JP5198836B2 - 基板特性測定方法、インスペクション装置、リソグラフィ装置およびリソグラフィセル - Google Patents
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Description
基板上にある構造から方向変更された放射を、その後焦点面で検出するディテクタ、
方向変更された放射の変化を監視して、その変化を基板の異常に関連付ける制御システム、
異常が確認されたとき利用者に通知する通知システム
を備えるインスペクション装置が提供される。
基板上に構造を形成すること、
基板上の構造を放射ビームで照射すること、
放射ビームを構造から方向変更された後にディテクタの後焦点面で検出すること、
形成、照射、および検出を、(i)基板上の複数のダイ、または(ii)単一ロット内の複数の基板、または(iii)同様のタイプの基板の複数のロット、または(iv)(i)〜(iii)の任意の組合せについて繰り返すこと、
方向変更された放射ビームの変化を監視すること、
監視された変化を既存のメトロロジデータと比較することによって、その変化を異常に関連付けること、および
異常の通知を生成すること
を含む方法が提供される。
基板を保持する基板テーブル、
基板にパターンを転写するシステム、
基板上にある構造から方向変更された放射を、その後焦点面で検出するディテクタ、
方向変更された放射の変化を監視して、その変化を基板の異常に関連付ける制御システム、および
異常が確認されたとき利用者に通知する通知システム
を備えるリソグラフィ装置が提供される。
リソグラフィ装置、
基板処理デバイス、
基板上にある構造から方向変更された放射を、その後焦点面で検出するディテクタ、
方向変更された放射の変化を監視して、その変化を基板の異常に関連付ける制御システム、および
異常が確認されたとき利用者に通知する通知システム
を備えるリソグラフィセルが提供される。
− 放射ビームB(例えばUV放射またはEUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持する構造となっていて、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続されたサポート構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持する構造となっていて、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された、基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを、基板Wのターゲット部分C(例えば、1つまたは複数のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PLと
を備える。
1.製品ダイ、あるいはできるだけ多くの(同様のまたは望ましくは同一のパターンを備えた)ダイまたは基板W上にある専用構造(すなわちメトロロジターゲット)に対して、スキャトロメータSM1センサの生の後焦点面像を得る(10)。
2.後焦点面生像データの変化またはばらつきに関する度合いを、
a)基板Wのダイ
b)ロット内の基板W
c)(利用可能な何らかのプロセス情報、例えばプロセスツールの識別情報またはそのツールの設定「レシピ」に基づく)同様の製品の基板ロット、あるいは
d)a、bおよびcの任意の組合せ
全体にわたって生成する(S100)。
3.ばらつきを既存の生像データと比較することによって、例えば、
a)(オーバーレイ、CD、側壁角などの)1つまたは複数の性能度合いに対して、メトロロジデータと比較することによって、
b)既知のプロセス異常と比較することによって、または
c)プロセスツールデータ(例えば、アライメントウェーハ品質(WQ、ここでWQはアライメントマークからの信号強度の度合いである)など、プロセスツールのセンサデータ)に関連付けることによって
変化またはばらつきの度合いを既知の異常に関連付ける(すなわち、異常の可能性に関する測定基準を決定する)(S150)。
4.通知を、
a)アラーム30を使用して利用者に通知すること、
b)FAB(製造)オートメーションに、疑わしいダイ/基板/ロットのより綿密な測定を実施するように警報を出すこと、
c)疑わしいダイを有する基板Wまたはロットのその後の処理(例えば露光)をさせないようにすること、および/または
d)以前に問題が生じていた場合、異常の分類も行うこと
によって生成する(S200)。
A)プロセスが適切に進行しているかどうか、また基板が次の処理ステップに通過することができるかどうかを判定すること、例えば、オーバーレイ値がゼロに近く、CDがターゲット値に近いかどうかを判定すること。
B)厳密なプロセスオフセットを確認するために、メトロロジ測定が必要かどうかを判定すること。このようにして、不必要なメトロロジ測定を回避し、その結果より短いサイクル(または基板あたりのスループット)時間をもたらすことができる。
C)構造、例えば多自由度を有する製品構造の計算が複雑であるために既知のメトロロジ測定が困難な基板に対して、プロセスオフセットを監視すること。さらに、将来の比較のために、プロセスオフセットを別のより正確なメトロロジ測定と結び付けて、そのオフセットが何によって生じた可能性があるかを確認することができる。
Claims (12)
- 基板の特性を測定する方法であって、
基板上の第1構造及び第2構造からのビームを反射すること、
レンズの後焦点面に配置したディテクタを使用して、前記反射された放射ビームを検知すること、
前記第1構造及び第2構造からそれぞれ反射された光の強度に対応する、第1の強度値と第2の強度値との差分として、第1の差分を決定すること、
前記第1の差分と既存のメトロロジデータとを比較することにより、欠陥の存在を決定することを含み、
前記既存のメトロロジデータが、前の性能測定値に関するデータを含む、方法。 - 少なくとも前記第1構造及び第2構造の1つが、製品構造である、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも前記第1構造及び第2構造の1つが、専用の測定ターゲット構造である、請求項1に記載の方法。
- 前記既存のメトロロジデータが、既知のプロセス異常を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記既知のプロセス異常が、ドーズ量エラー、焦点エラー、オーバーレイエラー、および層均一性エラーを含む群から選択された1つまたは複数のものである、請求項4に記載の方法。
- 前記既存のメトロロジデータが、プロセスツールデータを含む、請求項1に記載の方法。
- 基板の特性を測定するインスペクション装置であって、
レンズの後焦点面に配置され、基板上の第1構造及び第2構造から反射された放射を検出し、前記検出された放射に対応する強度データを出力するディテクタと、
前記第1構造及び第2構造からそれぞれ反射された光の強度に対応する、第1の強度値と第2の強度値との差分として、第1の差分を決定し、前記第1の差分と既存のメトロロジデータとを比較することにより、欠陥の存在を決定する決定する制御システムと、
異常が確認されたとき利用者に通知する通知システムとを備え、
前記既存のメトロロジデータが、前の性能測定値に関するデータを含む、インスペクション装置。 - 基板の特性を測定するリソグラフィ装置であって、
基板を保持する基板テーブル、
前記基板にパターンを転写するシステム、
レンズの後焦点面に配置され、基板上の第1構造及び第2構造から反射された放射を検出し、前記検出された放射に対応する強度データを出力するディテクタと、
前記第1構造及び第2構造からそれぞれ反射された光の強度に対応する、第1の強度値と第2の強度値との差分として、第1の差分を決定し、前記第1の差分と既存のメトロロジデータとを比較することにより、欠陥の存在を決定する決定する制御システムと、
異常が確認されたとき利用者に通知する通知システムとを備え、
前記既存のメトロロジデータが、前の性能測定値に関するデータを含む、リソグラフィ装置。 - 基板の特性を測定するリソグラフィセルであって、
リソグラフィ装置と、
基板処理デバイスと、
レンズの後焦点面に配置され、基板上の第1構造及び第2構造から反射された放射を検出し、前記検出された放射に対応する強度データを出力するディテクタと、
前記第1構造及び第2構造からそれぞれ反射された光の強度に対応する、第1の強度値と第2の強度値との差分として、第1の差分を決定し、前記第1の差分と既存のメトロロジデータとを比較することにより、欠陥の存在を決定する制御システムと、
異常が確認されたとき利用者に通知する通知システムとを備え、
前記既存のメトロロジデータが、前の性能測定値に関するデータを含む、リソグラフィセル。 - 前記第1構造及び第2構造は、多数の基板の中の各々の基板上に形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1構造及び第2構造は、それぞれ第1基板上及び第2基板上に形成され、前記第1基板及び第2基板は異なるロットに存在する、請求項1に記載の方法。
- 異常の通知を発生することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
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