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JP5186266B2 - Multilayer wiring circuit board and manufacturing method thereof - Google Patents

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JP5186266B2
JP5186266B2 JP2008092276A JP2008092276A JP5186266B2 JP 5186266 B2 JP5186266 B2 JP 5186266B2 JP 2008092276 A JP2008092276 A JP 2008092276A JP 2008092276 A JP2008092276 A JP 2008092276A JP 5186266 B2 JP5186266 B2 JP 5186266B2
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

本発明は多層配線回路基板に関し、特に液晶ポリマーを基材層とする配線基板を多層化して得られる多層配線回路基板及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a multilayer wiring circuit board, and more particularly to a multilayer wiring circuit board obtained by multilayering a wiring board having a liquid crystal polymer as a base material layer and a method for manufacturing the same.

近年、電子機器の軽薄短小化に伴い、配線回路の高密度化が要求されている。これを実現する手法として配線基板を複数枚積層して一体化させた多層配線回路基板が知られている。一例として、ポリイミドを基材層とするフレキシブル配線基板を層間接着剤を用いて多層化した多層フレキシブル配線回路基板等が挙げられる。   In recent years, as electronic devices have become lighter, thinner, and smaller, wiring circuits have been required to have higher density. As a technique for realizing this, a multilayer wiring circuit board in which a plurality of wiring boards are stacked and integrated is known. As an example, a multilayer flexible wiring circuit board obtained by multilayering a flexible wiring board having polyimide as a base layer using an interlayer adhesive may be used.

更に、電子機器の高性能化が進み、伝送周波数の高周波化が必要とされる中、高周波に対応する代表的な基板として液晶ポリマーを基材層とした多層配線回路基板が好適に用いられている。液晶ポリマーは低誘電率、低誘電正接を特徴とした樹脂であり、同樹脂を絶縁層とした多層配線回路基板は、他の樹脂を絶縁層として用いる場合と比較して高周波領域の伝送損失を低減させる効果を有している。   Furthermore, as the performance of electronic devices has been improved and the transmission frequency has been increased, a multilayer wiring circuit board having a liquid crystal polymer as a base layer is suitably used as a representative substrate corresponding to the high frequency. Yes. Liquid crystal polymer is a resin characterized by a low dielectric constant and low dielectric loss tangent, and multilayer printed circuit boards using the same resin as an insulating layer have a higher transmission loss in the high frequency region than when other resins are used as an insulating layer. Has the effect of reducing.

液晶ポリマーを絶縁層とした多層配線回路基板は、熱可塑性樹脂である液晶ポリマー基材の融点付近まで加熱した状態で加熱圧着することにより製造される。しかしながら、その加熱温度は250℃以上にもなり、汎用的な熱プレス機では製造することができないという問題点がある。さらに、液晶ポリマー基材の熱変形により、回路導体の位置ズレが起きやすく、インピーダンスの不整合など電気特性に悪影響が出ることが懸念されている。また、液晶ポリマーを基材層とした多層配線回路基板は、多層接着界面が平滑であるとアンカー効果が発現せず層間接着力が不充分となるため、回路導体と液晶ポリマー基材それぞれの表面に粗化処理を必要とし、製造工程が煩雑であるという問題点もあった(特許文献1を参照)。   A multilayer wiring circuit board having a liquid crystal polymer as an insulating layer is manufactured by thermocompression bonding in a state where the liquid crystal polymer is heated to near the melting point of a liquid crystal polymer base material which is a thermoplastic resin. However, the heating temperature becomes 250 ° C. or more, and there is a problem that it cannot be manufactured by a general-purpose hot press. Furthermore, due to thermal deformation of the liquid crystal polymer base material, there is a concern that the circuit conductor is likely to be misaligned and the electrical characteristics such as impedance mismatching are adversely affected. In addition, the multilayer wiring circuit board using a liquid crystal polymer as a base layer has an anchor effect that is insufficient if the multilayer adhesive interface is smooth, and the interlayer adhesion is insufficient. There is also a problem that a roughening process is required and the manufacturing process is complicated (see Patent Document 1).

一般的に多層配線回路基板を作製する為の層間接着剤としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を半硬化させてシート状に成型したものが広く知られている。しかしこれらは、誘電率や誘電正接が高く、高周波基板の材料として用いるのに十分な電気特性を有するものではない。   In general, as an interlayer adhesive for producing a multilayer wiring circuit board, one obtained by semi-curing a thermosetting resin such as an epoxy resin and molding it into a sheet shape is widely known. However, these have a high dielectric constant and dielectric loss tangent, and do not have sufficient electrical characteristics to be used as a material for a high-frequency substrate.

一方、シロキサン変性ポリイミドからなる接着シートは、汎用的なエポキシ系接着材と比較して誘電率が低いという特徴を有し、且つ優れた接着特性を有することが分かっている。しかし、これらは、ポリイミドを基材とする配線基板に多く使用されるものであった(特許文献2を参照)。
特開2006−179609号公報 特開2001−203467号公報
On the other hand, it has been found that an adhesive sheet made of siloxane-modified polyimide has a characteristic that the dielectric constant is lower than that of a general-purpose epoxy adhesive and has excellent adhesive properties. However, these are often used for a wiring board based on polyimide (see Patent Document 2).
JP 2006-179609 A JP 2001-203467 A

本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、液晶ポリマーを使用した多層配線回路基板における製造条件を緩和することができ、且つ液晶ポリマーの特長である高周波領域における伝送損失を低減した多層配線回路基板を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and can reduce the manufacturing conditions in a multilayer wiring circuit board using a liquid crystal polymer, and transmission loss in a high frequency region, which is a feature of the liquid crystal polymer. An object of the present invention is to provide a multilayer wiring circuit board in which the above is reduced.

本発明者らは、上記目的を達成すべく液晶ポリマーを基材層とした多層配線回路基板において、絶縁層にシロキサン変性ポリイミドからなる接着シートを用いることで、従来の液晶ポリマーを用いた多層配線回路基板と比べて緩和した条件で製造可能となり、且つ高周波領域における伝送特性に優れる多層配線回路基板を得ることができることを見出し、本発明を完成するに至った。   In order to achieve the above object, the inventors of the present invention have provided a multilayer wiring circuit board using a liquid crystal polymer as a base layer, and a multilayer wiring using a conventional liquid crystal polymer by using an adhesive sheet made of siloxane-modified polyimide as an insulating layer. The present inventors have found that a multilayer wiring circuit board that can be manufactured under relaxed conditions as compared with a circuit board and that has excellent transmission characteristics in a high-frequency region can be obtained.

すなわち、本発明の多層配線回路基板は、液晶ポリマーを基材層とし、その片面又は両面に回路導体層が設けられた配線基板を複数枚積層し、前記配線基板間にシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層が介在していることを特徴とする多層配線回路基板であって、高周波領域における伝送特性に優れることを特徴とするものである。   That is, the multilayer wiring circuit board of the present invention is a resin comprising a liquid crystal polymer as a base layer, a plurality of wiring boards each having a circuit conductor layer provided on one or both sides thereof, and a siloxane-modified polyimide between the wiring boards. The multilayer wiring circuit board is characterized in that an insulating layer formed from is interposed, and has excellent transmission characteristics in a high frequency region.

また、本発明の多層配線回路基板の基材を構成する液晶ポリマーの熱変形温度Lt(℃)と絶縁層のシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂の熱変形温度St(℃)との関係が、Lt>Stである。
さらに、本発明の多層配線回路基板において、回路導体層は、配線基板の液晶ポリマーとそれに隣接する絶縁層のシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂との界面の表面粗度Rzが、0.5〜3μmの範囲にあることが好ましい。
Further, the relationship between the thermal deformation temperature Lt (° C.) of the liquid crystal polymer constituting the base material of the multilayer wiring circuit board of the present invention and the thermal deformation temperature St (° C.) of the resin containing the siloxane-modified polyimide of the insulating layer is expressed as Lt> St.
Furthermore, in the multilayer wiring circuit board of the present invention, the circuit conductor layer has a surface roughness Rz of 0.5 to 3 μm at the interface between the liquid crystal polymer of the wiring board and the resin containing the siloxane-modified polyimide of the insulating layer adjacent thereto. It is preferable to be in the range.

本発明の多層配線回路基板によれば、シロキサン変性ポリイミドの樹脂を含む絶縁層を高密度の多層配線回路基板間には配置するので、その作製する際の製造条件を緩和し、液晶ポリマーの特性である高周波領域における伝送損失を低減を十分に達成することができ、優れた高密度配線を可能にする。   According to the multilayer wiring circuit board of the present invention, since the insulating layer containing the siloxane-modified polyimide resin is disposed between the high-density multilayer wiring circuit boards, the manufacturing conditions at the time of production are relaxed, and the characteristics of the liquid crystal polymer It is possible to sufficiently reduce the transmission loss in the high-frequency region, which enables excellent high-density wiring.

以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。
先ず、本発明の多層配線回路基板について説明する。すなわち、本発明の多層配線回路基板は少なくとも2層以上の液晶ポリマー基材層と、前記配線基板間にシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された配線回路層とを有するものである。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to preferred embodiments thereof.
First, the multilayer wiring circuit board of the present invention will be described. That is, the multilayer wiring circuit board of the present invention has at least two liquid crystal polymer base layers and a wiring circuit layer formed from a resin containing siloxane-modified polyimide between the wiring boards.

本発明に使用する液晶ポリマーは、光学的異方性の溶融相を形成するものである。液晶ポリマーは、特にその種類を限定するものではないが、いわゆる全芳香族液晶ポリマー、すなわち、脂肪族長鎖を含まず実質的に芳香族のみで構成される液晶ポリマーが好ましく、さらにそのなかでも、6−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸とp−ヒドロキシ安息香酸とからなる構造式(1)で示されるポリエステルがより好ましい(m及びnは整数)。   The liquid crystal polymer used in the present invention forms an optically anisotropic melt phase. The liquid crystal polymer is not particularly limited in its kind, but a so-called wholly aromatic liquid crystal polymer, that is, a liquid crystal polymer that does not contain an aliphatic long chain and is substantially composed only of an aromatic is preferable, and among them, A polyester represented by the structural formula (1) consisting of 6-hydroxy-2-naphthoic acid and p-hydroxybenzoic acid is more preferable (m and n are integers).

Figure 0005186266
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液晶ポリマーは、市販の液晶ポリマーフィルムまたは銅張積層板に絶縁層として用いられる液晶ポリマー等の各種の液晶ポリマーのなかから選定して用いることができ、あるいはまた、液晶ポリマーを適宜調製して用いることもできる。液晶ポリマーフィルムは、ベクスター((株)クラレ社製)などを用いることができ、また、銅張積層板としては、エスパネッスクLシリーズ(新日鐵化学(株)社製)を用いることができる。
なお、液晶ポリマーは、基板の安定した寸法精度を得る観点から、例えば、1×10−6〜25×10−6/℃の範囲の線膨張係数を有するものであることが好ましい。
また、本発明に係る液晶ポリマーの熱変形温度Lt(℃)は、180℃以上、特に210〜330℃の範囲が好ましい。この範囲にあれば、後述する製造が容易に実施でき、加熱接着時に液晶ポリマーに悪影響を与えない。
The liquid crystal polymer can be selected from various liquid crystal polymers such as a liquid crystal polymer used as an insulating layer for a commercially available liquid crystal polymer film or a copper clad laminate, or a liquid crystal polymer can be appropriately prepared and used. You can also. As the liquid crystal polymer film, Bexter (manufactured by Kuraray Co., Ltd.) or the like can be used, and as the copper-clad laminate, Espanesque L series (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) can be used.
The liquid crystal polymer preferably has a linear expansion coefficient in the range of 1 × 10 −6 to 25 × 10 −6 / ° C., for example, from the viewpoint of obtaining stable dimensional accuracy of the substrate.
Further, the heat distortion temperature Lt (° C.) of the liquid crystal polymer according to the present invention is preferably 180 ° C. or higher, particularly 210 to 330 ° C. If it exists in this range, manufacture mentioned later can be implemented easily and does not have a bad influence on a liquid crystal polymer at the time of heat adhesion.

本発明にかかる回路導体層は、以上説明したような液晶ポリマー配線回路層の片面又は両面に回路導体層が設けられたものである。そして、このような回路導体層は、金属箔等の導体層に公知の回路形成処理を施すことにより形成される。
このような金属箔の種類としては、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブテン、タングステン、亜鉛及びそれらの合金等の導電性金属を挙げることができ、これらの中でもステンレス、銅箔又は銅を90%以上含む合金銅箔が好ましい。
液晶ポリマーの厚みは、例えば5〜100μm程度とすることができ、好ましくは、10〜50μmである。また、配線回路層および導体層の厚みは、例えば3〜35μm程度とすることができ、好ましくは、5〜25μmである。
配線基板の液晶ポリマーとそれに隣接する絶縁層のシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂との界面となる回路導体層の表面粗度Rzは、0.5〜3μmの範囲が好ましく、特に、0.7〜1.5μmの範囲が好ましい。表面粗度Rzがこのような範囲内であれば、境界面の粗さが顕著に大きい場合に生じうる高周波領域での伝送特性への悪影響を生じることなく、十分な層間密着強度を確保することができる。
なお、ここでいうRzとは、JISB0601(1994)によって定義される10点平均粗さのことをいう。
The circuit conductor layer according to the present invention is such that the circuit conductor layer is provided on one or both sides of the liquid crystal polymer wiring circuit layer as described above. Such a circuit conductor layer is formed by subjecting a conductor layer such as a metal foil to a known circuit formation process.
Examples of such metal foils include conductive metals such as copper, aluminum, iron, silver, palladium, nickel, chromium, molybdenum, tungsten, zinc, and alloys thereof. Among these, stainless steel, copper An alloy copper foil containing 90% or more of foil or copper is preferable.
The thickness of the liquid crystal polymer can be, for example, about 5 to 100 μm, and preferably 10 to 50 μm. Moreover, the thickness of a wiring circuit layer and a conductor layer can be about 3-35 micrometers, for example, Preferably, it is 5-25 micrometers.
The surface roughness Rz of the circuit conductor layer serving as an interface between the liquid crystal polymer of the wiring board and the resin containing the siloxane-modified polyimide of the insulating layer adjacent thereto is preferably in the range of 0.5 to 3 μm, particularly 0.7 to 1 A range of 0.5 μm is preferred. If the surface roughness Rz is within such a range, sufficient interlayer adhesion strength is ensured without adversely affecting the transmission characteristics in the high-frequency region that may occur when the roughness of the boundary surface is significantly large. Can do.
Here, Rz refers to the 10-point average roughness defined by JIS B0601 (1994).

本発明における回路基板間の絶縁層(接着層)は、シロキサン変性ポリイミドを主成分として含有し、また、シロキサン変性ポリイミドに必要に応じてエポキシ樹脂を導入及び/又は配合し、硬化剤や他の添加剤を含有する熱硬化性の樹脂組成物とすることが好ましく、より好ましくは、シロキサン変性ポリイミド70〜99質量%とエポキシ樹脂1〜30質量%を配合して得られる。
本発明におけるシロキサン変性ポリイミドの熱変形温度が60〜170℃の範囲にあることが好ましく、より好ましくは、80〜170℃である。シロキサン変性ポリイミドの熱変形温度が上記範囲内であれば、加熱接着温度の設定を無理なく設定することができる。
The insulating layer (adhesive layer) between the circuit boards in the present invention contains siloxane-modified polyimide as a main component, and an epoxy resin is introduced and / or blended into the siloxane-modified polyimide as necessary, and a curing agent or other A thermosetting resin composition containing an additive is preferably used, and more preferably, 70 to 99% by mass of siloxane-modified polyimide and 1 to 30% by mass of an epoxy resin are blended.
The thermal deformation temperature of the siloxane-modified polyimide in the present invention is preferably in the range of 60 to 170 ° C, more preferably 80 to 170 ° C. If the thermal deformation temperature of the siloxane-modified polyimide is within the above range, the heating adhesion temperature can be set without difficulty.

上記シロキサン変性ポリイミドにおいて、シリコンユニットを有する下記一般式(1)で表される構成単位と、下記一般式(2)で表される構成単位とを有するものが例示される。なお、一般式(2)において、Arのうち少なくとも1モル%は下記一般式(3)で表されるエポキシ樹脂と反応性を有する官能基を有する2価の芳香族基であって良い。 Examples of the siloxane-modified polyimide include those having a structural unit represented by the following general formula (1) having a silicon unit and a structural unit represented by the following general formula (2). In the general formula (2), at least 1 mol% of Ar 2 may be a divalent aromatic group having a functional group having reactivity with the epoxy resin represented by the following general formula (3).

Figure 0005186266
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一般式(1)中、Arは4価の芳香族基を示す。R及びRは2価の炭化水素基を示すが、R及びRは炭素数1〜6の2価のアルキレン基又はフェニレン基である。R〜Rは炭素数1〜6の炭化水素基を示し、メチル基、エチル基、プロピル基又はフェニル基からなるものが好ましい。nは平均繰り返し数であり、1〜20の数を示すが、1〜10の数が好ましい。 In general formula (1), Ar 1 represents a tetravalent aromatic group. R 1 and R 2 represent a divalent hydrocarbon group, and R 1 and R 2 are a C 1-6 divalent alkylene group or phenylene group. R 3 to R 6 represent a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and those composed of a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or a phenyl group are preferable. n is the average number of repetitions and represents a number of 1 to 20, preferably a number of 1 to 10.

Figure 0005186266
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一般式(2)中、Arは4価の芳香族基を、Arは2価の芳香族基を表す。Arの一部が下記一般式(3)で表される3価又は4価の芳香族基で置き換えられていても良い。 In general formula (2), Ar 1 represents a tetravalent aromatic group, and Ar 2 represents a divalent aromatic group. A part of Ar 2 may be replaced with a trivalent or tetravalent aromatic group represented by the following general formula (3).

Figure 0005186266
一般式(3)中、Arは3価又は4価の芳香族基を表し、Xはエポキシ基と反応性を有する官能基であり、好ましくは、水酸基、アミノ基又はカルボキシル基であり、mは1又は2であるが、mが2の場合Xは同じであっても異なっていてもよい。
Figure 0005186266
In General Formula (3), Ar 3 represents a trivalent or tetravalent aromatic group, X is a functional group reactive with an epoxy group, preferably a hydroxyl group, an amino group, or a carboxyl group, m Is 1 or 2, but when m is 2, X may be the same or different.

シリコンユニットを有する一般式(1)と一般式(2)で表される構成単位の構成比率(モル比)は、一般式(1)/一般式(2)=10/90〜70/30の範囲であることが好ましく、一般式(1)/一般式(2)=10/90〜45/55の範囲であることがより好ましく、一般式(1)/一般式(2)=10/90〜40/60の範囲であることが最も好ましい。   The structural ratio (molar ratio) of the structural units represented by the general formula (1) and the general formula (2) having the silicon unit is as follows: General formula (1) / general formula (2) = 10/90 to 70/30 The range is preferably, more preferably in the range of general formula (1) / general formula (2) = 10/90 to 45/55, and general formula (1) / general formula (2) = 10/90. Most preferably, it is in the range of ~ 40/60.

シリコンユニットを有するポリイミドは、ジアミノシロキサン及び芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを、有機溶媒中で反応させて得られる。
ジアミノシロキサンとしては、下記一般式(4)で表されるジアミノシロキサンが用いられる。
A polyimide having a silicon unit is obtained by reacting diaminosiloxane and aromatic diamine with tetracarboxylic dianhydride in an organic solvent.
As diaminosiloxane, diaminosiloxane represented by the following general formula (4) is used.

Figure 0005186266
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上記式中ジアミノシロキサンの平均n数は、1〜20、好ましくは1〜10の範囲であり、より好ましくは1〜8の範囲である。nの値がこの値より大きいと接着性が低下するので好ましくない。これらのジアミノシロキサンを用いてポリイミド中にシロキサン構造単位を導入することにより、樹脂フィルムに、可撓性や加熱圧着による流動性を与え、パターン金属層への充填性も良好なものとなる。   In the above formula, the average n number of diaminosiloxane is 1 to 20, preferably 1 to 10, more preferably 1 to 8. If the value of n is larger than this value, the adhesiveness is lowered, which is not preferable. By introducing a siloxane structural unit into the polyimide using these diaminosiloxanes, the resin film is given flexibility and fluidity by thermocompression bonding, and the filling property to the pattern metal layer is also good.

ジアミノシロキサンの具体的化合物の例としては、ω,ω’−ビス(2−アミノエチル)ポリジメチルシロキサン、ω,ω’−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン、ω,ω’−ビス(4−アミノフェニル)ポリジメチルシロキサン、ω,ω’−ビス(3−アミノプロピル)ポリジフェニルシロキサン、ω,ω’−ビス(2−アミノプロピル)ポリジメチルフェニルシロキサンなどが挙げられる。   Examples of specific compounds of diaminosiloxane include ω, ω′-bis (2-aminoethyl) polydimethylsiloxane, ω, ω′-bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane, ω, ω′-bis ( 4-aminophenyl) polydimethylsiloxane, ω, ω′-bis (3-aminopropyl) polydiphenylsiloxane, ω, ω′-bis (2-aminopropyl) polydimethylphenylsiloxane, and the like.

芳香族ジアミンとしては、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルプロパン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス(3−アミノフェノキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)プロパン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼンなどが例示される。   As aromatic diamines, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylpropane, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis (3-amino) Phenoxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 1,4 Examples include -bis (4-aminophenoxy) benzene and 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene.

本発明で一般式(2)のAr一部を一般式(3)で表される3価又は4価の芳香族基で置き換える場合、エポキシ基と反応性を有する官能基を有する芳香族ジアミンを使用することができる。このようなエポキシ樹脂に対して反応性官能基を有する芳香族ジアミンとしては、2,5−ジアミノフェノール、3,5−ジアミノフェノール、4,4’−(3,3’−ジヒドロキシ)ジアミノビフェニル、4,4’−(2,2’−ジヒドロキシ)ジアミノビフェニル、2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、3,3’、4,4’−ビフェニルテトラアミン、3,3’、4,4’−テトラアミノジフェニルエーテル、4,4’−(3,3’−ジカルボキシ)ジフェニルアミン、3,3’−ジカルボキシ−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル等が挙げられ、4,4’−(3,3’−ジヒドロキシ)ジフェニルアミンは好ましいものの1つである。
これらの芳香族ジアミンを用いることにより加熱硬化時にエポキシ樹脂と反応し架橋機構を形成するため、第1の樹脂層との接着強度、耐薬品性などを更に向上させることができる。上記エポキシ樹脂に対して反応性官能基を有する芳香族ジアミンは、全ジアミンの少なくとも1モル%以上用いることができるが、好ましくは1〜10モル%の範囲である。
When replacing a part of Ar 2 in the general formula (2) with a trivalent or tetravalent aromatic group represented by the general formula (3) in the present invention, an aromatic diamine having a functional group reactive with an epoxy group Can be used. Examples of the aromatic diamine having a functional group reactive with such an epoxy resin include 2,5-diaminophenol, 3,5-diaminophenol, 4,4 ′-(3,3′-dihydroxy) diaminobiphenyl, 4,4 ′-(2,2′-dihydroxy) diaminobiphenyl, 2,2′-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetraamine, 3,3 ′, 4,4′-tetraaminodiphenyl ether, 4,4 ′-(3,3′-dicarboxy) diphenylamine, 3,3′-dicarboxy-4,4′-diaminodiphenyl ether, etc. 4,4 ′-(3,3′-dihydroxy) diphenylamine is one of the preferred ones.
By using these aromatic diamines, it reacts with the epoxy resin at the time of heat curing to form a cross-linking mechanism, so that the adhesive strength with the first resin layer, chemical resistance, etc. can be further improved. Although the aromatic diamine which has a reactive functional group with respect to the said epoxy resin can be used at least 1 mol% or more of all the diamines, Preferably it is the range of 1-10 mol%.

テトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物などが例示される。   Examples of tetracarboxylic dianhydrides include pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfone tetracarboxylic acid dianhydride. Anhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyl Examples thereof include tetracarboxylic dianhydride.

本発明において使用するエポキシ樹脂は、ポリイミドとの混合が可能であれば特に限定はされないが、好ましくはエポキシ当量が500以下の範囲である液状又は粉末状エポキシ樹脂である。エポキシ当量が500を超えると接着強度及び耐熱性が低下する。このようなエポキシ樹脂の具体例としては、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フルオレンビスフェノール、4,4’−ビフェノール、2,2’−ビフェノール、ハイドロキノン、レゾルシン等のフェノール類、あるいは、トリス−(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,2,2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、フェノールノボラック、o−クレゾールノボラック等の3価以上のフェノール類、又は、テトラブロモビスフェノールA等のハロゲン化ビスフェノール類から誘導されるグリシジルエーテル化物がある。これらのエポキシ樹脂は1種または2種以上を混合して使用することができる。   The epoxy resin used in the present invention is not particularly limited as long as it can be mixed with polyimide, but is preferably a liquid or powdery epoxy resin having an epoxy equivalent of 500 or less. When epoxy equivalent exceeds 500, adhesive strength and heat resistance will fall. Specific examples of such epoxy resins include bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, fluorene bisphenol, phenols such as 4,4′-biphenol, 2,2′-biphenol, hydroquinone, resorcin, or tris- ( 4-hydroxyphenyl) methane, 1,1,2,2-tetrakis (4-hydroxyphenyl) ethane, phenol novolak, trivalent or higher phenols such as o-cresol novolak, or halogenation such as tetrabromobisphenol A There are glycidyl ethers derived from bisphenols. These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.

この他、必要により硬化促進の目的でエポキシ樹脂硬化剤を使用することもでき、その具体例としては、フェノールノボラック、o−クレゾールノボラック等のフェノール類、無水ピロメリット酸、無水フタル酸等の酸無水物類などが挙げられる。   In addition, if necessary, an epoxy resin curing agent may be used for the purpose of accelerating curing. Specific examples thereof include phenols such as phenol novolac and o-cresol novolac, acids such as pyromellitic anhydride and phthalic anhydride. And anhydrides.

上記シリコンユニットを有するポリイミドにエポキシ樹脂を配合した樹脂組成物とする場合、その配合割合は、シロキサン変性ポリイミド70〜99質量%、エポキシ樹脂1〜30質量%の範囲とすることが好ましい。この範囲とすることで、ポリイミド本来の特性を低下させることなく、耐熱性、接着性をさらに向上させることができる。なお、シリコンユニットを有するポリイミドは、エポキシ樹脂を硬化させる作用を有する場合もあるが、その場合であっても本発明ではポリイミドとして扱い、硬化剤とは区別される。
樹脂組成物に適宜配合される添加剤としては、カップリング剤、充填剤、顔料、チクソトロピー性付与剤、消泡剤等が例示される。
When setting it as the resin composition which mix | blended the epoxy resin with the polyimide which has the said silicon unit, it is preferable to make the compounding ratio into the range of 70-99 mass% of siloxane modified polyimide, and 1-30 mass% of epoxy resins. By setting it as this range, heat resistance and adhesiveness can be further improved without deteriorating the original characteristics of polyimide. In addition, although the polyimide which has a silicon unit may have the effect | action which hardens an epoxy resin, even in that case, it treats as a polyimide in this invention, and is distinguished from a hardening | curing agent.
Examples of the additive appropriately blended in the resin composition include a coupling agent, a filler, a pigment, a thixotropic agent, and an antifoaming agent.

本発明におけるシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層の厚み範囲は、板厚設計値に合わせて適宜選択することができるが、10〜100μmの範囲が好ましく、35〜50μmの範囲がより好ましい。シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層として、は、ポリイミド系ボンデンィングシートSPB(新日鐵化学(株)社製)を用いることもできる。   Although the thickness range of the insulating layer formed from the resin containing the siloxane-modified polyimide in the present invention can be appropriately selected according to the plate thickness design value, the range of 10 to 100 μm is preferable, and the range of 35 to 50 μm is more preferable. preferable. As an insulating layer formed from a resin containing a siloxane-modified polyimide, a polyimide-based bonding sheet SPB (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) can also be used.

本発明の多層配線回路基板は、以上説明したような液晶ポリマー基材層及び回路導体層をそれぞれ複数有するものである。具体的には、液晶ポリマー基材層の少なくとも片面に積層された回路導体層とを有するフレキシブル配線基板を用いて得られたものであることが好ましい。   The multilayer wiring circuit board of the present invention has a plurality of liquid crystal polymer substrate layers and circuit conductor layers as described above. Specifically, it is preferably obtained by using a flexible wiring board having a circuit conductor layer laminated on at least one surface of the liquid crystal polymer base material layer.

次に、前記フレキシブル配線基板と前記シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層を使用して本発明の多層配線回路基板を製造する方法について、図を参照しながら説明する。   Next, a method of manufacturing the multilayer wiring circuit board of the present invention using the flexible wiring board and the insulating layer formed from the resin containing the siloxane-modified polyimide will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の多層配線回路基板を製造する方法の好適な一実施形態を示す工程概略図である(図1(a)は配線基板作製工程に対応し、図1(b)は積層工程に対応し、図1(c)は外層形成工程に対応する。図2(a)は配線基板作製工程に対応し、図2(b)は積層工程に対応する。)。
そして、本発明の多層配線回路基板は、例えば、両面フレキシブル配線基板を用いて配線基板を作製する工程(配線基板作製工程)と、前記配線基板とシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層を積層する工程(積層工程)と、前記配線基板の外層銅箔に回路形成処理を施して配線回路とした後に前記配線回路上に保護層を形成する工程(外層形成工程)とを含む方法により作製することができる。
FIG. 1 is a process schematic diagram showing a preferred embodiment of a method for producing a multilayer wiring circuit board of the present invention (FIG. 1A corresponds to a wiring board manufacturing process, and FIG. 1C corresponds to the outer layer forming step, FIG. 2A corresponds to the wiring board manufacturing step, and FIG. 2B corresponds to the stacking step.
The multilayer wiring circuit board of the present invention includes, for example, a process of manufacturing a wiring board using a double-sided flexible wiring board (wiring board manufacturing process), and an insulating layer formed of the wiring board and a resin containing siloxane-modified polyimide. And a step of forming a protective layer on the wiring circuit (outer layer forming step) after a circuit forming process is performed on the outer layer copper foil of the wiring board to form a wiring circuit. Can be produced.

配線基板作製工程においては、まず液晶ポリマーを基材層とした両面フレキシブル配線基板を少なくとも2つ準備する。そして、前記両面フレキブル配線基板の銅箔の片面のみに回路形成処理を施して配線基板10並びに11を作製する。回路形成処理の方法としては、公知の方法を適宜採用することができる。
このようにして、図1(a)に示すような、液晶ポリマー基材層1並びに2と液晶ポリマー基材層1並びに2の片面に形成された配線回路3’並びに4’とをそれぞれ有し、その反対面に銅箔5並びに6を有する配線基板10、11を作製することができる。
In the wiring board manufacturing step, first, at least two double-sided flexible wiring boards using a liquid crystal polymer as a base material layer are prepared. Then, a circuit forming process is performed only on one side of the copper foil of the double-sided flexible wiring board to produce the wiring boards 10 and 11. As a method of the circuit formation process, a known method can be appropriately employed.
Thus, as shown in FIG. 1A, the liquid crystal polymer base layers 1 and 2 and the wiring circuits 3 ′ and 4 ′ formed on one side of the liquid crystal polymer base layers 1 and 2 are provided. The wiring boards 10 and 11 having the copper foils 5 and 6 on the opposite surface can be produced.

積層工程においては、先ず、液晶ポリマー基材層1並びに2と液晶ポリマー基材層1並びに2の片面に形成された配線回路3’並びに4’とをそれぞれ有し、その反対面に銅箔5並びに6を有する配線基板10、11を準備する。そして、図1(b)に示すように、フレキシブル配線基板10、11の銅箔5並びに6がそれぞれ外側になるように、配線基板10と2つの片面フレキシブル積層板11とを対向させ、前記シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂からなる接着シート(絶縁層)7を介して積層する。 In the lamination step, first, the liquid crystal polymer base layers 1 and 2 and the wiring circuits 3 ′ and 4 ′ formed on one side of the liquid crystal polymer base layers 1 and 2 are respectively provided, and the copper foil 5 is provided on the opposite side. In addition, wiring boards 10 and 11 having 6 are prepared. Then, as shown in FIG. 1 (b), so that the copper foil 5 and 6 of the flexible wiring board 10, 11 on the outside, respectively, are opposed to the wiring substrate 10 and the second single-sided flexible laminated plate 11, Lamination is performed via an adhesive sheet (insulating layer) 7 made of a resin containing the siloxane-modified polyimide.

また、積層条件は、シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂の熱変形温度St(℃)以上で、液晶ポリマーの熱変形温度Lt(℃)未満の温度範囲で加熱加圧処理する。例えば、確実には、温度がシロキサン変性ポリイミドの熱変形温度より高い温度、より好ましくは180℃以上で、液晶ポリマーの熱変形温度235℃未満の温度設定をすることができる。また、設定上、液晶ポリマーの熱変形温度Lt(℃)とシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂の熱変形温度St(℃)との関係が、Lt>Stである。   In addition, the lamination is performed under heat and pressure in a temperature range not lower than the thermal deformation temperature St (° C.) of the resin containing the siloxane-modified polyimide and lower than the thermal deformation temperature Lt (° C.) of the liquid crystal polymer. For example, the temperature can be surely set to a temperature higher than the heat deformation temperature of the siloxane-modified polyimide, more preferably 180 ° C. or more, and less than the heat deformation temperature of the liquid crystal polymer of 235 ° C. Further, in terms of setting, the relationship between the thermal deformation temperature Lt (° C.) of the liquid crystal polymer and the thermal deformation temperature St (° C.) of the resin containing the siloxane-modified polyimide is Lt> St.

更に、加熱加圧処理での圧力範囲が1MPa〜10MPaの範囲、より好ましくは、4〜6MPaの範囲にあることが好ましい。また、保持時間は特に限定する必要はないが、一般に10〜60分の範囲とすることが好ましい。
なお、図1には図示していないが、配線基板10並びに11の両側に必要に応じて、カバーレイフィルムやソルダーレジストが設けられても良い。このようなカバーレイフィルムとしては、ポリイミドフィルムにエポキシ樹脂系接着剤又はアクリル樹脂系接着剤、シロキサン変性ポリイミド系接着材が設けられたカバーレイフィルムや液晶ポリマーフィルムが好ましく使用される。
Furthermore, the pressure range in the heat and pressure treatment is preferably in the range of 1 MPa to 10 MPa, more preferably in the range of 4 to 6 MPa. Further, the holding time is not particularly limited, but is generally preferably in the range of 10 to 60 minutes.
Although not shown in FIG. 1, a coverlay film or a solder resist may be provided on both sides of the wiring boards 10 and 11 as necessary. As such a cover lay film, a cover lay film or a liquid crystal polymer film in which an epoxy resin adhesive, an acrylic resin adhesive, or a siloxane-modified polyimide adhesive is provided on a polyimide film is preferably used.

外層形成工程においては、図1(c)に示すように、両面フレキシブル配線基板10並びに11の銅箔5並びに6に回路形成処理を施して配線回路5’並びに6’とした後に配線回路5’並びに6’上に保護層としてカバーレイフィルムもしくはソルダーレジスト8並びに9を積層する。回路形成処理の方法としては、公知の方法を適宜採用することができる。また、カバーレイフィルム8並びに9としては、ポリイミドフィルムにエポキシ樹脂系接着剤又はアクリル樹脂系接着剤、シロキサン変性ポリイミド系接着剤が設けられたカバーレイフィルムや液晶ポリマーフィルムが好ましく使用される。   In the outer layer forming step, as shown in FIG. 1C, a circuit forming process is performed on the copper foils 5 and 6 of the double-sided flexible wiring boards 10 and 11 to form the wiring circuits 5 ′ and 6 ′, and then the wiring circuit 5 ′. In addition, a coverlay film or solder resists 8 and 9 are laminated on 6 ′ as a protective layer. As a method of the circuit formation process, a known method can be appropriately employed. As the coverlay films 8 and 9, a coverlay film or a liquid crystal polymer film in which an epoxy resin adhesive, an acrylic resin adhesive, or a siloxane-modified polyimide adhesive is provided on a polyimide film is preferably used.

以上説明したような配線基板作製工程、積層工程、及び外層形成工程を含む方法により、本発明の多層配線回路基板12を製造することができる。また、このような本発明の多層配線回路基板を製造する方法においては、4層の配線回路層を有する多層配線回路基板の製造する方法を例に挙げて説明したが、更に多層化を行うことで、例えば、6層〜8層の配線回路層を有する多層配線回路基板とすることもできる。なお、この場合においては、カバーレイフィルム8並びに9は最外層の配線回路層を保護するためだけに使用することが好ましい。   The multilayer wiring circuit board 12 of the present invention can be manufactured by the method including the wiring board manufacturing process, the laminating process, and the outer layer forming process as described above. Further, in the method of manufacturing the multilayer wiring circuit board of the present invention, the method of manufacturing the multilayer wiring circuit board having four wiring circuit layers has been described as an example. Thus, for example, a multilayer wiring circuit board having 6 to 8 wiring circuit layers can be provided. In this case, the coverlay films 8 and 9 are preferably used only for protecting the outermost wiring circuit layer.

(実施例)
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
(Example)
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to a following example.

以下の測定評価を実施した。
[熱変形温度の測定]
熱機械分析装置(Bruker製、4000SA)を用いて、幅2mm、長さ30mm、チャック間距離15mmにて、荷重2g、昇温速度5℃/分の条件で試験片の長さ方向の熱膨張量を測定し、その変曲点を熱変形温度とする。
[接着強度の測定]
引張試験機(東洋精機株式会社製、ストログラフ−M1)を用いて、幅10mm、長さ100mmの試験片を180°方向に50mm/分の速度で引き剥がす時の力を接着強度とする。
The following measurement evaluation was performed.
[Measurement of heat distortion temperature]
Using a thermomechanical analyzer (manufactured by Bruker, 4000SA), thermal expansion in the length direction of the test piece under conditions of a width of 2 mm, a length of 30 mm, a distance between chucks of 15 mm, a load of 2 g, and a heating rate of 5 ° C./min. The amount is measured and the inflection point is defined as the heat distortion temperature.
[Measurement of adhesive strength]
Using a tensile tester (manufactured by Toyo Seiki Co., Ltd., Strograph-M1), the force at the time of peeling a test piece having a width of 10 mm and a length of 100 mm in a 180 ° direction at a speed of 50 mm / min is defined as an adhesive strength.

[伝送損失の測定]
両面フレキシブル配線基板の銅箔に回路加工を施した後に接着シートと積層し、上下がグランド・中間は信号線の導体3層からなる伝送線路(オフセンターストリップライン)を作製した。伝送線路の設計は高周波回路設計用のソフトウェア(アジレント・テクノロジー社製、Advanced Design System)用いて行った。伝送線路の両末端には測定用にグランド・信号線・グランド3本からなる等間隔のパッドを配置した。伝送損失は、マイクロ波用ピコプローブ(GGB社製)とネットワークアナライザ(アジレント・テクノロジー社製、E8364B)を用いてSパラメータを測定することで算出した。
[Measurement of transmission loss]
Circuit processing was applied to the copper foil of the double-sided flexible wiring board, and then laminated with an adhesive sheet to produce a transmission line (off-center strip line) consisting of three layers of conductors of signal lines on the top and bottom. The design of the transmission line was performed using high frequency circuit design software (manufactured by Agilent Technologies, Advanced Design System). At both ends of the transmission line, equidistant pads comprising a ground, a signal line, and three grounds were arranged for measurement. The transmission loss was calculated by measuring the S parameter using a pico probe for microwaves (manufactured by GGB) and a network analyzer (manufactured by Agilent Technologies, E8364B).

シロキサン変性ポリイミドフィルムの準備
(シロキサン変性ポリイミドの合成例)
反応容器に3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物(ODPA)37.14g(0.11モル)、N−メチル−2−ピロリドン200g及びジエチレングリコールジメチルエーテル200gを装入し、室温で良く混合した。次に、一般式(4)において、R,R:−(CH−、及びR〜R:−CHで表され、n=8.4、平均分子量740のジアミノシロキサン31.56g(0.035モル)を滴下し、この反応溶液を攪拌下で氷冷し、2,2’−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)プロパン(BAPP)30.25g(0.07モル)及び4,4’−(3,3’−ジヒドロキシ)ジアミノビフェニル(HAB)1.04g(0.005モル)を添加し、室温にて2時間攪拌し、ポリアミ酸溶液を得た。このポリアミ酸溶液を190℃に昇温し、20時間加熱、攪拌し、対数粘度0.9dl/gのポリイミド溶液を得た。
Preparation of siloxane-modified polyimide film (Synthesis example of siloxane-modified polyimide)
A reaction vessel was charged with 37.14 g (0.11 mol) of 3,3 ′, 4,4′-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride (ODPA), 200 g of N-methyl-2-pyrrolidone and 200 g of diethylene glycol dimethyl ether, Mix well at room temperature. Next, in the general formula (4), R 1 , R 2 : — (CH 2 ) 3 —, and R 3 to R 6 : —CH 3 , n = 8.4, average molecular weight 740 diaminosiloxane 31.56 g (0.035 mol) was added dropwise, the reaction solution was ice-cooled with stirring, and 30.25 g (0.07 mol) of 2,2′-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane (BAPP). and 4,4 '- (3,3'-dihydroxy) was added diaminobiphenyl (HAB) 1.04 g (0.005 mol), stirred for 2 hours at room temperature to obtain a made of polyamide acid solution. This made of Polyamide acid solution heated to 190 ° C., 20 hours heated and stirred to obtain a polyimide solution of inherent viscosity 0.9 dl / g.

(樹脂フィルムの製造例)
上記シロキサン変性ポリイミドの合成例によって得られたポリイミド溶液の固形分75質量部に対し、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、エピコート828)25質量部を混合し、2時間室温にて攪拌させて、シロキサン変性ポリイミド含有樹脂組成物の樹脂溶液を調製した。この樹脂溶液をPETフィルム上に塗布し、乾燥してPETフィルム付樹脂フィルムとした。PETフィルム上の樹脂の熱変形温度は80℃であった。なお、下記実施例では、この樹脂フィルム(以下、SP−Aと略する)を用いた。
(Production example of resin film)
25 parts by mass of a bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., Epicoat 828) is mixed with 75 parts by mass of the solid content of the polyimide solution obtained by the synthesis example of the siloxane-modified polyimide, and the mixture is kept at room temperature for 2 hours. And a resin solution of a siloxane-modified polyimide-containing resin composition was prepared. This resin solution was applied onto a PET film and dried to obtain a resin film with a PET film. The heat distortion temperature of the resin on the PET film was 80 ° C. In the following examples, this resin film (hereinafter abbreviated as SP-A) was used.

(実施例1)
厚さ25μmの液晶ポリマー(熱変形温度:235℃)を基材層とし、その両面に厚さ9μmの銅箔(表面粗度Rz:2.0μm)が設けられた両面フレキシブル配線基板を準備し、その片面の銅箔に回路加工を施し、任意の配線回路3’並びに4’を形成した図1(a)示すような2つの配線基板10、11を得た。
Example 1
A double-sided flexible wiring board having a 25 μm-thick liquid crystal polymer (thermal deformation temperature: 235 ° C.) as a base layer and a 9 μm-thick copper foil (surface roughness Rz: 2.0 μm) provided on both sides thereof is prepared. Then, circuit processing was performed on the copper foil on one side to obtain two wiring boards 10 and 11 as shown in FIG. 1A in which arbitrary wiring circuits 3 ′ and 4 ′ were formed.

次に配線基板10、11の銅箔5並びに6がそれぞれ外側になるように配線基板10と11とを対向させ、シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された接着シート7(SP−A)を介して重ね、温度180℃、圧力4MPa、加圧保持時間60分間の各条件で積層した(図1(b))。このようにして得られた図1(b)に示す多層配線回路基板の両側の銅箔を更に回路加工を施し、カバーレイフィルムを設けた(図1(c))。   Next, the wiring boards 10 and 11 are made to face each other so that the copper foils 5 and 6 of the wiring boards 10 and 11 are outside, and the adhesive sheets 7 (SP-A) formed from a resin containing a siloxane-modified polyimide are interposed therebetween. The layers were laminated under the conditions of a temperature of 180 ° C., a pressure of 4 MPa, and a pressure holding time of 60 minutes (FIG. 1B). The thus obtained copper foil on both sides of the multilayer wiring circuit board shown in FIG. 1B was further subjected to circuit processing to provide a coverlay film (FIG. 1C).

得られた多層配線回路基板は、配線回路と絶縁層(接着シート)、液晶ポリマー基材層と絶縁層(接着シート)間ともに隙間なく、きれいに充填されたものであった。配線回路と絶縁層(接着シート)の接着強度は0.71kN/mと良好で、また、液晶ポリマー基材層と絶縁層(接着シート)の接着強度も0.67kN/mと良好であった。 The obtained multilayer printed circuit board was filled with no gaps between the wiring circuit and the insulating layer (adhesive sheet), and between the liquid crystal polymer base material layer and the insulating layer (adhesive sheet). The adhesive strength between the wiring circuit and the insulating layer (adhesive sheet) is as good as 0.71 kN / m, and the adhesive strength between the liquid crystal polymer substrate layer and the insulating layer (adhesive sheet) is as good as 0.67 kN / m. It was.

(比較例1)
接着シートに厚さ25μm、熱変形温度:235℃の液晶ポリマーフィルムを用いた以外は、実施例1と同様に行った。但し、接着シートとして用いた、液晶ポリマーの熱変形温度が高いため、200℃以下の低温での積層ができず、積層条件を、温度260℃、圧力6MPa、加圧保持時間15分間とする必要があった。
また、得られた多層配線回路基板は、配線回路と絶縁層(接着シート)の接着強度が0.52kN/mで、液晶ポリマー基材層と絶縁層(接着シート)の接着強度も0.21kN/mと本発明の実施例1のものに対して劣っていた。
(Comparative Example 1)
The same procedure as in Example 1 was performed except that a liquid crystal polymer film having a thickness of 25 μm and a heat distortion temperature of 235 ° C. was used for the adhesive sheet. However, since the thermal deformation temperature of the liquid crystal polymer used as the adhesive sheet is high, it cannot be laminated at a low temperature of 200 ° C. or lower, and the lamination conditions need to be a temperature of 260 ° C., a pressure of 6 MPa, and a pressure holding time of 15 minutes. was there.
The obtained multilayer printed circuit board has an adhesive strength of 0.52 kN / m between the wiring circuit and the insulating layer (adhesive sheet), and an adhesive strength between the liquid crystal polymer substrate layer and the insulating layer (adhesive sheet) of 0.21. kN / m and inferior to that of Example 1 of the present invention.

(実施例2)
実施例1で用いたものと同じ液晶ポリマー13を基材層とする両面フレキシブル配線基板を準備し、両面の銅箔に回路加工を施して、任意の配線回路3’並びに4’を形成して図2(a)示すような配線基板14を得た。また、実施例1と同様にして、液晶ポリマーを基材層とする両面フレキシブル配線基板の片側の銅箔を回路加工を施し、任意の配線回路が形成された2つの配線基板10、11を得た。次に、配線基板14の両側に、実施例1で用いたものと同じシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された接着シート(SP−A)15及び16を介して、配線基板10、11を銅箔が外側になるように積層し多層配線基板17を得た。なお、このときの積層条件は温度180℃、圧力4MPa、保持時間60分とした。このようにして得られた図2(b)に示す多層配線回路基板の両側の銅箔を更に回路加工を施し、カバーレイフィルムを設けた。
(Example 2)
A double-sided flexible wiring board having the same liquid crystal polymer 13 as that used in Example 1 as a base layer is prepared, and circuit processing is performed on the copper foils on both sides to form arbitrary wiring circuits 3 ′ and 4 ′. A wiring board 14 as shown in FIG. Further, in the same manner as in Example 1, the copper foil on one side of the double-sided flexible wiring board having a liquid crystal polymer as a base layer was subjected to circuit processing to obtain two wiring boards 10 and 11 on which arbitrary wiring circuits were formed. It was. Next, on both sides of the wiring board 14, the wiring boards 10 and 11 are made of copper via adhesive sheets (SP-A) 15 and 16 formed from the same resin containing siloxane-modified polyimide as used in Example 1. The multilayer wiring board 17 was obtained by laminating the foils on the outside. The lamination conditions at this time were set to a temperature of 180 ° C., a pressure of 4 MPa, and a holding time of 60 minutes. The copper foil on both sides of the multilayer wiring circuit board obtained in this way shown in FIG. 2B was further subjected to circuit processing to provide a coverlay film.

(実施例3)
実施例1と同様にして、図3に示した(a)〜(c)の3つのストリップ線路構造の高周波伝送線路を準備した。各積層体の構成を表1に示す。
このようにして得られた高周波伝送線路において、ネットワークアナライザを用いてDC〜40の伝送損失を測定した。結果を表1に示す。表1に示したとおり、液晶ポリマーをボンディング材と用いた場合とほぼ同等であり、高周波領域の伝送損失を低減する効果が得られた。
(Example 3)
In the same manner as Example 1, high frequency transmission lines having three strip line structures (a) to (c) shown in FIG. 3 were prepared. Table 1 shows the configuration of each laminate.
In the high-frequency transmission line thus obtained, a transmission loss of DC to 40 was measured using a network analyzer. The results are shown in Table 1. As shown in Table 1, it was almost the same as when the liquid crystal polymer was used as the bonding material, and the effect of reducing the transmission loss in the high frequency region was obtained.

Figure 0005186266
Figure 0005186266

参考例:従来のエポキシ樹脂使用、単位:dB/mm
表1に示すように、実施例1でのシロキサン変性ポリイミドでは、液晶ポリマーと遜色のない特性を示す、一方、接着強度に関しては上述したように実施例1のものは比較例1のものより優れていた。
Reference example: Use of conventional epoxy resin, Unit: dB / mm
As shown in Table 1, the siloxane-modified polyimide in Example 1 shows characteristics comparable to the liquid crystal polymer. On the other hand, the adhesive strength of Example 1 is superior to that of Comparative Example 1 as described above. It was.

以上、説明したように、本発明によれば、液晶ポリマーを使用した多層配線回路基板における製造条件を緩和することができ、且つ液晶ポリマーの特長である高周波領域における伝送損失を低減した多層配線回路基板を提供することが可能となる。従って、本発明の多層配線回路基板は、小型化、軽量化、高機能化等が要求されている電子情報機器に使用される多層配線回路基板として有用である。   As described above, according to the present invention, the multilayer wiring circuit can relax the manufacturing conditions in the multilayer wiring circuit board using the liquid crystal polymer and reduce the transmission loss in the high frequency region, which is a feature of the liquid crystal polymer. A substrate can be provided. Therefore, the multilayer wiring circuit board of the present invention is useful as a multilayer wiring circuit board used in electronic information equipment that is required to be reduced in size, weight, and functionality.

図1(a)〜(c)は、本発明の多層配線回路基板とそれを製造する方法の好適な一実施形態を示す工程概略図である。1A to 1C are process schematic diagrams showing a preferred embodiment of a multilayer wiring circuit board and a method of manufacturing the same according to the present invention. 図2(a)及び(b)は、本発明の多層配線回路基板とそれを製造する方法の好適な一実施形態を示す工程概略図である。FIGS. 2A and 2B are process schematic diagrams showing a preferred embodiment of the multilayer wiring circuit board and the method of manufacturing the same of the present invention. 図3(a)〜(c)は、本発明の効果を検証するための高周波領域の伝送特性を評価するためのサンプル概略図である。3A to 3C are sample schematic diagrams for evaluating transmission characteristics in a high-frequency region for verifying the effects of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1,2,13・・・液晶ポリマー基材層、3’,4’・・・配線回路、5,6・・・銅箔、7,15,16・・・シロキサン変性ポリイミド接着シート、8,9・・・カバーレイフィルムもしくはソルダーレジスト、10,11,14・・・配線基板、12,17・・・多層配線基板。   1, 2, 13 ... Liquid crystal polymer substrate layer, 3 ', 4' ... Wiring circuit, 5, 6 ... Copper foil, 7, 15, 16 ... Siloxane-modified polyimide adhesive sheet, 8, 9: Coverlay film or solder resist, 10, 11, 14 ... wiring board, 12, 17 ... multilayer wiring board.

Claims (7)

液晶ポリマーを基材層とし、その片面又は両面に基材層側の表面粗度Rzが0.5〜3μmの回路導体層が設けられた複数枚の配線基板と、前記配線基板間に介在するシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層が積層された多層配線回路基板であって、前記配線基板の基材を構成する液晶ポリマーの熱変形温度Lt(℃)と絶縁層のシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂の熱変形温度St(℃)との関係が、Lt>Stであることを特徴とする多層配線回路基板。 A liquid crystal polymer is used as a base material layer, and a plurality of wiring boards provided with a circuit conductor layer having a surface roughness Rz of 0.5 to 3 μm on one side or both sides of the base material layer are interposed between the wiring boards. A multilayer wiring circuit board in which an insulating layer formed of a resin containing a siloxane-modified polyimide is laminated, the thermal deformation temperature Lt (° C.) of the liquid crystal polymer constituting the base material of the wiring board and the siloxane-modified polyimide of the insulating layer A multilayer wiring circuit board, wherein a relationship with a thermal deformation temperature St (° C.) of a resin containing is Lt> St. シロキサン変性ポリイミドが、下記式(1)及び(2)に示す構造単位を有し、熱変形温度が60〜170℃の範囲にある請求項1記載の多層配線回路基板。
Figure 0005186266

(式中、Arは4価の芳香族基を、R及びRは2価の炭化水素基を、R〜Rは炭素数1〜6の炭化水素基を、nは1〜20の整数を表す。)
Figure 0005186266

(式中、Arは4価の芳香族基を、Arは2価の芳香族基を表す。)
Siloxane-modified polyimide has a structural unit represented by the following formula (1) and (2), the multilayer printed circuit board according to claim 1 Symbol placement thermal deformation temperature is in the range of 60 to 170 ° C..
Figure 0005186266

(In the formula, Ar 1 is a tetravalent aromatic group, R 1 and R 2 are divalent hydrocarbon groups, R 3 to R 6 are hydrocarbon groups having 1 to 6 carbon atoms, and n is 1 to 1) Represents an integer of 20.)
Figure 0005186266

(In the formula, Ar 1 represents a tetravalent aromatic group, and Ar 2 represents a divalent aromatic group.)
シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層を2層以上有する請求項1又は2記載の多層配線回路基板。 The multilayer wiring circuit board according to claim 1 or 2, comprising two or more insulating layers formed of a resin containing siloxane-modified polyimide. 配線基板の基材を構成する液晶ポリマーの熱変形温度Lt(℃)とシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂の熱変形温度St(℃)との関係が、Lt>Stである材料を用いて、液晶ポリマーを基材層とし、その片面又は両面に基材層側の表面粗度Rzが0.5〜3μmの回路導体層が設けられた配線基板を2層以上準備し、前記配線基板間に、シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層を介在させた後、シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂の熱変形温度St(℃)以上で、液晶ポリマーの熱変形温度Lt(℃)未満の温度範囲で加熱加圧処理することを特徴とする多層配線回路基板の製造方法。 By using a material in which the relationship between the thermal deformation temperature Lt (° C.) of the liquid crystal polymer constituting the substrate of the wiring board and the thermal deformation temperature St (° C.) of the resin containing the siloxane-modified polyimide is Lt> St, Is prepared as a base material layer, and two or more wiring boards each having a circuit conductor layer having a surface roughness Rz of 0.5 to 3 μm on the base material layer side are provided on one side or both sides, and siloxane is interposed between the wiring boards. After interposing an insulating layer formed from a resin containing a modified polyimide, heating is performed in a temperature range above the heat deformation temperature St (° C.) of the resin containing the siloxane-modified polyimide and lower than the heat deformation temperature Lt (° C.) of the liquid crystal polymer. A method for producing a multilayer printed circuit board, comprising performing a pressure treatment. シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂は、熱変形温度が60〜170℃の範囲にある請求項記載の多層配線回路基板の製造方法。 The method for producing a multilayer wiring circuit board according to claim 4 , wherein the resin containing the siloxane-modified polyimide has a heat distortion temperature in a range of 60 to 170 ° C. シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層がフィルム状で供され、加熱加圧処理での圧力範囲が1MPa〜6MPaの範囲である請求項4又は5記載の多層配線回路基板の製造方法。 The method for producing a multilayer wiring circuit board according to claim 4 or 5, wherein the insulating layer formed of a resin containing siloxane-modified polyimide is provided in a film form, and the pressure range in the heat and pressure treatment is in the range of 1 MPa to 6 MPa. 回路導体層が設けられた配線基板を2層以上準備する工程において、配線基板が、銅箔と液晶ポリマーの積層体の銅箔を任意の形状にエッチング除去して得られたものである請求項4〜6の何れかに記載の多層配線回路基板の製造方法。 In the step of preparing two or more wiring boards provided with circuit conductor layers, the wiring board is obtained by etching and removing a copper foil of a laminate of a copper foil and a liquid crystal polymer into an arbitrary shape. The manufacturing method of the multilayer wiring circuit board in any one of 4-6 .
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