半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いたものを用いることができる。この発光ダイオードは、InxGa1-xN(0<x<1)を発光層として有しており、その混晶度によって発光波長を約365nmから650nmで任意に変えることができる。
蛍光物質は、例えば、窒化物系半導体を発光層とする半導体発光ダイオードからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体は、MSi2O2N2:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体には、M2B5O9X:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体には、SrAl2O4:R、Sr4Al14O25:R、CaAl2O4:R、BaMg2Al16O27:R、BaMg2Al16O12:R、BaMgAl10O17:R(Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1種以上である。)などがある。
アルカリ土類硫化物蛍光体には、La2O2S:Eu、Y2O2S:Eu、Gd2O2S:Euなどがある。
その他の蛍光体には、ZnS:Eu、Zn2GeO4:Mn、MGa2S4:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
上述の蛍光体は、所望に応じてEuに代えて、又は、Euに加えてTb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Tiから選択される1種以上を含有させることもできる。
また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。
次に、本実施の形態における色調の補正方法について説明する。同時に多数の発光装置の色調補正を行う場合、次のような方法で行うことが好ましい。
ステップ1では、第1及び第2透明樹脂層を硬化させた後の発光装置の色度を全数測定する(初期色度測定工程)。
ステップ2では、ステップ1で測定された色度に基づいて、前記測定された色度と目標色度との差があらかじめ設定された範囲内にあるものをそれぞれ1つのグループとすることにより色度範囲ごとに分類する(グループ化工程)。分類するグループ数は、調整後の色度バラツキを小さくするためには多い程よいが、要求される色度の範囲(規格)及び製造効率を考慮して適当な分類数とする。
最後に、ステップ3で、各グループごとに、目標色度との差に基づいて設定された量だけ第1及び第2透明樹脂層の側面を研磨する(研磨工程)。すなわち、同一のグループに属する発光素子は、同じ研磨量(グループごとに設定された値)だけ研磨される。以上のような調整方法によれば、グループごとに一括して色度を調整できるので、効率よく色度を調整でき、かつ色度バラツキを小さくできる。尚、研磨は実装面と逆側の側面で行うことが好ましい。実装面の平坦性を損なわないためである。
次に、本実施の形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
1、パッケージアッセンブリ
本実施の形態の製造方法において、複数の発光装置を一括して製造できるように、第2透明樹脂層を硬化させるまでは複数のパッケージが集合したパッケージアッセンブリを用いる。このパッケージアッセンブリにおいては、大面積の絶縁基板2上に、各発光ダイオード8の実装領域がマトリックス状に配置されている(図7A参照)。また、各発光ダイオード8の実装領域を両側から挟むように、各々の発光ダイオード8に対応する負電極4及び正電極6が形成されている。また、各列のパッケージは、互いの負電極同士及び正電極同士がつながっている。すなわち、各列の負電極4及び正電極6は、各々、1本の連続した電極となっている(図5A参照)。絶縁性基板2は、例えば厚さが0.06mm〜2.0mmの樹脂積層品等からなり、厚さ方向に貫通する複数のスルーホール(図示せず)が形成されている。負電極4と正電極6は、このスルーホールを介して、絶縁基板2の裏面に形成された実装用電極とつながっている。
上述のように構成されたパッケージアッセンブリの各負電極4の所定の位置に、発光ダイオード8をダイボンディングする。そして、ワイヤ10により所定の配線をする(図5A参照)。
次に、第1透明樹脂層12を形成する。第1透明樹脂層12には予め所定量の蛍光体16が分散されている。第1透明樹脂層12は、図5A〜Cに示すライン塗布法で形成することが好ましい。ライン塗布法によれば、第1透明樹脂層12を薄膜化できると共に、製造工程が簡易になる。また、ライン塗布法では表面張力を利用して第1透明樹脂層12を形成できるため、ワイヤ10と負電極4及び正電極6のパターンに沿って第1透明樹脂層12は形成することができる。また、負電極4及び正電極6のパターンを適切にすれば、第1透明樹脂層の形成領域を発光ダイオード8の近くに制限することができる。
次に、第2透明樹脂層14を形成する。第2透明樹脂層14の形成には、トランスファモールド、圧縮成形、射出成形などの方法を用いることができる。トランスファモールドの場合を例にして、説明する。まず、図7Aに示すように、第1透明樹脂層12を形成したパッケージアッセンブリ5を準備する。次に、図7Bに示すように、パッケージアッセンブリ5の上下をトランスファモールド用の金型26及び28で挟む。図7Bに示す例では、下側金型26は平坦であり、上側金型28には第2透明樹脂層を形成するためのレンズ型28aが設けられている。次に、図7Cに示すように、上側金型26とパッケージアセンブリ5の間に形成された樹脂の注入口を通じて第2透明樹脂14を流し込む。このとき、第2透明樹脂14は、半溶性のペレットとして準備し、注入口から圧入しながら樹脂を溶かす。そして、金型内で短時間加熱して硬化させた後、金型を外してさらに加熱することにより、第2透明樹脂層14が形成できる。トランスファモールドで形成する場合、第2透明樹脂14は、ある程度粘度が高い樹脂であることが必要である。例えば、エポキシ樹脂等がトランスファ成形に適している。
次に、図7Dに示すように、パッケージアセンブリ5を2方向からダイシングし、所定幅と所定長さで発光装置を切り出すことによって、発光装置が完成する。
本実施の形態では、第1透明樹脂層12を印刷法によって形成する例について説明する。その他の事項は、実施の形態1と同様である。
まず、図8Aに示すように、パッケージアッセンブリ5の全面に印刷によって第1透明樹脂層12を形成する。第1透明樹脂層12は、絶縁基板2の全面に形成されており、かつ、上面が平坦になる。尚、第1透明樹脂層12の印刷によってワイヤ10の折れ、切断などが起きないように、第1透明樹脂層12の厚さをワイヤ10の高さよりも十分大きくなるようにする。その後、第1透明樹脂層12を加熱して硬化させる。
そこで実施の形態3では、印刷法によって第1透明樹脂層を形成しながら、蛍光体16の広がりを抑制する方法について説明する。
まず、図9Aに示すように、第1透明樹脂層12を印刷する前に、第1透明樹脂層12の印刷範囲を制限するためのマスク30を絶縁基板2上に形成する。マスク30は、例えばレジスト等から成る。またマスク30は、第1透明樹脂の印刷範囲を発光ダイオード8の近傍に制限するように、発光ダイオード8の配列を左右から挟む平行なストライプ状にすることができる。
(i) ダイボンド/ワイヤーボンド
(ii)エポキシ樹脂にYAG蛍光体を所定の割合で混合しライン塗布。
(iii)熱風オーブンにて硬化。
硬化条件:150℃ 4時間
(iv)透明エポキシ樹脂を用いてトランスファモールドにてレンズ成形。
トランスファ硬化条件:150℃ 5分(金型温度を制御する)
(v) 金型から取り出して、追硬化。
追硬化条件:150℃ 4時間
(vi)ダイシングにて、個片に切り分ける。
また、比較例として、透明樹脂層が1層から成る発光装置を以下の方法で作成した。
(i) ダイボンド/ワイヤーボンド
(ii) 予め蛍光体を所定の割合で混合させたエポキシ樹脂を用いてトランスファ成形でレンズ成形。
トランスファ硬化条件:150℃ 5分(金型温度を制御する)
(iii)金型から取り出して、追硬化。
追硬化条件:150℃ 4時間
(iv) ダイシングにて、個片に切り分ける。
尚、作製条件は実施例1と同様とした。
サンプル1〜3の初期光学、電気特性は以下の通りであった。
Claims (10)
- 基板と、前記基板上に形成された正及び負電極と、前記正及び負電極に接続された発光ダイオードと、前記発光ダイオードを覆う透明樹脂層と、前記透明樹脂層内に分散された蛍光体とを有し、前記透明樹脂層内に分散された蛍光体を前記発光ダイオードの出射光によって励起発光することにより、前記発光ダイオードの発光色と異なる色を発光する発光装置であって、
前記透明樹脂層は、前記発光ダイオードを覆い、前記基板よりも幅狭に形成される第1透明樹脂層と、前記第1透明樹脂層上に前記基板の略全面を覆うように形成される第2透明樹脂層とを有し、
前記第2透明樹脂層は、上面がレンズを形成するように曲面状に加工されており、
前記第1透明樹脂層は前記蛍光体を含む一方、前記第2透明樹脂層は、前記蛍光体を含まないか、前記蛍光体の平均密度が前記第1透明樹脂層中の前記蛍光体の平均密度の1/10以下であり、
前記発光装置の互いに対向する1組の側面において、前記第1透明樹脂層及び前記第2透明樹脂層が略面一に裁断されて、前記第1透明樹脂層が露出しており、
前記発光ダイオードを覆う前記第1透明樹脂層及び前記第2透明樹脂層は、上面視において、前記1組の側面に平行な方向を長手方向とし、前記1組の側面に挟まれた厚み方向を短手方向とする長矩形であり、前記第2透明樹脂層に形成された前記レンズは、前記短手方向には曲率を有しておらず、前記長手方向に曲率を有し、
前記互いに対向する1組の側面の一方を実装面とするサイドビュー型発光装置であることを特徴とする発光装置。 - 前記第1透明樹脂層は、略半円柱状であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記透明樹脂層を上面から平面視して、前記第1透明樹脂層の外縁が前記正及び負電極の外縁とほぼ一致していることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記第1透明樹脂層は、略直方体状であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の発光装置。
- 前記第1透明樹脂層は、前記発光ダイオードと前記正及び負電極を接続するワイヤ全体を覆うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の発光装置。
- 前記第1透明樹脂層は、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂から成る群から選択された1種であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の発光装置。
- 前記第2透明樹脂層は、上面がシリンドリカルレンズを形成するように曲面状に加工されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の発光装置。
- 前記第2透明樹脂層は、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂から成る群から選択された1種であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の発光装置。
- 前記発光ダイオードは、窒化物半導体から成る青色発光層を有することを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の発光装置。
- 前記蛍光体粒子が、前記発光ダイオードの発光と混色することにより、白色を発光可能であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の発光装置。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005042543A JP5123466B2 (ja) | 2005-02-18 | 2005-02-18 | 発光装置 |
TW095105503A TWI419375B (zh) | 2005-02-18 | 2006-02-17 | 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置 |
EP06003285.1A EP1693904B1 (en) | 2005-02-18 | 2006-02-17 | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
US11/356,276 US7710016B2 (en) | 2005-02-18 | 2006-02-17 | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
TW104106556A TWI521748B (zh) | 2005-02-18 | 2006-02-17 | 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置 |
KR1020060015762A KR101204115B1 (ko) | 2005-02-18 | 2006-02-17 | 배광 특성을 제어하기 위한 렌즈를 구비한 발광 장치 |
TW102131355A TW201403859A (zh) | 2005-02-18 | 2006-02-17 | 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置 |
US12/473,121 US8558446B2 (en) | 2005-02-18 | 2009-05-27 | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
US14/025,684 US8836210B2 (en) | 2005-02-18 | 2013-09-12 | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
US14/465,315 US9093619B2 (en) | 2005-02-18 | 2014-08-21 | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005042543A JP5123466B2 (ja) | 2005-02-18 | 2005-02-18 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006229055A JP2006229055A (ja) | 2006-08-31 |
JP5123466B2 true JP5123466B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=36990130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005042543A Expired - Fee Related JP5123466B2 (ja) | 2005-02-18 | 2005-02-18 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5123466B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1063362C (zh) * | 1993-06-25 | 2001-03-21 | 达金工业株式会社 | 使用胀芯的扩管方法和扩管机及用该扩管法扩管的热交换器 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5205773B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2013-06-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP4952235B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2012-06-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いたバックライト |
US9061450B2 (en) | 2007-02-12 | 2015-06-23 | Cree, Inc. | Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding |
US7709853B2 (en) * | 2007-02-12 | 2010-05-04 | Cree, Inc. | Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements |
JP4193905B2 (ja) | 2007-03-20 | 2008-12-10 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4551948B2 (ja) | 2007-06-13 | 2010-09-29 | シャープ株式会社 | 線状光源装置、面発光装置、面状光源装置、および、液晶表示装置 |
JP5097471B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2012-12-12 | シャープ株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US7985980B2 (en) | 2007-10-31 | 2011-07-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Chip-type LED and method for manufacturing the same |
JP5052326B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2012-10-17 | シャープ株式会社 | チップ部品型led及びその製造方法 |
JP5233352B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2013-07-10 | 東芝ライテック株式会社 | 照明装置 |
US8350461B2 (en) * | 2008-03-28 | 2013-01-08 | Cree, Inc. | Apparatus and methods for combining light emitters |
JP2010114406A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-05-20 | Sony Corp | 照明装置、液晶表示装置、及び照明装置の製造方法 |
JP4780203B2 (ja) | 2009-02-10 | 2011-09-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置 |
JP4932064B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2012-05-16 | パナソニック株式会社 | 発光モジュール、光源装置、液晶表示装置および発光モジュールの製造方法 |
KR101646262B1 (ko) * | 2010-03-25 | 2016-08-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
JP5431259B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-03-05 | シャープ株式会社 | 発光素子パッケージおよびその製造方法、発光素子アレイ、および表示装置 |
JP5242641B2 (ja) * | 2010-08-25 | 2013-07-24 | シャープ株式会社 | 発光装置の製造方法 |
EP2613372B1 (en) | 2010-09-03 | 2019-10-23 | Nichia Corporation | Light emitting device, and package array for light emitting device |
WO2012029911A1 (ja) | 2010-09-03 | 2012-03-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP5767062B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-08-19 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法 |
JP5862572B2 (ja) | 2010-11-11 | 2016-02-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置と、回路基板の製造方法 |
WO2012108356A1 (ja) | 2011-02-10 | 2012-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、及びパッケージアレイ |
JP5849694B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-02-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2013179148A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Unistar Opto Corp | 発光ダイオードエリアライトモジュールおよびそのパッケージ方法 |
JP6303738B2 (ja) * | 2013-04-12 | 2018-04-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
DE102013104840A1 (de) * | 2013-05-10 | 2014-11-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen |
DE102014112540A1 (de) * | 2014-09-01 | 2016-03-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
JP2016167518A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び、照明装置 |
JP6881874B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2021-06-02 | Hoya株式会社 | 光照射モジュール、及びled素子用配線基板 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3434714B2 (ja) * | 1998-10-20 | 2003-08-11 | 株式会社シチズン電子 | 表面実装型発光ダイオードの製造方法 |
JP2001077432A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-23 | Matsushita Electronics Industry Corp | 面実装発光素子及びその製造方法 |
JP2001177156A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Koha Co Ltd | 側面発光型ledランプ |
JP2004087812A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光体 |
-
2005
- 2005-02-18 JP JP2005042543A patent/JP5123466B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1063362C (zh) * | 1993-06-25 | 2001-03-21 | 达金工业株式会社 | 使用胀芯的扩管方法和扩管机及用该扩管法扩管的热交换器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006229055A (ja) | 2006-08-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
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|
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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