JP5121178B2 - 弾性表面波装置及び通信装置 - Google Patents
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Description
中央に配設されたIDT電極の他方隣に配設されたIDT電極と前記第2の平衡信号端子とを電気的に接続するための第4の信号用引き出し配線と、前記第2の接地用引き出し配線と前記第3の信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差する部分である第3の交差配線部と、前記第2の接地用引き出し配線と前記第4の信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差する部分である第4の交差配線部と、を備えた弾性表面波装置であって、前記第1の交差配線部と前記第2の交差配線部とは、前記第1の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極を中心に対称的に形成されているとともに、前記第1の交差配線部と前記第2の交差配線部とによって生じる抵抗及び容量が略同じであり、前記第3の交差配線部と前記第4の交差配線部とは、前記第2の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極を中心に対称的に形成されているとともに、前記第3の交差配線部と前記第4の交差配線部とによって生じる抵抗及び容量が略同じであり、前記絶縁体は、SiO 2 膜と、該SiO 2 膜に積層されたポリイミド系の樹脂からなる樹脂層とからなることを特徴とするものである。
また、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に、圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた5個以上の奇数個のIDT電極と、奇数個のIDT電極の両側にそれぞれ配置され、伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極とを有する弾性表面波素子が形成されており、弾性表面波素子は不平衡入力端子及び不平衡出力端子に接続されている弾性表面波装置であって、弾性表面波素子のIDT電極の不平衡入力端子側の接地用引き出し配線と、弾性表面波素子と不平衡入力端子とを接続した全ての信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差して配設された交差配線部をそれぞれ形成しているとともに、弾性表面波素子のIDT電極の不平衡出力端子側の接地用引き出し配線と、弾性表面波素子と不平衡出力端子とを接続した全ての信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差して配設された交差配線部をそれぞれ形成しており、交差配線部は、奇数個のIDT電極において中央に配設されたIDT電極を中心に対称的に形成されているとともに、各々の交差配線部によって生じる抵抗が略同じであることにより、上記と同様に、交差配線部における抵抗、さらには容量を略同じとすることができ、配線を流れる電流が実質的に同じになり、通過帯域内のリップルを大幅に低減することができる。そのため、通過帯域内における挿入損失を向上させることができる。また、5個以上のIDT電極により弾性表面波素子が構成されていることにより、通過帯域おける帯域幅を広帯域化することができる。さらに、この構成により、弾性表面波素子間等に接地パッド電極を配置する必要がなくなり、さらには接地電極を1つにまとめることが可能となり、装置面積を極力低減して弾性表面波装置を小型化することが可能となる。
2〜7:IDT電極
8〜11:反射器電極
12:不平衡信号端子(不平衡入(出)力端子)
13,14:平衡信号端子(平衡出(入)力端子)
15〜18:絶縁体
19〜22:信号用引き出し配線
27,28:接地用引き出し配線
31:第1の弾性表面波素子
32:第2の弾性表面波素子
36:第3の弾性表面波素子
37:第4の弾性表面波素子
34,35,38:弾性表面波共振子
Claims (3)
- 圧電基板上に、前記圧電基板上を伝搬する弾性表面波の伝搬方向に沿って、前記伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた3個のIDT電極と、前記3個のIDT電極の両側にそれぞれ配置され、前記伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極とを有する第1及び第2の弾性表面波素子と、
前記第1及び第2の弾性表面波素子のそれぞれに電気的に接続された不平衡信号端子と、
前記不平衡信号端子との間に前記第1の弾性表面波素子が介在する位置に配設され、前記第1の弾性表面波素子に電気的に接続された第1の平衡信号端子と、
前記不平衡信号端子との間に前記第2の弾性表面波素子が介在する位置に配設され、前記第2の弾性表面波素子に電気的に接続された第2の平衡信号端子と、
前記第1の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の前記第1の平衡信号端子側のバスバー電極に接続された第1の接地用引き出し配線と、
前記第1の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の一方隣に配設されたIDT電極と前記第1の平衡信号端子とを電気的に接続するための第1の信号用引き出し配線と、
前記第1の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の他方隣に配設されたIDT電極と前記第1の平衡信号端子とを電気的に接続するための第2の信号用引き出し配線と、
前記第1の接地用引き出し配線と前記第1の信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差する部分である第1の交差配線部と、
前記第1の接地用引き出し配線と前記第2の信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差する部分である第2の交差配線部と、
前記第2の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の前記第2の平衡信号端子側のバスバー電極に接続された第2の接地用引き出し配線と、
前記第2の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の一方隣に配設されたIDT電極と前記第2の平衡信号端子とを電気的に接続するための第3の信号用引き出し配線と、
前記第2の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極の他方隣に配設されたIDT電極と前記第2の平衡信号端子とを電気的に接続するための第4の信号用引き出し配線と、
前記第2の接地用引き出し配線と前記第3の信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して交差する部分である第3の交差配線部と、
前記第2の接地用引き出し配線と前記第4の信号用引き出し配線とが、絶縁体を介して
交差する部分である第4の交差配線部と、を備えた弾性表面波装置であって、
前記第1の交差配線部と前記第2の交差配線部とは、前記第1の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極を中心に対称的に形成されているとともに、前記第1の交差配線部と前記第2の交差配線部とによって生じる抵抗及び容量が略同じであり、
前記第3の交差配線部と前記第4の交差配線部とは、前記第2の弾性表面波素子の前記3個のIDT電極のうち中央に配設されたIDT電極を中心に対称的に形成されているとともに、前記第3の交差配線部と前記第4の交差配線部とによって生じる抵抗及び容量が略同じであり、
前記絶縁体は、SiO2膜と、該SiO2膜に積層されたポリイミド系の樹脂からなる樹脂層とからなることを特徴とする弾性表面波装置。 - 前記第1の信号用引き出し配線及び前記第2の信号用引き出し配線は、第1の弾性表面波共振子を介して前記第1の平衡信号端子に接続され、
前記第3の信号用引き出し配線及び前記第4の信号用引き出し配線は、第2の弾性表面波共振子を介して前記第2の平衡信号端子に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波装置。 - 請求項1または2に記載の弾性表面波装置を有する受信回路及び送信回路の少なくとも一方を備えたことを特徴とする通信装置。
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JP2000114375A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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JP2003069383A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
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